JP2004200170A - レーザー転写法を用いる低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム及びこのフィルムを用いる低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム及び有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材フィルムと、前記基材フィルム上の光−熱変換層及び前記光−熱変換層上の低分子物質からなる転写層からなり、レーザーに照射された前記転写層の一部は光−熱変換層との接着力の変化により離脱し、レーザーに照射されていない部分は接着力により光−熱変換層に固定されることと、前記転写層の低分子物質が転写される基板と前記低分子物質との接着力と前記光−熱変換層と前記低分子物質との接着力が、前記転写層においてレーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーに照射されていない領域の低分子物質との間の粘着力より大きく、レーザーに照射された領域と照射されていない領域の低分子物質は互いに分離され、前記光−熱変換層から基板へと物質遷移が生じたことと、を特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
【選択図】図２
【解決手段】基材フィルムと、前記基材フィルム上の光−熱変換層及び前記光−熱変換層上の低分子物質からなる転写層からなり、レーザーに照射された前記転写層の一部は光−熱変換層との接着力の変化により離脱し、レーザーに照射されていない部分は接着力により光−熱変換層に固定されることと、前記転写層の低分子物質が転写される基板と前記低分子物質との接着力と前記光−熱変換層と前記低分子物質との接着力が、前記転写層においてレーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーに照射されていない領域の低分子物質との間の粘着力より大きく、レーザーに照射された領域と照射されていない領域の低分子物質は互いに分離され、前記光−熱変換層から基板へと物質遷移が生じたことと、を特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
【選択図】図２
Description
本発明は、低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム及びこれを用いる低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法に関し、より詳しくは、有機電界発光素子の有機層を形成するために使用されるドナーフィルム及びこれを使用して製造される低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法に関する。
一般に、有機電界発光素子は、アノード及びカソード、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数の層からなる。有機電界発光素子は、使用する材料によって高分子と低分子とに分けられるが、低分子有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｅ）デバイスの場合は、真空蒸着により各層を導入し、高分子有機ＥＬデバイスの場合は、スピンコーティングプロセスを用いて発光素子を作ることができる。
単色素子の場合、高分子を用いた有機電界発光素子は、スピンコーティングプロセスを用いて簡単に作ることができ、なお、低分子を用いたものより駆動電圧は低いものの、効率と寿命が劣るという欠点がある。また、フルカラー素子を作る時には、各々レッド、グリーン、ブルーの高分子をパターニングする必要があるが、このためにインクジェット技術やレーザー転写法を適用すると、効率と寿命などの発光特性が劣化するという不具合が出る。
特に、レーザー転写法を用いてパターニングする時は、単一高分子材料では転写が行われない材料が殆どである。レーザー熱転写法による高分子有機電界発光素子のパターン形成方法は、韓国特許番号１９９８−５１８４４号に開示されており、また、米国特許第５,９９８,０８５号、６,２１４,５２０号及び６,１１４,０８８号に既に開示されている。
前記熱転写法を適用するためには、少なくとも光源、転写フィルム、及び基板を必要とし、光源からの光が転写フィルムの吸光層で吸収されて熱エネルギーに変換し、この熱エネルギーにより転写フィルムの転写層形成物質が基板に転写され、所望するイメージを形成する仕組みになっている（米国特許第５,２２０,３４８号、第５,２５６,５０６号、第５,２７８,０２３号及び第５,３０８,７３７号）。
かかる熱転写法は、液晶表示素子用カラーフィルタの製造にも用いられ、また、発光物質のパターンを形成するために用いられることもあった（米国特許第５,９９８,０８５号）。
米国特許第５,９３７,２７２号は、フルカラー有機電界発光素子における高度のパターン化された有機層を形成する方法に関し、前記方法では、有機電界発光物質が転写可能なコーティング物質でコーティングされたドナー保持体を使用する。前記ドナー保持体が加熱され、有機電界発光物質が目的とする下部ピクセルにある色化された有機電界発光媒介体を形成する基板のリセス表面部に転写される。この際、前記転写は、ドナーフィルムに熱または光が照射され、発光物質が蒸気化してピクセルに転写される。
米国特許第５,６８８,５５１号では、各々の画素領域にサブ画素を形成するにおいて、ドナーシートから収容体シートに転写することで形成される。この際、転写プロセスは、低温（約４００℃以下）で昇華性のある有機電界発光物質をドナーシートから収容体シートに転写することでサブ画素を形成することを開示している。
しかし、現に、高分子有機電界発光素子に対してレーザー熱転写法を用いる技術は知られているが、低分子フルカラー有機電界発光素子に対しては、開示している技術がないという実情である。
韓国特許番号第１９９８−５１８４４号
米国特許第５,９９８,０８５号
米国特許第６,２１４,５２０号
米国特許第６,１１４,０８８号
米国特許第５,２２０,３４８号
米国特許第５,２５６,５０６号
米国特許第５,２７８,０２３号
米国特許第５,３０８,７３７号
米国特許第５,９３７,２７２号
米国特許第５,６８８,５５１号
本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、低分子フルカラー有機電界発光素子を量産し、また大面積の画素領域が確保できる低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム及びこれを用いる低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法を提供することである。
前記目的を達成するために、本発明は、基材フィルムと、前記基材フィルムの上部に形成される光−熱変換層と、前記光−熱変換層の上部に形成され、低分子物質からなる転写層と、からなり、前記転写層にレーザーによる熱が伝達されると、レーザーに照射された当該転写層の一部は前記光−熱変換層との接着力が変化することにより前記転写層が前記光−熱変換層から離脱し、レーザーに照射されていない部分は接着力により前記転写層が前記光−熱変換層に固定されることと、前記転写層を形成する低分子物質が転写される有機電界発光素子からなる基板が前記低分子物質との接着力、及び、前記光−熱変換層が前記低分子物質との接着力が、前記転写層においてレーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーに照射されていない領域の低分子物質との間の粘着力より大きく、レーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーを照射されていない領域の低分子物質とは互いに分離され、前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じたことと、を特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルムを提供する。
以上で説明したように、本発明では、低分子フルカラー有機電界発光素子の発光層をレーザー熱転写法で形成することにより高解像度のディスプレイデバイスが得られることはもとより、発光層の微細パターンを形成し易いため、低分子有機電界発光素子の量産が可能である。
また、本発明は、基板上に第１の電極をパターニングし設けるステップと、前記第１の電極が設けられた基板上にスピンコーティングや蒸着法により少なくとも１つの第１の有機膜層を形成するステップと、フルカラーを発現するための発光層を画素領域上にレーザー熱転写法で形成するステップと、前記発光層上にスピンコーティングや蒸着法により少なくとも１つの第２の有機膜層を形成するステップ、及び前記第２の有機膜層上に第２の電極を設けるステップと、を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法を提供する。
更に、本発明は、基板から一定の間隔を隔てられた位置に基材フィルム、光−熱変換層、低分子有機電界発光物質を含む低分子有機薄膜物質を含むドナーフィルムを前記基板の画素領域が形成される位置に配するステップと、前記ドナーフィルムにレーザーを照射して、前記画素領域が形成される領域に、前記低分子有機薄膜物質がドナーフィルムから離脱して前記基板へ第１の接着力で接着され、レーザーに照射されていない領域の前記低分子有機薄膜物質が第２の接着力で前記光−熱変換層に固定されており、また、レーザーに照射された前記低分子有機薄膜物質の領域とレーザーに照射されていない前記低分子有機薄膜物質との粘着力が、前記第１の接着力及び前記第２の接着力より弱く当該低分子有機薄膜物質が互いに分離され、画素領域に前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写されるステップと、前記転写ステップの後に熱処理を施すステップと、を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法を提供する。
また、本発明は、上記製造方法のいずれかにより製造されることを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子を提供する。
以下、本発明の好適な実施形態を添付する図面を参照しながら、より詳しく説明する。
図１は、本発明によりレーザーを用いて有機電界発光素子に使用される発光有機膜を転写パターニングする時の転写メカニズムを示す図である。
通常、レーザーを用いて有機膜を転写パターニングする時のメカニズムは、図１から分かるように、基板Ｓ１に取り付いていた有機膜Ｓ２がレーザーの働きによりＳ１から剥離し、基板Ｓ３に転写されつつ、レーザーに照射された部分と照射されていない部分との分離が発生する。
転写特性を左右する因子としては、基板Ｓ１とフィルムＳ２との第１の接着力Ｗ１２とフィルム同士の粘着力Ｗ２２、及びフィルムＳ２と基板Ｓ３との第２の接着力Ｗ２３の３つがある。
かかる第１、第２の接着力と粘着力を、各層の表面張力γ１、γ２、γ３と、界面張力γ１２、γ２３で表すと、下記の一般式のとおりである。
Ｗ１２＝γ１＋γ２-γ１２
Ｗ２２＝２γ２
Ｗ２３＝γ２＋γ３-γ２３
レーザー転写特性を向上するためには、フィルム同士の粘着力が各基板とフィルム間の接着力より小さい必要がある。
Ｗ２２＝２γ２
Ｗ２３＝γ２＋γ３-γ２３
レーザー転写特性を向上するためには、フィルム同士の粘着力が各基板とフィルム間の接着力より小さい必要がある。
一般に、有機電界発光素子では、各層をなす物質として有機物質を使用しており、低分子物質を使用する場合は、前記第１及び第２の接着力が粘着力より大きいため、ドナーフィルムから発光物質を有機電界発光素子に転写することにより、物質遷移が生じ、発光層の微細パターンを形成することができるのである。このようにして転写することにより、微細な発光層のパターンまでも形成することができ、位置ずれを生じる可能性が低減する。
図３及び図４は、本発明の実施の形態にかかる低分子有機電界発光素子用ドナーフィルムの構造を示す図である。
前記ドナーフィルム３４は、図３に示すように、基材フィルム３１上に光−熱変換層３２と転写層３３が積層されてなる構造を有している。
図３は、最も基本的な構造のドナーフィルムを示す図であって、用途に応じてフィルムの構造を変更して使用することができる。たとえば、反射により転写層の特性が低下することを抑えるために、反射防止コーティング処理を施すことができ、フィルムの感度を向上するために光−熱変換層の下部に図４に示すように、ガス生成層３５を更に形成することもできる。
前記ガス生成層３５は、光または熱を吸収すると分解反応を起こし、窒素ガスや水素ガスなどを放出することで転写エネルギーの提供という役割を果たし、四硝酸ペンタエリスリトール（ＰＥＴＮ）、トリニトロトルエン（ＴＮＴ）などから選ばれた物質からなる。
前記基材フィルム３１は、透明性高分子からなるが、かかる高分子としては、ポリエチレンテレフタレートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどを使用する。そのうち、ポリエチレンテレフタレートフィルムを主に使用する。基材フィルムの厚さは、１０乃至５００μｍであることが好ましく、この基材フィルムの役割は、保持フィルムとしての役割を果たし、複合的な多重系も使用可能である。
前記光−熱変換層は、赤外線−可視光線領域の光を吸収する性質をもっている吸光性物質で形成する。かかる特性をもっている膜としては、アルミニウム、該酸化物及び硫化物からなる金属膜、及びカーボンブラック、黒鉛や赤外線染料が添加された高分子からなる有機膜がある。なお、金属膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、またはスパッタリングを用いて１００乃至５,０００Åの厚さで形成し、有機膜の場合は、一般のフィルムコーティング方法である押出、スピン、及びナイフコーティング方法を用いて形成し、０.１乃至１０μｍの厚さが好ましい。
前記転写層３３は、前述したように、高分子物質でない低分子有機電界発光物質、ホール輸送性低分子、及び電子輸送性低分子から選ばれた少なくとも１種の物質で形成する。なお、転写層の形成は、一般のコーティング方法である押出、スピン、ナイフコーティング方法、真空蒸着法、ＣＶＤなどの方法を用いて１００乃至５０,０００Åの厚さでコーティングする。
前記低分子有機電界発光層は、下記の一般式（１）乃至（４）で表される物質を使用して形成することが好ましい。
前記電子輸送層とホール輸送層も発光層と同様に低分子有機物質を使用することで転写可能である。
電子輸送性低分子としては、１,３,４−オキサジアゾール誘導体または１,２,４−トリアゾール誘導体（ＴＰＡ）が使用される。
ホール輸送性低分子としては、下記の一般式（５）乃至（８）で表される芳香族アミノ誘導体化合物から選ばれた１種が使用される。
前記方法により有機薄膜である第１の有機膜層２２、発光層２３、及び第２の有機膜層２４を形成してから、前記透明電極層２１と向かい合う背面電極層２５を形成した後、その上に絶縁層を形成すると有機電界発光素子が出来上がる。
一方、本発明では、発光層をなす発光物質として低分子を使用してレーザー転写法により低分子フルカラー有機電界発光素子を製造する方法を提供する。
図２は、本発明によりパターニングされたフルカラー低分子有機電界発光素子の構造を概略的に示す断面図である。同図に示すように、本発明にかかる有機電界発光素子は、まず、半導体基板２０上に通常の方法で第１の電極層２１をパターニングし形成する。前記第１の電極層２１は、画素定義層（Ｐｉｘｅｌ Ｄｅｆｉｎｅｄ Ｌａｙｅｒ；ＰＤＬ）で分離されている。
第１の電極層２１を形成した後、その上に第１の有機膜層２２を形成する。
前記第１の有機膜層２２は、発光層２３及び第２の有機膜層２４と同時にレーザー熱転写プロセスで形成することができ、または後述するように、第１の有機膜層２２だけを形成することができる。
前記第１の有機膜層２２は、第１の電極２１がアノード電極である場合は、正孔注入層または／及び正孔輸送層を含むことができる。通常、低分子有機電界発光素子の場合は、素子の特性を向上するために正孔注入層と正孔輸送層をいずれも含む。
第１の有機膜層２２だけを形成する場合は、前記正孔注入層及び／または正孔輸送層は、スピンコーティングまたは蒸着法で形成することができる。
一方、前記第１の電極２１がカソード電極である場合は、前記第１の有機膜層２２は、電子輸送層、正孔抑制層、及び電子注入層の少なくとも１層を含む。前記でも述べたように、素子の特性を向上するために、通常、電子輸送層を含み、更に、正孔抑制層及び／または電子注入層などを含むことができる。
以上で説明したように、第１の有機膜層だけを先に基板に形成した場合は、その次は、基板上に発光層２３を形成する。前記発光層２３は、低分子発光物質を使用して、まず、転写用ドナーフィルムにＲ、Ｇ、Ｂが発現できるように蒸着またはスピンコーティングして発光物質が形成されたドナーフィルムを用意する。
レーザービームを用いて用意したドナーフィルムを転写し、ドナーフィルムにコーティングされている低分子発光物質を第１の有機膜層２２が形成されている基板上の画素領域上にパターニングされた発光層を形成する。
前記低分子有機電界発光層は、下記の一般式（９）乃至（１２）で表される物質を使用して形成することが好ましい。
前記電子輸送層とホール輸送層も発光層と同様に低分子有機物質を使用することで転写可能である。
電子輸送性低分子としては、１,３,４−オキサジアゾール誘導体または１,２,４−トリアゾール誘導体（ＴＰＡ）が使用される。
ホール輸送性低分子としては、下記の一般式（１３）乃至（１６）で表される芳香族アミノ誘導体化合物から選ばれた１種が使用される。
以下、図５を参照して本発明にかかる有機電界発光素子の有機薄膜の微細パターンを形成する方法を詳しく説明する。図５は、本発明にかかるドナーフィルムを使用して転写する方法を説明するための図であって、まず、透明基板５５上に透明電極層５６を形成する。これとは別に、基材フィルム５１上に光−熱変換層５２、転写層５３を順次に塗布することでドナーフィルム５４を用意する。
ここで、転写層は、有機薄膜形成用物質をコーティングすることで製造される。この際、各種の特性を改善するために、所定含量の添加物質を加えてもよい。たとえば、発光層の効率を高めるために、ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）を添加してもよい。そして、転写層を形成する方法としては、前述したように、一般のフィルムコーティング方法である押出、スピン、及びナイフコーティング方法を用いる。
なお、第１の有機膜層２２と発光層２３、第２の有機膜層２４などを同時に形成しようとする時には、前記有機薄膜形成用物質を発光物質及びホール輸送性物質と電子輸送性物質と一緒にコーティング可能である。
引き続き、透明電極層５６が形成された基板５５と所定の間隔を隔てられた位置に前記ドナーフィルム５４を配した後、前記ドナーフィルム５４にエネルギー源５７を照射する。
前記エネルギー源５７は、転写装置を経由し、基材フィルム５１を通って光−熱変換層５２を活性化させ、熱分解反応により熱を放出する。放出された熱により、その上部に透明電極層５６が形成されている透明基板５５上に転写物質が所望するパターンと厚さで転写されるようになる。
本発明で使用するエネルギー源としては、レーザー、キセノン（Ｘｅ）ランプ、及びフラッシュランプなどが使用可能である。そのうちでも、レーザーが最も優れた転写効果を得ることができるため好ましい。なお、レーザーとしては、固体、ガス、半導体、染料などのあらゆる汎用的なレーザーをいずれも使用することができ、レーザービームの形状も円形のビームまたは他の可能な形状のビームが使用可能である。
このような場合、前記画素領域が形成される領域には、前記低分子有機電界発光物質はホール輸送性低分子及び／または電子輸送性低分子物質と共にドナーフィルムから離脱して前記基板へ第１の接着力で接着され、レーザーに照射されていない領域の前記低分子有機電界発光物質は、第２の接着力で前記光−熱変換層に固定され、また、レーザーに照射された前記低分子有機電界発光物質の領域とレーザーに照射されていない前記低分子有機電界発光物質との粘着力が前記第１の接着力及び前記第２の接着力より弱くて当該低分子有機電界発光物質互いに分離され、画素領域に前記低分子有機電界発光物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写される。
前記のような転写プロセスを施した後、転写された物質を固形化、固着化するために熱処理プロセスを施す。
ここで、転写物質の転写は、一回または複数回にかけて行うことができる。即ち、転写すべき有機薄膜層の厚さによっては、一回で必要な厚さを転写することができ、複数回繰り返すことで転写することもできる。しかし、プロセスの便宜性及び安定性を考慮し、一回で転写物質を転写することが好ましい。
このように、発光層と一緒に第２の有機膜層２４を形成することができ、または、発光層だけを形成した後、継続して第２の有機膜層２４を形成することができる。
第２の有機膜層２４は、第１の電極がカソードである場合は、電子注入層、正孔抑制層、及び電子輸送層の少なくとも１層を含む。通常、低分子有機電界発光素子の場合は、前述したように、素子の特性のために電子注入層を含むことが好ましく、ここに更に正孔抑制層及び／または電子輸送層を含み得る。その後、第２の電極２５を設けて封じ止めると、低分子フルカラー有機電界発光素子が出来上がる。
第２の有機膜層だけを別に形成する場合は、前記第２の有機膜層は、スピンコーティングまたは蒸着法で形成する。
一方、第１の電極２１がアノードである場合は、第２の有機膜層２４としては正孔注入層及び／または正孔輸送層を含む。第２の有機膜層を形成した後、第２の電極２５としてカソード電極を設けて封じ止めると、低分子フルカラー有機電界発光素子が出来上がる。前記第２の有機膜層は、スピンコーティングまたは蒸着法で形成する。
２１ 透明電極層
２２ 第１の有機膜層
２３ 発光層
２４ 第２の有機膜層
２５ 背面電極層
５１ 基材フィルム
５２ 光−熱変換層
５３ 転写層
５４ ドナーフィルム
５５ 透明基板
２２ 第１の有機膜層
２３ 発光層
２４ 第２の有機膜層
２５ 背面電極層
５１ 基材フィルム
５２ 光−熱変換層
５３ 転写層
５４ ドナーフィルム
５５ 透明基板
Claims (20)
- 基材フィルムと、
前記基材フィルムの上部に形成される光−熱変換層と、
前記光−熱変換層の上部に形成され、低分子物質からなる転写層と、からなり、
前記転写層にレーザーによる熱が伝達されると、レーザーに照射された当該転写層の一部は前記光−熱変換層との接着力が変化することにより前記転写層が前記光−熱変換層から離脱し、レーザーに照射されていない部分は接着力により前記転写層が前記光−熱変換層に固定されることと、前記転写層を形成する低分子物質が転写される有機電界発光素子からなる基板が前記低分子物質との接着力、及び、前記光−熱変換層が前記低分子物質との接着力が、前記転写層においてレーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーに照射されていない領域の低分子物質との間の粘着力より大きく、レーザーに照射された領域の低分子物質とレーザーを照射されていない領域の低分子物質とは互いに分離され、前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じたことと、を特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。 - 前記低分子物質が、低分子有機電界発光物質、ホール輸送性低分子、及び電子輸送性低分子よりなる群から選ばれた少なくとも１種の物質であることを特徴とする請求項１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 前記低分子有機電界発光物質が、下記の一般式（１）乃至（４）で表される化合物から選ばれた少なくとも１種の物質であることを特徴とする請求項１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 前記電子輸送性低分子が、１,３,４−オキサジアゾール誘導体または１,２,４−トリアゾール誘導体であることを特徴とする請求項１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 前記ホール輸送性低分子が、下記の一般式（５）乃至（８）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 前記光−熱変換層が、紫外線または可視光線領域の光を吸収する吸光性物質からなることを特徴とする請求項１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 前記光−熱変換層が、カーボンブラック、黒鉛、及び赤外線吸収物質から選ばれた物質が分散されている高分子からなることを特徴とする請求項１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 前記光−熱変換層と転写層との間にガス生成層が更に含まれていることを特徴とする請求項１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 前記ガス生成層が、四硝酸ペンタエリスリトールまたはトリニトロトルエンのいずれかの物質からなることを特徴とする請求項８に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 前記基材フィルムが、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びポリスチレンよりなる群から選ばれた透明性高分子からなることを特徴とする請求項１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子用ドナーフィルム。
- 基板上に第１の電極をパターニングし設けるステップと、
前記第１の電極が設けられた基板上にスピンコーティングや蒸着法により少なくとも１つの第１の有機膜層を形成するステップと、
フルカラーを発現するための発光層を画素領域上にレーザー転写法で形成するステップと、
前記発光層上にスピンコーティングや蒸着法により少なくとも１つの第２の有機膜層を形成するステップと、
前記第２の有機膜層上に第２の電極を設けるステップと、
を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。 - 前記第１の電極がアノード電極である場合、前記第１の有機膜層は、正孔注入層または／及び正孔輸送層を含み、前記第２の有機膜層は、電子注入層、正孔抑制層及び電子輸送層の少なくとも１つの層を含むことを特徴とする請求項１１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。
- 前記第１の電極がカソード電極である場合、前記第１の有機膜層は、電子輸送層、正孔抑制層及び電子注入層の少なくとも１つの層を含み、前記第２の有機膜層は、正孔輸送層及び／または正孔注入層を含むことを特徴とする請求項１２に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。
- 前記発光層は、転写用ドナーフィルムに低分子レッド、グリーン、ブルー用発光材料がスピンコーティングまたは蒸着で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。
- 基板から一定の間隔を隔てられた位置に基材フィルム、光−熱変換層、低分子有機電界発光物質を含む低分子有機薄膜物質を含むドナーフィルムを前記基板の画素領域が形成される位置に配するステップと、
前記ドナーフィルムにレーザーを照射して、前記画素領域が形成される領域に、前記低分子有機薄膜物質がドナーフィルムから離脱して前記基板へ第１の接着力で接着され、レーザーに照射されていない領域の前記低分子有機薄膜物質が第２の接着力で前記光−熱変換層に固定されており、また、レーザーに照射された前記低分子有機薄膜物質の領域とレーザーに照射されていない前記低分子有機薄膜物質との粘着力が、前記第１の接着力及び前記第２の接着力より弱く当該低分子有機薄膜物質が互いに分離され、画素領域に前記レーザーに照射された低分子有機薄膜物質が前記光−熱変換層から前記基板へと物質遷移が生じて転写されるステップと、
前記転写ステップの後に熱処理を施すステップと、
を含むことを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。 - 前記低分子有機電界発光物質が、下記の一般式 （９）乃至（１２）で表される化合物から選ばれた少なくとも１種の物質であることを特徴とする請求項１５に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。
- 前記低分子有機薄膜物質が、ホール輸送性低分子及び／または電子輸送性低分子を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。
- 前記電子輸送性低分子が、１,３,４−オキサジアゾール誘導体または１,２,４−トリアゾール誘導体であることを特徴とする請求項１７に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ホール輸送性低分子が、下記の一般式（１３）乃至（１６）で表される化合物であることを特徴とする請求項１７に記載の低分子フルカラー有機電界発光素子の製造方法。
- 請求項１１または１５に記載の製造方法のいずれかにより製造されることを特徴とする低分子フルカラー有機電界発光素子。
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