KR100778218B1 - 기상 성장 장치와 기상 성장 방법 - Google Patents

기상 성장 장치와 기상 성장 방법 Download PDF

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요시카즈 모리야마
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가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
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Abstract

본 발명의 한 형태의 기상 성장 장치는 챔버, 상기 챔버 내에 배치되고 상기 챔버내에서 기판을 지지하는 지지대, 상기 챔버에 접속되고 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및 상기 챔버에 접속되고 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고, 상기 지지대는 둘러싸는 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 복수의 볼록부와, 상기 기판의 이면을 지지하는 상기 지지대의 저면을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

기상 성장 장치와 기상 성장 방법{VAPOR PHASE GROWING APPARATUS AND VAPOR PHASE GROWING METHOD}
도 1은 실시형태 1에서의 에피택시얼 성장 장치의 구성을 도시한 개념도,
도 2는 에피택시얼 성장 장치 시스템의 외관의 일례를 도시한 도면,
도 3은 에피택시얼 성장 장치 시스템의 유닛 구성의 일례를 도시한 도면,
도 4는 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 일례를 도시한 평면도,
도 5는 도 4에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도,
도 6은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도,
도 7은 도 6에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도,
도 8은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도,
도 9는 도 8에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도,
도 10은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도,
도 11은 도 10에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도,
도 12는 실리콘 웨이퍼 외주부와 볼록부를 도시한 단면도,
도 13은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도,
도 14는 도 13에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도,
도 15는 실리콘 웨이퍼 외주부와 볼록부를 도시한 단면도,
도 16은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도,
도 17은 도 16에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도,
도 18은 실리콘 웨이퍼 외주부와 볼록부를 도시한 단면도,
도 19는 볼록부를 형성하고 있지 않은 홀더를 사용한 경우의 성막 후의 상태를 설명하기 위한 도면,
도 20a와 도 20b는 본 실시형태에서의 볼록부를 형성한 홀더를 사용한 경우의 성막 후의 상태를 설명하기 위한 도면,
도 21은 각 홀더 형상에서의 실리콘 에피택시얼막의 막두께와 홀더에 대한 점착 상태의 관계의 일례를 도시한 도면,
도 22는 실시형태 2에서의 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 일례를 도시한 평면도,
도 23은 도 22에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도,
도 24는 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 일례를 도시한 평면도,
도 25는 도 24에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도,
도 26은 홀더(지지대)에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 예를 도시한 평면도 및
도 27은 도 26의 제 2 볼록부를 확대하여 도시한 사시도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100: 에피택시얼 성장 장치 101: 실리콘 웨이퍼
110: 홀더 112: 제 1 볼록부
120: 챔버 122: 유로
130: 샤워 헤드 140: 진공 펌프
142: 압력제어밸브 150: 아웃 히터
160: 인 히터 170: 회전 부재
300: 에피택시얼 성장 장치 시스템 310, 312: 카세트 스테이지(C/S)
320: L/L 챔버 330: 트랜스퍼 챔버
332, 350: 반송 로봇
본 발명은 기상 성장 장치 및 방법에 관한 것으로, 예를 들어 에피택시얼 성장 장치에서의 실리콘 웨이퍼 등의 기판을 지지하는 지지 부재(지지대)의 형상에 관한 것이다.
초고속 바이폴러, 초고속 CMOS 등의 반도체 디바이스의 제조에서 불순물 농도나 막두께가 제어된 단결정 에피택시얼(epitaxial) 성장기술은 디바이스의 성능을 향상시키는 측면에서 불가결한 것이 되고 있다.
실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판에 단결정 박막을 기상 성장시키는 에피택시얼 성장에는 일반적으로 상압 화학 기상 성장법이 사용되고 있고, 경우에 따라서는 감압 화학 기상 성장(LP-CVD)법이 사용되고 있다. 반응용기 내에 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판을 배치하고, 반응용기 내를 상압(0.1MPa(760Torr)) 분위기 또는 소정 진공도의 진공분위기로 유지한 상태에서 상기 반도체 기판을 가열하여 회전시키면서 실리콘원과 붕소 화합물, 비소 화합물, 또는 인 화합물 등의 도펀트를 포함하는 원료가스를 공급한다. 그리고, 가열된 반도체 기판의 표면에서 원료가스의 열분해 또는 수소환원반응을 실시하고, 붕소(B), 인(P), 또는 비소(As)가 도핑된 실리콘 에피택시얼막을 성장시킴으로써 제조한다(예를 들어, 일본 공개특허공보 평9-194296호 참조).
또한, 에피택시얼 성장기술은 파워 반도체의 제조, 예를 들어 IGBT(절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터)의 제조에도 사용된다. IGBT 등의 파워 반도체에서는 예를 들어 수 10 ㎛ 이상의 막두께의 실리콘 에피택시얼막이 필요해진다.
도 24는 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 일례를 도시한 평면도이다.
도 25는 도 24에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도이다.
실리콘 웨이퍼(200)의 지지 부재가 되는 홀더(210)(서셉터라고 함)에는 실리콘 웨이퍼(200)의 직경보다 약간 큰 직경의 카운터보어 구멍(counterbored holes)이 형성되어 있다. 그리고, 이러한 카운터보어 구멍에 실리콘 웨이퍼(200)가 들어가도록 배치된다. 이러한 상태에서 홀더(210)를 회전시킴으로써 실리콘 웨이퍼(200)를 회전시켜, 공급된 원료가스의 열분해 또는 수소환원반응에 의해 실리콘 에피택시얼막을 성장시킨다.
그런데, 상술한 실리콘 웨이퍼(200)의 직경보다 약간 큰 직경의 카운터보어 구멍이 형성되어 있는 홀더(210)에 실리콘 웨이퍼(200)를 배치하여 회전시키면, 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(200)는 웨이퍼면과 평행한 방향으로 이동하고, 카운터보어 구멍의 측면의 일부분에 치우친다. 여기에서, 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터(IGBT) 등의 파워 반도체의 제조에 필요한 수 10㎛ 이상, 예를 들어 50㎛ 이상의 막두께의 실리콘 에피택시얼막(N베이스막)을 형성하는 경우, 상술한 홀더(210)에서는 실리콘 웨이퍼(200)의 측면부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 홀더(210)의 카운터보어 구멍의 측면에 퇴적된 막이 접촉되어 달라 붙어(접착되어), 실리콘 웨이퍼(200)를 반송할 때 실리콘 웨이퍼(200)가 홀더(210)에 점착되는 현상이 발생하는 문제가 있었다. 최악의 경우, 실리콘 웨이퍼(200)를 반송하기 위해 취출하려고 하면 실리콘 웨이퍼(200)가 파손되는 문제가 있었다.
