JPH0997909A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
晶表示装置において、駆動回路のバッファを構成する薄
膜トランジスタの不良に起因する線欠陥を容易に修正で
きるようにし、液晶表示装置の良品率を向上させる。 【解決手段】 映像信号駆動回路や走査信号駆動回路の
バッファ10が、各々並列に接続された複数のPチャネ
ル薄膜トランジスタTrP1 〜TrP3 、Nチャネル薄
膜トランジスタTrN1 〜TrN3 を備えると共に、各
薄膜トランジスタTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜Tr
N3 に接続された電源線15・16、出力線17は、主
配線部15a・16a・17aと、これらから分岐し、
これらとコンタクト19との間に設けられた分岐配線部
15b・16b・17bとからなる配線パターンで形成
されている。
Description
が形成された基板上に、これら表示画素部を駆動する駆
動回路が形成された駆動回路一体型の液晶表示装置に関
するものである。
型液晶表示装置では、複数の表示画素部と共に、これら
の表示画素部を制御する画素用薄膜トランジスタが設け
られた基板上に、画素用薄膜トランジスタを点順次に駆
動する映像信号駆動回路と走査信号駆動回路とが形成さ
れている。
トリクス型液晶表示装置は、本発明の説明図である図2
を参照して説明すると、液晶層からなる表示画素部3を
制御する画素用薄膜トランジスタ4のソース側に、映像
信号駆動回路1からの映像信号線7が接続される一方、
ゲート側に、走査信号駆動回路2からの走査信号線6が
接続されている。尚、5は補助容量である。
スタ9と、バッファ10と、アナログスイッチ11とを
備え、また、走査信号駆動回路2は、シフトレジスタ9
と、バッファ10とを備えている。
回路2に搭載されるバッファは、例えば図13に示すバ
ッファ62のように、高電位電源Vddと低電位電源V
ssとの間に、Pチャネル薄膜トランジスタ60とNチ
ャネル薄膜トランジスタ61とが直列に接続されてなる
構成が用いられている。
た液晶表示装置では、バッファ62を構成する薄膜トラ
ンジスタ60・61の故障に起因する線欠陥が発生し易
く、パネル良品率の向上が図れないといった問題点を有
している。
上記バッファ62において、薄膜トランジスタ60・6
1の何れか一方に不良が発生すると、この不良薄膜トラ
ンジスタに走査信号線6で結線されている画素用薄膜ト
ランジスタ4に正常な信号が入力されない。すると、そ
の走査信号線6上にある表示画素部3が正常に点灯せ
ず、線状の欠陥が生じることとなる。
スタ60・61の不良発生原因としては、ダストや静電
気などが考えられ、静電破壊防止に関連して、特開平6
−260650号公報には、薄膜トランジスタにおける
静電気に弱い薄膜半導体領域の端部を、真性半導体や、
チャネル形成領域と同じ導電体にすることによって、こ
の部分の耐圧を上げ、薄膜トランジスタ全体の耐圧を上
げる方法が開示されている。しかしながら、これでは、
薄膜トランジスタの不良は起こり難く成るものの、不良
発生を完全に無くすことは不可能である。
は、水素化処理による薄膜トランジスタの特性向上を目
的として、バッファを構成する薄膜トランジスタを複数
並列に接続することが開示されている。図14に、薄膜
トランジスタの並列接続を、映像信号書き込みスイッチ
用薄膜トランジスタを例として示す。図において、63
が薄膜トランジスタであり、64が映像信号線入力、6
5がゲート信号であるシフトレジスタ出力を入力するシ
フトレジスタ出力線、66が映像信号線出力である。
うな単純な並列接続では、レーザ等を用いて不良が発生
した薄膜トランジスタ63を切り離す場合、図において
ハッチングにて示す、映像信号線入力64や映像信号線
出力66とシフトレジスタ出力線65との狭い間の半導
体層を切断する必要があり、切断時にシフトレジスタ出
力線65を傷つける虞れが多分にあり、バッファの修正
による良品率の向上は望めない。
イズが大きいため、ゲード線の配線長は長くなり、アン
テナ効果により薄膜トランジスタの静電破壊が生じ易い
といった別の問題も有している。
る薄膜トランジスタの不良に起因する線欠陥を、容易に
修正できる液晶表示装置を提供し、液晶表示装置のパネ
ル良品率を向上させることにあり、第2の目的は、バッ
ファを構成する薄膜トランジスタ自体を不良となり難い
構造とすることで、パネル良品率をさらに向上させるこ
とにある。
液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、複数の
表示画素部が形成された基板上に、これら表示画素部を
駆動する駆動回路が形成された液晶表示装置において、
上記駆動回路のバッファは、直列に接続されたPチャネ
ル薄膜トランジスタとNチャネル薄膜トランジスタとを
備えると共に、少なくとも何れか一チャネル側が、複数
の薄膜トランジスタを並列に接続してなる構成を有し、
これら複数の薄膜トランジスタに配されるバッファの電
源線又は出力線は、主配線部とこの主配線部から個々の
薄膜トランジスタへと分岐した分岐配線部とからなる配
線パターンで形成されていることを特徴としている。
膜トランジスタに配されるバッファの電源線又は出力線
は、主配線部とこの主配線部から個々の薄膜トランジス
タへと分岐した分電配線部とからなる配線パターンで形
成されている。したがって、並列に接続された薄膜トラ
ンジスタのうちの一つに、ゲート−ソース間リーク等の
電源線に関係する不良が発生した場合、電源線における
分岐配線部をレーザ等を用いて切断することで、残りの
薄膜トランジスタの動作に影響を与えることなく、バッ
ファ回路から不良薄膜トランジスタを切り離して、不良
薄膜トランジスタに起因した線欠陥を容易に修正でき
る。同様に、並列に接続された薄膜トランジスタのうち
の一つに、ゲート−ドレイン間リーク等の出力線に関係
する不良が発生した場合は、出力線における分岐配線部
をレーザ等を用いて切断することで線欠陥を容易に修正
できる。尚、バッファにおける不良位置の特定は、微弱
発光の解析或いはプローブによる波形観測等で行える。
ゲート−ソース間リーク、ゲート−ドレイン間リーク、
ソース−ドレイン間リーク等の複数のタイプがあるが、
電源線と出力線の両方を分岐配線部を有する配線パター
ンで形成し、電源線、出力線の両方を分岐配線部で切断
して不良薄膜トランジスタを切り離すことで、任意の不
良モードに対応できる。
上記の課題を解決するために、請求項1の構成におい
て、上記分岐配線部は、主配線部と、電源線又は出力線
が半導体層と接続するコンタクトとの間にあることを特
徴としている。
ンタクトとの間に形成されているので、薄膜トランジス
タにおけるゲート電極部を傷つけるといった失敗なく分
岐配線部を切断できる。
上記の課題を解決するために、複数の表示画素部が形成
された基板上に、これら表示画素部を駆動する駆動回路
が形成された液晶表示装置において、上記駆動回路のバ
ッファは、直列に接続されたPチャネル薄膜トランジス
タとNチャネル薄膜トランジスタとを備えると共に、少
なくとも何れか一チャネル側が、複数ゲートの薄膜トラ
ンジスタを複数並列に接続してなる構成を有し、これら
複数の薄膜トランジスタに配されるバッファのゲート線
は、各ゲート毎に分割された分割配線部と、複数の薄膜
トランジスタの間、又は各分割配線部の末端部に設けら
れた分割配線部同士が繋がっている繋ぎ配線部とからな
る配線パターンで形成されていることを特徴としてい
る。
膜トランジスタは、それぞれ複数ゲートのものであり、
それにおけるゲート線は、各ゲート毎に分割された分割
