KR100191936B1 - 액정 조성물, 그 조성물을 사용하는 액정 소자, 액정 장치 및 표시 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플루오로카본 말단 부위와 탄화수소 말단 부위를 가지는 하나 이상의 불소 함유 준결정상 화합물 (a), 및 F, CF3또는 CH3에 직접 결합된 비대칭 탄소원자를 함유하는 하나 이상의 치환 또는 비치환 말단 알킬기를 가지는 하나 이상의 광학 활성 화합물 (b)를 포함하는 액정 조성물을 제공한다. 본 발명의 액정 조성물은 소위 서가형의 층구조 또는 작은 경사각의 층구조(서가형 구조에 가까움)를 나타낸다. 본 발명의 액정 조성물은 액정조성물을 사용하는 액정 소자의 감응 특성 및 및 표시 특성, 특히 콘트라스트비를 향상시키는데 유용하다.

Description

액정 조성물, 그 조성물을 사용하는 액정 소자, 액정 장치 및 표시 방법
제1도는 본 발명에 따른 액정 조성물을 사용하는 액정 소자의 개략적 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 액정 조성물 및 그래픽 콘트롤러를 사용하는 액정 소자를 포함하는 표시 장치를 도시한 블럭도.
제3도는 액정 표시 장치 및 그래픽 콘트롤러에 대한 신호 전송과 구동 간의 시간의 상호 관계를 도시한 화상 데이타 통신의 시간표.
제4도는 후술하는 실시예에서 채용되는 구동 조건에서 사용된 스위칭 신호를 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 액정층 2 : 기판
3 : 투명 전극 4 : 정렬 조절층
5 : 밀봉제 6 : 편광기
7 : 광원 101 : 액정 표시 장치
102 : 그래픽 조절기 103 : 표시 패널
104 : 주사선 구동 회로 105 : 데이타선 구동 회로
106 : 디코더 107 : 주사 신호 발생기
108 : 이동 레지스터 109 : 라인 메모리
110 : 데이타 신호 발생기 111 : 구동 조절 회로
112 : 그래픽 중앙 처리 장치 113 : 호스트 중앙 처리 장치
114 : 화상 데이타 저장 메모리
본 발명은 액정 조성물, 특히 키랄 스멕틱 액정 조성물, 및 플랫-패널 표시 장치, 투사 표시 장치 등에 사용하기에 적합한 액정 조성물을 사용하는 액정 소자에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 특히 표시 소자로서 상기 소자를 사용하는 액정 장치, 및 상기 조성물을 사용하는 표시 방법에 관한 것이다.
표시 소자로서는 음극선관(CRT)이 공지되어 있다. CRT는 텔리비젼 수상기 또는 비디오 테이프 기록 장치(VTR)의 동화상을 출력하기 위한 표시 터미널, 또는 개인용 컴퓨터의 모니터로서 폭넓게 사용되고 있다. 그러나, CRT는 그의 특성면에서 정지 화상을 출력할 때, 가시도 및 가관측도가 예를 들면 플리커(flicker) 또는 불층분한 분해능으로 인한 주사 프린지에 의해 저하되기 쉽고, 일된리 경우에 표면 메모리로 인한 형광 물질의 분해 및 열화가 발생되는 문제점을 갖고 있다. 최근에는, CRT에 의해 발생되는 전자기파가 인체에 해로운 영향을 준다는 사실이 밝혀졌다. 그 결과, 일부의 경우 CRT가 비디오 표시 터미널(VDT) 오퍼레이터의 건강을 해칠 수 있다. 또한, CRT는 화면 부위(표시 부위)의 후방에 많은 용적을 차지하는 구조를 가짐으로써, CRT가 사용되는 사무실 또는 가정의 공간 활용이 방해된다.
액정 소자는 CRT의 상기 문제를 해결하는 표시 소자로 사용되어 왔다. 예를 들면, 샤트(M. Schadt) 및 헬프리히(W. Helfrich)의 문헌 [Voltage-Dependent Optical ActIVity of a Twisted Nematic Liquid Crystal, Applied Physics Letters, Vol 18, No. 4(1971년 2월 15일), p 127-128)]에서 볼 수 있는 바와 같이, TN(트위스트 네마틱)형 액정을 사용하는 액정 소자가 공지되어 있다.
상기 TN형 액정 소자 중 하나가 제조 비용이 저렴한 잇점이 있는 단순 매트릭스형 액정 소자이다. 액정 소자가 다중 구동 방식에 따라 화소(pixel) 밀도가 개선된 전극 매트릭스 구조를 사용하여 구동되는 경우, 액정 소자는 누화(漏話)가 발생되어 화소수가 제한되는 문제가 발생하기 쉽다. 또한, 상기 소자는 감응 속도가 적어도 수 십 밀리초 단위로 너무 느리기 때문에 표시 소자로서의 사용이 제한된다.
최근, 박막 트랜지스터(TFT)를 사용하는 액정 소자가 제안된 바 있다. 이들 액정 소자는 각 화소에 트랜지스터가 제공되기 때문에 표시 상태를 화소 대 화소로 조절할 수 있어서, 상기 소자는 누화 및 감응 속도의 문제가 해결된다. 그러나, 이들 소자는 보다 큰 화상 면적을 보유하기 때문에 산업적 측면에서 무결점 화소를 갖는 액정 소자를 제조하는 것은 더욱 어렴다. 이러한 액정 소자는 제조가 가능하다 하더라도 더욱 고가이다.
이러한 통상의 액정 소자의 상기 단점들을 해결하기 위해서, 이중안정성을 갖는 액정 물질을 사용하는 액정 소자의 사용이 클라크(Clark) 및 라거월(Lagerwall)에 의해 제안되었다(예를 들면, 일본국 특허 공개 제56-107216호, 미합중국 특허 제 4,367,924호 등). 이 경우, 이중안정성을 갖는 액정 물질로서 키랄 스멕틱 C상(SmC*) 또는 H상(SmH*)을 갖는 강유전성 액정이 일반적으로 사용된다. 강유전성 액정은 그의 자발적 분극화로 인해 역전 스위칭을 유발함으로써 매우 높은 감응속도를 나타낼 수 있다. 또한, 강유전성 액정은 메모리 특성을 갖는 이중안정 상태(이중안정성)를 나타내고, 직시 각도 특성이 우수하여, 강유전성 액정을 사용하는 액정 소자는 고속 감응성, 고분해능 및 큰 화상 면적을 포함하는 특성을 갖는 표시소자 또는 광 밸브에 적합한 것으로 사료된다. 최근에는, 카나니(Chanani)와 다께조에(Takezoe) 등의 문헌[Japanese Journal of Applied Physics, vol 27, p L729(1988)]에 기재된 바와 같이 세개의 안정 상태를 사용하는 반강유전성 키랄 스멕틱 액정 소자가 제안되었다.
