JPS5890660A - 画像形成法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、導電層の上に接着層、電荷発生層および電荷
輸送層を有する電子写真感光体の表面を帯電した後、儂
露光し、現像剤の存在下に現像バイアスを印加しながら
現像することを特徴とする画像形成法に関する。
輸送層を有する電子写真感光体の表面を帯電した後、儂
露光し、現像剤の存在下に現像バイアスを印加しながら
現像することを特徴とする画像形成法に関する。
従来導電層上に有機顔料を含む感光体、特に導電層、有
機顔料を含む電荷発生層、電荷輸送層からなる機能分離
型電子写真感光体が知られているが、感光層を電荷発生
層と電荷−送層に機能分離しrL1子写真感光体の電荷
発生層は、十分な吸光度を得るためにできる限り多くの
顔料などからなる光導電体を含有し、且つ発生したホト
・キャリアの飛程を短かくするために薄膜層とする仁と
が必要である。このことは、入射光量の大部分が電荷発
生層で吸収されて多くのホト・キャリアを生成すること
、さらには発生したホト・キャリアを再結合や捕獲によ
シ失活することなく電荷輸送層に注入する必要があるこ
とに帰因している。
機顔料を含む電荷発生層、電荷輸送層からなる機能分離
型電子写真感光体が知られているが、感光層を電荷発生
層と電荷−送層に機能分離しrL1子写真感光体の電荷
発生層は、十分な吸光度を得るためにできる限り多くの
顔料などからなる光導電体を含有し、且つ発生したホト
・キャリアの飛程を短かくするために薄膜層とする仁と
が必要である。このことは、入射光量の大部分が電荷発
生層で吸収されて多くのホト・キャリアを生成すること
、さらには発生したホト・キャリアを再結合や捕獲によ
シ失活することなく電荷輸送層に注入する必要があるこ
とに帰因している。
この様に、前述の積層構造体からなる感光層を設けた電
子写真感光体の感度は、電荷発生層の膜厚および顔料の
含有量に依存している。
子写真感光体の感度は、電荷発生層の膜厚および顔料の
含有量に依存している。
一方、電荷発生層に接する導電層は、通常ある種度の表
面粗さを有しているため、電荷発生層の全表面に亘って
均一な薄膜層を形成させることが困難となっている。こ
れは、導電層の表面粗さが大きくなるほど、形成され比
電荷発生層の見かけ上の膜厚が上昇し、このため電子写
真感光体の感度を低下させることになっている。
面粗さを有しているため、電荷発生層の全表面に亘って
均一な薄膜層を形成させることが困難となっている。こ
れは、導電層の表面粗さが大きくなるほど、形成され比
電荷発生層の見かけ上の膜厚が上昇し、このため電子写
真感光体の感度を低下させることになっている。
従って、導電層の表面粗さをできる限り小さくすること
が必要であるが、導電層表面の加工に要するコストを上
昇させることになる。
が必要であるが、導電層表面の加工に要するコストを上
昇させることになる。
この様なことから、導電層と電荷発生層の間に接着層を
設けて前述の如き問題点を解消する試みがな各れている
が、一般に接着層の多くはキャリアの導通性が十分でな
く、このため感光体を繰り返し帯電−露光を行なってい
くうちに、感光体の残留電位が徐々に上昇シ、良好な複
写画偉を得ることができなくなる欠点を有している。し
かも、接着層のキャリア導通性が環境変化、特に湿度の
変動に従って変動し、このため環境変化に対して安定し
た画偉を形成できないなどの欠点を有している 本発明は、か\る機能分離型電子写真感光体の積層に当
り、接着層を設け、電荷発生層および電荷輸送層からな
る電子写真感光体において、感光体表面を帯電した後、
偉露光し現俸剤゛の存在下に現像バイアスを印加しなが
ら現像することによシ、優れた画儂を形成する方法であ
る。
設けて前述の如き問題点を解消する試みがな各れている
が、一般に接着層の多くはキャリアの導通性が十分でな
く、このため感光体を繰り返し帯電−露光を行なってい
くうちに、感光体の残留電位が徐々に上昇シ、良好な複
写画偉を得ることができなくなる欠点を有している。し
かも、接着層のキャリア導通性が環境変化、特に湿度の
変動に従って変動し、このため環境変化に対して安定し
た画偉を形成できないなどの欠点を有している 本発明は、か\る機能分離型電子写真感光体の積層に当
り、接着層を設け、電荷発生層および電荷輸送層からな
る電子写真感光体において、感光体表面を帯電した後、
偉露光し現俸剤゛の存在下に現像バイアスを印加しなが
ら現像することによシ、優れた画儂を形成する方法であ
る。
本発明に用いる電子写真感光体について説明すると、層
構成として社、導電層の上に接着層、電荷発生層および
電荷輸送層を設ける。即ち、導電層と電荷発生層との接
着性を向上する目的で接着層を設ける。
構成として社、導電層の上に接着層、電荷発生層および
電荷輸送層を設ける。即ち、導電層と電荷発生層との接
着性を向上する目的で接着層を設ける。
導電層としては、アルミニウム等の金属製ドラムあるい
はアルミニウム等の金属板又は金属箔、アルミニウム等
の金属を蒸着したプラスチックフィルム、アルミニウム
等の金属箔をプラスチックフィルムあるいは紙とはシ合
わせたもの、導電処理を施した紙郷が使用される。
はアルミニウム等の金属板又は金属箔、アルミニウム等
の金属を蒸着したプラスチックフィルム、アルミニウム
等の金属箔をプラスチックフィルムあるいは紙とはシ合
わせたもの、導電処理を施した紙郷が使用される。
接着層の材質としてはカゼイン又はポリビニルアルコー
ル、水溶性ポリエチレン等の樹脂が効果的である。
ル、水溶性ポリエチレン等の樹脂が効果的である。
接着層の厚さFio、5〜5μ好ましくは1〜3μが適
当である。
当である。
電荷発生層は導電層あるいは導電層に施した接着層の上
にジスアゾ系顔料を真空蒸着するか、ジスアゾ系顔料の
微粒子をバインダーなしであるいは必要があれば適当な
バインダー溶液中に分散しこれを塗布乾燥して設ける。
にジスアゾ系顔料を真空蒸着するか、ジスアゾ系顔料の
微粒子をバインダーなしであるいは必要があれば適当な
バインダー溶液中に分散しこれを塗布乾燥して設ける。
ジスアゾ系顔料としては次の一般式(1)で示されるも
のを用いることができる。
のを用いることができる。
ただし、ムは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基
、低級アルコキシ基よシなる群から選一; ベンゼン環と縮合してす7タレン環、カルバゾール環を
形成する残基を意味し、Yは水素原子、−CONRIR
2、−COOR2よシ成る群から選ばれ九基(ただし、
