JPWO2007049788A1 - Dc−dcコンバータ - Google Patents
Dc−dcコンバータ Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2007049788A1 JPWO2007049788A1 JP2007542736A JP2007542736A JPWO2007049788A1 JP WO2007049788 A1 JPWO2007049788 A1 JP WO2007049788A1 JP 2007542736 A JP2007542736 A JP 2007542736A JP 2007542736 A JP2007542736 A JP 2007542736A JP WO2007049788 A1 JPWO2007049788 A1 JP WO2007049788A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer substrate
- converter
- terminal
- connection wiring
- converter according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 37
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 24
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 229910001035 Soft ferrite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 9
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008405 Li-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007049 Li—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006501 ZrSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/023—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference using auxiliary mounted passive components or auxiliary substances
- H05K1/0233—Filters, inductors or a magnetic substance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
- H01F2017/002—Details of via holes for interconnecting the layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0066—Printed inductances with a magnetic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F2017/0086—Printed inductances on semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
- H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/645—Inductive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
- H01L2924/19103—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device interposed between the semiconductor or solid-state device and the die mounting substrate, i.e. chip-on-passive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/08—Magnetic details
- H05K2201/083—Magnetic materials
- H05K2201/086—Magnetic materials for inductive purposes, e.g. printed inductor with ferrite core
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10015—Non-printed capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
特開2004-063676号及び特開2005-124271号のようにプリント回路基板に線路パターンを形成する場合には、変換効率を低下させる程のインダクタは形成されないが、磁性体を用いた多層基板10に線路パターンを設ける場合、大きな寄生インダクタンスが生じることがある。
図1〜図5に示す構造を有するDC-DCコンバータの作製
主成分が47.0モル%のFe2O3、36.7モル%のNiO、11.0モル%のCuO、5.0モル%のZnO、及び0.3モル%のCo3O4からなり、主成分の総量に対して1.0質量%のBi2O3を含有するフェライト[キュリー温度Tc:140℃、及び初透磁率(周波数100 kHz):25]を用いて、LTCC法により形成した各シートに、Agペーストにより所定のコイルパターンを形成した。絶縁層S2に、45.7モル%のFe2O3、4.0モル%のZnO、残部がCuOからなる主成分と、主成分の総量に対して0.3質量%のBi2O3とを含有するCu-Zn系フェライト(キュリー温度:−60℃)からなる磁気ギャップGP1が形成されるように、絶縁層を積層し、圧着及び焼結を行い、インダクタンスが3.3μHの積層コイルを有する多層基板が複数連結したマザー基板を作製した。焼結は大気雰囲気の電気炉中で脱脂に引き続いて行い、昇温は150℃/hrとし、900℃で1時間保持した後、約300℃/hrで降温した。
Claims (20)
- 複数の導体線路を接続してなる積層コイルを備えた軟磁性多層基板に、スイッチング素子及び制御回路を含む半導体集積回路部品を実装したDC-DCコンバータであって、
前記半導体集積回路部品は、入力端子と、出力端子と、前記スイッチング素子のON/OFFを制御するための第一制御端子と、出力電圧を可変制御するための第二制御端子と、複数のグランド端子とを備え、
前記軟磁性多層基板は、第一主面に形成された第一外部端子と、第一主面及び/又はその近傍の内層に形成された第一接続配線と、前記多層基板の側面と前記積層コイルの外周との間に形成された第二接続配線と、第二主面に形成された第二外部端子とを備え、
前記半導体集積回路部品の端子は前記多層基板の前記第一外部端子と接続し、前記第一外部端子の少なくとも一部は前記第一接続配線及び前記第二接続配線を介して前記第二外部端子と電気的に接続し、前記入力端子又は前記出力端子は前記積層コイルを介して前記第二外部端子と接続している
