KR100228768B1 - 화학 기상증착 장치 및 증착방법 - Google Patents

화학 기상증착 장치 및 증착방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100228768B1
KR100228768B1 KR1019960043625A KR19960043625A KR100228768B1 KR 100228768 B1 KR100228768 B1 KR 100228768B1 KR 1019960043625 A KR1019960043625 A KR 1019960043625A KR 19960043625 A KR19960043625 A KR 19960043625A KR 100228768 B1 KR100228768 B1 KR 100228768B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chemical vapor
organic solvent
vapor deposition
thin film
vaporizer
Prior art date
Application number
KR1019960043625A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980025502A (ko
Inventor
유용식
백용구
박영진
김종철
Original Assignee
김영환
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019960043625A priority Critical patent/KR100228768B1/ko
Priority to TW086112229A priority patent/TW455633B/zh
Priority to GB9718225A priority patent/GB2317901B/en
Priority to US08/921,560 priority patent/US6008143A/en
Priority to DE19738330A priority patent/DE19738330C2/de
Priority to CNB971170207A priority patent/CN1160481C/zh
Priority to JP27003997A priority patent/JP3147832B2/ja
Publication of KR19980025502A publication Critical patent/KR19980025502A/ko
Priority to US09/428,645 priority patent/US6338759B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100228768B1 publication Critical patent/KR100228768B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 화학 기상 증착장치 및 증착방법에 관한 것으로, 특히 유기용제에 용해시킨 반응원료를 기화시키기 위한 기화기, 박막 증착 후 전송라인을 세정하기 위한 세정수단 및 상기 기화기에 추가의 유기용제를 공급하기 위한 유기용제 공급수단을 구비하는 화학 기상 증착장치 및 증착방법이다.
본 발명의 유기금속 화학 증착장치 및 방법을 이용하여 고유전체 박막을 형성하게 되면 기화기내의 반응원료의 응축량 및 분해량을 최소화할 수 있어 조성비가 균일한 박막을 형성할 수 있으며, 또한 기화기에 연결된 유기용제 공급수단으로부터 추가로 유기용제를 주입하여 박막 증착후 형성된 반응원료 찌꺼기를 완전히 제거할 수 있어 박막의 물리적 특성을 그대로 유지할 수 있고, 또한 상기 유기용제 전달장치를 이용하여 반응원료를 반응기내로 전달함에 따라 박막의 재현성을 확보할 수 있다.

Description

화학 기상증착 장치 및 증착방법
본 발명은 화학 기상증착 장치 및 증착 방법에 관한 것으로, 특히 고유전체 박막을 반도체 기판에 균일하게 형성하기 위한 유기 금속 화학 기상 증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; 이하 MOCVD라 함.) 장치 및 증착방법에 관한 것이다.
1기가(Giga)급 이상의 차세대 디램(DRAM)에서는 기존의 박막(Thin Film)을 이용하여 충분한 정전용량(Capacitance)을 얻을 수 없으며, 반도체 소자가 고집적화(Scale-down)될수록 셀 면적이 감소하여 기존의 핀(Fin), 실린더 구조와 같은 3차원적인 캐패시터(Capacitor) 구조를 형성하기가 어렵다.
또한 박막의 두께가 감소하게 되면 반도체 기판의 불순물 영역인 소오스(Source) 및 드레인(Drain)에서 접합 누설전류(Leakage Current)가 증가하게 되며, 알파 입자(α-Particle)에 의하여 캐패시터에 저장된 정보를 변화 또는 유실시키는 소프트 에러(Soft Error)가 발생되기 때문에 신뢰성있는 캐패시터를 구현하기가 어렵고, 캐패시터의 복잡한 입체구조에 따른 후속공정이 어렵게 된다.
따라서 최근에는 고유전율 재료인 BST(BaSrTiO3), SrTiO3등을 캐패시터의 박막으로 응용하기 위한 고유전체 박막 증착 장치에 대한 연구가 활발히 전개되고 있다.
고유전체 물질을 제조하는 방법으로는 스퍼터링(Sputtering) 방법, 졸-겔(Sol-Gel) 방법, 레이저 어브레이션(Laser Ablation) 방법, 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 방법등이 있다. 이중 상기 MOCVD 방법은 균일한 박막을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 박막의 조성을 쉽게 조절할 수 있어 최근 MOCVD 법을 이용한 고유전체 박막 증착 장치 개발이 활발히 진행되고 있다.
일반적으로 MOCVD 장치는 반응원료 전달장치, 기화기, 반응기, 진공장치, 컴퓨터 제어기등을 포함한다.
이하 제1도를 참조하여 상기의 구성을 갖는 MOCVD 장치의 작동과정을 설명하기로 한다.
먼저 반응원료를 유기용제로 용해하여 액체상태로 만든 다음, 마이크로펌프와 같은 반응원료 전달장치를 통해 상기 유기 화합물이 포함된 반응원료를 기화기로 이동시켜 가열하거나 다른 에너지원을 사용하여 기화시키고, 아르곤, 질소등의 운반가스(Carrier Gas)를 이용하여 반응기내에 로딩(Loading)되어 있는 반도체 기판 상부에 박막을 증착시키는 장치이다.
그러나 유기용제에 용해된 반응원료를 상기 반응기로 이동시키는 과정에서, 상기 기화기에 열을 가하지 않아도 유기용제의 기화온도가 반응원료의 기화온도보다 매우 낮기 때문에 유기용제가 반응원료보다 먼저 분리된다. 이에 따라 반응원료가 응축(Recondensation)되는 현상이 발생한다.
상기와 같이 응축된 반응원료가 상기 기화기와 반응기 사이의 박막 전송라인을 막아 반응원료가 반응기로 균일하게 전달되지 않으며, 증착된 박막의 특성을 저하시키게 된다.
또한 박막 증착에 필요한 반응원료의 증기압을 일정하게 유지하기 위하여 기화기에 열을 가하는 경우에도 반응원료보다 유기용제가 먼저 기화됨에 따라 상기 반응원료가 분해(Decomposition)되는 현상이 발생한다.
이때 분해된 반응원료 또한 기화기와 반응기 사이의 박막 전송라인을 막아 상기 반응기로 반응원료가 균일하게 전달되지 않아 전기적 특성이 우수한 신뢰성 있는 박막을 형성하기가 어려운 문제점이 있다.
따라서 상기의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 박막 증착 전, 반응원료가 용해된 유기용제를 기화기에 전달시킨 후, 상기 기화기에 연결된 유기용제 공급수단으로부터 다시 유기용제를 추가적으로 공급하여 반응원료가 기화기 및 전송라인내에서 응축 및 분해되는 것을 방지함으로써 균일한 박막을 형성할 수 있는 화학 기상증착 장치 및 증착 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한 박막 증착후 기화기, 반응기 및 기화기와 반응기 사이의 박막 전송라인에 다시 유기 용제를 주입하여 상기 각 장치내에 응축된 반응원료를 제거함으로써 균일한 박막을 증착할 수 있는 기상증착 장치 및 증착방법을 제공함에 그 목적이 있다.
제1도는 종래의 기술에 따른 화학기상 증착장치의 구성을 도시한 개략도.
제2도는 본 발명의 기술에 따른 화학기상 증착장치의 구성을 도시한 개략도.
제3도는 온도 및 유기용제 비율에 따른 반응원료 응축량 및 분해량을 나타낸 그래프.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기상 증착 장치에 의하면, 고유전체 박막을 형성하기 위한 반응원료가 수용된 소스 앰플과, 상기 소스 앰플로부터 나온 반응원료를 유기용제로 용해하여 액체상태로 만든다음 기화기로 전달하는 반응원료 전달수단과, 상기 유기 화합물이 포함된 반응원료를 가열 또는 다른 수단을 통하여 기화시키는 기화기와, 상기 기화된 반응원료가 운반가스에 의해 전달되어 내부에 로딩된 반도체 기판상에 박막을 형성하는 반응기로 구성되는 화학 기상증착 장치에 있어서, 상기 기화기내에서 유기용제의 분리로 인한 반응원료의 응축과, 상기 반응기 내에서의 박막 증착 후 상기 응축된 반응원료가 기화기와 반응기 사이의 전송라인을 막는 것을 방지하기 위해, 상기 기화기에 별도의 유기용제를 추가로 공급할 수 있는 공급수단을 구비한 것을 특징으로 한다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기상증착 방법에 의하면, 반응기 내에 로딩된 반도체 기판상에 고유전체 박막을 형성하는 방법에 있어서, 유기용제에 용해시킨 반응원료를 기화기에서 기화시키는 단계와, 상기 기화기에 추가적으로 유기용제를 공급하는 단계와, 상기 기화된 반응원료를 운반가스를 이용하여 반응기로 주입시켜 박막을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 상세한 설명을 하기로 한다.
제2도는 본 발명에 따른 기상증착 장치의 개념을 설명하기 위한 도면이다.
상기 도면을 참조하면, 먼저 소스 앰플(Source Ampule)에 각각 저장되어 있는 반응원료 예컨데, Ba,Sr, Ti 또는 Sr, Ti 등의 반응원료를 이소(ISO;Iso-Propyl-Amine)등의 유기용제와 함께 반응원료 전달수단인 마이크로 펌프를 통해 기화기로 전달시킨다.
이때 기화기내의 반응원료에 열을 가하지 않아도 상기 유기용제의 기화온도가 반응원료의 기화온도보다 낮기 때문에 상기 유기용제가 먼저 분리됨으로써 상기 반응원료가 응축되는 현상이 발생된다.
이때 상기 기화기내의 반응원료가 응축되는 것을 방지하기 위하여 상기 기화기에 유기용제 공급수단인 솔벤트 앰플과 제2펌프를 연결하여 유기용제 예컨데, 이소 프로필 아민(Iso Propyl Amine)를 충분히 주입하여 반응원료와 함께 기화시킨다. 이어서 아르곤, 질소 등의 운반가스를 이용하여 기체 상태의 반응원료를 노즐을 통해 반응기로 주입시키고 반응기내에 로딩되어 있는 반도체 기판 상부에 박막을 증착시킨다.
박막 증착 후, 상기 응축된 반응원료의 찌꺼기가 기화기와 반응기 사이의 박막 전송라인을 막는 것을 방지하기 위하여 상기 유기용제 공급수단을 통해 충분한 유기용제를 다시 주입하여 기화기내의 반응원료 찌꺼기를 제거한다. 이때 완전히 제거되지 않은 반응원료 찌꺼기를 아르곤, 질소등의 세정가스를 주입하여 제거한다.
제3도는 온도 및 유기용제 비율에 따른 반응원료의 응축량 및 분해량을 도시한 그래프이다.
상기 도면을 참조하면, 유기용제를 기화기내에 충분히 주입하여 반응원료인 Sr(DPM)2와 함께 기화시키면 반응원료의 응축량과 분해량이 감소됨을 알 수 있다.
다음으로 상기의 장치를 이용하여 고유전체 박막을 형성하는 방법은 유기용제에 용해시킨 반응원료를 기화기에서 기화시킨다.
그 다음 유기용제 전달장치로부터 추가적으로 유기용제를 기화기내로 공급한다.
이후 상기 기화된 반응원료를 운반가스를 이용하여 반응기로 주입시켜 박막을 형성하고, 그 다음 상기 박막을 형성한 후 유기용제 전달장치로부터 다시 추가로 유기용제를 상기 기화기 및 전송라인에 공급하여 세정한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학 기상증착 장치로 고유전체 박막을 형성하면, 기화기내의 반응원료의 응축량 및 분해량을 최소화할 수 있어 조성비가 균일한 박막을 형성할 수 있다.
또한 기화기에 유기용제 전달장치를 연결함으로써 박막 증착 후 형성된 반응원료 찌꺼기를 완전히 제거함으로써 박막의 물리적 특성을 그대로 유지할 수 있으며, 반응원료를 안정하게 반응기로 전달함에 따라 박막의 재현성을 확보할 수 있다.

Claims (11)

  1. 고유전체 박막을 형성하기 위한 반응원료가 수용된 소스 앰퓰과, 상기 소스 앰퓰로부터 나온 반응원료를 유기용제로 용해하여 액체상태로 만든다음 기화기로 전달하는 반응원료 전달수단과, 상기 유기 화합물이 포함된 반응원료를 가열 또는 다른 수단을 통하여 기화시키는 기화기와, 상기 기화된 반응원료가 운반가스에 의해 전달되어 내부에 로딩된 반도체 기판상에 박막을 형성하는 반응기로 구성되는 화학 기상증착 장치에 있어서, 상기 기화기내에서 유기용제의 분리로 인한 반응원료의 응축과, 상기 반응기 내에서의 박막 증착 후 상기 응축된 반응원료가 기화기와 반응기 사이의 전송라인을 막는 것을 방지하기 위해, 상기 기화기에 별도의 유기용제를 추가로 공급할 수 있는 공급수단을 구비한 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 운반가스로 아르곤, 질소가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반응원료 전달수단으로 마이크로 펌프를 사용하는 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기용제 전달수단은 펌프인 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기화기에 별도의 유기용제 공급수단은 유기용제를 수용하는 솔벤트 앰퓰과, 상기 솔벤트 앰퓰로부터 나온 유기용제를 기화기로 전달하는 제2펌프로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반응원료는 BST 또는 SrTiO3인 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 추가적으로 공급되는 유기용제는 IPA인 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 장치.
  8. 반응기 내에 로딩된 반도체 기판상에 고유전체 박막을 형성하는 방법에 있어서, 유기용제에 용해시킨 반응원료를 기화기에서 기화시키는 단계와, 상기 기화기에 추가적으로 유기용제를 공급하는 단계와, 상기 기화된 반응원료를 운반가스를 이용하여 반응기로 주입시켜 박막을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 반응원료는 BST 또는 SrTiO3인 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 추가적으로 공급되는 유기용제는 IPA인 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 박막형성 단계 이후에 추가로 유기용제를 상기 기화기 및 전송라인에 공급하여 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상증착 방법.
KR1019960043625A 1996-10-02 1996-10-02 화학 기상증착 장치 및 증착방법 KR100228768B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960043625A KR100228768B1 (ko) 1996-10-02 1996-10-02 화학 기상증착 장치 및 증착방법
TW086112229A TW455633B (en) 1996-10-02 1997-08-26 Metal organic chemical vapor deposition apparatus and deposition method
GB9718225A GB2317901B (en) 1996-10-02 1997-08-28 Metal organic chemical vapour deposition apparatus and method
US08/921,560 US6008143A (en) 1996-10-02 1997-09-02 Metal organic chemical vapor deposition apparatus and deposition method
DE19738330A DE19738330C2 (de) 1996-10-02 1997-09-02 Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung, Abscheidungsverfahren für Metallorganische Verbindungen und Verwendung des Verfahrens
CNB971170207A CN1160481C (zh) 1996-10-02 1997-09-26 金属有机化学气相淀积装置和淀积方法
JP27003997A JP3147832B2 (ja) 1996-10-02 1997-10-02 有機金属化学気相蒸着装置及び有機金属化学気相蒸着方法
US09/428,645 US6338759B1 (en) 1996-10-02 1999-10-28 Metal organic chemical vapor deposition apparatus and deposition method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960043625A KR100228768B1 (ko) 1996-10-02 1996-10-02 화학 기상증착 장치 및 증착방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980025502A KR19980025502A (ko) 1998-07-15
KR100228768B1 true KR100228768B1 (ko) 1999-11-01

Family

ID=19476044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960043625A KR100228768B1 (ko) 1996-10-02 1996-10-02 화학 기상증착 장치 및 증착방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6008143A (ko)
JP (1) JP3147832B2 (ko)
KR (1) KR100228768B1 (ko)
CN (1) CN1160481C (ko)
DE (1) DE19738330C2 (ko)
GB (1) GB2317901B (ko)
TW (1) TW455633B (ko)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3122311B2 (ja) * 1994-06-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
KR100228768B1 (ko) * 1996-10-02 1999-11-01 김영환 화학 기상증착 장치 및 증착방법
TW565626B (en) * 1996-11-20 2003-12-11 Ebara Corp Liquid feed vaporization system and gas injection device
JP2000249058A (ja) 1999-02-26 2000-09-12 Ebara Corp トラップ装置
JP3582437B2 (ja) 1999-12-24 2004-10-27 株式会社村田製作所 薄膜製造方法及びそれに用いる薄膜製造装置
JP2001247967A (ja) * 1999-12-30 2001-09-14 Applied Materials Inc ジルコン酸チタン酸鉛膜の有機メタル化学気相堆積
US6524867B2 (en) * 2000-12-28 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method for forming platinum-rhodium stack as an oxygen barrier
US20030012875A1 (en) * 2001-07-10 2003-01-16 Shreyas Kher CVD BST film composition and property control with thickness below 200 A for DRAM capacitor application with size at 0.1mum or below
JP2003273030A (ja) * 2002-03-18 2003-09-26 Watanabe Shoko:Kk Ｃｖｄ薄膜堆積の方法
US20030203118A1 (en) * 2002-04-26 2003-10-30 Wickes Roger D. Oscillating dispersion apparatus, system, and method
KR100473806B1 (ko) * 2002-09-28 2005-03-10 한국전자통신연구원 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 대면적 유기물 기상증착 장치 및 제조 방법
JP4192008B2 (ja) * 2003-02-18 2008-12-03 株式会社渡辺商行 気化器及び気化器の洗浄方法並びに気化器を用いた装置
US8512798B2 (en) * 2003-06-05 2013-08-20 Superpower, Inc. Plasma assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system
US7727588B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-01 Yield Engineering Systems, Inc. Apparatus for the efficient coating of substrates
CN1332421C (zh) * 2003-12-26 2007-08-15 南美特科技股份有限公司 半导体制程设备的清洁方法
JP2007227086A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および発光素子の製造方法
KR100806113B1 (ko) * 2006-12-26 2008-02-21 주식회사 코윈디에스티 박막증착 장치의 원료가스 공급장치 및 잔류가스 처리장치및 그 방법
US7883745B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-08 Micron Technology, Inc. Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods
JP5212711B2 (ja) * 2007-09-03 2013-06-19 富士フイルム株式会社 有機半導体化合物の単結晶薄膜の作製方法
KR20110004081A (ko) * 2009-07-07 2011-01-13 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법
JP2011054938A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法
US8758515B2 (en) 2010-08-09 2014-06-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device and method of use thereof
US8997775B2 (en) 2011-05-24 2015-04-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US8776821B2 (en) 2011-05-24 2014-07-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
CN102517632B (zh) * 2012-01-11 2014-10-22 南京大学 一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法
CN103484836A (zh) * 2012-06-11 2014-01-01 绿种子材料科技股份有限公司 气相沉积装置
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US10214817B2 (en) * 2013-10-16 2019-02-26 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Multi-metal films, alternating film multilayers, formation methods and deposition system
CR20160469A (es) 2014-04-09 2016-12-06 Cemex Res Group Ag Método para la colocación de hormigón compactado con rodillo (HCR) en una sub-base para producir un pavimento de hormigón
PL2930267T3 (pl) 2014-04-09 2018-05-30 Cemex Research Group Ag Sposób umieszczania wałowanego betonu zagęszczonego (RCC) na warstwie dolnej nośnej dla wytworzenia nawierzchni betonowej
MX2017005753A (es) 2014-11-07 2018-01-11 Sika Tech Ag Método para producir materiales granulados de composiciones de cemento.

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954371A (en) * 1986-06-23 1990-09-04 Spectrum Control, Inc. Flash evaporation of monomer fluids
US5456945A (en) * 1988-12-27 1995-10-10 Symetrix Corporation Method and apparatus for material deposition
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5362328A (en) * 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
US5711816A (en) * 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
US5087485A (en) * 1990-08-14 1992-02-11 Texas Instruments Incorporated Isopropanol catalyst for copper chemical vapor deposition
US5447569A (en) * 1990-12-12 1995-09-05 Hiskes; Ronald MOCVD system for forming superconducting thin films
JPH0795527B2 (ja) * 1991-02-05 1995-10-11 株式会社リンテック 液体原料用気化供給器
JP3156326B2 (ja) * 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
DE4304679C2 (de) * 1992-02-17 1996-03-21 Mitsubishi Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer dünnen dielektrischen Schicht eines Oxid-Systems unter Verwendung des CVD-Verfahrens
JP2797233B2 (ja) * 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
JP2799134B2 (ja) * 1992-09-22 1998-09-17 三菱電機株式会社 チタン酸バリウムストロンチウム系誘電体薄膜用ｃｖｄ原料およびメモリー用キャパシタ
US5393564A (en) * 1993-05-14 1995-02-28 Micron Semiconductor, Inc. High efficiency method for performing a chemical vapor deposition utilizing a nonvolatile precursor
DE4336530C1 (de) * 1993-10-26 1995-04-13 Max Planck Gesellschaft Rekombinante PilC-Proteine, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JPH0897147A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Mitsubishi Electric Corp エピタキシャル結晶成長装置
US5614247A (en) * 1994-09-30 1997-03-25 International Business Machines Corporation Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide
US5620524A (en) * 1995-02-27 1997-04-15 Fan; Chiko Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems
KR100228768B1 (ko) * 1996-10-02 1999-11-01 김영환 화학 기상증착 장치 및 증착방법
US6074487A (en) * 1997-02-13 2000-06-13 Shimadzu Corporation Unit for vaporizing liquid materials
US5820678A (en) * 1997-05-30 1998-10-13 The Regents Of The University Of California Solid source MOCVD system
US6216708B1 (en) * 1998-07-23 2001-04-17 Micron Technology, Inc. On-line cleaning method for CVD vaporizers

Also Published As

Publication number Publication date
JPH10189561A (ja) 1998-07-21
DE19738330A1 (de) 1998-04-09
CN1160481C (zh) 2004-08-04
GB2317901A (en) 1998-04-08
GB2317901B (en) 2000-11-29
GB9718225D0 (en) 1997-11-05
US6008143A (en) 1999-12-28
KR19980025502A (ko) 1998-07-15
TW455633B (en) 2001-09-21
US6338759B1 (en) 2002-01-15
JP3147832B2 (ja) 2001-03-19
CN1184860A (zh) 1998-06-17
DE19738330C2 (de) 2001-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100228768B1 (ko) 화학 기상증착 장치 및 증착방법
US6258171B1 (en) Direct liquid injection system with on-line cleaning
US6506666B2 (en) Method of fabricating an SrRuO3 film
KR100397015B1 (ko) 산화 금속막 형성 방법 및 그 장치
US5393564A (en) High efficiency method for performing a chemical vapor deposition utilizing a nonvolatile precursor
US6780476B2 (en) Method of forming a film using chemical vapor deposition
KR100629023B1 (ko) 티타늄 함유 유전체막 및 그 제조 방법
US5372850A (en) Method of manufacturing an oxide-system dielectric thin film using CVD method
US6428623B2 (en) Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed
US6486047B2 (en) Apparatus for forming strontium-tantalum-oxide thin film
US6485564B1 (en) Thin film forming method
KR100300038B1 (ko) 금속유기물화학기상증착방법및금속유기물화학기상증착기
KR100425672B1 (ko) 복합산화물박막제조용화학기상증착장치
CN1161836C (zh) 半导体存储元件的电容器的形成方法
KR100326744B1 (ko) 가공물의표면상에막의화학적증착을수행하는방법
KR100428877B1 (ko) 반도체소자의절연막제조방법
KR20020009215A (ko) 화학 기상 증착 챔버로의 가스 공급을 위한 기화 장치
KR20020052465A (ko) 화학기상증착방법
US20030012875A1 (en) CVD BST film composition and property control with thickness below 200 A for DRAM capacitor application with size at 0.1mum or below
KR100253572B1 (ko) 반도체소자의 캐패시터 형성방법
KR200207312Y1 (ko) 렌즈 형태의 다공성 금속 스폰지가 장착된 순간기화기
KR20020016989A (ko) Ｂｓｔ박막 제조방법 및 이에 사용되는 기화기
JPH11186244A (ja) 成膜方法及び半導体装置の製造方法
KR19980020909U (ko) 반도체 소자의 박막증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
O132 Decision on opposition [patent]
O064 Revocation of registration by opposition: final registration of opposition [patent]
LAPS Lapse due to unpaid annual fee