KR101520373B1 - 증기 전달 장치, 이의 제조 방법 및 사용 방법 - Google Patents

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Abstract

방법은 액체 전구체 화합물을 수용하는 전달 장치에 담체 가스의 제 1 스트림을 이송하는 단계를 포함한다. 방법은 전달 장치의 하류 지점에 담체 가스의 제 2 스트림을 이송하는 단계를 더 포함한다. 전달 장치로부터 배출된 이후의 제 1 스트림과 제 2 스트림은 결합되어 제 3 스트림을 형성하여, 제 3 스트림에서 액체 전구체 화합물의 증기의 이슬점은 하나의 CVD 반응기 또는 복수 개의 CVD 반응기들에 증기를 이송하는 배관의 온도보다 낮다. 제 1 스트림의 유동 방향, 제 2 스트림의 유동 방향 및 제 3 스트림의 유동 방향은 일방향이고 상호 간에 대향하지 않는다.

Description

증기 전달 장치, 이의 제조 방법 및 사용 방법{VAPOR DELIVERY DEVICE, METHODS OF MANUFACTURE AND METHODS OF USE THEREOF}
본 발명은 증기 전달 장치, 이의 제조 방법 및 사용 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기상(vapor phase)에서 액체 전구체 화합물을 반응기에 전달하는 고출력, 고성능 전달 장치에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 화합물을 포함하는 반도체는 많은 전자 및 광전자 소자들, 예컨대, 레이저, 발광 다이오드(LED), 광검출기 등의 생산에 사용된다. 이런 물질은 다양한 조성 및 일 마이크로의 몇 분의 일 내지 수 마이크로의 범위에 있는 두께를 갖는 상이한 단결정 레이어를 제조하는 데에 사용된다. 유기금속 화합물을 사용하는 화학 기상 증착(CVD) 방법은 일반적으로 금속 박막 또는 반도체 박막, 예컨대, Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 필름의 증착을 위해 채택된다. 이러한 유기금속 화합물은 액체 또는 고체 중 어느 하나일 수 있다.
CVD 방법에서, 반응성 가스 스트림(reactive gas stream)은 일반적으로 반응기에 전달되어 전자 및 광전자 소자를 위해 원하는 필름을 증착한다. 반응성 가스 스트림은 전구체 화합물의 증기로 비말동반된, 담체 가스(carrier gas), 예컨대, 수소로 구성된다. 전구체 화합물이 액체(이하에서 액체 전구체 화합물)일 때, 반응성 가스 스트림은 일반적으로 전달 장치(즉, 버블러) 안에서 액체 전구체 화합물을 통해 담체 가스를 통과(즉, 버블링)함으로써 획득된다. 전달 장치는 액체 전구체 화합물을 수용하는 컨테이너(container)를 둘러싸는 배쓰(bath)를 포함한다.
액체 전구체 화합물은 그램당 2.0 내지 10.0 와트-분의 증기화의 비엔탈피를 갖는다. 전달 장치를 통한 담체 가스 유동이 존재하지 않을 때 배쓰와 액체 전구체 화합물 사이의 온도차는 영(0)이고 에너지는 전달 장치 안에서 소모되지 않는다. 한편, 액체 전구체 화합물을 특정 온도에서 반응기에 전달하는 것이 요구될 때, 담체 가스는 액체 전구체 화합물을 통과하여 유동될 수 있으며, 그 결과로서 액체 전구체 화합물이 냉각된다. 이런 냉각은, 액체 전구체 화합물에서의 온도 변화가 반응기에 전달되는 액체 전구체 화합물의 가변적인 양으로 이어지기 때문에 바람직하지 않다. 온도 변화를 보상하기 위하여, 배쓰는 이제 액체 전구체 화합물을 일정한 온도로 유지하는 것을 시도하기 위하여 에너지를 열의 형태로 전달 장치에 전달한다. 따라서 배쓰와 액체 전구체 화합물 사이의 온도차는 더 이상 영(0)이 아니다. 열이 배쓰로부터 액체 전구체 화합물에 공급되기 때문에, 액체 전구체 화합물의 온도는 이제 정확하게 알려지지 않는다(즉, 액체 전구체 화합물에서 온도 변화가 존재한다).
초기 액체 전구체 화합물 전달 장치는 200 그램의 특정한 액체 전구체 화합물에 상응하는 체적을 수용할 수 있었던, 길고 좁은 실린더, 즉 2보다 큰 종횡비였다. 따라서 전달 장치는 액체 전구체 화합물 질량에 대한 큰 표면적 비율을 가졌고 손쉽게 상업적으로 이용가능한 항온 배쓰에 완전히 담길 수 있있다. 담체 가스 유동은 작았고 이에 따른 배쓰와 액체 전구체 화합물 사이의 온도차는 무시해도 될 정도였다. 분당 몰에서 액체 전구체 화합물 플럭스(flux)는 버블러의 사용 내내 거의 변화가 없이 1 중량 퍼센트(wt%) 내에서 알려졌다.
현재의 액체 전구체 화합물 전달 장치는 초기 액체 전구체 화합물 전달 장치보다 크고 이전의 장치와 비교해서 더 낮은 종횡비(2보다 작은 높이-대-직경 종횡비를 갖는)의 실린더(lower-aspect-ratio)를 이용한다. 현재의 전달 장치는 2킬로그램보다 많은 액체 전구체 화합물을 수용하고, 액체 전구체 화합물을 10킬로그램까지 수용할 수 있다. 이런 큰 실린더들은 일반적으로 상업적으로 이용가능한 항온 배쓰와 맞지 않는다. 종종 실린더 상면의 일부는 주위 공기에 노출되고 이에 따라 주위 상태에 따라 액체 전구체 화합물에 대한 의도치 않는 가열원 또는 냉각원이 된다.
게다가, 분당 약 1 표준 리터의 담체 가스 유동 및 액체 전구체 화합물의 분당 1 그램의 증기화율이 이런 더 큰 현재의 액체 전구체 화합물 전달 장치에 사용되고, 이에 따라 증기화를 위하여 5와트의 에너지를 사용한다. 결과적으로, 액체 전구체 화합물 온도는 손쉽게 배쓰 온도로부터 2℃보다 더 벗어나고, 이는 10wt%까지 액체 전구체 화합물 플럭스에서의 편차를 야기할 수 있다.
더 큰 현재의 액체 전구체 화합물 전달 장치가 갖는 다른 관심사는 전구체 화합물 플럭스의 정상 상태(steady state)에 도달하는 데에 소요되는 시간이다. 전달 장치로부터 액체 전구체 화합물 증기의 플럭스가 안정화될 때까지 반응기에서 화학 공정은 진행될 수 없다. 액체 전구체 화합물 플럭스를 안정화시키는 시간은 주로 전달 장치에서 액체 전구체 화합물의 질량 및 열전달 면적에 따른다. 이런 파라미터(parameter)들 모두만이 대략 알려진다. 담체 가스 유동을 시작하자마자, 액체 전구체 화합물은 증기화를 위한 내부 열을 이용하고, 이에 따라 액체 전구체 화합물의 냉각을 야기한다. 비교적 큰 액체 전구체 화합물 질량은 정상 상태 온도에 도달하는 데에 비교적 긴 시간 주기를 야기하는 반면에, 비교적 더 작은 액체 전구체 화합물 질량은 정상 상태 온도에 도달하는 데에 비교적 더 짧은 시간 주기를 야기한다. 정상 상태 온도에 도달하는 데에 소요되는 시간은 열 전달 면적 및 남은 질량에 따른다.
따라서 큰 전달 장치로부터 액체 전구체 화합물의 증기를 전달하기 위한, 적어도 1 와트의 에너지가 증기화를 위하여 이용되는 향상된 전달 장치 및 방법에 대한 필요성이 존재한다. 또한 분당 1 표준 리터보다 큰 담체 가스 유동을 이용하는 동시에, 공정 내내 전달 장치로부터 액체 전구체 화합물이 고갈될 때까지 전구체 증기의 균일하고 높은 플럭스(flux)를 전달할 수 있는 전달 장치를 갖는 것이 바람직하다.
액체 전구체 화합물을 위한 전달 시스템은 입구 포트 및 출구 포트를 갖는 전달 장치; 제 1 비례제어밸브(전달 장치는 제 1 비례제어밸브와 작동가능하게 연결되고; 제 1 비례제어밸브는 인가 전압을 기초하여 담체 가스의 유동을 제어하도록 작동한다); 전달 장치의 하류에 위치되고 전달 장치로부터 배출되는 유체 스트림의 화학적 함량을 분석하도록 작동하며, 제 1 비례제어밸브와 연결되는 물리화학 센서; 및 물리화학 센서 및 제 1 비례제어밸브와 작동가능하게 연결되는 제 1 압력/유동 컨트롤러를 포함하되, 전달 시스템은 전달 시스템과 연결되는 복수 개의 반응기들의 각각에 액체 전구체 화합물 증기의 단위 시간당 실질적으로 일정한 몰수를 전달하도록 작동하고; 액체 전구체 화합물은 전달 장치에서 액체 상태로 존재한다.
방법은 담체 가스의 제 1 스트림을 전달 장치에 이송하는 단계(전달 장치는 액체 전구체 화합물을 수용하고; 담체 가스의 제 1 스트림은 20℃ 이상의 온도로 존재한다); 담체 가스의 제 2 스트림을 전달 장치의 하류 지점으로 이송하는 단계(제 1 스트림의 유동 방향과 제 2 스트림의 유동 방향은 상호 간에 대향하지 않는다); 및 제 2 스트림과 전달 장치로부터 배출되는 이후의 제 1 스트림을 결합하여 제 3 스트림을 형성하는 단계(제 3 스트림에서 전구체 화합물의 증기의 이슬점은 주위 온도보다 낮다)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 액체 전구체 화합물을 위한 전달 시스템은, 입구 포트 및 출구 포트를 가지며, 액체 전구체 화합물을 수용하는 전달 장치; 전달 장치와 작동가능하게 연결되고, 전달 장치로 이동하는 제 1 스트림과 유체이동가능하게 연결되며, 인가 전압에 기초하여 제 1 스트림의 유동을 제어하도록 작동하는 제 1 비례제어밸브; 전달 장치를 우회하는 제 2 스트림과 유체이동가능하게 연결되며, 인가 전압에 기초하여 제 2 스트림의 유동을 제어하도록 작동하는 제 2 비례제어밸브(여기서, 제 1 스트림과 제 2 스트림은 하나의 담체 가스의 스트림으로부터 둘로 나뉘어진 것이며, 제 2 스트림은 전달 장치의 하류의 일 지점에서 전달 장치로부터 나온 제 1 스트림과 접촉한다); 전달 장치의 하류에 위치되고 전달 장치로부터 배출되는 유체 스트림의 화학적 함량을 분석하도록 작동하며, 제 1 비례제어밸브와 연결되는 물리화학 센서; 물리화학 센서 및 제 1 비례제어밸브와 작동가능하게 연결되는 제 1 압력/유동 컨트롤러; 전달 장치의 하류에 위치되고, 전달 장치 및 제 2 비례제어밸브와 유체이동가능하게 연결된 압력 센서; 및 압력 센서와 작동가능하게 연결되고, 제 2 비례제어밸브와 전기적으로 연결된 제 2 압력/유동 컨트롤러를 포함하되, 전달 시스템은 전달 시스템과 연결된 복수 개의 반응기들에 담체 가스의 단위 체적당 액체 전구체 화합물 증기의 일정한 몰수를 전달하도록 작동하고; 액체 전구체 화합물은 전달 장치에서 액체 상태로 존재하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액체 전구체 화합물을 전달하는 방법은, 담체 가스의 제 1 스트림을 전달 장치에 이송하는 단계(여기서, 전달 장치는 액체 전구체 화합물을 수용하고; 액체 전구체 화합물은 전달 장치에서 액체 상태로 존재한다); 담체 가스의 제 2 스트림을 전달 장치를 우회하여 전달 장치의 하류의 일 지점으로 이송하는 단계(여기서, 제 1 스트림과 제 2 스트림은 하나의 담체 가스의 스트림으로부터 둘로 나뉘어진 것이다); 및 전달 장치로부터 배출된 후의 제 1 스트림과 제 2 스트림을 상기 일 지점에서 결합하여 제 3 스트림을 형성하는 단계를 포함하되, 전달 장치는 제 1 비례제어밸브와 작동가능하게 연결되고, 제 1 비례제어밸브는 제 1 스트림과 유체이동가능하게 연결되며, 인가 전압에 기초하여 제 1 스트림을 제어하도록 작동하고, 전달 장치로부터 배출되는 유체 스트림의 화학적 함량을 분석하기 위한 물리화학 센서는 전달 장치의 하류에 위치되어 제 1 비례제어밸브와 연결되며, 제 1 압력/유동 컨트롤러는 물리화학 센서 및 제 1 비례제어밸브와 작동가능하게 연결되고, 제 2 비례제어밸브는 제 2 스트림과 유체이동가능하게 연결되며, 인가 전압에 기초하여 제 2 스트림을 제어하도록 작동하고, 압력 센서는 전달 장치의 하류에 위치되고, 전달 장치 및 제 2 비례제어밸브와 유체이동가능하게 연결되며, 제 2 압력/유동 컨트롤러는 압력 센서와 작동가능하게 연결되고, 제 2 비례제어밸브와 전기적으로 연결되며, 전달 시스템은 전달 시스템과 연결된 복수 개의 반응기들에 담체 가스의 단위 체적당 액체 전구체 화합물 증기의 일정한 몰수를 전달하도록 작동하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 전달 장치가 각각 반응기 베셀과 유체이동가능하게 연결되는 하나 이상의 질량 유동 컨트롤러와 유체이동가능하게 연결되고 전달 장치로부터의 증기가 반응기에서 선택된 표면 상에 위치되는 예시적인 전달 시스템의 개략도이다.
