JPH08172037A - 区画化された基板処理チャンバ - Google Patents
区画化された基板処理チャンバInfo
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- JPH08172037A JPH08172037A JP7214814A JP21481495A JPH08172037A JP H08172037 A JPH08172037 A JP H08172037A JP 7214814 A JP7214814 A JP 7214814A JP 21481495 A JP21481495 A JP 21481495A JP H08172037 A JPH08172037 A JP H08172037A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 修理時間を低減する。
【解決手段】 半導体ウエハ用の処理チャンバが、多区
画で形成される。第一の区画が、半導体処理のための隔
離された環境を供給するために提供されて、第二の区画
が第一の区画と選択的に連通するように提供され、その
チャンバにウエハを装填しまた取り出すことができるよ
うになっている。そのウエハ取り扱い装置は、第二の区
画内に置かれており、それを処理環境から隔離してい
る。そしてそれ故に、ウエハ取り扱い装置のために清浄
な、汚染のない環境を形成する。チャンバを清掃しなけ
ればならないときは、第二のチャンバ内では処理をせず
に、第一の区画だけを清掃しなければならない。それ
故、第一のチャンバ全体が清掃のために取り外され、清
浄な第一の区画と交換でき、チャンバ清掃作業中のチャ
ンバ修理時間を低減できる。
画で形成される。第一の区画が、半導体処理のための隔
離された環境を供給するために提供されて、第二の区画
が第一の区画と選択的に連通するように提供され、その
チャンバにウエハを装填しまた取り出すことができるよ
うになっている。そのウエハ取り扱い装置は、第二の区
画内に置かれており、それを処理環境から隔離してい
る。そしてそれ故に、ウエハ取り扱い装置のために清浄
な、汚染のない環境を形成する。チャンバを清掃しなけ
ればならないときは、第二のチャンバ内では処理をせず
に、第一の区画だけを清掃しなければならない。それ
故、第一のチャンバ全体が清掃のために取り外され、清
浄な第一の区画と交換でき、チャンバ清掃作業中のチャ
ンバ修理時間を低減できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路及び他の
デバイスが基板上に形成される、半導体処理の分野に関
し、特に、本発明は半導体ウエハ及び他の基板上にマイ
クロエレクトロニクスデバイスを形成するのに役立つ処
理チャンバ（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ
ｓ）に関する。
デバイスが基板上に形成される、半導体処理の分野に関
し、特に、本発明は半導体ウエハ及び他の基板上にマイ
クロエレクトロニクスデバイスを形成するのに役立つ処
理チャンバ（ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｃｈａｍｂｅｒ
ｓ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体処理チャンバは、集積回路や他の
半導体デバイスをウエハ上に製造するための処理環境
（ｐｒｏｃｅｓｓ ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ）を提供
するのに用いられる。ウエハ上に集積回路を形成するた
めに、それらは順次処理される。即ち、先ず第一に金属
の、或いは誘電性の（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）或いは絶
縁性の（ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）材料のフィルム層がウエ
ハ上に堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）される堆積チャンバ
内で、次にその堆積されたフィルム層上にマスクが形成
されるリトグラフィ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ）処理
チャンバ内で、そして次にその前の工程で堆積されたフ
ィルム層の選択された部分がエッチングされる（ｅｔｃ
ｈｅｄ）エッチングチャンバ（ｅｔｃｈ ｃｈａｍｂｅ
ｒ）内で、順次処理される。そのウエハを処理するの
に、一つ或いはそれ以上のイオン注入（ｉｍｐｌａｎ
ｔ）及び不動態化（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）工程を用
いてもよい。ウエハ上にフィルム層を繰り返し堆積し、
そのフィルム層上にマスクを形成し、そして次にそのマ
スクによって露出されたフィルム層の領域を選択的にエ
ッチングすることによって、集積回路デバイスがウエハ
上に製造される。
半導体デバイスをウエハ上に製造するための処理環境
（ｐｒｏｃｅｓｓ ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ）を提供
するのに用いられる。ウエハ上に集積回路を形成するた
めに、それらは順次処理される。即ち、先ず第一に金属
の、或いは誘電性の（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）或いは絶
縁性の（ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）材料のフィルム層がウエ
ハ上に堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）される堆積チャンバ
内で、次にその堆積されたフィルム層上にマスクが形成
されるリトグラフィ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ）処理
チャンバ内で、そして次にその前の工程で堆積されたフ
ィルム層の選択された部分がエッチングされる（ｅｔｃ
ｈｅｄ）エッチングチャンバ（ｅｔｃｈ ｃｈａｍｂｅ
ｒ）内で、順次処理される。そのウエハを処理するの
に、一つ或いはそれ以上のイオン注入（ｉｍｐｌａｎ
ｔ）及び不動態化（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）工程を用
いてもよい。ウエハ上にフィルム層を繰り返し堆積し、
そのフィルム層上にマスクを形成し、そして次にそのマ
スクによって露出されたフィルム層の領域を選択的にエ
ッチングすることによって、集積回路デバイスがウエハ
上に製造される。
【０００３】先行技術の半導体エッチング及び堆積チャ
ンバの殆どは幾つかの共通の特徴を有している。例え
ば、そのようなチャンバの殆どは、ウエハが処理のため
に受け入れられる真空エンクロージャ（ｖｉｃｕｕｍ
ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）の回りに作られている。質量流量
コントローラを有するガス入口と、ゲ−トバルブを通し
て真空ポンプに接続された絞られた排出口とがチャンバ
エンクロージャと連通し、ウエハ処理のために必要な真
空条件及び処理ガス流れを提供する。そのエンクロージ
ャ内にはウエハ支持部材が置かれており、堆積或いはエ
ッチング処理中に、エンクロージャ内のウエハのための
安定した置場所を提供する。スリット（ｓｌｉｔ）バル
ブが、エンクロージャの壁を通して伸延しており、ロボ
ットブレ−ド（ｒｏｂｏｔ ｂｌａｄｅ）がウエハを支
持部材上に置き、またウエハをそこから取り去ることが
できるようにしている。
ンバの殆どは幾つかの共通の特徴を有している。例え
ば、そのようなチャンバの殆どは、ウエハが処理のため
に受け入れられる真空エンクロージャ（ｖｉｃｕｕｍ
ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）の回りに作られている。質量流量
コントローラを有するガス入口と、ゲ−トバルブを通し
て真空ポンプに接続された絞られた排出口とがチャンバ
エンクロージャと連通し、ウエハ処理のために必要な真
空条件及び処理ガス流れを提供する。そのエンクロージ
ャ内にはウエハ支持部材が置かれており、堆積或いはエ
ッチング処理中に、エンクロージャ内のウエハのための
安定した置場所を提供する。スリット（ｓｌｉｔ）バル
ブが、エンクロージャの壁を通して伸延しており、ロボ
ットブレ−ド（ｒｏｂｏｔ ｂｌａｄｅ）がウエハを支
持部材上に置き、またウエハをそこから取り去ることが
できるようにしている。
【０００４】チャンバ内でエッチング或いは堆積処理工
程を行うために、プロセスガスが真空エンクロージャを
通して流される。そのガスは、化学蒸着（ｃｈｅｍｉｃ
ａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の場合と同様
に、ウエハ上にフィルムを堆積し、或いはそのガスは解
離（ｄｉｓａｓｓｏｃｉａｔｅｄ）ガス原子を提供す
る。そしてその原子は、エンクロージャ内の電場にさら
されると、励起されて（ｅｘｃｉｔｅｄ）プラズマ（ｐ
ｌａｓｍａ）になる。そのプラズマは、ウエハ上に既に
堆積されたフィルム層を選択的にエッチングするエッチ
ングプラズマ（ｅｔｃｈ ｐｌａｓｍａ）を形成し、或
いはそのプラズマは物理蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａ
ｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の場合と同様に、タ−
ゲットをスパッタし（ｓｐｕｔｔｅｒ）ウエハ上に堆積
フィルム層を形成するための材料を提供するのに用いら
れる。そのフィルム層がウエハ上に形成された後、或い
は前工程でウエハ上に形成された堆積層がエッチングさ
れた後に、処理ガスはエンクロージャから排出され、ま
たそのウエハはスリットバルブを通してエンクロージャ
から取り出される。
程を行うために、プロセスガスが真空エンクロージャを
通して流される。そのガスは、化学蒸着（ｃｈｅｍｉｃ
ａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の場合と同様
に、ウエハ上にフィルムを堆積し、或いはそのガスは解
離（ｄｉｓａｓｓｏｃｉａｔｅｄ）ガス原子を提供す
る。そしてその原子は、エンクロージャ内の電場にさら
されると、励起されて（ｅｘｃｉｔｅｄ）プラズマ（ｐ
ｌａｓｍａ）になる。そのプラズマは、ウエハ上に既に
堆積されたフィルム層を選択的にエッチングするエッチ
ングプラズマ（ｅｔｃｈ ｐｌａｓｍａ）を形成し、或
いはそのプラズマは物理蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａ
ｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の場合と同様に、タ−
ゲットをスパッタし（ｓｐｕｔｔｅｒ）ウエハ上に堆積
フィルム層を形成するための材料を提供するのに用いら
れる。そのフィルム層がウエハ上に形成された後、或い
は前工程でウエハ上に形成された堆積層がエッチングさ
れた後に、処理ガスはエンクロージャから排出され、ま
たそのウエハはスリットバルブを通してエンクロージャ
から取り出される。
【０００５】以上述べた各プロセスの間、フィルム層
が、エンクロージャの壁、支持部材、スリットバルブ、
エンクロージャの入口などの表面を含むエンクロージャ
の露出した表面上にも形成され、またエンクロージャの
排出口及びポンプを含むチャンバ支持機器の中にさえも
形成される。チャンバの表面上に形成されたフィルム層
は、堆積処理（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ
ｅｓ）の場合と同様に、主として（ｐｒｉｍａｒｉｌ
ｙ）堆積層材料から成り、或いはエッチングプロセスの
場合と同様に、主としてエッチングの副産物（ｂｙｐｒ
ｏｄｕｃｔｓ）から成る。このフィルム層は砕けやすく
（ｆｒｉａｂｌｅ）、その場所に残されると、ウエハ上
に堆積しうる汚染粒子（ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ ｐａ
ｒｔｉｃｌｅｓ）をエンクロージャ内に形成することに
なる。十分な大きさの汚染粒子一個が一つのウエハ上に
堆積すると、そのウエハ上に形成される一或いはそれ以
上の半導体デバイスに欠陥が生じる。それ故、エンクロ
ージャは定期的に掃除をし、これらの汚染物質を除去し
なければならない。
が、エンクロージャの壁、支持部材、スリットバルブ、
エンクロージャの入口などの表面を含むエンクロージャ
の露出した表面上にも形成され、またエンクロージャの
排出口及びポンプを含むチャンバ支持機器の中にさえも
形成される。チャンバの表面上に形成されたフィルム層
は、堆積処理（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ
ｅｓ）の場合と同様に、主として（ｐｒｉｍａｒｉｌ
ｙ）堆積層材料から成り、或いはエッチングプロセスの
場合と同様に、主としてエッチングの副産物（ｂｙｐｒ
ｏｄｕｃｔｓ）から成る。このフィルム層は砕けやすく
（ｆｒｉａｂｌｅ）、その場所に残されると、ウエハ上
に堆積しうる汚染粒子（ｃｏｎｔａｍｉｎａｎｔ ｐａ
ｒｔｉｃｌｅｓ）をエンクロージャ内に形成することに
なる。十分な大きさの汚染粒子一個が一つのウエハ上に
堆積すると、そのウエハ上に形成される一或いはそれ以
上の半導体デバイスに欠陥が生じる。それ故、エンクロ
ージャは定期的に掃除をし、これらの汚染物質を除去し
なければならない。
【０００６】チャンバの内面を掃除するためには、真空
エンクロージャのカバ−或いは他のアクセスパネルを取
り除き、エンクロージャの内面を外部にさらさなければ
ならない。次に、エンクロージャの内壁及び他の表面上
に形成されたフィルム層は、水及び／或いは他の材料に
よって掃除される。更に、真空ポンプやスロットルバル
ブのような、プロセス環境にさらされる他のチャンバ部
品もまたチャンバから取り出され、その内部ポンプ及び
バルブの表面が掃除できるようにする。清掃後、そのポ
ンプ、バルブ及びカバ−は元に戻され、エンクロージャ
は再び稼働圧力までポンプにより排気される。エンクロ
ージャの表面を清掃するのに水が使われ、また清掃プロ
セス中に金属のエンクロージャ表面に水が吸収されるの
で、チャンバ内に満足で安定した真空圧が維持されるた
めには、その水がエンクロージャから除去されなければ
ならない。それ故、チャンバは高温（ｅｌｅｖａｔｅｄ
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）においてベ−クアウト（ｂａ
ｋｅｄ ｏｕｔ）され、エンクロージャの表面から水を
追い出すのを助け、そのようにして安定した真空が維持
できる乾いた（ｄｒｙ）エンクロージャ環境を提供す
る。このベ−クアウト期間は典型的には、少なくとも８
時間継続する。
エンクロージャのカバ−或いは他のアクセスパネルを取
り除き、エンクロージャの内面を外部にさらさなければ
ならない。次に、エンクロージャの内壁及び他の表面上
に形成されたフィルム層は、水及び／或いは他の材料に
よって掃除される。更に、真空ポンプやスロットルバル
ブのような、プロセス環境にさらされる他のチャンバ部
品もまたチャンバから取り出され、その内部ポンプ及び
バルブの表面が掃除できるようにする。清掃後、そのポ
ンプ、バルブ及びカバ−は元に戻され、エンクロージャ
は再び稼働圧力までポンプにより排気される。エンクロ
ージャの表面を清掃するのに水が使われ、また清掃プロ
セス中に金属のエンクロージャ表面に水が吸収されるの
で、チャンバ内に満足で安定した真空圧が維持されるた
めには、その水がエンクロージャから除去されなければ
ならない。それ故、チャンバは高温（ｅｌｅｖａｔｅｄ
ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）においてベ−クアウト（ｂａ
ｋｅｄ ｏｕｔ）され、エンクロージャの表面から水を
追い出すのを助け、そのようにして安定した真空が維持
できる乾いた（ｄｒｙ）エンクロージャ環境を提供す
る。このベ−クアウト期間は典型的には、少なくとも８
時間継続する。
【０００７】プロセスチャンバを清掃しベ−クアウトす
るのに要する時間は、プロセスチャンバの使用者にとっ
ては作業休止時間、ダウンタイム（ｄｏｗｎ ｔｉｍ
ｅ）である。これらの期間においてはチャンバ内でウエ
ハ処理が行えないからである。チャンバのダウンタイム
の長さは、プロセスチャンバがトランスファチャンバを
通して複数の他のプロセスチャンバに連結され、プロセ
スチャンバスリットバルブが清掃されなければならない
ときには、更に複合的に倍増する。スリットバルブは、
それが清掃されている間は少なくとも開いていなければ
ならない。プロセスチャンバのカバ−は、スリットバル
ブに近づくためには取り除かれなければならないので、
その開いたスリットバルブはそれが清掃されるときに
は、トランスファチャンバに大気条件を連通させること
になる。更には、スリットバルブ或いはチャンバの清掃
中にそのスリットバルブが開かれているときには、水或
いは他の物質がトランスファチャンバの表面に接触し、
その結果、プロセスチャンバが清掃され再び密封された
後に安定した真空を達成するためにはトランスファチャ
ンバのベ−クアウトを必要とすることになる。スリット
バルブがトランスファチャンバに対して開かれている時
間の間、そのトランスファチャンバと他の全てのプロセ
スチャンバとの間の連通を中断し、一つのプロセスチャ
ンバを清掃しても、トランスファチャンバにつながれた
他のプロセスチャンバのいずれをも汚染することがない
ことを確実にしなければならない。それ故、プロセスチ
ャンバスリットバルブが清掃されている間は、トランス
ファチャンバにつながれた他のプロセスチャンバの各々
は使用することができず、或いはスリットバルブが開か
れているときに他のプロセスチャンバ内に既に置かれた
ウエハのみが処理でき、またそれらのウエハは、スリッ
トバルブが閉じられトランスファチャンバを隔離し、そ
のトランスファチャンバがポンプで排気され、また必要
ならばベ−クアウトされるまで、その他のプロセスチャ
ンバから取り出すことができない。
るのに要する時間は、プロセスチャンバの使用者にとっ
ては作業休止時間、ダウンタイム（ｄｏｗｎ ｔｉｍ
ｅ）である。これらの期間においてはチャンバ内でウエ
ハ処理が行えないからである。チャンバのダウンタイム
の長さは、プロセスチャンバがトランスファチャンバを
通して複数の他のプロセスチャンバに連結され、プロセ
スチャンバスリットバルブが清掃されなければならない
ときには、更に複合的に倍増する。スリットバルブは、
それが清掃されている間は少なくとも開いていなければ
ならない。プロセスチャンバのカバ−は、スリットバル
ブに近づくためには取り除かれなければならないので、
その開いたスリットバルブはそれが清掃されるときに
は、トランスファチャンバに大気条件を連通させること
になる。更には、スリットバルブ或いはチャンバの清掃
中にそのスリットバルブが開かれているときには、水或
いは他の物質がトランスファチャンバの表面に接触し、
その結果、プロセスチャンバが清掃され再び密封された
後に安定した真空を達成するためにはトランスファチャ
ンバのベ−クアウトを必要とすることになる。スリット
バルブがトランスファチャンバに対して開かれている時
間の間、そのトランスファチャンバと他の全てのプロセ
スチャンバとの間の連通を中断し、一つのプロセスチャ
ンバを清掃しても、トランスファチャンバにつながれた
他のプロセスチャンバのいずれをも汚染することがない
ことを確実にしなければならない。それ故、プロセスチ
ャンバスリットバルブが清掃されている間は、トランス
ファチャンバにつながれた他のプロセスチャンバの各々
は使用することができず、或いはスリットバルブが開か
れているときに他のプロセスチャンバ内に既に置かれた
ウエハのみが処理でき、またそれらのウエハは、スリッ
トバルブが閉じられトランスファチャンバを隔離し、そ
のトランスファチャンバがポンプで排気され、また必要
ならばベ−クアウトされるまで、その他のプロセスチャ
ンバから取り出すことができない。
【０００８】プロセスチャンバの清掃及びベ−クアウト
に起因するダウンタイムに加えて、多くのチャンバメン
テナンス処置がダウンタイムの一因となる。例えば、ポ
ンプ及びポンプ絞り弁の手入れ（ｓｅｒｖｉｃｉｎｇ）
がしばしばダウンタイムの一因となる。典型的な先行技
術のプロセスチャンバにおいては、スロットルバルブが
チャンバエンクロージャとポンプとの間に置かれる。も
しスロットルバルブが、ポンプを掃除する必要がないの
に修理しなければならず、或いは掃除しなければならな
い場合、スロットルバルブに近づくために（ｐｒｏｖｉ
ｄｅ ａｃｃｅｓｓ ｔｏ）ポンプも取り除かなければ
ならない。ポンプ及びスロットルバルブを取り除くため
に必要な時間は、スロットルバルブだけを取り除くのに
必要な時間よりも非常に長く、この時間の差がまたチャ
ンバのダウンタイムの一因となる。更に、一旦ポンプが
チャンバから取り外され、その内面が大気にさらされる
と、ポンプが安定した真空圧を維持することができるよ
うにするためには、ポンプそれ自身がベ−クアウトされ
なければならないし或いは他の方法で安定化されなけれ
ばならない。
に起因するダウンタイムに加えて、多くのチャンバメン
テナンス処置がダウンタイムの一因となる。例えば、ポ
ンプ及びポンプ絞り弁の手入れ（ｓｅｒｖｉｃｉｎｇ）
がしばしばダウンタイムの一因となる。典型的な先行技
術のプロセスチャンバにおいては、スロットルバルブが
チャンバエンクロージャとポンプとの間に置かれる。も
しスロットルバルブが、ポンプを掃除する必要がないの
に修理しなければならず、或いは掃除しなければならな
い場合、スロットルバルブに近づくために（ｐｒｏｖｉ
ｄｅ ａｃｃｅｓｓ ｔｏ）ポンプも取り除かなければ
ならない。ポンプ及びスロットルバルブを取り除くため
に必要な時間は、スロットルバルブだけを取り除くのに
必要な時間よりも非常に長く、この時間の差がまたチャ
ンバのダウンタイムの一因となる。更に、一旦ポンプが
チャンバから取り外され、その内面が大気にさらされる
と、ポンプが安定した真空圧を維持することができるよ
うにするためには、ポンプそれ自身がベ−クアウトされ
なければならないし或いは他の方法で安定化されなけれ
ばならない。
【０００９】ウエハをロボットブレ−ドから支持部材ま
で移送する（ｔｒａｎｓｆｅｒ）のに用いられる中間ウ
エハ支持体のような、チャンバエンクロージャ内の可動
部品の存在はまたチャンバのダウンタイムの原因とな
る。チャンバエンクロージャ内の可動部品は、チャンバ
内のプロセス環境にさらされているので、チャンバの使
用中に堆積或いは汚染物質層を受け取る。この汚染物質
層は、ウエハ上の粒子汚染物質の第一の源である。それ
はこれらの部品が動くことによって、処理中にその上に
堆積した汚染物質層の部分を解放する傾向があるからで
ある。それ故、これらの表面は定期的に清掃されなけれ
ばならず、そのことによりチャンバを清掃するのに必要
な時間が増える。
で移送する（ｔｒａｎｓｆｅｒ）のに用いられる中間ウ
エハ支持体のような、チャンバエンクロージャ内の可動
部品の存在はまたチャンバのダウンタイムの原因とな
る。チャンバエンクロージャ内の可動部品は、チャンバ
内のプロセス環境にさらされているので、チャンバの使
用中に堆積或いは汚染物質層を受け取る。この汚染物質
層は、ウエハ上の粒子汚染物質の第一の源である。それ
はこれらの部品が動くことによって、処理中にその上に
堆積した汚染物質層の部分を解放する傾向があるからで
ある。それ故、これらの表面は定期的に清掃されなけれ
ばならず、そのことによりチャンバを清掃するのに必要
な時間が増える。
【００１０】出願人に知られた一つの先行技術の装置
は、基板装填（ｌｏａｄｉｎｇ）環境から分離された区
画（ｃｏｍｐａｒｔｍｅｎｔ）内にプロセス環境を維持
し、またそのようにして、支持部材上に基板を置くのに
用いられる基板装填装置からプロセス環境を少なくとも
部分的に隔離していた。ＭＲＣから入手できるエクリッ
プススパッタツ−ル（Ｅｃｌｉｐｓｅ ｓｐｕｔｔｅｒ
ｔｏｏｌ）として知られるこのマルチステ−ション
（ｍｕｌｔｉ−ｓｔａｔｉｏｎ）装置は、ファイヤウォ
−ル（ｆｉｒｅ ｗａｌｌ）を通して複数の別々のプロ
セスステ−ションに接続された、大型メインチャンバを
含んでいた。各プロセスステ−ションは、チャンバ穴
（ａｐｅｒｔｕｒｅ）の上方のファイヤウォ−ルの外側
に置かれていた。複数の基板ヒ−タが、そのメインチャ
ンバ内に置かれており、各ヒ−タは特定のプロセスステ
−ションのために使用された。複数の穴を有する大きい
回転トランスファプレ−トが、前記ファイヤウォ−ルに
実質的に平行に置かれていた。一つの基板が、前記回転
プレ−ト内の穴の各々の中に支持され、各基板が前記メ
インチャンバ内で動くことができ、ファイヤウォ−ルの
穴の各々と芯が一致するように位置付けられ、そのよう
にしてプロセスステ−ションの各々と芯が一致するよう
になる。
は、基板装填（ｌｏａｄｉｎｇ）環境から分離された区
画（ｃｏｍｐａｒｔｍｅｎｔ）内にプロセス環境を維持
し、またそのようにして、支持部材上に基板を置くのに
用いられる基板装填装置からプロセス環境を少なくとも
部分的に隔離していた。ＭＲＣから入手できるエクリッ
プススパッタツ−ル（Ｅｃｌｉｐｓｅ ｓｐｕｔｔｅｒ
ｔｏｏｌ）として知られるこのマルチステ−ション
（ｍｕｌｔｉ−ｓｔａｔｉｏｎ）装置は、ファイヤウォ
−ル（ｆｉｒｅ ｗａｌｌ）を通して複数の別々のプロ
セスステ−ションに接続された、大型メインチャンバを
含んでいた。各プロセスステ−ションは、チャンバ穴
（ａｐｅｒｔｕｒｅ）の上方のファイヤウォ−ルの外側
に置かれていた。複数の基板ヒ−タが、そのメインチャ
ンバ内に置かれており、各ヒ−タは特定のプロセスステ
−ションのために使用された。複数の穴を有する大きい
回転トランスファプレ−トが、前記ファイヤウォ−ルに
実質的に平行に置かれていた。一つの基板が、前記回転
プレ−ト内の穴の各々の中に支持され、各基板が前記メ
インチャンバ内で動くことができ、ファイヤウォ−ルの
穴の各々と芯が一致するように位置付けられ、そのよう
にしてプロセスステ−ションの各々と芯が一致するよう
になる。
【００１１】ＭＲＣマルチステ−ションツ−ルは、一以
上のプロセスステ−ションを通して順番に基板を処理す
るのに用いられた。ここで、スパッタ環境がプロセスス
テ−ションの各々の中に維持される。稼働の際は、基板
は装填位置にある回転プレ−ト中の穴の中に装填され、
マルチステ−ションツ−ル全体を通して処理のために回
転された。基板に処理工程を行うために、基板は先ず個
別のプロセスステ−ションの上において芯が一致され、
次に基板ヒ−タが、メインチャンバ内の引っ込んだ（ｒ
ｅｔｒａｃｔｅｄ）位置から出っ張った（ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ）位置まで動かされた。そのヒ−タは、基板を加熱
するためにその基板の裏側を回転壁穴内に係合するプレ
−ト部分と、回転プレ−トに対して係合し、その回転プ
レ−トをファイヤウォ−ルに押し付ける出っ張った（ｅ
ｘｔｅｎｄｉｎｇ）環状壁を備えた。環状壁の回転プレ
−トに対する界面（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）部分、及び回
転プレ−トとファイヤウォ−ルとの間にシ−ルが提供さ
れ、スパッタプロセスのためのシ−ルされたステ−ショ
ンを作った。一旦全てのヒ−タが出っ張った位置に動か
されると、スパッタ堆積環境がプロセスステ−ションの
各々に作り出される。そのプロセスがプロセスステ−シ
ョン中で完了した後に、ヒ−タの各々はそれぞれのプロ
セスチャンバから引っ込み、回転プレ−トが回転し、基
板を次のプロセスステ−ションに置く。
上のプロセスステ−ションを通して順番に基板を処理す
るのに用いられた。ここで、スパッタ環境がプロセスス
テ−ションの各々の中に維持される。稼働の際は、基板
は装填位置にある回転プレ−ト中の穴の中に装填され、
マルチステ−ションツ−ル全体を通して処理のために回
転された。基板に処理工程を行うために、基板は先ず個
別のプロセスステ−ションの上において芯が一致され、
次に基板ヒ−タが、メインチャンバ内の引っ込んだ（ｒ
ｅｔｒａｃｔｅｄ）位置から出っ張った（ｅｘｔｅｎｄ
ｅｄ）位置まで動かされた。そのヒ−タは、基板を加熱
するためにその基板の裏側を回転壁穴内に係合するプレ
−ト部分と、回転プレ−トに対して係合し、その回転プ
レ−トをファイヤウォ−ルに押し付ける出っ張った（ｅ
ｘｔｅｎｄｉｎｇ）環状壁を備えた。環状壁の回転プレ
−トに対する界面（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）部分、及び回
転プレ−トとファイヤウォ−ルとの間にシ−ルが提供さ
れ、スパッタプロセスのためのシ−ルされたステ−ショ
ンを作った。一旦全てのヒ−タが出っ張った位置に動か
されると、スパッタ堆積環境がプロセスステ−ションの
各々に作り出される。そのプロセスがプロセスステ−シ
ョン中で完了した後に、ヒ−タの各々はそれぞれのプロ
セスチャンバから引っ込み、回転プレ−トが回転し、基
板を次のプロセスステ−ションに置く。
【００１２】ＭＲＣマルチステ−ションツ−ルの構成
（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）は幾つかの固有の制限
を有する。特に、このツ−ルは本来的に、ステ−ション
間のお互いの汚染を被りやすい。それは回転プレ−トの
一部が、基板がプロセスステ−ションの各々の中での処
理のために回転される際、各プロセス環境にさらされる
からである。このようにして、異なったプロセスステ−
ション中で基板上に異なった材料が堆積されるときは、
その特定のプロセスステ−ション中に存在する材料以外
の材料から成る不純物が、回転プレ−トから解放されて
メインチャンバ内に入り込みうる。更には、プロセスス
テ−ションの各々に維持されているプロセス環境の痕跡
程度の極めて微量な物質が、ヒ−タが個別のプロセスス
テ−ションから引っ込んだときに、メインチャンバ中に
放出される。これらの痕跡程度の量の（ｔｒａｃｅ ａ
ｍｏｕｎｔｓ）汚染物質は、メインチャンバ中に、及び
プロセスステ−ション中に混じり込み（ｃｏｍｍｉｎｇ
ｌｅ）、且つ蓄積し（ｂｕｉｄ ｕｐ）、大きいメイン
チャンバを含むマルチステ−ションツ−ル全体が、個別
のプロセスステ−ション中に維持されているプロセス環
境の汚染を防止するために清掃されなければならないよ
うな点にまで達する。最後には、処理量（ｔｈｒｏｕｇ
ｈｐｕｔ）がツ−ル中で行われる最も遅い処理によって
制限されるので、そのツ−ルの稼働は遅くなる。
（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）は幾つかの固有の制限
を有する。特に、このツ−ルは本来的に、ステ−ション
間のお互いの汚染を被りやすい。それは回転プレ−トの
一部が、基板がプロセスステ−ションの各々の中での処
理のために回転される際、各プロセス環境にさらされる
からである。このようにして、異なったプロセスステ−
ション中で基板上に異なった材料が堆積されるときは、
その特定のプロセスステ−ション中に存在する材料以外
の材料から成る不純物が、回転プレ−トから解放されて
メインチャンバ内に入り込みうる。更には、プロセスス
テ−ションの各々に維持されているプロセス環境の痕跡
程度の極めて微量な物質が、ヒ−タが個別のプロセスス
テ−ションから引っ込んだときに、メインチャンバ中に
放出される。これらの痕跡程度の量の（ｔｒａｃｅ ａ
ｍｏｕｎｔｓ）汚染物質は、メインチャンバ中に、及び
プロセスステ−ション中に混じり込み（ｃｏｍｍｉｎｇ
ｌｅ）、且つ蓄積し（ｂｕｉｄ ｕｐ）、大きいメイン
チャンバを含むマルチステ−ションツ−ル全体が、個別
のプロセスステ−ション中に維持されているプロセス環
境の汚染を防止するために清掃されなければならないよ
うな点にまで達する。最後には、処理量（ｔｈｒｏｕｇ
ｈｐｕｔ）がツ−ル中で行われる最も遅い処理によって
制限されるので、そのツ−ルの稼働は遅くなる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】チャンバ清掃のための
分解修理時間が低減されるプロセスチャンバ、及び複数
のチャンバが一つのトランスファチャンバに接続されて
いるが、ある一つのチャンバを清掃しても、そのプロセ
スチャンバの清掃のために、トランスファチャンバに接
続された他のチャンバを停止することを要しないような
配置（ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）を有する技術が必要と
されている。
分解修理時間が低減されるプロセスチャンバ、及び複数
のチャンバが一つのトランスファチャンバに接続されて
いるが、ある一つのチャンバを清掃しても、そのプロセ
スチャンバの清掃のために、トランスファチャンバに接
続された他のチャンバを停止することを要しないような
配置（ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ）を有する技術が必要と
されている。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、プロセスチャ
ンバが少なくとも二つの区画（ｃｏｍｐａｒｔｍｅｎｔ
ｓ）に分割され、その二つの区画のうちの一つのみにプ
ロセス環境が維持できるような、プロセスチャンバ内で
ウエハを処理するための方法及び装置を提供する。その
チャンバは、少なくとも第一の区画と、第二の区画と、
それら二つの区画の間の連通穴（ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ
ｉｏｎ ａｐｅｒｔｕｒｅ）の上に位置し第一の区画と
第二の区画とをお互いにシ−ルする可動壁（ｍｏｖｅａ
ｂｌｅｗａｌｌ）とを備える。
ンバが少なくとも二つの区画（ｃｏｍｐａｒｔｍｅｎｔ
ｓ）に分割され、その二つの区画のうちの一つのみにプ
ロセス環境が維持できるような、プロセスチャンバ内で
ウエハを処理するための方法及び装置を提供する。その
チャンバは、少なくとも第一の区画と、第二の区画と、
それら二つの区画の間の連通穴（ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ
ｉｏｎ ａｐｅｒｔｕｒｅ）の上に位置し第一の区画と
第二の区画とをお互いにシ−ルする可動壁（ｍｏｖｅａ
ｂｌｅｗａｌｌ）とを備える。
【００１５】本発明の一つの局面においては、プロセス
環境が維持される区画全体が取り外され、正常な、事前
にベ−クアウトされた区画と置き換えることができ、そ
れによって、プロセス区画が掃除を必要とするときに、
より速い分解修理を可能にする。更に加えるに、プロセ
スチャンバがその場所で掃除される場合は、可動壁が連
通穴上に置かれ、清掃材料と処理に使用しない（ｎｏｎ
−ｐｒｏｃｅｓｓ）区画の表面との間の接触を防止し、
また上方の区画が開かれているとき、処理に使用しない
区画が大気条件にさらされるのを防止する。処理に使用
しない区画を清掃材料からまた大気条件から隔離するこ
とによって、清掃後チャンバ全体をベ−クアウトしなけ
ればならなかった先行技術におけるよりも短いベ−クア
ウト時間が可能になるように図られている。
環境が維持される区画全体が取り外され、正常な、事前
にベ−クアウトされた区画と置き換えることができ、そ
れによって、プロセス区画が掃除を必要とするときに、
より速い分解修理を可能にする。更に加えるに、プロセ
スチャンバがその場所で掃除される場合は、可動壁が連
通穴上に置かれ、清掃材料と処理に使用しない（ｎｏｎ
−ｐｒｏｃｅｓｓ）区画の表面との間の接触を防止し、
また上方の区画が開かれているとき、処理に使用しない
区画が大気条件にさらされるのを防止する。処理に使用
しない区画を清掃材料からまた大気条件から隔離するこ
とによって、清掃後チャンバ全体をベ−クアウトしなけ
ればならなかった先行技術におけるよりも短いベ−クア
ウト時間が可能になるように図られている。
【００１６】本発明の更に別の局面においては、前記可
動壁がウエハ支持部材として形成されており、また第二
の区画内に置くことができウエハをその上に置き或いは
そこから取り除くことができるようになっており、また
更に前記二つの区画の間の穴（ａｐｅｒｔｕｒｅ）をシ
−ルするようにチャンバ内に置くことができ、また同時
に第一の区画内に処理のためにウエハを置くことができ
るようになっている。
動壁がウエハ支持部材として形成されており、また第二
の区画内に置くことができウエハをその上に置き或いは
そこから取り除くことができるようになっており、また
更に前記二つの区画の間の穴（ａｐｅｒｔｕｒｅ）をシ
−ルするようにチャンバ内に置くことができ、また同時
に第一の区画内に処理のためにウエハを置くことができ
るようになっている。
【００１７】本発明の更なる局面においては、ポンプオ
リフィスを絞るために用いられるバルブは、ポンプを取
り除くことなく、またポンプのポンピング部品を大気に
さらすことなくチャンバから取り外すことができる。本
発明の別の局面においては、スリットバルブ及び／また
はウエハ取扱い機器は、第二の区画内に置かれており、
最小限の可動部品だけがプロセス環境にさらされるよう
になっている。第二の区画内の可動部品を隔離し、その
ようにして処理環境による汚染を低減しあるいは排除す
ることによって、可動部品を清掃するまでにチャンバ内
で行うことのできるウエハ処理稼働数が増大する。本発
明のさらに別の局面においては、ウエハをロボットア−
ムから移送し、支持部材上に移送するための中間ウエハ
支持部が、支持部材内に受容されまたそれによって選択
的にシ−ルされる複数のピンと、第二の区画内に配設さ
れそれによってプロセス環境及びその汚染物質から有利
に隔離されたピンアクチュエ−タとを含む。
リフィスを絞るために用いられるバルブは、ポンプを取
り除くことなく、またポンプのポンピング部品を大気に
さらすことなくチャンバから取り外すことができる。本
発明の別の局面においては、スリットバルブ及び／また
はウエハ取扱い機器は、第二の区画内に置かれており、
最小限の可動部品だけがプロセス環境にさらされるよう
になっている。第二の区画内の可動部品を隔離し、その
ようにして処理環境による汚染を低減しあるいは排除す
ることによって、可動部品を清掃するまでにチャンバ内
で行うことのできるウエハ処理稼働数が増大する。本発
明のさらに別の局面においては、ウエハをロボットア−
ムから移送し、支持部材上に移送するための中間ウエハ
支持部が、支持部材内に受容されまたそれによって選択
的にシ−ルされる複数のピンと、第二の区画内に配設さ
れそれによってプロセス環境及びその汚染物質から有利
に隔離されたピンアクチュエ−タとを含む。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明は少なくとも二つの区画を
有するチャンバを提供する。ここでプロセス環境は、そ
れら区画のうちの一つにおいてのみ維持され、スリット
バルブ及びウエハ取扱い装置がそれら区画のうちのもう
一方の中に置かれている。本発明の好ましい実施の形態
においては、図１の１０に示すように、チャンバは、プ
ロセス環境が維持できる第一の区画１２と、第一の区画
１２に隣接しており且つそれと選択的に連通でき、その
連通は両方の区画に共通の開口部（ａｐｅｒｔｕｒｅ）
１６を通して行われる第二の区画１４と、少なくとも第
二の区画１４の中に選択的に置くことができ、第一の区
画１２と第二の区画１４との間において開口部１６を選
択的にシ−ルする可動壁１８とを含む。第一の区画１２
内に維持されるプロセス環境は、プラズマエッチングプ
ロセス、物理蒸着プロセス（ここで堆積材料を提供する
ために或いは化学蒸着プロセスを高進するためにタ−ゲ
ットがスパッタされる）、或いは化学的蒸気（ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ）がウエハ上にフィルム層を形成
する化学蒸着を含むが、それらに限らない。第一の区画
１２と第二の区画１４の両方とも、真空環境が維持でき
る個々にシ−ルされたエンクロージャである。本発明の
好ましい実施の形態においては、第一の区画１２は掃除
のためにチャンバ１０から取り外し、第二の同一の第一
の区画１２と置き換えることができる。その第一の区画
１２を正常な、予めベ−クアウトした第一の区画１２と
置き換えることによって、ウエハ８の処理のためにチャ
ンバ１０を準備するのに必要な時間は、チャンバ１０が
清掃を必要とするとき、著しく低減できる。
有するチャンバを提供する。ここでプロセス環境は、そ
れら区画のうちの一つにおいてのみ維持され、スリット
バルブ及びウエハ取扱い装置がそれら区画のうちのもう
一方の中に置かれている。本発明の好ましい実施の形態
においては、図１の１０に示すように、チャンバは、プ
ロセス環境が維持できる第一の区画１２と、第一の区画
１２に隣接しており且つそれと選択的に連通でき、その
連通は両方の区画に共通の開口部（ａｐｅｒｔｕｒｅ）
１６を通して行われる第二の区画１４と、少なくとも第
二の区画１４の中に選択的に置くことができ、第一の区
画１２と第二の区画１４との間において開口部１６を選
択的にシ−ルする可動壁１８とを含む。第一の区画１２
内に維持されるプロセス環境は、プラズマエッチングプ
ロセス、物理蒸着プロセス（ここで堆積材料を提供する
ために或いは化学蒸着プロセスを高進するためにタ−ゲ
ットがスパッタされる）、或いは化学的蒸気（ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ）がウエハ上にフィルム層を形成
する化学蒸着を含むが、それらに限らない。第一の区画
１２と第二の区画１４の両方とも、真空環境が維持でき
る個々にシ−ルされたエンクロージャである。本発明の
好ましい実施の形態においては、第一の区画１２は掃除
のためにチャンバ１０から取り外し、第二の同一の第一
の区画１２と置き換えることができる。その第一の区画
１２を正常な、予めベ−クアウトした第一の区画１２と
置き換えることによって、ウエハ８の処理のためにチャ
ンバ１０を準備するのに必要な時間は、チャンバ１０が
清掃を必要とするとき、著しく低減できる。
【００１９】第一の区画１２及び第二の区画１４の両方
とも、確実な真空（ｈａｒｄ ｖａｃｕｕｍ）に維持で
き、複数のボルト或いは他の取り外し可能な締め付け具
（図示せず）によって相互に接続される別々のシ−ルで
きるエンクロ−ジャとして提供するのが好ましい。第一
の区画１２は、第一の区画１２と第二の区画１４との間
を連通するために開口部（ａｐｅｒｔｕｒｅ）１６が広
がっているベ−ス２０と、排気オリフィス２２（図３か
ら図５に判りやすく示されている）と、シ−ルリング３
０及びカバ−２８が受容されている上部カバ−フランジ
２４とを含むのが好ましい。第一の区画１２の構造全体
は、第一の区画１２の表面及び特徴を与えるために、一
体（ｓｉｎｇｌｅ ｐｉｅｃｅ）のアルミニウムのよう
な材料を機械加工することによって作るのが好ましい。
第一の区画１２を一体の材料から機械加工することによ
って、その第一の区画１２の本体には継手部（ｊｏｉｎ
ｔｓ）或いは継目（ｓｅａｍｓ）が存在することがなく
なり、そのことによって、第一の区画１２を貫通する潜
在的漏洩路の数を低減する。チャンバ１０がスパッタリ
ング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）チャンバとして形成され
る場合には、カバ−２８はその上に搭載されたタ−ゲッ
ト（図示せず）を含んでおり、それは内部磁石構造（図
示せず）と共にあるのが好ましい。そのようなタ−ゲッ
ト磁石構造の一つは、米国特許第５２４２５６６号、パ
−カ−（Ｐａｒｋｅｒ）に示されている。
とも、確実な真空（ｈａｒｄ ｖａｃｕｕｍ）に維持で
き、複数のボルト或いは他の取り外し可能な締め付け具
（図示せず）によって相互に接続される別々のシ−ルで
きるエンクロ−ジャとして提供するのが好ましい。第一
の区画１２は、第一の区画１２と第二の区画１４との間
を連通するために開口部（ａｐｅｒｔｕｒｅ）１６が広
がっているベ−ス２０と、排気オリフィス２２（図３か
ら図５に判りやすく示されている）と、シ−ルリング３
０及びカバ−２８が受容されている上部カバ−フランジ
２４とを含むのが好ましい。第一の区画１２の構造全体
は、第一の区画１２の表面及び特徴を与えるために、一
体（ｓｉｎｇｌｅ ｐｉｅｃｅ）のアルミニウムのよう
な材料を機械加工することによって作るのが好ましい。
第一の区画１２を一体の材料から機械加工することによ
って、その第一の区画１２の本体には継手部（ｊｏｉｎ
ｔｓ）或いは継目（ｓｅａｍｓ）が存在することがなく
なり、そのことによって、第一の区画１２を貫通する潜
在的漏洩路の数を低減する。チャンバ１０がスパッタリ
ング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）チャンバとして形成され
る場合には、カバ−２８はその上に搭載されたタ−ゲッ
ト（図示せず）を含んでおり、それは内部磁石構造（図
示せず）と共にあるのが好ましい。そのようなタ−ゲッ
ト磁石構造の一つは、米国特許第５２４２５６６号、パ
−カ−（Ｐａｒｋｅｒ）に示されている。
【００２０】第二の区画１４は、チャンバスリットバル
ブ６を有する桶（ｔｕｂ）のような形状のハウジング４
１と、桶部分４１の上端に広がる上部搭載フランジ４３
と、桶部分４１から外側に片持ち梁状に張り出したポン
プ支持フランジ４７とを含むのが好ましい。チャンバス
リットバルブ６はハウジング全体に広がっている。第二
の区画１４は、別の（ｓｅｐａｒａｔｅ）カバ−は備え
ていない。そうではなくて、第一の区画１２のベ−ス２
０の下側は、上部搭載フランジ４３とポンプ支持フラン
ジ４７の上に受容されている。上部搭載フランジ４３の
上に受容されたベ−ス２０の部分は、第二の区画１４の
上端（ｔｏｐ）を形成しており、開口部１６が区画１
２、１４の両方と連通するように配設されるようになっ
ている。シ−ルリングが、上部搭載フランジの周辺に広
がるシ−ル溝内に配設されており、開口部１６の回りに
広がり、ベ−ス２０の下側を上部搭載フランジ４３に対
してシ−ルするためのシ−ルを提供している。
ブ６を有する桶（ｔｕｂ）のような形状のハウジング４
１と、桶部分４１の上端に広がる上部搭載フランジ４３
と、桶部分４１から外側に片持ち梁状に張り出したポン
プ支持フランジ４７とを含むのが好ましい。チャンバス
リットバルブ６はハウジング全体に広がっている。第二
の区画１４は、別の（ｓｅｐａｒａｔｅ）カバ−は備え
ていない。そうではなくて、第一の区画１２のベ−ス２
０の下側は、上部搭載フランジ４３とポンプ支持フラン
ジ４７の上に受容されている。上部搭載フランジ４３の
上に受容されたベ−ス２０の部分は、第二の区画１４の
上端（ｔｏｐ）を形成しており、開口部１６が区画１
２、１４の両方と連通するように配設されるようになっ
ている。シ−ルリングが、上部搭載フランジの周辺に広
がるシ−ル溝内に配設されており、開口部１６の回りに
広がり、ベ−ス２０の下側を上部搭載フランジ４３に対
してシ−ルするためのシ−ルを提供している。
【００２１】チャンバ１０内の真空圧力を維持するため
に、タ−ボ分子ポンプ或いはクライオジェニック（ｃｒ
ｙｏｇｅｎｉｃ）ポンプのようなポンプ３２が、ポンプ
３２を排気オリフィスから隔離するように置かれている
ゲ−トバルブ３７を通して排気オリフィス２２に流体的
に連結されており、またポペットバルブ（ｐｏｐｐｅｔ
ｖａｌｖｅ）３４が排気オリフィス２２と連通してお
り、ポンプ３２を絞る（ｔｈｒｏｔｔｌｅ）ようになっ
ている。図３から図５に判りやすく示されているよう
に、排気オリフィス２２は、ゲ−トバルブ３７とポンプ
３２と連通するポンプ開口部３６と、ポンプ開口部３６
に対向しておりポペットバルブ３４が搭載されるように
なったポペットバルブ開口部３８とを含んでいる。ゲ−
トバルブ３７は、ポンプ３２をチャンバ１０から選択的
にシ−ルするように備わっている。ポペットバルブ３４
は、ポペットバルブハウジング４２内にアクチュエ−タ
から伸延するプレ−ト４０を備えており、排気オリフィ
ス２２の断面の部分或いは選択された部分を塞ぐように
なっている。プレ−ト４０によって排気オリフィスの選
択された部分を閉塞する（ｂｌｏｃｋｉｎｇ）ことによ
って、ポペットバルブ３４は排気オリフィスを絞るため
の絞り弁（ｔｈｒｏｔｔｌｅ ｖａｌｖｅ）として用い
られる。ポンプ３２とゲ−トバルブ３７とはポンプ支持
フランジ４５に搭載されているが、排気オリフィス２２
は、完全に上部区画１２によって形成されている。排気
オリフィスの壁、特にポンプ開口部３６は、ポンプ支持
フランジ４５の中にスリ−ブ状に差し込めるようにし
て、第一の区画１２がチャンバ１０から取り外されると
き、ポンプ３２がポンプ支持フランジ４５の下側に残る
が、排気オリフィス２２は清掃及び／または交換のため
に取り外せるようにするのが好ましい。シ−ルリングが
ポンプフランジ内の溝に備えられ、ポンプ支持フランジ
４５とポンプ開口部３６との間の界面をシ−ルする。ポ
ペットバルブ３４をそれとは別のポンプ３２と連通して
いる開口部上に搭載することによって、ポペットバルブ
３４とポンプ３２とは別々に修理することができ或いは
チャンバ１０から別々に取り外すことができる。更に、
ゲ−トバルブ３７を閉じることによって、ポンプ３２
は、第一の区画が掃除されるとき或いはポペットバルブ
３４が修理されるとき第一の区画１２から隔離すること
ができ、またポンプ３２が取り外されるとき、第一の区
画は隔離され大気にさらされないようにすることができ
る。
に、タ−ボ分子ポンプ或いはクライオジェニック（ｃｒ
ｙｏｇｅｎｉｃ）ポンプのようなポンプ３２が、ポンプ
３２を排気オリフィスから隔離するように置かれている
ゲ−トバルブ３７を通して排気オリフィス２２に流体的
に連結されており、またポペットバルブ（ｐｏｐｐｅｔ
ｖａｌｖｅ）３４が排気オリフィス２２と連通してお
り、ポンプ３２を絞る（ｔｈｒｏｔｔｌｅ）ようになっ
ている。図３から図５に判りやすく示されているよう
に、排気オリフィス２２は、ゲ−トバルブ３７とポンプ
３２と連通するポンプ開口部３６と、ポンプ開口部３６
に対向しておりポペットバルブ３４が搭載されるように
なったポペットバルブ開口部３８とを含んでいる。ゲ−
トバルブ３７は、ポンプ３２をチャンバ１０から選択的
にシ−ルするように備わっている。ポペットバルブ３４
は、ポペットバルブハウジング４２内にアクチュエ−タ
から伸延するプレ−ト４０を備えており、排気オリフィ
ス２２の断面の部分或いは選択された部分を塞ぐように
なっている。プレ−ト４０によって排気オリフィスの選
択された部分を閉塞する（ｂｌｏｃｋｉｎｇ）ことによ
って、ポペットバルブ３４は排気オリフィスを絞るため
の絞り弁（ｔｈｒｏｔｔｌｅ ｖａｌｖｅ）として用い
られる。ポンプ３２とゲ−トバルブ３７とはポンプ支持
フランジ４５に搭載されているが、排気オリフィス２２
は、完全に上部区画１２によって形成されている。排気
オリフィスの壁、特にポンプ開口部３６は、ポンプ支持
フランジ４５の中にスリ−ブ状に差し込めるようにし
て、第一の区画１２がチャンバ１０から取り外されると
き、ポンプ３２がポンプ支持フランジ４５の下側に残る
が、排気オリフィス２２は清掃及び／または交換のため
に取り外せるようにするのが好ましい。シ−ルリングが
ポンプフランジ内の溝に備えられ、ポンプ支持フランジ
４５とポンプ開口部３６との間の界面をシ−ルする。ポ
ペットバルブ３４をそれとは別のポンプ３２と連通して
いる開口部上に搭載することによって、ポペットバルブ
３４とポンプ３２とは別々に修理することができ或いは
チャンバ１０から別々に取り外すことができる。更に、
ゲ−トバルブ３７を閉じることによって、ポンプ３２
は、第一の区画が掃除されるとき或いはポペットバルブ
３４が修理されるとき第一の区画１２から隔離すること
ができ、またポンプ３２が取り外されるとき、第一の区
画は隔離され大気にさらされないようにすることができ
る。
【００２２】ポンプ３２は、可動壁１８が第二の区画１
４に引っ込み、第二の区画１４とポンプ３２との間の連
通を許すとき、区画１２及び１４の両方を１０-7ト−ル
（ｔｏｒｒ）の領域の圧力までポンプで排気できる能力
を有するのが好ましい。一旦チャンバ１０がこのような
低い圧力までポンプで排気されると、可動壁１８は、以
下更に説明するように、第二の区画１４を第一の区画１
２から隔離するような位置に置かれる。次にプロセスガ
スが、質量流量コントロ−ラ（図示せず）を有するガス
入口を通して第一のエンクロ−ジャ１２内に流入し、第
一の区画１２内へのガスの流量及びポンプ３２による第
一の区画１２からのガス排気量（ｐｕｍｐｉｎｇ ｒａ
ｔｅ）は、制御され、第一の区画１２内に所望の濃度
（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）及び圧力のプロセスガ
スを提供する。必要であれば、ガスはプラズマに加勢さ
れ（ｅｎｅｒｇｉｚｅｄ）或いは加勢されることなくウ
エハにフィルム層を堆積するのに用いられ、或いはそれ
はフィルム層をエッチングするためにプラズマに加勢さ
れ或いは第一の区画１２内のタ−ゲットをスパッタする
ように加勢され、ウエハ８上に堆積層を形成するための
材料を提供する。一旦ウエハ８上へのフィルム層の堆積
或いはエッチングが完了すると、ポンプ３２は第一の区
画１２を排気し（ｅｖａｃｕａｔｅｓ）二つの区画１
２、１４内の圧力を均圧し、プロセスガス及び潜在的汚
染物質を除去し、次に可動壁１８が、二つの区画１２、
１４を再び開口部１６を通して連結するように動かされ
る。
４に引っ込み、第二の区画１４とポンプ３２との間の連
通を許すとき、区画１２及び１４の両方を１０-7ト−ル
（ｔｏｒｒ）の領域の圧力までポンプで排気できる能力
を有するのが好ましい。一旦チャンバ１０がこのような
低い圧力までポンプで排気されると、可動壁１８は、以
下更に説明するように、第二の区画１４を第一の区画１
２から隔離するような位置に置かれる。次にプロセスガ
スが、質量流量コントロ−ラ（図示せず）を有するガス
入口を通して第一のエンクロ−ジャ１２内に流入し、第
一の区画１２内へのガスの流量及びポンプ３２による第
一の区画１２からのガス排気量（ｐｕｍｐｉｎｇ ｒａ
ｔｅ）は、制御され、第一の区画１２内に所望の濃度
（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ）及び圧力のプロセスガ
スを提供する。必要であれば、ガスはプラズマに加勢さ
れ（ｅｎｅｒｇｉｚｅｄ）或いは加勢されることなくウ
エハにフィルム層を堆積するのに用いられ、或いはそれ
はフィルム層をエッチングするためにプラズマに加勢さ
れ或いは第一の区画１２内のタ−ゲットをスパッタする
ように加勢され、ウエハ８上に堆積層を形成するための
材料を提供する。一旦ウエハ８上へのフィルム層の堆積
或いはエッチングが完了すると、ポンプ３２は第一の区
画１２を排気し（ｅｖａｃｕａｔｅｓ）二つの区画１
２、１４内の圧力を均圧し、プロセスガス及び潜在的汚
染物質を除去し、次に可動壁１８が、二つの区画１２、
１４を再び開口部１６を通して連結するように動かされ
る。
【００２３】チャンバ１０が、第一の区画１２内に例え
ばエッチングを行うためにプラズマプロセス環境を提供
するように形成され、また第二の区画１４内の圧力が第
一の区画１２内の圧力に近くなり或いはそれを超える
と、第二の区画１４内に望まないにもかかわらずプラズ
マが生じる。チャンバスリットバルブ６に漏洩があり、
スリットバルブ６のところでチャンバ１０の外側に取り
付けられたウエハ装填カセット内或いは隣接したトラン
スファチャンバ内にあるガスが第二の区画１４に入り込
むのを許す場合には、第二の区画１４の圧力は第一の区
画１２の圧力に近づき或いはそれを超えうる。第二の区
画１４の圧力が第一の区画１２の圧力よりも確実に低く
なるようにし、それによってその中のガスが励起して
（ｅｘｃｉｔｅｄ）プラズマになるのを確実にするため
に、二次的（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ）真空ポンプ３３が第
二の区画１４に取り付けられる。
ばエッチングを行うためにプラズマプロセス環境を提供
するように形成され、また第二の区画１４内の圧力が第
一の区画１２内の圧力に近くなり或いはそれを超える
と、第二の区画１４内に望まないにもかかわらずプラズ
マが生じる。チャンバスリットバルブ６に漏洩があり、
スリットバルブ６のところでチャンバ１０の外側に取り
付けられたウエハ装填カセット内或いは隣接したトラン
スファチャンバ内にあるガスが第二の区画１４に入り込
むのを許す場合には、第二の区画１４の圧力は第一の区
画１２の圧力に近づき或いはそれを超えうる。第二の区
画１４の圧力が第一の区画１２の圧力よりも確実に低く
なるようにし、それによってその中のガスが励起して
（ｅｘｃｉｔｅｄ）プラズマになるのを確実にするため
に、二次的（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ）真空ポンプ３３が第
二の区画１４に取り付けられる。
【００２４】図１を参照すると、桶の形状をしたハウジ
ング４１のベ−ス内のシ−ルされた開口部４６を貫通し
て伸延する中空のステム４４によって、可動壁１８が第
二の区画１４内に支持されている。そのシ−ルされた開
口部４６は、可動壁１８の下側から第二のエンクロージ
ャ１４のベ−スまで伸延するベロ−ズを含むのが好まし
く、そのベロ−ズは、何らかのプロセス環境材料が第二
の区画１４内に入って来たときステム４４を保護し、ま
た第二の区画１４とチャンバ１０の外側との間に付加的
シ−ルを提供する。ステム４４はハウジング４１の外側
で、液圧ピストン或いは気圧ピストンのような駆動部材
４９（図３から図５に示す）或いはステッパモ−タに連
結されたリ−ドネジ（ｌｅａｄ ｓｃｒｅｗ）或いは他
の駆動装置に連結されている。ステム４４は駆動部材４
９によって位置決めされ、可動壁１８を図１及び図３に
示されるように引っ込んだ位置に位置決めし、また図５
に示されるように延びた位置に位置決めする。ステム４
４の内側は、チャンバのプロセスへの適用の要求に従っ
て、ガスや冷却剤や電気のようなユ−ティリティを可動
壁１８に供給するように形成されている。
ング４１のベ−ス内のシ−ルされた開口部４６を貫通し
て伸延する中空のステム４４によって、可動壁１８が第
二の区画１４内に支持されている。そのシ−ルされた開
口部４６は、可動壁１８の下側から第二のエンクロージ
ャ１４のベ−スまで伸延するベロ−ズを含むのが好まし
く、そのベロ−ズは、何らかのプロセス環境材料が第二
の区画１４内に入って来たときステム４４を保護し、ま
た第二の区画１４とチャンバ１０の外側との間に付加的
シ−ルを提供する。ステム４４はハウジング４１の外側
で、液圧ピストン或いは気圧ピストンのような駆動部材
４９（図３から図５に示す）或いはステッパモ−タに連
結されたリ−ドネジ（ｌｅａｄ ｓｃｒｅｗ）或いは他
の駆動装置に連結されている。ステム４４は駆動部材４
９によって位置決めされ、可動壁１８を図１及び図３に
示されるように引っ込んだ位置に位置決めし、また図５
に示されるように延びた位置に位置決めする。ステム４
４の内側は、チャンバのプロセスへの適用の要求に従っ
て、ガスや冷却剤や電気のようなユ−ティリティを可動
壁１８に供給するように形成されている。
【００２５】図１及び図２には、可動壁１８の構造の詳
細及び開口部１６をシ−ルするための可動壁１８の第一
の区画１２のベ−ス２０との密封係合の詳細が示されて
いる。添付図に示されまたここに説明されている多区画
形態（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｃｏｍｐａｒｔｍｅｎｔ ｃ
ｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）を有する好ましい実施例に
おいては、可動壁１８はウエハ８上にフィルム層をエッ
チングすることができるように形成されている。プラズ
マがウエハ８上のフィルム層をエッチングするようにす
るためには、可動壁１８は陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）とし
て形成されなければならない。即ち負の（ｎｅｇａｔｉ
ｖｅ）の電圧が、好ましくは接地されている（ｇｒｏｕ
ｎｄｅｄ）第一の区画１２によって形成されたエンクロ
ージャに関して可動壁１８上に維持されなければならな
い。しかしながら、可動壁１８はまた、可動壁１８の導
電部分（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐｏｒｉｏｎ）の接地
を防止するために、二つの区画１２、１４の壁から隔離
されなければならない。それ故、可動壁１８は、外側の
電気的に絶縁されたベ−ス６０と、陰極として可動壁１
８に電気的にバイアスをかける中間の導電（ｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｅ）部材６２と、導電部材６２の上に搭載され
たペデスタル６３と、ペデスタル６３の上に受容された
静電（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ）チャック６４とを
含む。
細及び開口部１６をシ−ルするための可動壁１８の第一
の区画１２のベ−ス２０との密封係合の詳細が示されて
いる。添付図に示されまたここに説明されている多区画
形態（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｃｏｍｐａｒｔｍｅｎｔ ｃ
ｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）を有する好ましい実施例に
おいては、可動壁１８はウエハ８上にフィルム層をエッ
チングすることができるように形成されている。プラズ
マがウエハ８上のフィルム層をエッチングするようにす
るためには、可動壁１８は陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）とし
て形成されなければならない。即ち負の（ｎｅｇａｔｉ
ｖｅ）の電圧が、好ましくは接地されている（ｇｒｏｕ
ｎｄｅｄ）第一の区画１２によって形成されたエンクロ
ージャに関して可動壁１８上に維持されなければならな
い。しかしながら、可動壁１８はまた、可動壁１８の導
電部分（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｐｏｒｉｏｎ）の接地
を防止するために、二つの区画１２、１４の壁から隔離
されなければならない。それ故、可動壁１８は、外側の
電気的に絶縁されたベ−ス６０と、陰極として可動壁１
８に電気的にバイアスをかける中間の導電（ｃｏｎｄｕ
ｃｔｉｖｅ）部材６２と、導電部材６２の上に搭載され
たペデスタル６３と、ペデスタル６３の上に受容された
静電（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ）チャック６４とを
含む。
【００２６】可動壁１８の絶縁性の（ｉｎｓｕｌａｔｉ
ｖｅ）ベ−ス６０は、ステム４４の上端部４４ａ上に受
容されており、可動壁１８が図５に示されるように一番
延びだした位置にあるとき、一部が開口部１６内に受容
されておりまた一部が開口部１６に隣接した第一の区画
１２のベ−ス２０の下側に対して受容されるように形成
された円筒状の（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ）部材とする
のが好ましい。絶縁性のベ−ス６０は、環状壁６５と、
その環状壁６５の下端部から外側に広がる円周シ−ルフ
ランジ６８とによって形成された上部円筒形凹み（ｒｅ
ｃｅｓｓ）６６を含む。シ−ルフランジ６８は、その上
に環状の上方に延びるリップ（ｌｉｐ）７０と、そのリ
ップから絶縁性のベ−ス６０のエッジまで広がる環状シ
−ル面７１とを含む。導電部材６２は、凹み６６の中に
受容されており、またペデスタル６３は、その上面に取
り付けられた静電チャック６４と共に、導電部材６２に
ボルト止め或いは他の方法でしっかりと取り付けられて
いる。可動壁１８が、第一の区画１２内でウエハ８の処
理のために出っ張った位置に置かれているときには、環
状壁６５は、第一の区画１２及び開口部１６から部分的
に内側に延びており、またウエハ８は図２に示されるよ
うに静電チャック６４の上に受容されている。絶縁性の
ベ−ス６０の係合をベ−ス２０の下側に対してシ−ルす
るために、ダブテ−ル形状（ｄｏｖｅｔａｉｌ ｐｒｏ
ｆｉｌｅ）を有するシ−ル溝２１がベ−ス２０の下側に
設けられており、開口部１６の周囲に広がっており、ま
た図２に一番よく示されているように、Ｏリング或いは
他の形のシ−ル２５がその中に受容されている。
ｖｅ）ベ−ス６０は、ステム４４の上端部４４ａ上に受
容されており、可動壁１８が図５に示されるように一番
延びだした位置にあるとき、一部が開口部１６内に受容
されておりまた一部が開口部１６に隣接した第一の区画
１２のベ−ス２０の下側に対して受容されるように形成
された円筒状の（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ）部材とする
のが好ましい。絶縁性のベ−ス６０は、環状壁６５と、
その環状壁６５の下端部から外側に広がる円周シ−ルフ
ランジ６８とによって形成された上部円筒形凹み（ｒｅ
ｃｅｓｓ）６６を含む。シ−ルフランジ６８は、その上
に環状の上方に延びるリップ（ｌｉｐ）７０と、そのリ
ップから絶縁性のベ−ス６０のエッジまで広がる環状シ
−ル面７１とを含む。導電部材６２は、凹み６６の中に
受容されており、またペデスタル６３は、その上面に取
り付けられた静電チャック６４と共に、導電部材６２に
ボルト止め或いは他の方法でしっかりと取り付けられて
いる。可動壁１８が、第一の区画１２内でウエハ８の処
理のために出っ張った位置に置かれているときには、環
状壁６５は、第一の区画１２及び開口部１６から部分的
に内側に延びており、またウエハ８は図２に示されるよ
うに静電チャック６４の上に受容されている。絶縁性の
ベ−ス６０の係合をベ−ス２０の下側に対してシ−ルす
るために、ダブテ−ル形状（ｄｏｖｅｔａｉｌ ｐｒｏ
ｆｉｌｅ）を有するシ−ル溝２１がベ−ス２０の下側に
設けられており、開口部１６の周囲に広がっており、ま
た図２に一番よく示されているように、Ｏリング或いは
他の形のシ−ル２５がその中に受容されている。
【００２７】処理工程中は、可動壁１８は今説明したよ
うに一番出っ張った位置にあり、区画１２をシ−ルしな
がらウエハ８を第一の区画１２内に支持している。この
ようにしてウエハ８と可動壁１８の部分の両方を、第一
の区画１２内に維持されているプロセス環境にさらすこ
とができる。可動壁１８の露出した部分をプロセス環境
から保護するために、シュラウド７２が、シ−ルフラン
ジ６８から環状壁６５の外側表面を被って上方向に延び
ており、ペデスタル６３の上方外側エッジ内に配設され
た環状溝７３内で、ペデスタル６３の外側エッジの内側
で終わっている。
うに一番出っ張った位置にあり、区画１２をシ−ルしな
がらウエハ８を第一の区画１２内に支持している。この
ようにしてウエハ８と可動壁１８の部分の両方を、第一
の区画１２内に維持されているプロセス環境にさらすこ
とができる。可動壁１８の露出した部分をプロセス環境
から保護するために、シュラウド７２が、シ−ルフラン
ジ６８から環状壁６５の外側表面を被って上方向に延び
ており、ペデスタル６３の上方外側エッジ内に配設され
た環状溝７３内で、ペデスタル６３の外側エッジの内側
で終わっている。
【００２８】ウエハを可動壁に適切に固定するために、
またウエハ８を許容できる温度に維持するために、また
プラズマエッチングをする場合には、電力を供給し第一
の区画１２内のガスを加勢して（ｅｎｅｒｇｉｚｅ）プ
ラズマにするために、可動壁１８には異なるユ−ティリ
ティが供給されなければならない。典型的には、そのユ
−ティリティは冷却剤（ｃｏｏｌａｎｔｓ）、及び静電
チャック及び／または補助電気抵抗ヒ−タのための電力
とを含む。或いはその代わりに、ウエハ８の真空チャッ
クのために真空ラインが可動壁１８まで伸延する。好ま
しくは、可動壁１８へのユ−ティリティ用接続は、米国
特許第５２２８５０１号、テップマン（Ｔｅｐｍａｎ）
他、に開示されているように、ステム４４の中空部の内
側を通して提供される。
またウエハ８を許容できる温度に維持するために、また
プラズマエッチングをする場合には、電力を供給し第一
の区画１２内のガスを加勢して（ｅｎｅｒｇｉｚｅ）プ
ラズマにするために、可動壁１８には異なるユ−ティリ
ティが供給されなければならない。典型的には、そのユ
−ティリティは冷却剤（ｃｏｏｌａｎｔｓ）、及び静電
チャック及び／または補助電気抵抗ヒ−タのための電力
とを含む。或いはその代わりに、ウエハ８の真空チャッ
クのために真空ラインが可動壁１８まで伸延する。好ま
しくは、可動壁１８へのユ−ティリティ用接続は、米国
特許第５２２８５０１号、テップマン（Ｔｅｐｍａｎ）
他、に開示されているように、ステム４４の中空部の内
側を通して提供される。
【００２９】チャンバ１０が、エッチング用のチャンバ
として形成されている場合には、ウエハ８及び可動壁１
８は、典型的には、エッチイングプラズマからウエハ８
に伝達される熱を除去するために冷却されなければなら
ない。それ故、エッチングに応用する場合には、導電部
材６４は水のような冷却剤が流される冷却路６７を備え
るのが好ましく、また静電チャック６４は複数の冷却剤
溝（図示せず）を備えている。そしてその冷却剤溝には
裏側冷却用のガスがガス供給構造（ｓｕｐｐｌｙ ａｒ
ｒａｎｇｅｍｅｎｔ）６９から流され、絶縁性のベ−ス
６０、導電部材６２及びペデスタル６３を通過する。図
１に示される本発明の実施例においては、冷却剤溝は、
複数の円形溝及び少なくとも一本の半径方向分配溝を導
電部材６２の下側に機械加工し、またプレ−ト７６であ
ってそれを貫通して延びる冷却剤供給穴及び冷却剤戻り
穴を有するプレ−ト７６を、導電部材６２の下側に固定
する（ｆｉｘｉｎｇ）ことによって提供される。本発明
に有用な従来からある冷却チャンネル及び裏側ガス分配
システムは、米国特許第４８４２６８３号、チェン（Ｃ
ｈｅｎｇ）他、に開示されている。以上述べたように、
これらの構造のためのユ−ティリティを供給するガス及
び冷却剤ラインはステム４４を貫通して延びている。
として形成されている場合には、ウエハ８及び可動壁１
８は、典型的には、エッチイングプラズマからウエハ８
に伝達される熱を除去するために冷却されなければなら
ない。それ故、エッチングに応用する場合には、導電部
材６４は水のような冷却剤が流される冷却路６７を備え
るのが好ましく、また静電チャック６４は複数の冷却剤
溝（図示せず）を備えている。そしてその冷却剤溝には
裏側冷却用のガスがガス供給構造（ｓｕｐｐｌｙ ａｒ
ｒａｎｇｅｍｅｎｔ）６９から流され、絶縁性のベ−ス
６０、導電部材６２及びペデスタル６３を通過する。図
１に示される本発明の実施例においては、冷却剤溝は、
複数の円形溝及び少なくとも一本の半径方向分配溝を導
電部材６２の下側に機械加工し、またプレ−ト７６であ
ってそれを貫通して延びる冷却剤供給穴及び冷却剤戻り
穴を有するプレ−ト７６を、導電部材６２の下側に固定
する（ｆｉｘｉｎｇ）ことによって提供される。本発明
に有用な従来からある冷却チャンネル及び裏側ガス分配
システムは、米国特許第４８４２６８３号、チェン（Ｃ
ｈｅｎｇ）他、に開示されている。以上述べたように、
これらの構造のためのユ−ティリティを供給するガス及
び冷却剤ラインはステム４４を貫通して延びている。
【００３０】チャンバ１０が、化学蒸着或いは物理蒸着
に用いられる場合には、加熱エレメント（図示せず）が
導電部材６２の中に置かれており、ウエハ８を加熱し、
堆積されたフィルム層の特性（ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）
及び分布（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を高進する（ｅ
ｎｈａｎｃｅ）。本発明に使用するのに適したそのよう
なヒ−タ構造は、米国特許５２２８５０１号、テップマ
ン（Ｔｅｐｍａｎ）他、に示された電気抵抗ヒ−タ構造
である。繰り返すが、このヒ−タのための動力接続は、
動力ケ−ブル（図示せず）をステム４４の中空部の内側
を貫通して伸延させることによって提供するのが好まし
い。
に用いられる場合には、加熱エレメント（図示せず）が
導電部材６２の中に置かれており、ウエハ８を加熱し、
堆積されたフィルム層の特性（ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）
及び分布（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ）を高進する（ｅ
ｎｈａｎｃｅ）。本発明に使用するのに適したそのよう
なヒ−タ構造は、米国特許５２２８５０１号、テップマ
ン（Ｔｅｐｍａｎ）他、に示された電気抵抗ヒ−タ構造
である。繰り返すが、このヒ−タのための動力接続は、
動力ケ−ブル（図示せず）をステム４４の中空部の内側
を貫通して伸延させることによって提供するのが好まし
い。
【００３１】図６を参照すると、静電チャック６４に電
気動力を供給するために、ストラップ１２０が、静電チ
ャック６４からペデスタル６３の穴（ａｐｅｒｔｕｒ
ｅ）１１８を貫通して布設されており、ここでそのスト
ラップはペデスタル６３の下側に接着剤によって取り付
けられている。このストラップ１２０は、導電部材６２
を通して延びるピンコネクタボア（ｂｏｒｅ）内に配設
されたピンコネクタ１２２に接続されており、ここでピ
ンコネクタ１２２は、その中に受容され、ストラップ１
２０の導電部分と接触したコンタクトピン１２３を含
む。動力供給線１２５は、ステム４４（図６には図示せ
ず）の中空部内側とピンコネクタ１２２に電気動力を供
給するための絶縁性のベ−ス６０内の穴とを通して延び
ている。静電チャック６４は、誘電性の層１３０、１３
２内に包まれた中央の薄いフィルム状導電性コア１３４
を有する薄いフレキシブルな平坦な（ｐｌａｎａｒ）部
材であるのが好ましく、ストラップ１２０は、そのコア
１３４及び静電層１３０、１３２の延長（ｅｘｔｅｎｓ
ｉｏｎ）であるのが好ましい。ピンコネクタ１２２とス
トラップ１２０との間に連続的な電気接触を与えるため
に、ストラップ１２０の誘電層１３０は、コア１３４の
一部を露出するように除去され、この露出された部分
は、ピンコネクタ１２２の接触部（ｃｏｎｔａｃｔ）１
２３と一致するようにする。ペデスタル６３の穴１１８
は、第一の区画から大気への、またウエハの裏側から導
電部材６４とペデスタル６３との間の空間への潜在的漏
洩路となる。それ故、シ−ルリング１２７が、導電部材
６２のピンコネクタ１２２及びペデスタル６３と導電部
材６２との界面において導電部材を貫通する穴１１８と
の両方の回りにぐるりと布設されており、また第二のシ
−ルリング１２９が、ピンコネクタボアの外側周辺に配
設されており、ストラップ１２０付きのペデスタル６３
の下側と導電部材６２とをピンコネクタボアの周辺にお
いてシ−ルしている。
気動力を供給するために、ストラップ１２０が、静電チ
ャック６４からペデスタル６３の穴（ａｐｅｒｔｕｒ
ｅ）１１８を貫通して布設されており、ここでそのスト
ラップはペデスタル６３の下側に接着剤によって取り付
けられている。このストラップ１２０は、導電部材６２
を通して延びるピンコネクタボア（ｂｏｒｅ）内に配設
されたピンコネクタ１２２に接続されており、ここでピ
ンコネクタ１２２は、その中に受容され、ストラップ１
２０の導電部分と接触したコンタクトピン１２３を含
む。動力供給線１２５は、ステム４４（図６には図示せ
ず）の中空部内側とピンコネクタ１２２に電気動力を供
給するための絶縁性のベ−ス６０内の穴とを通して延び
ている。静電チャック６４は、誘電性の層１３０、１３
２内に包まれた中央の薄いフィルム状導電性コア１３４
を有する薄いフレキシブルな平坦な（ｐｌａｎａｒ）部
材であるのが好ましく、ストラップ１２０は、そのコア
１３４及び静電層１３０、１３２の延長（ｅｘｔｅｎｓ
ｉｏｎ）であるのが好ましい。ピンコネクタ１２２とス
トラップ１２０との間に連続的な電気接触を与えるため
に、ストラップ１２０の誘電層１３０は、コア１３４の
一部を露出するように除去され、この露出された部分
は、ピンコネクタ１２２の接触部（ｃｏｎｔａｃｔ）１
２３と一致するようにする。ペデスタル６３の穴１１８
は、第一の区画から大気への、またウエハの裏側から導
電部材６４とペデスタル６３との間の空間への潜在的漏
洩路となる。それ故、シ−ルリング１２７が、導電部材
６２のピンコネクタ１２２及びペデスタル６３と導電部
材６２との界面において導電部材を貫通する穴１１８と
の両方の回りにぐるりと布設されており、また第二のシ
−ルリング１２９が、ピンコネクタボアの外側周辺に配
設されており、ストラップ１２０付きのペデスタル６３
の下側と導電部材６２とをピンコネクタボアの周辺にお
いてシ−ルしている。
【００３２】再び図１及び図３から図５を参照すると、
可動壁１８は、第一の区画１２と第二の区画１４との間
を完全にシ−ルしなければならない。それ故、可動壁１
８は一体の（ｓｏｌｉｄ）シ−ルされた部材であるのが
好ましい。中間ウエハサポ−ト５０（図３から図５に示
されている）が、馬蹄形部材として形成されている場合
には、可動壁１８はこの馬蹄形部材を通過して基板を拾
い上げ或いは外す（ｄｉｓｇｏｒｇｅ）のであるが、可
動壁１８を通る唯一の接続は、静電チャック６４の電気
供給用のシ−ルされた接続である。しかしながら、好ま
しい中間ウエハサポ−ト５０は、ロボットブレ−ド９か
ら可動壁１８の上にウエハ８を移送するのを助けるため
に可動壁１８を通して選択的に伸延するサポ−トピン８
０の使用を要し、また静電チャック動力接続、ヒ−タ動
力供給（使用する場合）冷却剤接続、導電部材６２を陰
極（図示せず）としてバイアスをかけるための動力接続
及び裏側冷却ガス接続が、第一の区画１２と第二の区画
１４との間に潜在的な漏洩路を与える。ステム４４を通
して、可動壁１８のための電力、ガス及び冷却剤接続を
与えることによって、これらの接続を通す漏洩路はどの
ようなものも、チャンバ１０の外側と第一の区画１２と
の間を連通させる。更には、ピンコンダクタボア、及び
ピンコネクタボアとストラップ穴１１８の両方の回りの
導電部材６２とペデスタル６３の界面のシ−リングは、
ストラップ穴１１８を通す漏洩を防止する。しかしなが
ら、ピン８０が伸延する可動壁１８の穴は、第一の区画
１２と第二の区画１４との間の潜在的直接的漏洩路を提
供する。それ故、ピン８０は可動壁１８内でシ−ルでき
なければならない。
可動壁１８は、第一の区画１２と第二の区画１４との間
を完全にシ−ルしなければならない。それ故、可動壁１
８は一体の（ｓｏｌｉｄ）シ−ルされた部材であるのが
好ましい。中間ウエハサポ−ト５０（図３から図５に示
されている）が、馬蹄形部材として形成されている場合
には、可動壁１８はこの馬蹄形部材を通過して基板を拾
い上げ或いは外す（ｄｉｓｇｏｒｇｅ）のであるが、可
動壁１８を通る唯一の接続は、静電チャック６４の電気
供給用のシ−ルされた接続である。しかしながら、好ま
しい中間ウエハサポ−ト５０は、ロボットブレ−ド９か
ら可動壁１８の上にウエハ８を移送するのを助けるため
に可動壁１８を通して選択的に伸延するサポ−トピン８
０の使用を要し、また静電チャック動力接続、ヒ−タ動
力供給（使用する場合）冷却剤接続、導電部材６２を陰
極（図示せず）としてバイアスをかけるための動力接続
及び裏側冷却ガス接続が、第一の区画１２と第二の区画
１４との間に潜在的な漏洩路を与える。ステム４４を通
して、可動壁１８のための電力、ガス及び冷却剤接続を
与えることによって、これらの接続を通す漏洩路はどの
ようなものも、チャンバ１０の外側と第一の区画１２と
の間を連通させる。更には、ピンコンダクタボア、及び
ピンコネクタボアとストラップ穴１１８の両方の回りの
導電部材６２とペデスタル６３の界面のシ−リングは、
ストラップ穴１１８を通す漏洩を防止する。しかしなが
ら、ピン８０が伸延する可動壁１８の穴は、第一の区画
１２と第二の区画１４との間の潜在的直接的漏洩路を提
供する。それ故、ピン８０は可動壁１８内でシ−ルでき
なければならない。
【００３３】図３及び図７を参照すると、ピン８０と共
に、中間ウエハサポ−ト５０の好ましい形態が示されて
いる。本発明の好ましい実施例においては、中間サポ−
ト部材５０は、可動壁１８内のボア即ち穴８２に受容さ
れた複数のサポ−トピン８０（図７には一つだけ示され
ている）及び可動壁１８と第二の区画１４のベ−スとの
間に受容されたピンアクチュエ−タ８４（図３にはその
全長が示されている）を含む。ピンアクチュエ−タ８４
はピン８０及び可動壁１８と協働して、ピン８０を可動
壁１８から延び出させ、ウエハ８を図３に示されるよう
に可動壁１８の両方に、且つピン８０の上に支持し、次
にピン８０を可動壁１８の内側に引っ込ませ、図５に示
されるようにウエハ８を静電チャック６４の上に置く。
に、中間ウエハサポ−ト５０の好ましい形態が示されて
いる。本発明の好ましい実施例においては、中間サポ−
ト部材５０は、可動壁１８内のボア即ち穴８２に受容さ
れた複数のサポ−トピン８０（図７には一つだけ示され
ている）及び可動壁１８と第二の区画１４のベ−スとの
間に受容されたピンアクチュエ−タ８４（図３にはその
全長が示されている）を含む。ピンアクチュエ−タ８４
はピン８０及び可動壁１８と協働して、ピン８０を可動
壁１８から延び出させ、ウエハ８を図３に示されるよう
に可動壁１８の両方に、且つピン８０の上に支持し、次
にピン８０を可動壁１８の内側に引っ込ませ、図５に示
されるようにウエハ８を静電チャック６４の上に置く。
【００３４】図７に最も判りやすく示されているよう
に、ピン８０の各々は、下部の太い直径のステム８６
と、上部の細い直径のステム８８及び中間フランジ９０
を含む。可動壁１８内の先に述べたボア８２は、可動壁
１８内でピン８０の制約された垂直方向の運動を許すよ
うに形成されている。各ボア８２は、可動壁１８の絶縁
ベ−ス６０を通して延びており、太い直径のステム８６
を受容する小さい直径の部分９２と、導電部材６２を通
して延びており、中間フランジ９０が受容される大きい
直径の部分９４と、静電チャック６４を通して延びてお
り、小さい直径のステム８８が受容される上部９６とを
含む。小さい直径の部分９２と大きい直径の部分９４の
交差部（ｉｎｔｅｒｓｅｃｔｉｏｎ）は、環状シ−ル棚
（ｌｅｄｇｅ）９５を形成する。ボア８２の部分９２、
９４及び９６の相対的なサイズが、ボア８２内の中間フ
ランジ９０の垂直方向の動きを制限し、従ってピン８０
のト−タルの垂直方向の動きを制限する。ボア８２を選
択的にシ−ルするために、シ−ル溝９１が中間フランジ
９０の下側の内側に広がっており、Ｏリングシ−ルのよ
うなシ−ルリング９３がシ−ル溝９１内に配設されてお
り、ピン８０が可動壁１８内に引っ込んでいるときに、
環状シ−ル棚９５に対してシ−ルする。
に、ピン８０の各々は、下部の太い直径のステム８６
と、上部の細い直径のステム８８及び中間フランジ９０
を含む。可動壁１８内の先に述べたボア８２は、可動壁
１８内でピン８０の制約された垂直方向の運動を許すよ
うに形成されている。各ボア８２は、可動壁１８の絶縁
ベ−ス６０を通して延びており、太い直径のステム８６
を受容する小さい直径の部分９２と、導電部材６２を通
して延びており、中間フランジ９０が受容される大きい
直径の部分９４と、静電チャック６４を通して延びてお
り、小さい直径のステム８８が受容される上部９６とを
含む。小さい直径の部分９２と大きい直径の部分９４の
交差部（ｉｎｔｅｒｓｅｃｔｉｏｎ）は、環状シ−ル棚
（ｌｅｄｇｅ）９５を形成する。ボア８２の部分９２、
９４及び９６の相対的なサイズが、ボア８２内の中間フ
ランジ９０の垂直方向の動きを制限し、従ってピン８０
のト−タルの垂直方向の動きを制限する。ボア８２を選
択的にシ−ルするために、シ−ル溝９１が中間フランジ
９０の下側の内側に広がっており、Ｏリングシ−ルのよ
うなシ−ルリング９３がシ−ル溝９１内に配設されてお
り、ピン８０が可動壁１８内に引っ込んでいるときに、
環状シ−ル棚９５に対してシ−ルする。
【００３５】ここで図３、４、５を参照すると、ピンア
クチュエ−タ８４は、第二のエンクロ−ジャ１４のスペ
−スの外側に配設されたピン駆動部材９９と、第二のエ
ンクロ−ジャ１４のベ−ス内のシ−ルされた接続を通し
て延びる駆動軸９８と、可動壁１８と第二のエンクロ−
ジャ１４のベ−スとの中間に置かれたピン位置決めプレ
−ト１００とを含む。ベロ−ズも駆動軸９８の回りに備
えられ、それは第二の区画１４のベ−スからピン位置決
めプレ−ト１００の下側まで延びており、第二の区画１
４のベ−スを貫通する駆動軸９８のシ−ルされた接続を
更にシ−ルしており、また第二の区画１４内に受容され
た駆動軸９８の部分の回りに防護壁（ｐｒｏｔｅｃｔｉ
ｖｅ ｂａｒｒｉｅｒ）を提供している。ピン駆動部材
９９は、液体圧或いは気体圧シリンダであってもよい
し、回転する案内（ｌｅａｄ）ネジ状の案内ナットであ
ってもよいし、ウォ−ム駆動装置であってもよいし、第
一のエンクロージャ１４内の種々の垂直方向位置にピン
位置決めプレ−ト１００を位置決めすることのできる他
の装置であってもよい。
クチュエ−タ８４は、第二のエンクロ−ジャ１４のスペ
−スの外側に配設されたピン駆動部材９９と、第二のエ
ンクロ−ジャ１４のベ−ス内のシ−ルされた接続を通し
て延びる駆動軸９８と、可動壁１８と第二のエンクロ−
ジャ１４のベ−スとの中間に置かれたピン位置決めプレ
−ト１００とを含む。ベロ−ズも駆動軸９８の回りに備
えられ、それは第二の区画１４のベ−スからピン位置決
めプレ−ト１００の下側まで延びており、第二の区画１
４のベ−スを貫通する駆動軸９８のシ−ルされた接続を
更にシ−ルしており、また第二の区画１４内に受容され
た駆動軸９８の部分の回りに防護壁（ｐｒｏｔｅｃｔｉ
ｖｅ ｂａｒｒｉｅｒ）を提供している。ピン駆動部材
９９は、液体圧或いは気体圧シリンダであってもよい
し、回転する案内（ｌｅａｄ）ネジ状の案内ナットであ
ってもよいし、ウォ−ム駆動装置であってもよいし、第
一のエンクロージャ１４内の種々の垂直方向位置にピン
位置決めプレ−ト１００を位置決めすることのできる他
の装置であってもよい。
【００３６】引き続き図３、４、５を参照すると、ピン
８０とピンアクチュエ−タ８４の働き及び協働する状況
が示されている。先ず図３を参照すると、可動壁１８及
びその中のピン８０が示されており、サポ−トブレ−ド
９によるチャンバ１０内におけるウエハ８の載置の状況
或いはサポ−トブレ−ド９によるチャンバ１０からのウ
エハ８の移動状況が示されている。この位置では、ピン
位置決めプレ−ト１００はピン駆動部材９９によって第
二の区画１４のベ−スまで完全に引っ込められており、
可動壁１８は、スリットバルブ６が第二のエンクロ−ジ
ャ１４を通して広がる位置よりも下にまで引っ込められ
ている。この引っ込んだ位置に可動壁１８及びピン位置
決めプレ−ト１００があるときには、ピン８０の上端と
可動壁１８の上面は、スリットバルブ６よりも下に位置
しており、ロボットブレ−ド９が自由に第二の区画１４
の内側外側に動き図３に示すようにウエハを可動壁１８
の上に置くことができるようになっている。
８０とピンアクチュエ−タ８４の働き及び協働する状況
が示されている。先ず図３を参照すると、可動壁１８及
びその中のピン８０が示されており、サポ−トブレ−ド
９によるチャンバ１０内におけるウエハ８の載置の状況
或いはサポ−トブレ−ド９によるチャンバ１０からのウ
エハ８の移動状況が示されている。この位置では、ピン
位置決めプレ−ト１００はピン駆動部材９９によって第
二の区画１４のベ−スまで完全に引っ込められており、
可動壁１８は、スリットバルブ６が第二のエンクロ−ジ
ャ１４を通して広がる位置よりも下にまで引っ込められ
ている。この引っ込んだ位置に可動壁１８及びピン位置
決めプレ−ト１００があるときには、ピン８０の上端と
可動壁１８の上面は、スリットバルブ６よりも下に位置
しており、ロボットブレ−ド９が自由に第二の区画１４
の内側外側に動き図３に示すようにウエハを可動壁１８
の上に置くことができるようになっている。
【００３７】一旦ウエハ８が第二の区画１４内で可動壁
１８上に置かれると、ピン駆動部材９９がピン位置決め
プレ−ト１００を第二の区画１４の内側方向に動かし、
図４に示される位置まで上方向にピン８０を動かす。そ
してそれによってウエハ８をロボットブレ−ド９から持
ち上げピン８０の上に載せる。次に、ウエハ８が可動壁
１８の上方でピン８０上に支えられているとき、サポ−
トブレ−ド９は第二のエンクロ−ジャ１４から引っ込
む。一旦サポ−トブレ−ド９が第二のエンクロ−ジャ１
４から抜き出されると、可動壁１８はピン８０から上方
向に動く。このときピン位置決めプレ−ト１００は静止
しておりまたそれ故ピン８０も静止している。そして、
可動壁１８が第二の区画１４内で上方向に動くにつれ
て、ピン８０は可動壁１８の中に引っ込む。次に可動壁
１８は、図５に示されるように最も出っ張った位置まで
動き続け、ウエハ８を処理のために第一の区画１２内に
置く。一旦ウエハ８が、可動壁１８の一番上の表面を形
成する静電チャック６４上に落ち着くと、ピン８０は自
分自身の重量により、ピンボア８２の底に向かって下に
動き、可動壁１８内の穴８２の中に完全に引っ込む。ま
た、ピン８０が可動壁１８内に引っ込んだ状態では、ピ
ンフランジ９０の下側にあるシ−ル９３が図７に示され
るようなボア８２内の環状シ−ルフランジ９５に係合
し、ピンボア８２をシ−ルする。ピン８０は、第一の区
画１２と第二の区画１４内にある僅かな圧力差にもかか
わらず、ピンボア８２内で環状シ−ルフランジ９５に対
してシ−ルするに十分な質量を有する。このようにし
て、ボア８２内のシ−ル９３は、絶縁ベ−ス６０のシ−
ルフランジ６８のシ−ル面７１と共にベ−ス２０の下側
に受容されたシ−ル２５の係合及びストラップ穴１１８
のシ−ルと一緒になって、可動壁が図５に示されるよう
に出っ張った位置にあるとき、二つの区画１２、１４の
間を完全にシ−ルする。更に、第一の区画のベ−ス２０
の下側は、シ−ル溝２１と開口部１６との間にある環状
の凹み２３を含む。このようにして、可動壁１８が第一
の区画１２のベ−ス２０の下側に当たった状態で置かれ
ているとき、可動壁１８から上方向に延びる環状リップ
７０は第一の区画１２の環状の凹み２３の中に入り込ん
でおり、シ−ル２５を開口部１６から分離し、そしてそ
れによって、第一のエンクロ−ジャ１２からシ−ルフラ
ンジ６８に向かって下方向に落ち得る粒子或いは他の汚
染物質がシ−ル２５と接触するに至るのを防止する。
１８上に置かれると、ピン駆動部材９９がピン位置決め
プレ−ト１００を第二の区画１４の内側方向に動かし、
図４に示される位置まで上方向にピン８０を動かす。そ
してそれによってウエハ８をロボットブレ−ド９から持
ち上げピン８０の上に載せる。次に、ウエハ８が可動壁
１８の上方でピン８０上に支えられているとき、サポ−
トブレ−ド９は第二のエンクロ−ジャ１４から引っ込
む。一旦サポ−トブレ−ド９が第二のエンクロ−ジャ１
４から抜き出されると、可動壁１８はピン８０から上方
向に動く。このときピン位置決めプレ−ト１００は静止
しておりまたそれ故ピン８０も静止している。そして、
可動壁１８が第二の区画１４内で上方向に動くにつれ
て、ピン８０は可動壁１８の中に引っ込む。次に可動壁
１８は、図５に示されるように最も出っ張った位置まで
動き続け、ウエハ８を処理のために第一の区画１２内に
置く。一旦ウエハ８が、可動壁１８の一番上の表面を形
成する静電チャック６４上に落ち着くと、ピン８０は自
分自身の重量により、ピンボア８２の底に向かって下に
動き、可動壁１８内の穴８２の中に完全に引っ込む。ま
た、ピン８０が可動壁１８内に引っ込んだ状態では、ピ
ンフランジ９０の下側にあるシ−ル９３が図７に示され
るようなボア８２内の環状シ−ルフランジ９５に係合
し、ピンボア８２をシ−ルする。ピン８０は、第一の区
画１２と第二の区画１４内にある僅かな圧力差にもかか
わらず、ピンボア８２内で環状シ−ルフランジ９５に対
してシ−ルするに十分な質量を有する。このようにし
て、ボア８２内のシ−ル９３は、絶縁ベ−ス６０のシ−
ルフランジ６８のシ−ル面７１と共にベ−ス２０の下側
に受容されたシ−ル２５の係合及びストラップ穴１１８
のシ−ルと一緒になって、可動壁が図５に示されるよう
に出っ張った位置にあるとき、二つの区画１２、１４の
間を完全にシ−ルする。更に、第一の区画のベ−ス２０
の下側は、シ−ル溝２１と開口部１６との間にある環状
の凹み２３を含む。このようにして、可動壁１８が第一
の区画１２のベ−ス２０の下側に当たった状態で置かれ
ているとき、可動壁１８から上方向に延びる環状リップ
７０は第一の区画１２の環状の凹み２３の中に入り込ん
でおり、シ−ル２５を開口部１６から分離し、そしてそ
れによって、第一のエンクロ−ジャ１２からシ−ルフラ
ンジ６８に向かって下方向に落ち得る粒子或いは他の汚
染物質がシ−ル２５と接触するに至るのを防止する。
【００３８】図８には、本発明のクラスタ具（ｃｌｕｓ
ｔｅｒ ｔｏｏｌ）装置（ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏ
ｎ）の単純化された見取図が示されている。このクラス
タ具２００は、複数のチャンバ１０ａ−ｃを含み、その
チャンバの各々は上で述べた処理チャンバ１０と同一で
ある。各々は、対応するロ−ドロック（ｌｏａｄｌｏｃ
ｋｓ）２０２ａ−ｃを通して、トランスファチャンバ２
０４に連結されている。ロ−ドロック２０２ａ−ｃの各
々は、区画化されたプロセスチャンバ１０ａ−ｃの各々
のそれぞれのチャンバスリットバルブ６（図８には図示
せず）と芯が合っている。トランスファチャンバ２０４
もまた、ロ−ドロック２０２ｄを通して、ロ−ドロック
チャンバ２０６に連結されている。
ｔｅｒ ｔｏｏｌ）装置（ｉｍｐｌｅｍｅｎｔａｔｉｏ
ｎ）の単純化された見取図が示されている。このクラス
タ具２００は、複数のチャンバ１０ａ−ｃを含み、その
チャンバの各々は上で述べた処理チャンバ１０と同一で
ある。各々は、対応するロ−ドロック（ｌｏａｄｌｏｃ
ｋｓ）２０２ａ−ｃを通して、トランスファチャンバ２
０４に連結されている。ロ−ドロック２０２ａ−ｃの各
々は、区画化されたプロセスチャンバ１０ａ−ｃの各々
のそれぞれのチャンバスリットバルブ６（図８には図示
せず）と芯が合っている。トランスファチャンバ２０４
もまた、ロ−ドロック２０２ｄを通して、ロ−ドロック
チャンバ２０６に連結されている。
【００３９】個々の区画化されたプロセスチャンバ１０
ａ−ｃの各々及びクラスタ具２００のトランスファチャ
ンバ２０４は、ウエハの処理中、真空圧に維持するのが
好ましい。好ましくは、トランスファチャンバ２０４内
の圧力は、区画化されたプロセスチャンバ１０ａ−ｃの
いずれにおける圧力とも独立して維持される。それはこ
のトランスファチャンバ２０４のための真空ポンプ（図
示せず）を提供することによって行われる。更には、ロ
−ドロックチャンバ２０６は、基板をクラスタ具２００
内に装填するために、スリットバルブ或いは他のゲ−ト
装置（図示せず）によってトランスファチャンバから隔
離されている間、大気に開かれており、次に特定用途の
ための（ｄｅｄｉｃａｔｅｄ）真空ポンプ（図示せず）
によって許容できる真空圧にまで排気される。
ａ−ｃの各々及びクラスタ具２００のトランスファチャ
ンバ２０４は、ウエハの処理中、真空圧に維持するのが
好ましい。好ましくは、トランスファチャンバ２０４内
の圧力は、区画化されたプロセスチャンバ１０ａ−ｃの
いずれにおける圧力とも独立して維持される。それはこ
のトランスファチャンバ２０４のための真空ポンプ（図
示せず）を提供することによって行われる。更には、ロ
−ドロックチャンバ２０６は、基板をクラスタ具２００
内に装填するために、スリットバルブ或いは他のゲ−ト
装置（図示せず）によってトランスファチャンバから隔
離されている間、大気に開かれており、次に特定用途の
ための（ｄｅｄｉｃａｔｅｄ）真空ポンプ（図示せず）
によって許容できる真空圧にまで排気される。
【００４０】区画化された処理チャンバ１０ａ−ｃ内で
基板を処理する間、区画化された処理チャンバ１０ａ−
ｃのスリットバルブ６（図１には図示せず）は閉止位置
に維持するのが好ましい。スリットバルブ６を閉止位置
に維持することによって、トランスファチャンバ２０４
内のガスは第二の区画１４（図１には図示せず）の中に
移動し或いは流れ込むことができず、チャンバ１０ａ−
ｃの第二の区画１４内の圧力は、第一の区画１２内の圧
力よりも低く維持され、区画化されたチャンバ１０ａ−
ｃがエッチング用のチャンバとして形成されている場
合、第二の区画１４内にプラズマが生じないように確実
にすることができる。しかしながら、トランスファチャ
ンバ２０４が、区画化されたチャンバ１０ａ−ｃ内に維
持されたプロセス圧力に関して、十分低い圧力に維持さ
れるならば、そのときはスリットバルブ６はクラスタ具
２００を使用している間ずっと開いたままにしておいて
よく、そしてそれらは第二の区画１２の交換の間だけ閉
じることを要する。
基板を処理する間、区画化された処理チャンバ１０ａ−
ｃのスリットバルブ６（図１には図示せず）は閉止位置
に維持するのが好ましい。スリットバルブ６を閉止位置
に維持することによって、トランスファチャンバ２０４
内のガスは第二の区画１４（図１には図示せず）の中に
移動し或いは流れ込むことができず、チャンバ１０ａ−
ｃの第二の区画１４内の圧力は、第一の区画１２内の圧
力よりも低く維持され、区画化されたチャンバ１０ａ−
ｃがエッチング用のチャンバとして形成されている場
合、第二の区画１４内にプラズマが生じないように確実
にすることができる。しかしながら、トランスファチャ
ンバ２０４が、区画化されたチャンバ１０ａ−ｃ内に維
持されたプロセス圧力に関して、十分低い圧力に維持さ
れるならば、そのときはスリットバルブ６はクラスタ具
２００を使用している間ずっと開いたままにしておいて
よく、そしてそれらは第二の区画１２の交換の間だけ閉
じることを要する。
【００４１】プロセス環境が維持される第一の区画１２
と中間ウエハサポ−ト５０が配備されている第二の区画
１４とを含むようなチャンバ１０の配置は、先行技術の
チャンバの構成を清掃するための定期修理（ｔｕｒｎａ
ｒｏｕｎｄ）時間と比べて、チャンバを清掃するための
定期修理時間において著しい改善を可能とする。例え
ば、第一の区画１２を、清浄な事前にベ−クアウトされ
た第一の区画１２と迅速に交換することのできる能力
は、チャンバ清掃のための休止時間を著しく低減する。
加うるに、可動壁１８が掃除されるとき或いは第一の区
画１２が取り外すことなく清掃されなければならない場
合に、清掃用材料或いはプロセスは、単に可動壁１８を
その一番延びきった位置に動かすことによって、第一の
区画１２内に維持することができる。プラズマにさらさ
れそしてそれ故に清掃の必要がある可動壁の部分は、第
二の区画内に置かれる。このようにして、第二の区画１
４の表面に接触する水や他の清掃用材料がゼロ或いは最
小限になる。絞り用ポペットバルブ３４から分離してポ
ンプ３２を修理できるようにする絞り用ポペットバルブ
３４の位置は、同様にチャンバ清掃に関わる休止時間を
低減する。更に、絶縁ベ−ス６０、シ−ルド７２及び静
電チャック６４は、水を吸収しない材料で製造するのが
好ましく、それによってこれらの部品が清掃後ベ−クア
ウトする必要がなくなる。それ故、チャンバ１０を清掃
しそれを生産に戻すためのサイクル時間は、８時間以上
かかったものを、可動壁１８を清掃し、第一の区画１２
を元の場所に戻し、第一の区画１２への接続を回復する
のに必要な時間にまで短縮される。更に、スリットバル
ブ６を第二の区画１４の壁を通して置くことによって、
スリットバルブ６はプロセス環境にさらされることから
保護される。それ故、スリットバルブ６は先行技術のチ
ャンバで必要であったようには、定期的な清掃を要しな
い。加うるに、可動壁１８が第二のエンクロ−ジャ１４
をプロセス環境からシ−ルしているので、スリットバル
ブ６はウエハ８の処理中閉じる必要がない。特に、第一
の区画内で非エッチング環境（ｎｏｎ−ｅｔｃｈ ｅｎ
ｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ）が走っている（ｒｕｎ）ときに
は特にそうである。そして、閉じなければならないの
は、チャンバ１０が清掃のために手入れをされていると
きだけである。このようにして、スリットバルブ６は先
行技術のチャンバよりも開閉回数を少なくすることがで
き、それ故、必要な手入れも最小限になる。また、スリ
ットバルブはプロセス環境にさらされておらず、先行技
術のチャンバの構造では必要であった定期的な清掃を要
しないので、トランスファチャンバ２０４を通してプロ
セスチャンバ１０につなげられている他のチャンバは、
プロセスチャンバ１０が清掃されている間休止する必要
がない。最後に、第二の区画１４内にプロセス化学清浄
環境（ｐｒｏｃｅｓｓ ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｃｌｅａ
ｎ ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ）を維持することによっ
て、第二の区画１４、スリットバルブ８及び中間ウエハ
サポ−ト５０、及び可動壁１８用の駆動機構の寿命が延
びる。それは、これらの部品がプロセスガスやプラズマ
からの汚染物質や腐食性のアタックにさらされることが
ないからである。
と中間ウエハサポ−ト５０が配備されている第二の区画
１４とを含むようなチャンバ１０の配置は、先行技術の
チャンバの構成を清掃するための定期修理（ｔｕｒｎａ
ｒｏｕｎｄ）時間と比べて、チャンバを清掃するための
定期修理時間において著しい改善を可能とする。例え
ば、第一の区画１２を、清浄な事前にベ−クアウトされ
た第一の区画１２と迅速に交換することのできる能力
は、チャンバ清掃のための休止時間を著しく低減する。
加うるに、可動壁１８が掃除されるとき或いは第一の区
画１２が取り外すことなく清掃されなければならない場
合に、清掃用材料或いはプロセスは、単に可動壁１８を
その一番延びきった位置に動かすことによって、第一の
区画１２内に維持することができる。プラズマにさらさ
れそしてそれ故に清掃の必要がある可動壁の部分は、第
二の区画内に置かれる。このようにして、第二の区画１
４の表面に接触する水や他の清掃用材料がゼロ或いは最
小限になる。絞り用ポペットバルブ３４から分離してポ
ンプ３２を修理できるようにする絞り用ポペットバルブ
３４の位置は、同様にチャンバ清掃に関わる休止時間を
低減する。更に、絶縁ベ−ス６０、シ−ルド７２及び静
電チャック６４は、水を吸収しない材料で製造するのが
好ましく、それによってこれらの部品が清掃後ベ−クア
ウトする必要がなくなる。それ故、チャンバ１０を清掃
しそれを生産に戻すためのサイクル時間は、８時間以上
かかったものを、可動壁１８を清掃し、第一の区画１２
を元の場所に戻し、第一の区画１２への接続を回復する
のに必要な時間にまで短縮される。更に、スリットバル
ブ６を第二の区画１４の壁を通して置くことによって、
スリットバルブ６はプロセス環境にさらされることから
保護される。それ故、スリットバルブ６は先行技術のチ
ャンバで必要であったようには、定期的な清掃を要しな
い。加うるに、可動壁１８が第二のエンクロ−ジャ１４
をプロセス環境からシ−ルしているので、スリットバル
ブ６はウエハ８の処理中閉じる必要がない。特に、第一
の区画内で非エッチング環境（ｎｏｎ−ｅｔｃｈ ｅｎ
ｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓ）が走っている（ｒｕｎ）ときに
は特にそうである。そして、閉じなければならないの
は、チャンバ１０が清掃のために手入れをされていると
きだけである。このようにして、スリットバルブ６は先
行技術のチャンバよりも開閉回数を少なくすることがで
き、それ故、必要な手入れも最小限になる。また、スリ
ットバルブはプロセス環境にさらされておらず、先行技
術のチャンバの構造では必要であった定期的な清掃を要
しないので、トランスファチャンバ２０４を通してプロ
セスチャンバ１０につなげられている他のチャンバは、
プロセスチャンバ１０が清掃されている間休止する必要
がない。最後に、第二の区画１４内にプロセス化学清浄
環境（ｐｒｏｃｅｓｓ ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｃｌｅａ
ｎ ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ）を維持することによっ
て、第二の区画１４、スリットバルブ８及び中間ウエハ
サポ−ト５０、及び可動壁１８用の駆動機構の寿命が延
びる。それは、これらの部品がプロセスガスやプラズマ
からの汚染物質や腐食性のアタックにさらされることが
ないからである。
【００４２】中間ウエハサポ−ト５０を第二の区画１４
の中に維持するということは、またプロセス区画の設計
変更を可能にする。即ちチャンバ１０がプラズマエッチ
ング或いはスパッタリングのようなプラズマプロセスの
ために用いられる場合に、電場における歪み（ｄｉｓｔ
ｏｒｔｉｏｎ）を低減するために、第一の区画１２の設
計変更ができる。例えば、プラズマプロセス環境を支持
するために用いられる電場内に、そのすぐ近くに非対称
の中間ウエハサポ−ト５０がないことにより、そうでな
ければチャンバ内に存在するはずの電場内の非対称性が
低減される。加うるに、第一の区画１２は実質的に対称
形に作ることができる。それは例えば、壁、カバ−２８
の内面及び垂直軸回りの可動壁１８の表面のような第二
のエンクロ−ジャの表面に完全な対称性を与えることに
よってでき、非対称の中間ウエハサポ−ト５０を補償す
る必要なしに、プラズマ中の電場歪みを低減する。この
ことは、排気オリフィス２２をカバ−２８の中央頂部領
域（ｃｅｎｔｒａｌ ｔｏｐ ａｒｅａ）を通して置く
ことにより達成でき、それによって図に示されるような
片持ち梁状に延びる排気オリフィス２２を排除できる。
加うるに、カバ−２８内に周辺チャンネル（ｃｉｒｃｕ
ｍｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｃｈａｎｎｅｌ）を形成するこ
とによってガスが供給される。このように第二のエンク
ロ−ジャ１２を改変し、またステム４４の長手方向の軸
に関して対称形である可動壁１８を提供することによっ
て、第一の区画には対称形の空間（ｖｏｌｕｍｅ）が備
わり、その空間の基部（ｂａｓｅ）に、可動壁１８及び
ウエハ８の回りのプロセスガス及び電場の一様な分布を
促す。
の中に維持するということは、またプロセス区画の設計
変更を可能にする。即ちチャンバ１０がプラズマエッチ
ング或いはスパッタリングのようなプラズマプロセスの
ために用いられる場合に、電場における歪み（ｄｉｓｔ
ｏｒｔｉｏｎ）を低減するために、第一の区画１２の設
計変更ができる。例えば、プラズマプロセス環境を支持
するために用いられる電場内に、そのすぐ近くに非対称
の中間ウエハサポ−ト５０がないことにより、そうでな
ければチャンバ内に存在するはずの電場内の非対称性が
低減される。加うるに、第一の区画１２は実質的に対称
形に作ることができる。それは例えば、壁、カバ−２８
の内面及び垂直軸回りの可動壁１８の表面のような第二
のエンクロ−ジャの表面に完全な対称性を与えることに
よってでき、非対称の中間ウエハサポ−ト５０を補償す
る必要なしに、プラズマ中の電場歪みを低減する。この
ことは、排気オリフィス２２をカバ−２８の中央頂部領
域（ｃｅｎｔｒａｌ ｔｏｐ ａｒｅａ）を通して置く
ことにより達成でき、それによって図に示されるような
片持ち梁状に延びる排気オリフィス２２を排除できる。
加うるに、カバ−２８内に周辺チャンネル（ｃｉｒｃｕ
ｍｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｃｈａｎｎｅｌ）を形成するこ
とによってガスが供給される。このように第二のエンク
ロ−ジャ１２を改変し、またステム４４の長手方向の軸
に関して対称形である可動壁１８を提供することによっ
て、第一の区画には対称形の空間（ｖｏｌｕｍｅ）が備
わり、その空間の基部（ｂａｓｅ）に、可動壁１８及び
ウエハ８の回りのプロセスガス及び電場の一様な分布を
促す。
【００４３】プロセス環境が維持できる別の第一の区画
１２、及び処理中に第一の区画１２から隔離される第二
の区画１４とを提供するためのチャンバ１０の特定の形
態は、プロセス或いはチャンバの特定の要求に対処する
ように変えることができる。例えば、可動壁１８は、開
口部１６を選択的に開閉するために蝶つがい支持しても
よい（ｈｉｎｇｅｄ）。別の形態においては、二つの区
画の位置関係は逆にしてもよく、そのようにすると下側
の区画がプロセス環境を受け入れ、可動壁１８が下方向
に動き、両区画間の開口部をシ−ルする。同様に、それ
らの区画は、隣接した側壁を貫通する穴をもって並べて
（ｓｉｄｅ ｂｙ ｓｉｄｅ）置いてもよく、そのよう
にすると、可動壁は水平方向に動き開口部をシ−ルする
ようになる。加うるに、ここに特に説明したプロセス以
外のプロセスも、多区画チャンバによる利益を享受でき
る。
１２、及び処理中に第一の区画１２から隔離される第二
の区画１４とを提供するためのチャンバ１０の特定の形
態は、プロセス或いはチャンバの特定の要求に対処する
ように変えることができる。例えば、可動壁１８は、開
口部１６を選択的に開閉するために蝶つがい支持しても
よい（ｈｉｎｇｅｄ）。別の形態においては、二つの区
画の位置関係は逆にしてもよく、そのようにすると下側
の区画がプロセス環境を受け入れ、可動壁１８が下方向
に動き、両区画間の開口部をシ−ルする。同様に、それ
らの区画は、隣接した側壁を貫通する穴をもって並べて
（ｓｉｄｅ ｂｙ ｓｉｄｅ）置いてもよく、そのよう
にすると、可動壁は水平方向に動き開口部をシ−ルする
ようになる。加うるに、ここに特に説明したプロセス以
外のプロセスも、多区画チャンバによる利益を享受でき
る。
【００４４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、第
一の区画と第２の区画とを有するので、装置の分解修理
に要する時間が大幅に低減される。
一の区画と第２の区画とを有するので、装置の分解修理
に要する時間が大幅に低減される。
【図１】エッチングチャンバとして形成された本発明の
プロセスチャンバの部分断面斜視図である。
プロセスチャンバの部分断面斜視図である。
【図２】図１のプロセスチャンバの部分断面図である。
【図３】図１のプロセスチャンバの断面図である。
【図４】図１のプロセスチャンバの断面図であり、ウエ
ハ取扱い部材がチャンバ内にウエハを支持するように位
置付けられているところを示す図である。
ハ取扱い部材がチャンバ内にウエハを支持するように位
置付けられているところを示す図である。
【図５】図１のプロセスチャンバの断面図であり、可動
壁がプロセス環境をチャンバのある部分から隔離するよ
うに位置付けられた状態を示す図である。
壁がプロセス環境をチャンバのある部分から隔離するよ
うに位置付けられた状態を示す図である。
【図６】図１のチャンバの可動壁の部分断面図であり、
静電チャックのパワ−接続を示す図である。
静電チャックのパワ−接続を示す図である。
【図７】ウエハ支持ピンの好ましい形態を示す、図１の
チャンバの可動壁の部分断面図である。
チャンバの可動壁の部分断面図である。
【図８】本発明の複数の区画化された基板処理チャンバ
を利用するクラスタツ−ルの単純化した線図による上面
図である。
を利用するクラスタツ−ルの単純化した線図による上面
図である。
６…スリットバルブ、８…ウエハ、１０…チャンバー、
１２…第一の区画、１４…第二の区画、１８…可動壁、
１６…開口部、２０…ベース、２２…排気オリフィス、
２４…上部カバーフランジ、２８…カバー、３０…シー
ルリング、３２…ポンプ、３４…ポペットバルブ、３７
…ゲートバルブ、４０…プレート、４５…ポンプ支持フ
ランジ、４１…桶状ハウジング、４３…搭載フランジ、
４４…ステム、４６…開口部、４９…駆動部材、６０…
ベース、６２…導電部材、６３…ペデスタル、６４…静
電チャック、８０…ピン、１２０…ストラップ、１２２
…ピンコネクタ、１２３…コンタクトピン。
１２…第一の区画、１４…第二の区画、１８…可動壁、
１６…開口部、２０…ベース、２２…排気オリフィス、
２４…上部カバーフランジ、２８…カバー、３０…シー
ルリング、３２…ポンプ、３４…ポペットバルブ、３７
…ゲートバルブ、４０…プレート、４５…ポンプ支持フ
ランジ、４１…桶状ハウジング、４３…搭載フランジ、
４４…ステム、４６…開口部、４９…駆動部材、６０…
ベース、６２…導電部材、６３…ペデスタル、６４…静
電チャック、８０…ピン、１２０…ストラップ、１２２
…ピンコネクタ、１２３…コンタクトピン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェラルド ゼット． イン アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95014， キュパティノ， ビリッチ プ レイス 10132 (72)発明者 ドナルド オルガド アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94040， マウンテン ヴュー， シャワ ーズ ドライヴ ナンバーケー432 49
Claims (68)
- 【請求項１】 中に基板処理環境を維持するための第一
の区画であって、導電性部分を有する第一の区画と、 中に可動基板支持部材を有する第二の区画と、 前記第一の区画と前記第二の区画との間にある共通の開
口部であって、前記導電性部分を貫通しており、前記第
一の区画内の処理環境を隔離するために前記基板支持部
材で選択的にシ−ルすることのできる開口部とを備え、 前記第一の区画は取りはずし可能であり、付加的な第一
の区画と交換可能である、 基板処理用装置。 - 【請求項２】 前記第一の区画がワンピ−スの取りはず
し可能要素である、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 前記第一の区画と前記第二の区画とが共
通の壁を共有しており、前区共通の開口部が前記共通の
壁を通して広がっている、請求項１記載の装置。 - 【請求項４】 前記基板支持部材が、前記第一の区画に
維持される環境に前記第二の区画の内容物をさらすため
に引っ込んだ位置に置くことができ、前記基板支持部材
が前記共通の壁に接触し前記開口部を塞ぎ、前記第一の
区画を前記第二の区画から隔離するために出っ張った位
置に位置決めすることができる、請求項３記載の装置。 - 【請求項５】 前記第一と第二の区画に共通でありまた
前記第一の区画のための排気通路を画成している延長部
材であって、終端にポンプ開口部とバルブ開口部とを有
し、前記ポンプ開口部と連通する真空ポンプを搭載する
のに適しており、前記区画と前記ポンプとの間の前記通
路の少なくとも一部を塞ぐために前記通路へまたそこか
ら動かすことのできる要素を有する第一のバルブを搭載
するのに更に適している延長部材を更に含む、請求項１
記載の装置。 - 【請求項６】 前記延長部材と前記ポンプとの間に置か
れた第二のバルブを更に含み、第一のバルブ或いは第一
の区画或いは両方が取り去られたとき前記ポンプをシ−
ルし、或いは前記ポンプが取り去られたとき前記第一の
バルブと前記第一の区画とをシ−ルする、請求項５記載
の装置。 - 【請求項７】 前記第一と第二の区画が共通の壁を画成
する共通のベ−スを共有しており、前記共通の開口部が
前記共通の壁を貫通して広がっており、前記ベ−スが排
気通路を備えた延長部を画成しており、前記第一の区画
が、前記共通のベ−スから動かすことができる、請求項
１記載の装置。 - 【請求項８】 前記第二の区画から広がるサポ−トフラ
ンジであって、前記第一の区画のための排気オリフィス
を画成しており、前記排気オリフィスの終端部が前記サ
ポ−トフランジに画成されたバルブ開口部とポンプ開口
部とを有する、サポ−トフランジとを更に含み、 前記サポ−トフランジが、前記ポンプ開口部と連通した
真空ポンプと、前記ポンプと前記第一の区画との間の排
気通路を部分的に或いは完全に塞ぐことのできる前記バ
ルブ開口部と連通したバルブとを支持するのに適してい
る、請求項１記載の装置。 - 【請求項９】 前記第二の区画が基板装填開口部を画成
しており、ゲ−トバルブが前記装填開口部を開閉するた
めに前記開口部と関連して備えられており、前記第二の
区画が、前記基板サポ−ト部材と共に前記ゲ−トバルブ
によってシ−ルでき、前記ゲ−トバルブが前記基板処理
環境にさらされる必要がないようになっている、請求項
１記載の装置。 - 【請求項１０】 前記基板を前記第二の区画上に置き、
或いはそこから基板を取り去るために、基板を前記装填
開口部を通して広げるように第一の位置に置くことがで
き、また前記第一の区画と前記第二の区画とを隔離しま
た前記基板を処理のために前記第一の区画内に置くよう
に、前記基板支持部材が前記開口部を被うように第二の
位置に置くことができる、請求項１記載の装置。 - 【請求項１１】 前記第二の区画が基板装填開口部を画
成しており、前記装填開口部において前記第二の区画に
連結された基板トランスファチャンバと、前記トランス
ファチャンバに連結された第二の処理チャンバとを備
え、 それによって、前記装填開口部が、前記第一の区画内に
おける基板の処理工程の間、開かれた位置に維持され
る、請求項１記載の装置。 - 【請求項１２】 前記装填開口部に隣接しており、また
前記第一の区画及び第二の区画のいずれか一方から前記
装填開口部をシ−ルするために選択的に位置決めされる
ゲ−ト装置を更に含む、請求項１１記載の装置。 - 【請求項１３】 前記第二の区画に口をつながれ、また
前記第一の区画内における基板の処理中前記第二の区画
内の圧力を前記第一の区画内の圧力よりも低く維持する
ように形成された二次的真空ポンプを更に含む、請求項
１２記載の装置。 - 【請求項１４】 導電性部分を有する第一の区画を提供
する工程と、 第二の区画を提供する工程と、 前記導電性部分を貫通する、前記第一の区画と前記第二
の区画との間の共通開口部を提供する工程と、 前記共通開口部をシ−ルするために前記導電性部分と接
触することができまた前記共通の開口部上に選択的に置
くことができる可動壁を提供する工程と、 前記可動壁が前記共通開口部を塞ぐように置かれたと
き、前記第一の区画内に処理環境を維持する工程と、 前記第一の区画を取り除き、それを清浄なベ−クアウト
された別の第一の区画と交換する工程であって、元の第
一の区画内で少なくとも一つの基板の処理が行われた後
に行われる工程とを備える、清浄なプロセスチャンバ環
境を維持する方法。 - 【請求項１５】 前記共通の開口部を塞ぐために前記可
動壁を置く工程と、前記第一の区画の内側を解放する工
程と、 前記可動壁を前記共通開口部を塞ぐための位置に維持し
ている間に前記第一の区画を掃除する工程とを更に含
む、請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 前記第一の区画が、ベ−スであってそ
れを貫通して広がる共通の開口部を有するベ−スを含
み、 前記第一の区画の前記ベ−スが前記第二の区画の前記カ
バ−を形成する、請求項１４記載の方法。 - 【請求項１７】 前記第一の区画と前記第二の区画とが
共通の壁を共有する、請求項１４記載の方法。 - 【請求項１８】 第一の区画を提供する工程と、 第二の区画を提供する工程と、 前記第一の区画と前記第二の区画との間に共通の開口部
を広げる工程と、 可動壁を提供する工程と、 前記第一の区画を前記第二の区画から隔離するために前
記開口部上に前記可動壁を置く工程と、 前記可動壁が前記共通の開口部上に維持されている間に
前記第一の区画を清掃する工程とを含む、プロセスチャ
ンバを清掃する方法。 - 【請求項１９】 前記可動壁が前記共通の開口部上に維
持されている間に前記第二の区画をベ−クアウトする工
程を更に含む、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２０】 第一の区画を取り去り、それを清掃さ
れ且つベ−クアウトされた第一の区画と置き換える工程
を更に含む、請求項１８記載の方法。 - 【請求項２１】 第一の区画と、 第二の区画と、ここで前記第一と第二の区画はそれらの
間に第一の開口部を有する共通の境界を有し、前記第二
の区画は、基板が前記第二の区画に運び込まれまた取り
出されるように前記第一の開口部から間隔をおいて設け
られた第二の開口部を有し、 前記第二の区画内に配設された基板支持部材であって、
一般的に第一の位置と第二の位置との間で動くことがで
き、前記第一の位置にあるときには、前記第二の開口部
を介して基板を受容するような位置にあり、前記第二の
位置にあるときには、前記第一の開口部内に挿入され、
前記開口部をシ−ルしまた同時に前記部材上に支持され
た基板を処理のために前記第一の区画内に置く、基板支
持部材とを備える、 基板処理チャンバ組立体。 - 【請求項２２】 前記第二の区画の環境が前記第一の開
口部のシ−リングと共に前記ウエハ支持部材によって制
御されるのを可能とするように前記第二の開口部にシ−
ルが備えられている、請求項２１記載の組立体。 - 【請求項２３】 第一の区画であってその中に選択的に
維持できる処理環境を有する第一の区画と、 導電性の部分を有する第二の区画と、 前記導電部分を貫通して広がり、その結果前記第一の区
画と前記第二の区画との間に広がる開口部と、 前記第一の区画と前記第二の区画とに提供され、またそ
の上にウエハを受容するために前記第一の区画内に置く
ことができ、また更に前記第一の区画を前記第二の区画
から隔離しまた前記第一の区画内に選択的に維持された
処理環境に前記ウエハをさらすために前記第一の区画内
に前記ウエハを置くために、前記開口部上方に置くこと
ができる、可動壁とを備える、 半導体ウエハ処理用装置。 - 【請求項２４】 前記第一の区画が、前記第二の区画か
ら取り去ることができる、請求項２３記載の装置。 - 【請求項２５】 前記第二の区画内に受容され、また前
記第一の区画内に維持された処理環境から隔離された、
中間ウエハサポ−トを更に含む、請求項２３記載の装
置。 - 【請求項２６】 前記第一の区画が、排気オリフィスで
あってその中にポンプ開口部を有し、そのポンプ開口部
は前記オリフィスから広がっている、排気オリフィスを
含み、 前記第二の区画は、ポンプサポ−トフランジを含み、 前記ポンプ開口部は、前記ポンプフランジ内に取り外し
可能に受容されている、請求項２３記載の装置。 - 【請求項２７】 第一の区画を提供する工程と、 第二の区画を提供する工程と、 前記第一の区画と前記第二の区画との間に共通の壁を提
供する工程と、 前記第一の区画と前記第二の区画との間の前記共通の壁
を貫通して開口部を広げる工程と、 前記第一の区画と前記第二の区画に供される可動壁を提
供する工程と、 前記可動壁上にウエハを置くために前記第二の区画内に
前記可動壁を置く工程と、 前記第一の区画を前記第二の区画から隔離し、また処理
環境が前記第一の区画内に維持されているとき、前記ウ
エハを前記第一の区画と連通した状態に置くために、前
記区画間の開口部をカバ−するような位置に前記可動壁
を置く工程とを備える、 ウエハ処理の方法。 - 【請求項２８】 前記第一の区画のベ−スを貫通する前
記開口部を提供する工程と、 前記開口部に隣接する前記第一の区画の前記ベ−スの下
側にシ−ルを提供する工程と、 前記可動壁を前記シ−ルと接触させる工程とを含む、 請求項２７記載の方法。 - 【請求項２９】 フィルム層が前記第一の区画の表面上
に形成されるまで前記チャンバ内でウエハを順次処理す
る工程と、 前記第一の区画を取り外し、新しい清浄な第一の区画と
置き換える工程とを含む、請求項２７記載の方法。 - 【請求項３０】 前記第二の区画内にスリットバルブと
ウエハ取り扱い装置とを更に含む、請求項２７記載の方
法。 - 【請求項３１】 前記可動壁が電気的な絶縁性部分を含
み、可動壁の前記電的な絶縁性部分が前記開口部の周辺
と係合し、前記第一の区画と前記第二の区画とを隔離
し、前記第一の区画内にプラズマが維持できる、請求項
２７記載の方法。 - 【請求項３２】 前記第一の区画と連通する排気チャン
ネルを提供する工程と、 前記排気チャンネルと連通するポンプを提供する工程と
を更に含む、請求項２７記載の方法。 - 【請求項３３】 前記排気チャンネルを選択的に塞ぐた
めのバルブを提供する工程と、 前記ポンプを絞るために前記バルブで前記排気チャンネ
ルを絞る工程とを更に含む、請求項３１記載の方法。 - 【請求項３４】 支持部材上にウエハを載置するための
装置であって、 少なくとも一つの小さい直径の部分と一つの大きい直径
の部分とを有するピンと、 前記支持部材を貫通して伸延し、且つ少なくとも一つの
小さい直径の部分と一つの大きい直径の部分とを有する
ボアと、 前記ピンと前記ボアとの間のシ−ルであって、前記ボア
を通過する物質の通路を塞ぐために前記ピンと連結して
置かれたシ−ルとを含む、 装置。 - 【請求項３５】 前記ボアが、前記ボアの前記小さい直
径の部分と前記ボアの前記大きい直径の部分との間に広
がる環状の棚を含み、 前記ピンが、前記小さい直径の部分と前記大きい直径の
部分との間に広がる環状面を含み、 前記棚が前記面と選択的に係合する、 請求項３４記載の装置。 - 【請求項３６】 第一の区画と、第二の区画と、前記第
一の区画と前記第二の区画との間に広がる開口部とを更
に含み、前記支持部材が前記第二の区画内で可動であ
り、 それにより、前記可動壁が、その上に基板を受容するた
めに前記第二の区画内に置かれ、前記第一の区画内に前
記基板を置くために、且つ前記第一の区画を前記第二の
区画からシ−ルするために、前記開口部上方に更に置く
ことができる、請求項３４記載の装置。 - 【請求項３７】 第二の区画内に維持される処理環境に
さらすように基板を載置しながら、上に基板を受容する
ために、第一の区画内に置かれ、更に、前記第一の区画
と前記第二の区画との間に広がる開口部をシ−ルするよ
うに置かれる基板支持部材であって、前記開口部の周辺
部において前記開口部をシ−ルするために、前記第一の
区画と前記第二の区画との間に広がる前記開口部の前記
周辺部の回りに係合するフランジ部を有する絶縁ベ−ス
と、 前記絶縁ベ−ス上に受容され、また前記第二の区画内に
維持されるガス状環境内でプラズマを維持するために陰
極を形成するように電気的にバイアスを掛けることので
きる導電部材とを備える、 基板支持部材。 - 【請求項３８】 前記基板支持部材を貫通する複数のピ
ンボアと、 前記ピンボアの各々の中に受容されるピンであって、そ
の各々が、前記支持部材から選択的に伸延でき、前記支
持部材上に位置決めするために基板を受容し、また前記
支持部材から取り去るために前記支持部材から前記基板
を持ち上げるピンとを更に含む、請求項３７記載の基板
支持部材。 - 【請求項３９】 貫通開口部を有する壁を有する第一の
区画と、 ベ−ス上に受容された第二の区画と、 基板を受容するために前記第二の区画の中で位置決めが
でき、また更に、前記開口部を密閉的にカバ−し、前記
基板を処理のために前記第一の区画内に置くために位置
決めできる可動壁と、を備え、 ここで前記開口部は前記第一の区画と前記第二の区画と
の間を連通するように位置が決められており、 前記可動壁が、前記壁にシ−ルする絶縁ベ−スを含む、
基板処理チャンバ。 - 【請求項４０】 前記可動壁が前記開口部をシ−ルする
ような位置にあるとき前記開口部の周辺部回りに位置す
るフランジを前記絶縁ベ−スが含む、請求項３９記載の
基板処理チャンバ。 - 【請求項４１】 基板を装填しまた非装填する区画と基
板処理装置の処理区画との間の通路をシ−ルする方法で
あり、また基板が前記装置の前記装填しまた非装填する
区画に装填されまた非装填され、基板が前記処理区画内
で処理される、通路をシ−ルする方法であって、 前記装填しまた非装填する区画内に、基板受容面を有す
る、可動支持部材を提供する工程と、 前記支持部材上に絶縁ベ−スを提供する工程と、 前記開口部をシ−ルするために、前記開口部の周辺部に
前記絶縁ベ−スの一部を置くために、前記可動支持部材
を動かす工程と、を含む方法。 - 【請求項４２】 前記装填しまた非装填する区画と前記
処理区画との間に共通の壁を提供する工程と、 前記共通の壁を貫通する開口部を提供する工程とを更に
含む、 請求項４１記載の方法。 - 【請求項４３】 前記処理区画上にシ−ルを提供する工
程と、 前記開口部をシ−ルするために前記絶縁ベ−スを前記シ
−ルに接触させる工程とを更に含む、 請求項４２記載の方法。 - 【請求項４４】 前記処理区画内にリップ凹みを伸延さ
せ、前記開口部の周辺部に周辺方向に前記リップ凹みを
伸延させる工程と、 前記絶縁ベ−ス上にリップを提供し、前記可動支持部材
が前記開口部をシ−ルする位置に置かれているとき、前
記リップを前記リップ凹み内に置く工程とを更に含む、
請求項４３記載の方法。 - 【請求項４５】 処理空間とそれから広がる真空ポ−ト
とを有する第一の区画と、 閉じ込め空間と支持部分であって、その上にポンプ搭載
フランジを有する支持部分とを有する第二の区画と、 前記フランジ上に受容されるポンプとを備え、 前記真空ポ−トが、前記真空ポンプと連通するように伸
延し、前記第一の区画と前記第二の区画の両方のための
真空源として前記真空ポンプを使えるようにしている、
基板処理チャンバ。 - 【請求項４６】 前記真空ポンプが、前記第一の区画の
前記処理空間と連通する排気オリフィスと、前記ポンプ
フランジの内側に伸延するスリ−ブとを含む、請求項４
５記載の基板処理チャンバ。 - 【請求項４７】 前記排気オリフィスと前記スリ−ブと
の間に相互配設された絞り部分を更に含む、請求項４６
記載の基板処理チャンバ。 - 【請求項４８】 処理空間と排気ポ−トとを画成する第
一の区画と、 閉じ込め空間を画成する第二の区画と、 前記第一の空間と前記第二の空間との間に広がる開口部
と、 支持部材であって、その上に基板を受容するように、ま
た前記処理チャンバ内の処理環境にさらすように基板を
置いている間は前記開口部を塞ぐように、選択的に位置
決めできる支持部材と、 前記処理空間上に配設されたカバ−とを備え、 前記処理空間と前記排気ポ−トとが、一体の材料から形
成されている、基板処理チャンバ。 - 【請求項４９】 処理空間を提供する工程と、 基板装填空間を提供する工程と、 前記処理空間と前記基板装填空間との間に開口部を提供
する工程と、 基板のための支持部材を提供する工程と、 前記基板装填空間内に前記支持部材を置き、基板をその
上に置く工程と、 前記開口部を前記支持部材でシ−ルしながら、前記処理
空間にさらされるように前記基板を置くために、前記支
持部材をその上の前記基板と一緒に動かす工程と、 第一の圧力において前記処理空間内に処理環境を維持す
る工程と、 前記処理空間内における基板処理の間、前記第一の圧力
よりも低い圧力を有する真空を前記基板装填空間内に維
持する工程とを備える、 基板を処理する方法。 - 【請求項５０】前記処理空間が、前記基板装填空間と少
なくとも一つの共通壁を共有する閉じ込め空間によって
提供され、また前記開口部が前記共通壁を貫通して提供
される、請求項４９記載の方法。 - 【請求項５１】 前記支持部材上に絶縁性部分を提供す
る工程と、 前記絶縁性部分を前記共通壁と接触させる工程とを更に
含む、請求項５０記載の方法。 - 【請求項５２】 前記支持部材上に伝導性部材を提供す
る工程を更に含む、請求項５０記載の方法。 - 【請求項５３】 処理空間を提供する工程と、 閉じ込め空間を提供する工程と、 前記処理空間と前記閉じ込め空間との間に共通の壁を提
供する工程と、 前記共通の壁に開口部を提供する工程と、 支持部材上に基板を置き、また前記支持部材をその上の
基板と共に前記開口部上に置き、それによって前記開口
部をシ−ルする工程と、 前記支持部材内に電極を提供する工程と、 前記処理空間に処理ガス環境を提供する工程と、 前記処理ガスをプラズマ状態に維持するために前記電極
にバイアスをかける工程と、 前記処理ガスがプラズマ状態に維持されているとき、前
記処理空間内の圧力よりも低い圧力を前記閉じ込め空間
内に維持する工程とを含む、 基板を処理する方法。 - 【請求項５４】 前記支持部材と前記共通の壁との間に
シ−ルを提供する工程を更に含む、請求項５３記載の方
法。 - 【請求項５５】 前記処理空間と連通する第一の真空ポ
ンプを提供する工程と、 前記支持部材を前記開口部上に置くことによって前記閉
じ込め空間から前記真空ポンプを隔離する工程とを更に
含む、 請求項５４記載の方法。 - 【請求項５６】 前記処理空間を前記開口部を通して前
記閉じ込め空間と連通させる工程と、 前記処理空間と前記閉じ込め空間とを前記第一のポンプ
によって第一の真空圧までポンプ引きする工程と、 前記開口部をカバ−し、前記処理空間を前記閉じ込め空
間からシ−ルするように前記支持部材を置く工程と、 前記処理空間内に処理ガス環境を導入し、それにより前
記処理空間内の圧力を増す工程と、 前記処理空間内で前記処理ガス環境をプラズマにするた
めに加勢する工程と、 前記支持部材で前記開口部をシ−ルすることによって前
記処理空間の圧力よりも低い圧力を前記閉じ込め空間内
に維持する工程とを含む、 請求項５５記載方法。 - 【請求項５７】 前記開口部を通して前記処理空間を前
記閉じ込め空間と連通させる工程と、 前記処理空間と前記閉じ込め空間とを前記第一のポンプ
で第一の真空圧までポンプ引きする工程と、 前記開口部をカバ−し、前記処理空間を前記閉じ込め空
間からシ−ルするように前記支持部材を置く工程と、 前記処理空間に処理ガス環境を導入し、それによって前
記処理空間内の圧力を増す工程と、 前記処理空間内で前記処理ガス環境をプラズマにするた
めに加勢する工程と、 前記閉じ込め空間と連通する第二のポンプを提供する工
程と、 前記開口部を前記支持部材でシ−ルし、前記閉じ込め空
間を前記第二のポンプでポンプ引きすることによって、
前記処理空間の圧力よりも低い圧力を前記閉じ込め空間
内に維持する工程とを含む、 請求項５６記載の方法。 - 【請求項５８】 改善された修理性のために基板処理チ
ャンバを形成する方法であって、 処理空間と、ポンプ開口部と、前記処理空間と前記ポン
プ開口部との間を連通する排気オリフィスとを含む第一
の区画を提供する工程と、 シ−ルできる開口部を通して前記第一の区画と連通する
第二の区画を提供する工程と、 前記排気オリフィスを絞るために絞り開口部を提供する
工程と、 前記排気オリフィスを選択的に絞るために前記絞りオリ
フィスに絞りバルブを提供する工程と、 前記絞り開口部を前記ポンプ開口部から別々につながる
ように置く工程と、 前記ポンプ開口部と連通する真空ポンプを提供する工程
とを備える、方法。 - 【請求項５９】前記第二の区画にポンプ支持フランジを
提供する工程と、 前記ポンプ支持フランジと前記ポンプ開口部との芯を合
わせる工程と、 前記真空ポンプを前記ポンプ支持フランジ上に支持する
工程とを更に含む、 請求項５８記載の方法。 - 【請求項６０】 前記ポンプフランジ表面を前記処理空
間内に維持される環境から隔離するために、前記ポンプ
フランジを貫通するスリ−ブとして前記ポンプ開口部を
伸延させる工程を更に含む、 請求項５９記載の方法。 - 【請求項６１】 前記ポンプ支持フランジがポンプ搭載
開口部を画成し、 前記ポンプ搭載開口部が前記絞り開口部と同一線上に並
んでいる（ｃｏ−ｌｉｎｅａｒｌｙ ａｌｉｇｎｅ
ｄ）、 請求項６０記載の方法。 - 【請求項６２】 前記絞りバルブが、前記絞り開口部に
関して直線上に動きうるプレ−トを有するポペットバル
ブであり、 前記プレ−トが前記排気オリフィスの部分を前記真空ポ
ンプと連通しないように塞ぐ、 請求項５８記載の方法。 - 【請求項６３】 前記第一の区画の外側の面が前記第二
の区画の壁を形成する、請求項５８記載の方法。 - 【請求項６４】 前記第二の区画が基板取り扱い区画と
更に連通している、請求項５８記載の方法。 - 【請求項６５】 前記第二の区画と前記基板取り扱い区
画との間にあるアクセスポ−ト上にゲ−トバルブを提供
する工程と、 前記基板取り扱い区画内に基板取り扱い部材を提供する
工程と、 基板を前記第二の区画に置きまたそこから取り去るため
に、前記取り扱い部材を前記アクセスポ−トを通して選
択的に伸延させる工程と、 前記第一の区画が第二の区画から取り去られるとき以外
には、前記ゲ−トバルブを開位置に維持する工程とを含
む、 請求項６４の記載の方法。 - 【請求項６６】 前記第二の区画内に基板支持部材を置
く工程と、 前記シ−ルできる開口部をカバ−しまたシ−ルするため
に、前記支持部材を置く工程とを更に含む、 請求項５８記載の方法。 - 【請求項６７】 前記支持部材が前記シ−ルできる開口
部をシ−ルするような位置に置かれている間に、前記可
動支持部材を修理する工程を更に含む、 請求項６６記載の方法。 - 【請求項６８】 前記第二の区画内に基板支持部材を置
く工程と、 前記支持部材上に受容するために、前記基板取り扱い部
材と一緒に、前記基板取り扱い区画から基板を動かす工
程と、 前記基板を前記支持部材上に受容する工程と、 前記シ−ルできる開口部をカバ−しまたシ−ルするよう
に、前記支持部材をその上の基板と一緒に置く工程と、 前記処理空間内に処理環境を提供する工程とを更に含
む、 請求項６５記載の方法。
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