R1は水素原子、低級アルキル基、置換ま念は未置換の
フェニル基よりなる群から選ばれた基を意味し、R2は
アルキル基、置換または未置換のフェニルおよびす7チ
ル基からなる群から選ばれた基を意味する)を意味する
。
、低級アルコキシ基よシなる群から選一; ベンゼン環と縮合してす7タレン環、カルバゾール環を
形成する残基を意味し、Yは水素原子、−CONRIR
2、−COOR2よシ成る群から選ばれ九基(ただし、
R1は水素原子、低級アルキル基、置換ま念は未置換の
フェニル基よりなる群から選ばれた基を意味し、R2は
アルキル基、置換または未置換のフェニルおよびす7チ
ル基からなる群から選ばれた基を意味する)を意味する
。
一般式(1)で表わされるジスアゾ系顔料は出発原料化
合物である一般式 ただし、ムは水素原子、ノ・ロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基よりなる群から選ばれた基を意味
する。
合物である一般式 ただし、ムは水素原子、ノ・ロゲン原子、低級アルキル
基、低級アルコキシ基よりなる群から選ばれた基を意味
する。
で示されるジアミンを常法によりテトラゾ化し、次いで
一般式 喪だし、Xはベンゼン環と縮合してナフタレ/環、カル
バゾール環を形成する残基を意味し、Yは水素原子、−
CONRIR2、COOR2よりなる群−から選ばれた
基(ただし、R1は水素原子、低級アルキル基、置換ま
たは未置換のフェニル基よりなる群から選ばれた基を意
味し、R2はアルキル基、置換または未置換のフェニル
およびナフチル基からなる群から選ばれた基を意味する
)で示されるカプラーとアルカリの存在下カップリング
するか、あるいは一般式(2)のジアミンのテトラゾリ
ウム塩をホウ7ツ化塩あるいは塩化亜鉛塩郷の塩の形で
一旦単離した後適当な溶媒例えばN、N−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリ
の存在下一般式(3)のカプラーとカップリングするこ
とにょ)容易に製造することができる。
一般式 喪だし、Xはベンゼン環と縮合してナフタレ/環、カル
バゾール環を形成する残基を意味し、Yは水素原子、−
CONRIR2、COOR2よりなる群−から選ばれた
基(ただし、R1は水素原子、低級アルキル基、置換ま
たは未置換のフェニル基よりなる群から選ばれた基を意
味し、R2はアルキル基、置換または未置換のフェニル
およびナフチル基からなる群から選ばれた基を意味する
)で示されるカプラーとアルカリの存在下カップリング
するか、あるいは一般式(2)のジアミンのテトラゾリ
ウム塩をホウ7ツ化塩あるいは塩化亜鉛塩郷の塩の形で
一旦単離した後適当な溶媒例えばN、N−ジメチルホル
ムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でアルカリ
の存在下一般式(3)のカプラーとカップリングするこ
とにょ)容易に製造することができる。
以下にこの発明で用いうるジスアゾ系顔料のされるもの
ではない。
ではない。
一般式(1)
合成例 1
(萄 2,5−ビス(4′−アンノフェニル) −1,
3,4−オキサジアゾールの合成 2.5−ビス(4′−二トロフエエル) −1,3,4
オキサジアゾ〒ル62.45f(0,2モル)、メチル
セロソルブ700−およびメチルセロソルブ10〇−に
浸したパラジウムカーボン(用研ファインケミカル社製
パラジウム1(1)10fの分散液を2L三ツロフラス
コに入れ加熱攪拌し、液温が50℃に達したのち加熱浴
をはずし、ヒドラジンハイドラート42.6+d(Q、
7モル)を30分間で滴下した。ヒドラジンハイドラー
トの滴下により発熱、発泡し、滴下終了時には液温か8
4℃に達した。次に加熱浴を付し10分間で液温を90
Cとし、同温度で20分間反応させた後、ヒドラジンハ
イドラ−)12.1m(0,2モル)を添加し更に40
分間反応させた。反応液を冷却しても結晶が析出しない
ので蒸発乾固し固形分をエタノール洗浄後乾燥し融点2
55〜6℃の淡黄色の結晶44.5fを得た。収率88
1元素分析 分子式014!”12N40計算値慢
分析値− C66,6567,14 H4,794,87 N 22.21 22.79 CB) 顔料1の合成 500−ビーカーに水300−と2,5−ビス(4′−
アミノフエニル) −1,3,4−オキサジアゾール1
11L1f(a04モル)を入れ攪拌しながら濃塩酸2
4.9d(0,186モル)を加え念0次に液温を5℃
まで冷却し、亜硝酸ソーダ5.8f(α084モル)を
水15−に溶かし九液を20分間で液温を5℃以下に保
ちながら滴下した0滴下終了後更に20分間攪拌を続は
活性炭を加え念後濾過しテトラゾ化液を得た。
3,4−オキサジアゾールの合成 2.5−ビス(4′−二トロフエエル) −1,3,4
オキサジアゾ〒ル62.45f(0,2モル)、メチル
セロソルブ700−およびメチルセロソルブ10〇−に
浸したパラジウムカーボン(用研ファインケミカル社製
パラジウム1(1)10fの分散液を2L三ツロフラス
コに入れ加熱攪拌し、液温が50℃に達したのち加熱浴
をはずし、ヒドラジンハイドラート42.6+d(Q、
7モル)を30分間で滴下した。ヒドラジンハイドラー
トの滴下により発熱、発泡し、滴下終了時には液温か8
4℃に達した。次に加熱浴を付し10分間で液温を90
Cとし、同温度で20分間反応させた後、ヒドラジンハ
イドラ−)12.1m(0,2モル)を添加し更に40
分間反応させた。反応液を冷却しても結晶が析出しない
ので蒸発乾固し固形分をエタノール洗浄後乾燥し融点2
55〜6℃の淡黄色の結晶44.5fを得た。収率88
1元素分析 分子式014!”12N40計算値慢
分析値− C66,6567,14 H4,794,87 N 22.21 22.79 CB) 顔料1の合成 500−ビーカーに水300−と2,5−ビス(4′−
アミノフエニル) −1,3,4−オキサジアゾール1
11L1f(a04モル)を入れ攪拌しながら濃塩酸2
4.9d(0,186モル)を加え念0次に液温を5℃
まで冷却し、亜硝酸ソーダ5.8f(α084モル)を
水15−に溶かし九液を20分間で液温を5℃以下に保
ちながら滴下した0滴下終了後更に20分間攪拌を続は
活性炭を加え念後濾過しテトラゾ化液を得た。
次に水1tに苛性ソーダ39゜6 f ((L99モル
)全溶解し、2−ヒドロキシ−3−ナフタレンカルボン
酸アニリド2五7f(Q、09モル)を加え50℃まで
加熱溶解後、熱濾過して微量の不溶分を除去した。
)全溶解し、2−ヒドロキシ−3−ナフタレンカルボン
酸アニリド2五7f(Q、09モル)を加え50℃まで
加熱溶解後、熱濾過して微量の不溶分を除去した。
このカプラー水溶液を5℃まで冷却し攪拌しながら上記
テトラゾ化液を液温5〜8℃に保ちながら40分間で滴
下した。滴下終了後室温で更に1時間攪拌を続は析出し
た顔料を戸取した。
テトラゾ化液を液温5〜8℃に保ちながら40分間で滴
下した。滴下終了後室温で更に1時間攪拌を続は析出し
た顔料を戸取した。
得られ九顔料を洗浄液が中性になるまで熱水で洗浄を繰
返した。一旦乾燥後エタノール400―で2回、メチル
エチルケトン400−で2同順次熱濾過し溶剤不溶分を
乾燥し融点527〜8℃の顔料2a10Fを得た(粗収
率88−)。
返した。一旦乾燥後エタノール400―で2回、メチル
エチルケトン400−で2同順次熱濾過し溶剤不溶分を
乾燥し融点527〜8℃の顔料2a10Fを得た(粗収
率88−)。
次にN、N−ジメチルホルムアミド溶媒で30時間、テ
トラヒドロフラン溶媒で10時間順次ソックスレーにか
妙各溶媒不溶分を乾燥し融点333〜4℃の赤色顔料2
4.7Sfを得た(精成率77憾)。
トラヒドロフラン溶媒で10時間順次ソックスレーにか
妙各溶媒不溶分を乾燥し融点333〜4℃の赤色顔料2
4.7Sfを得た(精成率77憾)。
元素分析 分子式048H52N805計算値−分析値
− C71,9971,49 H4,034,45 N 1五99 1五68 赤外吸収スはクトル 1673cm−’第2アミド可視
吸収スはクトル 吸収極大波長 λmaw 560nm(o−ジクロルベ
ンゼン溶液(ODB溶液)) 合成例 2〜10 カプラーを変えて2,5−ビス(4′−アミノフェニル
) −1,5,4−オキサジアゾールのテトラゾ化液と
のカップリング反応を合成例1@と同様に行わせて、顔
料2.5.6.7.12.17.19.20.21を合
成した。
− C71,9971,49 H4,034,45 N 1五99 1五68 赤外吸収スはクトル 1673cm−’第2アミド可視
吸収スはクトル 吸収極大波長 λmaw 560nm(o−ジクロルベ
ンゼン溶液(ODB溶液)) 合成例 2〜10 カプラーを変えて2,5−ビス(4′−アミノフェニル
) −1,5,4−オキサジアゾールのテトラゾ化液と
のカップリング反応を合成例1@と同様に行わせて、顔
料2.5.6.7.12.17.19.20.21を合
成した。
表1に各顔料の収量等を示し、表2に元素分析の結果を
示し、表3に赤外吸収スイクトルおよび可視吸収スはク
トルの数値を示した。
示し、表3に赤外吸収スイクトルおよび可視吸収スはク
トルの数値を示した。
表 1
2 225.5!i 77330−4325 519
.95 56 >400 4 627.05 75522−5255 720.5
4 57555−5546 1220.59 5234
7−3497 17 16.22 43264−266
8 19 14.75 50294−2969 20
15.08 67526−52710 21 22.3
7 59 >400表 2 2 1675 562 5 1675 558 6 1675 562 7 f675 564t2
1670 56017
1660 55719
f655 56020
53021
1655 −表 3 N 15.7215.25 N 12.4412.52 N 12.4412.03 C17,j 67.03 顔 料 分 子 式 元 素 計算値−分析値−N
14.85 14.65 N 14.94 14.73 合成例 11 顔料22の合成 苛性ソーダ26.41(0−66−rニル)を水900
−に溶解し喪液にエタノール600wj、2−ヒドロキ
シ−5−す7ターレンカルボン酸−N−エチルアニリド
19.25 F (α066モル)を加え均一な溶液と
した後冷却し液温を0℃と、し−攪拌、しな、がら合成
例1(A)と全く同様にして合成した(105モル相当
の2,5−ビス(4′−アきノフェニル)−1,5,4
−オキサジアゾールのテトラゾ化液を液温を0〜6℃に
保ちながら50分かけて滴下し、滴下終了後6℃で30
分間攪拌し更に室温で40分間反応を行い析出した顔料
をP取し、熱湯で十分洗浄後乾燥し、融点305〜8℃
粗製物1五5tを得た(粗部率53俤)。N、N−ジメ
チルフォルムアミドより2回、0−ジクロルベンゼンよ
り1回再結晶した後熱メチルエチルケトン50〇−で洗
浄した後乾燥し、融点323〜4℃の赤色針状晶7.2
7 fを得た(粗製率28%)。
.95 56 >400 4 627.05 75522−5255 720.5
4 57555−5546 1220.59 5234
7−3497 17 16.22 43264−266
8 19 14.75 50294−2969 20
15.08 67526−52710 21 22.3
7 59 >400表 2 2 1675 562 5 1675 558 6 1675 562 7 f675 564t2
1670 56017
1660 55719
f655 56020
53021
1655 −表 3 N 15.7215.25 N 12.4412.52 N 12.4412.03 C17,j 67.03 顔 料 分 子 式 元 素 計算値−分析値−N
14.85 14.65 N 14.94 14.73 合成例 11 顔料22の合成 苛性ソーダ26.41(0−66−rニル)を水900
−に溶解し喪液にエタノール600wj、2−ヒドロキ
シ−5−す7ターレンカルボン酸−N−エチルアニリド
19.25 F (α066モル)を加え均一な溶液と
した後冷却し液温を0℃と、し−攪拌、しな、がら合成
例1(A)と全く同様にして合成した(105モル相当
の2,5−ビス(4′−アきノフェニル)−1,5,4
−オキサジアゾールのテトラゾ化液を液温を0〜6℃に
保ちながら50分かけて滴下し、滴下終了後6℃で30
分間攪拌し更に室温で40分間反応を行い析出した顔料
をP取し、熱湯で十分洗浄後乾燥し、融点305〜8℃
粗製物1五5tを得た(粗部率53俤)。N、N−ジメ
チルフォルムアミドより2回、0−ジクロルベンゼンよ
り1回再結晶した後熱メチルエチルケトン50〇−で洗
浄した後乾燥し、融点323〜4℃の赤色針状晶7.2
7 fを得た(粗製率28%)。
元素分析 分子式〇q2H4(IN605計算値チ
分析値− C72,8872,38 H4,714,79 N 1五〇8 1五59 赤外吸収スはクトル 1650cR−1第5アミド可視
吸収スペクトル λ!Il@z 547 nm(ODB
溶液)合成例 12 顔料23の合成 合成例1(4)と同様にして得られた2、5−ビス(4
′−アはノフェニル) −1,3,4−オキサジアゾー
ルのテトラゾ化液中にホウ7ツ化水素酸(42参)58
f(0,18モル)を加え析出し九白色の固形分を水洗
後乾燥し分解点124〜5℃の2,5−ジフェニル−1
,3,4−オキサジアゾール−4′、4“−テトラゾニ
ウムジフルオロボレート17. Ofを得た(収率94
9I)。次に2tビーカーに2−ヒドロキシ−5−す7
タレンカルボン酸フエニルエステル11.63f(0,
044モル)とピリジン50〇−を入れ室温で攪拌して
均一溶液とし先に合成した2、5−ジフェニル−1,3
,4−オキサジアゾール−4′、4#−テトラゾニウム
ジフルオロボレー)9.0Of(0,02そル)を水4
00+dに溶かした液を攪拌しながら室温で40分間滴
下し、滴下終了後頁に室温で2時間攪拌を継続した。析
出した固形分を炉取し、水、アセトンで順次洗浄後乾燥
し、融点307〜8℃の赤色顔料15.42fを得た(
粗部率96%)。
分析値− C72,8872,38 H4,714,79 N 1五〇8 1五59 赤外吸収スはクトル 1650cR−1第5アミド可視
吸収スペクトル λ!Il@z 547 nm(ODB
溶液)合成例 12 顔料23の合成 合成例1(4)と同様にして得られた2、5−ビス(4
′−アはノフェニル) −1,3,4−オキサジアゾー
ルのテトラゾ化液中にホウ7ツ化水素酸(42参)58
f(0,18モル)を加え析出し九白色の固形分を水洗
後乾燥し分解点124〜5℃の2,5−ジフェニル−1
,3,4−オキサジアゾール−4′、4“−テトラゾニ
ウムジフルオロボレート17. Ofを得た(収率94
9I)。次に2tビーカーに2−ヒドロキシ−5−す7
タレンカルボン酸フエニルエステル11.63f(0,
044モル)とピリジン50〇−を入れ室温で攪拌して
均一溶液とし先に合成した2、5−ジフェニル−1,3
,4−オキサジアゾール−4′、4#−テトラゾニウム
ジフルオロボレー)9.0Of(0,02そル)を水4
00+dに溶かした液を攪拌しながら室温で40分間滴
下し、滴下終了後頁に室温で2時間攪拌を継続した。析
出した固形分を炉取し、水、アセトンで順次洗浄後乾燥
し、融点307〜8℃の赤色顔料15.42fを得た(
粗部率96%)。
粗製物を熱アセトン500m’で洗浄後0−ジクロルベ
ンゼンで2回再結晶し更に熱メチルエチルケトン800
−で洗浄後乾燥し、融点321〜322℃の赤色針状晶
aostを得た(精収率50ts)。
ンゼンで2回再結晶し更に熱メチルエチルケトン800
−で洗浄後乾燥し、融点321〜322℃の赤色針状晶
aostを得た(精収率50ts)。
元素分析 分子式C48H5ON607計算値−分析値
優 C71,8171,87 H五77 五95 N IQ、47 1(L50 赤外吸収スはクトル 1735m−1C−0伸縮振動可
視吸収スはクトル λmaz 552 nm (ODB
溶液)合成例 13 (萄 2,5−ビス(2′−クロル−4′−アミノフェ
ニル) −1,5,4−オキサジアゾールの合成3を三
ツロフラスコにピリジン300wtと2,5−ビス(2
′−クロル−4′−二トロフェニル)1.3.4−オキ
サジアゾール26.67f(0,07モル)を入れ30
分間で液温を80℃とした後に塩化アンモニウム134
.82F(2,52モル)を水70〇−に溶かした液と
硫化ソーダ(Na 2 B・9H20)502.68t
C1,26モル)を20分間で順次添加した。その後液
温80〜86℃で2時間攪拌した。
優 C71,8171,87 H五77 五95 N IQ、47 1(L50 赤外吸収スはクトル 1735m−1C−0伸縮振動可
視吸収スはクトル λmaz 552 nm (ODB
溶液)合成例 13 (萄 2,5−ビス(2′−クロル−4′−アミノフェ
ニル) −1,5,4−オキサジアゾールの合成3を三
ツロフラスコにピリジン300wtと2,5−ビス(2
′−クロル−4′−二トロフェニル)1.3.4−オキ
サジアゾール26.67f(0,07モル)を入れ30
分間で液温を80℃とした後に塩化アンモニウム134
.82F(2,52モル)を水70〇−に溶かした液と
硫化ソーダ(Na 2 B・9H20)502.68t
C1,26モル)を20分間で順次添加した。その後液
温80〜86℃で2時間攪拌した。
熱時分液p斗でピリジン層を分取し水層にピリジン20
0−を加え、更に水層との分離を促進するため食塩80
fを加え分液炉斗にてよく振った後ピリジン層を分取し
先に分取したピリジン溶液と併せピリジンを減圧留去し
次、得られ念固形分を熱湯80−で2回熱−過し乾燥後
ベンゼン500−で2回熱濾過し、熱湯、熱ベンゼンに
不溶の淡いベージュ色粉末19.5 Ofを得次。
0−を加え、更に水層との分離を促進するため食塩80
fを加え分液炉斗にてよく振った後ピリジン層を分取し
先に分取したピリジン溶液と併せピリジンを減圧留去し
次、得られ念固形分を熱湯80−で2回熱−過し乾燥後
ベンゼン500−で2回熱濾過し、熱湯、熱ベンゼンに
不溶の淡いベージュ色粉末19.5 Ofを得次。
融点199〜201.5℃、収率87−00−ジクロル
ベンゼン470−より再結晶し融点2015〜2.5℃
のベージュ色針状晶1a3Fを得た(精収率8116)
。
ベンゼン470−より再結晶し融点2015〜2.5℃
のベージュ色針状晶1a3Fを得た(精収率8116)
。
元素分析 分子式014HI QC12N40計算値参
分析値チ C52,5652,40 H五14 五24 N 17.45 17.39 C122,0822,01 03) *料24の合成 1tのビーカーに水500sdと2,5−ビス(2′−
クロル−4′−アミノフェニル) −1,3,4−オキ
サジアゾール9.20f([LO29モル)を入れ攪拌
しながら濃硫酸72.7mg((182モル)を加えた
。
分析値チ C52,5652,40 H五14 五24 N 17.45 17.39 C122,0822,01 03) *料24の合成 1tのビーカーに水500sdと2,5−ビス(2′−
クロル−4′−アミノフェニル) −1,3,4−オキ
サジアゾール9.20f([LO29モル)を入れ攪拌
しながら濃硫酸72.7mg((182モル)を加えた
。
次に液を3℃までへ却し亜硝酸ソーダ4.2f(106
1モル)を水10−に溶かした液を15分間で液温を5
℃以下に保ちながら滴下した。
1モル)を水10−に溶かした液を15分間で液温を5
℃以下に保ちながら滴下した。
滴下終了後頁に10分間攪拌を続け、活性炭を加えたf
f1F遇し、テトラゾ化液を得た0次に水700−に苛
性ソーダ3五6F(0,84モル)を溶解し、2−ヒド
ロキシ−3−ナフタレンカルボン酸7二lJド16.6
f(cL063 モル)を加え60℃まで加熱後熱濾過
して微量の不溶分を除いた。
f1F遇し、テトラゾ化液を得た0次に水700−に苛
性ソーダ3五6F(0,84モル)を溶解し、2−ヒド
ロキシ−3−ナフタレンカルボン酸7二lJド16.6
f(cL063 モル)を加え60℃まで加熱後熱濾過
して微量の不溶分を除いた。
このカプラー水溶液を5℃まで冷却し攪拌しながら上記
テトラゾ化液を液温5〜12℃に保ちながら50分間滴
下した0滴下終了後同温度にて26分間攪拌し、その後
室温で30分間攪拌を継続した。析出した固形分を十分
水洗した後一旦乾燥し熱メチルエチルケトン400−で
2回洗浄後乾燥し、融点314〜6℃の粗製物21.0
tc粗収率83悌)を得た。
テトラゾ化液を液温5〜12℃に保ちながら50分間滴
下した0滴下終了後同温度にて26分間攪拌し、その後
室温で30分間攪拌を継続した。析出した固形分を十分
水洗した後一旦乾燥し熱メチルエチルケトン400−で
2回洗浄後乾燥し、融点314〜6℃の粗製物21.0
tc粗収率83悌)を得た。
粗製物をトリクロルベンゼン9tよシ1回再結晶し、更
に熱メチルエチルケトン400sdで丙浄後乾燥し、融
点329〜330℃の精製物16.8fを得之(精収率
66優)。
に熱メチルエチルケトン400sdで丙浄後乾燥し、融
点329〜330℃の精製物16.8fを得之(精収率
66優)。
元素分析 分子式C48H50Ct2N805計算値−
分析値− C66,2966,07 H五48 五7O N 12.88 12.66 CL a15 a+)3 赤外吸収スはクトル 16753−’第2アミド可視吸
収スはクトル λm&x548 nm(ODB溶液)合
成例 14 (4) 2.6−ビス(!1′−メチルー4′−アミノ
7エ二ル) −1,S、a−オキサジアゾールの合成2
.5−ビス(3′−メチル−4′−二トロフェニル)
−1,3,4−、t * tジアゾール6a1f(11
12モル)、メチルセロソルブ1.5tおよびメチルセ
ロソルブ100−に浸したパラジウムカーボン(用研フ
ァインケミカル社製パラジウム10優)10tの分散液
を3を三ツロフラスコに入れ加熱攪拌し液温か50CK
達し光のち、ヒドラジンハイドラ−) 42.6wt(
(17モル)を35分間滴下した。なおヒドラジンハイ
ドラート滴下の間は液温か60℃以上とならないように
注意する。
分析値− C66,2966,07 H五48 五7O N 12.88 12.66 CL a15 a+)3 赤外吸収スはクトル 16753−’第2アミド可視吸
収スはクトル λm&x548 nm(ODB溶液)合
成例 14 (4) 2.6−ビス(!1′−メチルー4′−アミノ
7エ二ル) −1,S、a−オキサジアゾールの合成2
.5−ビス(3′−メチル−4′−二トロフェニル)
−1,3,4−、t * tジアゾール6a1f(11
12モル)、メチルセロソルブ1.5tおよびメチルセ
ロソルブ100−に浸したパラジウムカーボン(用研フ
ァインケミカル社製パラジウム10優)10tの分散液
を3を三ツロフラスコに入れ加熱攪拌し液温か50CK
達し光のち、ヒドラジンハイドラ−) 42.6wt(
(17モル)を35分間滴下した。なおヒドラジンハイ
ドラート滴下の間は液温か60℃以上とならないように
注意する。
次[30分間で液温を90℃とし念後ヒドラジンハイド
ラート12.1m(12モル)を添加し、同温度でさら
に30分間反応させた0反応液を熱濾過したP液を放冷
し析出し九結晶を濾過後メタノール、アセトンで順次洗
浄後乾燥すると融点259〜290℃の淡黄色プリズム
晶37. Ofが得られた。P液を類1乾固後メタノー
ル、アセトンで順次洗浄すると融点257〜9℃の結晶
15.Ofが得られた。熱濾過時の残滓をメチルセロソ
ルブ100−で熱濾過し、P液を蒸発乾固後固形分をメ
タノール、アセトンで順次洗浄し融点257〜9℃の結
晶A1fが得られた。総収量55.1f収率98−0 元素分析 分子式自6H16N40 計算値−分析値優 C6a55 6a81 H5,755,82 N 19.99 2a26 (B) 顔料28の合成 合成例1@における手法によって2.5−ビス(3′−
メチル−4′−アミノフェニル) −1,3,4−オキ
サジアゾール11.21tc0.04モル)を使用して
同様にカップリング反応を実施して融点316〜8℃の
粗製物27.57f(粗状率85哄)を得た。さらに精
製して融点339〜340℃の顔料25.45fを得良
(精収率79−)。
ラート12.1m(12モル)を添加し、同温度でさら
に30分間反応させた0反応液を熱濾過したP液を放冷
し析出し九結晶を濾過後メタノール、アセトンで順次洗
浄後乾燥すると融点259〜290℃の淡黄色プリズム
晶37. Ofが得られた。P液を類1乾固後メタノー
ル、アセトンで順次洗浄すると融点257〜9℃の結晶
15.Ofが得られた。熱濾過時の残滓をメチルセロソ
ルブ100−で熱濾過し、P液を蒸発乾固後固形分をメ
タノール、アセトンで順次洗浄し融点257〜9℃の結
晶A1fが得られた。総収量55.1f収率98−0 元素分析 分子式自6H16N40 計算値−分析値優 C6a55 6a81 H5,755,82 N 19.99 2a26 (B) 顔料28の合成 合成例1@における手法によって2.5−ビス(3′−
メチル−4′−アミノフェニル) −1,3,4−オキ
サジアゾール11.21tc0.04モル)を使用して
同様にカップリング反応を実施して融点316〜8℃の
粗製物27.57f(粗状率85哄)を得た。さらに精
製して融点339〜340℃の顔料25.45fを得良
(精収率79−)。
元素分析 分子式C3rJH56N805計算値嗟
分析値− C72,4572,03 H4,384,44 N 1五52 1五99 赤外吸収スはクトル 16705″″1可視吸収スはク
トル λmaw 572nm(ODB溶液)合成例 1
5〜17 顔料30〜32の合成 2.5−ビス(3′−り四ルー4′−アミノ7エ二ル)
−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(3
′−プpムー4′−アオノフェニル) −1,3,4−
オキサジアゾール、2.5−ビス(2′−ブロム−4′
−アミノフェニル) −1,3,4−オキサジアゾール
、の各a029モルを使用して合成例13(B)と同様
にテトラゾ化した。次に苛性ソーダ3五6F(α84モ
ル)を水1tに溶かし念液にメタノール350−とナフ
トールAs−LB (2−ヒドロキシ−3−カルバゾー
ルカルボン酸−p−10ルアニリド)21.22f(0
,063モル)を加え均一溶液とし、合成例13@と同
様に先に用意し九テトラゾ化液とそれぞれカップリング
して顔料30〜32を得た。精製は合成例103)と同
様にして行った。
分析値− C72,4572,03 H4,384,44 N 1五52 1五99 赤外吸収スはクトル 16705″″1可視吸収スはク
トル λmaw 572nm(ODB溶液)合成例 1
5〜17 顔料30〜32の合成 2.5−ビス(3′−り四ルー4′−アミノ7エ二ル)
−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(3
′−プpムー4′−アオノフェニル) −1,3,4−
オキサジアゾール、2.5−ビス(2′−ブロム−4′
−アミノフェニル) −1,3,4−オキサジアゾール
、の各a029モルを使用して合成例13(B)と同様
にテトラゾ化した。次に苛性ソーダ3五6F(α84モ
ル)を水1tに溶かし念液にメタノール350−とナフ
トールAs−LB (2−ヒドロキシ−3−カルバゾー
ルカルボン酸−p−10ルアニリド)21.22f(0
,063モル)を加え均一溶液とし、合成例13@と同
様に先に用意し九テトラゾ化液とそれぞれカップリング
して顔料30〜32を得た。精製は合成例103)と同
様にして行った。
表4に各顔料の収量等を示し、表5に元素分析の結果を
示した。
示した。
表 4
15 30 19.16 65 >40016 51
19.56 61 >40017 52 21.1
6 66 >400表 5 H2,972,91 N1五781五98 CL 1五951五85 51C52H3(IBr2ct2NH)05 C56,
49S &06H2,742,5O N 12.6712.62 32 C52H5oBr2Cj2N1o05 C56,
495424H2,742,59 N 12.671Z59 各顔料の赤外吸収スはクトルはいずれも16555w−
1に第2アミドの吸収を示した。
19.56 61 >40017 52 21.1
6 66 >400表 5 H2,972,91 N1五781五98 CL 1五951五85 51C52H3(IBr2ct2NH)05 C56,
49S &06H2,742,5O N 12.6712.62 32 C52H5oBr2Cj2N1o05 C56,
495424H2,742,59 N 12.671Z59 各顔料の赤外吸収スはクトルはいずれも16555w−
1に第2アミドの吸収を示した。
ジスアゾ系顔料の分散に際しては、ボールミル、アトラ
イター等公知の方法を用いることができ、顔料粒子が5
μ以下好ましくは2μ以下とすることが望ましい。
イター等公知の方法を用いることができ、顔料粒子が5
μ以下好ましくは2μ以下とすることが望ましい。
ジスアゾ系顔料はエチレンジアミン等のアミン系溶剤に
溶かし塗布することもできる。塗布方法はブレード、マ
イヤーバー、スプレー等の通常の方法が用いられる。
溶かし塗布することもできる。塗布方法はブレード、マ
イヤーバー、スプレー等の通常の方法が用いられる。
電荷発生層の膜厚は5μ以下好ましくは1μ以下が望ま
しい。
しい。
電荷発生層にバインダーを用いる場合バインダー量が多
いと感度に影響するため電荷発生層中に占めるバインダ
ーの割合は80−以下、好ましくは40畳以下が望まし
い。
いと感度に影響するため電荷発生層中に占めるバインダ
ーの割合は80−以下、好ましくは40畳以下が望まし
い。
使用されるバインダーとしては、ポリビニルブチラール
、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリカーボネート、
アクリル樹脂、ポリアクリルアミド等の樹脂が用いられ
る。
、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリカーボネート、
アクリル樹脂、ポリアクリルアミド等の樹脂が用いられ
る。
電荷発生層より上層の電荷輸送層へのキャリヤー注入を
均一にするために必要があれば電荷発生層の表面を研磨
し鏡面仕上げする。
均一にするために必要があれば電荷発生層の表面を研磨
し鏡面仕上げする。
この様にして設けた電荷発生層上に電荷輸送物質を、更
に電荷輸送物質が被膜形成能をもたない場合は当該物質
とバインダーとを適当な有機溶剤に溶かし良液を通常の
方法で塗布乾燥し電荷輸送層を形成する。
に電荷輸送物質が被膜形成能をもたない場合は当該物質
とバインダーとを適当な有機溶剤に溶かし良液を通常の
方法で塗布乾燥し電荷輸送層を形成する。
電荷輸送物質としては電子輸送性物質と正孔輸送性物質
がある。
がある。
電子輸送性物質としては、2,4.7−)!Jニトロー
9−フルオレノン、2,4,5.7−チトラニトロフル
オレノン、2,4.7−ドリニトロー9−ジシアノメチ
レンフルオレノン、2,4,5.7−チトラニトロキサ
ントン、2,4.8−’ )リニトロチオキサントン等
の電子受容性物質がある。
9−フルオレノン、2,4,5.7−チトラニトロフル
オレノン、2,4.7−ドリニトロー9−ジシアノメチ
レンフルオレノン、2,4,5.7−チトラニトロキサ
ントン、2,4.8−’ )リニトロチオキサントン等
の電子受容性物質がある。
正孔輸送性物質としては、ピレン、N−エチルカルバゾ
ール、N−イソプロピルカル/(ソール、2.S−ヒス
(4−ジエチルアミノフェニル)−1,5,4−オキサ
ジアゾール、1−フェニル−3−(4−ジエチルアきノ
スチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)ピラ
ゾリン、1−ピリジル−(2) −3−(4−ジエチル
アミノスチリル)−5−(4−9エチルアミーノフエニ
ル)ピラゾリン、1−キノリル−(2)−3−(4−ジ
エチル7Zノスチリル)−5−(4−9エチルア電ノフ
ーエニル)ヒラゾリン、トリフェニルアミン% d”
!J −N −ビニルカルバゾール、ノ\ロlン化ポ、
リーN−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9
−ビニルフェニルアントラセン等がある。
ール、N−イソプロピルカル/(ソール、2.S−ヒス
(4−ジエチルアミノフェニル)−1,5,4−オキサ
ジアゾール、1−フェニル−3−(4−ジエチルアきノ
スチリル)−5−(4−ジエチルアミノフェニル)ピラ
ゾリン、1−ピリジル−(2) −3−(4−ジエチル
アミノスチリル)−5−(4−9エチルアミーノフエニ
ル)ピラゾリン、1−キノリル−(2)−3−(4−ジ
エチル7Zノスチリル)−5−(4−9エチルア電ノフ
ーエニル)ヒラゾリン、トリフェニルアミン% d”
!J −N −ビニルカルバゾール、ノ\ロlン化ポ、
リーN−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−9
−ビニルフェニルアントラセン等がある。
電荷輸送物質はここに記載したものに限定されるもので
はなく、その使用に際しては電荷輸送物質を1種類ある
い社2種類以上混合して用いることができる。
はなく、その使用に際しては電荷輸送物質を1種類ある
い社2種類以上混合して用いることができる。
ただし、電子輸送性物質と正孔輸送性物質を混合した場
合には、電荷移動吸収が可視部に生じ露光しても電荷輸
送層の下部にある電荷発生層に光が届かなくなることが
あり、この組合せは避けることが望ましい。
合には、電荷移動吸収が可視部に生じ露光しても電荷輸
送層の下部にある電荷発生層に光が届かなくなることが
あり、この組合せは避けることが望ましい。
電荷輸送層の膜厚は5〜30μ好ましくは8〜20μで
ある。
ある。
バインダーとしては、アクリル系樹脂、ポリスチレン、
ポリエステル、ポリカーボネート等を用いることができ
る。低分子の正孔輸送性物質のバインダーには、先に述
べたボIJ −N−ビニルカルバゾール等−め正孔輸送
性ポリマーをバインダーに用いることができる。
ポリエステル、ポリカーボネート等を用いることができ
る。低分子の正孔輸送性物質のバインダーには、先に述
べたボIJ −N−ビニルカルバゾール等−め正孔輸送
性ポリマーをバインダーに用いることができる。
導電層、接着層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層し
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸
送性物質からなるときは電荷輸送層表面を正に帯電する
必要があり、帯電後備露光すると露光部では電荷発生層
において生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあ
と表面に達して正電荷を中和し表面電位の減衰が生じ未
露光部との間に静電コントラストが生じる。この様にし
てできた静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視
像が得られる。これを直接定着するかあるいはトナー像
を紙やプラスチック7、イルム等に転写後定着すること
もできる。
た感光体を使用する場合において電荷輸送物質が電子輸
送性物質からなるときは電荷輸送層表面を正に帯電する
必要があり、帯電後備露光すると露光部では電荷発生層
において生成した電子が電荷輸送層に注入され、そのあ
と表面に達して正電荷を中和し表面電位の減衰が生じ未
露光部との間に静電コントラストが生じる。この様にし
てできた静電潜像を負荷電性のトナーで現像すれば可視
像が得られる。これを直接定着するかあるいはトナー像
を紙やプラスチック7、イルム等に転写後定着すること
もできる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後定
着する方法もとれる。
着する方法もとれる。
現俸剤の種類や現像方法定着方法は公知のものや公知の
方法のいずれを採用しても良く特定の4のに限定される
ものではない。
方法のいずれを採用しても良く特定の4のに限定される
ものではない。
一方電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、電荷
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後像露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、そのあと表面に達して負電荷を中和
し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場
合とは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後像露光す
ると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電荷
輸送層に注入され、そのあと表面に達して負電荷を中和
し、表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コント
ラストが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場
合とは逆に正荷電性トナーを用いる必要がある。
本発明の画像形成法は、導電層と電荷発生層および電荷
輸送層からなる感光層の間に接着層を設けた電子写真感
光体が有している繰り返し使用した時に生じる残留電位
の上昇や環境変化に対する帯電特性の変動などから生じ
る画像形成上の欠点を現像時に現像バイアスを印加する
ことによって防止する点に特徴を有しており、特に前述
の如き感光体を繰夛返し使用しても、残留電位の上昇を
ほとんど無くすことができるので、繰シ返し良好なコピ
ーを得ることができ、しかも環境変化に対して安定し念
帯電特性が得られるので、冬期と夏期の何れを問わず安
定なコピーを得ることができる。
輸送層からなる感光層の間に接着層を設けた電子写真感
光体が有している繰り返し使用した時に生じる残留電位
の上昇や環境変化に対する帯電特性の変動などから生じ
る画像形成上の欠点を現像時に現像バイアスを印加する
ことによって防止する点に特徴を有しており、特に前述
の如き感光体を繰夛返し使用しても、残留電位の上昇を
ほとんど無くすことができるので、繰シ返し良好なコピ
ーを得ることができ、しかも環境変化に対して安定し念
帯電特性が得られるので、冬期と夏期の何れを問わず安
定なコピーを得ることができる。
次に本発明を具体例によって説明する。
例
アルオラミネート紙のアルξ面上にカゼインのアンモニ
ア水溶液(カゼイン11.2F、28%アンモニア水1
t、水222f)をマイヤーパーで塗布乾燥し、塗工量
1.0 t 7m2の接着層を形成した。
ア水溶液(カゼイン11.2F、28%アンモニア水1
t、水222f)をマイヤーパーで塗布乾燥し、塗工量
1.0 t 7m2の接着層を形成した。
次に構造式
のジスアゾ顔料を52とブチラール樹脂(エスレツクB
M−2積水化学工業■製)2りをエタノール95−に溶
かした液と共にボールミルで40時間分散した後、前記
接着層上にマイヤーパーで塗工し乾燥後の塗工量が0.
4 f 7m2の電荷発生層を形成した。
M−2積水化学工業■製)2りをエタノール95−に溶
かした液と共にボールミルで40時間分散した後、前記
接着層上にマイヤーパーで塗工し乾燥後の塗工量が0.
4 f 7m2の電荷発生層を形成した。
次に電荷発生層上に1−ピリジル−(2) −5−(4
−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン5fとポリカーボネート樹脂(
パンライトに一+3QO) 5f’lテトラヒドロ7ラ
ン70ゴに溶かし念液をマイヤーパーで塗布乾燥し、塗
工量を1Qf/m2とした。
−ジエチルアミノスチリル)−5−(4−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン5fとポリカーボネート樹脂(
パンライトに一+3QO) 5f’lテトラヒドロ7ラ
ン70ゴに溶かし念液をマイヤーパーで塗布乾燥し、塗
工量を1Qf/m2とした。
この感光体について20℃、65%(相対湿度)で調湿
後、川口電機■製靜電複写紙試験装置MO(1818P
−428を用い、スタチック方式で■6KVでコロナ帯
電し、暗所で10秒間保持した後、照度5 luxで1
5秒間露光した結果の帯電特性は次のとおりであった。
後、川口電機■製靜電複写紙試験装置MO(1818P
−428を用い、スタチック方式で■6KVでコロナ帯
電し、暗所で10秒間保持した後、照度5 luxで1
5秒間露光した結果の帯電特性は次のとおりであった。
初期電位Vo :Os 45V。
暗所での10秒間の電位保持率vkニア3L半減衰露光
量B 1112 : 6.811ux、secこの感光
体をコピア■作偉実験機に装填し、C)6KVでコロナ
帯電し、ハロゲンランプにより像露光(明部での露光量
131ux、5ec)l、、エポキシ樹脂とカーボンと
ニグロシンから常法により作った正荷電性のトナーと鉄
粉から成る現俸剤を用い、015ovの現像バイアスを
印加しながら磁気ブラシ現像し、引き続きθ5.5KV
で普通紙にコロナ転写し、オーブンヒーターで定着した
ところ、地汚れのない原画に忠実なコピーが得られた。
量B 1112 : 6.811ux、secこの感光
体をコピア■作偉実験機に装填し、C)6KVでコロナ
帯電し、ハロゲンランプにより像露光(明部での露光量
131ux、5ec)l、、エポキシ樹脂とカーボンと
ニグロシンから常法により作った正荷電性のトナーと鉄
粉から成る現俸剤を用い、015ovの現像バイアスを
印加しながら磁気ブラシ現像し、引き続きθ5.5KV
で普通紙にコロナ転写し、オーブンヒーターで定着した
ところ、地汚れのない原画に忠実なコピーが得られた。
又赤色原稿の再現性は特に良好であった。
さらに、5000回繰り返してコピーを作成したところ
、5000回後に得られたコピーは最初に得られ次コピ
ーと同程度の地汚れのない原画に忠実なものであつ九。
、5000回後に得られたコピーは最初に得られ次コピ
ーと同程度の地汚れのない原画に忠実なものであつ九。
比較例
前記例で使用した感光体と同様のもの使用し、5000
回繰り返しコピーを行なった。但し、この際前記例で使
用した現像時のバイアス印加を省略したほかは、同様の
方法で行なった。この結果、5000回後に得られたコ
ピーは最初に得られたコピーと比較して地汚れの大きい
コピーであることが判明した。
回繰り返しコピーを行なった。但し、この際前記例で使
用した現像時のバイアス印加を省略したほかは、同様の
方法で行なった。この結果、5000回後に得られたコ
ピーは最初に得られたコピーと比較して地汚れの大きい
コピーであることが判明した。
Claims (1)
- 導電層の上に接着層、電荷発生層および電荷輸送層を有
する電子写真感光体の表面を帯電した後、儂露光し、現
像剤の存在下に現像バイアスを印加しながら現像するこ
とを特徴とする画像形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57125831A JPS5890660A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 画像形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57125831A JPS5890660A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 画像形成法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15574478A Division JPS591424B2 (ja) | 1978-12-19 | 1978-12-19 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5890660A true JPS5890660A (ja) | 1983-05-30 |
Family
ID=14920013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57125831A Pending JPS5890660A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 画像形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5890660A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49105537A (ja) * | 1973-01-15 | 1974-10-05 |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57125831A patent/JPS5890660A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49105537A (ja) * | 1973-01-15 | 1974-10-05 |
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