ことを特徴とするDC-DCコンバータ。 - 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記半導体集積回路部品の複数の出力端子が異なる積層コイルの一方の端部と接続し、前記積層コイルの他方の端部が共通の第二外部端子に接続したマルチフェイズ型であることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1又は2に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記半導体集積回路部品は負帰還端子を備え、前記負帰還端子と接続する前記第一外部端子は、前記出力端子に接続した積層コイルの他端と接続していることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板の第一主面に形成された第一外部端子にキャパシタンス素子が接続し、前記半導体集積回路部品の入力端子及び/又は出力端子がアースに接続していることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板は、前記半導体集積回路部品の複数のグランド端子を接続する共通の第一接続配線を備え、前記共通の第一接続配線に複数の第二接続配線が接続していることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記第二接続配線が、前記多層基板の側面に形成された帯状導体で形成されていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記第二接続配線が、厚さ方向に複数の基板を連通するビアホールにより形成されていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項7に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記ビアホールの少なくとも一部が前記多層基板の側面に露出していることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記第二接続配線の一部が前記多層基板の側面に露出し、他の第二接続配線が多層基板内に形成されていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記第一接続配線の幅が前記第二接続配線に向かって広がっていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板に形成された前記積層コイルの少なくとも内側に磁気ギャップを有することを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項11に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板は積層コイル形成部と、その上下に位置する上絶縁層部及び下絶縁層部とを備え、少なくとも前記上絶縁層部に前記磁気ギャップが設けられていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項11又は12に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記磁気ギャップが空隙であることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項11又は12に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記磁気ギャップが非磁性体、低透磁率の磁性体、又は誘電体からなることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板は積層コイル形成部と、その上下に位置する上絶縁層部及び下絶縁層部とを備え、前記上絶縁層部が導体パターンで形成された磁気シールドを有することを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1に記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板は積層コイル形成部と、その上下に位置する上絶縁層部及び下絶縁層部とを備え、少なくとも前記上絶縁層部の前記第一主面に凹部が形成されていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1〜16のいずれかに記載のDC-DCコンバータにおいて、前記半導体集積回路部品が、前記第一主面の積層コイル内側領域に実装されていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1〜17のいずれかに記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板の少なくとも第一主面に、ガラス、誘電体又は低透磁率の磁性体からなる絶縁体層を有することを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1〜18のいずれかに記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板の第一主面が樹脂で覆われていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
- 請求項1〜19のいずれかに記載のDC-DCコンバータにおいて、前記多層基板の第一主面に形成されアースと接続する第一接続配線と接続される金属ケースを備えていることを特徴とするDC-DCコンバータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007542736A JP5082854B2 (ja) | 2005-10-28 | 2006-10-30 | Dc−dcコンバータ |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005314649 | 2005-10-28 | ||
JP2005314649 | 2005-10-28 | ||
JP2007542736A JP5082854B2 (ja) | 2005-10-28 | 2006-10-30 | Dc−dcコンバータ |
PCT/JP2006/321682 WO2007049788A1 (ja) | 2005-10-28 | 2006-10-30 | Dc-dcコンバータ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011149176A Division JP5083436B2 (ja) | 2005-10-28 | 2011-07-05 | Dc−dcコンバータ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007049788A1 true JPWO2007049788A1 (ja) | 2009-04-30 |
JP5082854B2 JP5082854B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=37967894
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007542736A Active JP5082854B2 (ja) | 2005-10-28 | 2006-10-30 | Dc−dcコンバータ |
JP2011149176A Active JP5083436B2 (ja) | 2005-10-28 | 2011-07-05 | Dc−dcコンバータ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011149176A Active JP5083436B2 (ja) | 2005-10-28 | 2011-07-05 | Dc−dcコンバータ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7646610B2 (ja) |
EP (1) | EP1942574B1 (ja) |
JP (2) | JP5082854B2 (ja) |
KR (1) | KR101296238B1 (ja) |
CN (2) | CN101341646B (ja) |
WO (1) | WO2007049788A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012065408A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Murata Mfg Co Ltd | Dc−dcコンバータモジュール |
