JP2007066907A - レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 352
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 68
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 14
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910002518 CoFe2O4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002122 magnetic nanoparticle Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
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Abstract
【解決手段】 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において,第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び第3サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び上記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され,磁石または磁性体を含む基板ステージと,上記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと,
上記基板ステージと上記レーザオシレータの間に設置され,レーザを通過させる開口ホームと,上記基板ステージと磁気力を形成する密着フレームと,上記密着フレームを上記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と,を含んで構成される。
【選択図】図2
Description
この時,アクセプタ基板14とドナーフィルム15の間に異物や空間なしにラミネーティングされるために,レーザ熱転写が行われるチャンバ11内部を真空で維持せず,基板ステージ12下部にホース16を連結して真空ポンプPで吸いこみ,アクセプタ基板14とドナーフィルム15を合着させる。
上記第3密着フレームの開口ホームを通じて上記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;を含むことを特徴とする,有機発光素子の製造方法が提供される。
図2は,本発明の一実施形態によるレーザ熱転写装置の分解斜視図である。これによれば,レーザ熱転写装置100は,基板ステージ110,レーザオシレータ120,密着フレーム130,密着フレーム移動手段140,及びチャンバ150を含んで構成される。
以下の実施形態での図面符号は,第1実施形態と同じ構成の場合,同じ符号を付与する。
第3実施形態では第1実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。
第4実施形態では第1実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。
第5実施形態では上記実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。図13aは,第1密着フレーム130aの一実施形態を示し,図13bは,第2密着フレーム130bの一実施形態を図示する。
第6実施形態では上記実施形態と区別される密着フレーム及び製造方法に対してのみ詳しく説明する。図15aは,本発明の第6実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第1密着フレームの一実施形態を図示した斜視図である。また,図15bは,本発明の第6実施形態にかかるレーザ熱転写装置の第2密着フレームの一実施形態を図示した斜視図であり,図15cは,本発明の第6実施形態にかかる第3密着フレームの一実施形態を図示した斜視図である。
この時,第1及び第2サブピクセルを成す色相は,赤及び緑で,二つの第3サブピクセルを成す色相は青であることが好ましい。
200 基板ステージ
300 密着フレーム
400 レーザオシレータ
Claims (61)
- 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において:
第1サブピクセル,第2サブピクセル及び第3サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され,磁石または磁性体を含む基板ステージと;
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;
を備え,
前記基板ステージと前記レーザオシレータの間には,
レーザを通過させる開口ホームと;
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと;
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備えることを特徴とするレーザ熱転写装置。 - 前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする,請求項1に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記密着フレームは,
前記第1サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第1密着フレームと,
前記第2サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第2密着フレームと,
前記第3サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第3密着フレームと,で構成され,前記第1密着フレーム,前記第2密着フレーム及び前記第3密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする,請求項1または2に記載のレーザ熱転写装置。 - 前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は,前記各密着フレームの面積の1%〜50%であることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 前記基板ステージには磁石が含まれ,
前記密着フレームには,永久磁石,電磁石及び磁性体で構成される群より選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージには磁性体が含まれ,
前記密着フレームには,永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で,少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 請求項1のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において:
磁石を含む基板ステージ上に第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び第3サブピクセルがストライプ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
前記第1色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して第1色相有機発光層を第1サブピクセル領域に転写する第1転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する第1密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され,磁石を含む第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルム上にレーザを照射して第2色相有機発光層を第2サブピクセル領域に転写する第2転写段階と;
前記第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離する第2密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第3ドナーフィルム移送段階と;
前記第3色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され,磁石を含む前記第3密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第3密着フレーム密着段階と;
前記第3密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;
を含むことを特徴とする,有機発光素子の製造方法。 - 前記各段階は,真空下で遂行されることを特徴とする,請求項8に記載の有機発光素子の製造方法。
- 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において;
第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び第3サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され,磁石または磁性体を含む基板ステージと;
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;
を備え,
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には,
レーザを通過させる開口ホームと;
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと;
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備えることを特徴とする,レーザ熱転写装置。 - 前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする,請求項10に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記密着フレームは,
前記第1サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第1密着フレームと,
前記第2サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第2密着フレームと,
前記第3サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第3密着フレームと,
で構成され,前記第1密着フレーム,前記第2密着フレーム及び前記第3密着フレームが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする,請求項10または11に記載のレーザ熱転写装置。 - 前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は,前記各密着フレームの面積の1%〜50%であることを特徴とする,請求項10〜12のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 前記基板ステージには磁石が含まれ,
前記密着フレームには永久磁石,電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする,請求項10〜13のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージには磁性体が含まれ,
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする,請求項10〜13のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で,少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする,請求項10〜13のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 請求項10のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において:
磁石を含む基板ステージ上に第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び第3サブピクセルがモザイク型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
前記第1色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して第1色相有機発光層を第1サブピクセル領域に転写する第1転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する第1密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され,磁石を含む第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルム上にレーザを照射して第2色相有機発光層を第2サブピクセル領域に転写する第2転写段階と;
前記第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離する第2密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第3ドナーフィルム移送段階と;
前記第3色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され,磁石を含む前記第3密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第3密着フレーム密着段階と;
前記第3密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;
を含むことを特徴とする,有機発光素子の製造方法。 - 前記各段階は,真空下で遂行されることを特徴とする,請求項17に記載の有機発光素子の製造方法。
- 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において:
第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び第3サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され,磁石または磁性体を含む基板ステージと;
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;
を備え,
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には,
レーザを通過させる開口ホームと;
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する密着フレームと;
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備えることを特徴とする,レーザ熱転写装置。 - 前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空に維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする,請求項19に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記密着フレームは,
前記第1サブピクセル及び前記第2サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第1密着フレームと,
前記第3サブピクセルを形成するための開口ホームが形成された第2密着フレームと,で構成され,前記第1密着フレームと前記第2密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする,請求項19または20に記載のレーザ熱転写装置。 - 前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は,前記各密着フレームの面積の1%〜50%であることを特徴とする,請求項19〜21のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 前記基板ステージには磁石が含まれ,
前記密着フレームには永久磁石,電磁石及び磁性体で構成される群から選択されるすくなくとも一つが含まれることを特徴とする,請求項19〜22のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージには磁性体が含まれ,
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする,請求項19〜22のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で,少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする,請求項19〜22のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 第19項のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において:
磁石を含む基板ステージ上に第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び第3サブピクセルがデルタ型に配置されるように形成された画素定義領域を備えるアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
前記第1色相及び第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して第1色相有機発光層を第1サブピクセル領域に転写する第1転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する第1密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第1密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第1密着フレーム再密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルム上にレーザを照射して第2色相有機発光層を第2サブピクセル領域に転写する第2転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離し,前記第3ドナーフィルムの第3色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され,磁石を含む第2密着フレームに交換する第2密着フレーム交換段階と;
前記アクセプタ基板上に第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第2密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;
を含むことを特徴とする,有機発光素子の製造方法。 - 前記各段階は,真空下で遂行されることを特徴とする,請求項26に記載の有機発光素子の製造方法。
- 第1〜第3色相発光層を含む少なくとも三つのサブピクセルが一つの画素を成し,前記第1〜第3色相発光層の中で少なくとも一色相の発光層は,画素部の全面に共通に形成される有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において:
磁石または磁性体を含む基板ステージ及び前記基板ステージと;
レーザオシレータの間に設置される密着フレームと;
レーザ熱転写が行われるチャンバと;
前記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための前記レーザオシレータと;
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え,
前記密着フレームは,前記密着フレームと磁気力を形成し,前記第1及び第2サブピクセルを形成するための開口ホームを有することを特徴とする,レーザ熱転写装置。 - 前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムのラミネーティングが遂行される空間を真空で維持するチャンバをさらに含むことを特徴とする,請求項28に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記各密着フレームにおける開口ホームの面積は,前記各密着フレームの面積の1%〜50%であることを特徴とする,請求項28または29に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記基板ステージには磁石が含まれ,
前記密着フレームには永久磁石,電磁石及び磁性体で構成される群から選択される少なくとも一つが含まれることを特徴とする,請求項28〜30のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージには磁性体が含まれ,
前記密着フレームには永久磁石または電磁石が含まれることを特徴とする,請求項28〜30のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージまたは前記密着フレームの中で,少なくとも一つには電磁石が含まれることを特徴とする,請求項28〜30のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 第28項のレーザ熱転写装置によって第1及び第2電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において:
磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの画素を成す第1サブピクセル,第2サブピクセル及び第3サブピクセル領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセル領域に転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
磁石または磁性体を含み,前記第1色相及び第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる密着フレーム密着段階と;
レーザオシレータから前記密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して前記第1色相有機発光層を前記第1サブピクセル領域に転写する第1サブピクセル転写段階と;
前記密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる密着フレーム再密着段階と;
前記レーザオシレータから前記密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルムにレーザを照射して前記第2色相有機発光層を前記第2サブピクセル領域に転写する第2サブピクセル転写段階と;
を含み,
前記第3サブピクセルの発光層は,
前記画素が形成される画素部領域に共通に蒸着されて形成されることを特徴とする,有機発光素子の製造方法。 - 前記第1〜第3サブピクセルは,1×3行列を成して一つの画素を形成し,
前記第1サブピクセル転写段階で前記第1色相有機発光層は,前記画素内の第1行1列に形成されるように転写され,
前記第2サブピクセル転写段階で前記第2色相有機発光層は,前記画素内の第1行2列に形成されるように転写されることを特徴とする,請求項34に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1色相有機発光層は赤発光層であり,
前記第2色相有機発光層は緑発光層であり,
前記第3色相有機発光層は青発光層であることを特徴とする,請求項34または35に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1色相有機発光層は緑発光層であり,
前記第2色相有機発光層は赤発光層であり,
前記第3色相有機発光層は青発光層であることを特徴とする,請求項34または35に記載の有機発光素子の製造方法。 - 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において:
第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び2個の第3サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され,磁石を含む基板ステージと;
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;
前記基板ステージと前記レーザオシレータの間に設置され,レーザを通過させる開口ホームと;
前記基板ステージと磁気力を形成する磁石を含む密着フレームと;
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え,
前記密着フレームは,
前記第1サブピクセル及び前記第2サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第1密着フレームと,
前記2個の第3サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第2密着フレームと,で構成され,前記第1密着フレームと前記第2密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とする,レーザ熱転写装置。 - 少なくとも前記基板ステージと前記密着フレームを内部に含むチャンバをさらに含むことを特徴とする,請求項38に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記開口ホームの大きさは,前記密着フレームの面積の1%〜50%であることを特徴とする,請求項38または39に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記密着フレームの磁石または前記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは,電磁石であることを特徴とする,請求項38〜40のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 前記密着フレームの磁石または前記基板ステージの磁石の中で少なくとも一つは,永久磁石であることを特徴とする,請求項38〜40のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 有機発光素子の発光層を形成するレーザ熱転写装置において:
第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び2個の第3サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板及び前記画素定義領域に転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムが順次移送されて積層され,磁石を含む基板ステージと;
前記ドナーフィルムにレーザを照射するレーザオシレータと;
を備え,
前記基板ステージと前記レーザオシレータとの間には,
レーザを通過させる開口ホームと;
前記基板ステージとの間に磁気力を形成する磁性体を含む密着フレームと;
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え,
前記密着フレームは,
前記第1サブピクセル及び前記第2サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第1密着フレームと;
前記2個の第3サブピクセルを形成する開口ホームが形成された第2密着フレームと;で構成され,
前記第1密着フレームと前記第2密着フレームとが交代に装着されながら有機発光素子の発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置。 - 前記磁性体は,Fe,Ni,Cr,Fe2O3,Fe3O4,CoFe2O4,磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであることを特徴とする,請求項43に記載のレーザ熱転写装置。
- 請求項38項のレーザ熱転写装置によって電極の間の発光層が形成される有機発光素子を製造する方法において:
磁石を含む基板ステージ上に第1サブピクセル,第2サブピクセル,及び2個の第3サブピクセルが一つの画素を成す画素定義領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
前記第1色相及び第2色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成されて磁石を含む第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して第1色相有機発光層を第1サブピクセル領域に転写する第1転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離する第1密着フレーム分離段階と;
前記アクセプタ基板上に第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第1密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力に再密着させる第1密着フレーム再密着段階と;
前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルム上にレーザを照射して第2色相有機発光層を第2サブピクセル領域に転写する第2転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離し,前記第3ドナーフィルムの第3色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成され,磁石を含む第2密着フレームで交換する第2密着フレーム交換段階と;
前記アクセプタ基板上に第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第3ドナーフィルム移送段階と;
前記第2密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルム上にレーザを照射して第3色相有機発光層を2個の第3サブピクセル領域に転写する第3転写段階と;
を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 前記四つのサブピクセルが2×2行列を成して一つの画素を形成し,
前記第1転写段階で第1色相有機発光層は,前記画素内の左上端に形成されるように転写され,
前記第2転写段階で第2色相有機発光層は,前記第1サブピクセルの右側に形成されるように転写され,
前記第3転写段階で第3色相有機発光層は,前記第1サブピクセル及び前記第2サブピクセルの下にそれぞれ一つずつ形成されるように転写されることを特徴とする,請求項45に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記四つのサブピクセルが2×2行列を成して一つの画素を形成し,
前記第1転写段階で第1色相有機発光層は,前記画素内の左上端に形成されるように転写され,
前記第2転写段階で第2色相有機発光層は,前記第1サブピクセルの下側に形成されるように転写され,
前記第3転写段階で第3色相有機発光層は,前記第1サブピクセル及び前記第2サブピクセルの各右側に形成されるように転写されることを特徴とする,請求項45に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1転写段階で転写される第1色相有機発光層の色相は赤で,
前記第2転写段階で転写される第2色相有機発光層の色相は緑で,
前記第3転写段階で転写される第3色相有機発光層の色相は青であることを特徴とする,請求項45〜27のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1転写段階で転写される第1色相有機発光層の色相は緑で,
前記第2転写段階で転写される第2色相有機発光層の色相は赤で,
前記第3転写段階で転写される第3色相有機発光層の色相は青であることを特徴とする,請求項45〜27のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。 - 有機発光ダイオードの発光層を形成するレーザ熱転写装置において:
磁石または磁性体を含む基板ステージと前記基板ステージとレーザオシレータとの間に設置される密着フレームと;
レーザ熱転写が行われるチャンバと;
前記密着フレーム及びドナーフィルムにレーザを照射するための前記レーザオシレータと;
前記密着フレームを前記基板ステージ方向に往復移動させる密着フレーム移動手段と;を備え,
前記密着フレームは,
磁石または磁性体を含み,一つの第1サブピクセルと一つの第2サブピクセル及び二つの第3サブピクセルが一つの画素を成すように配列された第1〜第3サブピクセルの中で前記第1サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第1密着フレームと;
前記第2サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第2密着フレームと;
前記二つの第3サブピクセル領域に対応される開口ホームが形成された第3密着フレームと;
を備え,前記第1〜第3密着フレームが順次装着されながら有機発光ダイオードの発光層を形成することを特徴とするレーザ熱転写装置。 - 前記密着フレーム移動手段は,
前記密着フレームを上下に移動させるための上下駆動部と,
前記上下駆動部及び前記密着フレームが安着された第1トレイに連結された連結バーと,を備えたことを特徴とする,請求項50に記載のレーザ熱転写装置。 - 前記基板ステージ及び前記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた前記磁石は電磁石であることを特徴とする,請求項50または51に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記基板ステージ及び前記密着フレームの群より選択される少なくとも一つに含まれた前記磁石は永久磁石であることを特徴とする,請求項50または51に記載のレーザ熱転写装置。
- 前記磁性体はFe,Ni,Cr,Fe2O3,Fe3O4,CoFe2O4,磁性ナノ粒子及びその混合物で構成される群から選択される少なくともひとつであることを特徴とする,請求項50〜53のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 前記基板ステージには,前記一つの第1サブピクセルと前記一つの第2サブピクセル及び前記二つの第3サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板と,前記アクセプタ基板上のサブピクセルに転写される有機発光層を備える各ドナーフィルムと,が順次移送されて積層されることを特徴とする,請求項50〜54のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。
- 前記密着フレーム移動手段は,
前記第1密着フレーム,前記第2密着フレーム及び前記第3密着フレームを順次交換させる交換手段をさらに備えたことを特徴とする,請求項50〜55のいずれかに記載のレーザ熱転写装置。 - 請求項50のレーザ熱転写装置によって第1及び第2電極の間の発光層が形成される有機発光ダイオードを製造する方法において:
磁石または磁性体を含む基板ステージ上に一つの第1サブピクセルと一つの第2サブピクセル及び二つの第3サブピクセルが一つの画素を成すように画素領域が形成されたアクセプタ基板を設置するアクセプタ基板移送段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第1サブピクセルに転写される第1色相有機発光層を備えるドナーフィルムを設置する第1ドナーフィルム移送段階と;
磁石または磁性体を含んで前記第1色相有機発光層を転写するためのレーザが通過される開口ホームが形成された第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第1密着フレーム密着段階と;
レーザオシレータから前記第1密着フレームの開口ホームを通じて前記第1ドナーフィルム上にレーザを照射して前記第1色相有機発光層を前記第1サブピクセル領域に転写する第1サブピクセル転写段階と;
前記第1密着フレームを前記第1ドナーフィルムから分離し,磁石または磁性体を含んで前記第2ドナーフィルムの第2色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第2密着フレームに交換する第2密着フレーム交換段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第2色相有機発光層を備える第2ドナーフィルムを前記第1ドナーフィルムと交換して設置する第2ドナーフィルム移送段階と;
前記第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第2密着フレーム密着段階と;
前記レーザオシレータから前記第2密着フレームの開口ホームを通じて前記第2ドナーフィルムにレーザを照射して前記第2色相有機発光層を前記第2サブピクセル領域に転写する第2サブピクセル転写段階と;
前記第2密着フレームを前記第2ドナーフィルムから分離し,磁石または磁性体を含んで前記第3ドナーフィルムの第3色相有機発光層を転写するための開口ホームが形成された第3密着フレームに交換する第3密着フレーム交換段階と;
前記アクセプタ基板上に前記第3色相有機発光層を備える第3ドナーフィルムを前記第2ドナーフィルムと交換して設置する第3ドナーフィルム移送段階と;
前記第3密着フレームを前記第3ドナーフィルムに磁気的引力で密着させる第3密着フレーム密着段階と;
前記レーザオシレータから前記第3密着フレームの開口ホームを通じて前記第3ドナーフィルムにレーザを照射して前記第3色相有機発光層を前記第3サブピクセル領域に転写する第3サブピクセル転写段階と;
を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 前記一つの第1サブピクセルと前記一つの第2サブピクセルと前記二つの第3サブピクセルは,2×2行列を成して一つの画素を形成し,
前記第1サブピクセル転写段階で前記第1色相有機発光層は,前記画素内の第1行1列に形成されるように転写し,
前記第2サブピクセル転写段階で前記第2色相有機発光層は,前記画素内の第1行2列に形成されるように転写し,
前記第3サブピクセル転写段階で前記二つの第3色相有機発光層は,前記画素内の第2行1列及び第2行2列に形成されるように転写することを特徴とする,請求項57に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記一つの第1サブピクセルと前記一つの第2サブピクセルと前記二つの第3サブピクセルは,2×2行列を成して一つの画素を形成し,
前記第1サブピクセル転写段階で前記第1色相有機発光層は,前記画素内の第1行1列に形成されるように転写し,
前記第2サブピクセル転写段階で前記第2色相有機発光層は,前記画素内の第2行1列に形成されるように転写し,
前記第3サブピクセル転写段階で前記二つの第3色相有機発光層は,前記画素内の第1行2列及び第2行2列に形成されるように転写することを特徴とする,請求項57に記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1サブピクセルは赤サブピクセルであり,
前記第2サブピクセルは緑サブピクセルであり,
前記第3サブピクセルは青サブピクセルであることを特徴とする,請求項57〜59のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。 - 前記第1サブピクセルは緑サブピクセルであり,
前記第2サブピクセルは赤サブピクセルであり,
前記第3サブピクセルは青サブピクセルであることを特徴とする,請求項57〜59のいずれかに記載の有機発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0080345 | 2005-08-30 | ||
KR1020050080342A KR100719681B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법 |
KR1020050080345A KR100745335B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의제조방법 |
KR1020050080346A KR100700823B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 |
KR10-2005-0080342 | 2005-08-30 | ||
KR10-2005-0080346 | 2005-08-30 | ||
KR1020050080343A KR100700825B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 |
KR10-2005-0080344 | 2005-08-30 | ||
KR10-2005-0080341 | 2005-08-30 | ||
KR10-2005-0080343 | 2005-08-30 | ||
KR1020050080341A KR100700826B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열 전사 장치 및 레이저 열 전사 방법 |
KR1020050080344A KR100700824B1 (ko) | 2005-08-30 | 2005-08-30 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드의제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007066907A true JP2007066907A (ja) | 2007-03-15 |
JP4723438B2 JP4723438B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=37804758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006234478A Expired - Fee Related JP4723438B2 (ja) | 2005-08-30 | 2006-08-30 | レーザ熱転写装置及びこれを利用した有機発光素子の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7817175B2 (ja) |
JP (1) | JP4723438B2 (ja) |
TW (1) | TW200721891A (ja) |
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- 2006-08-30 JP JP2006234478A patent/JP4723438B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2010-09-14 US US12/882,178 patent/US8537185B2/en not_active Expired - Fee Related
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TW200721891A (en) | 2007-06-01 |
US20070048893A1 (en) | 2007-03-01 |
US7817175B2 (en) | 2010-10-19 |
US8623583B2 (en) | 2014-01-07 |
US20130288415A1 (en) | 2013-10-31 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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