JP4632628B2 - 有機電界発光素子 - Google Patents

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Description

この発明は、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬ素子と称する場合がある。）に関する。さらに詳しくは、民生用および工業用の表示機器（ディスプレイ）あるいはプリンターヘッドの光源等に好適に用いられる有機電界発光素子に関する。
従来、電子等の注入を容易にするため、電極間に、有機発光層とともに、無機半導体薄膜層を備えた有機電界発光素子が、例えば、特開平２−１３９８９３号公報、特開平２−１９６４７５号公報、特開平２−１９６４７５号公報に開示されている。この公報に開示された有機電界発光素子は、具体的には、陽極上に、カーボン、ゲルマニウム、シリコン、スズ、シリコンカーバイド、チッ化硼素、リン化硼素、チッ化ガリウム等の無機半導体材料から構成された無機半導体薄膜層を備え、さらにその上に有機発光層および陰極を形成してある。
また、発光輝度を高めるために、特開平１０−８８１２０号公報や、特開２０００−１５０１６１号公報において、正孔注入層／発光層／電子注入層の構造を有する電界発光素子が開示されており、より具体的には、発光材料として正孔輸送性のアミン系材料を使用するとともに、電子注入層にトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ）や、ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）（ｐ−シアノフェノラート）ガリウム等が用いられていた。
しかしながら、特開平２−１３９８９３号公報や特開平２−１９６４７５号公報等に開示された有機電界発光素子においては、無機半導体薄膜層を設けたことにより、陰極から注入された電子の移動度が相対的に低下し、そのため発光効率が低下するという問題が見られた。すなわち、本来、有機発光層の中央付近で電子と正孔とが再結合することにより効率的に発光することが望まれるのに対して、無機半導体薄膜層を設けたことにより、無機半導体薄膜層付近で再結合して容易に消光したり、あるいは再結合性が低下したために、有機電界発光素子の有機発光層における発光輝度が低下するという問題が見られた。
また、特開平１０−８８１２０号公報や、特開２０００−１５０１６１号公報に開示された有機電界発光素子においては、電子注入層に使用したＡｌｑ等の電子注入性材料が容易に劣化して、半減寿命が短いという問題が見られた。
そこで、本発明の発明者らは上記問題を鋭意検討したところ、有機発光層と、陰極層との間に無機化合物層を設けるとともに、有機発光層に特定の芳香族アミン化合物を使用することにより（第１の発明）、また、有機発光層と、陰極層との間に還元性ドーパント含有層を設けるとともに、有機発光層に特定の芳香族アミン化合物を使用することにより（第２の発明）、さらにまた、有機発光層と、陰極層との間に特定の電子注入層を設けるとともに、有機発光層に特定の芳香族アミン化合物を使用することにより（第３の発明）、低電圧（例えば、直流１０Ｖ）の印加であっても高い発光輝度が得られ、しかも著しく半減寿命を長くできることを見出した。
すなわち、本発明は、駆動電圧が低くとも、発光輝度が高く、しかも半減寿命が著しく長い有機電界発光素子を提供することを目的とする。
本発明によれば、
少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間に無機化合物層が設けてある有機電界発光素子（第１の発明の構成）、および、
少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間に還元性ドーパント含有層が設けてある有機電界発光素子（第２の発明の構成）において、
それぞれの有機発光層に、下記一般式（１）で表される芳香族アミン化合物および下記一般式（２）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子が提供され、上述した課題を解決することができる。
また、本発明の別の態様によれば、少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間にエネルギーギャップが２．７ｅＶ以上の炭化水素化合物であって、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を含有する電子注入層が設けてある有機電界発光素子（第３の発明の構成）において、有機発光層に下記一般式（３）で表される芳香族アミン化合物および下記一般式（４）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子が提供され、上述した課題を解決することができる。
すなわち、第１〜第３の発明の構成において、発光材料として、三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子が提供される。
Figure 0004632628
 ［一般式（１）中、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であって、かつ、スチリル基およびアルケニル基を含まない芳香族基であり、また、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ１およびＡｒ２のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｐは、１〜６の整数である。］
Figure 0004632628
 ［一般式（２）中、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であって、かつ、スチリル基およびアルケニル基を含まない芳香族基であり、また、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ３、Ａｒ４、Ａｒ５およびＡｒ６のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｑおよびｒは、１〜６の整数である。］
Figure 0004632628
 ［一般式（３）中、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ７およびＡｒ８は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であり、また、記号Ａ、ならびに置換基Ａｒ７およびＡｒ８のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｐは、１〜６の整数である。］
Figure 0004632628
 ［一般式（４）中、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であり、また、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｑおよびｒは、１〜６の整数である。］
尚、前記一般式（１）〜（４）で表される芳香族アミン化合物において、Ａｒ１〜Ａｒ１２はそれぞれ同一でも異なっても良く、好ましくは、炭素数が６〜４０である。また、好ましくは、Ａ及びＢは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む。
図１は、第１の実施形態における有機電界発光素子の断面図である。 図２は、第２の実施形態における有機電界発光素子の断面図である。 図３は、第３の実施形態における有機電界発光素子の断面図である。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、参照する図面は、この発明が理解できる程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は図示例にのみ限定されるものではない。また、図面では、断面を表すハッチングを省略する場合がある。
［第１の実施形態］
まず、図１を参照して、本発明の有機電界発光素子における第１の実施形態について説明する。図１は、有機電界発光素子１００の断面図であり、陽極層１０、有機発光層１２、無機化合物層１４および陰極層１６を、基板上（図示せず。）に順次に積層した構造を有していることを表している。
以下、第１の実施形態における特徴的な部分である有機発光層１２および無機化合物層１４について中心に説明する。したがって、その他の構成部分、例えば、陽極層１０や陰極層１６の構成や製法については簡単に説明するものとし、言及していない部分については、有機電界発光素子の分野において一般的に公知な構成や製法を採ることができる。
（１）有機発光層
(i)種類１
有機発光層に、上述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物を使用する。この理由は、このように三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を含有することにより、無機化合物層を設けた場合、１０Ｖ程度の低電圧において優れた発光輝度が得られるためである。
また、上記一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物は、スチリル基およびアルケニル基を含む置換基を含まないことを特徴としている。
この理由は、このような置換基を含まないことにより、より有機電界発光素子の半減寿命を長くすることができるためである。
さらに一般式（１）においては、Ａｒ１とＡｒ２とを同一とし、また一般式（２）においては、Ａｒ３とＡｒ５とを同一かつＡｒ４とＡｒ６とを同一とすることで上記芳香族アミン化合物を対称構造とすることができる。
この結果として、対称構造のアリールアミノ基が置換された三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を含有することにより、半減寿命を著しく長くすることができる。
