KR100852379B1 - 비접촉 ｉｃ 라벨 및 그 제조 방법 그리고 제조 장치 - Google Patents

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Abstract

전기 절연성의 제 1 기판과, 상기 제 1 기판의 일방의 면에 형성된 안테나 코일과, 상기 안테나 코일과 서로 전기적으로 접속된 IC 칩과, 상기 제 1 기판의 일방의 면에 있어서, 상기 안테나 코일 및 IC 칩을 덮도록 형성된 자성체층과, 상기 자성체층을 통해서 형성된 제 1 접착제층과, 상기 제 1 접착제층을 통해서 형성된 전기 절연성의 제 2 기판과, 상기 제 2 기판을 통해서 형성된 제 2 접착제층과, 상기 제 2 접착제층을 통해서 형성된 박리지와, 상기 제 1 기판의 타방의 면에 제 3 접착제층을 통해서 형성된 상부재를 포함하는 비접촉 IC 라벨.
접착제층, 자성체층, 비접촉 IC 라벨, 베이스 기재, 인렛

Description

비접촉 ＩＣ 라벨 및 그 제조 방법 그리고 제조 장치{NONCONTACT IC LABEL AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은, RFID (Radio Frequency IDentification) 용도의 정보 기록 미디어와 같이, 전자파를 매체로 하여 외부로부터 정보를 수신하고, 또한 외부로 정보를 송신할 수 있도록 한 비접촉 IC 라벨 등의 비접촉형 데이터 수송신체에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 베이스 기재 상에 IC 칩이 탑재되어 이루어지는 반도체 기판이 수지에 의해 밀봉된 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본원은, 2004년 10월 13일에 출원된 일본 특허출원 제2004-299307호, 2004년 11월 18일에 출원된 일본 특허출원 제2004-335100호, 2004년 11월 18일에 출원된 일본 특허출원 제2004-335101호, 2005년 2월 16일에 출원된 일본 특허출원 제2005-038963호, 2005년 2월 16일에 출원된 일본 특허출원 제2005-038964호, 2005년 4월 20일에 출원된 일본 특허출원 제2005-121896호, 2005년 4월 20일에 출원된 일본 특허출원 제2005-121897호, 2005년 4월 22일에 출원된 일본 특허출원 제2005-124865호에 대하여 우선권을 주장하고, 그들의 내용을 본 명세서에 원용한다.
종래, RFID 용도의 IC 라벨로서, 안테나 코일과 정보를 기억한 IC 칩이 전기적으로 접속된 식별용 IC 라벨이 알려져 있다.
이들 IC 라벨은, 리더/라이터 (reader/writer) 로부터의 전자파를 수신하면 공진 작용에 의해 안테나 코일에 기전력이 발생하고, 이 기전력에 의해 IC 라벨 내의 IC 칩이 기동하여, 칩 내의 정보를 신호화해서, 이 신호가 IC 라벨의 안테나 코일로부터 발신된다.
IC 라벨로부터 발신된 신호는, 리더/라이터의 안테나에서 수신되어, 컨트롤러를 통해 데이터 처리 장치로 보내지고, 식별 등의 데이터 처리가 실시된다.
이들 IC 라벨이 작동하기 위해서는, 리더/라이터로부터 발신된 전자파가 IC 라벨의 안테나 코일에 충분히 받아들여져, IC 칩의 작동 기전력 이상의 발전력이 유도되지 않으면 안되지만, IC 라벨을 금속제 물품의 표면에 부착한 경우에는, 금속제 물품의 표면에서는 자속(磁束)이 금속 물품의 표면에 평행하게 된다. 이 때문에, IC 라벨의 안테나 코일을 가로지르는 자속이 감소하여 유도 기전력이 저하되기 때문에, IC 칩의 작동 기전력을 하회하여, IC 칩이 작동하지 않게 된다는 문제가 있었다 (예를 들어, 비특허 문헌 1 참조).
도 4 는, IC 라벨을 금속 물품의 표면에 탑재한 경우의, 자속의 흐름을 나타낸 모식도이다. 리더/라이터 (141) 로부터 발생한 자속 (142) 이 금속 물품 (143) 의 표면에서는 평행해지기 때문에, 금속 물품 (143) 의 표면에 탑재된 IC 라벨 (144) 의 안테나 코일 (145) 을 통과하는 자속이 감소하여, 안테나 코일 (145) 에 유기(誘起)되는 기전력이 저하되므로, IC 칩 (146) 이 작동하지 않게 된다.
그래서, 금속 물품 위에 탑재하더라도 작동하도록 하기 위해서, 페라이트 코어에 안테나 코일을 감아서, 이 안테나 코일의 축심이 금속제 물품 표면의 자속의 방향과 평행해지도록 배치하고, 안테나 코일면을 통과하는 자속을 증대시켜, 유도 기전력을 증대시키고자 하는 방법이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허 문헌 1 참조).
도 5 는 특허 문헌 1 의 실시형태에 의한 IC 태그의 사시도로, 각형의 페라이트 코어 (156) 의 주위에 안테나 코일 (152) 을 감고, 안테나 코일 (152) 이 감겨 있지 않은 부분에는 기판 (155) 을 사이에 두고 기판 (155) 위에 IC 칩 (153) 과 콘덴서 (154) 등이 탑재되어 있다. 각형의 페라이트 코어 (156) 의 평면부 (도 5 의 하면) 가 금속 물품의 표면에 부착되면, 금속 물품의 표면에 평행한 자속이 페라이트 코어 (156) 를 지나, 안테나 코일 (152) 내를 직각으로 통과하기 때문에, 필요한 유기 전압이 발생하여, IC 칩 (153) 이 작동한다.
한편, 안테나 코일을 평면상으로 형성하고, 그 안테나 코일의 하면에 형성한 자심부재에 자속을 통과시킴으로써, 평면상으로 형성한 안테나 코일 내에 자속을 통과시켜서 안테나 코일에 유도 기전력을 발생시킴과 함께, 자심부재의 하면에 도전부재를 형성하여, 탑재하는 물품으로부터 IC 라벨에 대한 영향을 방지하고자 하는 제안이 있다 (예를 들어, 특허 문헌 2 참조).
도 6 은 특허 문헌 2 에 개시된 발명의 실시형태를 나타내는 단면도이다. IC 라벨용 안테나 코일 (161) 은, 평면 내에서 소용돌이형상으로 감겨진 도체 (161a) 로 이루어지고, 안테나 코일 (161) 의 일면에 접착된 판형상 또는 시트형상 의 자심부재 (163) 와, 이 자심부재 (163) 의 하면에 도전부재 (164) 를 구비하고 있다. 자심부재 (163) 는 안테나 코일 (161) 이 형성된 기판의 타방의 면에, 안테나 코일 (161) 의 일부를 횡단하여, 일방의 단부가 안테나 코일 (161) 의 외측으로 나오고, 타방의 단부가 안테나 코일 (161) 의 중심부 (내부: 162) 에 오도록 적층된다.
이와 같이 자심부재 (163) 를 적층하면, 자속은, 자심부재 (163) 의 일방의 단부로부터 들어가, 타방의 단부로부터 빠져 나가기 때문에, 타방의 단부로부터 나온 자속이 안테나 코일 (161) 의 내부를 통과하게 되어, 도체 (161a) 에 의해 형성된 안테나 코일 (161) 에 유도 기전력이 발생한다. 이 때문에, 이 IC 라벨을 물품 (165) 의 표면에 장착하여, IC 라벨 주위의 자속방향이 IC 라벨의 안테나 코일 (161) 면과 평행하게 되어도, 자속은 안테나 코일 (161) 내를 통과하게 된다. 이것에 의해, IC 칩을 작동시키는 데에 충분한 전압이 유도되기 때문에, IC 칩이 확실하게 작동한다.
또, 이 실시형태에서는, 안테나 코일 (161) 이 형성된 기판의 타방의 면에 자심부재 (163) 를 덮도록 도전부재 (164) 가 적층 접착되어 있기 때문에, 도전부재 (164) 가 물품에 대한 전파의 통과를 차폐하게 된다. 따라서, 안테나 코일 (161) 은 물품 (165) 이 금속인지 여부에 상관없이 그 영향을 받는 일이 적어져, 물품 (165) 의 표면이 금속에 의해 형성되어 있더라도 그 금속면에 생기는 소용돌이 전류 등에 의한 손실이 발생하지 않아, RFID 용 태그는 금속제 물품 (165) 에 장착해도 확실히 동작하게 된다.
그러나, 특허 문헌 1 에 개시된 방법에서는, 유도 기전력을 증대시키기 위해서, 안테나 코일 (152) 을 통과하는 자속을 증대시키고자 하여 안테나 코일 (152) 의 직경을 크게 하면, IC 라벨의 두께가 증대된다는 문제가 있다.
한편, 특허 문헌 2 에 개시된 방법에서도, 기판의 일방의 면에 자심부재와 도전부재를 형성하기 위해서, IC 라벨의 두께가 증대된다는 문제가 있다.
최근, 정보 관리나 결제, 또는 상품 등의 관리, 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어가 이용되고 있다. 이러한 RFID 미디어는, 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능함과 함께, 사양에 따라서는 복수의 RFID 미디어에 대하여 정보의 기록 및 판독을 동시에 실시할 수 있기 때문에, 급속하게 보급되고 있다.
도 17A 및 도 17B 는, 종래의 비접촉형 IC 태그의 일례를 나타내는 개략도로, 도 17A 는 내부 구조를 나타내는 평면도, 도 17B 는 도 17A 의 C-C 선에 따른 단면도이다.
이 예의 비접촉형 IC 태그 (2100) 는, 수지 시트 (2101) 상에 안테나 (2102) 가 형성됨과 함께 IC 칩 (2103) 이 탑재되어 이루어지는 인렛 (2110) 과, 이 인렛 (2110) 상에 점착제 (粘着劑; 2111) 를 통해서 접착되어 있는 표면 시트 (2112) 로 구성되어 있다.
안테나 (2102) 는, 수지 시트 (2101) 상에 코일형상으로 형성되고, 그 양단이 접점 (2104) 에 의해서 IC 칩 (2103) 에 접속되어 있다. 또한, IC 칩 (2103) 은, 안테나 (2102) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이다. 또한, 표면 시트 (2112) 는 수지 필름 등으로 이루어지며, 인렛 (2110) 의 IC 칩 (2103) 이 탑재된 면측에 접착됨으로써, IC 칩 (2103) 을 보호하고 있다.
비접촉형 IC 태그 (2100) 에 있어서, 외부에 형성된 정보 기록/판독 장치 (도시 생략) 에 근접시키면, 정보 기록/판독 장치로부터의 전자 유도에 의해 안테나 (2102) 에 전류가 흐르고, 이 전류가 안테나 (2102) 로부터 접점 (2104) 을 통해서 IC 칩 (2103) 에 공급되어, 그것에 의해, 비접촉 상태에 있어서 정보 기록/판독 장치로부터 IC 칩 (2103) 에 정보가 기록되거나, IC 칩 (2103) 에 기록된 정보가 정보 기록/판독 장치에서 판독된다.
여기서, 비접촉형 IC 태그 (2100) 와 같이, 베이스 기재 상에 IC 칩이 탑재되어 이루어지는 반도체 기판에 있어서는, IC 칩이 탑재된 면에 표면 시트 등의 보호부재를 접착해 둠으로써, IC 칩이 보호되어 있다.
또한, IC 칩이 탑재된 반도체 기판의 IC 칩이 탑재되어 있지 않은 면을 수지로 피복해 두고, 그 후, 반도체 기판의 IC 칩이 탑재된 면을 수지로 피복하여, 그것에 의해서 IC 칩을 보호하는 기술이 고안되어 있다 (예를 들어, 특허 문헌 3 참조). 이 기술에 있어서는, 먼저 IC 칩이 탑재된 반도체 기판의 IC 칩이 탑재되어 있지 않은 면을 수지로 피복하고, 그 후, 이 반도체 기판 상에 금형을 설치하고, 이 금형 내에 수지를 주입하여 반도체 기판의 IC 칩이 탑재된 면을 수지에 의해 피복한다. 이것에 의해, IC 칩이 탑재된 반도체 기판이 수지에 의해 봉지 (封止)되게 되어, 반도체 기판 상에 표면 시트 등의 보호부재가 접착된 것과 비교하여 IC 칩에 대한 보호 강화를 꾀할 수 있다.
또한, 베이스 기재에 안테나가 감김과 함께 IC 칩이 탑재된 기판을 금형 내에 고정시키고, 이 금형 내에 수지를 주입함으로써, 베이스 기재에 안테나가 감김과 함께 IC 칩이 탑재된 기판이 수지에 의해 봉지된 RFID 용 태그를 제조하는 기술이 고안되어 있다 (예를 들어, 특허 문헌 4 참조). 이 기술에 있어서도, 반도체 기판 상에 표면 시트 등의 보호부재가 접착된 것과 비교하여, IC 칩에 대한 보호 강화를 꾀할 수 있다.
그러나, 전술한 바와 같이, 베이스 기재에 IC 칩이 탑재된 반도체 기판 상에 수지를 공급하고, 그 수지에 의해서 반도체 기판을 봉지함으로써 IC 칩을 보호하는 것에 있어서는, 반도체 기판 상에 수지가 공급되었을 때에, 수지의 공급에 의한 압력이나 열에 의해서 IC 칩이 파손되거나, 베이스 기재 상에 형성된 배선과 IC 칩의 접속이 단선되거나 할 우려가 있다.
또한, 베이스 기재 상에 IC 칩이 탑재되어 있는 반도체 기판이 수지에 의해 봉지된 반도체 장치에 있어서는, 제조 후, 주위 환경의 변화, 특히, 주위 온도의 상승에 의해서 수지가 팽창되고, 팽창된 수지에 의해서 IC 칩에 압력이 가해져, IC 칩이 파손되거나, 베이스 기재 상에 형성된 배선과 IC 칩의 접속이 단선되거나 할 우려가 있다.
또한, IC 라벨을 금속제의 컨테이너 등에 부착시키는 경우, 몇 번이고 반복해서 다시 부착하는 것이 가능하다는 점에서, 점착제 대신에 자발 자화 특성을 구 비한 강자성체 (자석 등) 를 사용하는 방법이 고안되어 있다.
그러나, 자발 자화 특성을 구비한 강자성체의 자기 모멘트는 강하기 때문에, 이 강자성체에는 강한 자기 등방성이 있다. 따라서, 강자성체로 이루어지는 자성체층이 안테나에 접하도록 형성되어 이루어지는 IC 라벨에서는, 정보 판독/기록 장치로부터 나온 자속을 포착할 때, 자속의 포착 정도에 편차가 생겨, 판독률이나 판독 거리가 저하된다는 문제가 있다.
또한, IC 라벨의 두께가 증대되면, IC 라벨의 가요성이 손상된다는 문제가 있다. IC 라벨의 가요성이 손상되면, 물품의 곡면에 IC 라벨을 붙이기 어려워진다. 추가하여, IC 라벨을 물품에 붙이거나, 물품으로부터 박리할 때에, IC 라벨에 무리한 힘이 가해져, 안테나나 IC 칩이 파손될 우려가 있다.
이러한 IC 라벨 등의 비접촉형 데이터 수송신체는, 예를 들어, 물품 관리의 용도 등에 사용된다. 특히, 비접촉형 데이터 수송신체를, 종류가 많은 물품이나, 부품점수가 많은 기계부품 등의 관리에 적용하면, 물품 자체를 육안으로 보지 않고 식별할 수 있기 때문에, 물품의 선정 작업이나 재고 관리 등의 효율을 올릴 수 있기 때문에, 매우 유효하다.
비접촉형 데이터 수송신체를 물품의 관리에 사용하는 경우에는, 이것을 대상이 되는 물품에 직접 부착한다. 그 때문에, 물품의 용도에 따라서는, 비접촉형 데이터 수송신체가 외부로부터의 충격에 의해 손상되어, 그 통신 기능이 손상되는 경우가 있다. 그래서, 인렛을 케이스에 수장(收藏)하거나, 수지로 피복하거나 하여 보호 구조를 형성해서, 외부로부터의 충격에 견딜 수 있는 구조의 비접촉형 데이터 수송신체가 제안되어 있다.
이러한 구조의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법으로는, 이하와 같은 것을 들 수 있다 (예를 들어, 특허 문헌 5 참조).
예를 들어, 원반 (原反) 시트 상에 인렛을 형성하고, 이 원반 시트에 인렛을 덮도록, 열 압착이나 수지 접착제 등에 의해 원반 시트와 동질의 커버 시트를 부착한 후, 원반 시트, 인렛 및 커버 시트로 이루어지는 적층체를, 그 적층방향으로 원형으로 찍어내어, 인렛이 수지에 매립된 원반형의 비접촉형 데이터 수송신체를 얻는 방법 (이하, 설명을 간략하게 하기 위해서 「제 1 의 방법」이라고 한다) 를 들 수 있다.
또한, 사출 성형용의 금형 내에 인렛을 삽입한 후, 금형 내에 용융한 열가소 수지를 유입시키거나, 또는 열경화성 수지를 유입시켜 가열함으로써, 인렛이 수지에 매립되고, 금형에 의해서 소정 형상으로 형성된 비접촉형 데이터 수송신체를 얻는 방법 (이하, 설명을 간략하게 하기 위해서 「제 2 의 방법」이라고 한다) 을 들 수 있다.
그런데, 제 1 의 방법에서는, 원반 시트가, 원형으로 찍어낼 때의 장력이나 압력에 견딜 수 있을 정도의 최저한의 두께가 필요하기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체를 박형화하기가 어렵다는 문제가 있었다. 또한, 원반 시트 및 커버 시트에는, IC 칩의 두께를 흡수하는 부분이 없기 때문에, IC 칩의 압력 부하가 증대된다는 문제가 있었다. 또한, 원반 시트와 커버 시트의 밀착성이 나쁠 뿐 아니라, 펀칭에 의해 성형한 결과, 양자의 접합단면이 노출되기 때문에, 외력이 가해 지면, 원반 시트와 커버 시트의 접합면에서 양자가 박리되어, 인렛이 노출될 우려가 있었다. 그리고, 원반 시트와 커버 시트의 접합면으로부터 내부에 수분이나 약품이 침투하기 쉽기 때문에, 이 방법에 의해 제조된 비접촉형 데이터 수송신체는, 내수성이나 내약품성이 떨어졌다.
또한, 제 2 의 방법에서는, 사출 성형시에 필요 이상으로 인렛에 압력이 가해져, IC 칩 또는 안테나가 손상될 우려가 있었다. 또한, 이 방법에서 비접촉형 데이터 수송신체의 박형화를 꾀하기 위해, 베이스 기재의 두께를 얇게 하면, 금형 내에 수지를 유입시켰을 때에, 수지의 압력에 의해 베이스 기재에 균열이 생기기 때문에, 박형화가 어렵다는 문제가 있었다.
특허 문헌 1: 일본 공개특허공보 제2003-317052호
특허 문헌 2: 일본 공개특허공보 제2003-108966호
특허 문헌 3: 일본 공개특허공보 제2003-68775호
특허 문헌 4: 일본 공개특허공보 제2002-298116호
특허 문헌 5: 일본 공개특허공보 제2003-331243호
비특허 문헌 1: 테라우라 노부유키 감수, 「RF 태그의 개발과 응용 - 무선 IC 칩의 미래-」, 초판, CMC 출판, 2003년 2월 28일, p121, 도 2
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, IC 라벨의 두께의 증대를 억제함과 함께, 금속 등의 물품 위에 탑재하더라도, IC 칩의 작동 기전력을 충분히 상회하는 발전력이 유기되어 사용할 수 있는 비접촉 IC 라벨을 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 전기 절연성의 제 1 기판과, 상기 제 1 기판의 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 코일 및 IC 칩과, 상기 제 1 기판의 일방의 면에 있어서, 상기 안테나 코일 및 IC 칩을 덮도록 형성된 자성체층, 상기 자성체층을 통해서 형성된 제 1 접착제층과, 상기 제 1 접착제층을 통해서 형성된 전기 절연성의 제 2 기판과, 상기 제 2 기판을 통해서 형성된 제 2 접착제층과, 상기 제 2 접착제층을 통해서 형성된 박리지 (剝離紙) 와, 상기 제 1 기판의 타방의 면에 제 3 접착제층을 통해서 형성된 상부재로 이루어지는 비접촉 IC 라벨을 제공한다.
상기 구성에 의하면, 제 1 기판의 일방의 면에 있어서, 동 기판에 형성된 안테나 코일과 IC 칩을 덮도록 자성체층이 형성됨으로써, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나 코일에 포착되기 때문에, 안테나 코일에 IC 칩을 작동시키는 데에 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층은, 안테나 코일 또는 IC 칩의 두께를 간신히 상회하는 정도로 형성하면 되어, 자성체층과 안테나 코일 및 IC 칩을 합한 두께는, 종래의 비접촉 IC 라벨보다 얇게 할 수 있다.
상기 자성체층은, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 분산된 유기물체로 이루어지는 것이어도 된다. 또한 상기 자성체층은, 도포법 또는 인쇄법에 의해 형성되어도 된다.
이것에 의해, 안테나 코일이나 IC 칩에 손상을 주지 않고, 또한, 안테나 코일이나 IC 칩에 의해 형성되는 간극을 효율적으로, 용이하게 메울 수 있다.
또한 본 발명은, 장척상(長尺狀) 박리지의 일방의 면에 제 2 접착제층, 제 2 기판, 제 1 접착제층, 사지 (捨紙; backing paper) 의 순으로 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 1 연속 용지를 그 길이방향으로 공급하는 제 1 공급 공정과, 상기 제 1 공급 공정에 의해 준비된 상기 제 1 연속 용지로부터 상기 사지를 제거하여 상기 제 1 접착제층을 노출시키는 접착제층 노출 공정과, 전기 절연성의 제 1 기판의 일방의 면에 있어서, 서로 전기적으로 접속된 안테나 코일과 IC 칩이 형성되고, 상기 안테나 코일과 IC 칩을 덮도록 자성체층이 형성되어 이루어지는 인렛을, 상기 자성체층을 통해서 상기 접착제층 노출 공정에 의해 준비된 상기 제 1 접착제층의 노출면에 순차적으로 부착하는 인렛 부착 공정과, 장척상 상부재의 일방의 면에 제 3 접착제층을 통해서 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 2 연속 용지를 그 길이방향으로 공급하는 제 2 공급 공정과, 상기 제 2 공급 공정에 의해 풀려진 상기 제 2 연속 용지로부터 사지가 제거되어 노출된 제 3 접착제층과 상기 제 1 기판의 타방의 면을 부착하는 본딩 공정과, 상기 본딩 공정에 의해 형성된 적층체로부터 IC 라벨이 되는 부위를 펀칭하는 다이컷 공정 (die-cut step) 을 적어도 구비하고 있는 비접촉 IC 라벨의 제조 방법을 제공한다.
상기 구성에 의하면, 사지를 제거하면서 박리지가 부착되어 있는 제 2 기판을 공급함과 함께 IC 인렛을 1 장씩 순차 공급하여, IC 인렛을 제 2 기판의 소정의 위치에 끼워 넣는 작업을 수작업에 의지하지 않고 자동적으로 높은 정밀도로 실시할 수 있으며, 또한, 사지를 제거하면서 상부재를 공급하여, 상부재를 상기 제 1 기판의 타방의 면에 붙인 후, 인라인으로 IC 라벨을 펀칭하기 때문에, 대량의 IC 라벨을 효율적으로 또한 고품질로 제조할 수 있다.
그리고 본 발명은, 장척상 박리지의 일방의 면에 제 2 접착제층, 제 2 기판, 제 1 접착제층, 사지의 순으로 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 1 연속 용지를 길이방향으로 공급하는 제 1 공급 수단과, 상기 사지를 제거하여 상기 제 1 접착제층을 노출시키는 접착제층 노출 수단과, 전기 절연성의 제 1 기판의 일방의 면에 있어서, 서로 전기적으로 접속된 안테나 코일과 IC 칩이 형성되고, 상기 안테나 코일과 IC 칩을 덮도록 자성체층이 형성되어 이루어지는 인렛을, 상기 자성체층을 통해서 상기 제 1 접착제층의 노출면에 순차적으로 부착하는 인렛 부착 수단과, 장척상 상부재의 일방의 면에 제 3 접착제층을 통해서 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 2 연속 용지를 길이방향으로 공급하는 제 2 공급 수단과, 상기 제 2 연속 용지의 사지가 제거되어 노출된 제 3 접착제층과 상기 제 1 기판의 타방의 면을 부착하는 본딩 수단과, 상기 본딩 수단에 의해 형성된 적층체로부터 IC 라벨이 되는 부위를 펀칭하는 다이컷 수단을 적어도 구비하고 있는 비접촉 IC 라벨의 제조 장치를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 사지를 제거하면서 박리지가 붙이 있는 제 2 기판을 공급함과 함께 IC 인렛을 1 장씩 순차 공급하여, 제 2 기판의 소정 위치로 IC 인렛을 부착하고, 또한, 제 2 기판의 타방의 면에 사지를 제거한 상부재를 붙인 후, 인라인으로 IC 라벨을 펀칭하는 기능이 컴팩트하게 정돈되어 있기 때문에, 비교적 저렴한 장치가 얻어진다.
본 발명은, 베이스 기재와, 그 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 배치되는 자성체층과, 상기 자성체층을 배치한 인렛을 감싸도록 형성된 수지로 이루어지는 케이스를 구비한 반도체 장치를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 외부로부터의 충격을 자성체층에 의해 흡수할 수 있을 뿐 아니라, 외부로부터의 충격에 의해 인렛을 구성하는 안테나나 IC 칩이 진동하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 안테나 및 IC 칩이 파괴되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 자성체층을 배치한 인렛을 감싸도록 수지로 이루어지는 케이스가 형성되고, 베이스 기재의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면을 덮도록 자성체층이 형성되어 있기 때문에, 본 발명의 반도체 장치를 구부린 경우에는 자성체층을 배치한 인렛 전체에 균일하게 힘이 가해지므로, 본 발명의 반도체 장치는 가요성(可撓性)을 갖게 된다. 그리고, 안테나 및 IC 칩을 덮도록 형성된 자성체층이 자성체로서 기능하므로, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 정보 기록/판독 장치로부터의 전자 유도에 의해, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 수지의 공급에 의해서 IC 칩에 직접 가해지는 압력을 자성체층에서 흡수할 수 있기 때문에, IC 칩이 파손되거나, 베이스 기재 상에 형성된 안테나와 IC 칩이 접점에서 단선되거나 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재와, 그 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 인렛을 구성하는 베이스 기재의 타방의 면을 덮도록 배치되는 자성체층과, 상기 자성체층을 배치한 인렛을 감싸도록 형성된 수지로 이루어지는 케이스를 구비한 반도체 장치를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 외부로부터의 충격을 자성체층에 의해 흡수할 수 있을 뿐 아니라, 외부로부터의 충격에 의해 인렛을 구성하는 안테나나 IC 칩이 진동하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 안테나 및 IC 칩이 파괴되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 자성체층을 배치한 인렛을 감싸도록 수지로 이루어지는 케이스가 형성되고, 베이스 기재의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면과는 반대측 면을 덮도록 자성체층이 형성되고, 안테나 또는 IC 칩으로 형성되는 간극이 제 2 수지부재로 메워져 있기 때문에, 본 발명의 반도체 장치를 구부린 경우에는, 자성체층을 배치한 인렛 전체에 균일하게 힘이 가해지므로, 본 발명의 반도체 장치는 가요성을 갖게 된다. 그리고, 베이스 기재의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면과는 반대측 면을 덮도록 형성된 자성체층이 자성체로서 기능하기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되므로, 정보 기록/판독 장치로부터의 전자 유도에 의해, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
상기 자성체층은, 결합제와, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크로 이루어지는 복합체여도 된다.
상기 구성에 의하면, 자성체층를 형성하는 복합체에 의해서, 안테나나 IC 칩을 손상시키지 않고, 또한, 안테나나 IC 칩에 의해 형성되는 간극을 효율적으로, 용이하게 메울 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재의 일방의 면에 서로 전기적으로 접속된 안테나 및 IC 칩을 형성하여 인렛을 형성하는 공정과, 상기 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 자성체층을 배치하는 공정과, 상기 자성체층을 배치한 인렛의 적어도 일부를 끼워 넣는 오목부를 구비하고, 상기 자성체층을 배치한 인렛 중, 적어도 자성체층의 일부를 덮기 위한 제 1 수지부재를 성형하는 공정과, 상기 자성체층을 배치한 인렛 중, 적어도 자성체층의 일부를 상기 오목부에 끼워 넣는 공정과, 상기 제 1 수지부재에 끼워진 상기 자성체층을 배치한 인렛 상에 수지를 공급하고, 상기 수지에 의해 제 2 수지부재를 성형하여, 상기 제 2 수지부재에 의해서 상기 자성체층을 배치한 인렛 중 상기 제 1 수지부재로 덮여 있지 않은 부분을 덮고, 제 1 수지부재 및 제 2 수지부재로 이루어지는 케이스를 형성하여, 상기 케이스에 의해서 상기 자성체층이 배치된 인렛을 감싸는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 구성에 의하면, 제 1 수지부재에 형성된 오목부에, 자성체층의 적어도 일부를 수용하도록, 자성체층이 배치된 인렛을 수용한 후, 제 1 수지부재로 덮여 있지 않은 부분을 덮도록, 인렛 중 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있지 않은 면측에서부터 수지를 공급하는 점에서, 수지의 공급에 의해 IC 칩에 직접 가해지는 압력이 저감되기 때문에, IC 칩이 파손되거나, 베이스 기재 상에 형성된 안테나와 IC 칩이 접점에서 단선되거나 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 수지의 공급에 의해서 IC 칩에 직접 가해지는 압력을 자성체층에서 흡수할 수 있기 때문에, IC 칩이 파손되거나, 베이스 기재 상에 형성된 안테나와 IC 칩이 접점에서 단선되거나 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재의 일방의 면에 서로 전기적으로 접속된 안테나 및 IC 칩을 형성하여 인렛을 형성하는 공정과, 상기 인렛을 구성하는 베이스 기재의 타방의 면을 덮도록 자성체층을 배치하는 공정과, 상기 인렛의 타방의 면에 배치된 자성체층의 적어도 일부를 끼워 넣는 오목부를 구비하고, 상기 자성체층을 배치한 인렛 중, 적어도 자성체층의 일부를 덮기 위한 제 1 수지부재를 성형하는 공정과, 상기 자성체층을 배치한 인렛 중, 적어도 자성체층의 일부를 상기 오목부에 끼워 넣는 공정과, 상기 제 1 수지부재에 끼워진 상기 자성체층을 배치한 인렛 상에 수지를 공급하고, 상기 수지에 의해 제 2 수지부재를 성형하여, 상기 제 2 수지부재에 의해서 상기 자성체층을 배치한 인렛 중 상기 제 1 수지부재로 덮여 있지 않은 부분을 덮고, 제 1 수지부재 및 제 2 수지부재로 이루어지는 케이스를 형성하여, 상기 케이스에 의해 상기 자성체층을 배치한 인렛을 감싸는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 구성에 의하면, 제 1 수지부재에 형성된 오목부에, 자성체층의 적어도 일부를 수용하도록, 자성체층이 배치된 인렛을 수용한 후, 제 1 수지부재로 덮여 있지 않은 부분을 덮도록, 인렛 중 안테나 및 IC 칩이 탑재되어 있는 면측에서부터 수지를 공급하고, 자성체층이 충격 흡수재로서 기능하여, 수지의 공급에 의해서 IC 칩에 직접 가해지는 압력을 자성체층으로 분산시킬 수 있기 때문에, IC 칩이 파손되거나, 베이스 기재 상에 형성된 안테나와 IC 칩이 접점에서 단선되거나 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 배치되는 자성체층을 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 비접촉형 데이터 수송신체는, 인렛을 구성하는 안테나와 IC 칩을 덮도록 자성체층이 형성됨으로써, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층은, 안테나 및 IC 칩을 덮도록 형성함으로써, 안테나 및 IC 칩의 보호층으로서의 기능도 발휘한다.
상기 비접촉형 데이터 수송신체는, 상기 인렛에 상기 자성체층을 통해서 형성된 박리지와, 상기 인렛을 구성하는 베이스 기재의 타방의 면에 접착제층을 통해서 형성된 상부재를 추가로 구비하는 것이어도 된다.
상기 구성에 의하면, 자성체층 부설 인렛이 박리지와 접착제층으로 둘러싸여 있기 때문에, 자성체층에 대한 먼지나 티끌 등의 부착이 방지된다. 그리고, 박리지를 제거하여 새롭게 노출된 접착제층에 의해, 금속을 적어도 포함하는 물품에 자성체층이 접하도록 해서, 비접촉형 데이터 수송신체를 물품에 부착할 수 있다. 한편, 인렛을 구성하는 베이스 기재의 타방의 면에 접착제층을 통해서 상부재가 형성되어 있기 때문에, 상부재에는 모양을 형성하거나, 각종 정보를 인쇄할 수 있다.
상기 자성체층은, 결합제와 자성체 분말 또는 자성체 플레이크로 이루어지는 것이어도 된다. 이 경우, 자성체층을 구성하는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크는, 그 자체가 이산(離散)되지 않고 성형할 수 있다. 또한, 안테나나 IC 칩을 손상시키지 않고, 안테나 사이나 안테나와 IC 칩 사이를 형성하는 개개의 간극을 효율적으로, 용이하게 메울 수 있다.
상기 자성체층은, 추가로 접착제를 함유하는 것이어도 된다. 이 경우, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크 사이의 결착성을 개선시킬 수 있음과 함께, 물품에 부착하는 것이 가능해진다. 그리고, 베이스 기재와 자성체층의 재질에, 가요성을 갖는 재료를 선택하면, 곡면 상의 물품에 부착하는 형태도 가능해진다. 또, 점착 기능이 요구되는 경우에는, 새롭게 접착제층을 형성해도 상관없다.
특히, 상기 비접촉형 데이터 수송신체는, 자성체층 부설 인렛을 둘러싸는 접착제층의 점착 기능이 중복되어, 물품에 강고하게 붙일 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 자성체층은, 도포법 또는 인쇄법에 의해 형성되어도 된다. 이 경우, 안테나나 IC 칩에 손상을 주지 않고서, 또한, 안테나나 IC 칩에 의해 형성되는 간극을 효율적으로 용이하게 메울 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재의 일방의 면에 있어서, 서로 접속하도록 안테나와 IC 칩을 형성하는 공정 A1 과, 상기 안테나와 상기 IC 칩을 덮도록 자성체층을 형성하는 공정 A2 와, 상기 자성체층을 건조 고화(乾燥固化)시키는 공정 A3 을 적어도 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 제공한다.
공정 A1 에서는, 베이스 기재의 어느 한 쪽의 면에 안테나와 IC 칩을 형성하기 때문에 자성체층은 베이스 기재의 한 쪽의 면만 덮으면 되고, 공정 A2 에서는, 안테나와 IC 칩의 어느 높은 쪽이 간신히 가려질 정도로 덮으면 되기 때문에 자성체층을 필요 이상으로 두껍게 형성할 필요가 없고, 공정 A3 에서는, 자성체층을 건조 고화시킴으로써 자성체층이 강고해지기 때문에, 자성체층의 필요량이 최소한으로 억제됨과 함께, 안테나와 IC 칩은 베이스 기재에 단단하게 고착된다.
본 발명은, 장척상 박리지의 일방의 면에 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 1 연속 용지를 그 길이방향으로 공급하는 공정 B1 과, 상기 공정 B1 에서 준비된 상기 제 1 연속 용지로부터 상기 사지를 제거하여 상기 박리지를 노출시키는 공정 B2 와, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛에, 상기 안테나와 상기 IC 칩을 덮도록 자성체층을 형성하여 이루어지는 자성체층 부설 인렛을 사용하여, 상기 공정 B2 에 의해 준비된 상기 박리지의 노출면에 상기 자성체층이 순차적으로 접하도록 부착하는 공정 B3 과, 장척상 상부재의 일방의 면에 접착제층을 통해서 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 2 연속 용지를 그 길이방향으로 공급하는 공정 B4 와, 상기 공정 B4 에 의해 풀려진 상기 제 2 연속 용지로부터 사지가 제거되어 노출된 접착제층과 상기 베이스 기재의 타방의 면을 부착하는 공정 B5 와, 상기 공정 B5 에 의해 형성된 적층체로부터 비접촉형 데이터 수송신체가 되는 부위를 펀칭하는 공정 B6 을 적어도 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 제공한다.
상기 구성에 의하면, 사지를 제거하면서 박리지를 공급함과 함께 자성체층 부설 인렛을 1장씩 순차 공급하여, 자성체층 부설 인렛을 박리지의 소정의 위치에 끼워 넣는 작업을 수작업에 의지하지 않고 자동적으로 높은 양산성에 의해 실시할 수 있으며, 또한, 사지를 제거하면서 상부재를 공급하여, 상부재를 상기 제 1 기판의 타방의 면에 붙인 후, 인라인으로 IC 라벨을 펀칭하기 때문에, 대량의 비접촉형 데이터 수송신체를 효율적 및 안정적으로, 저비용으로 제조할 수 있다.
본 발명은, 장척상 박리지의 일방의 면에 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 1 연속 용지를 길이방향으로 공급하는 제 1 수단과, 상기 사지를 제거하여 상기 박리지를 노출시키는 제 2 수단과, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛에, 상기 안테나와 상기 IC 칩을 덮도록 자성체층을 형성하여 이루어지는 자성체층 부설 인렛을 사용하여, 상기 제 2 수단에 의해 준비된 상기 박리지의 노출면에 상기 자성체층이 순차적으로 접하도록 부착하는 제 3 수단과, 장척상 상부재의 일방의 면에 접착제층을 통해서 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 2 연속 용지를 길이방향으로 공급하는 제 4 수단과, 상기 제 2 연속 용지의 사지가 제거되어 노출된 접착제층과 상기 베이스 기재의 타방의 면을 부착하는 제 5 수단과, 상기 제 5 수단에 의해 형성된 적층체로부터 비접촉형 데이터 수송신체가 되는 부위를 펀칭하는 제 6 수단을 적어도 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 사지를 제거하면서 박리지를 공급함과 함께 자성체층 부설 인렛을 1장씩 순차 공급하여, 박리지의 소정 위치에 자성체층 부설 인렛을 부착하고, 또한, 상기 베이스 기재의 타방의 면에 사지를 제거한 상부재를 붙인 후, 인라인으로 비접촉형 데이터 수송신체를 펀칭하는 기능을 구비하고 있기 때문에, 자동화와 대량 생산성이 우수한 장치가 얻어진다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 배치된 자성체층을 구비하여 이루어지는 비접촉형 데이터 수송신체로서, 상기 자성체층은, 그 막두께에 있어서, 통신 거리가 그 두께에 의존하지 않는 영역 α 및 영역 β 와, 통신 거리가 그 두께에 의존하는 영역 γ 를 구비하고, 상기 영역 γ 는, 상기 영역 α 와 상기 영역 β 사이에 위치하는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 비접촉형 데이터 수송신체는, 인렛을 구성하는 안테나 또는 IC 칩의 어느 일방, 또는, 이들의 양방을 덮도록 자성체층이 배치됨으로써, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층은 안테나 또는 IC 칩의 어느 일방, 또는, 이들의 양방을 덮도록 형성함으로써, 이들의 보호층으로서의 기능도 발휘한다.
상기 영역 γ 는, 안테나를 구성하는 코일부의 두께를 하한으로 하고, IC 칩의 두께를 상한으로 하는 범위여도 된다.
이 경우, 영역 γ 에서는 자성체층의 막두께를 증감시킴으로써, 비접촉형 데이터 수송신체의 통신 거리를 원하는 범위로 설정할 수 있다.
또한, 상기 영역 γ 에 있어서의 통신 거리는, 상기 자성체층의 막두께에 대하여 단조 증가하는 것이어도 된다.
이 경우, 영역 γ 에서는 자성체층의 막두께를 증감시킴으로써, 비접촉형 데이터 수송신체의 통신 거리를 원하는 범위로 설정할 수 있다.
상기 자성체층은, 적어도 센더스트(sendust)의 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지로 구성되어 있는 것이어도 된다.
상기 구성에 의하면, 다른 자성 미립자를 사용한 경우보다, 자성체층을 자속이 지나기 쉬워져, 자속이 안테나에 포착되기 쉬워진다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 베이스 기재의 타방의 면에 배치된 자성체층과, 상기 자성체층의 상기 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층을 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 점착제를 사용하지 않고, 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 인렛을 구성하는 안테나 및/또는 IC 칩을 덮도록 배치된 자성체층과, 상기 자성체층의 상기 안테나 및/또는 IC 칩과 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층을 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 점착제를 사용하지 않고, 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 베이스 기재의 타방의 면에 배치된 자성체층과, 상기 자성체층의 상기 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자화되지 않는 상자성체층과, 상기 상자성체층의 상기 자성체층과 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층을 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 점착제를 사용하지 않고, 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층과 강자성체층 사이에 상자성체층이 배치되어 있기 때문에, 시간의 경과에 동반하여, 강자성체층에 의해 자성체층이 자발 자화 특성을 갖추는 현상이 생기는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 인렛을 구성하는 안테나 및/또는 IC 칩을 덮도록 배치된 자성체층과, 상기 자성체층의 상기 안테나 및/또는 IC 칩과 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자화되지 않는 상자성체층과, 상기 상자성체층의 상기 자성체층과 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층을 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 점착제를 사용하지 않고, 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층과 강자성체층 사이에 상자성체층이 배치되어 있기 때문에, 시간의 경과에 동반하여, 강자성체층에 의해 자성체층이 자발 자화 특성을 갖추는 현상이 생기는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛을 구비하여 이루어지는 비접촉형 데이터 수송신체로서, 상기 안테나는 상기 IC 칩을 통하여 코일형상을 이루고 있고, 그 양단부 및 그 근방 영역을 제외하고, 상기 안테나 및 상기 IC 칩을 덮도록 상기 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 안테나의 양단부 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 및 IC 칩을 덮도록 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있음으로써, 비접촉형 데이터 수송신체를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층은, 안테나 및 IC 칩을 덮도록 형성함으로써, 이들의 보호층으로서의 기능도 발휘한다. 그리고, 안테나의 양단부를 연결하는 도전부의 일부를, 자성체층의 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면 위에 형성할 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛을 구비하여 이루어지는 비접촉형 데이터 수송신체로서, 상기 안테나는 상기 IC 칩을 통해서 코일형상을 이루고 있고, 그 양단부 및 그 근방 영역, 및, 상기 IC 칩 및 그 근방 영역을 제외하고, 상기 안테나를 덮도록 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 안테나의 양단부 및 그 근방 영역, 및, IC 칩 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나를 덮도록 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있음으로써, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층이 편평형상의 자성 미립자를 수지에 함침(含浸)시킨 것으로, 자성 미립자와 수지의 혼합 비율을 조절함으로써 자성체층의 투자율을 높이고 또한 절연성을 유지할 수 있기 때문에, 자성체층은, 안테나를 덮도록 형성함으로써, 이들의 보호층으로서의 기능도 발휘한다. 또, 안테나의 양단부를 연결하는 도전부의 일부를, 자성체층 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면 위에 형성할 수 있다. 그리고, 자성체층 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면, 또는, 베이스 기재의 자성체층과 접하는 면과는 반대측 면 중 어느 쪽을 물품에 부착하는 면으로 하여도, 비접촉형 데이터 수송신체를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, IC 칩의 측면과 자성체층의 측면이 접촉하기 어려워지므로 양자의 접촉에 의해 IC 칩이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
상기 안테나의 양단부를 연결하는 도전부의 일부는, 상기 자성체층의 상기 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면 상에 형성되어 있어도 된다.
이 경우, 자성체층이 편평형상의 자성 미립자를 수지에 함침시킨 것으로, 자성 미립자와 수지의 혼합 비율을 조절함으로써, 자성체층의 투자율을 높이고, 또한 절연성을 유지할 수 있기 때문에, 자성체층이 절연막의 요소도 겸하고, 도전부가 안테나의 양단부를 연결하기 위해서, 안테나의 코일부 상에 절연막을 통해서 도전부를 형성할 필요가 없어지므로, 비접촉형 데이터 수송신체를 구성하는 요소 (층, 막 등) 가 적어지기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, 각 요소가 형상의 변화에 추종하기 쉬워지고, 결과적으로, 각 요소 사이에서의 박리 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조에 있어서, 안테나의 양단부를 연결하기 위해서, 안테나의 코일부 상에 절연막을 통해서 도전부를 형성할 필요가 없어지므로, 제조 공정을 생략할 수 있기 때문에 제조 비용을 삭감할 수 있다.
상기 도전부의 일부는 상기 자성체층의 내부에 형성되어 있어도 된다.
이 경우, 안테나의 양단부를 연결하기 위한 도전부가 모두 자성체층에 덮이기 때문에, 도전부의 파손에 의한 안테나의 단선을 방지할 수 있다.
상기 도전부는 가요성 부여제를 포함하는 폴리머형 잉크로 이루어지는 것이어도 된다.
이 경우, 도전부의 내절곡성이 향상되기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우라도, 도전부가 파손되어, 비접촉형 데이터 수송신체의 통신 기능이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은, 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛을 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체로서, 상기 IC 칩 및 그 근방 영역을 제외하고, 상기 안테나를 덮도록 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, IC 칩 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나를 덮도록 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있음으로써, 비접촉형 데이터 수송신체를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
또한, 자성체층이 편평형상의 자성 미립자를 수지에 함침시킨 것으로, 자성 미립자와 수지의 혼합 비율을 조절함으로써, 자성체층의 투자율을 높이고, 또한 절연성을 유지할 수 있기 때문에, 자성체층은, 안테나를 덮도록 형성함으로써, 이들의 보호층으로서의 기능도 발휘한다. 또, IC 칩 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나를 덮도록 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있음으로써, 비접촉형 데이터 수송신체를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, 자성체층이 형상의 변화에 추종하기 쉬워지고, 결과적으로, 각 구성 요소 사이에서의 박리 등의 문제를 방지할 수 있다.
상기 IC 칩의 측면과 상기 자성체층의 측면 사이에는 간극이 형성되어 있어도 된다.
이 경우, 비접촉형 데이터 수송신체를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, IC 칩과 자성체층이 접촉하기 어려워지기 때문에, 양자의 접촉에 의해 IC 칩이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
상기 IC 칩의 측면과 대향하는 위치에 있는 상기 자성체층의 측면은, 상기 자성체층의 상기 안테나와 접하는 면에서부터, 상기 자성체층의 상기 안테나와 접하는 면과는 반대측 면을 향해서 점차로 개구직경이 커지는 테이퍼 형상이어도 된다.
이 경우, 자성체층 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면, 또는, 베이스 기재의 자성체층과 접하는 면과는 반대측 면 중 어느 쪽을 물품에 부착하는 면으로 하여도, 비접촉형 데이터 수송신체를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, IC 칩의 측면과 자성체층의 측면이 접촉하기 어려워지기 때문에, 양자의 접촉에 의해 IC 칩이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은, 오목부가 형성된 케이스, 상기 오목부 내에 수장된 인렛, 및 상기 오목부 내에 상기 인렛을 덮도록 형성한 피복체로 구성되고, 상기 인렛은, 상기 케이스의 외주단이 형성하는 평면보다 상기 오목부의 내측에 있는 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
이러한 구성에 의하면, 인렛은, 케이스의 외주단이 형성하는 평면보다 오목부의 내측에 배치되어 있기 때문에, 인렛은, 케이스의 오목부 내에서 그 외주 전체가 피복체에 의해 덮여있으므로, 케이스와 피복체를 서로 다른 재질로 형성해도, 비접촉형 데이터 수송신체에 외력이 가해지는 것에 의해 케이스와 피복체의 계면에서 양자가 박리되어, 인렛이 노출되거나, 손상되거나 하는 일이 없다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체는, 케이스와 피복체의 계면에서 양자가 박리되는 일이 없기 때문에, 내부에 수분이나 약품이 침투하는 일도 없어, 내수성이나 내약품성이 우수하다. 또, 케이스를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하면서, 박형의 구조로 하는 것도 가능하다. 그리고, 케이스를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하여, 박형의 구조로 할 수 있는 것 뿐만 아니라, 표면이 만곡된 형상으로 하는 것도 가능하다.
본 발명은, 적어도 일부가 오목부를 형성하는 기재를 사용하여, 상기 오목부 내에 인렛을 수장하는 공정 α 와, 상기 인렛을 덮도록, 상기 오목부 내에 수지를 충전하는 공정 β 를 구비한 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 제공한다.
상기 구성에 의하면, 인렛은, 케이스의 오목부 내에서 그 외주 전체를 피복체에 의해 덮을 수 있기 때문에, 케이스와 피복체를 서로 다른 재질로 형성하더라도, 외력이 가해지는 것에 의해 케이스와 피복체의 계면에서 양자가 박리되어, 인렛이 노출되거나, 손상되거나 하지 않는 비접촉형 데이터 수송신체가 얻어진다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체는, 케이스와 피복체의 계면에서 양자가 박리되는 일이 없기 때문에, 내부에 수분이나 약품이 침투하는 일도 없어, 내수성이나 내약품성이 우수하다. 또, 케이스를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하면서, 박형의 구조로 하는 것도 가능하다. 그리고, 케이스를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하여, 박형의 구조로 할 수 있는 것 뿐만 아니라, 표면이 만곡된 형상으로 하는 것도 가능하다. 나아가, 종래의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법과 같이, 인렛을 수지에 의해 피복하기 위한 전용 장치, 성형용 형틀 등의 설비를 필요로 하지 않기 때문에, 제조가 용이함과 함께, 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 열가소성 수지로 이루어지는 시트형상의 기재를 사용하여, 상기 기재의 적어도 일부가 오목부를 형성하도록 상기 기재를 변형시키는 공정을, 상기 공정 α 의 전에 구비해도 된다.
이 경우, 대상이 되는 물품의 형상이나 비접촉형 데이터 수송신체가 부착되는 장소 등에 따라서 시트형상 기재의 오목부의 형상을 변경하는 것만으로, 소정 형상의 비접촉형 데이터 수송신체를 제조할 수 있다.
또한, 상기 기재, 상기 인렛 및 상기 수지가 일체화된 영역마다 상기 기재를 분할하고, 상기 기재로 이루어지는 케이스를 형성하는 공정을, 상기 공정 β 의 후에 구비해도 된다.
이 경우, 기재, 인렛 및 수지가 일체화되어 이루어지는 비접촉형 데이터 수송신체를 개별로 얻을 수 있다.
상기 수지로서 열경화성 수지를 사용하고, 상기 열경화성 수지를 상기 열가소성 수지의 융점보다 낮은 온도에서 열처리해도 된다.
이 경우, 기재를 분리하여 이루어지는 케이스가 적용 대상이 되는 물품의 형상에 따라서 형성된 형상을 유지하고, 또한, 인렛이 열적 손상을 받는 일 없이 열경화성 수지로 이루어지는 피복체에 의해 피복되기 때문에, 얻어지는 비접촉형 데이터 수송신체는 치수 정밀도가 우수함과 함께, 인렛의 초기 기능을 유지하고, 통신 기능이 우수해진다.
본 발명은, 오목부가 형성된 케이스, 상기 오목부 내에 수장된 인렛, 및 상기 케이스와 상기 인렛 사이에 위치하는 공간을 제외한 상기 오목부 내에 상기 인렛을 덮도록 형성된 자성 재료를 포함하는 피복체로 구성된 비접촉형 데이터 수송신체를 제공한다.
상기 구성에 의하면, 케이스와 인렛 사이에 위치하는 공간을 제외한 오목부 내에 인렛을 덮도록 자성 재료를 포함하는 피복체를 형성하였기 때문에, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 피복체를 거쳐 안테나에 포착되기 때문에, 안테나에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 피복체가 안테나 및 IC 칩의 보호막으로서 기능한다.
상기 피복체의 외면의 주단부(周端部)는, 상기 케이스의 주단부에 맞춰지도록 배치되어 있어도 된다.
이 경우, 인렛은, 케이스의 오목부 내에서, 그 외주 전체가 피복체에 의해 덮이기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체에 외력이 가해지는 것에 의해, 케이스와 피복체의 계면에서 양자가 박리되어, 인렛이 노출되거나, 손상되거나 하는 일이 없다.
발명의 효과
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 자성체층을 형성함으로써, 금속제 물품 위에 탑재한 경우라도, 안테나 코일에 IC 칩을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력이 발생한다. 또한, 자성체층을 얇게 형성할 수 있기 때문에, 종래의 비접촉 IC 라벨에 비교하여, 두께가 얇은 비접촉 IC 라벨을 제공할 수 있다.
본 발명에 관련된 비접촉 IC 라벨의 제조 방법은, 기판을 연속적으로 공급하여, IC 인렛을 자동적으로 끼워 넣으면서, 인라인으로 제품을 펀칭하기 때문에, 대량의 IC 라벨을 효율적으로 또한 고품질로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 관련된 비접촉 IC 라벨의 제조 장치는, 연속 기판의 공급 기능, IC 인렛의 순송 (順送) 과 기판에 대한 부착 기능, 상부재의 본딩, 제품의 펀칭 기능이 컴팩트하게 정돈되어 있기 때문에, 비교적 저렴한 장치가 얻어진다.
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 비접촉 IC 라벨의 단면의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 2 는 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 비접촉 IC 라벨의 제조 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3 은 본 발명에 관련된 비접촉 IC 라벨의 제조 장치의 인렛 부착부의 구성을 상세하게 나타내는 확대 사시도이다.
도 4 는 통상의 IC 라벨을 금속 물품의 표면에 탑재한 경우의 자속의 흐름을 나타내는 모식도이다.
도 5 는 종래의 비접촉 IC 라벨의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 6 은 종래의 비접촉 IC 라벨의 다른 일례를 나타내는 단면도이다.
도 7A 는 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 비접촉형 IC 태그의 내부 구조를 나타내는 평면도이다.
도 7B 는 도 7A 의 A-A 선에 따른 단면도이다.
도 8A 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 8B 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 8C 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 9A 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 9B 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 10A 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 10B 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 11A 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 11B 는 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 12A 는 본 발명의 제 5 실시형태에 관련된 비접촉형 IC 태그의 내부 구조 를 나타내는 평면도이다.
도 12B 는 도 12A 의 B-B 선에 따른 단면도이다.
도 13A 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 13B 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 13C 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 14A 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 14B 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 15A 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 15B 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 16A 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 16B 는 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 17A 는 종래의 비접촉형 IC 태그의 일례의 내부 구조를 나타내는 평면도이다.
도 17B 는 도 17A 의 C-C 선에 따른 단면도이다.
도 18 은 본 발명의 제 7 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 단면도이다.
도 19 는 본 발명의 제 8 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 단면도이다.
도 20 은 본 발명의 제 9 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 21 은 본 발명의 제 9 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치의 제 3 수단의 구성을 상세하게 나타내는 확대 사시도이다.
도 22 는 본 발명의 제 10 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 23 은 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 자성체층의 두께와 통신 거리의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 24 는 본 발명의 제 12 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 25 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 26 은 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치를 구성하 는 제 3 수단을 나타내는 개략 사시도이다.
도 27 은 본 발명의 제 13 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 28 은 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 금속 물품에 부착한 경우, 비접촉형 데이터 수송신체가 정보 판독/기록 장치로부터 나온 자속을 포착하는 메커니즘을 설명하는 도면이다.
도 29 는 본 발명의 제 14 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 30 은 본 발명의 제 15 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 31 은 본 발명의 제 16 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 32 는 본 발명의 제 17 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 33 은 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 금속 물품에 부착한 경우, 비접촉형 데이터 수송신체가 정보 판독/기록 장치로부터 나온 자속을 포착하는 메커니즘을 설명하는 도면이다.
도 34 는 본 발명의 제 18 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 35 는 본 발명의 제 19 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 36 은 본 발명의 제 20 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 37A 는 본 발명의 제 21 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 평면도이다.
도 37B 는 도 37A 의 A-A 선에 따른 단면도이다.
도 38A 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 38B 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 38C 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 39 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 평면도이다.
도 40 은 본 발명의 제 22 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 41 은 본 발명의 제 23 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 42A 는 본 발명의 제 24 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 평면도이다.
도 42B 는 도 42A 의 B-B 선에 따른 단면도이다.
도 43A 는 본 발명의 제 25 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 평면도이다.
도 43B 는 도 43A 의 A-A 선에 따른 단면도이다.
도 44A 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 44B 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 44C 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 45 는 본 발명의 제 26 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 46A 는 본 발명의 제 27 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 평면도이다.
도 46B 는 도 46A 의 B-B 선에 따른 단면도이다.
도 47 은 본 발명의 제 28 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 48A 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 48B 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실 시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 48C 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 49A 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 49B 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 49C 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 50 은 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 51 는 본 발명의 제 29 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 52 는 본 발명의 제 3O 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 53 은 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 의해서 얻어지는 비접촉형 데이터 수송신체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 54A 는 본 발명의 제 31 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 54B 는 본 발명의 제 31 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 54C 는 본 발명의 제 31 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법을 나타내는 개략 단면도이다.
도 55 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 56A 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 56B 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 56C 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 57 은 본 발명의 제 32 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 58A 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 58B 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 58C 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 59A 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실 시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 59B 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 59C 는 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 60 은 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 61 은 본 발명의 제 33 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 62 는 본 발명의 제 34 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
부호의 설명
101: 비접촉 IC 라벨 102: 제 1 기판
103: 안테나 코일 104: IC 칩
105: 자성체층 106: 제 1 접착제층
107: 제 2 기판 108: 제 2 접착제층
109: 박리지 110: 제 3 접착제층
111: 상부재 112: IC 인렛
120: 제 1 연속 용지 120a, 124a: 사지
120b : 용지 124b : 상부재
120d: 타이밍 마크
121: 제 1 공급 수단 122, 126: 감기 수단
123: 인렛 부착 수단 124: 제 2 연속 용지
127: 본딩 수단 127a, 127b: 본딩 롤
128: 다이컷 수단 129: 감기 수단
130: IC 인렛 131: 스태커 (stacker)
132: 인출 수단 132a: 선단 헤드
133: 레일부재 133a: 안내홈
133b: 관통구멍 133c: 맞댐부
134: 압출용 블록 135: 흡입 블록
135a: 스폰지 210, 240: 비접촉 IC 태그
211, 241: 베이스 기재 212, 242: 안테나
213, 243: IC 칩 214, 244: 접점
215, 245: 인렛 220, 250: 자성체층
221, 251: 제 1 수지부재 222, 252: 오목부
223, 253: 제 2 수지부재 225, 255: 케이스
231, 261: 제 1 금형 232, 262: 제 2 금형
233, 263: 공간 234, 264: 제 3 금형
301, 3100: 비접촉형 데이터 수송신체
302, 3102: 베이스 기재 303, 3103: 안테나
304, 3104: IC 칩 305, 3105: 자성체층
306: 박리지 307: 접착제층
308: 상부재 309, 3109: 인렛
320: 제 1 연속 용지 320a: 사지
320b: 박리지 321: 제 1 수단
322: 제 2 수단 323: 제 3 수단
324: 제 2 연속 용지 324a: 사지
324b: 용지 325: 제 4 수단
326, 329: 감기 수단 327: 제 5 수단
327a, 327b: 본딩 롤 328: 제 6 수단
330: 인렛 331: 스태커
332: 인렛 인출기 332a: 선단 헤드
333: 레일부재 333a: 안내홈
333b: 관통구멍 333c: 맞댐부
334: 압출용 블록 335: 흡입 블록
335a: 스폰지 410: 비접촉형 데이터 수송신체
411: 베이스 기재 412: 안테나
413: IC 칩 414: 인렛
415: 자성체층
510, 540, 550, 560: 비접촉형 데이터 수송신체
511, 541, 551, 561: 베이스 기재 512, 542, 552, 562: 안테나
513, 543, 553, 563: IC 칩 514, 544, 554, 564: 인렛
515, 545, 555, 565: 자성체층 516, 546, 556, 566: 강자성체층
520: 금속 물품 530: 정보 판독/기록 장치
557: 중간층 567: 제 1 중간층
568: 제 2 중간층
610, 640, 650, 660: 비접촉형 데이터 수송신체
611, 641, 651, 661: 베이스 기재 612, 642, 652, 662: 안테나
613, 643, 653, 663: IC 칩 614, 644, 654, 664: 인렛
615, 645, 655, 665: 자성체층 616, 646, 656, 666: 상자성체층
617, 647, 657, 667: 강자성체층 620: 금속 물품
630: 정보 판독/기록 장치 658: 중간층
668: 제 1 중간층 669: 제 2 중간층
710, 720, 730, 740: 비접촉형 데이터 수송신체
711: 베이스 기재 712: 안테나
713: IC 칩 714: 인렛
715: 자성체층 716: 도전부
721: 접착제층 722: 박리 기재
723: 상부재
810, 820, 830: 비접촉형 데이터 수송신체
811: 베이스 기재 812: 안테나
813: IC 칩 814: 인렛
815: 자성체층 816: 도전부
821: 접착제층 822: 박리 기재
823: 상부재
910, 930, 940, 950: 비접촉형 데이터 수송신체
911: 베이스 기재 912: 안테나
913: IC 칩 914: 인렛
915: 자성체층 916, 923, 941, 951: 케이스
916a: 오목부 917: 피복체
920: 기재 921: 열경화성 수지
922: 피복체 1010: 비접촉형 데이터 수송신체
1011: 베이스 기재 1012: 안테나
1013: IC 칩 1014: 인렛
1015: 자성체층 1016: 케이스
1016a: 오목부 1017: 피복체
1020: 기재 1020c: 오목부
1021: 열경화성 수지
1110, 1130, 1140, 1150: 비접촉형 데이터 수송신체
1111: 베이스 기재 1112: 안테나
1113: IC 칩 1114: 인렛
1115, 1126, 1141, 1151: 케이스 1115a: 오목부
1116, 1125: 피복체 1117, 1123: 제 1 피복체
1118, 1124: 제 2 피복체 1120: 기재
1121: 수지 1122: 자성 도료
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
이하, 본 발명의 비접촉 IC 라벨 및 그 제조 방법 그리고 제조 장치의 실시형태에 관해서 도면을 사용하여 설명한다.
또, 이 형태는, 발명의 취지를 보다 잘 이해하기 위해서 구체적으로 설명하는 것으로, 특별히 지정이 없는 한 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태인 비접촉 IC 라벨의 개략 단면도이다. 도 1 에 있어서, 전기 절연성의 제 1 기판 (102) 의 일방의 면에 안테나 코일 (103) 과 IC 칩 (104) 이 형성되고, 안테나 코일 (103) 과 IC 칩 (104) 은 전기적으로 접속되어 있다. 상기 제 1 기판 (102) 의 일방의 면에 있어서, 상기 안테나 코일 (103) 및 IC 칩 (104) 을 덮도록 자성체층 (105) 이 형성되고, 상기 자성체층 (105) 을 통해서 제 1 접착제층 (106), 상기 제 1 접착제층 (106) 을 통해서 전기 절연성의 제 2 기판 (107), 상기 제 2 기판 (107) 을 통해서 제 2 접착제층 (108), 상기 제 2 접착제층 (108) 을 통해서 박리지 (109) 가 형성되어 있다. 한편, 상기 제 1 기판 (102) 의 타방의 면에는 제 3 접착제층 (110) 을 통해서 상부재 (111) 가 형성되어 있다.
이 실시형태에 있어서의 제 1 기판 (102) 은, 유리 섬유, 알루미나 섬유, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 무기 또는 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 또는 이들을 조합한 것, 또는 이들에 수지 바니시 (vanish) 를 함침시켜 성형한 복합 기재, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 (PET, PEN 등) 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌·비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 (PVC 등) 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 (PC) 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리 및 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 (易接着處理; easy adhesion treatment) 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용할 수 있다. 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 코일 (103) 은, 제 1 기판 (102) 의 일방의 면에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄하거나 또는 도전성 박을 에칭함으로써 형성할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 폴리머형 도전 잉크의 예로는, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐, 로듐 등의 분말, 카본 분말 (카본블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자를 수지 조성물에 배합한 것을 일반적으로 예시할 수 있 다. 이 수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 도막(塗膜)을 얻을 수 있고, 얻어진 도막의 전기가 흐르는 경로는 도전 미립자의 접촉에 의한 것으로, 10-5Ω·cm 오더의 저항치가 얻어진다.
또한, 본 발명의 폴리머형 도전 잉크는 열경화형의 것 외에, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다. 또, 광경화성 수지를 수지 조성물에 포함하면, 경화 시간을 단축하여 효율을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 도전 미립자를 60질량% 이상 함유하고, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물로 하여, 폴리에스테르 수지를 10질량% 이상 함유하는 것, 즉 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용 (단 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것이나, 도전 미립자를 50질량% 이상 함유하고, 가교성 수지 (에폭시 수지의 페놀 경화계, 또는 에폭시 수지의 술포늄염 경화계 등) 만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지의 블렌드 수지 조성물로 한 것, 즉 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다. 또한, 안테나부 등의 도전 회로에 있어서 내절곡성이 더욱 요구되는 경우에는, 본 발명에서 사용하는 폴리머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합할 수 있다. 본 발명에서 사용하는 가요성 부여제로는, 구체적으로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 가요성 부여제, 아크릴계 가요성 부여제, 우레탄계 가요성 부여제, 폴리아세트산비닐계 가요성 부여제, 열가소성 엘라스토머계 가요성 부여제, 천연 고무계 가요성 부여제, 합성 고무 계 가요성 부여제 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 예시할 수 있다.
안테나 코일 (103) 을 에칭에 의해 형성하는 경우에는, 전기 절연성 기판의 일방의 면 전체면에 동박을 접착시킨 것을 준비한다. 그리고, 이 동박에 내(耐)에칭 도료를 실크 스크린법에 의해, 원하는 패턴으로 인쇄한다. 통상, 안테나 코일 (103) 은 소용돌이 형상 또는 직사각형 형상으로 형성되기 때문에, 내에칭 도료는 소용돌이 형상 또는 직사각형 형상으로 인쇄된다. 그런 다음에, 이 내에칭 도료를 건조 고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 기판의 일방의 면에 잔존시켜서, 안테나 코일 (103) 이 형성된다.
다음으로, 제 1 기판 (102) 의 소정 위치에 도전성 접착제 (도시 생략) 를 통해서 IC 칩 (104) 을 탑재하고, IC 칩 (104) 에 소정의 압력을 가함으로써 IC 칩 (104) 과 제 1 기판 (102) 을 접착제 (도시 생략) 에 의해서 접착하고, IC 칩 (104) 의 이면에 형성된 접점에 있어서 안테나 코일 (103) 과 IC 칩 (104) 을 전기적으로 접속한다.
자성체층 (105) 은, 자성 재료로 이루어지는 분말 또는 플레이크를 함유하는 자성 도료를 도포 건조시킴으로써 형성된다. 여기서, 자성 도료에 함유시키는 자성 재료의 분말로는, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등이 사용된다. 자성 재료의 플레이크로는, 상기 분말을 볼 밀 (ball mill) 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕(溶湯)을 수냉(水冷) 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크를 사용한다.
이들 자성 분말이나 자성 플레이크를 적어도 유기용매 및 결합제와 함께 혼련 (混練) 하고 분산시킨 자성 도료를 사용한다.
본 실시형태에 있어서 결합제로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등이 사용가능하고, 열가소성 수지의 예로는, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 합성 고무 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 수지 또는 반응형 수지의 예로는 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
이들 자성 도료를 사용하여, 스크린 인쇄법 등에 의해, 제 1 기판 (102) 의 안테나 코일 (103) 과 IC 칩 (104) 이 형성된 면 상에 있어서, 안테나 코일 (103) 과 IC 칩 (104) 이 간신히 가려질 정도로 도포한다. 자성체층 (105) 을 도포 후 실온 방치하거나, 또는 소정 온도와 시간으로 가열하여 건조 고화시킴으로써 자성체층 (105) 을 가진 IC 인렛 (112) 이 형성된다.
계속해서, 전기 절연성의 제 2 기판 (107) 을 준비한다. 제 2 기판 (107) 의 재질로는, 제 1 기판 (102) 과 동일한 것을 사용할 수 있다. 이 제 2 기판 (107) 의 양면에 접착제를 도포 (제 1 접착제층 (106) 과 제 2 접착제층 (108) 의 형성) 한 후, 일방의 면 (제 2 접착제층 (108)) 에 박리지 (109) 를 부착하고, 타방의 면 (제 1 접착제층 (106)) 에, 상기 자성체층 (105) 을 통해서 IC 인렛 (112) 을 부착한다.
이 다음, 제 1 기판 (102) 의 타방의 면 (안테나 코일 (103) 이나 IC 칩 (104) 이 형성되어 있지 않은 면) 에, 이면에 접착제 (제 3 접착제층 (110)) 가 도포된 상부재 (111) 를 동 접착제 (제 3 접착제층 (110)) 를 통해서 부착함으로써, 본원 발명의 비접촉 IC 라벨 (101) 이 얻어진다.
이하, 본 발명의 비접촉 IC 라벨의 제조 방법과 제조 장치에 관해서 설명한다.
도 2 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 비접촉 IC 라벨 (101) 의 제조 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
본 실시형태의 제조 장치는, 제 2 기판 (107) 의 일방의 면에 제 1 접착제층 (106) 을 통해서 사지가 부착되고, 타방의 면에 제 2 접착제층 (108) 을 통해서 박리지가 부착된 제 1 연속 용지 (120) 를 공급하는 제 1 공급 수단 (121) 을 구비하 고 있다.
제 1 공급 수단 (121) 으로부터 공급된 제 1 연속 용지 (120) 는, 표층의 사지 (120a) 가 박리되어 감기부 (122) 에 감겨진 후, 인렛 부착 수단 (123) 으로 보내진다.
인렛 부착 수단 (123) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 다수의 IC 인렛 (130) (도 1 의 112 에 상당) 을 연직방향으로 겹쳐 쌓은 상태로 유지하는 스태커 (유지 수단: 131) 를 구비하고 있다. 스태커 (131) 의 하방에는, 다수의 IC 인렛 (130) 으로부터 IC 인렛 (130) 을 1장씩 꺼내기 위한 인렛 인출기 (인출 수단: 132) 가 형성되어 있다. 인렛 인출기 (132) 는 연직방향을 따라서 왕복 이동가능하게 구성되고, 그 선단 헤드 (132a) 가 스태커 (131) 에 겹쳐 쌓아진 다수의 IC 인렛 (130) 의 가장 하측에 위치하는 IC 인렛 (130) 을 흡인 작용에 의해 순차적으로 인출한다 (꺼낸다).
여기서, IC 인렛 (130) 의 하측면은, 제 1 연속 용지 (120b) 상에 부착되는 면으로서 평탄하게 형성되어 있다. 따라서, 인렛 인출기 (132) 의 선단 헤드 (132a) 가 IC 인렛 (130) 하측면의 중앙부분을 충분한 흡인력으로 흡인하여, 스태커 (131) 로부터 IC 인렛 (130) 을 1장씩 확실히 인출할 수 있다. 이 때, IC 인렛 (130) 이 순간적으로 휘게 되는데, IC 모듈 및 안테나는 IC 인렛 (130) 의 중앙부분으로부터 떨어져서 위치 결정되어 있기 때문에, 선단 헤드 (132a) 의 흡인에 의해서 손상을 받는 일은 없다. 또한, 다수의 IC 인렛 (130) 의 가장 하측으로부터 순차적으로 인출하는 구성이기 때문에, 작업의 도중에서도 IC 인렛 (130) 을 스태커 (131) 에 수시 공급할 수 있다.
인렛 인출기 (132) 에 의해서 스태커 (131) 로부터 인출된 IC 인렛 (130) 은, 레일부재 (133) 에 형성된 안내홈 (133a) 중에 탑재된다. 또, 안내홈 (133a) 의 폭치수는, IC 인렛 (130) 의 대응하는 치수보다 약간 크게 설정되어 있다. 그리고, 인렛 인출기 (132) 는, 레일부재 (133) 에 형성된 연직방향의 관통구멍 (133b) 을 통해서 스태커 (131) 에 접근할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 인렛 부착 수단 (123) 은, 레일부재 (133) 의 안내홈 (133a) 중에 위치 결정되어 안내홈 (133a) 을 따라서 왕복 이동가능한 압출용 블록 (134) 을 구비하고 있다.
예를 들어 에어 실린더에 의해 구동되는 압출용 블록 (134) 은, 안내홈 (133a) 을 따라서 도면 중 우측으로 이동함으로써, 스태커 (131) 로부터 인출되어 안내홈 (133a) 중에 탑재된 IC 인렛 (130) 을, 그 선단이 안내홈 (133a) 의 맞댐부 (133c) 에 거의 맞닿을 때까지 송급 (送給) 한다. 이와 같이, 레일부재 (133) 및 압출용 블록 (134) 은, 다수의 IC 인렛 (130) 으로부터 꺼내진 IC 인렛 (130) 을 소정 위치까지 이동시키기 위한 이동 수단을 구성하고 있다. 또한, 스태커 (유지 수단: 131) 와 인렛 인출기 (꺼냄부: 132) 와 레일부재 (133) 및 압출용 블록 (134: 이동 수단) 은, 다수의 IC 인렛 (130) 으로부터 IC 인렛 (130) 을 1장씩 선택적으로 꺼내어 소정 위치로 순차적으로 송급하기 위한 송급 수단을 구성하고 있다.
그리고, 인렛 부착 수단 (123) 은, 안내홈 (133a) 의 맞댐부 (133c) 에 선단 이 거의 맞닿도록 위치 결정된 IC 인렛 (130) 을 흡인 작용에 의해 흡착 파지하기 위한 흡입 블록 (135) 을 구비하고 있다. 흡입 블록 (135) 은 IC 인렛 (130) 의 직사각형 형상에 대응한 입방체 형상을 갖고, 그 하측면에는 완충재로서의 스폰지 (135a) 가 장착되어 있다. 또한, 흡입 블록 (135) 의 하측면 중앙에는, IC 인렛 (130) 을 흡착 파지하기 위한 흡인구 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
예를 들어 에어 실린더에 의해 구동되는 흡입 블록 (135) 은, 연직방향 및 안내홈 (133a) 에 따른 수평방향으로 이동가능하게 구성되어 있다. 이렇게 해서, 안내홈 (133a) 의 맞댐부 (133c) 에 선단이 거의 맞닿도록 위치 결정된 IC 인렛 (130) 을 향해서 흡입 블록 (135) 이 하강하여, IC 인렛 (130) 이 흡입 블록 (135) 의 하측면에 흡착 파지된다. 이 때, IC 인렛 (130) 의 중앙부분에는 흡입 블록 (135) 으로부터의 흡인력이 작용하지만, 스폰지 (135a) 의 완충 작용에 의해 IC 인렛 (130) 이 흡인력에 기인하여 손상을 받는 일이 없다.
IC 인렛 (130) 을 흡착 파지한 흡입 블록 (135) 은 상승한 후, 도면 중 수평방향을 따라서 제 1 연속 용지 (120) 의 용지 (120b) 의 상방까지 이동한다. 이 때, 흡입 블록 (135) 은, 도시를 생략한 수평 가이드를 따라서 횡이동하고, 예를 들어 도시를 생략한 스토퍼의 작용에 의해 용지 (120b) 상방의 소정 위치에서 정지한다. 그 후, 흡입 블록 (135) 이 하강하여, 흡착 파지한 IC 인렛 (130) 을 용지 (120b) 의 표면에 가압한다.
또, 제 1 연속 용지 (120) 는, 그 사지 (120a) 가 박리된 상태에서, 용지 (120b) 의 표면에는 제 2 접착제층 (106) 이 노출되어 있다. 따라서, 흡입 블 록 (135) 이 IC 인렛 (130) 을 용지 (120b) 의 표면에 가압함과 함께 흡인 동작을 정지함으로써, IC 인렛 (130) 이 용지 (120b) 의 표면에 부착되게 된다. 이와 같이, 흡입 블록 (135) 은, 소정의 위치로 송급된 IC 인렛 (130) 을 이동시켜 제 1 연속 용지 (120) 의 용지 (120b) 의 표면에 순차적으로 가압하기 위한 이동 가압 수단을 구성하고 있다.
한편, 제 1 연속 용지 (120) 는, 그 용지 (120b) 표면의 일방측에 형성된 타이밍 마크 (120d) 를 센서 (도시 생략) 가 판독함으로써, 길이방향을 따라서 간헐적으로 반송된다. 이렇게 해서, 상기 서술한 인렛 부착 동작과 간헐적인 반송 동작을 반복함으로써, IC 인렛 (130) 이 용지 (120b) 의 표면 상에 소정 피치로 간격을 두고 순차적으로 부착된다.
또, 도 3 에서는, 도면의 명료화를 위해, 1개의 송급 수단과 1개의 이동 가압 수단으로 이루어지는 1개의 인렛 부착 기구만을 나타내고 있지만, 연속 용지 (120) 의 흐름 방향 (공급 방향) 을 따라서 인렛 부착 기구를 복수 열로 배치할 수도 있다. 이 경우, 인렛 부착 기구의 수와 동일한 수의 IC 인렛 (130) 을 용지 (120b) 의 표면에 동시에 부착할 수 있다.
또한, 용지 (120b) 의 표면에 동시에 부착되는 복수의 IC 인렛 (130) 의 간격을 조정할 수 있도록, 복수의 인렛 부착 기구의 제 1 연속 용지 (120) 의 흐름 방향에 따른 간격이 조정가능하게 구성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 다양한 사이즈의 IC 인렛 (130) 에 대응할 수 있도록 복수의 인렛 부착 기구를 구성할 수도 있다.
다시 도 2 를 참조하면, 인렛 부착 수단 (123) 을 통해서 IC 인렛 (130) 이 간격을 두고 순차적으로 부착된 제 1 연속 용지 (120) 는, 한 쌍의 본딩 롤러 (127a 및 127b) 로 구성된 본딩 수단 (127) 으로 보내진다. 한편, 본 실시형태의 제조 장치는, 제 2 연속 용지 (124) 로서, 예를 들어 상부재에 접착제층을 통해서 사지가 부착된 제 2 연속 용지 (124) 를 공급하기 위한 제 2 공급 수단 (125) 을 구비하고 있다. 제 2 연속 용지 (124) 는 3층 구조로 되어 있고, 상측에 형성된 사지 (124a) 와, 하측에 형성된 상부재 (124b) 가 접착제층에 의해 접착되어 있다.
여기서, 상부재 (124b) 는 IC 라벨 (101) 의 커버 용지를 구성한다.
제 2 공급 수단 (125) 으로부터 공급된 제 2 연속 용지 (124) 는, 그 사지 (124a) 가 박리되어 감기부 (126) 에 감겨진 후, 본딩 수단 (127) 으로 보내진다. 또, 사지 (124a) 가 박리된 상태로, 상부재 (124b) 의 표면 (사지 (124a) 와 접하고 있는 면) 에는 접착제층이 노출되어 있다. 이렇게 해서, 본딩 수단 (127) 에서는, 제 1 연속 용지 (120) 와 제 2 연속 용지 (124) 가 한 쌍의 본딩 롤러 (127a 와 127b) 사이를 통과함으로써, 상부재 (124b) 의 접착층과, 용지 (120b) 의 IC 인렛 (130) 이 부착된 면이 포개어진 후 붙는다.
여기서, 한 쌍의 본딩 롤러 (127a 와 127b) 사이를 통과할 때의 IC 인렛 (130) 에 대한 부하를 경감시키기 위해서, 즉 IC 인렛 (130) 에 작용하는 닙압을 경감시키기 위해, 본딩 롤러 (127a 및 127b) 중 적어도 일방에 완충재로서의 스폰지 (도시 생략) 가 감겨 있다. 또한, 본딩 수단 (127) 보다 하류측에 형성된 각 가이드 롤러에서는, 비교적 굽힘 변형에 약한 특성을 갖는 IC 인렛 (130) 에 작용하는 굽힘 응력을 경감시키기 위해, 롤러직경을 비교적 큰 값 (예를 들어 약 80㎜ 의 직경) 으로 설정하고 있다.
본딩 수단 (127) 을 통해서 서로 포개지고 붙은 복합 용지 (120b, 124b) 는 다이컷 수단 (128) 으로 보내진다. 다이컷 수단 (128) 에서는, 1개의 IC 라벨 (101) 의 외형 형상을 따라서 다이컷되고, 다이컷된 복합 용지 (120b, 124b) 의 불필요부분 (IC 라벨 (101) 영역 이외의 용지 (120b) 및 용지 (124b)) 은 감기 수단 (129) 에 감겨진다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 인렛 부착 수단 (123) 에 있어서, 다수의 IC 인렛 (130) 으로부터 IC 인렛 (130) 을 1장씩 선택적으로 꺼내어 소정 위치로 순차적으로 송급하고, 소정의 위치로 송급된 IC 인렛 (130) 을 이동시켜 제 1 연속 용지 (120) 의 용지 (120b) 표면에 가압함으로써 순차적으로 부착할 수 있다. 따라서, IC 인렛 (130) 을 용지에 끼워 넣는 작업을 수작업에 의지하지 않고 자동적으로 실시하여, 대량의 IC 라벨 (101) 을 효율적으로 또한 고품질로 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태의 도 3 은, 카세트식으로 IC 인렛 (130) 을 공급하고 있지만, 물론, 연속식으로 공급하고, 커터 등에 의해 절단하는 방식을 채용해도 된다. 또한, 자성체층은 인라인으로 도포 건조시켜 형성해도 된다.
이하, 본 발명의 다른 실시형태에 관해서, 도면을 참조하여 설명한다.
도 7A 및 도 7B 는, 본 발명에 관련된 제 3 실시형태인 비접촉형 IC 태그를 나타내는 개략도로, 도 7A 는 내부 구조를 나타내는 평면도, 도 7B 는 도 7A 의 A-A 선에 따른 단면도이다.
도 7A 및 도 7B 에 있어서, 부호 210 은 비접촉형 IC 태그, 211 는 베이스 기재, 212 는 안테나, 213 은 IC 칩, 214 는 접점, 215 는 인렛, 220 은 자성체층, 221 은 제 1 수지부재, 222 는 오목부, 223 은 제 2 수지부재, 225 는 케이스를 각각 나타내고 있다.
이 비접촉형 IC 태그 (210) 는, 베이스 기재 (211) 와, 그 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 으로 이루어지는 인렛 (215) 과, 이 인렛 (215) 을 구성하는 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 을 덮도록 배치되는 자성체층 (220) 과, 자성체층 (220) 을 배치한 인렛 (215) 을 감싸도록 형성된 제 1 수지부재 (221) 및 제 2 수지부재 (223) 로 이루어지는 케이스 (225) 로 개략 구성되어 있다.