그러나, 키랄 스멕틱 액정을 사용하는 이러한 액정 소자는 아쯔오 후꾸다(Atsuo Fukuda) 및 히데오 다께조에(Hideo Takezoe)의 문헌[Slrutures and Properties of Ferroelectric Liquid Crystals(1990), Corona Publishing Co. Ltd.(Tokyo Japan)발행]에 기재된 바와 같이, 콘트라스트비가 일부의 경우 지그재그 정렬 결함의 발생에 의해 감소되는 문제가 발생한다. 지그재그 결함이 발생되는 이유는 셀 구조를 구성하는 한쌍의 기판 사이에 배치된 키랄 스멕틱 액정 층이 두 종류의 갈지자형 층 구조를 포함하는 것에 기인할 수 있다.
한편,(키랄 스멕틱) 액정의 층 구조에서는, 갈지자형 층 구조를 억제하여 콘트라스트비를 낮게하고, 액정에 각 액정 분자층의 경계가 서로 평행하게 배치된(즉, 서가형과 같음) 서가형 층 구조(이하, 서가형 구조로 명명함) 또는 서가형 구조에 인접한 구조를 제공함으로써 높은 콘트라스트비를 구현하는 것이 최근 경향이다[예를 들면, 아쯔오 후꾸다의 편저 Advanced Liquid Crystal Displays and Liquid Crystal Materials(Zisedai Ekisho Display To Ekisho Zairyo)(1992), K.K.CMC(Tokyo Japan) 발행]. 서가형 구조를 구현하는 방법 중 하나가 특정 구조를 갖는 나프탈렌 기재 액정 물질을 사용하는 방법이다. 그러나, 이 방법에서는 생성된 액정 소자가 최대 투과도를 제공하는 이상적 틸트각인 22.5도보다 상당히 작은 약 10도의 틸트각을 가지기 때문에, 낮은 투과도 또는 낮은 콘트라스트가 얻어진다. 또한, 이러한 액정 물질은 많은 경우에 있어서 온도에 대해 가역적인 서가형 구조를 보이지 못한다. 서가형 구조를 제공하는 또다른 방법으로는 외부에서 전계를 액정소자에 인가하여 서가형 구조를 유도하는 방법을 들 수 있다. 그러나, 이러한 방법은 온도와 같은 외부 자극에 대한 불안정이라는 문제를 갖는다. 또한, 상기 물질은 최근에 발견 또는 제안되었기 때문에 서가형 구조를 나타내는 액정 물질을 실용화하는 데에는 아마도 다른 여러가지 문제들이 존재할 것이다.
또한, 최근 서가형 구조 또는 이와 유사한 구조를 보이는 물질로서 퍼플루오로에테르 말단 부위(미합중국 특허 제5,262,082호, 및 국제 -출원 공개 제 WO 93/22396호) 또는 퍼플루오로알킬 말단 부위(미합중국 특허 제5,082,587호)를 갖는 준결정상(mesomorphic)(액정) 화합물 및 키랄 스멕틱 액정 조성물[Marc D. Radcliffe 등, The 4th Internal Ferroelectic Liquid Crystal Conference, p-46(1993)]이 제안된 바 있다. 이들 액정 물질을 사용함으로써 외부 전계와 같은 외부 전계의 사용없이도 서가형 구조, 또는 작은 층 경사각을 갖는 서가형 구조와 유사한 구조를 제공할 수 있다. 또한, 이들 액정 물질은 최적 틸트각을 제공한다.
그러나, 이들 액정 물질(화합물 및 조성물)은 그의 특정 조밀(denser) 분자 구조로 인하여 다른 많은 준결정상(액정) 화합물에 비해 불량한 용해도를 나타내고, 몇몇 경우에 있어서 큰 틸트각에 기여가능한 감응 속도가 불충분하게 제공되는 경향이 있다.
따라서, 상기한 키랄 스멕틱 액정 조성물을 준결정상(액정) 화합물이 액정층의 서가형 구조 또는 이와 유사한 층 경사각을 갖는 구즐를 나타내고, 준결정상 화합물에 대해 충분한 용해도를 갖고 혼합시 큰 자발적 분극화를 유도하는 키랄 도핑제(키랄 도핑 물질)로 이루어지게 하도록 선택함으로써 액정 결정 소자가 양호한 스위칭(구동) 특성을 나타나게 하는데 적합한 키랄 스멕틱(또는 강유전성) 액정 조성물을 제공할 필요가 있었다.
본 발명의 목적은 액정 조성물, 특히 정렬 상태가 양호하고 액정층 구조에 대해 서가형 구조 또는 작은 층 경사각을 갖는 서가형 구조와 유사한 구조를 안정하게 나타내는 키랄 스멕틱 액정 조성물을 제공함으로써, 고감응성 고콘트라스트, 고 선명도 및 고휘도와 같은 개선된 특성을 갖는 액정 소자를 구현하고자 하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 상기 요구되는 특성들을 안정하게 나타내는, 그의 성분들간의 뛰어난 상호 용해도를 갖는 액정 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 상기 액정 조성물을 사용함으로써 상기 언급한 개선된 특성을 갖는 대화면 액정 소자, 액정 장치, 특히 상기 액정 소자를 사용함으로써 우수한 표시 특성을 나타내는 액정 표시 장치, 및 상기 액정 조성물 또는 액정 소자를 사용하는 표시 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따라서, 플루오로카본 말단 부위 및 탄화수소 말단 부위를 포함하고, 이 말단 부위들이 중심 코어에 의해 연결된 스멕틱상 또는 잠재성 스멕틱상을 갖는 하나 이상의 불소 함유 준결정상 화합물(a); 및 하기 일반식(II)로 표시되는 하나 이상의 광학 활성 화합물(b)를 포함하는 액정 조성물이 제공된다.
상기 식 중,
본 발명은 한 쌍의 대향 전극판 및 전극판 사이에 배치된 상기 액정 조성물을 포함하는 액정 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 특히 액정 소자로 이루어지는 표시 패널을 포함하는, 액정 소자를 포함하는 액정 장치를 제공한다.
본 발명은 또한 상기한 액정 조성물을 사용하고, 표시하고자 하는 화상 데이타에 따라 액정 분자의 정렬 방향을 조절하는 표시 방법을 제공한다.
본 발명의 상기한 목적 및 그외의 목적, 특징 및 잇점은 첨부 도면과 함께 후술하는 본 발명의 바람직한 실시 태양을 참작할 때 더욱 명료해질 것이다.
본 발명에 따른 액정 조성물은 불소 함유 준결정상 화합물(a), 및 광학 활성(또는 키랄) 화합물(b)를 상기한 바와 같이 배합하여 사용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정 조성물은 화합물(a)와 화합물(b) 사이의 탁월한 상호 용해도 때문에 양호한 동질성(또는 균질성)을 갖는다. 액정 조성물은 바람직하게는 키랄스멕틱 액정 조성물일 수 있으며 더 바람직하게는 강유전성 액정 조성물일 수 있다. 본 발명의 액정 조성물을 예를 들어, 외부 전기장을 사용하지 않고 액정 장치에 사용하는 경우, 액정 층은 특히, 화합물(a)에 기인한, 작은 층 경사각을 갖는 서가형 구조 또는 그에 가까운 구조(이하 포괄적으로 서가형 구조로 칭함)를 나타내어 우수한 정렬 상태 및 고속 감응성이 달성되도록 한다.
본 발명의 액정 조성물에 사용되는 화합물(a)로는 플루오로카본 말단부, 바람직하게는 말단의 퍼플루오로알킬기 또는 말단의 퍼플루오로에테르기를 포함한다.
화합물(a)는 스멕틱상(중간층) 또는 잠재적 스멕틱상(또는 중간층)을 갖는다. 여기서, 잠재적 스멕틱상을 갖는 화합물(a)는 그 자체로는 스멕틱상을 나타내지 않지만 스멕틱상을 갖는 화합물 또는 잠재적 스멕틱상을 갖는 다른 화합물과 함께 사용하는 경우 스멕틱상을 나타내는 화합물을 의미한다.
한편, 상기한 화합물(a)와 배합하여 사용되는 화합물(b)는 생성된 액정 조성물에 키랄 스멕틱상을 제공하는 데에 유용한데, 즉, 이는 키랄 도핑(fopping) 물질 또는 키랄 도핑제(dopant)로서 사용된다. 그 결과, 생성된 액정 조성물은 각각의 성분들 사이에 상호 용해도를 보장하면서, 높은 감응 속도를 제공하고 서가형 구조를 안정하게 나타낸다
이하에서 불소 함유 준결정상 화합물(a)를 보다 상세하게 설명할 것이다.
본 명세서에 사용된 준결정상 화합물이란 용어는 준결정상(액정) 층을 나타내는 화합물 뿐만 아니라, 그 화합물 자체는 준결정상 층을 나타내지 않지만, 이러한 화합물을 포함하는 액정 조성물은 준결정상 층을 나타내는 경우의 화합물을 포함한다.
본 발명의 액정 조성물에 사용되는 준결정상 조성물(a)는 바람직하게는 화합
준결정상 화합물(a)는 바람직하게는 하기 일반식(I)의 화합물로 나타낼 수 있다.
준결정상 화합물(a)(바람직하게는 일반식(I)임)는 미합중국 특허 제5,082,587호 및 동 제5,262,082호 및 국제공개 제W093/22936호에 기재된 바와 유사한 방법으로 합성될 수 있다. 일반식(I)의 준결정상 화합물(a)의 예로는 다음에 예시하는 것들을 들 수 있다.
상기한 일반식(I)의 액정 화합물 중에서, 페닐-피리미딘 골격을 갖고 하기의 일반식(I')로 나타내어지는 불소 함유 준결정상 화합물이 특히 바람직하게 사용될 수 있는데, 그 이유는 일반식(I')의 화합물이 실온을 포함한 넓은 온도 범위 및 낮은 점도에서, 생성된 액정 조성물에 키랄 스멕틱 C 상을 제공하는 데에 효과적이기 때문이다.
준결정상 화합물(a)(바람직하게는 일반식(I) 및(I'))를 사용하여, 외부 전기장을 사용하지 않고, 서가형 구조 또는 서가형 구조의 경사 각에 가까운 작은 층 경사각을 갖는 구조의 화합물(a)를 함유하는 액정 조성물을 제공하는 것이 가능하다. 이 액정 조성물은 그의 낮은 점성 때문에 고감응 속도를 나타내고 액정 소자에 보다 큰 예비 틸트 각(pretilt angle)을 제공함으로써, 고투과율을 나타내는 키랄스멕틱 액정 소자를 실현하는 것을 가능하게 한다.
본 발명에 따른 액정 조성물은 서가형 구조, 큰 틸트각 및 저점도를 용이하게 제공하는 것과 같은, 상기한 바의 그를 가하는 효과를 달성하기 위하여, 바람직하게는 일반식(I) 또는(I')로 나타내어지는 불소 함유 준결정상 화합물(a)의 하나 이상을 바람직하게는 30 중량% 이상, 더 바람직하게는 50 중량% 이상으로 함유할 수 있다.
상기한 바의 본 발명에서, 액정 조성물은 서가형 구조에 보다 가까운 매우 작은 층 경사각을 갖는 액정 층 구조를 제공하기 위하여 바람직하게는 플루오로카본 말단부로서 퍼플루오로에테르기를 갖는 화합물(a)를 포함할 수 있는데, 이로써 양호한 표시 특성(예, 높은 콘트라스트)이 달성된다. 화합물(a)는 보다 바람직하게는 -D(Cx'F2x'O)zCyF2y+1(여기서,x', y 및 z는 상기 정의한 바와 같음)로 나타내어지는 플루오로카본 말단부를 가질 수 있으며 특히 바람직하게는 상기한-일반식(I) 및 -(Cx'F2x'O)z'CyF2y+1(여기서,x', y 및 z' 는 상기 정의한 바와 같음)로 나타내어지는 말단기 R을 가질 수 있다. 상기 퍼플루오로에테르기를 갖는 화합물(a)를 사용하는 경우에, 화합물(a)는 바람직하게는 생성된 액정 조성물 내에 30 중량% 이상, 특히 50 중량% 이상의 양으로 포함될 수 있다. 30 중량% 이하에서, 생성된 액정 조성물의 층 경사각은 매우 크게 되어, 낮은 콘트라스트와 같은 열등한 표시 특성을 나타낸다. 한편, 화합물(a)를 30 중량% 이상의 양으로 사용하는 경우, 몇 가지 경우에 화합물(a)를 30 중량% 이하의 양으로 사용하는 경우와 비교하였을 때 정렬 특성은 보다 낮아진다. 그러나, 본 발명에서는, 이러한 단점은 상기한 특수 광학 활성 화합물(b)(키랄 도핑 물질)를 배합하여 사용함으로써 개선할 수 있으며, 그로 말미암아 서가형 구조(또는 그와 유사한 구조)를 안정하게 제공할 수 있어서 균일한 정렬 상태를 나타낸다.
