JPH0737041B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0737041B2 JPH0737041B2 JP32518591A JP32518591A JPH0737041B2 JP H0737041 B2 JPH0737041 B2 JP H0737041B2 JP 32518591 A JP32518591 A JP 32518591A JP 32518591 A JP32518591 A JP 32518591A JP H0737041 B2 JPH0737041 B2 JP H0737041B2
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- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor device
- component
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、信頼性、特に半田実
装時の耐半田クラツク性に優れ、かつ生産性に優れた半
導体装置に関するものである。
装時の耐半田クラツク性に優れ、かつ生産性に優れた半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体分野の技術革新がめざまし
く、ＬＳＩチツプ等の半導体装置の高集積化と高速化が
進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする要求
から、実装の高密度化が進んでいる。このような観点か
ら、デユアルインラインパツケージ（ＤＩＰ）のような
ピン挿入型のパツケージに代えて、表面実装型パツケー
ジが主流になつてきている。この種のパツケージを用い
た半導体装置においては、平面的にピンを取り出し、こ
れを実装基板表面に直接半田等によつて固定するように
なつている。このような表面実装型半導体装置は、薄
い，軽い，小さいという利点を備えているうえ、実装基
板に対する占有面積が小さくてすむという利点を備えて
いる。また、基板に対する両面実装も可能であるという
長所も有している。
く、ＬＳＩチツプ等の半導体装置の高集積化と高速化が
進んでおり、加えて電子装置を小形で高機能にする要求
から、実装の高密度化が進んでいる。このような観点か
ら、デユアルインラインパツケージ（ＤＩＰ）のような
ピン挿入型のパツケージに代えて、表面実装型パツケー
ジが主流になつてきている。この種のパツケージを用い
た半導体装置においては、平面的にピンを取り出し、こ
れを実装基板表面に直接半田等によつて固定するように
なつている。このような表面実装型半導体装置は、薄
い，軽い，小さいという利点を備えているうえ、実装基
板に対する占有面積が小さくてすむという利点を備えて
いる。また、基板に対する両面実装も可能であるという
長所も有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な表面実装型パツケージを用いた半導体装置において、
表面実装前にパツケージ自体が吸湿している場合には、
半田実装時に水分の蒸気圧によつて、パツケージにクラ
ツクが生じる。すなわち、図１に示すような表面実装型
半導体装置において、水分は矢印Ａのように封止樹脂１
を通つて、パツケージ３内に浸入し、主としてＳｉ−チ
ツプ７の表面やダイボンドパツド４の裏面に滞溜する。
そして、ベーパーフエーズソルダリング等の半田表面実
装を行う際に、上記滞溜水分が、半田実装における加熱
により気化し、その蒸気圧により、図２に示すように、
ダイボンドパツド４の裏面の樹脂部分を下方に押しや
り、そこに空隙５をつくると同時にパツケージ３にクラ
ツク６を生じさせる。図１および図２において、８はワ
イヤーボンデイングである。
な表面実装型パツケージを用いた半導体装置において、
表面実装前にパツケージ自体が吸湿している場合には、
半田実装時に水分の蒸気圧によつて、パツケージにクラ
ツクが生じる。すなわち、図１に示すような表面実装型
半導体装置において、水分は矢印Ａのように封止樹脂１
を通つて、パツケージ３内に浸入し、主としてＳｉ−チ
ツプ７の表面やダイボンドパツド４の裏面に滞溜する。
そして、ベーパーフエーズソルダリング等の半田表面実
装を行う際に、上記滞溜水分が、半田実装における加熱
により気化し、その蒸気圧により、図２に示すように、
ダイボンドパツド４の裏面の樹脂部分を下方に押しや
り、そこに空隙５をつくると同時にパツケージ３にクラ
ツク６を生じさせる。図１および図２において、８はワ
イヤーボンデイングである。
【０００４】このような問題に対する解決策として、半
導体素子をパツケージで封止した後、得られる半導体装
置全体を密封し、表面実装の直前に開封して使用する方
法や、表面実装の直前に上記半導体装置を１００℃で２
４時間乾燥させ、その後半田実装を行うという方法が提
案され、すでに実施されている。しかしながら、このよ
うな前処理方法によれば、製造工程が長くなるうえ、手
間がかかるという問題がある。
導体素子をパツケージで封止した後、得られる半導体装
置全体を密封し、表面実装の直前に開封して使用する方
法や、表面実装の直前に上記半導体装置を１００℃で２
４時間乾燥させ、その後半田実装を行うという方法が提
案され、すでに実施されている。しかしながら、このよ
うな前処理方法によれば、製造工程が長くなるうえ、手
間がかかるという問題がある。
【０００５】一方、封止樹脂の吸湿性を改善するため
に、半導体封止用エポキシ樹脂組成物として、例えば、
下記の一般式（２）で表される骨格を有するエポキシ樹
脂と、下記の一般式（３）で表されるフエノール性硬化
剤とを用いたものが提案されている。
に、半導体封止用エポキシ樹脂組成物として、例えば、
下記の一般式（２）で表される骨格を有するエポキシ樹
脂と、下記の一般式（３）で表されるフエノール性硬化
剤とを用いたものが提案されている。
【０００６】
【化３】
【０００７】しかしながら、上記エポキシ樹脂組成物で
は、半導体素子を封止し、半導体装置とする際に、金型
からの離型性が悪く、その生産性に問題がある。また、
離型性を改善する目的で従来から用いられている離型剤
を増量すると、離型性は改善されるもののリードフレー
ム材との接着性が低下するため、ダイボンドパツドの裏
面と樹脂部分とが剥離し易く、結果的に吸湿時に半田浸
漬によるクラツクが生じ易くなり、その生産性と耐半田
クラツク性とを両立させることは困難である。
は、半導体素子を封止し、半導体装置とする際に、金型
からの離型性が悪く、その生産性に問題がある。また、
離型性を改善する目的で従来から用いられている離型剤
を増量すると、離型性は改善されるもののリードフレー
ム材との接着性が低下するため、ダイボンドパツドの裏
面と樹脂部分とが剥離し易く、結果的に吸湿時に半田浸
漬によるクラツクが生じ易くなり、その生産性と耐半田
クラツク性とを両立させることは困難である。
【０００８】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、耐半田クラツク性に優れていると同時に、そ
の生産性にも優れた半導体装置の提供をその目的とす
る。
たもので、耐半田クラツク性に優れていると同時に、そ
の生産性にも優れた半導体装置の提供をその目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。
め、この発明の半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を
封止するという構成をとる。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。
【化４】 （Ｂ）フエノール性水酸基を１分子中に少なくとも２個
含有する硬化剤。 （Ｃ）酸化ポリエチレンワツクス。
含有する硬化剤。 （Ｃ）酸化ポリエチレンワツクス。
【００１０】
【作用】パツケージクラツクの発生を防止する方法とし
て、封止樹脂に対する吸湿を抑制する、ダイボンド
パツドの裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との間
の接着力を高める、封止樹脂自体の強度を高めるとい
う三つの方法が考えられる。なかでも、最も効果的な方
法であるの方法にもとづいてパツケージクラツクの発
生の防止が行われている。しかしながら、このの方法
による場合、用いられる樹脂の骨格が疎水性を有するた
め、離型剤との相溶性が向上し、離型剤が表面に滲み出
しにくくなる。その結果、離型性が悪くなり、生産性が
低下する。逆に、離型剤を増量して離型性を改善する場
合、ダイボンドパツドとの剥離現象が生じ易くなり、耐
半田クラツク性が低下する傾向がみられる。このような
事情から、本発明者らは、耐半田クラツク性と生産性と
を兼ね備えたものを得るために一連の研究を重ねた。そ
の結果、前記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂と、
離型剤として酸化ポリエチレンワツクスを組み合わせて
用いると、耐半田クラツク性の向上と生産性の向上を両
立させることができることを見出しこの発明に到達し
た。
て、封止樹脂に対する吸湿を抑制する、ダイボンド
パツドの裏面および半導体素子の表面と封止樹脂との間
の接着力を高める、封止樹脂自体の強度を高めるとい
う三つの方法が考えられる。なかでも、最も効果的な方
法であるの方法にもとづいてパツケージクラツクの発
生の防止が行われている。しかしながら、このの方法
による場合、用いられる樹脂の骨格が疎水性を有するた
め、離型剤との相溶性が向上し、離型剤が表面に滲み出
しにくくなる。その結果、離型性が悪くなり、生産性が
低下する。逆に、離型剤を増量して離型性を改善する場
合、ダイボンドパツドとの剥離現象が生じ易くなり、耐
半田クラツク性が低下する傾向がみられる。このような
事情から、本発明者らは、耐半田クラツク性と生産性と
を兼ね備えたものを得るために一連の研究を重ねた。そ
の結果、前記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂と、
離型剤として酸化ポリエチレンワツクスを組み合わせて
用いると、耐半田クラツク性の向上と生産性の向上を両
立させることができることを見出しこの発明に到達し
た。
【００１１】つぎに、この発明を詳細に説明する。
【００１２】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、前記一般式（１）で表される特殊なエポキシ樹脂
（Ａ成分）と、特定の硬化剤（Ｂ成分）と、酸化ポリエ
チレンワツクス（Ｃ成分）とを用いて得られるものであ
つて、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト
状になつている。
は、前記一般式（１）で表される特殊なエポキシ樹脂
（Ａ成分）と、特定の硬化剤（Ｂ成分）と、酸化ポリエ
チレンワツクス（Ｃ成分）とを用いて得られるものであ
つて、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレツト
状になつている。
【００１３】上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）は、ビ
フエニル型エポキシ樹脂であり、下記の一般式（１）で
表される。
フエニル型エポキシ樹脂であり、下記の一般式（１）で
表される。
【００１４】
【化５】
【００１５】このように、グリシジル基を有するフエニ
ル環に低級アルキル基を付加することにより撥水性を有
するようになる。そして、上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ
成分）のみでエポキシ樹脂成分を構成してもよいし、そ
れ以外の通常用いられるエポキシ樹脂と併用するように
してもよい。前者の場合は、エポキシ樹脂成分の全部が
上記一般式（１）で表される特殊なエポキシ樹脂（Ａ成
分）で構成され、後者の場合にはエポキシ樹脂成分の一
部が上記一般式（１）で表される特殊なエポキシ樹脂
（Ａ成分）で構成されることとなる。上記通常用いられ
るエポキシ樹脂としては、クレゾールノボラツク型，フ
エノールノボラツク型，ノボラツクビスＡ型やビスフエ
ノールＡ型等の各種エポキシ樹脂があげられる。上記ノ
ボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量
１５０〜２５０，軟化点５０〜１３０℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量１８０〜２１０，軟化点６０〜１１０℃のも
のが一般に用いられる。このように両者を併用する場合
には、上記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（Ａ成
分）をエポキシ樹脂成分全体の５０重量％（以下「％」
と略す）以上に設定するのが好ましい。
ル環に低級アルキル基を付加することにより撥水性を有
するようになる。そして、上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ
成分）のみでエポキシ樹脂成分を構成してもよいし、そ
れ以外の通常用いられるエポキシ樹脂と併用するように
してもよい。前者の場合は、エポキシ樹脂成分の全部が
上記一般式（１）で表される特殊なエポキシ樹脂（Ａ成
分）で構成され、後者の場合にはエポキシ樹脂成分の一
部が上記一般式（１）で表される特殊なエポキシ樹脂
（Ａ成分）で構成されることとなる。上記通常用いられ
るエポキシ樹脂としては、クレゾールノボラツク型，フ
エノールノボラツク型，ノボラツクビスＡ型やビスフエ
ノールＡ型等の各種エポキシ樹脂があげられる。上記ノ
ボラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量
１５０〜２５０，軟化点５０〜１３０℃のものが用いら
れ、クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂としては、エ
ポキシ当量１８０〜２１０，軟化点６０〜１１０℃のも
のが一般に用いられる。このように両者を併用する場合
には、上記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂（Ａ成
分）をエポキシ樹脂成分全体の５０重量％（以下「％」
と略す）以上に設定するのが好ましい。
【００１６】上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）ととも
に用いられる特定の硬化剤は、フエノール性水酸基を１
分子中に少なくとも２個含有するものである。例えば、
フエノールノボラツク樹脂，クレゾールノボラツク樹
脂，レゾール型フエノール樹脂，下記の一般式（４）で
表されるフエノールアラルキル樹脂等があげられる。
に用いられる特定の硬化剤は、フエノール性水酸基を１
分子中に少なくとも２個含有するものである。例えば、
フエノールノボラツク樹脂，クレゾールノボラツク樹
脂，レゾール型フエノール樹脂，下記の一般式（４）で
表されるフエノールアラルキル樹脂等があげられる。
【００１７】
【化６】
【００１８】上記フエノールアラルキル樹脂は、アラル
キルエーテルとフエノールとをフリーデルクラフツ触媒
で反応させることにより得られる。一般に、α，α′−
ジメトキシ−ｐ−キシレンとフエノールモノマーの縮合
重合化合物が知られている。
キルエーテルとフエノールとをフリーデルクラフツ触媒
で反応させることにより得られる。一般に、α，α′−
ジメトキシ−ｐ−キシレンとフエノールモノマーの縮合
重合化合物が知られている。
【００１９】上記エポキシ樹脂成分と特定の硬化剤の配
合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり特
定の硬化剤中の水酸基が０．７〜１．３当量となるよう
に配合することが好適である。より好適なのは０．９〜
１．１当量である。
合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量当たり特
定の硬化剤中の水酸基が０．７〜１．３当量となるよう
に配合することが好適である。より好適なのは０．９〜
１．１当量である。
【００２０】上記特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）および
特定の硬化剤（Ｂ成分）とともに用いられる酸化ポリエ
チレンワツクス（Ｃ成分）は、離型剤として作用するも
のであり、低級ポリエチレンを部分酸化して合成される
ものである。そして、上記酸化ポリエチレンワツクスに
おいて、酸価１０〜３０で、滴点（溶融して液滴状にな
る温度）９０〜１３０℃のものを用いることが好まし
い。また、上記酸化ポリエチレンワツクス（Ｃ成分）の
含有量は、エポキシ樹脂組成物中０．０５〜０．５０％
の割合に設定することが好ましい。すなわち、０．０５
％未満では所望の離型性が得られず、その結果、生産性
が低下する。逆に、０．５０％を超えると生産性は向上
するが、ダイボンドパツドと硬化樹脂とが剥離しやすく
なり、その結果、耐半田クラツク性が低下する傾向がみ
られるからである。
特定の硬化剤（Ｂ成分）とともに用いられる酸化ポリエ
チレンワツクス（Ｃ成分）は、離型剤として作用するも
のであり、低級ポリエチレンを部分酸化して合成される
ものである。そして、上記酸化ポリエチレンワツクスに
おいて、酸価１０〜３０で、滴点（溶融して液滴状にな
る温度）９０〜１３０℃のものを用いることが好まし
い。また、上記酸化ポリエチレンワツクス（Ｃ成分）の
含有量は、エポキシ樹脂組成物中０．０５〜０．５０％
の割合に設定することが好ましい。すなわち、０．０５
％未満では所望の離型性が得られず、その結果、生産性
が低下する。逆に、０．５０％を超えると生産性は向上
するが、ダイボンドパツドと硬化樹脂とが剥離しやすく
なり、その結果、耐半田クラツク性が低下する傾向がみ
られるからである。
【００２１】また、半導体封止用のエポキシ樹脂組成物
には、通常、無機質充填剤が配合される。上記無機質充
填剤としては、特に限定するものではなく、一般に用い
られている石英ガラス粉末，タルク，シリカ粉末，アル
ミナ粉末，炭酸カルシウム，カーボンブラツク粉末等が
あげられる。なかでもシリカ粉末、特に溶融性シリカ粉
末を用いるのが好適である。このような無機質充填剤の
含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の５０〜９０％に設
定するのが好ましい。すなわち、含有量が５０％未満で
は充填剤を含有した効果が大幅に低下する傾向がみられ
るからである。
には、通常、無機質充填剤が配合される。上記無機質充
填剤としては、特に限定するものではなく、一般に用い
られている石英ガラス粉末，タルク，シリカ粉末，アル
ミナ粉末，炭酸カルシウム，カーボンブラツク粉末等が
あげられる。なかでもシリカ粉末、特に溶融性シリカ粉
末を用いるのが好適である。このような無機質充填剤の
含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の５０〜９０％に設
定するのが好ましい。すなわち、含有量が５０％未満で
は充填剤を含有した効果が大幅に低下する傾向がみられ
るからである。
【００２２】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、上記成分以外に、必要に応じて硬化促進剤
として従来公知の三級アミン，四級アンモニウム塩，イ
ミダゾール類およびホウ素化合物等を単独でもしくは併
せて用いることができる。さらに、シランカツプリング
剤等のカツプリング剤および難燃剤等を用いることがで
きる。
組成物には、上記成分以外に、必要に応じて硬化促進剤
として従来公知の三級アミン，四級アンモニウム塩，イ
ミダゾール類およびホウ素化合物等を単独でもしくは併
せて用いることができる。さらに、シランカツプリング
剤等のカツプリング剤および難燃剤等を用いることがで
きる。
【００２３】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記各成分および必要に応じて硬化促進剤，カ
ツプリング剤および難燃剤を所定の割合で配合する。つ
いで、これらの混合物をミキシングロール機等の混練機
を用いて加熱状態で溶融混練して、これを室温に冷却し
た後、公知の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠す
るという一連の工程によつて目的とするエポキシ樹脂組
成物を製造することができる。
は、例えばつぎのようにして製造することができる。す
なわち、上記各成分および必要に応じて硬化促進剤，カ
ツプリング剤および難燃剤を所定の割合で配合する。つ
いで、これらの混合物をミキシングロール機等の混練機
を用いて加熱状態で溶融混練して、これを室温に冷却し
た後、公知の手段によつて粉砕し、必要に応じて打錠す
るという一連の工程によつて目的とするエポキシ樹脂組
成物を製造することができる。
【００２４】このようなエポキシ樹脂組成物を用いて、
半導体素子を封止する方法は、特に測定するものではな
く、通常のトランスフアー成形等の公知のモールド方法
によつて行うことができる。
半導体素子を封止する方法は、特に測定するものではな
く、通常のトランスフアー成形等の公知のモールド方法
によつて行うことができる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）と酸化ポリエチレン
ワツクス（Ｃ成分）を含む特殊なエポキシ樹脂組成物を
用いて封止されているため、半田浸漬時の耐半田クラツ
ク性に優れている。また、離型性にも優れており、その
結果、生産性の向上が実現する。
は、特殊なエポキシ樹脂（Ａ成分）と酸化ポリエチレン
ワツクス（Ｃ成分）を含む特殊なエポキシ樹脂組成物を
用いて封止されているため、半田浸漬時の耐半田クラツ
ク性に優れている。また、離型性にも優れており、その
結果、生産性の向上が実現する。
【００２６】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００２７】
【実施例１〜３】下記の表１に示す各成分を同表に示す
割合で配合し、ミキシングロール機（温度１００℃）で
３分間溶融混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする
粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ
樹脂組成物の１７５℃におけるゲルタイムを表１に併せ
て示した。
割合で配合し、ミキシングロール機（温度１００℃）で
３分間溶融混練を行い、冷却固化後粉砕して目的とする
粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ
樹脂組成物の１７５℃におけるゲルタイムを表１に併せ
て示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】＊１：下記の構造式で表されるエポキシ樹
脂（エポキシ当量１９０、軟化点１０７℃）を用いた。
脂（エポキシ当量１９０、軟化点１０７℃）を用いた。
【００３０】
【化７】 ＊２：水酸基当量１０５、軟化点８０℃のものを用い
た。 ＊３：ヘキスト社製，ＰＥＤ−５２１（酸価１５、滴点
１０５℃）のものを用いた。 ＊４：平均粒径１５μｍのものを用いた。 ＊５：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを
用いた。
た。 ＊３：ヘキスト社製，ＰＥＤ−５２１（酸価１５、滴点
１０５℃）のものを用いた。 ＊４：平均粒径１５μｍのものを用いた。 ＊５：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを
用いた。
【００３１】
【比較例１〜１２】エポキシ樹脂，フエノール樹脂およ
び離型剤を下記の表２および表３に示す組み合わせにて
配合した。それ以外は実施例１と同様にして粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た。また、硬化促進剤であるトリ
フエニルホスフインの配合割合は、得られたエポキシ樹
脂組成物の１７５℃のゲルタイムが２０〜３０秒となる
ように調整した。
び離型剤を下記の表２および表３に示す組み合わせにて
配合した。それ以外は実施例１と同様にして粉末状のエ
ポキシ樹脂組成物を得た。また、硬化促進剤であるトリ
フエニルホスフインの配合割合は、得られたエポキシ樹
脂組成物の１７５℃のゲルタイムが２０〜３０秒となる
ように調整した。
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】つぎに、このようにして得られた実施例お
よび比較例のエポキシ樹脂組成物の離型性を評価した。
上記離型性の評価方法はつぎのようにして行つた。すな
わち、図３に示すような３層構造（上型１０，中型１
１，下型１２）の成形型を用いて、１０シヨツトの成形
を行つた。そして、１０シヨツト目のエポキシ樹脂組成
物硬化体における離型時の荷重を測定した。図におい
て、１３はカル、１４はスプルー、１５はランナー、１
６はキヤビテイーである。離型時の荷重の測定は、図４
に示すように、成形型の中型１１を支持台１７上に載置
し、プツシユプルゲージ１８を用いて上方から中型１１
内のエポキシ樹脂組成物硬化体１９を脱型した。このと
きの荷重値を測定した。そして、その値から連続成形が
可能かどうかを評価し、連続成形が可能な場合は○、不
可能な場合は×とした。これらの評価結果を下記の表４
に示した。
よび比較例のエポキシ樹脂組成物の離型性を評価した。
上記離型性の評価方法はつぎのようにして行つた。すな
わち、図３に示すような３層構造（上型１０，中型１
１，下型１２）の成形型を用いて、１０シヨツトの成形
を行つた。そして、１０シヨツト目のエポキシ樹脂組成
物硬化体における離型時の荷重を測定した。図におい
て、１３はカル、１４はスプルー、１５はランナー、１
６はキヤビテイーである。離型時の荷重の測定は、図４
に示すように、成形型の中型１１を支持台１７上に載置
し、プツシユプルゲージ１８を用いて上方から中型１１
内のエポキシ樹脂組成物硬化体１９を脱型した。このと
きの荷重値を測定した。そして、その値から連続成形が
可能かどうかを評価し、連続成形が可能な場合は○、不
可能な場合は×とした。これらの評価結果を下記の表４
に示した。
【００３５】また、得られたエポキシ樹脂組成物の硬化
体の吸水率、４２アロイフレームとの接着力を測定し下
記の表４に併せて示した。さらに、上記エポキシ樹脂組
成物を用い、半導体素子をトランスフアー成形（条件：
１７５℃×２分、１７５℃×５時間後硬化）することに
より半導体装置を作製した。このようにして得られた半
導体装置を８５℃／８５％ＲＨの相対湿度の恒温槽中に
放置して吸湿させた後、２６０℃の半田溶融液に１０秒
間浸漬する試験を行い、パツケージクラツクの生じた半
導体装置をカウントした。その結果を下記の表４に併せ
て示した。
体の吸水率、４２アロイフレームとの接着力を測定し下
記の表４に併せて示した。さらに、上記エポキシ樹脂組
成物を用い、半導体素子をトランスフアー成形（条件：
１７５℃×２分、１７５℃×５時間後硬化）することに
より半導体装置を作製した。このようにして得られた半
導体装置を８５℃／８５％ＲＨの相対湿度の恒温槽中に
放置して吸湿させた後、２６０℃の半田溶融液に１０秒
間浸漬する試験を行い、パツケージクラツクの生じた半
導体装置をカウントした。その結果を下記の表４に併せ
て示した。
【００３６】
【表４】
【００３７】表４の結果から、比較例品は、離型性が悪
いか、吸水率が高い、また接着力が低いか耐半田クラツ
ク性に劣るというようにいずれかの評価が低い。これに
対して実施例品は離型性に優れ、吸水率も低く接着力が
高い。しかも耐半田クラツク性が高いことがわかる。
いか、吸水率が高い、また接着力が低いか耐半田クラツ
ク性に劣るというようにいずれかの評価が低い。これに
対して実施例品は離型性に優れ、吸水率も低く接着力が
高い。しかも耐半田クラツク性が高いことがわかる。
【図１】従来の半導体装置におけるパッケージクラック
の発生状況を説明する縦断面図である。
の発生状況を説明する縦断面図である。
【図２】従来の半導体装置におけるパッケージクラック
の発生状況を説明する縦断面図である。
の発生状況を説明する縦断面図である。
【図３】離型性の評価方法に用いるエポキシ樹脂組成物
硬化体の成形方法を示す説明図である。
硬化体の成形方法を示す説明図である。
【図４】離型性の評価方法である荷重の測定方法を示す
説明図である。 明
説明図である。 明
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｌ 23:30） Ｂ２９Ｋ 63:00
Claims (2)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するエ
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。 【化１】 （Ｂ）フエノール性水酸基を１分子中に少なくとも２個
含有する硬化剤。 （Ｃ）酸化ポリエチレンワツクス。 - 【請求項２】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する半
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）下記の一般式（１）で表されるエポキシ樹脂。 【化２】 （Ｂ）フエノール性水酸基を１分子中に少なくとも２個
含有する硬化剤。 （Ｃ）酸化ポリエチレンワツクス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32518591A JPH0737041B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32518591A JPH0737041B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10040496A Division JPH08258077A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05131486A JPH05131486A (ja) | 1993-05-28 |
| JPH0737041B2 true JPH0737041B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=18173960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32518591A Expired - Lifetime JPH0737041B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737041B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7157313B2 (en) | 2003-01-17 | 2007-01-02 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Epoxy resin composition and semiconductor device using thereof |
| JP4586405B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-11-24 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| MY144047A (en) | 2005-01-20 | 2011-07-29 | Sumitomo Bakelite Co | Epoxy resin composition, process for providing latency to the composition and a semiconductor device |
| JP5488394B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2014-05-14 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP32518591A patent/JPH0737041B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05131486A (ja) | 1993-05-28 |
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