KR20220027888A - 최하부 퍼지 가스 유동 균일성을 개선하기 위한 배플 구현 - Google Patents

최하부 퍼지 가스 유동 균일성을 개선하기 위한 배플 구현 Download PDF

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Abstract

본 개시내용은 일반적으로, 프로세싱 가스의 압력 프로파일의 방위각 균일성을 개선하기 위한 장치에 관한 것이다. 일 예에서, 프로세싱 챔버는 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부를 포함하며, 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부는 프로세싱 볼륨을 정의한다. 최하부 보울, 챔버 베이스, 및 벽은 퍼지 볼륨을 정의한다. 퍼지 볼륨은 프로세싱 볼륨 아래에 배치된다. 최하부 보울은 제1 이퀄라이저 홀(equalizer hole)을 갖는 제1 표면을 포함한다. 통로는 제1 이퀄라이저 홀 및 유입구를 통해 프로세싱 볼륨을 퍼지 볼륨에 커플링시킨다. 통로는 제1 이퀄라이저 홀 위에 포지셔닝된다. 챔버 베이스는 퍼지 볼륨에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 라인에 커플링가능한 퍼지 포트를 갖는다. 배플은 퍼지 볼륨에서 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치되고, 퍼지 가스의 궤적을 편향시키도록 구성된다.

Description

최하부 퍼지 가스 유동 균일성을 개선하기 위한 배플 구현
[0001] 본원에서 설명되는 예들은 일반적으로 기판 프로세싱 장치에 관한 것으로, 더 구체적으로는 기판 프로세싱 장치에서 기판의 프로세싱 균일성을 개선하기 위한 장치에 관한 것이다.
[0002] 증착 프로세스들, 이를테면, CVD(chemical vapor deposition) 및 PECVD(plasma enhanced CVD) 프로세스들이 반도체 디바이스 제조에서 일반적으로 사용된다. 반도체 디바이스 제조 동안, 기판 표면 상에 재료 층을 형성하기 위해, 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨에서 하나 이상의 가스성(gaseous) 전구체들을 반응시킴으로써, 기판 표면 상에 층들로 재료가 증착된다. 가스성 전구체들은 가스상(gas-phase) 전구체들 및 기상(vapor-phase) 전구체들 중 하나 또는 둘 모두를 포함할 수 있다.
[0003] 잔류 재료들, 이를테면, 가스성 전구체들 및 이들의 반응 부산물들은 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨 내의 하나 이상의 내부 표면들 상에 바람직하지 않게 재료를 증착할 수 있다. 증착물들의 두께는 모든 각각의 기판이 프로세싱될 때마다 증가할 수 있다. 잔류 재료 증착물들의 두께가 증가함에 따라, 증착물들은 결국 프로세싱 챔버 표면들로부터 박편화(flake)되어 프로세싱 볼륨 내의 바람직하지 않은 미립자 오염을 초래한다. 미립자 오염은 기판 상에 증착되는 재료 층의 품질에 부정적으로 영향을 미칠 수 있다. 따라서, CVD 및 PECVD 프로세싱 챔버들은 그로부터 잔류 재료를 제거하기 위해 주기적으로 세정되어야 한다. 프로세스 챔버 세정은 기판 프로세싱 동작들 사이의 주기적인 세정 사이클들, 및 세정 및 스케줄링된 유지보수를 위해 챔버를 개방하는 것 중 하나 또는 둘 모두를 포함한다. 그러한 세정 및 유지보수는 더 낮은 기판 스루풋 및 증가된 챔버 다운타임을 초래한다. 따라서, 이러한 세정 및 유지보수는 프로세싱 챔버의 생산 능력 손실을 야기할 수 있다.
[0004] 따라서, 프로세싱 챔버의 프로세싱 볼륨 내의 내부 표면들 상의 바람직하지 않은 증착을 방지하기 위한 장치가 당해 기술 분야에 필요하다.
[0005] 플라즈마 프로세싱 챔버의 퍼지 가스 볼륨을 위한 배플(baffle)이 본원에서 개시된다. 프로세싱 챔버는 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부를 포함하며, 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부는 집합적으로 프로세싱 볼륨을 정의한다. 최하부 보울, 챔버 베이스, 및 챔버 베이스 및 최하부 보울에 커플링된 벽은 집합적으로 퍼지 볼륨을 정의한다. 퍼지 볼륨은 프로세싱 볼륨 아래에 배치된다. 최하부 보울은 제1 표면을 포함하고, 제1 표면은 제1 표면을 관통해 배치된 제1 이퀄라이저 홀(equalizer hole)을 갖는다. 통로는 제1 이퀄라이저 홀 및 유입구를 통해 프로세싱 볼륨을 퍼지 볼륨에 커플링시킨다. 통로는 제1 이퀄라이저 홀 위에 포지셔닝된다. 챔버 베이스는 퍼지 포트를 통해 퍼지 볼륨에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 라인에 커플링가능한 퍼지 포트를 갖는다. 배플은 퍼지 볼륨에서 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치된다. 배플은 퍼지 볼륨에 진입하는 퍼지 가스의 궤적을 편향시키도록 구성된다.
[0006] 다른 예에서, 프로세싱 챔버는 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부를 포함하며, 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부는 집합적으로 프로세싱 볼륨을 정의한다. 최하부 보울, 챔버 베이스, 및 챔버 베이스 및 최하부 보울에 커플링된 벽은 집합적으로 퍼지 볼륨을 정의한다. 퍼지 볼륨은 프로세싱 볼륨 아래에 배치된다. 최하부 보울은 제1 표면을 포함하고, 제1 표면은 제1 표면을 관통해 배치된 제1 이퀄라이저 홀을 갖는다. 통로는 제1 이퀄라이저 홀 및 유입구를 통해 프로세싱 볼륨을 퍼지 볼륨에 커플링시킨다. 통로는 제1 이퀄라이저 홀 위에 포지셔닝된다. 챔버 베이스는 퍼지 포트를 통해 퍼지 볼륨에 퍼지 가스를 공급하기 위한 제1 퍼지 가스 라인에 커플링가능한 제1 퍼지 포트를 갖는다. 챔버 베이스는 제2 퍼지 포트를 통해 퍼지 볼륨에 퍼지 가스를 공급하기 위한 제2 퍼지 가스 라인에 커플링가능한 제2 퍼지 포트를 갖는다. 배플은 퍼지 볼륨에서 제1 퍼지 포트 및 제2 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치된다.
[0007] 또 다른 예에서, 프로세싱 챔버는 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부를 포함하며, 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부는 집합적으로 프로세싱 볼륨을 정의한다. 최하부 보울, 챔버 베이스, 및 챔버 베이스 및 최하부 보울에 커플링된 벽은 집합적으로 퍼지 볼륨을 정의한다. 퍼지 볼륨은 프로세싱 볼륨 아래에 배치된다. 최하부 보울은 제1 표면을 포함하고, 제1 표면은 제1 표면을 관통해 배치된 제1 이퀄라이저 홀을 갖는다. 통로는 제1 이퀄라이저 홀 및 유입구를 통해 프로세싱 볼륨을 퍼지 볼륨에 커플링시킨다. 통로는 제1 이퀄라이저 홀 위에 포지셔닝된다. 챔버 베이스는 퍼지 포트를 통해 퍼지 볼륨에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 라인에 커플링가능한 퍼지 포트를 갖는다. 배플은 퍼지 볼륨에서 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치된다. 배플은 퍼지 볼륨에 진입하는 퍼지 가스의 궤적을 편향시키도록 구성된다. 배플은 제1 이퀄라이저 홀에서의 퍼지 가스의 속도를 퍼지 포트에서의 퍼지 가스 제트의 속도의 20% 미만으로 감소시키도록 구성된다.
[0008] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 앞서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 본원의 예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 예들을 예시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 한다. 따라서, 첨부 도면들은 다른 균등하게 유효한 예들을 허용한다.
[0009] 도 1은 일 예에 따른 예시적인 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 2는 도 1의 프로세싱 챔버의 퍼지 볼륨에 배치된 배플의 예를 예시하는 단면 평면도이다.
[0011] 도 3은 도 1의 프로세싱 챔버의 퍼지 볼륨에 배치된 배플의 다른 예를 예시하는 단면 평면도이다.
[0012] 도 4는 도 1의 프로세싱 챔버의 퍼지 볼륨에 배치된 배플의 또 다른 예를 예시하는 단면 평면도이다.
[0013] 도 5는 도 1의 프로세싱 챔버의 퍼지 볼륨에 배치된 배플의 또 다른 예를 예시하는 단면 평면도이다.
[0014] 도 6은 도 1에 예시된 프로세싱 챔버(100)의 퍼지 볼륨에 대한 다른 구성의 단면 평면도이다.
[0015] 도 7은 도 1의 프로세싱 챔버에 대한 복수의 퍼지 라인 및 배플 위치들을 예시하는 개략적인 평면도이다.
[0016] 도 8은 복수의 이퀄라이저 홀들에 묘사된 질량 유량 균일성의 그래프이다.
[0017] 도 9는 도 1의 프로세싱 챔버의 퍼지 볼륨에 배치된 배플의 다른 예를 예시하는 단면 평면도이다.
[0018] 이해를 용이하게 하기 위해, 특징들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 예의 엘리먼트들 및 특징들이 추가의 언급없이 다른 예들에 유익하게 통합될 수 있음이 고려된다.
[0019] 본원에 개시된 예들은 일반적으로, 퍼지 가스 볼륨 내의 퍼지 가스들의 제트를 인터럽트(interrupt)하는 유동 편향 장치(flow deflecting apparatus)에 관한 것이다. 유리하게, 퍼지 가스의 제트를 인터럽트하는 것은 이퀄라이저 홀(들)에서의 퍼지 가스의 평균 질량 유량에 영향을 미친다. 이퀄라이저 홀은 통로를 통해 퍼지 가스 볼륨을 프로세싱 볼륨에 커플링시킨다. 이퀄라이저 홀에서의 퍼지 가스의 질량 유량은 유입구에서 프로세싱 볼륨에 진입하는 프로세싱 가스의 질량 유량에 대응한다. 달리 말하면, 퍼지 가스 볼륨 내의 퍼지 가스의 질량 유량은 유입구, 즉, 프로세싱 볼륨이 퍼지 가스 볼륨에 커플링되는 영역에서의 퍼지 가스의 질량 유량에 비례한다. 통로의 유입구에서의 프로세싱 가스의 속도는 프로세싱 볼륨 내의 기판에 걸친 플라즈마의 질량 유동 균일성 및 방위각 압력 프로파일에 영향을 미친다. 유사하게, 통로의 유입구에서의 프로세싱 가스의 운동량(momentum)은 프로세싱 볼륨 내의 기판에 걸친 플라즈마의 질량 유동 균일성 및 방위각 압력 프로파일에 영향을 미친다.
[0020] 기판 상의 증착 균일성은 기판 주위의 압력 프로파일 및 질량 유동 균일성에 대응한다. 압력 프로파일 및 유동의 균일성은 프로세싱 가스들의 개별적인 균일성 레벨들 및 퍼지 가스(들)의 질량 유동 균일성에 상관된다. 유리하게, 퍼지 볼륨에 배플을 배치하는 것은, 퍼지 볼륨과 프로세싱 볼륨을 커플링하는 유입구에서 퍼지 가스가 프로세싱 가스들과 상호작용할 때, 퍼지 가스의 질량 유동 균일성을 크게 개선한다. 따라서, 기판 주위의 매우 균일한 압력 및 유동 프로파일이 제공된다. 따라서, 퍼지 볼륨 내의 유동의 균일성을 증가시키는 것은 프로세싱 챔버의 내부 벽들 상의 원하지 않는 재료 증착을 감소시키며, 이는 프로세싱 챔버의 세정 빈도를 감소시키고 프로세싱 챔버 다운타임을 감소시킨다.
[0021] 본원의 예들은 기판들을 에칭하도록 구성된 시스템에서의 사용을 참조하여 아래에서 예시적으로 설명된다. 그러나, 개시된 청구대상은 다른 시스템 구성들, 이를테면, 화학 기상 증착 시스템들, 물리 기상 증착 시스템들, 및 플라즈마 프로세싱 챔버의 내부 볼륨 내로 퍼지 가스가 유입되는 다른 시스템들에서 유용성(utility)을 갖는다는 것이 주목되어야 한다. 본원에 개시된 예들은 다양한 치수들의 기판들을 프로세싱하도록 구성된 다른 프로세스 챔버들에서 실시하도록 구성될 수 있다는 것이 또한 이해되어야 한다.
[0022] 도 1은 일 예에 따른 예시적인 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 프로세싱 챔버(100)는 챔버 바디(102)를 포함하며, 챔버 바디(102)는 하나 이상의 측벽들(104), 챔버 베이스(106), 및 챔버 덮개 조립체(108)를 갖는다. 내부 볼륨(103)은 챔버 바디(102), 측벽들(104), 챔버 베이스(106), 및 챔버 덮개 조립체(108)에 의해 정의된다. 기판 지지부(111)가 내부 볼륨(103)에 배치된다. 내부 볼륨(103)은 프로세싱 볼륨(116) 및 퍼지 볼륨(118)을 포함한다. 프로세싱 볼륨(116)은 측벽들(104)의 내측 표면, 챔버 덮개 조립체(108)의 내측 표면, 및 기판 지지부(111)의 제1 표면(112)에 의해 정의된다. 퍼지 볼륨(118)은 측벽들(104), 챔버 베이스(106), 벨로우즈(130), 및 최하부 보울(166)에 의해 정의된다.
[0023] 본원에서, 챔버 덮개 조립체(108)는 측벽들(104)로부터 전기적으로 격리된다. 샤워헤드(109)가 챔버 덮개 조립체(108)에 배치되고 그에 커플링된다. 샤워헤드(109)는 샤워헤드(109)를 관통해 배치된 복수의 개구들(110)을 갖는다. 복수의 개구들(110)은 프로세싱 가스 소스(150)로부터 프로세싱 볼륨(116) 내로 하나 이상의 프로세싱 가스들(117)을 균일하게 분배한다. 본원에서, 샤워헤드(109)는 전기 전도성 재료로 형성된다. 샤워헤드(109)는 또한, 제1 전력 공급부(132), 이를테면, RF 전력 공급부에 커플링된다. 제1 전력 공급부(132)는, 프로세싱 가스들과의 용량성 커플링을 통해 프로세싱 가스들의 플라즈마를 점화시키고 유지하기 위한 전력을 제공한다.
[0024] 기판 지지부(111)는 내부 볼륨(103)에 포지셔닝된다. 지지 샤프트(126)를 상승 및 하강시키는 리프트 액추에이터(128)에 지지 샤프트(126)가 커플링된다. 기판 지지부(111)는 지지 샤프트(126)에 커플링된다. 리프트 액추에이터(128)는 기판 지지부(111)를 하강된 포지션과 상승된 포지션 사이에서 이동시키도록 구성된다. 상승된 또는 하강된 포지션은 내부 볼륨(103)으로의 그리고 내부 볼륨(103)으로부터의 기판(114)의 전달을 가능하게 할 수 있다. 기판 지지부(111)의 높이는 지지 샤프트(126)의 수직 포지션에 상관하여 결정된다.
[0025] 벨로우즈(130)는 또한 지지 샤프트(126)를 에워싼다. 벨로우즈(130)는 또한, 리프트 액추에이터(128)에 커플링되어 그 사이에 가요성 밀봉을 제공할 수 있다. 벨로우즈(130)는 내부 볼륨(103)의 진공 무결성을 유지한다.
[0026] 기판 지지부(111)는 또한, 프로세싱 볼륨(116) 내에 부분적으로 포지셔닝된다. 기판 지지부(111)는 퍼지 볼륨(118) 위에 포지셔닝된다. 기판 지지부(111)는 기판(114)을 수용하기 위한, 챔버 덮개 조립체(108)를 향하는 제1 표면(112)을 포함한다. 제2 표면(113)은 제1 표면(112) 반대편에 있고 챔버 베이스(106)를 향한다. 기판 프로세싱 동안, 기판(114)은 ESC(electrostatic chucking)에 의해 기판 지지부(111)의 제1 표면(112)에 고정된다. 기판 지지부(111)는 하나 이상의 가열기들을 포함할 수 있다. 기판 지지부(111)는 또한 하나 이상의 냉각 채널들(미도시)을 포함할 수 있다. 기판 지지부(111)는 상부에 배치된 기판(114)의 온도의 제어를 가능하게 한다.
[0027] 기판 프로세싱 동안, 프로세싱 가스(117)는 샤워헤드(109)에 의해 내부 볼륨(103)에 제공된다. 프로세싱 가스(117)는 또한, 기판 지지부(111) 상에 배치된 기판(114)의 중심 위의 구역으로부터 반경방향 외측으로 프로세싱 볼륨(116) 내로 흡인된다. 프로세싱 가스(117)는 또한, 기판 지지부(111)의 제1 표면(112)의 원주방향 에지 위로 하향 흡인될 수 있다. 그러한 경우, 프로세싱 가스(117)는 제1 통로(120)의 제1 유입구(121)를 통해 배기 라이너 조립체(134) 내로 흡인된다.
[0028] 배기 라이너 조립체(134)가 내부 볼륨(103)에 배치된다. 배기 라이너 조립체(134)는 원주방향의 C-채널 형상 섹션을 포함할 수 있다. 배기 라이너 조립체(134)는 챔버 바디(102)의 내측 벽들 상의 바람직하지 않은 잔류 재료 증착을 감소시키도록 구성된다. 배기 라이너 조립체(134)는 프로세싱 볼륨(116)으로부터 프로세싱 가스(117)의 제거를 가능하게 한다. 배기 라이너 조립체(134)는 프로세싱 볼륨(116) 내의 프로세싱 가스(117)가 퍼지 볼륨(118) 내로 유동하는 것을 방지하는 것을 돕는다. 배기 라이너 조립체(134)는 또한, 퍼지 가스(119)가 퍼지 볼륨(118)으로부터 프로세싱 볼륨(116) 내로 유동하는 것을 방지한다. 배기 라이너 조립체(134)는 또한, 퍼지 볼륨(118)에 배치된 챔버 컴포넌트들의 표면들 상의 잔류 재료 증착을 감소시키도록 구성된다.
[0029] 배기 라이너 조립체(134)는 라이너(136)를 포함한다. 라이너(136)는 내부 공간(138)을 갖는다. 본원에서, 라이너(136)는 세라믹 재료, 이를테면, 알루미늄 산화물로 제조될 수 있다. 라이너(136)는 또한, 할로겐 함유 세정 플라즈마들, 이를테면, NF3계 플라즈마로부터의 열 및 부식에 대해 적절하게 내성이 있는 다른 재료로 제조될 수 있다. 라이너(136)는 스케줄링된 세정 또는 교체를 위해 프로세싱 챔버(100)로부터 제거될 수 있다.
[0030] 퍼지 가스(119)는 퍼지 포트(144)와 유체 연통하는 퍼지 가스 소스(146)에 의해 공급된다. 퍼지 라인(148)은 퍼지 가스 소스(146)를 퍼지 포트(144)에 커플링시킨다. 본원에서, 퍼지 가스(119)는 기판 프로세싱 또는 챔버 세정 동작들 동안 퍼지 볼륨(118)에 전달될 수 있다. 퍼지 가스(119)는 퍼지 포트(144)를 통해 퍼지 볼륨(118) 내로 유동한다. 퍼지 포트(144)는 챔버 베이스(106)를 관통해 배치된다. 퍼지 포트(144)는 대칭적인 단면 형상, 이를테면, 원형 단면 형상을 가질 수 있다. 다른 예들에서, 퍼지 포트(144)는 비대칭 단면 형상을 가질 수 있다.
[0031] 퍼지 가스 소스(146)는 퍼지 볼륨(118)에 퍼지 가스(119)를 공급한다. 퍼지 가스(119)는 또한, 제1 통로(120)에 유동적으로 커플링된 배기 도관(123)을 통해 라이너(136)의 내부 공간(138) 내로 흡인된다. 내부 공간(138)은 배기 채널(140)에 커플링된다. 배기 채널(140)은 배기 포트(142)에 커플링된다. 그런 다음, 프로세싱 가스(117) 및 퍼지 가스(119) 둘 모두는 라이너(136)의 내부 공간(138)으로부터 배기 채널(140)을 통해 흡인되고, 배기 포트(142)를 통해 진공배기된다(evacuated).
[0032] 도 2는 도 1의 프로세싱 챔버(100)의 퍼지 볼륨(118)에 배치된 배플(200)의 예를 예시하는 단면 평면도이다. 퍼지 볼륨(118)은 벨로우즈(130), 챔버 베이스(106), 최하부 보울(204), 및 측벽들(104)에 의해 정의된다. 벨로우즈(130)는 챔버 베이스(106)에 커플링된다. 벨로우즈(130)는 또한 최하부 보울(204)에 커플링된다. 퍼지 포트(208)가 챔버 베이스(106) 내에 배치된다. 퍼지 가스 소스(146)는 퍼지 포트(208)를 통해 퍼지 볼륨(118)에 퍼지 가스(119)를 공급한다. 퍼지 라인(148)은 퍼지 포트(208)를 통해 퍼지 가스 소스(146)를 퍼지 볼륨(118)에 커플링시킨다.
[0033] 배플(200)이 퍼지 포트(208) 위에 포지셔닝된다. 배플(200)은 세라믹, 금속, 또는 퍼지 볼륨(118)의 내부 표면(248)에 견고하게 부착될 수 있는 불활성 가스 환경에 적합한 임의의 다른 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 배플(200)은 알루미늄 질화물과 같은 알루미늄을 함유하는 재료로 제조될 수 있다. 배플(200)은 임의의 기하학적 형상을 가질 수 있다. 배플(200)에 대한 하나의 기하학적 형상의 비-제한적인 예는 30 mm의 길이, 28 mm의 폭, 및 5 mm의 두께를 갖는 사변형 기하학적 구조이다. 배플(200)은 퍼지 포트(208) 위로 일정 높이(228)에 포지셔닝된다. 배플(200)의 높이(228)는 퍼지 포트(208) 위로 5 mm 내지 13 mm일 수 있다. 그러나, 배플(200)이 퍼지 가스(119)의 제트(212)의 궤적(244)을 변경하도록 구성되는 한, 이러한 치수들은 더 작거나 더 클 수 있다. 최하부 보울(204)과 배플(200)의 최하부 표면(232) 사이의 수직 거리(240)는, 최하부 보울(204)이 수직 방향으로 이동함에 따라 변화할 수 있다. 높이(228) 및 수직 거리(240)는 퍼지 포트(208)와 이퀄라이저 홀(들)(216) 사이의 수직 길이(250)와 실질적으로 유사하다. 배플(200)의 최하부 표면(232)은 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)과 실질적으로 평행하다.
[0034] 이퀄라이저 홀(216)은 최하부 보울(204)에 배치된다. 이퀄라이저 홀(216)은 퍼지 볼륨(118)을 제1 통로(120)에 커플링시킨다. 단일 이퀄라이저 홀(216)이 예시되지만, 일련의 이퀄라이저 홀들(216)이 최하부 보울(204)을 따라 반경방향으로 배치된다. 일련의 이퀄라이저 홀들(216)은 최하부 보울(204)을 따라 등거리로 포지셔닝된다. 퍼지 가스(119)가 퍼지 볼륨(118)에 진입할 때, 퍼지 가스(119)의 제트(212)가 퍼지 포트(208)에서 생성된다. 퍼지 포트(208)에서의 퍼지 가스(119)의 제트(212)의 속도는 50 m/s를 초과할 수 있다. 배플(200)은 퍼지 볼륨(118) 내로 이동하는 퍼지 가스(119)의 제트(212)의 유동을 제한한다. 제트(212)의 속도는 배플(200)에 의해 퍼지 포트(208) 위의 부근에서 상당히 감소된다.
[0035] 따라서, 퍼지 가스(119)의 속도는, 퍼지 가스(119)가 최하부 보울(204) 내의 이퀄라이저 홀(216)에 진입할 때까지 소산(dissipate)된다. 따라서, 이퀄라이저 홀(216) 근처의 영역에서의 퍼지 가스(119)의 속도 및 에너지는 퍼지 포트(208)에서의 퍼지 가스(119)의 속도 및 에너지보다 실질적으로 더 작다. 기계적 작업을 수행하기 위한 초기 형태 및 초기 에너지를 갖는 유체의 능력이 유체의 최종 형태로 기계적 작업을 수행하는 유체의 능력보다 작을 때, 에너지 소산이 발생한다. 제트(212)는 배플(200)의 최하부 표면(232)과 접촉한다. 제트(212)의 궤적(244)은 배플(200)에 의해 변경된다. 퍼지 가스(119)가 배플(200)과 접촉할 때 제트(212)의 운동량이 감소되고, 배플(200)은 제트(212)의 궤적(244)을 변경한다. 대응하여, 퍼지 가스(119)의 운동 에너지가 또한 감소된다. 퍼지 가스(119)가 배플(200)과 접촉할 때 가스의 운동량이 감소됨에 따라, 퍼지 가스(119)의 속도가 또한 감소된다. 그러한 경우에, 퍼지 가스(119)가 제1 통로(120)를 통해 이동할 때 퍼지 가스(119)는 더 적은 운동량을 갖는다.
[0036] 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 통로(120)를 통해 이동하는 퍼지 가스(119)가 제1 유입구(121)에 도달할 때, 퍼지 가스(119)는 프로세싱 볼륨(116) 내의 프로세싱 가스(117)에 대해 백프레셔(backpressure)를 생성한다. 따라서, 프로세싱 가스(117)는 프로세싱 볼륨(116)에서 가압된다. 따라서, 제1 유입구(121)에서의 퍼지 가스(119)의 압력은 기판(114)에 걸친 프로세싱 가스(117)의 방위각 압력 프로파일에 영향을 미친다. 따라서, 프로세싱 가스(117)의 압력 프로파일의 방위각 균일성은 배플(200)에 의해 개선된다.
[0037] 유리하게, 배플(200)이 퍼지 포트(208) 위에 포지셔닝될 때, 이퀄라이저 홀(216)에서의 퍼지 가스(219) 속도가 감소된다. 따라서, 제1 통로(120) 내의 퍼지 가스(119)는 결국 프로세싱 볼륨(116)에 진입하는 것이 방지된다. 따라서, 퍼지 가스(119)의 감소된 속도는 기판(114)에 걸친 프로세싱 가스(117)의 방위각 플라즈마 프로파일을 제어하는 데 사용될 수 있다. 배플(200)이 퍼지 포트(208)에서 속도 제트(212)를 감소시키도록 포지셔닝될 때, 기판(114) 상의 프로세싱 가스(117)의 압력 프로파일의 방위각 균일성이 프로세싱 볼륨(116)에서 크게 개선된다.
[0038] 도 3은 도 1의 프로세싱 챔버(100)의 퍼지 볼륨(118)에 배치된 또 다른 예시적인 배플(300)을 예시하는 단면 평면도이다. 배플(300)은 레그들(304)에 의해 지지될 수 있다. 레그들(304)은 배플(300)의 최하부 표면(312)으로부터 챔버 베이스(106)로 연장될 수 있다. 레그들(304)은 배플(300) 또는 배플(300)의 일부의 회전을 방지하도록 구성될 수 있다. 복수의 패스너들(302)은 배플(300)을 퍼지 볼륨(118) 내에서 미리 결정된 높이(228)에 고정시키도록 구성된다. 패스너들(302)은 볼트들, 핀들, 용접된 로드(rod)들, 또는 임의의 다른 적절한 연결 디바이스일 수 있다. 패스너들(302)은 배플(300)의 최상부 표면(308)을 통과할 수 있다. 대안적으로, 패스너들(302)은 배플(300)에 부착되거나 또는 배플(300)을 통해 스레딩될 수 있다. 패스너들(302)은 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)에 고정된다. 예컨대, 패스너들(302)은 챔버 베이스(106)에 용접되거나, 스레딩되거나, 피닝되거나 또는 다른 적절한 기법에 의해 부착될 수 있다. 퍼지 볼륨(118) 내에 배플(300)을 고정시키는 것은 배플(300)이 챔버 베이스(106)로부터 이탈(dislodging)하는 것을 방지한다. 배플(300)을 고정시키는 것은 또한, 퍼지 가스 제트(212)의 힘으로 인한 배플(300)의 바람직하지 않은 회전 또는 기울어짐(skew)을 방지하는 것을 돕는다.
[0039] 배플(300)은, 배플(300)의 길이(324)가 퍼지 포트(208)의 중심선(328)에 의해 두 갈래로 나뉘도록(bifurcated), 퍼지 포트(208) 위에 포지셔닝된다. 제1 폭(316)과 제2 폭(320)은 함께, 배플(300)의 길이(324)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 배플(300)의 제1 폭(316)은 배플(300)의 제2 폭(320)과 실질적으로 동일하다. 배플(300)의 하부 표면(312)은 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)과 실질적으로 평행하다.
[0040] 배플(300)의 하부 표면(312)과 이퀄라이저 홀(216) 사이의 수직 거리(332)는, 기판 지지부(111)가 리프트 액추에이터(128)(도 1에 도시됨)에 의해 상승 및 하강될 때, 최하부 보울(204)의 포지션이 수직 방향으로 이동함에 따라 변화한다. 이 예에서, 배플(300)의 하부 표면(312)은 이퀄라이저 홀(216) 아래로 일정 수직 거리(332)에 포지셔닝된다. 수직 거리(332)는 5 mm 내지 13 mm일 수 있다.
[0041] 도 4는 도 1의 프로세싱 챔버(100)의 퍼지 볼륨(118)에 배치된 배플(400)의 또 다른 예를 예시하는 단면 평면도이다. 배플(400)은 또한 레그들(304)에 의해 지지된다. 배플(400)은 또한, 복수의 패스너들(302)에 의해 챔버 베이스(106)에 고정될 수 있다. 본원에서 논의된 배플(400)은 배플(300)과 관련하여 위에서 논의된 배플과 실질적으로 유사한 치수를 가질 수 있다. 배플(400)은 제1 폭(404) 및 제2 폭(408)을 갖는다. 제1 폭(404)과 제2 폭(408)은 함께, 배플(400)의 길이(420)와 실질적으로 동일하다. 제1 폭(404)과 제2 폭(408)은 폭이 상이하며, 즉, 적어도 하나의 치수가 동일하지 않다. 이 예에서, 배플(400)의 길이(420)는 퍼지 포트(208)의 중심선(328)에 의해 두 갈래로 나뉘지 않는다. 배플(400)은 위의 배플(200)과 유사하게 퍼지 포트(208) 위로 일정 높이(228)에 포지셔닝된다.
[0042] 배플(400)의 하부 표면(412)과 이퀄라이저 홀(216) 사이의 수직 거리(416)는, 기판 지지부(111)(도 1에 도시됨)의 상승 및 하강과 함께 최하부 보울(204)의 포지션이 수직 방향으로 이동함에 따라 변화할 수 있다. 배플(400)의 하부 표면(412)은 이퀄라이저 홀(216) 위로 일정 수직 거리(416)에 포지셔닝된다. 수직 거리(416)는 5 mm 내지 13 mm일 수 있다. 배플(400)의 하부 표면(412)은 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)과 실질적으로 평행하다.
[0043] 유리하게, 배플(400)은 증가된 표면적을 가지며, 이는 제트(212)의 운동량을 추가로 감소시킬 수 있다. 제트(212)의 운동량 또는 속도를 감소시키는 것은 프로세싱 볼륨(116)(도 1에 도시됨) 내의 기판에 걸친 플라즈마의 방위각 압력 프로파일을 개선한다.
[0044] 도 5는 도 1의 프로세싱 챔버(100)의 퍼지 볼륨(118)에 배치된 배플(500)의 또 다른 예를 예시하는 단면 평면도이다. 이 예에서, 배플(500)은 벨로우즈(130)의 일부에 부착된다. 배플(500)의 최하부 표면(512)은 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)과 실질적으로 평행하다. 배플(500)은 패스너들(302) 또는 레그들(304) 또는 이들 둘 모두의 조합(도 5에 도시되지 않음)으로 벨로우즈(130)의 일부에 부착될 수 있다. 배플(500)은 또한, 배플(500)이 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)과 실질적으로 평행하게 유지되는 것을 보장하는 임의의 적절한 어레인지먼트를 활용하여 벨로우즈에 부착될 수 있다. 이 예에서, 배플(500)은, 기판 지지부(111)(도 1에 도시됨)가 상승 및 하강될 때 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)에 대해 최하부 표면(512)의 높이(504)를 변화시키는 방식으로 수직으로 이동할 수 있다. 최하부 보울(204)이 수직 방향으로 이동할 때, 벨로우즈(130)가 또한 이동한다. 따라서, 벨로우즈(130)에 부착된 배플(500)이 또한 이동한다. 따라서, 배플(500)의 최하부 표면(512)과 이퀄라이저 홀(216) 사이의 수직 거리(508)는 기판 지지부(111)의 이동에 따라 변화할 것이다. 달리 말하면, 배플(500)의 높이(504)는 기판 지지부(111)의 높이에 기반하여 변경되도록 구성된다. 이전에 논의된 바와 같이, 높이(504) 또는 수직 거리(508)를 변경하는 것은, 퍼지 볼륨(118) 내로 진입하는 퍼지 가스의 속도를 감소시키고 이를 재지향시킴으로써, 이퀄라이저 홀(216) 근처에서의 퍼지 가스(119)의 평균 질량 유량에 영향을 미친다.
[0045] 도 6은 도 1에 예시된 프로세싱 챔버(100)의 퍼지 볼륨(118)에 대한 다른 구성에 대한 단면 평면도이다. 도 6에 묘사된 배플(600)은 제1 레그(604) 및 제2 레그(608)를 포함한다. 제2 레그(608)는 제1 레그(604)에 커플링된다. 예컨대, 제1 레그(604)는 제2 레그(608)에 용접되거나, 나사 결합되거나, 볼트 결합되거나, 브레이징되거나, 접착될 수 있다. 제1 레그(604)와 제2 레그(608)는 또한, 단일 재료 블록으로 균일하게 제조될 수 있다. 제1 레그(604)의 표면은 제1 내부 표면(624)과 실질적으로 평행하다. 예컨대, 제1 내부 표면(624)은 퍼지 볼륨(118)의 표면, 이를테면, 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)과 평행하다. 제2 레그(608)는 챔버 베이스(106)의 측벽(616)과 실질적으로 평행하다. 제1 레그(604)와 제2 레그(608) 사이에 일정 각도(620)가 형성된다. 이 예에서, 각도(620)는 약 60도 내지 약 120도의 범위, 이를테면, 약 90도일 수 있다.
[0046] 배플(600)은 제2 내부 표면(628)에 부착될 수 있다. 예컨대, 배플(600)은 챔버 베이스(106)와 같은 퍼지 볼륨(118)의 측벽에 부착될 수 있다. 배플(600)은, 제1 레그(604)가 챔버 베이스(106)의 제1 내부 표면(624)과 실질적으로 평행하게 유지되는 것을 보장하는 임의의 적절한 어레인지먼트를 활용하여 챔버 베이스(106)에 부착된다. 이 예에서, 배플(600)은 또한, 제2 레그(608)가 챔버 베이스(106)의 제2 내부 표면(628)과 실질적으로 평행하게 유지되는 것을 보장하는 임의의 적절한 어레인지먼트를 활용하여 부착된다.
[0047] 배플(600)은, 챔버 베이스(106)의 제1 내부 표면(624)과 배플(600)의 일부 사이에 갭(632)이 존재하도록, 퍼지 볼륨(118) 내에 포지셔닝된다. 퍼지 라인(612)은 퍼지 포트(636)를 통해 퍼지 볼륨(118)에 퍼지 가스(119)를 공급한다. 퍼지 가스(119)의 제트(212)는 챔버 베이스(106)의 측벽(616) 내의 퍼지 포트(636)를 통해 퍼지 볼륨(118)에 진입한다. 달리 말하면, 퍼지 가스는 퍼지 볼륨(118)의 최하부에 있는 제1 내부 표면(624)으로부터 직각으로 퍼지 볼륨(118)의 측부에 있는 퍼지 포트(636)로부터 진입한다. 퍼지 가스(119)의 궤적(244)은 배플(600)과 접촉함으로써 변경된다. 따라서, 이퀄라이저 홀(216)에서의 퍼지 가스(119)의 평균 질량 유량은 퍼지 포트(636)에서의 제트(212)의 질량 유량과 관련하여 감소된다.
[0048] 도 7은 도 1의 프로세싱 챔버(100)에 대한 복수의 퍼지 라인들(714) 및 배플 위치들(700)을 예시하는 평면도이다. 배플 위치들(700)은 다수의 배플들(732)을 포함한다. 각각의 배플(732)은 퍼지 포트(712) 근처에 배치된다. 따라서, 2개 이상의 퍼지 포트들(712)이 존재할 수 있으며, 각각의 퍼지 포트(712)는 퍼지 라인(714)에 연결된다. 각각의 배플(732)은 퍼지 가스(119)가 퍼지 볼륨(118)에 진입할 때, 퍼지 가스(119)의 제트(212)를 방해하도록 구성된다. 각각의 배플(732)은 내부 볼륨(103)의 중심 축(704)으로부터 동일한 거리(716)에 포지셔닝된다. 배플들(732) 중 하나의 배플(732)과 인접한 배플(732) 사이의 각도(728)는 동일한 각도일 수 있다. 각도(728)는 또한 상이할 수 있다. 예시된 예에서, 4개의 배플 위치들이 존재하고, 각각의 배플 위치(700)는 배플(732)을 갖는다. 예시된 예에서, 각각의 배플(732) 사이의 각도(728)는 약 90도이다. 다른 비-제한적인 예에서, 각각의 배플 위치(700) 사이의 각도는 약 60도 내지 약 180도의 임의의 각도일 수 있으며, 여기서 1개 초과의 배플(732)이 존재한다. 다른 예들과 유사한 방식으로, 배플(732)은 금속성 또는 세라믹 재료로 제조될 수 있다.
[0049] 추가적으로, 파선들로 표현되는 대안적인 원형 배플(800)이 도 7에 예시된다. 원형 배플(800)은 배플들(732) 대신에 활용될 수 있다. 이 예에서, 원형 배플(800)은 퍼지 볼륨(118)을 통해 연장되는 연속적인 섹션(808)을 갖는다. 연속적인 섹션(808)은 형상이 환형이거나 또는 토로이달(toroidal) 형상이다. 연속적인 섹션(808)은 각각의 퍼지 포트(712) 근처에 있도록 퍼지 볼륨(118) 내에 배열된다.
[0050] 배플(732) 및 원형 배플(800)이 동일한 도면에 도시되지만, 배플(732) 및 원형 배플(800)은 퍼지 볼륨(118)에 동시에 배치되지 않는다. 원형 배플(800)은 약 5 mm 내지 약 13 mm인 폭(804)을 가질 수 있다. 원형 배플(800)은 위에서 설명된 배플들(200, 300, 400, 500)과 일치하는 대략 5 mm의 두께를 가질 수 있다. 도 3의 배플(300)의 설명과 유사하게, 원형 배플(800)은 레그들(304)로 지지되거나, 패스너들(302)로 챔버 베이스(106)의 최하부 표면에 체결되거나, 또는 이들 둘 모두의 조합일 수 있다.
[0051] 원형 배플(800)의 단면 프로파일이 도 7의 라인(A-A)을 따라 취해진다. 원형 배플(800)은 배플(300) 또는 배플(400)과 동일한 단면 프로파일을 가질 수 있다. 도 5에 예시된 배플(500)과 관련하여 논의된 바와 같이, 원형 배플(800)은 벨로우즈(130)에 교번적으로 부착될 수 있다. 원형 배플(800)은 배플(500)과 동일한 단면 프로파일을 가질 수 있다. 도 6에 묘사된 바와 같이, 원형 배플(800)은 또한 챔버 베이스(106)의 제2 내부 표면(628)에 부착될 수 있다. 원형 배플(800)은 배플(600)과 동일한 단면 프로파일을 가질 수 있다. 원형 배플(800)은 원형 배플(800)을 지지하는 제1 레그(604) 및 제2 레그(608)를 가질 수 있다. 다른 예들과 유사한 방식으로, 원형 배플(800)은 금속성 또는 세라믹 재료로 제조될 수 있다.
[0052] 도 8은 복수의 이퀄라이저 홀들에서 묘사된 질량 유량 균일성의 그래프이다. 각각의 이퀄라이저 홀(216)에서 평균 질량 유량이 관찰되었다. 본원에 예시된 예에서, 70개 초과의 이퀄라이저 홀들(216)이 존재한다. 이 예에서, x-축을 따르는 식별자들에 도시된 변수 x는 그래프의 홀들의 수에 대한 곱수(multiplier)이며, 4보다 크고 10보다 작을 수 있다. 예컨대, x = 4인 경우, x-축 상의 식별자들은 4, 8, 12, 16 등을 나타낼 것이다.
[0053] 퍼지 볼륨(118)에 배플(200)이 배치되지 않은 종래의 시스템에서, 이퀄라이저 홀(216)에서의 평균 질량 유량은 다른 이퀄라이저 홀들(216)에서 취해진 평균 질량 유량에 대해 +/- 3% 만큼 벗어난다. 예컨대, 배플(200)이 존재하지 않을 때, 약 -3%의 표준 편차를 갖는 포지션 8x와 10x 사이에 포지셔닝된 이퀄라이저 홀들(999)이 퍼지 포트(208)에 가장 가깝게 포지셔닝된다. 주어진 이퀄라이저 홀(216)이 퍼지 포트(208)로부터 반경방향으로 더 멀리 포지셔닝될 때, 질량 유량의 표준 편차는 크게 섭동(fluctuate)한다. 퍼지 포트(208) 근처에 있지 않은 이퀄라이저 홀들(998)의 경우(예컨대, 포지션 x와 4x 사이), 질량 유량은 +/- 2%만큼 벗어날 수 있다. 복수의 이퀄라이저 홀들(216)에서의 질량 유량의 이러한 섭동은 프로세싱 볼륨(116)의 제1 유입구(121)에서의 퍼지 가스(119)의 운동량에 영향을 미친다. 질량 유량의 섭동은, 퍼지 가스(119)가 프로세싱 볼륨(116)에 진입할 때의 퍼지 가스(119)의 운동량 및 따라서 속도에 영향을 미친다. 제1 유입구(121)에서의 결과적인 속도 섭동은 기판(114) 상의 프로세싱 가스(117)의 압력 프로파일의 방위각 균일성을 추가로 방해한다.
[0054] 유리하게, 배플(200)과 같은 배플이 퍼지 포트(208) 위에 포지셔닝될 때, 이퀄라이저 홀들(216) 각각에 걸친 질량 유량의 표준 편차가 크게 감소된다. 배플(200)이 퍼지 볼륨(118) 내에 배치될 때, 복수의 이퀄라이저 홀들(816) 각각에 걸친 질량 유량의 표준 편차는 +/- 1%미만이다. 따라서, 제1 이퀄라이저 홀에서의 퍼지 가스의 제1 평균 질량 유량은 제2 이퀄라이저 홀에서의 평균 질량 유량의 단일 표준 편차(one standard deviation) 내에 있고, 제1 이퀄라이저 홀은 제2 이퀄라이저 홀 바로 근처에 있다. 이는 종래의 시스템들에 비해 질량 유량에 대한 표준 편차의 약 60%의 개선된 감소이다. 이퀄라이저 홀들(216)에서의 평균 질량 유량이 감소되기 때문에, 배플이 존재하지 않는 종래의 시스템과 비교하여, 퍼지 가스(119)가 프로세싱 볼륨(116)에 진입하는 것으로부터 실질적으로 감소된다. 따라서, 제1 통로(120)에 진입하는 퍼지 가스(119)의 속도의 감소는 기판(114) 상의 프로세싱 가스(117)의 압력 프로파일의 방위각 균일성에 기여한다.
[0055] 도 9는 도 1의 프로세싱 챔버(100)의 퍼지 볼륨(118)에 배치된 배플의 다른 예를 예시하는 단면 평면도이다. 배플(900)은 레그들(304)에 의해 지지될 수 있다. 레그들(304)은 배플(900)의 최하부 표면(920)으로부터 최하부 보울(204)의 내부 표면(916)으로 연장된다. 레그들(304)은 배플(900) 또는 배플(900)의 일부의 회전을 방지하도록 구성될 수 있다. 복수의 패스너들(302)(도 3에 도시됨)은 퍼지 볼륨(118) 내에서 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248) 위로 일정 높이(912)에 배플(900)을 고정시키도록 구성된다. 배플(900)은 또한, 퍼지 포트(208) 위로 실질적으로 동일한 높이(912)에 포지셔닝된다. 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)과 배플(900)의 최상부 표면(904) 사이의 높이(912)는, 기판 지지부(111)가 리프트 액추에이터(128)(도 1에 도시됨)에 의해 상승 및 하강될 때, 최하부 보울(204)의 포지션이 수직 방향으로 이동함에 따라 변화할 수 있다. 레그들(304)은, 볼트들, 핀들, 용접된 로드들, 또는 임의의 다른 적절한 연결 디바이스일 수 있는 패스너들(302)로 고정될 수 있다. 패스너들(302)은 배플(900)의 최상부 표면(904)을 통과할 수 있다. 대안적으로, 패스너들(302)은 배플(900)의 최하부 표면(920)에 부착될 수 있거나, 또는 배플(900)을 통해 스레딩될 수 있다. 패스너들(302)은 최하부 보울(204)의 내부 표면(916)에 고정된다. 위에서 논의된 예들과 유사하게, 패스너들(302)은 최하부 보울(204)에 용접되거나, 스레딩되거나, 피닝되거나 또는 다른 적절한 기법에 의해 부착될 수 있다.
[0056] 배플(900)의 최상부 표면(904)과 이퀄라이저 홀(216) 사이의 수직 거리(908)는, 최하부 보울(204)의 포지션이 수직 방향으로 이동할 때 변화하지 않는다. 배플(900)의 최상부 표면(904)은 이퀄라이저 홀(216) 아래로 일정 수직 거리(908)에 포지셔닝된다. 수직 거리(908)는 높이(912)가 약 5 mm 내지 약 13 mm가 되도록 조정될 수 있다. 배플(900)의 최상부 표면(904)은 챔버 베이스(106)의 내부 표면(248)과 실질적으로 평행하다.
[0057] 전술한 바가 특정 예들에 관한 것이지만, 다른 예들이, 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있고, 본 발명의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (20)

  1. 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부 ― 상기 덮개, 상기 측벽들, 및 상기 기판 지지부는 집합적으로 프로세싱 볼륨을 정의함 ―;
    최하부 보울, 챔버 베이스, 및 상기 챔버 베이스 및 상기 최하부 보울에 커플링된 벽 ― 상기 최하부 보울, 상기 챔버 베이스, 및 상기 벽은 집합적으로 퍼지 볼륨을 정의하며, 상기 퍼지 볼륨은 상기 프로세싱 볼륨 아래에 배치되고, 상기 최하부 보울은 제1 표면을 포함하고, 상기 제1 표면은 상기 제1 표면을 관통해 배치된 제1 이퀄라이저 홀(equalizer hole)을 갖고, 통로는 상기 제1 이퀄라이저 홀 및 유입구를 통해 상기 프로세싱 볼륨을 상기 퍼지 볼륨에 커플링시키고, 그리고 상기 통로는 상기 제1 이퀄라이저 홀 위에 포지셔닝되고, 상기 챔버 베이스는 퍼지 포트를 갖고, 상기 퍼지 포트는 상기 퍼지 포트를 통해 상기 퍼지 볼륨에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 라인에 커플링가능함 ―; 및
    상기 퍼지 볼륨에서 상기 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치된 배플(baffle)을 포함하며,
    상기 배플은 상기 퍼지 볼륨에 진입하는 상기 퍼지 가스의 궤적을 편향시키도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 배플은 상기 배플의 두께의 1배 내지 3배와 동일한, 상기 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치되는,
    프로세싱 챔버.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 배플은 상기 제1 이퀄라이저 홀에서의 상기 퍼지 가스의 속도를 상기 퍼지 포트에서의 상기 퍼지 가스의 속도의 10% 내지 20% 미만으로 감소시키도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 배플의 높이는 상기 기판 지지부의 높이에 기반하여 변경되도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 배플의 수평 포지션은, 상기 배플의 폭이 상기 퍼지 포트의 중심으로부터 연장되는 수직선에 의해 실질적으로 양분되도록(bisected) 배열되며, 상기 폭은 상기 수직선에 의해 실질적으로 동일한 길이의 2개의 측들로 양분되는,
    프로세싱 챔버.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 배플의 수평 포지션은, 상기 배플의 폭이 상기 퍼지 포트의 중심으로부터 연장되는 수직선에 의해 분할되도록 배열되며, 상기 폭은 상기 수직선에 의해, 상이한 길이들을 갖는 2개의 측들로 분할되는,
    프로세싱 챔버.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 배플은,
    퍼지 가스 제트의 방향과 실질적으로 평행하게 포지셔닝된 제1 레그;
    상기 제1 레그에 직각으로 포지셔닝된 제2 레그를 포함하며,
    상기 제2 레그는 상기 퍼지 가스 제트의 속도를 감소시키도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 이퀄라이저 홀에서의 상기 퍼지 가스의 제1 평균 질량 유량은 상기 최하부 보울에 배치된 제2 이퀄라이저 홀에서의 제2 평균 질량 유량의 단일 표준 편차(one standard deviation) 내에 있고, 상기 제1 이퀄라이저 홀은 상기 제2 이퀄라이저 홀 바로 근처에 있는,
    프로세싱 챔버.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 최하부 보울에 배치된 제3 이퀄라이저 홀에서의 상기 퍼지 가스의 제3 평균 질량 유량은 상기 제2 이퀄라이저 홀에서의 제2 평균 질량 유량의 단일 표준 편차 내에 있고 그리고 상기 제1 이퀄라이저 홀에서의 제1 평균 질량 유량의 단일 표준 편차 내에 있고, 상기 제1 이퀄라이저 홀은 상기 제2 이퀄라이저 홀 바로 근처에 있고, 그리고 상기 제2 이퀄라이저 홀은 상기 제3 이퀄라이저 홀 바로 근처에 있는,
    프로세싱 챔버.
  10. 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부 ― 상기 덮개, 상기 측벽들, 및 상기 기판 지지부는 집합적으로 프로세싱 볼륨을 정의함 ―;
    최하부 보울, 챔버 베이스, 및 상기 챔버 베이스 및 상기 최하부 보울에 커플링된 벽 ― 상기 최하부 보울, 상기 챔버 베이스, 및 상기 벽은 집합적으로 퍼지 볼륨을 정의하며, 상기 퍼지 볼륨은 상기 프로세싱 볼륨 아래에 배치되고, 상기 최하부 보울은 제1 표면을 포함하고, 상기 제1 표면은 상기 제1 표면을 관통해 배치된 제1 이퀄라이저 홀을 갖고, 통로는 상기 제1 이퀄라이저 홀 및 유입구를 통해 상기 프로세싱 볼륨을 상기 퍼지 볼륨에 커플링시키고, 그리고 상기 통로는 상기 제1 이퀄라이저 홀 위에 포지셔닝되고, 상기 챔버 베이스는 제1 퍼지 포트를 갖고, 상기 제1 퍼지 포트는 상기 제1 퍼지 포트를 통해 상기 퍼지 볼륨에 퍼지 가스를 공급하기 위한 제1 퍼지 가스 라인에 커플링가능하고, 그리고 상기 챔버 베이스는 제2 퍼지 포트를 갖고, 상기 제2 퍼지 포트는 상기 제2 퍼지 포트를 통해 상기 퍼지 볼륨에 상기 퍼지 가스를 공급하기 위한 제2 퍼지 가스 라인에 커플링가능함 ―; 및
    상기 퍼지 볼륨에서 상기 제1 퍼지 포트 및 상기 제2 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치된 배플을 포함하는,
    프로세싱 챔버.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 배플은 상기 배플의 두께의 1배 내지 3배와 동일한, 상기 제1 퍼지 포트 또는 상기 제2 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치되는,
    프로세싱 챔버.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 배플은 상기 제1 이퀄라이저 홀에서의 상기 퍼지 가스의 속도를 상기 제1 퍼지 포트 또는 상기 제2 퍼지 포트에서의 상기 퍼지 가스의 속도의 10% 내지 20% 미만으로 감소시키도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 배플의 높이는 기판을 지지하도록 구성된 상기 기판 지지부의 높이에 기반하여 변경되도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 배플은 복수의 섹션들을 포함하며, 상기 복수의 섹션들의 각각의 섹션은 상기 제1 퍼지 포트 또는 상기 제2 퍼지 포트 중 하나 위에 배치되고, 각각의 섹션은 추가로, 상기 프로세싱 볼륨의 중심 축으로부터 등거리로 배치되는,
    프로세싱 챔버.
  15. 제10 항에 있어서,
    상기 배플은 연속적인 섹션을 포함하며, 상기 연속적인 섹션은 상기 제1 퍼지 포트 및 상기 제2 퍼지 포트 위에 배치되며, 상기 연속적인 섹션은 상기 프로세싱 볼륨의 중심 축으로부터 등거리로 배치되는,
    프로세싱 챔버.
  16. 제10 항에 있어서,
    상기 배플은,
    퍼지 가스 제트의 방향과 실질적으로 평행하게 포지셔닝된 제1 레그;
    상기 제1 레그에 직각으로 포지셔닝된 제2 레그를 포함하며,
    상기 제2 레그는 상기 퍼지 가스 제트의 속도를 감소시키도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
  17. 제10 항에 있어서,
    상기 배플은 상기 제1 이퀄라이저 홀에서의 상기 퍼지 가스의 속도를 상기 제1 퍼지 포트 또는 상기 제2 퍼지 포트에서의 퍼지 가스 제트의 속도의 20% 미만으로 감소시키도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
  18. 제10 항에 있어서,
    상기 제1 이퀄라이저 홀에서의 상기 퍼지 가스의 제1 평균 질량 유량은 상기 최하부 보울에 배치된 제2 이퀄라이저 홀에서의 제2 평균 질량 유량의 단일 표준 편차 내에 있고, 상기 제1 이퀄라이저 홀은 상기 제2 이퀄라이저 홀 바로 근처에 있는,
    프로세싱 챔버.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 최하부 보울에 배치된 제3 이퀄라이저 홀에서의 상기 퍼지 가스의 제3 평균 질량 유량은 상기 제2 이퀄라이저 홀에서의 제2 평균 질량 유량의 단일 표준 편차 내에 있고 그리고 상기 제1 이퀄라이저 홀에서의 제1 평균 질량 유량의 단일 표준 편차 내에 있고, 상기 제1 이퀄라이저 홀은 상기 제2 이퀄라이저 홀 바로 근처에 있고, 그리고 상기 제2 이퀄라이저 홀은 상기 제3 이퀄라이저 홀 바로 근처에 있는,
    프로세싱 챔버.
  20. 덮개, 측벽들, 및 기판 지지부 ― 상기 덮개, 상기 측벽들, 및 상기 기판 지지부는 집합적으로 프로세싱 볼륨을 정의함 ―;
    최하부 보울, 챔버 베이스, 및 상기 챔버 베이스 및 상기 최하부 보울에 커플링된 벽 ― 상기 최하부 보울, 상기 챔버 베이스, 및 상기 벽은 집합적으로 퍼지 볼륨을 정의하며, 상기 퍼지 볼륨은 상기 프로세싱 볼륨 아래에 배치되고, 상기 최하부 보울은 제1 표면을 포함하며, 상기 제1 표면은 상기 제1 표면을 관통해 배치된 제1 이퀄라이저 홀을 갖고, 통로는 상기 제1 이퀄라이저 홀 및 유입구를 통해 상기 프로세싱 볼륨을 상기 퍼지 볼륨에 커플링시키고, 그리고 상기 통로는 상기 제1 이퀄라이저 홀 위에 포지셔닝되고, 상기 챔버 베이스는 퍼지 포트를 갖고, 상기 퍼지 포트는 상기 퍼지 포트를 통해 상기 퍼지 볼륨에 퍼지 가스를 공급하기 위한 퍼지 가스 라인에 커플링가능함 ―; 및
    상기 퍼지 볼륨에서 상기 퍼지 포트 위로 일정 높이에 배치된 배플을 포함하며,
    상기 배플은 상기 퍼지 볼륨에 진입하는 상기 퍼지 가스의 궤적을 편향시키도록 구성되고, 상기 배플은 상기 제1 이퀄라이저 홀에서의 상기 퍼지 가스의 속도를 상기 퍼지 포트에서의 퍼지 가스 제트의 속도의 20% 미만으로 감소시키도록 구성되는,
    프로세싱 챔버.
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