하기에서, 준결정상 화합물(a)와 함께 사용되는 일반식(II)의 광학 활성 화합물(b)를 더 상세하게 설명할 것이다.
광학 활성 화합물(b)는 준결정상 화합물일 수 있고, 화합물(b)는 키랄 도핑제로서 사용되며, 상기한 바와 같이 F, CF3 또는 CH3에 직접 결합된 하나 이상의 대칭 탄소 원자를 갖는다. 특수 비대칭 탄소 원자를 갖는 이러한 키랄 도핑제(화합물(7))는 상기 준결정상 화합물(a), 특히 말단 퍼플루오로알킬기 또는 말단 퍼플루오로에테르기를 갖는 일반식(I) 및(I')의 화합물에 우수한 용해성을 가지고, 전술한 자발적 편극화-부여 특성을 나타낸다. 결과로서, 본 발명에 따라 생성된(키랄 스멕틱) 액정 조성물은 작은 층 경사각을 갖는 서가형 구조 또는 그와 유사한 구조의 형성에 기초한, 높은 콘트라스트비 및 탁월한 스위칭 특성을 포함하는 우수한 구동 특성을 제공한다.
화합물(b)를 나타내는 일반식(II)에서 R0및 R1중 하나 또는 모두는 바람직하게는 하기 일반식들 중의 어느 하나로 나타낼 수 있다.
상기 R0및 R1기는 생성된 액정 조성물에 큰 자발적 분극화를 부여하는 데에 특히 효과적이다.
광학 활성 화합물(b)를 나타내는 일반식(II)에서, R0및 R1모두는 F, CF3또는 CH3에 직접 결합된 비대칭 탄소 원자를 갖는 알킬기일 수 있다.
본 발명에 사용된 일반식(II)로 나타내어지는 광학 활성 화합물(b)는 바람직하게는 하기 일반식(III),(IV),(V) 및(VI) 중의 어느 하나로 나타내어지는 광학활성 화합물 하나 이상을 포함할 수 있다.
일반식(III)의 화합물(b)의 예로는 일본국 특허 공개 제62-093248호, 동 제62-198633호, 동 제63-088161호, 동 제63-104949호, 동 제63-107951호, 동 제63-122651호, 동 제63-022042호, 동 제63-192732호, 동 제63-196553호, 동 7163-196571호, 동 제63-215661호, 동 제63-216878호, 동 제63-218647호, 동 제63-225337호, 동 제63-243059호, 동 제63-303951호, 동 7164-022990호, 동 제1-272571호, 동 제64-031740호, 동 제1-121244호, 동 제1-207280호, 동 제1-038077호, 동 제1-267052호, 동 제2-028178호, 동 제2-069427호, 동 제2-069467호, 동 제2-115145호, 동 제2-000227호, 동 제3-227980호 및 동 제4-300871호에 기재된 것들을 들 수 있다. 일반식(III)의 화합물(b)는 이들 문헌에 기재된 방법을 통하여 제조할 수 있다.
일반식(III)의 광학 활성 화합물(b)의 구체적이고 바람직한 예로는 하기 기재한 각각의 기에 대하여 사용된 약어를 포함하여(이하, 표 2 내지 6의 약어는 표 1의 것들과 같은 기를 나타냄) 하기 구조식들(비교 실시예 3-1 내지 3-105는 하기 표 1의 번호 1-105로 나타냄)에 의하여 나타내어지는 것들을 들 수 있다. 표 1에서, 구조식(비교 실시예 3 - 64는 번호 64로 나타냄)은 그 값이 2인 m32를 갖는다.
일반식(V)의 화합물(b)의 예로는 일본국 특허 공개 제61-293288호 및 동 제63-44551호에 기재된 것들을 들 수 있다 일반식(V)의 화합물(b)는 이들 문헌에 기재된 방법으로 제조할 수 있다.
일반식(V)의 광학 활성 화합물 (b)의 구체적이고 바람직한 예로는 표 1에 기재한 것들에 더하여 후술하는 개개의 기에 대하여 사용된 약어를 포함하여 하기 구조식들(비교 실시예 5-1 내지 5-105는 하기 표 3에서 번호 1-105로 나타냄)로 나타내어지는 것들을 들 수 있다. 표 3에서, 구조식(비교 실시예 5-59는 번호 59로 나타냄)은 그 값이 2인 m52를 갖는다.
일반식(VI)의 화합물(b)의 예로는 일본국 특허 공개 제6-234749호에 기재된 것들을 들 수 있다. 일반식(VI)의 화합물(b)는 이들 문헌에 기재된 방법으로 제조할 수 있다.
일반식(VI)의 광학 활성 화합물(b)의 구체적이고 바람직한 예로는 표 1에 기재한 것들에 더하여 후술하는 개개의 기에 대하여 사용된 약어를 포함하여 하기 구조식들(비교 실시예 6-1 내지 6-105는 하기 표 4에서 번호 1-l05로 나타냄)로 나타내어지는 것들을 들 수 있다. 표 4에서, 구조식(비교 실시예 6-67은 번호 67로 나타냄)은 그 값이 2인 m62를 갖는다.
일반식(VI)의 광학 활성 화합물(b)은 각각 말단기의 내부 영역에 위치하는, 즉, 중앙 코어 영역의 양면상에 위치하는 2개의 키랄 중심(이는 자발적 분극화를 제공함)을 갖는 소위 이중 키랄형 키랄 도핑제로서 사용된다. 이중 키랄형 키랄 도핑제(일반식(VI)의 화합물(b))를 서가형 구조 또는 작은 층 경사각을 갖는 서가형 구조에 유사한 구조를 제공하는데 효과적인 말단 퍼플루오로에테르기 또는 말단 퍼플루오로알킬기를 갖는 화합물(a)와 함께 사용하는 경우, 생성된 액정 조성물은 양호한 상호 용해도 및 거대한 자발적 분극화를 나타내어 양호한 운전 특성을 달성하게 한다.
본 발명에 따르는(키랄 스멕틱) 액정 조성물은 불소 함유 준결정상 화합물(a)(바람직하게는 일반식(I) 또는(I')를 가짐)을 일반식(II)의 광학 활성 화합물(바람직하게는 일반식(III) 내지(Vl)의 화합물 중 하나임) 중 하나 이상과 적합한 비율로 혼합하여 수득할 수 있다. 일반식(II) 내지(VI) 중 하나의 광학 활성 화합물(b)는 일반적으로 액정 조성물 중에 미량 내지 50중량% 이하, 바람직하게는 2 내지 40 중랑%의 양으로 포함된다. 광학 활성 화합물(b)은 또한 키랄 도핑제로서 작용하는 한 액정 조성물 중에 매우 소량(예, 1×10-5' 중량%)으로 포함될 수 있다. 광학 활성 화합물(b)의 첨가량이 50 중량% 이상인 경우, 생성된 액정 조성물은 일부 경우에 있어서 높은 점도 및 좁은 키랄 스멕틱 온도 범위를 나타낸다.
본 발명의 (키랄 스멕틱) 액정 조성물은 또한 다른 준결정상 화합물 및(또는) 상기한 바와 상이한 키랄 도핑제 중 하나 이상을 함유할 수 있으며 또한 산화방지제, 적외선 흡수제, 색소 및 안료와 같은 첨가제를 함유한다.
다른 준결정상. 화합물의 예로는 문헌[Demus et al., Flussige Kristalle, Tabellen II(VEB Deutschev Verlag fur Grundstoffindustrie, Liepzig, 1984)]에 기술되어 있는 바와 같은 것이 있다.
본 발명에 따르는 액정 장치는 바람직하게는 상기 언급한 키랄 스멕틱 액정 조성물을 사용하는(키랄 스멕틱) 액정 장치일 수 있다.
이하에서, 본 발명의 액정 장치의 양태는 제1도를 참고로 하여 설명된다.
제1도는 액정 구조를 설명하기 위한 액정 소자의 양태의 단면도이다.
제1도에 대해서, 액정 소자는 투명 전극(3) 및 정렬 조절층(4)를 갖는 한쌍의 기판(2)사이에 배치된 키랄 스멕틱 액정 조성물을 포함하는 액정층(1)을 포함한다.
본 발명에서, 투명 전극(3) 및(또는) 정렬 조절층은 기판(2) 중 하나에 형성될 수 있다. 기판(2)은 서로 반대로 위치하거나 정렬된다. 기판(2) 주변은 밀봉제(5)로 봉한다. 상기와 같이 처리된 기판(2)의 의부는 한 쌍의 편광기(6)가 배치되어 광원(7)으로부터 입사광 I0이 액정(1)과 협력하여 조절됨으로써 조절된 광 I을 제공할 수 있도록 한다. 액정 소자는 시그날 동력 공급(나타나 있지 향음)으로부터 스위치 시그날을 기준으로 하는 화상 데이타에 따라서 액정 분자의 정렬( 또는 배향)을 조절( 또는 스위치)하여 표시를 수행함으로써 운전될 수 있다. 따라서, 액정 소자는 표시 소자로서 작용할 수 있다. 또한, 2개의 투명 전극(3)이 한 쌍의 기판상에 매트릭스로 정렬되는 경우, 패턴 표시 및 패턴 노출을 수행하여, 액정 소자가 개인용 컴퓨터, 워드 프로세서 등의 표시 소자, 또는 프린터용 광 밸브로서 사용될 수 있다. 액정층(1)의 두께는 5μm 이하이어서 이중안정성을 나타내는 것이 바람직하다. 액정층(1)을 서가형 구조 또는 작은층 경사각을 갖는 더욱 유사한 구조를 형성하는 수많은 스멕틱 액정 분자층으로 이루어질 수 있다. 2개의 기판(2)은 각각 유리 또는 플라스틱을 포함하며 SnO2, In2O3, SnO2또는 ITO(인듐-주석-산화물)의 필름을 포함하는 투명 전극(3)으로 피복되어 전극판을 형성한다. 또한, 정렬 조절층(4)은 정렬 조절층용 물질을 함유하는 용액을 도포하거나 정렬 조절층용 물질을 증기 침착 또는 스퍼터링시켜 형성시킨다. 정렬 조절층(4)용 물질의 예를 들면 다음과 같은 것이 있다. 일산화실리콘, 이산화실리콘, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 불화마그네슘, 산화세륨, 불화세륨, 질화실리콘, 탄화실리콘, 또는 질화붕소와 같은 무기물; 및 폴리비닐 알코올, 폴리이미드, 폴리아미드-이미드, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리에스테르-이미드, 폴리파라크실렌, 폴리카르보네이트, 폴리비닐 아세탈, 폴리비닐 클로라이드, 폴리스티렌, 셀를로오스 수지, 멜라민 수지, 우레아 수지 또는 아크릴 수지와 같은 유기물. 상기 제조된 정렬 조절층(4)의 표면은 경우에 따라, 예를 들면 이의 표면을 벨벳, 옷갇 또는 종이와 같은 섬유상 물질로 러빙시켜 단일축 정렬 처리할 수 있다. 단일축 정렬 처리(러빙 처리)는 정렬 조절 필릎(4) 중 하나에 대해 수행하여 액정 분자의 정렬 상태를 효과적으로 조절할 수 있다. 정렬 조절층(4)은 사면 증기 침착법으로 형성시킬 수 있는데, 이 방법은 SiO2와 같은 산화물 또는 질화물의 필름을 전극판에 대해 사각 방향으로 전극판(들) 상에 증기-침착시킨다. 본 발명의 액정 장치는 또한 경우에 따라, 절연층, 상기 언급한 정렬 조절층용 물질을 제외한 무기물 층 및 유기물 층과 같은, 한 쌍의 기판에 대한 짧은 회로-보호층을 포함할 수 있다.
용이한 형성 및 높은 정렬 조절능의 관점에서, 정렬 조절층(4)은 바람직하게는, 폴리이미드 전구체 용액 또는 폴리암산 용액으로 도포하고 상기 용액을 경화시킨 다음 단일축 정렬 처리, 특히 생성된 필름을 러빙 처리하여 형성시킨, 폴리이미드 필름 또는 폴리아미드 필름을 포함할 수 있다. 정렬 조절층(4)을 형성시키는데 사용되는 폴리이미드 및 폴리아미드의 예로는 바람직하게는 경성이 높고, 선형 특성이 높으며, 결정성이 높은 분자 구조를 가져 키랄 스멕틱 액정 조성물을 균일하게 정렬시키는 것이다. 상기와 같은 폴리이미드 및 폴리아미드는 바람직하게는 다음 일반식(VII) 및(VIII)로 나타낼 수 있다.
본 발명에서는, 서가형 구조를 제공하는 경우에 정렬 특성을 향상시키기 위해서 한 기판 위에 형성된 정렬 조절층 중 하나가 그 구성 재료로서 다른 정렬 조절 층의 재료와 상이한 것을 함유할 수 있다.
본 발명의 액정 소자는 불소 함유 준결정상 화합물 (a) 및 광학 활성 화합물 (b)를 핵심 성분으로 함유하는 액정 조성물을 사용함으로써 요구되는 기능을 부여하기만 한다면 다양한 양식 또는 형태로 정렬될 수 있다.
본 발명에서는 상기한 액정 조성물 또는 액정 소자를 사용함으로써 높은 콘트라스트비, 높은 휘도, 큰 표시 면적 및 높은 선명도와 같은 보다 양호한 성능을 갖춘 표시를 구현할 수 있다. 본 발명에 따른 표시 방법의 한 실시태양에 따르면, 한 쌍의 편광기 사이에 액정 셀을 샌드위치시킴(즉, 한 쌍의 편광기 앞에 액정 소자를 배치함)으로써 이중 안정 상태 중 가장 어두운 상태를 나타내는 하나를 제공하고, 이어서 전기장을 가하며 이중 안정 상태 중 밝은 상태를 나타내는 다른 하나를 제공하도록 함으로써 매 픽셀에서 이원 표시(흑백(또는 명암))를 구현할 수 있다. 또한 소정의 시간 내에 소정의 간격으로 복수 회의 이원(명-암) 표시를 수행하는 방법 또는 한 픽셀의 일부를 스위칭하는 방법을 사용하여 다원 표시(또는 그라데이션식 표시)를 구현할 수도 있다.
본 발명에 따른 액정 소자는 각종 액정 장치의 실질적 요소, 특히 실질적인 표시 요소로 사용될 수 있으며, 그 한 실시태양을 이하에 설명한다.
하기에 나타낸 정렬 및 주사선 주소 데이타를 수반한 화상 데이타로 이루어진 데이타 포맷에 기초하고, 제2도 및 제3도에 나타낸 것과 같은 SYNC 신호를 사용한 신호 전달 동기화를 채택함으로써, 본 발명에 따른 액정 소자를 표시 패널부로 사용하는 본 발명의 액정 표시 장치가 제공된다.
제2도를 참조하면. 액정 표시 장치(101)은 그래픽 조절기(102), 표시 패널(103), 주사선 구동 회로(104), 데이타선 구동 회로(105), 디코더(106), 주사 신호발생기(107), 이동 레지스터(108). 라인 메모리(109), 데이타 신호 발생기(110), 구동 조절 회로(111), 그래픽 중앙 처리 장치(GCPU)(112), 호스트 중앙 처리 장치(호스트 CPU)(113) 및 화상 데이타 저장 메모리(VRAM)(114)를 포함한다.
화상 데이타는 장치 본체의 그래픽 조절기(102)에서 발생되어 신호 전달 수단에 의해 표시 패널(103)으로 전달된다. 그래픽 조절기(102)는 주로 CPU(중앙 처리 장치, 이하 GCPU로 칭함)(112) 및 TRAM(비디오-RAM, 화상 데이타 저장메모리)(114)로 이루어지며 호스트 CPU(113)과 액정 표시 장치(FLCD)(101) 사이의 화상 데이타의 취급 및 상호 전달을 당당한다. 표시 장치의 조절은 주로 그래픽 조절기(102)에 의해 수행된다. 광원(표시되지 않음)은 표시 패널(103)의 후면에 배치된다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 발명이 이들 실시예에 국한되는 것은 아니라는 것을 이해해야 한다.
[실시예 1]
하기 화합물들(구조식 및 상전이 온도(℃)는 표시된 바와 같음)을 하기 비율로 혼합하여 세 개의 키랄 스멕틱 액정 조성물(1),(2) 및(3)을 제하였다.
상기 상전이 계열에서, Sx는 스멕틱(미확인) 상; Sc는 스멕틱 C상; SA는 스멕틱 A상; 그리고 Iso는 이소트로픽 상을 나타낸다.
각각의 액정 셀은 다음과 같이 제조하였다.
ITO 막이 제공된 한 유리판에 혼합 용매(n-메틸피롤리돈(NMP)/n-부틸셀로졸브(nBC) = 2/1) 중의 폴리이미드 전구체 용액(하기에 나타낸 구조식의 반복 단위를 가진 폴리이미드를 제공하는 것)을 스핀 코팅법으로 도포하였다. 이렇게 하여 코팅된 유리판을 고온 경화 처리 및 러빙 처리하였다.
ITO 막이 제공된 또다른 유리판에 옥자데실트리에톡시실란을 함유하는 실란 커플링제 용액을 스핀 코팅법으르 도포하고 이어서 고온 경화시켰다.
상기 처리된 두 개의 유리판 중 하나 위에 실리카 비이드를 스페이서로서 분산시킨 다음 두 개의 유리판을 서로 겹쳐 셀 갭이 1.8μm인 블랭크 셀을 제작하였다.
이렇게 하여 액정 셀 내로 이소트로픽 액체로 가열된 상기 제조한 액정조성물(1) 내지(3)을 모세관법에 의해 개별적으로 주사하였다. 그 다음 액정 셀 각각을 실온으로 서서히 냉각시켜 본 발명에 따른 액정 소자를 제조하였다.
액정 조성물 (1) 내지 (3)을 개별적으로 사용하여 상기와 같이 제조된 액정 소자 각각에 대해 겉보기 경사각 θa 콘트라스트비 및 역치(스위칭에 대한 것)를 측정하였다. 그 결과를 하기 표 5에 나타내었다.
여기서, 각 특성은 다음과 같이 평가 또는 측정하였다.
[겉보기 경사각 θa]
(두 안정 상태(메모리 상태)에서의 광축 사이의 각의 반)
직교 니콜 편광기 사이에 샌드위치된 액정 소자에 액정의 역치 전압을 초과하는 한 극성의 단일 펄스를 가한 다음, 전기장이 없는 가운데 편광기에 대해 수평 방향으로 회전시켜 제1 소광 위치를 찾아내었다. 그 다음, 액정 소자에 강자성 액정의 역치 전압을 초과하는 반대 극성의 단일 펄스를 가한 다음 전기장이 없는 가운데 편광기에 대해 회전시켜 제2 소광 위치를 찾아내었다. 겉보기 경사각 θa는 제1 및 제2 소광 위치 사이의 각의 반으로 측정하였다.
[콘트라스트비]
콘트라스트비는 편광 현미경을 통해 관찰하면서 제4도에 나타낸 스위칭 신호파형(전압: ±5 V, 펄스 폭: 역치 펄스 폭의 1.2배)을 가진 직각 펄스를 가하는 가운데 광증폭기(하마마쯔 포토닉스사(Hamamatsu Photonics K.K.)에서 구입 가능)를 사용하여 가장 어두운 광축을 제공하는 상태를 고정시킴으로써 암(혹) 상태에 대한 출력치와 명(백) 상태에 대한 출력치를 찾아내어 측정하였다. 콘트라스트비는 백 상태에 대한 출력치를 혹 상태에 대한 출력치로 나눈 것으로 정하였다.
[역치]
역치는 제4도에 나자낸 스위치 신호를 사용하고 펄스 폭을 서서히 변화시켜 스위칭을 일으키는 최소 펄스 폭(7초)을 찾아냄으로써 측정하였다.
[총 경사각 δ]
층 경사각 δ는 문헌 [Jpn. J. APPI. Phys. 27, p L725(1988)]에 기재된 방법에 따라서 측정하였다.
[실시예 2]
각 성분을 하기 비율로 혼합한 것을 제의하고는 실시예 1에서와 동일한 방법으로 액정 조성물(4)를 제조하였다.
조성물(4) :
액정 조성물을 층 경사각(6)을 추가 측정한 것을 제의하고는 실시예 1에서와 동일한 방법으로 평가하였다.
[비교 실시예 1]
키랄 도핑제 C1-1을 하기한 키랄 프핑제로 변화시킨 것을 제의하고는 실시예 1에 사용된 액정 조성물(1)의 각 경우에서와 동일한 방법으로 액정 조성물(5)를 제조 및 평가하였다.
결과는 다음과 같았다.
θa : 17도
한계값 : 펄스 나비가 5 msec로 증가하였으나 뚜렷한 한계값은 얻을 수 없었다.
콘트라스트 : 펄스 나비 100 μsec에서 8.3
[비교 실시예 2]
키랄 도핑제 C1-1을 하기한 키랄 도핑제로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 1에 사용된 액정 조성물(1)의 각 경우에서와 동일한 방법으로 액정 조성물(6)을 제조하였다.
그러나, 액정 조성물(6)에서는 실온에서 불용성 성분이 침전되었으며, 따라서 상호 용해도가 불량함을 나타내었다.
[실시예 3]
폴리이미드 정렬 필름을 하기 반복 단위(P1) 또는 하기 반복 단위(P2)를 갖는 폴리이미드 필름으로 변화시키고, 실시예 1 및 2에 사용된 액정 조성물(1) -(4) 를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 방법으로 액정 셀을 제조하였다
반복 단위(P1) 또는(P2)를 갖는 폴리이미드 필름을 사용하여 얻은 액정 셀(소자) 모두는 양호한 실시예 1 및 2에 사용된 폴리이미드 필름의 경우에서와 유사하게 전 셀에 걸쳐 매우 양호한 정렬 상태를 나타내었다.
[실시예 4]
하기 화합물(A, B1, B2및 B3은 실시예 1에 사용된 것과 동일한 것임)을 각각 하기 비율로 혼합하며 두가지 액정 조성물(7) 및 (8)을 제조하였다.
각각 액정 조성물(7) 및 (8)을 사용하여 실시예 1에서와 동일한 방법으로 두가지 액정 소자를 제조하고, 층 경사각 δ 및 콘트라스트에 대하여 평가하였다.
결과는 다음과 같았다.
[실시예 5]
키랄 도핑제 C2를 각각 광학 활성 화합물(키랄 도핑제로서)(예를 들면, 조성물 번호 4-7 및 4-37)로 변화시킨 것을 제외하게는 실시예 4에 사용된 액정 조성물 (7)의 경우에서와 동일한 방법으로 두가지 액정 조성물 (9) 및 (10)을 제조하였다.
실시예 4에서와 동일한 방법으로 액정 조성물 (15) 및 (16)의 콘트라스트비를 측정하였다.
결과로서, 액정 조성물(15)의 콘트라스트비는 39였고, 액정 조성물(16)의 콘트라스트비는 43이었다.
[실시예 6]
폴리이미드 정렬 필름을 하기 반복 단위(P1) 또는 하기 반복 단위(P2)를 갖는 폴리이미드 필름으르 변화시키고, 실시예 4 및 5에서 사용된 액정 조성물(7)-(10)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 4 및 5에서와 동일한 방법으르 액정 셀을 제조하였다.
반복 단위(P1) 또는 (P2)를 갖는 폴리이미드 필름을 사용하여 얻은 액정 셀(소자) 모두는 실시예 4 및 5에 사용된 폴리이미드 럴름의 경우에서와 유사하게 전 셀에 걸쳐 매우 양호한 정렬 상태를 나타내었다.
[비교 실시예 3]
키랄 도핑제 C2를 하기한 키랄 도핑제로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 4에 사용된 액정 조성물(7)의 경우에서와 동일한 방법으로 액정 조성물(11)을 제조하고, 콘트라스트비에 대하여 평가하였다.
액정 조성물(11)의 콘트라스트비는 6.2로서 불량하였다.
[비교 실시예 4]
키랄 도핑제 C2를 하기한 키랄 도핑제로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 4에 사용된 액정 조성물(7)의 경우에서와 동일한 방법으로 액정 조성물(12)를 제조하였다.
그러나, 액정 조성물(12)는 실온에서 불용성 성분이 침전되었으며, 따라서 상호 용해도가 불량함을 나타내었다.
[실시예 7]
하기 화합물(.A, B1, B2및 B3은 실시예 1에 사용된 것과 동일한 것임)을 각각 하기 비율로 혼합하여 두가지 액정 조성물(13) 및(14)를 제조하였다.
각각 액정 조성물(13) 및 (14)를 사용하며 실시예 1에서와 동일한 방법으로 두가지 액정 소자를 제조하고, 층 경사각 δ 및 콘트라스트비에 대하며 평가하였다.
결과는 다음과 같았다.
[실시예 8]
키랄 도핑제 C3을 각각 광학 활성 화합물(키랄 도핑제호서)(예를 들면, 조성물번호 5-9 및 5-12)로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 7에 사용된 액정 조성물(13)의 경우에서와 동일한 방법으로 두가지 액정 조성물(15) 및 (16)을 제조하였다.
실시예 7에서와 동일한 방법으로 액정 조성물(15) 및(16)의 콘트라스트비를 측정하였다.
결과로서, 액정 조성물(15)의 콘트라스트비는 39이었고, 액정 조성물(16)의 콘트라스트비는 43이었다.
[실시예 9]
폴리이미드 정렬 필름을 하기 반복 단위 (P1) 또는 하기 반복 단위 (P2)를 갖는 폴리이미드 필름으로 변화시키고 실시예 7 및 8에서 사용된 액정 조성물 (13) - (16)을 사용한 것을 제외하고는 실시예 7 및 8에서와 동일한 방법으르 액정 셀을 제조하였다.
반복 단위(P1) 또는(P2)를 갖는 폴리이미드 필름을 사용한 생성 액정 셀(소자) 모두는 실시예 7 및 8에 사용된 폴리이미드 필름의 경우에서와 유사하게 전 셀에 걸쳐 매우 양호한 정렬 상태를 나타내었다.
[비교 실시예 5]
키랄 도펑제 C3을 하기한 키랄 도핑제로 변화시킨 것을 제외하고는 실시예 7에 사용된 액정 조성물(7)의 경우에서와 동일한 방법으로 액정 조성물(17)을 제조하고, 콘트라스트비에 대하여 평가하였다.
액정 조성물(17)의 콘트라스트비는 6.2로서 불량하였다.
[실시예 10]
하기 화합물(A, B1, B2및 B3은 실시예 1에 사용된 것과 동일한 것임)을 각각 하기 비율로 혼합하여 세가지 액정 조성물(18),(19) 및(20)을 제조하였다.
각각 액정 조성물(18),(19) 및(20)을 사용하여 실시예 1에서와 동일한 방법으로 세가지 액정 소자를 제조하고, 평가하였다.
결과는 하기 표 6에 나나내었다.
[실시예 11]
각 성분을 하기 비율로 혼합한 것을 제외하고는 실시예 10에 사용된 액정 조성물(18)의 경우에서와 동일한 방법으로 액정 조성물(21)을 제조하였다.
[실시예 12]
폴리이미드 정렬 필름을 하기 반복 단위(P1) 또는 하기 반복 단위(P2)를 갖는 폴리이미드 필름으로 변화시키고 실시예 10 및 11에 사용된 액정 조성물(18) - (21)을 사용한 것을 제의하고는 실시폐 10 및 11에서와 동일한 방법으로 액정 셀을 제조하였다.
반복 단위(P1) 또는(P2)를 갖는 폴리이미드 필름을 사용하여 얻은 액정 셀(소자) 모두는 실시예 10 및 11에 사용된 폴리이미드 필름의 경우에서와 유사하게 전 셀에 걸쳐 매우 양호한 정렬 상태를 나타내었다.
[비교 실시예 6]
하기 화합물을 하기한 비율로 혼합하여 액정 조성물을 제조하였다.
상기에서 A, B1, B2및 B3은 실시예 1에 사용된 것과 동일하고, 키랄은 실시예 1 - 12에 사용된 각 키랄 도핑제이다.
이렇게 제조한 액정 조성물의 콘트라스트비를 실시예 1에서와 동일한 방법으로 측정했을 때, 액정 조성물 모두의 콘트라스트비는 10 미만으로 불량하였다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따라, 그 성분의 상호 응해도가 높고. 액정 분자층이 서가형 구조 또는 층 경사각이 작은 그에 가까운 구조를 가지며, 액정층의 정렬 상태가 양호한 액정 조성물, 특히 키랄 스멕틱 액정 조성물이 제공된다. 결과적으로, 본 발명에 따른 액정 조성물을 사용한(키랄 스멕틱 또는 강유전성) 액정 소자는 높은 반응성, 높은 콘트라스트비, 높은 해상도, 높은 선명도 및 넓은 화면 면적과 같은 다양한 개선점을 제공한다.
또한, 액정 소자를 광원, 구동 회로등과 함께 표시 소자로 사용하는 경우, 양호한 표시 특성을 제공하는 액정 장치, 예를 들면 액정 표시 장치를 구현할 수 있다.

Claims (26)

  1. 하기 일반식(I)로 표시되는 스멕틱상 또는 잠재적 스맥틱상을 갖는 하나 이상의 불소 함유 준결정상 화합물 (a); 및 하기 일반식(II)로 표시되는 하나 이상의 광학 활성 화합물(b)로 이루어진 액정 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 일반식(I)의 화합물(a)가 하기 일반식(I')로 표시되는 불소 함유 준결정상 화합물인 것인 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 불소 함유 준결정상 화합물 (a)를 30중량% 이상 포함하는 것인 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 불소 함유 준결정상 화합물 (a)를 50중량% 이상 포함하는 것인 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 일반식 (II)의 화합물(b)가 하기 일반식(III)으로 표시되는 광확 활성 화합물인 것인 조성물.
  6. 제5항에 있어서,
  7. 제5항에 있어서, 일반식(III)의 광학 활성 화합물을 50 중량% 이만으로 포함하는 것인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 일반식(II)의 화합물 (b)가 하기 일반식(IV)로 표시되는 광학 활성 화합물인 것인 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
  10. 제8항에 있어서, 일반식(IV)의 광학 활성 화합물을 50 중량% 미만으로 포함하는 것인 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 일반식(II)의 화합물(b)가 하기 일반식(V)로 표시되는 광학 활성 화합물인 것인 조성물.
  12. 제11항에 있어서,
  13. 제11항에 있어서, 일반식 (V)의 광학 활성 화합물을 50중량% 미만으로 포함하는 것인 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 일반식(II)의 화합물 (b)가 하기 일반식(VI)으로 표시되는 광학 활성 화합물인 것인 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 일반식(VI)의 R63이 하기 식으로 표시되는 것인 조성물.
  16. 제14항에 있어서, 일반식(VI)의 R62이 하기 식으로 표시되는 것인 조성물.
  17. 제14항에 있어서,성물.
  18. 제14항에 있어서, 일반식(VI)의 광학 활성 화합물을 50중량% 미만으로 포함하는 것인 조성물.
  19. 제1항, 제2항, 제3항, 제4항 및 제14항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 액정 조성물을 포함하는 것인 액정 소자.
  20. 제19항에 있어서, 한쌍의 대향 전극판 및 상기 전극판 사이에 배치된 액정 조성물을 포함하는 액정 소자.
  21. 제20항에 있어서, 상기 하나 이상의 전극판 상에 형성시킨 정렬 조절층을 더 포함하는 것인 소자.
  22. 제21항에 있어서, 상기 정렬 조절층이 하기 일반식(VII)로 표시되는 반복 단위를 갖는 폴리이미드를 포함하는 것인 소자.
  23. 제1항에 기재된 액정 조성물로 이루어진 액정분자의 정렬 방향을 표시하고자 하는 화상 데이타에 따라 조절하는 것을 포함하는 액정 화상 표시 방법.
  24. 제19항에 기재된 액정 소자를 포함하는 액정 장치.
  25. 제1항에 있어서, 하기 일반식(I)로 표시되는 스멕틱상 또는 잠재적 스멕틱상을 갖는 하나 이상의 불소 함유 준결정상 화합물을 더 포함하는 조성물.
  26. 제25항에 기재된 액정 조성물을 포함하는 액정 소자.
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