JPH09167684A - 有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法Info
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- JPH09167684A JPH09167684A JP8299041A JP29904196A JPH09167684A JP H09167684 A JPH09167684 A JP H09167684A JP 8299041 A JP8299041 A JP 8299041A JP 29904196 A JP29904196 A JP 29904196A JP H09167684 A JPH09167684 A JP H09167684A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多色有機エレクトロルミネセンス表示パネル
を形成する方法を提供する。 【解決手段】 その方法ではドナーシートから基板に有
機エレクトロルミネセンス媒体をパターン毎に転写する
ことにより基盤上の別々に着色された有機エレクトロル
ミネセンス媒体を形成するために近接離間される堆積技
術が用いられる。
を形成する方法を提供する。 【解決手段】 その方法ではドナーシートから基板に有
機エレクトロルミネセンス媒体をパターン毎に転写する
ことにより基盤上の別々に着色された有機エレクトロル
ミネセンス媒体を形成するために近接離間される堆積技
術が用いられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネセンス画像表示装置及びその製造方法に関する。
ネセンス画像表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｃｏｚｚａｆａｖａのＥＰ３４９２６
５（１９９０年１月３日にヨーロッパ特許庁から出版さ
れた特許出願）には有機エレクトロルミネセンス画像表
示装置とその製造のためのプロセスが記載されている
（以下に頭文字”ＥＬ”をエレクトロルミネセンスに対
して用いる）。Ｓｃｏｚｚａｆａｖａは一連の横方向に
離間した平行なインジウム錫酸化物の陽極細片を支持す
るガラス基板を開示している。有機ＥＬ媒体は陽極細片
に重ねられる。陽極細片に関して直角に向けられる横方
向に離間した平行な陽極細片は陰極形成金属をパターン
化により連続な層として形成する陰極を堆積することに
より有機ＥＬ上に形成される。陰極層を陰極細片内でパ
ターン化することは２−エトキシエタノール中のネガと
して働くフォトレジストのモノマーの溶液をスピンコー
トすることにより達成される。フォトレジストは架橋さ
れた及び架橋されないフォトレジストのパターンを形成
するためにＵＶ放射にパターン毎に曝される。架橋され
ないフォトレジストは数秒間２−エトキシエタノール内
で配列を浸漬することにより除去される。これは露出さ
れないフォトレジストを除去し、陰極層の領域を露出す
る。陰極層の露出された領域は１０００：１の水：硫酸
溶液からなる酸エッチング浴内に配列を浸漬することに
より除去される。この過程により陰極細片を製造した後
に、配列は水中ですすがれ、余分な水を除去するために
回転される。Ｓｃｏｚｚａｆａｖａの方法は陰極電極を
パターン化する方法を提供し、故に白黒又は多色有機Ｅ
Ｌパネルの両方の製造に有用である。
５（１９９０年１月３日にヨーロッパ特許庁から出版さ
れた特許出願）には有機エレクトロルミネセンス画像表
示装置とその製造のためのプロセスが記載されている
（以下に頭文字”ＥＬ”をエレクトロルミネセンスに対
して用いる）。Ｓｃｏｚｚａｆａｖａは一連の横方向に
離間した平行なインジウム錫酸化物の陽極細片を支持す
るガラス基板を開示している。有機ＥＬ媒体は陽極細片
に重ねられる。陽極細片に関して直角に向けられる横方
向に離間した平行な陽極細片は陰極形成金属をパターン
化により連続な層として形成する陰極を堆積することに
より有機ＥＬ上に形成される。陰極層を陰極細片内でパ
ターン化することは２−エトキシエタノール中のネガと
して働くフォトレジストのモノマーの溶液をスピンコー
トすることにより達成される。フォトレジストは架橋さ
れた及び架橋されないフォトレジストのパターンを形成
するためにＵＶ放射にパターン毎に曝される。架橋され
ないフォトレジストは数秒間２−エトキシエタノール内
で配列を浸漬することにより除去される。これは露出さ
れないフォトレジストを除去し、陰極層の領域を露出す
る。陰極層の露出された領域は１０００：１の水：硫酸
溶液からなる酸エッチング浴内に配列を浸漬することに
より除去される。この過程により陰極細片を製造した後
に、配列は水中ですすがれ、余分な水を除去するために
回転される。Ｓｃｏｚｚａｆａｖａの方法は陰極電極を
パターン化する方法を提供し、故に白黒又は多色有機Ｅ
Ｌパネルの両方の製造に有用である。
【０００３】Ｔａｎｇ等（米国特許第５２９４８６９
号）はシャドウマスク法を用いた多色有機ＥＬ画像化装
置の製造用のプロセスを開示しており、ここでは適切な
幾何学的特徴を有するシャドウマスクは装置構造の一体
の部分である。この一体のシャドウマスク法は横方向に
離間したインジウム錫酸化物陽極電極の組を受けるガラ
ス基板を用いる。この基板上で絶縁材料で作られ、従来
技術のリソグラフィ方法により製造されたピラー（一体
化されたシャドウマスク）の組は陰極電極と同様に有機
層を次に堆積するためのテンプレートを提供する。多色
有機ＥＬ媒体は堆積蒸気流に関する基板の角度位置を制
御することにより堆積され、パターン化される。同様に
して陰極電極は金属蒸気流と基板との間の角度関係を制
御することにより有機ＥＬ媒体の上に堆積され、パター
ン化される。
号）はシャドウマスク法を用いた多色有機ＥＬ画像化装
置の製造用のプロセスを開示しており、ここでは適切な
幾何学的特徴を有するシャドウマスクは装置構造の一体
の部分である。この一体のシャドウマスク法は横方向に
離間したインジウム錫酸化物陽極電極の組を受けるガラ
ス基板を用いる。この基板上で絶縁材料で作られ、従来
技術のリソグラフィ方法により製造されたピラー（一体
化されたシャドウマスク）の組は陰極電極と同様に有機
層を次に堆積するためのテンプレートを提供する。多色
有機ＥＬ媒体は堆積蒸気流に関する基板の角度位置を制
御することにより堆積され、パターン化される。同様に
して陰極電極は金属蒸気流と基板との間の角度関係を制
御することにより有機ＥＬ媒体の上に堆積され、パター
ン化される。
【０００４】ＳｃｏｚｚａｆａｖａとＴａｎｇ等の両方
の方法が多色有機ＥＬパネルを製造するのに有用である
が、それらは困難がないわけではない。陰極をパターン
化するＳｃｏｚｚａｆａｖａの方法はフォトリソグラフ
ィ過程を含み、それは有機溶媒及び水溶性エッチング溶
液の使用の故に有機ＥＬ媒体を破壊し、低仕事関数の金
属陰極を腐食しうる。
の方法が多色有機ＥＬパネルを製造するのに有用である
が、それらは困難がないわけではない。陰極をパターン
化するＳｃｏｚｚａｆａｖａの方法はフォトリソグラフ
ィ過程を含み、それは有機溶媒及び水溶性エッチング溶
液の使用の故に有機ＥＬ媒体を破壊し、低仕事関数の金
属陰極を腐食しうる。
【０００５】Ｔａｎｇ等の方法はＥＬパネル製造とフォ
トリソグラフィ過程との両立しない問題を含み、加えて
多色ＥＬパネルを形成するための有機ＥＬ媒体をパター
ン化する新たな過程を提供する。しかしながらこの方法
は製造が困難である多レベルトポロジーの一体化シャド
ウマスクと、蒸気源と基板との間のある複雑な幾何的配
置を必要とする蒸着プロセスとを必要とする。
トリソグラフィ過程との両立しない問題を含み、加えて
多色ＥＬパネルを形成するための有機ＥＬ媒体をパター
ン化する新たな過程を提供する。しかしながらこの方法
は製造が困難である多レベルトポロジーの一体化シャド
ウマスクと、蒸気源と基板との間のある複雑な幾何的配
置を必要とする蒸着プロセスとを必要とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は着色さ
れたＥＬパネルを製造するプロセスを改善する方法を提
供することにある。
れたＥＬパネルを製造するプロセスを改善する方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的は （ａ）透明基板上に複数の離間した電極を設けるよう透
明導電層を形成してパターン化し； （ｂ）離間した電極上に近接して離間した堆積により着
色された副画素を形成するように別々に着色された有機
エレクトロルミネセンス媒体を設け； （ｃ）複数の離間した電極を設けるよう着色された副画
素上に導電層を形成してパターン化する各段階からなる
多色有機エレクトロルミネセンス表示パネルを製造する
方法により達成される。
明導電層を形成してパターン化し； （ｂ）離間した電極上に近接して離間した堆積により着
色された副画素を形成するように別々に着色された有機
エレクトロルミネセンス媒体を設け； （ｃ）複数の離間した電極を設けるよう着色された副画
素上に導電層を形成してパターン化する各段階からなる
多色有機エレクトロルミネセンス表示パネルを製造する
方法により達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】層の厚さのようなデバイス特徴寸
法はしばしばミクロン以下の範囲であり、図面は正確さ
よりもむしろ視覚的な理解を容易にするようにスケール
されている。「表示器」又は「表示パネル」という用語
はビデオ画像又はテキストを電子的に表示する能力のあ
るスクリーンを示すために用いられる。「画素」という
用語は他の領域と独立に光を放射するために刺激されう
る表示パネルの領域を意味するためにその技術で認めら
れた使用法で用いられる。「多色」という用語は異なる
領域で異なる色相の光を放射しうる表示パネルを記述す
るために用いられる。特に異なる色の画像を表示しうる
表示パネルを表すために用いられる。これらの領域は連
続である必要はない。「フルカラー」という用語はどの
ような色相の組合せも可視スペクトル及び表示画像の
赤、緑、青領域で放射されうる多色表示パネルを表すた
めに用いられる。赤、緑、青はこれらの原色を適切に混
合することで他の全ての色が発生しうる３原色を構成す
る。「色相」という用語は可視スペクトル内での光放射
の強度プロフィールを指し、異なる色相は視覚的に色が
異なるよう識別されることを示す。画素又は副画素（サ
ブピクセル）は表示パネル内の最小のアドレス可能な単
位を示すために一般に用いられる。白黒表示器に対して
画素と副画素の間の相違はない。「副画素」という用語
は多色表示パネルで用いられ、特定の色を放射するため
に独立してアドレス可能な画素の部分を示すために用い
られる。例えば青の副画素は青い光を放出するためにア
ドレスされる画素の一部分である。フルカラー表示器で
は画素は一般に３原色の副画素からなり、即ち青、緑、
赤である。「ピッチ」という用語は表示パネルで２つの
画素又は副画素を分離する距離を示すために用いられ
る。故に副画素ピッチは２つの副画素間の分離を意味す
る。
法はしばしばミクロン以下の範囲であり、図面は正確さ
よりもむしろ視覚的な理解を容易にするようにスケール
されている。「表示器」又は「表示パネル」という用語
はビデオ画像又はテキストを電子的に表示する能力のあ
るスクリーンを示すために用いられる。「画素」という
用語は他の領域と独立に光を放射するために刺激されう
る表示パネルの領域を意味するためにその技術で認めら
れた使用法で用いられる。「多色」という用語は異なる
領域で異なる色相の光を放射しうる表示パネルを記述す
るために用いられる。特に異なる色の画像を表示しうる
表示パネルを表すために用いられる。これらの領域は連
続である必要はない。「フルカラー」という用語はどの
ような色相の組合せも可視スペクトル及び表示画像の
赤、緑、青領域で放射されうる多色表示パネルを表すた
めに用いられる。赤、緑、青はこれらの原色を適切に混
合することで他の全ての色が発生しうる３原色を構成す
る。「色相」という用語は可視スペクトル内での光放射
の強度プロフィールを指し、異なる色相は視覚的に色が
異なるよう識別されることを示す。画素又は副画素（サ
ブピクセル）は表示パネル内の最小のアドレス可能な単
位を示すために一般に用いられる。白黒表示器に対して
画素と副画素の間の相違はない。「副画素」という用語
は多色表示パネルで用いられ、特定の色を放射するため
に独立してアドレス可能な画素の部分を示すために用い
られる。例えば青の副画素は青い光を放出するためにア
ドレスされる画素の一部分である。フルカラー表示器で
は画素は一般に３原色の副画素からなり、即ち青、緑、
赤である。「ピッチ」という用語は表示パネルで２つの
画素又は副画素を分離する距離を示すために用いられ
る。故に副画素ピッチは２つの副画素間の分離を意味す
る。
【０００９】図１を参照するに、有機ＥＬデバイス１０
０は多色画像を形成することが可能であることが示され
ている。光透過性、電気的に絶縁性の透明基板１１０の
上面が一連の光透過性列（カラム）電極１２０を有する
のが示されている。列電極は透明層から形成され、電気
的な隔離のために基板面上で側方に離間している。列電
極上にわたって有機ＥＬ媒体１３０がある。有機ＥＬ媒
体上にわたって平行に配置され、横方向に離間し、相互
に電気的に隔離された一連の行（ロウ）電極１４０があ
る。列及び行電極はＥＬ画素の２次元マトリックスを形
成するよう相互に直交するのが示される。
０は多色画像を形成することが可能であることが示され
ている。光透過性、電気的に絶縁性の透明基板１１０の
上面が一連の光透過性列（カラム）電極１２０を有する
のが示されている。列電極は透明層から形成され、電気
的な隔離のために基板面上で側方に離間している。列電
極上にわたって有機ＥＬ媒体１３０がある。有機ＥＬ媒
体上にわたって平行に配置され、横方向に離間し、相互
に電気的に隔離された一連の行（ロウ）電極１４０があ
る。列及び行電極はＥＬ画素の２次元マトリックスを形
成するよう相互に直交するのが示される。
【００１０】画素構造はまた図１に示される。各画素は
Ｂ，Ｇ，Ｒで示された３つの隣接する副画素により構成
される。各副画素は列電極と行電極の交差点で形成さ
れ、特定の色を放出するために独立にアドレスされる。
例えばＢで示された副画素は青の光を放射する有機ＥＬ
媒体を有する。同様にＧ，Ｒで示された副画素はそれぞ
れ緑、赤の光を放射する有機ＥＬ媒体を有する。故に各
画素はこの特定の構造で３つの独立にアドレス可能な列
電極と、１つの共通のアドレス可能な行を有し、図１に
示されるようなＥＬパネルは行電極の３倍の列電極を有
する。このＥＬパネルは原理的にフルカラーを表示可能
であり、副画素が青、緑、赤の原色から選択されるよう
設けられる。
Ｂ，Ｇ，Ｒで示された３つの隣接する副画素により構成
される。各副画素は列電極と行電極の交差点で形成さ
れ、特定の色を放出するために独立にアドレスされる。
例えばＢで示された副画素は青の光を放射する有機ＥＬ
媒体を有する。同様にＧ，Ｒで示された副画素はそれぞ
れ緑、赤の光を放射する有機ＥＬ媒体を有する。故に各
画素はこの特定の構造で３つの独立にアドレス可能な列
電極と、１つの共通のアドレス可能な行を有し、図１に
示されるようなＥＬパネルは行電極の３倍の列電極を有
する。このＥＬパネルは原理的にフルカラーを表示可能
であり、副画素が青、緑、赤の原色から選択されるよう
設けられる。
【００１１】図１はＥＬパネルでの限定された数の画素
を示す。原理的に画素の数はどのような大きさにも形成
されうるが、ＥＬパネルがその上に製造される基板の大
きさによってのみ制限される。画素解像度又は画素濃度
の数は非常に高く形成されうるが、着色された有機ＥＬ
媒体をパターン化するのに用いられる方法によってのみ
制限される。有機ＥＬ媒体のパターン化に対して本発明
で用いられる近接して離間した堆積はミリメートル当た
り１００画素の画素解像度を可能とする。
を示す。原理的に画素の数はどのような大きさにも形成
されうるが、ＥＬパネルがその上に製造される基板の大
きさによってのみ制限される。画素解像度又は画素濃度
の数は非常に高く形成されうるが、着色された有機ＥＬ
媒体をパターン化するのに用いられる方法によってのみ
制限される。有機ＥＬ媒体のパターン化に対して本発明
で用いられる近接して離間した堆積はミリメートル当た
り１００画素の画素解像度を可能とする。
【００１２】動作ではデバイス１００からの光放射の選
択されたパターンは透明な基板１１０の底面を観察する
ことにより見られるよう製造される。動作の好ましいモ
ードではデバイスは同時に画素の１行を順次励起し、各
行の繰り返される励起が典型的には一秒の約６０分の１
より小さい人間の目の検出限界より小さな速度で励起シ
ーケンスを繰り返すことにより放射するよう励起され
る。観察者は例えデバイスがどの瞬間にもただ１つの行
からのみ光を放射するにもかかわらず全ての励起された
行からの放射により形成された画像を見る。
択されたパターンは透明な基板１１０の底面を観察する
ことにより見られるよう製造される。動作の好ましいモ
ードではデバイスは同時に画素の１行を順次励起し、各
行の繰り返される励起が典型的には一秒の約６０分の１
より小さい人間の目の検出限界より小さな速度で励起シ
ーケンスを繰り返すことにより放射するよう励起され
る。観察者は例えデバイスがどの瞬間にもただ１つの行
からのみ光を放射するにもかかわらず全ての励起された
行からの放射により形成された画像を見る。
【００１３】デバイス１００の製造で第一の段階は図１
に示される列電極１２０を有する基板１１０の上面を設
けることである。基板に対する最も普通の選択はその透
明性故にガラスである。列電極用に用いられる最も普通
の材料はインジウム錫酸化物である。列電極はインジウ
ム錫酸化物塗布ガラス基板をフォトレジスト塗布及び現
像を含む従来技術のフォトリソグラフィ法を用いてパタ
ーン化することにより形成され、所望の電極パターンを
形成するために塩酸／硝酸の水溶液でのインジウム錫酸
化物層のエッチングが続く。インジウム錫酸化物、酸化
錫、又は類似の導電性透明酸化物を用いる代わりに列電
極は高い（例えば４．０ｅＶ以上）仕事関数の金属のい
ずれかの薄い、光透過性層で形成されうる。クロムと金
の混合物は特に好ましい。
に示される列電極１２０を有する基板１１０の上面を設
けることである。基板に対する最も普通の選択はその透
明性故にガラスである。列電極用に用いられる最も普通
の材料はインジウム錫酸化物である。列電極はインジウ
ム錫酸化物塗布ガラス基板をフォトレジスト塗布及び現
像を含む従来技術のフォトリソグラフィ法を用いてパタ
ーン化することにより形成され、所望の電極パターンを
形成するために塩酸／硝酸の水溶液でのインジウム錫酸
化物層のエッチングが続く。インジウム錫酸化物、酸化
錫、又は類似の導電性透明酸化物を用いる代わりに列電
極は高い（例えば４．０ｅＶ以上）仕事関数の金属のい
ずれかの薄い、光透過性層で形成されうる。クロムと金
の混合物は特に好ましい。
【００１４】次に列電極と共に適所に所望のパターンで
デバイスの多色有機ＥＬ媒体及び行電極部分を形成する
ことが可能である。図２は図１での符号Ａ−Ａで示され
た断面を示す。ＥＬデバイス１００は基板１１０、列電
極１２０、有機ＥＬ媒体１３０、行電極１４０を示す。
有機ＥＬ媒体を構成するのは３原色化されたＥＬ媒体１
３１、１３２、１３３である。
デバイスの多色有機ＥＬ媒体及び行電極部分を形成する
ことが可能である。図２は図１での符号Ａ−Ａで示され
た断面を示す。ＥＬデバイス１００は基板１１０、列電
極１２０、有機ＥＬ媒体１３０、行電極１４０を示す。
有機ＥＬ媒体を構成するのは３原色化されたＥＬ媒体１
３１、１３２、１３３である。
【００１５】第一にパターン化される対象は列電極上に
３原色有機ＥＬ媒体を選択的に堆積することである。こ
れは近接離間した堆積技術により達成され、堆積のシー
ケンスは図３の（ａ）から（ｅ）に示される。図３の
（ａ）は列電極１２０を有する透明基板１１０を示す。
近接離間した堆積法を用いて最初の主なＥＬ媒体１３１
は図３の（ｂ）に示されるように第一の主な副画素を形
成するために３つ毎の列電極上に堆積される。プロセス
は繰り返され、第二の主なＥＬ媒体１３２が図３の
（ｃ）に示されるように第一の副画素に隣接する列電極
上に選択的に堆積される。プロセスは図３の（ｄ）に示
されるように残りのカラム電極上に第三の主なＥＬ媒体
１３３を選択的に堆積するようもう一度繰り返される。
図３の（ｅ）に列電極１２０を有する完成されたＥＬパ
ネル構造を示す。
３原色有機ＥＬ媒体を選択的に堆積することである。こ
れは近接離間した堆積技術により達成され、堆積のシー
ケンスは図３の（ａ）から（ｅ）に示される。図３の
（ａ）は列電極１２０を有する透明基板１１０を示す。
近接離間した堆積法を用いて最初の主なＥＬ媒体１３１
は図３の（ｂ）に示されるように第一の主な副画素を形
成するために３つ毎の列電極上に堆積される。プロセス
は繰り返され、第二の主なＥＬ媒体１３２が図３の
（ｃ）に示されるように第一の副画素に隣接する列電極
上に選択的に堆積される。プロセスは図３の（ｄ）に示
されるように残りのカラム電極上に第三の主なＥＬ媒体
１３３を選択的に堆積するようもう一度繰り返される。
図３の（ｅ）に列電極１２０を有する完成されたＥＬパ
ネル構造を示す。
【００１６】近接離間した堆積技術は印刷応用で専ら用
いられてきた（米国特許第４７７２５８２号）。簡単に
いうとこの技術はドナーシートからドナーを選択的に活
性化することにより非常に接近して保持される受容体へ
材料の所定の量を転写するために用いられる。活性化プ
ロセスは通常合焦された光又は局所化された加熱要素に
より熱が供給される。この近接離間した堆積技術は有機
ＥＬ媒体を構成する分子材料がもともと典型的には４０
０゜Ｃ以下の比較的低温で昇華されうる故にＥＬパネル
製造に特に有用である。
いられてきた（米国特許第４７７２５８２号）。簡単に
いうとこの技術はドナーシートからドナーを選択的に活
性化することにより非常に接近して保持される受容体へ
材料の所定の量を転写するために用いられる。活性化プ
ロセスは通常合焦された光又は局所化された加熱要素に
より熱が供給される。この近接離間した堆積技術は有機
ＥＬ媒体を構成する分子材料がもともと典型的には４０
０゜Ｃ以下の比較的低温で昇華されうる故にＥＬパネル
製造に特に有用である。
【００１７】特にドナーシートは有機ＥＬ媒体からなる
層で塗布され、これはＥＬパネルを形成する基板にパタ
ーン毎に転写される。このパターン毎の転写は以下の２
つの方法のいずれか１つにより最も便利に達成される。
（１）ドナーシートは予めパターン化された光吸収層を
含む。次に所望の有機ＥＬ媒体はこのパターン化された
ドナーシート上に均一に塗布される。ドナーシートとＥ
Ｌ基板は非常に近接して保持され、適切な手段により相
互に関して正確に整列される。パターン毎の転写はドナ
ーシートを好ましくはドナーシート上のパターン化され
た吸収層により吸収される強いブランケット光源に曝す
ことにより達成される。 （２）ドナーシートはパターン化されない光吸収層を含
む。所望の有機ＥＬ媒体はこのドナーシート上に均一に
塗布される。ドナーシート及びＥＬ基板は非常に近接し
て保持され、適切な手段により相互に関して正確に整列
される。昇華によるドナーからＥＬ基板へのＥＬ媒体の
パターン毎の転写はレーザー又は局所化された熱要素の
ような強く合焦したビームでドナー吸収層上に書かれ
る。斯くして近接離間した堆積法によりパターン化され
た多色有機ＥＬ媒体は適切に着色された有機ＥＬ媒体の
異なるドナーシートを数回用いる転写プロセスを繰り返
すことにより簡単に発生可能である。
層で塗布され、これはＥＬパネルを形成する基板にパタ
ーン毎に転写される。このパターン毎の転写は以下の２
つの方法のいずれか１つにより最も便利に達成される。
（１）ドナーシートは予めパターン化された光吸収層を
含む。次に所望の有機ＥＬ媒体はこのパターン化された
ドナーシート上に均一に塗布される。ドナーシートとＥ
Ｌ基板は非常に近接して保持され、適切な手段により相
互に関して正確に整列される。パターン毎の転写はドナ
ーシートを好ましくはドナーシート上のパターン化され
た吸収層により吸収される強いブランケット光源に曝す
ことにより達成される。 （２）ドナーシートはパターン化されない光吸収層を含
む。所望の有機ＥＬ媒体はこのドナーシート上に均一に
塗布される。ドナーシート及びＥＬ基板は非常に近接し
て保持され、適切な手段により相互に関して正確に整列
される。昇華によるドナーからＥＬ基板へのＥＬ媒体の
パターン毎の転写はレーザー又は局所化された熱要素の
ような強く合焦したビームでドナー吸収層上に書かれ
る。斯くして近接離間した堆積法によりパターン化され
た多色有機ＥＬ媒体は適切に着色された有機ＥＬ媒体の
異なるドナーシートを数回用いる転写プロセスを繰り返
すことにより簡単に発生可能である。
【００１８】ドナーからＥＬ基板へのＥＬ媒体のパター
ン毎の転写は非常に高い解像度のパネルを提供する。解
像度は部分的にはドナーシートと受容体であるＥＬ基板
との間の分離により決定される。解像度を決定する他の
要因はドナーシート上で用いられる吸収剤の性質、転写
プロセスで用いられる光源のビームの大きさ、ドナーシ
ート材料の熱拡散パターンである。数ミクロン以下のオ
ーダーの着色された副画素ピッチはこの近接離間した堆
積法で達成され、ここでドナーシート及びＥＬ基板受容
体は直接接触で保持される。ドナーシートとＥＬ基板受
容体は相互に分離して保持され、この離間はパターン化
された転写プロセスに妥協することなくカラー副画素ピ
ッチの数倍大きい。
ン毎の転写は非常に高い解像度のパネルを提供する。解
像度は部分的にはドナーシートと受容体であるＥＬ基板
との間の分離により決定される。解像度を決定する他の
要因はドナーシート上で用いられる吸収剤の性質、転写
プロセスで用いられる光源のビームの大きさ、ドナーシ
ート材料の熱拡散パターンである。数ミクロン以下のオ
ーダーの着色された副画素ピッチはこの近接離間した堆
積法で達成され、ここでドナーシート及びＥＬ基板受容
体は直接接触で保持される。ドナーシートとＥＬ基板受
容体は相互に分離して保持され、この離間はパターン化
された転写プロセスに妥協することなくカラー副画素ピ
ッチの数倍大きい。
【００１９】近接離間した堆積法を用いる有機ＥＬ媒体
のパターン化はプリント応用で見いだされないドナーシ
ート上での幾つかの制限を有する。プリント応用とは異
なり、転写されたＥＬ媒体はＥＬデバイスで良好な性能
を有するよう比較的不純物が少ないことが必要である。
ＥＬ媒体以外のドナーから転写されたどのような不純物
もデバイス効率及び動作安定性に多くの悪影響を与え
る。またＥＬ媒体は異なる蒸気圧を有する材料の混合物
であるドープされた層を含む。ドナーからＥＬ基板に劣
化なしにその様なドープされた層を転写するためにはＥ
Ｌ媒体組成が特殊なドナーシート構成であることを要求
する。代替的にドープされた層を形成するＥＬ材料は同
等の蒸気圧を有するよう作られねばならず、それにより
ＥＬ媒体の所望の組成は転写プロセス中に準備される。
のパターン化はプリント応用で見いだされないドナーシ
ート上での幾つかの制限を有する。プリント応用とは異
なり、転写されたＥＬ媒体はＥＬデバイスで良好な性能
を有するよう比較的不純物が少ないことが必要である。
ＥＬ媒体以外のドナーから転写されたどのような不純物
もデバイス効率及び動作安定性に多くの悪影響を与え
る。またＥＬ媒体は異なる蒸気圧を有する材料の混合物
であるドープされた層を含む。ドナーからＥＬ基板に劣
化なしにその様なドープされた層を転写するためにはＥ
Ｌ媒体組成が特殊なドナーシート構成であることを要求
する。代替的にドープされた層を形成するＥＬ材料は同
等の蒸気圧を有するよう作られねばならず、それにより
ＥＬ媒体の所望の組成は転写プロセス中に準備される。
【００２０】それに続く有機ＥＬ媒体の堆積では行電極
の堆積用に用いられる源として金属が供される。効果的
な有機ＥＬデバイスとして行電極は低（４．０ｅＶより
低い）仕事関数を有する金属又は導電性材料であること
が要求される。一以上の低い仕事関数の材料が単独で又
は一以上のより高い仕事関数の金属と組み合わせてＴａ
ｎｇ等の米国特許第５０５９８６２号及び４８８５２１
１号に記載されるように使用することが可能である。行
電極のパターン化は従来のフォトリソグラフプロセスま
た好ましくはＴａｎｇ（米国特許第５２７６３８０号）
により開示された方法によりなされる。これらの特許の
記載はここに参考として引用する。
の堆積用に用いられる源として金属が供される。効果的
な有機ＥＬデバイスとして行電極は低（４．０ｅＶより
低い）仕事関数を有する金属又は導電性材料であること
が要求される。一以上の低い仕事関数の材料が単独で又
は一以上のより高い仕事関数の金属と組み合わせてＴａ
ｎｇ等の米国特許第５０５９８６２号及び４８８５２１
１号に記載されるように使用することが可能である。行
電極のパターン化は従来のフォトリソグラフプロセスま
た好ましくはＴａｎｇ（米国特許第５２７６３８０号）
により開示された方法によりなされる。これらの特許の
記載はここに参考として引用する。
【００２１】上記で有機ＥＬ媒体はその最も簡単な可能
な形態で記載されている。それは単一の有機ＥＬ媒体を
含む従来のデバイスを構築するのに用いられる従来の形
態の幾つかを取りうる有機ＥＬである。ＶａｎＳｌｙｋ
ｅ等により開示されるような（米国特許第５０６１６１
７号）より効果的な動作は各能動的副画素領域内の有機
ＥＬ媒体が重畳された層を含むときに実現する。効果的
な従来の多層有機ＥＬデバイスではホール注入及び移動
帯はホール注入電極上に塗布され、それはまた電子注入
及び移動帯でその上に塗布され、これは次に電子注入電
極により上塗りされる。
な形態で記載されている。それは単一の有機ＥＬ媒体を
含む従来のデバイスを構築するのに用いられる従来の形
態の幾つかを取りうる有機ＥＬである。ＶａｎＳｌｙｋ
ｅ等により開示されるような（米国特許第５０６１６１
７号）より効果的な動作は各能動的副画素領域内の有機
ＥＬ媒体が重畳された層を含むときに実現する。効果的
な従来の多層有機ＥＬデバイスではホール注入及び移動
帯はホール注入電極上に塗布され、それはまた電子注入
及び移動帯でその上に塗布され、これは次に電子注入電
極により上塗りされる。
【００２２】多層化された有機ＥＬ媒体を本発明の実施
に適用する場合に近接離間した堆積法により由来するエ
レクトロルミネセンスからの層のみをパターン化するこ
とが必要である。他の層は均一に、真空蒸着法のような
従来のどのような方法によってもパターン化せずに堆積
される。図４は順次ホール注入層４３０と、ホール移動
層４４０と、ルミネセンス層１３０と、電子移動層４６
０とを含むＥＬ媒体を含む有機ＥＬの構造を示す。上記
のように基板は１１０、列電極は１２０、行電極は１４
０である。ルミネセンス層１３０を除く全ての層は従来
の真空蒸着プロセスにより堆積されうる。ルミネセンス
層１３０は３つの主なＥＬ媒体１３１、１３２、１３３
を形成し、本発明で開示された近接離間した堆積により
堆積され、パターン化される。
に適用する場合に近接離間した堆積法により由来するエ
レクトロルミネセンスからの層のみをパターン化するこ
とが必要である。他の層は均一に、真空蒸着法のような
従来のどのような方法によってもパターン化せずに堆積
される。図４は順次ホール注入層４３０と、ホール移動
層４４０と、ルミネセンス層１３０と、電子移動層４６
０とを含むＥＬ媒体を含む有機ＥＬの構造を示す。上記
のように基板は１１０、列電極は１２０、行電極は１４
０である。ルミネセンス層１３０を除く全ての層は従来
の真空蒸着プロセスにより堆積されうる。ルミネセンス
層１３０は３つの主なＥＬ媒体１３１、１３２、１３３
を形成し、本発明で開示された近接離間した堆積により
堆積され、パターン化される。
【００２３】有機ＥＬ媒体は全て１ｍｍ以下であり、よ
り典型的には５０００オングストローム以下である。有
機ＥＬ媒体のそれぞれの層は５０オングストロームの厚
さを示し、一方で満足できるデバイス性能を示す。有機
ＥＬ媒体のそれぞれの層は一般に好ましくは１００から
２０００オングストロームの範囲の厚さを有し、有機Ｅ
Ｌ媒体の全体の厚さは少なくとも１０００オングストロ
ームである。
り典型的には５０００オングストローム以下である。有
機ＥＬ媒体のそれぞれの層は５０オングストロームの厚
さを示し、一方で満足できるデバイス性能を示す。有機
ＥＬ媒体のそれぞれの層は一般に好ましくは１００から
２０００オングストロームの範囲の厚さを有し、有機Ｅ
Ｌ媒体の全体の厚さは少なくとも１０００オングストロ
ームである。
【００２４】本発明の有機ＥＬ表示パネルで用いられる
有機材用と電極材料は上記で引用したＳｃｏｚｚａｆａ
ｖａ、及び以下に示すようなどのような形もとりうる；
Ｔａｎｇ米国特許第４３５６４２９号、ＶａｎＳｌｙｋ
ｅ等による米国特許第４５３９５０７号、ＶａｎＳｌｙ
ｋｅ等による米国特許第４７２０４３２号、Ｔａｎｇ等
による米国特許第４８８５２１１号、Ｔａｎｇ等による
米国特許第４７６９２９２号、Ｐｅｒｒｙ等による米国
特許第４９５０９５０号、Ｌｉｔｔｍａｎ等による米国
特許第５０５９８６１号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米
国特許第５０４７６８７号、１９９０年７月２６日出願
で、現在許可されたＳｃｏｚｚａｆａｖａ等によるＵ．
Ｓ．Ｓｅｒｉａｌ第５５７８５７号、ＶａｎＳｌｙｋｅ
等による米国特許第５０５９８６２号、ＶａｎＳｌｙｋ
ｅ等による米国特許第５０６１６１７号であり、これら
はここに参考として引用する。
有機材用と電極材料は上記で引用したＳｃｏｚｚａｆａ
ｖａ、及び以下に示すようなどのような形もとりうる；
Ｔａｎｇ米国特許第４３５６４２９号、ＶａｎＳｌｙｋ
ｅ等による米国特許第４５３９５０７号、ＶａｎＳｌｙ
ｋｅ等による米国特許第４７２０４３２号、Ｔａｎｇ等
による米国特許第４８８５２１１号、Ｔａｎｇ等による
米国特許第４７６９２９２号、Ｐｅｒｒｙ等による米国
特許第４９５０９５０号、Ｌｉｔｔｍａｎ等による米国
特許第５０５９８６１号、ＶａｎＳｌｙｋｅ等による米
国特許第５０４７６８７号、１９９０年７月２６日出願
で、現在許可されたＳｃｏｚｚａｆａｖａ等によるＵ．
Ｓ．Ｓｅｒｉａｌ第５５７８５７号、ＶａｎＳｌｙｋｅ
等による米国特許第５０５９８６２号、ＶａｎＳｌｙｋ
ｅ等による米国特許第５０６１６１７号であり、これら
はここに参考として引用する。
【００２５】
【実施例】例１ この例は熱堆積技術により製造された有機光放射ダイオ
ードの構成及び動作特性を説明する。このデバイスはＩ
ＴＯの塗布されたガラス基板の上に順次堆積された３つ
の有機層により作られる。最初から最後までのシーケン
スで、堆積された有機材料とその厚さは：銅フタロシア
ニン３７５オングストローム、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナ
フチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル３７５オン
グストローム、８−ヒドロオキシキノリンアルミニウム
（Ａｌｑ）６００オングストローム。それから合金Ｍ
ｇ：Ａｇ（約９０：１０の体積比）２０００オングスト
ロームは有機部分総体の上に蒸着される。このデバイス
を堆積するのに用いられる正確な手順はＶａｎＳｌｙｋ
ｅにより米国特許第５０６１５６９号の例１Ｅに記載さ
れている。陽極（ＩＴＯ）と陰極（Ｍｇ：Ａｇ）にわた
り印加される６．９ボルトの電位はこのデバイスを２０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流レベルで駆動する。この電流レベル
で０．３７ｍＷ／ｃｍ2 の放射パワーレベルが５４０ｎ
ｍでＥＬ放射最大でピーク波長を有するこのデバイス表
面から放射される。これは０．０１７Ｗ／ＡのＥＬパワ
ー効率に対応する。例２ この例はＡｌｑ層は近接離間した堆積技術により堆積さ
れたことを除き例１で記載されたデバイスと概略等価な
デバイスの調製と動作特性を説明する。銅フタロシアニ
ン層３７５オングストローム、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナ
フチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル３７５オン
グストロームが例１に記載されたように熱堆積によりＩ
ＴＯ塗布されたガラス基板の上面に堆積される。
ードの構成及び動作特性を説明する。このデバイスはＩ
ＴＯの塗布されたガラス基板の上に順次堆積された３つ
の有機層により作られる。最初から最後までのシーケン
スで、堆積された有機材料とその厚さは：銅フタロシア
ニン３７５オングストローム、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナ
フチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル３７５オン
グストローム、８−ヒドロオキシキノリンアルミニウム
（Ａｌｑ）６００オングストローム。それから合金Ｍ
ｇ：Ａｇ（約９０：１０の体積比）２０００オングスト
ロームは有機部分総体の上に蒸着される。このデバイス
を堆積するのに用いられる正確な手順はＶａｎＳｌｙｋ
ｅにより米国特許第５０６１５６９号の例１Ｅに記載さ
れている。陽極（ＩＴＯ）と陰極（Ｍｇ：Ａｇ）にわた
り印加される６．９ボルトの電位はこのデバイスを２０
ｍＡ／ｃｍ2 の電流レベルで駆動する。この電流レベル
で０．３７ｍＷ／ｃｍ2 の放射パワーレベルが５４０ｎ
ｍでＥＬ放射最大でピーク波長を有するこのデバイス表
面から放射される。これは０．０１７Ｗ／ＡのＥＬパワ
ー効率に対応する。例２ この例はＡｌｑ層は近接離間した堆積技術により堆積さ
れたことを除き例１で記載されたデバイスと概略等価な
デバイスの調製と動作特性を説明する。銅フタロシアニ
ン層３７５オングストローム、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナ
フチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル３７５オン
グストロームが例１に記載されたように熱堆積によりＩ
ＴＯ塗布されたガラス基板の上面に堆積される。
【００２６】ドナーシートは１ｘ１０-5の高真空条件下
で１０オングストローム／ｓの速度で光学的に透明なマ
イカ基板上にゲルマニウムに続いてクロムの１００オン
グストローム厚さの層を交互に堆積することにより調製
される。このシーケンスは繰り返され、結果として全体
の厚さは４００オングストロームとなる。光吸収層から
なる多層Ｃｒ／Ｇｅ構造は重要であり、以下の特性を意
図して開発された： （ａ）基板と同様にＣｒ，Ｇｅの両方は非常に低い蒸気
圧を有する。近接離間した堆積の条件下ではＣｒ／Ｇｅ
は不活性な光吸収物として、物理的になお完全な状態で
供され、故に所望の有機フィルムのみが転写され、ドナ
ーシートからのどのような汚染も被らない。
で１０オングストローム／ｓの速度で光学的に透明なマ
イカ基板上にゲルマニウムに続いてクロムの１００オン
グストローム厚さの層を交互に堆積することにより調製
される。このシーケンスは繰り返され、結果として全体
の厚さは４００オングストロームとなる。光吸収層から
なる多層Ｃｒ／Ｇｅ構造は重要であり、以下の特性を意
図して開発された： （ａ）基板と同様にＣｒ，Ｇｅの両方は非常に低い蒸気
圧を有する。近接離間した堆積の条件下ではＣｒ／Ｇｅ
は不活性な光吸収物として、物理的になお完全な状態で
供され、故に所望の有機フィルムのみが転写され、ドナ
ーシートからのどのような汚染も被らない。
【００２７】（ｂ）Ｃｒ／Ｇｅ構造は平坦でクラックの
ない、許容できる反射特性を有する全色吸収フィルムと
して供される。 （ｃ）Ｃｒ／Ｇｅ塗布されたマイカシートは高安定かつ
再使用可能なドナーを提供する。Ａｌｑドナーシートは
Ｃｒ／Ｇｅドナーシート上に従来技術の熱蒸着によりＡ
ｌｑの６００オングストローム層を堆積することにより
調製される。
ない、許容できる反射特性を有する全色吸収フィルムと
して供される。 （ｃ）Ｃｒ／Ｇｅ塗布されたマイカシートは高安定かつ
再使用可能なドナーを提供する。Ａｌｑドナーシートは
Ｃｒ／Ｇｅドナーシート上に従来技術の熱蒸着によりＡ
ｌｑの６００オングストローム層を堆積することにより
調製される。
【００２８】近接離間した堆積を実施するためにこのＡ
ｌｑドナーシートは銅フタロシアニン層及び、４，４’
ｂｉｓ［Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニル層で以前に塗布された基板に非常に近接して配置さ
れる。ドナーシート及び基板の分離は画素の寸法に比べ
て小さい距離に接触する間で変化されうる。接触はそれ
がドナーシートからの蒸発物のフラックスの発散する性
質を最小にし、それで表示パネル用の最も高い解像度を
製造しうる故に好ましい。１ｘ１０-5Ｔｏｒｒの高真空
条件下でキセノンフラッシュランプからの光はドナーシ
ートの裏を通して光吸収層上に石英円柱レンズで合焦さ
れ、ここで吸収された光学的エネルギーは熱エネルギー
に変換され、その一部分は蒸着層に伝達され、それを昇
華させ、基板の受容体上に濃縮される。Ｍｇ：Ａｇ陰極
は例１のようにこの有機部分総体の上に堆積される。陽
極と陰極にわたる７．３ボルトの印加された電位差はこ
のデバイスを電流密度２０ｍＡ／ｃｍ2 で動作するのに
必要とされる。この電流レベルでは０．３８ｍＷ／ｃｍ
2 の放射パワー密度がこのデバイス表面から放射され
る。例１と同様にスペクトル分布ピーク波長は５４０ｎ
ｍである。これは０．０１７Ｗ／ＡのＥＬパワー効率に
対応する。例３ この例ではＥＬ放射がＡｌｑのそれからＡｌｑフィルム
に混入されたドーパントの示す放射にシフトする。ドー
プされたＡｌｑ層は近接離間した過程により調製され
る。このデバイスの構成は例２に記載された過程と類似
である。銅フタロシアニン層（３７５オングストロー
ム）、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル
アミノ］ビフェニル（３７５オングストローム）がＩＴ
Ｏ塗布されたガラス基板の上面に順次堆積される。それ
で１．６モルパーセントの４−（ジシアノメチレン）−
２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４
Ｈ−ピランでドープされたＡｌｑで形成される４００オ
ングストローム層は改善されたドナーシートを用いる近
接離間した堆積技術により堆積される。このドナーシー
トは１ｘ１０-5の高真空条件下で光学的に透明なマイカ
基板上にゲルマニウムに続いてクロムの１００オングス
トローム厚さの層を順次に堆積することにより調製され
る。このシーケンスは繰り返され、結果として全体の厚
さは４００オングストロームとなる。１．６モルパーセ
ントの４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−
（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランでドー
プされたＡｌｑで共蒸着された４００オングストローム
の厚さの層が堆積される。ドナーシートは有機層上にク
ロムとゲルマニウムの１００オングストローム層を堆積
することにより完成する。金属層間にドープされたＥＬ
媒体をサンドイッチすることにより均一にドープされた
層はホストとドーパントの蒸気圧に依存して基板受容体
に転写される。それで４００オングストロームのＡｌｑ
の整然としたフィルムが近接離間した堆積技術を用いて
塗布された４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６
−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランでド
ープされた銅フタロシアニン層の上に熱蒸着される。こ
の層はＭｇ：Ａｇ陰極に続いて熱堆積にされる。このデ
バイスのＥＬスペクトル分布はドーパントの性質であ
り、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ
−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランは最大強度
を５９０ｎｍで示した。例４ この例は例３で作られたドープされたデバイスを調製す
るのに用いられるものより簡単化されたドナーシートの
構造を示す。この例では例２と同様にドナーシートは光
学的に透明なマイカ基盤上にゲルマニウムに続いてクロ
ムの１００オングストローム厚さの層を交互に、全体の
厚さが４００オングストロームのスタックが構成される
まで堆積される。この構造上にドープされたＥＬ媒体が
堆積される。ホストとドーパントは分子工学的にその蒸
気圧／温度プロファイルが同様になるようにされる。こ
れはペンダントバラスト群のより高い蒸気圧材料への付
加により達成される。ドープされたデバイスのこの構造
は例２の記載に追従したものであるが、改善されたドナ
ーシートを用いる。例５ このプロセスの有用性はそれがパターン化する方法で蒸
着物を堆積しうることにあり、それはフルカラー平面パ
ネル表示器の製造に必要である。フルカラー表示器を作
るために、３つのドナーシートが例３又は４により記載
されるように製造される。デバイスは例２のように製造
される。ＥＬ媒体のパターン化はドナーシートを画素毎
に高度に合焦された光源に曝すことにより又はフォトマ
スクを通して同時にドナーシートの大きな領域を曝すこ
とにより達成される。前者の方法の光源又は後者の方法
のマスクのみが受容体基板に整列する必要がある。ドナ
ーシートそれ自体は整列されず、故にフルカラー表示器
はそのひとつが各原色である３つのドナーシートを繰り
返し露出することにより製造される。例６ この例はパターン化された方法でＥＬ媒体を直接堆積す
る近接離間した堆積技術を用いる代替的な方法を説明す
る。デバイスの構成は例２と同様な方法で処理される。
ドナーシートはドナーシート上にある全ての光吸収金属
層がドナーシート上の金属の位置とＥＬ媒体が堆積され
る受容体シート上の領域との間の１対１対応が存在する
ような方法でパターン化すること以外は例３、４の記載
に準ずる。パターン化は最初にドナーシートを受容体シ
ートに整列することにより達成され、全体の領域を簡単
に露出する。プロセスは各異なるＥＬ媒体に対して繰り
返される。本発明はその好ましい実施例を特に参照して
詳細に説明してきたが、変形及び改良は本発明の精神及
び範囲内で有効である。
ｌｑドナーシートは銅フタロシアニン層及び、４，４’
ｂｉｓ［Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェ
ニル層で以前に塗布された基板に非常に近接して配置さ
れる。ドナーシート及び基板の分離は画素の寸法に比べ
て小さい距離に接触する間で変化されうる。接触はそれ
がドナーシートからの蒸発物のフラックスの発散する性
質を最小にし、それで表示パネル用の最も高い解像度を
製造しうる故に好ましい。１ｘ１０-5Ｔｏｒｒの高真空
条件下でキセノンフラッシュランプからの光はドナーシ
ートの裏を通して光吸収層上に石英円柱レンズで合焦さ
れ、ここで吸収された光学的エネルギーは熱エネルギー
に変換され、その一部分は蒸着層に伝達され、それを昇
華させ、基板の受容体上に濃縮される。Ｍｇ：Ａｇ陰極
は例１のようにこの有機部分総体の上に堆積される。陽
極と陰極にわたる７．３ボルトの印加された電位差はこ
のデバイスを電流密度２０ｍＡ／ｃｍ2 で動作するのに
必要とされる。この電流レベルでは０．３８ｍＷ／ｃｍ
2 の放射パワー密度がこのデバイス表面から放射され
る。例１と同様にスペクトル分布ピーク波長は５４０ｎ
ｍである。これは０．０１７Ｗ／ＡのＥＬパワー効率に
対応する。例３ この例ではＥＬ放射がＡｌｑのそれからＡｌｑフィルム
に混入されたドーパントの示す放射にシフトする。ドー
プされたＡｌｑ層は近接離間した過程により調製され
る。このデバイスの構成は例２に記載された過程と類似
である。銅フタロシアニン層（３７５オングストロー
ム）、４，４’ｂｉｓ［Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル
アミノ］ビフェニル（３７５オングストローム）がＩＴ
Ｏ塗布されたガラス基板の上面に順次堆積される。それ
で１．６モルパーセントの４−（ジシアノメチレン）−
２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４
Ｈ−ピランでドープされたＡｌｑで形成される４００オ
ングストローム層は改善されたドナーシートを用いる近
接離間した堆積技術により堆積される。このドナーシー
トは１ｘ１０-5の高真空条件下で光学的に透明なマイカ
基板上にゲルマニウムに続いてクロムの１００オングス
トローム厚さの層を順次に堆積することにより調製され
る。このシーケンスは繰り返され、結果として全体の厚
さは４００オングストロームとなる。１．６モルパーセ
ントの４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−
（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランでドー
プされたＡｌｑで共蒸着された４００オングストローム
の厚さの層が堆積される。ドナーシートは有機層上にク
ロムとゲルマニウムの１００オングストローム層を堆積
することにより完成する。金属層間にドープされたＥＬ
媒体をサンドイッチすることにより均一にドープされた
層はホストとドーパントの蒸気圧に依存して基板受容体
に転写される。それで４００オングストロームのＡｌｑ
の整然としたフィルムが近接離間した堆積技術を用いて
塗布された４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６
−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランでド
ープされた銅フタロシアニン層の上に熱蒸着される。こ
の層はＭｇ：Ａｇ陰極に続いて熱堆積にされる。このデ
バイスのＥＬスペクトル分布はドーパントの性質であ
り、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ
−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランは最大強度
を５９０ｎｍで示した。例４ この例は例３で作られたドープされたデバイスを調製す
るのに用いられるものより簡単化されたドナーシートの
構造を示す。この例では例２と同様にドナーシートは光
学的に透明なマイカ基盤上にゲルマニウムに続いてクロ
ムの１００オングストローム厚さの層を交互に、全体の
厚さが４００オングストロームのスタックが構成される
まで堆積される。この構造上にドープされたＥＬ媒体が
堆積される。ホストとドーパントは分子工学的にその蒸
気圧／温度プロファイルが同様になるようにされる。こ
れはペンダントバラスト群のより高い蒸気圧材料への付
加により達成される。ドープされたデバイスのこの構造
は例２の記載に追従したものであるが、改善されたドナ
ーシートを用いる。例５ このプロセスの有用性はそれがパターン化する方法で蒸
着物を堆積しうることにあり、それはフルカラー平面パ
ネル表示器の製造に必要である。フルカラー表示器を作
るために、３つのドナーシートが例３又は４により記載
されるように製造される。デバイスは例２のように製造
される。ＥＬ媒体のパターン化はドナーシートを画素毎
に高度に合焦された光源に曝すことにより又はフォトマ
スクを通して同時にドナーシートの大きな領域を曝すこ
とにより達成される。前者の方法の光源又は後者の方法
のマスクのみが受容体基板に整列する必要がある。ドナ
ーシートそれ自体は整列されず、故にフルカラー表示器
はそのひとつが各原色である３つのドナーシートを繰り
返し露出することにより製造される。例６ この例はパターン化された方法でＥＬ媒体を直接堆積す
る近接離間した堆積技術を用いる代替的な方法を説明す
る。デバイスの構成は例２と同様な方法で処理される。
ドナーシートはドナーシート上にある全ての光吸収金属
層がドナーシート上の金属の位置とＥＬ媒体が堆積され
る受容体シート上の領域との間の１対１対応が存在する
ような方法でパターン化すること以外は例３、４の記載
に準ずる。パターン化は最初にドナーシートを受容体シ
ートに整列することにより達成され、全体の領域を簡単
に露出する。プロセスは各異なるＥＬ媒体に対して繰り
返される。本発明はその好ましい実施例を特に参照して
詳細に説明してきたが、変形及び改良は本発明の精神及
び範囲内で有効である。
【００２９】
【発明の効果】本発明の利点は多色ＥＬ表示器は簡単な
方法により作られ、ここで着色された有機ＥＬ媒体はＥ
Ｌパネルを形成する基板上に近接して離間した堆積プロ
セスによりパターン毎に堆積される。本発明の方法はそ
れぞれの画素の色を決めるのに従来のフォトリソグラフ
ィを要求せず、故にフォトリソグラフィ処理を有する有
機ＥＬ媒体の不適合問題を回避しうる。
方法により作られ、ここで着色された有機ＥＬ媒体はＥ
Ｌパネルを形成する基板上に近接して離間した堆積プロ
セスによりパターン毎に堆積される。本発明の方法はそ
れぞれの画素の色を決めるのに従来のフォトリソグラフ
ィを要求せず、故にフォトリソグラフィ処理を有する有
機ＥＬ媒体の不適合問題を回避しうる。
【００３０】本発明の他の利点は数ミクロンの大きさの
画素ピッチを有する非常に高解像度のＥＬパネルを製造
可能であることである。それにより多色有機ＥＬパネル
が製造される本発明のプロセスはＥＬ媒体がどの所望の
パターン上にも最初に堆積されうるという利点を提供す
る。これ故に所望のパターンを形成するためのＥＬ媒体
の除去及びその様な過程を実行する欠点は完全に解消さ
れた。
画素ピッチを有する非常に高解像度のＥＬパネルを製造
可能であることである。それにより多色有機ＥＬパネル
が製造される本発明のプロセスはＥＬ媒体がどの所望の
パターン上にも最初に堆積されうるという利点を提供す
る。これ故に所望のパターンを形成するためのＥＬ媒体
の除去及びその様な過程を実行する欠点は完全に解消さ
れた。
【図１】本発明の多色有機ＥＬ表示パネルの平面図であ
る。
る。
【図２】多色有機ＥＬ表示パネルの断面図である。
【図３】（ａ）から（ｅ）は多色有機ＥＬ表示パネルの
製造の連続する段階の断面図である。
製造の連続する段階の断面図である。
【図４】多層化された有機ＥＬ媒体を有する多色有機Ｅ
Ｌ表示パネルの断面図である。
Ｌ表示パネルの断面図である。
１００ ＥＬデバイス １１０ 基板 １２０ 列電極 １３０ 有機ＥＬ媒体 １３１ 青の有機ＥＬ媒体 １３２ 緑の有機ＥＬ媒体 １３３ 赤の有機ＥＬ媒体 １４０ 行電極 ４３０ ホール注入層 ４４０ ホール移動層 ４６０ 電子移動層
Claims (3)
- 【請求項１】（ａ）透明基板上に複数の離間した電極を
設けるよう透明導電層を形成してパターン化し； （ｂ）離間した電極上に近接して離間した堆積により着
色された副画素を形成するように別々に着色された有機
エレクトロルミネセンス媒体を設け； （ｃ）複数の離間した電極を設けるよう着色された副画
素上に導電層を形成してパターン化する各段階からなる
多色有機エレクトロルミネセンス表示パネルを製造する
方法。 - 【請求項２】 ドナーシートから複数の離間した電極を
有する透明基板へ着色された有機エレクトロルミネセン
ス媒体を転写し；近接して離間した堆積プロセス中のド
ナーシートと基板との間の分離が着色された副画素のピ
ッチの５倍より大きくない寸法にドナーシートと基板と
の間の直接接触の範囲内にあるようにする段階を更に含
む請求項１記載の方法。 - 【請求項３】（ａ）透明基板上に複数の離間した電極を
設けるよう透明導電層を形成してパターン化し； （ｂ）離間した電極上に近接して離間した堆積によりそ
れぞれ青、緑、赤の原色を放射する隣接して着色された
副画素を形成するように青、緑、赤の有機エレクトロル
ミネセンス媒体を設け； （ｃ）複数の離間した電極を設けるために着色された副
画素上に導電層を形成してパターン化する各段階からな
るフルカラー有機エレクトロルミネセンス表示パネルを
製造する方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US642995P | 1995-11-13 | 1995-11-13 | |
| US006429 | 1996-05-16 | ||
| US648772 | 1996-05-16 | ||
| US08/648,772 US5688551A (en) | 1995-11-13 | 1996-05-16 | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167684A true JPH09167684A (ja) | 1997-06-24 |
| JP3789991B2 JP3789991B2 (ja) | 2006-06-28 |
Family
ID=26675620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29904196A Expired - Lifetime JP3789991B2 (ja) | 1995-11-13 | 1996-11-11 | 有機エレクトロルミネセンス媒体を熱転写するためのドナーシート及びフルカラー有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5688551A (ja) |
| EP (1) | EP0773707B1 (ja) |
| JP (1) | JP3789991B2 (ja) |
| DE (1) | DE69619470T2 (ja) |
Cited By (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11260549A (ja) * | 1998-03-09 | 1999-09-24 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US6165543A (en) * | 1998-06-17 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Method of making organic EL device and organic EL transfer base plate |
| US6366016B1 (en) | 1998-01-22 | 2002-04-02 | Nec Corporation | Multicolor organic electroluminescent panel and process for production thereof |
| WO2003003794A1 (fr) * | 2001-06-27 | 2003-01-09 | Sony Corporation | Element electroluminescent |
| KR100390409B1 (ko) * | 2000-06-19 | 2003-07-07 | 엘지전자 주식회사 | 풀칼라 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
| US6650464B2 (en) | 2001-01-25 | 2003-11-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Laser processing device and organic electroluminescent display panel using the same |
| US6716662B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method for organic electroluminescent device |
| JP2004200170A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Samsung Sdi Co Ltd | レーザー転写法を用いる低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム及びこのフィルムを用いる低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法 |
| US6805979B2 (en) | 2001-05-18 | 2004-10-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transfer film and process for producing organic electroluminescent device using the same |
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| JP2005158757A (ja) * | 2005-03-07 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP2005521209A (ja) * | 2002-03-20 | 2005-07-14 | 富士写真フイルム株式会社 | 有機薄膜素子及びその製造方法 |
| JP2006309995A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sony Corp | 転写用基板および表示装置の製造方法ならびに表示装置 |
| JP2006344459A (ja) * | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sony Corp | 転写方法および転写装置 |
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