JP2013081283A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Cosel Co Ltd | スイッチング電源用の信号伝達トランス及びスイッチング電源装置 |
JPWO2015019519A1 (ja) * | 2013-08-07 | 2017-03-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Dc−dcコンバータモジュール |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1983531B1 (en) * | 2006-01-31 | 2017-10-25 | Hitachi Metals, Ltd. | Laminate device and module comprising same |
TW200832875A (en) * | 2007-01-19 | 2008-08-01 | Murata Manufacturing Co | DC-DC converter module |
US7999365B2 (en) * | 2007-08-03 | 2011-08-16 | International Rectifier Corporation | Package for monolithic compound semiconductor (CSC) devices for DC to DC converters |
US8884438B2 (en) * | 2008-07-02 | 2014-11-11 | Intel Corporation | Magnetic microinductors for integrated circuit packaging |
US7911313B2 (en) * | 2008-07-02 | 2011-03-22 | Intel Corporation | Inductors for integrated circuit packages |
JP2010147043A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Sony Corp | インダクタモジュール、回路モジュール |
JP2010238821A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Sony Corp | 多層配線基板、スタック構造センサパッケージおよびその製造方法 |
JP5808748B2 (ja) * | 2009-11-12 | 2015-11-10 | コンティ テミック マイクロエレクトロニック ゲゼルシャフト ミットベシュレンクテル ハフツングConti Temic microelectronic GmbH | 電気駆動装置用制御回路装置及びこのような制御回路装置を持つ電気駆動装置 |
US9090456B2 (en) * | 2009-11-16 | 2015-07-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | System and method of manufacturing an electromechanical device by printing raised conductive contours |
JP5110178B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2012-12-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
CN102771199B (zh) * | 2010-07-16 | 2015-02-04 | 株式会社村田制作所 | 线圈内置基板 |
JP5382212B2 (ja) * | 2011-01-25 | 2014-01-08 | 株式会社村田製作所 | Dc−dcコンバータモジュールおよび多層基板 |
JP5304811B2 (ja) * | 2011-02-14 | 2013-10-02 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュール |
CN103430457B (zh) | 2011-03-24 | 2015-05-13 | 株式会社村田制作所 | 高频模块 |
US8966747B2 (en) | 2011-05-11 | 2015-03-03 | Vlt, Inc. | Method of forming an electrical contact |
CN103168413B (zh) * | 2011-06-10 | 2016-08-03 | 株式会社村田制作所 | 多沟道型dc-dc转换器 |
EP2722857B1 (en) * | 2011-06-15 | 2017-09-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer coil part |
JP5967871B2 (ja) * | 2011-06-27 | 2016-08-10 | トランスフォーム・ジャパン株式会社 | 電源装置 |
US9001524B1 (en) * | 2011-08-01 | 2015-04-07 | Maxim Integrated Products, Inc. | Switch-mode power conversion IC package with wrap-around magnetic structure |
JP6215518B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2017-10-18 | ローム株式会社 | 磁性金属基板およびインダクタンス素子 |
US8558344B2 (en) | 2011-09-06 | 2013-10-15 | Analog Devices, Inc. | Small size and fully integrated power converter with magnetics on chip |
JP5673455B2 (ja) | 2011-09-09 | 2015-02-18 | 株式会社村田製作所 | 電源制御回路モジュール |
KR20130066174A (ko) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
EP2631921A1 (en) * | 2012-02-22 | 2013-08-28 | Kollmorgen AB | Transformer arrangement |
JP2013192312A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Murata Mfg Co Ltd | Dc−dcコンバータモジュールおよび多層基板 |
CN103327726A (zh) * | 2012-03-19 | 2013-09-25 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电子装置及其印刷电路板的布局结构 |
JP6035952B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2016-11-30 | Tdk株式会社 | 電源装置 |
JP2014212688A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 複合電子部品及びその実装基板並びにそれを含む電源安定化ユニット |
JP6362889B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2018-07-25 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
