KR100373878B1 - 기판상의박막층을에칭하기위한장치및방법,그리고이를위하여기판지지부재의수용부상에기판을위치시키고클램핑시키는장치및방법 - Google Patents

기판상의박막층을에칭하기위한장치및방법,그리고이를위하여기판지지부재의수용부상에기판을위치시키고클램핑시키는장치및방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 상기 챔버의 측벽으로 부터 매달려지는 지지체 부재를 포함하는 기판을 처리하기 위한 챔버에 관한것으로서, 상기 지지체 부재는 다중평면을 포함하여 기판을 수용하고, 그리고 수평 위치에서는 다중 평면을 위치시키도록 수평축에 관해 회전가능하여 평면상에 기판을 배치하거나 또는 평면으로부터 기판을 제거하고 그리고 제2위치에서는 처리를 위해 기판을 비 수평 위치로 기판을 배치하고, 클램핑 및 리프팅 장치가 지지체 부재상에 제공되고, 지지체 부재에 관해서는 연장된 위치에서는 기판이 클램핑 및 리프팅 어셈블리와 지지체 부재사이에 위치되도록하고, 철수된 위치에서는 상기 기판을 지지체 부재에 클램핑 되도록 하고 클램프 작용기가 상기 챔버 벽상에서 제공되어 연장된 위치와 철수된 위치 사이에서 클램핑 및 리프팅 어셈블리를 운동시키는 기판 처리 챔버에 관한 것이다.

Description

기판 상의 박막층을 에칭하기 위한 장치 및 방법, 그리고 이를 위하여 기판 지지 부재의 수용부 상에 기판을 위치시키고 플램시키는 장치 및 방법
본 발명은 기판상의 박막을 에칭하는 분야에 관한 것으로서, 반도체기판 및 유리기판과 같은 절연기판 상에 형성된 박막층의 일부분을 선택적으로 제거하기 위한 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 대형의 평판 패널 디스플레이를 제조하는 것과 같은 큰 평면의 표면상에서 박막층을 에칭하기 위한 장치에 관한 것이다.
반도체 기판 상의 박막층을 선택적으로 에칭하는 것은 널리 공지되어 있다. 예를들어, 본 발명에서 참조된 왕(wang) 등에 허여된 미국 특허 제 4,367,672호에는 플라즈마를 사용하여 반도체 기판상에 형성된 박막층 내에 홀 또는 트랜치(trench)를 선택적으로 에칭하는 방법이 개시되어 있다. 현재 사용되고 있는 반도체 기판은 전형적으로 원형인데, 지름은 200mm 이하이고, 두께는 0.5mm 이하이고, 그리고 질량은 대략 60g 이하이다. 이와 같이 매우 작은 반도체 기판의 크기 및 중량으로 인해, 기판 상의 박막층을 선택적으로 에칭할 수 있는 에칭 공정환경을 제공하기 위해 비교적 직선형의 에칭 챔버 형태가 사용될 수도 있고, 비교적 직선형의 웨이퍼 조작장치는 기판을 처리 챔버에 적재하는데 사용될 수도 있다.
평판 패널 디스플레이를 제조하기 위한 공정은 반도체 장치를 제조하는데 사용되는 공정과 동일한 다수의 공정을 사용한다. 평판 패널 디스플레이의 제조는 유리 기판을 세척하는 것으로 시작된다. 트랜지스터는 박막 증착 기술 및 진술한 미국 특허에 기술된 것과 유사한 선택적 에칭 기술을 사용하여 평판 패널 디스플레이 상에 형성된다. 기판상에서의 연속적인 증착, 포토리소그래피(photolithography), 및 박막층의 선택적인 에칭은 기판상에 개별적인 트랜지스터를 형성한다. 기판상에 형성되는 금속 배선, 액정 셀, 및 다른 소자뿐만 아니라 이들 소자는 이후 기판상에 다기능 매트릭스 디스플레이 스크린을 형성하고, 디스플레이 상태가 개개의 화소내에서 전기적으로 생성되는 평판 패널 디스플레이를 형성하기 위해 사용된다.
평판 패널 디스플레이는 반도체장치 제조에서 사용되는 공정과 동일한 공정을 사용하여 제조되지만, 평판 패널 디스플레이 기판으로서 사용되는 유리는 그의 처리에 영향을 미치는 몇가지 중요한 점에서 반도체 기판과는 상이하다. 반도체 제조에 있어서 개개의 소자는 웨이퍼상에 형성되고, 이러한 웨이퍼는 개별적인 다중 집적회로를 형성하기 위해 다이싱된다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼 상에 어떤 불량한 장치의 형성이 허용되는데, 이는 기판이 다이에 의해 개개의 집적회로로 절단될 때 이들 불량한 장치는 간단히 버려질 수 있기 때문이다. 평판 패널 디스플레이상에서, 개개의 불량한 장치는 제거되어야만 한다. 따라서, 평판 패널 기판상에서 생성된 불량한 장치의 수는 제로에 이르러야만 한다. 만약 단일의 기판상에서 다중 디스플레이를 처리할 수 있도록 기판이 충분히 크다면, 평판 패널 기판상에 형성된 평판 패널 디스플레이 중 어느 하나에서 발생된 결함은 디스플레이를 열악하게 한다. 추가로, 유리기판은 전형적으로 가장 큰 반도체 웨이퍼 보다 크며, 유리 기판의 열전달 계수는 반도체 기판의 열전달 계수보다 대략 100배정도 작다.
반도체 공정, 특히 에칭 공정에 있어서, 공정환경은 실질적인 에너지를 기판에 전달하는데, 만약 이러한 에너지가 기판의 표면으로부터 분산되지 않거나 및 또는 에너지가 기판에 유입되는 속도와 같은 속도로 기판으로부터 제거되지 않는다면 기판의 온도가 상승될 것이다. 반도체 기판 공정에 있어서, 기판온도는 기판으로부터 열을 분산시킬 수 있는 기판의 용량과 열이 기판으로부터 기판 지지 부재로 전달되는 속도를 조합한 공정환경에 의해 기판으로 전달되는 에너지의 균형을 조절함으로써, 바람직한 수준으로 유지된다. 기판이 공정환경에 의해 가열됨에 따라, 기판 외면의 온도는 기판으로 전달되는 에너지에 의해 상승된다. 에칭 공정이 계속해서 진행됨에 따라, 기판으로 열이 전도되어 기판의 나머지 부분의 온도를 상승시킨다. 이러한 열의 일부분은 지지 부재로 전도된다. 에칭 공정 중에 기판으로 전달된 전체 에너지 및 기판으로의 에너지 전달 속도의 균형을 조절함으로써, 기판 표면의 온도는 섭씨 120° 의 파괴 저항 온도 이하로 유지될 수도 있다.
척으로 단단히 고정되지 않고 기판이 지지 부재상에 수용될 경우, 진공 공정 환경이 지지 부재와 기판이 밀접하게 접촉되지 않는 영역에서 지지부재와 기판 사이의 전도성 열전달을 실질적으로 차단하기 때문에 기판으로부터 지지 부재로의 열전달 속도는 비교적 작다. 따라서, 기판이 지지 부재에 단순히 기계적으로 연결되는 경우, 기판으로의 에너지 유입은 기판으로부터 지지 부재로의 열전달 속도와 기판내에서의 열에너지의 확산의 조합을 초과하지 않도록, 동력은 비교적 낮은 수준으로 유지되어야 한다. 그러나, 에칭 속도 및 동력 밀도는 대략 직접적으로 비례하기 때문에, 원하는 에칭을 수행하기 위해 보다 긴 처리 시간이 요구되므로, 이들 낮은 에너지 레벨은 챔버를 통한 기판의 생산성을 제한하게 된다. 생산성을 증가시키기 위해, 반도체 기판은 기판과 지지부재 사이에 가스를 포획함으로써 냉각될 수도있다. 최대의 열전달 및 이에 따른 최대의 생산성을 달성하기 위해, 기판은 지지 부재에 클램핑되고, 가스는 챔버 압력 이상의 압력으로 기판과 지지 부재 사이에서 유지되어야 한다.
반도체 기판을 처리하기 위해 사용되는 온도 제어 방법은 평판 패널디스플레이 기판상에서 부분적으로 적용될 수 있다. 평판 패널 디스플레이 기판이 예를들어 5,000 cm2미만으로 비교적 작은 경우에는, 기판을 지지부재에 기계적으로 클램핑시키고 포획된 가스 체적으로 기판을 후방 냉각시키는 단계를 포함하는 반도체 처리 냉각 기술이 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 평판 패널 기판으로서 사용되는 유리는 훨씬 낮은 열전달 계수를 갖기 때문에, 유리 기판을 통한 열전달 속도는 실리콘 기판보다 대략 100배 이하가 되므로, 후방 가스 냉각은 반도체 처리에 있어서 효과적이지 못하다. 따라서, 기판의 크기가 증가됨에 따라 단일 기판상에서 다중 패널을 제조할 수 있도록 한다. 예를 들어, 550mm×650mm 크기를 갖는 기판에 있어서, 상기 기판을 지지 부재에 기계적으로 클램핑하고 상기 기판과 지지 부재 사이에 가압된 가스를 유지하는 것은 유리 기판이 지지 부재로부터 굽어지고 파손되게 할 것이다. 따라서, 기판내의 온도가 허용가능한 레벨로 유지될 수도 있도록 보다대형의 유리 기판의 처리는 저 레벨의 동력을 이용하는 것으로 제한한다. 대략 1.1mm의 두께, 및 10 내지 11mW/cm/k의 열 전도율을 갖는 유리 기판에 있어서, 0.25내지 1.25w/cm2의 동력 밀도는 후방 냉각을 시키지 않고 동시에 파괴 저항 온도인 섭씨 120℃ 이상으로 기판 표면 온도를 상승시키지 않으면서 유지될 수도 있다.
