CN206075983U - 层叠线圈部件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供层叠线圈部件。层叠体(120)层叠多个磁性片而成。线圈导体(B01)以及(A01)应该构成卷绕轴向层叠方向延伸的线圈(CIL00),并埋入层叠体(120)。从层叠方向观察时,线圈导体(B01)以及(A01)描绘出环。空隙(AG01)形成在被从层叠方向观察时线圈导体(B01)以及(A01)描绘出的环的内周边包围的区域。另外,线圈导体(B01)以及(A01)在层叠方向上夹着空隙(AG01),不在空隙(AG01)露出而被磁性体包围。

Description

层叠线圈部件
技术领域
本发明涉及层叠线圈部件以及线圈模块,特别是,涉及具备层叠了磁性体层的层叠体和埋入该层叠体的线圈的层叠线圈部件、以及具备该层叠线圈部件的线圈模块。
背景技术
这种层叠线圈部件的一个例子被专利文献1公开。根据该背景技术,层叠线圈部件具备层叠了由磁性陶瓷层构成的磁性层的层叠体11(11a、11b)。在层叠体11内置有将多个线圈用导体5电连接而成的螺旋状的线圈L。由非磁性陶瓷层构成的非磁性层4在层叠体11的层叠方向,配设在线圈L的大致中央的位置。通过在层叠体设置非磁性层而线圈L部分地具有开磁路型的磁场特性,从而抑制磁饱和引起的电感的降低,得到良好的直流重叠特性。
专利文献1:国际公开第2008/093568号
但是,在背景技术中,由于同时烧制磁性陶瓷层和非磁性陶瓷层,所以在磁性层与非磁性层之间形成扩散层(不为非磁性的层),或者,非磁性层本身具有磁性,所以存在不能充分地抑制磁饱和引起的电感的降低,由此直流重叠特性劣化的情况。另外,由于扩散层的特性根据温度变化,所以直流重叠特性也根据温度变化,由于温度直流重叠特性进一步劣化。此外,非磁性陶瓷层的厚度、层数越多样化,由于温度而直流重叠特性变化的问题越复杂化。
发明内容
因此,本发明的主要的目的在于提供能够稳定地提高直流重叠特性的层叠线圈部件。
本发明的层叠线圈部件具备:具有层叠的多个磁性体层的层叠体;和以卷绕轴在层叠方向延伸的姿势被埋入到上述层叠体的线圈,上述线 圈包括多个线圈导体,上述多个线圈导体在上述多个磁性体层分别形成为从上述层叠方向观察时描绘出环,在被从上述层叠方向观察时上述多个线圈导体描绘出的环的内周边包围的区域形成有空隙,上述多个线圈导体包括在上述层叠方向上夹着上述空隙的两个特定线圈导体,上述两个特定线圈导体不在上述空隙露出而被磁性体层包围,从上述层叠方向观察时,上述空隙扩展至与上述两个特定线圈导体中至少一个的一部分重叠的位置而形成。
优选空隙形成为跨越上述多个线圈导体中两个以上的线圈导体。
优选上述多个线圈导体包括设置于上述层叠方向上与上述空隙重叠的位置的一个或者多个追加线圈导体。
在某个方面,追加线圈导体在其内周边侧在空隙露出。
在其它的方面,追加线圈导体在层叠方向上在空隙露出。
优选空隙具有从层叠方向观察时收纳于环的外缘的大小。
优选从两个特定线圈导体的各个到空隙的层叠方向的距离相互一致。
优选空隙分别设置于层叠方向上的多个位置。
优选多个卷绕体的各个作为线圈被埋入层叠体,层叠方向上的从线圈的中心位置到空隙的距离在多个卷绕体之间不同。
优选多个卷绕体的各个作为线圈被埋入层叠体,层叠体在从层叠方向观察时在多个卷绕体之间具有不同的空隙。
本发明的层叠线圈部件具备:具有层叠的多个磁性体层的层叠体;和以卷绕轴在层叠方向延伸的姿势被埋入到上述层叠体的线圈,上述线圈包括多个线圈导体,上述多个线圈导体在上述多个磁性体层分别形成为从上述层叠方向观察时描绘出环,在被从上述层叠方向观察时上述多个线圈导体描绘出的环的内周边包围的区域形成有空隙,上述多个线圈导体包括在上述层叠方向上夹着上述空隙的两个特定线圈导体,上述两个特定线圈导体不在上述空隙露出而被磁性体层包围,上述空隙形成为 跨越上述多个线圈导体中两个以上的线圈导体。
本发明的层叠线圈部件具备:具有层叠的多个磁性体层的层叠体;和以卷绕轴在层叠方向延伸的姿势被埋入到上述层叠体的线圈,上述线圈包括多个线圈导体,上述多个线圈导体在上述多个磁性体层分别形成为从上述层叠方向观察时描绘出环,在被从上述层叠方向观察时上述多个线圈导体描绘出的环的内周边包围的区域形成有空隙,上述多个线圈导体包括在上述层叠方向上夹着上述空隙的两个特定线圈导体,上述两个特定线圈导体不在上述空隙露出而被磁性体层包围,多个卷绕体的各个作为上述线圈被埋入上述层叠体,上述层叠方向上的从上述线圈的中心位置到上述空隙的距离在上述多个卷绕体之间不同。
本发明的层叠线圈部件具备:具有层叠的多个磁性体层的层叠体;和以卷绕轴在层叠方向延伸的姿势被埋入到上述层叠体的线圈,上述线圈包括多个线圈导体,上述多个线圈导体在上述多个磁性体层分别形成为从上述层叠方向观察时描绘出环,在被从上述层叠方向观察时上述多个线圈导体描绘出的环的内周边包围的区域形成有空隙,上述多个线圈导体包括在上述层叠方向上夹着上述空隙的两个特定线圈导体,上述两个特定线圈导体不在上述空隙露出而被磁性体层包围,多个卷绕体的各个作为上述线圈被埋入上述层叠体,上述层叠体在从上述层叠方向观察时在上述多个卷绕体之间具有不同的空隙。
为了提高直流重叠特性而在层叠体设置的空隙不会被磁通磁化。由此,能够稳定地提高直流重叠特性。另外,相对于层叠体的温度变化的直流重叠特性的变动的预测较容易,所以能够抑制空隙的厚度、数目的多样化所伴随的设计者的负担的增大。
本发明的上述的目的、其它的目的、特征以及优点根据参照附图进行的以下的实施例的详细的说明会变得更加明确。
附图说明
图1是表示本发明的层叠线圈部件的基本的构成的剖视图。
图2是表示实施例1的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图3(A)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生 片SH11形成通孔导体的状态的示意图,(B)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH12形成通孔导体的状态的示意图,(C)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH13形成通孔导体的状态的示意图,(D)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH14形成通孔导体的状态的示意图,(E)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH15形成通孔导体的状态的示意图,(F)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH16形成通孔导体的状态的示意图,(G)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH17形成通孔导体的状态的示意图,(H)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH18形成通孔导体的状态的示意图,(I)是表示成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH19的示意图。