JP5853998B2 (ja) * | 2013-06-12 | 2016-02-09 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
US20150061103A1 (en) * | 2013-08-28 | 2015-03-05 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Embedded die package |
CN206075983U (zh) * | 2014-04-09 | 2017-04-05 | 株式会社村田制作所 | 层叠线圈部件 |
JP6269541B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2018-01-31 | 株式会社村田製作所 | Dc−dcコンバータモジュールおよび製造方法 |
JP6449461B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2019-01-09 | 株式会社PEZY Computing | 半導体スイッチ装置 |
US20170062385A1 (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Power converting device |
EP3406113B1 (en) * | 2016-01-20 | 2020-09-09 | Jaquet Technology Group AG | Manufacturing method for a sensing element and sensor device |
JP6707970B2 (ja) * | 2016-04-20 | 2020-06-10 | 株式会社村田製作所 | Icチップ実装基板 |
WO2018079142A1 (ja) * | 2016-10-24 | 2018-05-03 | 株式会社村田製作所 | コイル内蔵多層基板、電源モジュール |
US10886219B2 (en) | 2017-01-18 | 2021-01-05 | Tdk Corporation | Electronic component mounting package |
JP6766740B2 (ja) * | 2017-04-20 | 2020-10-14 | 株式会社村田製作所 | プリント配線基板およびスイッチングレギュレータ |
JP6766965B2 (ja) * | 2017-07-21 | 2020-10-14 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP6549200B2 (ja) * | 2017-10-03 | 2019-07-24 | 三菱電機株式会社 | 電力変換回路 |
CN108401368A (zh) * | 2018-04-26 | 2018-08-14 | 维沃移动通信有限公司 | 一种电路板和电子设备 |
JP6799050B2 (ja) | 2018-11-28 | 2020-12-09 | 矢崎総業株式会社 | Dc/dcコンバータ |
WO2020195439A1 (ja) * | 2019-03-22 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュール |
US11121076B2 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor die with conversion coating |
JP7222383B2 (ja) * | 2020-08-26 | 2023-02-15 | 株式会社村田製作所 | Dc/dcコンバータ部品 |
JP7409357B2 (ja) | 2021-08-19 | 2024-01-09 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品 |
CN114300439B (zh) * | 2021-12-28 | 2022-10-11 | 宜确半导体(苏州)有限公司 | 巴伦集成结构及具有其的产品 |
US20230371165A1 (en) * | 2022-05-12 | 2023-11-16 | Infineon Technologies Austria Ag | Voltage regulator module with inductor-cooled power stage |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0888474A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層混成集積回路素子 |
JP2002233140A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Fuji Electric Co Ltd | 超小型電力変換装置 |
JP2004186312A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 超小型電力変換装置 |
JP2005168106A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Toshiba Corp | 電源装置 |
JP2005183890A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層基板、複数種類の積層基板の設計方法、及び同時焼結積層基板 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6132785U (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-27 | ティーディーケイ株式会社 | 積層混成集積形dc/dcコンバ−タ |
US4873757A (en) * | 1987-07-08 | 1989-10-17 | The Foxboro Company | Method of making a multilayer electrical coil |
JP2571389B2 (ja) | 1987-09-03 | 1997-01-16 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型混成集積回路部品 |
JPH0158909U (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | ||
MY105486A (en) * | 1989-12-15 | 1994-10-31 | Tdk Corp | A multilayer hybrid circuit. |
DE4117878C2 (de) * | 1990-05-31 | 1996-09-26 | Toshiba Kawasaki Kk | Planares magnetisches Element |
US5583424A (en) * | 1993-03-15 | 1996-12-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic element for power supply and dc-to-dc converter |
JPH07135116A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合部品及びその製造方法 |
WO1998005048A1 (en) * | 1996-07-29 | 1998-02-05 | Motorola Inc. | Low radiation planar inductor/transformer and method |
JPH10294607A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | アイソレータの半田付け実装用治具、及びその半田付け実装用治具を用いたアイソレータ実装体の製造方法、並びにその実装用治具を用いて製造されたアイソレータ実装体 |
JP2000331835A (ja) | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層電子部品及び回路モジュール |
JP3941508B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2007-07-04 | 株式会社村田製作所 | 積層型インピーダンス素子 |
JP4217438B2 (ja) | 2002-07-26 | 2009-02-04 | Fdk株式会社 | マイクロコンバータ |
JP2005124271A (ja) | 2003-10-15 | 2005-05-12 | Nec Tokin Corp | Dc−dcコンバータ |
-
2006
- 2006-10-30 JP JP2007542736A patent/JP5082854B2/ja active Active
- 2006-10-30 US US12/091,601 patent/US7646610B2/en active Active
- 2006-10-30 KR KR1020087012011A patent/KR101296238B1/ko active IP Right Grant
- 2006-10-30 WO PCT/JP2006/321682 patent/WO2007049788A1/ja active Application Filing
- 2006-10-30 CN CN2006800403148A patent/CN101341646B/zh active Active
- 2006-10-30 CN CN2011100943524A patent/CN102185474B/zh active Active
- 2006-10-30 EP EP06822611.7A patent/EP1942574B1/en active Active
-
2009
- 2009-11-19 US US12/622,169 patent/US7940531B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-07-05 JP JP2011149176A patent/JP5083436B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0888474A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層混成集積回路素子 |
JP2002233140A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Fuji Electric Co Ltd | 超小型電力変換装置 |
JP2004186312A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 超小型電力変換装置 |
JP2005168106A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Toshiba Corp | 電源装置 |
JP2005183890A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層基板、複数種類の積層基板の設計方法、及び同時焼結積層基板 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012065408A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Murata Mfg Co Ltd | Dc−dcコンバータモジュール |
JP2013081283A (ja) * | 2011-10-03 | 2013-05-02 | Cosel Co Ltd | スイッチング電源用の信号伝達トランス及びスイッチング電源装置 |
JPWO2015019519A1 (ja) * | 2013-08-07 | 2017-03-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | Dc−dcコンバータモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100061071A1 (en) | 2010-03-11 |
KR20080069611A (ko) | 2008-07-28 |
JP5082854B2 (ja) | 2012-11-28 |
US7940531B2 (en) | 2011-05-10 |
EP1942574A1 (en) | 2008-07-09 |
KR101296238B1 (ko) | 2013-08-13 |
CN101341646A (zh) | 2009-01-07 |
US20090103272A1 (en) | 2009-04-23 |
CN102185474A (zh) | 2011-09-14 |
WO2007049788A1 (ja) | 2007-05-03 |
CN101341646B (zh) | 2011-06-08 |
CN102185474B (zh) | 2013-09-18 |
US7646610B2 (en) | 2010-01-12 |
JP5083436B2 (ja) | 2012-11-28 |
EP1942574B1 (en) | 2017-09-27 |
EP1942574A4 (en) | 2015-03-18 |
JP2011193724A (ja) | 2011-09-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5082854B2 (ja) | Dc−dcコンバータ | |
JP4883392B2 (ja) | Dc−dcコンバータ | |
US7199693B2 (en) | Choke coil and electronic device using the same | |
US8018313B2 (en) | Laminate device and module comprising same | |
JP4973996B2 (ja) | 積層電子部品 | |
JP4784859B2 (ja) | マルチフェーズコンバータ | |
WO2012140805A1 (ja) | 積層型インダクタ素子およびその製造方法 | |
JP3649214B2 (ja) | 超小型電力変換装置およびその製造方法 | |
JP6365696B2 (ja) | モジュール | |
CN104578753B (zh) | 复合电子组件和其上安装有复合电子组件的板 | |
JP5429649B2 (ja) | インダクタ内蔵部品及びこれを用いたdc−dcコンバータ | |
JP2002222712A (ja) | Lc複合素子 | |
JP2011019083A (ja) | 電子複合部品 | |
JP6365805B2 (ja) | Dcdcコンバータモジュールおよびdcdcコンバータ回路 | |
JPH06260361A (ja) | 薄型電源用インダクタの製造方法 | |
JP4974009B2 (ja) | 電子部品 | |
JP2005217234A (ja) | Lsiモジュール用電源制御回路ブロック |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090820 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120713 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5082854 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |