JPWO2005034586A1 - 電界発光素子 - Google Patents
電界発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2005034586A1 JPWO2005034586A1 JP2005514359A JP2005514359A JPWO2005034586A1 JP WO2005034586 A1 JPWO2005034586 A1 JP WO2005034586A1 JP 2005514359 A JP2005514359 A JP 2005514359A JP 2005514359 A JP2005514359 A JP 2005514359A JP WO2005034586 A1 JPWO2005034586 A1 JP WO2005034586A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- organic
- light emitting
- organic layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 158
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 150
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 126
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 45
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 45
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 32
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 13
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- -1 fluororesin Polymers 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylthiophene Chemical compound CC=1C=CSC=1 QENGPZGAWFQWCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(Cl)Cl QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(oxomethylidene)benzenesulfonamide Chemical compound CC1=CC=C(S(=O)(=O)N=C=O)C=C1 VLJQDHDVZJXNQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018580 Al—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910019001 CoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019974 CrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010027146 Melanoderma Diseases 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005881 NiSi 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VCVMIAHADDDFPT-UHFFFAOYSA-N O1C(=O)C=CC2=CC=CC=C12.[P] Chemical compound O1C(=O)C=CC2=CC=CC=C12.[P] VCVMIAHADDDFPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMNSBGIGCYLELB-UHFFFAOYSA-N [P].C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 Chemical compound [P].C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 LMNSBGIGCYLELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPSJTUBQDJEBDZ-UHFFFAOYSA-N [P].O1CC=CC=C1 Chemical compound [P].O1CC=CC=C1 DPSJTUBQDJEBDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- RGKMZNDDOBAZGW-UHFFFAOYSA-N aluminum calcium Chemical compound [Al].[Ca] RGKMZNDDOBAZGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001572 beryllium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910001622 calcium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L calcium dibromide Chemical compound [Ca+2].[Br-].[Br-] WGEFECGEFUFIQW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000012255 calcium oxide Nutrition 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001882 coronenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M phenolate Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940031826 phenolate Drugs 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021340 platinum monosilicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical class C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K vanadium(iii) bromide Chemical compound [V+3].[Br-].[Br-].[Br-] ZOYIPGHJSALYPY-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229960001296 zinc oxide Drugs 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
Description
したがって、有機層における電流密度は、位置によって異なるという問題が生じる。このメカニズムについて以下に説明する。
電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所とが存在するために、素子全体として輝度むらが生じる。有機電界発光素子の輝度は、流れる電流が大きくなるほど高くなるため(例えば非特許文献1を参照。)、電流が多く流れる箇所と少なくしか流れない箇所が存在すると両者の間で輝度の差が生じ、輝度むらとなるためである。
例えば、電圧印加用の取出部(上記端子部)を多数箇所設ける従来技術がある(例えば、特許文献1を参照。)。しかし、有機EL素子が組み込まれる携帯端末等の装置は大きさが限定されるため、有機EL素子の大きさも限定される。したがって、この従来技術のように取出部を多数設けることは、上記問題を解決するには有効であるが、実際上採用することは極めて困難である。また、端子部を複数設けると、これと外部駆動回路とを接続するための配線が上記装置内に占める割合も大きくなるという問題がある。
前記電界発光素子は、前記発光部となる部分にのみ有機層が設けられているのが好ましい。
前記電界発光素子は、無機電界発光素子としてもよい。
まず、発光部21及び非発光部22について説明する。
有機層20は、有機発光材料を含有し、透明電極10と背面電極30との間に電圧が印加されると電流が流れて光を発する層である。より詳細には、電圧が印加された際に実際に発光する部位(発光部21)と、発光しない部位(非発光部22)とを備える。
次に、非発光部22の具体的構成及び非発光部22の具体的形成方法について説明する。
非発光部22は、前記したように、有機EL素子1において、透明電極10と背面電極30との間に電圧が印加されても発光しない部分であり、具体的には例えば以下のような構成によって発光しない領域を設けることができる。
すなわち、図3(a)に示すように、有機層20の背面電極30側に接するように絶縁部40を設けて非発光部22を形成したり、図3(b)に示すように、有機層20の透明電極10側に接するように絶縁部40を設けて非発光部22を形成したりすればよい。また、図3(c)に示すように絶縁部40を有機層20の両側に設けてもよい。
これによって、電圧印加時に、有機層の絶縁部40と対応する部分に電荷(正孔及び/又は電子)が注入されなくなるため、非発光部22の有機層20から光が発せられない。
なお、有機層20が積層構造を採用する場合には、有機層20を構成する層中の少なくとも一箇所に絶縁部40を設けてもよい。
より具体的に言えば、好ましい透明性ポリマーとしては、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、フッ素系樹脂、ポリアクリレート、ポリキノリン、ポリオキサジアゾール、環状構造を有するポリオレフィン、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリサルフォン、ラダー型ポリシロキサン等が挙げられる。
当然、絶縁部40に前記した以外の公知の機能を持たせることも可能である。
なお、散乱機能や反射機能は、絶縁部40の表面のみに設けるなど、絶縁部40の一部にのみ設けてもよい。
例えば図4(a)に示すように、非発光部22における有機層20を設けないようにしたり、図4(b)に示すように、非発光部22における背面電極30を設けないようにしたり、図4(c)に示すように、非発光部22における透明電極10を設けないようにしたりしても非発光部22を形成できる。当然、これらの複数の層、さらにはすべての層を設けなくても非発光部22を構成できる。
また、この構成を採用すれば、非発光部22において設けない層を有する分、有機EL素子1形成に必要な材料の量を少なくすることも可能になる。
・マスク等を用いた、微細領域に薄膜を形成する方法を用いて発光部21にのみ透明電極10等を設ける。
・印刷法等の微細領域に薄膜を形成できる方法を用いて透明電極10等を設ける。
・一旦透明電極10等を設けた後に非発光部22に対応する部分の透明電極10等を機械削剥やドライエッチング、ウェットエッチングなどの公知の微細加工法(除去法)を用いて除去する。
有機層20は体積抵抗率が高いために、前記した構成を採用すれば、非発光部22を通る電流経路の抵抗率が高くなり、発光部21よりも電流が流れにくくなり、実質的に発光しなくなる。
有機層20を透明電極10上に略均一に形成した後、非発光部22に位置する有機層20に対して紫外線を照射したりレーザを照射したりするなどして、有機層20を変質させることで、電圧が印加されても発光させないようにする。このように処理された領域を非発光部22とすればよい。
次に、有機層20の一般的構成や製法等について説明する。
有機層20は、透明電極10と背面電極30との間に設けられるとともに、両電極に電圧が印加されることで発光する有機発光材料を含有する層であり、公知の有機EL素子における公知の層構成及び公知の材料を使用すればよく、公知の製造方法によって製造できる。
・電子注入機能
電極(陰極)から電子を注入される機能。電子注入性。
・正孔注入機能
電極(陽極)から正孔(ホール)を注入される機能。正孔注入性。
・キャリア輸送機能
電子及び正孔の少なくとも一方を輸送する機能。キャリア輸送性。
電子を輸送する機能は電子輸送機能(電子輸送性)と言い、正孔を輸送する機能は正孔輸送機能(正孔輸送性)と言う。
・発光機能
注入・輸送された電子及び正孔を再結合させて励起子を発生させ(励起状態となり)、基底状態に戻る際に光を発する機能。
〈電極〉
透明電極10及び背面電極30は、一方が陽極として機能し、他方が陰極として機能する。本実施形態においては、いずれの電極が陽極であっても(陰極であっても)構わない。まず、陽極について説明する。
陽極は、有機層20に正孔(ホール)を注入する電極である。
陽極形成用の材料は、上記した性質を電極に付与する材料であればよく、一般には金属、合金、電気伝導性の化合物及びこれらの混合物等、公知の材料が選択される。
ITO(インジウム−スズ−オキサイド)、IZO(インジウム−亜鉛−オキサイド)、酸化スズ、酸化亜鉛、亜鉛アルミニウム酸化物、窒化チタン等の金属酸化物や金属窒化物;
金、白金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉛、クロム、モリブデン、タングステン、タンタル、ニオブ等の金属;
これらの金属の合金やヨウ化銅の合金等、
ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリフェニレンスルフィド等の導電性高分子
など。
また、コントラスト等を防止したり、外光の反射を防止したりするために、背面電極30に光の吸収機能を持たせてもよい。背面電極30に吸収機能を持たせるには、前記したような材料の中から、電極を形成した際に吸収機能を発揮する材料を適宜選択すればよい。
陽極は、上記したような材料一種のみで形成してもよく、複数を混合して形成してもよい。また、同一組成又は異種組成の複数層からなる複層構造であってもよい。
陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω/□以下、より好ましくは、5〜50Ω/□程度に設定される。
有機EL素子の短絡や欠陥の発生を抑制するためには、粒径を微小化する方法や成膜後に研磨する方法により、表面の粗さを二乗平均値として20nm以下に制御するとよい。
陰極は、有機層20(上記層構成では電子注入輸送層)に電子を注入する電極である。
陰極形成用の材料としては、電子注入効率を高くするために仕事関数が例えば4.5eV未満、一般には4.0eV以下、典型的には3.7eV以下の金属や合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物が採用される。
・陰極の酸化を防ぐため、陰極の有機層20と接しない部分に、耐食性のある金属からなる保護層を設ける。
この保護層形成用の材料としては例えば銀やアルミニウムなどが好ましく用いられる。
例えば、陰極の材料をアルミニウムとし、界面部分にフッ化リチウムや酸化リチウムを挿入したものも用いられる。
陰極のシート電気抵抗は、数百Ω/□以下に設定することが好ましい。
次いで、有機EL素子1に好ましく採用される層や部材について説明する。
透明電極10と背面電極30とが短絡しないようにするために、有機層20の外周に絶縁層を設けるとよい。このように絶縁層を設けることで、電気的に隣接する発光領域の透明電極10やその背面電極30が有機層20と接触することも防止できる。
補助電極を設けることも当然に可能である。補助電極は、陽極及び/又は陰極に電気的に接続するように設けられ、接続する電極よりも体積抵抗率の低い材料で構成される。このような材料により補助電極を形成すれば、補助電極が設けられた電極全体の体積抵抗率を下げることが可能となり、有機層20を構成する各点に流れる電流の大きさの最大差を、補助電極を設けない場合と比べて小さくできる。
この理由は、かかる膜厚が100nm未満となると、抵抗値が大きくなり、補助電極として好ましくなく、一方、かかる膜厚が数10μmを超えると平坦化しにくくなり、有機EL素子1の欠陥が生じるおそれがあるためである。
この理由は、かかる幅が2μm未満となると、補助電極の抵抗が大きくなる場合があるためであり、一方、かかる幅が1000μmを超えると、外部への光の取り出しを妨害する場合があるためである。
有機層20等を外気から保護するために、有機EL素子1をパッシベーション膜や封止缶によって保護してもよい。
次に基板について説明する。
基板は、有機EL素子1を支える、主として板状の部材である。有機EL素子1は、構成する各層が非常に薄いため、一般に基板によって支えられた有機EL装置として作製される。
また、基板は、有機層20よりも光取り出し側にある場合には取り出す光に対して透明とされる。この実施形態の有機EL素子1はボトムエミッション型の素子であるため、基板は、透明であり、また、透明基板9の有機EL素子1と接する平面とは反対側の平面が光取出面90とされる。
また、トップエミッション型装置として構成しても、両側から光を取り出す装置として構成してもよいことは前記したとおりである。
次に、上記有機EL素子1の作用及び効果について説明する。
有機EL素子1における透明電極10及び背面電極30は、それぞれの端子部11、31で外部駆動回路と接続される。そして、外部駆動回路によって有機EL素子に電圧が印加されると、有機層に電圧が印加される。この際、発光部21は発光し、非発光部22は発光しない。
また、前記した説明中に記載した各作用や効果も当然得ることができる。
また、上記有機EL装置はボトムエミッション型であるが、トップエミッション型に構成したり、両側から光を取り出せるようにしたりしても当然によい。
Claims (16)
- 一対の電極に少なくとも電圧の印加により発光しうる電界発光素子であって、
前記電界発光素子は、発光部と非発光部とを有し、
前記発光部及び非発光部は、素子の輝度分布を所望状態にするための分布となるように設けられていることを特徴とする電界発光素子。 - 前記発光部及び非発光部は、素子の輝度分布が全体として略均一になるように設けられている請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記一対の電極において体積抵抗率が高い材料で形成された方の電極は平面状に形成され、前記非発光部は、前記体積抵抗率が高い材料で形成された方の電極の端子部の位置から物理的に近い位置ほど、単位面積当たりに占める面積が大きくなるように設けられている請求項2に記載の電界発光素子。
- 前記一対の電極において体積抵抗率が高い材料で形成された方の電極は平面状に形成され、前記発光部は、前記体積抵抗率が高い材料で形成された方の電極の端子部の位置から物理的に遠い位置ほど、単位面積当たりに占める面積が大きくなるように設けられている請求項2に記載の電界発光素子。
- 前記発光部及び非発光部は、素子の輝度分布として素子の中央部分が他の部分より明るくなるように設けられている請求項1に記載の電界発光素子。
- 前記非発光部は、該非発光部を設けない状態から前記電界発光素子の発光時の輝度を低下させたい割合が大きい領域ほど、単位面積当たりに占める面積が大きくなるように設けられている請求項5に記載の電界発光素子。
- 前記電界発光素子は、一対の電極間に少なくとも電圧の印加により発光しうる有機層が挟まれた有機電界発光素子である請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の電界発光素子。
- 前記非発光部は、前記一対の電極の陰極と前記有機層との間に、陰極の材料より仕事関数の大きな材料で形成された部位が設けられることにより構成されている請求項7に記載の電界発光素子。
- 前記非発光部は、前記一対の電極の陽極と前記有機層との間に、陽極の材料より仕事関数の小さな材料で形成された部位が設けられることにより構成されている請求項7に記載の電界発光素子。
- 前記非発光部は、前記有機層が発光不能に変質されることにより構成されている請求項7に記載の電界発光素子。
- 前記電界発光素子は、一対の電極間に少なくとも電圧の印加により発光しうる有機層が挟まれた有機電界発光素子であり、前記発光部は、前記一対の電極の陰極と前記有機層との間に、電子注入層を設けることにより構成されている請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の電界発光素子。
- 前記電界発光素子は、一対の電極間に少なくとも電圧の印加により発光しうる有機層が挟まれた有機電界発光素子であり、前記発光部は、前記一対の電極の陽極の所定部分を仕事関数が陽極の他の部分より大きくなるように変質されることにより構成されている請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の電界発光素子。
- 前記電界発光素子は、前記発光部となる部分にのみ有機層が設けられている請求項7〜請求項12のいずれか一項に記載の電界発光素子。
- 前記電界発光素子は、無機電界発光素子である請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の電界発光素子。
- 前記非発光部は、前記一対の電極間の少なくとも一部に、絶縁部が設けられることにより構成されている請求項7又は請求項14に記載の電界発光素子。
- 前記電界発光素子は基板上に形成されるとともにボトムエミッション型に構成され、前記基板と透明電極との間の前記絶縁部と対応する位置にそれぞれ光反射層が設けられている請求項15に記載の電界発光素子。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003344873 | 2003-10-02 | ||
JP2003344873 | 2003-10-02 | ||
PCT/JP2004/010631 WO2005034586A1 (ja) | 2003-10-02 | 2004-07-26 | 電界発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005034586A1 true JPWO2005034586A1 (ja) | 2007-10-04 |
JP4400570B2 JP4400570B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=34419400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005514359A Expired - Fee Related JP4400570B2 (ja) | 2003-10-02 | 2004-07-26 | 電界発光素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7855506B2 (ja) |
EP (1) | EP1684550A4 (ja) |
JP (1) | JP4400570B2 (ja) |
KR (1) | KR100818133B1 (ja) |
CN (1) | CN100484352C (ja) |
TW (1) | TWI300314B (ja) |
WO (1) | WO2005034586A1 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100700004B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 양면 발광 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
ATE416480T1 (de) * | 2005-06-16 | 2008-12-15 | Asulab Sa | Herstellungsverfahren für ein transparentes element mit transparenten elektroden und entsprechendes element |
KR100739645B1 (ko) | 2005-12-21 | 2007-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20080095244A (ko) * | 2006-02-07 | 2008-10-28 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
ITMI20060444A1 (it) | 2006-03-13 | 2007-09-14 | Getters Spa | Uso di composizioni magnesio-rame per l'evaporazione di magnesio e dispensatori di magnesio |
JP2007294441A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-11-08 | Fujifilm Corp | 機能素子 |
JP2007323814A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Dainippon Printing Co Ltd | エリア発光型有機el表示パネルおよび階調制御方法 |
DE102006055884B4 (de) | 2006-09-29 | 2023-03-16 | Pictiva Displays International Limited | Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR100845856B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-07-14 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
DE102007016081A1 (de) * | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Vorrichtung |
US8227974B2 (en) | 2007-03-30 | 2012-07-24 | Pioneer Corporation | Light emitting apparatus with an organic electroluminescence cell |
US8148733B2 (en) * | 2007-06-12 | 2012-04-03 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Vertical LED with current guiding structure |
US8546818B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-10-01 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Vertical LED with current-guiding structure |
EP2302981B1 (en) | 2008-06-17 | 2013-05-15 | Hitachi Ltd. | Organic light-emitting element, method for manufacturing the organic light-emitting element, apparatus for manufacturing the organic light-emitting element, and organic light-emitting device using the organic light-emitting element |
JP5157952B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2013-03-06 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子、発光素子製造方法、露光ヘッド及び画像形成装置 |
DE102009022902B4 (de) | 2009-03-30 | 2023-10-26 | Pictiva Displays International Limited | Organisches optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines organischen optoelektronischen Bauteils |
JP2010238479A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Brother Ind Ltd | 有機el素子及び有機el素子の製造方法 |
CN102422452B (zh) | 2009-05-08 | 2015-03-25 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光设备 |
KR20120036940A (ko) | 2009-06-05 | 2012-04-18 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계 발광 장치 |
WO2011013393A1 (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-03 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス表示装置 |
CN103109226B (zh) | 2010-09-22 | 2017-02-08 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 多视图显示设备 |
WO2012159074A1 (en) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Eden Park Illumination, Inc. | Planar plasma lamp and method of manufacture |
CN103918351A (zh) | 2011-11-09 | 2014-07-09 | 昭和电工株式会社 | 发光装置和发光装置的制造方法 |
WO2013161004A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機elパネル |
WO2014073072A1 (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-15 | パイオニア株式会社 | ミラー装置 |
WO2014073071A1 (ja) * | 2012-11-08 | 2014-05-15 | パイオニア株式会社 | ミラー装置 |
JP6062954B2 (ja) | 2012-11-08 | 2017-01-18 | パイオニア株式会社 | ミラー装置 |
WO2014084210A1 (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 昭和電工株式会社 | 発光装置 |
JPWO2015068779A1 (ja) * | 2013-11-07 | 2017-03-09 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンスモジュール |
DE102014100747A1 (de) * | 2014-01-23 | 2015-07-23 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronische Bauelemente und Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente |
GB201408947D0 (en) | 2014-05-20 | 2014-07-02 | Oxford Photovoltaics Ltd | Increased - transparency optoelectronic device |
JP6438217B2 (ja) * | 2014-06-03 | 2018-12-12 | 株式会社カネカ | 鏡装置およびその製造方法 |
JP6507588B2 (ja) * | 2014-11-20 | 2019-05-08 | コニカミノルタ株式会社 | 面発光ユニット |
JP6587508B2 (ja) | 2015-11-05 | 2019-10-09 | 株式会社小糸製作所 | 発光装置 |
JP7174902B2 (ja) * | 2018-08-10 | 2022-11-18 | 株式会社小糸製作所 | 車輌用灯具 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05226076A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | El発光体 |
JPH05307997A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH08167479A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電膜及びその製造方法 |
JPH09306669A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Kemipuro Kasei Kk | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
JPH1050481A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
JPH11260560A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-24 | Denso Corp | El素子 |
JPH11273869A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2000082588A (ja) * | 1997-09-22 | 2000-03-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法 |
JP2000231985A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2002083693A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-03-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板及び該透明導電膜付き基板を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2002318556A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
JP2003272844A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネルの減光化方法および有機elパネル |
JP2004335319A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Rohm Co Ltd | 有機el表示装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2830025B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1998-12-02 | 岩崎電気株式会社 | 発光ダイオード |
JPH0482197A (ja) | 1990-07-25 | 1992-03-16 | Hitachi Ltd | 薄膜el素子 |
JPH05315073A (ja) | 1991-04-19 | 1993-11-26 | Ricoh Co Ltd | El素子 |
JPH0520294A (ja) | 1991-07-17 | 1993-01-29 | Fujitsu Ltd | ニユーラルネツトワーク型情報処理装置 |
JPH10178214A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置 |
JPH1140362A (ja) | 1997-07-15 | 1999-02-12 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子及びその製造方法 |
JPH11339960A (ja) | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Toray Ind Inc | 発光素子及びその製造方法 |
JP2000173771A (ja) | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Sharp Corp | ライン光源及びその製造方法 |
JP2000252063A (ja) * | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Toppan Printing Co Ltd | 色切換発光素子、色切換発光素子用基板及びカラー表示装置 |
US6328456B1 (en) * | 2000-03-24 | 2001-12-11 | Ledcorp | Illuminating apparatus and light emitting diode |
US6787989B2 (en) | 2000-06-21 | 2004-09-07 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Substrate with transparent conductive film and organic electroluminescence device using the same |
JP2003163366A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
JP3705264B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
JP4270891B2 (ja) | 2003-01-21 | 2009-06-03 | 三洋電機株式会社 | El表示装置のレーザーリペア方法 |
TWI223569B (en) | 2002-03-20 | 2004-11-01 | Sanyo Electric Co | Method for reducing light quantity of organic EL panel and organic EL panel |
JP4561490B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2010-10-13 | 株式会社豊田自動織機 | エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2004
- 2004-07-26 US US10/574,371 patent/US7855506B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 KR KR1020067006321A patent/KR100818133B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-07-26 JP JP2005514359A patent/JP4400570B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-26 EP EP04770942A patent/EP1684550A4/en not_active Withdrawn
- 2004-07-26 WO PCT/JP2004/010631 patent/WO2005034586A1/ja active Application Filing
- 2004-07-26 CN CNB2004800287561A patent/CN100484352C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-27 TW TW093122342A patent/TWI300314B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05226076A (ja) * | 1992-02-12 | 1993-09-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | El発光体 |
JPH05307997A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH08167479A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電膜及びその製造方法 |
JPH09306669A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Kemipuro Kasei Kk | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
JPH1050481A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP2000082588A (ja) * | 1997-09-22 | 2000-03-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法 |
JPH11260560A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-24 | Denso Corp | El素子 |
JPH11273869A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2000231985A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2002083693A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-03-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板及び該透明導電膜付き基板を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2002318556A (ja) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
JP2003272844A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機elパネルの減光化方法および有機elパネル |
JP2004335319A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Rohm Co Ltd | 有機el表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4400570B2 (ja) | 2010-01-20 |
US7855506B2 (en) | 2010-12-21 |
CN100484352C (zh) | 2009-04-29 |
WO2005034586A1 (ja) | 2005-04-14 |
KR20060039949A (ko) | 2006-05-09 |
TWI300314B (en) | 2008-08-21 |
US20070210700A1 (en) | 2007-09-13 |
CN1864440A (zh) | 2006-11-15 |
EP1684550A1 (en) | 2006-07-26 |
TW200514470A (en) | 2005-04-16 |
EP1684550A4 (en) | 2011-08-24 |
KR100818133B1 (ko) | 2008-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4400570B2 (ja) | 電界発光素子 | |
US7511422B2 (en) | Organic electroluminescent element with specific structure connecting luminescent regions and organic electroluminescent device including the same | |
JP4393249B2 (ja) | 有機発光素子,画像表示装置、及びその製造方法 | |
JP4338143B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子のパターン化方法 | |
JP2005190768A (ja) | 照明装置 | |
JP2010108949A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
JP4020060B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2004220870A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
US20050127831A1 (en) | Electroluminescent device | |
JP2001035660A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2006253055A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子用フレキシブル基板及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005100916A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2005158373A (ja) | 発光デバイス及び当該デバイスの製造方法 | |
JP2005174701A (ja) | 電界発光デバイス | |
JP2007005138A (ja) | 有機el素子およびそれを用いた薄型有機elパネル | |
JP4423103B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 | |
JP2005141921A (ja) | 有機電界発光デバイス | |
JP2005079075A (ja) | 有機電界発光素子及び当該素子の製造方法 | |
JP2005050706A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2005166365A (ja) | 情報記録担体及び当該担体に情報を記録する方法並びに装置 | |
JP2011113737A (ja) | 有機el装置 | |
JP2009009725A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP2006185658A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2003045642A (ja) | 表示素子とその製造方法 | |
JP2004186069A (ja) | 発光素子、発光装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090902 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091006 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091019 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |