JPH10270172A - 有機エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセント素子Info
- Publication number
- JPH10270172A JPH10270172A JP9075834A JP7583497A JPH10270172A JP H10270172 A JPH10270172 A JP H10270172A JP 9075834 A JP9075834 A JP 9075834A JP 7583497 A JP7583497 A JP 7583497A JP H10270172 A JPH10270172 A JP H10270172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- layer
- organic compound
- cathode
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 56
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 20
- -1 preferably Substances 0.000 abstract description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 abstract description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 3
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 3
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000000183 1,3-benzoxazoles Chemical class 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N n-phenyl-n-[4-[4-(n-pyren-2-ylanilino)phenyl]phenyl]pyren-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C(C2=C43)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC4=CC=CC5=CC=C(C3=C54)C=2)C=C1 UHVLDCDWBKWDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=NC2=C1 RDOWQLZANAYVLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 2
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 1,2-bis[(e)-2-phenylethenyl]benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 NGQSLSMAEVWNPU-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 OURODNXVJUWPMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 1,4-bis[(e)-2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=CC=C1C QKLPIYTUUFFRLV-YTEMWHBBSA-N 0.000 description 1
- BCASZEAAHJEDAL-PHEQNACWSA-N 1,4-bis[(e)-2-(4-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1\C=C\C1=CC=C(C)C=C1 BCASZEAAHJEDAL-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- LWGPQZLNJIVUIC-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis[2-(2-ethylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C=CC(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1CC LWGPQZLNJIVUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWYYRSGBEBXIRE-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis[2-(3-ethylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CCC1=CC=CC(C=CC=2C=CC(C=CC=3C=C(CC)C=CC=3)=CC=2)=C1 SWYYRSGBEBXIRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQJALUKGQTAV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis[2-(3-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=CC=2C=CC(C=CC=3C=C(C)C=CC=3)=CC=2)=C1 XBDQJALUKGQTAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylanthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C=C)=CC=CC3=CC2=C1 UVHXEHGUEKARKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQRAULANJCQXAM-UHFFFAOYSA-N 1-n,5-n-dinaphthalen-1-yl-1-n,5-n-diphenylnaphthalene-1,5-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC(=C2C=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 LQRAULANJCQXAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[C](C=C[CH2])C1=CC=CC=C1 GUPMCMZMDAGSPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIDFGXDXQKPZMA-UHFFFAOYSA-N 14h-benz[4,5]isoquino[2,1-a]perimidin-14-one Chemical compound C1=CC(N2C(=O)C=3C4=C(C2=N2)C=CC=C4C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 NIDFGXDXQKPZMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- YTQQIHUQLOZOJI-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,2-thiazole Chemical compound C1NSC=C1 YTQQIHUQLOZOJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 1
- FZORBZJJXZJZDC-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(2-naphthalen-1-ylethenyl)pyrazine Chemical compound C1=CC=C2C(C=CC3=NC=C(N=C3)C=CC=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 FZORBZJJXZJZDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWTKICLARQLANW-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(2-pyren-1-ylethenyl)pyrazine Chemical compound C1=C2C(C=CC3=NC=C(N=C3)C=CC=3C4=CC=C5C=CC=C6C=CC(C4=C65)=CC=3)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 OWTKICLARQLANW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGXQLVRLPJXTIK-LQIBPGRFSA-N 2,5-bis[(e)-2-(4-methoxyphenyl)ethenyl]pyrazine Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1\C=C\C(N=C1)=CN=C1\C=C\C1=CC=C(OC)C=C1 ZGXQLVRLPJXTIK-LQIBPGRFSA-N 0.000 description 1
- PAJSTGVSGZWCGO-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis[2-(4-ethylphenyl)ethenyl]pyrazine Chemical compound C1=CC(CC)=CC=C1C=CC(N=C1)=CN=C1C=CC1=CC=C(CC)C=C1 PAJSTGVSGZWCGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFQSAUNFPAHVRZ-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis[2-(4-methylphenyl)ethenyl]pyrazine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C=CC(N=C1)=CN=C1C=CC1=CC=C(C)C=C1 BFQSAUNFPAHVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDMRRCGWWDZRRG-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(4-chlorophenyl)ethenyl]benzo[e][1,3]benzoxazole Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C=CC(O1)=NC2=C1C=CC1=CC=CC=C21 BDMRRCGWWDZRRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDDDDNVALGZAMR-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(1h-benzimidazol-2-yl)ethenyl]phenyl]-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(C=CC=3C=CC(=CC=3)C=3NC4=CC=CC=C4N=3)=NC2=C1 JDDDDNVALGZAMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFPKINQJEVMALK-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]phenyl]-1,3-benzoxazole Chemical group C1=CC=C2OC(C3=CC=C(C=C3)C3=CC=C(C=C3)C=3OC4=CC=CC=C4N=3)=NC2=C1 XFPKINQJEVMALK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPLZFFFNHWZPM-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[5,7-bis(2-methylbutan-2-yl)-1,3-benzoxazol-2-yl]-3,4-diphenylthiophen-2-yl]-5,7-bis(2-methylbutan-2-yl)-1,3-benzoxazole Chemical compound N=1C2=CC(C(C)(C)CC)=CC(C(C)(C)CC)=C2OC=1C=1SC(C=2OC3=C(C=C(C=C3N=2)C(C)(C)CC)C(C)(C)CC)=C(C=2C=CC=CC=2)C=1C1=CC=CC=C1 HNPLZFFFNHWZPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUMFNDFRZDYMNG-UHFFFAOYSA-N 2-[5-[5,7-bis(2-methylbutan-2-yl)-1,3-benzoxazol-2-yl]thiophen-2-yl]-5,7-bis(2-methylbutan-2-yl)-1,3-benzoxazole Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)CC)=C2OC(C3=CC=C(S3)C=3OC4=C(C=C(C=C4N=3)C(C)(C)CC)C(C)(C)CC)=NC2=C1 MUMFNDFRZDYMNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZUPZYHCGXBTIJ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1,4-bis[2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=CC=2C(=CC=CC=2)C)C(CC)=CC=1C=CC1=CC=CC=C1C TZUPZYHCGXBTIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVNTXZRQFPYYHV-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,4-bis[2-(2-methylphenyl)ethenyl]benzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=CC(C=C1C)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1C SVNTXZRQFPYYHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004398 2-methyl-2-butyl group Chemical group CC(C)(CC)* 0.000 description 1
- MVLOINQUZSPUJS-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,6-n,6-n-tetrakis(4-methylphenyl)naphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=C2C=CC(=CC2=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVLOINQUZSPUJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MATLFWDVOBGZFG-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,6-n,6-n-tetranaphthalen-1-ylnaphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N(C=3C=C4C=CC(=CC4=CC=3)N(C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MATLFWDVOBGZFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJIXFCSAUCLVLK-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,6-n,6-n-tetranaphthalen-2-yl-9h-fluorene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC=C4CC5=CC(=CC=C5C4=C3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)=CC=C21 DJIXFCSAUCLVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXJRNCUNIBHMKV-UHFFFAOYSA-N 2-n,6-n-dinaphthalen-1-yl-2-n,6-n-dinaphthalen-2-ylnaphthalene-2,6-diamine Chemical compound C1=CC=C2C(N(C=3C=C4C=CC(=CC4=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=CC2=C1 VXJRNCUNIBHMKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQPIRXQACTZROS-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(1h-benzimidazol-2-yl)ethenyl]benzoic acid Chemical compound C1=CC(C(=O)O)=CC=C1C=CC1=NC2=CC=CC=C2N1 HQPIRXQACTZROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]propan-2-yl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C)(C)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-phenylmethyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVICEEPAFUYBJG-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-2,2-difluoro-1,3-benzodioxole Chemical group C1=C(Cl)C=C2OC(F)(F)OC2=C1 CVICEEPAFUYBJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYEBVQUTQHTYOU-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-[4-[2-(5-methyl-1,3-benzoxazol-2-yl)ethenyl]phenyl]-1,3-benzoxazole Chemical compound CC1=CC=C2OC(C3=CC=C(C=C3)C=CC=3OC4=CC=C(C=C4N=3)C)=NC2=C1 UYEBVQUTQHTYOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazole-1,2-diamine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=C(N)C(N)=C3NC2=C1 VESMRDNBVZOIEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100496858 Mus musculus Colec12 gene Proteins 0.000 description 1
- DWHUCVHMSFNQFI-UHFFFAOYSA-N N-[4-[4-(N-coronen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-N-phenylcoronen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=C3C=CC4=CC=C5C=CC6=CC=C(C7=C6C5=C4C3=C72)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC5=CC=C6C=CC7=CC=C(C8=C7C6=C5C4=C83)C=2)C=C1 DWHUCVHMSFNQFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006081 fluorescent whitening agent Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 description 1
- WLDXVGCMDLRPHA-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline;9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21.C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLDXVGCMDLRPHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N n-(4-methoxyphenyl)-4-[4-(n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]-n-phenylaniline Chemical group C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=CC=C1 BBDFECYVDQCSCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFKMWWGVFIFIP-UHFFFAOYSA-N n-(4-naphthalen-1-ylphenyl)-n,2-diphenylaniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C(=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=C(C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 RBFKMWWGVFIFIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXDKXSVLBIJODL-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-anthracen-9-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylanthracen-9-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=C3C=CC=CC3=2)C=C1 TXDKXSVLBIJODL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMQCLPPEEURTMR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-fluoranthen-8-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylfluoranthen-8-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C=3C=CC=C4C=CC=C2C=34)=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C=4C=CC=C5C=CC=C3C=45)=CC=2)C=C1 OMQCLPPEEURTMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUBWJINDFCNHLI-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-perylen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylperylen-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=3C=CC=C4C=CC=C(C=34)C=3C=CC=C(C2=3)C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=4C=CC=C5C=CC=C(C=45)C=4C=CC=C(C3=4)C=2)C=C1 LUBWJINDFCNHLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUPXWIUQIGEYST-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-phenanthren-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylphenanthren-2-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C(C3=CC=CC=C3C=C2)=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C4=CC=CC=C4C=C3)=CC=2)C=C1 TUPXWIUQIGEYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCILFNGBMCSVTF-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[4-(n-anthracen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]phenyl]-n-phenylanthracen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC=2)C=C1 QCILFNGBMCSVTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBHXGUASDDSHGV-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 NBHXGUASDDSHGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJSTZCQRFUSBJV-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-[n-(1,2-dihydroacenaphthylen-3-yl)anilino]phenyl]phenyl]-n-phenyl-1,2-dihydroacenaphthylen-3-amine Chemical group C1=CC(C2=3)=CC=CC=3CCC2=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=2CCC3=CC=CC(C=23)=CC=1)C1=CC=CC=C1 RJSTZCQRFUSBJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229930184652 p-Terphenyl Natural products 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N thioridazine hydrochloride Chemical compound Cl.C12=CC(SC)=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1CCC1CCCCN1C NZFNXWQNBYZDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機ＥＬ素子において、陰極から有機化合物
層への電子注入におけるエネルギー障壁を低下させ、陰
極材料の仕事関数に関わらず低駆動電圧を実現する。 【構成】 陰極電極６に接する有機化合物層を金属酸化
物あるいは金属塩でドーピングした金属ドーピング層５
とし、陰極から有機化合物層への電子注入障壁を小さく
し、駆動電圧を低下させた有機ＥＬ素子。
層への電子注入におけるエネルギー障壁を低下させ、陰
極材料の仕事関数に関わらず低駆動電圧を実現する。 【構成】 陰極電極６に接する有機化合物層を金属酸化
物あるいは金属塩でドーピングした金属ドーピング層５
とし、陰極から有機化合物層への電子注入障壁を小さく
し、駆動電圧を低下させた有機ＥＬ素子。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、平面光源や表示素子に利用され
る有機エレクトロルミネッセント素子（以下、有機EL素
子）に関するものである。
る有機エレクトロルミネッセント素子（以下、有機EL素
子）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】発光層が有機化合物か
ら構成される有機エレクトロルミネッセント素子（以
下、有機EL素子）は、低電圧駆動の大面積表示素子を実
現するものとして注目されている。Tangらは素子の高効
率化のため、キャリア輸送性の異なる有機化合物を積層
し、正孔と電子がそれぞれ陽極、陰極よりバランスよく
注入される構造とし、しかも有機層の膜厚が2000Å以下
とすることで、10V 以下の印加電圧で1000cd/m2 と外部
量子効率１％の実用化に十分な高輝度、高効率を得るこ
とに成功した（Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987).
