KR100929448B1 - 기판 유지 기구 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

절연체로 이루어지는 기판의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 이상 방전의 발생을 미연에 방지한다.
탑재대(300)와 이 탑재대(300)의 기판 유지면에 유지된 기판 G 사이에 가스를 공급하기 위한 가스 유로(352)와, 가스 유로로부터의 가스를 기판 유지면 상으로 안내하는 복수의 가스 구멍(354)과, 기판의 가장자리보다 외측에 소정의 위치 어긋남 허용량 b만큼 이격하여 가장자리를 따라 배치되고, 탑재대의 기판 유지면보다 높아지도록 돌출한 위치 어긋남 검출용 돌기(332)와, 가스 유로의 압력을 측정하는 마노미터(manometer)(363)와, 탑재대 상에 기판을 유지했을 때에, 압력 측정 수단으로부터의 검출 압력에 근거하여 가스 구멍으로부터의 가스의 누출량을 검출하고, 그 검출 결과에 근거하여 소정의 위치 어긋남 허용량 이상의 기판의 위치 어긋남의 유무를 검출하는 제어부(400)를 마련했다.

Description

기판 유지 기구 및 플라즈마 처리 장치{SUBSTRATE HOLDING MECHANISM AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display)나 일렉트로루미네선스 디스플레이(Electro-Luminescence Display) 등의 플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display)용 기판을 유지하는 기판 유지 기구 및 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
플랫 패널 디스플레이(FPD)의 패널 제조에 있어서는, 일반적으로 유리 등의 절연체로 이루어지는 기판 상에 화소의 장치 또는 전극이나 배선 등이 형성된다. 이러한 패널 제조의 여러 가지 공정 중, 에칭, CVD, 애싱, 스퍼터링 등의 미세 가공은 플라즈마 처리 장치에 의해 행하여진다. 플라즈마 처리 장치는, 예컨대 감압 가능한 처리 용기 내에서 기판을, 하부 전극을 구성하는 서셉터를 구비하는 탑재대의 위에 탑재하고, 서셉터에 고주파 전력을 공급함으로써, 기판 상에 처리 가스의 플라즈마를 형성하고, 이 플라즈마에 의해 기판 상에 에칭 등의 소정의 처리를 행하도록 되어 있다.
이 경우, 플라즈마 처리 중의 발열에 의한 온도 상승을 억제하여 기판의 온도를 일정하게 제어해야 한다. 이 때문에, 칠러 장치로부터 온도 조절된 냉매를 탑재대 내의 냉매 통로에 순환 공급하는 동시에, He 가스 등의 열전도성이 좋은 가스(열전도 가스)를 탑재대 안을 통해서 기판의 이면에 공급하여, 기판을 간접적으로 냉각하는 방식이 주로 이용되고 있다. 이 냉각 방식은 He 가스의 공급 압력에 저항하여 기판을 탑재대 상에 고정 유지할 필요가 있기 때문에, 탑재대 상에 기판 유지부를 마련하고, 예컨대, 정전 흡착력에 의해 기판 유지부의 기판 유지면에 기판을 흡착 유지하도록 되어 있다.
탑재대 상의 기판 유지면에 대하여 기판이 위치 어긋나고 있으면, 서셉터 상에서 기판 유지면이 노출되기 때문에, 이 상태에서 서셉터에 고주파 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키면, 이상 방전이 발생하여 서셉터를 손상시킬 우려가 있다. 따라서, 이러한 기판의 위치 어긋남을 플라즈마를 발생시키기 전에 검출할 수 있으면, 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허공개 2005-116645호 공보
[특허문헌 2] 일본 특허공개 평성 제11-186370호 공보
[특허문헌 3] 일본 특허공개 평성 제4-359539호 공보
그런데, 최근에는 FPD용의 절연 기판은 점점 대형화의 요구가 높아지고 있다. 이러한 FPD용 기판은, 반도체 웨이퍼에 비해서 훨씬 사이즈가 크기 때문에, 반송암 등의 반송 기구를 사용하여도 탑재대 상에 정확히 기판을 탑재시키는 것은 매우 곤란해진다. 따라서, FPD용 기판의 경우에는, 기판의 위치 어긋남을 이상 방전이 발생하지 않는 범위 정도 허용할 수 있도록 하는 것이 필요하게 된다.
이러한 위치 어긋남에 대한 대책 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 기술에서는, 예컨대 특허문헌 1, 2에 기재된 것이 알려져 있다. 이것들의 기술은, 에지링에 경사면을 형성하거나, 경사지는 돌기를 반도체 웨이퍼의 탑재되는 영역의 외측에 마련하는 것에 따라, 반도체 웨이퍼의 위치가 어긋나 그 단부가 에지링이나 돌기의 사면에 걸리더라도, 경사면을 미끄러져 위치 어긋남을 수정할 수 있도록 한 것이다.
그러나, 이러한 기술을 반도체 웨이퍼에 비해서 훨씬 사이즈가 큰 FPD용 기판에서는 그 중량도 반도체 웨이퍼에 비해 크기 때문에, FPD용 기판의 단부가 에지링이나 돌기의 사면에 걸리더라도, 경사면을 미끄러지기 어렵고, 얹혀 있는 채로 되어버려 위치 어긋남을 수정할 수 없는 개연성이 높다.
또한, 예컨대 특허문헌 3에 기재된 기술과 같이, 탑재대의 상부에 압력 측정 구멍을 마련하고, 압력 측정 구멍을 거쳐서 압력 측정 가스를 탑재대와 반도체 웨이퍼 사이에 공급하여 압력 측정 가스의 압력을 감시하는 것이 있다. 이 방법에서 는, 예컨대 반도체 웨이퍼가 없는 경우나 정전 유지력이 작은 경우에는, 압력 측정 구멍으로부터 압력 측정 가스가 누설하여 압력이 저하하기 때문에, 그 압력을 감시함으로써, 탑재대 상의 반도체 웨이퍼의 유무와 유지 상태를 검출한다. 그러나, 이 방법에서는 반도체 웨이퍼의 위치 어긋남까지는 검출할 수 없다.
그래서, 본 발명은, 이러한 문제에 비추어 이루어진 것으로, 피처리 기판의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 이상 방전의 발생을 미연에 방지할 수 있는 기판 유지 기구 및 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 임의의 관점에 의하면, 플라즈마가 생성되는 공간 내에서 절연체로 이루어지는 직사각형의 피처리 기판을 탑재 유지하는 기판 유지 기구로서, 상기 피처리 기판을 탑재 유지하는 직사각형의 탑재대와, 상기 탑재대와 이 탑재대의 기판 유지면에 유지된 피처리 기판 사이에 가스를 공급하기 위한 가스 유로와, 상기 탑재대의 기판 유지면에 형성되어, 상기 가스 유로로부터의 가스를 상기 기판 유지면 상으로 안내하는 복수의 가스 구멍과, 상기 가스 구멍이 형성되는 영역이 상기 기판 유지면의 내측이 되도록 하여, 상기 가스 구멍 형성 영역 전면에 걸쳐 형성되는 오목부와, 상기 기판 유지면의 상기 가스 구멍 형성 영역의 외주에 형성되는 프레임부와, 상기 프레임부에 형성한 복수의 기판 위치 어긋남 검출 구멍과, 상기 기판 위치 어긋남 검출 구멍과 상기 오목부를 연결하는 연통로와, 상기 가스 유로의 압력을 측정하는 압력 측정 수단과, 상기 탑재대 상에 피처리 기판을 유지했을 때에, 상기 압력 측정 수단으로부터의 검출 압력에 근거하여 상기 가스 구멍으로부터의 가스의 누출량을 검출하고, 그 검출 결과에 근거하여 상기 소정의 위치 어긋남 허용량 이상의 상기 피처리 기판의 위치 어긋남의 유무를 검출하는 위치 어긋남 검출 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구가 제공된다.