도 2는 단일 압력/유동 컨트롤러가 전달 장치를 통해 유량을 제어하는 예시적인 전달 시스템의 개략도이다.
도 3은 단일 압력/유동 컨트롤러가 전달 장치를 통해 질량 유량을 제어하는 예시적인 전달 시스템의 다른 개략도이다.
도 4는 예시적인 혼합 챔버의 개략도이다.
도 5는 다른 예시적인 혼합 챔버의 개략도이다.
도 6은 실시예에서 사용되었고 개시된 전달 장치와 비교되었던 비교 전달 장치의 개략도이다.
도 7a는 용량의 40%까지 충진된 때 비교 전달 장치의 성능을 도시하는 그래프이다.
도 7b는 용량의 20%까지 충진된 때 비교 전달 장치의 성능을 도시하는 그래프이다.
도 8은 개시된 전달 장치뿐 아니라 종래의 전달 장치에 대한 성능 데이터를 나타내는 그래프이다.
본 발명은 다양한 구체예들이 도시된, 첨부된 도면들을 참조하여 이하에서 보다 완전하게 설명될 것이다. 전체에 걸쳐 동일한 참조 번호는 동일한 요소를 나타낸다.
구성요소가 다른 구성요소 "상에(on)" 위치하는 것으로 언급될 때, 다른 구성요소 상에 직접 위치할 수 있거나, 사이의 구성요소들이 이들 사이에 위치할 수 있다는 것이 이해될 것이다. 반면에, 구성요소가 다른 구성요소 "상에 직접(directly on)" 위치하는 것으로 언급될 때, 어떠한 사이의 요소들도 위치하지 않는다. 여기서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는(and/or)"은 연관되고 나열된 목록들 중 하나 이상의 어떠한 조합 및 모든 조합을 포함한다.
비록 용어들 제 1, 제 2, 제 3 등이 여기서는 다양한 구성요소들, 성분들, 영역들, 레이어들 및/또는 부분들을 설명하는 데에 사용될 수 있더라도, 이런 구성요소들, 성분들, 영역들, 레이어들 및/또는 부분들이 이런 용어에 의해 한정되지 않아야 한다는 것이 이해될 것이다. 이런 용어들은 하나의 구성요소, 성분, 영역, 레이어 또는 부분을 다른 하나의 구성요소, 성분, 영역, 레이어 또는 부분과 구별하는 데에만 사용된다. 따라서, 하기에 설명된 제 1 구성요소, 성분, 영역, 레이어 또는 부분은 본 발명의 교시로부터 분리됨이 없이 제 2 구성요소, 성분, 영역, 레이어 또는 부분으로 명명될 수 있다.
여기서 사용된 용어는 특정한 구체예들만을 설명하는 목적을 위한 것이고 한정되는 것으로 의도되지 않는다. 여기서 사용된 바와 같이, 문맥이 명확하게 그렇지 않게 개시되지 않는다면, 단수형 "a", "an" 및 "the"는 복수형도 포함하도록 의도된다. 또한 본 명세서에서 사용될 때 용어 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)" 또는 "포함한다(include)" 및/또는 "포함하는(including)"은 정해진 구조체(feature), 영역(region), 정수(integer), 단계(step), 작용(operation), 구성요소(element), 및/또는 성분(component)의 존재를 특정하나, 하나 이상의 다른 구조체, 영역, 정수, 단계, 작용, 구성요소, 성분 및/또는 이들의 그룹의 추가 또는 존재를 불가능하게 하지 않는다 것이 더 이해될 것이다. 연결 용어 "포함하는(comprising)"은 연결 용어 "이루어지는(consisting of)" 및 "실질적으로 이루어지는(consisting essentially of)"을 포함한다. 용어 및/또는(and/or)은 여기서 "및"뿐 아니라 "또는" 모두를 의미하는 데에 사용된다. 예를 들어, "A 및/또는 B"는 A, B 또는 A와 B를 의미하도록 구성된다.
더욱이, 상대적인 용어, 예컨대, "하부(lower)" 또는 "하면(bottom)" 및 "상부(upper)" 또는 "상면(top)"은 여기서 도면에서 도시된 바와 같이 하나의 구성요소의 관계를 다른 구성요소에 대하여 설명하는 데에 사용될 수 있다. 상대적인 용어는 도면들에 도시된 배향(orientation) 이외에 장치의 상이한 배향을 포함하도록 의도되는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 만약 도면들 중 하나에서 장치가 뒤집어진다면, 이어서 다른 구성요소들의 "하부" 측 상에 위치하는 것과 같이 설명된 구성요소들은 다른 구성요소의 "상부" 측 상에 배향될 것이다. 따라서 예시적인 용어 "하부"는 도면의 특정한 배향에 따라, "하부" 및 "상부"의 배향 모두를 포함할 수 있다. 유사하게는, 만약 도면들 중 하나에서 장치가 뒤집어진다면, 이어서 다른 구성요소 "아래로(below)" 또는 "아래로(beneath)"와 같이 설명된 구성요소는 다른 구성요소 "위로(above)" 배향될 것이다. 따라서 예시적인 용어 "아래로(below)" 또는 "아래로(beneath)"는 위 및 아래의 배향 모두를 포함할 수 있다.
만약 정의되지 않았다면, 여기서 사용된 (기술 및 과학 용어를 포함하는) 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 바와 같이 동일한 의미를 갖는다. 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 것과 같은 용어는 본 발명 및 관련 기술분야의 맥락에서의 의미와 일치하는 의미를 갖는 것과 같이 해석되어야만 하고, 만약 여기서 그렇게 명확하게 정의되지 않는다면 이상적이거나 너무 형식적인 의미로 해석되지 않을 것이라는 것이 추가로 이해될 것이다.
예시적인 구체예는 이상적인 구체예의 개략적인 도면인 단면도를 참조하여 여기서 설명된다. 이러한 바와 같이, 예를 들어, 제조기술 및/또는 오차의 결과로서 도면들의 형상으로부터 변화가 예상된다. 따라서, 여기서 설명된 구체예는 여기서 도시된 바와 같이 영역의 특정한 형상으로 한정되는 바와 같이 구성되지 않아야 하나, 예를 들어, 제조로부터 기인하는 형상에서의 편차를 포함하는 것이다. 예를 들어, 평평한 것으로 도시되거나 설명되는 영역은 일반적으로 거칠고 및/또는 비선형인 구조체들을 갖는다. 또한, 도시된 날카로운 각도가 둥글 수도 있다. 따라서, 도면들에서 도시되는 영역은 사실상 개략적이고, 그 형상은 영역의 정확한 형상을 도시하도록 의도되지 않고 본 청구항의 범위를 한정하도록 의도되지 않는다.
다양한 수치 범위가 여기서 개시된다. 이런 범위는 종단점들뿐 아니라 이런 종단점들 사이의 수치 값을 포함한다. 이런 범위에서 수치는 치환가능하다.
여기서 농도 센서 및 압력 센서를 통하여 (질량 유동 컨트롤러(mass flow controller) 및 반응기 베셀(vessel)을 포함하는) 반응기와 유체이동가능하게 연결되는 전달 장치를 포함하는 액체 전구체를 위한 전달 시스템이 개시된다. 농도 센서 및 압력 센서는 각각 전달 시스템을 통한 담체 가스(carrier gas)의 유동을 제어하는 제 1 압력/유동 컨트롤러 및 제 2 압력/유동 컨트롤러와 전기적으로 연결된다. 전달 시스템은 전달 장치로 유동하고 액체 전구체 화합물에 접촉하는 제 1 스트림(stream) 및 전달 장치를 우회하는 제 2 스트림인, 2 개의 담체 가스 스트림들로 분열되는 담체 가스 스트림을 사용한다. 액체 전구체는 대기 압력에서 -10℃부터 200℃까지의 액체 상태로 존재하는 성분 또는 화합물이다.
2개의 스트림들로의 담체 가스의 분열은 전구체의 온도의 타이트한 제어(tight control)를 유지할 필요성, 예컨대 섭씨 수도 내에서 유지하는 것을 제거한다. 1.0 와트를 초과하는 증발 로딩에서 온도의 이러한 타이트한 제어를 유지하는 것은 어렵고 비싸다. 전체적인 제 1 스트림의 유동 경로는 원한다면 어떤 열 손실을 대응하고 원래(예측된) 값에 더 근접한 온도를 유지하도록 상승된 온도까지 가열될 수 있다.
상승된 온도와 함께 사용될 때 제 1 스트림에서 더 낮은 유량은 전구체 증기의 더 높은 체적의 비말동반을 허용한다. 유동의 방향에 수직인 표면을 가로지르는 단위 시간당 전달된 전구체 증기의 양은 플럭스(flux)로 명명되고 분당 몰수 또는 다른 편리한 단위로 측정된다. 반응기 안에서 수행된 공정은 전구체 플럭스에 따른다. 만약 전구체 플럭스가 정확하게 유지될 수 없다면, 공정 결과는 예측불가능하다. 전구체 증기 플럭스는 액체 전구체 화합물을 우회하는 스트림이 존재하지 않는 비교 시스템에 비하여 제 1 스트림에서는 더 높고 제 2 가스 스트림에서는 영이다.
전달 시스템은 균일하고 일정한 농도의 전구체 증기를 복수 개의 반응기들에 전달하는 기능을 한다. 반응기의 상류에 위치된 질량 유량 컨트롤러와 함께, 반응기에 전달된 단위 시간당 전구체 증기의 몰수(즉, 플럭스)가 또한 일정하게 유지된다.