配線部と、複数の薄膜トランジスタの間又は各分割配線
部の末端部に設けられた分割配線部同士が繋がっている
繋ぎ配線部とからなる配線パターンで形成されている。
したがって、並列に接続された薄膜トランジスタのうち
の一つに、ゲート−ドレイン間リークやゲート−ソース
間リーク等のゲート線に関係する不良が発生した場合、
ゲート線における分割配線部のうちの不良の発生してい
る方をレーザ等を用いて切断することで、残りの薄膜ト
ランジスタの動作に影響を与えることなく、バッファ回
路から不良薄膜トランジスタを切り離して、不良薄膜ト
ランジスタに起因した線欠陥を容易に修正できる。ここ
で、たとえ一方の分割配線部を切断したとしても、その
後段の薄膜トランジスタの複数のゲートには、切断され
ずに残った分割配線部及び繋ぎ配線部を通ってゲート信
号が送られることなり、後段の薄膜トランジスタへの影
響はない。
上記の課題を解決するために、複数の表示画素部が形成
された基板上に、これら表示画素部を駆動する駆動回路
が形成された液晶表示装置において、上記駆動回路のバ
ッファは、直列に接続されたPチャネル薄膜トランジス
タとNチャネル薄膜トランジスタとを備えると共に、少
なくとも何れか一チャネル側が、一続きの半導体島を用
いて作られた複数の薄膜トランジスタが並列に接続され
たものからなり、複数の薄膜トランジスタに接続された
電源線、出力線、又はゲート線は、主配線部とこの主配
線部から個々の薄膜トランジスタへと分岐した分岐配線
部とからなる配線パターンで形成されていることを特徴
としている。
作られた並列に接続された複数の薄膜トランジスタに配
されるバッファの電源線、出力線、又はゲート線は、主
配線部とこの主配線部から個々の薄膜トランジスタへと
分岐した分電配線部とからなる配線パターンで形成され
ている。したがって、並列に接続された薄膜トランジス
タのうちの一つに、ゲート−ソース間リークやソース−
ドレイン間リーク等の電源線に関係する不良が発生した
場合は、電源線における分岐配線部をレーザ等を用いて
切断することで、残りの薄膜トランジスタの動作に影響
を与えることなく、バッファ回路から不良薄膜トランジ
スタを切り離して、不良薄膜トランジスタに起因した線
欠陥を容易に修正できる。同様に、ゲート−ドレイン間
リークやソース−ドレイン間リーク等の出力線に関係す
る不良が発生した場合は、出力線における分岐配線部を
レーザ等を用いて切断することで、線欠陥を容易に修正
できる。同様に、ゲート−ソース間リークや、ゲート−
ドレイン間リークといったゲート線に関係する不良が発
生した場合は、ゲート線における分岐配線部をレーザ等
を用いて切断することで、線欠陥を容易に修正できる。
部を有する配線パターンで形成し、電源線、出力線の両
方を分岐配線部で切断して不良薄膜トランジスタを切り
離すことで、任意の不良モードに対応できる。
ンジスタを、一続きの半導体島を用いて作っているの
で、薄膜トランジスタを構成する半導体が個々に分割さ
れている構成に比べてバッファサイズを小さくできる。
上記の課題を解決するために、上記請求項1、2、3又
は4記載の液晶表示装置において、バッファのゲート線
を薄膜トランジスタのゲート電極部とで構成する、薄膜
トランジスタ間の間配線部が、ゲート電極部を形成する
薄膜層とは異なる薄膜層から形成されると共に、薄膜ト
ランジスタの近傍でスルーホールを介してゲート電極部
に接続されていることを特徴としている。
ート電極部を形成する薄膜層とそれとは異なる薄膜層と
をスルーホールを介して接続することで形成されるの
で、ゲートの配線長が長くなるのを防げ、バッファのゲ
ート線にて発生し易かったアンテナ効果による薄膜トラ
ンジスタの静電破壊が効果的に抑制される。
いし図4に基づいて説明すれば、以下の通りである。
ティブマトリクス型液晶表示装置は、図2に示すよう
に、複数の表示画素部3が形成されている基板8上に、
映像信号駆動回路1と走査信号駆動回路2とが形成され
ており、これら映像信号駆動回路1と走査信号駆動回路
2にて、映像信号線7と走査信号線6との交差部分に形
成されている画素用薄膜トランジスタ4を駆動して、液
晶層からなる表示画素部3に表示を行わせるようになっ
ている。尚、図において5は補助容量であり、この補助
容量に印加される電圧も、画素用薄膜トランジスタ4に
て制御される。
スタ9、バッファ10、及びアナログスイッチ11とを
備えており、走査信号駆動回路2は、シフトレジスタ
9、及びバッファ10を備えている。
と低電位電源Vssとの間に直列に接続された、Pチャ
ネル薄膜トランジスタとNチャネル薄膜トランジスタと
から構成される。そして、本実施の形態の液晶表示装置
においては、図1(a)に示すように、Pチャネル薄膜
トランジスタ及びNチャネル薄膜トランジスタは、それ
ぞれ並列に接続された3個のPチャネル薄膜トランジス
タTrP1 ・TrP2・TrP3 及びNチャネル薄膜ト
ランジスタTrN1 ・TrN2 ・TrN3 からなる。
8側から見た平面図であって、同図(b)に、(a)に
おけるのA−A’線矢視断面図を示す。図において、1
2が基板8上に形成された半導体層であり、13・14
が絶縁膜、Gがゲート電極部である。また、15・16
が、半導体層12のソースSに接続された高電位電源V
dd側と低電位電源Vss側の電源線であり、17が半
導体層12のドレインDに接続された出力線、19が電
源線15・16或いは出力線17と半導体層12とを接
続するコンタクトである。但し、(a)の平面図におい
ては、基板8と絶縁膜13・14は図示されていない。
16及び出力線17は、それぞれ一本の主配線部15a
・16a・17aと、これら主配線部15a・16a・
17aから個々の薄膜トランジスタTrP1 〜Tr
P3 ,TrN1 〜TrN3 へと分岐した分岐配線部15
b・16b・17b(図中、ハッチングにて示す)とか
らなる配線パターンで形成されている。これらの分岐配
線部15b・16b・17bは、各々の接続されている
薄膜トランジスタTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜Tr
N3 に不良が生じた際にその不良のある薄膜トランジス
タを切り離すべく切断されるものである。したがって、
レーザによる切断時にゲート電極部Gを傷つけるのを防
ぐために、主配線部15a・16a・17aとコンタク
ト19との間に形成されている。そして、その幅は、プ
ロセスのデザインルールとレーザによる切断のし易さを
考慮すると、2μmから接続されている薄膜トランジス
タTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 のチャネル
幅Wの1/2の間にあることが望ましい。
スタTrP1 〜TrP3 ,TrN1〜TrN3 のゲート
電極部Gに制御(ゲート)信号を印加するためのゲート
線である。このゲート線18は、各薄膜トランジスタT
rP1 〜TrP3 ,TrN1〜TrN3 の各ゲート電極
部Gと同じ薄膜層から構成されており、各ゲート電極部
Gを配線の一部として含んでいる。
液晶表示装置において、もしも線欠陥の発生が確認され
た場合、以下のような処理で、線欠陥の修正を行うこと
ができる。
の解析により、バッファ10を調べる。その結果、図3
に示すように、薄膜トランジスタTrP2 に不良が検出
された場合は、この不良薄膜トランジスタTrP2 に接
続している電源線15及び出力線17の各分岐配線部1
5b・17bを、レーザ等を用いて切断し、不良のある
薄膜トランジスタTrP2 を切り離す。
rP2 を切り離したことで、バッファ10は、残りの2
つのPチャネル薄膜トランジスタTrP1 ・TrP
3 と、3つのNチャネル薄膜トランジスタTrN1 〜T
rN3 とで、正常な信号を出力するようになり、線欠陥
は修正される。
に不良が発生した場合の切り離しについて説明したが、
その他の薄膜トランジスタTrP1 ・TrP3 ・TrN
1 ・TrN2 ・TrN3 の何れに不良が発生した場合
も、同様の処理で修正できる。
ャネル或いはNチャネルの薄膜トランジスタが2個ずつ
でも、映像信号駆動回路1や走査信号駆動回路2のバッ
ファ10として正常に動作するように、各薄膜トランジ
スタTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 のチャネ
ル幅Wを設定しておくことが望ましい。
体型のアクティブマトリクス型液晶表示装置では、映像
信号駆動回路1や走査信号駆動回路2のバッファ10
は、Pチャネル及びNチャネルの薄膜トランジスタがそ
れぞれ、各々並列に接続された複数の薄膜トランジスタ
TrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 からなり、各
薄膜トランジスタTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜Tr
N3 の電源線15・16、出力線17が、主配線部15
a・16a・17aと、これら主配線部15a・16a
・17aとコンタクト19との間に形成された分岐配線
部15b・16b・17bとからなる配線パターンで形
成されている。
〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 の何れかに不良が発生
した場合、不良のある薄膜トランジスタと接続している
分岐配線部15b・16b・17bを切断することで、
その他の正常な薄膜トランジスタへの信号の入出力を阻
害したり、ゲート電極部Gを傷つけたりすることなく、
不良の薄膜トランジスタのみを切断でき、線欠陥を容易
に修正できる。
15・16と出力線17の両方を、主配線部15a・1
6a・17aと、これから分岐された分岐配線部15b
・16b・17bとからなる配線パターンで形成してい
たので、電源線15・16と出力線17の両方を切断す
ることで、ゲート−ソース間リーク、ゲート−ドレイン
間リーク、ソース−ドレイン間リーク等の任意の不良モ
ードにおいて修正可能であるが、上述したように、ゲー
ト−ソース間リーク等の電源線15・16に関係する不
良であれば電源線15・16の分岐配線部15b・16
bのみを切断するだけでよく、また、ゲート−ドレイン
間リーク等の出力線17に関係する不良であれば出力線
17の分岐配線部17bのみを切断すればよい。したが
って、ゲート−ドレイン間のリークによる不良が多いと
判明している場合は、出力線17のみをこのような配線
パターンで形成しておくというように、発生し易い不良
モードに合わせて、何れか一方の線のみをこのような配
線パターンで形成しておいてもよい。
膜トランジスタをそれぞれ複数としたが、何れか一チャ
ネル側のみの不良が発生し易いことが判っている場合
は、その不良の発生し易い方のチャネル側のみを複数の
薄膜トランジスタからなる構成としてもよい。このこと
は、以下に示す全ての実施の形態について言えることで
ある。
た複数の薄膜トランジスタの内、両端にある薄膜トラン
ジスタは内側にあるものに比べて静電破壊が起こり易い
ことが判明した。そこで、図4に示すバッファ10’の
ように、3個のPチャネル薄膜トランジスタTrP1 〜
TrP3 と、3個のNチャネル薄膜トランジスタTrN
1 〜TrN3 のうちの両端に位置する薄膜トランジスタ
TrP1 ・TrP3 ・TrN1 ・TrN3 のチャネル幅
を小さくして、ダミーとしてもよい。そうすれば、線欠
陥の修正が可能であるだけでなく、バッファサイズの縮
小をも図ることができる。
を図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。尚、
説明の便宜上、前記の実施の形態1にて示した部材と同
一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その
説明を省略する。
大きいため、ゲート線の配線長は長くなり、アンテナ効
果により薄膜トランジスタの静電破壊が生じ易いといっ
た問題がある。そこで、本実施の形態の駆動回路一体型
のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、図5(a)
に示すようようなバッファ20を有している。
るバッファ10では、ゲート線18は、各薄膜トランジ
スタTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 のゲート
電極部Gも、各ゲート電極部G間を繋ぐ配線部分(間配
線部)も同じ薄膜層から形成されていた。これに対し、
本実施の形態の液晶表示装置におけるバッファ20で
は、ゲート線21は、(a)のB−B’線矢視断面図で
ある同図(b)にも示すように、各ゲート電極部G間を
繋ぐ配線部分の全部がゲート電極部Gとは異なる薄膜層
Hから形成されており、これら配線部の薄膜層Hと各ゲ
ート電極Gとは、薄膜トランジスタ近傍でスルーホール
22を介して接続されている。薄膜層Hとしては、例え
ば電源線15・16や出力線17と同じ薄膜層や、ゲー
ト電極部Gと同じ材料からなるものでもよい。
では、ゲート線21のアンテナ効果による薄膜トランジ
スタTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 の静電破
壊が生じ難くなる。
成による線欠陥を失敗なく容易に修正できるといった効
果に加えて、薄膜トランジスタTrP1 〜TrP3 ,T
rN1 〜TrN3 の静電破壊に起因する線欠陥の発生を
も効果的に抑制でき、パネル良品率を大幅に向上させる
ことができる。
下の示す実施の形態3、4、5にて示す各ゲート線に
も、もちろん採用可能であることは言うまでもない。ま
た、各ゲート電極部G間を繋ぐ配線部分の一部をゲート
電極部Gとは異なる薄膜層Hから形成する構成もある。
を図6ないし図8に基づいて説明すれば、以下の通りで
ある。尚、説明の便宜上、前記の実施の形態1にて示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
記し、その説明を省略する。
ティブマトリクス型液晶表示装置は、図6に示すような
バッファ23を有している。
ネルの薄膜トランジスタTrP1 〜TrP3 ,TrN1
〜TrN3 は、マルチゲート薄膜トランジスタであり、
デュアルゲートになっている。
rP1 〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 に接続する高電
位電源Vdd側の電源線24、低電位電源Vss側の電
源線25、及び出力線26は、分岐配線部を設けること
なく各々直接接続されているのに対し、ゲート線27
は、各薄膜トランジスタTrP1 〜TrP3 ,TrN1
〜TrN3 のデュアルゲートG・Gに応じて分割された
分割配線部27a・27bと、これら分割配線部27a
・27b同士が、薄膜トランジスタ間で繋がれた繋ぎ配
線部27cとからなる梯子状の配線パターンにて形成さ
れている。
晶表示装置では、ゲート−ソース間リークや、ゲート−
ドレイン間リークといった、ゲート線に関係する不良モ
ードを起因とする線欠陥の修正が可能である。
する。ここで、例えば、図7に示すように、Pチャネル
薄膜トランジスタTrP2 の×印の位置に不良がある
(ゲート−ソース間リーク)ことが検出された場合は、
薄膜トランジスタTrP2 に接続しているゲート線27
の不良のある方の分割配線部27aを、薄膜トランジス
タTrP2 の両側のハッチングにて示す部分で、レーザ
等を用いて切断し、不良のある薄膜トランジスタTrP
2 を切り離す。こうして、不良のある薄膜トランジスタ
TrP2 を切り離したことで、バッファ23は、残りの
2つのPチャネルの薄膜トランジスタTrP1 ・TrP
3 と、3つのNチャネルの薄膜トランジスタTrN1 〜
TrN3 とで、正常な信号を出力するようになり、線欠
陥は修正される。
に不良が発生した場合の切り離しについて説明したが、
その他の薄膜トランジスタTrP1 ・TrP3 ・TrN
1 ・TrN2 ・TrN3 の何れに不良が発生した場合
も、同様の処理で修正できる。
チャネル或いはNチャネルの薄膜トランジスタが2個ず
つでも、映像信号駆動回路1や走査信号駆動回路2のバ
ッファ23として正常に動作するように、各薄膜トラン
ジスタTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 のチャ
ネル幅を設定しておくことが望ましい。
ティブマトリクス型液晶表示装置においても、並列に接
続された複数の薄膜トランジスタの内、両端にある薄膜
トランジスタは内側にあるものに比べて静電破壊が起こ
り易いことが分かっているので、図8に示すバッファ2
3’のように、3個のPチャネル薄膜トランジスタTr
P1 〜TrP3 、3個のNチャネル薄膜トランジスタT
rN1 〜TrN3 のうちの両端に位置する薄膜トランジ
スタTrP1 ・TrP3 ・TrN1 ・TrN3のチャネ
ル幅を小さくして、ダミーとしてもよい。
を、図9、図10に基づいて説明すれば、以下の通りで
ある。尚、説明の便宜上、前記の実施の形態3にて示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
記し、その説明を省略する。
ティブマトリクス型液晶表示装置は、図9に示すような
バッファ28を有している。
膜トランジスタTrP1 〜TrP3,TrN1 〜TrN
3 のデュアルゲートに応じて分割された分割配線部29
a・29bの末端部に、分割配線部29a・29b同士
が繋がった繋ぎ配線部29cが設けられたリング状構造
を有している。このようなリング状の配線パターンとす
ることで、実施の形態3のゲート線27における梯子状
の配線パターンよりも、バッファサイズを小さくできる
といった利点がある。
記の実施の形態3の場合と同じように、ゲート−ソース
間リークや、ゲート−ドレイン間リークといった、ゲー
ト線に関係する不良モードを起因とする線欠陥の修正が
可能である。
ャネル薄膜トランジスタTrP2 の×印の位置に不良が
ある(ゲート−ソース間リーク)ことが検出された場合
は、この不良薄膜トランジスタTrP2 に接続している
ゲート線29における不良のある分割配線部29aを、
薄膜トランジスタTrP2 の両側のハッチングにて示す
部分で、レーザ等を用いて切断して、不良薄膜トランジ
スタTrP2 を切り離すことで、線欠陥を修正すること
ができる。
チャネル或いはNチャネルの薄膜トランジスタが2個ず
つでも、映像信号駆動回路1や走査信号駆動回路2のバ
ッファ28として正常に動作するように、各薄膜トラン
ジスタTrP1 〜TrP3 ,TrN1 〜TrN3 のチャ
ネル幅を設定しておくことが望ましい。
を図11、図12に基づいて説明すれば、以下の通りで
ある。尚、説明の便宜上、前記の実施の形態1にて示し
た部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付
記し、その説明を省略する。
ティブマトリクス型液晶表示装置は、図11に示すよう
なバッファ30を有している。
続された電源線31と、低電位電源Vssに接続された
電源線32との間に、直列に接続されたPチャネル薄膜
トランジスタとNチャネル薄膜トランジスタとから構成
されており、本実施の形態においては、Pチャネル薄膜
トランジスタとNチャネル薄膜トランジスタは、それぞ
れ一続きの半導体島35・36を用いて作られた各6個
の薄膜トランジスタTrP1 〜TrP6 ,TrN1 〜T
rN6 が並列に接続された構成となっている。
1 〜TrP6 ,TrN1 〜TrN6に形成されたバッフ
ァの電源線31・32、出力線33、ゲート線34はそ
れぞれ、主配線部31a・32a・33a・34aと、
これから分岐された分岐配線部31b・32b・33b
・34bとからなる配線パターンで形成されている。
らゆる不良モードの線欠陥を修正することができる。
3のPチャネル薄膜トランジスタTrP3 に不良がある
ことが前述した方法で検出された場合は、図中ハッチン
グにて示すこの不良薄膜トランジスタTrP3 に接続し
ている電源線31、出力線33、ゲート線34の各分岐
配線部31b・33b・34bをレーザ等を用いて切断
して、不良薄膜トランジスタTrP3 を切り離す。この
場合、PチャネルトランジスタTrP2 ・TrP4 も同
時に切り離されるが、Pチャネル側の3つの残りの薄膜
トランジスタTrP1 ・TrP5 ・TrP6 と、Nチャ
ネル側の6個の薄膜トランジスタTrN1 〜TrN6 と
で、正常な信号を出力するようになり、線欠陥は修正さ
れる。
れずに残ったPチャネル、Nチャネルの薄膜トランジス
タがたとえ3個ずつでも、バッファ30が正常に動作す
るように、Pチャネル薄膜トランジスタTrP1 〜Tr
P6 、Nチャネル薄膜トランジスタTrN1 〜TrN6
のチャネル幅を設定しておくことが望ましい。
トランジスタTrP3 に接続する電源線31、出力線3
3、ゲート線34のすべてを各分岐配線部31b・33
b・34bの部分で切断したので、あらゆる不良モード
にも対応可能であるが、例えば、ゲート−ソース間リー
クといった場合は、電源線31或いはゲート線34にお
ける分岐配線部31b・34bの何れかを切断すること
でも、不良薄膜トランジスタTrP3 を切り離して、線
欠陥を修正することができる。同様に、ゲート−ドレイ
ン間リークといった場合は、出力線33或いはゲート線
34における分岐配線部33b・34bの何れかを切断
することでも、不良薄膜トランジスタTrP3 を切り離
して、線欠陥を修正することができる。したがって、ゲ
ート−ドレイン間のリークによる不良が多いと判明して
いる場合は、出力線33或いはゲート線34のみをこの
ような配線パターンで形成しておくというように、発生
し易い不良モードに合わせて、何れか一方の線のみをこ
のような配線パターンで形成しておいてもよい。
5・36を用いて複数の薄膜トランジスタTrP1 〜T
rP6 ,TrN1 〜TrN6 を構成することで、各薄膜
トランジスタを構成する半導体が個々に分割されている
構成に比べてバッファサイズを小さくできるといった利
点がある。
は、以上のように、上記駆動回路のバッファは、直列に
接続されたPチャネル薄膜トランジスタとNチャネル薄
膜トランジスタとを備えると共に、少なくとも何れか一
チャネル側が、複数の薄膜トランジスタを並列に接続し
てなる構成を有し、これら複数の薄膜トランジスタに配
されるバッファの電源線又は出力線は、主配線部とこの
主配線部から個々の薄膜トランジスタへと分岐した分岐
配線部とからなる配線パターンで形成されている構成で
ある。
ジスタのうちの一つに、電源線又は出力線に関係する不
良が発生した場合、残りの薄膜トランジスタの動作に影
響を与えることなく、バッファ回路から不良薄膜トラン
ジスタを切り離して、不良薄膜トランジスタに起因した
線欠陥を容易に修正することが可能となり、線欠陥に起
因した不良パネル数を低減させ、パネル良品率の向上を
図れるという効果を奏する。
以上のように、請求項1の構成において、上記分岐配線
部は、主配線部と、電源線又は出力線が半導体層と接続
するコンタクトとの間にある構成である。
ート電極部を傷つけるといった失敗なく分岐配線部を切
断でき、その結果、パネル良品率のさらなる向上を図れ
るという効果を奏する。
以上のように、上記駆動回路のバッファは、直列に接続
されたPチャネル薄膜トランジスタとNチャネル薄膜ト
ランジスタとを備えると共に、少なくとも何れか一チャ
ネル側が、複数ゲートの薄膜トランジスタを複数並列に
接続してなる構成を有し、これら複数の薄膜トランジス
タに配されるバッファのゲート線は、各ゲート毎に分割
された分割配線部と、複数の薄膜トランジスタの間、又
は各分割配線部の末端部に設けられた分割配線部同士が
繋がっている繋ぎ配線部とからなる配線パターンで形成
されている構成である。
ジスタのうちの一つに、ゲート線に関係する不良が発生
した場合、残りの薄膜トランジスタの動作に影響を与え
ることなく、バッファ回路から不良薄膜トランジスタを
切り離して、不良薄膜トランジスタに起因した線欠陥を
容易に修正することが可能となり、線欠陥に起因した不
良パネル数を低減させ、パネル良品率の向上を図れると
いう効果を奏する。
以上のように、上記駆動回路のバッファは、直列に接続
されたPチャネル薄膜トランジスタとNチャネル薄膜ト
ランジスタとを備えると共に、少なくとも何れか一チャ
ネル側が、一続きの半導体島を用いて作られた複数の薄
膜トランジスタが並列に接続されたものからなり、複数
の薄膜トランジスタに接続された電源線、出力線、又は
ゲート線は、主配線部とこの主配線部から個々の薄膜ト
ランジスタへと分岐した分岐配線部とからなる配線パタ
ーンで形成されている構成である。
ジスタのうちの一つに、ゲート−ソース間リークやソー
ス−ドレイン間リーク等の電源線に関係する不良が発生
した場合は、電源線における分岐配線部をレーザ等を用
いて切断することで、ゲート−ドレイン間リークやソー
ス−ドレイン間リーク等の出力線に関係する不良が発生
した場合は、出力線における分岐配線部をレーザ等を用
いて切断することで、ゲート−ソース間リークや、ゲー
ト−ドレイン間リークといったゲート線に関係する不良
が発生した場合は、ゲート線における分岐配線部をレー
ザ等を用いて切断することで、それぞれ線欠陥を容易に
修正できる。また、電源線と出力線の両方を分岐配線部
を有する配線パターンで形成し、電源線、出力線の両方
を分岐配線部で切断して不良薄膜トランジスタを切り離
すことで、任意の不良モードに対応できる。その結果、
線欠陥に起因した不良パネル数を低減させ、パネル良品
率の向上を図れるという効果を奏する。さらに、並列に
接続された複数の薄膜トランジスタを、一続きの半導体
島を用いて作っているので、薄膜トランジスタを構成す
る半導体が個々に分割されている構成に比べてバッファ
サイズを小さくできるという効果も併せて奏する。
以上のように、上記請求項1、2、3又は4記載の液晶
表示装置において、バッファのゲート線を薄膜トランジ
スタのゲート電極部とで構成する、薄膜トランジスタ間
の間配線部が、ゲート電極部を形成する薄膜層とは異な
る薄膜層から形成されると共に、薄膜トランジスタの近
傍でスルーホールを介してゲート電極部に接続されてい
る構成である。
の構成による効果に加えて、トランジスタサイズの大き
いバッファのゲート線にて発生しやすかった薄膜トラン
ジスタの静電破壊が効果的に抑制され、その結果、さら
なるパネル良品率の向上が図れるという効果を奏する。
駆動回路一体型の液晶表示装置を構成する基板に設けら
れた、駆動回路のバッファを基板の裏面側から基板と絶
縁膜を除いて見た図であり、(b)は上記バッファの要
部断面図である。
す説明図である。
の裏面側から基板と絶縁膜を除いて見た図である。
回路一体型の液晶表示装置を構成する基板に設けられ
た、駆動回路のバッファを基板の裏面側から基板と絶縁
膜を除いて見た図である。
(a)は駆動回路一体型の液晶表示装置を構成する基板
に設けられた、駆動回路のバッファを基板の裏面側から
基板と絶縁膜を除いて見た図であり、(b)は上記バッ
ファの要部断面図である。
回路一体型の液晶表示装置を構成する基板に設けられ
た、駆動回路のバッファを基板の裏面側から基板と絶縁
膜を除いて見た図である。
の裏面側から基板と絶縁膜を除いて見た図である。
回路一体型の液晶表示装置を構成する基板に設けられ
た、駆動回路のバッファを基板の裏面側から基板と絶縁
膜を除いて見た図である。
回路一体型の液晶表示装置を構成する基板に設けられ
た、駆動回路のバッファを基板の裏面側から基板と絶縁
膜を除いて見た図である。
板の裏面側から基板と絶縁膜を除いて見た図である。
動回路一体型の液晶表示装置を構成する基板に設けられ
た、駆動回路のバッファを基板の裏面側から基板と絶縁
膜を除いて見た図である。
基板の裏面側から基板と絶縁膜を除いて見た図である。
である。
スイッチ用薄膜トランジスタの平面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】複数の表示画素部が形成された基板上に、
これら表示画素部を駆動する駆動回路が形成された液晶
表示装置において、 上記駆動回路のバッファは、直列に接続されたPチャネ
ル薄膜トランジスタとNチャネル薄膜トランジスタとを
備えると共に、少なくとも何れか一チャネル側が、複数
の薄膜トランジスタを並列に接続してなる構成を有し、
これら複数の薄膜トランジスタに配されるバッファの電
源線又は出力線は、主配線部とこの主配線部から個々の
薄膜トランジスタへと分岐した分岐配線部とからなる配
線パターンで形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項2】上記分岐配線部は、主配線部と、電源線又
は出力線が半導体層と接続するコンタクトとの間にある
ことを特徴とする上記請求項1記載の液晶表示素子。 - 【請求項3】複数の表示画素部が形成された基板上に、
これら表示画素部を駆動する駆動回路が形成された液晶
表示装置において、 上記駆動回路のバッファは、直列に接続されたPチャネ
ル薄膜トランジスタとNチャネル薄膜トランジスタとを
備えると共に、少なくとも何れか一チャネル側が、複数
ゲートの薄膜トランジスタを複数並列に接続してなる構
成を有し、これら複数の薄膜トランジスタに配されるバ
ッファのゲート線は、各ゲート毎に分割された分割配線
部と、複数の薄膜トランジスタの間、又は各分割配線部
の末端部に設けられた分割配線部同士が繋がっている繋
ぎ配線部とからなる配線パターンで形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項4】複数の表示画素部が形成された基板上に、
これら表示画素部を駆動する駆動回路が形成された液晶
表示装置において、 上記駆動回路のバッファは、直列に接続されたPチャネ
ル薄膜トランジスタとNチャネル薄膜トランジスタとを
備えると共に、少なくとも何れか一チャネル側が、一続
きの半導体島を用いて作られた複数の薄膜トランジスタ
が並列に接続されたものからなり、複数の薄膜トランジ
スタに接続された電源線、出力線、又はゲート線は、主
配線部とこの主配線部から個々の薄膜トランジスタへと
分岐した分岐配線部とからなる配線パターンで形成され
ていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項5】バッファのゲート線を薄膜トランジスタの
ゲート電極部とで構成する、薄膜トランジスタ間の間配
線部が、ゲート電極部を形成する薄膜層とは異なる薄膜
層から形成されると共に、薄膜トランジスタの近傍でス
ルーホールを介してゲート電極部に接続されていること
を特徴とする上記請求項1、2、3又は4記載の液晶表
示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25131895A JP3256110B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 液晶表示装置 |
US08/719,442 US6028580A (en) | 1995-09-28 | 1996-09-25 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25131895A JP3256110B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0997909A true JPH0997909A (ja) | 1997-04-08 |
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP25131895A Expired - Lifetime JP3256110B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6028580A (ja) |
JP (1) | JP3256110B2 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214700A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置 |
JP2000036604A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路の製造方法及び液晶表示装置 |
JP2000275676A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-10-06 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器 |
JP2001267581A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
JP2001326365A (ja) * | 2001-03-27 | 2001-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2003308052A (ja) * | 1998-03-27 | 2003-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置 |
JP2004055843A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ又は半導体装置及びそれらの設計方法 |
JP2004163493A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
WO2008038635A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate |
JP2008225509A (ja) * | 2002-12-31 | 2008-09-25 | Lg Display Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
JP2010097114A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
US20100201608A1 (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
CN102760718A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 索尼公司 | 半导体装置、显示装置和电子设备 |
US8493543B2 (en) | 2008-10-17 | 2013-07-23 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
JP2014160826A (ja) * | 2007-06-07 | 2014-09-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2019201216A (ja) * | 2011-10-07 | 2019-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3800401B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2006-07-26 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置及びその駆動方法 |
JP4380954B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2009-12-09 | 三洋電機株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US7352133B2 (en) * | 2002-08-05 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3964295B2 (ja) * | 2002-09-18 | 2007-08-22 | 松下電器産業株式会社 | 集積回路設計における電源経路構造 |
JP4443179B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-03-31 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
JP4488709B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2010-06-23 | 三洋電機株式会社 | 有機elパネル |
US7211840B2 (en) * | 2003-10-31 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor |
KR101022559B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2011-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100796592B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2008-01-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 |
JP4348644B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2009-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ、電気光学装置および電子機器 |
JP2008233123A (ja) | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Sony Corp | 表示装置 |
JP2009014796A (ja) | 2007-06-30 | 2009-01-22 | Sony Corp | El表示パネル、電源線駆動装置及び電子機器 |
US8995747B2 (en) * | 2010-07-29 | 2015-03-31 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Methods, systems and apparatus for defect detection and classification |
TWI448796B (zh) * | 2011-07-06 | 2014-08-11 | Au Optronics Corp | 畫素結構、主動元件陣列基板以及平面顯示面板 |
US8872269B2 (en) * | 2011-12-12 | 2014-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Antenna cell design to prevent plasma induced gate dielectric damage in semiconductor integrated circuits |
EP2960943B1 (en) * | 2014-06-27 | 2019-08-07 | LG Display Co., Ltd. | Thin film transistor of display apparatus |
KR102395635B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2022-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치의 박막트랜지스터 |
CN205621414U (zh) * | 2016-04-26 | 2016-10-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电放电电路、阵列基板和显示装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3807831A (en) * | 1972-06-20 | 1974-04-30 | Beckman Instruments Inc | Liquid crystal display apparatus |
US4481511A (en) * | 1981-01-07 | 1984-11-06 | Hitachi, Ltd. | Matrix display device |
JPS59123875A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
US4990981A (en) * | 1988-01-29 | 1991-02-05 | Hitachi, Ltd. | Thin film transistor and a liquid crystal display device using same |
JPH02165125A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-26 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
US5305128A (en) * | 1989-12-22 | 1994-04-19 | North American Philips Corporation | Active matrix electro-optic display device with storage capacitors and projection color apparatus employing same |
EP0488801B1 (en) * | 1990-11-30 | 1998-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film semiconductor device |
KR960010723B1 (ko) * | 1990-12-20 | 1996-08-07 | 가부시끼가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 전기광학장치 |
JPH06123896A (ja) * | 1992-10-13 | 1994-05-06 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP3325945B2 (ja) * | 1993-03-05 | 2002-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
CN1230919C (zh) * | 1994-06-02 | 2005-12-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器和电光元件 |
JP3897826B2 (ja) * | 1994-08-19 | 2007-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型の表示装置 |
JPH08213409A (ja) * | 1995-02-06 | 1996-08-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
US5866445A (en) * | 1997-07-11 | 1999-02-02 | Texas Instruments Incorporated | High density CMOS circuit with split gate oxide |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP25131895A patent/JP3256110B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-09-25 US US08/719,442 patent/US6028580A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214700A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置 |
JP2009025822A (ja) * | 1998-03-27 | 2009-02-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9262978B2 (en) | 1998-03-27 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device |
US7315296B2 (en) | 1998-03-27 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device |
JP2014002396A (ja) * | 1998-03-27 | 2014-01-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015111726A (ja) * | 1998-03-27 | 2015-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2015146420A (ja) * | 1998-03-27 | 2015-08-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2016213863A (ja) * | 1998-03-27 | 2016-12-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2012014183A (ja) * | 1998-03-27 | 2012-01-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | バッファ回路 |
US7304625B2 (en) | 1998-03-27 | 2007-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving circuit of a semiconductor display device and the semiconductor display device |
JP2003308052A (ja) * | 1998-03-27 | 2003-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置の駆動回路および半導体表示装置 |
JP2000036604A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ回路の製造方法及び液晶表示装置 |
JP2000275676A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-10-06 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びそれを用いた電子機器 |
JP2001267581A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
JP2001326365A (ja) * | 2001-03-27 | 2001-11-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2004055843A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ又は半導体装置及びそれらの設計方法 |
JP2004163493A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2008225509A (ja) * | 2002-12-31 | 2008-09-25 | Lg Display Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 |
WO2008038635A1 (en) * | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate |
JPWO2008038635A1 (ja) * | 2006-09-26 | 2010-01-28 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
US8093601B2 (en) | 2006-09-26 | 2012-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate |
JP2014160826A (ja) * | 2007-06-07 | 2014-09-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8493543B2 (en) | 2008-10-17 | 2013-07-23 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
JP2010097114A (ja) * | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
JP2010181698A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
US8648976B2 (en) * | 2009-02-06 | 2014-02-11 | Japan Display Inc. | Display device and manufacturing method thereof |
US20100201608A1 (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | Hitachi Displays, Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US9111808B2 (en) | 2011-04-27 | 2015-08-18 | Japan Display Inc. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
US10714505B2 (en) | 2011-04-27 | 2020-07-14 | Japan Display Inc. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
CN102760718A (zh) * | 2011-04-27 | 2012-10-31 | 索尼公司 | 半导体装置、显示装置和电子设备 |
US8884919B2 (en) | 2011-04-27 | 2014-11-11 | Japan Display West Inc. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
JP2012230301A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Japan Display West Co Ltd | 半導体装置、表示装置および電子機器 |
US9721975B2 (en) | 2011-04-27 | 2017-08-01 | Japan Display Inc. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
US10998347B2 (en) | 2011-04-27 | 2021-05-04 | Japan Display Inc. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
TWI470306B (zh) * | 2011-04-27 | 2015-01-21 | Japan Display West Inc | 半導體裝置,顯示裝置及電子裝置 |
JP2021048395A (ja) * | 2011-10-07 | 2021-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019201216A (ja) * | 2011-10-07 | 2019-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11133078B2 (en) | 2011-10-07 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2022051730A (ja) * | 2011-10-07 | 2022-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2023027073A (ja) * | 2011-10-07 | 2023-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US11749365B2 (en) | 2011-10-07 | 2023-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3256110B2 (ja) | 2002-02-12 |
US6028580A (en) | 2000-02-22 |
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