이러한 구성의 본 발명에 의하면, 기판 위치 어긋남 검출 구멍에는, 연통로를 거쳐 열전도 가스(예컨대 He 가스)가 흐른다. 이것 때문에, 피처리 기판이 위치 어긋나지 않는 경우에는 기판 위치 어긋남 검출 구멍은 피처리 기판으로 막힐 수 있기 때문에 가스가 새지 않지 않는 데 비하여, 피처리 기판이 기판 유지면의 일부가 노출되는 정도의 위치 어긋나 있는 경우에는, 기판 위치 어긋남 검출 구멍으로부터의 가스의 누출량이 증대하기 때문에, 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 이것에 의해, 피처리 기판의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 피처리 기판의 위치 어긋남에 의한 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다.
이 경우, 상기 기판 위치 어긋남 검출 구멍은, 상기 프레임부의 4개의 각부에 형성되는 것이 바람직하다. 이 4개의 기판 위치 어긋남 검출 구멍만으로, 피처리 기판이 기판 유지면에 대하여 평행하게 위치 어긋나고 있는 경우뿐만 아니라, 피처리 기판이 기판 유지면에 대하여 사행하여 위치 어긋나고 있는 경우에 관해서도, 피처리 기판의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 또한, 상기 오목부의 하면에는, 이 오목부가 형성되어 있는 영역 내에서 기판을 유지하는 다수의 볼록부를 마련하도록 하더라도 좋다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 플라즈마가 생성되는 공간 내에서 절연체로 이루어지는 피처리 기판을 탑재 유지하는 기판 유지 기구로서, 상기 피처리 기판을 탑재 유지하는 탑재대와, 상기 탑재대와 이 탑재대의 기판 유지면에 유지된 피처리 기판 사이에 가스를 공급하기 위한 가스 유로와, 상기 탑재대의 기판 유지면에 형성되고, 상기 가스 유로로부터의 가스를 상기 기판 유지면 상으로 안내하는 복수의 가스 구멍과, 상기 피처리 기판이 상기 탑재대의 기판 유지면의 기준 위치에 있다고 했을 때의 그 피처리 기판의 가장자리보다 외측에 소정의 위치 어긋남 허용량만큼 이격하여 상기 가장자리를 따라 배치되고, 상기 탑재대의 기판 유지면보다 높아지도록 돌출한 위치 어긋남 검출용 돌기와, 상기 가스 유로의 압력을 측정하는 압력 측정 수단과, 상기 탑재대 상에 피처리 기판을 유지했을 때에, 상기 압력 측정 수단으로부터의 검출 압력에 근거하여 상기 가스 구멍으로부터의 가스의 누출량을 검출하고, 그 검출 결과에 근거하여 상기 소정의 위치 어긋남 허용량 이상의 상기 피처리 기판의 위치 어긋남의 유무를 검출하는 위치 어긋남 검출 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구가 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 별도의 관점에 의하면, 처리실 내에 처리 가스를 도입하여, 상기 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 것에 따라, 처리실 내의 탑재대에 탑재 유지된 절연체로 이루어지는 피처리 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서, 상기 탑재대와 이 탑재대의 기판 유지면에 유지된 피처리 기판 사이에 가스를 공급하기 위한 가스 유로와, 상기 탑 재대의 기판 유지면에 형성되고, 상기 가스 유로로부터의 가스를 상기 기판 유지면 상으로 안내하는 복수의 가스 구멍과, 상기 피처리 기판이 상기 탑재대의 기판 유지면의 기준 위치에 있다고 했을 때의 그 피처리 기판의 가장자리보다 외측에 소정의 위치 어긋남 허용량만큼 이격하여 상기 가장자리를 따라 배치되고, 상기 탑재대의 기판 유지면보다 높아지도록 돌출한 위치 어긋남 검출용 돌기와, 상기 가스 유로의 압력을 측정하는 압력 측정 수단과, 상기 탑재대 상에 피처리 기판을 유지했을 때에, 상기 압력 측정 수단으로부터의 검출 압력에 근거하여 상기 기판 위치 어긋남 검출 구멍으로부터의 가스의 누설량을 검출하고, 그 검출 결과에 근거하여 상기 소정의 위치 어긋남 허용량 이상의 상기 피처리 기판의 위치 어긋남의 유무를 검출하는 위치 어긋남 검출 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.
이러한 구성의 본 발명에 의하면, 피처리 기판의 기준 위치로부터 소정의 위치 어긋남 허용량만큼 이격하여 위치 어긋남 검출용 돌기를 형성하는 것에 의해, 피처리 기판이 소정의 위치 어긋남 허용량을 넘어 위치 어긋나고 있는 경우에는, 피처리 기판의 일부가 위치 어긋남 검출용 돌기에 얹혀 가스 구멍으로부터의 가스의 누출량이 증대하기 때문에, 피처리 기판의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 이에 따라, 피처리 기판 상에 플라즈마를 형성하기 전에 위치 어긋남을 검출할 수 있기 때문에, 피처리 기판의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 피처리 기판의 위치 어긋남에 의한 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다.
이 경우, 상기 위치 어긋남 허용량은, 상기 탑재대에 피처리 기판을 유지했 을 때에 상기 탑재대의 기판 유지면이 노출되지 않는 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 예컨대 기판이 열전도 가스의 가스 구멍 형성 영역을 벗어날 정도로 크게 위치 어긋나고 있는 경우는 물론, 기판 유지면의 일부가 노출되는 정도로 미소하게 위치 어긋나고 있는 경우에도, 열전도 가스가 가스 구멍으로부터의 누출량이 증대하기 때문에, 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 이에 따라, 피처리 기판의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 피처리 기판의 위치 어긋남에 의한 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다.
또한, 상기 탑재대는, 예컨대 서셉터와, 상기 서셉터 상에 마련되고, 상기 기판 유지면에서 상기 피처리 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 서셉터 및 상기 기판 유지부의 주위를 둘러싸도록 배치되는 외부 프레임부를 구비하고, 상기 위치 어긋남 검출용 돌기는, 예컨대 상기 외부 프레임부의 상부에 형성된다. 이것에 의하면, 위치 어긋남 검출용 돌기를 외부 프레임부의 상부에 형성한다고 하는 간단한 구성으로 피처리 기판의 위치 어긋남을 검출할 수 있어, 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다.
또한, 상기 기판 유지면의 사이즈는, 상기 피처리 기판의 사이즈보다 치수 2a만큼 작은 것으로 하고, 상기 위치 어긋남 허용량을 치수 b라고 하면, 각 치수 a, b의 관계는, a>b인 것이 바람직하다. 이러한 위치에 위치 어긋남 검출용 돌기를 배치함으로써, 예컨대 피처리 기판이 기준 위치로부터 위치 어긋나고 있더라도, 피처리 기판이 위치 어긋남 검출용 돌기에 얹혀 있지 않는 위치에서는, 기판 유지면의 일부가 노출되는 경우는 없기 때문에 위치 어긋남을 허용할 수 있다. 이것에 대하여, 기판 유지면의 일부가 노출될 정도로 피처리 기판이 위치 어긋나고 있는 경우에는 피처리 기판이 위치 어긋남 검출용 돌기에 얹혀 있기 때문에, 가스 구멍으로부터의 가스의 누출량이 증대하기 때문에, 이것들의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 이것에 의해, 피처리 기판의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 피처리 기판의 위치 어긋남에 의한 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다.
또한, 상기 외부 프레임부의 상부의 높이를 h1로 하고, 상기 위치 어긋남 검출용 돌기의 상부의 높이를 h2로 하고, 상기 기판 유지면의 높이를 h라고 하면, 상기 각 높이 h1, h, h2의 관계는, h1≤h<h2인 것이 바람직하다. 이러한 위치에 위치 어긋남 검출용 돌기를 배치함으로써, 피처리 기판이 위치 어긋남 검출용 돌기에 얹혔을 때에, 기판 유지면으로부터 피처리 기판을 들어올릴 수 있기 때문에 가스 구멍으로부터의 가스의 누출량을 증대시킬 수 있다.
또한, 상기 위치 어긋남 검출용 돌기는, 예컨대 상기 피처리 기판의 가장자리를 따라 프레임 형상으로 형성하더라도 좋고, 또한, 상기 위치 어긋남 검출용 돌기는, 장기말(駒) 형상으로 형성하고, 그 장기말 형상의 위치 어긋남 검출용 돌기를 상기 피처리 기판의 가장자리를 따라 복수 마련하도록 하더라도 좋다. 이러한 위치 어긋남 검출용 돌기에 의하면, 위치 어긋남 검출용 돌기를 필요한 위치에 설치하는 것뿐이라는 매우 간단한 구성으로 피처리 기판의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 또한, 상기 위치 어긋남 검출용 돌기는, 착탈 가능하게 마련하도록 하더라도 좋다. 이에 따라, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)의 교환이 용이해진다. 또한, 기판의 형상 등에 따라 적절한 위치에 배치를 바꿀 수 있고, 또한, 적절한 형상의 것으로 교환할 수도 있다.
또, 상기 기판 유지부는, 예컨대 하부 유전체층과 상부 유전체층과의 사이에 전극판을 유지하여 구성하고, 상기 전극판에 소정의 전압을 인가함으로써 발생하는 정전 흡착력에 의해 상기 기판 유지면에 상기 피처리 기판을 흡착 유지하도록 하더라도 좋다.
본 발명에 의하면, 피처리 기판의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 이상 방전의 발생을 미연에 방지할 수 있는 기판 유지 기구 및 플라즈마 처리 장치를 제공할 수 있는 것이다.
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
(플라즈마 처리 장치의 구성예)
우선, 본 발명을 복수의 플라즈마 처리 장치를 구비하는 멀티챔버 타입의 처리 장치에 적용한 경우의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 본 실시예에 따른 처리 장치(100)의 외관 사시도이다. 도 1에 나타내는 처리 장 치(100)는, 플랫 패널 디스플레이용 기판(FPD용 기판) G에 대하여 플라즈마 처리를 실시하기 위한 3개의 플라즈마 처리 장치를 구비한다. 플라즈마 처리 장치는 각각 처리실(200)을 구비한다.
처리실(200) 내에는, 예컨대 FPD용 기판 G를 탑재하는 탑재대가 마련되고 있고, 이 탑재대의 위쪽에 처리 가스(예컨대 프로세스 가스)를 도입하기 위한 샤워 헤드가 마련되어 있다. 탑재대는 하부 전극을 구성하는 서셉터를 구비하고, 이것과 평행하게 대향하여 마련되는 샤워 헤드는 상부 전극으로서의 기능도 겸한다. 각 처리실(200)에서는 동일한 처리(예컨대 에칭 처리 등)를 행하더라도 좋고, 서로 다른 처리(예컨대 에칭 처리와 애싱 처리 등)를 행하도록 하더라도 좋다. 또, 처리실(200) 내의 구체적 구성예에 대해서는 후술한다.
각 처리실(200)은 각각, 단면 다각형 형상(예컨대 단면 직사각형 형상)의 반송실(110)의 측면에 게이트 밸브(102)를 거쳐서 연결되어 있다. 반송실(110)에는 또한, 로드록실(120)이 게이트 밸브(104)를 거쳐서 연결되어 있다. 로드록실(120)에는, 기판 반출입 기구(130)가 게이트 밸브(106)를 거쳐서 인접 설치되어 있다.
기판 반출입 기구(130)에 각각 2개의 인덱서(140)가 인접 설치되어 있다. 인덱서(140)에는, FPD용 기판 G를 수납하는 카세트(142)가 탑재된다. 카세트(142)는 복수매(예컨대 25매)의 FPD용 기판 G를 수납 가능하게 구성되어 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치에 의해 FPD용 기판 G에 대하여 플라즈마 처리를 행할 때는, 우선 기판 반출입 기구(130)에 의해 카세트(142) 내의 FPD용 기판 G를 로드록실(120) 내로 반입한다. 이 때, 로드록실(120) 내에 처리 완료된 FPD용 기 판 G가 있으면, 그 처리 완료된 FPD용 기판 G를 로드록실(120) 내에서 반출하고, 미처리의 FPD용 기판 G와 치환한다. 로드록실(120) 내로 FPD용 기판 G가 반입되면, 게이트 밸브(106)를 닫는다.
이어서, 로드록실(120) 내를 소정의 진공도까지 감압한 후, 반송실(110)과 로드록실(120) 사이의 게이트 밸브(104)를 연다. 그리고, 로드록실(120) 내의 FPD용 기판 G를 반송실(110) 내의 반송 기구(도시하지 않음)에 의해 반송실(110) 내로 반입한 후, 게이트 밸브(104)를 닫는다.
반송실(110)과 처리실(200) 사이의 게이트 밸브(102)를 열어, 상기 반송 기구에 의해 처리실(200) 내의 탑재대에 미처리의 FPD용 기판 G를 반입한다. 이 때, 처리 완료된 FPD용 기판 G가 있으면, 그 처리 완료된 FPD용 기판 G를 반출하고, 미처리의 FPD용 기판 G와 치환한다.
처리실(200) 내에서는, 처리 가스를 샤워 헤드를 거쳐서 처리실 내에 도입하고, 하부 전극 또는 상부 전극, 또는 상부 전극과 하부 전극의 양쪽에 고주파 전력을 공급함으로써, 하부 전극과 상부 전극과의 사이에 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 것에 따라, 탑재대 상에 유지된 FPD용 기판 G에 대하여 소정의 플라즈마 처리를 행한다.
(처리실의 구성예)
다음에, 처리실(200)의 구체적 구성예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 여기서는, 본 발명의 플라즈마 처리 장치를, 예컨대 유리 기판 등의 FPD용의 절연 기판(이하, 단지 「기판」이라고도 부름) G를 에칭하는 용량 결합형 플라즈마(CCP) 에칭 장치에 적용한 경우의 처리실의 구성예에 대하여 설명한다. 도 2는 처리실(200)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2에 나타내는 처리실(200)은, 예컨대 표면이 양극 산화 처리(알루마이트 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 대략 각통 형상의 처리 용기(202)를 구비한다. 처리 용기(202)는 그라운드에 접지되어 있다. 처리실(200) 내의 바닥부에는, 하부 전극을 구성하는 서셉터(310)를 갖는 탑재대(300)가 배치되어 있다. 탑재대(300)는, 직사각형의 기판 G를 고정 유지하는 기판 유지 기구로서 기능하고, 직사각형의 기판 G에 대응한 직사각형 형상으로 형성된다. 이 탑재대의 구체적 구성예는 후술한다.
탑재대(300)의 위쪽에는, 서셉터(310)와 평행하게 대향하도록, 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(210)가 대향 배치되어 있다. 샤워 헤드(210)는 처리 용기(202)의 상부에 지지되어 있고, 내부에 버퍼실(222)을 갖고, 또한, 서셉터(310)와 대향하는 하면에는 처리 가스를 토출하는 다수의 토출 구멍(224)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(210)는 그라운드에 접지되어 있고, 서셉터(310)와 동시에 한 쌍의 평행평판 전극을 구성하고 있다.
샤워 헤드(210)의 상면에는 가스 도입구(226)가 마련되고, 가스 도입구(226)에는 가스 도입관(228)이 접속되어 있다. 가스 도입관(228)에는, 개폐밸브(230), 매스플로우 제어기(MFC)(232)를 거쳐서 처리 가스 공급원(234)이 접속되어 있다.
처리 가스 공급원(234)으로부터의 처리 가스는, 매스플로우 제어 기(MFC)(232)에 의해 소정의 유량으로 제어되고, 가스 도입구(226)를 통해 샤워 헤드(210)의 버퍼실(222)에 도입된다. 처리 가스(에칭 가스)로서는, 예컨대 할로겐계의 가스, O2 가스, Ar 가스 등, 통상 이 분야에서 이용되는 가스를 이용할 수 있다.
처리실(200)의 측벽에는 기판 반입출구(204)를 개폐하기 위한 게이트 밸브(102)가 마련되어 있다. 또한, 처리실(200)의 측벽의 아래쪽에는 배기구가 마련되고, 배기구에는 배기관(208)을 거쳐서 진공 펌프(도시하지 않음)를 포함하는 배기 장치(209)가 접속된다. 이 배기 장치(209)에 의해 처리실(200)의 실내를 배기함으로써, 플라즈마 처리 중에 처리실(200) 내를 소정의 진공 분위기(예컨대 10mTorr=대략 1.33Pa)로 유지할 수 있다.
(기판 유지 기구를 적용한 탑재대의 구성예)
여기서, 본 발명에 따른 기판 유지 기구를 적용한 탑재대(300)의 구체적인 구성예에 대하여 도 2, 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은 탑재대(300)의 열전도 가스 공급 기구의 구성예를 설명하는 도면이다. 도 3은 도 2에 나타내는 탑재대(300)의 윗부분의 단면을 간략화하여 나타낸 것이다. 도 3에서는, 설명을 간단히 하기 위해서 도 2에 나타내는 정전 유지부(320)를 생략하고 있다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 탑재대(300)는, 절연성의 베이스 부재(302)와, 이 베이스 부재(302) 상에 마련되는 도전체(예컨대 알루미늄)로 이루어지는 직사각 형 블럭 형상의 서셉터(310)를 구비한다. 또, 서셉터(310)의 측면은, 도 2에 도시하는 바와 같이 절연피막(311)으로 덮여 있다.
서셉터(310) 상에는, 기판 G를 기판 유지면에서 유지하는 기판 유지부의 일례로서의 정전 유지부(320)가 마련된다. 정전 유지부(320)는, 예컨대 하부 유전체층과 상부 유전체층과의 사이에 전극판(322)을 유지하여 구성된다. 탑재대(300)의 외부 프레임을 구성하고, 상기 베이스 부재(302), 서셉터(310), 정전 유지부(320)의 주위를 둘러싸도록, 예컨대 세라믹이나 석영의 절연 부재로 이루어지는 직사각형 프레임 형상의 외부 프레임부(330)가 배치된다.
또, 정전 유지부(320)의 하부 유전체층 및 상부 유전체층은, 그 체적 고유 저항값이 1×1014Ω·cm 이상의 절연체, 예컨대 알루미나(Al2O3) 및 지르코니아(ZrO2) 중 적어도 한쪽을 주성분으로 하는 세라믹에 의해 구성하는 것이 바람직하다. 전극판(322)은, 임의의 도전체재라도 좋고, 예컨대 텅스텐으로 이루어진다. 공지의 플라즈마 용사법에 의해, 서셉터(310) 상에 하부 유전체층, 전극판(322), 상부 유전체층의 3층을 순차적으로 거듭 형성할 수 있다.
정전 유지부(320)의 전극판(322)에는, 직류(DC) 전원(315)이 스위치(316)를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 스위치(316)는, 예컨대 전극판(322)에 대하여 DC 전원(315)과 그라운드 전위를 전환되게 되어 있다. 또, 전극판(322)과 직류(DC) 전원(315)과의 사이에, 서셉터(310)쪽으로부터의 고주파를 차단하여, 서셉터(310)쪽의 고주파가 DC 전원(315)쪽에 누설하는 것을 저지하는 고주파 차단부(도 시하지 않음)를 마련하더라도 좋다. 고주파 차단부는, 1MΩ 이상의 높은 저항값을 갖는 저항기 또는 직류를 통과시키는 로우패스 필터로 구성하는 것이 바람직하다.
스위치(316)가 DC 전원(315)쪽으로 전환하면, DC 전원(315)으로부터의 DC 전압이 전극판(322)에 인가된다. 이 DC 전압이 정극성의 전압인 경우, 기판 G의 상면에는 부(負)의 전하(전자, 부이온)가 끌어당겨지도록 하여 축적한다. 이에 따라 기판 G 상면의 부의 면전하와 전극판(322) 사이에 기판 G 및 상부 유전체층을 유지하여 서로 끌어당기는 정전 흡착력 즉 쿨롱력이 작용하고, 이 정전 흡착력으로 기판 G은 탑재대(300) 상에 흡착 유지된다. 스위치(316)가 그라운드쪽으로 전환하면, 전극판(322)이 제전되고, 이것에 따라 기판 G도 제전되어, 상기 쿨롱력 즉 정전 흡착력이 해제된다.
서셉터(310)에는, 정합기(312)를 거쳐서 고주파 전원(314)의 출력 단자가 전기적으로 접속되어 있다. 고주파 전원(314)의 출력 주파수는, 비교적 높은 주파수 예컨대 13.56MHz로 선택된다. 고주파 전원(314)으로부터의 고주파 전력은 플라즈마 발생용과 바이어스용으로 겸용된다. 즉, 플라즈마 처리 중에 서셉터(310)에 인가되는 고주파 전원(314)으로부터의 고주파 전력에 의해서, 기판 G의 위에는 처리 가스의 플라즈마 PZ가 생성되고, 또한, 플라즈마 PZ 중의 이온이 기판 G의 상면(피처리면)에 밀어넣어진다. 이것에 의해, 기판 G 상에 소정의 플라즈마 에칭 처리가 실시된다.
서셉터(310)의 내부에는 냉매 유로(340)가 마련되어 있고, 칠러 장치(도시하지 않음)로부터 소정의 온도로 조정된 냉매가 냉매 유로(340)를 흐르도록 되어 있 다. 이 냉매에 의해서, 서셉터(310)의 온도를 소정의 온도로 조정할 수 있다.
탑재대(300)는, 정전 유지부(320)의 기판 유지면과 기판 G의 이면 사이에 열전도 가스(예컨대 He 가스)를 소정의 압력으로 공급하는 열전도 가스 공급 기구를 구비한다. 열전도 가스 공급 기구는, 열전도 가스를 서셉터(310) 내부의 가스 유로(352)를 거쳐서 기판 G의 이면에 소정의 압력으로 공급하게 되고 있다.
열전도 가스 공급 기구는, 구체적으로는 예컨대 도 3에 도시하는 바와 같이 구성된다. 즉, 서셉터(310)의 상면 및 정전 유지부(320)에는 가스 구멍(354)이 다수 마련되고 있고, 이것들의 가스 구멍(354)은 상기 가스 유로(352)에 연통하고 있다. 가스 구멍(354)은, 예컨대 도 15(a), 도 15(b)에 도시하는 바와 같이, 기판 유지면 외주로부터 예컨대 치수 c만큼 내측의 가스 구멍 형성 영역 R에 소정 간격으로 다수 배열되어 있다.
가스 유로(352)에는, 예컨대 열전도 가스로서 He 가스를 공급하는 He 가스 공급원(364)이 압력 조정 밸브(PCV:Pressure Control Valve)(362)를 거쳐서 접속되어 있다. 압력 제어 밸브(PCV)(362)는, 가스 구멍(354)쪽으로 공급되는 He 가스의 압력이 소정의 압력으로 되도록 유량을 조정하는 것이다.
압력 제어 밸브(PCV)(362)는, 예컨대 가스 유로(352)를 통류하는 열전도 가스의 압력을 측정하는 압력 측정 수단의 일례로서의 마노미터(manometer)(예컨대 캐패시턴스 마노미터(CM))(363)를 구비하고, 또한, 도시하지 않는 유량 조절 밸브(예컨대 피에조 밸브), 플로우미터, 유량 조절 밸브인 피에조 밸브를 제어하는 콘트롤러가 일체화되어 구성되어 있다. 그리고, 마노미터(363)로 측정된 He 가스의 압력에 근거하여, 콘트롤러가 예컨대 PID 제어에 의해 가스압이 일정하게 되도록 피에조 밸브를 제어하여 He 가스 유량을 제어한다.
이들 압력 조정 밸브(PCV)(362), He 가스 공급원(364)은 각각, 처리 장치(100)의 각부를 제어하는 제어부(400)에 접속되어 있다. 제어부(400)는, He 가스 공급원(364)을 제어하여 He 가스를 유출시켜, 압력 조정 밸브(PCV)(362)에 의해 He 가스를 소정의 유량으로 조정하여 가스 유로(352)에 공급한다. 이에 따라, He 가스는, 가스 유로(352) 및 가스 구멍(354)을 통해 기판 G의 이면에 소정의 압력으로 공급된다. 이 때, 제어부(400)는, 가스 유로(352)의 압력을 압력 조정 밸브(PCV)(362)의 마노미터(363)에 의해 측정하고, 측정한 압력에 근거하여 예컨대 기판 G를 정전 흡착할 때에 있어서의 He 가스의 누출량을 모니터링할 수 있다.
또, 상기에서는 가스 유로(352)에 마노미터(363)와 유량 조정 밸브가 일체화된 압력 조정 밸브(PCV)(362)를 이용했지만, 이것에 한정되지 않고, 가스 유로(352)에 이들 마노미터(363)와 유량 조정 밸브를 별개로 마련하도록 하더라도 좋다. 또한, 마노미터로서도 캐패시턴스 마노미터에 한정되지 않고 여러 가지의 마노미터를 이용할 수 있고, 유량 조절 밸브로서도 피에조 밸브에 한정되지 않고, 예컨대 솔레노이드 밸브이더라도 좋다.
이러한 열전도 가스(예컨대 He 가스)의 누출량은, 기판이 위치 어긋나고 있으면 변화하므로, 본 발명자들은, 열전도 가스의 누출량의 변화에 따라 기판의 위치 어긋남을 검출할 수 없는지를 검토했다. 그런데, 반도체 웨이퍼에 비해 매우 사이즈가 큰 FPD용 기판에 대해서는 독자적인 문제가 있다.
FPD용 기판과 같이 매우 큰 사이즈의 기판 G에서는, FPD용 기판보다 훨씬 작은 사이즈의 반도체 웨이퍼에 비해서, 반송암 등의 반송 기구를 사용하여도 탑재대 상에 정확히 탑재시키는 것은 매우 곤란하다. 따라서, 종래는, 어느 정도의 기판 G의 위치 어긋남을 허용할 수 있도록 하기 위해서, 예컨대 도 4, 도 5에 도시하는 바와 같이 외부 프레임부(333)의 상면과 탑재대(301)의 탑재면(정전 유지부의 기판 유지면)을 거의 같은 높이로 하여, 외부 프레임부(333)의 상면이 탑재대(301)의 탑재면으로부터 돌출하지 않도록 하고 있었다.
이러한 구성에서는, 예컨대 도 4에 도시하는 바와 같이 기판 G가 He 가스의 가스 구멍(354)의 형성 영역 R에서 벗어날 정도로 크게 위치 어긋나고 있는 경우에는, 가스 구멍(354)의 형성 영역 R 상의 기판 G가 없는 부분으로부터 He 가스가 누설하기 때문에, He 가스의 누출량이 커진다. 따라서, 이 경우에는, He 가스의 누출량을 모니터링함으로써 기판 G가 위치 어긋나고 있는 것을 검출할 수 있는 것으로 생각된다.
이것에 대하여, 도 5에 도시하는 바와 같이 기판 G가 He 가스의 가스 구멍(354)의 형성 영역 R를 벗어나지 않을 정도의 미소한 위치 어긋남의 경우는, 가스 구멍(354)의 형성 영역 R 상에 기판 G가 있으므로 He 가스의 누출량은 거의 변화하지 않기 때문에, 기판 G의 위치 어긋남을 검출할 수 없다.
그러나, 기판 G의 위치 어긋남이 가스 구멍(354)의 형성 영역 R를 벗어나지 않는 정도이더라도, 서셉터(310) 상의 일부(기판 유지면의 일부)가 노출해 버리면, 도 5에 도시하는 바와 같이 기판 G 상에 플라즈마 PZ를 형성했을 때에 이상 방전이 발생하여 서셉터(310)를 손상시킬 우려가 있다.
그래서, 본 실시예에서는, 외부 프레임부의 상부에 기판의 기준 위치로부터 소정의 기판 위치 어긋남 허용량만큼 이격하여 위치 어긋남 검출용 돌기를 형성함으로써, 기판이 소정의 기판 위치 어긋남 허용량을 넘어 위치 어긋나고 있는 경우에는, 기판의 일부가 위치 어긋남 검출용 돌기에 얹혀 가스 구멍으로부터의 열전도 가스의 누출량이 증대하는 것을 이용하여, 기판의 위치 어긋남을 검출할 수 있도록 했다.
이것에 의하면, 예컨대 기판이 열전도 가스의 가스 구멍 형성 영역을 벗어날 정도로 크게 위치 어긋나고 있는 경우는 물론, 서셉터 상의 일부(기판 유지면의 일부)가 노출되는 정도로 미소하게 위치 어긋나고 있는 경우에도, 열전도 가스가 가스 구멍으로부터의 누출량이 증대하기 때문에, 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 예컨대 제어부(400)에 의해 압력 조정 밸브(PCV)(362)의 마노미터(363)로 검출된 압력으로부터 가스 유로(352)를 통류하는 열전도 가스의 압력에 근거하여 열전도 가스의 누출량을 모니터링하고, 누출량이 미리 설정값을 넘는 경우에는, 기판 G가 위치 어긋나고 있는 것이라고 판단할 수 있다. 이와 같이, 제어부(400)는 기판 G의 위치 어긋남 검출 수단을 구성한다. 이에 따라, 기판 G 상에 플라즈마 PZ를 형성하기 전에 위치 어긋남을 검출할 수 있기 때문에, 기판의 위치 어긋남에 의한 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다.
이러한 본 실시예에 따른 위치 어긋남 검출용 돌기의 구성예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 도 3은 외부 프레임부(330)의 상부에 단부를 형성하고, 이 단부를 위치 어긋남 검출용 돌기(332)로 한 경우의 구체예이다.
도 3을 예로 들어, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)의 배치예를 설명한다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 기판 G의 사이즈를 LG로 하고, 탑재대(300)의 기판 유지면, 즉 정전 유지부(320)의 기판 유지면의 사이즈를 LS로 한다. 또, 여기서의 사이즈는 기판 G 등의 직사각형 형상 중 어느 한 변의 길이를 나타낸다.
이 경우, 기판 유지면의 사이즈 LS는, 기판 G의 사이즈 LG보다 치수 2a만큼 작은 것으로 한다. 즉, 기판 유지면과 기판 G의 중심이 일치하고, 기판 G의 각 변이 기판 유지면의 각 변과 평행하게 되는 기판 G의 위치를 기준 위치라고 하면, 기판 G가 기준 위치에 있을 때에는, 기판 유지면에서 기판 G의 가장자리가 전체 둘레에 걸쳐 치수 a만큼 돌출하는 것으로 된다.
또한, 기판 G가 기준 위치에 있다고 했을 때의 기판 G의 가장자리로부터 치수 b만큼 떨어진 위치에 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를 형성했다고 하면, 상기의 각 치수 a, b의 관계는, a>b인 것이 바람직하다. 이러한 위치에 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를 배치함으로써, 예컨대 도 6에 도시하는 바와 같이, 기판 G가 기준 위치로부터 위치 어긋나고 있더라도, 기판 G가 위치 어긋남 검출용 돌기(332)에 얹혀 있지 않는 위치에서는, 서셉터(310) 상의 일부(기판 유지면의 일부)가 노출되는 경우는 없다. 이 치수 b는 위치 어긋남 허용량이며, 기판 G의 가장자리로부터 치수 b까지의 범위는, 서셉터(310) 상의 일부(기판 유지면의 일부)가 노출하지 않는 범위이며, 이 범위에서는 이상 방전이 발생하지 않기 때문에, 기판 G의 위치 어긋 남을 허용할 수 있는 범위로 된다.
이것에 대하여, 도 7에 도시하는 바와 같이 서셉터(310) 상의 일부(기판 유지면의 일부)가 노출될 정도로 기판 G가 위치 어긋나고 있는 경우에는, 기판 G가 위치 어긋남 검출용 돌기(332)에 얹혀 있기 때문에, 가스 구멍(354)으로부터의 He 가스의 누출량이 증대하기 때문에, 이것들의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 이에 따라, 기판 G의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 기판 G의 위치 어긋남에 의한 이상 방전의 발생을 미연에 방지할 수 있다.
또한, 외부 프레임부(330)의 상부(위치 어긋남 검출용 돌기(332)보다 내측의 낮은 부분)의 높이를 h1로 하고, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)의 상부의 높이를 h2로 하고, 기판 유지면의 높이를 h라고 하면, 각 높이 h1, h, h2의 관계는, h1≤h<h2인 것이 바람직하다. 이러한 위치에 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를 배치함으로써, 기판 G가 위치 어긋남 검출용 돌기(332)에 얹혔을 때에, 기판 유지면에서 기판 G를 들어올릴 수 있기 때문에 He 가스의 가스 구멍(354)으로부터의 누출량을 증대시킬 수 있다.
또한, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를 외부 프레임부(330)의 상부에 형성한다고 하는 간단한 구성으로, 기판 G의 위치 어긋남을 검출할 수 있어, 기판 G의 위치 어긋남에 의한 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다. 이러한 위치 어긋남 검출용 돌기(332)는, 기판 G가 기판 유지면의 기준 위치에 있다고 한 경우의 기판 G의 외주를 따라 형성된다. 예컨대 도 8에 도시하는 바와 같이 위치 어긋남 검출용 돌기(332)는, 외부 프레임부(330) 상에, 점선으로 나타내는 기판 유지면의 기준 위치에 있는 기판 G에서 상기 위치 어긋남 허용량에 상당하는 치수 b만큼 떨어진 위치로부터 외측에 외부 프레임부(330)의 전체 둘레에 걸쳐 형성된다. 또, 외부 프레임부(330)는, 반드시 일체로 구성하지 않더라도 좋고, 예컨대 복수로 분할된 프레임 부재를 조합시킨 분할 구조로 구성하더라도 좋다. 또한, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)에 관해서도, 일체로 구성하더라도 좋고, 분할 구조로 구성하더라도 좋다.
또한, 도 9에 도시하는 바와 같이, 장기말 형상으로 형성한 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를, 기판 G의 외주를 따라 복수 배치하더라도 좋다. 이 경우, 예컨대 기판 G가 짧은 쪽의 변을 따라 하나씩 배치하고, 긴 쪽의 변을 따라 2개씩 등 간격에 배치하도록 한다. 또, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)의 수는 이것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를 기판 G의 각 변에 따라 2개 또는 3개 이상 마련하더라도 좋고, 또한 기판 G의 각 변에 마련하는 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를 동일 수로 해도 좋고, 또한 다른 수로 해도 좋다.
이러한 장기말 형상의 위치 어긋남 검출용 돌기(332)로서는, 도 10에 도시하는 바와 같이 외부 프레임부(330)의 위에 외부 프레임부(330)와 일체적으로 구성하더라도 좋고, 또한 도 11, 도 12에 도시하는 바와 같이 외부 프레임부(330)와는 별개로 착탈 가능하게 구성하더라도 좋다. 도 11은, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)의 하측에 나사부를 마련하고, 외부 프레임부(330)에 나사로 고정한 경우의 예이다. 또한, 도 12는, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)에 나사 구멍을 마련하고, 이 나사 구멍에 나사를 통해서 나사 고정한 경우의 예이다. 이와 같이, 검출용 돌 기(332)를 외부 프레임부(330)에 착탈 가능하게 마련하는 것에 따라, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)의 교환이 용이해진다. 또한, 기판 G의 형상 등에 따라 적절한 위치로 배치를 바꿀 수 있고, 또한, 적절한 형상의 것으로 교환할 수도 있다.
또한, 위치 어긋남 검출용 돌기(332)는, 도 13에 도시하는 바와 같이 기판 G가 기판 유지면의 기준 위치에 있다고 한 경우의 기판 G의 외주를 따라 프레임 형상으로 형성하더라도 좋고, 또한, 도 14에 도시하는 바와 같이 L자 형상의 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를 각각 4개의 각부에 나사 등으로 고정하도록 하더라도 좋다. 이러한 장기말 형상의 위치 어긋남 검출용 돌기(332)이면, 외부 프레임부의 상부에 나사로 부착한다고 하는 매우 간단한 구성으로, 기판 G의 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 또, 외부 프레임부(330)는, 반드시 일체로 구성하지 않더라도 좋고, 예컨대 복수로 분할된 프레임 부재를 조합시킨 분할 구조로 구성하더라도 좋다. 또한, 도 13에 나타내는 위치 어긋남 검출용 돌기(332)에 관해서도, 일체로 구성하더라도 좋고, 또한 분할 구조로 구성하더라도 좋다.
또, 상기 탑재대(300)의 기판 유지면의 구성은, 도 3에 나타내는 것에 한정되는 것이 아니다. 예컨대 도 15(a), 도 15(b)에 도시하는 바와 같이 기판 유지면에 가스 구멍(354)의 형성 영역 R 전체에 걸쳐 매우 얕은 오목부(356)를 마련하도록 하더라도 좋다. 이 오목부(356)에 의해, 가스 구멍 형성 영역 R과 기판 G 사이에 공간이 생기고, 각 가스 구멍(354)으로부터 분출하는 He 가스는, 오목부(356)에 의해 형성된 공간 내에 들어가기 때문에, He 가스에 의해 기판 G의 면내를 보다 균일하게 온도 조정할 수 있다. 또한, 상기 오목부(356)의 하면에는, 이 오목 부(356)가 형성되어 있는 영역 내에서 기판 G를 유지하는 다수의 볼록부(355)가 격자 형상으로 마련되어 있다.
이 경우라도, 도 15(a), 도 15(b)에 도시하는 바와 같이 가스 구멍 형성 영역 R에 오목부(356)를 마련하는 것에 따라, 그 외주에 걸쳐 치수 c의 폭으로 프레임부(358)가 형성된다. 이것 때문에, 기판 G가 정전 흡착력에 의해 기판 유지면에 유지되는 것에 의해, 기판 G은 프레임부(358)에 소정의 압력으로 꽉 눌리기 때문에, He 가스가 밀봉된다.
또, 이 프레임부(358)에는, 도 16(a), 도 16(b)에 나타내는 것 같은 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)을 형성하고, 이 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)을 오목부(356)와 기판 G 사이에 형성되는 공간에 연결시키기 위한 연통로(318)를 형성하도록 하더라도 좋다. 또, 이 경우, 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)은, 도 16(a)에 도시하는 바와 같이, 예컨대 프레임부(358)의 4개의 각부에 마련하는 것이 바람직하다.
이러한 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)에는, 연통로(318)를 거쳐서 He 가스가 흐른다. 이것 때문에, 예컨대 도 16(a)에 도시하는 바와 같이, 기판 G가 위치 어긋남하지 않는 경우에는, 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)은 기판 G에 의해 막힐 수 있기 때문에 He 가스가 새지 않지 않는 데 대하여, 예컨대 도 17, 도 18에 도시하는 바와 같이 기판 G가 서셉터(310) 상의 일부(기판 유지면의 일부)가 노출될 정도로 위치 어긋나고 있는 경우에는, 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)으로부터의 He 가스의 누출량이 증대하기 때문에, 위치 어긋남을 검출할 수 있다. 이것 에 의해, 기판 G의 위치 어긋남을 어느 정도 허용하면서, 기판 G의 위치 어긋남에 의한 이상 방전의 발생을 미연에 막을 수 있다.
또한, 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)을 프레임부(358)의 4개의 각부에 마련하기 때문에, 이 4개의 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)만으로, 예컨대 도 17과 같이 기판 G가 기판 유지면에 대하여 평행하게 위치 어긋나고 있는 경우뿐만 아니라, 도 18에 도시하는 바와 같이 기판 G가 기판 유지면에 대하여 사행하여 위치 어긋나고 있는 경우에 대해서도, 기판 G의 위치 어긋남을 검출할 수 있다.
또, 상술한 바와 같이, 도 16(a), 도 16(b)에 나타내는 것 같은 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)을 형성하는 경우에는, 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)에 의해 기판 G의 위치 어긋남을 검출할 수 있기 때문에, 반드시 도 3에 나타내는 것 같은 위치 어긋남 검출용 돌기(332)를 마련할 필요는 없다. 구체적으로는 예컨대 도 4에 나타내는 탑재대(301)의 기판 유지면에 도 16(a), 도 16(b)에 나타내는 기판 위치 어긋남 검출 구멍(317)을 형성할 수도 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는 것은 물론이다. 당업자이면, 특허청구의 범위에 기재된 범위 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 이를 수 있는 것은 분명하고, 그것들에 관해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다.
예컨대 상기 실시예에서는, 본 발명을 적용 가능한 플라즈마 처리 장치로서, 용량 결합형 플라즈마(CCP) 처리 장치를 예로 들어 설명했지만, 반드시 이것에 한 정되는 것이 아니라, 저압에서 고밀도의 플라즈마 생성을 가능한 유도 결합 플라즈마(ICP) 처리 장치에 본 발명을 적용하더라도 좋다.
또한, 그 외에, 플라즈마 생성으로서 헬리콘파 플라즈마 생성, ECR(Electron Cyclotron Resonance) 플라즈마 생성을 이용한 플라즈마 처리 장치 등에도 본 발명을 적용 가능하다.
본 발명은, 기판 유지 기구 및 플라즈마 처리 장치에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 처리 장치의 외관 사시도,
도 2는 동일 실시예에 있어서의 플라즈마 처리 장치를 구성하는 처리실의 단면도,
도 3은 탑재대의 열전도 가스 공급 기구의 구성예를 설명하기 위한 도면,
도 4는 종래의 탑재대의 작용을 설명하기 위한 도면으로서, 기판이 가스 구멍 형성 영역 R에서 벗어날 정도로 크게 위치 어긋나고 있는 경우를 나타내는 도면,
도 5는 종래의 탑재대의 작용을 설명하기 위한 도면으로서, 기판이 가스 구멍 형성 영역 R에서 벗어나지 않을 정도로 미소하게 위치 어긋나고 있는 경우를 나타내는 도면,
도 6은 동일 실시예에 따른 탑재대의 작용을 설명하기 위한 도면으로서, 기판의 위치 어긋남을 허용할 수 있는 경우를 나타내는 도면,
도 7은 종래의 탑재대를 설명하기 위한 도면으로서, 기판의 위치 어긋남을 허용할 수 없는 경우를 나타내는 도면,
도 8은 동일 실시예에 있어서의 위치 어긋남 검출용 돌기의 구성예를 설명하기 위한 사시도,
도 9는 동일 실시예에 있어서의 위치 어긋남 검출용 돌기의 다른 구성예를 설명하기 위한 사시도,
도 10은 도 9에 나타내는 위치 어긋남 검출용 돌기의 구체예를 설명하기 위 한 단면도,
도 11은 도 9에 나타내는 위치 어긋남 검출용 돌기의 변형예를 설명하기 위한 단면도,
도 12는 도 9에 나타내는 위치 어긋남 검출용 돌기의 다른 변형예를 설명하기 위한 단면도,
도 13은 동일 실시예에 있어서의 위치 어긋남 검출용 돌기의 다른 구성예를 설명하기 위한 사시도,
도 14는 동일 실시예에 있어서의 위치 어긋남 검출용 돌기의 다른 구성예를 설명하기 위한 사시도,
도 15(a)는 동일 실시예에 따른 탑재대의 기판 유지면의 다른 구성예를 설명하기 위한 도면으로서, 탑재대를 위쪽으로부터 본 경우의 평면도,
도 15(b)는 도 15(a)의 P1-P1' 단면도,
도 16(a)는 동일 실시예에 따른 탑재대의 기판 유지면의 다른 구성예를 설명하기 위한 도면으로서, 탑재대를 위쪽으로부터 본 경우의 평면도,
도 16(b)는 도 16(a)의 P2-P2' 단면도,
도 17은 도 16(a)에 나타내는 탑재대의 기판 유지면에 대하여 기판이 평행하게 위치 어긋나고 있는 경우를 도시하는 도면,
도 18은 도 16(a)에 나타내는 탑재대의 기판 유지면에 대하여 기판이 사행하여 위치 어긋나고 있는 경우를 도시하는 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 처리 장치 102, 104, 106 : 게이트 밸브
110 : 반송실 120 : 로드록실
130 : 기판 반출입 기구 140 : 인덱서
142 : 카세트 200 : 처리실
202 : 처리 용기 204 : 기판 반입출구
208 : 배기관 209 : 배기 장치
210 : 샤워 헤드 222 : 버퍼실
224 : 토출 구멍 226 : 가스 도입구
228 : 가스 도입관 230 : 개폐 밸브
232 : 매스플로우 제어기 234 : 처리 가스 공급원
300 : 탑재대 302 : 베이스 부재
310 : 서셉터 311 : 절연 피막
312 : 정합기 314 : 고주파 전원
315 : DC 전원 316 : 스위치
317 : 기판 위치 어긋남 검출 구멍 318 : 연통로
320 : 정전 유지부 322 : 전극판
330 : 외부 프레임부 332 : 위치 어긋남 검출용 돌기
333 : 외부 프레임부 340 : 냉매 유로
352 : 가스 유로 354 : 가스 구멍
356 : 오목부 358 : 프레임부
362 : 압력 조정 밸브(PCV) 363 : 마노미터
364 : 가스 공급원 400 : 제어부
G : 기판

Claims (13)

  1. 플라즈마가 생성되는 공간 내에서 절연체로 이루어지는 직사각형의 피처리 기판을 탑재 유지하는 기판 유지 기구로서,
    상기 피처리 기판을 탑재 유지하는 직사각형의 탑재대와,
    상기 탑재대와 이 탑재대의 기판 유지면에 유지된 피처리 기판 사이에 가스를 공급하기 위한 가스 유로와,
    상기 탑재대의 기판 유지면에 형성되고, 상기 가스 유로로부터의 가스를 상기 기판 유지면 상으로 안내하는 복수의 가스 구멍과,
    상기 가스 구멍이 형성되는 영역이 상기 기판 유지면의 내측이 되도록 하고, 상기 가스 구멍 형성 영역 전면에 걸쳐 형성되는 오목부와,
    상기 기판 유지면의 상기 가스 구멍 형성 영역의 외주에 형성되는 프레임부와,
    상기 프레임부에 형성한 복수의 기판 위치 어긋남 검출 구멍과,
    상기 기판 위치 어긋남 검출 구멍과 상기 오목부를 연결하는 연통로와,
    상기 가스 유로의 압력을 측정하는 압력 측정 수단과,
    상기 탑재대 상에 피처리 기판을 유지했을 때에, 상기 압력 측정 수단으로부터의 검출 압력에 근거하여 상기 가스 구멍으로부터의 가스의 누출량을 검출하고, 그 검출 결과에 근거하여 상기 소정의 위치 어긋남 허용량 이상의 상기 피처리 기판의 위치 어긋남의 유무를 검출하는 위치 어긋남 검출 수단
    을 구비하되,
    상기 오목부의 하면에는, 이 오목부가 형성되어 있는 영역 내에서 상기 기판을 유지하는 다수의 볼록부가 마련되어 있는
    것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 위치 어긋남 검출 구멍은, 상기 프레임부의 4개의 각부(角部)에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  3. 삭제
  4. 플라즈마가 생성되는 공간 내에서 절연체로 이루어지는 피처리 기판을 탑재 유지하는 기판 유지 기구로서,
    상기 피처리 기판을 탑재 유지하는 탑재대와,
    상기 탑재대와 이 탑재대의 기판 유지면에 유지된 피처리 기판 사이에 가스를 공급하기 위한 가스 유로와,
    상기 탑재대의 기판 유지면에 형성되고, 상기 가스 유로로부터의 가스를 상기 기판 유지면 상으로 안내하는 복수의 가스 구멍과,
    상기 피처리 기판이 상기 탑재대의 기판 유지면의 기준 위치에 있다고 했을 때의 그 피처리 기판의 가장자리보다 외측에 소정의 위치 어긋남 허용량만큼 이격하여 상기 가장자리를 따라 배치되고, 상기 탑재대의 기판 유지면보다 높아지도록 돌출한 위치 어긋남 검출용 돌기와,
    상기 가스 유로의 압력을 측정하는 압력 측정 수단과,
    상기 탑재대 상에 피처리 기판을 유지했을 때에, 상기 압력 측정 수단으로부터의 검출 압력에 근거하여 상기 가스 구멍으로부터의 가스의 누출량을 검출하고, 그 검출 결과에 근거하여 상기 소정의 위치 어긋남 허용량 이상의 상기 피처리 기판의 위치 어긋남의 유무를 검출하는 위치 어긋남 검출 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 위치 어긋남 허용량은, 상기 탑재대에 피처리 기판을 유지했을 때에 상기 탑재대의 기판 유지면이 노출되지 않는 범위로 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 탑재대는, 서셉터와, 상기 서셉터 상에 마련되고, 상기 기판 유지면에서 상기 피처리 기판을 유지하는 기판 유지부와, 상기 서셉터 및 상기 기판 유지부의 주위를 둘러싸도록 배치되는 외부 프레임부를 구비하고,
    상기 위치 어긋남 검출용 돌기는 상기 외부 프레임부의 상부에 형성되는 것
    을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 유지면의 사이즈는, 상기 피처리 기판의 사이즈보다 치수 2a만큼 작은 것으로 하고, 상기 위치 어긋남 허용량을 치수 b라고 하면, 각 치수 a, b의 관계는 a>b인 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 외부 프레임부의 상부의 높이를 h1로 하고, 상기 위치 어긋남 검출용 돌기의 상부의 높이를 h2로 하고, 상기 기판 유지면의 높이를 h라고 하면, 상기 각 높이 h1, h, h2의 관계는, h1≤h<h2인 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 위치 어긋남 검출용 돌기는 상기 피처리 기판의 가장자리를 따라 프레임 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 위치 어긋남 검출용 돌기는 장기말(駒) 형상으로 형성하고,
    상기 장기말 형상의 위치 어긋남 검출용 돌기를 상기 피처리 기판의 가장자리를 따라 복수 마련한 것
    을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  11. 제 4 항에 있어서,
    상기 위치 어긋남 검출용 돌기는 착탈 가능하게 마련한 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 유지부는, 하부 유전체층과 상부 유전체층 사이에 전극판을 유지하여 구성하고, 상기 전극판에 소정의 전압을 인가함으로써 발생하는 정전 흡착력에 의해 상기 기판 유지면에 상기 피처리 기판을 흡착 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 유지 기구.
  13. 처리실 내에 처리 가스를 도입하고, 상기 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 것에 따라, 처리실 내의 탑재대에 탑재 유지된 절연체로 이루어지는 피처리 기판에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치로서,
    상기 탑재대와 이 탑재대의 기판 유지면에 유지된 피처리 기판 사이에 가스를 공급하기 위한 가스 유로와,
    상기 탑재대의 기판 유지면에 형성되고, 상기 가스 유로로부터의 가스를 상기 기판 유지면 상으로 안내하는 복수의 가스 구멍과,
    상기 피처리 기판이 상기 탑재대의 기판 유지면의 기준 위치에 있다고 했을 때의 그 피처리 기판의 가장자리보다 외측에 소정의 위치 어긋남 허용량만큼 이격 하여 상기 가장자리를 따라 배치되고, 상기 탑재대의 기판 유지면보다 높아지도록 돌출한 위치 어긋남 검출용 돌기와,
    상기 가스 유로의 압력을 측정하는 압력 측정 수단과,
    상기 탑재대 상에 피처리 기판을 유지했을 때에, 상기 압력 측정 수단으로부터의 검출 압력에 근거하여 상기 기판 위치 어긋남 검출 구멍으로부터의 가스의 누출량을 검출하고, 그 검출 결과에 근거하여 상기 소정의 위치 어긋남 허용량 이상의 상기 피처리 기판의 위치 어긋남의 유무를 검출하는 위치 어긋남 검출 수단
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010045071A (ja) * 2008-08-08 2010-02-25 Nikon Corp 検知装置、基板保持部材、搬送装置および接合装置
JP5871453B2 (ja) * 2010-05-20 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置，基板保持機構，基板位置ずれ検出方法
JP5689283B2 (ja) * 2010-11-02 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその方法を実行するプログラムを記憶する記憶媒体
CN104538334B (zh) * 2014-12-17 2017-08-08 中国地质大学（北京） 一种多功能等离子体腔室处理系统
KR101632606B1 (ko) * 2014-12-30 2016-06-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101694754B1 (ko) * 2016-09-08 2017-01-11 (주)브이앤아이솔루션 정전척 및 그 제조방법
US9922857B1 (en) 2016-11-03 2018-03-20 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring
KR102397545B1 (ko) 2017-05-02 2022-05-12 삼성전자주식회사 척 스테이지 이물질 감지 장치
KR102056855B1 (ko) * 2018-05-29 2019-12-17 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 장치
JP7203585B2 (ja) * 2018-12-06 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板支持器、基板処理装置、基板処理システム、及び基板支持器における接着剤の浸食を検出する方法
JP7058239B2 (ja) * 2019-03-14 2022-04-21 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
CN114345742A (zh) * 2021-12-31 2022-04-15 苏州汇川控制技术有限公司 芯片安装位置的检测方法、装置、设备和介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189374A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Nikon Corp 基板処理装置及び荷電粒子線露光装置
JP2005136350A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Tokyo Electron Ltd 静電吸着装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10144771A (ja) * 1996-11-06 1998-05-29 Sony Corp 半導体製造装置
JP4030030B2 (ja) * 1998-04-24 2008-01-09 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着ホルダの吸着力検出方法と装置
JP4126286B2 (ja) * 2001-02-08 2008-07-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
TWI226303B (en) * 2002-04-18 2005-01-11 Olympus Corp Substrate carrying device
JP2005116645A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2006232477A (ja) * 2005-02-24 2006-09-07 Fuji Photo Film Co Ltd シート体位置決め治具及びそれを用いた描画装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001189374A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Nikon Corp 基板処理装置及び荷電粒子線露光装置
JP2005136350A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Tokyo Electron Ltd 静電吸着装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

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