높은 농도의 비말동반 증기를 갖는 제 1 스트림 및 담체 가스만을 포함하는 제 2 스트림은 제 3 스트림을 형성하도록 전달 장치의 하류에 상호 간에 접촉한다. 제 2 스트림 및 제 1 스트림은 결합하여 제 3 스트림을 형성한다. 제 3 스트림을 형성하도록 (증기와 비말동반된) 제 1 스트림 및 (증기가 없는) 제 2 스트림의 결합은 바이패스(bypass)를 이용하지 않는 비교 장치와 비교될 때 특히 반응기에 보다 정확한 농도의 전구체 증기의 전달을 야기한다.
제 3 스트림의 이슬점은 반응기 및 전달 시스템을 연결하는 하드웨어 및 배관의 온도 아래로 조절될 수 있다. 이런 방식으로, 연결 배관 내부에서 액체 전구체의 응결은 회피된다. 상이한 이슬점을 갖는 다양한 상이한 액체 전구체들을 사용하고 어느 연결 라인들을 가열함으로써 이런 전구체들 중 어느 하나의 응결을 회피하는 것이 가능하다.
본 전달 시스템은 전달 장치로부터의 액체 전구체 화합물의 소모까지 반응기에 균일하고 정확한 농도의 전구체 증기를 전달한다는 점에서 바람직하다. 이는 120 킬로파스칼(㎪)(900 torr) 이상, 바람직하게는 160 ㎪(1200 torr) 이상, 및 더 바람직하게는 200 ㎪(1500 torr) 이상의 압력에서 하나의 반응기 또는 복수 개의 반응기들에 분당 0.5그램 이상, 바람직하게는 분당 2.0그램 이상 및 더 바람직하게는 분당 10.0그램 이상인 전구체 플럭스들을 허용한다.
전달 시스템은 동시에 복수 개의 반응기들에 전달되는 전구체 증기를 제공할 수 있기 때문에 또한 바람직하다. 전달 시스템은 복수 개의 반응기들로부터 경쟁적인 요구들을 상쇄하고 개별적인 반응기로부터 체적 요구에 관계없이 각각의 반응기에 균일한 농도의 전구체 증기를 갖는 스트림을 공급할 수 있다. 본 전달 시스템은 실질적으로 일정한 농도의 전구체 증기를 반응기들의 각각에 전달할 수 있다.
본 전달 시스템에서 전구체 증기의 농도는 선택된 값으로부터 1 중량 퍼센트(wt%) 이상의 양, 바람직하게는 선택된 값으로부터 0.5 wt% 이상의 양, 및 더 바람직하게는 선택된 값으로부터 0.2 wt% 이상의 양으로 변동한다. 종래의 전달 시스템에서, 전구체 증기의 농도는 10 wt%보다 많이 변동한다.
전달 시스템은 선택적인 혼합 챔버의 존재 없이 어떠한 대향 유동을 이용하지 않는다는 점에서 독특하다. 다시 말해서, 전달 시스템은 대향 방향으로부터 상호 간에 접촉하는 유동을 사용하지 않는다. 시스템은 선택적인 혼합 챔버가 사용될 때만 대향 유동을 채택할 수 있다.
상기에 언급된 바와 같이, 전달 시스템은 혼합 챔버를 사용한다. 일 구체예에서, 혼합 챔버는 전달 시스템이 대향 유동을 사용하지 않을 때 사용될 수 있다. 혼합 챔버에서 담체 가스와 전구체 증기의 상호 작용은 더 양호한 혼합을 용이하게 하고 이에 따라 반응기로의 전구체 증기의 균일한 전달을 보장한다. 다른 구체예에서, 혼합 챔버는 전달 시스템이 대향 유동들을 채택할 때만 사용된다.
이제 도 1을 참조하여, 전달 시스템(100)은 각각 물리화학 센서(104) 및 압력 센서(106)를 통해 질량 유동 컨트롤러(208) 및 반응기(200)와 연결되는 전달 장치(102)를 포함한다. 물리화학 센서(104) 및 압력 센서(106)는 각각, 제 1 압력/유동 컨트롤러(108) 및 제 2 압력/유동 컨트롤러(110)와 작동가능하게 연결된다. 각각, 제 1 압력/유동 컨트롤러(108)는 제 1 비례제어밸브(proportional valve)(112)와 작동가능하게 연결되는 반면에, 제 2 압력/유동 컨트롤러(110)는 제 2 비례제어밸브(114)와 작동가능하게 연결된다. 예시적인 구체예에서, 각각 제 1 압력/유동 컨트롤러(108)는 제 1 비례제어밸브(112)와 전기적으로 연결되는 반면에, 제 2 압력/유동 컨트롤러(110)는 제 2 비례제어밸브(114)와 전기적으로 연결된다.
전달 장치(102)는 전달 장치의 온도를 변경시키거나 안정화시키는 데에 사용될 수 있는 워터 배쓰(water bath) 안에 위치되지 않는다. 이는 주위 환경에 의해 영향받는 것 이외에 어떤 외부 가열원 또는 냉각원이 없다. 전달 장치(102)는 크기가 0.5리터 내지 100.0리터이고, 스케일(scale)(105) 상에 위치된다. 스케일(105)은 전달 장치(102) 안에 포함된 액체 전구체 화합물의 양을 결정하는 데에 이용된다. 전달 장치(102)가 다수 배 클 수 있고, 예컨대 1,000리터까지 일 수 있으나, 이러한 큰 전달 장치의 이송 및 취급은 복잡하게 될 것이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 인정될 것이다.
비례제어밸브들(112, 114)은 전달 장치(102)의 상류에 위치될 때 전달 시스템(100)을 통한 담체 가스의 유동을 제어하도록 작동한다. 비례제어밸브(112)는 또한 원한다면 전달 장치의 하류에 위치될 수 있고, 전구체 증기 및 담체 가스의 유동을 제어하도록 작동한다. 차단 밸브들(116, 118, 120, 122)은 전달 장치의 상이한 구성요소를 격리시키는 데에 사용된다. 일 구체예에서, 차단 밸브들(116, 118)은 정상 작동(normal operation)에서 개방된다.
비례제어밸브들(112, 114) 쪽으로 전압이 증가될 때, 밸브 개구(opening)는 증가되는 데, 이에 의해 밸브를 통한 담체 가스의 유동을 증가시킨다. 한편, 비례제어밸브들 쪽으로 전압이 감소될 때, 밸브 개구는 감소되는 데, 이에 의해 밸브를 통한 담체 가스의 유동을 감소시킨다.
일 구체예에서, 제 1 압력/유동 컨트롤러(108), 제 1 비례제어밸브(112) 및 전달 장치(102)와 함께 물리화학 센서(104)는 담체 가스의 제 1 스트림(202)을 포함하는 제 1 폐쇄 루프를 형성한다. 담체 가스의 제 1 스트림(202)은 전달 장치(102) 상의 입구 포트를 통해 딥 튜브(dip tube)(103)에 배향된다. 제 1 스트림은 또한 전달 장치(102)에서 액체 전구체 화합물에 접촉하고 전구체 증기를 비말동반하기에 "소스 유동(source flow)" 스트림이라 불린다. 제 1 스트림의 기능들 중 하나가 전구체 증기를 비말동반하는 것이기에, 이는 일반적으로 상승된 온도로 유지된다.
제 1 스트림은 일반적으로 0℃ 내지 80℃, 바람직하게는 10℃ 내지 50℃, 및 더 바람직하게는 15℃ 내지 35℃의 주위 온도로 유지된다. 제 1 스트림(202)은 전구체 화합물의 증기를 비말동반한다. 전달 장치(102) 상면에 위치된 출구 포트는 액체 전구체 화합물의 비말동반된 증기와 함께 담체 가스의 스트림(203)의 배출을 용이하게 한다. 스트림(203)은 전달 장치(102)로부터 배출되고, 혼합 챔버(107) 안에서 담체 가스의 제 2 스트림(204)에 접촉한다.
다른 구체예에서, 제 2 압력/유동 컨트롤러(110), 제 2 비례제어밸브(114) 및 혼합 챔버(107)와 함께 압력 센서(106)는 담체 가스의 제 2 스트림(204)을 포함하는 제 2 폐쇄 루프를 형성한다. 담체 가스의 제 2 스트림(204)은 전달 장치(102)의 출구 포트로부터 배출되는 스트림(203)에 접촉하는 혼합 챔버(107)에 배향된다. 제 2 스트림은 또한 전달 장치(102)에서 액체 전구체 화합물을 우회하기에 "바이패스 유동(bypass flow)" 스트림이라 불린다.
스트림(203)으로서 전달 장치(102)를 빠져나온 이후에 제 1 스트림(202)은 질량 유량 컨트롤러(208)를 통해 반응기(200)에 들어가는 제 3 스트림(206)을 형성하도록 혼합 챔버(107) 안에서 제 2 스트림(204)과 결합한다. 제 1 스트림(202), 이제 스트림(203)은, 반응기(200)에 배향되는, 제 3 스트림(206)을 형성하도록 출구 밸브(122)의 하류에서 제 2 스트림(204)과 결합한다. 제 3 스트림(206)은 담체 가스 안에서 원하는 농도의 전구체 증기를 포함한다. 상기에 언급된 바와 같이, 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)은 상호 간에 대향하지 않는다. 일 구체예에서, 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)은 동일한 방향으로 유동한다. 다른 구체예에서, 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)는 반응기(200)에 들어가는 제 3 스트림(206)을 형성하도록 1 내지 90도의 각도에서 상호 간에 교차한다.
일 구체예에서, 선택적인 혼합 챔버(107)는 제 1 스트림(202), 이제는 (전달 장치(102)로부터의 전구체 증기 및 담체 가스를 포함하는) 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)으로부터의 유동을 결합하는 데에 사용될 수 있다. 혼합 챔버(107)에서, 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)으로부터의 유동은 대향 방향으로 도입될 수 있다. 다른 구체예에서, 혼합 챔버(107)는 이런 각각의 스트림들이 대향 방향으로 유동하지 않을 때 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)으로부터의 유동을 결합하는 데에 사용될 수 있다. 이런 구체예들 모두는 하기에 더 상세하게 설명될 것이다.
스트림(203)을 제 2 스트림(204)과 결합하여 제 3 스트림(206)을 형성함으로써, 담체 가스에서 전구체 증기의 농도는 전구체 증기의 더 낮은 이슬점을 야기하면서 감소된다. 결과적으로, 증기 비말동반된 담체 가스가 감소된 온도를 접할 때 전구체 증기 응결은 발생하지 않는다. 이는 담체 가스에 대한 일정한 비율의 전구체 증기가 하나의 반응기 또는 복수 개의 반응기들에 공급되는 것을 허용한다. 다른 구체예에서, 주위 온도 아래로 제 3 스트림에서의 전구체 증기의 이슬점을 감소시킴으로써, 전구체 증기 응결이 발생하지 않고 담체 가스에 대한 전구체 증기의 일정한 비율이 반응기에 공급될 수 있다.
제 1 및 제 2 폐쇄 루프들은 상호 간에 상호 작용하여 하나의 반응기(200) 또는 복수 개의 반응기(200)들에 대한 전구체 증기 농도 및 전달 압력을 제어한다. 각각의 반응기로의 전구체의 유량은 각 반응기에 연관된 질량 유동 컨트롤러(208)에 의해 제어된다. 제 1 및 제 2 폐쇄 루프들은 상호 간에 상호 작용하여 주위 온도 아래로 정확하게 조절된 전구체 증기의 이슬점을 유지한다. 이는 전구체 증기의 응결을 방지하고 다른 상업적으로 이용가능한 비교 시스템보다 더 높은 정확성으로 반응기에 더 많은 양의 전구체 증기의 이송을 허용한다. 개별적인 루프가 도 1에 도시된 폐쇄 루프로 도시된 반면에, 원한다면 이런 루프들 중 몇몇은 또한 개방 루프일 수 있다는 것이 예상된다.
도 1을 다시 참조하여, 전달 장치(102)는 전달 장치(102)로 담체 가스의 유동을 시작하거나 중단하는 데에 사용될 수 있는 입구 밸브(120)를 갖는다. 또한 전달 장치(102)는 전달 장치(102)로부터 반응기(200)로 비말동반된 전구체 증기와의 담체 가스의 유동을 시작하고 중단할 수 있는 출구 밸브(122)를 갖는다. 도 1에 도시될 수 있는 바와 같이, 전달 장치(102)는 반응기(200)와 유체이동가능하게 연결되어, 전달 장치(102)로부터의 전구체 증기는 반응기(200) 안의 선택된 표면들 상에 위치된다. 질량 유동 컨트롤러(208)는 반응기(200)로 혼합물의 원하는 유동을 인정한다.
질량 유동 컨트롤러(208)는 단일 질량 유동 컨트롤러 또는 복수 개의 질량 유동 컨트롤러들을 포함할 수 있는 반면에, 반응기(200)는 단일 반응기 또는 복수 개의 반응기들(미도시됨)을 포함할 수 있다. 예시적인 구체예에서, 질량 유동 컨트롤러(208) 및 반응기(200)는 복수 개의 질량 유동 컨트롤러들 및 반응기들을 포함한다.
전달 장치(102)는 담체 가스가 통과하여 들어가는 딥 튜브(103) 및 전구체 증기로 비말동반된 담체 가스가 통과하여 반응기(200)로 배출되는 출구 포트(109)를 포함한다. 전달 장치(102)의 입구 포트는 입구 밸브(120)와 유체이동가능하게 연결되고 반면에, 전달 장치(102)의 출구 포트는 출구 밸브(122)와 유체이동가능하게 연결된다. 일 구체예에서, 담체 가스를 전달 장치로 이송하는 데에 사용되는 파이프들 또는 튜브들은 모두 20℃ 내지 80℃의 온도로 유지된다.
전달 장치(102)와 입구 및 출구 포트들은 담체 가스 또는 액체 전구체 화합물에 의해 악화되지 않고 결국 담체 가스 또는 액체 전구체 화합물의 조성을 변경하지 않는 물질로 제조될 수 있다. 물질이 작동의 압력 및 온도를 견뎌내는 것이 또한 바람직하다. 인클로저(enclosure)는 예를 들어, 유리, 폴리테트라플루오르에틸렌 및/또는 금속과 같은 적절한 물질로 제조될 수 있다. 일 구체예에서, 인클로저는 금속으로 구성된다. 예시적인 금속은 니켈 합금 또는 스테인리스 스틸을 포함한다. 적절한 스테인리스 스틸은 SS304, SS304L, SS316, SS316L, SS321, SS347 및 SS430을 포함한다. 예시적인 니켈 합금은 인코넬(INCONEL), 모넬(MONEL) 및 하스텔로이(HASTELLOY)를 포함한다.
전달 장치(102)는 일반적으로 액체 전구체 화합물이 통과하여 도입되는 개구(미도시 됨)를 포함한다. 액체 전구체 화합물은 어떤 적절한 수단에 의해 전달 장치에 첨가될 수 있다.
액체 전구체 화합물은 전구체 증기의 공급원이다. 증기 전달 시스템에서 사용에 적합한 어떤 액체 전구체 화합물은 정상 고체 화합물의 현탁액 및 용액을 포함하는 전달 장치에 사용될 수 있다. 적절한 전구체 화합물은 인듐 화합물, 아연 화합물, 마그네슘 화합물, 알루미늄 화합물, 갈륨 화합물, 및 앞서 말한 화합물들 또는 이러한 화합물들의 액체 용액 및 현탁액 중 적어도 하나를 포함하는 조합을 포함한다. 바람직하게는, 액체 전구체 화합물은 알루미늄 화합물, 갈륨 화합물 및 앞서 말한 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 조합으로부터 선택된다. 액체 전구체 화합물의 혼합물은 본 전달 장치에 사용될 수 있다.
바람직한 액체 전구체 화합물은 보론 트리브로마이드, 포스포러스 옥시클로라이드, 포스포러스 트리브로마이드, 실리콘 테트라클로라이드, 실리콘 테트라브로마이드, 테트라에틸 오르도실리케이트, 아세닉 트리클로라이드, 아세닉 트리브로마이드, 안티모니 펜타클로라이드, 트리메틸갈륨(TMGa), 트리에틸갈륨(TEGa), 트리메틸알루미늄(TMAl), 에틸디메틸인듐, 3차-부틸아르신, 3차-부틸포스핀, 저마늄 테트라클로라이드(GeCl4), 스태닉 클로라이드(SnCl4), 트리메틸아세닉 ((CH3)3As), 트리메틸갈륨((CH3)3Ga), 트리에틸갈륨((C2H5)3Ga), 이소부틸저메인((C4H9)GeH3), 디에틸텔루라이드((C2H5)2Te), 디이소프로필텔루라이드((C3H7)Te), 디메틸징크((CH3)2Zn), 디에틸징크((C2H5)2Zn), 트리메틸안티모니((CH3)3Sb), 트리에틸안티모니((C2H5)3Sb), 보론 트리클로라이드(BCl3), 클로린 트리플로라이드(Cl3F3), 트리실레인(Si3H8) 등, 또는 앞서 말한 전구체들 중 적어도 하나를 포함하는 조합을 포함한다.
더 바람직한 액체 전구체 화합물은 트리메틸갈륨, 트리에틸갈륨, 트리메틸알루미늄, 3차-부틸포스핀, 3차-부틸아르신, 테트라에틸 오르도실리케이트, 실리콘 테트라클로라이드, 저마늄 테트라클로라이드, 이소부틸저메인, 트리메틸안티모니, 디메틸 징크, 디에틸 징크 등, 또는 앞서 말한 액체 전구체 화합물들 중 적어도 하나를 포함하는 조합이다.
적절한 담체 가스는 액체 전구체 화합물과 반응하지 않기만 하면 전달 장치(102)와 함께 사용될 수 있다. 담체 가스의 특정한 선택은 다양한 인자들, 예컨대 사용된 전구체 화합물 및 채택된 특정 화학 기상 증착 시스템에 따른다. 적절한 담체 가스는 비활성 가스를 포함한다. 예시적인 가스는 수소, 질소, 아르곤, 헬륨 등이다.
물리화학 센서(104)는 농도 센서이고, 담체 가스에서 전구체 증기의 농도를 측정한다. 물리화학 센서(104)는 연속적으로 가스 농도를 감시하고 전달 장치(102)를 통해 제 1 스트림(202)을 제어함으로써 전구체 증기의 물질 전달률(mass transfer rate)을 제어하여 농도 변화 및/또는 이동을 설명한다.
일 구체예에서, 물리화학 센서(104)는 담체 가스에 대한 전구체 증기의 비율을 감지하는 데에 사용되는 인-라인 어쿠스틱 이원가스 농도 센서(in-line acoustic binary gas concentration sensor)이다. 물리화학 센서는 음향 신호의 이동 시간을 정확하게 측정하는 디지털 신호 처리 기술을 이용하여, 가스 혼합물(즉, 담체 가스와 전구체 화합물의 증기의 혼합물)을 통해 이동하는 음향 신호를 발생한다. 이어서 이동 시간은 물리적 특성을 기초하여 담체 가스에서 전구체 증기의 농도를 계산하는 데에 사용된다. 이런 농도 측정은 담체 가스에 대한 전구체 증기의 농도에 있어 어떠한 변화를 보상하면서 전구체 증기의 물질 전달율의 제어를 감안하는 데이터를 제공한다. 물질 전달율에 있어 이런 제어는 제 1 비례제어밸브(112)에 의해 유발된다. 다른 센서들은 밀도를 측정함으로써 이원 가스의 조성을 또한 측정하는 마이크로전자기계회로들(MEMCs)을 포함한다.
예를 들어, 물리화학 센서(104)로부터의 출력이 0 볼트일 때, 담체 가스에서 전구체 증기의 농도는 0 wt%(중량 퍼센트)인 것을 나타낸다. 물리화학 센서(104)로부터의 출력이 5 볼트일 때, 담체 가스에서 전구체 증기의 농도는 1 wt%이다. 예시적인 구체예에서, 물리화학 센서(104)는 비코 코포레이션으로부터 상업적으로 이용가능한, PIEZOCON®이다.
예시적인 구체예에서, 액체 전구체 화합물이 트리메틸갈륨일 때, 물리화학 센서(104)는 전달 장치(102)를 통한 유동을 제어하는 데에 사용되어 트리메틸갈륨 증기에 대한 15℃ 이슬점을 갖는 전달 시스템(100)을 제공한다. 반응기(200)를 공급하는 질량 유동 컨트롤러(208)와 전달 장치(102) 사이의 이송 배관(즉, 전구체 증기 및 담체 가스를 이송하는 라인들)은 20℃보다 높은 온도에서 이송 배관을 유지하는 비용을 회피하기 위하여 일반적으로 20℃의 상온으로 유지된다. 트리메틸갈륨 증기가 이송 배관에서 응결되지 않게 하기 위하여, 15℃의 이슬점이 트리메틸갈륨에 대하여 선택된다. 이런 5℃ 차이는 반응기로의 전구체 증기의 연속적인 정상류(steady flow)를 허용한다.
압력 센서(106)는 전달 장치(102)를 가로질러 압력을 측정한다. 압력 센서(106)는 압력 게이지, 마노미터(manometer) 등일 수 있다. 제 2 컨트롤러(110)와 조합하여, 압력 센서(106) 및 제 2 비례제어밸브(114)는 담체 가스 및 전구체 증기의 압력을 제어하는 메커니즘을 제공한다.
선택적인 혼합 챔버(107)는 도 4와 도 5에 상세하게 설명된다. 도 4는 대향 유동을 포함할 때 혼합 챔버(107)를 도시하는 반면에, 도 5는 대향 유동을 포함하지 않을 때 혼합 챔버(107)를 도시한다.
도 4는 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)에 대한 대향 유동을 갖는 혼합 챔버(107)를 도시한다. 혼합 챔버(107)는 니켈 합금 또는 스테인리스 스틸로 제조된 챔버(300)를 포함한다. 챔버(300)는 어떠한 형상을 가질 수 있으나 바람직하게는 동일하거나 거의 동일한 높이 및 직경을 갖는 실린더이다. 일 구체예에서, 1인치 이상(2.5 ㎝)이고, 바람직하게는 2인치(5 ㎝) 이상이며, 더욱 바람직하게는 3인치 이상(7.5 ㎝)인 혼합 챔버의 직경을 갖는 것이 바람직하다. 다른 구체예에서, 실린더의 높이는 2인치(5 ㎝) 이상이고, 바람직하게는 3인치(7.5 ㎝) 이상이며, 더욱 바람직하게는 4인치(10 ㎝) 이상이다.
스트림(203)은 도관(302)을 통해 챔버(300)에 들어가는 반면에 제 2 스트림(204)은 도관(304)을 통해 챔버(300)에 들어간다. 제 3 스트림(206)은 도관(306)을 통해 챔버(300)를 나간다. 전달 시스템에서 사용될 때 혼합 챔버(307)의 위치는 혼합 챔버가 제 1 폐쇄 루프 및 제 2 폐쇄 루프의 일부가 되도록 한다.
바람직하게는, 각각의 도관들은 3 밀리미터(3 ㎜)(0.125인치) 이상이고, 바람직하게는 6 ㎜(0.25인치) 이상이며, 더 바람직하게는 12 ㎜(0.5인치) 이상인 외부 직경을 갖는 원형 단면을 갖는다. 도 4에 도시될 수 바와 같이, 도관들(302, 304)의 출구들은 상호 간에 대향된다. 도관들의 출구들은 상호 간에 대향하고 상호 간에 12 ㎜보다 작게 이격되도록 설계되어 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)이 제 3 스트림(206)으로서 도관(306)을 통해 챔버를 나가기 이전에 상호 간에 친화 혼합될 수 있다. 도관(306)은 반응기(200)에 대하여 입구(미도시됨)와 연결되는 도관에 챔버(300)를 연결하기 위한 장치(308)를 구비한다.
도관(302)은 도관(304)과 연결되는 챔버(300)의 일측과 평행한 배플(baffle)(310)과 맞춰진다. 배플(310)은 제 1 스트림(202) 및 제 2 스트림(204)을 챔버(300)의 일측과 배플(310) 사이의 공간(312)에서 친화 혼합물(intimate mixture)로 강제한다.
도 5는 상호 간에 대향하지 않는 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)에 대한 유동을 갖는 혼합 챔버(107)를 도시한다. 본 도시에서, 스트림(203)은 도관(302)을 통해 챔버(300)에 들어가는 반면에, 제 2 스트림(204)은 도관(304)을 통해 챔버(300)에 들어간다. 챔버(300) 안에서 2개의 스트림들의 교차는 2개의 스트림들(202, 204) 사이의 혼합을 유발하고, 이는 이어서 도관(306)을 통해 제 3 스트림(206)으로서 챔버(300)를 벗어난다. 도 4와 도 5에 도시된 구체예들에서, 도관들(302, 304, 306)은 노즐들, 다공성 필터들, 및 제 2 스트림(204)과의 스트림(203)의 혼합을 향상시키는 데에 사용되는 다른 장치들을 포함할 수 있다. 혼합 챔버는 또한 비드, 로드, 튜브, 편자, 링, 안장, 디스크, 받침 접시, 또는 다른 적절한 형태, 예컨대 바늘 모양, 십자가 모양, 및 나선 모양(코일 및 스파이럴)과 같은 패킹 물질을 포함할 수 있다. 패킹 물질은 세라믹 물질, 예컨대 알루미나, 실리카, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, 보로실리케이트, 알루미나 실리케이트 및 앞서 말한 것들 중 적어도 하나를 포함하는 조합, 및/또는 금속 예컨대 스테인리스 스틸 또는 니켈 합금으로 이루어질 수 있다. 원한다면 상기에 나열된 상이한 패킹 물질들의 조합이 사용될 수 있다. 혼합 챔버(107)는 스트림(203)이 제 2 스트림(204)에 접촉하는 지점에서 하기의 도 1 내지 도 3에서 도시된 구체예들 중 어떤 것에 사용될 수 있다.
도 1을 다시 한 번 참조하여, 제 1 컨트롤러(108) 및 제 2 컨트롤러(110)는 전달 시스템(100)을 통해 담체 가스의 유동 또는 전체 압력의 최적화된 제어를 제공하도록 설계된 독립형 비례-적분-미분(proportional-integral-derivative; PID) 제어 모듈이다. 제 1 비례제어밸브(112)를 위한 입력은 압력 센서(106)로부터 획득된다. 제 2 비례제어밸브(114)를 위한 입력은 물리화학 센서(104)로부터 획득된다. 각 압력/유동 제어 시스템은 3개의 기본 부품들, 특히 공정 센서, 비례-적분-미분 컨트롤러 및 제어 요소를 포함한다. 컨트롤러들(108, 110)은 밸브들(112, 114)을 위한 적절한 구동 하드웨어와 결합하여 프로그램가능 로직 컨트롤러(PLC, 예컨대 오므론 CJ1W 컨트롤러)로 소프트웨어로서 구현될 수 있다.
제 1 비례제어밸브(112)의 작동에서, 물리화학 센서(104)는 공정 압력 또는 담체 가스 유량을 측정한다. 비례-적분-미분 컨트롤러는 전구체의 측정된 농도를 원하는 설정점과 비교하고, 제 3 스트림(206)에서 원하는 전구체 증기 농도를 달성하는 데에 필요한 대로 비례제어밸브(112)를 조절한다.
제 2 비례제어밸브(114)의 작동에서, 압력 센서(106)는 바이패스 유동을 제어하여 프로그래밍된(programmed) 압력을 유지한다. 반응기(200)의 전구체 증기 요구는 질량 유동 컨트롤러(208)에 의해 이루어진다. 이에 대하여, 유동 컨트롤러(110) 및 제 2 비례제어밸브(114)와 함께 압력 센서(106)는 제 2 스트림(204)에서 담체 가스의 유동을 조절하여 제 3 스트림(206)에서 원하는 압력을 제공한다.
일 구체예에서, 복수 개의 압력/유동 컨트롤러들은 마스터 압력/유동 컨트롤러에 종속될 수 있고, 이는 담체 가스의 전체 유동을 조절하여 원하는 압력을 달성하는 반면에, 물리화학 센서(104) 및 연관된 컨트롤러(108)는 원하는 가스/혼합물 비율을 유지한다. 예를 들어, 도 1로부터 제 1 비례제어밸브(112) 및 제 2 비례제어밸브(114)는 메인 압력 컨트롤러(미도시됨)에 종속될 수 있어 담체 가스의 전체 유동을 스트림(203) 및 제 2 스트림(204)으로 나눈다. 이런 구체예에서 어떠한 농도의 능동 제어가 존재하지 않을 것이다.
차단 밸브들(116, 118)과 입구 및 출구 밸브들(120, 122)은 게이트 밸브, 볼 밸브, 버터플라이 밸브, 니들 밸브 등일 수 있다. 또한 이들은 PLC에 의해 제어될 수 있고 반응기(200)로부터의 요구가 영일 때 정확한 전구체 농도의 유지를 지원할 수 있다.
일 구체예에서, 도 1의 전달 시스템(100)을 이용하는 일 방식으로, 반응기(200)는 전달 장치(102)로부터 증기를 뽑는다. 담체 가스는 물리화학 센서(104) 및 압력 센서(106)에 의해 제공된 정보에 따라 제 1 비례제어밸브(112) 또는 제 2 비례제어밸브(114) 중 어느 하나 또는 이 모두에 의해 전달될 수 있다.
일 구체예에서, 담체 가스는 제 1 스트림(202) 및 제 2 스트림(204)을 포함하는 유체 라인들(예를 들어, 파이프들 또는 튜브들)을 통해 이동함에 따라 액체 전구체 화합물의 비등점보다 높지 않는 온도로 임의로 가열된다. 제 1 스트림(202) 안의 담체 가스는 전달 장치(102)를 통해 이동하고 전구체 화합물의 증기를 비말동반한다. 이어서 그 안에서(스트림(203)) 비말동반된 증기를 갖는 담체 가스는 제 2 스트림(204) 안의 담체 가스와 교차한다. 제 1 스트림(202) 및 제 2 스트림(204) 안의 담체 가스의 질량 유동을 조절함으로써, 전구체 증기의 농도는 원하는 양으로 유지될 수 있다.
"원하는 양(desired amount)"은 개별적인 압력/유동 컨트롤러들(108, 110)과 물리화학 센서(104) 및 압력 센서(106)의 설정에 의해 결정된다. 제 3 스트림(206) 안의 전구체 증기의 농도는 물리화학 센서(104)에 의해 측정된다. (그 안에서 비말동반된 전구체 증기를 갖는) 담체 가스의 유량 및/또는 압력은 압력 센서(106)에 의해 측정된다.
담체 가스에 대한 전구체 증기의 농도가 원하는 양이나 원하는 범위로부터 벗어날 때, 물리화학 센서(104)는 컨트롤러(108) 및 비례제어밸브(112)와 연결하여 전달 장치(102)로의 담체 가스의 유동을 조절한다. 비례제어밸브(112)를 조절함으로써, 스트림(206) 안의 담체 가스에서 전구체 증기의 양은 실질적으로 일정하게 조절될 수 있다. 제 3 스크림(206) 안의 비말동반된 전구체 증기를 갖는 담체 가스의 유량은 질량 유동 컨트롤러(208)의 요구에 따르고 제 2 컨트롤러(110) 및 제 2 비례제어밸브(114)에 의해 제어된다.
예를 들어, 전구체 증기의 농도가 제 3 스트림(206) 안에서 담체 가스에 비례하여 하락할 때, 물리화학 센서(104)부터 컨트롤러(108) 및 제 1 비례제어밸브(112)까지의 전기적 연결은 입구 밸브(120) 및 밸브(116)를 포함하는 제 1 스트림(202)을 통한 전달 장치(102)로의 담체 가스의 유동을 증가시킨다. 동시에 바이패스 유동(204)은 동일한 양만큼 감소된다. 이는 제 3 (결합된) 스트림(206) 안의 담체 가스에서 전구체 증기의 양을 증가시킨다. 제 2 스트림(204) 안의 감소된 질량 유량과 조합될 때 스트림(203) 안의 전구체 증기의 양에 있어 증가는 제 1 스트림(202)의 유량에 있어 조절을 유발하였던 감소 이전의 전구체 증기의 양과 비교될 때 실질적으로 일정한 전구체 증기의 농도를 갖는 제 3 스트림(206)을 생성한다.
다른 구체예에서, 전구체 증기의 농도가 제 3 스트림(206) 안에서 증가할 때, 물리화학 센서(104)부터 컨트롤러(108) 및 비례제어밸브(112)까지의 전기적 연결은 제 1 스트림(202)을 통해 전달 장치(102)를 통한 담체 가스 유동을 감소시킨다. 이는 제 2 스트림(204) 안에서 담체 가스 유동의 증가로 이어진다. 제 1 스트림(202) 안에서 감소된 담체 가스 유동과 결합될 때 제 2 스트림(204) 안의 담체 가스 유동에 있어 증가는 제 2 스트림(204)의 유량에 있어 조절을 유발하였던 감소 이전의 전구체 증기의 양과 비교될 때 실질적으로 일정한 전구체 증기의 농도를 갖는 제 3 스트림(206)을 생성한다.
따라서 물리화학 센서(104) 및 압력 센서(106)로부터의 판독은 제한적으로 제어된 전구체 증기 농도 및 반응기(200)로의 전구체 증기의 유량을 조절하거나 유지하는 데에 사용된다.
상기에 언급된 바와 같이, 여기서 설명된 전달 시스템(100)은 제 1 스트림(즉, 소스 유동)(202) 및 제 2 스트림(204)(즉, 바이패스 유동)을 이용하여 주위 온도 또는 더 바람직하게는 제 3 스트림(206)을 운반하는 하드웨어 및 연결 배관의 온도 아래로 담체 가스에서 전구체 증기의 이슬점을 낮춘다는 점에서 바람직하다.
도 2는 담체 가스가 (액체 전구체 화합물을 통해 유동하고 스트림(203)으로서 나오는) 제 1 스트림(202) 및 (액체 전구체 화합물을 우회하는) 제 2 스트림(204)으로 분열되고, 이슬점이 주위 온도 아래로 존재하는 제 3 스트림(206)을 형성하도록 재결합되는 전달 시스템(100)의 다른 구체예를 도시한다. 제 1 스트림(202)의 유동 방향, 제 2 스트림(204)의 유동 방향 및 제 3 스트림(206)의 유동 방향은 일방향이고 상호 간에 대향하지 않는다. 상기에 언급된 바와 같이, 혼합 챔버가 사용될 때를 제외하고는, 전달 시스템에서 어떠한 대향 유동도 존재하지 않는다. 이는 전달 시스템에서 대향 유동을 사용하는 것이 복수 개의 반응기들로의 전구체 증기의 고르지 못한 분배 및 전달을 야기하는, 전구체 증기와 담체 가스 사이의 원하는 혼합을 생성하지 않기 때문이다.
도 2에서 전달 시스템(100)은 니들 밸브(119) 및 제 2 비례제어밸브(114)의 위치를 제외하고는 도 1의 전달 시스템과 거의 유사하다. 본 도시에서, 압력 센서(106)와 연결되는 컨트롤러(110)에 의해 구동되는 단일 비례제어밸브(114)는 전체 전달 시스템(100)에서 압력을 제어하는 데에 사용된다. 도 2의 전달 시스템(100)은 담체 가스에서 전구체 증기 농도 및 압력을 조절하기 위하여 적어도 두 개의 폐쇄 루프들을 포함한다.
도 2에 도시될 수 있는 바와 같이, 제 1 비례제어밸브(112)는 제 2 비례제어밸브(114)의 하류에 위치하고 임의로 제 2 비례제어밸브(114)에 종속될 수 있다. 니들 밸브(119)는 차단 밸브(118)의 하류에 위치한다. 니들 밸브(119)는 전달 장치(102) 및 제 1 비례제어밸브(112)를 통한 담체 가스의 유동을 조절하는 데에 사용될 수 있는 압력에 있어 조절가능한 하락을 용이하게 한다.
도 3은 전달 장치(102)와 연결된 복수 개의 압력 조절 장치들을 포함하는 전달 시스템(100)의 또 다른 구체예를 도시한다. 압력 조절 장치는 질량 유동 컨트롤러(208)에 사용되는 압력 레벨로 들어오는 담체 가스의 압력에 있어 하락을 촉진하는 기능을 한다.
본 구체예에서, 전달 시스템(100)은 제 1 압력 조절 장치(96), 및 제 1 압력 조절 장치(96)의 하류에 위치하는 제 2 압력 조절 장치(98)를 포함한다. 제 1 압력 조절 장치(96)는 제 1 압력(P1)으로부터 제 2 압력(P2)으로의 들어오는 담체 가스의 압력에 있어 하락을 용이하게 하는 반면에, 제 2 압력 조절 장치(98)는 제 2 압력(P2)으로부터 제 3 압력(P3)으로의 압력에 있어 추가적인 하락을 용이하게 한다. 제 1 압력(P1)은 제 3 압력(P3) 이상인, 제 2 압력(P2) 이상이다.
일 구체예에서, 제 2 압력(P2)은 제 1 압력(P1)의 50% 내지 90%이고, 바람직하게는 제 1 압력(P1)의 55% 내지 65%이다. 예시적인 구체예에서, 제 2 압력(P2)은 제 1 압력(P1)의 70% 내지 85%이다. 제 3 압력(P3)은 제 1 압력(P1)의 40% 내지 48%이고, 바람직하게는 제 1 압력(P1)의 43% 내지 47%이다.
제 1 압력(P1)은 1,900 내지 2,100 torr(250 내지 280 ㎪)이고, 바람직하게는 1,950 내지 2,050 torr(260 내지 275 ㎪)이다. 제 2 압력(P2)은 950 torr 내지 1,400 torr(125 내지 190 ㎪)이고, 바람직하게는 1,000 torr 내지 1,300 torr(130 내지 175 ㎪)이다. 제 3 압력(P3)은 500 내지 950 torr(65 내지 125 ㎪)이고, 바람직하게는 850 torr 내지 925 torr(110 내지 120 ㎪)이다. 따라서 전달 장치(102)는 입구 압력이 500 내지 2,000 torr(65 내지 260 ㎪)이고, 바람직하게는 700 내지 1,800 torr(90 내지 240 ㎪)이며, 더 바람직하게는 900 torr(120 ㎪)인 반응기(200)와 함께 작용할 수 있다. 따라서 50 내지 760 torr(6 내지 101 ㎪) 사이의 범위에서 작동함으로써 반응기(200)는 반응기에서 발생하는 화학 반응에 사용되는 정확한 전구체 증기를 전달 장치(100)로부터 질량 유동 컨트롤러(208)를 통해 추출한다.
제 1 비례제어밸브(112), 차단 밸브(116), 입구 밸브(120), 전달 장치(102), 출구 밸브(122) 및 물리화학 센서(104)가 제 1 압력 조절 장치(96)의 하류에 위치된다. 제 1 비례제어밸브(112)는 제 1 압력 조절 장치(96)의 하류 및 제 2 압력 조절 장치(98)의 상류에 위치된다.
제 1 압력 조절 장치(96)는 제 1 비례제어밸브(112), 차단 밸브(116), 입구 밸브(120), 전달 장치(102), 출구 밸브(122) 및 물리화학 센서(104)와 유체이동가능하게 연결된다. 위치된 제 1 압력 조절 장치(96), 제 1 비례제어밸브(112), 차단 밸브(116), 입구 밸브(120), 전달 장치(102), 출구 밸브(122) 및 물리화학 센서(104)를 포함하는 유체 스트림이 제 1 스트림(202)으로 명명된다. 제 1 스트림(202)은 담체 가스를 전달 장치(102)의 입구 포트로 배향한다.
물리화학 센서(104)는 제 1 비례제어밸브(112)와 연결된다. 일 구체예에서, 물리화학 센서(104)는 제 1 비례제어밸브(112)와 전기적으로 연결된다. 비례제어밸브(112), 차단 밸브(116), 입구 밸브(120), 전달 장치(102), 출구 밸브(122) 및 물리화학 센서(104)가 폐쇄 루프에 위치한다.
제 2 압력 조절 장치(98)는 혼합 챔버(107) 및 차단 밸브(118)의 상류에 위치된다. 제 2 밸브(118) 및 제 2 조절장치(98)를 포함하는 유체 스트림이 제 2 스트림(204)으로 명명된다.
전달 장치로부터 배출되는 스트림(203)은 제 2 스트림(204)에 접촉하여 제 3 스트림(206)을 형성한다. 일 구체예에서, 스트림(203)은 전달 장치(102)의 출구 밸브(122)의 하류에서 제 2 스트림(204)에 접촉한다. 물리화학 센서(104)는 출구 밸브(122)의 하류에 위치된다. 물리화학 센서(104)로부터의 출력 신호는 제 1 컨트롤러(108)를 통해 제 1 비례제어밸브(112)에 배향된다.
도 3의 전달 시스템(100)을 작동시키는 일 방식에서, 반응기(200)는 전달 장치(102)로부터 담체 가스 및 전구체 증기의 혼합물을 뽑는다. 물리화학 센서(104)는 제 3 스트림(206) 안의 전구체 증기 농도 및/또는 유량(또는 압력)을 측정한다. 만약 제 3 스트림(206) 안의 전구체 증기 농도 및/또는 유량이 원하는 한도 밖에 위치한다면, 센서(104)는 제 1 컨트롤러(108)를 통해 제 1 비례제어밸브(112)와 연결한다. 제 1 컨트롤러(108)는 제 1 비례제어밸브(112)에 대한 전압을 증가시키거나 감소시킨다. 비례제어밸브(112)를 폐쇄하거나 개방함으로써, 담체 가스에서 전구체 증기의 농도 또는 담체 가스의 유량(또는 압력)은 원하는 값으로 조절될 것이다.
전달 시스템(100)을 제조하는 일 방법에서, 비례제어밸브들(112 및/또는 114)은 전달 장치(102)의 상류에 위치된다. 차단 밸브들(116 및/또는 118)은 전달 장치(102)의 상류 및 비례제어밸브들(112 및/또는 114) 각각의 하류에 위치된다. 전달 장치(102)는 가열된 인클로저(103) 안에 위치된다. 입구 밸브(120) 및 출구 밸브(122)는 각각 전달 장치(102)의 입구 및 출구 각각에 위치된다. 물리화학 센서(104) 및 압력 센서(106)는 전달 장치(102)의 하류에 위치되고 비례제어밸브들(112 및/또는 114) 각각과 폐쇄 루프들을 형성한다. 전달 시스템(100)은 질량 유동 컨트롤러(208)를 통해 반응기(200)와 유체이동가능하게 연결된다. 질량 유동 컨트롤러(208)는 반응기(200)의 상류에 위치된다.
전달 시스템(100)은 다른 비교 장치들보다 더 큰 유량에서 전구체 증기의 일정한 스트림을 전달할 수 있다는 점에서 바람직하다. 이런 방법은 어떠한 대향 유동을 포함하지 않는다. 전달 시스템(100) 내내 유동은 단일 방향으로의 유동을 포함한다. 이는 담체 가스와 액체 전구체 증기 사이의 더 양호한 혼합을 생성한다. 대향 유동을 갖는 시스템들은 유동들 중 하나가 다른 유동에 걸쳐 압력에 있어 증가할 때 발생하는 문제를 겪는다. 이는 반응기들로의 전구체 증기의 불균일한 공급을 생성한다.
또한 시스템(100)은 반응기(200)로의 균일하고 꽤 정확한 농도의 액체 전구체 화합물의 전달을 허용한다. 이런 특징은 반응기에 균일한 농도의 액체 전구체 화합물을 공급하려고 시도하는 다른 비교 전달 시스템들에 대해 시스템(100)을 구별한다. 특히, 시스템이 담체 가스의 대향 유동을 가질 때, 단위 시간당 일정한 몰수의 전달은 일반적으로 단위 체적당 일정한 몰수를 생성함으로써 획득될 수 있다. 전구체 농도의 변동은 종종 반응기로 전달되는 단위 시간당 전구체의 변동을 야기하고, 이는 종종 불일치 제품의 생산으로 이어진다.
또한 개시된 시스템(100)은 10분 내지 수 개월의 큰 시간의 주기에 걸쳐 반응기로의 전구체의 균일한 질량 유동을 허용한다. 일 구체예에서, 전달 시스템(100)은 15℃ 이상의 온도 및 900 torr(120 ㎪) 이상의 압력에서 분당 1,500 마이크로몰 이상이고, 바람직하게는 분당 1,750 마이크로몰이상이며, 더 바람직하게는 분당 2,000 마이크로몰 이상의 비율로 전구체 증기를 전달할 수 있으면서, 반응기(200)로의 분당 1 표준리터(slm) 이상이고, 바람직하게는 분당 2 표준리터 이상이며, 더 바람직하게는 분당 3 표준리터 이상의 담체 가스 유량을 유지한다.
다음의 실시예는 비교 전달 장치와 비교될 때 개시된 전달 장치가 반응기에 정상 농도의 액체 전구체 화합물을 전달하는 것을 입증하도록 수행되었다. 도 6은 분당 1 표준리터 질량 유량 컨트롤러(402), 항온 배쓰(404), 액체 전구체 화합물 안으로 직접 담긴 온도계(406) 및 이원가스 농도 센서(408)를 포함하는 비교 종래 기술 전달 장치(400)의 도면이다. 담체 가스는 질소이다. 담체 가스 유동, 액체 전구체 화합물 온도 및 증기 농도가 매 초 기록되었다. 액체 전구체 화합물은 트리메틸갈륨이었다.
도 7a와 도 7b는 1에 근접한 종횡비를 갖는 4.6 킬로그램(㎏) 실린더(cylinder)를 위한 유동에 있어 단계 변화들에 대한 액체 전구체 화합물 증기 농도 및 액체 전구체 화합물 온도의 반응을 도시한다. 공급원이 에피택시(epitaxy)를 위하여 켜질 때이거나, 반응기가 클러스터 툴(cluster tool)에서 공급으로부터 추가되거나 빠질 때 이런 단계 변화들은 일반적이다. 유동에 있어 변화는 온라인인 다른 반응기들에 대한 트리메틸갈륨 플럭스를 변화시킬 것이다. 실험을 위한 배쓰 온도는 5℃였다. 총 압력은 101㎪(760 torr)였다.
도 7a는 40%(1.8㎏)의 충진 레벨에서 실린더의 반응을 도시한다. 비록 베스 온도가 5℃였더라도, 유동이 없는 경우 트리메틸갈륨의 온도는 5.7℃였다. 도 6에 도시된 셋업(setup)에서, 실린더의 상면은 배쓰 안에 담기지 않았고 주위 공기로부터의 열은 트리메틸갈륨을 가열하였다. 유동을 분당 1 표준리터(slm)로 스위칭한 이후에 정상 상태가 도달되기 이전에 정상 상태에 도달하는 것이 85분 또는 25 그램 트리메틸갈륨을 소비하였고 비말동반된 증기와 함께 담체 가스는 에피택시얼 성장이도록 반응기에 공급될 수 있었다. 1 slm에서 온도차는 의도된 트리메틸갈륨 플럭스의 0.971x만이 실제로 기판에 도달하고 있다는 것을 의미하는 0.7℃이다.
도 7b는 20%(820그램)의 충진 레벨에서 동일한 실린더의 반응을 도시한다. 유동을 1 slm으로 스위칭한 이후에 정상 상태에 대한 시간은 95분이고, 이는 40% 충진점까지 충진된 실린더로부터 전혀 현저한 변화가 아니다. 열전달 면적이 이전의 실험(즉, 40% 충진 레벨)으로부터 감소되기 때문에, 온도차는 1.4℃로 증가되었다. 트리메틸갈륨 플럭스는 의도된 플럭스의 0.94x이다.
플럭스에 있어 변화에 대하여 수정하도록 모든 실린더에 대한 정교한 공학 기술 제어의 병합은 엄청나게 높은 기반 시설에 대한 비용을 추가할 것이다. 따라서, 산업은 실린더의 수명을 넘는 플럭스에 있어 시프트(shift)를 다루는 수정 차트를 채택한다. 이는 모든 툴이 모든 실행마다 개별적으로 조정되어야 한다는 것을 의미한다. 조정에서 불확실성이 에피택시 산출을 낮춘다. 4㎏보다 큰 실린더에 대하여 정상 상태에 도달하는 시간은 더 길고 실린더의 수명 동안에 시프트는 더 확연한 것이 언급되어야 한다. 정상 상태에 도달하는 시간이 더 길수록, 에피택시얼 성장이 개시될 수 있기 이전에 보내진 트리메틸갈륨의 양은 더 많이 폐기된다(즉, 시스템 외부로 분기된다).
도 7a와 도 7b로부터 매 시간 담체 가스의 유량이 변하는 것이 보여질 수 있고, 액체 전구체 화합물의 온도에 있어 현저한 변화가 존재한다. 온도에 있어 이런 변화는 담체 가스에서 트리메틸갈륨의 농도에서 현저한 변화에 의해 달성된다. 증기 스트림에서 액체 전구체 화합물의 농도에 있어 변화가 존재할 뿐 아니라, 공정을 실행할 때 차트의 도움으로 발견될 수 있고 수정될 수 있는, 특정 농도(정상 상태)에서 농도에 있어 변화가 변동없도록 현저한 시간이 소요된다. 수반하는 관성(정상 상태로 회귀하도록 취해진 시간)뿐 아니라 농도에 있어 이런 변화는 원치 않고 개시된 전달장치를 이용함으로써 극복될 수 있다.
또한 본 개시에서 상세한 전달 장치는 시험되었고 도 3에 도시된 것과 동일한 구성을 갖는다. 농도는 0부터 2 slm까지 담체 가스 유동 범위로 유지되었다. 총 압력은 101㎪(760 torr)이었다. 트리메틸갈륨 실린더는 트리메틸갈륨 온도를 조절하도록 준비하지 않는 화학 후드에서 위치하였다. 또한 본 실시예에 대한 액체 전구체 화합물은 트리메틸갈륨이었다. 트리메틸갈륨의 정확한 온도의 지식은 작동하는 새로운 전달 시스템을 필요로 하지 않는다. 결과는 도 8에서 상세하다. 도 8은 개시된 전달 장치 뿐만 아니라 종래의 전달 장치에 대한 데이터를 포함한다. 도 8로부터 전달 장치에 공급된 담체 가스의 양에 있어 변화가 발생할 때 종래 장치에 대한 트리메틸갈륨 농도에 있어 현저한 변화가 존재하는 것이 보여질 수 있다. 하지만, 도 3의 개시된 전달 장치에 대하여, 농도는 전달 장치에 공급된 담체 가스의 양에 있어 변화를 따르는 설정 농도로 즉시 회귀한다.
요약하면, 단위 체적당 액체 전구체 화합물 증기의 농도는 0.5킬로그램보다 많은 액체 전구체 화합물, 바람직하게는 4킬로그램보다 많은 액체 전구체 화합물, 및 더 바람직하게는 10킬로그램보다 많은 액체 전구체 화합물을 운반하는 전달 장치에 대하여 선택된 값으로부터 10분 내지 수 개월의 시간의 주기에 걸쳐 1 wt%이하의 양, 바람직하게는 0.5wt%이하의 양, 및 더 바람직하게는 0.25% 이하의 양으로 변동한다. 일 구체예에서, 전달 장치는 액체 전구체를 증기화하고 반응기에 전달하기 위하여, 약 1와트 이상, 바람직하게는 약 3와트 이상 및 더 바람직하게는 약 5와트의 에너지의 양을 이용한다. 전구체 화합물의 전달에 있어서 상당히 감소된 체적 변동은 상당한 시간에 걸쳐 상당히 감소된 변동으로 옮겨진다. 화학 기상 증착(CVD) 공정은 균일하고 알려진 단위 시간 피드(feed)당 전구체 화합물에 따른다. 본 발명은 상당한 시간의 주기에 걸쳐 종래의 장치로 획득된 10 wt%부터 0.2wt%까지 이런 피드의 정확성을 증가시킨다.

Claims (11)

  1. 액체 전구체 화합물을 위한 전달 시스템에 있어서,
    입구 포트 및 출구 포트를 가지며, 액체 전구체 화합물을 수용하는 전달 장치;
    전달 장치와 작동가능하게 연결되고, 전달 장치로 이동하는 제 1 스트림과 유체이동가능하게 연결되며, 인가 전압에 기초하여 제 1 스트림의 유동을 제어하도록 작동하는 제 1 비례제어밸브;
    전달 장치를 우회하는 제 2 스트림과 유체이동가능하게 연결되며, 인가 전압에 기초하여 제 2 스트림의 유동을 제어하도록 작동하는 제 2 비례제어밸브(여기서, 제 1 스트림과 제 2 스트림은 하나의 담체 가스의 스트림으로부터 둘로 나뉘어진 것이며, 제 2 스트림은 전달 장치의 하류의 일 지점에서 전달 장치로부터 나온 제 1 스트림과 접촉한다);
    전달 장치의 하류에 위치되고 전달 장치로부터 배출되는 유체 스트림의 화학적 함량을 분석하도록 작동하며, 제 1 비례제어밸브와 연결되는 물리화학 센서;
    물리화학 센서 및 제 1 비례제어밸브와 작동가능하게 연결되는 제 1 압력/유동 컨트롤러;
    전달 장치의 하류에 위치되고, 전달 장치 및 제 2 비례제어밸브와 유체이동가능하게 연결된 압력 센서; 및
    압력 센서와 작동가능하게 연결되고, 제 2 비례제어밸브와 전기적으로 연결된 제 2 압력/유동 컨트롤러를 포함하되,
    전달 시스템은 전달 시스템과 연결된 복수 개의 반응기들에 담체 가스의 단위 체적당 액체 전구체 화합물 증기의 일정한 몰수를 전달하도록 작동하고; 액체 전구체 화합물은 전달 장치에서 액체 상태로 존재하는 것을 특징으로 하는 전달 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 1 비례제어밸브는 전달 장치의 상류에 위치하고 제 1 압력/유동 컨트롤러와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전달 시스템.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    제 1 압력/유동 컨트롤러, 제 1 비례제어밸브, 전달 장치 및 물리화학 센서는 제 1 폐쇄 루프에 위치하는 것을 특징으로 하는 전달 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    제 2 압력/유동 컨트롤러, 제 2 비례제어밸브, 및 압력 센서는 제 2 폐쇄 루프에 위치하는 것을 특징으로 하는 전달 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    전달 시스템은 영하 10℃ 내지 200℃의 온도 및 100 킬로파스칼 이상의 압력에서 분당 0.2 표준리터 이상의 담체가스 유량으로 분당 0.1그램 이상의 비율로 액체 전구체 화합물의 증기를 전달하도록 작동하는 것을 특징으로 하는 전달 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    전달 시스템은 설정점으로부터 ±0.5wt% 내의 정확한 증기 농도를 유지하고 전구체 증기를 복수 개의 반응기들에 전달하도록 작동하는 것을 특징으로 하는 전달 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    전달 시스템에서 모든 유동들은 단방향이고, 아무런 유동도 상호 간에 대향하지 않는 것을 특징으로 전달 시스템.
  9. 액체 전구체 화합물을 전달하는 방법에 있어서,
    담체 가스의 제 1 스트림을 전달 장치에 이송하는 단계(여기서, 전달 장치는 액체 전구체 화합물을 수용하고; 액체 전구체 화합물은 전달 장치에서 액체 상태로 존재한다);
    담체 가스의 제 2 스트림을 전달 장치를 우회하여 전달 장치의 하류의 일 지점으로 이송하는 단계(여기서, 제 1 스트림과 제 2 스트림은 하나의 담체 가스의 스트림으로부터 둘로 나뉘어진 것이다); 및
    전달 장치로부터 배출된 후의 제 1 스트림과 제 2 스트림을 상기 일 지점에서 결합하여 제 3 스트림을 형성하는 단계를 포함하되,
    전달 장치는 제 1 비례제어밸브와 작동가능하게 연결되고, 제 1 비례제어밸브는 제 1 스트림과 유체이동가능하게 연결되며, 인가 전압에 기초하여 제 1 스트림을 제어하도록 작동하고,
    전달 장치로부터 배출되는 유체 스트림의 화학적 함량을 분석하기 위한 물리화학 센서는 전달 장치의 하류에 위치되어 제 1 비례제어밸브와 연결되며,
    제 1 압력/유동 컨트롤러는 물리화학 센서 및 제 1 비례제어밸브와 작동가능하게 연결되고,
    제 2 비례제어밸브는 제 2 스트림과 유체이동가능하게 연결되며, 인가 전압에 기초하여 제 2 스트림을 제어하도록 작동하고,
    압력 센서는 전달 장치의 하류에 위치되고, 전달 장치 및 제 2 비례제어밸브와 유체이동가능하게 연결되며,
    제 2 압력/유동 컨트롤러는 압력 센서와 작동가능하게 연결되고, 제 2 비례제어밸브와 전기적으로 연결되며,
    전달 시스템은 전달 시스템과 연결된 복수 개의 반응기들에 담체 가스의 단위 체적당 액체 전구체 화합물 증기의 일정한 몰수를 전달하도록 작동하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 삭제
  11. 제 1 항에 있어서,
    제 1 비례제어밸브는 전달 장치의 하류에 위치하고 제 1 압력/유동 컨트롤러와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 전달 시스템.
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Families Citing this family (280)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8997775B2 (en) * 2011-05-24 2015-04-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6078335B2 (ja) * 2012-12-27 2017-02-08 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、気化システム、気化器およびプログラム
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10138555B2 (en) * 2015-10-13 2018-11-27 Horiba Stec, Co., Ltd. Gas control system and program for gas control system
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
DE102017102446A1 (de) * 2016-09-15 2018-03-15 Netzsch - Gerätebau Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines kontinuierlichen Trägergas/Dampf-Gemisch-Stromes
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
TWI586823B (zh) * 2016-11-25 2017-06-11 Nat Chung-Shan Inst Of Science And Tech Apparatus and method for quantifying the amount of solid matter deposited
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6914063B2 (ja) * 2017-03-10 2021-08-04 株式会社堀場エステック ガス制御システム、該ガス制御システムを備えた成膜装置、該ガス制御システムに用いるプログラム及びガス制御方法。
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
CN107845710B (zh) * 2017-10-30 2019-08-16 江苏新广联半导体有限公司 一种氮化镓基红光外延片结构及制备方法
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
JP7027151B2 (ja) 2017-12-13 2022-03-01 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、ガス制御システム、成膜装置、濃度制御方法、及び濃度制御装置用プログラム
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
CN108130525B (zh) * 2018-01-26 2024-04-16 常州比太黑硅科技有限公司 一种三甲基铝计量输送装置
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) * 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
DE102018118771B4 (de) 2018-08-02 2022-07-07 Leoni Kabel Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum reproduzierbaren Erzeugen einer Preform für die Glasfaserherstellung
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7281285B2 (ja) 2019-01-28 2023-05-25 株式会社堀場エステック 濃度制御装置、及び、ゼロ点調整方法、濃度制御装置用プログラム
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11519070B2 (en) * 2019-02-13 2022-12-06 Horiba Stec, Co., Ltd. Vaporization device, film formation device, program for a concentration control mechanism, and concentration control method
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
JP2021001361A (ja) * 2019-06-19 2021-01-07 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び基板処理システム
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11718912B2 (en) * 2019-07-30 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for calibrating concentration sensors for precursor delivery
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
CN112780947A (zh) * 2019-11-06 2021-05-11 信纮科技股份有限公司 气体混合输出系统及方法
WO2021097143A2 (en) * 2019-11-12 2021-05-20 Forge Nano Inc. Coatings on particles of high energy materials and methods of forming same
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
CN112097114A (zh) * 2020-08-07 2020-12-18 安徽亚格盛电子新材料有限公司 一种精确制备液态mo源和氢气混合气的装置
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
DE102021117457A1 (de) * 2021-07-06 2023-01-12 Aixtron Se Verdampfungsquelle für einen CVD-Reaktor
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001525251A (ja) * 1997-12-08 2001-12-11 シリコン ヴァレイ グループ インコーポレイテッド 溶剤蒸気センサーを有するホトレジスト塗布工程制御装置

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1407791A (en) 1920-06-01 1922-02-28 Pacific Foundry Company Reenforced flange for flanged products
JPS61279678A (ja) * 1985-06-05 1986-12-10 Nippon Tairan Kk 流量制御装置
US5098667A (en) * 1989-05-05 1992-03-24 Phillips Petroleum Company Particulate flow control
JP2769734B2 (ja) * 1990-01-15 1998-06-25 株式会社リンテック 質量流量計の弁構造
US5080131A (en) * 1989-09-26 1992-01-14 Lintec Co., Ltd. Mass flow controller
JPH0478131A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ガス流量制御方法および装置
US5730181A (en) * 1994-07-15 1998-03-24 Unit Instruments, Inc. Mass flow controller with vertical purifier
US5453471B1 (en) * 1994-08-02 1999-02-09 Carbide Chemicals & Plastics T Gas phase polymerization process
US5648113A (en) 1994-09-30 1997-07-15 International Business Machines Corporation Aluminum oxide LPCVD system
US5553395A (en) 1995-05-31 1996-09-10 Hughes Aircraft Company Bubbler for solid metal organic source material and method of producing saturated carrying gas
JP3219184B2 (ja) * 1995-08-24 2001-10-15 日本電信電話株式会社 有機金属供給装置および有機金属気相成長装置
KR100228768B1 (ko) 1996-10-02 1999-11-01 김영환 화학 기상증착 장치 및 증착방법
US5924012A (en) 1996-10-02 1999-07-13 Micron Technology, Inc. Methods, complexes, and system for forming metal-containing films
US6637475B2 (en) 1997-07-11 2003-10-28 Advanced Technology Materials, Inc. Bulk chemical delivery system
US6453924B1 (en) 2000-07-24 2002-09-24 Advanced Technology Materials, Inc. Fluid distribution system and process, and semiconductor fabrication facility utilizing same
US6161398A (en) * 1998-04-09 2000-12-19 Lucent Technologies, Inc. Methods of and systems for vapor delivery control in optical preform manufacture
US6119710A (en) 1999-05-26 2000-09-19 Cyber Instrument Technologies Llc Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction
KR100360494B1 (ko) 1999-09-21 2002-11-13 삼성전자 주식회사 기화장치
EP1160355B1 (en) 2000-05-31 2004-10-27 Shipley Company LLC Bubbler
KR100881681B1 (ko) 2001-01-18 2009-02-06 가부시키가이샤 와타나베 쇼코 기화기 및 이를 이용한 각종 장치와 기화 방법
JP2002289531A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Ricoh Co Ltd 原料ガス供給装置および原料ガス供給方法および薄膜形成装置およびエピタキシャル成長装置
JP4576597B2 (ja) * 2001-06-01 2010-11-10 株式会社フジキン 耐腐食性集積化マスフローコントローラ
US6655408B2 (en) * 2001-06-13 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Tunable ramp rate circuit for a mass flow controller
US6701066B2 (en) 2001-10-11 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Delivery of solid chemical precursors
US6712084B2 (en) * 2002-06-24 2004-03-30 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for pressure fluctuation insensitive mass flow control
JP3973605B2 (ja) 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
US6921062B2 (en) 2002-07-23 2005-07-26 Advanced Technology Materials, Inc. Vaporizer delivery ampoule
ATE321077T1 (de) * 2002-10-09 2006-04-15 Exxonmobil Chem Patents Inc Verfahren zur injektion von katalysator in einen polymerizationsreaktor
US6868869B2 (en) 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
US6880592B2 (en) 2003-06-26 2005-04-19 Advanced Technology Materials, Inc. Canister guard
US20050095859A1 (en) 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
KR100883148B1 (ko) 2003-12-12 2009-02-10 세미이큅, 인코포레이티드 이온 주입시 설비의 가동 시간을 늘리기 위한 방법과 장치
US20060207503A1 (en) * 2005-03-18 2006-09-21 Paul Meneghini Vaporizer and method of vaporizing a liquid for thin film delivery
JP2005310851A (ja) 2004-04-19 2005-11-04 Asm Japan Kk 薄膜形成用ガス供給システム及び方法
US7488512B2 (en) 2004-11-29 2009-02-10 Tokyo Electron Limited Method for preparing solid precursor tray for use in solid precursor evaporation system
US7722720B2 (en) 2004-12-08 2010-05-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device
US20060133955A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Peters David W Apparatus and method for delivering vapor phase reagent to a deposition chamber
JP2006222133A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Hitachi Cable Ltd 原料ガス供給方法及びその装置
EP1932170A2 (en) * 2005-10-03 2008-06-18 Advanced Technology Materials, Inc. Systems and methods for determination of endpoint of chamber cleaning processes
FR2900070B1 (fr) * 2006-04-19 2008-07-11 Kemstream Soc Par Actions Simp Dispositif d'introduction ou d'injection ou de pulverisation d'un melange de gaz vecteur et de composes liquides et procede de mise en oeuvre dudit dispositif.
US20070254093A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Applied Materials, Inc. MOCVD reactor with concentration-monitor feedback
JP5209899B2 (ja) 2006-05-22 2013-06-12 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． デリバリーデバイス
US20090130337A1 (en) * 2006-10-12 2009-05-21 Ovshinsky Stanford R Programmed high speed deposition of amorphous, nanocrystalline, microcrystalline, or polycrystalline materials having low intrinsic defect density
WO2008064080A1 (en) 2006-11-22 2008-05-29 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies High volume delivery system for gallium trichloride
US20080141937A1 (en) 2006-12-19 2008-06-19 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling a vapor delivery system
KR100855582B1 (ko) * 2007-01-12 2008-09-03 삼성전자주식회사 액 공급 장치 및 방법, 상기 장치를 가지는 기판 처리설비, 그리고 기판 처리 방법
US7975718B2 (en) 2007-04-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. In-situ monitor of injection valve
JP5372353B2 (ja) * 2007-09-25 2013-12-18 株式会社フジキン 半導体製造装置用ガス供給装置
US20090214777A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
US20090258143A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Peck John D Reagent dispensing apparatus and delivery method
US20090255466A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 Peck John D Reagent dispensing apparatus and delivery method
TWI433855B (zh) 2008-06-04 2014-04-11 Univation Tech Llc 漿液觸媒流分流器及其使用方法
US8571817B2 (en) * 2008-09-10 2013-10-29 Palo Alto Research Center Incorporated Integrated vapor delivery systems for chemical vapor deposition precursors
WO2010056576A1 (en) * 2008-11-11 2010-05-20 Praxair Technology, Inc. Reagent dispensing apparatuses and delivery methods
US9181097B2 (en) * 2009-02-19 2015-11-10 Sundew Technologies, Llc Apparatus and methods for safely providing hazardous reactants
JP5690498B2 (ja) 2009-03-27 2015-03-25 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 基体上に膜を堆積する方法および気化前駆体化合物を送達する装置
JP2010278167A (ja) 2009-05-28 2010-12-09 Panasonic Corp 半導体製造装置
JP5419276B2 (ja) * 2009-12-24 2014-02-19 株式会社堀場製作所 材料ガス濃度制御システム及び材料ガス濃度制御システム用プログラム
JP5562712B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用のガス供給装置
JP6005334B2 (ja) * 2010-12-24 2016-10-12 株式会社堀場エステック 材料ガス制御システム
US8927066B2 (en) * 2011-04-29 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas delivery
JP5727596B2 (ja) * 2011-05-10 2015-06-03 株式会社フジキン 流量モニタ付圧力式流量制御装置の実ガスモニタ流量初期値のメモリ方法及び実ガスモニタ流量の出力確認方法
US8997775B2 (en) * 2011-05-24 2015-04-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US8776821B2 (en) * 2011-05-24 2014-07-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
JP5755958B2 (ja) * 2011-07-08 2015-07-29 株式会社フジキン 半導体製造装置の原料ガス供給装置
JP5647083B2 (ja) * 2011-09-06 2014-12-24 株式会社フジキン 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置
US9238865B2 (en) * 2012-02-06 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Multiple vapor sources for vapor deposition
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US9605346B2 (en) * 2014-03-28 2017-03-28 Lam Research Corporation Systems and methods for pressure-based liquid flow control

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001525251A (ja) * 1997-12-08 2001-12-11 シリコン ヴァレイ グループ インコーポレイテッド 溶剤蒸気センサーを有するホトレジスト塗布工程制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018074166A (ja) 2018-05-10
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JP6250318B2 (ja) 2017-12-20
KR20140011291A (ko) 2014-01-28
EP3000914A1 (en) 2016-03-30
CN107254674A (zh) 2017-10-17
JP6788067B2 (ja) 2020-11-18
JP6526160B2 (ja) 2019-06-05
US11680318B2 (en) 2023-06-20
US9243325B2 (en) 2016-01-26
US10066296B2 (en) 2018-09-04
CN103572258B (zh) 2017-07-04
US10676821B2 (en) 2020-06-09

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