추가로, 기판으로서 사용된 대형의 장방형 유리 시이트는 무겁고 부피가 큼에도 불구하고 취성을 가지고 있어, 수평 평면과 수직 평면 사이에서 용이하게 조정될 수 없다. 따라서, 평판 패널 기판상의 박막층을 선택적으로 에칭하기 위해 사용되는 플라즈마 에칭 공정은 일반적으로 기판이 수평위치로 놓여진 상태에서 수행되는데, 이는 기판이 수평면 내에서 처리 챔버내부로 로딩되는 경우 기판의 조정이 더욱 용이하기 때문이다.
또한, 비정질의 실리콘 층을 이용하여 평판 패널 디스플레이를 형성하는데 사용되는 공정 화학물은 디스플레이의 결함을 유발시킨다. 평판 패널 디스플레이에서, 막막층내에 에칭된 홀 또는 트랜치는 전형적으로는 테이퍼형 벽을 가져야만 한다. 전형적으로 에칭된 층이 비정질 실리콘인 경우, 불소계 화학물이 에칭을 위해 사용된다. 불소계 화학물을 사용하여 테이퍼형 측벽을 제공하기 위해, 산소가 에칭 화학물 내로 도입된다. 불소계 화학물이 막막층을 에칭함에 따라, 산소는 레지스트의 엣지를 연속적으로 에칭하여 레지스트의 폭을 연속적으로 감소시키고, 원하는 테이퍼형 벽이 생성되도록 에칭되는 박막 영역의 폭을 증가시킨다. 그러나, 레지스트의 에지를 에칭하는데 사용되는 산소는 오염입자를 형성하며, 이러한 오염입자가기판상에 수용된다면, 입자 결함을 발생시킬 것이다.
수평위치에서의 단일 유리 기판의 처리는 기판을 에칭하는데 있어서 만족스럽지 않은 접근방법이다. 수평한 평판 패널 기판에 대한 전형적인 에칭 공정에 있어서, 에칭 플라스마는 기판위의 챔버 밀폐물 내에 유지된다. 이에 따라, 박막층이 에칭될 때, 밀폐물내의 오염물은 중력에 의해 기판상에 떨어지고, 또한 오염물은 기판으로 정전기적으로 끌려질 수도 있다. 유효크기 이상의 이들 오염물 각각은 기판상에 형성된 평판 패널 디스플레이의 결함을 유발할 것이다.
따라서, 최대 수율과 최소 공정 편차를 갖도록, 평판 패널 장치를 에칭할 수 있는 에칭 장치와 같은 반도체 공정 장치를 필요로 하게 되었다.
발명의 요약
본 발명은 기판을 처리하기 위한 처리 챔버, 바람직하게는 평판 패널디스플레이와 같은 기판 및 다른 큰 기판상에서 막막층을 에칭하기 위한 에칭 챔버를 제공하는 것으로서, 다중 기판의 노출된 표면상에서 박막층은 단일 에칭 챔버내에서 동시에 에칭될 수도 있다.
바람직한 실시예에 있어서, 장치는 반응 이온 에칭 챔버로서 구성되는데, 다중 기판 수용면을 갖는 기판 지지 부재는 챔버내에 배치되고, 기판지지 부재상에 기판을 적재하거나 또는 기판을 하역하기 위해 지지 부재의 기판 수용면이 수평 평면 내에 위치되도록 한다. 이러한 기판 지지 부재는 기판 지지 부재가 챔버내에서 회전될 때, 기판 지지 부재상에 기판을 유지시키기 위한 클램핑 수단을 포함한다.
기판 지지 부재는 바람직하게는 챔버내에서 2개의 기판이 동시에 처리될 수있도록 구성된다. 기판 지지 부재가 동시에 2개의 기판을 처리하도록 배치되는 경우, 기판은 기판 지지 부재의 대향하는 측부에 놓여질 수도있고, 수평하게 챔버내에 장착될 수도 있으며, 그리고 기판 지지 부재상에 적재된 후에는 에칭을 하기 위한 수직 또는 거의 수직한 위치로 기판을 위치시키기 위해 회전될 수도 있다. 이러한 장치는 바람직하게는 지지 부재가 음극으로 구성되어서 기판상에서 노출된 박막층의 반응성 이온 에칭을 행하도록 구성되어 있으며, 3극 진공관 또는 플라즈마가 챔버의 외부에서 형성되고 기판을 지나 흐르게 되는 리모트 소오스(remote source)와 같은 다른 공정 장치가 본 발명의 공정 장치로서 사용될 수도 있다. 유리하게는 기하학이 화학 기상 증착 및 증착 스퍼터링과 같은 다른 공정에 유리하게 적용될 수 있다.
본 발명의 이들 및 다른 특징은 도면을 참조하여 기술할 이하의 실시예를 통해 명백해질 것이다.
에칭 장치의 개략적인 설명
본 발명은 기판을 처리하기 위한 챔버 구성을 제공하는 것이다. 바람직한 실시예에서, 챔버는 제 1도에 도시된 바와 같이 평판 패널 디스플레이 기판(12) 또는 다른 기판의 표면을 플라즈마 에칭하기 위한 에칭 챔버(10)이며, 여기서 기판(12)은 챔버에 적재되거나 챔버로부터 하역될 때, 수평평면으로 유지되고, 기판(12)은 에칭 싸이클 중에 수평 평면에서 회전된다. 챔버(10)는 바람직하게는 반응성 이온 에칭 챔버로서 배치되며, 여기서 기판(12)은 대략 13.5MHz에서 R.F. 전압 소스로 네가티브 셀프 바이어스 전압에서 유지되는 기판 부재(14) 상에 수용되어, 용량 결합되며, 챔버(10)는 진공압력에서 유지되며, 에칭 가스 종은 챔버(10)로 충전되어, R.F. 전압원에 의해 플리즈마에 스파크가 일어난다.
에칭 챔버의 구성
제 1도 및 제 2도에서 본 발명의 에칭 챔버(10)는 바람직하게는 음극으로써 구성된 지지 부재(14)를 밀폐하는 밀폐벽(11)과, 밀폐벽(11)내에서 지지 부재(14)를 회전시키기 위해 이동가능한 스탠드(280)(제 1도에 도시됨) 상에서 챔버(10)의 외부에 위치된 지지 부재 구동 시스템(16)을 포함한다. 밀폐물 벽(11)은 대향된 제 1 및 제 2 단부력(22,24)(제 2도에서의 벽(22))을 갖는 장방형 대칭 측벽(20,20'), 상부(18), 및 베이스(18')를 포함한다. 제 2도에 도시된 바와같이, 슬릿 밸브(26)가 제 1 단부벽(22)을 통해 제공되어 챔버(10)의 내부로 접근가능하게 하여 기판(12)을 지지 부재(14)에 적재하거나 지지 부재(14)로부터 하역할 수 있도록 한다. 지지 부재 구동시스템(16)은 회전 진공 커플링과 제 2 단부벽(24)을 통해 지지 부재(14)에 연결되어서, 지지 부재(14)가 챔버(10)내에서 수평축선을 중심으로 회전하도록 한다. 또한, 회전 커플링은 챔버(10)의 외측으로부터 챔버(10) 내로 유틸리티를 통과시킨다.
제 3도를 참조하면, 에칭 위치에 놓인 본 발명의 에칭 챔버(10)가 도시되어 있는데, 여기서 지지 부재(14)는 제 2도에 도시된 적재 위치에 대해 90° 회전되어 있다. 챔버(10)는 바람직하게는 반응이온 에칭 챔버로서 구성되는데, 여기서 기판(12)의 노출된 표면상에 막막충을 선택적으로 에칭하기 위해 반응성 플라즈마가 기판(12) 및 전기적으로 접지된 밀폐벽(11)의 중간에 제공되어 있다. 따라서,챔버 밀폐벽(11)은 전기적으로 접지되고, 지지부재는 플라즈마에 대해 네가티브 전압에서 유지된다. 플라즈마내에서의 전자 이동도는 플라즈마 내에서의 이온 이동도 보다 더 크기 때문에, 13.5MHz의 주파수에서의 R.F. 바이어스는 지지 부재(14)상에 네가티브 바이어스를 달성한다. 바람직하게, 지지 부재(14)는 챔버벽(11)에 대해 200 내지 600볼트의 전압으로 바이어스된다. 통상적인 가스 유입부(도시되지 않음) 및 통상적인 챔버 유출부(도시되지 않았음)가 제공되어, 플라즈마 상태에 있을때 기판(12)의 노출된 표면상에서 박막층의 부분에 대한 선택적인 에칭 친밀도를 갖는 가스 또는 가스들이 챔버내에서 특정 압력으로 유지되고, 챔버를 통해 특정 유량으로 유동하도록 한다. 가스는 내부에 다수의 홀을 갖는 튜브 또는 다른 도관을 통해 챔버(10) 내에서 분포될 수도 있다. 챔버 유출부는 터보 분자 펌프와 같은 적어도 하나의 바람직하게는 2개의 진공 펌프(13)(단지 하나만 도시됨)를 포함하는데, 이에 의해 대단 40 내지 100sccm의 전체가스 흐름에서 챔버 내의 압력이 대략 20밀리토르, 바람직하게는 15 내지 40 밀리토르 이하로 감소된다. BCl3, Cl2, HCl, CCl4등과 같은 염소계 화학물을 포함하는 가스 혼합물은 실리콘, 알루미늄 또는 Ti, Ta 또는 Cr과 같은 반사성 금속을 에칭하는데 사용된다. 불소계 화학물을 갖는 가스 혼합물은 질화실리콘 및 SiO2를 에칭하는데 사용된다. 염소계 및 불소계 화학물질의 혼합물은 Mo, Ta, MoTa 등과 같은 반사성 금속을 에칭하는데 사용될 수도있다. 챔버(10)가 바람직하게 에칭 챔버로서 구성되더라도, 본 발명의 장치는 증착 공정, 특히 플라즈마 증착 및 화학 기상 증착 공정을 위해 사용될 수도 있고, 다른 에칭공정이 챔버(10)에서 수행될 수도 있다.
바람직한 기판 지지 부재 구조
제 2도 및 제 3도를 참조하면, 기판 지지 부재(14)는 바람직하게는 챔버(10)내에서 다수의 기판(12)을 동시에 처리하도록 구성되어 있다. 따라서, 지지 부재(14)는 지지 부재(14)의 대칭측면 상에 배치된 다수의 바람직하게는 2개의 평행한 기판 수용면(30)(단지 제 2도 및 제 3도에서는 하나만 도시됨)을 포함하는데, 이러한 각각의 지지 부재(14)는 단일 기판(12)을 수용할 수 있는 크기를 갖는다. 또한, 지지 부재(14)는 각각의 기판 수용면(30)상에 배치된 각각의 기판 클램프 및 리프트 어셈블리(32)를 포함한다. 본 명세서에서 보다 상세하게 기술되겠지만, 각각의 클램프 및 리프트 어셈블리(32)는 기판(12)을 지지 부재(14)에 클램핑하는 클램핑 위치에서는 선택적으로 위치가능하며, 기판의 적재 및 하역 위치에서는 지지 부재(14) 위에 위치되어 지지 부재(14)의 기판 수용면(30) 위로 기판(12)을 지지한다. 제 6도 및 제 7도에 도시된 바와같이, 적재 및 하역 위치에서, 클램프 및 리프트 어셈블리(32)와 기판 수용면(30) 사이에는 공간이 제공되어서 로봇 블레이드(50)(제 6도 내지 제 8도에 도시된 바와같이)가 접근가능하도록 지지 부재(14)상에 기판(12)을 위치시키거나 또는 지지 부재(14)로부터 기판(12)을 제거할 수 있도록 한다.
또한, 제 2도에 도시된 바와같이 수평 적재 위치와 제 3도에 도시된 바와같이 수직 에칭 위치 사이에서 지지 부재(14)의 기판 수용면(30)이 이동할 수 있도록, 지지 부재(14)는 수평축선을 중심으로 회전가능하다. 따라서, 또한 지지부재(14)는 회전가능한 커플링(34)을 포함하는데, 이러한 커플링(34)은 제 2 밀폐 단부벽(24)내에서 지지 부재(14)의 한 단부로부터 연장되고, 지지 부재 구동 시스템(16)과 연결되어 종결된다. 회전가능한 커플링(34)은 바람직하게는 관형 부재인데, 이러한 관형 부재는 제 2 챔버 단부벽(24)(재 1도에 도시됨)의 외측에 배치된 지지 스탠드(280)에 수요되어 있다. 회전가능한 커플링(34)은 챔버(10)내에서 지지 부재(14)를 지지하고, 가스, 냉각제, 및 전기공급라인과 같은 유틸리티를 지지 부재(14)로 전달한다. 지지 부재는 바람직하게는 단부벽(24)으로부터 칸틸레버(cantilever)되지만, 지지 부재는 양쪽 단부벽(22,24)에 지지될 수도 있다.
기판 클램프 조립체
제 2도, 제 4도 및 제 5도를 참조하면, 기판 클램프 및 리프트 어셈블리(32)가 상세하게 도시되어 있다. 클램프 및 리프트 어셈블리(32)는 지지부재(14)의 각각의 기판 수용면(30)에 수용되는데, 이하에 단지 하나의 기판 클램프 및 리프트 어셈블리(32)를 상세하게 기술할 것이다. 기판 클램프 및 리프트 어셈블리(32)는 지지 부재(14)의 기판 수용면(30)의 주변에 대해 수용될 수 있는 크기를 갖는 환형의 클램프 링(52)을 포함하는데, 이에 의해 기판이 기판 수용면(30)에서 수용될 때, 기판이 기판 클램프 및 리프트 어셈블리(32)의 봉입물 내에 수용되도록 한다. 또한, 클램프 및 리프트 어셈블리(32)는 또한 클램프 링(52)과 음극(14)의 중간에 배치된 다수의 클램프 바이어스 부재(54)(제 5도에 도시됨) 및 클램프 링(52)의 주변에 대해 배치된 다수의 기판 리프트 부재(56)(제 4도에 도시됨)를 포함한다. 기판(12)이 장방형인 경우, 클램프 링(52)은 또한 환형의 장방형이다.
제 2도에서 클램프 링(52)은 장방형 프로파일을 형성하는 다수의 개개의 레일 부재(58)를 포함하는데, 이러한 레일 부재(58)는 대칭되는 제 2 측면 레일 부재(64,66)에 수직으로 연결된 대칭되는 제 1 측면 레일 부재(60,62)를 포함한다. 바람직하게는 세라믹으로 제조된 다수의 클램프 핑거(68)는 지지 부재(14)의 기판 수용면상에 수용되는 기판(12)의 상단의 노출된 표면과 맞물리도록 하는 충분한 거리로 제 1 측면 레일 부재(60,62)로부터 안쪽으로 연장된다, 클램프 핑거(68)는 바람직하게는 레일 부재(60, 62)를 따라 길이 방향으로 조절할 수 있으며, 이에 의해 클램프 링(52)이 다른 길이의 기판(12)을 지지 부재(14)에 클램핑되게 한다. 핑거(68)는 클램프 레일부재(60,62) 내의 다수의 나사형 홀(도시되지 않음)을 제공함으로써 조절될 수 있고, 핑거(68)를 볼트와 같은 패스너로 나사형 홀 중 하나에 선택적으로 부착된다. 클램프 핑거(68)의 클램핑 단부는 지지 부재의 기판 수용면(30)상에 수용된 기판(12)의 에지의 단지 약간 안쪽으로 끼워맞춤될 수 있는 크기를 가짐으로써, 기판(12)상에 음영이 지는 것을 최소화한다.
클램프 링(52)은 바람직하게는 절연 재료로부터 제조되지만, 또한 도전성 재료가 사용될 수도 있다. 클램프 링(52)으로부터 기판(12)로의 임의의 도전성을 제한하기 위해서는, 클램프 핑거(68)는 바람직하게는 세라믹과 같은 절연 재료로부터 제조되고, 지지 부재는 그 내부에 환형의 채널(69)을 포함하는데, 이러한 채널은 기판 수용면의 주변에 대해 연장하고, 세라믹과 같은 재료로 제조된 절연 부재(71)를 수용하며, 클램프 링(52)과 기판(12)(제 1도에 가장 잘 도시되어 있음) 사이에절연 방벽을 형성한다.
클램프 바이어스 부재의 구조 및 작용
클램프 링(52)은 제 5도에 도시된 바와 같은 다수의 클램프 바이어스 부재(54)에 의해 지지 부재(14)에 연결되고, 부재(14)에 대해 스프링 바이어스가 가능하게 연결된다. 바람직하게는 클램프 바이어스 부재(54)는 클램프 링(52)의 각각의 코너에 위치된다. 각각의 클램프 바이어스 부재(54)는 지지부재(14)의 안쪽으로 연장되고 상단 플랜지(72)의 지지 부재(14)에서 종결되는 하우징(70), 및 이러한 하우징(70)내에서 연장되고 그리고 플랜지(72)에 인접한 하우징(70)의 바깥쪽으로 종결되는 스프링 장착 핀(74)을 포함한다. 스프링 장착 핀(74)은 하우징(70)내에 위치된 피스톤 부재(80)상에서 수용되는 샤프트 부분(76) 및 상단 플랜지(72)를 통해 지지 부재(14)의 바깥쪽으로 연장되는 샤프트 부분(76)의 연장부로서 형성되는 연장부(81)를 포함한다. 스프링(82)은 플랜지(72)와 피스톤 부재(80) 사이의 하우징(70)내에서 연장되어 하우징(70)의 안쪽으로 피스톤 부재(80) 및 샤프트 부분(76)을 바이어스한다. 스프링이 장착된 핀(74)의 연장부(81)는 클램프 링(52)에 연결된다. 바람직하게는, 핀(74)의 연장부(81)는 내부 나사형 보어를 포함하며, 볼트(78)는 클램프 링(52)을 통해 나사형 보어로 연장되어서, 클램프 링(52)이 바이어스부재(54)에 고정되게 한다. 따라서, 클램프 링(52)은 클램프 바이어스 부재(54)에 클램프 링을 고정시키는 볼트(78)(단지 하나만 도시되어 있는)를 제거함에 의해 수리를 위해 지지 부재로부터 용이하게 제거될 수도 있다.
