KR101027894B1 - 전자 사진 감광체, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치 - Google Patents

전자 사진 감광체, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치 Download PDF

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아끼라 시마다
아끼오 마루야마
도시히로 기꾸찌
아끼오 고가네이
다까유끼 스미다
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Abstract

기계적 강도를 높이는 방법에 상관없이 전자 사진 감광체 표면에 생기는 화상 불량의 원인이 되는 크기의 흠집 발생을 억제하고, 장기간에 걸쳐 양호한 화상의 형성이 가능한 전자 사진 감광체, 상기 감광체를 갖는 공정 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공한다. 지지체 및 감광층을 갖는 전자 사진 감광체에 있어서, 상기 감광체 표면에 장축 직경 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 단축 직경 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이며, 최심부와 개공면과의 거리 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 독립된 오목 형상부가 복수개 존재하고, 상기 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B)를 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B)에서 상기 직선 중 400개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 것을 특징으로 한다.
전자 사진 감광체, 공정 카트리지, 전자 사진 장치, 오목 형상부, 장축 직경, 단축 직경

Description

전자 사진 감광체, 공정 카트리지 및 전자 사진 장치 {ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MATERIAL, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC DEVICE}
본 발명은 전자 사진 감광체, 상기 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지 및 전자 사진 장치에 관한 것이다.
전자 사진 감광체(이하에 있어서, 단순히 "감광체"라고 하는 경우도 있음)로서는, 저가격 및 고생산성의 이점으로부터 광도전성 물질(전하 발생 물질이나 전하 수송 물질)로서 유기 재료를 이용한 감광층(유기 감광층)을 지지체 상에 설치하여 이루어지는 전자 사진 감광체, 이른바 유기 전자 사진 감광체가 보급되었다. 유기 전자 사진 감광체로서는, 광도전성 염료나 광도전성 안료와 같은 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층과 광도전성 중합체나 광도전성 저분자 화합물과 같은 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층을 적층하여 이루어지는 감광층, 이른바 적층형 감광층을 갖는 것이 주류이다. 이것은 고감도 및 재료 설계의 다양성의 이점을 고려한 것이다.
일반적으로 전자 사진 감광체는 현상재와 함께 전자 사진 화상 형성 공정에서 이용된다. 전자 사진 감광체의 표면에는, 전기적 외력이나 기계적 외력이 직접 가해지기 때문에 많은 과제가 발생한다.
전자 사진 감광체의 과제로서, 상기 외력에 의해서 생기는 전자 사진 감광체 표면의 흠집에 의해 야기되는 화질 열화를 들 수 있다. 상기 과제에 대하여 전자 사진 감광체 표면층의 개량이 적극적으로 검토되었다. 구체적으로는, 상기 외력에 의해서 생기는 감광체 표면의 흠집의 발생이나 마모에 대한 내구성을 향상시키기 위해서 표면층의 기계적 강도의 향상이 시도되었다.
전자 사진 감광체의 표면층용 결착 수지로서는, 종래 폴리카르보네이트 수지가 자주 사용되어 왔다. 최근 폴리카르보네이트 수지보다 기계적 강도가 높은 폴리아릴레이트 수지를 사용함으로써 표면층의 기계적 강도를 향상시키는 제안이 행해졌다(예를 들면, 일본 특허 공개 (평)10-39521호 공보 참조). 폴리아릴레이트 수지는 방향족 디카르복실산 폴리에스테르 수지의 일종이다.
또한, 일본 특허 공개 (평)2-127652호 공보에는, 결착 수지로서 경화성 수지를 이용한 경화층을 표면층으로 한 전자 사진 감광체가 개시되었다. 또한, 일본 특허 공개 (평)5-216249호 공보 및 일본 특허 공개 (평)7-72640호 공보에는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 결착 수지의 단량체와 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 전하 수송성 기능을 갖는 단량체를, 열 또는 광의 에너지에 의해 경화 중합시킴으로써 형성되는 전하 수송성 경화층을 표면층으로 한 전자 사진 감광체가 개시되었다. 또한, 일본 특허 공개 제2000-66424호 공보 및 일본 특허 공개 제2000-66425호 공보에는, 동일 분자 내에 연쇄 중합성 관능기를 갖는 정공 수송성 화합물을, 전자선 에너지에 의해 경화 중합시킴으로써 형성되는 전하 수송성 경화층을 표면층으로 한 전자 사진 감광체가 개시되었다.
이와 같이, 최근 전자 사진 감광체 표면층의 기계적 강도를 향상시키는 기술로서, 전자 사진 감광체의 표면층에 기계적 강도가 높은 결착 수지를 이용하는 기술이나, 표면층을 경화층으로 하는 기술이 제안되어 왔다.
또한, 최근 클리닝 부재에 의한 감광체 표면의 클리닝에서의 성능 향상을 목적으로 하여, 전자 사진 감광체의 표면을 적절하게 조면화시키는 방법이 제안되었다.
전자 사진 감광체의 표면을 조면화하는 기술로서는, 일본 특허 공개 (소)53-92133호 공보에는, 전자 사진 감광체의 표면에서의 전사재 분리를 용이하게 하기 위해서, 전자 사진 감광체의 표면 조도(주위면의 조도)를 규정 범위 내로 하는 기술이 개시되었다. 또한, 일본 특허 공개 (소)53-92133호 공보에는 표면층을 형성할 때의 건조 조건을 제어함으로써 전자 사진 감광체의 표면을 유자 껍질 형상으로 조면화하는 방법이 개시되었다. 일본 특허 공개 (소)52-26226호 공보에는 표면층에 입자를 함유시킴으로써 전자 사진 감광체의 표면을 조면화하는 기술이 개시되었다. 일본 특허 공개 (소)57-94772호 공보에는 금속제 와이어 브러시를 이용하여 표면층의 표면을 연마함으로써 전자 사진 감광체의 표면을 조면화하는 기술이 개시되었다. 일본 특허 공개 (평)1-99060호 공보에는 특정 클리닝 수단 및 토너를 이용하여 유기 전자 사진 감광체의 표면을 조면화하는 기술이 개시되었다. 일본 특허 공개 (평)1-99060호 공보에 따르면, 특정 공정 속도 이상의 전자 사진 장치에서 사용한 경우에 과제가 되는 클리닝 블레이드의 턴업(turn-up)이나 엣지부의 깨짐이 해결된다고 기재되어 있다. 일본 특허 공개 (평)2-139566호 공보에는 필름상 연마 재를 이용하여 표면층의 표면을 연마함으로써 전자 사진 감광체의 표면을 조면화하는 기술이 개시되었다. 일본 특허 공개 (평)02-150850호 공보에는 블라스트 처리에 의해 전자 사진 감광체 주위면을 조면화하는 기술이 개시되었다. 단, 상기와 같은 방법으로 조면화된 전자 사진 감광체의 상세한 표면 형상은 불명확하였다. 국제 공개 제2005/93518호 공보에는 상기 블라스트 처리에 의해 전자 사진 감광체 주위면을 조면화하는 기술이 개시되고, 소정의 딤플 형상을 갖는 전자 사진 감광체가 개시되어 고온 고습하에서 발생하기 쉬운 화상 번짐이나 토너의 전사성에 대한 개선이 도모된 것이 기재되었다. 또한, 일본 특허 공개 제2001-066814호 공보에는, 웰(well)형 요철이 붙은 스탬퍼를 이용하여 전자 사진 감광체의 표면을 압축 성형 가공하는 기술을 개시하였다.
<발명의 개시>
그러나, 일본 특허 공개 (평)10-39521호 공보, 일본 특허 공개 (평)2-127652호 공보, 일본 특허 공개 (평)5-216249호 공보, 일본 특허 공개 (평)7-72640호 공보, 일본 특허 공개 제2000-66424호 공보 및 일본 특허 공개 제2000-66425호 공보에 개시된 전자 사진 감광체 표면층의 기계적 강도를 높이는 방법에서는, 수지의 강도를 높임으로써 표면의 흠집 발생을 억제하는 것은 달성하였지만, 장기간에 걸쳐 고화질 화상을 제공하는 점에서 흠집의 성장을 억제하는 데에는 충분하다고 할 수는 없었다.
일본 특허 공개 (소)53-92133호 공보, 일본 특허 공개 (소)52-26226호 공보, 일본 특허 공개 (소)57-94772호 공보, 일본 특허 공개 (평)1-99060호 공보, 일본 특허 공개 (평)2-139566호 공보, 일본 특허 공개 (평)02-150850호 공보, 국제 공개 제2005/93518호 공보에 개시된 제안에서는, 전자 사진 감광체 표면의 가공에 의해 클리닝성의 향상을 달성하였지만, 전자 사진 감광체 표면의 표면에 생기는 흠집의 성장을 억제하는 것에 대해서는 충분하다고 할 수는 없었다.
또한, 일본 특허 공개 제2001-066814호 공보에서 개시된 전자 사진 감광체에서는, 감광체 표면에 미세한 요철을 설치함으로써 토너의 전사성 향상은 도모되었지만, 전자 사진 감광체 표면에 생기는 흠집의 성장을 억제하는 점에서는 충분하다고 할 수는 없었다.
본 발명의 과제는, 전자 사진 감광체 표면에 화상 불량의 원인이 되는 크기의 흠집 발생 및 흠집의 성장을 억제함으로써 장기간에 걸쳐 양호한 화상의 형성이 가능한 전자 사진 감광체, 상기 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 감광체 표면에 생기는 화상 불량의 원인이 되는 크기의 흠집 발생 및 흠집의 성장에 대하여 예의 검토한 결과, 전자 사진 감광체 표면에 미세한 오목 형상부를 일정한 조건을 만족시키도록 배치함으로써, 감광체 표면에 생기는 화상 불량의 원인이 되는 크기의 흠집 발생 및 흠집의 성장을 효과적으로 억제할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 지지체 상에 감광층을 갖는 전자 사진 감광체에 있어서 상기 전자 사진 감광체의 표면에 복수개의 각각 독립된 오목 형상부를 가지고, 각 오목 형상부의 표면 개공부의 장축 직경(Rpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 단축 직경(Lpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이며, 각 오목 형상부의 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 상기 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B) 각각을 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B) 각각에 있어서 499개 중 400개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체에 관한 것이다.
또한 본 발명은 상기 전자 사진 감광체와, 대전 수단, 현상 수단 및 클리닝 수단으로 이루어지는 군에서 선택되는 1개 이상의 수단을 일체로 지지하고, 전자 사진 장치 본체에 착탈이 자유로운 것을 특징으로 하는 공정 카트리지에 관한 것이다.
또한 본 발명은 상기 전자 사진 감광체와, 대전 수단, 노광 수단, 현상 수단 및 전사 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 사진 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 기계적 강도를 높이는 방법에 상관없이 전자 사진 감광체 표면에 생기는 화상 불량의 원인이 되는 크기의 흠집 발생 및 흠집의 성장을 억제함으로써 장기간에 걸쳐 양호한 화상의 형성이 가능한 전자 사진 감광체, 상기 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지 및 전자 사진 장치를 제공할 수 있다.
도 1A는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc)을 나타낸다.
도 1B는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc)을 나타낸다.
도 1C는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc)을 나타낸다.
도 1D는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc)을 나타낸다.
도 1E는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc)을 나타낸다.
도 1F는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc)을 나타낸다.
도 1G는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc)을 나타낸다.
도 1H는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc)을 나타낸다.
도 2A는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 단축 직경(Lpc)을 나타낸다.
도 2B는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 단축 직경(Lpc)을 나타낸다.
도 2C는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 단축 직경(Lpc)을 나타낸다.
도 2D는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 단축 직경(Lpc)을 나타낸다.
도 2E는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 단축 직경(Lpc)을 나타낸다.
도 2F는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 단축 직경(Lpc)을 나타낸다.
도 2G는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 단축 직경(Lpc)을 나타낸다.
도 2H는 본 발명에서의 오목 형상부의 표면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 단축 직경(Lpc)을 나타낸다.
도 3A는 본 발명에서의 오목 형상부의 단면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc) 및 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)를 나타낸다.
도 3B는 본 발명에서의 오목 형상부의 단면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc) 및 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)를 나타낸다.
도 3C는 본 발명에서의 오목 형상부의 단면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc) 및 최심부와 개공면과의 거 리(Rdv)를 나타낸다.
도 3D는 본 발명에서의 오목 형상부의 단면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc) 및 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)를 나타낸다.
도 3E는 본 발명에서의 오목 형상부의 단면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc) 및 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)를 나타낸다.
도 3F는 본 발명에서의 오목 형상부의 단면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc) 및 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)를 나타낸다.
도 3G는 본 발명에서의 오목 형상부의 단면 형상의 예를 나타내는 도면이다. 도면 중의 화살표는 오목 형상부에서의 장축 직경(Rpc) 및 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 전자 사진 감광체에 있어서의 지지체 (1) 및 상기 지지체 상에 설치된 감광층 (2)를 나타내는 도면이다.(도면 중의 직선 (OP)는 감광층 상에서의 감광체 회전 방향과 직교하는 직선이다.)
도 5는 본 발명에서의 영역 (A)를 취하는 방법을 나타내는 도면이다.(영역 (A)의 일부를 생략하여 나타낸다.)
도 6은 본 발명에서의 영역 (B)를 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분한 도면이다.(도면 중의 직선은 일부만 나타낸다.)
도 7은 본 발명에서의 영역 (B) 중의 직선이 오목 형상부를 통과하는 상태의 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명에서의 레이저 마스크의 배열 패턴의 예를 나타내는 부분 확대도이다.
도 9는 본 발명에서의 레이저 가공 장치의 개략도의 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 본 발명에 의해 얻어진 감광체 최외측 표면의 오목 형상부의 배열 패턴의 예를 나타내는 부분 확대도이다.
도 11은 본 발명에서의 몰드에 의한 압접 형상 전사 가공 장치의 예를 나타내는 개략도이다.
도 12는 본 발명에서의 몰드에 의한 압접 형상 전사 가공 장치의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 13은 본 발명에서의 몰드 형상의 예를 나타내는 감광체 접촉면의 부분 확대도이다.
도 14는 본 발명에서의 몰드 형상의 예를 나타내는 감광체 접촉면 단면의 부분 확대도이다.
도 15는 본 발명에 의한 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 16은 실시예 1에서 사용한 레이저 마스크의 배열 패턴의 예를 나타내는 부분 확대도이다.
도 17은 실시예 1에 있어서의 감광체 최외측 표면의 오목 형상부의 배열 패턴을 나타내는 부분 확대도이다.
도 18은 실시예 12에서 사용한 몰드의 형상을 나타내는 감광체 접촉면의 부분 확대도이다.
도 19는 실시예 12에서의 감광체 최외측 표면의 오목 형상부의 배열 패턴을 나타내는 부분 확대도이다.
도 20은 실시예 13에서 사용한 몰드의 형상을 나타내는 감광체 접촉면의 부분 확대도이다.
도 21은 실시예 13에서의 감광체 최외측 표면의 오목 형상부의 배열 패턴을 나타내는 부분 확대도이다.
도 22는 비교예 1에서 사용한 몰드의 형상을 나타내는 감광체 접촉면의 부분 확대도이다.
도 23은 비교예 1에서의 감광체 최외측 표면의 오목 형상부의 배열 패턴을 나타내는 부분 확대도이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명의 전자 사진 감광체는, 상기한 바와 같이 지지체 상에 감광층을 갖는 전자 사진 감광체에 있어서, 상기 전자 사진 감광체의 표면에 복수개의 각각 독립된 오목 형상부를 가지고, 각 오목 형상부의 표면 개공부의 장축 직경(Rpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 단축 직경(Lpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이며, 각 오목 형상부의 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 상기 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B) 각각을 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B) 각각에 있어서 499개 중 400개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체이다.
본 발명에서의 독립된 오목 형상부란, 개개의 오목 형상부가 다른 오목 형상부와 명확하게 구분된 상태를 나타낸다. 본 발명에서의 전자 사진 감광체의 표면에 형성된 오목 형상부는 감광체 표면의 관찰에서는, 예를 들면 직선에 의해 구성되는 형상, 곡선에 의해 구성되는 형상, 또는 직선 및 곡선에 의해 구성되는 형상을 들 수 있다. 직선에 의해 구성되는 형상으로서는, 예를 들면 삼각형, 사각형, 오각형 또는 육각형을 들 수 있다. 곡선에 의해 구성되는 형상으로서는, 예를 들면 원 형상 또는 타원 형상을 들 수 있다. 직선 및 곡선에 의해 구성되는 형상으로서는, 예를 들면 뿔이 둥근 사각형, 뿔이 둥근 육각형 또는 부채형을 들 수 있다. 또한, 본 발명에서의 전자 사진 감광체 표면의 오목 형상부는 감광체 단면의 관찰에서는, 예를 들면 직선에 의해 구성되는 형상, 곡선에 의해 구성되는 형상, 또는 직선 및 곡선에 의해 구성되는 형상을 들 수 있다. 직선에 의해 구성되는 형상으로서는, 예를 들면 삼각형, 사각형 또는 오각형을 들 수 있다. 곡선에 의해 구성되는 형상으로서는, 예를 들면 부분 원 형상 또는 부분 타원 형상을 들 수 있다. 직선 및 곡선에 의해 구성되는 형상으로서는, 예를 들면 뿔이 둥근 사각형 또는 부채형을 들 수 있다. 본 발명에서의 전자 사진 감광체 표면의 오목 형상부의 구체예로서는, 도 1A 내지 1H, 도 2A 내지 2H 및 도 3A 내지 3G로 표시되는 오목 형상부를 들 수 있다. 본 발명에서의 전자 사진 감광체 표면의 오목 형상부는 개별로 다른 형상, 크기 또는 깊이를 가질 수도 있고, 또한 모든 오목 형상부가 동일한 형상, 크기 또는 깊이일 수도 있다. 또한, 전자 사진 감광체의 표면은 개별로 다른 형상, 크기 또는 깊이를 갖는 오목 형상부와, 동일한 형상, 크기 또는 깊이를 갖는 오목 형상부가 조합된 표면일 수도 있다.
본 발명에서의 장축 직경이란, 각 오목 형상부의 개공부를 가로지르는 직선 중, 최대가 되는 직선의 길이를 나타낸다. 구체적으로는, 도 1A 내지 1H 중의 장축 직경(Rpc) 및 도 3A 내지 3G 중의 장축 직경(Rpc)으로 표시된 바와 같이, 전자 사진 감광체에서의 오목 형상부의 개공부 주위의 표면을 기준으로 하여, 개공부의 단부에 접하는 평행한 2개의 직선에 오목 형상부를 끼웠을 때, 상기 2개의 직선간 거리가 최대가 될 때의 길이를 나타낸다. 예를 들면, 오목 형상부의 표면 형상이 원형인 경우에는 직경을 나타내고, 표면 형상이 타원형인 경우에는 장경을 나타내고, 표면 형상이 사각형인 경우에는 대각선 중 긴 대각선을 나타낸다.
본 발명에서의 단축 직경이란, 각 오목 형상부의 개공부를 가로지르는 직선 중, 최소가 되는 직선의 길이를 나타낸다. 구체적으로는, 도 2A 내지 2H 중의 단축 직경(Lpc)으로 표시된 바와 같이, 전자 사진 감광체에서의 오목 형상부의 개공 부 주위의 표면을 기준으로 하여, 개공부의 단부에 접하는 평행한 2개의 직선에 오목 형상부를 끼웠을 때, 상기 2개의 직선간 거리가 최소가 될 때의 길이를 나타낸다. 예를 들면, 오목 형상부의 표면 형상이 원형인 경우에는 직경을 나타내고, 표면 형상이 타원형인 경우에는 단경을 나타낸다.
본 발명에서의 오목 형상부의 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)는, 도 3 중에 표시된 바와 같이 전자 사진 감광체에서의 오목 형상부의 개공부 주위의 표면을 기준으로 하여, 오목 형상부의 최심부와 개공면과의 거리, 즉 깊이를 나타낸다.
전자 사진 감광체의 감광층 표면에서의 화상 불량의 원인이 되는 크기의 흠집 발생 및 흠집의 성장을 억제하기 위해서는, 상기 오목 형상부는 적어도 전자 사진 감광체의 감광층 표면에 형성되어 있다.
상기 오목 형상부는 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B) 각각을 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B) 각각에 있어서 상기 499개의 직선 중 400개 이상 499개 이하가 통과하도록 오목 형상부가 존재한다.
상기 영역 (A)를 취하는 방식을 도 4 및 도 5를 이용하여 설명한다. 도 4에 나타내는 전자 사진 감광체에서의 감광층 표면 (2)를, 감광층 표면에서 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 연장되는 직선 (OP)을 따라 잘라내고, 전개한 것을 도 5에 나타낸다. 도 5에서의 점 (O') 및 점 (P')는 전개 전에 도 4에서 각각 점 (O) 및 점 (P)가 겹쳐있던 점이다. 도 5에서의 사각형 (OPP'O')를 감광체 회전 방향으로 4 등분, 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분함으로써, 총 100 개소 영역 (A)를 도 5에 나타낸 바와 같이 얻을 수 있다(도 5에서는 영역 (A)의 일부를 생략하여 나타냄).
이와 같이 하여 얻어진 영역 (A) 중에 설치하는 상기 영역 (B)를, 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 직선 (L1) 내지 (L499)의 총 499개의 직선으로 500 등분한 것을 도 6에 나타낸다. 도 6 중의 화살표로 나타낸 바와 같이, 각 직선간의 간격은 0.1 ㎛가 된다.
상기 오목 형상부를 영역 (B) 중의 직선이 통과하는 상태에 대하여 도 7을 이용하여 설명한다. 본 발명에서의 상기 영역 (B) 중의 직선이 오목 형상부 (3)을 통과한다는 것은, 구체적으로는 도 7 중의 (7-a), (7-b) 및 (7-c)로 표시되는 상태를 나타낸다. 반대로 상기 영역 (B) 중의 직선이 오목 형상부를 통과하지 않는다는 것은, 구체적으로는 도 7 중의 (7-d)로 표시되는 상태를 나타낸다. 본 발명에 있어서는 상기 영역 (B) 중의 직선이 1개 이상의 오목 형상부의 적어도 일부라도 통과한 경우, 상기 직선은 상기 오목 형상부를 통과하는 직선으로서 센다.
이상의 조건을 만족시키는 전자 사진 감광체에 있어서는, 감광층 표면 전체에서 화상 불량의 원인이 되는 크기의 흠집 발생 및 흠집의 성장을 효과적으로 억제할 수 있다.
최근 일반적으로 이용되는 전자 사진 감광체로서는, 원통형이나 벨트형의 전자 사진 감광체를 들 수 있다. 상기 전자 사진 감광체는, 감광체가 회전함으로써 대전, 현상, 전사, 클리닝이라고 하는 일련의 화상 형성 공정의 일부 또는 모두를 연속적으로 행하는 것이 가능하다. 감광체는 상기 화상 형성 공정시에 대전 부재, 현상 부재, 전사 부재 및 클리닝 부재와 접촉되어 이용되는 경우가 있다. 감광체와 상기 감광체 이외의 부재가 접촉하는 경우, 회전이라는 동작 특성상, 감광체 표면에 대하여 감광체 회전 방향과 감광체 회전 방향과 직교하는 방향에서는 다른 영향을 줄 수 있다고 생각된다. 감광체와 감광체 이외의 부재가 종동(從動)하는 경우, 감광체와 감광체 이외의 부재가 각각 독립적으로 회전하는 경우, 감광체와 감광체 이외의 부재의 한쪽만 회전하는 경우 중 어느 경우에도, 감광체 표면에 대해서는 감광체 회전 방향과 직교하는 방향보다 감광체 회전 방향으로 더 큰 힘이 가해진다고 생각된다. 그것은, 감광체 회전시에는 회전 방향으로 크게 마찰력이 작용하기 때문이다. 감광체 회전 방향으로 큰 마찰력이 반복 작용하기 때문에, 감광체 표면에 미소한 흠집이 발생한 경우, 그 후의 반복 마찰에 의해서 상기 미소한 흠집이 감광체 회전 방향으로 서서히 성장하여, 주상(周傷)이라 불리는 감광체 회전 방향으로 신장되는 큰 흠집이 된다. 이 흠집은, 큰 것이면 감광체 표면의 육안 확인에 의해 발견하는 것이 가능하다. 감광체 표면에 미소한 흠집이 생기고, 반복 마찰 등의 힘에 의해서 그 흠집이 커지면, 감광체 상의 흠집 주변에서 대전, 현상, 전사, 클리닝이라고 하는 공정이 불균일하게 행해지게 되고, 그 결과로서 화질이 저하된다.
본 발명에서는 전자 사진 감광체의 표면에 특정한 오목 형상부를 가짐으로써, 감광체 상의 미소한 흠집의 발생뿐만 아니라, 발생한 미소한 흠집이 감광체 회전 방향과 평행한 방향으로 화상 불량의 요인이 되는 크기 이상으로 성장하는 것을 감소시켜, 감광체 회전 방향으로 성장하는 흠집에 의한 화질 저하를 막는 방법을 나타낸다. 즉, 본 발명의 전자 사진 감광체에 있어서는, 감광체 표면에 다른 부재와의 접촉에 의해 미소한 흠집이 생기고, 다른 부재와 접촉이 반복됨으로써 생긴 미소한 흠집이 감광체 회전 방향으로 성장하였다고 해도, 그 흠집의 성장이 감광체 표면 상의 오목 형상부에 도달한 단계에서 그 이상 성장하는 것이 저지되어, 화질 저하의 요인이 되는 크기까지 흠집이 성장하는 것을 억제한다.
본 발명의 전자 사진 감광체는, 전자 사진 감광체 표면에 표면 개공부의 장축 직경(Rpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 단축 직경(Lpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이며, 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 독립된 오목 형상부를 복수개 가지고 있다. 상기 오목 형상부를 가짐으로써, 전자 사진 감광체 표면에 생긴 미소한 흠집이 감광체 회전 방향으로 성장한 경우에도, 흠집이 오목 형상부에 도달한 시점에서 감광체 회전 방향에의 흠집 성장이 멈추기 때문에, 상기 오목 형상부에서 흠집 성장을 멈추는 것이 가능하다.
또한, 본 발명의 전자 사진 감광체는 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B) 각각을 상기 감 광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B) 각각에 있어서 상기 499개의 직선 중 400개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 전자 사진 감광체이다. 이 조건을 만족시키는 감광체는, 감광체 표면의 전체면에 있어서 상기 오목 형상부가, 상기 감광체 회전 방향에 대하여 화질 저하의 요인이 되는 크기까지 흠집을 성장시키지 않는 범위 내에 존재하는 전자 사진 감광체이다. 따라서, 감광체 표면에 미소한 흠집이 발생하고, 그 흠집이 감광체 회전 방향으로 신장되었다고 해도, 그 흠집에서의 감광체 회전 방향의 양끝에는 상기 오목 형상부가 존재하고, 또한 그 간격은 화질 저하의 요인이 되는 크기까지 흠집을 성장시키지 않는 범위 내이기 때문에, 흠집 성장에 의한 화질 열화가 감소된다.
본 발명의 오목 형상부의 장축 직경(Rpc)은 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이지만, 0.5 ㎛ 이상 9.0 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 단축 직경(Lpc)은 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이지만, 0.4 ㎛ 이상 9.0 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 오목 형상부의 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)는 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이지만, 0.5 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 오목 형상부의 장축 직경(Rpc)에 대한 상기 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)비의 값(Rdv/Rpc)이 0.1 이상 10 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 오목 형상부는, 상기 영역 (B) 각각에 있어서 상기 직선 중 450개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 것이, 감광체 표면에 생긴 미소한 흠집 성장을 억제하는 효과를 높이기 위해서는 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서 전자 사진 감광체 표면의 오목 형상부는, 예를 들면 시판용 레이저 현미경, 광학 현미경, 전자 현미경 또는 원자력간 현미경을 이용하여 측정 가능하다.
레이저 현미경으로서는, 예를 들면 이하의 기기가 이용 가능하다. 초심도 형상 측정 현미경 VK-8550, 초심도 형상 측정 현미경 VK-9000 및 초심도 형상 측정 현미경 VK-9500(모두 (주)기엔스사 제조): 표면 형상 측정 시스템 서피스 익스플로러 SX-520DR형기((주)료까 시스템사 제조): 주사형 공촛점 레이저 현미경 OLS3000(올림푸스(주)사 제조): 리얼 컬러 공촛점 현미경 옵텔릭스 C130(레이저텍(주)사 제조).
광학 현미경으로서는, 예를 들면 이하의 기기가 이용 가능하다. 디지탈 현미경 VHX-500 및 디지탈 현미경 VHX-200(모두 (주)기엔스사 제조): 3D 디지탈 현미경 VC-7700(오무론(주)사 제조).
전자 현미경으로서는, 예를 들면 이하의 기기가 이용 가능하다. 3D 리얼 서피스 뷰 현미경 VE-9800 및 3D 리얼 서피스 뷰 현미경 VE-8800(모두 (주)기엔스사 제조): 주사형 전자 현미경 컨벤셔널/배리어블 프레셔(Variable Pressure) SEM(에스 아이 아이ㆍ나노테크놀로지(주)사 제조): 주사형 전자 현미경 수퍼스캔(SUPERSCAN) SS-550((주)시마즈 세이사꾸쇼사 제조).
원자력간 현미경으로서는, 예를 들면 이하의 기기가 이용 가능하다. 나노 스케일 혼성 현미경 VN-8000((주)기엔스사 제조): 주사형 프로브 현미경 나노내 비(NanoNavi) 스테이션(에스 아이 아이ㆍ나노테크놀로지(주)사 제조): 주사형 프로브 현미경 SPM-9600((주)시마즈 세이사꾸쇼사 제조).
상기 현미경을 이용하여 소정의 배율에 의해 측정 시야 내의 오목 형상부의 장축 직경(Rpc), 단축 직경(Lpc) 및 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)를 계측할 수 있다.
또한, 오목 형상부의 장축 직경이 약 1 ㎛ 이하인 오목 형상부에 대해서도 레이저 현미경 및 광학 현미경에 의한 관찰이 가능하지만, 보다 측정 정밀도를 높이는 경우에는 전자 현미경에 의한 관찰 및 측정을 병용하는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명에 의한 전자 사진 감광체 표면의 형성 방법에 대하여 설명한다. 표면 형상의 형성 방법으로서는, 상기 오목 형상부에 관한 요건을 만족시킬 수 있는 방법이면 특별히 제한은 없다. 전자 사진 감광체 표면의 형성 방법이, 예를 들면 펄스 폭이 100 ns(나노초) 이하인 출력 특성을 갖는 레이저 조사에 의한 전자 사진 감광체 표면의 형성 방법, 소정의 형상을 갖는 몰드를 전자 사진 감광체의 표면에 압접하여 형상 전사를 행하는 표면의 형성 방법, 전자 사진 감광체의 표면층 형성시에 표면을 결로시킨 표면의 형성 방법을 들 수 있다.
펄스 폭이 100 ns(나노초) 이하인 출력 특성을 갖는 레이저 조사에 의한 전자 사진 감광체 표면의 형성 방법에 대하여 설명한다. 이 방법에서 사용되는 레이저의 구체적인 예로서는, ArF, KrF, XeF 또는 XeCl과 같은 가스를 레이저 매질로 하는 엑시머 레이저나, 티탄 사파이어를 매질로 하는 펨토초 레이저를 들 수 있다. 또한, 상기 레이저 조사에 있어서의 레이저 광의 파장은 1,000 nm 이하인 것이 바 람직하다.
상기 엑시머 레이저는 이하의 공정에서 방출되는 레이저 광이다. 우선 Ar, Kr 또는 Xe와 같은 희가스와, F 또는 Cl과 같은 할로겐 가스와의 혼합 기체에, 예를 들면 방전, 전자빔 및 X선으로 에너지를 제공하여 상술한 원소를 여기하여 결합시킨다. 그 후, 기저 상태로 떨어짐으로써 해리될 때, 엑시머 레이저 광이 방출된다. 상기 엑시머 레이저에서 사용되는 가스로서는, ArF, KrF, XeCl 또는 XeF를 들 수 있지만, 어느 것을 이용할 수도 있다. 특히 KrF 또는 ArF가 바람직하다.
오목 형상부의 형성 방법으로서는, 도 8에 나타낸 레이저 광 차폐부 (4)와 레이저 광 투과부 (5)를 적절하게 배열한 마스크를 사용한다. 마스크를 투과한 레이저 광만이 렌즈에서 집광되고, 전자 사진 감광체의 표면에 조사됨으로써 원하는 형상과 배열을 갖는 오목 형상부의 형성이 가능해진다. 레이저 조사에 의한 전자 사진 감광체 표면의 형성 방법에서는, 일정 면적 내의 다수의 오목 형상부를, 오목 형상부의 형상 또는 면적에 상관없이 순간적이며 동시에 가공할 수 있기 때문에, 표면 형성 공정은 단시간에 수행된다. 마스크를 이용한 레이저 조사에 의해, 1회 조사당 전자 사진 감광체 표면의 수 mm2 내지 수 cm2의 영역이 가공된다. 레이저 가공에 있어서는, 도 9에 나타낸 바와 같이 우선 워크 회전용 모터 (7)에 의해 전자 사진 감광체 (9)를 자전시킨다. 자전시키면서, 워크 이동 장치 (8)에 의해 엑시머 레이저 광 조사기 (6)의 레이저 조사 위치가 전자 사진 감광체 (9)의 축 방향 상으로 변이되어 감으로써, 전자 사진 감광체의 표면 전역에 양호한 효율로 오목 형상부를 형성할 수 있다.
상기 레이저 조사에 의한 전자 사진 감광체 표면의 형성 방법에 의해, 장축 직경(Rpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 단축 직경(Lpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이며, 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 독립된 오목 형상부를 복수개 가지고, 상기 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B) 각각을 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B) 각각에 있어서 상기 499개 중 400개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 전자 사진 감광체를 제조할 수 있다.
최심부와 개공면과의 거리는, 레이저 조사에 의해서 전자 사진 감광체의 표면을 형성하는 경우에는, 레이저 조사 시간, 횟수와 같은 제조 조건의 조정으로 제어하는 것이 가능하다. 제조상의 정밀도 또는 생산성의 관점에서, 레이저 조사에 의해 전자 사진 감광체의 표면을 형성하는 경우에는, 1회의 레이저 조사에 의한 오목 형상부의 최심부와 개공면과의 거리는 0.1 ㎛ 이상 2.0 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.3 ㎛ 이상 1.2 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 도 10에, 상기 방법으로 전자 사진 감광체 표면에 제조 가능한 오목 형상부의 예를 나타낸다. 도면 중, 부호 11은 오목 형상부 형성 영역, 10은 오목 형상부 비형성 영역을 나타내고, 화살표는 전자 사진 감광체의 주위 방향을 나타낸다. 레이저 조사에 의한 전자 사 진 감광체 표면의 형성 방법을 이용함으로써, 오목 형상부의 크기, 형상 및 배열의 제어성이 높고, 고정밀도이며 자유도가 높은 전자 사진 감광체의 표면 가공을 실현할 수 있다.
다음에, 소정의 형상을 갖는 몰드를 전자 사진 감광체의 표면에 압접하여 형상 전사를 행하는 전자 사진 감광체 표면의 형성 방법에 대하여 설명한다.
도 11은 본 발명에 사용할 수 있는 몰드에 의한 압접 형상 전사 가공 장치의 개략도의 예를 나타내는 도면이다. 가압 및 해제를 반복하여 행할 수 있는 가압 장치 (12)에 소정의 몰드 (13)을 부착시킨 후, 감광체 (14)에 대하여 소정의 압력(화살표로 나타냄)으로 몰드를 접촉시켜 형상 전사를 행한다. 그 후, 가압을 일단 해제하고, 감광체 (14)를 화살표 방향으로 회전시키면서 이동시킨 후에, 재차 가압 또한 형상 전사 공정을 행한다. 이 공정을 반복함으로써, 감광체 전체 둘레에 걸쳐 소정의 오목 형상부를 형성하는 것이 가능하다.
또한, 예를 들면 도 12에 나타낸 바와 같이, 가압 장치 (12)에 감광체 (14)의 전체 둘레 길이 정도의 소정 형상을 갖는 몰드 (13)을 부착시킨 후, 감광체 (14)에 대하여 소정의 압력을 가하면서 감광체를 회전, 이동시킴으로써, 감광체 전체 둘레에 걸쳐 소정의 오목 형상부를 형성할 수도 있다.
또한, 시트형 몰드를 롤형 가압 장치와 감광체 사이에 끼우고, 몰드 시트를 공급하면서 감광체 표면을 가공하는 것도 가능하다.
또한, 형상 전사를 효율적으로 행할 목적으로, 몰드나 감광체를 가열할 수도 있다. 몰드 및 감광체의 가열 온도는 본 발명의 소정의 오목 형상부를 형성할 수 있는 범위에서 임의적이지만, 형상 전사시의 몰드 온도(℃)를 지지체 상의 감광층의 유리 전이 온도(℃)보다 높아지도록 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 몰드의 가열에 더하여, 형상 전사시의 지지체의 온도(℃)를 감광층의 유리 전이 온도(℃)보다 낮게 제어하는 것이, 감광체 표면에 전사된 오목 형상부를 안정적으로 형성하는 데에 있어서 바람직하다.
또한, 본 발명의 감광체가 전하 수송층을 갖는 감광체인 경우에는, 형상 전사시의 몰드 온도(℃)를 지지체 상의 전하 수송층의 유리 전이 온도(℃)보다 높아지도록 가열하는 것이 바람직하다. 또한, 몰드의 가열에 더하여, 형상 전사시의 지지체의 온도(℃)를 전하 수송층의 유리 전이 온도(℃)보다 낮게 제어하는 것이, 감광체 표면에 전사된 오목 형상부를 안정적으로 형성하는 데에 있어서 바람직하다.
몰드 자체의 재질, 크기 및 형상은 적절하게 선택할 수 있다. 재질로서는, 미세 표면 가공된 금속 및 실리콘 웨이퍼의 표면에 레지스트에 의해 패터닝을 한 것, 미립자가 분산된 수지 필름 및 소정의 미세 표면 형상을 갖는 수지 필름에 금속 코팅된 것을 들 수 있다. 몰드 형상의 일례를 도 13(감광체 접촉면의 부분 확대도) 및 도 14(감광체 접촉면 단면의 부분 확대도)에 나타낸다. 이들 도면에 있어서 부호 26은 몰드 기판을 나타내고, 27은 몰드 원주를 나타낸다.
또한, 감광체에 대하여 압력의 균일성을 부여할 목적으로, 몰드와 가압 장치 사이에 탄성체를 설치할 수도 있다.
상기 소정의 형상을 갖는 몰드를 전자 사진 감광체의 표면에 압접하여 형상 전사를 행하는 표면의 형성 방법에 의해, 표면 개공부의 장축 직경(Rpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 단축 직경(Lpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이며 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 독립된 오목 형상부를 복수개 가지고, 상기 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B) 각각을 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B) 각각에 있어서 상기 499개 중 400개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 전자 사진 감광체를 제조할 수 있다.
소정의 형상을 갖는 몰드를 전자 사진 감광체의 표면에 압접하여 형상 전사를 행하는 표면의 형성 방법을 이용함으로써, 오목 형상부의 크기, 형상 및 배열의 제어성이 높고, 고정밀도이며 자유도가 높은 전자 사진 감광체의 표면 가공을 실현할 수 있다.
다음으로, 전자 사진 감광체의 표면층 형성시에 표면을 결로시킨 표면의 형성 방법을 설명한다. 전자 사진 감광체의 표면층 형성시에 표면을 결로시킨 표면의 형성 방법은, 결착 수지 및 특정 방향족 유기 용제를 함유하고, 방향족 유기 용제의 함유량이 표면층용 도포액 중의 전체 용제 질량에 대하여 50 질량％ 이상 80 질량％ 이하로 함유하는 표면층용 도포액을 제조하고, 상기 도포액을 도포하는 도포 공정, 이어서 상기 도포액을 도포한 지지체를 유지하여 상기 도포액을 도포한 지지체의 표면을 결로시킨 지지체 유지 공정, 그 후 지지체를 가열 건조시키는 건조 공정에 의해 표면에 각각 독립된 오목 형상부가 형성된 표면층을 제조하는 것을 포함하는 전자 사진 감광체의 제조 방법이다.
상기 결착 수지로서는, 예를 들면 아크릴 수지, 스티렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 폴리페닐렌옥시드 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 알키드 수지 및 불포화 수지를 들 수 있다. 특히 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리스티렌 수지, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리아릴레이트 수지 또는 디알릴프탈레이트 수지가 바람직하다. 또한, 폴리카르보네이트 수지 또는 폴리아릴레이트 수지인 것이 바람직하다. 이들은 단독, 혼합 또는 공중합체로서 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
상기 특정 방향족 유기 용제는 물에 대하여 친화성이 낮은 용제이다. 구체적으로는 1,2-디메틸벤젠, 1,3-디메틸벤젠, 1,4-디메틸벤젠, 1,3,5-트리메틸벤젠 또는 클로로벤젠을 들 수 있다.
상기 표면층 도포액 중에 방향족 유기 용제를 함유하는 것이 중요하지만, 오목 형상부를 안정적으로 제조할 목적으로, 표면층 도포액 중에, 물과의 친화성이 높은 유기 용제 또는 물을 표면층용 도포액 중에 더 함유할 수도 있다. 물과의 친화성이 높은 유기 용제로서는, (메틸술피닐)메탄(관용명: 디메틸술폭시드), 티올란-1,1-디온(관용명: 술포란), N,N-디메틸카르복시아미드, N,N-디에틸카르복시아미드, 디메틸아세트아미드 또는 1-메틸피롤리딘-2-온인 것이 바람직하다. 이들 유기 용제는 단독으로 함유하는 것도, 2종 이상 혼합하여 함유할 수도 있다.
상기 지지체의 표면을 결로시킨 지지체 유지 공정이란, 표면층 도포액을 도포한 지지체를, 지지체의 표면이 결로되는 분위기하에 일정 시간 유지하는 공정을 나타낸다. 이 표면 형성 방법에서의 결로란, 물의 작용에 의해 표면층 도포액을 도포한 지지체에 액적이 형성된 것을 가리킨다. 지지체의 표면을 결로시키는 조건은, 지지체를 유지하는 분위기의 상대 습도 및 도포액 용제의 휘발 조건(예를 들면 기화열)에 의해서 영향을 받지만, 표면층 도포액 중에 방향족 유기 용제를 전체 용제 질량에 대하여 50 질량％ 이상 함유하기 때문에, 도포액 용제의 휘발 조건의 영향은 적고, 지지체를 유지하는 분위기의 상대 습도에 주로 의존한다. 지지체의 표면을 결로시키는 상대 습도는 40 ％ 내지 100 ％이다. 또한 상대 습도 70 ％ 이상인 것이 바람직하다. 지지체 유지 공정에는, 결로에 의한 액적 형성이 행해지는 데 필요한 시간이면 된다. 생산성의 관점에서 바람직하게는 1 초 내지 300 초이고, 또한 10 초 내지 180 초 정도인 것이 바람직하다. 지지체 유지 공정에는 상대 습도가 중요하지만, 분위기 온도로서는 20 ℃ 이상 80 ℃ 이하인 것이 바람직하다.
상기 가열 건조시키는 건조 공정에 의해, 지지체 유지 공정에 의해서 표면에 생긴 액적을 감광체 표면의 오목 형상부로서 형성할 수 있다. 균일성이 높은 오목 형상부를 형성하기 위해서는, 빠른 건조인 것이 중요하기 때문에 가열 건조가 행해진다. 건조 공정에서의 건조 온도는 100 ℃ 내지 150 ℃인 것이 바람직하다. 가열 건조시키는 건조 공정 시간은 지지체 상에 도포된 도포액 중의 용제 및 결로 공정에 의해 형성된 물방울이 제거되는 시간이면 된다. 건조 공정 시간은 20 분 내 지 120 분인 것이 바람직하고, 40 분 내지 100 분인 것이 더욱 바람직하다.
상기 전자 사진 감광체의 표면층 형성시에 표면을 결로시킨 표면의 형성 방법에 의해 감광체의 표면에는 각각 독립된 오목 형상부가 형성된다. 전자 사진 감광체의 표면층 형성시에 표면을 결로시킨 표면의 형성 방법은, 물의 작용에 의해 형성되는 액적을, 물과의 친화성이 낮은 용제 및 결착 수지를 이용하여 오목 형상부를 형성하는 방법이다. 이 제조 방법에 의해 제조된 전자 사진 감광체 표면에 형성된 오목 형상부의 개개 형태는, 물의 응집력에 의해 형성되기 때문에 균일성이 높은 오목 형상부로 되어 있다. 이 제조 방법은, 액적을 제거하거나 액적이 충분히 성장한 상태에서 액적을 제거하는 공정을 거치는 제조 방법이기 때문에, 전자 사진 감광체 표면의 오목 형상부는, 예를 들면 액적 형상 또는 벌집형 형상(육각 형상)의 오목 형상부가 형성된다. 액적 형상의 오목 형상부란, 감광체 표면의 관찰에서는, 예를 들면 원 형상 또는 타원 형상으로 관찰되는 오목 형상부이고, 감광체 단면의 관찰에서는, 예를 들면 부분 원형 또는 부분 타원형으로 관찰되는 오목 형상부를 나타낸다. 또한, 벌집형 형상(육각 형상)의 오목 형상부란, 예를 들면 전자 사진 감광체의 표면에 액적이 최밀 충전된 것에 의해 형성된 오목 형상부이다. 구체적으로는, 감광체 표면의 관찰에서는, 예를 들면 오목 형상부가 원형, 육각 형상 또는 뿔이 둥근 육각 형상이고, 감광체 단면의 관찰에서는, 예를 들면 부분 원형 또는 각주와 같은 오목 형상부를 나타낸다.
이와 같이 전자 사진 감광체의 표면층 형성시에 표면을 결로시킨 표면의 형성 방법에 의해, 표면 개공부의 장축 직경(Rpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이고, 단 축 직경(Lpc)이 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하이며, 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.1 ㎛ 이상 10 ㎛ 이하인 독립된 오목 형상부를 복수개 가지고, 상기 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B) 각각을 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B) 각각에 있어서 상기 499개 중 400개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 전자 사진 감광체를 제조할 수 있다.
상기 오목 형상부는 상기 제조 방법에서 나타낸 범위 내로 제조 조건의 조정을 행함으로써 제어 가능하다. 오목 형상부는, 예를 들면 명세서에 기재한 표면층 도포액 중의 용제종, 용제 함유량, 지지체 유지 공정에서의 상대 습도, 유지 공정에서의 유지 시간, 가열 건조 온도에 의해 제어 가능하다.
다음으로, 본 발명에 의한 전자 사진 감광체의 구성에 대하여 설명한다. 상기한 대로, 본 발명의 전자 사진 감광체는 지지체 및 상기 지지체 상에 설치된 유기 감광층(이하, 단순히 "감광층"이라고도 함)을 갖는다. 본 발명에 의한 전자 사진 감광체는 일반적으로는, 원통형 지지체 상에 감광층을 형성한 원통형 유기 전자 사진 감광체가 널리 이용되지만, 벨트형 또는 시트형 형상도 가능하다.
전자 사진 감광체의 감광층은, 전하 수송 물질과 전하 발생 물질을 동일한 층에 함유하는 단층형 감광층일 수도, 전하 발생 물질을 함유하는 전하 발생층과 전하 수송 물질을 함유하는 전하 수송층으로 분리된 적층형(기능 분리형) 감광층일 수도 있다. 본 발명에 의한 전자 사진 감광체는 전자 사진 특성의 관점에서 적층형 감광층이 바람직하다. 또한, 적층형 감광층은 지지체측으로부터 전하 발생층, 전하 수송층의 순서대로 적층한 순층형 감광층일 수도, 지지체측으로부터 전하 수송층, 전하 발생층의 순서대로 적층한 역층형 감광층일 수도 있다. 본 발명에 의한 전자 사진 감광체에 있어서 적층형 감광층을 채용하는 경우, 전자 사진 특성의 관점에서 순층형 감광층이 바람직하다. 또한, 전하 발생층을 적층 구조로 할 수도 있고, 또한 전하 수송층을 적층 구성으로 할 수도 있다. 또한, 내구 성능 향상 등을 목적으로 하여 감광층 상에 보호층을 설치하는 것도 가능하다.
전자 사진 감광체의 지지체로서는, 도전성을 갖는 것(도전성 지지체)이 바람직하고, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 스테인레스와 같은 금속제 지지체를 사용할 수 있다. 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 경우에는, ED관, EI관이나, 이들을 절삭, 전해 복합 연마(전해 작용을 갖는 전극과 전해질 용액에 의한 전해 및 연마 작용을 갖는 지석에 의한 연마), 습식 또는 건식 호닝(honing) 처리한 것도 사용할 수 있다. 또한, 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 산화인듐-산화주석 합금의 진공 증착에 의해서 피막 형성된 층을 갖는 상기 금속제 지지체나 수지제 지지체(폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 페놀 수지, 폴리프로필렌 또는 폴리스티렌 수지)를 이용할 수도 있다. 또한, 카본 블랙, 산화주석 입자, 산화티탄 입자 또는 은 입자와 같은 도전성 입자를 수지나 종이에 함침시킨 지지체나, 도전성 결착 수지를 갖는 플라스틱을 이용할 수도 있다.
지지체의 표면은, 레이저 광의 산란에 의한 간섭호의 방지를 목적으로 하여 절삭 처리, 조면화 처리, 알루마이트 처리를 실시할 수도 있다.
지지체의 부피 저항율은, 지지체의 표면이 도전성을 부여하기 위해서 설치된 층인 경우, 그 층의 부피 저항율은 1×1010 Ωㆍcm 이하인 것이 바람직하고, 특히 1×106 Ωㆍcm 이하인 것이 보다 바람직하다.
지지체와 후술하는 중간층 또는 감광층(전하 발생층, 전하 수송층) 사이에는, 레이저 광의 산란에 의한 간섭호의 방지나, 지지체의 흠집 피복을 목적으로 한 도전층을 설치할 수도 있다. 이것은 도전성 분체를 적당한 결착 수지에 분산시킨 도포액을 도공함으로써 형성되는 층이다. 이러한 도전성 분체로서는, 이하와 같은 것을 들 수 있다. 카본 블랙, 아세틸렌 블랙; 알루미늄, 니켈, 철, 니크롬, 구리, 아연 또는 은과 같은 금속 분말; 도전성 산화주석 또는 ITO와 같은 금속 산화물 분체.
또한, 동시에 사용되는 결착 수지로서는, 이하의 열가소성 수지, 열경화성 수지 또는 광경화성 수지를 들 수 있다. 폴리스티렌, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-무수 말레산 공중합체, 폴리에스테르, 폴리염화비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 폴리아세트산비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리아릴레이트 수지, 페녹시 수지, 폴리카르보네이트, 아세트산셀룰로오스 수지, 에틸셀룰로오스 수지, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐포르말, 폴리비닐톨루엔, 폴리-N-비닐카르바졸, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지 또는 알키드 수지.
도전층은 상기 도전성 분체와 결착 수지를 테트라히드로푸란 또는 에틸렌글리콜디메틸에테르와 같은 에테르계 용제; 메탄올과 같은 알코올계 용제; 메틸에틸케톤과 같은 케톤계 용제; 톨루엔과 같은 방향족 탄화수소 용제에 분산시키거나 또는 용해시키고, 이것을 도포함으로써 형성할 수 있다. 도전층의 평균 막 두께는 0.2 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 또한 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하인 것이 보다 한층 바람직하다.
도전성 안료나 저항 조절 안료를 분산시킨 도전층은 그 표면이 조면화되는 경향이 있다.
지지체 또는 도전층과 감광층(전하 발생층, 전하 수송층) 사이에는, 배리어 기능이나 접착 기능을 갖는 중간층을 설치할 수도 있다. 중간층은, 예를 들면 감광층의 접착성 개량, 도공성 개량, 지지체로부터의 전하 주입성 개량, 감광층의 전기적 파괴에 대한 보호를 위해 형성된다.
중간층은 경화성 수지를 도포한 후 경화시켜 수지층을 형성하거나, 또는 결착 수지를 함유하는 중간층용 도포액을 도전층 상에 도포하고 건조시킴으로써 형성할 수 있다.
중간층의 결착 수지로서는 이하의 것을 들 수 있다. 폴리비닐알코올, 폴리비닐메틸에테르, 폴리아크릴산류, 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰로오스, 폴리글루탐산 또는 카제인과 같은 수용성 수지; 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리아미드산 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지 또는 폴리글루탐산에스테르 수지. 전기적 배리어성을 효과적으로 발현시키기 위해서 는, 또한 도공성, 밀착성, 내용제성 및 저항과 같은 관점에서 중간층의 결착 수지는 열가소성 수지가 바람직하다. 구체적으로는 열가소성 폴리아미드 수지가 바람직하다. 폴리아미드 수지로서는, 용액 상태로 도포할 수 있는 것과 같은 저결정성 또는 비결정성 공중합 나일론이 바람직하다. 중간층의 평균 막 두께는 0.05 ㎛ 이상 7 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 또한 0.1 ㎛ 이상 2 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 중간층에서 전하(캐리어)의 흐름이 정체되지 않도록 하기 위해서, 중간층 중에 반도전성 입자를 분산시키거나 또는 전자 수송 물질(억셉터와 같은 전자 수용성 물질)을 함유시킬 수도 있다.
다음으로, 본 발명에서의 감광층에 대하여 설명한다. 본 발명의 전자 사진 감광체에 이용되는 전하 발생 물질로서는, 이하의 것을 들 수 있다. 모노아조, 디스아조 또는 트리스아조와 같은 아조 안료; 금속 프탈로시아닌 또는 비금속 프탈로시아닌과 같은 프탈로시아닌 안료; 인디고 또는 티오인디고와 같은 인디고 안료; 페릴렌산 무수물 또는 페릴렌산이미드와 같은 페릴렌 안료; 안트라퀴논 또는 피렌퀴논과 같은 다환 퀴논 안료; 스쿠아릴륨 색소, 피릴륨염 또는 티아피릴륨염, 트리페닐메탄 색소; 셀레늄, 셀레늄-텔루륨 또는 비정질 실리콘과 같은 무기 물질; 퀴나크리돈 안료, 아줄레늄염 안료, 시아닌 염료, 크산텐 색소, 퀴논이민 색소 또는 스티릴 색소. 이들 전하 발생 재료는 1종만 이용할 수도 있고, 2종 이상 이용할 수도 있다. 이들 중에서도 특히 옥시티타늄프탈로시아닌, 히드록시갈륨프탈로시아닌 또는 클로로갈륨프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌은 고감도이기 때문에 바람직하다.
감광층이 적층형 감광층인 경우, 전하 발생층에 이용되는 결착 수지로서는 이하의 것을 들 수 있다. 폴리카르보네이트 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리아릴레이트 수지, 부티랄 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 아크릴 수지, 메타크릴 수지, 아세트산비닐 수지, 페놀 수지, 실리콘 수지, 폴리술폰 수지, 스티렌-부타디엔 공중합체 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 요소 수지 또는 염화비닐-아세트산비닐 공중합체 수지. 특히 부티랄 수지가 바람직하다. 이들은 단독, 혼합 또는 공중합체로서 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
전하 발생층은 전하 발생 물질을 결착 수지 및 용제와 함께 분산시켜 얻어지는 전하 발생층용 도포액을 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 또한, 전하 발생층은 전하 발생 물질의 증착막으로 할 수도 있다. 분산 방법으로서는, 균질기, 초음파, 볼 밀, 샌드 밀, 아트라이터 또는 롤 밀을 이용한 방법을 들 수 있다. 전하 발생 물질과 결착 수지와의 비율은 10:1 내지 1:10(질량비)의 범위인 것이 바람직하고, 특히 3:1 내지 1:1(질량비)의 범위인 것이 보다 바람직하다.
전하 발생층용 도포액에 사용되는 용제는 사용되는 결착 수지나, 전하 발생 물질의 용해성이나 분산 안정성으로부터 선택된다. 유기 용제로서는, 알코올계 용제, 술폭시드계 용제, 케톤계 용제, 에테르계 용제, 에스테르계 용제 또는 방향족 탄화수소 용제를 들 수 있다.
전하 발생층의 평균 막 두께는 5 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 0.1 ㎛ 이상 2 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 전하 발생층에는, 각종 증감제, 산화 방지제, 자외선 흡수제 및/또는 가소제를 필요에 따라서 첨가할 수도 있다. 또한, 전하 발생층에 있어서 전하(캐리어)의 흐름이 정체되지 않도록 하기 위해서, 전하 발생층에는 전자 수송 물질(억셉터와 같은 전자 수용성 물질)을 함유시킬 수도 있다.
본 발명의 전자 사진 감광체에 이용되는 전하 수송 물질로서는, 트리아릴아민 화합물, 히드라존 화합물, 스티릴 화합물, 스틸벤 화합물, 피라졸린 화합물, 옥사졸 화합물, 티아졸 화합물 또는 트리아릴메탄 화합물을 들 수 있다. 이들 전하 수송 물질은 1종만 이용할 수도 있고, 2종 이상 이용할 수도 있다.
전하 수송층은 전하 수송 물질과 결착 수지를 용제에 용해시킴으로써 얻어지는 전하 수송층용 도포액을 도포하고, 이것을 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 또한, 상기 전하 수송 물질 중 단독으로 성막성을 갖는 것은, 결착 수지를 이용하지 않고, 그것 단독으로 성막하여 전하 수송층으로 할 수도 있다.
감광층이 적층형 감광층인 경우, 전하 수송층에 사용되는 결착 수지로서는 이하의 것을 들 수 있다. 아크릴 수지, 스티렌 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 폴리페닐렌옥시드 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 알키드 수지 또는 불포화 수지. 특히 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리스티렌 수지, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리아릴레이트 수지 또는 디알릴프탈레이트 수지가 바람직하다. 이들은 단독, 혼합 또는 공중합체로서 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
전하 수송층은 전하 수송 물질과 결착 수지를 용제에 용해시켜 얻어지는 전하 수송층용 도포액을 도포하고, 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 전하 수송 물질과 결착 수지와의 비율은 2:1 내지 1:2(질량비)의 범위인 것이 바람직하다.
전하 수송층용 도포액에 사용되는 용제로서는 이하의 것을 들 수 있다. 아세톤 또는 메틸에틸케톤과 같은 케톤계 용제; 아세트산메틸 또는 아세트산에틸과 같은 에스테르계 용제; 테트라히드로푸란, 디옥솔란, 디메톡시메탄 또는 디메톡시에탄과 같은 에테르계 용제; 톨루엔, 크실렌 또는 클로로벤젠과 같은 방향족 탄화수소 용제. 이들 용제는 단독으로 사용할 수도 있지만, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 이들 용제 중에서도 에테르계 용제 또는 방향족 탄화수소 용제를 사용하는 것이, 수지 용해성과 같은 관점에서 바람직하다.
전하 수송층의 평균 막 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 특히 10 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
또한, 전하 수송층에는, 예를 들면 산화 방지제, 자외선 흡수제 및/또는 가소제를 필요에 따라서 첨가할 수도 있다.
본 발명에 있어서 전자 사진 감광체에 요구되는 특성의 하나인 내구 성능의 향상에 있어서는, 상기 기능 분리형 감광층의 경우, 표면층이 되는 전하 수송층의 재료 설계는 중요하다. 예를 들면, 고강도의 결착 수지를 이용하는 방법, 가소성을 나타내는 전하 수송 물질과 결착 수지와의 비율을 적정화하는 방법, 고분자 전하 수송 물질을 사용하는 방법을 들 수 있지만, 보다 내구 성능을 발현시키기 위해서는 표면층을 경화계 수지로 구성하는 것이 효과적이다.
표면층을 경화계 수지로 구성하는 방법으로서는, 예를 들면 전하 수송층을 경화계 수지로 구성하는 것을 들 수 있고, 또한 상기 전하 수송층 상에 제2 전하 수송층 또는 보호층으로서 경화계 수지층을 형성하는 것을 들 수 있다. 경화계 수지층에 요구되는 특성은 막의 강도와 전하 수송 능력과의 양립이고, 이러한 층은 전하 수송 재료 및 중합 또는 가교성 단량체나 올리고머로 구성되는 것이 일반적이다.
이들 표면층을 경화계 수지로 구성하는 방법에는, 전하 수송 재료로서는 공지된 정공 수송성 화합물 및 전자 수송성 화합물을 사용할 수 있다. 이들 화합물을 합성하는 재료로서는, 아크릴로일옥시기 또는 스티렌기를 갖는 연쇄 중합계 재료를 들 수 있다. 또한, 수산기, 알콕시실릴기 또는 이소시아네이트기를 갖는 축차 중합계와 같은 재료를 들 수 있다. 특히 표면층을 경화계 수지로 구성한 전자 사진 감광체의 전자 사진 특성, 범용성이나 재료 설계 및 제조 안정성의 관점에서 정공 수송성 화합물과 연쇄 중합계 재료의 조합이 바람직하다. 또한, 정공 수송성기 및 아크릴로일옥시기 둘다를 분자 내에 갖는 화합물을 경화시킨 표면층으로 구성된 전자 사진 감광체인 것이 특히 바람직하다.
경화 수단으로서는, 열, 광 또는 방사선과 같은 공지된 수단을 이용할 수 있다.
경화층의 평균 막 두께는, 전하 수송층의 경우에는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 10 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 제2 전하 수송층 또는 보호층의 경우에는, 0.1 ㎛ 이상 20 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1 ㎛ 이 상 10 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 전자 사진 감광체의 각 층에는 각종 첨가제를 첨가할 수 있다. 첨가제로서는, 산화 방지제나 자외선 흡수제와 같은 열화 방지제나, 불소 원자 함유 수지 입자와 같은 윤활제를 들 수 있다.
본 발명의 전자 사진 감광체는 상기와 같이 특정 오목 형상부를 적어도 전자 사진 감광체의 감광층 표면에 갖는다. 본 발명의 오목 형상부는 표면 경도가 높은 감광체, 표면 경도가 낮은 감광체 중 어느 것에 적용하는 경우에도 효과적으로 작용한다.
다음으로, 본 발명에 의한 공정 카트리지 및 전자 사진 장치에 대하여 설명한다. 도 15는 본 발명에 의한 전자 사진 감광체를 갖는 공정 카트리지를 구비한 전자 사진 장치의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다.
도 15에 있어서 15는 원통형 전자 사진 감광체이고, 축 (16)을 중심으로 화살표 방향으로 소정의 주속도로 회전 구동된다.
회전 구동되는 전자 사진 감광체 (15)의 표면은 대전 수단(일차 대전 수단: 예를 들면 대전 롤러) (17)에 의해 플러스 또는 마이너스의 소정 전위로 균일하게 대전된다. 이어서, 슬릿 노광이나 레이저 빔 주사 노광과 같은 노광 수단(도시하지 않음)으로부터 출력되는 노광광(화상 노광광) (18)에 노출된다. 이렇게 하여 전자 사진 감광체 (15)의 표면에, 목적 화상에 대응한 정전 잠상이 순차로 형성되어 간다.
전자 사진 감광체 (15)의 표면에 형성된 정전 잠상은 현상 수단 (19)의 현상 제에 포함되는 토너에 의해 현상되어 토너상이 된다. 이어서, 전자 사진 감광체 (15)의 표면에 형성 담지되어 있는 토너상이, 전사 수단(예를 들면 전사 롤러) (20)으로부터의 전사 바이어스에 의해서 전사재 공급 수단(도시하지 않음)으로부터 전자 사진 감광체 (15)와 전사 수단 (20) 사이(접촉부)에 전자 사진 감광체 (15)의 회전과 동기하여 급송된 전사재(예를 들면 종이) (25)에 순차로 전사되어 간다.
토너상이 전사된 전사재 (25)는, 전자 사진 감광체 (15)의 표면에서 분리되어 정착 수단 (22)에 도입되며 상 정착됨으로써 화상 형성물(인쇄, 복사)로서 장치 밖으로 프린트 아웃된다.
토너상 전사 후의 전자 사진 감광체 (15)의 표면은, 클리닝 수단(예를 들면 클리닝 블레이드) (21)에 의해서 전사 잔여 현상제(토너)가 제거되어 청정면화된다. 또한, 전자 사진 감광체 (15)의 표면은, 전노광 수단(도시하지 않음)으로부터의 전노광 광(도시하지 않음)에 의해 제전 처리된 후, 반복하여 화상 형성에 사용된다. 또한, 도 15에 나타낸 바와 같이, 대전 수단 (17)이, 예를 들면 대전 롤러를 이용한 접촉 대전 수단인 경우에는, 전노광이 반드시 필요하지는 않다.
상기 전자 사진 감광체 (15), 대전 수단 (17), 현상 수단 (19) 및 클리닝 수단 (21)의 구성 요소 중, 복수개를 용기에 넣어 공정 카트리지로서 일체로 결합하여 구성할 수도 있다. 또한, 이 공정 카트리지를 복사기나 레이저 빔 프린터와 같은 전자 사진 장치 본체에 대하여 착탈이 자유롭게 구성할 수도 있다. 도 15에서는, 전자 사진 감광체 (15)와, 대전 수단 (17), 현상 수단 (19) 및 클리닝 수단 (21)을 일체로 지지하여 카트리지화하고, 전자 사진 장치 본체의 레일과 같은 안내 수단 (24)를 이용하여 전자 사진 장치 본체에 착탈이 자유로운 공정 카트리지 (23)으로 만든다.
이하에, 구체적인 실시예를 들어 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 또한, 실시예 중의 "부"는 "질량부"를 의미한다.
(실시예 1)
<전자 사진 감광체의 제조>
직경 30 mm, 길이 357.5 mm의 표면 절삭 가공된 알루미늄 실린더를 지지체(원통형 지지체)로 하였다.
다음에, 이하의 성분으로 이루어지는 용액을 약 20 시간, 볼 밀로 분산시켜 도전층용 도료를 제조하였다.
산화주석의 피복층을 갖는 황산바륨 입자로 이루어지는 분체 60 부
(상품명: 파스트란 PC1, 미쯔이 긴조꾸 고교(주) 제조)
산화티탄 15 부
(상품명: 티타닉스(TITANIX) JR, 테이카(주) 제조)
페놀 수지 43 부
(상품명: 플라이오펜 J-325, 다이닛본 잉크 가가꾸 고교(주) 제조, 수지 고형분 60 ％)
실리콘 오일 0.015 부
(상품명: SH28PA, 도레이ㆍ다우 코닝(주) 제조)
실리콘 수지 입자 3.6 부
(상품명: 토스펄 120, GE 도시바 실리콘(주) 제조)
1-메톡시-2-프로판올 50 부
메탄올 50 부
상기 방법으로 제조한 도전층용 도료를 상기 지지체 상에 침지법에 의해서 도포하고, 140 ℃로 가열된 오븐 내에서 1 시간, 가열 경화시킴으로써 지지체 상단에서 170 mm 위치에 평균 막 두께가 15 ㎛인 도전층을 형성하였다.
다음에, 이하의 성분을 메탄올 400 부/n-부탄올 200 부의 혼합액에 용해시킨 중간층용 도료를 상기 도전층 상에 침지 도포하고, 100 ℃로 가열된 오븐 내에서 30 분간 가열 건조시킴으로써, 지지체 상단에서 170 mm 위치에 평균 막 두께가 0.45 ㎛인 중간층을 형성하였다.
공중합 나일론 수지 10 부
(상품명: 아밀란 CM8000, 도레이(주) 제조)
N-메톡시메틸화 6 나일론 수지 30 부
(상품명: 토레진 EF-30T, 데이꼬꾸 가가꾸 산교(주) 제조)
다음에, 이하의 성분을, 직경 1 mm 유리 비드를 이용한 샌드 밀 장치로 4 시간 분산시킨 후, 아세트산에틸 700 부를 첨가하여 전하 발생층용 도료를 제조하였다.
히드록시갈륨프탈로시아닌 20 부
(CuKα 특성 X선 회절에 있어서 7.5°, 9.9°, 16.3°, 18.6°, 25.1°, 28.3°(브래그 각도(2θ±0.2°))에 강한 회절 피크 갖는 것)
하기 구조식(1)로 표시되는 카릭사렌 화합물 0.2 부
Figure 112008061793211-pct00001
폴리비닐부티랄 10 부
(상품명: 에스렉 BX-1, 세끼스이 가가꾸 고교(주) 제조)
시클로헥사논 600 부
상기 전하 발생층용 도료를 중간층 상에 침지 코팅법으로 도포하고, 80 ℃로 가열된 오븐 내에서 15 분간 가열 건조시킴으로써, 지지체 상단에서 170 mm 위치에 평균 막 두께가 0.17 ㎛인 전하 발생층을 형성하였다.
이어서, 이하의 성분을 클로로벤젠 600 부 및 메티랄 200 부의 혼합 용매 중에 용해시켜 전하 수송층용 도료를 제조하였다. 이것을 이용하여 상기 전하 발생층 상에 전하 수송층을 침지 도포하고, 100 ℃로 가열된 오븐 내에서 30 분간 가열 건조시킴으로써, 지지체 상단에서 170 mm 위치에 평균 막 두께가 15 ㎛인 전하 수송층을 형성하였다.
하기 구조식(2)로 표시되는 전하 수송 물질(정공 수송 물질) 70 부
Figure 112008061793211-pct00002
하기 구조식(3)으로 표시되는 반복 단위로 구성되는 폴리카르보네이트 수지
(유피론 Z, 미쯔비시 엔지니어링 플라스틱(주) 제조)[점도 평균 분자량(Mv) 40,000] 100 부
Figure 112008061793211-pct00003
이어서, 불소 원자 함유 수지(상품명: GF-300, 도아 고세이(주)사 제조) 0.5 부를 1,1,2,2,3,3,4-헵타플루오로시클로펜탄(상품명: 제오롤라 H, 니혼 제온(주)사 제조) 20 부 및 1-프로판올 20 부의 혼합 용제에 용해시켰다.
상기 불소 원자 함유 수지가 용해된 용액에 사불화에틸렌 수지 분체(상품명: 루브론 L-2, 다이킨 고교(주) 제조) 10 부를 첨가하였다. 그 후, 사불화에틸렌 수지 분체를 첨가한 용액을, 고압 분산기(상품명: 마이크로플루이다이저 M-110EH, 미국 마이크로플루이딕스(Microfluidics)사 제조)로 600 kgf/cm2의 압력으로 4회의 처리를 실시하여 균일하게 분산시켰다. 또한, 상기 분산 처리를 행한 용액을 폴리프 론 필터(상품명 PF-040, 어드벤틱 도요(주)사 제조)로 여과를 행하여 분산액을 제조하였다. 그 후, 하기 구조식(4)
Figure 112008061793211-pct00004
로 표시되는 전하 수송 물질(정공 수송 물질) 90 부, 1,1,2,2,3,3,4-헵타플루오로시클로펜탄 70 부 및 1-프로판올 70 부를 상기 분산액에 첨가하였다. 이것을, 폴리프론 필터(상품명: PF-020, 어드벤틱 도요(주)사 제조)로 여과를 행하여 제2 전하 수송층용 도료를 제조하였다.
상기 제2 전하 수송층용 도료를 상기 전하 수송층 상에 도포한 후, 대기 중, 50 ℃의 오븐에서 10 분간 건조시켰다. 그 후, 질소 분위기하에서 가속 전압 150 kV 및 빔 전류 3.0 mA의 조건에서 지지체를 200 rpm으로 회전시키면서 1.6 초간 전자선 조사를 행하였다. 이어서, 질소 분위기하에서 지지체 주위의 온도를 25 ℃로부터 125 ℃까지 30 초에 걸쳐 승온시키고, 제2 전하 수송층에 함유되는 물질의 경화 반응을 행하였다. 또한, 이 때의 전자선의 흡수선량을 측정한 결과, 15 KGy였다. 또한, 전자선 조사 및 가열 경화 반응 분위기의 산소 농도는 15 ppm 이하였다. 상기 처리를 행한 지지체를, 대기 중에서 25 ℃까지 자연 냉각시키고, 그 후 100 ℃로 가열된 오븐 내에서 30 분간 대기 중에서 가열 처리를 행하여 지지체 상 단에서 170 mm 위치에 평균 막 두께가 5 ㎛인 보호층을 형성하여 전자 사진 감광체를 얻었다.