본 발명의 한 형태에서는 이러한 문제점을 극복하고 기판의 지지부에 대한 점착을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 한 형태의 기상 성장 장치는
챔버,
상기 챔버내에 배치되고, 상기 챔버내에서 기판을 지지하는 지지대,
상기 챔버에 접속되고, 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및
상기 챔버에 접속되고, 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
상기 지지대는
둘러싸는 영역내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 복수의 볼록부와,
상기 기판의 이면을 지지하는 상기 지지대의 저면을 구비하고,
상기 지지대를 회전시켜 에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 한 형태의 기상 성장 방법은
챔버 내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치를 사용한 기상 성장 방법으로서,
복수의 볼록부를 구비한 상기 지지대를 회전시키고 상기 지지대의 저면으로 상기 기판의 이면을 지지하면서 상기 복수의 볼록부로 둘러싸인 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하고,
에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태의 기상 성장 장치는
챔버,
상기 챔버 내에 배치되고 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지대,
상기 챔버에 접속되고 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및
상기 챔버에 접속되고 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
상기 지지대에는 둘러싸는 영역내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 링이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 형태의 기상 성장 방법은
챔버 내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치를 사용한 기상 성장 방법으로서,
링을 갖는 상기 지지대를 회전시키고 상기 지지대의 저면으로 상기 기판의 이면을 지지하면서 상기 링으로 둘러싸인 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하고,
에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태의 기상 성장 장치는
챔버,
상기 챔버내에 배치되고 상기 챔버내에서 기판을 지지하는 지지대,
상기 챔버에 접속되고 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및
상기 챔버에 접속되고 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
상기 지지대는
상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 상기 기판측을 향하여 볼록의 R형상으로 형성된 제 1 면, 및
상기 기판의 이면을 지지하는 제 2 면을 갖고,
상기 지지대를 회전시켜 에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 형태의 기상 성장 방법은
챔버 내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치를 사용한 기상 성장 방법으로서,
상기 기판측을 향하여 볼록의 R형상으로 형성된 제 1 면과, 제 2 면을 갖는 상기 지지대를 회전시키고, 상기 제 2 면으로 상기 기판의 이면을 지지하면서, 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하고,
에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태의 기상 성장 장치는
챔버,
상기 챔버내에 배치되고 상기 챔버내에서 기판을 지지하는 지지대,
상기 챔버에 접속되고 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및
상기 챔버에 접속되고 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
상기 지지대는 상기 기판의 실질적으로 수평방향의 이동을 구속하는 꼭대기면을 갖는 복수의 볼록부를 갖고, 상기 복수의 볼록부의 꼭대기면 중 몇 개에서 상기 기판과 접촉되어 상기 기판을 지지하면서 상기 기판을 회전시켜 에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 형태의 기상 성장 장치는
챔버,
상기 챔버 내에 배치되고 상기 챔버내에서 기판을 지지하는 지지대,
상기 챔버에 접속되고 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및
상기 챔버에 접속되고, 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
상기 지지대는
둘러싸는 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 복수의 제 1 볼록부,
상기 기판을 실어 지지하는 꼭대기면을 갖는 복수의 제 2 볼록부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 형태의 기상 성장 방법은
챔버 내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치를 사용한 기상 성장 방법에 있어서,
복수의 제 1 볼록부와 상기 기판과 접촉하는 복수의 제 2 볼록부를 갖는 상기 지지대를 회전시키고, 상기 복수의 제 2 볼록부의 꼭대기면으로 상기 기판을 지지하면서 상기 복수의 제 1 볼록부로 둘러싸인 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하고,
에픽텍시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 한 형태의 지지대는
기상성장장치의 챔버 내에 배치되고 상기 챔버에 공급되는 가스로 성막되는 기판을 지지하는 지지대로서,
홀더,
상기 홀더 상에 형성되고, 둘러싸는 영역을 형성하는 복수의 볼록부, 및
상기 기판의 이면을 지지하는 상기 홀더의 면을 구비하고,
상기 복수의 볼록부로 둘러싸인 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 것을 특징으로 한다.
실시형태 1.
도 1은 실시형태 1에서의 에피택시얼 성장 장치의 구성을 도시한 개념도이다.
도 1에서 기상 성장 장치의 일례가 되는 에피택시얼 성장 장치(100)는 지지대의 일례가 되는 홀더(서셉터라고도 함)(110), 챔버(120), 샤워 헤드(130), 진공 펌프(140), 압력제어밸브(142), 아웃 히터(150), 인 히터(160), 회전 부재(170)를 구비하고 있다. 챔버(120)에는 가스를 공급하는 유로(122)와 가스를 배기하는 유로(124)가 접속되어 있다. 그리고, 유로(122)는 샤워 헤드(130)에 접속되어 있다. 도 1에서는 실시형태 1의 설명에 필요한 구성 이외의 것을 생략하고 있다. 또한, 축척 등도 실물과는 일치시키고 있지 않다(이하, 각 도면에서 동일).
홀더(110)는 외주가 원형으로 형성되고 소정의 내부직경의 관통하는 개구부가 형성된다. 그리고, 상면측에서 소정의 깊이로 판 홀더(110)의 저면에서 기판의 일례가 되는 실리콘 웨이퍼(101)의 이면과 접촉하여 실리콘 웨이퍼(101)를 실질적으로 수평으로 지지한다. 그리고, 실리콘 웨이퍼(101)에 대하여 실리콘 웨이퍼(101)면과 동일한 방향, 즉 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 복수의 제 1 볼록부(112)가 실리콘 웨이퍼(101)를 둘러싸도록 형성되어 있다. 따라서, 복수의 제 1 볼록부(112)로 둘러싸인 영역 내에서 실리콘 웨이퍼(101)의 실질적으로 수평인 방향의 이동은 구속된다. 제 1 볼록부(112)는 근원이 되는 면으로부터 홀더(110)의 중심, 즉 복수의 제 1 볼록부(112)로 둘러싸인 영역의 중심을 향하여 볼록으로 연장되도록 형성된다.
홀더(110)는 도시하고 있지 않은 회전기구에 의해 실리콘 웨이퍼(101)면과 직교하는 실리콘 웨이퍼(101) 면의 중심선을 축으로 회전되는 회전 부재(170) 상에 배치된다. 그리고, 홀더(110)는 회전 부재(170)와 함께 회전함으로써 실리콘 웨이퍼(101)를 회전시킬 수 있다.
홀더(110)의 이면측에는 아웃 히터(150)와 인 히터(160)가 배치되어 있다. 아웃 히터(150)에 의해 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부와 홀더(110)를 가열할 수 있다. 그리고, 인 히터(160)는 아웃 히터(150)의 하부에 배치되고, 인 히터(160)에 의해 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부 이외를 가열할 수 있다. 인 히터(160)와는 별도로 홀더(110)로 열이 도망가기 쉬운 실리콘 웨이퍼(101)의 외주부의 가열에 아웃 히터(150)를 설치하고 2중 히터로 함으로써, 실리콘 웨이퍼(101)의 면내 균일성을 향상시킬 수 있다.
그리고, 홀더(110), 아웃 히터(150), 인 히터(160), 샤워 헤드(130), 회전 부재(170)는 챔버(120) 내에 배치된다. 회전 부재(170)는 챔버(120)내로부터 도시하지 않은 회전 기구로 챔버(120) 밖으로 연장되어 있다. 샤워 헤드(130)는 챔버(120)내로부터 챔버(120) 밖으로 배관이 연장되어 있다.
