JPWO2004065486A1 - エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents

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Abstract

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材及び（Ｅ）滴点６０〜１４０℃、酸価１０〜１００ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量５００〜２００００、平均粒径５〜１００μｍの酸化ポリエチレンワックスを配合してなり、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂のうちの少なくとも片方が、主鎖にビフェニレン基を有するノボラック構造の樹脂であり、かつ（Ｅ）酸化ポリエチレンワックスが全エポキシ樹脂組成物中に０．０１〜１重量％含まれる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。

Description

本発明は、離型性、連続成形性に優れた特性を有するエポキシ樹脂組成物及びそれを用いた耐半田性に優れた半導体装置に関するものである。
近年、電子機器の高度化、軽薄短小化が求められる中、半導体素子の高集積化、表面実装化が進んでいる。これに伴い、半導体封止用エポキシ樹脂組成物への要求は益々厳しくなっているのが現状である。特に半導体装置の薄型化に際しては、金型とエポキシ樹脂組成物の硬化物との間の離型性不足に伴う応力の発生により、半導体装置内部の半導体素子自体にクラックを生じたり、硬化物と半導体素子との界面における密着性が低下したりするといった問題が生じている。また、環境問題に端を発した有鉛半田から無鉛半田への移行にともない、半田処理時の温度が従来よりも高くなってきており、半導体装置中の水分の気化による内部応力の発生および耐半田性の低下の問題が顕著になっている。
従来、耐半田性を向上させる目的で、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂として、主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型の樹脂を用いることが提案されている（特許文献１）。こうした樹脂は、その骨格中に疎水性の構造を多く含むことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、また架橋密度が低いためガラス転移温度以上の高温域での弾性率が小さくなる傾向がある。このため、このエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置は、半田処理時における水分の気化による爆発的な応力を低減でき、また熱時に低弾性率であることから半田処理時に発生する熱応力が小さくなり、結果として良好な耐半田性が得られる。 しかし、後述する一般式（１ａ）や式（１ｂ）で示される骨格を有する樹脂は、疎水部を多く含むためにリードフレーム等の金属系部材との密着力に劣り、且つ低い官能基密度に起因する硬化性不足による離型性不足から成形離型時において半導体装置に不要な応力がかかるため、更に金属系部材との密着力を低下させる。
離型性向上のためにカルナバワックス等の離型剤を添加することも考えられるが、このようにしても十分な離型性が得ることは難しく、かえって金属系部材との密着力が低下し、ひいては耐半田性の低下を引き起こす結果となる。
離型性向上の他の技術として、無機充填材の高充填化が可能な低粘度型エポキシ樹脂であるビフェニル型エポキシ樹脂と離型性に優れた離型剤等を含むエポキシ樹脂組成物が提案されているが（特許文献２、３）、無機充填材の高充填化による弾性率の著しい上昇により、耐半田性の低下が生じる場合がある。
また特許文献２と同様な離型剤だが、樹脂との相溶性に優れる酸価が高い領域の離型剤を含むエポキシ樹脂組成物も提案されている（特許文献４）。
特許文献１ 特開平９−１４３３４５号公報
特許文献２ 特開２００３−１２８７５０号公報
特許文献３ 特開平７−３７０４１号公報
特許文献４ 特開平１１−１５２３９３号公報
本発明者が種々検討した結果、エポキシ樹脂組成物の離型性向上には、エポキシ樹脂組成物中の樹脂成分と離型剤との相溶性のバランスが重要であること、即ち樹脂成分と離型剤との相溶性が過不足なく、最適領域があるとの知見を得た。たとえば特許文献３で提案されている技術では、エポキシ樹脂組成物中の樹脂成分と離型剤との相溶性があまりにも良すぎるため、十分な離型性を達成できないものと考えられる。
本発明によれば、
（Ａ）主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂
（Ｂ）フェノール樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機質充填材、及び
（Ｅ）滴点６０〜１４０℃、酸価１０〜１００ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量５００〜２００００、平均粒径５〜１００μｍの酸化ポリエチレンワックスを配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。
また本発明によれば、
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機質充填材、及び
（Ｅ）滴点６０〜１４０℃、酸価１０〜１００ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量５００〜２００００、平均粒径５〜１００μｍの酸化ポリエチレンワックスを配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物が提供される。このエポキシ樹脂組成物において、前記（Ａ）エポキシ樹脂を、主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂としてもよい。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物において、
前記（Ａ）エポキシ樹脂が、下記一般式（１ａ）
Figure 2004065486
（Ｒは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘはグリシジルエーテル基である。ｎは１以上の数である。）
で表されるエポキシ樹脂としてもよい。
また、本発明に係るエポキシ樹脂組成物において、（Ｂ）フェノール樹脂が、下記一般式（１ｂ）
Figure 2004065486
（Ｒは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘは水酸基である。ｎは１以上の数である。）
で表されるフェノール樹脂としてもよい。
なお、上記式（１ａ）、（１ｂ）において、ｎは平均値を指し、３以下とすることがより好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物において、（Ｅ）酸化ポリエチレンワックスの含有量は、当該エポキシ樹脂組成物全体に対して０．０１〜１重量％とすることができる。
さらに本発明によれば、上記エポキシ樹脂組成物により半導体素子が封止されている半導体装置が提供される。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
図１は、離型荷重評価金型の中型にカル、ランナー、成形品が充填した状態の下面側から見た平面図である。
図２は、図１のＡ部の拡大断面図である。
図３は、本発明に係る封止樹脂を用いた半導体装置の一例について断面構造を示した図である。
本発明に係る半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、以下の成分からなる。
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）フェノール樹脂、
（Ｃ）硬化促進剤、
（Ｄ）無機質充填材、及び
（Ｅ）酸化ポリエチレンワックス
エポキシ樹脂組成物全体を基準として、（Ａ）〜（Ｄ）成分の含有量は、たとえば以下のようにすることができる。
（Ａ）：１〜４０重量％、
（Ｂ）：１〜４０重量％、
（Ｃ）：０．００１〜５重量％、
（Ｄ）：４０〜９７重量％
本発明で用いられるフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、とりわけ一般式（１ａ）で示される骨格を有するエポキシ樹脂（Ｘはグリシジルエーテル基）は、樹脂骨格中に疎水性の構造を多く含むことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、また架橋密度が低いため、ガラス転移温度以上の高温域での弾性率が小さいといった特徴を有している。これを用いたエポキシ樹脂組成物の樹脂硬化物は低い吸湿性を有し、半田処理時における水分の気化による爆発的な応力を低減できる。また高温時に低弾性率であることから半田処理時に発生する熱応力が小さくなり、優れた耐半田性を発揮する。
本発明において、一般式（１ａ）で示される骨格を有するエポキシ樹脂（Ｘはグリシジルエーテル基）の特性が損なわれない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができる。併用する場合の他のエポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン骨格を含む）型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等があり、これらは単独でも混合して用いてもよい。
一般式（１ａ）で示される骨格を有するエポキシ樹脂（Ｘはグリシジルエーテル基）の具体例を式（２）に示すが、これらに限定されるものではない。
Figure 2004065486
（ｎは、平均値で１〜３の正数）
本発明で用いられるフェノールアラルキル型フェノール樹脂、とりわけ一般式（１ｂ）で示される骨格を有するフェノール樹脂（Ｘは水酸基）は、樹脂骨格中に疎水性の構造を多く含むことから、これを用いたエポキシ樹脂組成物の硬化物は吸湿率が低く、また架橋密度が低いため、ガラス転移温度以上の高温域での弾性率が小さいといった特徴を有している。これを用いたエポキシ樹脂組成物の樹脂硬化物は低吸湿率を示し、半田処理時における水分の気化による爆発的な応力を低減できる。また熱時に低弾性率であることから半田処理時に発生する熱応力が小さくなり、結果として耐半田性に優れる。
本発明で用いられる一般式（１ｂ）を基本骨格とするフェノール樹脂（Ｘは水酸基）の特性が損なわれない範囲で、他のフェノール樹脂と併用できる。併用する場合の他のフェノール樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂（フェニレン骨格を含む）、ナフトールアラルキル樹脂等があり、これらは単独でも混合して用いてもよい。一般式（１ｂ）を基本骨格とするフェノール樹脂（Ｘは水酸基）の具体例を式（３）に示すが、これらに限定されるものではない。
Figure 2004065486
（ｎは、平均値で１〜３の正数）
本発明に用いられる全エポキシ樹脂のエポキシ基と全フェノール樹脂のフェノール性水酸基の当量比としては、好ましくは０．５〜２であり、特に０．７〜１．５が望ましい。こうすることにより、耐湿性、硬化性等が良好となる。
本発明で用いられる硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応の触媒となり得るものを用い、例えばトリブチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７等のアミン系化合物、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート塩等の有機リン系化合物、２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。またこれらの硬化促進剤は単独でも混合して用いてもよい。
本発明で用いられる無機質充填材としては、例えば溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。無機質充填材の配合量を特に多くする場合は、溶融シリカを用いるのが一般的である。溶融シリカは破砕状、球状のいずれでも使用可能であるが、溶融シリカの配合量を高め、かつエポキシ樹脂組成物の粘度の上昇を抑えるためには、球状のものを主に用いる方が好ましい。更に球状シリカの配合量を高めるためには、球状シリカの粒度分布がより広くなるように調整することが望ましい。
本発明で用いられる酸化ポリエチレンワックスは、一般的にカルボン酸等からなる極性基と長い炭素鎖からなる非極性基を有しているため、成形時に極性基は樹脂硬化物側に配向し、逆に非極性基は金型側に配向することにより離型剤として作用する。本発明で用いられる酸化ポリエチレンワックスの滴点は、６０〜１４０℃で、好ましくは１００〜１３０℃である。下限値未満だと熱安定性が十分でないため、連続成形時に酸化ポリエチレンワックスの焼き付きが発生し、離型性が悪化し、連続成形性を損なう。上限値を越えるとエポキシ樹脂組成物の硬化の際、酸化ポリエチレンワックスが十分に溶融しないことにより、酸化ポリエチレンワックスの分散性が低下し、酸化ポリエチレンワックスの硬化物表面への偏析による金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。酸価は１０〜１００ｍｇ ＫＯＨ／ｇで、好ましくは１５〜４０ｍｇ ＫＯＨ／ｇである。酸価は樹脂硬化物との相溶性に影響し、下限値未満だと酸化ポリエチレンワックスは相分離を起こし、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。上限値を越えるとエポキシ樹脂マトリックスとの相溶性がよすぎるため、硬化物表面に染み出すことが出来ず、十分な離型性を確保することができない。数平均分子量は５００〜２００００で、好ましくは１０００〜１５０００である。数平均分子量が下限値未満だと酸化ポリエチレンワックスは樹脂マトリックスとの親和性が高まり、十分な離型性を得ることができない。上限値を越えると相分離を起こし、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。平均粒径は５〜１００μｍ以下で、好ましくは１０〜５０μｍである。下限値未満だと酸化ポリエチレンワックスがエポキシ樹脂マトリックスとの相溶性がよすぎるため、硬化物表面に染み出すことが出来ず、十分な離型付与効果が得られない。上限値を越えると酸化ポリエチレンワックスが偏析し、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。酸化ポリエチレンワックスの含有量はエポキシ樹脂組成物中に、０．０１〜１重量％であり、好ましくは０．０３〜０．５０重量％である。下限値未満だと離型性不足となり、上限値を越えるとリードフレーム部材との密着性が損なわれ、半田処理時に部材との剥離が発生する。また、金型汚れや樹脂硬化物外観の悪化を引き起こす。
本発明で用いられる酸化ポリエチレンワックスの特性を損なわない範囲で他の離型剤を併用することもできる。例えばカルナバワックス等の天然ワックス、ステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸の金属塩類等が挙げられる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてカップリング剤、臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、カーボンブラック等の着色剤、シリコーンオイル、シリコーンゴム、合成ゴム等の低応力剤、酸化防止剤等の各種添加剤を適宜配合してもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｅ）成分及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて混合後、加熱ニーダ、熱ロール、押し出し機等を用いて加熱混練し、続いて冷却、粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
図３は、本発明に係る封止樹脂を用いた半導体装置の一例について断面構造を示した図である。ダイパッド２上に、ダイボンド材硬化体を介して半導体素子１０１が固定されている。半導体素子１０１とリードフレーム１０４との間は金線１０３によって接続されている。半導体素子１０１は、封止樹脂１０５によって封止されている。この半導体装置は、封止樹脂１０５として上述した構成の樹脂組成物を用いトランスファー成形することにより得られる。
以下、本発明を実施例で具体的に説明する。配合割合は重量部とする。実施例において、酸化ポリエチレンワックスやシリカの粒子径は平均粒径であり、数平均の値である。測定方法はレーザー回折式（島津製作所製粒度分布測定装置、ＳＡＬＤ−７０００）にしたがった。
式（２）のエポキシ樹脂（主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂）［日本化薬製、ＮＣ３０００Ｐ、軟化点５８℃、エポキシ当量２７３］：８．８０重量部
Figure 2004065486
ｎ＝２．８
式（５）のフェノール樹脂（フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂［三井化学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ、軟化点６５℃、水酸基当量１７
Figure 2004065486
４］：５．４０重量部
ｎ＝３．３
１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、「ＤＢＵ」という）：０．２０重量部
球状溶融シリカ（平均粒径３０．０μｍ）：８５．２０重量部
カーボンブラック：０．３０重量部
離型剤▲１▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１２０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、平均粒径５０μｍ）：０．１０重量部をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２５℃の２本ロールを用いて２０回混練し、得られた混練物シートを冷却後粉砕して、エポキシ樹脂組成物とした。得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。
なお、従来用いられている酸化ポリエチレンワックスの特性は、通常、以下のような範囲にある。
滴点：１２０〜１２５℃
酸化：１５〜１９ｍｇＫＯＨ／ｇ
数平均分子量：２０００前後
平均粒径：１５０μｍ前後
評価方法
評価金型：
▲１▼離型荷重評価金型は、上型、図１に示す中型、下型からなる。成形後中型に付着する成形品の形状は、直径１４．０ｍｍ、高さ１．５ｍｍ厚である（トランスファー成形）。図１において、１は中型を示し、２はカルを示し、３はランナーを示す。４は成形品を示し、５はエアベントを示す。６は、取っ手、７はプッシュプルゲージ挿入用の穴を、それぞれ示す。
▲２▼金型表面汚れ性・耐半田性用の金型は、１００ｐＴＱＦＰ半導体封止用金型で、パッケージサイズは１４ｍｍ×１４ｍｍ、１．４ｍｍ厚（トランスファー成形）。
金型表面処理方法：前記金型をクリーニングするため、メラミン樹脂等の金型用クリーニング材、型なじみ材を成形して、金型に離型性付与処理を施した。金型温度は１７５℃であり、注入圧力７．３ＭＰａである。
離型荷重評価：▲１▼前記離型性付与処理を施した離型荷重評価金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分の成形条件でエポキシ樹脂組成物を成形し、型開き２０秒以内に中型に付着した８ヶの成形品から任意に指定した４ヶを決められた順番に中型の上部の穴からプッシュプルゲージを当て、成形品を突き出すのに要する荷重を１、１０、５０、１００ショット目の成形品で測定した。これら４つの荷重データについて平均値を算出した。単位はＮである。
連続成形性：１００ｐＴＱＦＰ半導体封止用金型に離型性付与処理を施した後に、半導体素子をマウントしていないリードフレームで、金型温度１７５℃、注入圧力７．３ＭＰａ、硬化時間１分の成形条件でエポキシ樹脂組成物を用いて１００ｐＴＱＰＦを５００回連続で成形した。その際の成形品表面と金型表面の汚れ具合（特に曇り・白化）の変化を評価した。成形品が離型時に金型に張り付いた場合は×、曇り・白化・油浮きが発生した場合は△、問題ない場合は○とした。
スパイラルフロー（流動性）：ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。単位はｃｍである。
ショアＤ硬度：１６ｐＳＯＰ（２０ｍｍ×６．５ｍｍ、３．３ｍｍ厚）のパッケージを１７５℃の金型温度、注入圧力７．３ＭＰａで２分間トランスファー成形し、金型が開いた後１０秒後の成形品の表面硬度ショアＤ硬度計で測定した。
熱時密着性：トランスファー成形機を用いて１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間２分で、剪断接着力測定用の成形品（円錐の上部を切除した形状、上面の直径２．５ｍｍ、下面の直径３．０ｍｍ、高さ３．０ｍｍ）を基材（長さ３０ｍｍ、幅９ｍｍ、厚さ１５０μｍ材質はＣｕ）上に成形し、更に１７５℃、８時間で後硬化した。剪断荷重試験機を用いて、基材を固定し、２４０℃に１分保持し、その温度で成形品の下面から高さ１２５μｍの部位に横から加重をかけ、引き剥がすまでにかかった荷重を測定した。剪断接着力の単位はＮ／ｍｍ２である。
耐半田性：上記の５００回連続成形を行った後、金型温度１７５℃、注入圧力７．３ＭＰａ、硬化時間１分の成形条件でエポキシ樹脂組成物を１００ｐＴＱＦＰ（半導体素子のサイズは８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは４２アロイ製）を成形、１７５℃、８時間で後硬化し、得られたパッケージを８５℃、相対湿度８５％で１６８時間放置し、その後２４０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。リードフレーム基材（アイランド裏面及びインナーリード先端部）とエポキシ樹脂組成物の硬化物の剥離面積を超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率（（剥離面積）／（半導体素子面積）×１００）を計算した。ｎ＝１０。単位は％。
実施例２〜１０、比較例１〜９
表１に示す割合で各成分を配合し、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得、実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
実施例１以外で用いた成分について、以下に示す。
式（３）のフェノール樹脂（主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル樹脂）［明和化成（株）製、ＭＥＨ７８５１ＳＳ、軟化点６７℃、水酸基当量２０３］
Figure 2004065486
ｎ＝２．５
式（４）のエポキシ樹脂（ビフェニル型エポキシ樹脂）［ジャンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００Ｈ、融点１０５℃、エポキシ当量１９１］
Figure 2004065486
離型剤▲２▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点７０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量７５０、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲３▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１２０℃、酸価７５ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲４▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１３０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量１５０００、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲５▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１２０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、平均粒径１５μｍ）
離型剤▲６▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１２０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、平均粒径９０μｍ）
離型剤▲７▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点５０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量１０００、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲８▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１６０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量４０００、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲９▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１２０℃、酸価５ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲１０▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１２０℃、酸価１５０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲１１▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点５５℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量３５０、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲１２▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１５０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量３００００、平均粒径５０μｍ）
離型剤▲１３▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１２０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量３０００、平均粒径３μｍ）
離型剤▲１４▼：酸化ポリエチレンワックス（滴点１２０℃、酸価２０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量２０００、平均粒径２００μｍ）
上記実施例で示したエポキシ樹脂組成物は、離型性、低吸湿、低応力性に優れた特性を有している。このエポキシ樹脂組成物を用いることにより、半導体素子を成形封止する時の離型性、連続成形性に優れ、且つリードフレーム等の金属系部材に対し密着力が高く、耐半田性に優れた半導体装置を得ることができる。
なお、上記実施例において、離型剤（酸化ポリエチレンワックス）の含有量として０．０２重量％〜０．８０重量％の範囲で有効性が確認されたが、０．０１重量％〜１．０重量％の範囲でも同様な効果が得られることが確認された。
Figure 2004065486
Figure 2004065486

Claims (7)

  1. （Ａ）主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂
    （Ｂ）フェノール樹脂、
    （Ｃ）硬化促進剤、
    （Ｄ）無機質充填材、及び
    （Ｅ）滴点６０〜１４０℃、酸価１０〜１００ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量５００〜２００００、平均粒径５〜１００μｍの酸化ポリエチレンワックス
    を配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  2. （Ａ）エポキシ樹脂、
    （Ｂ）主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型フェノール樹脂、
    （Ｃ）硬化促進剤、
    （Ｄ）無機質充填材、及び
    （Ｅ）滴点６０〜１４０℃、酸価１０〜１００ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、数平均分子量５００〜２００００、平均粒径５〜１００μｍの酸化ポリエチレンワックス
    を配合してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  3. 請求項２に記載のエポキシ樹脂組成物において、
    前記（Ａ）エポキシ樹脂が、主鎖にビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  4. 請求項１乃至３いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
    前記（Ａ）エポキシ樹脂が、下記一般式（１ａ）
    Figure 2004065486
    （Ｒは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘはグリシジルエーテル基である。ｎは１以上の数である。）
    で表されるエポキシ樹脂である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  5. 請求項１乃至４いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
    （Ｂ）フェノール樹脂が、下記一般式（１ｂ）
    Figure 2004065486
    （Ｒは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。Ｘは水酸基である。ｎは１以上の数である。）
    で表されるフェノール樹脂である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  6. 請求項１乃至５いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
    前記（Ｅ）酸化ポリエチレンワックスの含有量が、当該エポキシ樹脂組成物全体に対して０．０１〜１重量％である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  7. 請求項１乃至６いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物により半導体素子が封止されている半導体装置。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004300239A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂封止型半導体装置および半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP5034500B2 (ja) * 2004-03-16 2012-09-26 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP4586405B2 (ja) * 2004-04-28 2010-11-24 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20070043166A1 (en) * 2004-07-29 2007-02-22 Norihisa Hoshika Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor chip and semiconductor device
JP4569260B2 (ja) * 2004-10-27 2010-10-27 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4682617B2 (ja) * 2004-12-24 2011-05-11 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2006049156A1 (ja) * 2004-11-02 2006-05-11 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4687074B2 (ja) * 2004-11-02 2011-05-25 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5179701B2 (ja) * 2004-11-24 2013-04-10 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100561575B1 (ko) * 2004-12-21 2006-03-20 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
JP5205964B2 (ja) * 2005-01-28 2013-06-05 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4984596B2 (ja) * 2005-05-31 2012-07-25 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100739363B1 (ko) 2005-08-02 2007-07-16 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물
CN1962713B (zh) * 2005-11-07 2010-05-05 中国科学院化学研究所 含氟酚醛树脂衍生物及其组合物与制备方法
JP5179194B2 (ja) * 2005-11-30 2013-04-10 日本化薬株式会社 フェノール樹脂、その製造法、エポキシ樹脂及びその用途
JP4973177B2 (ja) * 2006-01-20 2012-07-11 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
WO2007105357A1 (ja) * 2006-03-07 2007-09-20 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置
WO2008044579A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-17 Sumitomo Bakelite Company Limited Epoxy resin composition for sealing of semiconductor and semiconductor device
DE102006055727A1 (de) * 2006-11-25 2008-05-29 Evonik Degussa Gmbh Verwendung eines synthetischen Wachsoxidats als Verarbeitungshilfsmittel für transparente polare Polymere
JP5169204B2 (ja) * 2006-12-25 2013-03-27 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
KR100898335B1 (ko) * 2007-12-26 2009-05-20 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
KR100898337B1 (ko) * 2007-12-26 2009-05-20 제일모직주식회사 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자
JP5038972B2 (ja) * 2008-05-14 2012-10-03 日東電工株式会社 半導体封止用樹脂組成物およびその製法、ならびにそれを用いた半導体装置
US7986050B2 (en) * 2008-07-28 2011-07-26 Nitto Denko Corporation Epoxy resin composition for optical semiconductor element encapsulation and optical semiconductor device using the same
SG10201402583TA (en) * 2009-06-03 2014-10-30 Sumitomo Bakelite Co Resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device
CN104136480B (zh) * 2012-03-16 2017-05-31 住友电木株式会社 封装用树脂组合物和使用该封装用树脂组合物的电子装置
KR101319728B1 (ko) 2012-03-16 2013-10-18 세종대학교산학협력단 마이크로 캡슐형 양자점- 고분자 복합체, 상기 복합체의 제조 방법, 상기 복합체를 포함하는 발광다이오드 패키지, 및 상기 발광다이오드 패키지의 제조방법
US9505925B2 (en) 2012-03-29 2016-11-29 Mitsui Chemicals, Inc. Phenol resin molding material, friction material, and phenol resin molded product
JP5943488B2 (ja) * 2013-09-03 2016-07-05 信越化学工業株式会社 半導体封止用樹脂組成物及びその硬化物を備えた半導体装置
CN110828104A (zh) * 2019-10-23 2020-02-21 上海太朔材料技术有限公司 用水性环氧树脂制造的模压电感及其制造工艺
CN114633408B (zh) * 2022-05-23 2022-10-11 天津德高化成新材料股份有限公司 一种半导体封装模具用发泡润模胶及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0778913A (ja) * 1993-07-12 1995-03-20 Nitto Denko Corp 半導体装置
JP2000281751A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001172473A (ja) * 1999-10-07 2001-06-26 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2001247748A (ja) * 1999-12-28 2001-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2002012742A (ja) * 2000-06-28 2002-01-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002012762A (ja) * 2000-06-29 2002-01-15 Idemitsu Petrochem Co Ltd ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物
JP2002284853A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd ワックス含有溶融混合物、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0737041B2 (ja) 1991-11-12 1995-04-26 日東電工株式会社 半導体装置
JPH0873703A (ja) 1994-09-01 1996-03-19 Hitachi Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び該組成物を用いて製造した光半導体装置
JPH09143345A (ja) 1995-11-27 1997-06-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JP3618174B2 (ja) * 1996-06-20 2005-02-09 日東電工株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3714377B2 (ja) 1997-05-23 2005-11-09 信越化学工業株式会社 難燃性エポキシ樹脂組成物
JPH11152393A (ja) 1997-11-21 1999-06-08 Matsushita Electric Works Ltd 封止材用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP3388538B2 (ja) 1998-06-29 2003-03-24 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001279057A (ja) * 1999-03-09 2001-10-10 Hitachi Chem Co Ltd 封止材組成物及び電子部品装置
JP3573651B2 (ja) * 1999-03-30 2004-10-06 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001329051A (ja) 2000-05-24 2001-11-27 Nippon Kayaku Co Ltd ノボラック型樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
AU2001288119A1 (en) * 2000-09-25 2002-04-02 Hitachi Chemical Co. Ltd. Epoxy resin molding material for sealing
JP2002284969A (ja) 2001-03-27 2002-10-03 Toray Ind Inc 樹脂封止型半導体装置および半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2002356538A (ja) 2001-03-30 2002-12-13 Toray Ind Inc 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP3856425B2 (ja) * 2001-05-02 2006-12-13 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法、半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4010176B2 (ja) 2001-06-15 2007-11-21 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP4654550B2 (ja) 2001-08-24 2011-03-23 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003128750A (ja) 2001-10-19 2003-05-08 Toray Ind Inc エポキシ系樹脂組成物及び半導体装置
JP3821218B2 (ja) 2002-01-18 2006-09-13 信越化学工業株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
WO2003072628A1 (en) * 2002-02-27 2003-09-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Encapsulating epoxy resin composition, and electronic parts device using the same
CN100519650C (zh) * 2002-02-27 2009-07-29 日立化成工业株式会社 封装用环氧树脂组合物及使用该组合物的电子组件

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0778913A (ja) * 1993-07-12 1995-03-20 Nitto Denko Corp 半導体装置
JP2000281751A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2001172473A (ja) * 1999-10-07 2001-06-26 Nitto Denko Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP2001247748A (ja) * 1999-12-28 2001-09-11 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2002012742A (ja) * 2000-06-28 2002-01-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002012762A (ja) * 2000-06-29 2002-01-15 Idemitsu Petrochem Co Ltd ポリアリーレンスルフィド樹脂組成物
JP2002284853A (ja) * 2001-03-23 2002-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd ワックス含有溶融混合物、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

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