CN1738864A - 环氧树脂组合物和利用该环氧树脂组合物的半导体装置 - Google Patents

环氧树脂组合物和利用该环氧树脂组合物的半导体装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供了用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，该组合物是按照下列配方制得的：(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)固化促进剂；(D)无机填料；以及(E)氧化的聚乙烯蜡，其中所述氧化的聚乙烯蜡的滴点为60－140℃，酸值为10－100(mg KOH/g)，数均分子量为500－20,000，平均粒径为5－100μm，其中，(A)环氧树脂和(B)酚醛树脂中的至少一种是具有亚联苯结构的酚醛结构化树脂，且其中(E)氧化聚乙烯蜡在环氧树脂组合物中的含量为0.01－1wt％。

Description

环氧树脂组合物和利用该环氧树脂组合物的半导体装置
技术领域
本发明涉及脱模性和连续成形性有所改进的环氧树脂组合物和利用该具有改进耐焊接性的环氧树脂组合物的半导体装置。
背景技术
近年来，在获得操作更快和更轻、更薄和更紧凑的电子设备的要求日益增长的形势下，半导体元件的集成水平和表面装配能力也在日益提高。在这种形势的基础上所造成的当前形势是对封装半导体元件的环氧树脂组合物的要求日益提高。具体来说，在为获得更薄半导体装置的努力中，由于金属模具和环氧树脂组合物的固化树脂之间脱模不完全，因此可能会产生应力，而该应力则可能会导致各种问题，其中包括在半导体装置内的半导体元件自身中产生裂痕，或者是固化树脂和半导体元件界面处的粘附力下降。还有，在为解决环境问题而将含铅焊料替换为无铅焊料的焊料类型转变的情况下，焊接处理所要求的处理温度升高，因此与传统技术相比，要求焊料具有抵抗半导体装置内所含水分蒸发所造成的暴发性应力这一问题更加严峻了。
因此，提出了改进耐焊接性的各种提议。例如，提出了在主链结构中具有亚联苯基单元的苯酚芳烷基型酚醛树脂或环氧树脂(专利文献1)。由于这些树脂在一个分子中含有大量的憎水性化学结构，含有该树脂的环氧树脂组合物固化产品的特征是该产品吸湿性低，还具有的特征是该产品在高于其玻璃化转变温度的高温区下的弹性模量较低，原因是环氧树脂组合物固化产品的交联密度较低。因此，利用了该环氧树脂组合物的半导体装置能降低在焊接处理期间发生的水蒸发而导致的暴发性应力。此外，由于环氧树脂组合物固化产品在加热期间的高温下具有较低的弹性模量，可降低在焊接处理期间导致的热应力。因此，半导体装置最终的特点是具有较好的耐焊接性。然而，由于通式(1a)和(1b)表示结构的树脂中在一个分子中含有大量憎水性化学结构，含有该树脂的组合物与金属材料如引线框之间的粘附性较差。此外，树脂分子中所含的官能团密度较低，这导致固化不完全，进而导致脱模不完全，并因此在脱模过程中产生了作用于半导体的不希望的应力，使得与金属材料之间的粘附性进一步降低。为了提高脱模性，可在组合物中添加传统上使用的脱模剂如巴西棕榈蜡或类似的蜡。然而，传统脱模剂的添加可能不足以提高脱模性，而是使与金属部件之间的粘附性进一步恶化，带来了耐焊接性降低等其他问题。
为提高环氧树脂组合物的脱模性而提出的技术可包括采用联苯环氧树脂(它是一种树脂粘度较低的环氧树脂，从而能较高程度地填充无机填料)或含有脱模剂的环氧树脂组合物(它的脱模性有所改进)(专利文献2和3)。然而，由于较大程度地填充无机填料导致组合物的弹性模量增大，因此与含有通式(1)结构的树脂作为形成环氧树脂两种成分之一的环氧树脂组合物相比，认为耐焊接性被降低了。
专利文献4提出了含有另一类型脱模剂的另一种环氧树脂，该脱模剂与专利文献2所公开的类似，但具有较高的酸值区域，从而与树脂的相溶性更好。
专利文献1：日本专利特开平9-143345
专利文献2：日本专利特开2003-128750
专利文献3：日本专利特开平7-37041
专利文献4：日本专利特开平11-152393
发明内容
本发明人通过各种评估发现：平衡或调节环氧树脂组合物中的树脂组分和脱模剂的相溶性是很关键的，更具体地，存在这样的最优区域，其使得环氧树脂组合物含有的树脂组分和脱模剂之间具有优良的相溶性，而不存在任何过度或不足之处。因此，认为专利文献3的技术不能获得充分的脱模性，理由是专利文献3的技术所提供的环氧树脂组合物中所含的树脂组分和脱模剂之间的相溶性好得过度了。
本发明提供了用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，该组合物是按照下列配方制得的：
(A)主链上具有亚联苯单元的苯酚芳烷基型环氧树脂；
(B)酚醛树脂；
(C)固化促进剂；
(D)无机填料；以及
(E)氧化的聚乙烯蜡，其滴点为60-140℃，酸值为10-100(mgKOH/g)，数均分子量为500-20,000，平均粒径为5-100μm。
进一步地，本发明提供了用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，该组合物是按照下列配方制得的：
A)环氧树脂；
(B)主链上具有亚联苯单元的苯酚芳烷基型酚醛树脂；
(C)固化促进剂；
(D)无机填料；以及
(E)氧化的聚乙烯蜡，其滴点为60-140℃，酸值为10-100(mgKOH/g)，数均分子量为500-20,000，平均粒径为5-100μm。
在这一环氧树脂组合物中，所述的(A)环氧树脂可以是主链上具有亚联苯单元的苯酚芳烷基型树脂。
根据本发明的环氧树脂组合物，，所述的(A)环氧树脂可具有通式(1a)表示的结构：
Figure A20048000231000061
其中，每一个R可以相同也可不同，分别代表氢原子或选自具有1-4个碳原子的烷基的官能团；X代表缩水甘油醚基；以及n代表大于等于1的正数。
进一步地，根据本发明的环氧树脂组合物，酚醛树脂(B)可具有通式(1b)表示的结构：
Figure A20048000231000071
其中，每一个R可以相同也可不同，分别代表氢原子或选自具有1-4个碳原子的烷基的官能团；X代表羟基；以及n代表大于等于1的正数。
此外，本发明还提供了利用所述的环氧树脂将半导体元件封装于其中而形成的半导体装置。
附图说明
从以下结合附图进行的描述中，本发明的上述和其他目的、优点和特征将变得更为明显。附图中：
图1是用于评价脱模力的模具的中心模具的平面图，图中示出了位于中心模具中的流道、剔料和成型品的状态。
图2是图1所示的“A”部分的横截面放大视图。
图3是半导体装置的示意性横截面视图，图中示出了封装半导体元件的环氧树脂组合物的一个封装件。
最佳实施方式
本发明提供了用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，该组合物是按照下列配方制得的：
(A)环氧树脂；
(B)酚醛树脂；
(C)固化促进剂；
(D)无机填料；以及
(E)氧化的聚乙烯蜡。
本发明的环氧树脂组合物可含有下列各成分：
(A)：1-40wt％；
(B)：1-40wt％；
(C)：0.001-5wt％；
(D)：40-97wt％。
由于本发明中所采用的通式(1a)结构(其中X代表缩水甘油醚基)的苯酚芳烷基型环氧树脂在树脂结构中含有大量憎水性化学结构，使含有环氧树脂的环氧树脂组合物的固化产品具有吸湿性较低的特征，并且，由于树脂的交联密度较低，使固化产品在高于其玻璃化转变温度的高温区下具有弹性模量较低的特点。由于含有该树脂的环氧树脂组合物固化产品具有较低的吸湿性，该产品能降低焊接处理期间的水分蒸发所导致的爆发性应力。此外，由于环氧树脂组合物固化产品在其加热期间的高温下具有较低的弹性模量，因此可降低焊接处理期间导致的热应力。因此，半导体装置的最终特点在于具有较好的耐焊接性。
含有通式(1a)结构(其中X代表缩水甘油醚基)的树脂的环氧树脂可与其他类型的环氧树脂一起使用，条件是所加入的其他类型环氧树脂并不会损害包含这些树脂的环氧树脂组合物的性质。其他类型环氧树脂的示例性实例可包括有苯酚酚醛型环氧树脂；甲酚酚醛型环氧树脂；联苯型环氧树脂；双苯酚型环氧树脂；芪型环氧树脂；三苯酚甲烷型环氧树脂；苯酚芳烷基(包括亚苯基单元)型环氧树脂；萘酚型环氧树脂；烷基修饰的三苯酚甲烷型环氧树脂；含有三嗪核结构的环氧树脂；二环戊二烯修饰的苯酚型环氧树脂；等等，可采用这些树脂的单独一种或其组合。
通式(1a)结构(其中X代表缩水甘油醚基)的环氧树脂的一个实例可以但不限于是式(2)所示的树脂：
Figure A20048000231000081
(其中n代表平均值，并且是1-3的正数)。
由于本发明所采用的，主链中具有亚联苯单元的苯酚芳烷基型酚醛树脂，尤其是通式(1b)结构(其中X代表羟基)的酚醛树脂在树脂结构中含有大量憎水性化学结构，使含有酚醛树脂的环氧树脂组合物固化产品具有吸湿性较低的特征，并且，由于树脂的交联密度较低，使固化产品在高于其玻璃化转变温度的高温区下具有弹性模量较低的特点。由于含有该树脂的环氧树脂组合物固化产品具有较低的吸湿性，该产品能降低焊接处理期间的水分蒸发所导致的爆发性应力。此外，由于环氧树脂组合物固化产品在其加热期间的高温下具有较低的弹性模量，因此可降低焊接处理期间导致的热应力。因此，半导体装置的最终特点在于具有较好的耐焊接性。
通式(1b)结构(其中X代表羟基)的酚醛树脂可与其他类型的酚醛树脂一起使用，条件是所加入的其他类型酚醛树脂并不会损害包含这些树脂的环氧树脂组合物的性质。其他类型酚醛树脂的示例性实例可包括有苯酚酚醛树脂；甲酚酚醛树脂；三苯酚甲烷树脂；萜烯修饰的酚醛树脂；二环戊二烯修饰的酚醛树脂；苯酚芳烷基(包括亚苯基结构)树脂；萘酚芳烷基树脂；等等，或者可采用这些树脂的组合。通式(1b)结构(其中X代表羟基)的酚醛树脂的一个实例可以但不限于是式(3)所示的树脂：
(其中n代表平均值，并且是1-3的正数)。
全部环氧树脂中所含的环氧基和全部酚醛树脂中所含的酚羟基的当量比可优选为0.5-2，更优选为0.7-1.5。这一范围的当量比提供了良好的防潮性和固化性。
本发明中采用的固化促进剂是指能使用于环氧树脂和酚醛树脂之间交联反应的催化剂作用的化合物，其示例性实例可以为但不限于是：胺化合物，如三丁基胺、1，8-二氮杂双环(5，4，0)-十一碳烯-7等；有机磷化合物，如三苯基膦、四苯基硼酸四苯基磷鎓等；咪唑化合物，如2-甲基咪唑等。这些固化促进剂可单独使用或组合使用。
本发明所采用的无机填料的示例性实例可以为：熔融硅石、晶体二氧化硅、矾土、氮化硅、氮化铝等。当填充很大量的无机填料时，通常采用熔融硅石。尽管即可采用粉碎的熔融硅石，又可采用球形的熔融硅石，为了达到熔融硅石的较高填充率同时抑制环氧树脂组合物由于较大程度的填料填充而发生粘度增大，优选采用球形的熔融硅石。进一步地，为了实现较大程度的球形熔融硅石填充，优选将球形熔融硅石设计成具有较宽的粒径分布。
本发明所采用的氧化聚乙烯蜡通常含有由羧基等形成的极性基团和由长碳链形成的非极性基团，因此，极性基团朝着固化树脂组合物一侧取向，与此相反地，非极性基团朝着金属模具一侧取向，从而起到了脱模剂的作用。本发明中采用的氧化聚乙烯蜡的滴点为60-140℃，可优选为100-130℃。如果滴点低于上述范围的下限值，则热稳定性不足，在连续的成型过程中可能会发生氧化聚乙烯蜡的热污染，从而使其脱模性恶化，并对连续成型性造成负面影响。当滴点高于上述范围的上限值时，氧化聚乙烯蜡在环氧树脂组合物固化过程期间的熔化不充分，氧化聚乙烯蜡在组合物内的分散性降低，从而导致氧化聚乙烯蜡在固化产品表面的分布不均匀，造成在金属模具表面存在污染，固化树脂产品的外观较差。该氧化聚乙烯蜡的酸值范围为10-100(mg KOH/g)，可优选为15-40(mg KOH/g)。酸值对与固化树脂产品的相溶性具有影响，当酸值低于上述范围的下限值时，可能会导致氧化聚乙烯蜡发生相分离，从而使金属模具表面存在污染，固化产品的外观较差，而当酸值高于上述范围的上限值时，可能使氧化聚乙烯蜡与环氧树脂基体的相溶性过高，脱模剂基本上不能渗出到固化树脂的表面上，从而不能确保获得充分的脱模性。氧化聚乙烯蜡的数均分子量范围为500-20,000，优选为1,000-15,000。当数均分子量低于上述范围的下限值时，氧化聚乙烯蜡和树脂基体之间的亲和性较高，从而导致脱模性不够。当数均分子量高于上述范围的上限值时，氧化聚乙烯蜡可能发生相分离，从而造成在金属模具表面上存在污染，固化树脂产品的外观较差。氧化聚乙烯蜡的平均粒径范围为5-100μm，优选为10-50μm。当平均粒径范围低于上述范围的下限值时，氧化聚乙烯蜡和树脂基体之间的相溶性过高，脱模剂基本上不能渗出到固化树脂的表面上，从而不能确保获得充分的脱模性。平均粒径范围高于上述范围的上限值时，会使氧化聚乙烯蜡发生分离，从而造成在金属模具表面上存在污染，固化树脂产品的外观较差。氧化聚乙烯蜡在环氧树脂组合物中的含量范围为0.01-1wt％，可优选为0.03-0.50wt％。当含量值低于上述范围的下限值时，脱模性可能不足，当含量值高于上述范围的上限值时，可能会破坏与引线框材料的粘附性，从而在焊接处理中与材料剥离开来。而且，也会导致金属模具上存在污染和固化树脂产品的外观较差。
也可采用其它脱模剂与氧化聚乙烯蜡一起使用，条件是该其它类型的脱模剂对氧化聚乙烯蜡的性质不造成损害。其它类型脱模剂的示例性实例包括但不限于：天然蜡，如巴西棕榈蜡等；高级脂肪酸的金属盐，如硬脂酸锌等。
本发明的环氧树脂组合物基本由成分(A)-(E)组成，如果需要，可任选加入下列各种类型的其它添加剂：偶联剂；阻燃剂，如溴化环氧树脂、三氧化锑、磷酸盐化合物等；着色剂，如碳黑等；低应力剂，如硅油、硅橡胶、合成橡胶等；或抗氧化剂。
本发明的环氧树脂组合物可由下列方法获得：采用搅拌器混合前述的成分(A)-(E)和其它添加剂而得到混合物；接下来采用加热捏合机、加热辊或挤出机对该混合物进行加热和捏合，得到捏合的化合物；然后对捏合的化合物进行冷却和制粒，得到最终的产品。
本发明的环氧树脂组合物可通过传统方法如传递模塑法、模压成型法、注射成型等固化和成型而完成对电子部件如半导体元件等的封装，从而获得半导体装置。
图3是半导体装置示例性实例的结构横截面视图，该半导体装置利用了本发明的封装树脂。采用固化的冲模粘结材料将半导体元件101固定在冲模垫102上。金线103将半导体元件101连接到引线框104上。用封装树脂105封装半导体元件101。可通过对具有上述组成的树脂组合物(作为封装树脂105)进行传递模塑而得到半导体装置。
实施例
以下将参照实施例对本发明展开描述。本文中组合物的配方将以垂量份进行说明。
氧化聚乙烯蜡和硅石的粒径是指采用激光衍射粒径分析仪(SALD-7000，shimazu公司)测定的数均值。
实施例1
成分为：
式(2)的环氧树脂(包括亚联苯基结构的苯酚芳烷基型环氧树脂，购自Nippon Kayaku，NC3000P，软化点：58℃，环氧当量：273)：8.80重量份；
n＝2.8
式(5)的酚醛树脂(包括亚苯基结构的苯酚芳烷基型树脂，购自MitsuiChemical，XLC-4L，软化点：65℃，羟基当量：174)：5.40重量份；
n＝3.3
1，8-二氮杂双环(5，4，0)-十一碳烯-7(下文中缩写为DBU)：0.20重量份；
球形熔凝石英(平均粒径：30.0μm)：85.20重量份；
碳黑：0.30重量份；以及
脱模剂(I)：氧化聚乙烯蜡(滴点：120℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：2,000，平均粒径：50μm)：0.10重量份。
采用搅拌机混合以上成分；接下来用双辊研磨机对混合的化合物进行20次捏合，双辊的表面温度分别为95℃和25℃；冷却得到的捏合化合物并制粒，得到环氧树脂组合物。采用下列方法对所得到的环氧树脂组合物进行评价。
传统氧化聚乙烯蜡的性质如下：
滴点：120-125℃，
酸值：15-19(mg KOH/g)，
数均分子量：约2,000，
平均粒径：约150μm
评价方法：
(1)用于评价的金属模具
(i)用于评价脱模力的金属模具包括上部模具、图1所示的中心模具和下部模具，在成型过程完成之后成型产品粘附到中心模具上，该成型产品的形状为直径14.0mm，高度或厚度(传递模塑法)为1.5mm。图1中，标号1是指中间模具，标号2是指剔料，标号3是指流道，标号4是指成型产品，标号5是指气孔，标号6是指球形突起，标号7是指用于插入推挽式量具的孔。
(ii)评价金属模具表面上的污染形成和耐焊接性的模具是用于封装100pTQFP半导体元件的金属模具，其封装尺寸是14mm×14mm，厚14mm(传递模塑法)。
金属模具表面的处理方法：为了清洁金属模具表面，向金属模具提供脱模性的处理是通过金属模具清洁材料如蜜胺树脂和调湿材料的成型而完成。成型条件是：金属模具温度为175℃，注射压力为7.3MPa。
对脱模力的评价：利用金属模具(已进行过获得脱模性的前述处理)在下列条件下使环氧树脂组合物成型：金属模具温度175℃，注射压力6.9MPa，固化时间2分钟。从粘附在中心模具上的总共8个成型产品中任意选出4个成型品，在20秒内从模具的开口处推动该4个成型品通过设置在中心模具上部的孔，从而按照预定顺序使这4个成型品脱模。在连续成型过程中，采用推挽式量具穿过设置在中心模具上部的孔在第1，第10，第50和第100射程(shots)处测定由推动进行脱模所要求的负荷。取从各个射程处得到的4个数据的平均值。负荷的单位是[N]。
对连续成型性的评价：对用于封装100pTQFP半导体元件的金属模具进行获得脱模性的处理，接下来，将500个100Ptqfp封装件(包括引线框，引线框上未装配半导体元件)与环氧树脂组合物成型，成型条件是：金属模具温度为175℃，注射压力7.3MPa，固化时间1分钟。在连续成型期间观察成型产品表面上以及金属模具表面上出现的污染程度。用以下符号表示评价结果：“×”表示脱模时成型产品粘附到金属模具上；“△”表示无光泽、变白或渗油的成型产品；“○”表示无任何问题的成型产品。
对涡流(流动性)的评价：利用测定涡流的金属模具按照EMMII-1-66测定组合物的涡流，条件为：金属模具温度175℃，注射压力6.9MPa，固化时间2分钟。涡流的表示单位为[cm]。
对邵氏D硬度的评价：通过传递模塑法使16pSOP(20mm×6.5mm，厚3.3mm)成型，成型条件为：金属模具温度175℃，注射压力7.3MPa，固化时间2分钟。采用邵氏D硬度计在模具打开后10秒时测定成型产品的表面硬度。
对高温粘度的评价：在基底材料(长30mm，宽9mm，厚150μm，部件材料是Cu)上成型用于剪切粘度测定的成型产品(形状为圆锥形，但顶端被截掉，截断处的上表面直径为2.5mm，下表面的直径为3.0mm，高3.0mm)，成型条件是：金属模具温度175℃，注射压力6.9MPa，固化时间2分钟。而且，在175℃下进行8小时的后固化处理。采用剪切负荷计，在240℃下使基底部件在剪切负荷计中保持1分钟，在相同温度下，将负荷横向地施加到成型产品距离下表面125μm高的位置处，以测量将成型产品剥离出基底部件所需的负荷。剪切负荷的表示单位是[N/mm2]。
对耐焊接性的评价：在上述用于评价连续成型性的500个封装件成型之后，使环氧树脂组合物成型而对100Ptqfp进行封装(半导体元件的尺寸为8.0×8.0mm，引线框由42合金制成)，成型条件为：金属模具温度175℃，注射压力7.3MPa，固化时间1分钟。而且，在175℃下进行8小时的后固化处理，然后将得到的封装件置于温度为85℃，相对湿度为85％的环境中保持168小时。此后，将封装件浸入240℃的焊料浴中维持10秒。采用扫描声层析技术测量环氧树脂组合物固化产品的剥离面积，即固化的环氧树脂组合物从引线框基底材料(岛状后表面，以及内部引线的尖端)表面剥离的面积，剥离率由下列公式计算：
[剥离率]＝((剥离面积)/(半导体元件的表面积)×100％)
样品数目n＝10。剥离率的单位为％。
实施例2-10和比较实施例1-9
按照表1所列的配方混合各个成分，得到与实施例1中相类似的环氧树脂组合物，按照与实施例1中类似的方法评价获得的产品。结果示于表1中。
以下将对除实施例1之外的其他实施例和比较实施例中所采用的其他成分展开描述。
式(3)的酚醛树脂(含有亚联苯结构的苯酚芳烷基树脂，购自MeiwaChemical，MEH7851SS，软化点：67℃，羟基当量：203)
Figure A20048000231000151
n＝2.5
式(4)的环氧树脂(联苯型环氧树脂，购自Japan Epoxy Resin，Japan，商品名为YX-4000H，熔点：105℃，环氧当量：191)：
Figure A20048000231000152
脱模剂(II)：氧化聚乙烯蜡(滴点：70℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：750，平均粒径：50μm)；
脱模剂(III)：氧化聚乙烯蜡(滴点：120℃，酸值：75(mg KOH/g)，数均分子量：2,000，平均粒径：50μm)；
脱模剂(IV)：氧化聚乙烯蜡(滴点：130℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：15,000，平均粒径：50μm)；
脱模剂(V)：氧化聚乙烯蜡(滴点：120℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：2,000，平均粒径：15μm)；
脱模剂(VI)：氧化聚乙烯蜡(滴点：120℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：2,000，平均粒径：90μm)；
脱模剂(VII)：氧化聚乙烯蜡(滴点：50℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：1,000，平均粒径：50μm)；
脱模剂(VIII)：氧化聚乙烯蜡(滴点：160℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：4,000，平均粒径：50μm)；
脱模剂(IX)：氧化聚乙烯蜡(滴点：120℃，酸值：5(mg KOH/g)，数均分子量：2,000，平均粒径：50μm)；
脱模剂(X)：氧化聚乙烯蜡(滴点：120℃，酸值：150(mg KOH/g)，数均分子量：2,000，平均粒径：50μm)；
脱模剂(XI)：氧化聚乙烯蜡(滴点：55℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：350，平均粒径：50μm)；
脱模剂(XII)：氧化聚乙烯蜡(滴点：150℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：30,000，平均粒径：50μm)；
脱模剂(XIII)：氧化聚乙烯蜡(滴点：120℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：3,000，平均粒径：3μm)；以及
脱模剂(XIV)：氧化聚乙烯蜡(滴点：120℃，酸值：20(mg KOH/g)，数均分子量：2,000，平均粒径：200μm)。
本发明涉及吸湿性较低、应力较低以及脱模性改进的环氧树脂组合物。
采用该环氧树脂组合物，本发明提供了这样的半导体装置，其连续成型性有所改进，在半导体元件成型和封装期间的脱模性有所提高，与金属材料如引线框等的粘附性有所改进，而耐焊接性也有所提高。
进一步地，上述实施例中确定了有效的脱模剂(氧化聚乙烯蜡)含量范围为0.02-0.80wt％，但0.01-1wt％的含量范围也能获得同样的结果。
                                                                                       表1
                                                                  实施例
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10
配方   式(2)表示的环氧树脂   8.80   8.16   8.16   8.16   8.16   8.16   8.16   8.19   7.93
  式(3)表示的酚醛树脂   7.32   6.04   6.04   6.04   6.04   6.04   6.04   6.06   5.87
  式(4)表示的环氧树脂   6.89
  式(5)表示的酚醛树脂   5.40
  DBU   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20
  球形熔融硅石   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20
  碳黑   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30
  脱模剂(I)   0.10   0.10   0.10
  脱模剂(II)   0.10
  脱模剂(III)   0.10
  脱模剂(IV)   0.10
  脱模剂(V)   0.10
  脱模剂(VI)   0.10
结果   脱模力(N)   第1射程   2.0   1.9   1.8   2.2   2.3   1.8   2.2   2.0   2.8   1.7
  第10射程   1.8   1.9   1.6   2.1   2.2   1.6   2.1   2.0   2.4   1.5
  第50射程   1.6   1.7   1.4   1.9   2.0   1.4   1.8   1.9   2.0   1.3
  第100射程   1.5   1.4   1.4   1.8   1.9   1.5   1.8   1.7   1.9   1.2
  连续成型性   模具上的污染   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
  产品上的污染   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
  涡流(cm)   120   98   100   105   90   90   94   92   105   95
  邵氏D硬度   80   85   85   84   84   84   84   85   85   84
  高温粘度(剪切粘度N/mm2)   10.5   10.6   10.7   11.7   12.0   9.8   11.9   11.2   12.9   9.1
  耐焊接性(剥离率％)   5   5   0   0   0   0   0   0   0   0
                                                                                             表2
                                                           比较实施例
  1   2   3   4   5   6   7   8   9
配方   式(2)表示的环氧树脂   8.16   8.16   8.16   8.16   8.16   8.16   8.16   8.16
  式(3)表示的酚醛树脂   6.04   6.04   6.04   6.04   6.04   6.04   6.04   6.04
  式(4)表示的环氧树脂   7.43
  式(5)表示的酚醛树脂   6.77
  DBU   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20   0.20
  球形熔融硅石   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20   85.20
  碳黑   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30   0.30
  脱模剂(I)   0.10
  脱模剂(VII)   0.10
  脱模剂(VIII)   0.10
  脱模剂(IX)   0.10
  脱模剂(X)   0.10
  脱模剂(XI)   0.10
  脱模剂(XII)   0.10
  脱模剂(XIII)   0.10
  脱模剂(XIV)   0.10
结果   脱模力(N)   第1射程   2.0   3.8   1.4   1.6   3.6   3.5   1.5   3.6   1.2
  第10射程   1.8   3.3   1.2   1.5   3.3   3.3   1.3   3.4   0.9
  第50射程   1.7   3.0   1.1   1.3   3.0   3.0   1.2   3.2   0.9
  第100射程   1.6   2.8   1.0   1.2   3.0   2.9   1.1   3.1   0.8
  连续成型性   模具上的污染   ○   ○   ×   ×   ○   ○   ×   ○   ×
  产品上的污染   ○   ○   ×   ×   ○   ○   ×   ○   ×
  涡流(cm)   130   105   90   85   95   100   80   95   90
  邵氏D硬度   81   84   84   84   84   84   84   84   84
  高温粘度(剪切粘度N/mm2)   9.8   9.2   7.5   7.8   8.4   9.1   7.4   9.9   7.1
  耐焊接性(剥离率％)   30   40   60   50   20   30   50   10   80

Claims (7)

1.用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，该组合物是按照下列配方制得的：
(A)主链上具有亚联苯基单元的苯酚芳烷基型环氧树脂；
(B)酚醛树脂；
(C)固化促进剂；
(D)无机填料；以及
(E)氧化的聚乙烯蜡，其滴点为60-140℃，酸值为10-100(mgKOH/g)，数均分子量为500-20,000，平均粒径为5-100μm。
2.用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，该组合物是按照下列配方制得的：
(A)环氧树脂；
(B)主链上具有亚联苯基单元的苯酚芳烷基型酚醛树脂；
(C)固化促进剂；
(D)无机填料；以及
(E)氧化的聚乙烯蜡，其滴点为60-140℃，酸值为10-100(mgKOH/g)，数均分子量为500-20,000，平均粒径为5-100μm。
3.根据权利要求2所述的用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，其中，
所述的(A)环氧树脂是主链上具有亚联苯基单元的苯酚芳烷基型环氧树脂。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，其中，
所述的(A)环氧树脂具有通式(1a)表示的结构：
Figure A2004800023100002C1
其中，每一个R可以相同也可不同，分别代表氢原子或选自具有1-4个碳原子的烷基的官能团；X代表缩水甘油醚基；以及n代表大于等于1的正数。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，其中，
所述的(B)酚醛树脂具有通式(1b)表示的结构：
Figure A2004800023100003C1
其中，每一个R可以相同也可不同，分别代表氢原子或选自具有1-4个碳原子的烷基的官能团；X代表羟基；以及n代表大于等于1的正数。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的用于封装半导体元件的环氧树脂组合物，其中，
所述的(E)氧化聚乙烯蜡在所述环氧树脂组合物中的含量为0.01-1wt％。
7.一种利用权利要求1-6中任意一项所述的环氧树脂组合物将半导体元件封装于其中而形成的半导体装置。
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