JPS592023B2 - 電子写真板 - Google Patents

電子写真板

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JPS592023B2
JPS592023B2 JP49006089A JP608974A JPS592023B2 JP S592023 B2 JPS592023 B2 JP S592023B2 JP 49006089 A JP49006089 A JP 49006089A JP 608974 A JP608974 A JP 608974A JP S592023 B2 JPS592023 B2 JP S592023B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は成層電子写真板に係り、更に具体的には電荷発
生層及び別個の電荷転送層を有する電子写真板に係る。
本発明においては別個の電荷発生層に隣接して用いられ
る電荷転送層として、所定のピラゾリン化合物を用いて
いる。
本発明によれば予期せぬ利点を有する電子写真板が調整
されることがわかつた。本発明に用いられるピラゾリン
化合物は次の式を有する少なくとも１つのトリフェニル
・ピラゾリン化合物である。
Ｘ□ＣＸゝ一ＣＨ＝ＣＨ□Ｘ 。
Ｎ−ＮここでＸは同一の電子供与基である。
この材料は化学的にスチリル・ピラリゾンとして分類さ
れうる。
更に、置換する最も好ましい電子供与基はメトキシ、エ
トキシ、ジメチル・アミノ、ジエチル・アミノ等である
。がニトロ基及びシアノの様な電子吸引基でもつて置換
される事は好ましくない。本発明において用いられるピ
ラゾリン化合物は公知の材料であり、それらの調製につ
いては文献に述べられている。
従来技術の教えるところによればその様な材料は光導電
体として知られている。ピラゾリンの光導電性はＵＳＰ
３ｌ８Ｏ７２９及びＵＳＰ３５４９３６２に示されてい
る。現在用いられているいくつかの周知の電子写真再生
プロセスがある。
それらは実施される特有の方法の点で、とりわけ通常コ
ロナを用いる電気帯電及び照射が実施される順序におい
て異なる。しかしながら、全ての電子写真再生プロセス
は光に対する選択的露光によつて光導電体の部分を選択
的に導電性にするステツプを含んでいる。本発明におけ
る電荷転送層は全てのその様なプロセスにおいて電子写
真板を有用なものにするのに有効である。電荷転送層が
広範囲の種々な別個の電荷発生層のうちの任意のものと
共に用いうる事が本発明の予期されなかつた利点の１つ
である。
例えば、電荷発生層はセレンの合金でありうる。それは
また米国特許出願番号Ｆｌ２９６３７（特公昭５０３７
５４５号）に示される様なシアニン化合物、同黒１２９
６３５（特開昭４７−３７５４３号）に示される様なジ
スアゾ化合物の様な有機材であつてもよい。何れの場合
においても予期せぬ高感度が得られた。
即ち例えば負の７００ポルトに帯電された電子写真板を
露光により負の２００ボルトに放電させるのに公知のポ
リビニルカルバゾール及び２４−Jャgリニトロフルオレ
ノン等部の混合物より成る写真板は３．３マイクロジュ
ール／Ｃｒｌｉの光エネルギを要し、無定形セレンは２
乃至３マイクロジュール／ＣｒＡの光エネルギを要する
のに比べ、本発明の電子写真板は後述の例で示されるよ
うに０．２４乃至０．７マイクロジュール／Ｃｄを要す
るのみであり、これは少く共数倍の感度を有することを
意味する。本発明の電荷転送層は電荷発生層の上部若し
くは電荷発生層の下部のいずれにおいても用いられうる
。
機械的な理由のために、電荷転送層を上部に置く事が一
般には好ましい。電荷転送層は厚さが相当変動しうる（
概して約１０乃至約３０ミクロン。好ましくは約１５乃
至約２５ミクロン）。電荷転送層が電荷発生層の上にあ
る場合、即ち電荷発生層が電荷転送層と導電基体の間に
ある場合、電子写真板は負に帯電されるべきである。電
荷転送層が電荷発生層の下にある例においては、即ち電
荷転送層が電荷発生層と導電性基体の間にある場合には
、電子写真板は正に帯電されるべきである。これに対す
る理論的説明は定かでない。本発明のピラゾリン電荷転
送層が転送ホールによつて動作するものと理論付けられ
るが、これはそれらのデータと一致する。光導電性は（
１）電荷の発生及び（２）電荷の転送の少なくとも２つ
のステツプを含む。
本発明はピラゾリン含有層が別個の電荷発生層において
発生された電荷を転送しうる事を利用するものである。
本発明の予期されなかつた利点に関してピラゾリン含有
材が電荷を転送するだけでなく電荷の注入を受け入れう
る点即ち電荷をして別個の電荷発生層と電荷転送層の間
の界面を通過させうるという予期し得なかつた能力を有
する事を特に強調したい。これは有機及び無機の電荷発
生層のいずれに関しても真理である。無置換のトリフエ
ニルピラゾリンにおいてさえ、その環構造内の広げられ
たパイ電子系、電子過多のニトロゲンゆえにイオン化ポ
テンシヤルが比較的低くなる。
本発明のようにフエニル基が電子供与基で置換されると
きにはこの電子供与基により一層分子の中央構造の電子
密度が顕著に増大させられるので、さらにイオン化ポテ
ンシヤルが小さくなり、この結果電荷発生層に電荷を与
え自らはイオンとなつて界面での電荷注入を促進すると
考えられる。本発明のピラゾリン化合物はフイルムを形
成しうるという付加的利点を有する。
従つて、それはそれ自体電荷転送層を形成するように用
いられうる。しかしながら、機械的理由のために、バイ
ンダと共に用いる事が概して好ましい。たいていの場合
、おおむねバインダ約１乃至３重量部に対してピラゾリ
ン１重量部を用いる事が好ましい。樹脂の様な多くのタ
イプのバインダ材が従来知られている。ポリエステル樹
脂及びポリカーボネートを用いて特に良好な結果が得ら
れた。塩化ポリビニリデン及びポリスチレンも又用いら
れうる。低分子量のアクリル樹脂も用いうる。例１ 乾燥時の厚さおよそ０．３ミクロンのバリヤ層でもつて
浸漬被覆された導電性基体上にＳｅ６８重量％、Ｔｅ３
Ｏ重量％及びＡｓ２重量％よりなる電荷発生層が蒸着さ
れた。
３部のポリエステル（ＧＯＯＯｅａｒＶＰＥ２ＯＯＯ）
と１部の１−フエニル一３−〔Ｐ−ジメチルアミノスチ
リル〕−５〔Ｐ−ジメチルアミノフエニル〕−ピラゾリ
ン（テトラヒドロフランに溶解されたもの）よりなる溶
液でもつてバリヤ層が被覆された。
被覆は５ミルのウエツト・ギヤツプにセツトされたナイ
フ・プレードを用いて行なわれた。合成層は５５゜Ｃで
１６時間加熱され、結果的に乾燥厚さは１５ミクロンで
あつた。光導電体は暗所においておよそ７００ボルトの
負電圧にコロナ帯電された。
サンプルはフオトコピ一・グリーン・ランプの光源で霧
光された。初期暗帯電は０．３３マイクロジュール／Ｃ
７７ｆに対して２００Ｖまで減衰された。なお、バリヤ
層は周知であり、たとえば米国特許第３７９１８２６号
に開示されている。
その機能は望まない電荷注入を阻止し、適切な電荷の受
け入れを維持することである。バリヤ層が機能するとこ
ろの正確なプロセスは明確には理解されていないけれど
も、光露光時にバリヤ層において電子電荷のトンネル効
果が起こり、これによりプレートが放電すると考えられ
る。つぎの例２では例１に対応する場合であつてかつ発
生層のない比較例が示されており、これらから本発明が
大変に有効であることが明らかである。
例 ２（比較例）テトラヒドロフランから調製され、３
部のポリエステル及び１部のピラゾリンよりなる溶液が
導電性基体上に５ミルのぬれ厚さにナイフ・プレード被
覆された。
過剰の溶剤を除去するためにおよそ８０℃において２時
間にわたつて乾燥された。乾燥厚さはおよび１２ミクロ
ンであつた。光導電体は回転デイスク・エレクトロメー
タにおいて−６００ボルトに帯電された。タングステン
光源に対する露光によつて４秒後に暗帯電は５００ボル
ト（およそ２０％の減衰）まで減衰した。比較のために
、例１の成層光導電体が回転デイスク・］エレクトロメ
ータにおいて−８８０ボルトに帯電され、（タングステ
ン光源＋１．４７ニユートラル濃度フイルタ＋オパール
・ガラス）の光へ露光された。
元の−８８０ボルトの暗帯電は０．１５秒後に２０％減
じ（７０倍増）、そして０．７秒で２００ボルトのレベ
ルまで減じた。例３ およそ１グラムのシアニン染料、３−エチル−２〔５−
（３−エチル−２−ベンゾチアゾリニリデン）−１・３
−ペンタジエニル〕ベンゾチアゾリウム・イオダイドが
ＭｃＣｒＯｎｅ微細化ミルに置かれ、（ビデオ・エネル
ギ実験室ミルは英国ＭｃＣｒＯｎｅＲｅｓｅａｒｃｈＡ
ｓｓＯｃｉａｔｅｓから得られる）そして６０分間乾燥
粉体に粉砕された。
およそ１０グラムのテトラヒドロフラン及び０．１５グ
ラムのポリビニルプチラール樹脂一ＩｎｙｌｉｔｅＸＹ
ＨＬ（ＵｎｉＯｎＣａｒｂｉｄｅａｎｄＣａｒｂＯｎ社
から得られる）が粉体に加えられ、更に３０分間ひかれ
た。できたスラリーは更にテトラヒドロフランを加える
事によつて濃度が減じられ、メニスカス被覆体を用いて
マイラ（デユボン社商標）基体へ塗布された。１部の１
−フエニル一３〔Ｐ−ジエチルアミノスチリル〕−５〔
Ｐ−ジエチルアミノフエニル〕ピラゾリン、１．５部の
ＭｅｒｌＯｎ６Ｏ（ＭＯｂａｙＣｈｅｍｉｃａｌ社のポ
リカーボネート樹脂）並びに１６部のテトラヒドロフラ
ンを含む溶液でもつて薄い染料層（２ミクロンより小）
が、浸漬被覆された。
層の厚さはおよそ１７ミクロンであつた。光導電板は暗
所においておよそ７００ボルトの負電圧にコロナ帯電さ
れた。
サンプルはおよそ５５００オングストロームにおいて最
大強度を有する様に波長フイルタでろ波されたタングス
テン光源へ露光された。７００ボルトの初期暗電圧が約
０．７マイクロジュール／Ｃｄの露光によつて２００ボ
ルトまで減じた。
例４ セレン合金電荷発生層が例１と同じ様にして調製された
。
その層はテトラヒドロフランに１部のポリエステルと１
部の１−フエニル一３−〔Ｐメトキシスチリル〕−５−
〔Ｐ−メトキシフエニル〕−ピラゾリンが溶解された溶
液でもつて浸漬被覆された。被覆体は過剰の溶剤を除去
して１６乃至１８ミクロンの乾燥厚さをうるべく５５℃
において４０時間にわたつて乾燥された。光導電板は暗
所においておよそマイナス７００ボルトに帯電された。
板はフオトコピ一・グリーン・ランプへ露光された。初
期暗帯電は０．３２マイクロジュール／ＣｒＡの露光に
よつて２００ボルトに減じられた。例５ セレン合金電荷発生層が例１と同様にして調製された。
その層は、テトラヒドロフランに２部のポリエステルと
１部の１−フエニル一３−〔Ｐジエチルアミノスチリル
〕−５−〔Ｐ−ジエチルアミノフエニル〕−ピラゾリン
の溶解された溶液でもつて浸漬被覆された。被覆体は１
５ミクロンの乾燥厚さをうるべく過剰の溶剤を除去する
ために６０℃において７２時間にわたつて乾燥された。
光導電体は暗所において７００ボルトに負帯電され、フ
オトコピ一・グリーン・ランプに露光された。初期暗帯
電は０．２４マイクロジュール／Ｃｄの露光によつて２
００ボルトまで減じられた。例６Ｓｅ６８重量％、Ｔｅ
３Ｏ重量％及びＡｓ２重量％のＳｅ合金よりなる電荷発
生層が導電基体上に直接蒸着された。
電荷転送層が例５と同様にして形成され被覆された。光
導電体は暗所においておよそ６００ボルトの負電圧にコ
ロナ帯電された。
電子写真板はフオトコピ一・グリーン・ライト光源へ露
光され、暗電荷は０．２４マイクロジュール／Ｃｄの露
光によつて２００ボルトに減じられた。例７ およそ厚さ０．３ミクロンのＣｄＳ−Ｓｅよりなる電荷
発生層が化学蒸着技術によつて導電性基体上に付着され
た。
１部のポリエステルと１部の１−フエニル一３−〔Ｐ−
ジメチルアミノスチリル〕−５−〔Ｐ−ジメチルアミノ
フエニル〕−ピラゾリンよりなる電荷転送層がおよそ６
ミクロンの乾燥厚さにナイフ被覆された。
光導電体は回転デイスク・エレクトロメータにおいて−
３９０ボルトに暗帯電された。
サンプルはタングステン灯に露光され、初期暗帯電は０
．１５秒で２００ボルトに減じた。例８ ２部のポリエステルと１部の１−フエニル一３一〔Ｐ−
ジエチルアミノスチリル〕−５−〔Ｐジエチルアミノフ
エニル〕−ピラゾリンよりなる電荷転送層が適当な溶剤
に溶解された。