<엑시머 레이저에 의한 오목 형상부의 형성>
얻은 전자 사진 감광체의 최외측 표면층에 KrF 엑시머 레이저(파장 λ=248 nm)를 이용하여 오목 형상부를 형성하였다. 이 때, 도 16에 나타낸 바와 같이, 직경 30 ㎛의 원형 레이저 광 투과부 (5)가 10 ㎛ 간격으로 배열되는 패턴을 갖는 석영 유리제 마스크를 이용하여 행하였다. 도 16 중, 부호 4는 레이저 광 차폐부를 나타낸다. 또한, 엑시머 레이저의 조사 에너지는 0.9 J/cm3으로 하고, 1회 조사당 조사 면적은 2 ㎟으로 하였다. 도 9에 나타낸 바와 같이, 피가공물을 회전시켜 조사 위치를 축 방향으로 이동시키면서 조사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰>
얻은 전자 사진 감광체의 표면 형상을 레이저 현미경(가부시끼가이샤 기엔스 제조 VK-9500)을 이용하여 확대 관찰한 결과, 도 17에 나타내는 배열로 장축 직경(Rpc)가 8.6 ㎛, 단축 직경(Lpc)가 8.6 ㎛, 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.9 ㎛인 오목 형상부가 형성된 것이 확인되었다. 또한, 도 17에 있어서 부호 10은 오목 형상부 비형성부를, 11은 오목 형상부 형성부를 나타낸다.
또한, 이 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역을 영역 (A)로 하여, 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 감광체 회전 방향 에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하였다. 각 영역 (B) 각각을 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 총 100 개소의 모든 영역 (B)에서 이 499개의 직선 모두가 제조한 오목 형상부를 통과한 것이 확인되었다.
이들 결과를 표 1에 나타낸다.
<전자 사진 감광체의 특성 평가>
상기 방법에 의해 제조된 전자 사진 감광체를 캐논(주) 제조의 전자 사진 복사기 GP40(ACDC 대전 방식)에 장착하고, 이하와 같이 평가를 행하였다.
분위기 온도 15 ℃ 및 상대 습도 10 ％의 환경하에서 전자 사진 감광체의 암부 전위(vd)가 -700 V, 명부 전위(Vl)가 -150 V가 되도록 전위의 조건을 설정하여 전자 사진 감광체의 초기 전위를 조정하였다.
상기 조건에 있어서 크기가 A4인 종이를 이용하여 2매 간헐의 조건에서 5,000매의 통지 내구 시험을 행하였다. 내구 시험 후의 감광체의 표면을 레이저 현미경(가부시끼가이샤 기엔스 제조 VK-9500)을 이용하여 확대 관찰하고, 결과를 이하와 같이 분류하였다.
A: 길이 50 ㎛ 이상의 흠집이 100 ㎛2당 1개 이하였다.
B: 길이 50 ㎛ 이상의 흠집이 100 ㎛2당 2개 이상 10개 이하였다.
C: 길이 50 ㎛ 이상의 흠집이 100 ㎛2당 11개 이상 50개 이하였다.
D: 길이 50 ㎛ 이상의 흠집이 100 ㎛2당 51개 이상이었다.
상기 감광체와 동일한 조건에서 제조한 감광체를, 동일하게 크기가 A4인 종이를 이용하여 2매 간헐의 조건에서 50,000매의 통지 내구 시험을 행하였다. 또한, 테스트 차트는 프린트 비율 5 ％의 것을 이용하였다.
50,000매의 통지 내구 시험 후에 테스트 화상으로서 하프톤 화상을 출력하고, 이하와 같이 화상 평가를 행하였다.
A: 화상 상에 있어서 감광체 회전 방향에 상당하는 방향으로 줄 형상의 화상 불량은 볼 수 없었다.
B: 화상 상에 있어서 감광체 회전 방향에 상당하는 방향으로 약간 줄 형상의 화상 불량을 볼 수 있었다.
C: 화상 상에 있어서 감광체 회전 방향에 상당하는 방향으로 명확하게 줄 형상의 화상 불량을 다수 볼 수 있었다.
이들 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<엑시머 레이저에 의한 오목 형상부의 형성>
석영 유리제 마스크에 있어서의 원형 레이저 광 투과부의 직경을 9 ㎛로, 간격을 3 ㎛로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 오목 형상부의 형성을 행하 였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 3)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<엑시머 레이저에 의한 오목 형상부의 형성>
엑시머 레이저의 조사 에너지를 1.5 J/cm3으로 변경한 것 이외에는 실시예 2와 동일하게 오목 형상부의 형성을 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 4)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<엑시머 레이저에 의한 오목 형상부의 형성>
석영 유리제 마스크에 있어서의 원형 레이저 광 투과부의 직경을 6 ㎛로, 간격을 2 ㎛로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 오목 형상부의 형성을 행하 였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 5)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
얻은 전자 사진 감광체에 대하여, 도 12에 나타내어진 장치에 있어서 도 13 및 도 14에 나타내는 원주의 배열을 가지고, 직경 (RM)이 1.0 ㎛, 높이 (HM)이 3.0 ㎛인 원주를 갖는 형상 전사용 몰드를 가압함으로써 형상 전사를 행하였다. 이 때, 가압 부분의 전하 수송층의 온도가 110 ℃가 되도록 전자 사진 감광체 및 몰드의 온도를 제어하고, 5 MPa의 압력으로 가압하면서 감광체를 주위 방향으로 회전시킴으로써 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정을 행한 결과, 도 17의 배열로 오목 형상부가 형성되었다. 또한, 도 17에 있어서 부호 10은 오목 형상부 비형성부를, 11은 오목 형상부 형성부를 나타낸다. 실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행한 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 6)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 높이 (HM)을 2.4 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 7)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 높이 (HM)을 1.7 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 8)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 높이 (HM)을 1.4 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 9)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 높이 (HM)을 1.4 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 10)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 직경 (RM)을 2.5 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 11)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 직경 (RM)을 1.5 ㎛, 원주 높이 (HM)을 2.0 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 12)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드에서의 원주 배열을 도 18에 나타내는 배열로 변경한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다. 또한, 도 18에 있어서 부호 26은 몰드 기판, 27은 몰드 원주를 나타낸다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정을 행한 결과, 도 19에 나타내는 배열로 오목 형상부가 형성되었다. 또한, 도 19에 있어서 부호 10은 오목 형상부 비형성부를, 11은 오목 형상부 형성부를 나타낸다. 실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행한 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 13)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드에서의 원주 배열을 도 20에 나타내는 배열로 변경한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다. 또한, 도 20에 있어서 부호 26은 몰드 기판, 27은 몰드 원주를 나타낸다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정을 행한 결과, 도 21에 나타내는 배열로 오목 형상부가 형성되었다. 또한, 도 21에 있어서 부호 10은 오목 형상부 비형성부를, 11은 오목 형상부 형성부를 나타낸다. 실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행한 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 14)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 지지체 상에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 제조하였다.
이어서, 이하의 성분을 클로로벤젠 600 부 및 메티랄 200 부의 혼합 용매 중에 용해시켜 전하 수송층용 도료를 제조하였다. 이것을 이용하여 상기 전하 발생층 상에 전하 수송층을 침지 도포하고, 110 ℃로 가열된 오븐 내에서 30 분간 가열 건조시킴으로써, 지지체 상단에서 170 mm 위치에 평균 막 두께가 15 ㎛인 전하 수송층을 형성하였다.
상기 화학식(2)로 표시되는 전하 수송 물질(정공 수송 물질) 70 부
하기 구조식(5)로 표시되는 공중합형 폴리아릴레이트 수지 100 부
Figure 112008061793211-pct00005
(식 중, m 및 n은 반복 단위의 본 수지에서의 비(공중합비)를 나타내고, 본 수지에 있어서는 m:n=7:3이다.)
또한, 상기 폴리아릴레이트 수지 중의 테레프탈산 구조와 이소프탈산 구조와의 몰비(테레프탈산 구조: 이소프탈산 구조)는 50:50이다. 또한, 중량 평균 분자량(Mw)은 130,000이다.
본 발명에 있어서 수지의 중량 평균 분자량은 통상법에 따라서 이하와 같이 하여 측정된 것이다.
즉, 측정 대상 수지를 테트라히드로푸란 중에 넣고, 수 시간 방치한 후, 진탕하면서 측정 대상 수지와 테트라히드로푸란과 잘 혼합하고(측정 대상 수지의 합일체가 없어질 때까지 혼합하고), 또한 12 시간 이상 정치하였다.
그 후, 도소(주) 제조의 샘플 처리 필터 마이쇼리디스크 H-25-5를 통과시킨 것을 GPC(겔 투과 크로마토그래피)용 시료로 하였다.
다음에, 40 ℃의 열 챔버 중에서 칼럼을 안정화시키고, 이 온도에서의 칼럼에 용매로서 테트라히드로푸란을 매분 1 ml의 유속으로 흐르게 하고, GPC용 시료를 10 ㎕ 주입하여 측정 대상 수지의 중량 평균 분자량을 측정하였다. 칼럼에는 도소(주) 제조의 칼럼 TSK겔(gel) 수퍼(Super)HM-M을 이용하였다.
측정 대상 수지의 중량 평균 분자량의 측정에 있어서는, 측정 대상 수지가 갖는 분자량 분포를 여러 종류의 단분산 폴리스티렌 표준 시료에 의해 제조된 검량선의 대수값과 카운팅수와의 관계로부터 산출하였다. 검량선 제조용 표준 폴리스티렌 시료에는, 알드리치사 제조의 단분산 폴리스티렌의 분자량이 3,500, 12,000, 40,000, 75,000, 98,000, 120,000, 240,000, 500,000, 800,000, 1,800,000인 것을 10점 이용하였다. 검출기에는 RI(굴절률) 검출기를 이용하였다.
상기 방법에 의해 제조된 전자 사진 감광체에 대하여 몰드의 원주 높이 (HM)을 4.5 ㎛로 한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 가공을 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 15)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 14와 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 높이 (HM)을 5.0 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 16)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 지지체 상에 도전층, 중간층, 전하 발생층 및 전하 수송층을 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 높이 (HM)을 2.0 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 17)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 16과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 높이 (HM)을 1.0 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 18)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
몰드의 원주 직경 (RM)을 0.5 ㎛, 원주 높이 (HM)을 2.0 ㎛로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 형상 전사를 행하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 19)
<전자 사진 감광체의 제조 및 결로법에 의한 오목 형상부의 형성>
실시예 1과 동일하게 지지체 상에 도전층, 중간층 및 전하 발생층을 제조하였다.
다음에, 하기 구조식(2)
Figure 112008061793211-pct00006
로 표시되는 구조를 갖는 전하 수송 물질 10 부 및 하기 구조식(3)
Figure 112008061793211-pct00007
으로 표시되는 반복 단위로 구성되는 폴리카르보네이트 수지(유피론 Z-400, 미쯔비시 엔지니어링 플라스틱(주) 제조)[점도 평균 분자량(Mv) 40,000] 10 부를, 클로로벤젠 65 부 및 디메톡시메탄 35 부의 혼합 용매에 용해시키고, 전하 수송 물질을 함유하는 표면층용 도포액을 제조하였다. 표면층용 도포액을 제조하는 공정은 상대 습도 45 ％ 및 분위기 온도 25 ℃의 상태에서 행하였다.
이상과 같이 제조한 표면층용 도포액을 전하 발생층 상에 침지 코팅하고, 원통형 지지체 상에 표면층용 도포액을 도포하는 공정을 행하였다. 표면층용 도포액을 도포하는 공정은 상대 습도 45 ％ 및 분위기 온도 25 ℃의 상태에서 행하였다.
도포 공정 종료로부터 60 초 후, 미리 장치 내를 상대 습도 70 ％ 및 분위기 온도 60 ℃의 상태가 된 원통형 지지체 유지 공정용 장치 내에, 표면층용 도포액이 도포된 원통형 지지체를 120 초간 유지하였다.
원통형 지지체 유지 공정 종료로부터 60 초 후, 미리 장치 내가 120 ℃로 가열된 송풍 건조기 내에 원통형 지지체를 넣고, 건조 공정을 60 분간 행하여 전자 사진 감광체를 얻었다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 20)
<전자 사진 감광체의 제조 및 결로법에 의한 오목 형상부의 형성>
원통형 지지체 유지 공정에서의 상대 습도를 70 ％, 분위기 온도를 45 ℃로 변경한 것 이외에는, 실시예 19와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 21)
<전자 사진 감광체의 제조 및 결로법에 의한 오목 형상부의 형성>
원통형 지지체 유지 공정에서의 상대 습도를 70 ％, 분위기 온도를 30 ℃로 변경하고, 원통형 지지체 유지 시간을 180 초로 변경한 것 이외에는, 실시예 19와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 22)
<전자 사진 감광체의 제조 및 결로법에 의한 오목 형상부의 형성>
표면층용 도포액 중의 결착 수지를 하기 구조식(5)
Figure 112008061793211-pct00008
로 표시되는 반복 구조 단위를 갖는 폴리아릴레이트 수지(중량 평균 분자량(Mw): 120,000)로 변경하고, 표면층용 도포액 중의 용제를 클로로벤젠 65 부 및 디메톡시메탄 35 부의 혼합 용매로부터 클로로벤젠 50 부, 옥소란 10 부 및 디메톡시메탄 40 부로 변경한 것 이외에는, 실시예 19와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
또한, 상기 폴리아릴레이트 수지 중의 테레프탈산 구조와 이소프탈산 구조와의 몰비(테레프탈산 구조: 이소프탈산 구조)는 50:50이다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 23)
<전자 사진 감광체의 제조 및 결로법에 의한 오목 형상부의 형성>
원통형 지지체 유지 공정용 장치 내의 상대 습도를 70 ％, 상기 장치 내에 표면층용 도포액이 도포된 원통형 지지체를 유지하는 시간을 80 초간으로 변경한 것 이외에는, 실시예 19와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 24)
<전자 사진 감광체의 제조 및 결로법에 의한 오목 형상부의 형성>
원통형 지지체 유지 공정용 장치 내에 표면층용 도포액이 도포된 원통형 지지체를 유지하는 시간을 60 초간으로 변경한 것 이외에는, 실시예 23와 동일하게 하여 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 1)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하였다.
<몰드 압접 형상 전사에 의한 오목 형상부의 형성>
도 12에 나타내어진 장치에 있어서 몰드의 원주 배열을 도 22(도면 중, 원주 직경 (RM)은 1.0 ㎛이고, 원주 간격 (DM)은 1.0 ㎛임)에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는, 실시예 8과 동일하게 형상 전사를 행하였다. 또한, 도 22에 있어서 부호 26은 몰드 기판, 27은 몰드 원주를 나타낸다.
<형성한 오목 형상부의 관찰 및 전자 사진 감광체의 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정을 행한 결과, 도 23에 나타내는 배열로 오목 형상부가 형성되었다. 또한, 도 23에 있어서 부호 10은 오목 형상부 비형성부를, 11은 오목 형상부 형성부를 나타낸다. 실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행한 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 2)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하고, 평균 입경 35 ㎛의 유리 비드를 감광체 표면에 분무하는 샌드 블라스트법에 의해 전자 사진 감광체 표면의 조면화를 행하였다.
<전자 사진 감광체 표면의 관찰 및 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 3)
<전자 사진 감광체의 제조>
실시예 1과 동일하게 전자 사진 감광체를 제조하고, 감광체 표면의 가공을 행하지 않았다.
<전자 사진 감광체 표면의 관찰 및 특성 평가>
실시예 1과 동일하게 표면 형상 측정 및 특성 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112008061793211-pct00009
이 출원은 2006년 1월 31일에 출원된 일본 특허 출원 제2006-022896호, 2006년 1월 31일에 출원된 일본 특허 출원 제2006-022898호, 2006년 1월 31일에 출원된 일본 특허 출원 제2006-022899호, 2006년 1월 31일에 출원된 일본 특허 출원 제2006-022900호 및 2007년 1월 26일에 출원된 일본 특허 출원 제2007-016221호로부터의 우선권을 주장하는 것이고, 그 내용을 인용하여 이 출원의 일부로 하는 것이다.

Claims (8)

  1. 지지체 상에 감광층을 갖는 전자 사진 감광체에 있어서, 상기 전자 사진 감광체의 표면에 복수개의 각각 독립된 오목 형상부를 가지고, 각 오목 형상부의 표면 개공부의 장축 직경(Rpc)이 0.4 ㎛ 이상 8.6 ㎛ 이하이고, 단축 직경(Lpc)이 0.4 ㎛ 이상 8.6 ㎛ 이하이며, 각 오목 형상부의 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.6 ㎛ 이상 6 ㎛ 이하이고, 상기 전자 사진 감광체의 형상이 원통형 또는 벨트형이고, 상기 전자 사진 감광체의 표면을 감광체 회전 방향으로 4 등분하고, 상기 감광체 회전 방향과 직교하는 방향으로 25 등분하여 얻어지는 총 100 개소 영역 (A) 각각의 안에, 1변이 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 1변 50 ㎛의 정방형 영역 (B)를 설치하고, 각 영역 (B) 각각을 상기 감광체 회전 방향에 대하여 평행한 499개의 직선으로 500 등분하였을 때, 각 영역 (B) 각각에서 499개 중 400개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오목 형상부의 장축 직경(Rpc)에 대한 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)비의 값(Rdv/Rpc)이 0.1 이상 10 이하인 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오목 형상부의 최심부와 개공면과의 거리(Rdv)가 0.6 ㎛ 이상 5.0 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 오목 형상부의 장축 직경(Rpc)이 0.5 ㎛ 이상 8.6 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 각 영역 (B) 각각에 있어서 상기 499개의 직선 중 450개 이상 499개 이하가 상기 오목 형상부를 통과하는 전자 사진 감광체.
  7. 제1항에 기재된 전자 사진 감광체와, 대전 수단, 현상 수단 및 클리닝 수단으로 이루어지는 군에서 선택되는 1개 이상의 수단을 일체로 지지하고, 전자 사진 장치 본체에 착탈이 자유로운 것을 특징으로 하는 공정 카트리지.
  8. 제1항에 기재된 전자 사진 감광체, 대전 수단, 노광 수단, 현상 수단 및 전사 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 사진 장치.
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4372213B2 (ja) * 2007-03-28 2009-11-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4921243B2 (ja) * 2007-05-18 2012-04-25 キヤノン株式会社 プロセスカートリッジ及び電子写真装置
KR20090056004A (ko) * 2007-11-29 2009-06-03 삼성전자주식회사 이미지형성체 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된이미지형성체 및 이를 구비하는 이미지형성장치
US8846281B2 (en) 2008-09-26 2014-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP5320999B2 (ja) * 2008-11-14 2013-10-23 株式会社リコー 画像形成装置
JP4590484B2 (ja) * 2008-12-08 2010-12-01 キヤノン株式会社 電子写真装置およびプロセスカートリッジ
JP2010160184A (ja) 2009-01-06 2010-07-22 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ
JP4594444B2 (ja) 2009-01-30 2010-12-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US20110014557A1 (en) * 2009-07-20 2011-01-20 Xerox Corporation Photoreceptor outer layer
JP4663819B1 (ja) 2009-08-31 2011-04-06 キヤノン株式会社 電子写真装置
JP4940370B2 (ja) 2010-06-29 2012-05-30 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5565171B2 (ja) * 2010-07-30 2014-08-06 株式会社リコー 画像形成装置
WO2012035944A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, electrophotographic apparatus, and method of manufacturing electrophotographic photosensitive member
JP4948670B2 (ja) 2010-10-14 2012-06-06 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置および電子写真感光体の製造方法
JP4959022B2 (ja) 2010-10-29 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4975185B1 (ja) 2010-11-26 2012-07-11 キヤノン株式会社 円筒状電子写真感光体の表面層の表面に凸凹形状を形成する方法、および、表面層の表面に凸凹形状が形成された円筒状電子写真感光体を製造する方法
JP4959024B1 (ja) 2010-12-02 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置、および電子写真感光体の製造方法
JP6150817B2 (ja) 2012-11-21 2017-06-21 キヤノン株式会社 画像形成装置、電子写真感光体、及び電子写真感光体の製造方法
JP6347696B2 (ja) * 2013-09-30 2018-06-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US9274442B2 (en) 2014-03-27 2016-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic image forming apparatus having charge transport layer with matrix-domain structure and charging member having concavity and protrusion
JP6562804B2 (ja) * 2014-09-30 2019-08-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP2016224266A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 キヤノン株式会社 現像装置及び画像形成装置
JP6639256B2 (ja) 2016-02-10 2020-02-05 キヤノン株式会社 電子写真装置、およびプロセスカートリッジ
US10162278B2 (en) 2017-02-28 2018-12-25 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
US10203617B2 (en) 2017-02-28 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP6921612B2 (ja) 2017-05-02 2021-08-18 キヤノン株式会社 画像形成装置
JP6850205B2 (ja) 2017-06-06 2021-03-31 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US10268132B2 (en) 2017-06-15 2019-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Charging roller, cartridge, image forming apparatus and manufacturing method of the charging roller
JP7240124B2 (ja) * 2017-10-16 2023-03-15 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001066814A (ja) 1999-08-30 2001-03-16 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、その製造方法、電子写真プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2006011047A (ja) 2004-06-25 2006-01-12 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS609259B2 (ja) 1975-08-23 1985-03-08 三菱製紙株式会社 電子写真用感光材料
JPS5392133A (en) 1977-01-25 1978-08-12 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photosensitive material
JPS5794772A (en) 1980-12-03 1982-06-12 Ricoh Co Ltd Polishing method of surface of organic electrophotographic photoreceptor
JPH0762762B2 (ja) 1987-10-12 1995-07-05 キヤノン株式会社 フルカラー電子写真装置
US4985330A (en) 1988-11-08 1991-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photosensitive material for electrophotography and method for making same
JPH02127652A (ja) 1988-11-08 1990-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子写真用感光体
JPH02139566A (ja) 1988-11-21 1990-05-29 Canon Inc 有機電子写真感光体の表面粗面化法
JPH02150850A (ja) 1988-12-02 1990-06-11 Canon Inc 電子写真感光体の表面粗面化法
US5242773A (en) 1990-11-08 1993-09-07 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Photosensitive member having fine cracks in surface protective layer
JP2990788B2 (ja) * 1990-11-08 1999-12-13 ミノルタ株式会社 表面が微細に粗面化された有機系感光体
JP2987922B2 (ja) * 1990-11-08 1999-12-06 ミノルタ株式会社 表面が交差線状に粗面化された感光体
US5242776A (en) 1990-11-08 1993-09-07 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Organic photosensitive member having fine irregularities on its surface
JP3194392B2 (ja) 1992-01-31 2001-07-30 株式会社リコー 電子写真感光体
US5427880A (en) 1993-02-01 1995-06-27 Ricoh Company, Ltd. Electrophotographic Photoconductor
JP3286704B2 (ja) 1993-02-01 2002-05-27 株式会社リコー 電子写真感光体
US5983055A (en) * 1996-03-19 1999-11-09 Sharp Kabushiki Kaisha Photosensitive element for electrophotography
JP3397592B2 (ja) 1996-07-29 2003-04-14 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
US6180303B1 (en) 1998-06-12 2001-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and process for producing the same photosensitive member
JP4011790B2 (ja) 1998-06-12 2007-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP4011791B2 (ja) 1998-06-12 2007-11-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP2005093518A (ja) 2003-09-12 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不純物導入の制御方法および不純物導入装置
JP3938210B2 (ja) 2004-03-26 2007-06-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
WO2005093519A1 (ja) 2004-03-26 2005-10-06 Canon Kabushiki Kaisha 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4101278B2 (ja) 2006-01-31 2008-06-18 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4194631B2 (ja) 2006-01-31 2008-12-10 キヤノン株式会社 画像形成方法ならびに該画像形成方法を用いた電子写真装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001066814A (ja) 1999-08-30 2001-03-16 Fuji Xerox Co Ltd 電子写真感光体、その製造方法、電子写真プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2006011047A (ja) 2004-06-25 2006-01-12 Ricoh Co Ltd 電子写真感光体、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ

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