비접촉형 IC 태그 (210) 에서는, 안테나 (212) 가, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면에 코일형상으로 형성되고, 그 양단이 접점 (214) 에 의해서 IC 칩 (213) 에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 자성체층 (220) 은, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면에 형성된 안테나 (212) 및 IC 칩 (213), 그리고, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면 전역을 덮도록 배치되어 있다. 또, 자성체층 (220) 은, 적어도 안테나 (212) 또는 IC 칩 (213) 의 두께를 약간만 상회하는 정도로 형성되어 있으면 된다.
제 1 수지부재 (221) 는, 자성체층 (220) 을 배치한 인렛 (215) 의 적어도 일부, 즉, 인렛 (215) 을 구성하는 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 을 덮는 자성체층 (220) 의 적어도 일부를 수용하기 위해서 충분한 크기의 오목부 (222) 를 갖고 있다. 그리고, 자성체층 (220) 의 베이스 기재 (211) 와 접하고 있는 면과는 반대측 면 (220a) 이 오목부 (222) 의 저면 (222a) 와 접하고, 또한, 자성체층 (220) 의 측면 (220b) 의 적어도 일부가 오목부 (222) 의 내측면 (222b) 과 접하도록, 자성체층 (220) 의 적어도 일부가 오목부 (222) 에 수용되고, 자성체층 (220) 의 적어도 일부가 제 1 수지부재 (221) 로 덮여 있다. 또한, 제 2 수지부재 (223) 는, 제 1 수지부재 (221) 와 대향하여, 또한, 제 1 수지부재 (221) 와 연속하도록 배치되어, 자성체층 (220) 을 배치한 인렛 (215) 중, 제 1 수지부재 (221) 로 덮여 있지 않은 부분을 덮고 있다. 이것에 의해, 자성체층 (220) 을 배치한 인렛 (215) 이 제 1 수지부재 (221) 및 제 2 수지부재 (223) 로 이루어지는 케이스 (225) 에 의해 봉지된 구조로 되어 있다.
베이스 기재 (211) 로는, 적어도 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 이 형성되는 면이 전기 절연성의 재료로 이루어지는 것이 사용된다. 이러한 베이스 기재 (211) 로는, 예를 들어, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유 또는 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 또는 이들을 조합한 것, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체계 수지 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리 스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴-부타디엔스티렌 공중합체계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리 및 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 또는 폴리이미드로 이루어지는 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (212) 는, 도전성 페이스트로 이루어지는 도전성의 막, 도전성의 박 등으로 이루어지는 도전체이다.
안테나 (212) 를 형성하는 도전체를 형성하는 도전성 페이스트로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐, 로듐 등의 분말, 카본 분말 (카본블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자를 수지 조성물에 배합한 것을 들 수 있다. 이 도전성 페이스트를 형성하는 수지 조성물로는, 열경화형 수지 조성물, 광경화형 수지 조성물, 침투 건조형 수지 조성물, 용제 휘발형 수지 조성물을 들 수 있다.
상기의 수지 조성물로서 열경화형 수지 조성물을 사용한 경우, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 도막을 얻을 수 있고, 얻어진 도막의 전기가 흐르는 경로는 도전 미립자의 접촉에 의한 것으로, 10-5Ω·cm 오더의 저항치가 얻어진다.
또한, 상기의 수지 조성물로서 광경화형 수지 조성물을 사용한 경우, 도전성 페이스트의 경화 시간을 단축하여, 제조 효율을 향상시킬 수 있다.
상기한 바와 같은 도전성 미립자를 수지 조성물에 배합한 도전성 페이스트로는, 구체적으로는, 도전 미립자를 60질량% 이상 함유하고, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물로 하여, 폴리에스테르계 수지를 10질량% 이상 함유하는 것, 즉 용제 휘발형 또는 가교/열가소 병용형 (단 열가소성 수지를 50질량% 이상 함유하는 것) 인 것이나, 도전성 미립자를 50질량% 이상 함유하고, 가교성 수지 (에폭시 수지의 페놀 경화계, 또는 에폭시 수지의 술포늄염 경화계 등) 만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지의 블렌드 수지 조성물로 한 것, 즉 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등이 바람직하게 사용된다.
또한, 비접촉형 IC 태그 (210) 에 있어서 내절곡성이 더욱 요구되는 경우에는, 도전성 페이스트에 가요성 부여제(付與劑)를 배합할 수 있다. 가요성 부여제로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 가요성 부여제, 아크릴계 가요성 부여제, 우레탄계 가요성 부여제, 폴리아세트산비닐계 가요성 부여제, 열가소성 엘라스토머계 가요성 부여제, 천연 고무계 가요성 부여제, 합성 고무계 가요성 부여제 등을 들 수 있다. 본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 이들 가요성 부여제가 단독으로, 또는 2종 이상이 조합되어 사용된다.
안테나 (212) 를 형성하는 도전체를 형성하는 도전성의 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (213) 으로는, 특별히 한정되지 않고, 안테나 (212) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능하다면 어느 것이나 사용할 수 있다.
자성체층 (220) 은, 결합제와, 자성 재료로 이루어지는 분말 (이하, 「자성체 분말」이라고도 한다) 또는 자성 재료로 이루어지는 플레이크 (이하, 「자성체 플레이크」라고도 한다) 로 이루어지는 복합체이다.
이 복합체에 있어서는, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 결합제에 거의 균일하게 분산되어 있어, 자성체층 (220) 은, 그 전역에 걸쳐서 균일하게 자성체로서 기능한다. 또한, 자성체층 (220) 은, 이하에 나타내는 탄성을 갖는 결합제를 함유하기 때문에, 탄성체로서도 기능한다.
자성체 분말로는, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다.
자성체 플레이크로는, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 볼 밀 등으로 미세화하여 미분말로 한 후, 이 미분말을 기계적으로 편평화시켜 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다.
결합제로는 탄성을 갖는 재료가 사용되고, 이러한 재료로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
상기의 열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐- 아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌-프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
상기의 열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
제 1 수지부재 (221) 및 제 2 수지부재 (223) 를 형성하는 재료로는, 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리스티롤, 폴리비닐알코올, 염화비닐리덴, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 열가소성 수지를 들 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 안테나 (212) 를 베이스 기재 (211) 의 일방의 면에 코일형상으로 형성한 인렛 (215) 을 예시하였지만, 본 발명의 반도체 장치는 이것 에 한정되지 않는다. 본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 인렛을 구성하는 안테나가 베이스 기재 상에 폴형상, 루프형상으로 형성되어 있어도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 자성체층 (220) 이, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면에 형성된 안테나 (212) 및 IC 칩 (213), 그리고, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면의 전역을 덮도록 배치되어 있는 예를 나타내었지만, 본 발명의 반도체 장치는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 적어도 베이스 기재의 일방의 면에 형성된 안테나 및 IC 칩이 덮어지도록 자성체층이 배치되어 있으면 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 자성체층 (220) 의 베이스 기재 (211) 와 접하고 있는 면과는 반대측 면 (220a) 및 측면 (220b) 의 일부가 제 1 수지부재 (221) 로 덮여 있는 예를 나타내었지만, 본 발명의 반도체 장치는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 제 1 수지부재에 의해서, 자성체층의 측면 전부, 또는, 자성체층의 측면 전부 및 베이스 기재의 측면의 일부 또는 전부를 덮고 있어도 된다.
이 실시형태의 비접촉형 IC 태그 (210) 에서는, 인렛 (215) 을 구성하는 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 을 덮고, 베이스 기재 (211) 의 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 이 형성되어 있는 면의 전역을 덮도록 자성체층 (220) 이 형성되고, 안테나 (212) 나 IC 칩 (213) 에 의해 형성되는 간극이 자성체층 (220) 에 의해 메워지고, 자성체층 (220) 이 결합제와, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크로 이루어지는 복합체로, 탄성체로서 기능하기 때문에, 외부로부터의 충격을 자성체층 (220) 에 의 해 흡수할 수 있을 뿐 아니라, 외부로부터의 충격에 의해 안테나 (212) 나 IC 칩 (213) 이 진동하는 것을 방지할 수 있으므로, 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 이 파괴되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 비접촉형 IC 태그 (210) 에서는, 자성체층 (220) 을 배치한 인렛 (215) 을 감싸도록 수지로 이루어지는 케이스 (225) 가 형성되고, 베이스 기재 (211) 의 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 이 형성되어 있는 면의 전역을 덮도록 연질 자성 재료로 이루어지는 자성체층 (220) 이 형성되고, 안테나 (212) 나 IC 칩 (213) 에 의해 형성되는 간극이 자성체층 (220) 에 의해 메워져 있기 때문에, 비접촉형 IC 태그 (210) 를 구부린 경우에는, 자성체층 (220) 이 배치된 인렛 (215) 전체에 균일하게 힘이 가해지므로, 비접촉형 IC 태그 (210) 는 가요성을 갖는 것으로 할 수 있다.
그리고, 비접촉형 IC 태그 (210) 에서는, 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 을 덮도록 형성된 자성체층 (220) 이 자성체로서도 기능하므로, 자속이 자성체층 (220) 을 거쳐 안테나 (212) 에 포착되기 때문에, 정보 기록/판독 장치로부터의 전자 유도에 의해, 안테나 (212) 에 IC 칩 (213) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층 (220) 은, 안테나 (212) 또는 IC 칩 (213) 의 두께를 약간만 상회하는 정도로 형성되어 있으면 되므로, 자성체층 (220) 과 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 을 합한 두께를 얇게 할 수 있기 때문에, 종래의 비접촉형 IC 태그보다 두께를 얇게 할 수 있다.
다음으로, 도 8A 에서 도 11B 를 참조하여, 본 발명에 관련된 제 4 실시형태 로서 상기의 비접촉형 IC 태그 (210) 의 제조 방법을 설명한다.
이 실시형태에서는, 먼저, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면 (211a) 에, 스크린 인쇄에 의해 도전성 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄한 후, 도전성 페이스트를 건조시키거나, 또는, 도전성의 박을 부착한 후, 에칭함으로써, 도 8A 에 나타내는 소정의 패턴을 이루는 안테나 (212) 를 형성한다.
안테나 (212) 를, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면 (211a) 에 도전성의 박을 부착한 후, 에칭에 의해 형성하는 경우에는, 먼저, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면 (211a) 전체면에 도전성 박을 부착한다. 이어서, 이 도전성 박에 내에칭 도료를 실크 스크린법에 의해 소정의 패턴으로 인쇄한다. 통상, 안테나 (212) 는, 코일형상, 폴형상, 루프형상으로 형성되기 때문에, 내에칭 도료를, 코일형상, 폴형상, 루프형상으로 인쇄한다.
이 내에칭 도료를 건조, 고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 도전성 박 중, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 부분을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포되어 있는 부분을 베이스 기재 (211) 의 일방의 면 (211a) 에 잔존시킴으로써 안테나 (212) 를 형성한다.
이어서, 안테나 (212) 에 형성된 접점에, IC 칩 (213) 에 형성된 접점이 겹쳐지도록, 도전성의 접착제를 통해서, IC 칩 (213) 을 베이스 기재 (211) 의 일방의 면 (211a) 의 소정 위치에 탑재하고 IC 칩 (213) 에 소정의 압력을 가함으로써 IC 칩 (213) 을 베이스 기재 (211) 에 접착하여, 안테나 (212) 에 형성된 접점과 IC 칩 (213) 에 형성된 접점을 통해서 안테나 (212) 와 IC 칩 (213) 을 서로 전기 적으로 접합함으로써, 도 8B 에 나타내는 인렛 (215) 을 형성한다.
이어서, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크와, 결합제를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면에 형성된 안테나 (212) 및 IC 칩 (213), 그리고, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면의 전역을 덮도록 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정의 온도로 소정 시간, 자성 도료를 가열하여, 건조, 고화시킴으로써, 도 8C 에 나타내는 바와 같이, 베이스 기재 (211) 의 일방의 면에 형성된 안테나 (212) 및 IC 칩 (213), 그리고 베이스 기재 (211) 의 일방의 면의 전역을 덮는 자성체층 (220) 을 형성한다.
상기한 자성 도료로는, 적어도 자성체 분말 또는 자성체 플레이크와, 결합제를 유기용매에 분산하여 이루어지는 액상체가 사용된다.
이어서, 도 9A 에 나타내는 바와 같이, 제 1 수지부재를 성형하기 위해서, 오목부 (231a) 가 형성된 제 1 금형 (231) 과, 볼록부 (232a) 및 수지의 공급구 (232b) 가 형성된 제 2 금형 (232) 을, 오목부 (231a) 와 볼록부 (232a) 가 대향하도록 형이 조합된다. 이것에 의해, 제 1 금형 (231) 및 제 2 금형 (232) 에 의해서 공간 (233) 이 형성된다.
또, 제 1 금형 (231) 에 형성된 오목부 (231a) 는, 제 1 수지부재의 두께와 동일한 깊이를 이루고, 또한, 제 1 수지부재의 외형 형상과 동일한 형상을 이루고 있다.
또한, 제 2 금형 (232) 에 형성된 볼록부 (232a) 는, 제 1 수지부재에 형성 되는 오목부의 깊이와 동일한 높이를 이루고, 또한, 오목부의 형상과 동일한 외형 형상을 이루고 있다.
그리고, 제 2 금형 (232) 에 형성된 공급구 (232b) 는, 제 2 금형 (232) 의 볼록부 (232a) 가 형성되어 있는 면과는 반대측 면, 즉, 제 2 금형 (232) 의 외면에서 볼록부 (232a) 에 걸쳐 제 2 금형 (232) 을 관통하여, 제 1 금형 (231) 에 형성된 오목부 (231a) 에 대향하는 위치에 형성되어 있다.
이어서, 이 상태에 있어서, 제 2 금형 (232) 에 형성된 공급구 (232b) 로부터 제 1 수지부재를 성형하기 위해 수지를 공급하여, 제 1 금형 (231) 과 제 2 금형 (232) 에 의해 형성된 공간 (233) 에 수지를 충전해서, 도 9B 에 나타내는 바와 같이, 오목부 (222) 를 갖는 제 1 수지부재 (221) 를 성형한다.
또, 공급구 (232b) 로부터 공간 (233) 에 수지를 공급하는 방법은, 사출에 의한 방법이나 주입에 의한 방법이나 모두 가능하지만, 사출에 의한 방법이 생산 효율을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
이어서, 제 1 금형 (231) 으로부터 제 2 금형 (232) 을 분리한 후, 도 10A 에 나타내는 바와 같이, 제 1 금형 (231) 의 오목부 (231a) 내에 성형되어 제 1 수지부재 (221) 에 있어서의 제 2 금형 (232) 의 볼록부 (232a) 에 의해 형성된 오목부 (222) 에, 자성체층 (220) 의 베이스 기재 (211) 와 접하고 있는 면과는 반대측 면 (220a) 이 오목부 (222) 의 저면 (222a) 과 접하고, 자성체층 (220) 측면 (220b) 의 적어도 일부가 오목부 (222) 의 내측면 (222b) 과 접하고, 또한, 자성체층 (220) 의 적어도 일부를 수용하도록 자성체층 (220) 이 배치된 인렛 (215) 을 수용한다.
이 때, 제 1 수지부재 (221) 에 형성된 오목부 (222) 는, 인렛 (215) 의 일방의 면에 배치된 자성체층 (220) 의 두께와 동등한 깊이를 이루고, 또한, 자성체층 (220) 의 외형 형상과 동등한 형상을 이루도록 형성되어 있다. 즉, 제 2 금형 (232) 에 형성된 볼록부 (232a) 는, 자성체층 (220) 의 두께와 동등한 높이를 이루고, 또한, 자성체층 (220) 의 외형 형상과 동등한 외형 형상을 이루고 있다.
이어서, 도 10B 에 나타내는 바와 같이, 제 1 수지부재 (221) 의 오목부 (222) 에 수용된 자성체층 (220) 을 배치한 인렛 (215) 중, 제 1 수지부재 (221) 로 덮여 있지 않은 부분을 덮는 제 2 수지부재를 성형하기 위해서, 오목부 (234a) 및 수지의 공급구 (234b) 가 형성된 제 3 금형 (234) 과, 제 1 금형 (231) 을, 제 1 수지부재 (221) 의 오목부 (222) 에 수용된 자성체층 (220) 을 배치한 인렛 (215) 이 오목부 (234a) 내로 들어가도록 형을 조합한다. 이것에 의해, 인렛 (215), 제 1 수지부재 (221) 및 제 3 금형 (234) 에 의해서 공간 (235) 이 형성된다.
또, 제 3 금형 (234) 에 형성된 오목부 (234a) 는, 제 2 수지부재의 두께와 동일한 깊이를 이루고, 그리고 또한, 제 2 수지부재의 외형 형상과 동일한 형상을 이루고 있다. 또, 제 3 금형 (234) 에 형성된 공급구 (234b) 는, 제 3 금형 (234) 의 오목부 (234a) 가 형성되어 있는 면과는 반대측 면, 즉, 제 3 금형 (234) 의 외면에서부터 오목부 (234a) 에 걸쳐서 제 3 금형 (234) 을 관통하여, 제 1 금 형 (231) 과 제 3 금형 (234) 을 맞추어 조합했을 때에 제 1 금형 (231) 에 형성된 오목부 (231a) 에 대향하는 위치에 형성되어 있다.
이어서, 이 상태에 있어서, 제 3 금형 (234) 에 형성된 공급구 (234b) 로부터, 제 1 수지부재 (221) 를 성형한 수지와 동일한 수지를 공급하여, 인렛 (215), 제 1 수지부재 (221) 및 제 3 금형 (234) 에 의해서 형성된 공간 (235) 에 수지를 충전해서, 도 11A 에 나타내는 바와 같이, 제 2 수지부재 (223) 을 성형함과 함께, 제 1 수지부재 (221) 와 제 2 수지부재 (223) 를 일체화하여 케이스 (225) 를 형성하고, 이 케이스 (225) 에 의해 자성체층 (220) 을 배치한 인렛 (215) 을 봉지한다.
또, 공급구 (234b) 로부터 공간 (235) 에 수지를 공급하는 방법은, 사출에 의한 방법이나 주입에 의한 방법이나 모두 가능하지만, 사출에 의한 방법이 생산 효율을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
그 후, 제 1 금형 (231) 및 제 3 금형 (234) 을 분리시키고, 도 11B 에 나타내는 비접촉형 IC 태그 (210) 를 얻는다.
이 실시형태에서는, 제 1 수지부재 (221) 에 형성된 오목부 (222) 에, 자성체층 (220) 의 적어도 일부를 수용하도록, 자성체층 (220) 이 배치된 인렛 (215) 을 수용한 후, 제 1 수지부재 (221) 로 덮여 있지 않은 부분을 덮도록, 인렛 (215) 중 안테나 (212) 및 IC 칩 (213) 이 탑재되어 있지 않은 면측에서부터 수지를 공급하기 때문에, 수지의 공급에 의해서 IC 칩 (213) 에 직접 가해지는 압력이 저감되므로, IC 칩 (213) 이 파손되거나, 베이스 기재 (211) 상에 형성된 안테나 (212) 와 IC 칩 (213) 이 접점에서 단선되거나 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 수지의 공급에 의한 압력을 탄성체로 이루어지는 자성체층 (220) 에서 흡수할 수 있기 때문에, IC 칩 (213) 이 파손되거나, 베이스 기재 (211) 상에 형성된 안테나 (212) 와 IC 칩 (213) 이 접점 (214) 에서 단선되거나 하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
도 12A 및 도 12B 는, 본 발명에 관련된 제 5 실시형태인 비접촉형 IC 태그를 나타내는 개략도로, 도 12A 는 내부 구조를 나타내는 평면도, 도 12B 는 도 12A 의 B-B 선에 따른 단면도이다.
도 12A 및 도 12B 에 있어서, 부호 240 은 비접촉형 IC 태그, 241 는 베이스 기재, 242 는 안테나, 243 은 IC 칩, 244 는 접점, 245 는 인렛, 250 은 자성체층, 251 은 제 1 수지부재, 252 는 오목부, 253 은 제 2 수지부재, 255 는 케이스를 각각 나타내고 있다.
이 비접촉형 IC 태그 (240) 는, 베이스 기재 (241) 와 그 일방의 면 (241a) 에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 (242) 및 IC 칩 (243) 으로 이루어지는 인렛 (245) 과, 이 인렛 (245) 을 구성하는 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 을 덮도록 배치되는 자성체층 (250) 과, 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 을 감싸도록 형성된 제 1 수지부재 (251) 및 제 2 수지부재 (253) 로 이루어지는 케이스 (255) 로 개략 구성되어 있다.
비접촉형 IC 태그 (240) 에서는, 안테나 (242) 가, 베이스 기재 (241) 의 일방의 면에 코일형상으로 형성되고, 그 양단이 접점 (244) 에 의해서 IC 칩 (243) 에 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 자성체층 (250) 은, 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 의 전역을 덮도록 배치되어 있다.
제 1 수지부재 (251) 는, 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 의 적어도 일부, 즉, 인렛 (245) 을 구성하는 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 을 덮는 자성체층 (250) 의 적어도 일부를 수용하기 위해서 충분한 크기의 오목부 (252) 를 갖고 있다. 그리고, 자성체층 (250) 의 베이스 기재 (241) 와 접하고 있는 면과는 반대측 면 (250a) 이 오목부 (252) 의 저면 (252a) 과 접하고, 또한, 자성체층 (250) 의 측면 (250b) 의 적어도 일부가 오목부 (252) 의 내측면 (252b) 과 접하도록 자성체층 (250) 의 적어도 일부가 오목부 (252) 에 수용되고, 자성체층 (250) 의 적어도 일부가 제 1 수지부재 (251) 로 덮여 있다. 또한, 제 2 수지부재 (253) 는, 제 1 수지부재 (251) 와 대향하고, 또한, 제 1 수지부재 (251) 와 연속하도록 배치되어, 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 중, 제 1 수지부재 (251) 로 덮여 있지 않은 부분, 즉, 베이스 기재 (241) 의 일방의 면 (241a) 에 형성된 안테나 (242) 및 IC 칩 (243), 그리고, 베이스 기재 (241) 의 일방의 면 (241a) 의 전역을 덮어, 안테나 (242) 나 IC 칩 (243) 에 의해 형성되는 간극을 메우고 있다. 이것에 의해, 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 이 제 1 수지부재 (251) 및 제 2 수지부재 (253) 로 이루어지는 케이스 (255) 에 의해서 봉지된 구조로 되어 있다.
베이스 기재 (241) 로는, 상기의 베이스 기재 (211) 와 동일한 것을 들 수 있다. 안테나 (242) 는, 상기의 안테나 (212) 를 형성하는 도전체와 동일한 것으로 형성되어 있다. IC 칩 (243) 으로는, 상기의 IC 칩 (213) 과 동일한 것을 들 수 있다.
자성체층 (250) 은, 상기의 자성체층 (220) 과 동일하게, 결합제와, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크로 이루어지는 복합체이다.
이 복합체에 있어서는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 결합제에 거의 균일하게 분산되어 있어, 자성체층 (250) 는, 그 전역에 걸쳐 균일하게 자성체로서 기능한다. 또한, 자성체층 (250) 은 상기한 바와 같은 탄성을 갖는 결합제를 함유하기 때문에, 탄성체로서도 기능한다.
제 1 수지부재 (251) 및 제 2 수지부재 (253) 를 형성하는 재료로는, 상기의 제 1 수지부재 (221) 및 제 2 수지부재 (223) 를 형성하는 재료와 동일한 것을 들 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 안테나 (242) 를 베이스 기재 (241) 의 일방의 면 (241a) 에 코일형상으로 형성한 인렛 (245) 을 예시하였지만, 본 발명의 반도체 장치는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 인렛을 구성하는 안테나가 베이스 기재 상에 폴형상, 루프형상으로 형성되어 있어도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 자성체층 (250) 이, 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 의 전역을 덮도록 배치되어 있는 예를 나타내었지만, 본 발명의 반도체 장치는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 적어도 베이스 기재의 일방의 면에 형성된 안테나 및 IC 칩과 겹쳐지도록, 베이스 기재의 타방의 면에 자성체층이 배치되어 있으면 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 자성체층 (250) 의 베이스 기재 (241) 와 접하고 있는 면과는 반대측 면 (250a) 및 측면 (250b) 의 일부가 제 1 수지부재 (251) 로 덮여 있는 예를 나타내었지만, 본 발명의 반도체 장치는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 반도체 장치에 있어서는, 제 1 수지부재에 의해서 자성체층의 측면의 전부, 또는, 자성체층의 측면의 전부 및 베이스 기재의 측면의 일부 또는 전부가 덮여 있어도 된다.
이 실시형태의 비접촉형 IC 태그 (240) 에서는, 인렛 (245) 을 구성하는 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 의 전역을 덮도록 자성체층 (250) 이 형성되고, 자성체층 (250) 이 결합제와, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크로 이루어지는 복합체로, 탄성체로서 기능하며, 안테나 (242) 나 IC 칩 (243) 에 의해 형성되는 간극이 제 2 수지부재 (253) 로 메워져 있기 때문에, 외부로부터의 충격을 자성체층 (250) 에 의해 흡수할 수 있을 뿐 아니라, 외부로부터의 충격에 의해 안테나 (242) 나 IC 칩 (243) 이 진동하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 안테나 (242) 및 IC 칩 (243) 이 파괴되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 비접촉형 IC 태그 (240) 에서는, 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 을 감싸도록 수지로 이루어지는 케이스 (255) 가 형성되고, 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 의 전역을 덮도록 연질 자성 재료로 이루어지는 자성체층 (250) 이 형성되고, 안테나 (242) 나 IC 칩 (243) 에 의해 형성되는 간극이 제 2 수지부재 (253) 로 메워져 있기 때문에, 비접촉형 IC 태그 (240) 를 구부린 경우 에는, 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 전체에 균일하게 힘이 가해지므로, 비접촉형 IC 태그 (240) 는 가요성을 갖는 것으로 할 수 있다.
그리고, 비접촉형 IC 태그 (240) 에서는, 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 을 덮도록 형성된 자성체층 (250) 이 자성체로서도 기능하므로, 자속이 자성체층 (250) 을 거쳐 안테나 (242) 에 포착되기 때문에, 정보 기록/판독 장치로부터의 전자 유도에 의해, 안테나 (242) 에 IC 칩 (243) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층 (250) 은 베이스 기재 (241) 의 두께보다 얇게 형성되어 있어도 충분히 기능하기 때문에, 자성체층 (250) 과 인렛 (245) 을 합한 두께를 얇게 할 수 있으므로, 종래의 비접촉형 IC 태그보다 두께를 얇게 할 수 있다.
다음으로, 도 13A 에서 도 16B 를 참조하여, 본 발명에 관련된 제 6 실시형태로서, 상기의 비접촉형 IC 태그 (240) 의 제조 방법을 설명한다.
이 실시형태에서는, 먼저, 베이스 기재 (241) 의 일방의 면 (241a) 에 스크린 인쇄에 의해 도전성 페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄한 후, 도전성 페이스트를 건조시키거나, 또는, 도전성의 박을 부착한 후, 에칭함으로써, 도 13A 에 나타내는 바와 같은 소정의 패턴을 이루는 안테나 (242) 를 형성한다.
이어서, 안테나 (242) 에 형성된 접점에 IC 칩 (243) 에 형성된 접점이 겹쳐지도록, 도전성의 접착제를 통해서, IC 칩 (243) 을 베이스 기재 (241) 의 일방의 면 (241a) 의 소정 위치에 탑재하고, IC 칩 (243) 에 소정의 압력을 가함으로써 IC 칩 (243) 을 베이스 기재 (241) 에 접착하여, 안테나 (242) 에 형성된 접점과 IC 칩 (243) 에 형성된 접점을 통해서 안테나 (242) 와 IC 칩 (243) 을 서로 전기적으로 접합함으로써, 도 13B 에 나타내는 인렛 (245) 을 형성한다.
이어서, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크와, 결합제를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 의 전역을 덮도록 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정의 온도로, 소정 시간, 자성 도료를 가열하여 건조, 고화시킴으로써, 도 13C 에 나타내는 바와 같이, 베이스 기재 (241) 의 타방의 면 (241b) 의 전역을 덮는 자성체층 (250) 을 형성한다.
상기의 자성 도료로는, 적어도 자성체 분말 또는 자성체 플레이크와, 결합제를 유기용매에 분산하여 이루어지는 액상체가 사용된다.
이어서, 도 14A 에 나타내는 바와 같이, 제 1 수지부재를 성형하기 위해서, 오목부 (261a) 가 형성된 제 1 금형 (261) 과, 볼록부 (262a) 및 수지의 공급구 (262b) 가 형성된 제 2 금형 (262) 을, 오목부 (261a) 와 볼록부 (262a) 가 대향하도록 형이 조합된다. 이것에 의해, 제 1 금형 (261) 및 제 2 금형 (262) 에 의해서 공간 (263) 이 형성된다.
또, 제 1 금형 (261) 에 형성된 오목부 (261a) 는, 제 1 수지부재의 두께와 동일한 깊이를 이루고, 또한, 제 1 수지부재의 외형 형상과 동일한 형상을 이루고 있다.
또, 제 2 금형 (262) 에 형성된 볼록부 (262a) 는, 제 1 수지부재에 형성되는 오목부의 깊이와 동일한 높이를 이루고, 또한, 오목부의 형상과 동일한 외형 형 상을 이루고 있다.
그리고, 제 2 금형 (262) 에 형성된 공급구 (262b) 는, 제 2 금형 (262) 의 볼록부 (262a) 가 형성되어 있는 면과는 반대측 면, 즉, 제 2 금형 (262) 의 외면에서 볼록부 (262a) 에 걸쳐 제 2 금형 (262) 을 관통하여, 제 1 금형 (261) 에 형성된 오목부 (261a) 에 대향하는 위치에 형성되어 있다.
이어서, 이 상태에 있어서, 제 2 금형 (262) 에 형성된 공급구 (262b) 로부터 제 1 수지부재를 성형하기 위해 수지를 공급하여, 제 1 금형 (261) 과 제 2 금형 (262) 에 의해 형성된 공간 (263) 에 수지를 충전해서, 도 14B 에 나타내는 바와 같이, 오목부 (252) 를 갖는 제 1 수지부재 (251) 를 성형한다.
또, 공급구 (262b) 로부터 공간 (263) 에 수지를 공급하는 방법은, 사출에 의한 방법이나 주입에 의한 방법이나 모두 가능하지만, 사출에 의한 방법이 생산 효율을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
이어서, 제 1 금형 (261) 으로부터 제 2 금형 (262) 을 분리한 후, 도 15A 에 나타내는 바와 같이, 제 1 금형 (261) 의 오목부 (261a) 내에 성형되어 제 1 수지부재 (251) 에 있어서의 제 2 금형 (262) 의 볼록부 (262a) 에 의해 형성된 오목부 (252) 에, 자성체층 (250) 의 베이스 기재 (241) 와 접하고 있는 면과는 반대측 면 (250a) 이 오목부 (252) 의 저면 (252a) 과 접하고, 자성체층 (250) 측면 (250b) 의 적어도 일부가 오목부 (252) 의 내측면 (252b) 과 접하고, 또한, 자성체층 (250) 의 적어도 일부를 수용하도록 자성체층 (250) 이 배치된 인렛 (245) 을 수용한다.
이 때, 제 1 수지부재 (251) 에 형성된 오목부 (252) 는, 인렛 (245) 의 타방의 면 (241b) 에 배치된 자성체층 (250) 의 두께와 동등한 깊이를 이루고, 또한, 자성체층 (250) 의 외형 형상과 동등한 형상을 이루도록 형성되어 있다. 즉, 제 2 금형 (262) 에 형성된 볼록부 (262a) 는, 자성체층 (250) 의 두께와 동등한 높이를 이루고, 또한, 자성체층 (250) 의 외형 형상과 동등한 외형 형상을 이루고 있다.
이어서, 도 15B 에 나타내는 바와 같이, 제 1 수지부재 (251) 의 오목부 (252) 에 수용된 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 중, 제 1 수지부재 (251) 로 덮여 있지 않은 부분을 덮는 제 2 수지부재를 성형하기 위해서, 오목부 (264a) 및 수지의 공급구 (264b) 가 형성된 제 3 금형 (264) 과, 제 1 금형 (261) 을, 제 1 수지부재 (251) 의 오목부 (252) 에 수용된 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 이 오목부 (264a) 내로 들어가도록 형을 조합한다. 이것에 의해, 인렛 (245), 제 1 수지부재 (251) 및 제 3 금형 (264) 에 의해서 공간 (265) 이 형성된다.
또, 제 3 금형 (264) 에 형성된 오목부 (264a) 는, 제 2 수지부재의 두께와 동일한 깊이를 이루고, 그리고 또한, 제 2 수지부재의 외형 형상과 동일한 형상을 이루고 있다. 또, 제 3 금형 (264) 에 형성된 공급구 (264b) 는, 제 3 금형 (264) 의 오목부 (264a) 가 형성되어 있는 면과는 반대측 면, 즉, 제 3 금형 (264) 의 외면에서부터 오목부 (264a) 에 걸쳐서 제 3 금형 (264) 을 관통하여, 제 1 금형 (261) 과 제 3 금형 (264) 을 맞추어 조합했을 때에 제 1 금형 (261) 에 형성된 오목부 (261a) 에 대향하는 위치에 형성되어 있다.
이어서, 이 상태에 있어서, 제 3 금형 (264) 에 형성된 공급구 (264b) 로부터, 제 1 수지부재 (251) 를 성형한 수지와 동일한 수지를 공급하여, 인렛 (245), 제 1 수지부재 (251) 및 제 3 금형 (264) 에 의해서 형성된 공간 (265) 에 수지를 충전해서, 도 16A 에 나타내는 바와 같이, 제 2 수지부재 (253) 을 성형함과 함께, 제 1 수지부재 (251) 와 제 2 수지부재 (253) 를 일체화하여 케이스 (255) 를 형성하고, 이 케이스 (255) 에 의해 자성체층 (250) 을 배치한 인렛 (245) 을 봉지한다.
또, 공급구 (264b) 로부터 공간 (265) 에 수지를 공급하는 방법은, 사출에 의한 방법이나 주입에 의한 방법이나 모두 가능하지만, 사출에 의한 방법이 생산 효율을 향상시킬 수 있기 때문에 바람직하다.
그 후, 제 1 금형 (261) 및 제 3 금형 (264) 을 분리시키고, 도 16B 에 나타내는 비접촉형 IC 태그 (240) 를 얻는다.
이 실시형태에서는, 제 1 수지부재 (251) 에 형성된 오목부 (252) 에, 자성체층 (250) 의 적어도 일부를 수용하도록, 자성체층 (250) 이 배치된 인렛 (245) 을 수용한 후, 제 1 수지부재 (251) 로 덮여 있지 않은 부분을 덮도록, 인렛 (245) 중 안테나 (242) 및 IC 칩 (243) 이 탑재되어 있지 않은 면측에서부터 수지를 공급하는데, 탄성체로 이루어지는 자성체층 (250) 이 충격 흡수재로서 기능하여, 수지의 공급에 의해서 IC 칩 (243) 에 직접 가해지는 압력을 분산시키기 때문에, IC 칩 (243) 이 파손되거나, 베이스 기재 (241) 상에 형성된 안테나 (242) 와 IC 칩 (243) 이 접점에서 단선되거나 하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체 및 그 제조 방법 그리고 제조 장치의 실시형태에 관해서 도면을 사용하여 설명한다.
또, 이 형태는, 발명의 취지를 보다 잘 이해하기 위해서 구체적으로 설명하는 것으로, 특별히 지정이 없는 한 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
도 18 은, 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제 7 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체는 이하의 구성으로 이루어진다.
(1) 베이스 기재 (3102) 의 일방의 면에 인렛 (3109) 을 형성한다는 것은, 인렛 (3109) 을 구성하는 안테나 (3103) 와 IC 칩 (3104) 이 베이스 기재 (3102) 의 양쪽 면에 형성되는 것은 아니고, 임의의 한쪽의 면에 형성되는 것이다.
(2) 인렛 (3109) 을 구성하는 안테나 (3103) 와 IC 칩 (3104) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (3103) 의 단부가 IC 칩 (3104) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
(3) 자성체층 (3105) 을 형성하는, 결합제와 자성체 분말 또는 자성체 플레이크로 이루어지는 복합체가, 인렛 (3109) 을 구성하는 안테나 (3103) 및 IC 칩 (3104) 을 덮도록이란, 안테나 (3103) 와 IC 칩 (3104) 이 간신히 가려질 정도로 덮는 것을 의미하고, 자성체층 (3105) 의 표면 (개방면) 이 평탄해지도록 덮는 것이 보다 바람직하다.
도 19 는, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제 8 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체는 이하의 구성으로 이루어진다.
(1) 베이스 기재 (302) 의 일방의 면에 인렛 (309) 을 형성한다는 것은, 인렛 (309) 을 구성하는 안테나 (303) 와 IC 칩 (304) 이 베이스 기재 (302) 의 양쪽의 면에 형성되는 것은 아니고, 임의의 한쪽의 면에 형성되는 것이다.
(2) 인렛 (309) 을 구성하는 안테나 (303) 와 IC 칩 (304) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (303) 의 단부가 IC 칩의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
(3) 자성체층 (305) 을 형성하는, 결합제와 자성체 분말 또는 자성체 플레이크로 이루어지는 복합체가, 인렛 (309) 을 구성하는 안테나 (303) 및 IC 칩 (304) 을 덮도록이란, 안테나 (303) 와 IC 칩 (304) 이 간신히 가려질 정도로 덮는 것을 의미하고, 자성체층 (3105) 의 표면 (개방면) 이 평탄해지도록 덮는 것이 보다 바람직하다.
(4) 박리지 (306) 가 자성체층 (305) 을 통해서 형성된다는 것은, 박리지 (306) 와 자성체층 (305) 이 직접 접하고 있어도 되고, 접착제층을 통해서 박리지 (306) 가 자성체층 (305) 에 부착되어 있어도 된다.
(5) 베이스 기재 (302) 의 타방의 면이란, 안테나 (303) 와 IC 칩 (304) 이 형성된 면과는 반대측의 면이다.
(6) 베이스 기재 (302) 의 타방의 면에 접착제층 (307) 을 통해서 형성된 상부재 (308) 에 관해서는, 접착제층 (307) 을 베이스 기재 (302) 와 상부재 (308) 사이에 형성하여 상부재 (308) 를 형성해도 되고, 인렛 (309) 의 양측면과 베이스 기재 (302) 의 상측을 덮도록 접착제층 (307) 을 형성하여, 베이스 기재 (302) 의 상측에 상부재 (308) 를 붙여도 된다.
이들 실시형태에 있어서의 베이스 기재 (302, 3102) 는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 무기 또는 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 또는 이들을 조합한 것, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 (PET, PEN 등) 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌·비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 (PVC 등) 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 (PC) 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리 및 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용할 수 있다. 이들 중, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (303, 3103) 는, 베이스 기재 (302, 3102) 의 일방의 면에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄하거나 또는 도전성 박을 에칭함으로써 형성할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 폴리머형 도전 잉크의 예로는, 은 분말, 금 분말, 백 금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐, 로듐 등의 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자를 수지 조성물에 배합한 것을 일반적으로 들 수 있다. 이 수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 도막을 얻을 수 있고, 얻어진 도막의 전기가 흐르는 경로는 도전 미립자의 접촉에 의한 것으로, 10-5Ω·cm 오더의 저항치가 얻어진다.
또한, 본 발명의 폴리머형 도전 잉크는 열경화형의 것 외에, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다. 또, 광경화성 수지를 수지 조성물에 포함하면, 경화 시간을 단축하여 효율을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 도전 미립자를 60질량% 이상 함유하고, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물로 하여, 폴리에스테르 수지를 10질량% 이상 함유하는 것, 즉 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용 (단 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것이나, 도전 미립자를 50질량% 이상 함유하고, 가교성 수지 (에폭시 수지의 페놀 경화계, 또는 에폭시 수지의 술포늄염 경화계 등) 만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지의 블렌드 수지 조성물로 한 것, 즉 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다. 또한, 안테나부 등의 도전 회로에 있어서 내절곡성이 더욱 요구되는 경우에는, 본 발명에서 사용하는 폴리머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합할 수 있다. 본 발명에서 사용하는 가요성 부여제로는, 구체적으로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 가요성 부여제, 아 크릴계 가요성 부여제, 우레탄계 가요성 부여제, 폴리아세트산비닐계 가요성 부여제, 열가소성 엘라스토머계 가요성 부여제, 천연 고무계 가요성 부여제, 합성 고무계 가요성 부여제 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 예시할 수 있다.
안테나 코일 (303. 3103) 을 에칭에 의해 형성하는 경우에는, 전기 절연성의 베이스 기재 (302) 의 일방의 면 전체면에 동박을 접착시킨 것을 준비한다. 그리고, 이 동박에 내에칭 도료를 실크 스크린법에 의해, 원하는 패턴으로 인쇄한다. 통상, 안테나 코일 (303, 3103) 은 소용돌이 형상 또는 직사각형 형상으로 형성되기 때문에, 내에칭 도료는 소용돌이 형상 또는 직사각형 형상으로 인쇄된다. 그런 다음에, 이 내에칭 도료를 건조 고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재의 일방의 면에 잔존시켜서, 안테나 코일 (303, 3103) 이 형성된다.
다음으로, 베이스 기재 (302, 3012) 의 의 소정 위치에 도전성 접착제 (도시 생략) 를 통해서 IC 칩 (304, 3104) 을 탑재하고, IC 칩 (304, 3104) 에 소정의 압력을 가함으로써 IC 칩 (304, 3104) 과 베이스 기재 (302, 3102) 를 접착제 (도시 생략) 에 의해서 접착하고, IC 칩 (304, 3104) 의 이면에 형성된 접점에 있어서 안테나 (303, 3103) 와 IC 칩 (304, 3104) 을 전기적으로 접속한다.
자성체층 (305, 3105) 을 형성하는 복합체는, 결합제와 자성체 분말 또는 자성체 플레이크를 포함하는 자성 도료를 도포 건조시킴으로써, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크 자체가 이산 성형된다. 또, 상기 자성 도료는, 추가로 접착제를 포함하는 형태로 하면, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크의 결착성을 높임과 함 께, 물품에 부착할 수 있기 때문에 바람직하다.
여기서, 자성 도료에 함유시키는 자성 재료의 분말로는, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등이 사용된다. 자성 재료의 플레이크로는, 상기 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크를 사용한다.
본 실시형태에 있어서 결합제로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등이 사용가능하고, 열가소성 수지의 예로는, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 수지 또는 반응형 수지의 예로는 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
이들 자성 도료를 사용하여, 스크린 인쇄법 등에 의해, 베이스 기재 (302, 3102) 의 일방의 면에 있어서, 안테나 (303, 3103) 와 IC 칩 (304, 3104) 이 간신히 가려질 정도로 도포해도 되고, 충분히 가려질 정도로 도포해도 된다. 자성체층 (305, 3105) 을 도포 후 실온 방치하거나, 또는 소정 온도와 시간으로 가열하여 건조 고화시킴으로써 자성체층 (305, 3105) 을 가진 인렛 (309, 3109) 이 형성된다.
계속되어, 사지가 부착된 박리지를 준비하고, 사지를 제거하여 노출된 박리지의 일방의 면에 상기 자성체층 (305) 을 통해서 인렛 (309) 을 부착한다.
이 후, 베이스 기재 (302) 의 타방의 면 (안테나 (303) 나 IC 칩 (304) 이 형성되어 있지 않은 면) 에, 이면에 접착제층 (307) 이 형성된 상부재 (308) 를 동접착제층 (307) 을 통해서 부착함으로써 본원 발명의 비접촉형 데이터 수송신체가 얻어진다.
이하, 본 발명의 제 9 실시형태인 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법과 제조 장치에 관해서 설명한다.
도 20 은, 본 발명의 실시형태에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 또, 이하에 있어서 인렛이란, 자성체층이 형성되어 있는 인렛을 의미하고 있다.
본 실시형태의 제조 장치는, 장척상의 박리지에 사지가 부착된 제 1 연속 용 지 (320) 를 공급하는 제 1 수단 (321) 을 구비하고 있다.
제 1 수단 (321) 으로부터 공급된 제 1 연속 용지 (320) 는, 표층의 사지 (320a) 가 박리되어 제 2 수단 (322) 에 감겨진 후, 인렛을 부착하는 제 3 수단 (323) 으로 보내진다.
이하에서는, 상기 서술한 도 20 의 제 3 수단의 구체예를 도 21 에 기초하여 상세히 설명한다.
도 20 의 제 3 수단의 예로는, 도 21 에 나타내는 바와 같이, 스태커 (유지 수단: 331), 인렛 인출기 (인출 수단: 332), 이동 수단, 이동 가압 수단으로 이루어지는 구성을 들 수 있다.
[유지 수단, 인출 수단]
도 21 에 나타내는 제 3 수단 (323) 은, 다수의 인렛 (330) (도 19 의 309 에 상당) 을 연직방향으로 겹쳐 쌓은 상태로 유지하는 스태커 (유지 수단: 331) 를 구비하고 있다. 스태커 (331) 의 하방에는, 다수의 IC 인렛 (330) 으로부터 인렛 (330) 을 1장씩 꺼내기 위한 인렛 인출기 (332) 가 형성되어 있다. 인렛 인출기 (332) 는 연직방향을 따라서 왕복 이동가능하게 구성되고, 그 선단 헤드 (332a) 가 스태커 (331) 에 겹쳐 쌓아진 다수의 인렛 (330) 의 가장 하측에 위치하는 인렛 (330) 을 흡인 작용에 의해 순차적으로 인출한다 (꺼낸다).
[인출 수단]
여기서, 인렛 (330) 의 하측면은, 제 1 연속 용지 (320) 의 박리지 (320b) 상에 부착되는 면으로서 평탄하게 형성되어 있다. 따라서, 인렛 인출기 (332) 의 선단 헤드 (332a) 가 인렛 (330) 하측면의 중앙부분을 충분한 흡인력으로 흡인하여, 스태커 (331) 로부터 인렛 (330) 을 1장씩 확실히 인출할 수 있다. 이 때, 인렛 (330) 이 순간적으로 휘게 되는데, IC 모듈 및 안테나는 인렛 (330) 의 중앙부분으로부터 떨어져서 위치 결정되어 있기 때문에, 선단 헤드 (332a) 의 흡인에 의해서 손상을 받는 일은 없다. 또한, 다수의 인렛 (330) 의 가장 하측으로부터 순차적으로 인출하는 구성이기 때문에, 작업의 도중에서도 인렛 (330) 을 스태커 (331) 에 수시 공급할 수 있다.
[이동 수단]
인렛 인출기 (332) 에 의해서 스태커 (331) 로부터 인출된 인렛 (330) 은, 레일부재 (333) 에 형성된 안내홈 (333a) 중에 탑재된다. 또, 안내홈 (333a) 의 폭치수는, 인렛 (330) 의 대응하는 치수보다 약간 크게 설정되어 있다. 그리고, 인렛 인출기 (332) 는, 레일부재 (333) 에 형성된 연직방향의 관통구멍 (333b) 을 통해서 스태커 (331) 에 접근할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 제 3 수단 (323) 은, 레일부재 (333) 의 안내홈 (333a) 중에 위치 결정되어 안내홈 (333a) 을 따라서 왕복 이동가능한 압출용 블록 (334) 을 구비하고 있다.
예를 들어 에어 실린더에 의해 구동되는 압출용 블록 (334) 은, 안내홈 (333a) 을 따라서 도면 중 우측으로 이동함으로써, 스태커 (331) 로부터 인출되어 안내홈 (333a) 중에 탑재된 인렛 (330) 을, 그 선단이 안내홈 (333a) 의 맞댐부 (333c) 에 거의 맞닿을 때까지 송급한다. 이와 같이, 레일부재 (333) 및 압출용 블록 (334) 은, 다수의 인렛 (330) 으로부터 꺼내진 인렛 (330) 을 소정 위치까 지 이동시키기 위한 이동 수단을 구성하고 있다. 또한, 스태커 (유지 수단: 331) 와 인렛 인출기 (인출 수단: 332) 와 레일부재 (333) 및 압출용 블록 (334: 이동 수단) 은, 다수의 인렛 (330) 으로부터 인렛 (330) 을 1장씩 선택적으로 꺼내어 소정 위치로 순차적으로 송급하기 위한 송급 수단을 구성하고 있다.
[이동 가압 수단]
그리고, 제 3 수단 (323) 은, 안내홈 (333a) 의 맞댐부 (333c) 에 선단이 거의 맞닿도록 위치 결정된 인렛 (330) 을 흡인 작용에 의해 흡착 파지하기 위한 흡입 블록 (335) 을 구비하고 있다. 흡입 블록 (335) 은 인렛 (330) 의 직사각형 형상에 대응한 입방체 형상을 갖고, 그 하측면에는 완충재로서의 스폰지 (335a) 가 장착되어 있다. 또한, 흡입 블록 (335) 의 하측면 중앙에는, 인렛 (330) 을 흡착 파지하기 위한 흡인구 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
예를 들어 에어 실린더에 의해 구동되는 흡입 블록 (335) 은, 연직방향 및 안내홈 (333a) 에 따른 수평방향으로 이동가능하게 구성되어 있다. 이렇게 해서, 안내홈 (333a) 의 맞댐부 (333c) 에 선단이 거의 맞닿도록 위치 결정된 인렛 (330) 을 향해서 흡입 블록 (335) 이 하강하여, 인렛 (330) 이 흡입 블록 (335) 의 하측면에 흡착 파지된다. 이 때, 인렛 (330) 의 중앙부분에는 흡입 블록 (335) 으로부터의 흡인력이 작용하지만, 스폰지 (335a) 의 완충 작용에 의해 인렛 (330) 이 흡인력에 기인하여 손상을 받는 일이 없다.
인렛 (330) 을 흡착 파지한 흡입 블록 (335) 은 상승한 후, 도면 중 수평방향을 따라서 제 1 연속 용지 (320) 의 박리지 (320b) 의 상방까지 이동한다. 이 때, 흡입 블록 (335) 은, 도시를 생략한 수평 가이드를 따라서 횡이동하고, 예를 들어 도시를 생략한 스토퍼의 작용에 의해 박리지 (320b) 상방의 소정 위치에서 정지한다. 그 후, 흡입 블록 (335) 이 하강하여, 흡착 파지한 인렛 (330) 을 박리지 (320b) 의 표면에 가압한다.
또, 제 1 연속 용지 (320) 는, 그 사지 (320a) 가 박리된 상태에서, 박리지 (320b) 가 노출되어 있다. 따라서, 흡입 블록 (335) 이 인렛 (330) 을 박리지 (320b) 의 표면에 가압함과 함께 흡인 동작을 정지함으로써, 인렛 (330) 이 박리지 (320b) 의 표면에 부착되게 된다. 이와 같이, 흡입 블록 (335) 은, 소정의 위치로 송급된 인렛 (330) 을 이동시켜 제 1 연속 용지 (320) 의 박리지 (320b) 표면에 순차적으로 가압하기 위한 이동 가압 수단을 구성하고 있다.
한편, 제 1 연속 용지 (320) 는, 그 용지 (320b) 표면의 일방측에 형성된 타이밍 마크 (320d) 를 센서 (도시 생략) 가 판독함으로써, 길이방향을 따라서 간헐적으로 반송된다. 이렇게 해서, 상기 서술한 인렛 부착 동작과 간헐적인 반송 동작을 반복함으로써, 인렛 (330) 이 박리지 (320b) 의 표면 상에 소정 피치로 간격을 두고 순차적으로 부착된다.
또, 도 21 에서는, 도면의 명료화를 위해, 1개의 송급 수단과 1개의 이동 가압 수단으로 이루어지는 1개의 인렛 부착 기구만을 나타내고 있지만, 연속 용지 (320) 의 흐름 방향 (공급 방향) 을 따라서 인렛 부착 기구를 복수 열로 배치할 수도 있다. 이 경우, 인렛 부착 기구의 수와 동일한 수의 인렛 (330) 을 박리지 (320b) 의 표면에 동시에 부착할 수 있다.
또한, 박리지 (320b) 의 표면에 동시에 부착되는 복수의 인렛 (330) 의 간격을 조정할 수 있도록, 복수의 인렛 부착 기구의 제 1 연속 용지 (320) 의 흐름 방향에 따른 간격이 조정가능하게 구성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 다양한 사이즈의 인렛 (330) 에 대응할 수 있도록 복수의 인렛 부착 기구를 구성할 수도 있다.
다시 도 20 을 참조하면, 제 3 수단 (323) 을 통해서 인렛 (330) 이 간격을 두고 순차적으로 부착된 제 1 연속 용지 (320) 는, 한 쌍의 본딩 롤러 (327a 와 327b) 로 구성된 제 5 수단 (327) 으로 보내진다. 한편, 본 실시형태의 제조 장치는, 제 2 연속 용지 (324) 로서, 예를 들어 상부재에 접착제층을 통해서 사지가 부착된 제 2 연속 용지 (324) 를 공급하기 위한 제 4 수단 (325) 을 구비하고 있다. 제 2 연속 용지 (324) 는 3층 구조로 되어 있고, 상측에 형성된 사지 (324a) 와, 하측에 형성된 상부재 (324b) 가 접착제층에 의해 접착되어 있다. 여기서, 상부재 (324b) 는 비접촉형 데이터 수송신체 (301) 의 커버 용지를 구성한다.
제 4 수단 (325) 으로부터 공급된 제 2 연속 용지 (324) 는, 그 사지 (324a) 가 박리되어 감기 수단 (326) 에 감겨진 후, 제 5 수단 (327) 으로 보내진다. 또, 사지 (324a) 가 박리된 상태로, 제 2 연속 용지 (324b) 의 표면 (사지 (324a) 와 접하고 있던 면) 에는 접착제층이 노출되어 있다. 이렇게 해서, 제 5 수단 (327) 에서는, 박리지 (320b) 와 제 2 연속 용지 (324) 가 한 쌍의 본딩 롤러 (327a 와 327b) 사이를 통과함으로써, 제 2 연속 용지 (324b) 의 접착층과, 박리지 (320b) 의 인렛 (330) 이 부착된 면이 포개지고 붙는다.
여기서, 한 쌍의 본딩 롤러 (327a 와 327b) 사이를 통과할 때의 인렛 (330) 에 대한 부하를 경감시키기 위해서, 즉 인렛 (330) 에 작용하는 닙압을 경감시키기 위해, 본딩 롤러 (327a 및 327b) 중 적어도 일방에 완충재로서의 스폰지 (도시 생략) 가 감겨 있다. 또한, 제 5 수단 (327) 보다 하류측에 형성된 각 가이드 롤러에서는, 비교적 굽힘 변형에 약한 특성을 갖는 인렛 (330) 에 작용하는 굽힘 응력을 경감시키기 위해, 롤러직경을 비교적 큰 값 (예를 들어 약 80㎜ 의 직경) 으로 설정하고 있다.
제 5 수단 (327) 을 통해서 서로 포개지고 붙은 복합 용지 (320b, 324b) 는 제 6 수단 (328) 으로 보내진다. 제 6 수단 (328) 에서는, 1개의 비접촉형 데이터 수송신체의 외형 형상을 따라서 다이컷되고, 다이컷된 복합 용지 (320b, 324b) 의 불필요부분 (비접촉형 데이터 수송신체 영역 이외의 박리지 (320b) 및 용지 (324b)) 은 감기 수단 (329) 에 감겨진다.
이상과 같이, 본 실시형태에서는, 제 3 수단 (323) 에 있어서, 다수의 인렛 (330) 으로부터 인렛 (330) 을 1장씩 선택적으로 꺼내어 소정 위치로 순차적으로 송급하고, 소정의 위치로 송급된 인렛 (330) 을 이동시켜 제 1 연속 용지 (320) 의 박리지 (320b) 표면에 가압함으로써, 자성체층에 접착성이 있기 때문에, 순차적으로 부착할 수 있다. 따라서, 인렛 (330) 을 용지에 끼워 넣는 작업을 수작업에 의지하지 않고 자동적으로 실시하여, 대량의 비접촉형 데이터 수송신체 (301) 를 효율적으로 또한 고품질로 제조할 수 있다.
또, 본 실시형태의 도 21 은, 카세트식으로 인렛 (330) 을 공급하고 있지만, 물론, 연속식으로 공급하고, 커터 등에 의해 절단하는 방식을 채용해도 된다. 또한, 자성체층은 인라인으로 도포 건조시켜 형성해도 된다.
이하, 본 발명을 실시한 비접촉형 데이터 수송신체에 관해서 상세하게 설명한다.
도 22 는, 본 발명에 관련된 제 10 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 는, 베이스 기재 (411) 와, 그 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 (412) 및 IC 칩 (413) 으로 이루어지는 인렛 (414) 과, 이들 안테나 (412) 및 IC 칩 (413) 을 덮도록 배치되는 자성체층 (415) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 안테나 (412) 는, 회로를 형성하루는 코일부 (412a), 및, 코일부 (412a) 와 IC 칩 (413) 을 접속하기 위한 접점 (도시 생략) 으로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (410) 에 있어서, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에 인렛 (414) 을 형성한다는 것은, 인렛 (414) 을 구성하는 안테나 (412) 와 IC 칩 (413) 이 베이스 기재 (411) 의 양쪽 면에 형성되는 것은 아니고, 임의의 한쪽의 면에 형성되는 것이다. 또한, 안테나 (412) 는, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에 소정의 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다. 또, IC 칩 (413) 의 두께는 안테나 (412) 의 두께보다 두껍게 되어 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 에 있어서, 인렛 (414) 을 구성하는 안테나 (412) 와 IC 칩 (413) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (412) 의 단부가 IC 칩 (413) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
또, 자성체층 (415) 을 형성하고, 자성 미립자로 이루어지는 필러와 수지로 이루어지는 복합체가, 인렛 (414) 을 구성하는 안테나 (412) 및 IC 칩 (413) 을 덮도록이란, 안테나 (412) 와 IC 칩 (413) 이 가려지는 정도로 덮는 것이다. 그리고, 자성체층 (415) 의 표면 (개방면) 이 평탄해지도록, 자성체층 (415) 이 안테나 (412) 와 IC 칩 (413) 을 덮는 것이 보다 바람직하다.
또한, 자성체층 (415) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 를 베이스 기재 (411) 의 일방의 면측에서 보면, 자성체층 (415) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서, 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
또한, 코일형상으로 형성된 안테나 (412) 의 사이에는, 자성체층 (415) 을 형성하는 복합체가 충전되도록 배치되어 있고, 이 복합체를 형성하는 자성 미립자의 전부 또는 일부가 안테나 (412) 사이에 배치되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (410) 에서는, 도 23 에 나타내는 바와 같이, 자성체층 (415) 은, 그 막두께 에 있어서, 통신 거리가 그 두께에 의존하지 않는 영역 α 및 영역 β 와, 통신 거리가 그 두께에 의존하는 영역 γ 를 구비하고 있고, 이 영역 γ 는, 영역 α 와 영역 β 사이에 위치하고 있다.
도 23 에 나타내는 바와 같이, 자성체층 (415) 의 두께 방향에 있어서, 통신 거리가 그 두께에 의존하지 않는 영역 α 및 영역 β 는, 자성체층 (415) 의 두께가 증가하더라도, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 의 통신 거리가 변화하지 않는 (증가하지 않는) 영역이다. 한편, 자성체층 (415) 의 두께 방향에 있어서, 통신 거리에 의존하는 영역 γ 는, 자성체층 (415) 의 두께가 증가하면, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 의 통신 거리가 변화하는 (증가하는) 영역이다. 또한, 이들 영역 α, 영역 γ 및 영역 β 는, 이 순서대로 연속하여 형성되어 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 에서는, 영역 γ 가, 안테나 (412) 를 구성하는 코일부 (412a) 의 두께를 하한으로 하고, IC 칩 (413) 의 두께를 상한으로 하는 범위이다. 즉, 도 23 에 나타내는 영역 γ 는, 도 22 에 나타내는 자성체층 (415) 에 있어서, 코일부 (412a) 의 베이스 기재 (411) 의 일방의 면과 접하고 있는 면과는 반대측 면에서부터, IC 칩 (413) 의 베이스 기재 (411) 의 일방의 면과 접하고 있는 면과는 반대측 면에 걸친 영역을 말한다. 또한, 도 23 에 나타내는 영역 α 는, 도 22 에 나타내는 자성체층 (415) 에 있어서, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면과 접하고 있는 면에서부터, 코일부 (412a) 의 베이스 기재 (411) 의 일방의 면과 접하고 있는 면과는 반대측 면에 걸친 영역을 말한다. 그리고, 도 23 에 나타내는 영역 β 는, 도 22 에 나타내는 자성체층 (415) 에 있어서, IC 칩 (413) 의 베이스 기재 (411) 의 일방의 면과 접하고 있는 면과는 반대측 면을 넘어서는 영역을 말한다.
이와 같이, 자성체층 (415) 이, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면과 접하고 있는 면에서부터, 코일부 (412a) 의 베이스 기재 (411) 의 일방의 면과 접하고 있는 면과는 반대측 면에 걸친 영역 내에 존재하는 경우, 즉, 도 23 에 나타내는 영역 α 에 존재하는 경우에는, 자성체층 (415) 의 두께 방향에 있어서, 비접촉형 데 이터 수송신체 (410) 의 통신 거리가 변화하지 않는다 (증가하지 않는다). 또한, 자성체층 (415) 이, IC 칩 (413) 의 베이스 기재 (411) 의 일방의 면과 접하고 있는 면과는 반대측 면을 넘는 영역에까지 존재하는 경우, 즉, 도 23 에 나타내는 영역 β 에까지 존재하는 경우에는, 이 영역 β 에서는, 자성체층 (415) 의 두께 방향에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 의 통신 거리가 변화하지 않는다 (증가하지 않는다).
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 에서는, 도 23 에 나타내는 바와 같이, 영역 γ 에 있어서의 통신 거리는 자성체층 (415) 의 막두께에 대하여 단조 증가한다. 따라서, 영역 γ 에서는, 자성체층 (415) 의 막두께를 증감함으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 의 통신 거리를 원하는 범위로 설정할 수 있다.
베이스 기재 (411) 로는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것이나, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재나, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재나, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리, 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용된다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (412) 는, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄에 의해 형성되어 이루어지는 것이거나, 또는, 도전성 박을 에칭하여 이루어지는 것이다.
본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐 분말, 로듐 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자가 수지 조성물에 배합된 것을 들 수 있다.
수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 폴리머형 도전 잉크는, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 안테나 (412) 를 형성하는 도막을 형성할 수 있는 열경화형이 된다. 안테나 (412) 를 형성하는 도막의 전기가 흐르는 경로는, 도막을 형성하는 도전 미립자가 서로 접촉하는 것에 의한 형성되고, 이 도막의 저항치는 10-5Ω·cm 오더이다.
또한, 본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 열경화형의 것 외에, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다.
광경화형의 폴리머형 도전 잉크는, 광경화성 수지를 수지 조성물에 함유하는 것으로, 경화 시간이 짧기 때문에 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 광경화형의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히, 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에 도전 미립자가 60질량% 이상 배합되고, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것 즉, 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용형 (단, 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것이나, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것, 즉, 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 안테나 (412) 에 있어서 내절곡성(耐折曲性)이 더욱 요구되는 경우에는, 이 폴리머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합할 수 있다.
가요성 부여제로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 가요성 부여제, 아크릴계 가요성 부여제, 우레탄계 가요성 부여제, 폴리아세트산비닐계 가요성 부여제, 열가소성 엘라스토머계 가요성 부여제, 천연 고무계 가요성 부여제, 합성 고무계 가요성 부여제 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
한편, 안테나 (412) 를 형성하는 도전성 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금박, 알루미늄박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (413) 으로는, 특별히 한정되지 않고, 안테나 (412) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능하다면 어느 것이나 사용할 수 있다.
자성체층 (415) 을 형성하는 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와 수지로 개략 구성되어 있다.
이 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를 도포, 건조시킴으로써, 자성 미립자가 거의 균일하게 분산된 형태로 성형된다.
본 발명의 본 실시형태에서는, 자성 미립자의 평균입경이 200㎛ 이하이다.
또, 자성 미립자의 평균 입경이 상기의 범위 내이면, 자성체층 (415) 을 형성하는 자성 미립자의 입경에 편차가 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
자성 미립자의 평균 입경이 상기의 범위 내이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 를 베이스 기재 (411) 의 일방의 면측에서 보면, 자성체층 (415) 을 구성하는 다수의 자성 미립자는, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성한다. 이것에 의해, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도 자속이 자성체층 (415) 을 거쳐 안테나 (412) 에 포착되기 때문에, 안테나 (412) 에 IC 칩 (413) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성 미립자의 평균 입경이 상기의 범위 내이면, 이 실시형태와 같이, 안테나 (412) 가 코일형상으로 형성되어 있는 경우에도 자성 미립자를 안테나 (412) 사이에 충전할 수 있다. 이와 같이, 안테나 (412) 사이에도 자성 미립자를 배치하면, 자속이 안테나 (412) 에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또한, 자성 미립자로는, 분말상의 자성체 분말, 또는 이 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 편평형상의 플레이크 등으로 이루어지는 자성체 플레이크를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는 편평형상인 것이 바람직하다. 자성 미립자가 편평형상이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 를 베이스 기재 (411) 의 일방의 면측에서 보면, 자성체층 (415) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하기 쉽다. 따라서, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체 분말로는, 예를 들어, 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 분말, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다. 자성체 플레이크로는, 예를 들어, 상기 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는, 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 바람직하고, 센더스트로 이루어지는 자성체 플레이크가 보다 바람직하다. 자성 미립자가 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크이면, 이들을 구성 요소로서 포함하는 자성체층 (415) 의 포화 자속 밀도 및 투자율이 높아지기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체층 (415) 을 형성하는 자성 미립자의 형상은, 그 모두가 분말상 또는 편평형상 중 어느 일방 일 필요는 없다. 자성체층 (415) 에는, 분말상의 자성 미립자와 편평형상의 자성 미립자가 혼재되어 있어도 되고, 이와 같이 형상이 상이한 자성 미립자가 혼재되어 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
자성체층 (415) 을 형성하는 복합체를 구성하는 수지로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 자성체층 (415) 을 형성하는 복합체에는, 자성체층 (415) 에 점착성을 부여하기 위해서 각종 점착제가 함유되어 있어도 된다.
또한, 자성체층 (415) 을 형성하는 복합체를 형성하기 위해서 사용되는 자성 도료에 함유되는 첨가제로는, 점도 조정제, 기포 제거제, 레벨링제 등을 들 수 있다.
그리고, 이 자성 도료에 함유되는 용매로는, 시클로헥사논, 아세톤, 벤젠계, 에틸계 등의 유기용매를 들 수 있다.
이와 같이, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 에 의하면, 안테나 (412) 및 IC 칩 (413) 을 덮도록 자성체층 (415) 이 배치됨으로써, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층 (415) 을 거쳐 안테나 (412) 에 포착되기 때문에, 안테나 (412) 에 IC 칩 (413) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층 (415) 은, 안테나 (412) 및 IC 칩 (413) 을 덮도록 형성함으로써 이들의 보호층으로서의 기능도 발휘한다.
또, 이 실시형태에서는, 안테나 (412) 로서, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에 코일형상으로 형성된 것을 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 전자 유도 방식을 채용하고 있고 기전력이 얻어진다면, 안테나의 형상에는 상관하지 않는다.
또한, 이 실시형태에서는, 코일형상의 안테나 (412) 와 IC 칩 (413) 이 베이 스 기재 (411) 의 일방의 면에 별도로 형성되고, 이들이 서로 접속된 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 안테나 상에 IC 칩이 탑재되어 있어도 되고, IC 칩 상에 안테나가 형성되어 있어도 된다.
또한, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체는, 친전성 (親展性) 을 갖는 엽서 시스템 등에도 적용할 수 있다. 친전성을 갖는 엽서 시스템으로는, 일반적으로 2절 엽서, 3절 엽서, 4절 엽서, 일부 절첩 (折疊) 타입의 엽서 등을 들 수 있다.
다음으로, 도 22 를 참조하여, 제 11 실시형태인 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 관해서 설명한다.
먼저, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에, 소정 두께, 소정 패턴을 이루는 안테나 (412) 를 형성한다 (안테나 형성 공정).
이 공정에서는, 안테나 (412) 를 폴리머형 도전 잉크로 형성하는 경우, 스크린 인쇄법에 의해, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에, 소정 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조·경화시킴으로써, 소정 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (412) 를 형성한다.
또한, 안테나 (412) 를 도전성 박으로 형성하는 경우, 이하와 같은 순서에 따른다.
베이스 기재 (411) 의 일방의 전체면에 도전성 박을 부착한 후, 실크 스크린 인쇄법에 의해 이 도전성 박에 내에칭 도료를 소정 패턴으로 인쇄한다. 이 내에칭 도료를 건조·고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에 잔존시킴으로써, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (412) 를 형성한다.
이어서, 안테나 (412) 에 형성된 접점 (도시 생략) 과, IC 칩 (413) 에 형성된 접점 (도시 생략) 을, 도전성 페이스트, 또는 땜납으로 이루어지는 도전재를 통해서 전기적으로 접속하여, IC 칩 (413) 을 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에 실장한다 (IC 칩 실장 공정).
이어서, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (411) 의 일방의 면에 있어서, 안테나 (412) 와 IC 칩 (413) 이 간신히 가려질 정도로 도포하거나, 또는, 충분히 가려질 정도로 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정 온도로, 소정 시간 가열하여 건조·고화시킴으로써 자성체층 (415) 을 형성하고, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 를 얻는다 (자성체층 형성 공정).
또, 이 실시형태에서는, 안테나 (412) 의 형성 방법으로서 스크린 인쇄법, 에칭에 의한 방법을 예시하였지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 증착법이나 잉크젯식 인쇄 방법에 의해 안테나를 형성할 수도 있다.
도 24 는, 본 발명에 관련된 제 12 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 24 에 있어서, 도 22 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (420) 는, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 와, 접착제층 (421) 과, 박리 기재 (422) 와, 상부재 (423) 로 개략 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (420) 에서는, 접착제층 (421) 이, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 의 자성체층 (415) 의 베이스 기재 (411) 와 접하는 면과는 반대측 면을 제외한 부분을 덮도록 형성되어 있다.
또한, 박리 기재 (422) 가, 자성체층 (415) 의 베이스 기재 (411) 와 접하는 면과는 반대측 면, 및 접착제층 (421) 의 자성체층 (415) 의 베이스 기재 (411) 와 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되는 면) 에 부착되어 있다.
그리고, 상부재 (423) 가, 접착제층 (421) 의 베이스 기재 (411) 와 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되지 않은 면) 에 부착되어 있다.
접착제층 (421) 를 형성하는 접착제로는, 페놀계, 에폭시계, 아크릴계, 우레탄계 등의 접착제를 들 수 있다. 또, 그 밖의 접착제라도, 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
박리 기재 (422) 로는, 실리콘계, 비실리콘계 등의 박리제가 도포된 종이, 합성지, 코팅지, 폴리프로필렌 필름, PET 필름 등의 기재를 들 수 있다. 또, 기타, 박리제, 기재 모두 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
상부재 (423) 로는, 종이, 합성지, 코팅지, 폴리프로필렌 필름, PET 필름 등 의 기재를 들 수 있다. 또, 기타, 박리제, 기재 모두 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (420) 는, 자성체층 (415) 이 형성된 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 가 접착제층 (421) 에 의해 덮이고, 접착제층 (421) 으로 덮인 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 가 박리 기재 (422) 및 상부재 (423) 로 둘러싸여 있기 때문에, 자성체층 (415) 으로 먼지나 티끌 등이 부착되지 않는다. 그리고, 박리 기재 (422) 를 제거하여 새롭게 노출된 접착제층 (421) 에 의해, 금속을 포함하는 물품에 자성체층 (415) 이 접하도록 하여 비접촉형 데이터 수송신체 (420) 를 이 물품에 부착시킬 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (420) 는, 접착제층 (421) 의 베이스 기재 (411) 와 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되지 않은 면) 에 상부재 (423) 가 형성되어 있기 때문에, 이 상부재 (423) 에 모양을 형성하거나, 각종 정보를 인쇄할 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 접착제층 (421) 이, 비접촉형 데이터 수송신체 (410) 의 자성체층 (415) 의 베이스 기재 (411) 와 접하는 면과는 반대측 면을 제외한 부분을 덮도록 형성되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체 (420) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 접착제층이, 자성체층의 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에 형성되어 있어도 된다. 또, 베이스 기재의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면과는 반대측 면에는, 접착제층이 형성되어 있지 않아도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 박리 기재 (422) 가, 자성체층 (415) 의 베이스 기재 (411) 와 접하는 면과는 반대측 면, 및 접착제층 (421) 의 자성체층 (415) 의 베이스 기재 (411) 와 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되는 면) 에 부착되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체 (420) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 박리 기재가, 자성체층의 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에만 부착되어 있어도 된다.
다음으로, 도 25 및 도 26 을 참조하여, 상기 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법 및 제조 장치에 관해서 설명한다.
(비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치)
도 25 는, 상기 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치의 구성을 나타내는 모식도이다. 도 26 은, 상기 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치를 구성하는 제 3 수단을 나타내는 개략 사시도이다.
또, 이하에 있어서 인렛이란, 자성체층이 부설된 인렛 (도 24 에 나타내는 비접촉형 데이터 수송신체 (420)) 을 의미하고 있다.
도 25 에 나타내는 제조 장치 (430) 는, 제 1 수단 (431) 과, 제 2 수단 (432) 과, 제 3 수단 (433) 과, 제 4 수단 (434) 과, 제 5 수단 (435) 과, 제 6 수단 (436) 과, 감기 수단 (437, 438) 으로 개략 구성되어 있고, 이들 수단이 이 순서대로 배치되어 있다. 그리고, 제조 장치 (430) 를 구성하는 각종 수단은, 벨트 컨베이어 등의 반송 수단에 의해서 연결되어 있다.
또한, 도 26 에 나타내는 제 3 수단 (433) 은, 스태커 (유지 수단: 441), 인렛 인출기 (인출 수단: 442), 레일부재 (443) 와, 압출용 블록 (444) 과, 흡입 블록 (445) 으로 개략 구성되어 있다.
스태커 (441) 는, 다수의 인렛 (450) 을 연직방향으로 겹쳐 쌓은 상태로 유지하는 것이다. 이 스태커 (441) 의 하방에는, 인렛 (450) 을 1장씩 꺼내기 위한 인렛 인출기 (442) 와, 스태커 (441) 로부터 인출된 인렛 (450) 을 흡입 블록 (445) 의 하방으로 이동하기 위한 레일부재 (443) 가 형성되어 있다.
인렛 인출기 (442) 는, 레일부재 (443) 에 연직방향으로 형성된 관통구멍 (443a) 안을 연직방향을 따라서 왕복 이동가능하게 구성되어, 연직방향을 따라서 왕복 이동가능하게 구성되고, 그 선단 헤드 (442a) 가 스태커 (441) 에 겹쳐 쌓아진 다수의 인렛 (450) 중 가장 하측에 위치하는 것을 흡인 작용에 의해 순차적으로 인출하도록 (꺼내도록) 되어 있다.
여기서, 인렛 (450) 의 하면은, 제 1 연속 용지 (439) 의 박리지 (439b) 상에 부착되는 면으로서 평탄하게 형성되어 있다. 따라서, 인렛 인출기 (442) 의 선단 헤드 (442a) 가 인렛 (450) 하측면의 중앙부분을 충분한 흡인력으로 흡인하여, 스태커 (441) 로부터 인렛 (450) 을 1장씩 확실히 인출할 수 있다. 이 때, 인렛 (450) 이 순간적으로 휘게 되는데, IC 칩 및 안테나는 인렛 (450) 의 중앙부분으로부터 떨어진 위치에 배치되어 있기 때문에, 선단 헤드 (442a) 의 흡인에 의해서 손상을 받는 일은 없다. 또한, 인렛 인출기 (442) 는 다수의 인렛 (450) 중 가장 하측으로부터 순차적으로 인출하는 구성이기 때문에, 작업의 도중에서도 인렛 (450) 을 스태커 (441) 에 수시 공급할 수 있다.
레일부재 (443) 에는, 인렛 인출기 (442) 에 의해서 스태커 (441) 로부터 인출된 인렛 (450) 이 탑재되는 안내홈 (443b) 이 형성되어 있다. 또, 안내홈 (443b) 의 폭치수는, 인렛 (450) 의 대응하는 치수보다 약간 크게 설정되어 있다.
또한, 레일부재 (443) 의 안내홈 (443b) 에는, 이 안에 위치 결정되어 안내홈 (443b) 을 따라서 왕복 이동가능한 압출용 블록 (444) 이 형성되어 있다.
압출용 블록 (444) 은, 안내홈 (443b) 을 따라서 도면 중 우측으로 이동함으로써, 스태커 (441) 로부터 인출되어 안내홈 (443b) 중에 탑재된 인렛 (450) 을, 그 선단이 안내홈 (443b) 의 맞댐부 (443c) 에 거의 맞닿을 때까지 이동하도록 되어 있다.
그리고, 안내홈 (443b) 의 맞댐부 (443c) 의 상방에는, 이 맞댐부 (443c) 에 선단이 거의 맞닿도록 위치 결정된 인렛 (450) 을 흡인 작용에 의해 흡착하기 위한 흡입 블록 (445) 을 구비하고 있다.
흡입 블록 (445) 은 인렛 (450) 의 외형 형상에 대응한 형상을 이루고 있으며, 그 하면에는 스폰지 등의 완충재 (445a) 가 장착되어 있다. 또한, 흡입 블록 (445) 의 하측면 중앙에는, 인렛 (450) 을 흡착하기 위한 흡인구 (도시 생략) 가 형성되어 있다.
흡입 블록 (445) 은, 연직방향 및 안내홈 (443b) 에 따른 수평방향으로 이동가능하게 구성되어 있고, 에어 실린더 등에 의해 구동되도록 되어 있다. 이러한 구성에 의해, 흡입 블록 (445) 은, 안내홈 (443b) 의 맞댐부 (443c) 에 선단이 거의 맞닿도록 위치 결정된 인렛 (450) 을 향해서 하강하여, 흡입 블록 (445) 의 하면에 인렛 (450) 이 흡착된다. 이 때, 인렛 (450) 의 중앙부분에는 흡입 블록 (445) 으로부터의 흡인력이 작용하지만, 스폰지 (445a) 의 완충 작용에 의해 인렛 (450) 이 흡인력에 의해 손상되는 일이 없다.
인렛 (450) 을 흡착한 흡입 블록 (445) 은 상승한 후, 도면 중 수평방향을 따라서 제 1 연속 용지 (439) 의 박리지 (439b) 의 상방까지 이동하도록 되어 있다. 이 때, 흡입 블록 (445) 은, 수평 가이드 (도시 생략) 를 따라서 이동하고, 예를 들어 스토퍼 (도시 생략) 의 작용에 의해 박리 기재 (439b) 상방의 소정 위치에서 정지하도록 되어 있다. 그 후, 흡입 블록 (445) 이 하강하여, 흡착한 인렛 (450) 을 박리 기재 (439b) 의 표면에 가압하도록 되어 있다. 따라서, 흡입 블록 (445) 이 인렛 (450) 을 박리 기재 (439b) 의 표면에 가압함과 함께 흡인 동작을 정지함으로써, 인렛 (450) 이 박리 기재 (439b) 의 표면에 부착되게 된다. 이와 같이, 흡입 블록 (445) 은, 소정의 위치에 배치된 인렛 (450) 을 이동시켜 제 1 연속 용지 (439) 의 박리 기재 (439b) 표면에 순차적으로 가압하는 이동 가압 수단을 구성하고 있다.
또, 제 3 수단 (433) 에서는, 카세트식으로 인렛 (450) 을 공급하고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 자성체층이 부설되어 있는 인렛을 연속식으로 공급하고, 커터 등에 의해 절단하는 방식을 채용해도 된다. 또한, 자성체층은 인라인으로 도포, 건조시켜 형성해도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 제 1 연속 용지 (439) 의 반송방향을 따라서, 인 렛 (450) 을 1개씩 박리 기재 (439b) 상에 부착하는 제 3 수단 (433) 을 예시하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 제 3 수단이, 제 1 연속 용지의 반송방향을 따라서 복수의 인렛을 동시에 박리 기재 상에 부착하는 기구를 구비하고 있어도 된다.
(비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법)
비접촉형 데이터 수송신체를 제조하기 위해서는, 먼저, 제 1 수단 (431) 으로부터, 장척상의 박리 기재에 사지가 부착된 제 1 연속 용지 (439) 를 공급한다.
제 1 수단 (431) 으로부터 공급된 제 1 연속 용지 (439) 는, 표층의 사지 (439a) 가 박리되어 박리 기재 (439b) 가 노출된 상태에서, 인렛을 부착하는 제 3 수단 (433) 으로 보내진다. 사지 (439a) 는, 제 1 연속 용지 (439) 로부터 박리된 후, 제 2 수단 (432) 에 감겨진다.
제 1 연속 용지 (439) 는, 그 박리 기재 (439b) 표면의 일방의 측에, 길이방향을 따라서 소정의 간격을 두고 형성된 타이밍 마크 (439d) 를 센서 (도시 생략) 가 판독함으로써, 길이방향을 따라서 간헐적으로 반송된다. 이것에 의해, 박리 기재 (439b) 의 표면에 부착되는 인렛 (450) 의 간격을 조정할 수 있게 되어 있다.
이어서, 제 1 연속 용지 (439) 의 간헐적인 반송 동작을 되풀이함과 함께, 전술한 바와 같은 구성의 제 3 수단 (433) 에 의해, 인렛 (450) 이 박리 기재 (439b) 의 표면에 소정 간격을 두고 순차적으로 부착된다.
이어서, 제 3 수단 (433) 으로부터, 인렛 (450) 이 간격을 두고 순차적으로 부착된 제 1 연속 용지 (439) 는, 한 쌍의 본딩 롤러 (435a 와 435b) 를 구비한 제 5 수단 (435) 으로 반송된다.
또한, 제 1 연속 용지 (439) 의 제 5 수단 (435) 으로의 반송에 동반하여, 제 4 수단 (434) 으로부터, 상부재 (440b) 에 접착제층 (도시 생략) 을 통해서 사지 (440a) 가 부착된 제 2 연속 용지 (440) 가 공급된다.
제 4 수단 (434) 으로부터 공급된 제 2 연속 용지 (440) 는, 표층의 사지 (440a) 가 박리되어 접착제층이 노출된 상태에서, 제 5 수단 (435) 으로 보내진다. 사지 (440a) 는, 제 2 연속 용지 (440) 로부터 박리된 후, 감기 수단 (437) 에 감겨진다.
이어서, 제 1 연속 용지 (439) 와 제 2 연속 용지 (440) 를, 제 5 수단 (435) 에 구비된, 한 쌍의 본딩 롤러 (435a 와 435b) 사이를 통과시킴으로써, 제 1 연속 용지 (439) 의 박리 기재 (439b) 의 인렛 (450) 이 부착된 면과, 제 2 연속 용지 (440) 의 접착제층이 부착된 면이 서로 포개지고 붙는다.
이어서, 제 5 수단 (435) 에 의해 서로 포개지고 붙은, 제 1 연속 용지 (439) 와 제 2 연속 용지 (440) 로 이루어지는 복합 용지는, 제 6 수단 (436) 으로 반송된다.
이 복합 용지는, 제 6 수단 (436) 에 의해, 1개의 비접촉형 데이터 수송신체의 외형 형상을 따라 다이컷되고, 다이컷된 비접촉형 데이터 수송신체는 회수된다. 또한, 다이컷된 복합 용지의 불필요부분 (비접촉형 데이터 수송신체 영역 이외의 제 1 연속 용지 (439) 와 제 2 연속 용지 (440)) 은 감기 수단 (438) 에 감겨진다.
이와 같이, 본 실시형태에서는, 제 3 수단 (433) 에 있어서, 겹쳐 쌓아진 인렛 (450) 을 1장씩 인출하여 소정의 위치로 순차적으로 공급하고, 소정의 위치에 공급된 인렛 (450) 을 이동시켜 제 1 연속 용지 (439) 의 박리 기재 (439b) 의 표면에 가압함으로써, 인렛 (450) 의 자성체층을 덮도록 형성된 접착제층, 또는 점착성을 갖는 자성체층을 통해서 인렛 (450) 을 박리 기재 (439b) 의 표면에 부착할 수 있다. 따라서, 인렛 (450) 을 용지에 끼워 넣는 작업을 수작업에 의지하지 않고 자동적으로 실시하여, 대량의 비접촉형 데이터 수송신체를 효율적으로 또한 고품질로 제조할 수 있다.
또, 제 5 수단 (435) 에 구비된 한 쌍의 본딩 롤러 (435a 와 435b) 에는, 이 사이를 통과하는 인렛 (450) 에 대한 부하를 경감시키기 위해서, 즉, 인렛 (450) 에 작용하는 닙압을 경감시키기 위해서, 본딩 롤러 (435a 또는 435b) 중 적어도 일방에 스폰지 등의 완충재를 감아도 된다.
이하, 본 발명을 실시한 비접촉형 데이터 수송신체에 관해서 상세하게 설명한다.
도 27 은, 본 발명에 관련된 제 13 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 는, 베이스 기재 (511) 와, 그 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 (512) 및 IC 칩 (513) 으로 이루어지는 인렛 (514) 과, 베이스 기재 (511) 의 타방의 면 (511b) 에 배치된 자성체층 (515) 과, 자성체층 (515) 의 베이스 기재 (511) 와 접하는 면과는 반대측 면 (이 하, 「일방의 면」이라고 한다: 515a) 에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층 (이하, 「강자성체층」이라고 생략한다: 516) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 자성체층 (515) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (510) 에 있어서, 안테나 (512) 는, 베이스 기재 (511) 의 일방의 면 (511a) 에 소정 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 에서는, 안테나 (512) 와 IC 칩 (513) 이 베이스 기재 (511) 의 동일면 (일방의 면 (511a)) 상에 형성되어 있지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에서는 안테나의 일부를 형성하는 접속 브리지가, 안테나의 주요부가 형성되어 있는 면과는 반대측 면 (상기의 타방의 면 (511b)) 에 형성되어 있어도 된다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 에 있어서, 인렛 (514) 을 구성하는 안테나 (512) 와 IC 칩 (513) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (512) 의 단부가 IC 칩 (513) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
또한, 자성체층 (515) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 를 베이스 기재 (511) 의 타방의 면 (511b) 측에서 보면, 자성체층 (515) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
그리고, 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 에 있어서, 강자성체층 (516) 의 일방의 면 (516a) 이 금속제 물품에 대한 본딩면을 형성하고 있다.
베이스 기재 (511) 로는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것이나, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재나, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재나, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리, 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용된다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (512) 는, 베이스 기재 (511) 의 일방의 면 (511a) 에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄에 의해 형성되어 이루어지는 것이거나, 또는, 도전성 박을 에칭하여 이루어지는 것이다.
본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐 분말, 로듐 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자가 수지 조성물에 배합된 것을 들 수 있다.
수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 폴리머형 도전 잉크는, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 안테나 (512) 를 형성하는 도막을 형성할 수 있는 열경화형이 된다. 안테나 (512) 를 형성하는 도막의 전기가 흐르는 경로는, 도막을 형성하는 도전 미립자가 서로 접촉하는 것에 의한 형성되고, 이 도막의 저항치는 10-5Ω·cm 오더이다.
또한, 본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 열경화형의 것 외에, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다.
광경화형의 폴리머형 도전 잉크는, 광경화성 수지를 수지 조성물에 함유하는 것으로, 경화 시간이 짧기 때문에 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 광경화형의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지의 블렌드 수지 조성물 (특히 폴리에스테르폴리올과 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 에 도전 미립자가 60질량% 이상 배합되고, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것 즉, 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용형 (단 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 안테나 (512) 에 있어서 내절곡성이 더욱 요구되는 경우에는, 이 폴리머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합할 수 있다.
가요성 부여제로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 가요성 부여제, 아크릴계 가요성 부여제, 우레탄계 가요성 부여제, 폴리아세트산비닐계 가요성 부여제, 열가소성 엘라스토머계 가요성 부여제, 천연 고무계 가요성 부여제, 합성 고무계 가요성 부여제 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
한편, 안테나 (512) 를 형성하는 도전성 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금박, 알루미늄박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (513) 으로는 특별히 한정되지 않고, 안테나 (512) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능하다면 어느 것이나 사용할 수 있다.
자성체층 (515) 을 형성하는 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 열경화성 화합물이나 열가소성 화합물로 이루어지는 유기 수지, 또는, 무기 화합물로 이루어지는 무기 수지로 이루어지는 것이다.
이 복합체는, 필요에 따라, 첨가제나 용매를 포함한 도료의 형태로, 도포·건조와 같은 프로세스에 의해 자성 미립자가 균일하게 분산되어 사용된다.
또한, 자성 미립자로는, 분말상의 자성체 분말, 또는 이 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 편평형상의 플레이크 등으로 이루어지는 자성체 플레이크를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는 편평형상인 것이 바람직하다. 자성 미립자가 편평형상이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 를 베이스 기재 (511) 의 일방의 면측에서 보면, 자성체층 (515) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하기 쉽다. 따라서, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체 분말로는, 예를 들어, 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 분말, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다. 자성체 플레이크로는, 예를 들어, 상기 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는, 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 바람직하고, 센더스트로 이루어지는 자성체 플레이크가 보다 바람직하다. 자성 미립자가 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크이면, 이들을 구성 요소로서 포함하는 자성체층 (515) 의 포화 자속 밀도 및 투자율이 높아지기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체층 (515) 을 형성하는 자성 미립자의 형상은, 그 모두가 분말상 또는 편평형상 중 어느 일방 일 필요는 없다. 자성체층 (515) 에는, 분말상의 자성 미립자와 편평형상의 자성 미립자가 혼재되어 있어도 되고, 이와 같이 형상이 상이한 자성 미립자가 혼재되어 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
자성체층 (515) 을 형성하는 복합체를 구성하는 수지로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합 체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 자성체층 (515) 을 형성하는 복합체에는, 자성체층 (515) 에 점착성을 부여하기 위해서 각종 점착제가 함유되어 있어도 된다.
또한, 자성체층 (515) 을 형성하는 복합체를 형성하기 위해서 사용되는 자성 도료에 함유되는 첨가제로는, 점도 조정제, 기포 제거제, 레벨링제 등을 들 수 있다.
그리고, 이 자성 도료에 함유되는 용매로는, 시클로헥사논, 아세톤, 벤젠계, 에틸계 등의 유기용매를 들 수 있다.
강자성체층 (516) 은, 자발 자화 특성을 구비한 강자성체, 즉, 영구자석으로 이루어지고, 이러한 영구자석으로는, 예를 들어, 페라이트 자석, 알니코 자석 (Alnico Magnet), 사마륨계 자석, 코발트계 자석, 니켈계 자석 등의 자석이나, 이들 자석의 분말을 각종 수지에 혼합하여, 시트형상, 판형상으로 성형해서 이루어지는 자석을 들 수 있다. 또한, 강자성체의 형상이나 크기는 적절히 설정된다.
강자성체층 (516) 은, 필요에 따라서, 자성체층 (515) 을 도포·건조라는 프로세스로 형성한 후, 자기장을 가하면서, 상기한 자석의 분말을 각종 수지에 혼합하여, 첨가제나 용매를 포함한 도료의 형태로 도포·건조의 프로세스에 의해 형성된다. 이러한 프로세스에 의해, 형성된 강자성체층 (516) 은 자발 자화 특성을 구비한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 에 의하면, 베이스 기재 (511) 의 타방의 면 (511b) 에 자성체층 (515) 이 배치되고, 자성체층 (515) 의 일방의 면 (515a) 에 강자성체층 (516) 이 배치됨으로써, 점착제를 사용하지 않고 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층 (515) 을 거쳐 안테나 (512) 에 포착되기 때문에, 안테나 (512) 에 IC 칩 (513) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
여기서, 도 28 을 참조하여, 금속 물품 (520) 에 부착한 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 가 정보 판독/기록 장치 (530) 로부터 나온 자속을 포착하는 기구에 대해 설명한다.
비접촉형 데이터 수송신체 (510) 의 강자성체층 (516) 에서는, 예를 들어, 자속의 방향이, 베이스 기재 (511), 자성체층 (515) 및 강자성체층 (516) 이 겹쳐 쌓아져 있는 방향과 수직인 방향 (도 28 에 나타내는 실선의 화살표 방향) 으로 항상 일정하게 되어 있다. 그래서, 금속 물품 (520) 의 일방의 면 (520a) 에 부착한 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 에 정보 판독/기록 장치 (530) 를 가까이 하면, 정보 판독/기록 장치 (530) 로부터 나온 자속은, 도 28 에 나타내는 파선의 화살표 방향을 형성하여, 안테나 (512) 에 포착된다. 즉, 강자성체층 (516) 의 N 극 측에서는, 정보 판독/기록 장치 (530) 로부터 나온 자속은 자성체층 (515) 및 강자성체층 (516) 을 거쳐 안테나 (512) 에 포착된다. 한편, 강자성체층 (516) 의 S 극 측에서는, 정보 판독/기록 장치 (530) 로부터 나온 자속은 자성체층 (515) 을 거쳐 안테나 (512) 에 포착되지만, 강자성체층 (516) 을 거치지 않는다.
그러나, 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 전체적으로는, 정보 판독/기록 장치 (530) 로부터 나온 자속이 자성체층 (515) 을 거쳐 안테나 (512) 에 포착되기 때문에, 안테나 (512) 에 IC 칩 (513) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 안테나 (512) 로서, 베이스 기재 (511) 의 일방의 면 (511a) 에 코일형상으로 형성된 것을 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 전자 유도 방식을 채용하고 있고 기전력이 얻어진다면, 안테나의 형상은 상관하지 않는다.
또한, 이 실시형태에서는, 코일형상의 안테나 (512) 와, IC 칩 (513) 이 베 이스 기재 (511) 의 일방의 면 (511a) 에 별도로 형성되고, 이들이 서로 접속된 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 안테나 상에 IC 칩이 탑재되어 있어도 되고, IC 칩 상에 안테나가 형성되어 있어도 된다.
또한, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체는, 친전성(親展性)을 갖는 엽서 시스템 등에도 적용할 수 있다. 친전성을 갖는 엽서 시스템으로는, 일반적으로 2절 엽서, 3절 엽서, 4절 엽서, 일부 절첩(折疊) 타입의 엽서 등을 들 수 있다.
(비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법)
다음으로, 도 27 을 참조하여, 이 실시형태인 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 관해서 설명한다.
먼저, 베이스 기재 (511) 의 일방의 면에, 소정 두께, 소정 패턴을 이루는 안테나 (512) 를 형성한다.
이 공정에서는, 안테나 (512) 를 폴리머형 도전 잉크로 형성하는 경우, 스크린 인쇄법에 의해, 베이스 기재 (511) 의 일방의 면에, 소정 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조·경화시킴으로써, 소정 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (512) 를 형성한다.
또한, 안테나 (512) 를 도전성 박으로 형성하는 경우, 이하와 같은 순서에 따른다.
베이스 기재 (511) 의 일방의 전체면에 도전성 박을 부착한 후, 실크 스크린 인쇄법에 의해 이 도전성 박에 내에칭 도료를 소정 패턴으로 인쇄한다. 이 내에칭 도료를 건조·고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재 (511) 의 일방의 면에 잔존시킴으로써, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (512) 를 형성한다.
이어서, 안테나 (512) 에 형성된 접점 (도시 생략) 과, IC 칩 (513) 에 형성된 접점 (도시 생략) 을, 도전성 페이스트, 또는 땜납으로 이루어지는 도전재를 통해서 전기적으로 접속하여, IC 칩 (513) 을 베이스 기재 (511) 의 일방의 면에 실장한다.
이어서, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (511) 의 타방의 면 (511b) 의 전체면에 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정의 온도로, 소정 시간 가열하여 건조·고화시킴으로써, 자성체층 (515) 을 형성한다.
이어서, 자성체층 (515) 의 일방의 면 (515a) 의 전체면에 접착제를 통해서, 시트형상, 판형상 등의 자발(自發) 자화(磁化) 특성을 구비한 강자성체를 부착하고, 강자성체층 (516) 을 형성하여 비접촉형 데이터 수송신체 (510) 를 얻는다.
또, 이 실시형태에서는, 안테나 (512) 의 형성 방법으로서 스크린 인쇄법, 에칭에 의한 방법을 예시하였지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 증착법이나 잉크젯식 인쇄 방법에 의해 안테나를 형성할 수도 있 다.
또한, 잔류 자화가 남지 않을 정도 (자발 자화 특성을 구비하지 않을 정도) 로 조정하여 자기장을 가하면서, 도포·건조의 프로세스에 의해 자성체층 (515) 을 형성해도 된다. 이 때, 자속의 편차를 완화하면서 투자율을 높일 수 있다.
도 29 는, 본 발명에 관련된 제 14 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (540) 는, 베이스 기재 (541) 와, 그 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 (542) 및 IC 칩 (543) 으로 이루어지는 인렛 (544) 과, 이들 안테나 (542) 및 IC 칩 (543) 을 덮도록 배치된 자성체층 (545) 과, 자성체층 (545) 의 베이스 기재 (541) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 545a) 에 배치된 강자성체층 (546) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 자성체층 (545) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (540) 에 있어서, 안테나 (542) 는, 베이스 기재 (541) 의 일방의 면 (541a) 에 소정 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (540) 에서는, 안테나 (542) 와 IC 칩 (543) 이 베이스 기재 (541) 의 동일면 (일방의 면 (541a)) 상에 형성되어 있지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에서는, 안테나의 일부를 형성하는 접속 브리지가 안테나의 주요부가 형성되어 있는 면과는 반대측 면 (상기의 일방의 면 (541a) 과는 반대의 면) 에 형성되어 있어도 된다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (540) 에 있어서, 인렛 (544) 을 구성하는 안테나 (542) 와 IC 칩 (543) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (542) 의 단부 가 IC 칩 (543) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
그리고, 자성체층 (545) 을 형성하고, 자성 미립자로 이루어지는 필러와 수지로 이루어지는 복합체가, 인렛 (544) 을 구성하는 안테나 (542) 및 IC 칩 (543) 을 덮도록이란, 안테나 (542) 와 IC 칩 (543) 이 가려질 정도로 덮는 것이다. 그리고, 자성체층 (545) 의 일방의 면 (545a) 이 평탄해지도록, 자성체층 (545) 이 안테나 (542) 와 IC 칩 (543) 을 덮는 것이 보다 바람직하다.
그리고, 자성체층 (545) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (540) 를 베이스 기재 (541) 의 일방의 면 (541a) 측에서 보면, 자성체층 (545) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
또한, 코일형상으로 형성된 안테나 (542) 사이에는 자성체층 (545) 을 형성하는 복합체가 충전되도록 배치되어 있고, 이 복합체를 형성하는 자성 미립자의 전부 또는 일부가 안테나 (542) 사이에 배치되어 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (540) 에 있어서, 강자성체층 (546) 의 일방의 면 (546a) 이 금속제의 물품에 대한 본딩면을 형성하고 있다.
베이스 기재 (541) 로는, 상기의 베이스 기재 (511) 와 동일한 것을 들 수 있다. 안테나 (542) 를 형성하는 재료로는, 상기의 안테나 (512) 를 형성하는 폴리머형 도전 잉크 또는 도전성 박을 들 수 있다. IC 칩 (543) 으로는, 상기 의 IC 칩 (513) 과 동일한 것을 들 수 있다.
자성체층 (545) 을 형성하는 복합체로는, 상기의 자성체층 (515) 를 형성하는 복합체와 동일한 것을 들 수 있다.
강자성체층 (546) 를 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체로는, 상기의 강자성체층 (516) 을 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (540) 에 의하면, 베이스 기재 (541) 의 일방의 면 (541a) 에 형성된 안테나 (542) 및 IC 칩 (543) 을 덮도록 자성체층 (545) 이 배치되고, 자성체층 (545) 의 일방의 면 (545a) 에 강자성체층 (546) 이 배치됨으로써, 점착제를 사용하지 않고 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층 (545) 을 거쳐 안테나 (542) 에 포착되기 때문에, 안테나 (542) 에 IC 칩 (543) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
도 30 은, 본 발명에 관련된 제 15 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (550) 는, 베이스 기재 (551) 와, 그 일방의 면 (551a) 에 형성되고, 서로 접속된 안테나 (552) 및 IC 칩 (553) 으로 이루어지는 인렛 (554) 과, 이들 안테나 (552) 및 IC 칩 (553) 을 덮도록 배치된 수지 등으로 이루어지는 중간층 (557) 과, 중간층 (557) 의 베이스 기재 (551) 와 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 557a) 에 배치된 자성 체층 (555) 과, 자성체층 (555) 의 중간층 (557) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 555a) 에 배치된 강자성체층 (556) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 자성체층 (555) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (550) 에 있어서, 안테나 (552) 는, 베이스 기재 (551) 의 일방의 면 (551a) 에 소정 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (550) 에서는, 안테나 (552) 와 IC 칩 (553) 이 베이스 기재 (551) 의 동일면 (일방의 면 (551a)) 상에 형성되어 있지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에서는 안테나의 일부를 형성하는 접속 브리지가 안테나의 주요부가 형성되어 있는 면과는 반대측 면 (상기의 일방의 면 (551a) 과는 반대의 면) 에 형성되어 있어도 된다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (550) 에 있어서, 인렛 (554) 을 구성하는 안테나 (552) 와 IC 칩 (553) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (552) 의 단부가 IC 칩 (553) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
또한, 자성체층 (555) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (550) 를 베이스 기재 (551) 의 일방의 면 (551a) 측에서 보면, 자성체층 (555) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
그리고, 비접촉형 데이터 수송신체 (550) 에 있어서, 강자성체층 (556) 의 일방의 면 (556a) 이 금속제 물품에 대한 본딩면을 형성하고 있다.
베이스 기재 (551) 로는, 상기의 베이스 기재 (511) 와 동일한 것을 들 수 있다. 안테나 (552) 를 형성하는 재료로는, 상기의 안테나 (512) 를 형성하는 폴리머형 도전 잉크 또는 도전성 박을 들 수 있다. IC 칩 (553) 으로는, 상기의 IC 칩 (513) 과 동일한 것을 들 수 있다.
자성체층 (555) 를 형성하는 복합체으로는, 상기의 자성체층 (515) 를 형성하는 복합체와 동일한 것을 들 수 있다.
강자성체층 (556) 를 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체로는, 상기의 강자성체층 (516) 을 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
중간층 (557) 은, 수지, 합성지, 종이, 점착제 등으로 형성되어 있다. 중간층 (557) 를 형성하는 수지로는, 예를 들어, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시지, 폴리우레탄계 수지 등을 들 수 있고, 이들 이외의 수지라도 적절히 사용할 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (550) 에 의하면, 베이스 기재 (551) 의 일방의 면 (551a) 에 형성된 안테나 (552) 및 IC 칩 (553) 을 덮도록 수지 등으로 이루어지는 중간층 (557) 이 배치되어, 중간층 (557) 의 일방의 면 (557a) 에 자성체층 (555) 이 배치되어, 자성체층 (555) 의 일방의 면 (555a) 에 강자성체층 (556) 이 배치됨으로써, 점착제를 사용하지 않고, 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층 (555) 을 거쳐 안테나 (552) 에 포착되기 때문에, 안테나 (552) 에 IC 칩 (553) 을 작동시키기에 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 중간층 (557) 을 형성함으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (550) 전체의 강도를 높게 할 수 있다. 그리고, 중간층 (557) 이 형성되어 있으면, 도포·건조 프로세스 이외의 방법에 의해 자성체층 (555) 을 형성하는 경우에, 자성체층 (555) 을 박리하기 어렵게 형성할 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 중간층 (557) 을 1층으로 한 비접촉형 데이터 수송신체 (550) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 중간층을 복수 형성해도 된다.
도 31 은, 본 발명에 관련된 제 16 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 는, 베이스 기재 (561) 와, 그 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 (562) 및 IC 칩 (563) 으로 이루어지는 인렛 (564) 과, 이들 안테나 (562) 및 IC 칩 (563) 을 덮도록 배치된 수지 등으로 이루어지는 제 1 중간층 (567) 과, 제 1 중간층 (567) 의 베이스 기재 (561) 와 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 567a) 에 배치된 자성체층 (565) 과, 자성체층 (565) 의 제 1 중간층 (567) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 565a) 에 배치되고, 단위층 (568A, 568B, 568C) 으로 이루어지는 제 2 중간층 (568) 과, 제 2 중간층 (568) 의 자성체층 (565) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 568a) 에 배치된 강자성체층 (566) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 자성체층 (565) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (560) 에 있어서, 안테나 (562) 는, 베이스 기재 (561) 의 일방의 면 (561a) 에 소정의 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 에서는, 안테나 (562) 와 IC 칩 (563) 이 베이스 기재 (561) 의 동일면 (일방의 면 (561a)) 상에 형성되어 있지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에서는, 안테나의 일부를 형성하는 접속 브리지가, 안테나의 주요부가 형성되어 있는 면과는 반대측 면 (상기 일방의 면 (561a) 과는 반대측의 면) 에 형성되어 있어도 된다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 에 있어서, 인렛 (564) 을 구성하는 안테나 (562) 와 IC 칩 (563) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (562) 의 단부가 IC 칩 (563) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
또한, 자성체층 (565) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 를 베이스 기재 (561) 의 일방의 면 (561a) 측에서 보면, 자성체층 (565) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 에 있어서, 강자성체층 (566) 의 일방의 면 (566a) 이 금속제의 물품에 대한 본딩면을 형성하고 있다.
베이스 기재 (561) 로는, 상기의 베이스 기재 (511) 와 동일한 것을 들 수 있다. 안테나 (562) 를 형성하는 재료로는, 상기의 안테나 (512) 를 형성하는 폴리머형 도전 잉크 또는 도전성 박을 들 수 있다. IC 칩 (563) 으로는, 상기의 IC 칩 (513) 과 동일한 것을 들 수 있다.
자성체층 (565) 을 형성하는 복합체로는, 상기의 자성체층 (515) 를 형성하는 복합체와 동일한 것을 들 수 있다.
강자성체층 (566) 를 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체로는, 상기의 강자성체층 (516) 을 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
제 1 중간층 (567) 및 제 2 중간층 (568) 은, 수지, 합성지, 종이, 점착제 등으로 형성되어 있다. 제 1 중간층 (567) 및 제 2 중간층 (568) 을 형성하는 수지로는, 예를 들어, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리우레탄계 수지 등을 들 수 있고, 이들 이외의 수지라도 적절히 사용할 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 에 의하면, 베이스 기재 (561) 의 일방의 면 (561a) 에 형성된 안테나 (562) 및 IC 칩 (563) 을 덮도록 수지 등으로 이루어지는 제 1 중간층 (567) 이 배치되고, 제 1 중간층 (567) 의 일방의 면 (567a) 에 자성체층 (565) 이 배치되고, 자성체층 (565) 의 일방의 면 (565a) 에 수지 등으로 이루어지는 제 2 중간층 (568) 이 배치되고, 제 2 중간층 (568) 의 일방의 면 (568a) 에 강자성체층 (566) 이 배치됨으로써, 점착제를 사용하지 않고서 금속제 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제 물품에 접 한 경우라도, 자속이 자성체층 (565) 을 거쳐 안테나 (562) 에 포착되기 때문에, 안테나 (562) 에 IC 칩 (563) 을 작동시키기 위해 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 제 1 중간층 (567) 및 제 2 중간층 (568) 을 형성함으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 전체의 강도를 높게 할 수 있다. 그리고, 제 1 중간층 (567) 이 형성되어 있으면, 도포·건조와 같은 프로세스 이외의 방법에 의해 자성체층 (565) 을 형성하는 경우에 자성체층 (565) 을 박리하기 어렵게 형성할 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 제 1 중간층 (567) 을 1층으로 한 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 제 2 중간층 (568) 을 단위층 (568A, 568B, 568C) 으로 이루어지는 3 층으로 한 비접촉형 데이터 수송신체 (560) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 제 2 중간층을 일층 더 또는 2층, 또는 4층 이상 형성해도 된다.
이하, 본 발명을 실시한 비접촉형 데이터 수송신체에 관해서 상세하게 설명한다.
도 32 는, 본 발명에 관련된 제 17 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 는, 베이스 기재 (611) 와, 그 일방의 면 (611a) 에 형성되고, 서로 접속된 안테나 (612) 및 IC 칩 (613) 으로 이루어지는 인렛 (614) 과, 베이스 기재 (611) 의 타방의 면 (611b) 에 배치된 자성체층 (615) 과, 자성체층 (615) 의 베이스 기재 (611) 와 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 615a) 에 배치된 자화되지 않는 상자성체층 (616) 과, 상자성체층 (616) 의 자성체층 (615) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 616a) 에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층 (이하, 「강자성체층」으로 약기한다: 617) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 자성체층 (615) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (610) 에 있어서, 안테나 (612) 는, 베이스 기재 (611) 의 일방의 면 (611a) 에 소정의 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 에서는, 안테나 (612) 와 IC 칩 (613) 이 베이스 기재 (611) 의 동일면 (일방의 면 (611a)) 상에 형성되어 있지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에서는, 안테나의 일부를 형성하는 접속 브리지가, 안테나의 주요부가 형성되어 있는 면과는 반대측 면 (상기의 타방의 면 (611b)) 에 형성되어 있어도 된다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 에 있어서, 인렛 (614) 을 구성하는 안테나 (612) 와 IC 칩 (613) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (612) 의 단부가 IC 칩 (613) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
또한, 자성체층 (615) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 를 베이스 기재 (611) 의 타방의 면 (611b) 측에서 보면, 자성체층 (615) 을 구성하는 다 수의 자성 미립자가, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접(連接)한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
그리고, 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 에 있어서, 강자성체층 (617) 의 일방의 면 (617a) 이 금속제의 물품에 대한 본딩면을 형성하고 있다.
베이스 기재 (611) 로는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것이나, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재나, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재나, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리, 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용된다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (612) 는, 베이스 기재 (611) 의 일방의 면 (611a) 에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄에 의해 형성되어 이루어지는 것이거나, 또는, 도전성 박을 에칭하여 이루어지는 것이다.
본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐 분말, 로듐 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자가 수지 조성물에 배합된 것을 들 수 있다.
수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 폴리머형 도전 잉크는, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 안테나 (612) 를 형성하는 도막을 형성할 수 있는 열경화형이 된다. 안테나 (612) 를 형성하는 도막의 전기가 흐르는 경로는 도막을 형성하는 도전 미립자가 서로 접촉함으로써 형성되고, 이 도막의 저항치는 10-5Ω·cm 오더이다.
또한, 본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 열경화형의 것 외에, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다.
광경화형의 폴리머형 도전 잉크는, 광경화성 수지를 수지 조성물에 함유하는 것으로, 경화 시간이 짧기 때문에 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 광경화형의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지의 블렌드 수지 조성물 (특히 폴리에스테르폴리올과 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 에 도전 미립자가 60질량% 이상 배합되고, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것 즉, 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용형 (단 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 안테나 (612) 에 있어서 내절곡성이 더욱 요구되는 경우에는, 이 폴리 머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합할 수 있다.
가요성 부여제로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 가요성 부여제, 아크릴계 가요성 부여제, 우레탄계 가요성 부여제, 폴리아세트산비닐계 가요성 부여제, 열가소성 엘라스토머계 가요성 부여제, 천연 고무계 가요성 부여제, 합성 고무계 가요성 부여제 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
한편, 안테나 (612) 를 형성하는 도전성 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금박, 알루미늄박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (613) 으로는 특별히 한정되지 않고, 안테나 (612) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능한 것이라면 어떠한 것이나 사용할 수 있다.
자성체층 (615) 를 형성하는 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 열경화성 화합물이나 열가소성 화합물로 이루어지는 유기 수지, 또는, 무기 화합물로 이루어지는 무기 수지로 이루어지는 것이다.
이 복합체는, 필요에 따라, 첨가제나 용매를 포함한 도료의 형태로, 도포·건조와 같은 프로세스에 의해 자성 미립자가 균일하게 분산되어 사용된다.
또한, 자성 미립자로는, 분말상의 자성체 분말, 또는 이 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 편평형상의 플레이크 등으로 이루어지는 자성체 플레이크를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는 편평형상인 것이 바람직하다. 자성 미립자가 편평 형상이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 를 베이스 기재 (611) 의 타방의 면 (611b) 측에서 보면, 자성체층 (615) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하기 쉽다. 따라서, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체 분말로는, 예를 들어, 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 분말, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다. 자성체 플레이크로는, 예를 들어, 상기 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는, 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 바람직하고, 센더스트로 이루어지는 자성체 플레이크가 보다 바람직하다. 자성 미립자가 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크이면, 이들을 구성 요소로서 포함하는 자성체층 (615) 의 포화 자속 밀도 및 투자율이 높아지기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체층 (615) 을 형성하는 자성 미립자의 형상은, 그 모두가 분말상 또는 편평형상 중 어느 일방 일 필요는 없다. 자성체층 (615) 에는, 분말상의 자성 미립자와 편평형상의 자성 미립자가 혼재되어 있어도 되고, 이와 같이 형상이 상이한 자성 미립자가 혼재되어 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
자성체층 (615) 을 형성하는 복합체를 구성하는 수지로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 자성체층 (615) 을 형성하는 복합체에는, 자성체층 (615) 에 점착성을 부여하기 위해서 각종 점착제가 함유되어 있어도 된다.
또한, 자성체층 (615) 을 형성하는 복합체를 형성하기 위해서 사용되는 자성 도료에 함유되는 첨가제로는, 점도 조정제, 기포 제거제, 레벨링제 등을 들 수 있다.
그리고, 이 자성 도료에 함유되는 용매로는, 시클로헥사논, 아세톤, 벤젠계, 에틸계 등의 유기용매를 들 수 있다.
상자성체층 (616) 은, 투자율이 매우 낮아, 자화되지 않는 상자성체로 이루어지고, 이 자화되지 않는 상자성체로는, 예를 들어, 알루미늄, 구리, 은 등으로 이루어지는 금속박 등의 금속층을 들 수 있다. 또, 철은 자발 자화 특성을 구비한 강자성체에 접촉시켜 두면 자발 자화 특성을 구비하게 되기 때문에, 상자성체층 (616) 을 형성하는 재료로서 사용하는 것은 불가능하다.
강자성체층 (617) 은, 자발 자화 특성을 구비한 강자성체, 즉 영구자석으로 이루어지고, 이러한 영구자석으로는, 예를 들어, 페라이트 자석, 알니코 자석, 사마륨계 자석, 코발트계 자석, 니켈계 자석 등의 자석이나, 이들 자석의 분말을 각종 수지에 혼합하여, 시트형상, 판형상으로 성형하여 이루어지는 자석을 들 수 있다. 또한, 강자성체의 형상이나 크기는 적절히 설정된다.
강자성체층 (617) 은, 필요에 따라서, 자성체층 (615) 을 도포·건조라는 프로세스로 형성한 후, 자기장을 가하면서, 상기한 자석의 분말을 각종 수지에 혼합하여, 첨가제나 용매를 포함한 도료의 형태로 도포·건조의 프로세스에 의해 형성된다. 이러한 프로세스에 의해, 형성된 강자성체층 (617) 은 자발 자화 특성을 구비한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 에 의하면, 베이스 기재 (611) 의 타방의 면 (611b) 에 자성체층 (615) 이 배치되고, 자성체층 (615) 의 일방의 면 (615a) 에 강자성체층 (617) 이 배치됨으로써, 점착제를 사용하지 않고 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 강자성체층 (617) 으로 당겨 끌려가는 일 없이 자성체층 (615) 를 거쳐 안테나 (612) 에 포착되기 때문에, 안테나 (612) 에 IC 칩 (613) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층 (615) 과 강자성체층 (617) 사이에 상자성체층 (616) 이 배치되어 있기 때문에, 시간이 경과함에 따라 강자성체층 (617) 에 의해 자성체층 (615) 이 자발 자화 특성을 갖는 현상이 생기는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 이 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 는, 어떠한 금속제의 물품에 부착하더라도, 인렛 (614) 의 주파수가 변하는 일 없이, 안정된 RFID 기능을 갖는 것이 된다.
여기서, 도 33 을 참조하여, 금속 물품 (620) 에 부착한 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 가 정보 판독/기록 장치 (630) 로부터 나온 자속을 포착하는 기구에 대해 설명한다.
비접촉형 데이터 수송신체 (610) 의 강자성체층 (617) 에서는, 예를 들어, 자속의 방향이, 베이스 기재 (611), 자성체층 (615) 및 강자성체층 (617) 이 겹쳐 쌓아져 있는 방향과 수직인 방향 (도 33 에 나타내는 실선의 화살표 방향) 으로 항상 일정하게 되어 있다.
그래서, 금속 물품 (620) 의 일방의 면 (620a) 에 부착한 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 에 정보 판독/기록 장치 (630) 를 가까이 하면, 정보 판독/기록 장 치 (630) 로부터 나온 자속은, 도 33 에 나타내는 파선의 화살표 방향을 형성하여, 안테나 (612) 에 포착된다. 즉, 상자성체층 (616) 의 존재에 의해, 정보 판독/기록 장치 (630) 로부터 나온 자속은 강자성체층 (617) 으로 당겨 끌려가는 일 없이 자성체층 (615) 를 거쳐 안테나 (612) 에 포착된다. 따라서, 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 의 전역에 있어서, 정보 판독/기록 장치 (630) 로부터 나온 자속이 자성체층 (615) 을 거쳐 안테나 (612) 에 포착되기 때문에, 안테나 (612) 에 IC 칩 (613) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 안테나 (612) 로서, 베이스 기재 (611) 의 일방의 면 (611a) 에 코일형상으로 형성된 것을 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 전자 유도 방식을 채용하고 있고 기전력이 얻어진다면, 안테나의 형상은 상관하지 않는다.
또한, 이 실시형태에서는, 코일형상의 안테나 (612) 와, IC 칩 (613) 이 베이스 기재 (611) 의 일방의 면 (611a) 에 별도로 형성되고, 이들이 서로 접속된 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 안테나 상에 IC 칩이 탑재되어 있어도 되고, IC 칩 상에 안테나가 형성되어 있어도 된다.
또한, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체는, 친전성을 갖는 엽서 시스템 등에도 적용할 수 있다. 친전성을 갖는 엽서 시스템으로는, 일반적으로 2절 엽서, 3절 엽서, 4절 엽서, 일부 절첩 타입의 엽서 등을 들 수 있다.
(비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법)
다음으로, 도 32 를 참조하여, 상기 실시형태인 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 관해서 설명한다.
먼저, 베이스 기재 (611) 의 일방의 면 (611a) 에, 소정 두께, 소정 패턴을 이루는 안테나 (612) 를 형성한다.
이 공정에서는, 안테나 (612) 를 폴리머형 도전 잉크로 형성하는 경우, 스크린 인쇄법에 의해, 베이스 기재 (611) 의 일방의 면에, 소정 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조·경화시킴으로써, 소정 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (612) 를 형성한다.
또한, 안테나 (612) 를 도전성 박으로 형성하는 경우, 이하와 같은 순서에 따른다.
베이스 기재 (611) 의 일방의 전체면에 도전성 박을 부착한 후, 실크 스크린 인쇄법에 의해 이 도전성 박에 내에칭 도료를 소정 패턴으로 인쇄한다. 이 내에칭 도료를 건조·고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재 (611) 의 일방의 면에 잔존시킴으로써, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (612) 를 형성한다.
이어서, 안테나 (612) 에 형성된 접점 (도시 생략) 과, IC 칩 (613) 에 형성된 접점 (도시 생략) 을, 도전성 페이스트, 또는 땜납으로 이루어지는 도전재를 통해서 전기적으로 접속하여, IC 칩 (613) 을 베이스 기재 (611) 의 일방의 면 (611a) 에 실장한다.
이어서, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (611) 의 타방의 면 (611b) 의 전체면에 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정의 온도로, 소정 시간 가열하여 건조·고화시킴으로써, 자성체층 (615) 을 형성한다.
이어서, 자성체층 (615) 의 일방의 면 (615a) 의 전체면에 접착제를 통해서, 투자율이 매우 낮아, 자화되지 않는 상자성체로 이루어지는 금속박을 부착하여 상자성체층 (616) 을 형성한다.
이어서, 상자성체층 (616) 의 일방의 면 (616a) 전체면에 접착제를 통해서, 시트형상, 판형상 등의 자발 자화 특성을 구비한 강자성체를 부착하여 강자성체층 (617) 을 형성해서, 비접촉형 데이터 수송신체 (610) 를 얻는다.
또, 이 실시형태에서는, 안테나 (612) 의 형성 방법으로서 스크린 인쇄법, 에칭에 의한 방법을 예시하였지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 증착법이나 잉크젯식 인쇄 방법에 의해 안테나를 형성할 수도 있다.
또한, 잔류 자화가 남지 않을 정도 (자발 자화 특성을 갖지 않을 정도) 로 조정하여 자기장을 가하면서, 도포·건조의 프로세스에 의해 자성체층 (615) 을 형성해도 된다. 이 때, 자속의 편차를 완화하면서 투자율을 높일 수 있다.
도 34 는, 본 발명에 관련된 제 18 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (640) 는, 베이스 기재 (641) 와, 그 일방의 면 (641a) 에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 (642) 및 IC 칩 (643) 으로 이루어지는 인렛 (644) 과, 이들 안테나 (642) 및 IC 칩 (643) 을 덮도록 배치된 자성체층 (645) 과, 자성체층 (645) 의 베이스 기재 (641) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 645a) 에 배치된 상자성체층 (646) 과, 상자성체층 (646) 의 자성체층 (645) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 646a) 에 배치된 강자성체층 (647) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 자성체층 (645) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (640) 에 있어서, 안테나 (642) 는, 베이스 기재 (641) 의 일방의 면 (641a) 에 소정 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (640) 에서는, 안테나 (642) 와 IC 칩 (643) 이 베이스 기재 (641) 의 동일면 (일방의 면 (641a)) 상에 형성되어 있지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에서는, 안테나의 일부를 형성하는 접속 브리지가 안테나의 주요부가 형성되어 있는 면과는 반대측 면 (상기의 일방의 면 (641a) 과는 반대의 면) 에 형성되어 있어도 된다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (640) 에 있어서, 인렛 (644) 을 구성하는 안테나 (642) 와 IC 칩 (643) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (642) 의 단부가 IC 칩 (643) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
그리고, 자성체층 (645) 을 형성하고, 자성 미립자로 이루어지는 필러와 수지로 이루어지는 복합체가, 인렛 (644) 을 구성하는 안테나 (642) 및 IC 칩 (643) 을 덮도록이란, 안테나 (642) 와 IC 칩 (643) 이 가려질 정도로 덮는 것을 말한다. 그리고, 자성체층 (645) 의 일방의 면 (645a) 이 평탄해지도록, 자성체층 (645) 이 안테나 (642) 와 IC 칩 (643) 을 덮는 것이 보다 바람직하다.
그리고, 자성체층 (645) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (640) 를 베이스 기재 (641) 의 일방의 면 (641a) 측에서 보면, 자성체층 (645) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
또한, 코일형상으로 형성된 안테나 (642) 사이에는 자성체층 (645) 을 형성하는 복합체가 충전되도록 배치되어 있고, 이 복합체를 형성하는 자성 미립자의 전부 또는 일부가 안테나 (642) 사이에 배치되어 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (640) 에 있어서, 강자성체층 (647) 의 일방의 면 (647a) 이 금속제의 물품에 대한 본딩면을 형성하고 있다.
베이스 기재 (641) 로는, 상기의 베이스 기재 (611) 와 동일한 것을 들 수 있다. 안테나 (642) 를 형성하는 재료로는, 상기의 안테나 (612) 를 형성하는 폴리머형 도전 잉크 또는 도전성 박을 들 수 있다. IC 칩 (643) 으로는, 상기의 IC 칩 (613) 과 동일한 것을 들 수 있다.
자성체층 (645) 를 형성하는 복합체로는, 상기의 자성체층 (615) 를 형성하는 복합체와 동일한 것을 들 수 있다.
상자성체층 (646) 을 형성하는 자화되지 않은 상자성체로는 상기의 상자성체층 (616) 을 형성하는 자화되지 않은 상자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
강자성체층 (647) 를 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체로는, 상기의 강자성체층 (617) 를 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (640) 에 의하면, 베이스 기재 (641) 의 일방의 면 (641a) 에 형성된 안테나 (642) 및 IC 칩 (643) 을 덮도록 자성체층 (645) 이 배치되고, 자성체층 (645) 의 일방의 면 (645a) 에 상자성체층 (646) 이 배치되고, 상자성체층 (646) 의 일방의 면 (646a) 에 강자성체층 (647) 이 배치됨으로써, 점착제를 사용하지 않고 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도, 자속이 강자성체층 (647) 으로 당겨 끌려가지 않고 자성체층 (645) 을 거쳐 안테나 (642) 에 포착되기 때문에, 안테나 (642) 에 IC 칩 (643) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다.
도 35 는, 본 발명에 관련된 제 19 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (650) 는, 베이스 기재 (651) 와, 그 일방의 면 (651a) 에 형성되고, 서로 접속된 안테나 (652) 및 IC 칩 (653) 으로 이루어지는 인렛 (654) 과, 이들 안테나 (652) 및 IC 칩 (653) 을 덮도록 배치된 수지 등으로 이루어지는 중간층 (658) 과, 중간층 (658) 의 베이스 기재 (651) 와 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 658a) 에 배치된 자성 체층 (655) 과, 자성체층 (655) 의 중간층 (658) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 655a) 에 배치된 상자성체층 (656) 과, 상자성체층 (656) 의 자성체층 (655) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 656a) 에 배치된 강자성체층 (657) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 자성체층 (655) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (650) 에 있어서, 안테나 (652) 는, 베이스 기재 (651) 의 일방의 면 (651a) 에 소정 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (650) 에서는, 안테나 (652) 와 IC 칩 (653) 이 베이스 기재 (651) 의 동일면 (일방의 면 (651a)) 상에 형성되어 있지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에서는 안테나의 일부를 형성하는 접속 브리지가 안테나의 주요부가 형성되어 있는 면과는 반대측 면 (상기의 일방의 면 (651a) 과는 반대의 면) 에 형성되어 있어도 된다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (650) 에 있어서, 인렛 (654) 을 구성하는 안테나 (652) 와 IC 칩 (653) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (652) 의 단부가 IC 칩 (653) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
또한, 자성체층 (655) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (650) 를 베이스 기재 (651) 의 일방의 면 (651a) 측에서 보면, 자성체층 (655) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
그리고, 비접촉형 데이터 수송신체 (650) 에 있어서, 강자성체층 (657) 의 일방의 면 (657a) 이 금속제의 물품에 대한 본딩면을 형성하고 있다.
베이스 기재 (651) 로는, 상기의 베이스 기재 (611) 와 동일한 것을 들 수 있다. 안테나 (652) 를 형성하는 재료로는, 상기의 안테나 (612) 를 형성하는 폴리머형 도전 잉크 또는 도전성 박을 들 수 있다.
IC 칩 (653) 으로는, 상기의 IC 칩 (513) 과 동일한 것을 들 수 있다.
자성체층 (655) 를 형성하는 복합체으로는, 상기의 자성체층 (615) 를 형성하는 복합체와 동일한 것을 들 수 있다.
상자성체층 (646) 을 형성하는 자화되지 않은 상자성체로는 상기의 상자성체층 (616) 을 형성하는 자화되지 않은 상자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
강자성체층 (657) 을 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체로는, 상기의 강자성체층 (617) 을 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
중간층 (658) 은, 수지, 합성지, 종이, 점착제 등으로 형성되어 있다. 중간층 (658) 을 형성하는 수지로는, 예를 들어, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수지, 에폭시계 수지, 폴리우레탄계 수지 등을 들 수 있고, 이들 이외의 수지라도 적절히 사용할 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (650) 에 의하면, 베이스 기재 (651) 의 일방의 면 (651a) 에 형성된 안테나 (652) 및 IC 칩 (653) 을 덮도록 수지 등으로 이루어지는 중간층 (658) 이 배치되어, 중간층 (658) 의 일방의 면 (658a) 에 자성체층 (655) 이 배치되고, 자성체층 (655) 의 일방의 면 (655a) 에 상자성체층 (656) 가 배치되고, 상자성체층 (656) 의 일방의 면 (656a) 에 강자성체층 (657) 가 배치됨으로써, 점착제를 사용하지 않고, 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도 자속이 강자성체층 (657) 에 가까이 당겨지는 일 없이 자성체층 (655) 을 통해 안테나 (652) 에 포착되기 때문에, 안테나 (652) 에 IC 칩 (653) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 중간층 (658) 을 형성함으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (650) 전체의 강도를 높게 할 수 있다. 그리고, 중간층 (658) 이 형성되어 있으면, 도포·건조라고 한 프로세스 이외의 방법에 의해 자성체층 (655) 을 형성하는 경우에, 자성체층 (655) 을 박리하기 어렵게 형성할 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 중간층 (658) 을 1 층으로 한 비접촉형 데이터 수송신체 (650) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 중간층을 복수 형성해도 된다.
도 36 은, 본 발명에 관련된 제 20 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 는, 베이스 기재 (661) 와, 그 일방의 면 (661a) 에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 (662) 및 IC 칩 (663) 으로 이루어지는 인렛 (664) 과, 이들 안테나 (662) 및 IC 칩 (663) 을 덮도록 배치된 수지 등으로 이루어지는 제 1 중간층 (668) 과, 제 1 중간층 (668) 의 베이스 기재 (661) 와 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 668a) 에 배치된 자성체층 (665) 과, 자성체층 (665) 의 제 1 중간층 (668) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 665a) 에 배치되고, 단위층 (669A, 669B, 669C) 으로 이루어지는 제 2 중간층 (669) 과, 제 2 중간층 (669) 의 자성체층 (665) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 669a) 에 배치된 상자성체층 (656) 과, 상자성체층 (656) 의 제 2 중간층 (669) 과 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 666a) 에 배치된 강자성체층 (667) 으로 개략 구성되어 있다. 또한, 자성체층 (665) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (660) 에 있어서, 안테나 (662) 는, 베이스 기재 (661) 의 일방의 면 (661a) 에 소정의 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 에서는, 안테나 (662) 와 IC 칩 (663) 이 베이스 기재 (661) 의 동일면 (일방의 면 (661a)) 상에 형성되어 있지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에서는, 안테나의 일부를 형성하는 접속 브리지가, 안테나의 주요부가 형성되어 있는 면과는 반대측 면 (상기 일방의 면 (661a) 과는 반대측의 면) 에 형성되어 있어도 된다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 에 있어서, 인렛 (664) 을 구성하는 안테나 (662) 와 IC 칩 (663) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (662) 의 단부가 IC 칩 (663) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
또한, 자성체층 (665) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 를 베이스 기재 (661) 의 일방의 면 (661a) 측에서 보면, 자성체층 (665) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 에 있어서, 강자성체층 (667) 의 일방의 면 (667a) 이 금속제의 물품에 대한 본딩면을 형성하고 있다.
베이스 기재 (661) 로는, 상기의 베이스 기재 (611) 와 동일한 것을 들 수 있다. 안테나 (662) 를 형성하는 재료로는, 상기의 안테나 (612) 를 형성하는 폴리머형 도전 잉크 또는 도전성 박을 들 수 있다. IC 칩 (663) 으로는, 상기의 IC 칩 (613) 과 동일한 것을 들 수 있다.
자성체층 (665) 을 형성하는 복합체로는, 상기의 자성체층 (615) 를 형성하는 복합체와 동일한 것을 들 수 있다.
상자성체층 (666) 을 형성하는 자화되지 않는 상자성체로는, 상기한 상자성체층 (616) 을 형성하는 자화되지 않는 상자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
강자성체층 (667) 을 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체로는, 상기의 강자성체층 (617) 를 형성하는 자발 자화 특성을 구비한 강자성체와 동일한 것을 들 수 있다.
제 1 중간층 (668) 및 제 2 중간층 (669) 는, 수지, 합성지, 종이, 점착제 등으로 형성되어 있다. 제 1 중간층 (668) 및 제 2 중간층 (669) 을 형성하는 수지로는, 예를 들어, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에스테르계 수 지, 에폭시계 수지, 폴리우레탄계 수지 등을 들 수 있고, 이들 이외의 수지라도 적절히 사용할 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 에 의하면, 베이스 기재 (661) 의 일방의 면 (661a) 에 형성된 안테나 (662) 및 IC 칩 (663) 을 덮도록 수지 등으로 이루어지는 제 1 중간층 (668) 이 배치되고, 제 1 중간층 (668) 의 일방의 면 (668a) 에 자성체층 (665) 이 배치되고, 자성체층 (665) 의 일방의 면 (665a) 에 수지 등으로 이루어지는 제 2 중간층 (669) 이 배치되고, 제 2 중간층 (669) 의 일방의 면 (669a) 에 상자성체층 (666) 이 배치되고, 상자성체층 (666) 의 일방의 면 (666a) 에 강자성체층 (667) 이 배치됨으로써, 점착제를 사용하지 않고, 금속제의 물품에 반복적으로 부착할 수 있음과 함께, 금속제의 물품에 접한 경우라도 자속이 자성체층 (665) 을 통해 안테나 (662) 에 포착되기 때문에, 안테나 (662) 에 IC 칩 (663) 을 작동시키기 위해 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 제 1 중간층 (668) 및 제 2 중간층 (668) 을 형성함으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 전체의 강도를 높게 할 수 있다. 그리고, 제 1 중간층 (668) 이 형성되어 있으면, 도포·건조와 같은 프로세스 이외의 방법에 의해 자성체층 (665) 을 형성하는 경우에 자성체층 (665) 을 박리하기 어렵게 형성할 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 제 1 중간층 (668) 을 1 층으로 한 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 제 1 중간 층을 복수개 형성해도 된다. 또한, 본 실시형태에서는, 제 2 중간층 (669) 을 단위층 (669A, 569B, 569C) 으로 이루어지는 3 층으로 한 비접촉형 데이터 수송신체 (660) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다.
본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 제 2 중간층을 1층 또는 2층, 또는 4층 이상 형성해도 된다.
이하, 본 발명을 실시한 비접촉형 데이터 수송신체에 관해서 상세하게 설명한다.
도 37A 및 도 37B 는, 본 발명에 관련된 제 1 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략도이고, 도 37A 는 평면도, 도 37B 는 도 37A 의 A-A 선에 따른 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 는, 베이스 기재 (711) 와, 그 일방의 면 (711a) 에 형성되고, 서로 접속된 안테나 (712) 및 IC 칩 (713) 으로 이루어지는 인렛 (714) 과, 자성체층 (715) 로 개략 구성되어 있다.
이 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 에서는, 안테나 (712) 는 IC 칩 (713) 을 통해서 코일형상을 이루고 있고, 그 양단부 (712c, 712c) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (712) 및 IC 칩 (713) 을 덮도록 베이스 기재 (711) 상에 자성체층 (715) 이 배치되어 있다. 여기서, 안테나 (712) 의 양단부 (712c) 의 근방 영역이란, 안테나 (712) 에 있어서 양단부 (712c) 에 연속되는 영역을 말한다.
또한, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 를 연결하여, 도전부 (716) 의 일부를 형성하는 제 1 부 (716A) 는, 자성체층 (715) 의 베이스 기재 (711) 와 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 715a) 상에 형성되어 있다. 또, 도전부 (716) 는, 일체로 형성된 제 1 부 (716A) 와 제 2 부 (716B) 로 이루어지고, 제 2 부 (716B) 는, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 로부터 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 에 형성된 제 1 부 (716A) 에 걸쳐 형성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (710) 에 있어서, 안테나 (712) 는, 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 에 소정의 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다. 그리고, IC 칩 (713) 의 두께는 안테나 (712) 의 두께보다 두껍게 되어 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 에 있어서, 인렛 (714) 을 구성하는 안테나 (712) 와 IC 칩 (713) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (712) 의 단부가 IC 칩 (713) 의 양극 단자에 각각 접속된다는 것이다.
또, 자성체층 (715) 이, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 및 그 근방 영역을 제외하고, 인렛 (714) 을 구성하는 안테나 (712) 및 IC 칩 (713) 을 덮도록 배치된다는 것은, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 및 그 근방 영역을 제외하고, 자성체층 (715) 이, 안테나 (712) 와 IC 칩 (713) 이 가려질 정도로 덮는 것이다. 그리고, 자성체층 (715) 의 표면 (개방면) 이 평탄해지도록, 자성체층 (715) 이 안테나 (712) 와 IC 칩 (713) 을 덮는 것이 보다 바람직하다.
또한, 자성체층 (715) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다. 이러한 자성체층 (715) 에 있어 서, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 측에서 보면, 자성체층 (715) 을 구성하는 다수의 자성 미립자는 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
또한, 코일형상으로 형성된 안테나 (712) 사이에는, 자성체층 (715) 을 형성하는 복합체가 충전되도록 배치되어 있고, 이 복합체를 형성하는 자성 미립자의 전부 또는 일부가 안테나 (712) 사이에 배치되어 있다.
또한, 도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 는, 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 에 직접 형성되어 있다. 도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 를 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 에 직접 형성하면, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를 구성하는 요소 (층, 막 등) 가 적어지기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접할 때에 휘게 한 경우에, 각 요소가 형상의 변화에 추종하기 쉬워지고, 결과적으로, 각 요소 사이에서의 박리 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 의 제조에 있어서, 종래와 같이, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 를 연결하기 위해서 안테나 (712) 의 코일부 (712a) 를 덮는 절연막을 형성할 필요가 없어지므로, 제조 공정을 생략할 수 있기 때문에 제조 비용을 삭감할 수 있다.
베이스 기재 (711) 로는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것이나, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재나, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재나, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리, 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용된다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (712) 는, 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄에 의해 형성되어 이루어지는 것이거나, 또는, 도전성 박을 에칭하여 이루어지는 것이다.
본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐 분말, 로듐 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자가 수지 조성물에 배합된 것을 들 수 있다.
수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 폴리머형 도전 잉크는, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 안테나 (712) 를 형성하는 도막을 형성할 수 있는 열경화형이 된다. 안테나 (712) 를 형성하는 도막의 전기가 흐르는 경로는, 도막을 형성하는 도전 미립자가 서로 접촉함으로써 형성되고, 이 도막의 저항 치는 10-5Ω·cm 오더이다.
또한, 본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 열경화형의 외에도, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 사용할 수 있다.
광경화형의 폴리머형 도전 잉크는, 광경화성 수지를 수지 조성물에 함유하는 것으로, 경화 시간이 짧기 때문에 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 광경화형의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에 도전 미립자가 60질량% 이상 배합되고, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것, 즉, 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용형 (단 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것이나, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것, 즉 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 에 의해 가요성이 요구되고, 그 결과적으로, 안테나 (712) 에 있어서 내절곡성이 더욱 요구되는 경우에는, 이 폴리머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합해도 된다.
가요성 부여제로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 가요성 부여제, 아크릴계 가요성 부여제, 우레탄계 가요성 부여제, 폴리아세트산비닐계 가요성 부여제, 열가소성 엘라스토머계 가요성 부여제, 천연 고무계 가요성 부여제, 합성 고무계 가요성 부여제 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
한편, 안테나 (712) 를 형성하는 도전성 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금박, 알루미늄박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (713) 으로는, 특별히 한정되지 않고, 안테나 (712) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능하다면 어느 것이나 사용할 수 있다.
자성체층 (715) 을 형성하는 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와 수지로 개략 구성되어 있다.
이 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를 도포, 건조시킴으로써, 자성 미립자가 거의 균일하게 분산된 형태로 성형된다.
또한, 자성 미립자로는, 분말상의 자성체 분말, 또는 이 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 편평형상의 플레이크 등으로 이루어지는 자성체 플레이크를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는 편평형상인 것이 바람직하다. 자성 미립자가 편평형상이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 측에서 보면, 자성체층 (715) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하기 쉽다. 따라서, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체 분말로는, 예를 들어, 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 분말, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다. 자성체 플레이크로는, 예를 들어, 상기 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는, 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 바람직하고, 센더스트로 이루어지는 자성체 플레이크가 보다 바람직하다. 자성 미립자가 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크이면, 이들을 구성 요소로서 포함하는 자성체층 (715) 의 포화 자속 밀도 및 투자율이 높아지기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체층 (715) 을 형성하는 자성 미립자의 형상은, 그 모두가 분말상 또는 편평형상 중 어느 일방 일 필요는 없다. 자성체층 (715) 에는, 분말상의 자성 미립자와 편평형상의 자성 미립자가 혼재되어 있어도 되고, 이와 같이 형상이 상이한 자성 미립자가 혼재되어 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
자성체층 (715) 을 형성하는 복합체를 구성하는 수지로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합 체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 자성체층 (715) 을 형성하는 복합체에는, 자성체층 (715) 에 점착성을 부여하기 위해서 각종 점착제가 함유되어 있어도 된다.
또한, 자성체층 (715) 을 형성하는 복합체를 형성하기 위해서 사용되는 자성 도료에 함유되는 첨가제로는, 점도 조정제, 기포 제거제, 레벨링제 등을 들 수 있다.
그리고, 이 자성 도료에 함유되는 용매로는, 시클로헥사논, 아세톤, 벤젠계, 에틸계 등의 유기용매를 들 수 있다.
도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 는, 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 에, 상기 서술한 안테나 (712) 의 형성에 사용되는 것과 동일한 폴리머형 도전 잉크 등을 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄 등에 의해 형성되어 이루어지는 것이다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 에 대하여, 보다 가요성이 요구되는 경우, 도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 를 형성하는 폴리머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 의 내절곡성이 향상되기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘어도, 도전부 (716) 의 일부 (716A) 가 파손하여 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 의 통신 기능이 손상되는 경우를 방지할 수 있다.
이와 같이, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 에 의하면, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (712) 및 IC 칩 (713) 을 덮도록 베이스 기재 (711) 상에 자성체층 (715) 이 배치되어 있음으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층 (715) 을 거쳐 안테나 (712) 에 포착되기 때문에, 안테나 (712) 에 IC 칩 (713) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층 (715) 이 자성 미립자를 수지에 함침시킨 것으로, 자성 미립자와 수지의 혼합 비율을 조절함으로써, 자성체층 (715) 의 투자율을 높이고, 또한 절연성을 유지할 수 있기 때문에, 자성체층 (715) 은, 안테나 (712) 및 IC 칩 (713) 을 덮도록 형성함으로써 이들의 보호층으로서의 기능도 발휘한다. 또, 자성체층 (715) 이 자성 미립자를 수지에 함침시킨 것으로, 자성 미립자와 수지의 혼합 비율을 조절함으로써, 자성체층 (715) 의 투자율을 높이고, 또한 절연성을 유지할 수 있기 때문에, 자성체층 (715) 이 절연막의 요소도 겸하며, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 를 연결하는 도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 를 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 상에 형성함으로써, 도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 가 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 를 연결하기 위해서, 안테나 (712) 의 코일부 (712a) 상에 절연막을 통해서 도전부를 형성할 필요가 없어지므로, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를 구성하는 요소 (층, 막 등) 가 적어지기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, 각 요소가 형상의 변화에 추종하기 쉬워지고, 결과적으로, 각 요소 사이에서의 박리 등의 문제를 방지할 수 있다.
(비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법)
다음으로, 도 38A 에서 도 39 를 참조하여, 상기 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 관해서 설명한다.
먼저, 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 에, 소정 두께, 소정 패턴을 이루는 안테나 (712) 를 형성한다 (안테나 형성 공정).
이 공정에서는, 안테나 (712) 를 폴리머형 도전 잉크로 형성하는 경우, 스크린 인쇄법에 의해, 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 에, 소정 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조· 경화시킴으로써, 소정 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (712) 를 형성한다.
또한, 안테나 (712) 를 도전성 박으로 형성하는 경우, 이하와 같은 순서에 따른다.
베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 전체면에 도전성 박을 부착한 후, 실크 스크린 인쇄법에 의해 이 도전성 박에 내에칭 도료를 소정 패턴으로 인쇄한다. 이 내에칭 도료를 건조·고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재 (711) 의 일방의 면에 잔존시킴으로써, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (712) 를 형성한다.
이어서, 도 38A 에 나타내는 바와 같이, 안테나 (712) 에 형성된 접점 (712b, 712b) 과, IC 칩 (713) 에 형성된 접점 (도시 생략) 을, 도전성 페이스트, 또는, 땜납으로 이루어지는 도전재를 통해서 전기적으로 접속하여, IC 칩 (713) 을 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 에 실장한다 (IC 칩 실장 공정).
이어서, 도 38B 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 에 있어서, 안테나 (712) 와 IC 칩 (713) 이 간신히 가려질 정도로 도포하거나, 또는, 충분히 가려질 정도로 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정 온도로, 소정 시간 가열하여 건조·고화시킴으로써 자성체층 (715) 을 형성한다 (자성체층 형성 공정). 이 자성체층 형성 공정에서는, 도 38B 및 도 39 에 나타내는 바와 같이, 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 에서, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 에 걸친 관통구멍 (715b, 715b) 가 개구하도록, 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 에 자성 도료를 도포하여, 자성체층 (715) 을 형성한다.
이어서, 도 38C 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성체층 (715) 의 관통구멍 (715b, 715b) 내에 폴리머형 도전 잉크를 충전함과 함께, 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 에, 소정의 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조·경화시킴으로써, 소정의 두께, 소정의 패턴을 형성하는 제 1 부 (716A) 와 제 2 부 (716B) 로 이루어지는 도전부 (716) 를 형성한다 (도전부 형성 공정).
이와 같이, 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 에서, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 에 걸친 관통구멍 (715b, 715b) 이 개구하도록, 베이스 기재 (711) 의 일방의 면 (711a) 에 자성 도료를 도포하여 자성체층 (715) 을 형성한 후, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 를 전기적으로 접속하기 위한 도전부 (716) 를 형성하면, 종래와 같이, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 를 접속하기 위해서 안테나 (712) 의 코일부 (712a) 상에 절연막을 통해서 도전부를 형성할 필요가 없어지므로, 제조 공정을 생략할 수 있기 때문에, 제조 비용을 삭감할 수 있다.
또, 상기 실시형태에서는, 안테나 (712) 의 형성 방법으로서, 스크린 인쇄법, 에칭에 의한 방법을 예시하였지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 본 발명에 있어서는, 증착법이나 잉크젯식 인쇄 방법에 의해 안테나를 형성할 수도 있 다.
도 40 은, 본 발명에 관련된 제 22 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 40 에 있어서, 도 37A 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (720) 는, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 와, 접착제층 (721) 과, 박리 기재 (722) 와, 상부재 (723) 로 개략 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (720) 로는, 접착제층 (721) 이 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를 덮도록 형성되어 있다.
또한, 박리 기재 (722) 가, 접착제층 (721) 의 자성체층 (715) 과 접하는 면과는 반대측 면 (물품에 부착되는 면) 에 부착되어 있다.
그리고, 상부재 (723) 가, 접착제층 (721) 의 베이스 기재 (711) 와 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되지 않은 면) 에 부착되어 있다.
접착제층 (721) 를 형성하는 접착제로는, 페놀계, 에폭시계, 아크릴계, 우레탄계 등의 접착제를 들 수 있다. 또, 그 밖의 접착제라도, 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
박리 기재 (722) 로는, 실리콘계, 비실리콘계 등의 박리제가 도포된 종이, 합성지, 코팅지, 폴리프로필렌 필름, PET 필름 등의 기재를 들 수 있다. 또, 기타, 박리제, 기재 모두 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
상부재 (723) 로는, 종이, 합성지, 코팅지, 폴리프로필렌 필름, PET 필름 등의 기재를 들 수 있다. 또, 기타, 박리제, 기재 모두 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (720) 는, 자성체층 (715) 이 형성된 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 가 접착제층 (721) 에 의해 덮이고, 접착제층 (721) 으로 덮인 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 가 박리 기재 (722) 및 상부재 (723) 로 둘러싸여 있기 때문에, 자성체층 (715) 으로 먼지나 티끌 등이 부착되지 않는다. 그리고, 박리 기재 (722) 를 제거하여 새롭게 노출된 접착제층 (721) 에 의해, 금속을 포함하는 물품에 자성체층 (715) 이 접하도록 하여 비접촉형 데이터 수송신체 (720) 를 이 물품에 부착시킬 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (720) 는, 접착제층 (721) 의 베이스 기재 (711) 에 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되지 않은 면) 에 상부재 (723) 가 형성되어 있기 때문에, 이 상부재 (723) 에 모양을 형성하거나, 각종 정보를 인쇄할 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 접착제층 (721) 이, 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를 덮도록 형성되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체 (720) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 접착제층이, 자성체층의 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에 형성되어 있어도 된다. 또, 베이스 기재의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면과는 반대측 면에는, 접착제층이 형성되어 있지 않아도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 박리 기재 (722) 가, 자성체층 (715) 의 베이스 기재 (711) 와 접하는 면과는 반대측 면, 및 접착제층 (721) 의 자성체층 (715) 의 베이스 기재 (711) 와 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되는 면) 에 부착되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체 (720) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 박리 기재가, 자성체층의 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에만 부착되어 있어도 된다.
도 41 은, 본 발명에 관련된 제 23 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 41 에 있어서, 도 37A 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (730) 가, 상기 서술한 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 와 다른 점은, 도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 가 자성체층 (715) 의 내부에 형성되어 있는 점이다.
이러한 비접촉형 데이터 수송신체 (730) 를 제조하기 위해서는, 도 37A 에 나타내는 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 를 제조한 후, 자성체층 (715A) 의 일방의 면 (715a) 및 도전부 (716) 의 제 1 부 (716A) 를 덮도록 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정의 온도로, 소정 시간, 가열하고 건조·고화시킴으로써, 자성체층 (715B) 를 형성하면 된다.
이와 같이 하면, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 를 연결하기 위한 도 전부 (716) 가 모두 자성체층 (715) 에 덮여지기 때문에, 도전부 (716) 의 파손에 의한 안테나 (712) 의 단선을 방지할 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (730) 의 표면에 도전부 (716) 가 존재하지 않기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체 (730) 의 표면을 평탄하게 할 수 있어, 비접촉형 데이터 수송신체 (730) 의 표면에 대한 인쇄 등을 하기 쉽다.
도 42A 및 도 42B 는, 본 발명에 관련된 제 24 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략도로, 도 42A 는 평면도, 도 42B 는 도 42A 의 B-B 선에 따른 단면도이다.
도 42A 및 도 42B 에 있어서, 도 37A 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (740) 가 상기 서술한 비접촉형 데이터 수송신체 (710) 와 상이한 점은, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 및 그 근방 영역, 및, IC 칩 (713) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (712) 를 덮도록 베이스 기재 (711) 상에 자성체층 (715) 이 배치되어 있는 점이다.
또한, 이 비접촉형 데이터 수송신체 (740) 에서는, IC 칩 (713) 의 측면 (713a) 과 자성체층 (715) 의 측면 (715c) 사이에는 간극이 형성되어 있다.
IC 칩 (713) 의 측면 (713a) 과 자성체층 (715) 의 측면 (715c) 사이의 간극의 크기는 특별히 한정되지 않고, 비접촉형 데이터 수송신체 (740) 가 부착되는 금속 물품 등의 곡면의 형상이나, IC 칩 (713) 의 형상, 크기 등에 따라서 적절히 설정된다.
또, IC 칩 (713) 의 측면 (713a) 과 대향하는 위치에 있는 자성체층 (715) 의 측면 (715c) 은, 자성체층 (715) 의 안테나 (712) 에 접하는 면에서부터, 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 을 향해서 점차로 개구직경이 커지는 테이퍼 형상을 이루고 있다.
IC 칩 (713) 의 측면 (713a) 과 대향하는 위치에 있는 자성체층 (715) 의 측면 (715c) 은 테이퍼 형상을 이루고 있지만, 그 형상은 특별히 한정되지 않고, 비접촉형 데이터 수송신체 (740) 가 부착되는 금속 물품 등의 곡면의 형상이나, IC 칩 (713) 의 형상, 크기 등에 따라서 적절히 설정된다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (740) 에 의하면, 안테나 (712) 의 양단부 (712c, 712c) 및 그 근방 영역, 및, IC 칩 (713) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (712) 를 덮도록 베이스 기재 (711) 상에 자성체층 (715) 이 배치되어 있음으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (740) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에 자성체층 (715) 가 형상의 변화에 의해 추종하기 쉬워지고, 결과적으로, 각 구성 요소 사이에서의 박리 등의 문제를 방지할 수 있다.
또한, IC 칩 (713) 의 측면 (713a) 과 자성체층 (715) 의 측면 (715c) 사이에 간극을 형성하고, 또, IC 칩 (713) 의 측면 (713a) 과 대향하는 위치에 있는 자성체층 (715) 의 측면 (715c) 을, 자성체층 (715) 의 안테나 (712) 와 접하는 면에서부터, 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 을 향해서 점차로 개구직경이 커지는 테이퍼 형상으로 하면, 자성체층 (715) 의 일방의 면 (715a) 또는 베이스 기재 (711) 의 자성체층 (715) 과 접하는 면과는 반대측 면 중 어느 면을 물품에 부착하 는 면으로 해도, 비접촉형 데이터 수송신체 (740) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, IC 칩 (713) 의 측면 (713a) 과 자성체층 (715) 의 측면 (715c) 이 접촉하기 어려워지기 때문에, 양자의 접촉에 의해 IC 칩 (713) 이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시한 비접촉형 데이터 수송신체에 대해서 상세하게 설명한다.
도 43A 및 도 43B 는, 본 발명에 관련된 제 25 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략도로, 도 43A 는 평면도, 도 43B 는 도 43A 의 A-A 선에 따른 단면도이다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 는, 베이스 기재 (811) 와, 그 일방의 면 (811a) 에 형성되고, 서로 접속된 안테나 (812) 및 IC 칩 (813) 으로 이루어지는 인렛 (814) 과, 자성체층 (815) 으로 개략 구성되어 있다.
이 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 에서는, IC 칩 (813) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (812) 를 덮도록 베이스 기재 (811) 상에 자성체층 (815) 이 배치되어 있다. 또한, IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 사이에는 간극이 형성되어 있다.
IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 사이의 간극의 크기는 특별히 한정되지 않고, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 가 부착되는 금속 물품 등의 곡면의 형상이나, IC 칩 (813) 의 형상, 크기 등에 따라 적절히 설정된다.
또한, IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 대향하는 위치에 있는 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 은, 자성체층 (815) 의 안테나 (812) 와 접하는 면에서부터, 자성체층 (815) 의 안테나 (812) 와 접하는 면과는 반대측 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 815a) 을 향해서 점차로 개구직경이 커지는 테이퍼 형상이다.
IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 대향하는 위치에 있는 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 은 테이퍼 형상을 이루고 있지만, 그 형상은 특별히 한정되지 않고, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 가 부착되는 금속 물품 등의 곡면의 형상이나, IC 칩 (813) 의 형상, 크기 등에 따라서 적절히 설정된다.
비접촉형 데이터 수송신체 (810) 에 있어서, 안테나 (812) 는, 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에 IC 칩 (813) 을 통해서 소정의 간격을 두고 코일형상으로 형성되어 있다. 또, IC 칩 (813) 의 두께는, 안테나 (812) 의 두께보다 두껍게 되어 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 에 있어서, 인렛 (814) 을 구성하는 안테나 (812) 와 IC 칩 (813) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (812) 의 단부가 IC 칩 (813) 의 양극 단자에 각각 접속된다는 것이다.
또, 자성체층 (815) 이, IC 칩 (813) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (812) 를 덮도록 베이스 기재 (811) 상에 배치된다는 것은, 안테나 (812) 가 가려질 정도로 덮는 것이다. 그리고, 자성체층 (815) 의 표면 (개방면) 이 평탄해지도록, 자성체층 (815) 이 안테나 (812) 를 덮는 것이 보다 바람직하다.
또한, 자성체층 (815) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다. 이러한 자성체층 (815) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 측에서 보면, 자성체층 (815) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
또한, 코일형상으로 형성된 안테나 (812) 사이에는, 자성체층 (815) 를 형성하는 복합체가 충전되도록 배치되어 있고, 이 복합체를 형성하는 자성 미립자의 전부 또는 일부가 안테나 (812) 사이에 배치되어 있다.
베이스 기재 (811) 로는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것이나, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재나, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재나, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리, 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용된다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (812) 는, 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄에 의해 형성되어 이루어지는 것이거나, 또는, 도전성 박을 에칭하여 이루어지는 것이다.
본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐 분말, 로듐 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자가 수지 조성물에 배합된 것을 들 수 있다.
수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 폴리머형 도전 잉크는, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 안테나 (812) 를 형성하는 도막을 형성할 수 있는 열경화형이 된다. 안테나 (812) 를 형성하는 도막의 전기가 흐르는 경로는, 도막을 형성하는 도전 미립자가 서로 접촉함으로써 형성되고, 이 도막의 저항치는 10-5Ω·cm 오더이다.
또한, 본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 열경화형의 외에도, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 사용할 수 있다.
광경화형의 폴리머형 도전 잉크는, 광경화성 수지를 수지 조성물에 함유하는 것으로, 경화 시간이 짧기 때문에 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 광경화형의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에 도전 미립자가 60질량% 이상 배합되고, 폴리에스테르 수지가 10질 량% 이상 배합된 것, 즉, 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용형 (단, 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것이나, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히, 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것, 즉, 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 에 의해 가요성이 요구되고, 그 결과적으로, 안테나 (812) 에 있어서 내절곡성이 더욱 요구되는 경우에는, 이 폴리머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합해도 된다.
가요성 부여제로는, 예를 들어, 폴리에스테르계 가요성 부여제, 아크릴계 가요성 부여제, 우레탄계 가요성 부여제, 폴리아세트산비닐계 가요성 부여제, 열가소성 엘라스토머계 가요성 부여제, 천연 고무계 가요성 부여제, 합성 고무계 가요성 부여제 및 이들의 2종 이상의 혼합물을 들 수 있다.
한편, 안테나 (812) 를 형성하는 도전성 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금박, 알루미늄박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (813) 으로는, 특별히 한정되지 않고, 안테나 (812) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능하다면 어느 것이나 사용할 수 있다.
자성체층 (815) 을 형성하는 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와 수지로 개략 구성되어 있다.
이 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를 도포, 건조시킴으로써, 자성 미립자가 거의 균일하게 분산된 형태로 성형된다.
또한, 자성 미립자로는, 분말상의 자성체 분말, 또는 이 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 편평형상의 플레이크 등으로 이루어지는 자성체 플레이크를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는 편평형상인 것이 바람직하다. 자성 미립자가 편평형상이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를 베이스 기재 (811) 의 일방의 면측에서 보면, 자성체층 (815) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하기 쉽다. 따라서, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체 분말로는, 예를 들어, 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 분말, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다. 자성체 플레이크로는, 예를 들어, 상기 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는, 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 바람직하고, 센더스트로 이루어지는 자성체 플레이크가 보다 바람직하다. 자성 미립자가 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크이면, 이들을 구성 요소로서 포함하는 자성체층 (815) 의 포화 자속 밀 도 및 투자율이 높아지기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체층 (815) 을 형성하는 자성 미립자의 형상은, 그 모두가 분말상 또는 편평형상 중 어느 일방 일 필요는 없다. 자성체층 (815) 에는, 분말상의 자성 미립자와 편평형상의 자성 미립자가 혼재되어 있어도 되고, 이와 같이 형상이 상이한 자성 미립자가 혼재되어 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
자성체층 (815) 을 형성하는 복합체를 구성하는 수지로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합 성 고무 재료 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 자성체층 (815) 을 형성하는 복합체에는, 자성체층 (815) 에 점착성을 부여하기 위해서 각종 점착제가 함유되어 있어도 된다.
또한, 자성체층 (815) 을 형성하는 복합체를 형성하기 위해서 사용되는 자성 도료에 함유되는 첨가제로는, 점도 조정제, 기포 제거제, 레벨링제 등을 들 수 있다.
그리고, 이 자성 도료에 함유되는 용매로는, 시클로헥사논, 아세톤, 벤젠계, 에틸계 등의 유기용매를 들 수 있다.
도전부 (816) 는, 상기 서술한 안테나 (812) 의 형성에 사용되는 것과 동일한 폴리머형 도전 잉크 등을 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄 등에 의해 형성되어 이루어지는 것이다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 에 대하여, 가요성이 좀 더 요구되는 경우, 도전부 (816) 를 형성하는 폴리머형 도전 잉크에 가요성 부여제를 배합하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 도전부 (816) 의 내절곡성이 향상되기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체 (810)를 물품의 곡면에 부착해도, 도전부 (816) 가 파손되어, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 의 통신 기능이 손상되는 경우를 방지할 수 있다.
이와 같이, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 에 의하면, IC 칩 (813) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (812) 를 덮도록 베이스 기재 (811) 상에 자성체층 (815) 이 배치되어 있음으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 자성체층 (815) 을 거쳐 안테나 (812) 에 포착되기 때문에, 안테나 (812) 에 IC 칩 (813) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 자성체층 (815) 이 자성 미립자를 수지에 함침시킨 것으로, 자성 미립자와 수지의 혼합 비율을 조절함으로써, 자성체층 (815) 의 투자율을 높이고, 또한 절연성을 유지할 수 있기 때문에, 자성체층 (815) 은, 안테나 (812) 를 덮도록 형성함으로써, 이들의 보호층으로서의 기능도 발휘한다. 또, IC 칩 (813) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (812) 를 덮도록 베이스 기재 (811) 상에 자성체층 (815) 이 배치되어 있음으로써, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, 자성체층 (815) 이 형상의 변화에 추종하기 쉬워지고, 결과적으로, 각 구성 요소 사이에서의 박리 등의 문제를 방지할 수 있다.
또한, IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 사이에 간극을 형성하고, 또한, IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 대향하는 위치에 있는 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 을, 자성체층 (815) 의 안테나 (812) 와 접하는 면에서부터 자성체층 (815) 의 일방의 면 (815a) 을 향해서 점차로 개구직경이 커지는 테이퍼 형상으로 하면, 자성체층 (815) 의 일방의 면 (815a) 또는 베이스 기재 (811) 의 자성체층 (815) 과 접하는 면과는 반대측 면 중 어느 면을 물품에 부착하 는 면으로 해도, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 이 접촉하기 어려워지기 때문에, 양자의 접촉에 의해 IC 칩 (813) 이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 코일형상의 안테나 (812) 와, IC 칩 (813) 이 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에 별도로 형성되고, 이들이 서로 접속된 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 안테나 상에 IC 칩이 탑재되어 있어도 되고, IC 칩 상에 안테나가 형성되어 있어도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 안테나 (812) 로서 코일 안테나를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 전자 유도, 마이크로파 전파 방식을 채용하고 있는 것이면, 폴 안테나, 벤트폴 안테나 루프 안테나, 루프 안테나 등의 방식을 채용해도 기전력이 얻어진다면, 안테나의 형상 등에 있어서 차이가 있어도 된다.
(비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법)
다음으로, 도 44A 내지 도 44C 를 참조하여, 상기 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 관해서 설명한다.
먼저, 도 44A 에 나타내는 바와 같이, 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에, 소정 두께, 소정 패턴을 이루는 안테나 (812) 를 형성한다 (안테나 형 성 공정).
이 공정에서는, 안테나 (812) 를 폴리머형 도전 잉크로 형성하는 경우, 스크린 인쇄법에 의해, 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에, 소정 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조·경화시킴으로써, 소정 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (812) 를 형성한다.
또한, 안테나 (812) 를 도전성 박으로 형성하는 경우, 이하와 같은 순서에 따른다.
베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 전체면에 도전성 박을 부착한 후, 실크 스크린 인쇄법에 의해 이 도전성 박에 내에칭 도료를 소정 패턴으로 인쇄한다. 이 내에칭 도료를 건조·고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재 (811) 의 일방의 면에 잔존시킴으로써, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (812) 를 형성한다.
이어서, 도 44B 에 나타내는 바와 같이, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에 있어서, 안테나 (812) 가 간신히 가려질 정도로 도포하거나, 또는 충분히 가려질 정도로 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정의 온도로, 소정 시간, 가열하여 건조·고화시킴으로써, 자성체층 (815) 을 형성한다 (자성체층 형성 공정). 이 자성체층 형성 공정에서는, IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 대향하는 위치에 있는 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 이, 자성체층 (815) 의 안테나 (812) 와 접하는 면에서부터 자성체층 (815) 의 일방의 면 (815a) 을 향해서 점차로 개구직경이 커지는 테이퍼 형상을 이루고, 자성체층 (815) 이 개구하도록, 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에 자성 도료를 도포하여, 자성체층 (815) 을 형성한다.
이어서, 도 44C 에 나타내는 바와 같이, 안테나 (812) 에 형성된 접점 (812b, 812b) 과, IC 칩 (813) 에 형성된 접점 (도시 생략) 을, 도전성 페이스트, 또는, 땜납으로 이루어지는 도전재를 통해서 전기적으로 접속하여 IC 칩 (813) 을 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에 실장해서, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를 얻는다 (IC 칩 실장 공정).
이와 같이, IC 칩 (813) 의 측면 (813a) 과 대향하는 위치에 있는 자성체층 (815) 의 측면 (815b) 이, 자성체층 (815) 의 안테나 (812) 와 접하는 면에서부터 자성체층 (815) 의 일방의 면 (815a) 을 향해서 점차로 개구직경이 커지는 테이퍼 형상을 이루고, 자성체층 (815) 이 개구하도록, 베이스 기재 (811) 의 일방의 면 (811a) 에 자성 도료를 도포하여, 자성체층 (815) 을 형성한 후, IC 칩 (813) 을 실장하면, 안테나 (812) 의 형성으로부터 자성체층 (815) 의 형성까지를 인쇄 공정도에서 실시한 후, IC 칩 (813) 의 실장을 실시할 수 있다. 따라서, 인쇄 공정의 도중에 별도의 공정을 형성할 필요가 없어지므로 제조 시간의 단축을 꾀할 수 있어, 제조 비용을 삭감할 수 있다.
또, 상기 실시형태에서는, 안테나 (812) 의 형성 방법으로서 스크린 인쇄법, 에칭에 의한 방법을 예시하였지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 본 발 명에 있어서는, 증착법이나 잉크젯식 인쇄 방법에 의해 안테나를 형성할 수도 있다.
도 45 는, 본 발명에 관련된 제 26 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 45 에 있어서, 도 43A 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (820) 는, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 와, 접착제층 (821) 과, 박리 기재 (822) 와, 상부재 (823) 로 개략 구성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (820) 로는, 접착제층 (821) 이 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를 덮도록 형성되어 있다.
또한, 박리 기재 (822) 가, 접착제층 (821) 의 자성체층 (815) 과 접하는 면과는 반대측 면 (물품에 부착되는 면) 에 부착되어 있다.
그리고, 상부재 (823) 가, 접착제층 (821) 의 베이스 기재 (811) 와 접하는 면과는 반대측 면 (물품에 부착되지 않은 면) 에 부착되어 있다.
접착제층 (821) 를 형성하는 접착제로는, 페놀계, 에폭시계, 아크릴계, 우레탄계 등의 접착제를 들 수 있다. 또, 그 밖의 접착제에서도, 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
박리 기재 (822) 로는, 실리콘계, 비실리콘계 등의 박리제가 도포된, 종이, 합성지, 코팅지, 폴리프로필렌 필름, PET 필름 등의 기재를 들 수 있다. 또, 기타, 박리제, 기재 모두 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
상부재 (823) 로는, 종이, 합성지, 코팅지, 폴리프로필렌 필름, PET 필름 등의 기재를 들 수 있다. 또, 기타, 박리제, 기재 모두 공지된 것을 적절히 사용할 수 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (820) 는, 자성체층 (815) 이 형성된 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 가 접착제층 (821) 으로 덮어지고, 접착제층 (821) 으로 덮인 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 가 박리 기재 (822) 및 상부재 (823) 로 둘러싸여 있기 때문에, 자성체층 (815) 으로 먼지나 티끌 등이 부착되지 않는다. 그리고, 박리 기재 (822) 를 제거하여 새롭게 노출된 접착제층 (821) 에 의해, 금속을 포함하는 물품에 자성체층 (815) 이 접하도록 하여, 비접촉형 데이터 수송신체 (820) 를 이 물품에 부착할 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (820) 는, 접착제층 (821) 의 베이스 기재 (811) 와 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되지 않은 면) 에 상부재 (823) 가 형성되어 있기 때문에, 이 상부재 (823) 에 모양을 형성하거나, 각종 정보를 인쇄할 수 있다.
또, 이 실시형태에서는, 접착제층 (821) 이, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를 덮도록 형성되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체 (820) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 접착제층이 자성체층 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에 형성되어 있어도 된다. 또, 베이스 기재의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면과는 반대측 면에는, 접착제층이 형성되어 있지 않아도 된 다.
또한, 이 실시형태에서는, 박리 기재 (822) 가, 자성체층 (815) 의 베이스 기재 (811) 와 접하는 면과는 반대측 면, 및 접착제층 (821) 의 자성체층 (815) 의 베이스 기재 (811) 와 접하는 면과는 반대면측의 면 (물품에 부착되는 면) 에 부착되어 있는 비접촉형 데이터 수송신체 (820) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 박리 기재가, 자성체층의 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에만 부착되어 있어도 된다.
도 46A 및 도 46B 는, 본 발명에 관련된 제 27 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략도로, 도 46A 는 평면도, 도 46B 는 도 46A 의 B-B 선에 따른 단면도이다.
도 46A 에 있어서, 도 43A 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (830) 가, 상기 서술한 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 와 상이한 점은, 안테나 (812) 의 양단부 (812c, 812c) 및 그 근방 영역, 및, IC 칩 (813) 및 그 근방 영역을 제외하고, 안테나 (812) 를 덮도록 베이스 기재 (811) 상에 자성체층 (815) 이 배치되고, 또한 안테나 (812) 의 양단부 (812c, 812c) 를 연결하며, 도전부 (816) 의 일부를 형성하는 제 1 부 (816A) 가, 자성체층 (815) 의 일방의 면 (815a) 상에 형성되어 있는 점이다.
또, 도전부 (816) 는, 일체로 형성된 제 1 부 (816A) 와 제 2 부 (816B) 로 이루어지고, 제 2 부 (816B) 는, 안테나 (812) 의 양단부 (812c, 812c) 에서부터 자성체층 (815) 의 일방의 면 (815a) 에 형성된 제 1 부 (816A) 에 걸쳐 형성되어 있다.
이와 같이 하면, 자성체층 (815) 이 자성 미립자를 수지에 함침시킨 것으로, 자성 미립자와 수지의 혼합 비율을 조절함으로써, 자성체층 (815) 의 투자율을 높이고, 또한 절연성을 유지할 수 있기 때문에, 자성체층 (815) 이 절연막의 요소도 겸하며, 안테나 (812) 의 양단부 (812c, 812c) 를 연결하는 도전부 (816) 의 제 1 부 (816A) 를 자성체층 (815) 의 일방의 면 (815a) 상에 형성함으로써, 도전부 (816) 의 제 1 부 (816A) 가 안테나 (812) 의 양단부 (812c, 812c) 를 연결하기 위해서, 안테나 (812) 의 코일부 (812a) 상에 절연막을 통해서 도전부를 형성할 필요가 없어지므로, 비접촉형 데이터 수송신체 (810) 를 구성하는 요소 (층, 막 등) 가 적어지기 때문에, 비접촉형 데이터 수송신체 (830) 를, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접하기 위해서 휘게 한 경우에, 각 요소가 형상의 변화에 추종하기 쉬워지고, 결과적으로, 각 요소 사이에서의 박리 등의 문제를 방지할 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (830) 의 제조에 있어서, 안테나 (812) 의 양단부 (812c, 812c) 를 연결하기 위해서, 안테나 (812) 의 코일부 (812a) 상에 절연막을 통해서 도전부 (816) 를 형성할 필요가 없어지므로 제조 공정을 생략할 수 있기 때문에, 제조 비용을 삭감할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시한 비접촉형 데이터 수송신체에 대해서 상세하게 설명한다.
도 47 은, 본 발명에 관련된 제 28 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 47 에 있어서, 부호 910 은 비접촉형 데이터 수송신체, 911 은 베이스 기재, 912 는 안테나, 913 은 IC 칩, 914 는 인렛, 915 는 자성체층, 916 은 케이스, 917 은 피복체를 각각 나타내고 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 는, 오목부 (916a) 를 형성한, 단면 형상이 직사각형 형상의 케이스 (916) 와, 오목부 (916a) 내에 수장된 인렛 (914) 과, 오목부 (916a) 내에 인렛 (914) 을 덮도록 형성한 피복체 (917) 로 개략 구성되어 있고, 인렛 (914) 은, 케이스 (916) 의 외주단 (916b) 이 형성하는 평면보다는 오목부 (916a) 의 내측에 배치되어 있다.
또한, 인렛 (914) 은, 베이스 기재 (911) 와, 그 일방의 면 (911a) 에 형성되고, 서로 접속된 안테나 (912) 및 IC 칩 (913) 으로 이루어지는 것이다. 또, 이 인렛 (914) 에는, 베이스 기재 (911) 의 타방의 면 (911b) 에 자성체층 (915) 이 형성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (910) 에 있어서, 안테나 (912) 는, 베이스 기재 (911) 의 일방의 면 (911a) 에 소정 간격을 두고 IC 칩 (913) 을 통해서 코일형상으로 형성되어 있다. 그리고, IC 칩 (913) 의 두께는, 안테나 (912) 의 두께보다 두껍게 되어 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 에 있어서, 인렛 (914) 을 구성하는 안테나 (912) 와 IC 칩 (913) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (912) 의 단부가 IC 칩 (913) 의 양극 단자에 각각 접속된다는 것이다.
베이스 기재 (911) 로는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것이나, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재나, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재나, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리, 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용된다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (912) 는, 베이스 기재 (911) 의 일방의 면 (911a) 에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄에 의해 형성되어 이루어지는 것이거나, 또는, 도전성 박을 에칭하여 이루어지는 것이다.
본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐 분말, 로듐 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본 나노튜브 둥) 등의 도전 미립자가 수지 조성물에 배합된 것을 들 수 있다.
수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 폴리머형 도전 잉크는, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 안테나 (912) 를 형성하는 도막을 형성할 수 있는 열경화형이 된다. 안테나 (912) 를 형성하는 도막의 전기가 흐르는 경로는 도막을 형성하는 도전 미립자가 서로 접촉함으로써 형성되고, 이 도막의 저항치는 10-5Ω·cm 오더이다.
또한, 본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 열경화형의 것 외에, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다.
광경화형의 폴리머형 도전 잉크는, 광경화성 수지를 수지 조성물에 함유하는 것으로, 경화 시간이 짧기 때문에 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 광경화형의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에 도전 미립자가 60질량% 이상 배합되고, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것, 즉, 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용형 (단 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것이나, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히, 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것, 즉, 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
한편, 안테나 (912) 를 형성하는 도전성 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금 박, 알루미늄박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (913) 으로는, 특별히 한정되지 않고, 안테나 (912) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능하다면 어느 것이나 사용할 수 있다.
또한, 자성체층 (915) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다. 이러한 자성체층 (915) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 를 베이스 기재 (911) 의 일방의 면 (911a) 측에서 보면, 자성체층 (915) 을 구성하는 다수의 자성 미립자는, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
자성체층 (915) 를 형성하는 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지로 개략 구성되어 있다.
이 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를 도포, 건조시킴으로써, 자성 미립자가 거의 균일하게 분산된 형태로 성형된다.
또한, 자성 미립자로는, 분말상의 자성체 분말, 또는, 이 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 편평형상의 플레이크 등으로 이루어지는 자성체 플레이크를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는 편평형상의 것이 바람직하다. 자성 미립자가 편평형상이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 를 베이스 기재 (911) 의 일방의 면 (911a) 측에서 보면, 자성체층 (915) 을 구성하는 다수의 자성 미립자는, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하기 쉽다. 따라서, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
그리고, 자성체 분말로는, 예를 들어, 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 분말, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다. 자성체 플레이크로는, 예를 들어, 상기 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는, 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 바람직하고, 센더스트로 이루어지는 자성체 플레이크가 보다 바람직하다. 자성 미립자가 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크이면, 이들을 구성 요소로서 포함하는 자성체층 (915) 의 포화 자속 밀도 및 투자율이 높아지기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체층 (915) 을 형성하는 자성 미립자의 형상은, 그 모두가 분말상 또는 편평형상 중 어느 일방 일 필요는 없다. 자성체층 (915) 에는, 분말상의 자성 미립자와 편평형상의 자성 미립자가 혼재되어 있어도 되고, 이와 같이 형상이 상이한 자성 미립자가 혼재되어 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
자성체층 (915) 을 형성하는 복합체를 구성하는 수지로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 자성체층 (915) 을 형성하는 복합체에는, 자성체층 (915) 에 점착성을 부여하기 위해서 각종 점착제가 함유되어 있어도 된다.
또한, 자성체층 (915) 을 형성하는 복합체를 형성하기 위해서 사용되는 자성 도료에 함유되는 첨가제로는, 점도 조정제, 기포 제거제, 레벨링제 등을 들 수 있 다.
그리고, 이 자성 도료에 함유되는 용매로는, 시클로헥사논, 아세톤, 벤젠계, 에틸계 등의 유기용매를 들 수 있다.
케이스 (916) 를 형성하는 재질은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등의 수지, 세라믹스, 유리, 금속 등을 들 수 있다. 케이스 (916) 의 두께는, 오목부 (916a) 내에 인렛 (914) 및 피복체 (917) 를 수장할 수 있는 정도이면 되고, 가능한 한 얇은 것이 바람직하다.
케이스 (916) 를 형성하는 열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
케이스 (916) 를 형성하는 세라믹스, 유리 또는 금속으로는 특별히 한정되지 않고, 인렛 (914) 및 피복체 (917) 를 수장할 수 있는 정도의 오목부 (916a) 를 형성가능한 것이면 어느 것이나 사용할 수 있다.
이러한 케이스 (916) 를 형성하는 재질 중에서도, 소정 형상으로 성형하는 것이 용이하다는 등의 점에서 수지가 바람직하고, 수지 중에서도, 두께가 얇은 시트형상의 기재를 사용하여 케이스 (916) 를 성형하더라도 오목부 (916a) 에 균열이 잘 생기지 않는 점 등에서, 열가소성 수지가 보다 바람직하다.
피복체 (917) 를 형성하는 재질로는, 열가소성 수지, 반응형 수지, 열경화성 수지 등의 수지를 들 수 있다.
열가소성 수지 또는 반응형 수지로는, 케이스 (916) 를 형성하는 것과 동일한 것이 사용된다.
열경화성 수지로는, 예를 들어, 케이스 (916) 의 오목부 (916a) 내에 인렛 (914) 을 수장한 상태에서, 인렛 (914) 을 덮어서 피복할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 에폭시 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 피복체 (917) 를 형성하는 열경화성 수지로는, 케이스 (916) 가 열가소성 수지로 이루어지는 경우, 경화 온도가 이 열가소성 수지의 융점보다 낮은 것이 사용된다.
그런데, 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 의 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 향상시키기 위해서, 케이스 (916) 와 피복체 (917) 의 밀착성을 높이기 위해 서는 양자의 재질을 동일한 것으로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 케이스 (916) 와 피복체 (917) 의 재질을 동일하게 하면, 인렛 (914) 을 피복하기 위해서 피복체 (917) 를 형성하는 수지를 오목부 (916a) 내에 충전하였을 때에, 피복체 (917) 를 형성하는 수지의 열 (열경화성 수지의 경우, 경화 온도, 열가소성 수지의 경우, 용융되어 있기 때문에 용융 온도) 에 따라서 케이스 (916) 가 변형되거나, 또는 유체가 되어 버리기 때문에 바람직하지 못하다. 또한, 피복체 (917) 가 열가소성 수지이면, 고화되기까지의 시간이 짧아, 오목부 (916a) 내에 충전하기 어렵기 때문에, 피복체 (917) 를 형성하는 재질로는, 반응형 수지 또는 열가소성 수지가 바람직하다. 또, 반응형 수지는 고화되었을 때에, 분자 구성에 소밀 (疏密) 이 생기기 쉽기 때문에, 피복체 (917) 를 형성하는 재질로는 열가소성 수지가 보다 바람직하다.
이와 같이, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 에 의하면, 인렛 (914) 은 케이스 (916) 의 외주단 (916b) 이 형성하는 평면보다 오목부 (916a) 의 내측에 배치되어 있기 때문에, 인렛 (914) 은, 케이스 (916) 의 오목부 (916a) 내에서 그 외주 전체가 피복체 (917) 에 의해 덮여 있으므로, 케이스 (916) 와 피복체 (917) 를 상이한 재질로 형성하더라도, 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 에 외력 (특히, 측방으로부터의) 이 가해짐으로써 케이스 (916) 와 피복체 (917) 의 접촉면 (계면) 에서 양자가 박리되어, 인렛 (914) 이 노출되거나, 손상되거나 하는 일이 없다. 또, 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 는, 케이스 (916) 의 외주단 (916b) 측의 면에, 접착제 또는 점착제를 통해서 대상이 되는 물품 (피착체) 에 부 착되기 때문에, 물품에 부착된 상태에서는 케이스 (916) 와 피복체 (917) 의 계면이 외측으로 노출되지 않으므로, 사용시에는 보다 충분한 내약품성을 확보할 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 는, 케이스 (916) 와 피복체 (917) 의 접촉면 (계면) 에서 양자가 박리되는 일이 없기 때문에, 내부에 수분이나 약품이 침투하는 일도 없이, 내수성이나 내약품성이 우수하다. 또, 케이스 (916) 를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하면서 박형 구조로 할 수도 있다. 그리고, 케이스 (916) 를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하여, 박형 구조로 할 수 있을 뿐만 아니라, 표면이 만곡된 형상으로 하는 것도 가능하다.
또, 이 실시형태에서는, 단면 형상이 직사각형 형상인 케이스 (916) 를 사용한 비접촉형 데이터 수송신체를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 인렛을 수장하는 케이스의 형상은 대상이 되는 물품의 형상, 비접촉형 데이터 수송신체가 부착되는 장소 등에 따라서 적절히 결정된다.
또한, 이 실시형태에서는, 베이스 기재 (911) 의 타방의 면 (911b) 에 자성체층 (915) 이 형성된 비접촉형 데이터 수송신체를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 자성체층이 베이스 기재의 일방의 면에 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 코일형상으로 형성된 안테나 사이에는, 자성체층를 형성하는 복합체가 충전되도록 배치되어, 이 복합체 를 형성하는 자성 미립자의 전부 또는 일부가 안테나 사이에 배치된다.
또한, 이 실시형태에서는, 인렛 (914) 의 안테나 (912) 및 IC 칩 (913) 이 형성되어 있는 면을 케이스 (916) 의 오목부 (916a) 내 저면측에 배치하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 인렛의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면을 케이스의 외주단측에 배치해도 된다.
(비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법)
다음으로, 도 48A 내지 도 50 을 참조하여, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태에 관해서 설명한다.
이하에서 서술하는 바와 같이, 도 48A 에 나타낸 자성체층 (915) 이 형성된 인렛 (914) 을 제조한다.
먼저, 베이스 기재 (911) 의 일방의 면 (911a) 에, 소정의 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (912) 를 형성한다.
이 공정에서는, 안테나 (912) 를 폴리머형 도전 잉크로 형성하는 경우, 스크린 인쇄법에 의해, 베이스 기재 (911) 의 일방의 면 (911a) 에, 소정 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조·경화시킴으로써, 소정 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (912) 를 형성한다.
또한, 안테나 (912) 를 도전성 박으로 형성하는 경우, 이하와 같은 순서에 따른다.
베이스 기재 (911) 의 일방의 면 (911a) 전체면에 도전성 박을 부착한 후, 실크 스크린 인쇄법에 의해 이 도전성 박에 내에칭 도료를 소정 패턴으로 인쇄한다. 이 내에칭 도료를 건조·고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재 (911) 의 일방의 면에 잔존시킴으로써, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (912) 를 형성한다.
이어서, 안테나 (912) 에 형성된 접점 (912b, 912b) 과, IC 칩 (913) 에 형성된 접점 (도시 생략) 을, 도전성 페이스트, 또는, 땜납으로 이루어지는 도전재를 통해서 전기적으로 접속하여 IC 칩 (913) 을 베이스 기재 (911) 의 일방의 면 (911a) 에 실장한다.
이어서, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (911) 의 타방의 면 (911b) 전체면에 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정 온도로, 소정 시간 가열하여 건조·고화시킴으로써 자성체층 (915) 을 형성하고, 자성체층 (915) 이 형성된 인렛 (914) 을 얻는다.
또한, 인렛의 제조 공정과는 별도로, 도 48B 에 나타내는 바와 같이, 열가소성 수지로 이루어지는 시트형상 기재 (920) 를 준비한다.
이어서, 도 48C 에 나타내는 바와 같이, 기재 (920) 의 적어도 일부가 오목부 (920c) 를 형성하도록 기재 (920) 를 변형시킨다.
기재 (920) 를 변형시켜 오목부 (920c) 를 형성하는 방법으로는, 일방의 면 (920a) 측에서부터 기재 (920) 에 소정의 형상을 갖는 금형 등을 밀어 누름과 함 께, 기재 (920) 를 열변형시키는 방법, 타방의 면 (920b) 측에서 기재 (920) 를 감압 또는 진공으로 흡인하여, 소정의 형상을 갖는 틀에 밀착시키는 방법 등이 사용된다.
이어서, 도 49A 에 나타내는 바와 같이, 기재 (920) 의 오목부 (920c) 내에 인렛 (914) 을 수장한다. 이 공정에서는, 오목부 (920c) 의 개구단 (920d) 이 형성되는 평면보다, 오목부 (920c) 의 내측이 되도록 인렛 (914) 을 배치한다.
이어서, 도 49B 에 나타내는 바와 같이, 인렛 (914) 을 덮도록, 기재 (920) 의 오목부 (920c) 내에 열경화성 수지 (921) 를 충전한다.
열경화성 수지 (921) 로는, 상기 서술한 피복체 (917) 를 형성하는 것과 동일한 것이 사용된다.
계속해서, 도 49C 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 수지 (921) 를, 기재 (920) 를 형성하는 열가소성 수지의 융점보다 낮은 온도에서 열처리하여 열경화성 수지 (921) 를 경화시키고, 피복체 (922) 를 형성한다.
이어서, 도 50 에 나타내는 바와 같이, 기재 (920), 인렛 (914) 및 피복체 (922) 가 일체화된 영역마다 기재 (920) 를 분할하여, 기재 (920) 로 이루어지는 케이스 (923) 를 형성하고, 비접촉형 데이터 수송신체 (930) 를 얻는다.
또, 이 실시형태에서는, 기재 (920) 의 오목부 (920c) 내에 인렛 (914) 을 수장한 후, 이 오목부 (920c) 내에 열경화성 수지 (921) 를 충전하는 공정을 나타내었지만, 본 발명에는, 미리 오목부 (920c) 내에 열경화성 수지 (921) 를 적량 주입한 후, 이 열경화성 수지 (921) 에 접하도록 오목부 (920c) 내에 인렛 (914) 을 수장하고 나서, 열경화성 수지 (921) 를 덮기 위해 오목부 (920c) 내에 열경화성 수지 (921) 를 충전해도 된다.
도 51 은, 본 발명에 관련된 제 29 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 51 에 있어서, 도 47 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (940) 가, 상기 서술한 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 와 상이한 점은, 케이스 (941) 의 단면 형상이 원호형상을 이루고 있는 점이다.
이 비접촉형 데이터 수송신체 (940) 에 있어서도, 인렛 (914) 은, 케이스 (941) 의 외주단 (941b) 이 형성하는 평면보다 오목부 (941a) 의 내측에 배치되어 있다.
도 52 는, 본 발명에 관련된 제 30 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 52 에 있어서, 도 47 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (910) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (950) 가 상기 서술한 비접촉형 데이터 수송신체 (940) 와 상이한 점은, 케이스 (951) 의 외주단 (951b) 은 선(線)형상을 이루고 있어, 외주단 (951b) 측에서부터 비접촉형 데이터 수송신체 (950) 를 보면, 평면 (950a) 은 거의 피복체 (917) 만으로 형성되어 있는 점이다.
이하, 본 발명에 관련된 제 31 실시형태인 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 관해서 상세하게 설명한다.
도 53 은, 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 의해서 얻어지는 비접촉형 데이터 수송신체의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 54A 내지 도 55 는, 본 발명에 관련된 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 54A 내지 도 55 를 참조하여 이하에 설명하는 방법에 의해, 도 53 에 나타내는 비접촉형 데이터 수송신체가 얻어진다.
도 53 에 있어서, 부호 1010 은 비접촉형 데이터 수송신체, 1011 은 베이스 기재, 1012 는 안테나, 1013 은 IC 칩, 1014 는 인렛, 1015 는 자성체층, 1016 은 케이스, 1017 은 피복체를 각각 나타내고 있다.
이 비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 는, 오목부 (1016a) 를 형성한, 단면 형상이 직사각형 형상인 케이스 (1016) 와, 오목부 (1016a) 내에 수장된 인렛 (1014) 과, 오목부 (1016a) 내에 인렛 (1014) 을 덮도록 형성한 피복체 (1017) 로 개략 구성되어 있다.
또한, 인렛 (1014) 은, 베이스 기재 (1011) 와, 그 일방의 면 (1011a) 에 형성되고, 서로 접속된 안테나 (1012) 및 IC 칩 (1013) 으로 이루어지는 것이다. 또, 이 인렛 (1014) 에는, 베이스 기재 (1011) 의 타방의 면 (1011b) 에 자성체층 (1015) 이 형성되어 있다.
비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 에 있어서, 안테나 (1012) 는, 베이스 기 재 (1011) 의 일방의 면 (1011a) 에 소정 간격을 두고 IC 칩 (1013) 을 통해서 코일형상으로 형성되어 있다. 그리고, IC 칩 (1013) 의 두께는, 안테나 (1012) 의 두께보다 두껍게 되어 있다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 에 있어서, 인렛 (1014) 을 구성하는 안테나 (1012) 와 IC 칩 (1013) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (1012) 의 단부가 IC 칩 (1013) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다.
또한, 인렛 (1014) 은, 케이스 (1016) 의 외주단 (1016b) 이 형성하는 평면보다 오목부 (1016a) 의 내측에 배치되어 있다.
이 구성의 비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 를 형성하기 위해서, 이하의 공정을 실시한다.
이하에 기재하는 바와 같이, 도 54A 에 나타내는 자성체층 (1015) 이 형성된 인렛 (1014) 을 제조한다.
먼저, 베이스 기재 (1011) 의 일방의 면 (1011a) 에, 소정의 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (1012) 를 형성한다.
이 공정에서는, 안테나 (1012) 를 폴리머형 도전 잉크로 형성하는 경우, 스크린 인쇄법에 의해, 베이스 기재 (1011) 의 일방의 면 (1011a) 에, 소정 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조·경화시킴으로써, 소정 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (1012) 를 형성한다.
또한, 안테나 (1012) 를 도전성 박으로 형성하는 경우, 이하와 같은 순서에 따른다.
베이스 기재 (1011) 의 일방의 면 (1011a) 전체면에 도전성 박을 부착한 후, 실크 스크린 인쇄법에 의해 이 도전성 박에 내에칭 도료를 소정 패턴으로 인쇄한다. 이 내에칭 도료를 건조·고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재 (1011) 의 일방의 면에 잔존시킴으로써, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (1012) 를 형성한다.
이어서, 안테나 (1012) 에 형성된 접점 (1012b, 1012b) 과, IC 칩 (1013) 에 형성된 접점 (도시 생략) 을, 도전성 페이스트, 또는, 땜납으로 이루어지는 도전재를 통해서 전기적으로 접속하여 IC 칩 (1013) 을 베이스 기재 (1011) 의 일방의 면 (1011a) 에 실장한다.
이어서, 스크린 인쇄법 등에 의해, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를, 베이스 기재 (1011) 의 타방의 면 (1011b) 전체면에 도포한다. 자성 도료를 도포한 후, 실온에서 방치하거나, 또는 소정 온도로, 소정 시간 가열하여 건조·고화시킴으로써 자성체층 (1015) 을 형성하고, 자성체층 (1015) 이 형성된 인렛 (1014) 을 얻는다.
또, 자성체층은, 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 베이스 기재의 일방의 면에 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 코일형상으로 형성된 안테나의 사이에는 자성체층를 형성하는 복합체가 충전되도록 배치되어, 이 복합체를 형성하는 자성 미립자의 전부 또는 일부가 안테나 사이에 배치된다.
또한, 인렛의 제조 공정과는 별도로, 도 54B 에 나타내는 바와 같이, 열가소성 수지로 이루어지는 시트형상 기재 (1020) 를 준비한다.
이어서, 도 54C 에 나타내는 바와 같이, 기재 (1020) 의 적어도 일부가, 단면 형상이 직사각형 형상인 오목부 (1020c) 를 이루도록 기재 (1020) 를 변형시킨다.
기재 (1020) 를 변형시켜 오목부 (1020c) 를 형성하는 방법으로는, 일방의 면 (1020a) 측에서부터 기재 (1020) 에 소정의 형상을 갖는 금형 등을 밀어 누름과 함께, 기재 (1020) 를 열변형시키는 방법, 타방의 면 (1020b) 측에서 기재 (1020) 를 감압 또는 진공으로 흡인하여, 소정의 형상을 갖는 틀에 밀착시키는 방법 등이 사용된다.
기재 (1020) 에 소정 형상의 금형 등을 밀어 누름과 함께, 기재 (1020) 를 열변형시키는 방법에서는, 기재 (1020) 를 향하여 비스듬하게 금형을 밀어 눌러 기재 (1020) 를 변형시키거나, 기재 (1020) 와 접촉하는 부분의 형상이 둥그스름한 금형을 사용하면, 오목부 (1020c) 의 형상을 반구상으로 형성하거나, 도 55 에 나타내는 바와 같이, 피부착체에 대한 장착면이 되는 부분 (도 55의 부호 1020e 로 나타내는 부분) 을 비스듬하게 할 수 있다. 이 방법에 의하면, IC 칩을 봉지하면서도, 종래의 방법에서는 얻을 수 없었던 수지 봉지 구조를 제작할 수 있다. 또한, 마찬가지로, 기재 (1020) 를 감압 또는 진공으로 흡인하여, 소정 형상의 틀에 밀착시키는 방법에 의해서도, 어떠한 형상의 오목부 (1020c) 라도 형성할 수 있다.
이어서, 도 56A 에 나타내는 바와 같이, 기재 (1020) 의 오목부 (1020c) 내에 인렛 (1014) 을 수장한다.
이 공정에서는, 오목부 (1020c) 의 개구단 (1020d) 이 형성하는 평면보다, 오목부 (1020c) 의 내측이 되도록 인렛 (1014) 을 배치한다.
이어서, 도 56B 에 나타내는 바와 같이, 인렛 (1014) 을 덮도록 기재 (1020) 의 오목부 (1020c) 내에 열경화성 수지 (1021) 를 충전한다.
열경화성 수지 (1021) 로는, 상기 서술한 피복체 (1017) 를 이루는 것과 동일한 것이 사용된다.
계속해서, 도 56C 에 나타내는 바와 같이, 열경화성 수지 (1021) 를, 기재 (1020) 를 형성하는 열가소성 수지의 융점보다 낮은 온도에서 열처리하여 열경화성 수지 (1021) 를 경화시키고, 피복체 (1017) 를 형성한다.
이어서, 기재 (1020), 인렛 (1014) 및 피복체 (1017) 가 일체화된 영역마다 기재 (1020) 를 분할하여, 기재 (1020) 로 이루어지는 케이스 (1016) 를 형성하고, 도 53 에 나타내는 비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 를 얻는다.
베이스 기재 (1011) 로는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것이나, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재나, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 기재, 폴 리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재나, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리, 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용된다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐 분말, 로듐 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자가 수지 조성물에 배합된 것을 들 수 있다.
수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 폴리머형 도전 잉크는, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 안테나 (1012) 를 형성하는 도막을 형성할 수 있는 열경화형이 된다. 안테나 (1012) 를 형성하는 도막의 전기가 흐르는 경로는 도막을 형성하는 도전 미립자가 서로 접촉함으로써 형성되고, 이 도막의 저항치는 10-5Ω·cm 오더이다.
또한, 본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 열경화형의 것 외에, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다.
광경화형의 폴리머형 도전 잉크는, 광경화성 수지를 수지 조성물에 함유하는 것으로, 경화 시간이 짧기 때문에 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 광경화형의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에 도전 미립자가 60질량% 이상 배합되고, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것 즉, 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용형 (단 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것이나, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것, 즉 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
한편, 안테나 (1012) 를 형성하는 도전성 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금박, 알루미늄박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (1013) 으로는 특별히 한정되지 않고, 안테나 (1012) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능다면 어느 것이나 사용할 수 있다.
자성체층 (1015) 은, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다. 이러한 자성체층 (1015) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 를 베이스 기재 (1011) 의 일방의 면 (1011a) 측에서 보면, 자성체층 (1015) 을 구성하는 다수의 자성 미립자는, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
자성체층 (1015) 를 형성하는 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지로 개략 구성되어 있다.
이 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를 도포, 건조시킴으로써, 자성 미립자가 거의 균일하게 분산된 형태로 성형된다.
또한, 자성 미립자로는, 분말상의 자성체 분말, 또는 이 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 편평형상의 플레이크 등으로 이루어지는 자성체 플레이크를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는 편평형상인 것이 바람직하다. 자성 미립자가 편평형상이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 를 베이스 기재 (1011) 의 일방의 면 (1011a) 측에서 보면, 자성체층 (1015) 을 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하기 쉽다. 따라서, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체 분말로는, 예를 들어, 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 분말, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다. 자성체 플레이크로는, 예를 들어, 상기 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는, 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 바람직하고, 센더스트로 이루어지는 자성체 플레이크가 보 다 바람직하다. 자성 미립자가 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크이면, 이들을 구성 요소로서 포함하는 자성체층 (1015) 의 포화 자속 밀도 및 투자율이 높아지기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체층 (1015) 을 형성하는 자성 미립자의 형상은, 그 모두가 분말상 또는 편평형상 중 어느 일방 일 필요는 없다. 자성체층 (1015) 에는, 분말상의 자성 미립자와 편평형상의 자성 미립자가 혼재되어 있어도 되고, 이와 같이 형상이 상이한 자성 미립자가 혼재되어 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
자성체층 (1015) 을 형성하는 복합체를 구성하는 수지로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 자성체층 (1015) 을 형성하는 복합체에는, 자성체층 (1015) 에 점착성을 부여하기 위해서 각종 점착제가 함유되어 있어도 된다.
또한, 자성체층 (1015) 을 형성하는 복합체를 형성하기 위해서 사용되는 자성 도료에 함유되는 첨가제로는, 점도 조정제, 기포 제거제, 레벨링제 등을 들 수 있다.
그리고, 이 자성 도료에 함유되는 용매로는, 시클로헥사논, 아세톤, 벤젠계, 에틸계 등의 유기용매를 들 수 있다.
기재 (1020) 를 형성하는 열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리 비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
열경화성 수지 (1021) 로는, 예를 들어, 기재 (1020) 의 오목부 (1020c) 내에 인렛 (1014) 을 수장한 상태에서, 인렛 (1014) 을 덮도록 피복할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 에폭시 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 열경화성 수지 (1021) 로는, 그 경화 온도가 기재 (1020) 를 형성하는 열가소성 수지의 융점보다 낮은 것을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 이 실시형태에서는, 열가소성 수지로 이루어지는 시트형상의 기재 (1020) 를 사용하여, 기재 (1020) 의 적어도 일부가 오목부 (1020c) 를 이루도록 기재 (1020) 를 변형시키는 공정을 포함하는 제조 방법을 나타내었지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 있어서는, 미리 단면 형상이 직사각형 형상, 원호형상 등의 소정 형상을 이룸과 함께, 단면 형상이 직사각형 형상, 원호형상 등의 소정 형상을 형성하는 오목부가 형성된 기재를 사용해도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 기재 (1020) 로서 열가소성 수지로 이루어지는 시트형상인 것을 사용한 제조 방법을 나타내었지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송 신체의 제조 방법에 있어서는, 기재로서, 금속, 유리, 세라믹스 등으로 이루어지는 것을 사용해도 된다. 기재로서 금속제의 것을 사용하는 경우에는, 열가소성 수지를 사용하는 경우와 동일하게 하여, 기재의 적어도 일부가 오목부를 형성하도록 기재를 변형시키거나, 미리 오목부가 형성된 기재를 사용하거나, 또는, 오목부가 형성된 케이스형상인 것을 사용해도 된다. 또, 기재로서 라텍스제 또는 세라믹스제의 것을 사용하는 경우에는, 미리 오목부가 형성된 기재를 사용하거나, 또는, 오목부가 형성된 케이스형상의 것을 사용해도 된다. 그리고, 인렛을 수장하는 오목부 또는 케이스의 형상은, 대상이 되는 물품의 형상, 비접촉형 데이터 수송신체가 부착되는 장소 등에 따라 적절히 결정한다.
또한, 이 실시형태에서는, 기재 (1020) 의 오목부 (1020c) 내에 인렛 (1014) 을 수장한 후, 이 오목부 (1020c) 내에 열경화성 수지 (1021) 를 충전하는 공정을 나타내었지만, 본 발명에서는, 미리 오목부 (1020c) 내에 열경화성 수지 (1021) 를 적량 주입한 후, 이 열경화성 수지 (1021) 에 접하도록, 오목부 (1020c) 내에 인렛 (1014) 을 수장하고 나서, 열경화성 수지 (1021) 를 덮도록, 오목부 (1020c) 내에 열경화성 수지 (1021) 를 충전해도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 기재 (1020), 인렛 (1014) 및 피복체 (1017) 가 일체화된 영역마다, 기재 (1020) 를 분할하여, 기재 (1020) 로 이루어지는 케이스 (1016) 를 형성하는 공정을 포함하는 제조 방법을 나타내었지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 있어서는, 기재, 인렛 및 피복체가 일체화된 영 역을 복수 구비한 비접촉형 데이터 수송신체를 형성해도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 인렛 (1014) 의 안테나 (1012) 및 IC 칩 (1013) 이 형성되어 있는 면을, 기재 (1020) 의 오목부 (1020c) 내의 저면측에 배치하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 인렛의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면을 기재의 오목부의 외주단측에 배치해도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 케이스 (1016) 를 형성하는 수지로서, 열가소성 수지를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 있어서는, 케이스를 형성하는 수지로는, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등의 열경화성 수지 또는 반응형 수지를 사용해도 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 피복체 (1017) 를 형성하는 수지로서, 열경화성 수지를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법은 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 있어서는, 피복체 (1017) 를 형성하는 수지로는, 열가소성 수지, 반응형 수지를 사용해도 된다.
이와 같이, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법에 의하면, 인렛 (1014) 은, 케이스 (1016) 의 오목부 (1016a) 내에서, 그 외주 전체를 피복체 (1017) 에 의해 덮을 수 있기 때문에, 케이스 (1016) 와 피복체 (1017) 를 상이한 재질로 형성해도, 외력이 가해짐으로써 케이스 (1016) 와 피복체 (1017) 의 계면에서 양자가 박리되어, 인렛 (1014) 이 노출되거나, 손상되거나 하는 일 없이 비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 가 얻어진다. 또한, 케이스 (1016) 를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하면서, 박형 구조로 할 수도 있다. 그리고, 케이스 (1016) 를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하여, 박형 구조로 할 수 있는 것 뿐만 아니라, 표면이 만곡된 형상으로 할 수도 있다. 그리고, 피복체 (1017) 를 형성하는 수지로서 열경화성 수지를 사용하여, 이 열경화성 수지를, 기재 (1020) 를 형성하는 열가소성 수지의 융점보다 낮은 온도에서 열처리하면, 기재 (1020) 를 분리하여 이루어지는 케이스 (1016) 가 적용 대상이 되는 물품의 형상에 따라서 형성된 형상을 유지하고, 또한, 인렛 (1014) 이 열적인 손상을 받는 일 없이 피복체 (1017) 에 의해 피복되기 때문에, 얻어지는 비접촉형 데이터 수송신체 (1010) 는 치수 정밀도가 우수함과 함께, 인렛 (1014) 의 초기 기능을 유지하여, 통신 기능이 우수한 것이 된다.
이하, 본 발명을 실시한 비접촉형 데이터 수송신체에 관해서 상세하게 설명한다.
도 57 은, 본 발명에 관련된 제 32 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 57 에 있어서, 부호 1110 은 비접촉형 데이터 수송신체, 1111 은 베이스 기재, 1112 는 안테나, 1113 는 IC 칩, 1114 는 인렛, 1115 는 케이스, 1116 은 피 복체, 1117 은 제 1 피복체, 1118 은 제 2 피복체를 각각 나타내고 있다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 는, 오목부 (1115a) 를 형성한 단면 형상이 직사각형 형상인 케이스 (1115) 와, 오목부 (1115a) 내에 수장된 인렛 (1114) 과, 오목부 (1115a) 내에 인렛 (1114) 을 덮도록 형성한 피복체 (1116) 로 개략 구성되어 있다. 또한, 이 피복체 (1116) 는, 케이스 (1115) 와 인렛 (1114) 사이에 위치하는 공간 (1115b) 내에 배치된 제 1 피복체 (1117) 와, 케이스 (1115) 와 인렛 (1114) 사이에 위치하는 공간 (1115b) 를 제외한 오목부 (1115a) 내에 인렛 (1114) 을 덮도록, 즉, 베이스 기재 (1111) 의 안테나 (1112) 및 IC 칩 (1113) 이 형성되어 있는 면 (이하, 「일방의 면」이라고 한다: 1111a) 과는 반대측 면 (이하, 「타방의 면」이라고 한다: 1111b) 을 덮고, 오목부 (111a) 에 있어서의 타방의 면 (1111b) 보다 케이스 (1115) 의 외주단 (1115c) 측 공간을 만족하도록 형성한, 자성 재료를 포함하는 제 2 피복체 (1118) 로부터 개략 구성되어 있다.
또한, 인렛 (1114) 은, 베이스 기재 (1111) 와, 그 일방의 면 (1111a) 에 형성되고, 서로 접속된 안테나 (1112) 및 IC 칩 (1113) 으로 이루어지는 것이다. 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 에 있어서, 인렛 (1114) 을 구성하는 안테나 (1112) 와 IC 칩 (1113) 이 서로 접속된다는 것은, 안테나 (1112) 의 단부가 IC 칩 (1113) 의 양극 단자에 각각 접속되는 것이다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 에 있어서, 안테나 (1112) 는, 베이스 기재 (1111) 의 일방의 면 (1111a) 에 소정 간격을 두고 IC 칩 (1113) 을 통해서 코일형상으로 형성되어 있 다. 또, IC 칩 (1113) 의 두께는 안테나 (1112) 의 두께보다 두껍게 되어 있다.
또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 에 있어서, 제 2 피복체 (1118) 외면 (1118a) 의 주단부 (1118b) 가, 케이스 (1115) 의 주단부 (1115c) 에 맞춰지도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 인렛 (1114) 은, 케이스 (1115) 의 오목부 (1115a) 내에서 그 외주 전체가 제 1 피복체 (1117) 및 제 2 피복체 (1118), 또는, 제 1 피복체 (1117) 또는 제 2 피복체 (1118) 중 어느 일방에 의해 덮여 있으므로, 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 에 외력 (특히, 측방으로부터의) 이 가해짐으로써, 케이스 (1115) 와 피복체 (1116) 의 접촉면 (계면) 에서 양자가 박리되어, 인렛 (1114) 이 노출되거나, 손상되거나 하는 일이 없다.
베이스 기재 (1111) 로는, 적어도 표층부에는, 유리 섬유, 알루미나 섬유 등의 무기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것, 폴리에스테르 섬유, 폴리아미드 섬유 등의 유기 섬유로 이루어지는 직포, 부직포, 매트, 종이 등 또는 이들을 조합한 것이나, 또는 이들에 수지 바니시를 함침시켜 성형한 복합 기재나, 폴리아미드계 수지 기재, 폴리에스테르계 수지 기재, 폴리올레핀계 수지 기재, 폴리이미드계 수지 기재, 에틸렌-비닐알코올 공중합체 기재, 폴리비닐알코올계 수지 기재, 폴리염화비닐계 수지 기재, 폴리염화비닐리덴계 수지 기재, 폴리스티렌계 수지 기재, 폴리카보네이트계 수지 기재, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 공중합계 수지 기재, 폴리에테르술폰계 수지 기재 등의 플라스틱 기재 나, 또는 이들에 매트 처리, 코로나 방전 처리, 플라즈마 처리, 자외선 조사 처리, 전자선 조사 처리, 프레임 플라즈마 처리, 오존 처리, 또는 각종 이접착 처리 등의 표면 처리를 실시한 것 등의 공지된 것에서 선택하여 사용된다. 이들 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리이미드로 이루어지는 전기 절연성의 필름 또는 시트가 바람직하게 사용된다.
안테나 (1112) 는, 베이스 기재 (1111) 의 일방의 면 (1111a) 에 폴리머형 도전 잉크를 사용하여 소정의 패턴 형상으로 스크린 인쇄에 의해 형성되어 이루어지는 것이거나, 또는, 도전성 박을 에칭하여 이루어지는 것이다.
본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 은 분말, 금 분말, 백금 분말, 알루미늄 분말, 팔라듐 분말, 로듐 분말, 카본 분말 (카본 블랙, 카본나노튜브 등) 등의 도전 미립자가 수지 조성물에 배합된 것을 들 수 있다.
수지 조성물로서 열경화형 수지를 사용하면, 폴리머형 도전 잉크는, 200℃ 이하, 예를 들어 100∼150℃ 정도에서 안테나 (1112) 를 형성하는 도막을 형성할 수 있는 열경화형이 된다. 안테나 (1112) 를 형성하는 도막의 전기가 흐르는 경로는 도막을 형성하는 도전 미립자가 서로 접촉함으로써 형성되고, 이 도막의 저항치는 10-5Ω·cm 오더이다.
또한, 본 발명에 있어서의 폴리머형 도전 잉크로는, 열경화형의 것 외에, 광경화형, 침투 건조형, 용제 휘발형과 같은 공지된 것을 이용할 수 있다.
광경화형의 폴리머형 도전 잉크는, 광경화성 수지를 수지 조성물에 함유하는 것으로, 경화 시간이 짧기 때문에 제조 효율을 향상시킬 수 있다. 광경화형의 폴리머형 도전 잉크로는, 예를 들어, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에 도전 미립자가 60질량% 이상 배합되고, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것 즉, 용제 휘발형이나 또는 가교/열가소 병용형 (단 열가소형이 50질량% 이상이다) 인 것이나, 열가소성 수지만, 또는 열가소성 수지와 가교성 수지 (특히 폴리에스테르와 이소시아네이트에 의한 가교계 수지 등) 의 블렌드 수지 조성물에, 폴리에스테르 수지가 10질량% 이상 배합된 것, 즉 가교형이나 또는 가교/열가소 병용형인 것 등을 바람직하게 이용할 수 있다.
한편, 안테나 (1112) 를 형성하는 도전성 박으로는, 동박, 은박, 금박, 백금박, 알루미늄박 등을 들 수 있다.
IC 칩 (1113) 으로는 특별히 한정되지 않고, 안테나 (1112) 를 통해서 비접촉 상태에서 정보의 기록 및 판독이 가능한 것이면, 비접촉형 IC 태그나 비접촉형 IC 라벨, 또는 비접촉형 IC 카드 등의 RFID 미디어에 적용가능하다면 어느 것이나 사용할 수 있다.
케이스 (1115) 를 형성하는 재질은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등의 수지, 세라믹스, 유리 등을 들 수 있다.
케이스 (1115) 의 두께는, 오목부 (1115a) 내에 인렛 (1114) 및 피복체 (1116) 를 수장할 수 있는 정도이면 되고, 가능한 한 얇은 것이 바람직하다.
케이스 (1115) 를 형성하는 열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
케이스 (1115) 를 형성하는 열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
케이스 (1115) 를 형성하는 세라믹스, 유리로는 특별히 한정되는 것이 아니라, 인렛 (1114) 및 피복체 (1116) 를 수장할 수 있는 정도의 오목부 (1115a) 를 형성가능한 것이면 어느 것이나 사용할 수 있다.
이러한 케이스 (1115) 를 형성하는 재질 중에서도, 소정 형상으로 성형하는 것이 용이하다는 등의 점에서 수지가 바람직하고, 수지 중에서도, 두께가 얇은 시트형상의 기재를 사용하여 케이스 (1115) 를 성형하더라도 오목부 (1115a) 에 균열이 잘 생기지 않는 점 등에서, 열가소성 수지가 보다 바람직하다.
제 1 피복체 (1117) 를 형성하는 재질로는, 열가소성 수지, 반응형 수지, 열경화성 수지 등의 수지를 들 수 있다.
열가소성 수지 또는 반응형 수지로는, 케이스 (1115) 를 형성하는 것과 동일한 것이 사용된다.
열경화성 수지로는, 예를 들어, 케이스 (1115) 의 오목부 (1115a) 내에 인렛 (1114) 을 수장한 상태에서, 인렛 (1114) 을 덮어서 피복할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 에폭시 수지, 우레탄 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 제 1 피복체 (1117) 를 형성하는 열경화성 수지로는, 케이스 (1115) 가 열가소성 수지로 이루어지는 경우, 경화 온도가 이 열가소성 수지의 융점보다 낮은 것이 사용된다.
비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 의 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 향상시키기 위해서, 케이스 (1115) 와 제 1 피복체 (1117) 의 밀착성을 높이기 위해서는 양자의 재질을 동일한 것으로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 케이스 (1115) 와 제 1 피복체 (1117) 의 재질을 동일하게 하면, 인렛 (1114) 을 피복하기 위해서 제 1 피복체 (1117) 를 형성하는 수지를 오목부 (1115a) 내에 충전하였을 때에, 제 1 피복체 (1117) 를 형성하는 수지의 열 (열경화성 수지의 경우, 경화 온도, 열가소성 수지의 경우, 용융되어 있기 때문에 용융 온도) 에 따라서 케이스 (1115) 가 변형되거나, 또는 유체가 되어 버리기 때문에 바람직하지 못하다. 또한, 제 1 피복체 (1117) 가 열가소성 수지이면, 고화되기까지의 시간이 짧아, 오목부 (1115a) 내에 충전하기 어렵기 때문에, 제 1 피복체 (1117) 를 형성하는 재질로는, 반응형 수지 또는 열가소성 수지가 바람직하다. 또, 반응형 수지는 고화되었을 때에, 분자 구성에 소밀이 생기기 쉽기 때문에, 제 1 피복체 (1117) 를 형성하는 재질로는 열가소성 수지가 보다 바람직하다.
제 2 피복체 (1118) 는, 적어도 자성 미립자로 이루어지는 필러를 수지에 함유하여 이루어지는 복합체로 구성되어 있다. 이러한 제 2 피복체 (1118) 에 있어서, 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 를 베이스 기재 (1111) 의 타방의 면 (1111b) 측에서 보면, 제 2 피복체 (1118) 를 구성하는 다수의 자성 미립자는, 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하고 있다.
또한, 자성 미립자로는, 분말상의 자성체 분말, 또는 이 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 편평형상의 플레이크 등으로 이루어지는 자성체 플레이크를 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는 편평형상인 것이 바람직하다. 자성 미립자가 편평형상이면, 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 를 베이스 기재 (1111) 의 일방의 면 (1111a) 측에서 보면, 제 2 피복체 (1118) 를 구성하는 다수의 자성 미립자가 적어도 그 일부가 서로 겹쳐서 연접한 하나의 자성체를 형성하기 쉽다. 따라서, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 자성체 분말로는, 예를 들어, 센더스트 (Fe-Si-Al 합금) 분말, 카보닐철 분말, 퍼멀로이 등의 애토마이즈 분말, 환원철 분말 등을 들 수 있다. 자성체 플레이크로는, 예를 들어, 상기 자성체 분말을 볼 밀 등으로 미세화하여 분말을 성형한 후, 이 분말을 기계적으로 편평화하여 얻어진 플레이크나, 철계 또는 코발트계 어모퍼스 합금의 용탕을 수냉 구리판에 충돌시켜 얻어진 플레이크 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 자성 미립자로는, 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 바람직하고, 센더스트로 이루어지는 자성체 플레이크가 보다 바람직하다. 자성 미립자가 센더스트로 이루어지는 자성체 분말 또는 자성체 플레이크이면, 이들을 구성 요소로서 포함하는 제 2 피복체 (1118) 의 포화 자속 밀도 및 투자율이 높아지기 때문에, 자속이 자성체층을 거쳐 안테나에 포착되기가 보다 쉬워진다.
또, 제 2 피복체 (1118) 를 형성하는 자성 미립자의 형상은, 그 모두가 분말상 또는 편평형상 중 어느 일방 일 필요는 없다. 제 2 피복체 (1118) 에는, 분말상의 자성 미립자와 편평형상의 자성 미립자가 혼재되어 있어도 되고, 이와 같이 형상이 상이한 자성 미립자가 혼재되어 있어도, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 충분히 효과를 발휘한다.
제 2 피복체 (1118) 를 형성하는 복합체를 구성하는 수지로는, 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지로는, 예를 들어, 염화비닐, 아세트산비닐, 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐-염화 비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐 공중합체, 메타크릴산에스테르-에틸렌 공중합체, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체 (셀룰로오스아세테이트부틸레이트, 셀룰로오스다이아세테이트, 셀룰로오스트리아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 니트로셀룰로오스), 스티렌부타디엔 공중합체, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 아미노 수지, 또는, 스티렌계 고무, 불소계 고무, 규소계 고무, 에틸렌·프로필렌 공중합체 고무 등의 폴리머계 합성 고무 재료 등을 들 수 있다.
또한, 열경화성 수지 또는 반응형 수지로는, 예를 들어, 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 경화형 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 폴리아민 수지, 우레아포름알데히드 수지 등을 들 수 있다.
또한, 제 2 피복체 (1118) 를 형성하는 복합체에는, 피부착체에 점착성을 부여하기 위해서 각종 점착제가 함유되어 있어도 된다.
또한, 제 2 피복체 (1118) 를 형성하는 복합체를 형성하기 위해서 사용되는 자성 도료에 함유되는 첨가제로는, 점도 조정제, 기포 제거제, 레벨링제 등을 들 수 있다.
그리고, 이 자성 도료에 함유되는 용매로는, 시클로헥사논, 아세톤, 벤젠계, 에틸계 등의 유기용매를 들 수 있다.
제 2 피복체 (1118) 를 형성하는 복합체는, 자성 미립자로 이루어지는 필러 와, 수지와, 첨가제와, 용매를 포함하는 자성 도료를 도포, 건조시킴으로써, 자성 미립자가 거의 균일하게 분산된 형태로 성형된다.
비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 의 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 향상시키기 위해서, 케이스 (1115) 와 제 2 피복체 (1118) 의 밀착성을 높이기 위해서는, 케이스 (1115) 를 형성하는 재질과, 제 2 피복체 (1118) 를 형성하는 수지를 동일한 것으로 하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 에 의하면, 케이스 (1115) 와 인렛 (1114) 사이에 위치하는 공간 (1115b) 을 제외한 오목부 (1115a) 내에 인렛 (1114) 을 덮도록 자성 재료를 포함하는 제 2 피복체 (1118) 를 형성하였기 때문에, 금속을 적어도 포함하는 물품에 접한 경우라도, 자속이 제 2 피복체 (1118) 를 거쳐 안테나 (1112) 에 포착되므로, 안테나 (1112) 에 IC 칩 (1113) 을 작동시키는 데 충분한 유도 기전력을 발생시킬 수 있다. 또한, 제 1 피복체 (1117) 가 안테나 (1112) 및 IC 칩 (1113) 의 보호막으로서 기능한다.
그리고, 제 2 피복체 (1118) 외면 (1118a) 의 주단부 (1118b) 를 케이스 (1115) 의 주단부 (1115c) 에 맞춰지도록 배치하면, 인렛 (1114) 은, 케이스 (1115) 의 오목부 (1115a) 내에서, 그 외주 전체가 제 1 피복체 (1117) 및 제 2 피복체 (1118), 또는, 제 1 피복체 (1117) 또는 제 2 피복체 (1118) 중 어느 일방에 의해 덮여 있으므로, 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 에 외력 (특히, 측방으로부터의) 이 가해짐으로써, 케이스 (1115) 와 피복체 (1116) 의 접촉면 (계면)에서 양자가 박리되어, 인렛 (1114) 이 노출되거나, 손상되거나 하는 일이 없다.
또, 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 는, 케이스 (1115) 의 외주단 (1115c) 측 면에, 접착제 또는 점착제를 통해서 대상이 되는 물품 (피착체) 에 부착하기 때문에, 물품에 부착된 상태에서는 케이스 (1115) 와 피복체 (1116) 의 계면이 외측으로 노출되지 않기 때문에, 사용시에는 보다 충분한 내약품성을 확보할 수 있다. 또한, 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 는, 케이스 (1115) 와 피복체 (1116) 의 접촉면 (계면) 에서 양자가 박리되는 일이 없기 때문에, 내부에 수분이나 약품이 침투하는 일도 없어, 내수성이나 내약품성이 우수하다. 또, 케이스 (1115) 를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하면서 박형 구조로 할 수도 있다. 그리고, 케이스 (1115) 를 열가소성 수지로 형성하면, 외력에 대한 내구성 및 내약품성을 충분히 확보하여 박형 구조로 할 수 있을 뿐만 아니라, 표면이 만곡된 형상으로 하는 것도 가능하다.
또, 이 실시형태에서는, 단면 형상이 직사각형 형상인 케이스 (1115) 를 사용한 비접촉형 데이터 수송신체를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 인렛을 수장하는 케이스의 형상은, 대상이 되는 물품 (피부착체) 의 형상, 비접촉형 데이터 수송신체가 부착되는 장소 등에 따라서 적절히 결정된다.
또한, 이 실시형태에서는, 케이스 (1115) 의 오목부 (1115a) 의 내측면과, 인렛 (1114) 사이에 공간이 형성되어 있지 않은 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 케이스의 오목부의 내측면과, 인렛 사이에 간극이 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 적어도 오목부 (1115a) 내에 수장한 인렛 (1114) 과 오목부 (1115a) 내의 저면 사이의 공간을 채우도록, 제 1 피복체 (1117) 가 형성되어 있으면 된다.
또한, 이 실시형태에서는, 안테나 (1112) 및 IC 칩 (1113) 이 형성되어 있는 측의 면을 케이스 (1115) 의 오목부 (1115a) 의 내면측을 향해서 인렛 (1114) 을 배치한 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 를 예시하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 측의 면을 케이스의 오목부의 외측을 향해서 인렛을 배치해도 된다. 이와 같이 인렛을 배치하면, 안테나 및 IC 칩에 가해지는 수지압을 낮출 수 있기 때문에, 수지압에 의한 안테나 및 IC 칩의 손상을 억제할 수 있다.
또한, 이 실시형태에서는, 인렛 (1114) 의 안테나 (1112) 및 IC 칩 (1113) 이 형성되어 있는 면을 케이스 (1115) 의 오목부 (1115a) 내의 저면측에 배치하였지만, 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명의 비접촉형 데이터 수송신체에 있어서는, 인렛의 안테나 및 IC 칩이 형성되어 있는 면을 케이스의 주단부측에 배치해도 된다.
(비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법)
다음으로, 도 58A∼도 60 을 참조하여, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법의 일 실시형태에 관해서 설명한다.
이하에 기재하는 바와 같이, 도 58A 에 나타내는 인렛 (1114) 을 제조한다.
먼저, 베이스 기재 (1111) 의 일방의 면 (1111a) 에, 소정 두께, 소정 패턴을 이루는 안테나 (1112) 를 형성한다.
이 공정에서는, 안테나 (1112) 를 폴리머형 도전 잉크로 형성하는 경우, 스크린 인쇄법에 의해, 베이스 기재 (1111) 의 일방의 면 (1111a) 에, 소정 두께, 소정의 패턴이 되도록 폴리머형 도전 잉크를 인쇄한 후, 이 폴리머형 도전 잉크를 건조·경화시킴으로써, 소정 두께, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (1112) 를 형성한다.
또한, 안테나 (1112) 를 도전성 박으로 형성하는 경우, 이하와 같은 순서에 따른다.
베이스 기재 (1111) 의 일방의 면 (1111a) 전체면에 도전성 박을 부착한 후, 실크 스크린 인쇄법에 의해 이 도전성 박에 내에칭 도료를 소정 패턴으로 인쇄한다. 이 내에칭 도료를 건조·고화시킨 후, 에칭액에 침지하여, 내에칭 도료가 도포되어 있지 않은 동박을 용해 제거하고, 내에칭 도료가 도포된 동박부분을 베이스 기재 (1111) 의 일방의 면에 잔존시킴으로써, 소정의 패턴을 이루는 안테나 (1112) 를 형성한다.
이어서, 안테나 (1112) 에 형성된 접점 (1112b, 1112b) 과, IC 칩 (1113) 에 형성된 접점 (도시 생략) 을, 도전성 페이스트, 또는, 땜납으로 이루어지는 도전재를 통해서 전기적으로 접속하여 IC 칩 (1113) 을 베이스 기재 (1111) 의 일방의 면 (1111a) 에 실장한다.
또한, 인렛의 제조 공정과는 별도로, 도 58B 에 나타내는 바와 같이, 시트형 상 기재 (1120) 를 준비한다.
이어서, 도 58C 에 나타내는 바와 같이, 기재 (1120) 의 적어도 일부가 오목부 (1120c) 를 형성하도록 기재 (1120) 를 변형시킨다.
기재 (1120) 를 변형시켜 오목부 (1120c) 를 형성하는 방법으로는, 일방의 면 (1120a) 측에서부터 기재 (1120) 에 소정의 형상을 갖는 금형 등을 밀어 누름과 함께, 기재 (1120) 를 열변형시키는 방법, 타방의 면 (1120b) 측에서 기재 (1120) 를 감압 또는 진공으로 흡인하여, 소정의 형상을 갖는 틀에 밀착시키는 방법 등이 사용된다.
기재 (1120) 에 소정 형상의 금형 등을 밀어 누름과 함께, 기재 (1120) 를 열변형시키는 방법에서는, 기재 (1120) 를 향하여 비스듬하게 금형을 밀어 눌러 기재 (1120) 을 변형시키거나, 기재 (1120) 와 접촉하는 부분의 형상이 둥그스름한 금형을 사용하면, 오목부 (1120c) 의 형상을 반구상으로 형성하거나, 피부착체에 대한 장착면이 되는 부분을 비스듬하게 할 수 있다. 또한, 마찬가지로, 기재 (1120) 를 감압 또는 진공으로 흡인하여, 소정 형상의 틀에 밀착시키는 방법에 의해서도, 어떠한 형상의 오목부 (1120c) 라도 형성할 수 있다.
이어서, 도 59A 에 나타내는 바와 같이, 기재 (1120) 의 오목부 (1120c) 내에 적량의 제 1 피복체를 형성하는 수지 (1121) 를 충전한다.
또, 제 1 피복체를 형성하는 수지의 충전량은 한정되지 않고, 인렛 (1114) 을 수지 (1121) 에 접하도록 오목부 (1120c) 내에 수장하였을 때에, 오목부 (1120c) 와 인렛 (1114) 사이의 공간이 수지 (1121) 로 채워질 정도의 양이면 된 다. 또한, 수지 (1121) 의 충전량은, 인렛 (1114) 을 구성하는 안테나 (1112) 나 IC 칩 (1113) 의 크기 등에 따라서 적절히 조정된다.
이어서, 도 59B 에 나타내는 바와 같이, 안테나 (1112) 및 IC 칩 (1113) 이 형성되어 있는 면을 내측, 인렛 (1114) 을 수지 (1121) 에 접하도록, 기재 (1120) 의 오목부 (1120c) 내에 수장한다.
이 공정에서는, 오목부 (1120c) 의 개구단 (1120d) 이 형성하는 평면보다, 오목부 (1120c) 의 내측이 되도록 인렛 (1114) 을 배치한다.
이어서, 도 59C 에 나타내는 바와 같이, 인렛 (1114) 의 안테나 (1112) 및 IC 칩 (1113) 이 형성되어 있는 면과는 반대측 면을 덮고, 오목부 (1120c) 에서의 이 면보다 개구단 (1120d) 측의 공간을 채우도록, 제 2 피복체인 자성 도료 (1122) 를 충전한다.
또, 자성 도료를 오목부 (1120c) 에 충전하기 위해서는, 스크린 인쇄법 등의 인쇄법이 사용된다.
이어서, 실온에서 방치하거나, 또는 소정의 온도로 소정 시간, 제 1 피복체 및 제 2 피복체를 형성하는 수지 및 자성 도료를 가열하여 건조·고화시킴으로써, 제 1 피복체와 제 2 피복체로 이루어지는 피복체를 형성한다.
이어서, 도 60 에 나타내는 바와 같이, 기재 (1120), 인렛 (1114) 및 제 1 피복체 (1123) 와 제 2 피복체 (1124) 로 이루어지는 피복체 (1125) 가 일체화된 영역마다 기재 (1120) 를 분할하여, 기재 (1120) 로 이루어지는 케이스 (1126) 를 형성하여, 비접촉형 데이터 수송신체 (1130) 를 얻는다.
도 61 은, 본 발명에 관련된 제 33 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 61 에 있어서, 도 57 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (1140) 가 상기 서술한 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 와 상이한 점은, 케이스 (1141) 의 단면 형상이 원호형상을 이루고 있는 점이다.
이 비접촉형 데이터 수송신체 (1140) 에 있어서도, 인렛 (1114) 은, 케이스 (1141) 의 외주단 (1141b) 이 형성하는 평면보다 오목부 (1141a) 의 내측에 배치되어 있다.
도 62 는, 본 발명에 관련된 제 34 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 62 에 있어서, 도 57 에 나타낸 비접촉형 데이터 수송신체 (1110) 와 동일한 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
이 실시형태의 비접촉형 데이터 수송신체 (1150) 가 상기 서술한 비접촉형 데이터 수송신체 (1140) 와 상이한 점은, 케이스 (1151) 의 외주단 (1151b) 은 선상을 이루고 있어, 외주단 (1151b) 측에서 비접촉형 데이터 수송신체 (1150) 를 보면, 평면 (1150a) 는 거의 제 2 피복체 (1118) 만으로 형성되어 있는 점이다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 본 발명의 취지를 일탈하지 않은 범위에서, 구성의 부가, 생 략, 치환, 및 그 밖의 변경이 가능하다. 본 발명은 전술한 설명에 의해서 한정되지 않으며, 첨부하는 클레임의 범위에 의해서만 한정된다.
상기 서술한 비접촉 IC 라벨의 제조 장치는, 이른바 IC 태그에 대해서도 동일하게 적용할 수 있다. 따라서, 본 발명에 있어서의 「IC 라벨」은, 대지 (臺紙) 로부터 박리하여 사용되는 통상적인 형태의 IC 라벨에 한정되지 않고, 2장의 용지 사이에 조합된 형태를 갖는 IC 태그 등에도 적용할 수 있다.

Claims (41)

  1. 전기 절연성의 제 1 기판과,
    상기 제 1 기판의 일방의 면에 형성된 안테나 코일과,
    상기 안테나 코일과 서로 전기적으로 접속된 IC 칩과,
    상기 제 1 기판의 일방의 면에 있어서, 상기 안테나 코일 및 IC 칩을 덮도록 형성된 자성체층과,
    상기 자성체층을 통해서 형성된 제 1 접착제층과,
    상기 제 1 접착제층을 통해서 형성된 전기 절연성의 제 2 기판과,
    상기 제 2 기판을 통해서 형성된 제 2 접착제층과,
    상기 제 2 접착제층을 통해서 형성된 박리지(剝離紙)와,
    상기 제 1 기판의 타방의 면에 제 3 접착제층을 통해서 형성된 상부재(上部材)를 구비한, 비접촉 IC 라벨.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 자성체층이, 자성체 분말 또는 자성체 플레이크가 분산된 유기물체로 이루어지는, 비접촉 IC 라벨.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 자성체층이 도포법 또는 인쇄법에 의해 형성되어 있는, 비접촉 IC 라 벨.
  4. 송수신용 안테나 코일과 IC 칩이 기판에 실장된 비접촉 IC 라벨의 제조 방법으로서,
    장척상(長尺狀) 박리지의 일방의 면에 제 2 접착제층, 제 2 기판, 제 1 접착제층, 사지(捨紙; backing paper)의 순으로 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 1 연속 용지를 그 길이방향으로 공급하는 제 1 공급 공정과,
    상기 제 1 공급 공정에 의해 준비된 상기 제 1 연속 용지로부터 상기 사지를 제거하여 상기 제 1 접착제층을 노출시키는 접착제층 노출 공정과,
    전기 절연성의 제 1 기판의 일방의 면에 있어서, 서로 전기적으로 접속된 안테나 코일과 IC 칩이 형성되고, 상기 안테나 코일과 IC 칩을 덮도록 자성체층이 형성되어 이루어지는 인렛을, 상기 자성체층을 통해서 상기 접착제층 노출 공정에 의해 준비된 상기 제 1 접착제층의 노출면에 순차적으로 부착하는 인렛 부착 공정과,
    장척상 상부재의 일방의 면에 제 3 접착제층을 통해서 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 2 연속 용지를 그 길이방향으로 공급하는 제 2 공급 공정과,
    상기 제 2 공급 공정에 의해 풀려진 상기 제 2 연속 용지로부터 사지가 제거되어 노출된 제 3 접착제층과 상기 제 1 기판의 타방의 면을 부착하는 본딩 공정과,
    상기 본딩 공정에 의해 형성된 적층체로부터 IC 라벨이 되는 부위를 펀칭하는 다이컷 공정을 적어도 구비하고 있는, 비접촉 IC 라벨의 제조 방법.
  5. 송수신용 안테나 코일과 IC 칩이 기판에 실장된 비접촉 IC 라벨의 제조 장치로서,
    장척상 박리지의 일방의 면에 제 2 접착제층, 제 2 기판, 제 1 접착제층, 사지의 순으로 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 1 연속 용지를 길이방향으로 공급하는 제 1 공급 수단과,
    상기 사지를 제거하여 상기 제 1 접착제층을 노출시키는 접착제층 노출 수단과,
    전기 절연성의 제 1 기판의 일방의 면에 있어서, 서로 전기적으로 접속된 안테나 코일과 IC 칩이 형성되고, 상기 안테나 코일과 IC 칩을 덮도록 자성체층이 형성되어 이루어지는 인렛을, 상기 자성체층을 통해서 상기 제 1 접착제층의 노출면에 순차적으로 부착하는 인렛 부착 수단과,
    장척상 상부재의 일방의 면에 제 3 접착제층을 통해서 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 2 연속 용지를 길이방향으로 공급하는 제 2 공급 수단과,
    상기 제 2 연속 용지의 사지가 제거되어 노출된 제 3 접착제층과 상기 제 1 기판의 타방의 면을 부착하는 본딩 수단과,
    상기 본딩 수단에 의해 형성된 적층체로부터 IC 라벨이 되는 부위를 펀칭하는 다이컷 수단을 적어도 구비하고 있는, 비접촉 IC 라벨의 제조 장치.
  6. 베이스 기재와, 그 일방의 면에 형성되고 서로 전기적으로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과,
    상기 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 배치되는 자성체층과,
    상기 자성체층을 배치한 인렛을 감싸도록 형성된 수지로 이루어지는 케이스를 구비한, 반도체 장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 베이스 기재의 일방의 면에 서로 전기적으로 접속된 안테나 및 IC 칩을 형성하여 인렛을 형성하는 공정과,
    상기 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 자성체층을 배치하는 공정과,
    상기 자성체층을 배치한 인렛의 적어도 일부를 끼워 넣는 오목부를 구비하고, 상기 자성체층을 배치한 인렛 중, 적어도 자성체층의 일부를 덮기 위한 제 1 수지부재를 성형하는 공정과,
    상기 자성체층을 배치한 인렛 중, 적어도 자성체층의 일부를 상기 오목부에 끼워 넣는 공정과,
    상기 제 1 수지부재에 끼워진 상기 자성체층을 배치한 인렛 상에 수지를 공급하고, 상기 수지에 의해 제 2 수지부재를 성형하여, 상기 제 2 수지부재에 의해서 상기 자성체층을 배치한 인렛 중 상기 제 1 수지부재로 덮여 있지 않은 부분을 덮고, 제 1 수지부재 및 제 2 수지부재로 이루어지는 케이스를 형성하여, 상기 케이스에 의해서 상기 자성체층이 배치된 인렛을 감싸는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 베이스 기재의 일방의 면에 서로 전기적으로 접속된 안테나 및 IC 칩을 형성하여 인렛을 형성하는 공정과,
    상기 인렛을 구성하는 베이스 기재의 타방의 면을 덮도록 자성체층을 배치하는 공정과,
    상기 인렛의 타방의 면에 배치된 자성체층의 적어도 일부를 끼워 넣는 오목부를 구비하고, 상기 자성체층을 배치한 인렛 중, 적어도 자성체층의 일부를 덮기 위한 제 1 수지부재를 성형하는 공정과,
    상기 자성체층을 배치한 인렛 중, 적어도 자성체층의 일부를 상기 오목부에 끼워 넣는 공정과,
    상기 제 1 수지부재에 끼워진 상기 자성체층을 배치한 인렛 상에 수지를 공급하고, 상기 수지에 의해 제 2 수지부재를 성형하여, 상기 제 2 수지부재에 의해서 상기 자성체층을 배치한 인렛 중 상기 제 1 수지부재로 덮여 있지 않은 부분을 덮고, 제 1 수지부재 및 제 2 수지부재로 이루어지는 케이스를 형성하여, 상기 케이스에 의해 상기 자성체층을 배치한 인렛을 감싸는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과,
    상기 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 배치되는 자성체층을 구비한, 비접촉형 데이터 수송신체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 인렛에 상기 자성체층을 통해서 형성된 박리지와,
    상기 인렛을 구성하는 베이스 기재의 타방의 면에 접착제층을 통해서 형성된 상부재를 추가로 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 자성체층은, 결합제와 자성체 분말 또는 자성체 플레이크로 이루어지 는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 자성체층은, 추가로 접착제를 포함하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 자성체층은 도포법 또는 인쇄법에 의해 형성되는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  16. 베이스 기재의 일방의 면에 있어서, 서로 접속하도록 안테나와 IC 칩을 형성하는 공정 A1 과,
    상기 안테나와 상기 IC 칩을 덮도록 자성체층을 형성하는 공정 A2 와,
    상기 자성체층을 건조 고화시키는 공정 A3 를 적어도 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법.
  17. 장척상 박리지의 일방의 면에 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 1 연속 용지를 그 길이방향으로 공급하는 공정 B1 과,
    상기 공정 B1 에서 준비된 상기 제 1 연속 용지로부터 상기 사지를 제거하여 상기 박리지를 노출시키는 공정 B2 와,
    베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛에, 상기 안테나와 상기 IC 칩을 덮도록 자성체층을 형성하여 이루어지는 자성체층 부설 인렛을 사용하여, 상기 공정 B2 에 의해 준비된 상기 박리지의 노출면에 상기 자성체층이 순차적으로 접하도록 부착하는 공정 B3 과,
    장척상 상부재의 일방의 면에 접착제층을 통해서 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 2 연속 용지를 그 길이방향으로 공급하는 공정 B4 와,
    상기 공정 B4 에 의해 풀려진 상기 제 2 연속 용지로부터 사지가 제거되어 노출된 접착제층과 상기 베이스 기재의 타방의 면을 부착하는 공정 B5 와,
    상기 공정 B5 에 의해 형성된 적층체로부터 비접촉형 데이터 수송신체가 되는 부위를 펀칭하는 공정 B6 를 적어도 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법.
  18. 장척상 박리지의 일방의 면에 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 1 연속 용지를 길이방향으로 공급하는 제 1 수단과,
    상기 사지를 제거하여 상기 박리지를 노출시키는 제 2 수단과,
    베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛에, 상기 안테나와 상기 IC 칩을 덮도록 자성체층을 형성하여 이루어지는 자성체층 부설 인렛을 사용하여, 상기 제 2 수단에 의해 준비된 상기 박리지의 노출면에 상기 자성체층이 순차적으로 접하도록 부착하는 제 3 수단과,
    장척상 상부재의 일방의 면에 접착제층을 통해서 사지가 겹쳐 쌓여 이루어지는 제 2 연속 용지를 길이방향으로 공급하는 제 4 수단과,
    상기 제 2 연속 용지의 사지가 제거되어 노출된 접착제층과 상기 베이스 기재의 타방의 면을 부착하는 제 5 수단과,
    상기 제 5 수단에 의해 형성된 적층체로부터 비접촉형 데이터 수송신체가 되는 부위를 펀칭하는 제 6 수단을 적어도 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 장치.
  19. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과, 상기 인렛을 구성하는 안테나 및 IC 칩을 덮도록 배치된 자성체층을 구비하여 이루어지는 비접촉형 데이터 수송신체로서,
    상기 자성체층은,
    통신 거리가 그 두께에 의존하지 않는 영역 α 및 영역 β 와,
    통신 거리가 그 두께에 의존하는 영역 γ 를 구비하고,
    상기 영역 γ 는, 상기 영역 α 와 상기 영역 β 사이에 위치하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 영역 γ 는, 안테나를 구성하는 코일부의 두께를 하한으로 하고, IC 칩의 두께를 상한으로 하는 범위인, 비접촉형 데이터 수송신체.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 영역 γ 에 있어서의 통신 거리는, 상기 자성체층의 막두께에 대하여 단조 증가하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 자성체층은, 적어도 센더스트 (sendust) 의 자성 미립자로 이루어지는 필러와, 수지로 구성되어 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  23. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과,
    상기 베이스 기재의 타방의 면에 배치된 자성체층과,
    상기 자성체층의 상기 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층을 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  24. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과,
    상기 인렛을 구성하는 상기 안테나, 상기 IC 칩, 또는 상기 안테나 및 상기 IC 칩 둘 모두를 덮도록 배치된 자성체층과,
    상기 자성체층의 상기 안테나, 상기 IC 칩, 또는 상기 안테나 및 상기 IC 칩 둘 모두와 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층을 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  25. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과,
    상기 베이스 기재의 타방의 면에 배치된 자성체층과,
    상기 자성체층의 상기 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자화되지 않는 상자성체층과,
    상기 상자성체층의 상기 자성체층과 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층을 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  26. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛과,
    상기 인렛을 구성하는 상기 안테나, 상기 IC 칩, 또는 상기 안테나 및 상기 IC 칩 둘 모두를 덮도록 배치된 자성체층과,
    상기 자성체층의 상기 안테나, 상기 IC 칩, 또는 상기 안테나 및 상기 IC 칩 둘 모두와 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자화되지 않는 상자성체층과,
    상기 상자성체층의 상기 자성체층과 접하는 면과는 반대측 면에 배치된 자발 자화 특성을 구비한 강자성체층을 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  27. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛을 구비하여 이루어지는 비접촉형 데이터 수송신체로서,
    상기 안테나는 상기 IC 칩을 통하여 코일형상을 이루고 있고, 그 양단부 및 그 근방 영역을 제외하고, 상기 안테나 및 상기 IC 칩을 덮도록 상기 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  28. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛을 구비하여 이루어지는 비접촉형 데이터 수송신체로서,
    상기 안테나는 상기 IC 칩을 통해서 코일형상을 이루고 있고, 그 양단부 및 그 근방 영역, 및, 상기 IC 칩 및 그 근방 영역을 제외하고, 상기 안테나를 덮도록 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  29. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,
    상기 안테나의 양단부를 연결하는 도전부의 일부는, 상기 자성체층의 상기 베이스 기재와 접하는 면과는 반대측 면 상에 형성되어 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  30. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,
    상기 안테나의 양단부를 연결하는 도전부의 일부가 상기 자성체층의 내부에 형성되어 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  31. 제 27 항 또는 제 28 항에 있어서,
    상기 안테나의 양단부를 연결하는 도전부가 가요성 부여제를 함유하는 폴리머형 잉크로 이루어지는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  32. 베이스 기재와 그 일방의 면에 형성되고 서로 접속된 안테나 및 IC 칩으로 이루어지는 인렛을 구비하는 비접촉형 데이터 수송신체로서, 상기 IC 칩 및 그 근방 영역을 제외하고, 상기 안테나를 덮도록 베이스 기재 상에 자성체층이 배치되어 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 IC 칩의 측면과 상기 자성체층의 측면 사이에 간극이 형성되어 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  34. 제 32 항에 있어서,
    상기 IC 칩의 측면과 대향하는 위치에 있는 상기 자성체층의 측면은, 상기 자성체층의 상기 안테나와 접하는 면에서부터, 상기 자성체층의 상기 안테나와 접하는 면과는 반대측 면을 향해서 점차로 개구직경이 커지는 테이퍼 형상인, 비접촉형 데이터 수송신체.
  35. 오목부가 형성된 케이스와,
    상기 오목부 내에 수장된 인렛과,
    상기 오목부 내에 상기 인렛을 덮도록 형성한 피복체를 구비하고,
    상기 인렛은, 상기 케이스의 외주단이 형성하는 평면보다 상기 오목부의 내 측에 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  36. 적어도 일부가 오목부를 형성하는 기재를 사용하여, 상기 오목부 내에 인렛을 수장하는 공정 α 와,
    상기 인렛을 덮도록, 상기 오목부 내에 수지를 충전하는 공정 β 를 구비한, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 공정 α 의 전에, 열가소성 수지로 이루어지는 시트를 사용하여, 상기 시트의 적어도 일부가 오목부를 형성하도록 상기 시트를 변형시켜 상기 기재를 얻는 공정을 추가로 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법.
  38. 제 36 항에 있어서,
    상기 기재, 상기 인렛 및 상기 수지가 일체화된 영역마다 상기 기재를 분할하고, 상기 기재로 이루어지는 케이스를 형성하는 공정을, 상기 공정 β 의 후에 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법.
  39. 제 37 항에 있어서,
    상기 공정 β 에 있어서, 상기 수지로서 열경화성 수지가 사용되어, 상기 열경화성 수지가 상기 열가소성 경화성 수지의 융점보다 낮은 온도에서 열처리되는, 비접촉형 데이터 수송신체의 제조 방법.
  40. 오목부가 형성된 케이스와,
    상기 오목부 내에 수장된 인렛과,
    상기 케이스와 상기 인렛 사이에 위치하는 공간을 제외한 상기 오목부 내에 상기 인렛을 덮도록 형성된 자성 재료를 포함하는 피복체를 구비하는, 비접촉형 데이터 수송신체.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 피복체의 외면의 주단부가, 상기 케이스의 주단부에 맞춰지도록 배치되어 있는, 비접촉형 데이터 수송신체.
KR1020077005172A 2004-10-13 2005-10-07 비접촉 ｉｃ 라벨 및 그 제조 방법 그리고 제조 장치 KR100852379B1 (ko)

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