JPH08250652A - マルチチップモジュールパッケージ - Google Patents

マルチチップモジュールパッケージ

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JPH08250652A
JPH08250652A JP8036034A JP3603496A JPH08250652A JP H08250652 A JPH08250652 A JP H08250652A JP 8036034 A JP8036034 A JP 8036034A JP 3603496 A JP3603496 A JP 3603496A JP H08250652 A JPH08250652 A JP H08250652A
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board
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ディクソン デュダラー トーマス
Byung J Han
ジョーン ハン ビュング
Alan M Lyons
マイケル リオンズ アラン
King L Tai
リエン タイ キング
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高さを削減し熱放散を考慮したマルチチップ
モジュールパッケージ 【解決手段】 マルチチップモジュール（ＭＣＭ）パッ
ケージ１０が、開口１５を有する印刷配線（ＰＷ）ボー
ド１１と、基板１８と基板上に装着され基板に電気接続
された少なくとも１個のシリコンチップ１９、２０とを
有するＭＣＭタイル１７と、ＰＷボード上の回路に電気
的に接続された基板上の回路と、ＭＣＭタイルを包み込
んで少なくともチップと基板との間の接続部及び基板と
ＰＷボードとの間の接続部を密閉するカプセル状封止材
２９と、ＰＷボードに接して位置し開口の一端部を密閉
する、開口よりも大きな寸法の構造部材３０とからな
り、少なくとも１個のシリコンチップ又は基板が開口内
に位置し、構造部材が熱伝導材からなりＭＣＭタイルに
隣接して位置しパッケージの動作から生じる熱をＭＣＭ
タイルから除去するためのヒートシンクとして働く。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面装着（マウン
ト）組立に適用される集積回路ユニットを有する半導体
装置の実装（パッケージング）に関する。
【０００２】
【従来の技術】可搬の産業用及び消費者用製品は、サイ
ズを小型化しコストを下げ機能性を増す傾向にある。こ
れらの要件から、より大規模且つより複雑な集積回路を
より大きなパワー密度の取り扱いが可能なより小さいパ
ッケージに収容することが可能な半導体実装技術の開発
により多くの力点が置かれている。
【０００３】従来の表面装着（マウント）技術はリード
線付きプラスチックパッケージを利用する。しかし、リ
ード線付きプラスチックパッケージのリード線ピッチ及
びサイズが減少を続ける一方、リード線の同一平面性の
制御のまずさによるはんだ組立歩どまりの悪さ、及びリ
ード線ピッチの減少が続くことによる微細ピッチはんだ
印刷歩どまりの悪さのような問題が、引続き主たる重要
問題点として残ることとなる。
【０００４】これらの問題点を克服するものと思われた
実装方式の１つは、オーバモールドプラスチックパッド
・アレイ・キャリヤ（以下、ＯＭＰＡＣ）技術によるも
のである。ＯＭＰＡＣ組立は、両面式の印刷回路ボード
又は印刷配線ボードの積層板を利用する。（印刷回路ボ
ード又は印刷配線ボードを以下、印刷配線ボード又はＰ
Ｗボードと称する）
【０００５】ＰＷボードの上側金属被覆は、集積回路
（ＩＣ）ユニットのダイ取り付け用のダイパッドと、接
地部と、ワイヤボンドフィンガーとからなる。ＩＣユニ
ットは、１個の半導体チップ（ダイ）、又は多数の半導
体チップ、あるいはシリコン基板上にフリップチップマ
ウンティングされた少なくとも１個のチップを有するマ
ルチチップモジュール（ＭＣＭ）タイル、からなる。
【０００６】ワイヤボンドフィンガーは外方へ、ＰＷボ
ード内の、パッケージの縁部の近くに位置する「メッキ
された貫通孔」（以下、貫通孔）へ延びる。貫通孔によ
って、ＰＷボードの頂部側から底部側への電気的連続性
が得られる。貫通孔からはんだ凸部（バンプ）終端部で
あるはんだパッドへメッキした銅製連絡路を延ばすこと
によって、ＰＷボードの底部側において信号路が完結す
る。
【０００７】はんだバンプを除いては、ＰＷボード上の
全ての金属性の回路図形は、写真手段で定義され、エッ
チングされ、銅、ニッケル、及び金で電気メッキされ
る。ＩＣユニットをＰＷボードに相互接続するには、従
来のエポキシダイ接着及びワイヤボンディング技術が用
いられる。ダイ及びワイヤボンディングの後、ＰＷボー
ドは従来のエポキシ転移技術を用いてオーバモールディ
ング処理される。
【０００８】ポストモールド（モールディング後）キュ
アリングの後、パッケージははんだバンプを設けられ、
電気的に試験される。結果として得られるパッケージ
は、「ボールグリッドアレイ」（ＢＧＡ）パッケージと
称する。はんだバンプは、ＢＧＡパッケージを更に例え
ばマザーボードに相互接続するために用いられる。
【０００９】マザーボードは一般に、ＯＭＰＡＣのＢＧ
Ａパッケージよりもはるかに大きい面積を有し、その上
には、蓄電器、変成器、及び抵抗器のような、チップ又
はモジュールに集積しにくいいくつもの他の相互接続電
気素子、又更には他の実装ＩＣ、ＢＧＡ、プラグ、及び
コネクタが配置される。
【００１０】ＯＭＰＡＣのＢＧＡパッケージの、リード
線付き表面マウント技術に比べての主な利点は、パッケ
ージの底部側においてはんだ接続点を均一に間隔をおい
て配置したことにより実装相互接続密度が増大したこ
と、はんだ組立の歩どまりがより高いこと、及びリード
線の同一平面性の問題がないことである。
【００１１】図１１に、従来技術によるＯＭＰＡＣ（オ
ーバモールドプラスチックパッド・アレイ・キャリヤ）
のＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）パッケージの代表的
な例１００の断面を略図で示す。パッケージ１００（以
下、デバイスとも称する）は、ＩＣユニット１０１を有
する。本例では、ＩＣユニット１０１は単一のダイ（チ
ップ）構成要素からなる。
【００１２】デバイス１００は、印刷配線ボード（ＰＷ
ボード）１０２を有し、ＰＷボードは、ワイヤボンドフ
ィンガー１０３、はんだマスクとして機能するワイヤボ
ンドフィンガー１０３上のポリマコーティング１０４、
貫通孔１０５、接触パッド１０６、チップ１０１をワイ
ヤボンドフィンガー１０３に相互接続するワイヤ１０
７、及びチップ１０１とワイヤ１０７とワイヤ１０７に
接着されるワイヤボンドフィンガー１０３の部分とを密
閉する成形コンパウンド１０８を有する。
【００１３】接触パッド１０６には、最終的にマザーボ
ード（図示しない）に相互接続するためのはんだバンプ
１０９が設けられる。
【００１４】図１２に、従来技術によるＯＭＰＡＣ（オ
ーバモールドプラスチックパッド・アレイ・キャリヤ）
のＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）パッケージの変形例
であるデバイス１２０を略図で示す。
【００１５】ここではＩＣユニット１２１は、シリコン
基板上にシリコンチップを載せた（シリコン・オン・シ
リコン）タイル形状のモジュール（マルチチップモジュ
ール（ＭＣＭ）タイルと称する）１２１である。ＭＣＭ
タイル１２１は、シリコン相互接続基板１２４上の相互
接続回路（図示しない）に、はんだリフロー技術によっ
てフリップチップマウンティングされた複数のチップ１
２２及び１２３から構成される。
【００１６】シリコン基板１２４は、ＰＷボード１２５
上にマウントされ、ＰＷボード１２５には、ワイヤボン
ドフィンガー１２６、はんだマスク１２７、貫通孔１２
８、及び接触パッド１２９が設けられる。シリコン基板
１２４は、ワイヤ１３０によってワイヤボンドフィンガ
ー１２６に相互接続される。保護シェル１３１には、シ
リコンゲルのような高度に順応性のあるカプセル状封止
材１３２が充填され、この封止材がＭＣＭタイル１２１
を保護する。接触パッド１２９には、最終的にマザーボ
ード（図示しない）に相互接続するためのはんだバンプ
１３３が設けられる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】デバイス１００と対照
的に、デバイス１２０は、モールディングのステップを
経ないため、デバイス組立をモールディングプロセスの
厳しさに曝すことが避けられる。しかし、パッケージの
厚さを削減することが望ましい。更に又、ＩＣユニット
から熱を効率よく除去できることも望ましい。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、マルチチップ
モジュール（ＭＣＭ）タイルのような半導体素子を種々
の印刷ボード（ＰＷボード）に実装し、少なくとも垂直
方向において、従来技術によるＯＭＰＡＣデバイスより
もサイズの小さいパッケージが得られるような新しい半
導体素子実装によるパッケージを提供するものである。
【００１９】本発明によるＭＣＭタイルは、周辺金属被
覆部を有する相互接続基板と、はんだリフロー技術又は
電導性接着剤技術によってこの基板上にマウントされた
少なくとも１個のチップすなわち集積回路（ＩＣ）とか
らなる。印刷配線ボード（ＰＷボード）は、単一のレベ
ル部又は多数のレベル部からなり、ＭＣＭタイルの少な
くとも１個のチップをその内部に収容するための開口を
有する。
【００２０】この開口は、基板とＰＷボードとの間の相
互接続の種類に依って大きさが異なり、ワイヤボンディ
ングの相互接続についてはＭＣＭタイルの基板よりも大
きく、はんだリフロー又は電導性接着剤による相互接続
についてはＭＣＭタイルの基板よりも小さい。ワイヤボ
ンディングの相互接続の場合には、ＭＣＭタイルは、開
口内に位置し、ＰＷボード又は開口の一端部を密閉する
構造材又はヒートシンクの表面上に位置する。開口の他
端部は、解放であるか若しくは構造部材、ヒートシン
ク、別のＰＷボード、又はマザーボードによって囲われ
る。
【００２１】はんだリフロー又は電導性接着剤による相
互接続については、開口は基板よりも小さい。そして、
開口は、開口の端部領域がＰＷボードの開口に隣接する
区域に重なるように、位置し、チップ及び／又は基板は
開口内に位置する。相互接続部は、シリカゲルのような
高度に順応可能なカプセル状封止材で密閉される。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明は、シリコン・オン・シリ
コンのマルチチップモジュール（ＭＣＭ）タイルを、少
なくとも垂直方向において、従来技術によるＯＭＰＡＣ
デバイスよりもサイズが小さく、ＭＣＭタイルを実効的
に保護し、ＭＣＭタイルから熱を除去するためのヒート
シンクを有するパッケージの形に実装する技術及びその
パッケージを提供するものである。
【００２３】一般的なＭＣＭタイルは、相互接続基板
と、はんだリフロー技術又は電導性接着剤技術によって
基板上にフリップチップ方式でマウントされた少なくと
も１個のチップすなわち集積回路（ＩＣ）とからなる。
基板は、シリコン、セラミック、及びプラスチック積層
板からなる種々の材料から作られる。ＭＣＭタイルのＰ
Ｗボード又はマザーボードの相互接続を可能にするため
に、基板上に周辺金属被覆が設けられる。
【００２４】以下に、本発明による、ＭＣＭタイルのＰ
Ｗボードへの実装（本実装）のいくつかの変形例につい
て開示する。本実装は、本実装と対比できる図１１及び
図１２に示すような種類の、従来技術による実装よりも
コンパクトな、少なくとも厚さがより薄いサイズを達成
している。
【００２５】以下に開示する各変形例において、ＰＷボ
ードには、内部にＭＣＭタイルを位置させる空洞部を形
成するための開口を設け、ＭＣＭタイルについては、空
洞部内に、空洞部が順応性のあるカプセル状封止材を充
填された後にチップと基板との間の相互接続部及び基板
とＰＷボードとの間の相互接続部が環境から保護される
ように、位置させる。
【００２６】高パワー密度を有する低形のデバイス実装
と組み合わせて熱エネルギーの効率的な除去を可能にす
るために、パッケージにはヒートシンクとして作用する
構造部材を設け、この構造部材が空洞部を密閉してＭＣ
Ｍタイルが更に保護されるように構成する。ヒートシン
クによって吸収された熱は、技術的に周知の仕方で、放
散される。これは、ヒートシンク上を例えば空気のよう
な流体流通過させることによって実現できる。
【００２７】熱の除去は、例えばフィン付きヒートスプ
レッダのような熱拡散器をヒートシンクに接触させて設
けることによって更に強められる。この熱拡散器は上記
のような流体流によって冷却される。
【００２８】本発明は、熱を外に逃がす路（熱路）及び
／又はヒートシンク機能を包含する最適に配置された構
造部材と組み合せて最小可能上下（垂直）寸法を達成す
ることに関する。しかし、パワー密度が本来低いために
ヒートシンク又は熱路を用いる必要のない用途が数多く
存在する。このような用途においては、本発明のどのよ
うな設計においてもヒートシンク又は熱路を設けずに実
現することが可能である。
【００２９】これは次の２つの方法のいずれかによって
達成される。すなわち、（１）対象となるヒートシンク
部材を設計から完全に除去する方法、若しくはもしこの
部材がカプセル状封止量の定義又はＭＣＭタイルの支持
のような、付加的な構造的機能を担当する場合には、
（２）対象となる構造部材において、本来ヒートシンク
に用いられるはずの高熱伝導性金属（一般には銅で高
価）をプラスチック（比較的安価）のような熱伝導性材
料に置換する方法である。
【００３０】後者の用途においては、ヒートシンク構造
を完全に実現する場合にかかるコストを発生させること
なく、薄形実装の利点が維持され、可能性としてはむし
ろ強められる。
【００３１】図１に、ＭＣＭパッケージの一変形例１０
を略図で示す。多数のレベル部を有するＰＷボード１１
が、下部レベル部１２と中部レベル部１３と上部レベル
部１４とからなる。本変形例においては、下部レベル部
１２は、連続である一方、中部及び上部レベル部は各
々、貫通開口を有し、これらによって段階的開口１５が
形成され、この段階的開口は下部レベル部１２と共に空
洞部１６を形成する。
【００３２】一実施例においては、ＭＣＭタイルはシリ
コン基板１８とシリコンチップ１９及び２０とからなる
シリコン・オン・シリコンＭＣＭタイル１７であって、
空洞内に位置する。シリコン基板は、空洞部内にＰＷボ
ードの下部レベル部の表面上に載った形となる。シリコ
ン基板上のワイヤボンドフィンガー２１が、ＰＷボード
の中部レベル部上の接触パッド２３にワイヤ２２を介し
て相互接続される。
【００３３】替わってこれらのパッドは、貫通孔２４を
介してＰＷボードの他のレベル部へ、例えば接点２５に
相互接続され、これによって下部レベル部の底面上のは
んだバンプ２６に相互接続され、更にはオプションとし
て、ＰＷボードの上部レベル部の表面上の、符号２７及
び２８のような他のチップ又は電子デバイスに相互接続
される。
【００３４】本明細書に添付のどの図面においても、簡
単のため極く僅かの数の接点及び貫通孔しか図示しない
が、ＰＷボード上でのこれらの接点及び貫通孔の配置方
法については技術的に周知である。下部レベル部の表面
上に載ったＭＣＭタイルは完全に空洞部１６の内部にあ
り、チップの上面はＰＷボードの上部レベル部の上面よ
りも下にある。
【００３５】空洞部１６には、シリコンゲルのような高
度に順応性のあるカプセル状封止材２９が充填される。
カプセル状封止材２９は、チップ及びシリコン基板と、
シリコン基板上のワイヤボンドフィンガーと、ＰＷボー
ド上の接触パッドと、ワイヤボンドフィンガーと接触パ
ッドとを相互接続するワイヤとの間の相互接続部を密閉
する。
【００３６】デバイス１０には又、ヒートシンクとして
働き空洞部を密閉する構造部材３０が設けられる。構造
部材（ヒートシンク）の終端部３１はＰＷボードの上部
レベル部上に載る。ヒートシンクは、ＭＣＭタイルのチ
ップから間隔を置いているが、デバイスの動作中にＭＣ
Ｍタイルの構成要素によって生成される熱を取り込むの
に十分な程度に近接して位置する。オプションとして、
熱伝導性ペースト又は熱グリースのような、熱伝導性順
応部材３２が、チップ及びヒートシンクに物理的に接触
するように設けられる。
【００３７】図２に、ＭＣＭパッケージの別の変形例３
５を略図断面で示す。シリコン・オン・シリコンＭＣＭ
タイルは、図１で述べたＭＣＭタイル１７に類似であ
る。したがって、本図２及び以下の図３から図１０まで
のＭＣＭタイルについては同一の符号を付ける。図２の
説明を続けると、単一のレベル部を有するのＰＷボード
３６に貫通開口３７が設けられる。
【００３８】障壁３８がＰＷボードの上面に設けられて
開口の回りを巡るように配置される。障壁は、シリコン
基板とＰＷボードとの間の相互接続が可能なように開口
から間隔を置いて設けられる。障壁は、ＭＣＭタイルを
包み込むための順応性カプセル状封止材の保持器として
機能する。
【００３９】構造部材３９が、ＰＷボードの底面に固定
される。構造部材は、剛性の板材で、開口の端部を密閉
するためだけに又はヒートシンクとしても用いられる。
前者の目的には構造部材にプラスチック材を用い、後者
のヒートシンク用には金属又は高電熱特性を有する他の
材料を用いる。構造部材と開口の壁部と障壁の壁部とに
よって空洞部４０が形成される。ＭＣＭタイル１７は空
洞内にあり、ＭＣＭタイルのシリコン基板１８が構造部
材の上に載り構造部材と接触状態にある。
【００４０】シリコン基板上のワイヤボンドフィンガー
２１がワイヤ２２によってＰＷボード上の接触パッド４
１に接続される。ＭＣＭタイル及び相互接続部が、シリ
コンゲルのような順応性のカプセル状封止材２９内にカ
プセル状封止される。図１と同様に、シリコンゲルが、
基板とチップとの間及び基板とＰＷボードとの間の相互
接続部を包み込んで、これらの相互接続部を環境から保
護する。
【００４１】図３に、マザーボード４２に電気的及び機
械的に相互接続されたデバイス３５を示す。マザーボー
ドは、障壁３８を内包するのに十分な大きさの開口４３
を有し、ＰＷボード上に重なり、はんだ又は電導性接着
剤の相互接続部４４によってＰＷボードに電気的に接続
される。
【００４２】図３に、ＭＣＭパッケージの更に別の変形
例４５を略図断面で示す。ＭＣＭパッケージは、ＭＣＭ
タイル１７と、２個のレベル部を有するＰＷボード４６
と、ヒートシンクとして作用する構造部材４７とからな
る。ＰＷボードには、ＰＷボードの下部レベル部４９と
上部レベル部５０との両方を貫く段階的開口４８が設け
られる。ＰＷボードの下部レベル部４９は、構造部材上
に載り、構造部材は開口４８の一端部を密閉して空洞部
５１を形成する。
【００４３】ＭＣＭタイルは、構造部材と段階的開口の
壁部とによって形成された空洞部内に位置し、ＭＣＭタ
イルのシリコン基板１８が構造部材上に載る。ワイヤ２
２がシリコン基板上のワイヤボンドフィンガー２１をＰ
Ｗボードの下部レベル部上の接触パッド５２に相互接続
する。
【００４４】替わって接触パッド５２が、別のＰＷボー
ド又はマザーボードに将来接続するために、貫通孔５３
を介してＰＷボードの上部レベル部５０上の接触パッド
５４に相互接続される。加えて、ＭＣＭタイル及びワイ
ヤ相互接続部が、シリコンゲル２９内にカプセル状封止
される。
【００４５】図５に、図４のデバイス４５がマザーボー
ドのような別のボード５５に電気的及び機械的に相互接
続された場合を示す。マザーボード５５は、この２個の
レベル部を有するＰＷボードの上部レベル部に重なり、
空洞部５１を密閉する。マザーボード５５は、はんだリ
フロー相互接続部５６によってＰＷボードに接続され
る。
【００４６】図１から図５までにおいて、ＭＣＭパッケ
ージが、ＭＣＭタイルのシリコン基板上のワイヤボンド
フィンガーがワイヤによってＰＷボード上の接触パッド
に相互接続されるような構造を有する場合について説明
した。
【００４７】有効な相互接続を得るためには、アルミニ
ウムのようなワイヤボンディング可能な金属で作られた
ワイヤボンドフィンガー及びＰＷボード上の関連パッド
は、銅にニッケルメッキしたものの上に金をメッキ（金
・オーバ・ニッケルメッキ）して作られるようなワイヤ
ボンディング可能な表面仕上げとする必要がある。ワイ
ヤボンディング相互接続をなくすことによって、ＰＷボ
ード上の銅についての高価な金・オーバ・ニッケルメッ
キの必要もなくなることになる。
【００４８】図６から図１０までにおいて説明するＭＣ
Ｍパッケージは、シリコン基板とＰＷボードとの間のワ
イヤボンディングなしに製作される。この場合、接着
（ボンディング）ははんだリフロー又は電導性接着剤に
よる相互接続技術を用いて行われる。はんだ付けの場
合、ＰＷボードには、ＭＣＭタイル上の入出力（Ｉ／
Ｏ）パッドに一致するパターンの接触パッドが、既知の
仕方で設けられる。
【００４９】リフローはんだに適した表面を得るため
に、これらの接触パッドには各々、はんだに対する濡れ
性を有する金属被覆を賦与する表面仕上げが、既知の仕
方で行われる。この相互接続によって、シリコン基板上
の回路をＰＷボード上の回路に接続するためのワイヤボ
ンディングの必要性がなくなる。
【００５０】ＭＣＭタイルとＰＷボードとの間の相互接
続媒体として印刷はんだの使用を可能にするために、図
１から図５までの、例えばＭＣＭタイル基板上のワイヤ
ボンドフィンガー２１又はその他のワイヤボンドフィン
ガーは、相互接続フリップチップＭＣＭパッドと同時に
凝集付着（デポジット）させた、はんだに対する濡れ性
を有するＩ／Ｏ金属パッド、に置換される。
【００５１】一実施例においては、これらの、はんだに
対する濡れ性を有するＩ／Ｏ金属パッドは、チップを基
板に取り付けるために用いられる内部Ｉ／Ｏパッド上に
はんだペーストが印刷されるのと同時に１７０μｍ×２
８０μｍのはんだペーストのデポジットを印刷すること
が可能なように、３０５μｍ（１２ミル）のピッチ間隔
で９６μｍ×１４６μｍのパッドとして形成される。
【００５２】このプロセスは、９５／５Ｓｎ／Ｓｂのよ
うな中ないし高融点はんだを用いて、はんだバンプを設
けたＭＣＭタイルを生産するのに適用される。ＭＣＭタ
イル上ではウェファーの組み立て、洗浄、検査及び個々
のタイルへの分割が完了した後に各タイル上の個々の出
力パッドに、はんだバンプが設けられる。これらのパッ
ドはそれ自体、標準的な表面実装技術による組立に共通
な印刷共融（又は近共融）Ｓｎ／Ｐｂはんだペーストで
リフローはんだ付けを行うのに適している。
【００５３】ちなみに、はんだバンプをＭＣＭタイルの
Ｉ／Ｏパッドに付加することにより、可試験性が向上
し、したがって、誤読により拒絶された良品タイルの数
を減らすことにより、（はんだバンプ付きダイを電気的
に試験した場合にそうであるように）歩どまりも向上す
る。
【００５４】ＩＣパッケージ、基板又はＰＷボードのよ
うな素子の金属パッド上にはんだバンプを形成するため
の技術が、米国特許第５，３４６，１１８号（１９９４
年９月１３日発行）に開示されている。ここにこの米国
特許を本出願の参考文献とする。このはんだバンプ形成
技術は、ワイヤボンディングによる相互接続を用いずに
デバイスを製作する際に非常に有用である。
【００５５】図６に、ＭＣＭタイルがはんだボンディン
グによってＰＷボードに相互接続されたＭＣＭパッケー
ジ６０を略図で示す。このＭＣＭパッケージは、下部レ
ベル部６２と上部レベル部６３とからなる２個のレベル
部を有するＰＷボードを有する。ＰＷボードには、ＰＷ
ボードの下部レベル部の底面上に開く段階的開口６４が
設けられる。
【００５６】段階的開口６４のサイズは、ＭＣＭタイル
のシリコン基板がＰＷボードに電気的に相互接続される
場合にシリコン基板の端部が、ＰＷボードの下部レベル
部内の開口に隣接するＰＷボード領域の上に重なる一
方、シリコン基板上のチップが、下方に向き、開口の壁
部に接触せずに下部レベル部内の開口に納まるようなサ
イズである。
【００５７】ＭＣＭタイル１７の位置関係は、ＭＣＭタ
イルのシリコン基板１８の上面が上方を向く一方、チッ
プ１９及び２０が下部レベル部の開口内において下方を
向き、しかもチップがＰＷボードの下部レベル部の底面
から開口の内方へ後退した位置にあるような位置関係で
ある。デバイス６０には又、構造部材６５がシリコン基
板に隣接して設けられる。この構造部材は、開口の一端
部を密閉し、開口６４の壁部と共に空洞部６９を定義す
る。構造部材は高熱伝導材で作られ、ＭＣＭタイルに対
するヒートシンクとして用いられている。
【００５８】シリコン基板上のボンドフィンガー６７
が、はんだリフロー相互接続部６９によってＰＷボード
上の接点６８に電気的に接続される。空洞部には、シリ
コンゲル２９が充填され、このシリコンゲルがチップと
シリコン基板との間及びシリコン基板上のボンドフィン
ガーとＰＷボード上の接点との間の相互接続部を密閉し
て保護する。
【００５９】本実施例の構成においては、ＭＣＭタイル
基板の端部のみがはんだ相互接続部を介してＰＷボード
上の回路と接触し、チップは開口内にあるので、組立体
の厚さがＰＷボードの厚さにまで削減される。これを図
１１及び図１２に例示される従来の技術におけるよう
な、ＭＣＭタイルをＰＷボードの頂部にマウントしチッ
プを上方に向けＰＷボードの回路にワイヤボンディング
したことに起因する「ＭＣＭタイル・オン・ＰＷボー
ド」組立体の厚さに対比すると、本実施例の優位は明白
である。
【００６０】図７に、ＭＣＭタイルがはんだリフローボ
ンディングによってＰＷボードに相互接続された別のＭ
ＣＭパッケージ７０を略図で示す。ＭＣＭパッケージ
は、単一のレベル部からなるＰＷボードを有し、ＰＷボ
ードには、貫通開口７２が設けられる。ＭＣＭタイル１
７の位置関係は、ＭＣＭタイルのチップ１９及び２０が
開口７２内にある一方、シリコン基板が開口の外側に来
るようにＭＣＭタイルのシリコン基板１８の端部が開口
に隣接するＰＷボードの底面に重なる位置にあるような
位置関係である。
【００６１】シリコン基板上のボンドフィンガー７３
が、はんだリフロー相互接続によってＰＷボード上の接
点７４に電気的に接続される。カップ状カバー７５がシ
リコン基板の底面に接触する一方、カバーの端部フラン
ジ７６が接着剤（図示しない）によってＰＷボードの底
部に取り付けられる。カップ状カバーは、ＭＣＭタイル
に対するヒートシンクとして用いるために、銅のような
金属又は高熱伝導特性を有するプラスチックで作る。金
属カバーの場合には、電磁放射線に対する遮蔽体として
作用するという利点がある。
【００６２】空洞部７７が開口７２の壁部とカップ状カ
バーとによって形成され、シリコンゲルのような、順応
性のあるカプセル状封止材を部分的に充填され、この封
止材がＭＣＭタイル及びボンドフィンガーと接点との間
の相互接続部を密閉して保護する。
【００６３】図８に、図７のデバイス７０がマザーボー
ドのような別のボード７８に電気的及び機械的に相互接
続された場合を示す。マザーボード７８は、ＰＷボード
の上面に位置して空洞部７７に重なり、はんだリフロー
相互接続部７９によってＰＷボードに電気的に接続され
る。
【００６４】図９に、活性半導体素子とＰＷボードとの
間の相互接続がはんだリフローによって得られる場合の
半導体パッケージの別の変形例８０を略図で示す。しか
し、この変形例においては、ＭＣＭタイルの代わりに、
符号８１又は８２のような単一の又は複数の個々のチッ
プが、下部レベル部８４と上部レベル部８５との２個の
レベル部を有するＰＷボード８３にはんだリフローによ
って相互接続される。開口８６がＰＷボードの上部レベ
ル部に形成される。
【００６５】チップは、ＰＷボードの下部レベル部と開
口８６の壁部とによって形成される空洞内に位置する。
複数のヒートシンク挿入体８８（熱路としても知られ
る）が、チップから熱を取り去るために、ＰＷボードの
下部レベル部に設けられる。空洞部には、シリコンゲル
のような順応性あるカプセル状封止材２９が充填され、
この封止材がチップとＰＷボードとの間の相互接続部を
密閉して保護する。
【００６６】図１０に、図９のデバイス８０がマザーボ
ード又は他のＰＷボードのような別のボード８９に電気
的及び機械的に接続された場合を示す。ボード８９は、
ＰＷボードの上部レベル部の上に重なり、はんだリフロ
ー相互接続部９０によってＰＷボード８３に相互接続さ
れる。
【００６７】最後に、もしＰＷボードが、リードフレ−
ムＰＷボードに類似の、マザーボードにマウントされる
中間相互接続又はリードフレ−ムボードである場合（片
面可撓性ＰＷボード又は両面剛性ＰＷボードのいずれ
か）、ＰＷボードは、はんだ印刷可能なバンプ（凸部）
を堅固に付けたはんだパッドのＩ／Ｏ配列（アレイ）に
合うようにパターン化される。バンプ付きのはんだパッ
ドは利点があるが、はんだバンプのないパッドも本発明
から除外されるものではない。
【００６８】例えば、１．５２ｍｍ（６０ミル）のＯＭ
ＰＡＣ標準ＢＧＡピッチを用いることによって、直径
０．７１ｍｍ（２８ミル）のはんだパッドの２つのくい
ちがい列からなる周辺アレイを容易に形成することが可
能である。この場合、２５．４ｍｍ×２５．４ｍｍのパ
ッケージにおけるＩ／Ｏパッドの総数は１０８となる。
（配線経路選択を容易にするために、安価な片面ＰＷボ
ードにおいてもくいちがい列方式を用いる）
【００６９】これによって、ＭＣＭパッケージ又は次の
レベル部の相互接続のために必要となるマザーボード上
の区域のいずれの形状又はサイズを変更することなし
に、（１）１０８もの多くのＩ／Ｏ接続点と（２）タイ
ルの開口部に必要な余地空間が得られる。同時に、印刷
はんだＢＧＡバンプ及び表面マウントリフローはんだの
マザーボードへの堅固な取付が、なお可能である。
【００７０】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので、本発明についての更なる付加的な利点及び変更
の発想は当業者には容易である。故に、本発明の態様
は、上に述べた特定の詳細代表デバイス例に限定される
ものではない。したがって、本発明の種々の変形例を考
え得るが、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含
される。
【００７１】例えば、図２及び図３の符号３９及び図４
及び図５の符号４７として示した構造部材、又は図７及
び図８の符号７５として示したカップ状カバー又は図１
の符号３０及び図６の符号６５として示した構造部材の
ような、いくつかの実施例に示した構造部材は、必ずし
もヒートシンクである必要はなく、単なる補強材又は支
持部材で差し支えない。
【００７２】これらの構造部材は全て、ヒートシンクと
して働かない場合には、プラスチック材のような非熱伝
導性又は低熱伝導性材から製作する。或る場合には、構
造部材３０及び６５を全くなくしてもよい。
【００７３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、マ
ルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）パッケージにおい
て、印刷配線（ＰＷ）ボードに空洞部を設けてＭＣＭタ
イルを効率的に配置することにより、従来技術によるＭ
ＣＭパッケージに対比して少なくとも垂直寸法すなわち
厚さを削減したパッケージを得ることが可能となる。
又、構造部材をヒートシンク等の、チップからの発生熱
の放散にも適した構造としたので、高パワー密度仕様に
も薄形で容易に対応できる。
【００７４】したがって、ますます要求が強まるパッケ
ージ小型化の需要に対応でき、パッケージを採用するシ
ステム及び装置の小型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体デバイスであって、同デバイスが、段階
的開口を有する多数のレベル部を有するＰＷボード上に
マウントされたＭＣＭタイルからなる場合の概略断面図
である。同デバイスにおいては、ＰＷボードによって形
成された空洞部内に位置するＭＣＭタイルがワイヤボン
ディングによってＰＷボードに電気的に接続され、構造
部材が空洞部を密閉し、空洞部に、少なくともＭＣＭタ
イルのチップを包み込む順応性カプセル状封止材が充填
される。
【図２】半導体デバイスであって、同デバイスが、ＰＷ
ボードの壁部とＰＷボード上に位置する障壁の壁部とに
よって定義される段階的貫通開口を有する単一のレベル
部を有するＰＷボードからなる場合の概略断面図であ
る。同デバイスにおいては、構造部材がＰＷボードに取
り付けられて開口の一端部を密閉し、構造部材と開口の
壁部と障壁の壁部とが空洞部を形成し、ＭＣＭタイル
が、構造部材上の空洞部内に位置し、ＭＣＭタイルが、
ワイヤボンディングによってＰＷボードに電気的に接続
され、空洞部に、ＭＣＭタイルを包み込む順応性カプセ
ル状封止材が充填される。
【図３】図２に示す半導体デバイスにおいて、マザーボ
ードがＰＷボードに電気的に接続される場合の概略断面
図である。
【図４】半導体デバイスであって、同デバイスが、段階
的貫通開口を有する２個のレベル部を有するＰＷボード
からなる場合の概略断面図である。同デバイスにおいて
は、構造部材がＰＷボードに取り付けられて開口の一端
部を密閉し、構造部材と開口の壁部とが空洞部を形成
し、ＭＣＭタイルが、構造部材上の空洞部内に位置し、
ＭＣＭタイルが、ワイヤボンディングによってＰＷボー
ドに電気的に接続され、空洞部にＭＣＭタイルを包み込
む順応性カプセル状封止材が充填される。
【図５】図４に示す半導体デバイスにおいて、ＰＷボー
ドに電気的に接続されたマザーボードが、ＭＣＭタイル
上方に位置して空洞部を密閉する場合の概略断面図であ
る。
【図６】半導体デバイスであって、同デバイスが、段階
的貫通開口を有する２個のレベル部を有するＰＷボード
からなる場合の概略断面図である。同デバイスにおいて
は、ＭＣＭタイルが、開口の段階的壁部によって形成さ
れる空洞部内にマウントされ、ＭＣＭタイルが、はんだ
リフロー又は伝導性接着剤による相互接続を介してＰＷ
ボードの下部レベル部に電気的に接続され、空洞部に、
ＭＣＭタイルを包み込む順応性カプセル状封止材が充填
され、構造部材が、ＭＣＭタイルの基板の上方のＰＷボ
ード状に配置されて基板側にある空洞部を密閉する。
【図７】半導体デバイスであって、同デバイスが、貫通
開口を有する単一のレベル部を有するＰＷボードからな
る場合の概略断面図である。同デバイスにおいては、Ｍ
ＣＭタイルの基板が、はんだリフロー又は伝導性接着剤
による相互接続を介してＰＷボードの底部に電気的に相
互接続される一方、ＭＣＭタイルのチップが、開口内に
位置し、カップ状カバーが、ＭＣＭタイルの上方に基板
に接触して配置され、カップ状カバーのフランジ端部が
ＰＷボードに接触し、カップ状カバーとＰＷボードの壁
部とが空洞部を形成し、空洞部に順応性のあるカプセル
状封止材が充填される。
【図８】図７に示す半導体デバイスにおいて、ＰＷボー
ドにカップ状カバーと反対の側で電気的に接続されたマ
ザーボードが、ＭＣＭタイル上方に位置して空洞部を密
閉する場合の概略断面図である。
【図９】半導体デバイスであって、同デバイスが、ＰＷ
ボードの上部レベル部に開口を有する２個のレベル部を
有するＰＷボードからなる場合の概略断面図である。同
デバイスにおいては、下部レベル部と上部レベル部の壁
部とによって空洞部が定義され、複数のヒートシンク領
域が、ＰＷボードの下部レベル部内にこの下部レベル部
を通して位置し、ＰＷボードの下部レベル部上の空洞内
に位置する複数のシリコンチップが、ヒートシンク領域
に熱的に接続され且つはんだリフロー又は伝導性接着剤
によってＰＷボードに電気的に接続され、空洞部に、順
応性のあるカプセル状封止材が充填される。
【図１０】図９に示す半導体デバイスにおいて、マザー
ボードが、ＰＷボードの上部レベル部に電気的に接続さ
れて空洞部を密閉する場合の概略断面図である。
【図１１】半導体ダイ（チップ）とＰＷボードとの間に
ワイヤボンディングによる相互接続を有する、従来技術
によるＯＭＰＡＣデバイスの概略断面図である。
【図１２】ＭＣＭタイルをＰＷボードにワイヤボンディ
ングによって相互接続した、従来技術による別のデバイ
スの概略断面図である。
【符号の説明】
１０、３５、４５、６０、７０ マルチ・チップ・モジ
ュール（ＭＣＭ）パッケージの変形例 １１ 多数のレベル部を有する印刷配線（ＰＷ）ボード １２ 下部レベル部 １３ 中部レベル部 １４ 上部レベル部 １５ 段階的開口 １６ 空洞部 １７ シリコン・オン・シリコンＭＣＭタイル １８ シリコン基板 １９、２０ シリコンチップ ２１ ワイヤボンドフィンガー ２２ ワイヤ ２３、４１ 接触パッド ２４ 貫通孔 ２５ 接点 ２６ はんだバンプ ２７ 他の電子デバイス ２８ 他のチップ ２９ カプセル状封止材（シリコンゲル） ３０ 構造部材 ３１ 構造部材の終端部 ３２ 熱伝導性順応部材 ３６、７１ 単一のレベル部を有するＰＷボード ３７、７２ 貫通開口 ３８ 障壁 ３９、４７、６５ 構造部材 ４０、５１、６６、７７、８７ 空洞部 ４２、５５、７８、８９ マザーボード ４３ 開口（マザーボード） ４４ はんだ又は電導性接着剤の相互接続部 ４６、６１、８３ ２個のレベル部を有するＰＷボード ４８ 段階的貫通開口 ４９、６２、８４ 下部レベル部 ５０、６３、８５ 上部レベル部 ５２、５４ 接触パッド ５３ 貫通孔 ５６、６９、７９、９０ はんだリフロー相互接続部 ６４ 段階的開口 ６７、７３ ボンドフィンガー ６８、７４ 接点 ７５ カップ状カバー ７６ 端部フランジ ８０ 半導体パッケージ ８１、８２ チップ ８６ 開口 ８８ ヒートシンク挿入体（熱路） １００、１２０ オーバモールドプラスチックパッド・
アレイ・キャリヤ（ＯＭＰＡＣ）のボールグリッドアレ
イ（ＢＧＡ）パッケージの代表的な例（デバイス） １０１ ＩＣユニット １０２、１２５ ＰＷボード １０３、１２６ ワイヤボンドフィンガー １０４ ポリマコーティング １０５、１２８ 貫通孔 １０６、１２９ 接触パッド １０７、１３０ ワイヤ １０８ 成形コンパウンド １０９、１３３ はんだバンプ １２１ ＭＣＭタイル １２２、１２３ チップ １２４ シリコン相互接続基板 １２７ はんだマスク １３１ 保護シェル １３２ カプセル状封止材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス ディクソン デュダラー アメリカ合衆国，07928 ニュージャージ ー，チャタム，スクール アヴェニュー 30 (72)発明者 ビュング ジョーン ハン アメリカ合衆国，07076 ニュージャージ ー，スコッチ プレインズ，カントリー クラブ レイン 76 (72)発明者 アラン マイケル リオンズ アメリカ合衆国，07974 ニュージャージ ー，ニュー プロヴィデンス，モアハウス プレイス 28 (72)発明者 キング リエン タイ アメリカ合衆国，07922 ニュージャージ ー，バークレイ ハイツ，ハイランド サ ークル 95

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マルチチップモジュールパッケージであ
    って、 開口を有する印刷配線ボードと、 基板と該基板上に装着され且つ該基板に電気的に相互接
    続された少なくとも１個のシリコンチップとを有するマ
    ルチチップモジュールタイルと、 前記印刷配線ボード上の回路に電気的に相互接続された
    前記基板上の回路と、 前記マルチチップモジュールタイルを包み込んで少なく
    とも前記チップと前記基板との間の相互接続部と前記基
    板と前記印刷配線ボードとの間の相互接続部とを密閉す
    る、カプセル状封止材と、 前記印刷配線ボードに接して位置し前記開口の一端部を
    密閉する、前記開口よりも大きな寸法の構造部材と、か
    らなり、 前記少なくとも１個のシリコンチップ又は前記基板が前
    記開口内に位置し、 前記構造部材が、熱伝導材からなり、前記マルチチップ
    モジュールタイルに隣接して位置し、前記パッケージの
    動作から生じる熱を前記マルチチップモジュールタイル
    から除去するためのヒートシンクとして作用する、よう
    にしたことを特徴とするマルチチップモジュールパッケ
    ージ。
  2. 【請求項２】 前記パッケージにおいて、 前記印刷配線ボードが、多数のレベル部を有する印刷配
    線ボードであり、前記開口が、前記印刷配線ボードの上
    部レベル部に形成された段階的開口であり、前記基板が
    前記印刷配線ボードの下部レベル部上に載り、前記基板
    上の回路が前記印刷配線ボード上の回路にワイヤボンド
    相互接続部を介して接続され、前記構造部材が、前記印
    刷配線ボードの最上部レベル部の縁部の上に重なって該
    開口の隣接端部を密閉する平坦部材であり、前記構造部
    材が、前記マルチチップモジュールタイルの前記少なく
    とも１個のチップに隣接して位置するヒートシンクであ
    る、ようにしたことを特徴とする請求項１のパッケー
    ジ。
  3. 【請求項３】 前記パッケージにおいて、 熱伝導性の順応部材が、前記ヒートシンクと前記少なく
    とも１個のチップとの間に位置するようにしたことを特
    徴とする請求項２のパッケージ。
  4. 【請求項４】 前記パッケージにおいて、 前記印刷配線ボードが、単一のレベル部を有する印刷配
    線ボードであり、前記開口が、前記印刷配線ボードを貫
    通して延び、前記構造部材が、前記印刷配線ボードの底
    面に取り付けられて該開口の一端部を密閉する平坦部材
    であり、前記基板が前記構造部材上に載り、障壁が前記
    印刷配線ボードの上面上にあり、該障壁が、前記マルチ
    チップモジュールタイルの基板上の回路と前記印刷配線
    ボード上の回路との間のワイヤボンディングを可能とす
    るのに十分な距離だけ前記開口の縁部から離れて位置
    し、前記少なくとも１個のチップが、前記構造部材と前
    記印刷配線ボードにある開口の壁部と前記障壁の壁部と
    によって形成される空洞部内にあり、前記構造部材がヒ
    ートシンクである、ようにしたことを特徴とする請求項
    １のパッケージ。
  5. 【請求項５】 前記パッケージにおいて、 前記ヒートシンクが前記基板に隣接して位置するように
    したことを特徴とする請求項４のパッケージ。
  6. 【請求項６】 前記パッケージにおいて、 前記パッケージが、前記障壁によって定義される区域よ
    り大きい開口を有し且つはんだリフロー又は電導性接着
    剤による相互接続部を介して前記印刷配線ボードの上面
    に電気的に接続される別のボード、の上に装着されるよ
    うにしたことを特徴とする請求項４のパッケージ。
  7. 【請求項７】 前記パッケージにおいて、 前記印刷配線ボードが、２個のレベル部を有する印刷配
    線ボードであり、且つ前記印刷配線ボードの両レベル部
    を貫通する段階的開口を有し、前記構造部材が、前記印
    刷配線ボードの底面に取り付けられ且つ該開口の一端部
    を密閉する平坦部材であり、前記マルチチップモジュー
    ルタイルが前記開口内にあり且つ前記基板が前記構造部
    材上に載り、前記構造部材がヒートシンクとして作用
    し、前記基板上の前記回路が、前記印刷配線ボード上の
    前記回路にワイヤボンディングを介して接続される、よ
    うにしたことを特徴とする請求項１のパッケージ。
  8. 【請求項８】 前記パッケージにおいて、 前記パッケージが、前記印刷配線ボードの上部レベル部
    と前記開口との上に重なる別のボードに装着され、該別
    のボードが、はんだリフロー又は電導性接着剤による相
    互接続部を介して前記印刷配線ボードの上面に電気的に
    接続される、ようにしたことを特徴とする請求項７のパ
    ッケージ。
  9. 【請求項９】 前記パッケージにおいて、 前記印刷配線ボードが、２個のレベル部を有する印刷配
    線ボードであり、前記開口が、前記印刷配線ボードの両
    レベル部を貫通する段階的開口であり、前記マルチチッ
    プモジュールタイルが前記開口内にあり且つ前記基板の
    端部が、前記印刷配線ボードの下部レベル部の、前記開
    口に隣接する縁部と重なり、前記基板上の回路が、はん
    だリフロー又は電導性接着剤による相互接続部を介して
    前記印刷配線ボードの前記下部レベル部の上面上の回路
    に電気的に接続され、前記マルチチップモジュールタイ
    ルの前記少なくとも１個のシリコンチップが、前記印刷
    配線ボードの前記下部レベル部にある前記開口内に位置
    し、前記構造部材が、前記印刷配線ボードの上部レベル
    部の縁部と重なり、前記開口の隣接端部を密閉し、前記
    構造部材が、前記基板に隣接して位置して、ヒートシン
    クとして作用する、ようにしたことを特徴とする請求項
    １のパッケージ。
  10. 【請求項１０】 前記パッケージにおいて、 前記印刷配線ボードが、貫通開口を有する単一のレベル
    部を有する印刷配線ボードであり、前記マルチチップモ
    ジュールタイルの前記基板が、前記印刷配線ボードの前
    記底面の、前記開口に隣接する端部領域に取り付けられ
    且つ該領域に重なり、前記基板が、はんだリフロー又は
    電導性接着剤による相互接続部を介して前記印刷配線ボ
    ードに電気的に接続され、前記マルチチップモジュール
    タイルの前記少なくとも１個のチップが前記印刷配線ボ
    ードの前記開口内に位置し、前記印刷配線ボードの底面
    の周辺に取り付けられたカップ状カバーが、前記基板を
    密閉し、該カップ状カバーが、前記マルチチップモジュ
    ールタイルの前記基板に接触して前記基板に対するヒー
    トシンクとして作用する、ようにしたことを特徴とする
    請求項１のパッケージ。
  11. 【請求項１１】 前記パッケージにおいて、 前記パッケージが、前記開口を密閉するように前記印刷
    配線ボードの上面に重なる別のボード、に装着され、該
    別のボードが、はんだリフロー又は電導性接着剤による
    相互接続によって前記印刷配線ボードに電気的に接続さ
    れる、ようにしたことを特徴とする請求項１０のパッケ
    ージ。
  12. 【請求項１２】 前記パッケージにおいて、 前記印刷配線ボードが、２個のレベル部を有する印刷配
    線ボードであり、前記開口が、前記印刷配線ボードの前
    記上部レベル部に形成され、前記マルチチップモジュー
    ルタイルが、前記印刷配線ボードの前記下部レベル部の
    上面の前記開口内に装着された少なくとも１個の半導体
    フリップチップによって置換され、該少なくとも１個の
    半導体フリップチップから熱を除去するために前記印刷
    配線ボードの前記下部レベル部に複数の熱路が設けら
    れ、前記少なくとも１個のチップが、はんだリフロー又
    は電導性接着剤によって前記印刷配線ボード上の回路に
    相互接続される、ようにしたことを特徴とする請求項１
    のパッケージ。
  13. 【請求項１３】 前記パッケージにおいて、 前記パッケージが、前記開口と前記印刷配線ボードの前
    記上部レベル部の上面との上に重なる別のボードに装着
    され、該別のボードが、はんだリフロー又は電導性接着
    剤によって前記印刷配線ボードに相互接続される、よう
    にしたことを特徴とする請求項１２のパッケージ。
  14. 【請求項１４】 前記パッケージにおいて、 前記基板がシリコンからなるようにしたこと、を特徴と
    する請求項１パッケージ。
  15. 【請求項１５】 前記パッケージにおいて、 前記少なくとも１個のシリコンチップが、前記基板上に
    装着されたフリップチップであるようにしたことを特徴
    とする請求項１のパッケージ。
  16. 【請求項１６】 前記パッケージにおいて、 前記構造部材が高度な熱伝導性を有しない材料からなる
    ようにしたことを特徴とする請求項１のパッケージ。
  17. 【請求項１７】 前記パッケージにおいて、 前記構造部材が全く除去されるようにしたことを特徴と
    する請求項２のパッケージ。
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