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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7586796B2 (ja) 2021-09-21 2024-11-19 株式会社東芝 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US20260092763A1 (en) * 2023-09-22 2026-04-02 Excelitas Technologies Corp. Detonator with integrated solid-state fireset

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3063167B2 (ja) * 1989-12-29 2000-07-12 日本電気株式会社 電流検出端子付ｍｏｓ ｆｅｔおよびその製造方法
US5153696A (en) 1989-12-29 1992-10-06 Nec Corporation MOS FET with current sensing terminal
JP3551947B2 (ja) * 2001-08-29 2004-08-11 サンケン電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4205914B2 (ja) * 2002-08-27 2009-01-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP4791015B2 (ja) * 2004-09-29 2011-10-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 縦型ｍｏｓｆｅｔ
JP2007227556A (ja) 2006-02-22 2007-09-06 Nec Electronics Corp 半導体装置
JP4600563B2 (ja) * 2007-10-24 2010-12-15 株式会社デンソー 半導体装置及びその製造方法
JP5101575B2 (ja) * 2009-07-28 2012-12-19 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP2011044503A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Sharp Corp 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2012244071A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Semiconductor Components Industries Llc 絶縁ゲート型半導体装置
JP2014192351A (ja) 2013-03-27 2014-10-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US9209109B2 (en) * 2013-07-15 2015-12-08 Infineon Technologies Ag IGBT with emitter electrode electrically connected with an impurity zone
JP2016004877A (ja) 2014-06-16 2016-01-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および電子装置
DE102014117780B4 (de) * 2014-12-03 2018-06-21 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einer Grabenelektrode und Verfahren zur Herstellung
WO2016114057A1 (ja) * 2015-01-16 2016-07-21 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP2017022311A (ja) 2015-07-14 2017-01-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2017029748A1 (ja) * 2015-08-20 2017-02-23 株式会社日立製作所 半導体装置、パワーモジュール、電力変換装置、自動車および鉄道車両
US10439056B2 (en) 2016-03-31 2019-10-08 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Power semiconductor device and method of manufacturing power semiconductor device
JP6832645B2 (ja) * 2016-07-20 2021-02-24 ローム株式会社 半導体装置
JP6704057B2 (ja) 2016-09-20 2020-06-03 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6941502B2 (ja) * 2016-09-30 2021-09-29 ローム株式会社 半導体装置および半導体パッケージ
JP2018152514A (ja) 2017-03-14 2018-09-27 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2018167925A1 (ja) * 2017-03-16 2018-09-20 三菱電機株式会社 半導体装置
CN111052394B (zh) * 2018-03-15 2024-01-16 富士电机株式会社 半导体装置
JP6994991B2 (ja) * 2018-03-16 2022-02-04 株式会社 日立パワーデバイス 半導体装置、パワーモジュールおよび電力変換装置
JP7283036B2 (ja) * 2018-07-13 2023-05-30 富士電機株式会社 半導体装置および製造方法
JP7073984B2 (ja) 2018-08-23 2022-05-24 株式会社デンソー 半導体装置
JP2020035847A (ja) 2018-08-29 2020-03-05 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP7279356B2 (ja) * 2018-12-19 2023-05-23 富士電機株式会社 半導体装置

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