また、上述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物に含まれる縮合芳香環としては、ピレン、ペリレン、アントラセン、フルオランテン、クリセン、ルビセン、テトラセン、ペンタセン、テトラベンゾフェナントレン、テトラベンゾアントラセン、テトラベンゾフルオレン、ベンゾペリレン、ジベンゾピレン、ジベンゾクリセン、ジベンゾペリレン、ベンゾテトラセン、デカシクレン、アセナフトフルオランテン、およびジベンゾフルオランテン等の骨格部位を含む三環以上の縮合芳香環が挙げられる。
また、これらのうち、より好ましい縮合芳香環として、ピレン、ペリレン、アントラセン、フルオランテン、クリセン、ルビセン、テトラセン、ペンタセン、テトラベンゾフェナントレン、テトラベンゾアントラセン、テトラベンゾフルオレン、ベンゾペリレン、ジベンゾピレン、ジベンゾクリセン、ジベンゾペリレン、ベンゾテトラセン、デカシクレン、アセナフトフルオランテン、およびジベンゾフルオランテン骨格等が挙げられる。
(ii)種類2
また、上述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物において、置換基を有することも好ましく、具体的に、シアノ基、ハロゲン基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、置換または非置換のアリール基、置換または非置換のアリールオキシ基、ＣＯＯＲで表わされる基（Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、またはアラルキル基である。）、置換または非置換のアルールチオ基等が挙げられる。
これらのうち、好ましい置換基として、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン基；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、シクロヘキシルメチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基等の炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基；フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等の炭素数６〜１０の置換または非置換のアリール基；ＣＯＯＲで表される基（Ｒは水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルヘキシル基等の炭素数１〜８の直鎖、分岐または環状のアルキル基；フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等の炭素数６〜１０の置換または非置換のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、２−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、４−メチルベンジル基、３−フルオロベンジル基、２−クロロベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メトキシベンジル基等の炭素数７〜１０の置換または非置換のアラルキル基である。）が挙げられる。
このような一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物のうち、好ましい芳香族アミン化合物として、以下の具体例を挙げることができる。
なお、下記式（５）〜式（１４）で表される芳香族アミン化合物のそれぞれについては、実施例において化合物１〜１０と略記する。
Figure 0004632628
Figure 0004632628
Figure 0004632628
Figure 0004632628
(iii)電子移動度
有機発光層における有機発光材料の電子移動度を、１×１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上の値とすることが好ましい。この理由は、電子移動度が、１×１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓ未満の値となると、有機電界発光素子における高速応答が困難となったり、発光輝度が低下する場合があるためである。
したがって、有機発光材料の電子移動度を、１．１×１０−７〜２×１０−６ｃｍ２／Ｖ・ｓの範囲内の値とするのがより好ましく、１．２×１０−７〜１．０×１０−６ｃｍ２／Ｖ・ｓの範囲内の値とするのがさらに好ましい。
また、有機発光層における有機発光材料の正孔移動度よりも、電子移動度を小さくすることが好ましい。この理由は、この逆となると、有機発光層に使用可能な有機発光材料が過度に制限される場合があり、また、発光輝度が低下する場合があるためである。
さらに、有機発光材料の電子移動度を、正孔移動度の１／１，０００よりも大きくすることが好ましい。この理由は、電子移動度が過度に小さくなると、有機発光層の中央付近で正孔と再結合することが困難となり、やはり発光輝度が低下する場合があるためである。
したがって、有機発光層における有機発光材料の正孔移動度（μｈ）と電子移動度（μｅ）とが、μｈ／２＞μｅ＞μｈ／５００の関係を満足するのがより好ましく、μｈ／３＞μｅ＞μｈ／１００の関係を満足するのがさらに好ましい。
(iv)添加剤
また、有機発光層に、発光性ドーパントまたは蛍光性ドーパントを添加することも好ましい。
このような発光性ドーパントまたは蛍光性ドーパントとしては、ベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、ベンゾオキサゾール系等の蛍光増白剤や、スチリルベンゼン系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体等が挙げられる。
また、有機発光層に、一般式（１）および（２）で表わされる芳香族アミン化合物以外の化合物であって、発光性芳香族アミン化合物または蛍光性芳香族アミン化合物を添加することも好ましい。
このような発光性芳香族アミン化合物または蛍光性芳香族アミン化合物としては、例えば、２，７−ビス（ジフェニルアミノ）ナフタレン、２，７−ビス［４’−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル］ナフタレン等が挙げられる。
(v)形成方法
有機発光層を形成する方法は特に制限されるものではないが、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。
また、樹脂等の結着剤と有機発光材料とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、有機発光層を形成することができる。
(vi)膜厚
このようにして形成された有機発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、例えば、５ｎｍ〜５μｍの範囲内の値であることが好ましい。この理由は、有機発光層の膜厚が５ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合があり、一方、有機発光層の膜厚が５μｍを超えると、印加電圧の値が高くなる場合があるためである。
したがって、有機発光層の膜厚を１０ｎｍ〜３μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（２）無機化合物層
第１の実施形態において、無機化合物層を設けることにより、陰極からの電子の注入性や耐久性に優れた有機電界発光素子とすることができる。また、上述した特定の有機発光層と組み合わせることにより、著しく長寿命であり、しかも低電圧駆動であっても高い発光輝度を得ることができる有機電界発光素子を提供することができる。
(i)種類
無機化合物層を構成する無機化合物として、絶縁体材料または半導体材料を使用することが好ましい。
このような絶縁体材料としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。
より具体的に言えば、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとして、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２ＳｅおよびＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２およびＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、無機化合物層を構成する半導体材料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、無機化合物層を構成する無機化合物としては、微結晶または非晶質の絶縁性材料であることがより好ましい。この理由は、無機化合物層がこれらの絶縁性材料で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができるためである。
なお、このような微結晶または非晶質の絶縁性材料としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。
さらに、無機化合物層に導電性を与え、有機電界発光素子を低電圧化するために導電性化合物を無機化合物層の全体量に対して１〜２０重量％添加することも好ましい。
(ii)電子親和力
また、第１実施形態における無機化合物層の電子親和力を１．８〜３．６ｅＶの範囲内の値とすることが好ましい。この理由は、かかる電子親和力の値が１．８ｅＶ未満となると、電子注入性が低下し、駆動電圧の上昇や発光効率の低下をまねく場合があるためであり、一方で、かかる電子親和力の値が３．６ｅＶを超えると、発光効率の低い錯体が発生しやすくなる場合があるためである。
したがって、無機化合物層の電子親和力を、１．９〜３．０ｅＶの範囲内の値とすることがより好ましく、２．０〜２．５ｅＶの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、無機化合物層と有機発光層との電子親和力の差を１．２ｅＶ以下の値とすることが好ましく、０．５ｅＶ以下の値とすることがより好ましい。この理由は、かかる電子親和力の差が小さいほど、電子注入層から有機発光層への電子注入が容易となり、高速応答可能な有機電界発光素子とすることができるためである。
(iii)エネルギーギャップ
また、第１実施形態における無機化合物層のエネルギーギャップ（バンドギャップエネルギー）を２．７ｅＶ以上の値とすることが好ましく、３．０ｅＶ以上の値とすることがより好ましい。
この理由は、かかるエネルギーギャップの値を２．７ｅＶ以上とすることにより、正孔が有機発光層を超えて無機化合物層に移動することが少なくなるためである。したがって、正孔と電子との再結合の効率が向上し、有機電界発光素子の発光輝度が高まるとともに、電子注入層等が発光することを回避することができる。
(iv)構造
また、無機化合物層の構造についても特に制限されるものではなく、例えば、一層構造であっても良く、あるいは、二層構造または三層構造であっても良い。
また、無機化合物層の厚さについても特に制限されるものではないが、例えば０．１ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましい。この理由は、かかる無機化合物層の厚さが０．１ｎｍ未満となると、電子注入性が低下したり、あるいは機械的強度が低下する場合があるためであり、一方、無機化合物層の厚さが１，０００ｎｍを超えると高抵抗となり、有機電界発光素子の高速応答が困難となったり、あるいは製膜に長時間を要する場合があるためである。
したがって、無機化合物層の厚さを０．５〜１００ｎｍの範囲内の値とするのがより好ましく、１〜５０ｎｍの範囲内の値とするのがさらに好ましい。
(v)形成方法
無機化合物層の形成方法についても、均一な厚さを有する薄膜層として形成することができる方法であれば特に制限されるものではないが、例えば、蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。
（３）電極
(i)陽極層
陽極層としては、仕事関数の大きい（例えば、４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的には、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウム銅、スズ、酸化亜鉛、金、白金、パラジウム等の一種を単独で、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
また、陽極層の厚さについても特に制限されるものではないが、１０〜１，０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのがより好ましい。
さらに、陽極層に関しては、有機発光層から発射された光を外部に有効に取り出すことができるように、実質的に透明、より具体的には、光透過率が１０％以上の値であることが好ましい。
(ii)陰極層
一方、陰極層には、仕事関数の小さい（例えば、４．０ｅＶ未満）金属、合金、電気電導性化合物またはこれらの混合物を使用することが好ましい。具体的には、マグネシウム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、セシウム、銀等の一種を単独で、または二種以上を組み合わせて使用することができる。
また陰極層の厚さも特に制限されるものではないが、１０〜１，０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするのがより好ましい。
なお、陰極層に関しても、有機発光層から発射された光を外部に有効に取り出すことができるように、実質的に透明、より具体的には、光透過率が１０％以上の値であることが好ましい。
（４）正孔注入輸送層
第１の実施形態において、図示はしないが、陽極層と有機発光層との間に、正孔注入輸送層を設けることが好ましい。この理由は、かかる正孔注入輸送層を設けることにより、正孔をスムーズに注入する機能を発揮することができる一方、注入された正孔を効率的に輸送することができるためである。したがって、正孔注入輸送層を設けることにより、正孔の注入および有機発光層への移動が容易となり、有機電界発光素子の高速応答が可能となる。
また、正孔注入輸送層は、有機材料または無機材料で形成してあることが好ましい。好ましい有機材料としては、例えば、フタロシアニン化合物、ジアミン化合物、含ジアミンオリゴマーおよび含チオフェンオリゴマーをあげることができる。また、好ましい無機材料としては、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、α−ＳｉＣ、マイクロクリスタルシリコン（μＣ−Ｓｉ）、μＣ−ＳｉＣ、II−VI族化合物、III−Ｖ族化合物、非晶質炭素、結晶質炭素およびダイヤモンドをあげることができる。
（５）封止層
また、図１には示さないが、有機電界発光素子への水分や酸素の侵入を防止するための封止層を、有機電界発光素子全体を覆うように設けることも好ましい。
好ましい封止層の材料としては、テトラフルオロエチレンと、少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体；共重合主鎖中に環状構造を有する合フッ素共重合体；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリユリア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレンまたはクロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体；吸収率１％以上の吸水性物質；吸水率０．１％以下の防湿性物質；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属；ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物；ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物；パーフルオロアルカン、パーフルオロアミン、パーフルオロポリエーテル等の液状フッ素化炭素；および当該液状フッ素化炭素に水分や酸素を吸着する吸着剤を分散させた組成物等が挙げられる。
［第２の実施形態］
次に、図２を参照して、この発明の第２の実施形態について説明する。図２は、第２の実施形態における有機電界発光素子１０２の断面図であり、陽極層１０、有機発光層１２、還元性ドーパント含有層２２、および陰極層１６を順次に積層した構造を有している。
このような還元性ドーパント含有層（界面層と称する場合もある。）は、電子注入性を高める機能を有している。したがって、還元性ドーパント含有層を設けることにより、電子の注入および有機発光層への移動が容易となり、有機電界発光素子の高速応答が可能となる。
以下、第２の実施形態における特徴的な部分である還元性ドーパント含有層について中心的に説明するものであり、有機発光層およびその他の構成部分については、第１の実施形態と同様の構成とすることができる。
（１）種類
還元性ドーパントは、芳香族環化合物に対し還元性を有するものであれば特に制限されるものではないが、具体的に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの物質であることが好ましい。
これらのうち、好ましいアルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ（リチウム、仕事関数：２．９３ｅＶ）、Ｎａ（ナトリウム、仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（カリウム、仕事関数：２．３ｅＶ）、Ｒｂ（ルビジウム、仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（セシウム、仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられる。なお、括弧内の仕事関数の値は、化学便覧（基礎編ＩＩ、Ｐ４９３、日本化学会編）に記載されたものであり、以下同様である。
また、好ましいアルカリ土類金属としては、例えば、Ｃａ（カルシウム、仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｍｇ（マグネシウム、仕事関数：３．６６ｅＶ）、Ｂａ（バリウム、仕事関数：２．５２ｅＶ）、およびＳｒ（ストロンチウム、仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）が挙げられる。なお、ストロンチウムの仕事関数の値は、フィジィックス オブ セミコンダクターデバイス（Ｎ．Ｙ．ワイロー１９６９年、Ｐ３６６）に記載されたものである。
また、好ましい希土類金属としては、例えば、Ｙｂ（イッテルビウム、仕事関数：２．６ｅＶ）、Ｅｕ（ユーロビウム、仕事関数：２．５ｅＶ）、Ｇｄ（ガドニウム、仕事関数：３．１ｅＶ）およびＥｎ（エルビウム、仕事関数：２．５ｅＶ）が挙げられる。
また、好ましいアルカリ金属酸化物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、ＮａＦ、およびＮａＯが挙げられる。
また、好ましいアルカリ土類金属酸化物としては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＭｇＯ、およびこれらを混合したＢａｘＳｒ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）や、ＢａｘＣａ１−ｘＯ（０＜ｘ＜１）が挙げられる。
また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦおよびＫＦといったフッ化物のほかに、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌが挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２およびＢｅＦ２といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
さらに、好ましい還元性ドーパントとして、芳香族化合物がアルカリ金属に配位した金属錯体も挙げられる。このような金属錯体として、例えば、下記一般式（１５）で表される化合物が挙げられる。
Ａ＋Ａｒ７−…（１５）
［一般式（１５）中、記号Ａは、アルカリ金属を表わし、置換基Ａｒ７は、炭素数１０〜４０の芳香族化合物である。］
ここで、一般式（１５）で表される金属錯体中に含まれる芳香族化合物としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、ジフェニルアントラセン、ターフェニル、クォーターフェニル、キンクフェニル、セクシフェニル、キノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリンおよびこれらの誘導体が挙げられる。
なお、これらの芳香族化合物がヒドロキシ体の場合には、前記一般式（１５）において、Ａ＋と水酸基のＨ（プロトン）が交換する形で配位する。
また、還元性ドーパントの添加量を、還元性ドーパント含有層を構成する材料全体を１００重量％としたときに、０．０１重量％以上の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる還元性ドーパントの添加量が、０．０１重量％未満となると、添加効果が発現せず、有機ＥＬ素子の発光輝度が低下したり、寿命が短くなる場合があるためである。
したがって、発光輝度や寿命のバランスがより良好となる観点から、還元性ドーパントの添加量を０．２重量％以上の値とすることがより好ましい。
なお、還元性ドーパントを単独で使用して陰極層と有機発光層との界面に配置してもよい。
また、還元性ドーパント含有層に、還元性ドーパントと、芳香族環化合物との混合物を使用する場合、かかる還元性ドーパントと芳香族環化合物との混合比率を１：２０〜２０：１（モル比）の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる混合比率がこれらの範囲外となると、有機ＥＬ素子の発光輝度が低下したり、寿命が短くなる場合があるためである。
したがって、芳香族環化合物と還元性ドーパントとの混合比率を１：１０〜１０：１（モル比）の範囲内の値とすることがより好ましく、１：５〜５：１の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（２）構造
また、還元性ドーパント含有層は、一層構造に限らず、例えば、二層構造またはそれ以上の多層構造とすることも好ましい。
また、還元性ドーパント含有層の厚さについても特に制限されるものではないが、例えば還元性ドーパントと、芳香族環化合物との混合物を使用する場合、０．１〜１５ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜８ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましい。一方、還元性ドーパントを単独で使用する場合、還元性ドーパント含有層の厚さを０．０５〜３ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜１ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましい。
さらに、還元性ドーパント含有層を、均一または不均一に分散させて、非連続の還元性ドーパント含有層として、島状に形成することも好ましいし、あるいは、均一または不均一な厚さを有する連続の還元性ドーパント含有層とすることも好ましい。
（３）形成方法
また、還元性ドーパント含有層の形成方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着法により還元性ドーパントを蒸着しながら、界面領域を形成する芳香族環化合物、発光材料、電子注入材料を同時蒸着させて、これらの材料中に還元性ドーパントを分散させることが好ましい。
［第３の実施形態］
次に、図３を参照して、この発明の第３の実施形態について説明する。図３は、第３の実施形態における有機電界発光素子１０４の断面図であり、陽極層１０、有機発光層１２、電子注入層２４、および陰極層１６を順次に積層した構造を有している。
そして、電子注入層に、エネルギーギャップが２．７ｅＶ以上の炭化水素化合物であって、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を含有し、かつ、有機発光層に、一般式（３）で表される芳香族アミン化合物および一般式（４）で表される芳香族アミン化合物、あるいはいずれか一方の芳香族アミン化合物を含有することを特徴としている。一般式（３）および一般式（４）で表される芳香族アミン化合物は、前述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物において、スチリル基およびアルケニル基を含んでもよい化合物である。前述した一般式（１）および一般式（２）で表される芳香族アミン化合物の説明及び例示は、一般式（３）および一般式（４）で表される芳香族アミン化合物にも適用できる。
以下、第３の実施形態における特徴的な部分である電子注入層および有機発光層について中心的に説明するものであり、その他の構成部分については、第１の実施形態や第２の実施形態と同様の構成とすることができる。
（１）電子注入層
(i)種類
電子注入層に、エネルギーギャップが２．７ｅＶ以上の炭化水素化合物であって、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を使用する。この理由は、炭化水素化合物のエネルギーギャップが２．７ｅＶ未満となると、炭化水素化合物自身が発光するため、有機電界発光素子の発光効率が低下する場合があるためである。
また、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を使用するのは、これらの化合物が電子の移動性に優れており、有機電界発光素子の発光効率を高めるためである。
このようなアントラセン核を有する炭化水素化合物として、好適には、下記一般式（１６）で表わされる化合物を挙げることができる。
Figure 0004632628
 ［一般式（１６）中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは非置換の炭素数７〜３０のアリールアルキル基、非置換の炭素数５〜３０の単環基、置換もしくは非置換の炭素数１０〜３０の縮合多環基、または置換もしくは非置換の炭素数５〜３０の複素環基であり、Ａｒ１３およびＡｒ１４は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基であり、その置換基としては、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは非置換の炭素数７〜３０のアリールアルキル基、非置換の炭素数５〜３０の単環基、置換もしくは非置換の炭素数１０〜３０の縮合多環基、置換もしくは非置換の炭素数５〜３０の複素環基、または置換もしくは非置換の炭素数４〜４０のアルケニル基であり、ｘおよびｚは０から３の整数であり、ｙは１〜２の整数である。］
また、フルオランテン核有する炭化水素化合物として、好適には、下記一般式（１７）で表わされる化合物を挙げることができる。
Figure 0004632628
 ［一般式（１７）中、Ｒ１１〜Ｒ２０ならびにＡｒ１５は、それぞれ一般式（１６）のＲ１〜Ｒ１０ならびにＡｒ１３およびＡｒ１４の内容と同様であり、ｖおよびｗは１〜３の整数である。］
(ii)厚さ
また、電子注入層の厚さについても特に制限されるものではないが、１〜５０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、２〜３０ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましく、３〜２５ｎｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、かかる電子注入層の厚さが、１ｎｍ未満となると、電子注入性の改良効果が発現しない場合があり、一方、かかる電子注入層の厚さが、５０ｎｍを超えると、有機ＥＬ素子の発光輝度が低下したり、半減寿命が短くなる場合があるためである。
（２）有機発光層
有機発光層に、上述した一般式（３）および一般式（４）で表される芳香族アミン化合物を使用する。この理由は、このように三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を含有することにより、電子注入層を設けた場合、１０Ｖ程度の低電圧において優れた発光輝度が得られるためである。
また、上記芳香族アミン化合物が有する置換基にスチリル基およびアルケニル基を含む場合であっても、上述のように電子注入層に特定の構造を有する炭化水素化合物を使用することにより、半減寿命を著しく長くすることができるようになる。
なお、第３の実施形態における有機発光層の種類、電子移動度、添加剤、形成方法、および膜厚については、第１の実施形態と同様の構成とすることができる。
［参考例１］
（１）有機電界発光素子の作製
厚さ１．１ｍｍ、縦２５ｍｍ、横７５ｍｍの透明なガラス基板上に、陽極層として厚さ７５ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなる透明電極を形成した後、イソプロピルアルコールで超音波洗浄し、さらに、Ｎ２（窒素ガス）雰囲気中で乾燥させた後、ＵＶ（紫外線）およびオゾンを用いて１０分間洗浄した。
次いで、透明電極付きガラス基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の基板ホルダーに装着するとともに、真空槽内の真空度を、１×１０−３Ｐａに減圧した後、以下の蒸着条件で、陽極層上に、正孔注入層、有機発光層、無機化合物層および陰極層を順次に積層して有機電界発光素子を作製した。
正孔注入層： ４，４’−ビス−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）−４"−
フェニル−トリフェニルアミン（ＴＰＤ７４）
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
厚さ８０ｎｍ
有機発光層： ３，１１−ビス（ジフェニルアミノ）−７，１４−ジフェニル
−アセナフト（１，２−ｋ）フルオランテン（化合物８）
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
厚さ５０ｎｍ
無機化合物層：ＬｉＦ
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
厚さ１ｎｍ
陰極層： Ａｌ
蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃ．
厚さ２００ｎｍ
（２）有機電界発光素子の評価
得られた有機電界発光素子における陰極層と陽極層との間に、６Ｖの直流電圧を印加したところ、発光輝度が５４０ｃｄ／ｃｍ２であり、発光色は橙色であることを確認した。
また、初期発光輝度を５００ｃｄ／ｃｍ２として、定電流駆動させたところ、半減寿命は３，２００時間であった。得られた結果を表１に示す。
［参考例２〜６］
参考例２〜６においては、発光材料として、参考例１の化合物８の代わりに化合物５（参考例２）、化合物６（参考例３）、化合物９（参考例４）、化合物１０（参考例５）、および化合物１（参考例６）を用いたほかは、参考例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、５．５Ｖあるいは６Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、それぞれ表１に示す発光色が観察され、発光輝度は３１０〜７２０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は２，１００〜３，７００時間であった。
得られた結果を表１に示す。
Figure 0004632628
［比較例１〜３］
比較例１〜３においては、参考例１の無機化合物の代わりにトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（Ａｌｑ）からなる厚さ２０ｎｍの電子輸送層を設けるとともに、発光材料として、比較例１では化合物１を用い、比較例２では化合物６を用い、比較例３では化合物４を用いたほかは、参考例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、５．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、それぞれ表２に示す発光色が観察され、発光輝度は２５０〜４７０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は７００〜１，６００時間であった。得られた結果を表２に示す。
Figure 0004632628
［参考例７］
参考例７においては、発光材料として、参考例１の化合物８の代わりに化合物１を用い、無機化合物層の代わりに、化合物１と、還元性ドーパントである金属リチウム（Ｌｉ）との混合物（混合モル比１：１）からなる厚さ２０ｎｍの界面層（還元性ドーパント含有層）を設けたほかは、参考例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、５．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、橙色の発光が観察され、発光輝度は６１０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は２，８００時間であった。得られた結果を表３に示す。
［参考例８］
参考例８においては、発光材料として、参考例１の化合物８の代わりに化合物１を用い、無機化合物層の代わりに、界面領域に還元性ドーパントとして下記式（１８）で表わされるリチウム金属錯体（化合物１１と称する。）からなる厚さ１ｎｍの界面層（還元性ドーパント含有層）を設けたほかは、参考例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、青緑色の発光が観察され、発光輝度は５３０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は３，３００時間であった。得られた結果を表３に示す。
Figure 0004632628
［参考例９］
参考例９においては、参考例８の還元性ドーパントのかわりに、モノ（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）リチウム錯体（Ｌｉ（ｄｐｍ）と称する。）からなる厚さ１ｎｍの界面層（還元性ドーパント含有層）を設けたほかは、参考例８と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、橙色の発光が観察され、発光輝度は４７０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は３，０００時間であった。得られた結果を表３に示す。
［参考例１０］
参考例１０においては、発光材料として、参考例８の還元性ドーパントのかわりに、化合物１と、還元性ドーパントであるＬｉ（ｄｐｍ）との混合物（混合モル比１：１）からなる厚さ５ｎｍの界面層（還元性ドーパント含有層）を設けたほかは、参考例８と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、橙色の発光が観察され、発光輝度は５８０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は３，９００時間であった。得られた結果を表３に示す。
［実施例１］
実施例１においては、参考例１の無機化合物層の代わりに、下記式（１９）で表わされるフェニルアントラセン系化合物（化合物１２と称する、エネルギーギャップ３．０ｅＶ）と、還元性ドーパントである金属リチウム（Ｌｉ）との混合物（混合モル比１：１）からなる厚さ２０ｎｍの電子注入層を設けたほかは、参考例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、青緑色の発光が観察され、発光輝度は４３０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は２，６００時間であった。得られた結果を表３に示す。
Figure 0004632628
［実施例２］
実施例２においては、発光材料として、参考例１の化合物８の代わりに化合物１を用い、無機化合物層の代わりに、下記式（２０）で表わされるフルオランテン系化合物（化合物１３と称する、エネルギーギャップ２．８ｅＶ）と、還元性ドーパントである金属リチウム（Ｌｉ）との混合物（混合モル比１：１）からなる厚さ２０ｎｍの電子注入層を設けたほかは、参考例１と同様に有機電界発光素子を作製した。そして、陰極層と陽極層との間に、６．５Ｖの直流電圧を印加して評価した。
その結果、青緑色の発光が観察され、発光輝度は５３０ｃｄ／ｍ２であり、半減寿命は３，８００時間であった。
Figure 0004632628
Figure 0004632628
以上、詳細に説明したように、第１の発明によれば、無機化合物から構成された電子注入層を備えた場合であっても、発光材料として、三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を使用することにより、電子と正孔とが有機発光層において有効に再結合することができるようになり、駆動電圧が低くとも、高い発光輝度、例えば５００ｃｄ／ｍ２以上の値が得られるとともに、半減寿命が著しく長い、例えば２，０００時間を超える有機電界発光素子を提供することができるようになった。
また、第２の発明によれば、還元性ドーパント含有層を備えるとともに、有機発光層に三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を使用することにより、同様に、駆動電圧が低くとも、高い発光輝度が得られるとともに、半減寿命が著しく長い有機電界発光素子を提供することができるようになった。
さらに、第３の発明によれば、電子注入層に特定の炭化水素化合物を使用するとともに、有機発光層に三環以上の縮合芳香環を含む芳香族アミン化合物を使用することにより、同様に、駆動電圧が低くとも、高い発光輝度が得られるとともに、半減寿命が著しく長い有機電界発光素子を提供することができるようになった。

Claims (7)

  1. 少なくとも陽極層、有機発光層、および陰極層を含むとともに、当該有機発光層と、陰極層との間に電子注入層が設けてある有機電界発光素子において、
    前記電子注入層が、エネルギーギャップが２．７ｅＶ以上の炭化水素化合物であって、アントラセン核またはフルオランテン核を有する炭化水素化合物を含有し、かつ、
    前記有機発光層が、下記一般式（４）で表される芳香族アミン化合物を含有することを特徴とする有機電界発光素子。
    Figure 0004632628
    ［一般式（４）中、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数が６〜６０の芳香族基であり、また、記号Ｂ、ならびに置換基Ａｒ９、Ａｒ１０、Ａｒ１１およびＡｒ１２のうち少なくとも一つは、置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であり、縮合数ｑおよびｒは、１の整数である。
    前記芳香族基及び縮合芳香環の置換基は、シアノ基、ハロゲン基、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ＣＯＯＲで表わされる基（Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、またはアラルキル基である。）、アルールチオ基から選択される。］
  2. 前記アントラセン核を有する炭化水素化合物が、下記一般式で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
    Figure 0004632628
    ［一般式中、Ｒ１〜Ｒ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは非置換の炭素数７〜３０のアリールアルキル基、非置換の炭素数５〜３０の単環基、置換もしくは非置換の炭素数１０〜３０の縮合多環基、または置換もしくは非置換の炭素数５〜３０の複素環基であり、Ａｒ１３およびＡｒ１４は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基であり、その置換基としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数６〜３０のアリールチオ基、炭素数７〜３０のアリールアルキル基、炭素数５〜３０の単環基、炭素数１０〜３０の縮合多環基、炭素数５〜３０の複素環基、または炭素数４〜４０のアルケニル基であり、ｘ，ｙおよびｚは１の整数である。］
  3. 前記フルオランテン核を有する炭化水素化合物が、下記一般式で表わされる化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
    Figure 0004632628
    ［一般式中、Ｒ１１〜Ｒ２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは非置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリールチオ基、置換もしくは非置換の炭素数７〜３０のアリールアルキル基、非置換の炭素数５〜３０の単環基、置換もしくは非置換の炭素数１０〜３０の縮合多環基、または置換もしくは非置換の炭素数５〜３０の複素環基であり、Ａｒ１５は、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基であり、その置換基としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数６〜３０のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数６〜３０のアリールチオ基、炭素数７〜３０のアリールアルキル基、炭素数５〜３０の単環基、炭素数１０〜３０の縮合多環基、炭素数５〜３０の複素環基、または炭素数４〜４０のアルケニル基であり、ｖおよびｗは１の整数である。］
  4. 前記一般式（４）で表される芳香族アミン化合物が、ピレン、ペリレン、アントラセン、フルオランテン、クリセン、ルビセン、テトラセン、ペンタセン、テトラベンゾフェナントレン、テトラベンゾアントラセン、テトラベンゾフルオレン、ベンゾペリレン、ジベンゾピレン、ジベンゾクリセン、ジベンゾペリレン、ベンゾテトラセン、デカシクレン、アセナフトフルオランテン、またはジベンゾフルオランテン骨格からなる縮合芳香環を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  5. 前記一般式（４）で表される芳香族アミン化合物において、Ａｒ ９ 〜Ａｒ１２の炭素数が６〜４０であり、Ｂが置換もしくは非置換の三環以上の縮合芳香環を含む基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  6. 前記記号Ｂが、ピレン、ペリレン、アントラセン、フルオランテン、クリセン、９，１０−ビスフェニルアントラセンまたはアセナフトフルオランテンであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
  7. 前記置換基Ａｒ ９ 、Ａｒ １０ 、Ａｒ １１ およびＡｒ １２ がフェニル基であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1347031A4 (en) * 2000-09-07 2007-07-04 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
JP4885381B2 (ja) 2001-07-23 2012-02-29 一般財団法人石油エネルギー技術センター 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4871464B2 (ja) * 2001-09-28 2012-02-08 キヤノン株式会社 有機発光素子
US7198859B2 (en) * 2003-07-25 2007-04-03 Universal Display Corporation Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices
US20050058853A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Eastman Kodak Company Green organic light-emitting diodes
DE10349582B4 (de) * 2003-10-24 2008-09-25 Infineon Technologies Ag Halbleiterdiode sowie dafür geeignetes Herstellungsverfahren
JP4689176B2 (ja) * 2004-02-26 2011-05-25 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN1951155A (zh) * 2004-05-14 2007-04-18 出光兴产株式会社 有机电致发光器件
US7541099B2 (en) * 2004-05-21 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anthracene derivative and light emitting element and light emitting device using the same
JP4429149B2 (ja) * 2004-11-26 2010-03-10 キヤノン株式会社 フルオレン化合物及び有機発光素子
CN100521283C (zh) * 2004-11-26 2009-07-29 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
US20060131567A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Jie Liu Surface modified electrodes and devices using reduced organic materials
CN102522503B (zh) 2004-12-28 2014-08-20 株式会社半导体能源研究所 蒽衍生物、使用它的发光元件和使用它的发光器件
US7767317B2 (en) * 2005-10-26 2010-08-03 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
US20070092759A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Begley William J Organic element for low voltage electroluminescent devices
US20070092754A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
US8956738B2 (en) * 2005-10-26 2015-02-17 Global Oled Technology Llc Organic element for low voltage electroluminescent devices
US20070092753A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
US20070092755A1 (en) * 2005-10-26 2007-04-26 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
US20070252516A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices including organic EIL layer
US9214636B2 (en) 2006-02-28 2015-12-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2007314511A (ja) * 2006-04-24 2007-12-06 Canon Inc 化合物および有機発光素子
JP4227628B2 (ja) 2006-04-25 2009-02-18 キヤノン株式会社 化合物および有機発光素子
US9118020B2 (en) * 2006-04-27 2015-08-25 Global Oled Technology Llc Electroluminescent devices including organic eil layer
WO2008066091A1 (en) * 2006-11-29 2008-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device, and method for manufacturing the same
US20080176099A1 (en) * 2007-01-18 2008-07-24 Hatwar Tukaram K White oled device with improved functions
US20080246394A1 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Fujikura Ltd. Organic light-emitting diode element and optical interconnection module
KR101012578B1 (ko) * 2007-04-26 2011-02-07 주식회사 엘지화학 신규한 디아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자
US20080284317A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Liang-Sheng Liao Hybrid oled having improved efficiency
US20080284318A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds
US8076009B2 (en) * 2007-10-26 2011-12-13 Global Oled Technology, Llc. OLED device with fluoranthene electron transport materials
US8431242B2 (en) * 2007-10-26 2013-04-30 Global Oled Technology, Llc. OLED device with certain fluoranthene host
US8420229B2 (en) 2007-10-26 2013-04-16 Global OLED Technologies LLC OLED device with certain fluoranthene light-emitting dopants
US20090110956A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Begley William J Oled device with electron transport material combination
EP2213639B1 (en) * 2007-11-19 2016-04-13 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Monobenzochrysene derivatives and their use in materials for organic electroluminescent devices
JP5390396B2 (ja) * 2007-11-22 2014-01-15 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ材料含有溶液
US20090162612A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Hatwar Tukaram K Oled device having two electron-transport layers
JP2009188136A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子及び表示装置
KR101620091B1 (ko) 2008-07-24 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 방향족 복소환 화합물 및 이를 포함한 유기막을 구비한유기 발광 소자
US7931975B2 (en) * 2008-11-07 2011-04-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device containing a flouranthene compound
US8088500B2 (en) * 2008-11-12 2012-01-03 Global Oled Technology Llc OLED device with fluoranthene electron injection materials
US7968215B2 (en) * 2008-12-09 2011-06-28 Global Oled Technology Llc OLED device with cyclobutene electron injection materials
US8216697B2 (en) * 2009-02-13 2012-07-10 Global Oled Technology Llc OLED with fluoranthene-macrocyclic materials
US8147989B2 (en) * 2009-02-27 2012-04-03 Global Oled Technology Llc OLED device with stabilized green light-emitting layer
US20100244677A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Begley William J Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative
US8039129B2 (en) 2009-04-06 2011-10-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
US8039127B2 (en) 2009-04-06 2011-10-18 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
KR101182673B1 (ko) * 2009-05-13 2012-09-14 네오뷰코오롱 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
WO2011093067A1 (ja) * 2010-01-29 2011-08-04 出光興産株式会社 ジベンゾフルオランテン化合物及びそれを用いた有機薄膜太陽電池
KR20130048634A (ko) * 2011-11-02 2013-05-10 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN103172524B (zh) * 2011-12-26 2016-02-17 昆山维信诺显示技术有限公司 一类有机化合物及其应用
KR101764512B1 (ko) * 2012-08-30 2017-08-02 바스프 에스이 유기 전자 재료 및 염료를 위한 빌딩 블록으로서의 편리하게 제조된 나프탈렌 및 페릴렌 유도체
KR102054847B1 (ko) * 2012-12-27 2019-12-12 삼성디스플레이 주식회사 파이렌계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102017743B1 (ko) * 2013-01-04 2019-09-04 삼성디스플레이 주식회사 개선된 효율 특성을 갖는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
US10062850B2 (en) * 2013-12-12 2018-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Amine-based compounds and organic light-emitting devices comprising the same
KR102343142B1 (ko) 2014-09-16 2021-12-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN106608828A (zh) * 2015-10-22 2017-05-03 上海和辉光电有限公司 一种用于有机电致发光材料的苯并苝衍生物
KR102545675B1 (ko) * 2016-05-11 2023-06-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP6901883B2 (ja) * 2017-03-22 2021-07-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
CN110078681B (zh) * 2019-05-20 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光材料及其制备方法、有机发光器件
KR102349278B1 (ko) 2019-09-03 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06330032A (ja) * 1993-05-18 1994-11-29 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
JPH08311442A (ja) * 1995-05-17 1996-11-26 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JPH09157643A (ja) * 1995-12-11 1997-06-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1072581A (ja) * 1995-09-25 1998-03-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1072580A (ja) * 1995-09-25 1998-03-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1072579A (ja) * 1995-09-25 1998-03-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH10270172A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11233262A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11307267A (ja) * 1998-04-16 1999-11-05 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JPH11329734A (ja) * 1998-03-10 1999-11-30 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
JP2000164363A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02196475A (ja) 1989-01-25 1990-08-03 Mitsui Toatsu Chem Inc 薄膜型発光素子
JPH02139893A (ja) 1988-11-21 1990-05-29 Mitsui Toatsu Chem Inc 発光素子
US5503910A (en) * 1994-03-29 1996-04-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
DE69623443T2 (de) * 1995-02-06 2003-01-23 Idemitsu Kosan Co Vielfarbige lichtemissionsvorrichtung und verfahren zur herstellung derselben
JP3529543B2 (ja) 1995-04-27 2004-05-24 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP1146034A1 (en) * 1995-09-25 2001-10-17 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US5811834A (en) * 1996-01-29 1998-09-22 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Light-emitting material for organo-electroluminescence device and organo-electroluminescence device for which the light-emitting material is adapted
US5776622A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device
US5776623A (en) 1996-07-29 1998-07-07 Eastman Kodak Company Transparent electron-injecting electrode for use in an electroluminescent device
JP3988196B2 (ja) 1996-09-17 2007-10-10 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP0845924B1 (en) * 1996-11-29 2003-07-16 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescent device
JPH11121178A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JPH11135261A (ja) 1997-10-27 1999-05-21 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
US6248458B1 (en) * 1997-11-17 2001-06-19 Lg Electronics Inc. Organic electroluminescent device with improved long-term stability
US5935721A (en) * 1998-03-20 1999-08-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent
US5972247A (en) * 1998-03-20 1999-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent elements for stable blue electroluminescent devices
JP3266573B2 (ja) * 1998-04-08 2002-03-18 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100637988B1 (ko) * 1998-06-26 2006-10-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 발광 장치
US6558817B1 (en) * 1998-09-09 2003-05-06 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
JP2000150161A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4505067B2 (ja) * 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
WO2000039247A1 (fr) * 1998-12-28 2000-07-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Element electroluminescent organique
JP2000235893A (ja) 1999-02-15 2000-08-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
EP1083776A4 (en) 1999-02-15 2003-10-15 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
EP1347031A4 (en) * 2000-09-07 2007-07-04 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06330032A (ja) * 1993-05-18 1994-11-29 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
JPH08311442A (ja) * 1995-05-17 1996-11-26 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JPH1072581A (ja) * 1995-09-25 1998-03-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1072580A (ja) * 1995-09-25 1998-03-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH1072579A (ja) * 1995-09-25 1998-03-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料
JPH09157643A (ja) * 1995-12-11 1997-06-17 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH10270172A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11233262A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11329734A (ja) * 1998-03-10 1999-11-30 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
JPH11307267A (ja) * 1998-04-16 1999-11-05 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP2000164363A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

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