그리고, 반응용기가 되는 챔버(120) 내를 상압 또는 진공 펌프(140)에 의해 소정 진공도의 진공 분위기로 유지한 상태에서, 실리콘 웨이퍼(101)를 아웃 히터(150)와 인 히터(160)로 가열하고, 홀더(110)의 회전에 의해 실리콘 웨이퍼(101)를 소정의 회전수로 회전시키면서, 샤워 헤드(130)로부터 실리콘원이 되는 원료 가스를 챔버(120) 내에 공급한다. 그리고, 가열된 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에서 원료 가스의 열분해 또는 수소환원을 실시하고, 실리콘 웨이퍼(101)의 표면에 실리콘 에피택시얼막을 성장시킨다. 챔버(120) 내의 압력은 예를 들어 압력제어밸브(142)를 사용하여 상압 또는 소정 진공도의 진공분위기로 조정하면 좋다. 또는 상압에서 사용하는 경우에는 진공 펌프(140) 또는 압력제어밸브(142)가 없는 구성이라도 상관없다. 샤워 헤드(130)에서는 챔버(120) 밖으로부터 배관으로 공급된 원료가스를 샤워 헤드(130) 내부의 버퍼를 통하여 복수의 관통구멍으로부터 배출하도록 하고 있으므로 균일하게 원료 가스를 실리콘 웨이퍼(101) 상에 공급할 수 있다. 또한, 홀더(110)나 회전 부재(170)의 압력을 내외 동일(실리콘 웨이퍼(101)의 표면측 분위기의 압력과 이면측 분위기의 압력을 동일)하게 함으로써, 원료가스가 회전 부재(170)의 내측, 또는 회전기구 내부로 돌아 들어가는 것을 방지할 수 있다. 동일하게, 도시하지 않은 회전기구측의 퍼지 가스 등이 챔버내(실리콘 웨이퍼(101)의 표면측 분위기)에 새는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 에피택시얼 성장 장치 시스템의 외관의 일례를 도시한 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 에피택시얼 성장 장치 시스템(300)은 하우징에 의해 전체가 둘러싸여 있다.
도 3은 에피택시얼 성장 장치 시스템의 유닛 구성을 일례를 도시한 도면이다.
에피택시얼 성장 장치 시스템(300) 내에서는 카세트 스테이지(C/S)(310) 또는 카세트 스테이지(C/S)(312)에 배치된 카세트에 설치된 실리콘 웨이퍼(101)가 반송 로봇(350)에 의해 로드록(L/L) 챔버(320) 내에 반송된다. 그리고, 트랜스퍼 챔버(330) 내에 배치된 반송 로봇(332)에 의해 L/L 챔버(320)로부터 실리콘 웨이퍼 (101)가 트랜스퍼 챔버(330) 내에 반출된다. 그리고, 반출된 실리콘 웨이퍼(101)가 에피택시얼 성장 장치(100)의 챔버(120) 내에 반송되고, 에피택시얼 성장법에 의해 실리콘 웨이퍼(101) 표면에 실리콘 에피택시얼막이 성막된다. 실리콘 에피텍셜막이 성막된 실리콘 웨이퍼(101)는 다시 반송 로봇(332)에 의해 에피택시얼 성장 장치(100)로부터 트랜스퍼 챔버(330) 내에 반출된다. 그리고, 반출된 실리콘 웨이퍼(101)는 L/L 챔버(320)에 반송된 후, 반송 로봇(350)에 의해 L/L 챔버(320)로부터 카세트 스테이지(C/S)(310) 또는 카세트 스테이지(C/S)(312)에 배치된 카세트로 되돌아간다. 도 3에 도시한 에피택시얼 성장 장치 시스템(300)에서는 에피택시얼 성장 장치(100)의 챔버(120)와 L/L 챔버(320)가 2대씩 탑재되어 있어 처리량을 향상시킬 수 있다.
도 4는 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 일례를 도시한 평면도이다.
도 5는 도 4에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도이다.
홀더(110)에 형성된 제 1 볼록부(112)는 실리콘 웨이퍼(101)의 이면이 접촉되는 면과 접속하는 측면에서 홀더(110) 중심을 향하여 연장되어 있고 그 선단은 평면으로 형성되어 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(112)가 균등하게 배치되어 있다. 홀더(110)가 회전하고 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(101)가 8개의 볼록부(112)에 둘러싸인 영역 내를 실리콘 웨이퍼면과 평행, 즉 실질적으로 수평인 방향으로 이동했다고 해도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면의 일부가 8개의 볼록부(112) 중 몇 개에 접촉될 뿐이므로, 제 1 볼록부(112)를 설치하지 않고 홀더(110)의 측면이 넓은 영역에서 접촉되는 경우에 비해 접촉면적을 작게 할 수 있다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 볼록부(112)의 선단부분에 퇴적된 막이 접촉되어도 접촉영역이 작으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 홀더(110)에 대한 점착을 감소킬 수 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(112)가 균등하게 배치되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 3개 이상이면 상관없다. 볼록부(112)의 수가 많을수록 실리콘 웨이퍼(101)의 센터링 정밀도를 향상시킬 수 있다. 반대로, 제 1 볼록부(112)의 수가 적을수록, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 제 1 볼록부(112)의 선단부분에 퇴적된 막의 접촉영역을 작게 할 수 있다.
도 6은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도이다.
도 7은 도 6에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도이다.
홀더(110)에 형성된 볼록부(113)는 실리콘 웨이퍼(101)의 이면이 접촉되는 면과 접속하는 측면으로부터 홀더(110) 중심을 향하여 연장되어 있고, 그 선단은 상면에서 본 경우에 R형상의 곡면으로 형성되어 있다. 여기에서는 8개의 제 1 볼록부(113)가 균등하게 배치되어 있다. 홀더(110)가 회전하고 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(101)가 8개의 볼록부(113)로 둘러싸인 영역 내를 실리콘 웨이퍼면과 평행한 방향, 즉 실질적으로 수평인 방향으로 이동했다고 해도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면의 일부가 8개의 볼록부(113) 중 몇 개에 접촉될 뿐이므로, 제 1 볼록부 (113)를 설치하지 않고 홀더(110) 측면의 넓은 영역에서 접촉되는 경우에 비해 접촉면적을 작게 할 수 있다. 또한, 여기에서는 제 1 볼록부(113)의 선단이 R형상의 곡면으로 형성되어 있으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면과 접촉되는 경우에도 선 접촉 또는 점 접촉으로 할 수 있다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 제 1 볼록부(113)의 선단부분에 퇴적된 막이 접촉되어도 더욱 접촉영역을 작게 할 수 있으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 홀더(110)에 대한 점착을 추가로 감소시킬 수 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(113)가 균등하게 배치되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 3개 이상이면 상관없는 점은 제 1 볼록부(112)의 수의 설명과 동일하므로 설명을 생략한다.
도 8은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도이다.
도 9는 도 8에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도이다.
홀더(110)에 복수 부분에서 형성된 제 1 볼록부(117)는 실리콘 웨이퍼(101)의 이면이 접촉되는 면과 접속하는 측면으로부터 완만한 곡선으로 연결되면서 홀더(110) 중심을 향하여 계속해서 연장되고 있고, 그 선단은 상면에서 본 경우에 R형상의 곡면으로 형성되어 있다. 여기에서는 8개의 제 1 볼록부(117)가 균등하게 배치되어 있다. 홀더(110)가 회전하고, 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(101)가 8개의 볼록부(117)로 둘러싸인 영역 내를 실리콘 웨이퍼면과 평행한 방향, 즉 실질적으로 수평인 방향으로 이동했다고 해도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면의 일부가 8개 의 볼록부(117) 중 몇 개에 접촉될 뿐이므로, 제 1 볼록부(117)를 설치하지 않고 홀더(110)의 측면의 넓은 영역에서 접촉되는 경우에 비해, 접촉면적을 작게 할 수 있다. 그 밖에는 도 6, 도 7과 동일하므로 설명을 생략한다.
도 10은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도이다.
도 11은 도 10에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도이다.
홀더(110)에 형성된 볼록부(114)는 실리콘 웨이퍼(101)의 이면이 접촉되는 면과 접속하는 측면으로부터 홀더(110) 중심을 향하여 연장되어 있고, 그 선단은 단면을 본 경우에 R형상의 곡선으로 형성되어 있다. 즉, 홀더(110)의 표면측에서 이면측을 향하여 곡면으로 형성되어 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(114)가 균등하게 배치되어 있다. 홀더(110)가 회전하고 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(101)가 8개의 볼록부(114)로 둘러싸인 영역 내를 실리콘 웨이퍼면과 평행한 방향, 즉 실질적으로 수평인 방향으로 이동했다고 해도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면의 일부가 8개의 볼록부(114) 중 몇 개에 접촉될 뿐이므로, 제 1 볼록부(114)를 설치하지 않고 홀더(110) 측면의 넓은 영역에서 접촉되는 경우에 비해 접촉면적을 작게 할 수 있다. 또한, 여기에서는 제 1 볼록부(114)의 선단이 R형상의 곡면으로 형성되어 있으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면과 접촉되는 경우에도 선 접촉 또는 점 접촉으로 할 수 있다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 제 1 볼록부(114)의 선단부분에 퇴적된 막이 접촉되어도 더욱 접촉 영역을 작게 감소시킬 수 있으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 홀더(110)에 대한 점착을 더욱 감소시킬 수 있다. 여기에서, 8개의 볼록부(114)가 균등하게 배치되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 3개 이상이면 상관없는 점은 볼록부(112)의 수의 설명과 동일하므로 설명을 생략한다.
도 12는 실리콘 웨이퍼 외주부와 볼록부를 도시한 단면도이다.
도 12에 도시한 바와 같이 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 선단과 제 1 볼록부(114)의 선단이 동일한 높이가 되도록 볼록부(114)를 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 12에서의 크기(X1)는 실리콘 웨이퍼(101)의 두께의 1/2이 바람직하다. 구체적으로는 예를 들어, 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼의 경우 두께(t)가 0.725㎜이므로 X1=0.3625㎜가 바람직하다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, X1≒0.3625㎜이어도 상관없다. 즉, 볼록부(114)는 실리콘 웨이퍼(101) 측면의 높이 방향 중앙부에서 실리콘 웨이퍼(101)와 접촉되도록 형성되는 것이 바람직하다. 다시 말하면, 볼록부(114)는 볼록부(114)의 선단부가 실리콘 웨이퍼(101) 측면의 중앙부에서 실리콘 웨이퍼(101)면과 동일한 방향의 이동을 구속하도록 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 크기(X2)는 실리콘 웨이퍼(101)의 두께와 동등, 또는 약간 큰 값으로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 예를 들어 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼의 경우, 두께(t)가 0.725㎜이므로 X2=0.725~1.5㎜가 바람직하다. 또한, 크기(R1)는 실리콘 웨이퍼(101)의 두께의 1/2과 동등, 또는 약간 큰 값으로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 예를 들어, 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼의 경우 두께(t)가 0.725㎜이므로, R1=0.3625~0.75㎜가 바람직하다.
도 13은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도이다.
도 14는 도 13에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도이다.
홀더(110)에 형성된 볼록부(115)는 실리콘 웨이퍼(101)의 이면이 접촉되는 면(제 2 면)과 접속하는 측면(제 1 면)으로부터 홀더(110)의 중심을 향하여 연장되어 있고, 그 선단은 구형상의 곡면으로 형성되어 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(115)가 균등하게 배치되어 있다. 홀더(110)가 회전하고 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(101)가 8개의 볼록부(115)로 둘러싸인 영역내를 실리콘 웨이퍼면과 평행한 방향, 즉 실질적으로 수평인 방향으로 이동했다고 해도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면의 일부가 8개의 제 1 볼록부(115) 중 몇 개에 접촉될 뿐이므로, 제 1 볼록부(115)를 설치하지 않고 홀더(110) 측면의 넓은 영역에서 접촉되는 경우에 비해 접촉면적을 작게 할 수 있다. 또한, 여기에서는 볼록부(115)의 선단이 구형상의 곡면으로 형성되어 있으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면과 접촉되는 경우에도 점 접촉으로 할 수 있다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 볼록부(115)의 선단부분에 퇴적한 막이 접촉되어도 더욱 접촉 영역을 작게 할 수 있으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 홀더(110)에 대한 점착을 더욱 감소시 킬 수 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(115)가 균등하게 배치되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 3개 이상이면 상관없는 점은 볼록부(112)의 수의 설명과 동일하므로 설명을 생략한다.
도 15는 실리콘 웨이퍼 외주부와 제 1 볼록부를 도시한 단면도이다.
도 15에 도시한 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 선단과 제 1 볼록부(115)의 선단이 동일한 높이가 되도록 볼록부(115)를 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 15에서의 크기(X3)는 실리콘 웨이퍼(101)의 두께의 1/2이 바람직하다. 구체적으로는 예를 들어, 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼의 경우, 두께(t)가 0.725㎜이므로, X3=0.3625㎜가 바람직하다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 X3≒0.3625㎜이라도 상관없다. 다시 말하면, 볼록부(115)는 실리콘 웨이퍼(101) 측면의 높이 방향 중앙부에서 실리콘 웨이퍼(101)와 접촉되도록 형성하는 것이 바람직하다. 다시 말하면, 볼록부(115)는 볼록부(115)의 선단부가 실리콘 웨이퍼(101) 측면의 중앙부에서 실리콘 웨이퍼(101)면과 동일한 방향의 이동을 구속하도록 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 크기(X4)는 실리콘 웨이퍼(101)의 두께와 동등, 또는 약간 큰 값으로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 예를 들어, 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼의 경우, 두께(t)가 0.725㎜이므로 X4=0.725~1.5㎜가 바람직하다. 또한, 크기(R2)는 실리콘 웨이퍼(101)의 두께의 1/2과 동등, 또는 약간 큰 값으로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 예를 들어, 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼의 경 우, 두께(t)가 0.725㎜이므로 R2=0.3625~0.75㎜가 바람직하다.
도 16은 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 다른 일례를 도시한 평면도이다.
도 17은 도 16에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 도시한 단면도이다.
홀더(110)에 형성된 제 1 볼록부(116)는 실리콘 웨이퍼(101)의 이면이 접촉되는 면에 구슬을 용착함으로써 형성된다. 따라서, 실리콘 웨이퍼(101) 측면을 향하는 그 선단은 구형상의 곡면으로 형성되어 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(116)가 균등하게 배치되어 있다. 홀더(110)가 회전하여 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(101)가 8개의 볼록부(116)로 둘러싸인 영역 내를 실리콘 웨이퍼면과 평행한 방향, 즉 실질적으로 수평인 방향으로 이동했다고 해도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면의 일부가 8개의 볼록부(116) 중 몇 개에 접촉될 뿐이므로, 제 1 볼록부(116)를 설치하지 않고 홀더(110)의 측면의 넓은 영역에서 접촉되는 경우에 비해, 접촉 면적을 작게 할 수 있다. 또한, 여기에서는 볼록부(116)의 선단이 구형상의 곡면으로 형성되어 있으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면과 접촉되는 경우에도 점 접촉으로 할 수 있다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 볼록부(116)의 선단부분에 퇴적된 막이 접촉되어도, 더욱 접촉 영역을 작게 할 수 있으므로 실리콘 웨이퍼(101)의 홀더(110)에 대한 점착을 더욱 감소시킬 수 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(116)가 균등하게 배치되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 3개 이상이면 상관없는 점은 볼록부(112)의 수의 설명과 동일하므로 설명을 생략한다.
도 18은 실리콘 웨이퍼 외주부와 볼록부를 도시한 단면도이다.
도 18에 도시한 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 선단과 제 1 볼록부(116)의 선단이 동일한 높이가 되도록 볼록부(116)를 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 도 18에서의 크기(φ1)는 실리콘 웨이퍼(101)의 두께에 의해 매립되는 만큼 약간 큰 값으로 하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 예를 들어, 직경 200㎜의 실리콘 웨이퍼의 경우, 두께(t)가 0.725㎜이므로 φ1=1~1.5㎜가 바람직하다. 또한, 크기(X5)는 구슬체의 볼록부(116)의 위치 결정이 가능한 정도로 파여 있으면 좋다. 구체적으로는 X5=0.1375~0.6375㎜가 바람직하다.
도 19는 제 1 볼록부를 형성하고 있지 않은 홀더를 사용한 경우의 성막 후의 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 20a와 도 20b는 본 실시형태에서의 제 1 볼록부를 형성한 홀더를 사용한 경우의 성막 후의 상태를 설명하기 위한 도면이다.
도 19에 도시한 바와 같이 제 1 볼록부를 형성하고 있지 않은 홀더를 사용한 경우, 실리콘 웨이퍼의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막(402)과 홀더의 카운터보어 구멍의 측면에 퇴적된 디포(depot)막(404)이 접촉되어, 달라 붙어(접착되어), 실리콘 웨이퍼가 홀더에 점착된다. 이에 대해서, 도 20a에 도시한 바와 같이, 본 실시형태에서의 볼록부를 형성한 홀더를 사용한 경우, 볼록부 이외의 위치 에서는 실리콘 웨이퍼의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막(402)과 홀더의 저면 및 측면에 퇴적된 디포막(404)을 접촉시키지 않도록 할 수 있다. 여기에서, 도 20b에 도시한 바와 같이, 실리콘 웨이퍼의 중심방향을 향하여 연장되는 볼록부의 중심방향을 향하는 길이(L)는, 원료 가스에 의해 실리콘 웨이퍼 표면에 성막되는 막의 막두께의 2배 이상의 크기로 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 볼록부 이외의 위치에서 실리콘 웨이퍼의 측면에서 성장해 오는 막과 상기 볼록부 이외 부분의 실리콘 웨이퍼측에 성장해 오는 막의 막 두께는 동일한 정도가 된다. 따라서, 상기 볼록부의 중심방향을 향하는 길이(L)가 성막되는 막두께의 2배 이상의 크기로 형성됨으로써, 상기 볼록부 이외의 위치에서 실리콘 웨이퍼의 측면에서 성장해 온 실리콘 에피택시얼막(402)과 상기 볼록부 이외의 측면부분으로부터 실리콘 웨이퍼측으로 성장해 온 디포막(404)의 접촉을 회피할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 에피택시얼막을 120㎛ 성막하는 경우, 크기(L)를 240㎛ 이상, 즉 0.24㎜ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
도 21은 각 홀더 형상에서의 실리콘 에피택시얼막의 막두께와 홀더에 대한 점착상태의 관계의 일례를 도시한 도면이다.
여기에서는 실리콘원으로서 트리클로로실란(SiHCl3)을 수소(H2)로 25%로 희석한 가스를 34Pa·㎥/s(20SLM), 캐리어 가스로서 H2를 85Pa·㎥/s(50SLM)을 샤워 헤드(130)로부터 공급했다. 즉, 가스 전체에서의 SiHCl3 농도를 7.2%로 했다. 그리고, 인 히터(160)를 1100℃, 아웃 히터(150)를 1098℃로 설정했다. 또한, 실리 콘 웨이퍼의 회전수는 500min-1(500rpm)으로 했다. 챔버내 압력은 9.3×104Pa(700Torr)로 했다.
도 21에 도시한 바와 같이 본 실시형태에서의 제 1 볼록부를 설치하지 않고 볼록부를 형성하고 있지 않은 홀더를 사용한 경우(단순한 카운터보어 구멍의 경우), 실리콘 에피택시얼막을 28㎛ 성막한 경우에는 실리콘 웨이퍼가 홀더에 점착되지 않았지만, 40㎛ 성막한 경우에는 실리콘 웨이퍼와 홀더 사이에 경미한 점착이 일어났다. 한편, 본 실시형태에서의 볼록부의 선단을 평면으로 한 볼록부(실리콘 웨이퍼와의 접촉폭 3㎜)를 설치한 경우, 실리콘 에피택시얼막을 63㎛ 성막한 경우에는 실리콘 웨이퍼가 홀더에 점착되지 않았지만, 100㎛ 성막한 경우에는 실리콘 웨이퍼와 홀더 사이에 경미한 점착이 일어났다. 또한, 본 실시형태에서의 볼록부의 선단을 R형상 또는 구형상으로 한 볼록부(실리콘 웨이퍼와는 점접촉)을 설치한 경우(점접촉 1), 실리콘 에피택시얼막을 70㎛ 성막한 경우에는 실리콘 웨이퍼가 홀더에 점착되지 않았지만, 90㎛ 성막한 경우에는 실리콘 웨이퍼와 홀더 사이에 경미한 점착이 일어났다.
이상과 같이, 본 실시형태에서의 제 1 볼록부를 설치함으로써 볼록부를 설치하지 않은 경우에 비해, 허용할 수 있는 막두께를 두껍게 할 수 있다. 또한, 볼록부를 설치하는 경우에도 면 접촉보다 점 접촉함으로써, 허용할 수 있는 막두께를 보다 두껍게 할 수 있다.
또한, 공정조건을 변경, 즉 실리콘원이 되는 트리클로로실란(SiHCl3)의 농도 를 낮추고 실리콘 웨이퍼의 온도를 높임으로써, 허용할 수 있는 막두께를 더욱 두껍게 할 수 있다. 구체적으로는 H2를 85Pa·㎥/s(50SLM) 증량하고, 가스 전체에서의 SiHCl3 농도를 7.2%에서 4.2% 낮추었다. 그리고, 인 히터(160)를 1200℃, 아웃 히터(150)를 1126℃로 높였다. 이러한 공정조건을 변경하여 본 실시형태에서의 볼록부의 선단을 R형상 또는 구형상으로 한 볼록부(실리콘 웨이퍼와는 점 접촉)을 설치한 경우(점 접촉 2), 실리콘 에피택시얼막을 120㎛ 성막한 경우에도 실리콘 웨이퍼가 홀더에 점착되지 않았다.
실시형태 2.
실시형태 1에서는 제 1 볼록부를 설치하고 상기 기판의 측면 부분에 성장한 막과 홀더측에 퇴적한 막의 접촉영역을 작게 했지만, 실시형태 2에서는 효과는 떨어지지만 종래보다는 접촉영역을 작게 한 홀더의 형상에 대해서 설명한다.
도 22는 실시형태 2에서의 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 일례를 도시한 평면도이다.
도 23은 도 22에 도시한 홀더에 실리콘 웨이퍼가 지지된 상태의 단면을 나타내는 단면도이다.
홀더(110)에는 실리콘 웨이퍼(101)의 직경보다 큰 카운터보어 구멍이 형성되고, 이러한 카운터보어 구멍에 단면이 원형으로 형성된 링(118)을 배치한다. 다시 말하면, 홀더(110)는 실리콘 웨이퍼(101)에 대하여 실리콘 웨이퍼(101)면과 동일한 방향의 이동, 즉 실질적으로 수평인 방향을 구속하는 면이 실리콘 웨이퍼(101)측을 향하여 볼록의 R형상으로 형성된 링(118)을 구비하고 있다. 그리고, 링(118)의 내측에 실리콘 웨이퍼(101)를 배치한다. 홀더(110)와 링(118)은 용착해도 좋다. 이러한 구성에 의해, 실리콘 웨이퍼(101)측면을 향하는 그 선단(내주측)은 R형상의 곡면으로 형성되어 있다. 즉, 링(118)의 단면의 내주측은 R형상의 곡선으로 형성되어 있다. 따라서, 홀더(110)가 회전하고 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(101)가 실리콘 웨이퍼면과 평행한 방향으로 이동하고 있는 방향으로 치우치는 경우에도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면의 일부가 링(118)의 선단부분에 선 접촉으로 접촉시킬 수 있다. 따라서, 상술한 볼록부나 링(118)을 설치하지 않고 홀더(110) 측면의 넓은 영역에서 접촉되는 경우에 비해 접촉면적을 작게 할 수 있다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 링(118)의 선단부분에 퇴적한 막이 접촉되어도 접촉영역이 작으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 홀더(110)에 대한 점착을 종래에 비해 감소시킬 수 있다.
도 26은 홀더(지지대)(110)에 실리콘 웨이퍼(101)가 지지된 상태의 일례를 도시한 평면도로, 제 1 볼록부(112), 제 2 볼록부(121)가 각각 복수 설치된 일례를 나타낸 것이다. 상기 예에서는 제 1 볼록부가 8개, 제 2 볼록부가 4개 설치된 예를 나타내고 있다. 가능하면 제 1 볼록부가 8개이면 제 2 볼록부도 8개인 편이 바람직하고 3개부터 10개 정도이면 충분하다.
도 27은 제 2 볼록부(121)의 일부를 확대하여 도시한 사시도이다. 본 실시형태의 경우의 제 2 볼록부(121)는 두께 0.1㎜, 폭 1㎜의 경우이지만, 그 크기는 성장하는 실리콘 에피택시얼막에도 의존하고, 또한 실리콘 웨이퍼(101)의 크기에도 의존한다.
또한, 제 2 볼록부의 꼭대기부는 구형상이어도, 가는 요철이어도 좋지만, 실리콘 웨이퍼(101)와의 접촉면적이 적은 편이 바람직하다. 또는 다면적인 볼록부를 갖고 있어도 좋다.
이와 같이 제 2 볼록부를 설치함으로써 기판의 이면에서의 지지대와 점착도 거의 없어지고, 예를 들어 IGBT의 절연 분리용 트렌치(홈)를 메우는 30㎛정도의 에피택시얼 성장이 가능하고, 또한 IGBT의 n-베이스의 두께인 50㎛ 이상의 에피택시얼 성장도 가능해졌다. 또한, 파워 MOS에서 고내압화를 도모하기 위해 트렌치(홈)에 30㎛ 이상의 p형 반도체층을 매립할 때에도 사용 가능하다.
구체적으로는 홀더(110)에 형성된 볼록부(112)는 실리콘 웨이퍼(101)의 이면이 접촉되는 면(제 2 볼록부)과 접속되는 측면으로부터 홀더(110) 중심을 향하여 연장되어 있고 그 선단은 평면으로 형성되어 있다. 여기에서는 8개의 볼록부(112)가 균등하게 배치되어 있다. 홀더(110)가 회전하고 그 원심력으로부터 실리콘 웨이퍼(101)가 8개의 볼록부(112)로 둘러싸인 영역 내를 실리콘 웨이퍼면과 평행한 방향, 즉 실질적으로 수평인 방향으로 이동했다고 해도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면의 일부가 8개의 볼록부(112) 중 몇 개에 접촉될 뿐이므로, 볼록부(112)를 설치하지 않고 홀더(110) 측면의 넓은 영역에서 접촉되는 경우에 비해 접촉면적을 작게 할 수 있다.
그 결과, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면 부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 볼록부(112)의 선단부분에 퇴적된 막이 접촉되어도 접촉영역이 작으므로, 실리콘 웨이퍼(101)의 홀더(110)에 대한 점착을 감소시킬 수 있다.
여기에서는 8개의 볼록부(112)가 균등하게 배치되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고 3개 이상이면 상관없다. 볼록부(112)의 수가 많을수록, 실리콘 웨이퍼(101)의 센터링 정밀도를 향상시킬 수 있다. 반대로, 볼록부(112)의 수가 적을수록, 실리콘 웨이퍼(101)의 측면부분에 성장한 실리콘 에피택시얼막과 볼록부(112)의 선단부분에 퇴적된 막의 접촉영역을 작게 할 수 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼(101)와 접촉되는 면에 복수(본 실시형태에서는 4개)의 제 2 볼록부(121)가 설치되고, 그 제 2 볼록부(121)의 꼭대기면으로 실리콘 웨이퍼(101)를 실어 지지하고 있다.
이와 같이 제 1 볼록부 외에 제 2 볼록부를 설치함으로써, 실리콘 웨이퍼(101)의 이면에서의 지지대와 점착도 거의 없어지고, n-베이스의 두께인 60㎛ 이상의 에피택시얼 성장도 가능해졌다.
또한, 당연하지만 IGBT에 한정되지 않고 파워 반도체에서 고내압을 필요로 하는 파워 MOS 외에, 전차 등의 스위칭 소자로서 사용되는 GTO(게이트 턴 오프 사이리스터)나 일반적인 사이리스터(SCR)의 두꺼운 베이스의 에피택시얼층 형성에 적용 가능하다.
이상과 같이 본 발명의 한 형태의 기상 성장 장치는
챔버 내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치에 있어서,
지지대에는 기판에 대하여 기판면과 동일한 방향의 이동을 구속하는 복수의 제 1 볼록부가 설치되고, 기판 이면과 접촉되는 면으로 기판을 지지하는 것을 특징으로 한다.
이러한 구성에 의해, 기판이 기판면과 동일한 방향으로 이동하여 어느 방향으로 치우치는 경우에도 기판의 측면과 접촉되는 부분이 복수의 제 1 볼록부 중 어느 하나가 되므로, 설령 기판의 측면부분에 성장한 막과 볼록부의 선단부분에 퇴적한 막이 접촉되어도 접촉영역을 작게 할 수 있다.
또한, 상술한 볼록부는 선단부분이 R형상으로 형성되는 것이 바람직하다.
선단부분이 R형상으로 형성됨으로써 기판의 측면과의 접촉을 점 접촉 또는 선 접촉으로 할 수 있다. 그 결과, 접촉영역을 작게 할 수 있다.
또는 볼록부는 선단부분이 구형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
선단부분이 구형상으로 형성됨으로써 기판의 측면과의 접촉을 점 접촉으로 할 수 있다. 그 결과, 또한 접촉영역을 작게 할 수 있다.
또한, 제 1 볼록부는 기판의 중심방향을 향하여 연장되고, 제 1 볼록부의 중심방향을 향하는 길이가 소정의 가스에 의해 기판 표면에 성막되는 막두께의 2배 이상의 크기로 형성되는 것을 특징으로 한다.
제 1 볼록부 이외의 위치에서, 기판의 측면에서 성장해 오는 막과 볼록부 이외 부분의 기판측에 성장해 오는 막의 막두께는 동일한 정도가 된다. 따라서, 볼록부의 중심방향을 향하는 길이가 소정의 가스에 의해 기판 표면에 성막되는 막두께의 2배 이상의 크기로 형성됨으로써, 제 1 볼록부 이외의 위치에서 기판의 측면 으로부터 성장해 온 막과 제 1 볼록부 이외의 부분의 기판측에 성장해 온 막의 접촉을 회피할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 본 발명의 다른 형태의 기상 성장 장치는
챔버 내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치에 있어서,
지지대는 기판에 대하여 기판면과 동일한 방향의 이동을 구속하는 면이 기판측을 향하여 볼록부의 R형상으로 형성되고, 기판 이면과 접촉되는 면으로 기판을 지지하는 것을 특징으로 한다.
기판에 대하여 기판면과 동일한 방향의 이동을 구속하는 면이 기판측을 향하여 볼록의 R(round)형상으로 형성되는 점에서, 기판이 기판면과 동일한 방향으로 이동하여 어느 방향으로 치우치는 경우에도 기판의 측면과 접촉되는 부분이 R형상의 면의 선단부분이 되므로, 설령 기판의 측면부분에 성장한 막과 R형상의 면에 퇴적된 막이 접촉되어도 접촉영역을 작게 할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 형태의 기상 성장 장치에서는 상술한 특징 이외에, 가스농도감소와 기판온도증가를 조건에 추가하는 것도 바람직하다. 이러한 구성에 의해 기판의 지지부로의 점착을 더욱 감소시킬 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 본 발명의 다른 형태의 기상 성장 장치는
챔버내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장 치에 있어서,
지지대에는 기판과 접촉되는 면에 복수의 제 2 볼록부가 설치되고, 그 제 2 볼록부의 꼭대기면으로 기판이 지지되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 함으로써, 기판의 이면에서의 지지대와 점착도 거의 없어지고, 50㎛ 이상의 에피택시얼 성장도 가능해졌다.
여기에서, 제 2 볼록부는 3개부터 10개인 것이 바람직하고, 10 보다 많아지면 기판 이면에서의 접촉면적이 많아져, 종래와의 차이가 거의 없어지고 있다. 또한, 3개 미만이 되면 기판 자체가 불안정해져 에피택시얼 성장에는 바람직하지 않다.
제 2 볼록부는 높이가 0.1㎜ 내지 0.5㎜, 폭이 0.5㎜ 내지 3㎜인 것이 바람직하다. 상기 수치는 성막장치에 따라 바뀌는 경우도 있다.
또한, 제 2 볼록부의 꼭대기면은 평탄, 원호형상 또는 가는 요철 형상이어도 좋고, 극히 접촉면이 적은 편이 바람직하다. 또는 다면적인 볼록부를 갖고 있어도 좋다.
또한, 상술한 바와 같이 본 발명의 다른 형태의 기상 성장 장치는
챔버 내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치에 있어서,
지지대에는 기판에 대하여 기판면과 동일한 방향의 이동을 구속하는 복수의 제 1 볼록부가 설치되고, 또한 기판과 접촉되는 면에 복수의 제 2 볼록부가 설치되 고, 그 제 2 볼록부의 꼭대기면으로 기판을 지지하고 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성함으로써, 기판의 측면 및 이면에서의 지지대와 점착도 거의 없어지고, 60㎛ 이상의 에피택시얼 성장도 가능해졌다.
이상과 같이, 상술한 실시형태에 의하면, 설령 기판의 측면부분에 성장한 막과 볼록부의 선단부분에 퇴적된 막이 접촉되어도 접촉영역을 작게 할 수 있으므로, 기판의 지지부에 대한 점착을 감소시킬 수 있다. 또는, 기판의 측면부분에 성장한 막과 R형상의 면의 선단에 퇴적된 막이 접촉되어도 접촉영역을 작게 할 수 있으므로, 기판의 지지부에 대한 점착을 감소시킬 수 있다.
또한, 기판의 이면에서의 지지대와 점착도 거의 없어지고, 50㎛ 이상의 에피택시얼 성장도 가능해진다.
이상, 구체예를 참조하면서 실시형태에 대해서 설명했다. 그러나, 본 발명은 이들 구체예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기상 성장 장치의 일례로서 에피택시얼 성장 장치에 대해서 설명했지만, 이에 한정되는 것은 아니고 시료면에 소정의 막을 기상성장시키기 위한 장치이면 상관없다. 또한, 상술한 각 실시형태에서는 복수의 제 1 볼록부가 실리콘 웨이퍼(101)를 둘러싸도록 원주 방향에 대해서 균등하게 배치되어 있지만, 균등하지 않아도 상관없다. 실리콘 웨이퍼(101)가 실질적으로 수평인 방향으로 이동했을 때에, 어떤 이동 위치에서도 실리콘 웨이퍼(101)의 측면이 홀더(110)의 측면에 접촉되지 않도록 복수의 볼록부 중 몇 개로 구속되면 좋다.
또한, 장치구성이나 제어수법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요로 하지 않는 부분 등에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 되는 장치구성이나 제어수법을 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 에피택시얼 성장 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략했지만, 필요로 하는 제어부 구성을 적절하게 선택하여 사용하는 것은 물론이다.
그 밖에, 본 발명의 요소를 구비하여 당업자가 적절하게 설계 변경할 수 있는 모든 기상 성장 장치 및 지지 부재의 형상은 본 발명의 범위에 포함된다.
추가적인 이점 및 변형은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 인식될 것이다. 따라서, 본 발명의 관점은 기술된 실시예 및 상세한 설명에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상을 일탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변경이 가능하다.
본 발명 기상 성장 장치에 따르면 기판의 지지부에 대한 점착을 감소시킬 수 있다.

Claims (25)

  1. 챔버,
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지대,
    상기 챔버 내에 접속되고 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및
    상기 챔버에 접속되고, 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
    상기 지지대는
    둘러싸는 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 복수의 볼록부와,
    상기 기판의 이면을 지지하는 상기 지지대의 저면을 구비하고,
    상기 지지대를 회전시켜 에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기상성장장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 볼록부의 각 볼록부는 R형상의 선단부분을 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 볼록부의 각 볼록부는 구형상의 선단부분을 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고,
    상기 볼록부는 상기 복수의 볼록부에 의해 둘러싸인 영역의 중심방향을 향하여 연장되고, 상기 복수의 볼록부에 의해 둘러싸인 영역의 중심방향을 향하는 상기 복수의 볼록부의 각 볼록부의 길이가 상기 가스에 의해 상기 웨이퍼 상에 성막되는 막의 막두께의 2배 이상의 크기인 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 볼록부의 각 볼록부는 상기 복수의 볼록부에 의해 둘러싸인 영역내에서의 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 선단부를 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고,
    상기 볼록부는 상기 웨이퍼측면의 높이방향 중앙부에서 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고,
    상기 볼록부는 상기 웨이퍼측면과 선 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고,
    상기 볼록부는 상기 웨이퍼측면과 점 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  9. 챔버,
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 챔버 내에서 기판을 지지하는 지지대,
    상기 챔버에 접속되고, 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및
    상기 챔버에 접속되고, 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
    상기 지지대에는 둘러싸는 영역내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는 링이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고,
    상기 링은 상기 웨이퍼측면과 접촉되는 R형상의 선단부를 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  11. 챔버,
    상기 챔버내에 배치되고, 상기 챔버내에서 기판을 지지하는 지지대,
    상기 챔버에 접속되고, 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및
    상기 챔버에 접속되고, 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
    상기 지지대는
    상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하는, 상기 기판측을 향하여 볼록의 R형상으로 형성된 제 1 면과,
    상기 기판의 이면을 지지하는 제 2 면을 갖고,
    상기 지지대를 회전시켜 에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고,
    상기 제 1 면은 상기 웨이퍼의 측면에서 접촉함으로써 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고,
    상기 제 1 면은 상기 웨이퍼 측면의 높이 방향 중앙부에서 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고,
    상기 제 1 면은 상기 웨이퍼 측면과 선 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판은 웨이퍼이고
    상기 제 1 면은 상기 웨이퍼측면과 점 접촉되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  16. 챔버,
    상기 챔버 내에 배치되고, 상기 챔버내에서 기판을 지지하는 지지대,
    상기 챔버에 접속되고, 상기 기판상에 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로, 및
    상기 챔버에 접속되고, 상기 챔버로부터 상기 가스를 배기하는 제 2 유로를 구비하고,
    상기 지지대는 상기 기판의 실질적으로 수평방향의 이동을 구속하는 꼭대기면을 갖는 복수의 볼록부를 갖고, 상기 복수의 볼록부의 꼭대기면 중 몇 개가 상기 기판과 접촉되어 상기 기판을 지지하면서 상기 지지대를 회전시켜 에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 볼록부는 3개 내지 10개인 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 볼록부는 0.1㎜ 내지 0.5㎜의 높이와 0.5㎜ 내지 3㎜의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수의 볼록부의 각 볼록부의 꼭대기면은 평탄과 원호형상 중 하나의 형상을 갖거나 또는 다면적인 볼록부를 갖는 것을 특징으로 하는 기상 성장 장치.
  20. 삭제
  21. 챔버내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치를 사용한 기상 성장 방법에 있어서,
    복수의 볼록부를 갖는 상기 지지대를 회전시키고 상기 지지대의 저면에서 상기 기판의 이면을 지지하면서 상기 복수의 볼록부로 둘러싸인 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하고,
    에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 방법.
  22. 챔버내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성 장 장치를 사용한 기상 성장 방법에 있어서,
    링을 갖는 상기 지지대를 회전시키고 상기 지지대의 저면에서 상기 기판의 이면을 지지하면서 상기 링으로 둘러싸인 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하고,
    에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 방법.
  23. 챔버내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치를 사용한 기상 성장 방법에 있어서,
    상기 기판측을 향하여 볼록의 R형상으로 형성된 제 1 면과, 제 2 면을 갖는 상기 지지대를 회전시키고, 상기 제 2 면으로 상기 기판의 이면을 지지하면서, 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하고,
    에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 방법.
  24. 챔버내에는 지지대 상에 배치된 기판이 수용되고, 상기 챔버에는 성막하기 위한 가스를 공급하는 제 1 유로 및 가스를 배기하는 제 2 유로가 접속된 기상 성장 장치를 사용한 기상 성장 방법에 있어서,
    복수의 제 1 볼록부와 상기 기판과 접촉하는 복수의 제 2 볼록부를 갖는 상 기 지지대를 회전시키고, 상기 복수의 제 2 볼록부의 꼭대기면으로 상기 기판을 지지하면서 상기 복수의 제 1 볼록부로 둘러싸인 영역 내에서 상기 기판의 실질적으로 수평인 방향의 이동을 구속하고,
    에피택시얼 성장시키기 위해 상기 제 1 유로로부터 성막하기 위한 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기상 성장 방법.
  25. 삭제
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Families Citing this family (332)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI354320B (en) * 2006-02-21 2011-12-11 Nuflare Technology Inc Vopor phase deposition apparatus and support table
WO2007099786A1 (ja) * 2006-02-23 2007-09-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2007251078A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Nuflare Technology Inc 気相成長装置
JP4870604B2 (ja) * 2007-03-29 2012-02-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
JP5197030B2 (ja) * 2008-01-16 2013-05-15 株式会社東芝 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法
EP2562290A3 (en) * 2008-08-29 2016-10-19 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with varying thermal resistance
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR20110136583A (ko) * 2010-06-15 2011-12-21 삼성엘이디 주식회사 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) * 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10316412B2 (en) 2012-04-18 2019-06-11 Veeco Instruments Inc. Wafter carrier for chemical vapor deposition systems
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US10167571B2 (en) 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
US9799548B2 (en) * 2013-03-15 2017-10-24 Applied Materials, Inc. Susceptors for enhanced process uniformity and reduced substrate slippage
CN104064490A (zh) * 2013-03-22 2014-09-24 株式会社东芝 半导体制造装置以及半导体晶片支架
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
DE102015113956B4 (de) * 2015-08-24 2024-03-07 Meyer Burger (Germany) Gmbh Substratträger
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102528559B1 (ko) * 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
JP2018026503A (ja) * 2016-08-12 2018-02-15 株式会社Sumco サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハの製造方法
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN112789719A (zh) * 2018-10-04 2021-05-11 东洋炭素株式会社 基座
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
DE102019207772A1 (de) 2019-05-28 2020-12-03 Siltronic Ag Verfahren zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht auf einer Vorderseite einer Halbleiterscheibe und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
TW202143380A (zh) * 2020-03-21 2021-11-16 美商應用材料股份有限公司 用於快速氣體交換的基座幾何形狀
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255760A (ja) * 1994-10-20 1996-10-01 Applied Materials Inc ウエハ処理リアクタにおける基板支持用シールド
KR19990031615A (ko) * 1997-10-13 1999-05-06 윤종용 반도체 금속증착설비의 웨이퍼 클램프
KR20020078041A (ko) * 2001-04-04 2002-10-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 노광 장치
WO2005034219A1 (ja) 2003-10-01 2005-04-14 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びシリコンエピタキシャルウェーハ

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0635467Y2 (ja) * 1987-04-30 1994-09-14 国際電気株式会社 縦型ｃｖｄ装置用石英製ウェ−ハホルダ
JPH0590238A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 回転式基板処理装置の基板回転保持具
KR100274754B1 (ko) * 1993-08-18 2000-12-15 히가시 데쓰로 성막장치 및 성막방법
JPH0758041A (ja) * 1993-08-20 1995-03-03 Toshiba Ceramics Co Ltd サセプタ
US6217663B1 (en) * 1996-06-21 2001-04-17 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2001522142A (ja) * 1997-11-03 2001-11-13 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 改良された低質量ウェハ支持システム
JP4203206B2 (ja) * 2000-03-24 2008-12-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US7204887B2 (en) * 2000-10-16 2007-04-17 Nippon Steel Corporation Wafer holding, wafer support member, wafer boat and heat treatment furnace
US6634882B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-21 Asm America, Inc. Susceptor pocket profile to improve process performance
US6908540B2 (en) * 2001-07-13 2005-06-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for encapsulation of an edge of a substrate during an electro-chemical deposition process
JP2004119859A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Shin Etsu Handotai Co Ltd サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法
JP2004327761A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp エピタキシャル成長用サセプタ
JP4441356B2 (ja) * 2003-10-16 2010-03-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08255760A (ja) * 1994-10-20 1996-10-01 Applied Materials Inc ウエハ処理リアクタにおける基板支持用シールド
KR19990031615A (ko) * 1997-10-13 1999-05-06 윤종용 반도체 금속증착설비의 웨이퍼 클램프
KR20020078041A (ko) * 2001-04-04 2002-10-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 노광 장치
WO2005034219A1 (ja) 2003-10-01 2005-04-14 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びシリコンエピタキシャルウェーハ

Also Published As

Publication number Publication date
US20070026148A1 (en) 2007-02-01
TW200710955A (en) 2007-03-16
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