클램프 바이어스 부재(54)는 클램프 링(52)을 바이어스하고, 이에 따라 클램프 링(52)으로부터 기판(12)상에서 지지 부재(14)로 연장되는 클램프 핑거(68)를 바이어스한다. 따라서, 클램프 바이어스 부재(54)는 기판(12)과 접촉하여 클램프 핑거(68)를 유지하고, 그리고 이에 따라 에칭 공정을 통해 지지 부재(14)와 접촉하여 기판(12)을 유지하는데 사용된다. 바이어스 부재(54)의 스프링(62)은 기판(12)상에 충분한 힘을 유지하여 기판(12)과 지지 부재(14) 사이의 접촉을 유지하는 한편, 지지 부재는 챔버내에서 회전된다. 550mm×650mm 크기의 유리기판(12)의 경우에는, 기판(12)을 지지 부재(14)에 고정시키기 위해 4개의 클램프 바이어스 부재(54)를 사용하여 대략적으로 0.13N/cm3의 스프링력이 기판(12)을 지지 부재(14)상에 충분히 유지되도록 하고, 지지 부재(14)는 챔버(10)내에서 회전된다. 그러나, 기판(12)이 지지 부재상에서 유지되는 것을 보장하기 위해, 스프링(82)은 가변력 스프링일 수도 있는데, 스프링(84)이 압축될 때 스프링력이 증가되고, 이러한 스프링력으로 클램프 링(52)이 지지 부재(14)의 인접한 면으로부터 벗어나서 운동될 때 발생된다.
기판 리프팅 장치
제 4도를 참조하면, 클램프 링(52)은 클램프 링(52)으로부터, 기판(12) 및 지지 부재(14)의 중간 위치로 연장되는 다수의 기판 리프트 부재(56)(단지하나만 도시됨)를 더 포함한다. 하나의 리프트 부재(56)는 바람직하게는 클램프 링(52)의 대칭되는 제 1 레일 부재(60,62)의 각 단부의 밑에 제공되며, 기판(12)이 지지 부재(14)에 클램핑되도록 클램프 링(52)이 위치될 때, 그루우브 또는 리세스가 환경절연 부재(71)내에 제공되어, 리프트 부재(56)가 지지 부재(14)로 리세스되도록 한다. 리프트 부재(56)는 또한 슬릿 밸브(26)의 위치에 대칭되게 배치된 단부 레일내에 위치될 수도 있다. 각 리프트 부재(56)는 제 1 클램프 측면 레일 부재(60)의 일반적으로 평면의 밑면과 평행하게 옵셋되어 연관되어 클램프 링(52)의 안쪽으로 연장되는 옵셋 립(lip) 부분(90) 및 립부분(90) 및 클램프 레일 부재(60,62)의 중간 립부분(90)의 윗 표면에 대해 비스듬한 각도에서 연장되는 중심면(91)을 포함한다. 립부분(90)은 기판(12)에 관해 이동가능한 일반적으로 평면인 윗쪽 기판 결합면(92)을 포함하여 지지 부재(14)로부터 기판을 상승시킨다.
클램프 및 리프트 조립체의 작용
제 6도, 제 7도 및 제 8도를 참조하면, 클램프 및 리프트 어셈블리(32)는 로봇 블레이드(50)(제 6도 및 7도에 도시된)와 상호 작용하도록 배치되어 로봇 블레이드로부터 기판을 제거하고, 그리고 계속해서 지지 부재(14)상에서 기판(12)을 위치시켜 클램핑시키고, 기판(12)을 지지 부재로부터 상승시켜서 기판(12)이 로봇 블레이드(50)에 의해 챔버(10)으로부터 제거되도록 위치되게 한다. 기판(12)을 지지 부재(14)상에 장착시키기 위해서는, 클램프 링(52)은 지지 부재(14)로부터 제 6도에 도시된 위치로 작용되게 한다. 이 위치에 있어서, 클램프 핑거(68)는 지지 부재(14)의 기판 수용면(30)으로부터 이격되지만 리프트 부재(56)의 기판 결합면(92)은 지지 부재(14)의 기판 수용면(30)에서 또는 아래로 리세스되어 유지된다. 따라서, 기판 삽입 갭(96)은 지지 부재(14)와 핑거(68) 사이에 제공되고, 그리고 이 갭(96)은 기판(12) 및 기판을 지지하는 로봇 블레이드(50)가 클램프링(52)의 밑면 상에서 클램프 핑거(68) 및 지지 부재(14) 사이에 수평으로 삽입되도록 크기가 충분히 커야한다. 로봇 블레이드(50)가 지지 부재(14)와 부분적으로 상승된 클램프 링(52) 사이에 위치될 때, 클램프 링(52)은 제 7도에 도시된 바와같이 지지 부재(14)로부터 바깥쪽으로 더 작용되게 하여 기판(12)의 밑면이 리프트 부재(56)의 기판 결합면(92)과 맞물리고 그리고 계속해서 기판(12)은 로봇 블레이드(50)로부터 상승되게 한다. 만약 기판(12)이 기판 수용면(30)과 관련하여 잘못 배치된다면, 하나 이상의 리프트 부재(56)의 중심면(91)은 기판(12)의 에지와 맞물릴 것이고, 그리고 기판은 인접한 클램프 레일(60 또는 62)의 안쪽으로 운동되어 기판(12)이 지지 부재(14)의 기판 수용면(30) 상에서 양호하게 배열되도록 한다. 기판(12)이 리프트 부재(56)에 의해 챔버(10)내에서 지지될 때, 로봇 블레이트(50)가 슬릿 밸브(26)를 통해 챔버(10)로부터 후퇴될 수도 있다.
기판(12)을 지지 부재(14)상에서 위치시키기 위해, 클램프 링(52)은 지지 부재(14)의 기판 수용면(30)의 방향으로 제 8도에 도시된 위치로 운동된다. 클램프 링(52)은 연속적으로 비교적 저속에서 제 7도에 도시된 완전히 연장된 위치로부터 제 8도의 클램핑 위치로 이동되어 지지 부재(14)에 대한 기판(12)의 맞물림 또는 기판(12)에 대한 핑거(68)의 맞물림에 의해 기판(12)이 파손되지 않도록 한다. 그러나, 클램프 링(52)의 이동은 기판(12)을 지지부재(14)에 클램핑시키는데 필요한 시간을 감소시키도록 구별되거나 또는 연속적인 다중 속도 단계로 일어난다. 기판(12)을 챔버로부터 제거하기 위해서는, 클램프 링(52)의 운동은 연쇄적으로 역전된다.
지지 부재(14)상에 기판(12)의 배치 및 제거는 그들이 챔버(10)의 내외로 작용되기 때문에, 로봇 블레이드(50)와 기판(12)의 완전한 클리어런스를 필요로 한다. 만약 기판(12) 또는 로봇 블레이드(50)가 챔버의 내외로 운동하면서 클램프 및 리프트 어셈블리(32) 또는 지지 부재(14)를 건드린다면, 이들 부분 표면들이 서로 운동됨에 의해 오염입자가 발생되거나 더 나쁘게 되어 기판이 잘려지거나, 파손되거나 그렇지 않으면 손상된다. 따라서, 지지 부재의 기판 수용면(30)과 클램프 핑거(68) 사이의 클리어런스는 로봇 블레이드 및 기판(12)이 각각의 부품들을 건드리지 않고 통과되도록 충분하여야 한다. 계속해서, 단지 기판(12)이 지지 부재(14)와 관련하여 운동되는 것을 멈춘후에, 클램프 및 리프트 어셈블리(32)는 기판을 로봇 블레이드 위로 상승시키도록 조작될 수도 있다.
클램프 작동 부재 구조
클램핑 위치 및 연장된 위치 사이의 클램프 링(52)의 운동은 바람직하게는 4개의 작동 부재(200)와 작용되고, 이 부재는 제 2도에 도시된 바와같이 상단 밀폐벽상에 설치된다. 밀폐벽(11) 상에 작동 부재(200)를 위치시킴으로써, 각각의 클램프 링(52)은 지지 부재(14)의 회전에 의해 작동 부재(200)에 인접하게 위치되어 작동 부재(200)에 인접한 클램프 링(52)을 위치시키도록 한다. 클램프 작동 부재(200)는 제 6, 7, 및 8도에 도시된 위치 사이로 클램프 링(52)을 이동시킨다. 바람직한 실시예에 있어서 클램프 작용 부재(200)는 챔버(10)의 상단 밀폐벽(11)으로부터 안쪽으로부터 연장가능하여 클램프 링(52)을 선택적으로 맞물리게 하고, 작동 부재(200)의 에칭을 막거나 또는 최소화하도록 기판(12)을 에칭하는 동안 밀폐벽(11) 안으로 바깥쪽으로 후퇴가능하게 한다. 제 2도에 가장 잘 나타낸 바와같이, 바람직하게 4개의 작동 부재(200)는 각각은 챔버(10)의 밀폐벽(11)내의 구멍(204)을 통해 연장되고, 챔버(10)의 내측의 훅부(206)에서 종착되는 로드(202)를 포함한다. 로드(202)는 챔버(10)의 내외부로 선형적으로 작용가능하고, 그리고 그들의 작용축에 대해 회전가능하다. 벨로우즈(208)가 밀폐력(11)내의 각각의 구멍(204)을 중심으로 밀폐력(11)의 외부에 제공된다. 벨로우즈(208)의 가장 바깥쪽 단부는 립 시일과 같은 것으로 로드(202)에 밀봉식으로 맞물리게 되어 밀페벽(11)을 통한 구멍(204)을 밀봉한다.
바람직하게는, 클램프 링(52)의 각각의 코너를 상승시키도록 하기 위해 하나의 작동 부재(200)가 제공된다. 따라서, 기판(12) 및 클램프 링(52)이 장방형인 경우, 4개의 작용 부재(202)가 제공된다. 제 6도 및 제 8도에 도시된 위치들 사이로 클램프 링(52)을 이동시키기 위해, 각각의 작용 부재(200)의 로드(202)는 처음에는 챔버(10)로부터의 완전히 철수된 위치로부터 제 2도에 가상선으로 도시한 바와 같은 위치로 작용되고, 여기서 훅(206)은 클램프 링(52)의 바로 아래에 인접하게 배치된다. 계속해서, 로드(202)는 훅(206)이 클램프 링 바로 아래로 위치되도록 회전된다. 계속해서, 클램프 링(52)의 밑면에 위치된 훅들이 있는 4개의 모든 로드(202)는 밀폐력을 통해 동시에 철수되어 지지 부재(14)로부터 클램프 링(52)을 상승시킨다. 로드(202)는 제 6도, 제 7도 및 제 8도에 도시된 위치에서 클램프 링(52)을 위치시키고 또한 기판을 지지 부재(14)상에 장착시키고 탈착시키기 위해 동시에 이동한다.
구멍(204)을 통해 계속해서 로드(202)를 철수함에 의해 클램프 링(52)아래에 훅(206)을 배치하는 것은 클램프 작동 부재(200)에 클램프 링(52)을 연결시키기에 충분하여 기판을 장착시키고 클램핑시키는 위치 사이에서 클램프 링(52)을 이동시킬 수 있다. 그러나, 바람직한 실시예에서, 클램프 링(52)의 각각의 코너는 바깥쪽으로 연장되는 리프팅 로드(210)를 포함한다. 따라서, 훅부(206)는 클램프 링(52) 아래의 위치로부터 윗쪽으로 운동되어 지지 부재(14)로부터 클램프 링(52)을 들어올릴 때, 로드(210)의 단부는 훅(206)그 자체가 리프팅 로드(210)와 배열되도록 훅부(206)상에서 수용된다.
클램프 작동 부재(200)는 지지 부재(14)의 각각의 기판 수용면(30)상에 기판(12)을 장착하도록 챔버(10)내에 위치된다. 예를들어, 지지 부재(14)가 기판 수용면(30)을 갖는 경우, 기판(12)은 기판 수용면(30)의 하나에 장착되고, 지지 부재(14)는 180° 로 위치되어 클램프 작동 부재(200)에 인접하게 다른 기판 수용면(30)을 위치시킨다. 작동 부재(200)는 제 2 기판 수용면(30)상에서 클램프 링(52)을 이동시켜서 처리를 위해 지지 부재(14)상으로 기판(12)을 위치시킨다.
지지 부재의 내부 구조
제 9도를 참조하면, 지지 부재(14)의 내부 구조가 도시되어 있다. 지지 부재(14)는 중앙 코어부(121) 및 이러한 중앙 코어부(121)에 수용되고 기판 수용면(30)을 형성하는 대향판(123,127)를 갖는 금속 본체(120)를 포함한다. 중앙 코어부(121)는 웹에 의해 분리된 다수의 절개부(122), 및 상기(123,127)이 부착된 평면 설치면(131)에 평행하고 설치면(131,133)에 수직인 적어도 하나의 평면 설치측면(124)을 포함한다. 회전가능한 커플링(34)은 바람직하게는 절연된 플랜지 연결부(264)를 통해 평면 설치면(124)에서 지지부재에 대해 연결된다. 지지 부재(14)의 절개부(122)는 지지 부재(14)의 중량을 감소시키고 또한 회전가능한 커플링(34)과 관련 지지 구조물에 대한 굽힘 모멘트를 감소시키기 위해 제공된다. 절개부(122)는 바람직하게는 저중량의 플라스틱 절연 재료로 채워진다.
지지 부재의 기판 냉각 배열
제 9도 및 제 10도를 참조하면, 지지 부재(14)를 냉각시키기 위한 지지 부재(14)의 구조가 도시되어 있다. 지지 부재(14)의 기판 수용면을 형성하는 판(123,127) 상에 수용된 기판을 냉각시키기 위해, 판(123,127)은 각각 물과 같은 냉각제가 각각의 에칭 공정을 통해 흐르는 다수의 흐름 통로(151)를 포함한다. 냉각제를 판(123,127) 및 냉각제 통로로 공급하기 위해, 냉각제 유입통로는 지지 부재(14)의 중앙 코어부(121)를 통해 연장되고, 그의 유입부는 각각의 판(123,127)에서 흐름 통로(151)와 정렬된다 또한, 유출통로는 중앙 코어부(121)를 통해 연장되고, 그의 유출부는 각각의 판(123,127)에서 흐름통로(151)와 정렬된다. O-링 시일은 각각의 유입부 및 유출부에 인접하게 제공되어, 판(123,127)과 중앙 코어부(121) 사이의 연결부를 밀봉한다. 냉각제의 흐름속도 및 유입 온도는 장치가 손상되지 않는 범위내에서 기판(12) 온도를 유지하도록 선택된다. 지지 부재(14)의 냉각은 기판(12)으로부터의 열전달의 증가시키지만, 기판의 배면 냉각이 유지되더라도 기판(12)의 온도는 여전히 주로 챔버내의 동력 수준에 따라 좌우된다. 따라서, 분자 배면 냉각통로(126)는 지지 부재(14)의 축 수용면으로부터 지지 부재 본체를 통해 배치되어 판(123,127)의 대략적인 중앙을 통해 연장되는 포트(128)(단지 하나만 도시하였음)로 가스가 소통하도록 한다. 가스는 기판으로부터 수냉된 지지 부재(14)로 일을 대류적으로 소통시키기 위한 열전달 메카니즘을 제공하여 박막층을 에칭하는 동안 기판(12)을 냉각시킨다. 가스는 기판(12)과 판(123 또는 127) 사이를 유동하여, 계속해서 챔버(10)로 유동하는 것이 바람직하며, 판(123,127)은 기판(12)의 밑면을 따라 가스가 흐를 수 있도록 다수의 그루우브를 포함할 수도 있다. 배면 가스를 일정하게 흐르게 함으로써, 기판(12)은 지지 부재(14)로의 열전달에 의해 냉각될 수도 있지만, 굽혀지게 하고 파손시킬 수 있는 압력은 기판을 지지 부재(14)와 기판 사이에서는 발생되지 않는다. 가스는 비반응성 종, 하나 이상의 반응성 에칭 종 또는 이들의 조합물일 수도 있다.
스템과 지지 유틸리티 부재의 연결
회전가능한 커플링(34)은 챔버(10) 밀폐물의 외면으로부터 지지 부재의 내부로 통로를 제공하여, 가스, 물 및 전력을 포함하는 유틸리티를 지지부재에 공급한다. 물을 지지 부재(14)에 공급하기 위해, 물 유입라인(150) 및 물 유출라인(152)은 회전 가능한 커플링(34)을 통해 연장되고, 지지 부재(14)의 스템 수용벽내의 피팅물에 연결된다. 이들 피팅물들은 지지 부재내에서 냉각 단부의 바깥 단부를 형성하고, 유입부를 통과한 물 또는 다른 냉각제를 지지 부재를 통해 그리고 유출라인(152) 밖으로 통과시켜서 지지 부재(14)로부터 열을 제거한다. 각각의 물 유입라인(150) 및 물 유출라인(152)은 바람직하게는 구리와 같은 도전성 배관으로 제조된다. 하나의 물 유입라인(150) 및 하나의 물 유출라인(152)이 도시되고 설명되었지만, 다수의 유입부 및/또는 다수의 유출부가 고려될 수도 있다. 또한, 구리와 같은 도전성 배관으로 만들어진 배면 냉각 통로는 또한 회전가능한 커플링(34)을 통해 연장되어 냉각 가스를 가스 유입구인 배면 냉각 통로(126)로 공급한다. 각각의 도전성 가스라인(160), 물 유입라인(150), 및 물 유출라인(152)은 바람직하게는 지지 부재로부터 연장되고, 회전가능한 커플링 내에 위치된 도전성 지지판(148)내에서 종결되며, 비도전성 배관은 지지판(148)에서 라인(150, 152 및 160)의 말단으로부터 각각의 유틸리티 소오스 또는 분배 라인으로 연장된다.
R.F. 전압은 바람직하게는 냉각제 유입 및 유출라인(150,152) 및 가스 공급 라인에 납땜된 다수의 구리 스트립(130)과 같은 하드 와이어 연결부를 통해 지지 부재(14)로 공급된다. 냉각제 라인(150,152) 및 가스라인(160)에 전기 경로를 제공하기 위해, 스트랩(162)은 R.F. 원으로부터 지지판(148)으로 연장된다. 바람직하게는, 스트랩(162)은 구경(163)을 통해 회전 가능한 커플링(34)의 바깥쪽으로 연장되어서 회전가능한 커플링(34)에 인접하게 위치된 R.F. 공급부에 연결된다. 따라서, 지지 부재가 회전될 때, 스트램은 단순하게 냉각제 라인(150,152) 및 가스라인(160)을 둘러싼다. 기판(12)을 수용하는 위치로 지지 부재(14)의 기판 수용면(30)을 위치시키기 이해, 지지 부재를 전후로 회전시킴으로써, 스트랩(162)은 회전 가능한 커플링(34)에 감기지 않을 것이다.
지지 부재 지지 구조
제 10도에는 챔버(10)내의 지지 부재(14)를 지지하고 회전시키기 위한 회전가능한 커플링(34)의 구성이 상세하게 도시되어 있다. 바람직하게는 회전가능한 커플링은 챔버 제 2 단부벽(24)을 통해 연장되고 챔버내의 지지 부재(14)에 연결된 관형 내부 스템부(250) 및 내부 스템부(250)를 통해 연장되는 외부 원통형 하우징(252)을 포함한다. 외부 원통형 하우징(252)은 제 2 단부벽(24)상의 위치로 외부 원통형 하우징(252)을 지지하게 위한 챔버의 단부벽(24)에 연결된 환형 플랜지(254)를 포함한다. 추가로 외부 하우징(252)의 내부 원주 표면(256)은 적어도 2개의 원통형 베어링 파일럿(258)을 포함한다. 또한 관형 내부 스템부(250)는 한쌍의 베어링 파일럿(260)을 포함한다. 롤러 베어링(262)은 스템부(250) 및 외부 하우징(252)의 각각의 파일럿(258,260)에 대해 제공되고 조정되어서, 스템부(250)가 외부 하우징(252)에 대해 회전되도록 한다.
챔버 밀폐물의 바깥쪽으로 연장되는 스템부(250)가 접지 상태로 유지되고, 지지 부재(14)가 지지 부재(14)가 에칭을 위해 음전압으로 유지될 수도 있도록, 지지 부재(14)와 스템부(250)의 연결부는 절연 연결부(264)이어야 한다. 이러한 절연 연결부(264)를 제공하기 위해, 지지 부재(14)는 지지 부재(14)의 단부면(124)으로부터 안쪽으로 연장되고 스템부(250)의 바깥 지름보다 지름이 더 큰 일반적으로 환형인 클램핑 부분(266)을 포함한다. 제 1 절연링(268)은 스템부(250)의 내부 말단(270) 및 클램핑 부분(266)의 중간에 위치되고 제 1 키퍼링(272)은 스템부(250)의 내부 말단(270) 상에 부착되어 이 위치에서 제 1 절열링(268)을 위치하도록 한다. 제 2 절연링(274)은 제 1 키퍼링(272) 및 지지 부재의 중앙 코어부(121)의 중간에 위치되어서, 제 1키퍼링(272) 및 스템부(250)를 지지 부재(14)로부터 절연된 상태로 유지시킨다. 제 2 키퍼링(276)은 또한 제 1키퍼링(272)으로부터 제 1 절연링(268)의 대칭 측면상에서 제 1 절연링(268)에 걸쳐 수용되고, 제 2 키퍼링(276)은 클램핑 부분(266)에 부착된다. 이것은 지지 부재(14)에 대해 스템부(250)의 내부 단부를 잠그는데, 이는 스템부(250) 및 지지 부재(14) 사이에 구조적으로 안정된 절연 연결부를 제공한다.
외부 하우징(252)에서 스템부(250)를 회전시키기 위해, 구동 시스템(16)은 챔버(10) 및 외부 하우징(252)의 바깥쪽으로 연장되는 스템부(250)의 단부에 연결된다. 이 구동 시스템(16)은 바람직하게는 외부 하우징(252)의 외부에 설치되고, 그리고 이것은 스템부(250)의 외부 상에서 링 기어(244)에 기어가 형성된 출력 샤프트(242)에 의해 연결된 모터를 포함한다. 모터(240)는 바람직하게는 구별된 아아치형 단계로 지지 부재를 회전시킬수 있는 스테퍼 모터 등의 정확하게 위치선정되는 모터이다. 리밋(Limit) 스위치(도시되지 않았음) 또는 다른 위치 조정부재가 챔버(10)내에서 지지 부재(14)의 위치를 결정하는데 사용될 수도 있고, 그리고 이들의 출력은 입력을 모터(240)에 구동시키고 전달하는 제어기에 의해 모니터되어 챔버(10)내에서 지지 부재의 회전 위치를 제어한다.
지지 부재(14)는 슬릿 밸브(26)(제2도에 도시됨) 및 로봇 블레이드(제 6도 및 제 7도에 도시됨)에 대하여 챔버(10)내에서 정확하게 위치되어 기판(12)이 지지 부재(14)상에서 적절히 수용되도록 보장되어야만 한다. 추가로 지지 부재(14)는 수리될 필요성이 있고, 이에 따라 지지 부재(14)는 서비스 기술자가 용이하게 접근할 수 있어야 한다. 이들 특징을 제공하기 위해 회전가능한 커플링(34) 및 이것에 부착된 지지 부재(14)와 챔버(10)의 단부벽(24)은 챔버로부터 제거될 수 있도록 배치된다. 제 1도 및 제 10도는 회전 가능한 커플링(34)이 일반적으로 평면의 수직 부분(282)을 포함하는 이동가능한 스탠드(280)(제 1도에 도시됨)내에 수용된다. 이 수직부분(282)은 보어(284)를 포함하는데, 이 보어 안으로 회전가능한 커플링(34)의 외부 하우징이 조정된다. 바람직하게는, 외부 하우징(252)은 수직 부분(282)내에 위치되어 수직부분(282)의 한 측면상에 부품의 모멘트는 수직 부분(282)의 다른 측면상에서 부품의 매스(mass)에 의해 조절되어 임의의 휨 모멘트를 감소시키는데, 모멘트에서 회전가능한 커플링(34)은 수직부분(282)을 통해 그리고 회전 가능한 하우징(34)의 외부 하우징(252)이 제 2 단부벽(24) 부착되는 위치에서 연장된다.
제 1도에서, 지지 부재(14)에 슬릿 밸브를 수직으로 배열하기 위해서는, 수직 부분의 상단부는 챔버 단부벽(24)으로부터 연장되는 행거(288)(단지하나만 도시됨)를 조절가능하게 수용가능한 윗쪽으로 연장되는 한쌍의 나사형 조정로드(286)를 포함한다. 나사형 조정로드(286)상의 행거(288)에서 너트 또는 다른 패스너를 돌림에 의해, 수직부분(282)의 위치는 챔버 상부(18)에 관하여 윗쪽 또는 아래로 조정되어, 제 2도에 도시된 바와같은슬릿 밸브(26)가 있는 지지 부재(14)의 배열을 조정할 수도 있다. 제 2 볼트(285)(단지 하나만 도시됨)는 수직부분(282)과 제 2 단부벽(24)을 더 부착시키는데 사용될 수도 있다. 추가로 챔버(10) 또는 지지 부재의 내부를 제공함에 있어서, 챔버 단부벽(24)은 챔버 베이스(18'), 상단부(1A) 및 측벽(20 및 20')으로부터 탈착될 수도 있고 그리고 이동가능한 스탠드(280)는 챔버(10)로부터 벗어나서 운동될 수도 있다. 수직 부분(282)은 회전 가능한 커플링(34)및 지지 부재(14)와 챔버 제 2 단부벽(24)은 그들이 챔버로부터 당겨지면서 지지할 수 있다.
챔버 단부벽(24)을 통한 스템부(250)의 연장부는 오염 입자를 포함하고 있을수도 있는 공기가 챔버(10)으로 누출되는 것을 막도록 밀봉되어야만 한다. 다시 제 10도에는 구경(290)이 플랜지(254)의 밀폐물내에서 챔버 단부벽(24)을 통해 제공되는데, 플랜지에 의해 회전가능한 커플링(34)를 제 2 단부벽(24)에 연결되어 있다. 밀봉 지지링(292)은 안쪽의 롤러 베어링(262) 및 제 2 단부벽(24)의 중간에 있는 스템부(250)의 바깥표면을 중심으로 배치된다. 한쌍의 립 시일(294,296)은 지지링(292)의 시일 그루우브 내에 위치되어 지지링(292)의 내부 지름 및 스텝부(250)의 외부 지름의 내부면을 밀봉하고, O-링 시일(298)은 지지링(292)의 외부지름내의 구루우브내에 위치되어 바깥 하우징(252)의 내부지름과 지지링의 접면을 밀봉한다. 가스 포트(302)가 립 시일(294, 296) 사이의 공간으로 가스를 공급하도록 2개의 립 시일(294,296) 사이의 공간에 제공되어 립 시일(294,296)을 통한 누출을 막는다.
에칭 챔버로서의 챔버의 작용
챔버(10)를 조작하기 위해, 우선 모터(240)는 슬릿 밸브(26)가 있는 수평 배열로 지지 부재(14)의 기판 수용면(30) 중 하나를 회전시키도록 작용된다. 슬릿 밸브는 개방되고 그리고 기판(12)은 하기에 기술된 바와같이 지지 부재(14)상에서 장착되고 클램핑된다. 지지 부재(14)는 슬릿 밸브(26)에대해 지지 부재(14)의 다른 기판 수용면(30)을 위치시키도록 하는 회전된 각도로 배치되어 있다. 계속해서 기판(12)은 하기에 기술된 지지 부재의 다른 기판 수용면(30)상에서 장착 되고 클램핑 된다. 계속해서 지지 부재는 90°로 회전되어 처리를 위한 수직위치로 기판(12)을 위치시키도록 한다. 기판(12)을 에칭하는 동안 수직에 대해 90° 에서 위치되지만, 본 발명에서 특히 고려되어야 할 것은 에칭하는 동안 수직으로부터 75° 만큼 작은 각도에서 기판(12)을 위치시키는 것인데 즉, 기판(12)의 하단에서는 기판(12)의 상단 에지보다 챔버(10)의 수직 단부벽인 대칭 측벽(20, 20')에 더 가깝다. 이것은 비 평행적으로 관련하여 지지 부재(14)의 2개의 기판 수용면(30)을 제공함에 의해 용이하게 이루어져서 지지 부재(14)가 수직에 대해 75° 의 각도로 기판(12)을 위치시킬 수 있도록 한다. 플라즈마 상태에 있을때, 기판(12)상에서 박막층의 바람직한 에칭을 하기 위해 선택된 가스는 챔버내로 펌핑되는 한편 R.F. 전압은 지지 부재(14)에 적용된다. 이에 따라, 에칭 플라즈마가 챔버내에서 스파크되어서, 기판(12)상에서 박막층을 에칭한다.
기판(12)과 전기적으로 접지된 챔버벽 사이에 200 내지 600볼트 정도의 고전압을 유지하는, 한편 동시에 0.25 내지 1.25w/cm2의 상대적으로 낮은 동력 밀도를 유지함에 의해, 기판(12)은 레지스트의 열 파손점을 초과하지않고 그리고 반면에 기판(12)의 에칭된 면적상에서 줄어드는 벽을 형성하면서 염소계 화학물질에서 에칭될 수도 있다.
지지 부재(14)는 바람직하게는 기판(12)을 장착하고, 처리 및 탈착하기 위해 대략적으로 200° 이하, 바람직하게는 180° 이하로 회전된다. 이에 따라서, 예를들어 제 1 기판(12)이 지지 부재(14)를 위치시키도록 지지 부재(14)상에서 회전되어 그위에 제 2 기판(12)을 장착시킨후, 지지 부재(14)를 반시계 방향으로 180° 회전시키고, 계속해서 제 2 기판(12)을 지지 부재(14)상에 적재한 후, 시계방향으로 90° 회전시킴으로써 기판(12)을 처리한다. 계속해서 기판(12)을 탈착시키기 위해 지지 부재(14)는 90° 만큼 반시계 방향으로 회전되어 제거되도록 제 2 기판(12)을 위치시키고 계속해서 180° 만큼 시계방향으로 회전되어 제 1 기판(12)을 제거하고, 지지 부재(14)상으로 새기판(12)을 장착시킨다. 200° 이하로 지지 부재(14)를 회전시킴에 의해 냉각제 및 가스 공급을 위한 공급라인은 얽히지 않고, 단순한 스트랩(162)은 R.F. 전기적 경로를 공급하도록 사용될 수도 있다.
본 발명의 장치는 특히 큰 평면의 패널 디스플레이를 처리하는데 특히 유용하고 그리고 기판(12)으로부터 지지 부재(14)로의 열 전달 속도는 플라즈마의 최대 동력밀도를 제한하는 에칭 적용에 있어서 다른 큰 부재를 처리하는데 유용하다. 본 발명의 챔버(10)를 사용함에 의해 2개의 기판(12)은 종래 기술과 같이 0.25 내지 1.25w/cm2동력 밀도에서 동시에 처리되어 단지 하나의 기판(10)을 처리하기 위해 이전에 사용된 동일한 동력 밀도에서 챔버(10)를 통해 기판(12)의 처리량을 배가시킨다. 추가로, 기판(12) 및 지지 부재(14) 사이로 가스를 흐르게 함으로써, 동력 밀도가 증가되어서 에칭 속도를 증가시키고, 챔버(10)을 통해 기판(12)의 처리량을 향상시킨다.
제 1도는 기판을 챔버 내로 적재하고 챔버로부터 기판을 하역하도록 위치된 지지 부재를 갖춘 본 발명의 에칭 챔버 및 지지 스탠드의 부분 단면사시도.
제 2도는 기판을 챔버 내로 적재하고 챔버로부터 기판을 하역하도록 위치된 지지부재를 나타내기 위해 챔버벽을 가상선으로 나타낸 본 발명의 에칭 챔버의 사시도.
제 3도는 지지 부재가 기판 에칭 위치로 위치되어 있는 본 발명의 에칭 챔버의 부분 단면 사시도.
제 4도는 제 2도의 선 4-4를 따라 취한 지지부재의 부분 단면 사시도.
제 5도는 제 2도에 도시된 지지 부재의 클램프 바이어스 부재의 부분 단면 사시도.
제 6도는 기판을 수용하고 기판을 제거하도록 위치된 지지 부재의 부분 단면도.
제 7도는 기판 아래의 로봇 블레이드를 작동시키기 위해 위치된 제 1도에 도시된 지지 부재의 부분 단면도.
제 8도는 챔버내에서 기판을 에칭하기 위해 기판을 클램핑시키도록 위치된제 1도의 지지 부재를 도시한 부분 단면도.
제 9도는 제 1도의 지지 부재의 부분 단면 사시도.
제 10도는 본 발명의 스템, 지지 부재, 및 이동가능한 스탠드의 연결부를 도시한 부분 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 챔버 11 : 밀폐벽
12 : 기판 14 : 지지 부재(또는 음극)
16 : 구동시스템 20,20' : 대칭 측벽
30 : 기판 수용면 32 : 클램프 및 리프트 어셈블리
34 : 회전가능한 커플형 50 : 로봇 블레이드
52 : 클램프 링 54 : 클램프 바이어스 부재
60,62 : 레일 부재 68 : 클램프 핑거
126 : 분자배면 냉각통로 128 : 포트
150 : 물 유입라인 152 : 물 유출라인
160 : 도전성 가스라인 162 : 스트랩
163 : 개구 200 : 작동 부재
202 : 로드 206 : 훅
210 : 리프팅 로드 240 : 모터
242 : 기어가 형성된 출력 샤프트
244 : 링 기어 250 : 스템부
268 : 제 1 절연링 270 : 내부 말단
272: 제 1 키퍼링 274 : 제 2 절연링
276 : 제 2 키퍼링 280 : 스탠드
294,296 : 립 시일 302 : 가스 포트

Claims (38)

  1. 기판 상의 박막층을 에칭하기 위한 장치로서,
    a) 밀폐물;
    b) 상기 밀폐물내의 기판 지지 부재;
    상기 기판 지지 부재는 다수의 실질적으로 편평한 기판 수용면을 포함하고,
    상기 기판 지지 부재는, 상기 기판 수용면 중 적어도 하나가 그 위에 기판을 수용하도록 수평으로 놓여지는 제 1 위치와, 상기 제 1 위치와는 상이한 위치로서 상기 기판상의 박막을 에칭하기 위한 제 2 위치에 각각 위치될 수 있으며,
    c) 기판을 고정시킬 수 있도록 적어도 하나의 기판 수용면에 대해 선택적으로 위치될 수 있는 클램프 부재를 포함하는 에칭 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 클램프 부재는 적어도 하나의 클램프 핑거를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 클램프 부재는 적어도 하나의 클램프 리프트(lift)부재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 클램프 리프트 부재는 상기 클램프 핑거가 상기 기판과 맞물려서 상기 기판을 상기 적어도 하나의 기판 수용면에 고정시키는 상기 제 1위치에 위치될 수 있는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 클램프 리프트 부재는, 상기 클램프 리프트 부재가 상기 기판 지지 부재 위로 상기 기판을 지지하는 제 2 위치에 추가로 위치될 수 있는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  6. 제 3항에 있어서, 상기 클램프 부재는 클램프 링을 추가로 포함하는 데, 상기 클램프 리프트 부재 및 상기 클램프 핑거는 상기 클램프 링에 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 클램프 링과 상기 기판 지지 부재의 중간에 배치된 클램프 바이어스 부재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 클램프 바이어스 부재는 상기 기판 지지 부재로부터 바깥쪽으로 연장하는 스프링 장착 스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 클램프 핑거가 상기 적어도 하나의 기판 수용면에 기판을 클램프하도록 기판에 고정되는 제 1 위치, 및
    상기 클램프 리프트 부재가 상기 기판 지지 부재 위로 기판을 지지하는 상기제 2 위치 사이로, 상기 클램프 부재를 움직이게 하는 클램프 작동기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 클램프 작동기는 상기 밀폐물을 통해 연장하는 다수의 로드(rod)를 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 로드는 훅(hook) 부분을 더 포함하며, 상기 훅 부분은 상기 클램프 부재와 선택적으로 맞물릴 수 있는것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 클램프 링은 하나 이상의 연장부를 더 포함하며, 상기 훅 부분이 상기 연장부와 맞물릴 수 있는 것을 특징으로 하는 에칭 장치.
  13. 기판 지지 부재의 수용부 상에 기판을 위치시키기 위한 장치로서,
    a) 상기 기판 지지 부재에 인접하게 상기 기판을 선택적으로 위치시키기 위해 연장 위치와 후퇴 위치 사이에서 선택적으로 작동가능한 블레이드;
    b) 상기 기판이 상기 수용부에 인접하게 위치될 수 있는 제 1 위치 및 리프팅 부재가 상기 기판을 상기 블레이드로부터 들어올리도록 위치되는 제 2 위치를 갖추고 있는 리프팅 부재;
    c) 상기 제 2 위치로부터 상기 제 1 위치로 상기 리프팅 부재를 바이어스시키는 바이어스 부재; 및
    d) 상기 제 1 위치 및 상기 제 2 위치 사이에서 상기 리프팅 부재를 선택적으로 움직이게 하도록 상기 리프팅 부재와 선택적으로 맞물릴 수 있는 작동 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 기판 지지 부재는 밀폐물 벽을 갖춘 챔버내에 위치되고,
    상기 작동 부재는 상기 밀폐물 벽으로부터 상기 제 1 위치 및 제 2 위치 사이로 상기 리프팅 부재를 선택적으로 위치시키기 위해 연장될 수 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 상기 기판 지지 부재 상에 선택적으로 위치될 수 있는 클램프 부재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 클램프 부재는,
    a) 상기 기판 지지 부재 상에 수용된 기판의 주위에 위치될 수 있는 클램프 링; 및
    b) 상기 클램프 링으로부터 연장하여 상기 기판 지지 부재 상에 수용된 기판과 맞물리도록 위치될 수 있는 다수의 클램프 핑거를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 16항에 있어서, 다수의 리프팅 부재를 추가로 포함하는 데, 상기 리프팅 부재는 상기 클램프 링에 부착되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 리프팅 부재는 상기 클램프 핑거와 상기 리프팅 부재 사이로 간극을 제공하기 위해 상기 클램프 링으로부터 연장하여 상기 클램프 핑거에 대해 이격된 기판 수용부를 포함하는 장치.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 기판 지지 부재는 상기 리프팅 부재가 위치될 수 있는 리세스를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 13항에 있어서, 상기 기판 지지 부재는 적어도 2개의 기판 수용 부분을 갖춘 음극이며,
    상기 기판 지지 부재는 밀폐물 벽을 가진 챔버 내에 위치하고,
    상기 밀폐물 벽은 기판의 삽입 및 제거를 위한 슬릿 밸브를 포함하고,
    상기 음극은 상기 슬릿 밸브와 상기 기판 수용면을 정렬시키기 위해서 회전가능한 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 밀폐물 벽과 상기 밀폐물 벽을 통과하는 접근용 개구를 갖춘 챔버내에 배치된 제 1 기판 수용면 상에 기판을 위치시키고 클램핑시키는 방법으로서,
    a) 상기 기판 수용면에 대해 선택적으로 위치가능한 리프트 부재를 제공하는단계;
    b) 상기 기판 수용면에 대해 선택적으로 위치가능한 클램프 핑거를 제공하는 단계;
    c) 상기 리프트 부재와 상기 클램프 핑거를 클램프 링과 연결하는 단계;
    d) 상기 리프팅 부재와 상기 클램핑 핑거의 중간에 기판 및 기판 위치 조절 블레이드를 배치하기에 충분한 간극이 형성되도록 상기 리프트 부재와 상기 클램프 핑거를 이격시키는 단계;
    e) 상기 클램프 링을 상기 클램프 핑거가 상기 제 1 기판 수용면으로 부터 이격되어 있는 제 1 위치로 위치시키고, 기판을 지지 블레이드 상에서 상기 제 1 기판 수용면과 상기 클램프 핑거의 중간에 위치시키는 단계;
    f) 상기 지지 블레이트로부터 상기 기판을 상승시키도록, 상기 제 1 기판 수용면으로부터 떨어지게 상기 클램프 링을 이동시키는 단계;
    g) 상기 챔버로부터 상기 지지 블레이드를 후퇴시키는 단계; 및
    h) 상기 기판을 상기 제 1 기판 수용면 상에 위치시키고 상기 클램프 핑거를 상기 기판과 맞물리게 배치하도록 상기 클램프 링을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 제 1 기판 수용면을 향해 상기 클램프 링을 바이어스시키도록 바이어스 부재를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 21항에 있어서, 상기 제 1 기판 수용면에 대해 상기 리프트 부재를 선택적으로 위치시키도록 상기 밀폐물 벽으로부터 상기 리프트 부재까지 연장가능한 작동 부재를 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 21항에 있어서,
    a) 상기 챔버 내에 상기 제 1 기판 수용면이 위치하는 음극을 제공하는 단계;
    b) 상기 제 1 기판 수용면에 평행한 음극 상에 제 2 기판 수용면을 제공하는 단계;
    c) 상기 제 2 기판 수용면을 개구에 정렬시키도록 음극을 회전시키는 단계; 및
    d) 상기 제 2 기판 수용면 상에 제 2 기판을 위치시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 21항에 있어서, 상기 챔버는 반응성 이온 에칭 챔버인 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 챔버 내에서 기판을 처리하는 방법으로서,
    a) 상기 챔버내에 적어도 제 1 및 제 2 기판 수용면을 가지는 지지부재를 제공하는 단계;
    b) 상기 제 1 기판 수용면을 슬릿 밸브에 정렬시키고, 상기 슬릿 밸브를 통해서 상기 제 1 기판 수용면 상에 기판을 적재하는 단계; 및
    c) 상기 제 2 기판 수용면을 상기 슬릿 밸브에 정렬시키도록 지지부재를 회전시키고 상기 슬릿 밸브를 통해서 상기 제 2 기판 수용면 상에 또다른 기판을 적재하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제 26항에 있어서, 상기 기판이 상기 챔버 내로 적재되는 위치와는 다른 위치에서의 처리를 위해 기판을 위치시키도록 상기 지지 부재를 회전시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 27항에 있어서, 상기 기판이 처리를 위해 수직하게 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 26항에 있어서 상기 기판이 처리를 위해 수평으로부터 적어도 75° 로 편향되게 위치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제 26항에 있어서, 적어도 하나의 제 1 기판 수용면상에 클램프 링을 제공하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제 30항에 있어서,
    a) 상기 클램프 링 상에 적어도 2 개의 리프트 부재를 제공하는 단계;
    b) 상기 기판이 적재될 때, 제 1 기판 수용면으로부터 상기 클램프 링을 상승시키는 단계;
    c) 상기 기판을 로봇 블레이드로부터 상승시키는 단계; 및
    d) 상기 기판을 제 1 기판 수용면에 수용하고 상기 클램프링이 상기 기판을 상기 지지 부재에 클램프시키도록, 상기 제 1기판 수용면 상의 위치로 상기 클램프 링을 이동시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제 31항에 있어서,
    a) 후퇴 위치와 연장 위치 사이로 연장가능한 클램프 작동기를 제공하는 단계;
    b) 상기 작동기를 상기 클램프 링에 인접한 위치로 연장시키는 단계;
    c) 상기 제 1 기판 수용면 및 클램프 링 사이에 기판을 삽입하도록,
    제 1 기판 수용면에서 떨어지게 클램프 링을 움직이도록 작동기로 클램프링을 상승시키는 단계;
    d) 상기 기판이 상기 지지 부재상에 클램핑되게 상기 클램프 링을 위치시키도록 상기 작동기와 상기 클램프 링을 하강시키는 단계; 및
    e) 상기 작동기를 후퇴시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제 32항에 있어서,
    a) 훅 부분으로 종결되는 다수의 로드로부터 상기 작동기를 형성하는 단계; 및
    b) 상기 작동기로 상기 클램프 링을 상승시키기 전에 상기 훅 부분이 상기 클램프 링의 표면 아래에 배치되도록 상기 로드를 회전시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 하나 이상의 챔버 벽을 갖는 챔버내에서 기판 지지 부재를 지지하기 위한 장치로서,
    a) 상기 벽내의 개구를 통해 연장하여 상기 지지 부재와 접촉하는 스템;
    b) 상기 개구 부근에 상기 벽 상에 위치된 하우징으로서, 상기 스템이 상기 하우징을 통해 연장되고 그안에서 지지되는 하우징; 및
    c) 상기 챔버벽에 인접하게 배치되고 내부에 상기 하우징이 연장하는 지지 개구를 갖춘 지지 스탠드를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  35. 제 34항에 있어서, 상기 스템이 상기 하우징 내에 회전가능하게 지지되어 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  36. 제 35항에 있어서, 상기 하우징에 대해 상기 스템을 회전시키도록 상기 하우징 상에서 상기 스템에 연결된 구동 부재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  37. 기판을 처리하는 장치로서,
    밀폐물;
    상기 밀폐물 내의 기판 지지 부재;
    상기 기판 지지 부재는 다수의 기판 수용면을 가지고,
    상기 지지 부재는 상기 기판 수용면 중의 적어도 하나가 그 위에 기판을 수용하기 위해 수평 위치에 위치하는 제 1 위치 및 제 1 위치와는 다른 위치로서 기판을 처리하기 위한 제 2 위치에 위치가능하며,
    기판을 고정하도록 상기 적어도 하나의 기판 수용면에 대하여 선택적으로 위치가능한 클램프 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  38. 기판 지지 부재의 수용면에 기판을 위치시키기 위한 장치로서,
    리세스를 포함하는 기판 지지 부재에 인접하게 기판을 위치시키도록 연장된 위치 및 후퇴된 위치 사이로 선택적으로 이동가능한 블래이드;
    기판 지지 부재에 수용된 기판의 주위에 위치가능한 클램프 링, 및 상기 클램프 링에서 연장되어 상기 기판 지지 부재 상의 기판에 고정되어 위치되는 다수의 클램프 핑거;
    상기 클램프 링에 고정된 리프팅 부재;
    상기 리프링 부재는 상기 리프팅 부재가 상기 리세스에 위치하고 상기 클래프 핑거가 상기 기판 지지부재 상의 기판에 고정되는 제 1 위치, 상기 리프팅 부재가 상기 기판 지지 부재에서 떨어진 위치에 기판을 위치시키도록 상기 기판 지지 부재에서 연장된 제 2 위치, 및 기판을 블래이드 상에 위치시키도록 제 1 위치와 제 2 위치 사이의 중간 위치에 위치가능하며,
    제 2 위치에서 제 1 위치로 리프팅 부재를 편향시키기 위한 바이어스 부재; 및
    제 1 위치 및 제 2 위치사이로 상기 리프팅 부재를 움직이게 하도록, 상기 리프팅 부재에 선택적으로 고정된 작동기 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
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