图4是表示图3(A)~图3(I)所示的磁性生片SH11~SH19的某个剖面的剖视图。
图5(A)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH11形成输入输出端子的状态的示意图,(B)是在成为表示实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH12形成线圈导体的状态的示意图,(C)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH13形成线圈导体的状态的示意图,(D)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH14形成线圈导体的状态的示意图,(E)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH15形成线圈导体的状态的示意图,(F)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH16形成线圈导体的状态的示意图,(G)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH17形成线圈导体的状态的示意图,(H)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH18形成线圈导体的状态的示意图,(I)是表示在成为实施例1的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH19形成布线导体的状态的示意图。
图6是表示磁性生片SH11~SH19的某个剖面的剖视图。
图7(A)是表示在磁性生片SH15涂覆碳膏的状态的示意图,(B)是表示在磁性生片SH15形成通孔导体的状态的示意图。
图8(A)是表示图7(A)所示的磁性生片SH15的某个剖面的剖视图,(B)是表示图7(B)所示的磁性生片SH15的某个剖面的剖视图。
图9是表示对磁性生片SH11~SH19进行层叠、压接而得到的层叠体(生块)的某个剖面的剖视图。
图10是表示对图9所示的生块进行烧制而制作的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图11是表示实施例2的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图12(A)是表示图11所示的层叠线圈部件的A21剖面的剖视图,(B)是表示图11所示的层叠线圈部件的C21剖面的剖视图,(C)是表示图11所示的层叠线圈部件的B21剖面的剖视图。
图13是用于说明图11所示的层叠线圈部件所产生的应力的示意图。
图14是表示实施例3的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图15(A)是表示在成为实施例3的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH31形成通孔导体以及输入输出端子的状态的示意图,(B)是表示在成为实施例3的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH32形成通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,(C)是表示在成为实施例3的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH33的上层形成碳膏以及通孔导体的状态的示意图,(D)是表示在成为实施例3的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH33的下层形成碳膏以及通孔导体的状态的示意图,(E)是表示在成为实施例3的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH34形成通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,(F)是表示在成为实施例3的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH35形成布线导体的状态的示意图。
图16(A)是表示制作磁性生片SH33的下层的工序的示意图,(B)是表示制作磁性生片SH33的上层的工序的示意图,(C)是表示在磁性生片SH33形成通孔导体的工序的示意图。
图17是表示磁性生片SH31~SH35的某个剖面的剖视图。
图18是表示对磁性生片SH31~SH35进行层叠、压接而得到的层叠体(生块)的某个剖面的剖视图。
图19是表示对图18所示的生块进行烧制而制作的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图20是表示实施例4的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图21(A)是表示图20所示的层叠线圈部件的A42剖面的剖视图,(B)是表示图20所示的层叠线圈部件的A41剖面的剖视图,(C)是表示图20所示的层叠线圈部件的AG41剖面的剖视图,(D)是表示图20所示的层叠线圈部件的B41剖面的剖视图,(E)是表示图20所示的层叠线圈部件的B42剖面的剖视图。
图22是表示实施例5的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图23(A)是表示图22所示的层叠线圈部件的A52剖面的剖视图,(B)是表示图22所示的层叠线圈部件的A51剖面的剖视图,(C)是表示图22所示的层叠线圈部件的AG51剖面的剖视图,(D)是表示图22所示的层叠线圈部件的B51剖面的剖视图,(E)是表示图22所示的层叠线圈部件的B52剖面的剖视图。
图24是表示实施例6的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图25(A)是表示图24所示的层叠线圈部件的A62剖面的剖视图,(B)是表示图24所示的层叠线圈部件的A61剖面的剖视图,(C)是表示图24所示的层叠线圈部件的AG61剖面的剖视图,(D)是表示图24所示的层叠线圈部件的B61剖面的剖视图,(E)是表示图24所示的层叠线圈部件的B62剖面的剖视图。
图26是表示实施例7的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图27(A)是表示图26所示的层叠线圈部件的A71剖面的剖视图,(B)是表示图26所示的层叠线圈部件的C71剖面的剖视图,(C)是表示图26所示的层叠线圈部件的B71剖面的剖视图。
图28是表示实施例8的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图29(A)是表示图28所示的层叠线圈部件的A82剖面的剖视图,(B)是表示图28所示的层叠线圈部件的A81剖面的剖视图,(C)是表示图28所示的层叠线圈部件的AG81剖面的剖视图,(D)是表示图28所示的层叠线圈部件的B81剖面的剖视图,(E)是表示图28所示的层叠线圈部件的B82剖面的剖视图。
图30是表示实施例9的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图31是表示实施例10的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图32(A)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH101形成通孔导体以及输入输出端子的状态的示意图,(B)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH102形成通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,(C)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH103形成通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,(D)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH104形成通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,图(E)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH105形成碳膏、通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,(F)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH106形成碳膏、通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,(G)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH107形成通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,(H)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH108形成通孔导体以及线圈导体的状态的示意图,(I)是表示在成为实施例10的层叠线圈部件的原材料的磁性生片SH109形成布线导体的状态的示意图。
图33(A)是表示在磁性生片SH105形成贯通孔以及线圈导体的工序的示意图,(B)是表示在磁性生片SH106形成线圈导体的工序的示意图,(C)是表示在磁性生片SH106层叠磁性生片SH105的工序的示意图,(D)是表示在磁性生片SH105以及SH106的层叠体印刷碳膏的工序的示意图,(E)是表示在磁性生片SH105以及SH106的层叠体形成通孔导体的工序的示意图。
图34是表示磁性生片SH101~SH109的某个剖面的剖视图。
图35是表示对磁性生片SH101~SH109进行层叠、压接而得到的层叠体(生块)的某个剖面的剖视图。
图36是表示对图35所示的生块进行烧制而制作的层叠线圈部件的某个剖面的剖视图。
图37是表示某个实施例的线圈模块的某个剖面的剖视图。
图38是表示其它的实施例的线圈模块的某个剖面的剖视图。
图39是表示其它的实施例的线圈模块的某个剖面的剖视图。
图40是表示图39所示的线圈模块的其它的剖面的剖视图。
具体实施方式
[基本的结构]
本发明的基本结构如图1所示。层叠线圈部件100具有层叠多个磁性片而成的层叠体120。各磁性片为陶瓷片,层叠体120是层叠磁性陶瓷层而成的陶瓷层叠体。在层叠体120的内部埋入有分别呈带状的线圈导体(特定线圈导体)B01以及线圈导体(特定线圈导体)A01。线圈导体B01与层叠方向上的中央位置相比设在下侧的位置,线圈导体A01与层叠方向上的中央位置相比设在上侧的位置。在从层叠方向观察时,线圈导体B01以及A01描绘出环。另外,线圈导体B01以及A01串联连接成单一的线圈CIL00。因此,线圈CIL00以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体120。
在层叠方向上的中央位置形成有空隙AG01。在从层叠方向观察时,空隙AG01的形成区域遍及被线圈导体B01以及A01描绘出的环的外周边包围的整个区域。另外,空隙AG01在层叠方向被线圈导体B01以及A01夹着,线圈导体B01以及A01不在空隙AG01露出而被磁性体包围。
线圈导体A01以及B01产生的总磁通被空隙AG01遮断进而减少,所以在层叠体120出现的主要的磁通是线圈导体A01以及B01分别独立地产生的部分磁通以及因此,抑制磁饱和所引起的电感值的降低,提高直流重叠特性。
另外,在层叠线圈部件100中,由于在线圈导体A01以及B01的层叠方向所夹着的位置不形成非磁性陶瓷层而形成空隙AG01,所以不会产生扩散层,能够实现直流重叠特性的稳定化。并且,相对于层叠体120的温度变化的直流重叠特性的变动的预测较容易,所以能够抑制空隙的厚度、数目的多样化所伴随的设计者的负担的增大。
[实施例1]
参照图2,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)101具有层叠多个磁性片而成的层叠体121。在层叠体121的内部埋入有分别呈带状的线圈导体B13、线圈导体B12、线圈导体(特定线圈导体)B11、线圈导体(追加线圈导体)C11、线圈导体(特定线圈导体)A11、线圈导体A12以及线圈导体A13,并且埋入有布线导体CL11。
线圈导体B13、B12、B11、C11、A11、A12以及A13以该顺序在层叠方向并排并且串联连接,成为单一的线圈CIL01。另外,线圈导体B13、B12、B11、A11、A12以及A13在从层叠方向观察时描绘出环,线圈导体C11沿该环延伸。线圈CIL01以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体121。在层叠体121的下面设置有输入输出端子141a以及141b。线圈CIL01的一端经由后述的通孔导体VH11b与输入输出端子141b连接,线圈CIL01的另一端经由布线导体CL11以及后述的通孔导体VH11a~VH18a与输入输出端子141a连接。
在层叠方向上的中央位置(与线圈导体C11相同的高度位置)形成有空隙AG11。具体而言,空隙AG11在从层叠方向观察时形成在被线圈导体B13、B12、B11、A11、A12以及A13描绘出的环的内周边包围的区域(除了通孔导体之外)。另外,在本实施方式中空隙AG11的厚度与线圈导体C11的厚度一致。线圈导体C11在其内周边侧在空隙AG11露出。空隙AG11在层叠方向上位于线圈导体B11以及A11之间,线圈导体B11以及A11不在空隙AG11露出而被磁性体层包围。
在本实施例中,通过形成空隙AG11,直流重叠特性也稳定地提高。另外,在本实施例中,在与空隙AG11相同的高度位置也形成线圈导体C11,所以能够实现层叠体121的低背化并增加线圈导体的匝数提高线圈CIL01的电感值。
本实施例的层叠线圈部件101利用以下的要领制作。参照图3(A)~图3(I)以及图4,首先准备磁性生片(磁性体层)SH11~SH19,在磁性生片SH11~SH18的规定位置利用激光形成贯通孔,然后在形成的贯通孔填充导电性膏体。
由此,在磁性生片SH11形成通孔导体VH11a以及VH11b,在磁性生片SH12形成通孔导体VH12a以及VH12b,在磁性生片SH13形成通孔导体VH13a以及VH13b,在磁性生片SH14形成通孔导体VH14a以及VH14b。另外,在磁性生片SH15形成通孔导体VH15b,在磁性生片SH16形成通孔导体VH16a以及VH16b,在磁性生片SH17形成通孔导体VH17a以及VH17b,在磁性生片SH18形成通孔导体VH18a以及VH18b。
接着,利用图5(A)~图5(I)以及图6所示的要领在磁性生片SH11~SH19的一面(图5、图6中上面)印刷导电性膏体。其结果,在磁性生片SH11形成输入输出端子141a以及141b,在磁性生片SH12~SH18分别形成线圈导体B13、B12、B11、C11、A11、A12以及A13,而且在磁性生片SH19形成布线导体CL11。
其后,在设于磁性生片SH15的线圈导体C11的开口区域(在从层叠方向观察时被B13、B12、B11、C11、A11、A12以及A13描绘出的环的内周边包围的区域)印刷碳膏CP11(参照图7(A)以及图8(A))。并且,在磁性生片SH15的规定位置照射激光形成贯通孔,并在形成的贯通孔填充导电性膏体(参照图7(B)以及图8(B))。由此,在磁性生片SH15形成通孔导体VH15a。
通过依次层叠这样作成的磁性生片SH11~SH19并压接来得到图9所示的层叠体(生块)。若对生块进行烧制,则磁性生片SH11~SH19以及导电性膏体烧结,并且碳膏CP11烧毁。其结果,利用图10所示的要领完成具有空隙AG11的层叠线圈部件101。
[实施例2]
参照图11,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)102具有层叠多个磁性片而成的层叠体122。在层叠体122的内部埋入有分别呈带状的线圈导体(特定线圈导体)B21、线圈导体(追加线圈导体)C21以 及线圈导体(特定线圈导体)A21。线圈导体B21、C21以及A21依次在层叠方向并排并且串联连接,成为单一的线圈CIL02。另外,线圈导体B21以及A21在从层叠方向观察时描绘出环,线圈导体C21沿该环延伸。因此,线圈CIL02以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体122。
此外,线圈导体A21存在的高度位置的层叠体122的剖面亦即A21剖面如图12(A)所示,线圈导体C21存在的高度位置的层叠体122的剖面亦即C21剖面如图12(B)所示,线圈导体B21存在的高度位置的层叠体122的剖面亦即B21剖面如图12(C)所示。
在层叠方向上的中央位置(与线圈导体C21相同的高度位置)形成有空隙AG21。具体而言,空隙AG21在从层叠方向观察时形成在被线圈导体B21以及A21描绘出的环的内周边包围的区域。空隙AG21还遍及到在从层叠方向观察时线圈导体C21欠缺并且线圈导体B21以及A21存在的区域ARS(参照图12(B))。空隙AG21的厚度与线圈导体C21的厚度一致。线圈导体C21在其内周边侧在空隙AG21露出。
从空隙AG21到线圈导体A21的层叠方向的距离与从空隙AG21到线圈导体B21的层叠方向的距离相等。另外,空隙AG21在层叠方向位于线圈导体B21以及A21之间,线圈导体B21以及A21不在空隙AG21露出而被磁性体包围。
在本实施例中,空隙AG21也形成在从层叠方向观察时线圈导体C21欠缺并且线圈导体B21以及A21存在的区域ARS,所以能够进一步减少由线圈导体A21、B21以及C21产生的总磁通,而直流重叠特性进一步提高。
另外,通过在从层叠方向观察时将空隙AG21的外周边收纳于线圈导体B21以及A21描绘出的环的外周边,能够抑制在烧制时在磁性体产生裂缝。换言之,若空隙AG21的外周边从线圈导体A21以及B21描绘出的环的外周边突出,则在烧制时,处在空隙AG21与层叠体122的外侧面之间的磁性体部分容易产生裂缝,但通过如上述那样形成空隙AG21,能够抑制裂缝的产生。另外,由于从空隙AG21到线圈导体A21的距离与从空隙AG21到线圈导体B21的距离相等,所以能够进一步抑 制裂缝的产生、发展。
关于裂缝,根据应力的模拟结果可知(1)在线圈的外周边的外侧附近在纵向产生有较强的压缩应力,(2)在层叠方向上相邻的两个线圈导体之间在纵向产生有拉伸应力。参照图13对此进行说明。此外,在图13中,为了方便说明,省去线圈导体C21,在被线圈导体B21以及A21描绘出的环的外周边包围的区域形成空隙AG21。
若在空隙AG21的外周边的上下不存在线圈导体B21以及A21,则由于空隙AG21而纵向的压缩应力变小,在从层叠方向观察时裂缝容易从空隙AG21向处于外部方向的磁性体部分产生。相反,若在从层叠方向观察时在空隙AG21的外周边的上下存在线圈导体B21以及A21,则由于处在线圈导体B21以及A21的周围的较强的压缩应力,裂缝不容易从空隙AG21向外部方向产生。
另外,拉伸应力集中在层叠方向上的线圈导体B21以及A21之间的中央位置,所以为了缓和该应力,优选在应力集中的部分,即线圈导体B21以及A21之间的中央位置形成空隙AG21。
[实施例3]
参照图14,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)103具有层叠多个磁性片而成的层叠体123。在层叠体123的内部埋入有分别呈带状的线圈导体(特定线圈导体)B31、线圈导体(追加线圈导体)C31以及线圈导体(特定线圈导体)A31,并且埋入有布线导体CL31。线圈导体B31、C31以及A31依次在层叠方向并排并且串联连接,成为单一的线圈CIL03。另外,线圈导体B31以及A31在从层叠方向观察时描绘出环,线圈导体C31沿该环延伸。因此,线圈CIL03以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体123。
在层叠体123的下面设有输入输出端子143a以及143b。线圈CIL03的一端与输入输出端子143a直接连接,线圈CIL03的另一端经由布线导体CL31与输入输出端子143b连接。
在层叠方向上的中央位置(与线圈导体C31邻接且与线圈导体C31相比下侧的高度位置、以及与线圈导体C31相同的高度位置)形成有空 隙AG31。具体而言,在与线圈导体C31邻接且与线圈导体C31相比下侧的高度位置,空隙AG31形成在从层叠方向观察时被线圈导体B31以及A31描绘出的环的外周边包围的区域。另外,在与线圈导体C31相同的高度位置,空隙AG31形成在从层叠方向观察时被线圈导体B31以及A31描绘出的环的内周边包围的区域,并且遍及在从层叠方向观察时线圈导体C31欠缺并且线圈导体B31以及A31存在的区域。由此,线圈导体C31的图14中的下面侧(层叠方向侧)和内周边侧在空隙AG31露出。空隙AG31在层叠方向位于线圈导体B31以及A31之间,线圈导体B31以及A31不在空隙AG31露出而被磁性体层包围。
在本实施例中,空隙AG31的尺寸比上述的空隙AG21的尺寸大,所以直流重叠特性进一步提高。
本实施例的层叠线圈部件103利用以下的要领制作。参照图15(A)~图15(F),首先准备磁性生片SH31~SH35,在磁性生片SH31、SH32以及SH34的规定位置利用激光形成贯通孔,然后在形成的贯通孔填充导电性膏体。
由此,在磁性生片SH31形成通孔导体VH31a以及VH31b,在磁性生片SH32形成通孔导体VH32a以及VH32b,在磁性生片SH34形成通孔导体VH34a以及VH34b。
接着,在磁性生片SH31、SH32、SH34以及SH35印刷导电性膏体。其结果,在磁性生片SH31形成输入输出端子143a以及143b,在磁性生片SH32以及SH34分别形成线圈导体B31以及A31,而且在磁性生片SH35形成布线导体CL31。
对于磁性生片SH33首先在规定位置利用激光形成贯通孔,然后在形成的贯通孔填充导电性膏体。由此,以图15(D)以及图16(A)所示的要领作成通孔导体VH33a。接下来,在磁性生片SH33印刷相当于线圈导体C31的导电性膏体(参照图15(D)以及图16(A))。接着,在应该形成空隙AG31的区域印刷碳膏CP31(参照图16(A)),以隐藏线圈导体C31的方式进一步印刷碳膏CP31(参照图16(B))。也可以利用一次印刷工序形成该碳膏CP31。
其后,在磁性生片SH33的规定位置照射激光形成贯通孔,并在形 成的贯通孔填充导电性膏体。由此,在磁性生片SH33以及碳膏CP31的印刷位置形成通孔导体VH33b(参照图15(C)、图15(D)以及图16(C))。
经过这样的工序,得到图17所示的磁性生片SH31~SH35。图18所示的层叠体(生块)通过依次层叠图17所示的磁性生片SH31~SH35并压接来得到。若对该生块进行烧制,则磁性生片SH31~SH35以及导电性膏体烧结,并且碳膏CP31烧毁。其结果,以图19所示的要领完成具有空隙AG31的层叠线圈部件103。
[实施例4]
参照图20,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)104具有层叠多个磁性片而成的层叠体124。在层叠体124的内部埋入有分别呈带状的线圈导体B42、线圈导体(特定线圈导体)B41、带状的线圈导体(特定线圈导体)A41以及线圈导体A42。
此外,在实施例4~实施例8中参照的图20~图29中,省略布线导体、输入输出端子,仅图示主要部分构成。
如图21(A)~图21(E)所示,线圈导体A42、A41、B41以及B42具有共同的线宽度以及外形并且依次在层叠方向并排,并通过通孔导体VH4j、VH4h、VH4f以及VH4d串联连接。由此,形成线圈CIL04。在从层叠方向观察时,至少线圈导体A41以及B41描绘出环。线圈CIL04以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体124。线圈CIL04的一端经由通孔导体VH4b通到层叠体124的外部,线圈CIL04的另一端经由未图示的通孔导体通到层叠体124的外部。
在层叠方向上的中央位置形成有空隙AG41。更详细地说,空隙AG41在从层叠方向观察时形成在由线圈导体A41以及B41描绘出的环的内周边所包围的区域。另外,从空隙AG41到线圈导体A41的距离与从空隙AG41到线圈导体B41的距离相等。并且,空隙AG41在层叠方向上位于线圈导体B41以及A41之间,线圈导体B41以及A41不在空隙AG41露出而被磁性体层包围。
此外,图21(A)示出线圈导体A42存在的高度位置的层叠体124 的剖面亦即A42剖面,图21(B)示出线圈导体A41存在的高度位置的层叠体124的剖面亦即A41剖面,图21(C)示出空隙AG41存在的高度位置的层叠体124的剖面亦即AG41剖面。另外,图21(D)示出线圈导体B41存在的高度位置的层叠体124的剖面亦即B41剖面,图21(E)示出线圈导体B42存在的高度位置的层叠体124的剖面亦即B42剖面。
在本实施例中,由于空隙AG41的形成区域在从层叠方向观察时收纳于被线圈导体A41以及B41描绘出的环的内周边包围的区域,所以能够有效地抑制烧制时的裂缝的产生。
[实施例5]
参照图22,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)105具有层叠多个磁性片而成的层叠体125。在层叠体125的内部埋入有分别呈带状的线圈导体B52、线圈导体(特定线圈导体)B51、线圈导体(特定线圈导体)A51以及线圈导体A52。
如图23(A)~图23(E)所示,线圈导体A52、A51、B51以及B52具有共同的线宽度以及外形并且依次在层叠方向并排,并通过通孔导体VH5j、VH5h、VH5f以及VH5d串联连接。由此,形成线圈CIL05。在从层叠方向观察时,至少线圈导体A51以及B51描绘出环。线圈CIL05以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体125。线圈CIL05的一端经由通孔导体VH5b通到层叠体125的外部,线圈CIL05的另一端经由未图示的通孔导体通到层叠体125的外部。
在层叠方向上的中央位置形成有空隙AG51。更详细地说,空隙AG51在从层叠方向观察时形成在被线圈导体A51以及B51描绘出的环的内周边包围的区域,并且在从层叠方向观察时形成在线圈导体A51以及B51重叠的区域。另外,从空隙AG51到线圈导体A51的层叠方向的距离与从空隙AG51到线圈导体B51的层叠方向的距离相等。并且,空隙AG51被线圈导体B51以及A51夹着,线圈导体B51以及A51不在空隙AG51露出而被磁性体层包围。
此外,图23(A)示出线圈导体A52存在的高度位置的层叠体125的剖面亦即A52剖面,图23(B)示出线圈导体A51存在的高度位置 的层叠体125的剖面亦即A51剖面,图23(C)示出空隙AG51存在的高度位置的层叠体125的剖面亦即AG51剖面。另外,图23(D)示出线圈导体B51存在的高度位置的层叠体125的剖面亦即B51剖面,图23(E)示出线圈导体B52存在的高度位置的层叠体125的剖面亦即B52剖面。
在本实施例中,空隙AG51在从层叠方向观察时也遍及线圈导体A51以及B51重叠的区域,所以能够提高直流重叠特性,并抑制烧制时的裂缝的产生。此外,空隙AG51的大小在从层叠方向观察时在线圈导体A51以及B51重叠的区域的外形的大小以下即可。
[实施例6]
参照图24,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)106具有层叠多个磁性片而成的层叠体126。在层叠体126的内部埋入有分别呈带状的线圈导体B62、线圈导体(特定线圈导体)B61、线圈导体(特定线圈导体)A61以及线圈导体A62。
如图25(A)~图25(D)所示,线圈导体A62、A61、B61以及B62具有不同的线宽度以及外形并且依次在层叠方向并排,并通过通孔导体VH6j、VH6h、VH6f、VH6d以及VH6b串联连接。由此形成线圈CIL06。在从层叠方向观察时,至少线圈导体A61以及B61描绘出环。线圈CIL06以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体126。线圈CIL06的一端经由通孔导体VH6b通到层叠体126的外部,线圈CIL06的另一端经由未图示的通孔导体通到层叠体126的外部。
在层叠方向上的中央位置形成有空隙AG61。更详细地说,空隙AG61在从层叠方向观察时形成在被线圈导体A61以及B61描绘出的环的内周边包围的区域。另外,从空隙AG61到线圈导体A61的层叠方向的距离与从空隙AG61到线圈导体B61的层叠方向的距离相等。并且,空隙AG61在层叠方向上位于线圈导体B61以及A61之间,线圈导体B61以及A61不在空隙AG61露出而被磁性体包围。
此外,图25(A)示出线圈导体A62存在的高度位置的层叠体126的剖面亦即A62剖面,图25(B)示出线圈导体A61存在的高度位置的层叠体126的剖面亦即A61剖面,图25(C)示出空隙AG61存在的 高度位置的层叠体126的剖面亦即AG61剖面。另外,图25(D)示出线圈导体B61存在的高度位置的层叠体126的剖面亦即B61剖面,图25(E)示出线圈导体B62存在的高度位置的层叠体126的剖面亦即B62剖面。
在本实施例中,在线圈导体A62、A61、B61以及B62之间允许线宽度以及外形不同,所以能够对线圈CIL06的电感值进行微调。另外,即使线圈导体A62、A61、B61以及B62在层叠时在平面方向稍微产生位置偏移,线圈导体彼此的对置面积也不容易改变,线圈导体间产生的杂散电容的值也不容易变动。因此,不容易引起层叠时的位置偏移所伴随的特性变动。
[实施例7]
参照图26,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)107具有层叠多个磁性片而成的层叠体127。在层叠体127的内部埋入有分别呈带状的线圈导体(特定线圈导体)B71、线圈导体(追加线圈导体)C71以及线圈导体(特定线圈导体)A71。
如图27(A)~图27(C)所示,线圈导体A71、C71以及B71具有共同的线宽度以及外形并呈螺旋状,并依次在层叠方向并排。线圈导体A71、C71以及B71还通过通孔导体VH7f、VH7d以及VH7b串联连接。由此,形成线圈CIL07。线圈CIL07以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体127。线圈CIL07的一端经由通孔导体VH7b通到层叠体127的外部,线圈CIL07的另一端经由未图示的通孔导体通到层叠体127的外部。
在层叠方向上的中央位置(与线圈导体C71相同的高度位置)形成有空隙AG71。详细而言,空隙AG71形成在从层叠方向观察时与线圈导体C71外接的矩形区域中除了线圈导体C71以外的区域。从空隙AG71(线圈导体C71)到线圈导体A71的层叠方向的距离与从空隙AG71(线圈导体C71)到线圈导体B71的层叠方向的距离相等。并且,空隙AG71在层叠方向位于线圈导体B71以及A71之间,线圈导体B71以及A71不在空隙AG71露出而被磁性体包围。
在本实施例中,空隙AG71形成在从层叠方向观察时与线圈导体 C71外接的矩形区域中除了线圈导体C71之外的区域,所以能够有效地遮断进而减少由线圈导体A71、C71以及B71产生的总磁通。另外,由于线圈导体A71、C71以及B71的各个呈螺旋状,所以能够提高电感值。
[实施例8]
参照图28,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)108具有层叠多个磁性片而成的层叠体128。在层叠体128的内部埋入有分别呈带状的线圈导体B82、线圈导体(特定线圈导体)B81、线圈导体(特定线圈导体)A81以及线圈导体A82。
如图29(A)~图29(E)所示,线圈导体A82、A81、B81以及B82具有不同的线宽度以及外形并且依次在层叠方向并排。线圈导体A82通过通孔导体VH8j与线圈导体A81串联连接,线圈导体B81通过通孔导体VH8d与线圈导体B82串联连接。另外,线圈导体A81通过通孔导体VH8h、VH8h′、VH8f以及VH8f′与线圈导体B81并联连接。并且,在从层叠方向观察时,线圈导体A82、A81、B81以及B82描绘出环。
这样形成的线圈CIL08以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体128。此外,线圈CIL08的一端经由通孔导体VH8b通到层叠体128的外部,线圈CIL08的另一端经由未图示的通孔导体通到层叠体128的外部。
在层叠方向上的中央位置形成有空隙AG81。更详细地说,空隙AG81形成在从层叠方向观察时被线圈导体A82、A81、B81以及B82描绘出的环的外周边包围的区域。另外,从空隙AG81到线圈导体A81的距离与从空隙AG81到线圈导体B81的距离相等。并且,空隙AG81在层叠方向被线圈导体B81以及A81夹着,线圈导体B81以及A81不在空隙AG81露出而被磁性体层包围。
此外,图29(A)示出线圈导体A82存在的高度位置的层叠体128的剖面亦即A82剖面,图29(B)示出线圈导体A81存在的高度位置的层叠体128的剖面亦即A81剖面,图29(C)示出空隙AG81存在的高度位置的层叠体128的剖面亦即AG81剖面。另外,图29(D)示出线圈导体B81存在的高度位置的层叠体128的剖面亦即B81剖面,图29(E)示出线圈导体B82存在的高度位置的层叠体128的剖面亦即B82 剖面。
在本实施例中,线圈导体A81以及B81并联连接,所以能够抑制线圈的直流电阻成分。
[实施例9]
参照图30,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)109具有层叠多个磁性片而成的层叠体129。在层叠体129的内部依次埋入有分别呈带状的线圈导体D92、线圈导体(特定线圈导体)D91、线圈导体(追加线圈导体)C92、线圈导体(特定线圈导体)B91、线圈导体(追加线圈导体)C91、线圈导体(特定线圈导体)A91以及线圈导体A92。
线圈导体D92、D91、C92、B91、C91、A91以及A92串联连接而成为单一的线圈CIL09。在从层叠方向观察时,至少线圈导体A91、B91以及D91描绘出环。线圈CIL09以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体129。线圈CIL09的一端以及另一端分别与形成在层叠体129的下面的输入输出端子149a以及149b连接。
在与线圈导体C91相同的高度位置形成有空隙AG91,在与线圈导体C92相同的高度位置形成有空隙AG92。具体而言,空隙AG91的厚度与线圈导体C91的厚度一致,空隙AG92的厚度与线圈导体C92的厚度一致。线圈导体C91在其内周边侧在空隙AG91露出,线圈导体C92在其内周边侧在空隙AG92露出。另外,空隙AG91以及AG92均形成在从层叠方向观察时被线圈导体A91、B91以及D91描绘出的环的内周边包围的区域。
而且,空隙AG91在层叠方向上位于线圈导体B91以及A91之间,线圈导体B91以及A91不在空隙AG91露出而被磁性体包围。同样地,空隙AG92在层叠方向上位于线圈导体D91以及B91之间,线圈导体D91以及B91不在空隙AG92露出而被磁性体包围。
在本实施例中,在层叠体129形成两个空隙AG91以及AG92,所以直流重叠特性进一步提高。
[实施例10]
参照图31,本实施例的层叠线圈部件(LGA电感器)1010具有层叠多个磁性片而成的层叠体1210。在层叠体1210的内部依次埋入有分别呈带状的线圈导体B103、线圈导体B102、线圈导体(特定线圈导体)B101、线圈导体(追加线圈导体)C102、线圈导体(追加线圈导体)C101、线圈导体(特定线圈导体)A101以及线圈导体A102。
线圈导体B103、B102、B101、C102、C101、A101以及A102串联连接成为单一的线圈CIL10。在从层叠方向观察时,至少线圈导体A101以及B101描绘出环。线圈CIL10以卷绕轴向层叠方向延伸的姿势埋入层叠体1210。线圈CIL10的一端以及另一端分别与形成在层叠体1210的下面的输入输出端子1410a以及1410b连接。
空隙AG101形成在层叠方向上跨越线圈导体C101以及C102的位置,并且在从层叠方向观察时被线圈导体A61以及B61描绘出的环的内周边包围的区域。线圈导体C101以及C102在其内周边侧在空隙AG101露出。另外,空隙AG101在层叠方向上位于线圈导体B101以及A101之间,线圈导体B101以及A101不在空隙AG101露出而被磁性体层包围。
在本实施例中,空隙AG101跨越线圈导体C101以及C102形成,所以直流重叠特性进一步提高。
本实施例的层叠线圈部件1010利用以下的要领制作。参照图32(A)~图32(I),首先准备磁性生片SH101~SH109,在磁性生片SH101~SH104、SH107以及SH108的规定位置利用激光形成贯通孔,然后在形成的贯通孔填充导电性膏体。
由此,在磁性生片SH101形成通孔导体VH101a以及VH101b,在磁性生片SH102形成通孔导体VH102a以及VH102b,在磁性生片SH103形成通孔导体VH103a以及VH103b。另外,在磁性生片SH104形成通孔导体VH104a以及VH104b,在磁性生片SH107形成通孔导体VH107a以及VH107b,并在磁性生片SH108形成通孔导体VH108a以及VH108b。
接着,利用图32(A)~图32(D)以及图32(G)~图32(I)所示的要领,在磁性生片SH101~SH104以及SH107~SH109印刷导电性 膏体。其结果,在磁性生片SH101形成输入输出端子1410a以及1410b,在磁性生片SH102~SH104、SH107以及SH108分别形成线圈导体B103、B102、B101、A101以及A102,而且在磁性生片SH109形成布线导体CL101。
另外,在磁性生片SH105利用激光形成相当于空隙AG101的贯通孔HL105,并印刷相当于线圈导体C102的导电性膏体(参照图32(E)以及图33(A))。在磁性生片SH106印刷有相当于线圈导体C101的导电性膏体(参照图32(F)以及图33(B))。
接着,将磁性生片SH105与磁性生片SH106层叠、压接而制作图33(C)所示的层叠体LB101,利用图33(D)所示的要领在相当于空隙AG101的位置填充碳膏CP101。
其后,在层叠体LB101的规定位置照射激光形成贯通孔,然后在形成的贯通孔填充导电性膏体(参照图33(E))。由此,在相当于磁性生片SH105的高度位置形成通孔导体VH105a以及VH105b(参照图32(E)),并在相当于磁性生片SH106的高度位置形成通孔导体VH106a以及VH106b(参照图32(F))。
若像这样得到图34所示的磁性生片SH101~SH104、层叠体LB101、磁性生片SH107~SH109,则依次层叠这些部件并压接。由此,制作图35所示的层叠体(生块)。若对生块进行烧制,则磁性生片SH101~SH109以及导电性膏体烧结,并且碳膏CP101烧毁。其结果,利用图36所示的要领完成具有空隙AG101的层叠线圈部件1010。
此外,在上述的实施例1~10中,空隙在从层叠体的层叠方向观察时是收纳于环的外缘的大小,但也可以形成在与环的外缘相比外侧的区域。但是,为了抑制裂缝产生,优选空隙如实施例1~10那样在从层叠体的层叠方向观察时是收纳于环的外缘的大小。
此外,在上述的实施例1~10中,假定在层叠体埋入单一的线圈,但也可以在层叠体埋入多个线圈。
例如根据图37,在构成层叠线圈部件(DC-DC转换器)1011的层叠体1211埋入具有相互不同的卷绕轴的线圈CIL11a以及CIL11b。 线圈CIL11a的卷绕轴以及线圈CIL11b的卷绕轴均向层叠方向延伸。空隙AG111a形成在从层叠方向观察时被线圈CIL11a描绘出的环的内周边包围的区域并且形成在层叠方向上的中央的位置。空隙AG111b形成在从层叠方向观察时被线圈CIL11b描绘出的环的内周边包围的区域并且形成在层叠方向上的中央的位置。
在层叠线圈部件1011的上面安装有分别与线圈CIL11a以及CIL11b连接的集成电路1611以及电容器1811。由此,构成线圈模块MD11。
若没有空隙AG111a以及AG111b,则在烧制层叠体(生块)时,线圈CIL111a或者CIL111b的开口部分的厚度比线圈CIL111a或者CIL111b的导体部分的厚度薄,容易在烧制后的层叠体1211的表面产生凹凸。但是,在形成空隙AG111a以及AG111b的情况下,能够抑制凹凸为了形成空隙而印刷的碳膏的厚度的量。该效果在层叠线圈部件1011的上面安装其它的部件的情况下,特别显著地表现出来。
另外,根据图38,在构成层叠线圈部件(DC-DC转换器)1012的层叠体1212埋入具有相互不同的卷绕轴的线圈CIL12a以及CIL12b。线圈CIL12a的卷绕轴以及线圈CIL12b的卷绕轴均向层叠方向延伸。空隙AG112a形成在从层叠方向观察时被线圈CIL12a描绘出的环的内周边包围的区域并且形成在层叠方向上的中央的位置。空隙AG112b形成在从层叠方向观察时被线圈CIL12b描绘出的环的内周边包围的区域并且形成在层叠方向上的中央稍下侧的位置。
在层叠线圈部件1012的上面安装有分别与线圈CIL12a以及CIL12b连接的集成电路1612以及电容器1812。由此,构成线圈模块MD12。
如该层叠线圈部件1012那样通过在空隙AG112a以及AG112b之间变更形成位置,能够使电感值在线圈CIL12a以及CIL12b之间不同。
而且,根据图39,在构成层叠线圈部件(DC-DC转换器)1013的层叠体1213埋入具有相互不同的卷绕轴的线圈CIL13a以及CIL13b。线圈CIL13a的卷绕轴以及线圈CIL13b的卷绕轴均向层叠方向延伸。
空隙AG113a形成在从层叠方向观察时被线圈CIL13a描绘出的环的内周边包围的区域并且形成在层叠方向上的中央的位置。空隙AG113b形成在从层叠方向观察时被线圈CIL12b描绘出的环的内周边包围的区域并且形成在层叠方向上的中央的位置。另外,空隙AG113c形成在从层叠方向观察时被线圈CIL12a以及CIL12b夹着的位置并且形成在层叠方向上的中央的位置。如根据图40所明确的那样,空隙AG113c与空隙AG113a连通。
在层叠线圈部件1013的上面安装有分别与线圈CIL13a以及CIL13b连接的集成电路1613以及电容器1813。由此,构成线圈模块MD13。
通过如该层叠线圈部件1013那样追加设置空隙AG113c,直流重叠特性进一步提高。另外,由于空隙AG113c设在线圈CIL13a以及CIL13b之间,所以有在烧制时不容易产生裂缝这样的优点。
此外,虽然上述的实施例1~实施例10与图1所示的基本结构具有不同的特征,但能够在不相互矛盾的范围内任意地组合这些特征。例如,在第十实施例(参照图31)中,单一的空隙AG01形成在跨越线圈导体C101以及C102的位置。但是,也可以与图30所示的实施例9的特征组合,在层叠体形成分别跨越多个线圈导体的多个空隙。
另外,对于图37~图39所示的线圈模块MD11~MD13各自的结构,也能够基于实施例1~实施例10具有的特征适当地变更。
并且,在除了实施例9等的一部分之外的实施例中,空隙设置在层叠方向的中央附近,但并不限定于此,在发明的主旨的范围内可以在层叠方向的任何位置。
附图标记的说明:100~109、1010~1013…层叠线圈部件,120~129、1210~1213…层叠体,A01、A11~A13、A21、A31、A41~A42、A51~A52、A61~A62、A71、A81~A82、A91~A92、A101~A102、B01、B11~B13、B21、B31、B41~B42、B51~B52、B61~B62、B71、B81~B82、B91、B101~B103、C11、C21、C31、C71、C91~C92、C101~C102、D91~D92…线圈导体,AG01、AG11、AG21、AG31、AG41、AG51、AG61、AG71、AG81、AG91~AG92、AG101…空隙,CIL00~CIL10、CIL11a~CIL11b、 CIL12a~CIL12b、CIL13a~CIL13b…线圈。

Claims (14)

1.一种层叠线圈部件,具备:具有层叠的多个磁性体层的层叠体;和以卷绕轴在层叠方向延伸的姿势被埋入到上述层叠体的线圈,
上述线圈包括多个线圈导体,上述多个线圈导体在上述多个磁性体层分别形成为从上述层叠方向观察时描绘出环,
在被从上述层叠方向观察时上述多个线圈导体描绘出的环的内周边包围的区域形成有空隙,
上述多个线圈导体包括在上述层叠方向上夹着上述空隙的两个特定线圈导体,
上述两个特定线圈导体不在上述空隙露出而被磁性体层包围,
从上述层叠方向观察时,上述空隙扩展至与上述两个特定线圈导体中至少一个的一部分重叠的位置而形成。
2.根据权利要求1所述的层叠线圈部件,其中,
上述多个线圈导体包括设置于上述层叠方向上与上述空隙重叠的位置的一个或者多个追加线圈导体。
3.根据权利要求2所述的层叠线圈部件,其中,
上述追加线圈导体在其内周边侧在上述空隙露出。
4.根据权利要求2所述的层叠线圈部件,其中,
上述追加线圈导体在上述层叠方向上在上述空隙露出。
5.根据权利要求3所述的层叠线圈部件,其中,
上述追加线圈导体在上述层叠方向上在上述空隙露出。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的层叠线圈部件,其中,
上述空隙具有从上述层叠方向观察时收纳于上述环的外缘的大小。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的层叠线圈部件,其中,
从上述两个特定线圈导体的各个到上述空隙的上述层叠方向的距离相互一致。
8.根据权利要求6所述的层叠线圈部件,其中,
从上述两个特定线圈导体的各个到上述空隙的上述层叠方向的距离相互一致。
9.根据权利要求1~5、8中任一项所述的层叠线圈部件,其中,
上述空隙分别设置在上述层叠方向上的多个位置。
10.根据权利要求6所述的层叠线圈部件,其中,
上述空隙分别设置在上述层叠方向上的多个位置。
11.根据权利要求7所述的层叠线圈部件,其中,
上述空隙分别设置在上述层叠方向上的多个位置。
12.一种层叠线圈部件,具备:具有层叠的多个磁性体层的层叠体;和以卷绕轴在层叠方向延伸的姿势被埋入到上述层叠体的线圈,
上述线圈包括多个线圈导体,上述多个线圈导体在上述多个磁性体层分别形成为从上述层叠方向观察时描绘出环,
在被从上述层叠方向观察时上述多个线圈导体描绘出的环的内周边包围的区域形成有空隙,
上述多个线圈导体包括在上述层叠方向上夹着上述空隙的两个特定线圈导体,
上述两个特定线圈导体不在上述空隙露出而被磁性体层包围,
上述空隙形成为跨越上述多个线圈导体中两个以上的线圈导体。
13.一种层叠线圈部件,具备:具有层叠的多个磁性体层的层叠体;和以卷绕轴在层叠方向延伸的姿势被埋入到上述层叠体的线圈,
上述线圈包括多个线圈导体,上述多个线圈导体在上述多个磁性体层分别形成为从上述层叠方向观察时描绘出环,
在被从上述层叠方向观察时上述多个线圈导体描绘出的环的内周边包围的区域形成有空隙,
上述多个线圈导体包括在上述层叠方向上夹着上述空隙的两个特定线圈导体,
上述两个特定线圈导体不在上述空隙露出而被磁性体层包围,
多个卷绕体的各个作为上述线圈被埋入上述层叠体,
上述层叠方向上的从上述线圈的中心位置到上述空隙的距离在上述多个卷绕体之间不同。
14.一种层叠线圈部件,具备:具有层叠的多个磁性体层的层叠体;和以卷绕轴在层叠方向延伸的姿势被埋入到上述层叠体的线圈,
上述线圈包括多个线圈导体,上述多个线圈导体在上述多个磁性体层分别形成为从上述层叠方向观察时描绘出环,
在被从上述层叠方向观察时上述多个线圈导体描绘出的环的内周边包围的区域形成有空隙,
上述多个线圈导体包括在上述层叠方向上夹着上述空隙的两个特定线圈导体,
上述两个特定线圈导体不在上述空隙露出而被磁性体层包围,
多个卷绕体的各个作为上述线圈被埋入上述层叠体,
上述层叠体在从上述层叠方向观察时在上述多个卷绕体之间具有不同的空隙。
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