溶液は導電性基体において浸漬被覆され、１５ミクロン
の適当な厚さになる様に乾燥された。２−Ｐ−ジメチル
アミノスチリルキノリン・エチオジド（ＥｔｈｉＯｄｉ
ｄｅ）染料が転送層（厚さは２ミクロンより小）の表面
へこすりつけられ、電荷発生層が構成された。
次に光導電体は回転デイスク・エレクトロメータにおい
て＋７２０ボルトに暗帯電された。
初期暗帯電はタングステン・ランプを用いて０．８０秒
において２００ボルトに減じられた。例９ 例７と同様にして、すなわち１部のポリエステルと１部
の１−フエニル一３−〔Ｐ−ジメチルアミノスチリル〕
−５−〔Ｐ−ジメチルアミノフエニル〕−ピラゾリンよ
りなる電荷転送層がおよそ６ミクロンの乾燥厚さにナイ
フ被覆された。
この電荷転送層のうえにジスアゾ化合物のピラゾロン・
レツドの薄い染料層が被覆されて発生層が形成された。
光導電体は回転デイスク・エレクトロメータにおいて＋
９２０ボルトの暗電圧に帯電された。
次に、初期暗電圧はタングステン光源によつて０．７秒
において２００ボルトまで減じられた。なお、正の帯電
を行うことから明らかなように、この光導電体の構造は
上から順に基板、電荷転送層、電荷発生層の順に構成さ
れている。
また、ピラゾロン・レツドは次の構造式を有するもので
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 導電性基板と、セレン合金、ＣｄＳ−Ｓｅ、ジスア
    ゾ化合物、シアニン化合物および２−Ｐ−ジメチルアミ
    ノスチリルキノリン・エチオジドより成る群から選ばれ
    る光導電体から成る電荷発生層と、この電荷発生層に隣
    接して設けられる別個の電荷転送層とを有する電子写真
    板において、▲数式、化学式、表等があります▼（但し
    上式においてＸは同一の電子供与基である）を有する化
    合物により上記電荷転送層を構成したことを特徴とする
    電子写真板。
JP49006089A 1973-01-15 1974-01-11 電子写真板 Expired JPS592023B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US00323677A US3837851A (en) 1973-01-15 1973-01-15 Photoconductor overcoated with triarylpyrazoline charge transport layer
US323677 1973-01-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS49105537A JPS49105537A (ja) 1974-10-05
JPS592023B2 true JPS592023B2 (ja) 1984-01-17

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ID=23260252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP49006089A Expired JPS592023B2 (ja) 1973-01-15 1974-01-11 電子写真板

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3837851A (ja)
JP (1) JPS592023B2 (ja)
BE (1) BE809704A (ja)
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CH (1) CH579789A5 (ja)
DE (1) DE2401219C3 (ja)
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IT (1) IT1001106B (ja)
NL (1) NL7400140A (ja)

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