）。この高効率素子において、Tangらは基本的に絶縁
物とみなされる有機化合物に対して、金属電極から電子
を注入する際に問題となるエネルギー障壁を低下させる
ため、仕事関数の小さいMg( マグネシウム）を使用し
た。その際、Mgは酸化しやすく、不安定であるのと、有
機表面への接着性に乏しいので比較的安定で、しかも有
機表面に密着性の良いAg（銀）と共蒸着により合金化し
て用いた。
ら構成される有機エレクトロルミネッセント素子（以
下、有機EL素子）は、低電圧駆動の大面積表示素子を実
現するものとして注目されている。Tangらは素子の高効
率化のため、キャリア輸送性の異なる有機化合物を積層
し、正孔と電子がそれぞれ陽極、陰極よりバランスよく
注入される構造とし、しかも有機層の膜厚が2000Å以下
とすることで、10V 以下の印加電圧で1000cd/m2 と外部
量子効率１％の実用化に十分な高輝度、高効率を得るこ
とに成功した（Appl. Phys. Lett., 51, 913 (1987).
）。この高効率素子において、Tangらは基本的に絶縁
物とみなされる有機化合物に対して、金属電極から電子
を注入する際に問題となるエネルギー障壁を低下させる
ため、仕事関数の小さいMg( マグネシウム）を使用し
た。その際、Mgは酸化しやすく、不安定であるのと、有
機表面への接着性に乏しいので比較的安定で、しかも有
機表面に密着性の良いAg（銀）と共蒸着により合金化し
て用いた。
【０００３】凸版印刷株式会社のグループ（第５１回応
用物理学会学術講演会、講演予稿集28a-PB-4、p.1040）
およびパイオニア株式会社のグループ（第５４回応用物
理学会学術講演会、講演予稿集29p-ZC-15 、p.1127）
は、Mgより更に仕事関数の小さいLi（リチウム）を用い
Al（アルミニウム）と合金化する事により安定化させ陰
極として用いることにより、Mg合金を用いた素子より低
い駆動電圧と高い発光輝度を達成している。また、本発
明者らは有機化合物層上にLiを単独で10Å程度に極めて
薄く蒸着し、その上から銀を積層した二層型陰極が低駆
動電圧の実現に有効であることを報告している（IEEE T
rans. Electron Devices., 40, 1342 (1993)）。
用物理学会学術講演会、講演予稿集28a-PB-4、p.1040）
およびパイオニア株式会社のグループ（第５４回応用物
理学会学術講演会、講演予稿集29p-ZC-15 、p.1127）
は、Mgより更に仕事関数の小さいLi（リチウム）を用い
Al（アルミニウム）と合金化する事により安定化させ陰
極として用いることにより、Mg合金を用いた素子より低
い駆動電圧と高い発光輝度を達成している。また、本発
明者らは有機化合物層上にLiを単独で10Å程度に極めて
薄く蒸着し、その上から銀を積層した二層型陰極が低駆
動電圧の実現に有効であることを報告している（IEEE T
rans. Electron Devices., 40, 1342 (1993)）。
【０００４】最近ではUNIAX 社のPei らが、ポリマー発
光層全体にLi塩を均一にドーピングし、駆動電圧を低下
する事に成功している（Science, 269, 1086 (1995)
）。これは電圧印加によってポリマー発光層中に均一
分散したLi塩を解離させ、陰極と陽極近傍にそれぞれLi
イオンと対イオンを分布させることにより電極近傍のポ
リマー分子をin situ でドーピングするものである。こ
の場合、陰極近傍のポリマーは電子供与性（ドナー）ド
ーパントであるLiによって還元されたラジカルアニオン
状態で存在するため、陰極からの電子注入障壁はLiドー
ピングしない場合より極めて低くなる（Science, 269,
1086 (1995) ）。
光層全体にLi塩を均一にドーピングし、駆動電圧を低下
する事に成功している（Science, 269, 1086 (1995)
）。これは電圧印加によってポリマー発光層中に均一
分散したLi塩を解離させ、陰極と陽極近傍にそれぞれLi
イオンと対イオンを分布させることにより電極近傍のポ
リマー分子をin situ でドーピングするものである。こ
の場合、陰極近傍のポリマーは電子供与性（ドナー）ド
ーパントであるLiによって還元されたラジカルアニオン
状態で存在するため、陰極からの電子注入障壁はLiドー
ピングしない場合より極めて低くなる（Science, 269,
1086 (1995) ）。
【０００５】さらに最近になって、イーストマン- コダ
ック社のHungらはフッ化リチウム（LiF ）や酸化マグネ
シウム（MgO ）などの誘電体を極めて薄く（5 〜10Å）
電子輸送性有機化合物層と陰極との間に挿入することに
より、陰極からの電子注入障壁を低下させ低電圧駆動を
実現している。この二層型陰極を有する素子では、誘電
体が陰極と有機化合物層の間に存在することにより、誘
電体に接する有機化合物のエネルギー準位（バンド構
造）が変化し、陰極からの電子注入が容易になると解釈
されている（Appl. Phys. Lett., 70, 152 (1997) ）。
ック社のHungらはフッ化リチウム（LiF ）や酸化マグネ
シウム（MgO ）などの誘電体を極めて薄く（5 〜10Å）
電子輸送性有機化合物層と陰極との間に挿入することに
より、陰極からの電子注入障壁を低下させ低電圧駆動を
実現している。この二層型陰極を有する素子では、誘電
体が陰極と有機化合物層の間に存在することにより、誘
電体に接する有機化合物のエネルギー準位（バンド構
造）が変化し、陰極からの電子注入が容易になると解釈
されている（Appl. Phys. Lett., 70, 152 (1997) ）。
【０００６】しかしながら、MgやLiの合金電極において
も電極の酸化等による素子劣化が起こる上、配線材料と
しての機能を考慮しなければならないので、合金電極で
は電極材料選択において制限を受ける。本発明者らの二
層型陰極では、Li層の厚みが20Å以上では陰極機能しな
いうえ（IEEE Trans. Electron Devices., 40, 1342(19
93)）、極めて薄い10Å程度のLiの蒸着は膜厚制御が困
難であり素子作製の再現性に問題がある。また、Pei ら
の発光層中に塩を添加して電界にて解離させるin situ
ドーピング法では、解離したイオンの電極近傍までの移
動時間が律速となり、素子応答速度が著しく遅くなる欠
点がある。Hungらの二層型陰極においても最適な誘電体
層膜厚が5 Åと極めて薄いため、有機化合物上へ均一な
膜厚を有する誘電体超薄膜層を作製しにくい欠点があ
る。
も電極の酸化等による素子劣化が起こる上、配線材料と
しての機能を考慮しなければならないので、合金電極で
は電極材料選択において制限を受ける。本発明者らの二
層型陰極では、Li層の厚みが20Å以上では陰極機能しな
いうえ（IEEE Trans. Electron Devices., 40, 1342(19
93)）、極めて薄い10Å程度のLiの蒸着は膜厚制御が困
難であり素子作製の再現性に問題がある。また、Pei ら
の発光層中に塩を添加して電界にて解離させるin situ
ドーピング法では、解離したイオンの電極近傍までの移
動時間が律速となり、素子応答速度が著しく遅くなる欠
点がある。Hungらの二層型陰極においても最適な誘電体
層膜厚が5 Åと極めて薄いため、有機化合物上へ均一な
膜厚を有する誘電体超薄膜層を作製しにくい欠点があ
る。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、以上の事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は陰極から有機化合物層への電子
注入におけるエネルギー障壁を低下させることにより、
陰極材料の仕事関数に関わらず低駆動電圧を実現するこ
とを目的とする。本発明の他の目的は、Alの様な従来よ
り配線材として一般に用いられてきた安価で安定な金属
を陰極材料として単独で用いた場合でも、上述の合金を
電極として用いた場合と同様、若しくはそれ以上の特性
を発現しうる素子を提供することである。
ものであり、その目的は陰極から有機化合物層への電子
注入におけるエネルギー障壁を低下させることにより、
陰極材料の仕事関数に関わらず低駆動電圧を実現するこ
とを目的とする。本発明の他の目的は、Alの様な従来よ
り配線材として一般に用いられてきた安価で安定な金属
を陰極材料として単独で用いた場合でも、上述の合金を
電極として用いた場合と同様、若しくはそれ以上の特性
を発現しうる素子を提供することである。
【０００８】
【発明の概要】本発明は、陰極に接する有機化合物層を
金属酸化物あるいは金属塩などの誘電体でドーピングす
ると、陰極から有機化合物層への電子注入障壁が小さく
なり、駆動電圧を低下させることができることを見い出
して完成されたものである。すなわち、本発明の有機Ｅ
Ｌ素子は、対向する陽極電極と陰極電極の間に、有機化
合物から構成される少なくとも一層の発光層を有するEL
素子において、陰極電極との界面に、金属酸化物あるい
は金属塩でドーピングした有機化合物層を有することを
特徴としている。
金属酸化物あるいは金属塩などの誘電体でドーピングす
ると、陰極から有機化合物層への電子注入障壁が小さく
なり、駆動電圧を低下させることができることを見い出
して完成されたものである。すなわち、本発明の有機Ｅ
Ｌ素子は、対向する陽極電極と陰極電極の間に、有機化
合物から構成される少なくとも一層の発光層を有するEL
素子において、陰極電極との界面に、金属酸化物あるい
は金属塩でドーピングした有機化合物層を有することを
特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による有機ＥＬ素
子の一実施形態を示す模式図である。ガラス基板( 透明
基板）１上には、順に、陽極電極を構成する透明電極
２、正孔輸送性を有する正孔輸送層３、発光層４、金属
ドーピング層５および陰極となる背面電極６を積層して
なっている。これらの要素（層）のうち、ガラス基板
（透明基板）１、透明電極２、正孔輸送層３、発光層
４、および陰極電極６は周知の要素であり、金属ドーピ
ング層５が本発明で提案した要素（層）である。有機EL
素子の具体的な積層構成としては、この他、陽極／発光
層／金属ドーピング層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光
層／金属ドーピング層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／金属ドーピング層／陰極、陽極／正孔
注入層／発光層／金属ドーピング層／陰極、陽極／正孔
注入層／正孔輸送層／発光層／金属ドーピング層／陰
極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／金属ドーピング層／陰極、などが挙げられるが、本
発明による有機ＥＬ素子は、金属ドーピング層５を陰極
電極６との界面に有するものであればいかなる素子構成
であっても良い。
子の一実施形態を示す模式図である。ガラス基板( 透明
基板）１上には、順に、陽極電極を構成する透明電極
２、正孔輸送性を有する正孔輸送層３、発光層４、金属
ドーピング層５および陰極となる背面電極６を積層して
なっている。これらの要素（層）のうち、ガラス基板
（透明基板）１、透明電極２、正孔輸送層３、発光層
４、および陰極電極６は周知の要素であり、金属ドーピ
ング層５が本発明で提案した要素（層）である。有機EL
素子の具体的な積層構成としては、この他、陽極／発光
層／金属ドーピング層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光
層／金属ドーピング層／陰極、陽極／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／金属ドーピング層／陰極、陽極／正孔
注入層／発光層／金属ドーピング層／陰極、陽極／正孔
注入層／正孔輸送層／発光層／金属ドーピング層／陰
極、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／金属ドーピング層／陰極、などが挙げられるが、本
発明による有機ＥＬ素子は、金属ドーピング層５を陰極
電極６との界面に有するものであればいかなる素子構成
であっても良い。
【００１０】図２は、陰極電極６と有機発光層４との間
に電子輸送層８が存在し、この電子輸送層８と陰極電極
６の界面に金属ドーピング層５が設けられている例を示
している。金属ドーピング層５は、有機化合物中に誘電
体である金属酸化物や金属塩がドーパントとして存在し
ており、このため、ドーパントに接する有機分子のバン
ド構造が変化し、LUMO準位が下がる。この結果、陰極か
らの電子注入が容易になる。
に電子輸送層８が存在し、この電子輸送層８と陰極電極
６の界面に金属ドーピング層５が設けられている例を示
している。金属ドーピング層５は、有機化合物中に誘電
体である金属酸化物や金属塩がドーパントとして存在し
ており、このため、ドーパントに接する有機分子のバン
ド構造が変化し、LUMO準位が下がる。この結果、陰極か
らの電子注入が容易になる。
【００１１】図３は、比較のために、Hungらの提案した
従来の有機EL素子の陰極界面部分を示している。この例
は誘電体薄膜層９を陰極電極６と電子輸送層８との界面
に有する場合であるが、この素子では誘電体に接する陰
極界面近傍の有機化合物のバンド構造が変化し、電子が
注入される有機化合物の最低空準位（LUMO）が低下し、
陰極からの電子注入が容易になると言われてきたが、本
発明による有機EL素子では、図３の従来の陰極界面構造
に比較して、さらに陰極からの電子注入が容易となり、
駆動電圧を低下させることができる。
従来の有機EL素子の陰極界面部分を示している。この例
は誘電体薄膜層９を陰極電極６と電子輸送層８との界面
に有する場合であるが、この素子では誘電体に接する陰
極界面近傍の有機化合物のバンド構造が変化し、電子が
注入される有機化合物の最低空準位（LUMO）が低下し、
陰極からの電子注入が容易になると言われてきたが、本
発明による有機EL素子では、図３の従来の陰極界面構造
に比較して、さらに陰極からの電子注入が容易となり、
駆動電圧を低下させることができる。
【００１２】有機EL素子では陰極から基本的に絶縁物で
ある有機化合物層への電子注入過程は、陰極表面での有
機化合物の還元、すなわちラジカルアニオン状態の形成
である（Phys. Rev. Lett., 14, 229 (1965)）。これは
すなわち有機化合物の最低空準位（LUMO）への電子注入
である。したがって、LUMO準位の低い有機化合物ほど陰
極から電子が注入しやすい。本発明の素子においては、
予め有機化合物のLUMOを低下させる効果のある金属酸化
物あるいは金属塩を陰極に接触する有機化合物層中にド
ーピングする事により、陰極電極からの電子注入に際す
るエネルギー障壁を低下させることができる。金属ドー
ピング層５は、このように金属酸化物あるいは金属塩か
らなるドーパント物質をドーピングした有機化合物層で
ある。金属ドーピングした有機化合物は先に述べたよう
にLUMO準位が低くなるので、陰極からの電子注入エネル
ギー障壁が小さく、従来の有機EL素子と比べて駆動電圧
を低下できる。しかも陰極には一般に配線材として用い
られている安定なAlのような金属を使用できる。
ある有機化合物層への電子注入過程は、陰極表面での有
機化合物の還元、すなわちラジカルアニオン状態の形成
である（Phys. Rev. Lett., 14, 229 (1965)）。これは
すなわち有機化合物の最低空準位（LUMO）への電子注入
である。したがって、LUMO準位の低い有機化合物ほど陰
極から電子が注入しやすい。本発明の素子においては、
予め有機化合物のLUMOを低下させる効果のある金属酸化
物あるいは金属塩を陰極に接触する有機化合物層中にド
ーピングする事により、陰極電極からの電子注入に際す
るエネルギー障壁を低下させることができる。金属ドー
ピング層５は、このように金属酸化物あるいは金属塩か
らなるドーパント物質をドーピングした有機化合物層で
ある。金属ドーピングした有機化合物は先に述べたよう
にLUMO準位が低くなるので、陰極からの電子注入エネル
ギー障壁が小さく、従来の有機EL素子と比べて駆動電圧
を低下できる。しかも陰極には一般に配線材として用い
られている安定なAlのような金属を使用できる。
【００１３】ドーパントはホストとなる有機化合物の電
子エネルギー準位を変化させ、LUMO準位を低下させるこ
とのできるLi等のアルカリ金属、Mg等のアルカリ土類金
属、あるいは稀土類金属を含む遷移金属の金属酸化物や
金属塩であれば特に限定はないが、金属酸化物の場合
は、Li2O、Na2O、K2O 、Rb2O、Cs2O、MgO 、CaO など、
金属塩の場合はLiF 、NaF 、KF、RbF 、CsF 、MgF2、Ca
F2、SrF2、BaF2、LiCl、NaCl、KCl 、RbCl、CsCl、MgCl
2 、CaCl2 、SrCl2 、BaCl2 などを好適に用いることが
できる。
子エネルギー準位を変化させ、LUMO準位を低下させるこ
とのできるLi等のアルカリ金属、Mg等のアルカリ土類金
属、あるいは稀土類金属を含む遷移金属の金属酸化物や
金属塩であれば特に限定はないが、金属酸化物の場合
は、Li2O、Na2O、K2O 、Rb2O、Cs2O、MgO 、CaO など、
金属塩の場合はLiF 、NaF 、KF、RbF 、CsF 、MgF2、Ca
F2、SrF2、BaF2、LiCl、NaCl、KCl 、RbCl、CsCl、MgCl
2 、CaCl2 、SrCl2 、BaCl2 などを好適に用いることが
できる。
【００１４】金属ドーピング層５のドーパント濃度は特
に限定されないが、0.１〜９９重量％であることが好ま
しい。０．１重量％未満では、ドーパントの濃度が低す
ぎドーピングの効果が小さく、９９重量％を超えると、
膜中のドーパント濃度が高過ぎ、陰極近傍で電子が注入
されるべき有機化合物濃度が逆に低すぎるので、ドーピ
ングの効果が下がる。また、この金属ドーピング層の厚
みは、特に限定されないが10Å〜2000Åが好ましい。10
Å未満では、金属ドーピング層の膜厚が薄すぎ、均一な
膜が得られにいうえ、電子が注入されるべきLUMO準位の
下がった有機分子の量が少なすぎる。また、2000Åを超
えると有機層全体の膜厚が厚すぎ、逆に駆動電圧の上昇
を招くので好ましくない。
に限定されないが、0.１〜９９重量％であることが好ま
しい。０．１重量％未満では、ドーパントの濃度が低す
ぎドーピングの効果が小さく、９９重量％を超えると、
膜中のドーパント濃度が高過ぎ、陰極近傍で電子が注入
されるべき有機化合物濃度が逆に低すぎるので、ドーピ
ングの効果が下がる。また、この金属ドーピング層の厚
みは、特に限定されないが10Å〜2000Åが好ましい。10
Å未満では、金属ドーピング層の膜厚が薄すぎ、均一な
膜が得られにいうえ、電子が注入されるべきLUMO準位の
下がった有機分子の量が少なすぎる。また、2000Åを超
えると有機層全体の膜厚が厚すぎ、逆に駆動電圧の上昇
を招くので好ましくない。
【００１５】上記金属ドーピング層５の成膜法は、いか
なる薄膜形成法であってもよく、たとえば蒸着法やスパ
ッタ法が使用できる。また、溶液からの塗布で薄膜形成
が可能な場合には、スピンコーティング法やディップコ
ーティング法などの溶液からの塗布法が使用できる。こ
の場合、ドーピングされる有機化合物とドーパントを不
活性なポリマー中に分散して用いても良い。
なる薄膜形成法であってもよく、たとえば蒸着法やスパ
ッタ法が使用できる。また、溶液からの塗布で薄膜形成
が可能な場合には、スピンコーティング法やディップコ
ーティング法などの溶液からの塗布法が使用できる。こ
の場合、ドーピングされる有機化合物とドーパントを不
活性なポリマー中に分散して用いても良い。
【００１６】発光層、電子輸送層、金属ドーピング層と
して使用できる有機化合物としては、特に限定はない
が、p-テルフェニルやクアテルフェニルなどの多環化合
物およびそれらの誘導体、ナフタレン、テトラセン、ピ
レン、コロネン、クリセン、アントラセン、ジフェニル
アントラセン、ナフタセン、フェナントレンなどの縮合
多環炭化水素化合物及びそれらの誘導体、フェナントロ
リン、バソフェナントロリン、フェナントリジン、アク
リジン、キノリン、キノキサリン、フェナジンなどの縮
合複素環化合物およびそれらの誘導体や。フルオロセイ
ン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペ
リノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニ
ルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、オキサジア
ゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチ
リル、ピラジン、シクロペンタジエン、オキシン、アミ
ノキノリン、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアン
トラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラ
ン、ポリメチン、メロシアニン、キナクリドン、ルブレ
ン等およびそれらの誘導体などを挙げることができる。
して使用できる有機化合物としては、特に限定はない
が、p-テルフェニルやクアテルフェニルなどの多環化合
物およびそれらの誘導体、ナフタレン、テトラセン、ピ
レン、コロネン、クリセン、アントラセン、ジフェニル
アントラセン、ナフタセン、フェナントレンなどの縮合
多環炭化水素化合物及びそれらの誘導体、フェナントロ
リン、バソフェナントロリン、フェナントリジン、アク
リジン、キノリン、キノキサリン、フェナジンなどの縮
合複素環化合物およびそれらの誘導体や。フルオロセイ
ン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペ
リノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニ
ルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、オキサジア
ゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチ
リル、ピラジン、シクロペンタジエン、オキシン、アミ
ノキノリン、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアン
トラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラ
ン、ポリメチン、メロシアニン、キナクリドン、ルブレ
ン等およびそれらの誘導体などを挙げることができる。
【００１７】また、特開昭63-295695 号公報、特開平8-
22557 号公報、特開平8-81472 号公報、特開平5-9470号
公報、特開平5-17764 号公報に開示されている金属キレ
ート錯体化合物、特に金属キレート化オキサノイド化合
物では、トリス（8-キノリノラト）アルミニウム、ビス
（8-キノリノラト）マグネシウム、ビス［ベンゾ（f）-
8- キノリノラト］亜鉛、ビス（2-メチル-8- キノリノ
ラト）アルミニウム、トリス（8-キノリノラト）インジ
ウム、トリス（5-メチル-8- キノリノラト）アルミニウ
ム、8-キノリノラトリチウム、トリス（5-クロロ-8- キ
ノリノラト）ガリウム、ビス（5-クロロ-8- キノリノラ
ト）カルシウムなどの8-キノリノラトあるいはその誘導
体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体が好適
に使用される。
22557 号公報、特開平8-81472 号公報、特開平5-9470号
公報、特開平5-17764 号公報に開示されている金属キレ
ート錯体化合物、特に金属キレート化オキサノイド化合
物では、トリス（8-キノリノラト）アルミニウム、ビス
（8-キノリノラト）マグネシウム、ビス［ベンゾ（f）-
8- キノリノラト］亜鉛、ビス（2-メチル-8- キノリノ
ラト）アルミニウム、トリス（8-キノリノラト）インジ
ウム、トリス（5-メチル-8- キノリノラト）アルミニウ
ム、8-キノリノラトリチウム、トリス（5-クロロ-8- キ
ノリノラト）ガリウム、ビス（5-クロロ-8- キノリノラ
ト）カルシウムなどの8-キノリノラトあるいはその誘導
体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体が好適
に使用される。
【００１８】特開平5-202011号公報、特開平7-179394号
公報、特開平7-278124号公報、特開平7-228579号公報に
開示されているオキサジアゾール類、特開平7-157473号
公報に開示されているトリアジン類、特開平6-203963号
公報に開示されているスチルベン誘導体およびジスチリ
ルアリーレン誘導体、特開平6-132080号公報や特開平6-
88072 号公報に開示されているスチリル誘導体、特開平
6-100857号公報や特開平6-207170号公報に開示されてい
るジオレフィン誘導体も発光層、電子輸送層、金属ドー
ピング層として好ましい。
公報、特開平7-278124号公報、特開平7-228579号公報に
開示されているオキサジアゾール類、特開平7-157473号
公報に開示されているトリアジン類、特開平6-203963号
公報に開示されているスチルベン誘導体およびジスチリ
ルアリーレン誘導体、特開平6-132080号公報や特開平6-
88072 号公報に開示されているスチリル誘導体、特開平
6-100857号公報や特開平6-207170号公報に開示されてい
るジオレフィン誘導体も発光層、電子輸送層、金属ドー
ピング層として好ましい。
【００１９】さらに、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチ
アゾール系、ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤も
使用でき、例えば、特開昭59-194393 号公報に開示され
ているものが挙げられる。その代表例としては、2,5-ビ
ス（5,7-ジ-t- ベンチル-2-ベンゾオキサゾリル）-1,3,
4- チアゾール、4,4'- ビス（5,7-t-ペンチル-2- ベン
ゾオキサゾリル）スチルベン、4,4'- ビス［5,7-ジ-
（2-メチル-2- ブチル）-2- ベンゾオキサゾリル］スチ
ルベン、2,5-ビス（5.7-ジ-t- ペンチル-2- ベンゾオキ
サゾリル）チオフェン、2,5-ビス［5-（α, α- ジメチ
ルベンジル）-2-ベンゾオキサゾリル］チオフェン、2,5
-ビス［5,7-ジ- （2-メチル-2- ブチル）-2- ベンゾオ
キサゾリル］-3,4- ジフェニルチオフェン、2,5-ビス
（5-メチル-2- ベンゾオキサゾリル）チオフェン、4,4'
- ビス（2-ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、5-メチル
-2- ｛2-［4-（5-メチル-2- ベンゾオキサゾリル）フェ
ニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、2-［2-（4-クロロ
フェニル）ビニル］ナフト（1,2-d)オキサゾールなどの
ベンゾオキサゾール系、2,2'-(p-フェニレンジピニレ
ン)-ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、
2-｛2-［4-（2-ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニ
ル｝ベンゾイミダゾール、2-［2-（4-カルボキシフェニ
ル）ビニル］ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾ
ール系などの蛍光増白剤が挙げられる。
アゾール系、ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤も
使用でき、例えば、特開昭59-194393 号公報に開示され
ているものが挙げられる。その代表例としては、2,5-ビ
ス（5,7-ジ-t- ベンチル-2-ベンゾオキサゾリル）-1,3,
4- チアゾール、4,4'- ビス（5,7-t-ペンチル-2- ベン
ゾオキサゾリル）スチルベン、4,4'- ビス［5,7-ジ-
（2-メチル-2- ブチル）-2- ベンゾオキサゾリル］スチ
ルベン、2,5-ビス（5.7-ジ-t- ペンチル-2- ベンゾオキ
サゾリル）チオフェン、2,5-ビス［5-（α, α- ジメチ
ルベンジル）-2-ベンゾオキサゾリル］チオフェン、2,5
-ビス［5,7-ジ- （2-メチル-2- ブチル）-2- ベンゾオ
キサゾリル］-3,4- ジフェニルチオフェン、2,5-ビス
（5-メチル-2- ベンゾオキサゾリル）チオフェン、4,4'
- ビス（2-ベンゾオキサゾリル）ビフェニル、5-メチル
-2- ｛2-［4-（5-メチル-2- ベンゾオキサゾリル）フェ
ニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、2-［2-（4-クロロ
フェニル）ビニル］ナフト（1,2-d)オキサゾールなどの
ベンゾオキサゾール系、2,2'-(p-フェニレンジピニレ
ン)-ビスベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、
2-｛2-［4-（2-ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビニ
ル｝ベンゾイミダゾール、2-［2-（4-カルボキシフェニ
ル）ビニル］ベンゾイミダゾールなどのベンゾイミダゾ
ール系などの蛍光増白剤が挙げられる。
【００２０】ジスチリルベンゼン系化合物としては、例
えば欧州特許第0373582 号明細書に開始されているもの
を用いることができる。その代表例としては、1,4-ビス
（2-メチルスチリル）ベンゼン、1,4-ビス（3-メチルス
チリル）ベンゼン、1,4-ビス（4-メチルスチリル）ベン
ゼン、ジスチリルベンゼン、1,4-ビス（2-エチルスチリ
ル）ベンゼン、1,4-ビス（3-エチルスチリル）ベンゼ
ン、1,4-ビス（2-メチルスチリル）-2- メチルベンゼ
ン、1,4-ビス（2-メチルスチリル）-2- エチルベンゼン
などが挙げられる。
えば欧州特許第0373582 号明細書に開始されているもの
を用いることができる。その代表例としては、1,4-ビス
（2-メチルスチリル）ベンゼン、1,4-ビス（3-メチルス
チリル）ベンゼン、1,4-ビス（4-メチルスチリル）ベン
ゼン、ジスチリルベンゼン、1,4-ビス（2-エチルスチリ
ル）ベンゼン、1,4-ビス（3-エチルスチリル）ベンゼ
ン、1,4-ビス（2-メチルスチリル）-2- メチルベンゼ
ン、1,4-ビス（2-メチルスチリル）-2- エチルベンゼン
などが挙げられる。
【００２１】また、特開平2-252793号公報に開示されて
いるジスチリルピラジン誘導体も発光層、電子輸送層、
金属ドーピング層として用いることができる。その代表
例としては、2,5-ビス（4-メチルスチリル）ピラジン、
2,5-ビス（4-エチルスチリル）ピラジン、2,5-ビス［2-
（1-ナフチル）ビニル］ピラジン、2,5-ビス（4-メトキ
シスチリル）ピラジン、2,5-ビス［2-（4-ビフェニル）
ビニル］ピラジン、2,5-ビス［2-（1-ピレニル）ビニ
ル］ピラジンなどが挙げられる。
いるジスチリルピラジン誘導体も発光層、電子輸送層、
金属ドーピング層として用いることができる。その代表
例としては、2,5-ビス（4-メチルスチリル）ピラジン、
2,5-ビス（4-エチルスチリル）ピラジン、2,5-ビス［2-
（1-ナフチル）ビニル］ピラジン、2,5-ビス（4-メトキ
シスチリル）ピラジン、2,5-ビス［2-（4-ビフェニル）
ビニル］ピラジン、2,5-ビス［2-（1-ピレニル）ビニ
ル］ピラジンなどが挙げられる。
【００２２】その他、欧州特許第388768号明細書や特開
平3-231970号公報に開示されているジメチリディン誘導
体を発光層、電子輸送層、金属ドーピング層の材料とし
て用いることもできる。その代表例としては、1,4-フェ
ニレンジメチリディン、4,4'- フェニレンジメチリディ
ン、2,5-キシリレンジメチリディン、2,6-ナフチレンジ
メチリディン、1,4-ビフェニレンジメチリディン、1,4-
p-テレフェニレンジメチリディン、9,10- アントラセン
ジイルジメチリディン、4,4'- (2,2- ジ-t- ブチルフェ
ニルビニル）ビフェニル、4,4'-(2,2-ジフェニルビニ
ル）ビフェニル、など、及びこれらの誘導体や、特開平
6-49079 号公報、特開平6-293778号公報に開示されてい
るシラナミン誘導体、特開平6-279322号公報、特開平6-
279323号公報に開示されている多官能スチリル化合物、
特開平6-107648号公報や特開平6-92947 号公報に開示さ
れているオキサジアゾール誘導体、特開平6-206865号公
報に開示されているアントラセン化合物、特開平6-1451
46号公報に開示されているオキシネイト誘導体、特開平
4-96990 号公報に開示されているテトラフェニルブタジ
エン化合物、特開平3-296595号公報に開示されている有
機三官能化合物、さらには、特開平2-191694号公報に開
示されているクマリン誘導体、特開平2-196885号公報に
開示されているペリレン誘導体、特開平2-255789号に開
示されているナフタレン誘導体、特開平2-289676号及び
特開平2-88689 号公報に開示されているフタロペリノン
誘導体、特開平2-250292号公報に開示されているスチリ
ルアミン誘導体などが挙げられる。さらに、従来有機EL
素子の作製に使用されている公知のものを適宜用いるこ
とができる。
平3-231970号公報に開示されているジメチリディン誘導
体を発光層、電子輸送層、金属ドーピング層の材料とし
て用いることもできる。その代表例としては、1,4-フェ
ニレンジメチリディン、4,4'- フェニレンジメチリディ
ン、2,5-キシリレンジメチリディン、2,6-ナフチレンジ
メチリディン、1,4-ビフェニレンジメチリディン、1,4-
p-テレフェニレンジメチリディン、9,10- アントラセン
ジイルジメチリディン、4,4'- (2,2- ジ-t- ブチルフェ
ニルビニル）ビフェニル、4,4'-(2,2-ジフェニルビニ
ル）ビフェニル、など、及びこれらの誘導体や、特開平
6-49079 号公報、特開平6-293778号公報に開示されてい
るシラナミン誘導体、特開平6-279322号公報、特開平6-
279323号公報に開示されている多官能スチリル化合物、
特開平6-107648号公報や特開平6-92947 号公報に開示さ
れているオキサジアゾール誘導体、特開平6-206865号公
報に開示されているアントラセン化合物、特開平6-1451
46号公報に開示されているオキシネイト誘導体、特開平
4-96990 号公報に開示されているテトラフェニルブタジ
エン化合物、特開平3-296595号公報に開示されている有
機三官能化合物、さらには、特開平2-191694号公報に開
示されているクマリン誘導体、特開平2-196885号公報に
開示されているペリレン誘導体、特開平2-255789号に開
示されているナフタレン誘導体、特開平2-289676号及び
特開平2-88689 号公報に開示されているフタロペリノン
誘導体、特開平2-250292号公報に開示されているスチリ
ルアミン誘導体などが挙げられる。さらに、従来有機EL
素子の作製に使用されている公知のものを適宜用いるこ
とができる。
【００２３】正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸送性発光
層として使用されるアリールアミン化合物類としては、
特に限定はないが、特開平6-25659 号公報、特開平6-20
3963号公報、特開平6-215874号公報、特開平7-145116号
公報、特開平7-224012号公報、特開平7-157473号公報、
特開平8-48656 号公報、特開平7-126226号公報、特開平
7-188130号公報、特開平8-40995 号公報、特開平8-4099
6 号公報、特開平8-40997 号公報、特開平7-126225号公
報、特開平7-101911号公報、特開平7-97355 号公報に開
示されているアリールアミン化合物類が好ましく、例え
ば、N,N,N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジアミノフェニ
ル、N,N'- ジフェニル-N,N'-ジ（3-メチルフェニル）-
4,4'-ジアミノビフェニル、2,2-ビス（4-ジ-p- トリル
アミノフェニル）プロパン、N,N,N',N'-テトラ-p- トリ
ル-4,4'-ジアミノビフェニル、ビス（4-ジ-p- トリルア
ミノフェニル）フェニルメタン、N,N'- ジフェニル-N,
N'-ジ（4-メトキシフェニル）-4,4'-ジアミノビフェニ
ル、N,N,N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジアミノジフェニ
ルエーテル、4,4'- ビス（ジフェニルアミノ）クオード
リフェニル、4-N,N-ジフェニルアミノ- （2-ジフェニル
ビニル）ベンゼン、3-メトキシ-4'-N,N-ジフェニルアミ
ノスチルベンゼン、N-フェニルカルバゾール、1,1-ビス
（４- ジ-p- トリアミノフェニル）- シクロヘキサン、
1,1-ビス（4-ジ-p-トリアミノフェニル）-4- フェニル
シクロヘキサン、ビス（4-ジメチルアミノ-2- メチルフ
ェニル）- フェニルメタン、N,N,N-トリ（p-トリル）ア
ミン、4-（ジ-p- トリルアミノ）-4'-［4 （ジ-p- トリ
ルアミノ）スチリル］スチルベン、N,N,N',N'-テトラ-p
- トリル-4,4'-ジアミノ- ビフェニル、N,N,N',N'-テト
ラフェニル-4,4'-ジアミノ- ビフェニルN-フェニルカル
バゾール、4,4'- ビス［N-（1-ナフチル）-N- フェニル
- アミノ］ビフェニル、4,4''-ビス［N-（1-ナフチル）
-N- フェニル- アミノ］p-ターフェニル、4,4'- ビス
［N-（2-ナフチル）-N- フェニル- アミノ］ビフェニ
ル、4,4'- ビス［N-（3-アセナフテニル）-N- フェニル
- アミノ］ビフェニル、1,5-ビス［N-（1-ナフチル）-N
- フェニル- アミノ］ナフタレン、4,4'- ビス［N-（9-
アントリル）-N- フェニル- アミノ］ビフェニル、4,
4''-ビス［N-（1-アントリル）-N- フェニル- アミノ］
p-ターフェニル、4,4'- ビス［N-（2-フェナントリル）
-N- フェニル- アミノ］ビフェニル、4,4'- ビス［N-
（8-フルオランテニル）-N- フェニル- アミノ］ビフェ
ニル、4,4'-ビス［N-（2-ピレニル）-N- フェニル- ア
ミノ］ビフェニル、4,4'- ビス［N-（2-ペリレニル）-N
- フェニル- アミノ］ビフェニル、4,4'- ビス［N-（1-
コロネニル）-N- フェニル- アミノ］ビフェニル、2,6-
ビス（ジ-p- トリルアミノ）ナフタレン、2,6-ビス［ジ
- （1-ナフチル）アミノ］ナフタレン、2,6-ビス［N-
（1-ナフチル）-N- （2-ナフチル）アミノ］ナフタレ
ン、4.4''-ビス［N,N-ジ（2-ナフチル）アミノ］ターフ
ェニル、4.4'- ビス｛N-フェニル-N- ［4-（1-ナフチ
ル）フェニル］アミノ｝ビフェニル、4,4'- ビス［N-フ
ェニル-N- （2-ピレニル）- アミノ］ビフェニル、2,6-
ビス［N,N-ジ（2-ナフチル）アミノ］フルオレン、4,
4''- ビス（N,N-ジ-p- トリルアミノ）ターフェニル、
ビス（N-1-ナフチル）（N-2-ナフチル）アミンなどがあ
る。さらに、従来有機EL素子の作製に使用されている公
知のものを適宜用いることができる
層として使用されるアリールアミン化合物類としては、
特に限定はないが、特開平6-25659 号公報、特開平6-20
3963号公報、特開平6-215874号公報、特開平7-145116号
公報、特開平7-224012号公報、特開平7-157473号公報、
特開平8-48656 号公報、特開平7-126226号公報、特開平
7-188130号公報、特開平8-40995 号公報、特開平8-4099
6 号公報、特開平8-40997 号公報、特開平7-126225号公
報、特開平7-101911号公報、特開平7-97355 号公報に開
示されているアリールアミン化合物類が好ましく、例え
ば、N,N,N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジアミノフェニ
ル、N,N'- ジフェニル-N,N'-ジ（3-メチルフェニル）-
4,4'-ジアミノビフェニル、2,2-ビス（4-ジ-p- トリル
アミノフェニル）プロパン、N,N,N',N'-テトラ-p- トリ
ル-4,4'-ジアミノビフェニル、ビス（4-ジ-p- トリルア
ミノフェニル）フェニルメタン、N,N'- ジフェニル-N,
N'-ジ（4-メトキシフェニル）-4,4'-ジアミノビフェニ
ル、N,N,N',N'-テトラフェニル-4,4'-ジアミノジフェニ
ルエーテル、4,4'- ビス（ジフェニルアミノ）クオード
リフェニル、4-N,N-ジフェニルアミノ- （2-ジフェニル
ビニル）ベンゼン、3-メトキシ-4'-N,N-ジフェニルアミ
ノスチルベンゼン、N-フェニルカルバゾール、1,1-ビス
（４- ジ-p- トリアミノフェニル）- シクロヘキサン、
1,1-ビス（4-ジ-p-トリアミノフェニル）-4- フェニル
シクロヘキサン、ビス（4-ジメチルアミノ-2- メチルフ
ェニル）- フェニルメタン、N,N,N-トリ（p-トリル）ア
ミン、4-（ジ-p- トリルアミノ）-4'-［4 （ジ-p- トリ
ルアミノ）スチリル］スチルベン、N,N,N',N'-テトラ-p
- トリル-4,4'-ジアミノ- ビフェニル、N,N,N',N'-テト
ラフェニル-4,4'-ジアミノ- ビフェニルN-フェニルカル
バゾール、4,4'- ビス［N-（1-ナフチル）-N- フェニル
- アミノ］ビフェニル、4,4''-ビス［N-（1-ナフチル）
-N- フェニル- アミノ］p-ターフェニル、4,4'- ビス
［N-（2-ナフチル）-N- フェニル- アミノ］ビフェニ
ル、4,4'- ビス［N-（3-アセナフテニル）-N- フェニル
- アミノ］ビフェニル、1,5-ビス［N-（1-ナフチル）-N
- フェニル- アミノ］ナフタレン、4,4'- ビス［N-（9-
アントリル）-N- フェニル- アミノ］ビフェニル、4,
4''-ビス［N-（1-アントリル）-N- フェニル- アミノ］
p-ターフェニル、4,4'- ビス［N-（2-フェナントリル）
-N- フェニル- アミノ］ビフェニル、4,4'- ビス［N-
（8-フルオランテニル）-N- フェニル- アミノ］ビフェ
ニル、4,4'-ビス［N-（2-ピレニル）-N- フェニル- ア
ミノ］ビフェニル、4,4'- ビス［N-（2-ペリレニル）-N
- フェニル- アミノ］ビフェニル、4,4'- ビス［N-（1-
コロネニル）-N- フェニル- アミノ］ビフェニル、2,6-
ビス（ジ-p- トリルアミノ）ナフタレン、2,6-ビス［ジ
- （1-ナフチル）アミノ］ナフタレン、2,6-ビス［N-
（1-ナフチル）-N- （2-ナフチル）アミノ］ナフタレ
ン、4.4''-ビス［N,N-ジ（2-ナフチル）アミノ］ターフ
ェニル、4.4'- ビス｛N-フェニル-N- ［4-（1-ナフチ
ル）フェニル］アミノ｝ビフェニル、4,4'- ビス［N-フ
ェニル-N- （2-ピレニル）- アミノ］ビフェニル、2,6-
ビス［N,N-ジ（2-ナフチル）アミノ］フルオレン、4,
4''- ビス（N,N-ジ-p- トリルアミノ）ターフェニル、
ビス（N-1-ナフチル）（N-2-ナフチル）アミンなどがあ
る。さらに、従来有機EL素子の作製に使用されている公
知のものを適宜用いることができる
【００２４】さらに、正孔注入層、正孔輸送層、正孔輸
送性発光層として、上述の有機化合物をポリマー中に分
散したものや、ポリマー化したものも使用できる。ポリ
パラフェニレンビニレンやその誘導体などのいわゆるπ
共役ポリマー、ポリ（N-ビニルカルバゾール）に代表さ
れるホール輸送性非共役ポリマー、ポリシラン類のシグ
マ共役ポリマーも用いることができる。
送性発光層として、上述の有機化合物をポリマー中に分
散したものや、ポリマー化したものも使用できる。ポリ
パラフェニレンビニレンやその誘導体などのいわゆるπ
共役ポリマー、ポリ（N-ビニルカルバゾール）に代表さ
れるホール輸送性非共役ポリマー、ポリシラン類のシグ
マ共役ポリマーも用いることができる。
【００２５】ITO 電極上に形成する正孔注入層として
は、特に限定はないが、銅フタロシアニンなどの金属フ
タロシアニン類および無金属フタロシアニン類、カーボ
ン膜、ポリアニリンなどの導電性ポリマーが好適に使用
できる。さらに、前述のアリールアミン類に酸化剤とし
てルイス酸を作用させ、ラジカルカチオンを形成させて
正孔注入層として用いることもできる。
は、特に限定はないが、銅フタロシアニンなどの金属フ
タロシアニン類および無金属フタロシアニン類、カーボ
ン膜、ポリアニリンなどの導電性ポリマーが好適に使用
できる。さらに、前述のアリールアミン類に酸化剤とし
てルイス酸を作用させ、ラジカルカチオンを形成させて
正孔注入層として用いることもできる。
【００２６】陰極電極には、空気中で安定に使用できる
金属であれば限定はないが、特に配線電極として一般に
広く使用されているアルミニウムが好ましい。
金属であれば限定はないが、特に配線電極として一般に
広く使用されているアルミニウムが好ましい。
【００２７】［実施例］以下に実施例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。なお、有機化合物および金属の蒸着には、真空機工
社製VPC-400 真空蒸着機を使用した。膜厚の測定はスロ
ーン社製DekTak3ST 触針式段差計を用いた。素子の特性
評価には、菊水PBX 40-2.5直流電源、岩通VOAC-7510 マ
ルチメーター、トプコンBM-8輝度計を使用した。素子の
ITO を陽極、Alを陰極として直流電圧を0.5 Ｖ／２秒あ
るいは１Ｖ／２秒の割合でステップ状に印加し、電圧上
昇１秒後の輝度および電流値を測定した。また、ELスペ
クトルは浜松ホトニクスPMA-10オプチカルマルチチャン
ネルアナライザーを使用して定電流駆動し測定した。
説明するが、本発明はこれにより限定されるものではな
い。なお、有機化合物および金属の蒸着には、真空機工
社製VPC-400 真空蒸着機を使用した。膜厚の測定はスロ
ーン社製DekTak3ST 触針式段差計を用いた。素子の特性
評価には、菊水PBX 40-2.5直流電源、岩通VOAC-7510 マ
ルチメーター、トプコンBM-8輝度計を使用した。素子の
ITO を陽極、Alを陰極として直流電圧を0.5 Ｖ／２秒あ
るいは１Ｖ／２秒の割合でステップ状に印加し、電圧上
昇１秒後の輝度および電流値を測定した。また、ELスペ
クトルは浜松ホトニクスPMA-10オプチカルマルチチャン
ネルアナライザーを使用して定電流駆動し測定した。
【００２８】実施例１ 図１の積層構成の有機EL素子に本発明を適用したもので
ある。ガラス基板１上に、陽極透明電極２として、シー
ト抵抗15Ω／□のITO （インジウム−スズ酸化物、旭硝
子社製電子ビーム蒸着品）がコートされている。その上
に正孔輸送性を有する下記式１：
ある。ガラス基板１上に、陽極透明電極２として、シー
ト抵抗15Ω／□のITO （インジウム−スズ酸化物、旭硝
子社製電子ビーム蒸着品）がコートされている。その上
に正孔輸送性を有する下記式１：
【化１】 で表されるαNPD を10-6torr下で、3 Å／秒の蒸着速度
で400 Åの厚さに成膜し、正孔輸送層３を形成した。
で400 Åの厚さに成膜し、正孔輸送層３を形成した。
【００２９】次に、前記正孔輸送層３の上に、発光層４
として緑色発光を有する下記式２：
として緑色発光を有する下記式２：
【化２】 で表されるトリス（８- キノリノラト）アルミニウム錯
体層（以下「Alq」という）４を３と同じ条件で600 Åの
厚さに真空蒸着して形成した。次に、前記発光層４の上
に金属ドーピング層５として、Alq とLiF をLiF が２重
量％となるように各々の蒸着速度を調整して100 Å成膜
した。最後に、前記金属ドーピング層５の上に陰極とな
る背面電極６としてAlを蒸着速度15Å／秒で1000Å蒸着
した。発光領域は縦0.5cm 、横0.5cm の正方形状とし
た。前記の有機EL素子において、陽極電極であるITO と
陰極電極であるAl６との間に、直流電圧を印加し、発光
層Alq4からの緑色発光の輝度を測定した。この素子から
は15000cd/m2の高輝度を13V において示した。このとき
の電流密度は440mA/cm2 であった。
体層（以下「Alq」という）４を３と同じ条件で600 Åの
厚さに真空蒸着して形成した。次に、前記発光層４の上
に金属ドーピング層５として、Alq とLiF をLiF が２重
量％となるように各々の蒸着速度を調整して100 Å成膜
した。最後に、前記金属ドーピング層５の上に陰極とな
る背面電極６としてAlを蒸着速度15Å／秒で1000Å蒸着
した。発光領域は縦0.5cm 、横0.5cm の正方形状とし
た。前記の有機EL素子において、陽極電極であるITO と
陰極電極であるAl６との間に、直流電圧を印加し、発光
層Alq4からの緑色発光の輝度を測定した。この素子から
は15000cd/m2の高輝度を13V において示した。このとき
の電流密度は440mA/cm2 であった。
【００３０】比較例１ 実施例１と同じく、ITO 上にまず正孔輸送層としてαNP
D を400 Åの厚さに成膜し、その上に、発光層としてAl
q を３と同じ条件で600 Åの厚さに真空蒸着して形成し
た。そして、Alq の上から陰極としてAlを2000Å蒸着し
た。この素子では15V で最高6700cd/m2 の輝度しか与え
ず、輝度の向上と駆動電圧を下げるのに金属ドーピング
層５が有効であることがわかる。
D を400 Åの厚さに成膜し、その上に、発光層としてAl
q を３と同じ条件で600 Åの厚さに真空蒸着して形成し
た。そして、Alq の上から陰極としてAlを2000Å蒸着し
た。この素子では15V で最高6700cd/m2 の輝度しか与え
ず、輝度の向上と駆動電圧を下げるのに金属ドーピング
層５が有効であることがわかる。
【００３１】比較例２ 実施例１と同条件で、ITO 上にまず正孔輸送層としてα
NPD を400 Åの厚さに成膜し、その上に、Alq を500 Å
蒸着した後に、LiF のみを100 Åの厚さに真空蒸着して
形成し、その上から陰極としてAlを2000Å蒸着した。こ
の素子では電流が全く注入されず、素子からの発光が観
測されなかった。これはLiF のみ100 Å挿入したのでは
LiF 層が完全な絶縁体層であるため、陰極からの電子注
入が行われなかったと思われる。したがって、LiF が10
0 Åの場合には陰極に接する部分には電子注入のために
有機分子が必要であることを示している。
NPD を400 Åの厚さに成膜し、その上に、Alq を500 Å
蒸着した後に、LiF のみを100 Åの厚さに真空蒸着して
形成し、その上から陰極としてAlを2000Å蒸着した。こ
の素子では電流が全く注入されず、素子からの発光が観
測されなかった。これはLiF のみ100 Å挿入したのでは
LiF 層が完全な絶縁体層であるため、陰極からの電子注
入が行われなかったと思われる。したがって、LiF が10
0 Åの場合には陰極に接する部分には電子注入のために
有機分子が必要であることを示している。
【００３２】実施例２ 厚さ１mmの石英ガラス上に、Alq とLiF をLiF が２重量
％となるように各々の蒸着速度を調整して1000Å成膜し
た。また、Alq のみを蒸着して1000Å成膜した試料も作
製した。これらの可視紫外吸収スペクトルにおいて、Al
q のみを蒸着した膜ではキノリン環による吸収が400nm
付近に見られたが、LiF をドーピングしたAlq 膜ではこ
のようなキノリン環による強い吸収が375nm に見られ
た。これはLiF がAlq 分子の近傍に存在することでAlq
分子のエネルギー準位が変化していることを表してい
る。
％となるように各々の蒸着速度を調整して1000Å成膜し
た。また、Alq のみを蒸着して1000Å成膜した試料も作
製した。これらの可視紫外吸収スペクトルにおいて、Al
q のみを蒸着した膜ではキノリン環による吸収が400nm
付近に見られたが、LiF をドーピングしたAlq 膜ではこ
のようなキノリン環による強い吸収が375nm に見られ
た。これはLiF がAlq 分子の近傍に存在することでAlq
分子のエネルギー準位が変化していることを表してい
る。
【００３３】実施例３ ITO 上に、正孔輸送層３としてαNPD を400 Å、発光層
４としてAlq を600 Å真空蒸着した後、Alq と酸化リチ
ウム（Li2O）を金属ドーピング層５としてLi2O濃度が３
重量％となるよう100 Åの厚みに共蒸着した。その上か
ら、陰極電極６として、Alを1000Å蒸着し素子を作製し
た。この素子は印加電圧１３Ｖで最高輝度16000cd/m2と
電流密度480mA/cm2 を与え、実施例１と同じく、低い駆
動電圧で高輝度を与えた。
４としてAlq を600 Å真空蒸着した後、Alq と酸化リチ
ウム（Li2O）を金属ドーピング層５としてLi2O濃度が３
重量％となるよう100 Åの厚みに共蒸着した。その上か
ら、陰極電極６として、Alを1000Å蒸着し素子を作製し
た。この素子は印加電圧１３Ｖで最高輝度16000cd/m2と
電流密度480mA/cm2 を与え、実施例１と同じく、低い駆
動電圧で高輝度を与えた。
【００３４】比較例３ 実施例１と同条件で、ITO 上にまず正孔輸送層としてα
NPD を400 Åの厚さに成膜し、その上に、Alq を600 Å
蒸着した後に、Li2Oのみを100 Åの厚さに真空蒸着して
形成し、その上から陰極としてAlを2000Å蒸着した。こ
の素子では電流が全く注入されず、発光は観測されなか
った。これはLi2Oのみ100 Å挿入したのではLi2O層が完
全な絶縁体層であるため、陰極からの電子注入が行われ
なかったと思われる。したがって、金属ドーピング層に
は電子注入のために有機化合物との共蒸着が必要不可欠
であることを示している。
NPD を400 Åの厚さに成膜し、その上に、Alq を600 Å
蒸着した後に、Li2Oのみを100 Åの厚さに真空蒸着して
形成し、その上から陰極としてAlを2000Å蒸着した。こ
の素子では電流が全く注入されず、発光は観測されなか
った。これはLi2Oのみ100 Å挿入したのではLi2O層が完
全な絶縁体層であるため、陰極からの電子注入が行われ
なかったと思われる。したがって、金属ドーピング層に
は電子注入のために有機化合物との共蒸着が必要不可欠
であることを示している。
【００３５】実施例４ ITO 上に、正孔輸送層３としてαNPD を400 Å、発光層
４としてAlq を500 Å真空蒸着した後、バソフェナント
ロリンとLi2Oを金属ドーピング層５としてLi2Oが３重量
％となるように100 Åの厚みに共蒸着した。その上か
ら、陰極電極６としてAlを1000Å蒸着し素子を作製し
た。この素子は印加電圧13Ｖで最高輝度21000cd/m2、電
流密度630mA/cm2 を与え、実施例１と同じく、低い駆動
電圧で高輝度を与えた。
４としてAlq を500 Å真空蒸着した後、バソフェナント
ロリンとLi2Oを金属ドーピング層５としてLi2Oが３重量
％となるように100 Åの厚みに共蒸着した。その上か
ら、陰極電極６としてAlを1000Å蒸着し素子を作製し
た。この素子は印加電圧13Ｖで最高輝度21000cd/m2、電
流密度630mA/cm2 を与え、実施例１と同じく、低い駆動
電圧で高輝度を与えた。
【００３６】
【発明の効果】以上の如く、本発明の有機EL素子は、金
属酸化物と金属塩の少なくとも一方によってドーピング
した有機化合物層（金属ドーピング層）を陰極電極との
界面に設けることによって、駆動電圧が低く、高効率、
高輝度発光素子の作製を可能にした。したがって、本発
明の有機EL素子は、実用性が高く、表示素子や光源とし
ての有効利用を期待できる。
属酸化物と金属塩の少なくとも一方によってドーピング
した有機化合物層（金属ドーピング層）を陰極電極との
界面に設けることによって、駆動電圧が低く、高効率、
高輝度発光素子の作製を可能にした。したがって、本発
明の有機EL素子は、実用性が高く、表示素子や光源とし
ての有効利用を期待できる。
【図１】本発明の有機EL素子の積層構造例を示す模式断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の有機EL素子の陰極部分を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】従来の有機EL素子の陰極部分を示す説明図であ
る。
る。
１ 透明基板 ２ 陽極透明電極 ４ 発光層 ５ 金属ドーピング層 ６ 陰極電極
Claims (6)
- 【請求項１】 対向する陽極電極と陰極電極の間に、有
機化合物から構成される少なくとも一層の発光層を有す
る有機エレクトロルミネッセント素子において、上記陰
極電極との界面に、金属酸化物または金属塩でドーピン
グした有機化合物層を金属ドーピング層として有するこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の素子において、上記金属
酸化物が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または稀
土類金属を含む遷移金属の金属酸化物からなる有機エレ
クトロルミネッセント素子。 - 【請求項３】 請求項１記載の素子において、上記金属
塩が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、稀土類金属を
含む遷移金属の金属塩からなる有機エレクトロルミネッ
セント素子。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項記載の素子
において、金属ドーピング層の金属酸化物または金属塩
の濃度が、0.1 〜99重量％である有機エレクトロルミネ
ッセント素子。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項記載の素子
において、金属ドーピング層の厚さが、10Å〜2000Åで
ある有機エレクトロルミネッセント素子。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項記載の素子
において、陰極構成材料の少なくとも一つがアルミニウ
ムである有機エレクトロルミネッセント素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07583497A JP4486713B2 (ja) | 1997-01-27 | 1997-03-27 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1281597 | 1997-01-27 | ||
| JP9-12815 | 1997-01-27 | ||
| JP07583497A JP4486713B2 (ja) | 1997-01-27 | 1997-03-27 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009242808A Division JP4825296B2 (ja) | 1997-01-27 | 2009-10-21 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270172A true JPH10270172A (ja) | 1998-10-09 |
| JP4486713B2 JP4486713B2 (ja) | 2010-06-23 |
Family
ID=26348493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07583497A Expired - Lifetime JP4486713B2 (ja) | 1997-01-27 | 1997-03-27 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4486713B2 (ja) |
Cited By (105)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11162647A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-06-18 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JPH11354283A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-12-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2000005928A1 (fr) * | 1998-07-22 | 2000-02-03 | Tdk Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
| WO2000032014A1 (fr) * | 1998-11-25 | 2000-06-02 | Tdk Corporation | Dispositif organique electroluminescent |
| WO2000048430A1 (fr) * | 1999-02-10 | 2000-08-17 | Tdk Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
| WO2000056124A1 (fr) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Tdk Corporation | Dispositif el organique |
| WO2000056122A1 (fr) * | 1999-03-16 | 2000-09-21 | Tdk Corporation | Dispositif el organique |
| WO2000060906A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Tdk Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
| WO2000076277A1 (fr) * | 1999-06-07 | 2000-12-14 | Tdk Corporation | Ecran organique electroluminescent |
| JP2002141173A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2002231455A (ja) * | 1998-04-08 | 2002-08-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6445126B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-09-03 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
| WO2003044829A1 (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus |
| JP2003243179A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Univ Toyama | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPWO2002020693A1 (ja) * | 2000-09-07 | 2004-01-15 | 出光興産株式会社 | 有機電界発光素子 |
| WO2004098242A1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| US6821649B2 (en) | 2001-08-20 | 2004-11-23 | Tdk Corporation | Organic EL device and preparation method |
| WO2006033472A1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| WO2006038573A1 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| WO2006043678A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element |
| KR100584917B1 (ko) * | 1998-12-16 | 2006-05-29 | 준지 기도 | 유기전계발광소자 |
| JPWO2004095892A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2006-07-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| JP2006190998A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機電界効果トランジスタ及び半導体装置 |
| JP2006190995A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料、前記複合材料を用いた発光素子および発光装置、並びに前記発光素子の作製方法 |
| US7084426B2 (en) | 2003-12-16 | 2006-08-01 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| WO2006098540A1 (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd | Quantum dot light -emitting diode comprising inorganic electron transport layer |
| JP2006324650A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置及び電子機器 |
| JP2006332613A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機トランジスタ用電極、有機トランジスタ、及び半導体装置、 |
| JP2006352095A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、および電子機器 |
| JP2007036176A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Lg Electronics Inc | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2007088015A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、および有機レクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2007116008A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | 有機発光素子、有機発光素子の製造方法、発光装置および電子機器 |
| JP2007180526A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置並びに電子機器 |
| WO2007077810A1 (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP2007227907A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機電界効果トランジスタ及び半導体装置 |
| WO2007114244A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置 |
| WO2007119473A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
| JP2008108995A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Shinshu Univ | 有機発光ダイオードデバイス |
| WO2008072596A1 (ja) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| WO2008102644A1 (ja) | 2007-02-19 | 2008-08-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008543102A (ja) * | 2005-06-10 | 2008-11-27 | トムソン ライセンシング | 異なる有機材料の２つ以下の層を備える有機発光ダイオード |
| JPWO2007069539A1 (ja) * | 2005-12-15 | 2009-05-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 |
| JP2009152178A (ja) * | 2007-12-24 | 2009-07-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
| US7566253B2 (en) * | 2000-10-26 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device with anodized anode surface |
| JP2009212514A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
| US7598670B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| WO2009122958A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 住友化学株式会社 | 中間層形成塗布液、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7605532B2 (en) | 2006-03-31 | 2009-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light emitting device |
| EP2123733A2 (en) | 2008-05-13 | 2009-11-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| US7663140B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| US7714501B2 (en) | 2004-12-01 | 2010-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electronic equipment |
| WO2010073864A1 (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-01 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US7851991B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device and light emitting apparatus |
| WO2011004639A1 (ja) | 2009-07-07 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、新規な化合物、照明装置及び表示装置 |
| US7999459B2 (en) | 2008-01-28 | 2011-08-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode and method of manufacturing the same |
| JP2012049114A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、照明装置、及び発光装置の作製方法 |
| US8142910B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-03-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
| US8154192B2 (en) | 2005-10-17 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
| US8202630B2 (en) | 2004-11-05 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
| US8207555B2 (en) | 2004-11-05 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light emitting device using the same |
| US8227097B2 (en) | 2005-05-20 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
| WO2012111548A1 (ja) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2012111462A1 (ja) | 2011-02-15 | 2012-08-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| JP2012169661A (ja) * | 2005-04-21 | 2012-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| US8274212B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device including first hole injection layer and second hole injection layer |
| WO2012137640A1 (ja) | 2011-04-07 | 2012-10-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2012137675A1 (ja) | 2011-04-06 | 2012-10-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2012212575A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ装置 |
| WO2012153603A1 (ja) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2013002051A1 (ja) | 2011-06-28 | 2013-01-03 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8362474B2 (en) | 2006-01-26 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor and semiconductor device |
| WO2013021971A1 (ja) | 2011-08-09 | 2013-02-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機光電変換素子、およびそれを用いた有機太陽電池 |
| JP2013038432A (ja) * | 2005-03-29 | 2013-02-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2562229A1 (en) | 2011-08-25 | 2013-02-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, lighting device and display device |
| WO2013035490A1 (ja) | 2011-09-07 | 2013-03-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2013042446A1 (ja) | 2011-09-21 | 2013-03-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 |
| WO2013073356A1 (ja) | 2011-11-17 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、および電子デバイス |
| WO2013073301A1 (ja) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体 |
| WO2013073302A1 (ja) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体 |
| WO2013094375A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 昭和電工株式会社 | 有機発光素子の製造方法 |
| WO2013099867A1 (ja) | 2011-12-27 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2013179293A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-09-09 | Yamagata Univ | 有機電子デバイス及びその製造方法 |
| WO2013141057A1 (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-26 | コニカミノルタ株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US8569742B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field-effect transistor and semiconductor device including the same |
| WO2013161602A1 (ja) | 2012-04-23 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および有機電界発光素子 |
| WO2013161603A1 (ja) | 2012-04-24 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法 |
| US8633473B2 (en) | 2004-12-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | High contrast light emitting device and method for manufacturing the same |
| JP2014504602A (ja) * | 2011-01-24 | 2014-02-24 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 電子輸送化合物 |
| WO2014030666A1 (ja) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法 |
| US8673457B2 (en) | 2006-03-31 | 2014-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device and light emitting apparatus |
| US8729795B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| WO2014092014A1 (ja) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| US8759826B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-06-24 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element |
| WO2014157618A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置 |
| WO2014157610A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
| WO2014157494A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| JP2015062247A (ja) * | 2001-12-05 | 2015-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機太陽電池 |
| JP2015514293A (ja) * | 2012-03-23 | 2015-05-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子 |
| DE102015203228A1 (de) | 2014-02-25 | 2015-09-10 | Konica Minolta, Inc. | Lichtstreuungsfolie für ein organisches Elektrolumineszenz-Element und eine organische Elektrolumineszenz-Anzeige |
| US9142783B2 (en) | 2004-11-30 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| JP2017017044A (ja) * | 2003-10-03 | 2017-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| EP3200255A2 (en) | 2016-01-06 | 2017-08-02 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, method for producing organic electroluminescent element, display, and lighting device |
| US9905809B2 (en) | 2005-01-21 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10134996B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-11-20 | Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method thereof |
| CN114023895A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-02-08 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04230997A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-08-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法 |
| JPH06163158A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH08222374A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH0917574A (ja) * | 1995-04-27 | 1997-01-17 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH10162959A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP07583497A patent/JP4486713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04230997A (ja) * | 1990-06-14 | 1992-08-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法 |
| JPH06163158A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH08222374A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH0917574A (ja) * | 1995-04-27 | 1997-01-17 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH10162959A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| HUNG L S, TANG C W AND MASON M G: "Enhanced electron injection in organic electroluminescence devicec using an AL/LiF electrode", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 70, no. 2, JPN7008001279, 13 January 1997 (1997-01-13), pages 152 - 154, ISSN: 0000981287 * |
Cited By (160)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11162647A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-06-18 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JP2002231455A (ja) * | 1998-04-08 | 2002-08-16 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH11354283A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-12-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2000005928A1 (fr) * | 1998-07-22 | 2000-02-03 | Tdk Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
| US6445126B1 (en) | 1998-08-13 | 2002-09-03 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
| WO2000032014A1 (fr) * | 1998-11-25 | 2000-06-02 | Tdk Corporation | Dispositif organique electroluminescent |
| US6404126B1 (en) | 1998-11-25 | 2002-06-11 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device having a conjugated polymer and an inorganic insulative electron injecting and transporting layer |
| KR100584917B1 (ko) * | 1998-12-16 | 2006-05-29 | 준지 기도 | 유기전계발광소자 |
| WO2000048430A1 (fr) * | 1999-02-10 | 2000-08-17 | Tdk Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
| US6262433B1 (en) | 1999-03-16 | 2001-07-17 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
| WO2000056122A1 (fr) * | 1999-03-16 | 2000-09-21 | Tdk Corporation | Dispositif el organique |
| US6288487B1 (en) | 1999-03-17 | 2001-09-11 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device with a high-resistance inorganic electron injecting and transporting layer |
| WO2000056124A1 (fr) * | 1999-03-17 | 2000-09-21 | Tdk Corporation | Dispositif el organique |
| WO2000060906A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Tdk Corporation | Dispositif electroluminescent organique |
| US6252246B1 (en) | 1999-04-05 | 2001-06-26 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
| WO2000076277A1 (fr) * | 1999-06-07 | 2000-12-14 | Tdk Corporation | Ecran organique electroluminescent |
| US6369507B1 (en) | 1999-06-07 | 2002-04-09 | Tdk Corporation | Organic EL display apparatus with a switching device |
| JP2002141173A (ja) * | 2000-08-22 | 2002-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP4632628B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2011-02-16 | 出光興産株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JP2011054981A (ja) * | 2000-09-07 | 2011-03-17 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JPWO2002020693A1 (ja) * | 2000-09-07 | 2004-01-15 | 出光興産株式会社 | 有機電界発光素子 |
| US8841003B2 (en) | 2000-09-07 | 2014-09-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electric-field light-emitting element |
| US7566253B2 (en) * | 2000-10-26 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device with anodized anode surface |
| US7018724B2 (en) | 2001-08-20 | 2006-03-28 | Tdk Corporaiton | Organic EL device and preparation method |
| US6821649B2 (en) | 2001-08-20 | 2004-11-23 | Tdk Corporation | Organic EL device and preparation method |
| KR100495407B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2005-06-14 | 티디케이가부시기가이샤 | 유기ｅｌ소자 및 그 제조방법 |
| US7163831B2 (en) | 2001-11-22 | 2007-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus |
| JP2005510034A (ja) * | 2001-11-22 | 2005-04-14 | キヤノン株式会社 | 発光素子及びその製造方法及び発光装置 |
| US7309619B2 (en) | 2001-11-22 | 2007-12-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus |
| WO2003044829A1 (en) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting element, production method thereof, and light-emitting apparatus |
| US11217764B2 (en) | 2001-12-05 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| JP2015062247A (ja) * | 2001-12-05 | 2015-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機太陽電池 |
| JP2003243179A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Univ Toyama | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US6806640B2 (en) | 2002-02-13 | 2004-10-19 | President Of Toyama University | Organic electroluminescence device having current injection layer between light emitting layer and cathode |
| JPWO2004095892A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2006-07-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| US7750340B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| WO2004098242A1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| US7820478B2 (en) | 2003-04-30 | 2010-10-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| JP2004335143A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-11-25 | Canon Inc | 発光素子 |
| JP2017017044A (ja) * | 2003-10-03 | 2017-01-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| US7084426B2 (en) | 2003-12-16 | 2006-08-01 | Seiko Epson Corporation | Organic electroluminescent device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US8922116B2 (en) | 2004-05-21 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US7940002B2 (en) | 2004-05-21 | 2011-05-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US8076671B2 (en) | 2004-05-21 | 2011-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| US8344621B2 (en) | 2004-05-21 | 2013-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US7663140B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| US8536569B2 (en) | 2004-05-21 | 2013-09-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the element |
| US7598670B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US8188491B2 (en) | 2004-09-24 | 2012-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7875893B2 (en) | 2004-09-24 | 2011-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8723196B2 (en) | 2004-09-24 | 2014-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7601988B2 (en) | 2004-09-24 | 2009-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8450755B2 (en) | 2004-09-24 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| WO2006033472A1 (en) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| WO2006038573A1 (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US7750560B2 (en) | 2004-10-01 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting-element |
| US7952089B2 (en) | 2004-10-22 | 2011-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element |
| WO2006043678A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element |
| KR101254494B1 (ko) | 2004-10-22 | 2013-04-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 복합 재료 및 발광 소자 |
| US10134996B2 (en) | 2004-10-29 | 2018-11-20 | Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material, light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method thereof |
| US8207555B2 (en) | 2004-11-05 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light emitting device using the same |
| US8202630B2 (en) | 2004-11-05 | 2012-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
| US8455114B2 (en) | 2004-11-05 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device using the same |
| US8338196B2 (en) | 2004-11-05 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light emitting device using the same |
| US9142783B2 (en) | 2004-11-30 | 2015-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
| US7714501B2 (en) | 2004-12-01 | 2010-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electronic equipment |
| JP2006190998A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機電界効果トランジスタ及び半導体装置 |
| JP2006190995A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-07-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機化合物と無機化合物とを含む複合材料、前記複合材料を用いた発光素子および発光装置、並びに前記発光素子の作製方法 |
| US8569742B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field-effect transistor and semiconductor device including the same |
| US9147820B2 (en) | 2004-12-28 | 2015-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US8633473B2 (en) | 2004-12-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | High contrast light emitting device and method for manufacturing the same |
| US9905809B2 (en) | 2005-01-21 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10333108B2 (en) | 2005-01-21 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| WO2006098540A1 (en) * | 2005-03-17 | 2006-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd | Quantum dot light -emitting diode comprising inorganic electron transport layer |
| JP2013038432A (ja) * | 2005-03-29 | 2013-02-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2012169661A (ja) * | 2005-04-21 | 2012-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| JP2006324650A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置及び電子機器 |
| JP2014068021A (ja) * | 2005-04-21 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| JP2015181189A (ja) * | 2005-04-21 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子 |
| KR101253998B1 (ko) * | 2005-04-21 | 2013-04-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 발광 장치 및 전자 장치 |
| JP2006332613A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機トランジスタ用電極、有機トランジスタ、及び半導体装置、 |
| JP2006352095A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-12-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置、および電子機器 |
| US8445121B2 (en) | 2005-05-20 | 2013-05-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
| US8227097B2 (en) | 2005-05-20 | 2012-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
| JP2008543102A (ja) * | 2005-06-10 | 2008-11-27 | トムソン ライセンシング | 異なる有機材料の２つ以下の層を備える有機発光ダイオード |
| US9391128B2 (en) | 2005-06-30 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| US8729795B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| US8563144B2 (en) | 2005-07-25 | 2013-10-22 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and method for fabricating the same |
| JP2007036176A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Lg Electronics Inc | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2007088015A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、および有機レクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| US8154192B2 (en) | 2005-10-17 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
| US8441184B2 (en) | 2005-10-17 | 2013-05-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
| JP2007116008A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Seiko Epson Corp | 有機発光素子、有機発光素子の製造方法、発光装置および電子機器 |
| JP4548301B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 有機発光素子の製造方法 |
| JP2007180526A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子、発光装置並びに電子機器 |
| JPWO2007069539A1 (ja) * | 2005-12-15 | 2009-05-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 |
| WO2007077810A1 (ja) | 2006-01-05 | 2007-07-12 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| EP2463930A2 (en) | 2006-01-05 | 2012-06-13 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent device, display and illuminating device |
| JP2007227907A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-09-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機電界効果トランジスタ及び半導体装置 |
| US8362474B2 (en) | 2006-01-26 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor and semiconductor device |
| EP3093898A1 (en) | 2006-03-30 | 2016-11-16 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence device, lighting device and display device |
| WO2007119473A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
| WO2007114244A1 (ja) | 2006-03-30 | 2007-10-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及びディスプレイ装置 |
| US8673457B2 (en) | 2006-03-31 | 2014-03-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device and light emitting apparatus |
| US7605532B2 (en) | 2006-03-31 | 2009-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light emitting device |
| US7851991B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence device and light emitting apparatus |
| JP2008108995A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Shinshu Univ | 有機発光ダイオードデバイス |
| EP2437326A2 (en) | 2006-12-13 | 2012-04-04 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| WO2008072596A1 (ja) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| US9000419B2 (en) | 2007-02-19 | 2015-04-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd | Organic electroluminescence element |
| WO2008102644A1 (ja) | 2007-02-19 | 2008-08-28 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2009152178A (ja) * | 2007-12-24 | 2009-07-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
| US8557398B2 (en) | 2007-12-24 | 2013-10-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
| US8274212B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device including first hole injection layer and second hole injection layer |
| US7999459B2 (en) | 2008-01-28 | 2011-08-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode and method of manufacturing the same |
| JP2009212514A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
| US8142910B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-03-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
| EP2273578A4 (en) * | 2008-03-31 | 2012-01-25 | Sumitomo Chemical Co | LIQUID COATING FOR FORMING INTERMEDIATE LAYER, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT |
| EP2273578A1 (en) * | 2008-03-31 | 2011-01-12 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Coating solution for formation of intermediate layer, method for production of organic electroluminescence element, and organic electroluminescence element |
| WO2009122958A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 住友化学株式会社 | 中間層形成塗布液、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2009246124A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 中間層形成塗布液、および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、並びに有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8358061B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-01-22 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Coating solution for formation of intermediate layer, method for production of organic electroluminescence element, and organic electroluminescence element |
| EP2479234A1 (en) | 2008-05-13 | 2012-07-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| EP2460866A2 (en) | 2008-05-13 | 2012-06-06 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| EP2123733A2 (en) | 2008-05-13 | 2009-11-25 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescent element, display device and lighting device |
| WO2010073864A1 (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-01 | パイオニア株式会社 | 有機電界発光素子 |
| WO2011004639A1 (ja) | 2009-07-07 | 2011-01-13 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、新規な化合物、照明装置及び表示装置 |
| JP2012049114A (ja) * | 2010-07-26 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、照明装置、及び発光装置の作製方法 |
| US8759826B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-06-24 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element |
| JP2014504602A (ja) * | 2011-01-24 | 2014-02-24 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 電子輸送化合物 |
| WO2012111462A1 (ja) | 2011-02-15 | 2012-08-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2012111548A1 (ja) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| JP2012212575A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ装置 |
| WO2012137675A1 (ja) | 2011-04-06 | 2012-10-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2012137640A1 (ja) | 2011-04-07 | 2012-10-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2012153603A1 (ja) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2013002051A1 (ja) | 2011-06-28 | 2013-01-03 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2013021971A1 (ja) | 2011-08-09 | 2013-02-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機光電変換素子、およびそれを用いた有機太陽電池 |
| EP2562229A1 (en) | 2011-08-25 | 2013-02-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic electroluminescence element, lighting device and display device |
| WO2013035490A1 (ja) | 2011-09-07 | 2013-03-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2013042446A1 (ja) | 2011-09-21 | 2013-03-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および照明装置 |
| WO2013073302A1 (ja) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体 |
| WO2013073301A1 (ja) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体 |
| WO2013073356A1 (ja) | 2011-11-17 | 2013-05-23 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、および電子デバイス |
| WO2013094375A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 昭和電工株式会社 | 有機発光素子の製造方法 |
| WO2013099867A1 (ja) | 2011-12-27 | 2013-07-04 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2013179293A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-09-09 | Yamagata Univ | 有機電子デバイス及びその製造方法 |
| WO2013141057A1 (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-26 | コニカミノルタ株式会社 | 有機電界発光素子 |
| JP2015514293A (ja) * | 2012-03-23 | 2015-05-18 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子 |
| WO2013161602A1 (ja) | 2012-04-23 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および有機電界発光素子 |
| WO2013161603A1 (ja) | 2012-04-24 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法 |
| WO2014030666A1 (ja) | 2012-08-24 | 2014-02-27 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、電子デバイス、および透明電極の製造方法 |
| WO2014092014A1 (ja) | 2012-12-10 | 2014-06-19 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| WO2014157494A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
| WO2014157610A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置、有機ルミネッセンス素子用発光性薄膜と組成物及び発光方法 |
| WO2014157618A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを具備した照明装置及び表示装置 |
| DE102015203228A1 (de) | 2014-02-25 | 2015-09-10 | Konica Minolta, Inc. | Lichtstreuungsfolie für ein organisches Elektrolumineszenz-Element und eine organische Elektrolumineszenz-Anzeige |
| EP3200255A2 (en) | 2016-01-06 | 2017-08-02 | Konica Minolta, Inc. | Organic electroluminescent element, method for producing organic electroluminescent element, display, and lighting device |
| CN114023895A (zh) * | 2021-11-05 | 2022-02-08 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法 |
| CN114023895B (zh) * | 2021-11-05 | 2024-03-29 | 江苏穿越光电科技有限公司 | 量子点发光器件及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4486713B2 (ja) | 2010-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4486713B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP4505067B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP4514841B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP4729154B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 | |
| US6013384A (en) | Organic electroluminescent devices | |
| JP4824848B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの特定方法 | |
| KR100641880B1 (ko) | 유기전기장발광성소자 | |
| EP1089361B1 (en) | Organic electroluminescent device and method of controlling emission spectrum | |
| WO2010016101A1 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH10270173A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 | |
| WO2009110075A1 (ja) | 有機半導体素子 | |
| JP3651347B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JP4825296B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JP4820902B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその発光スペクトルの制御方法 | |
| JPH10270167A (ja) | 新規発光材料、新規電子輸送材料およびそれを用いた有機ｅｌ素子 | |
| KR102681966B1 (ko) | 유기발광소자 | |
| KR20210015222A (ko) | 유기발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060404 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060502 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060603 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080421 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080605 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080605 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090721 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091021 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100316 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100329 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |