KR960005830A - 큰 기판상에서 필름층을 에칭하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 상기 챔버의 측벽으로 부터 매달려지는 지지체 부재를 포함하는 기판을 처리하기 위한 챔버에 관한 것으로서, 상기 지지체 부재는 다중평면을 포함하여 기판을 수용하고, 그리고 수평 위치에서는 다중 평면을 위치시키도록 수평축에 관해 회전 가능하여 평면상에 기판을 배치하거나 또는 평면으로부터 기판을 제거하고 그리고 제2위치에서는 처리를 위해 기판을 비 수평 위치로 기판을 배치하고, 클램핑 및 리프팅 장치가 지지체 부재상에 제공되고, 지지체 부재에 관해서는 연장된 위치에서는 상기 기판을 지지체 부재에 클램핑되도록 하고 클램프 작용기가 상기 챔버 벽상에서 제공되어 연장된 위치와 철수된 위치 사이에서 클램핑 및 리프팅 어셈블리를 운동시키는 기판 처리 챔버에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 지지체 부재가 기판을 챔버에 장착하고 그리고 챔버로 부터 기판을 탈착하도록 위치시킨 본 발명의 에칭 챔버 및 지지체 스텐드의 부분 사시도이다.
제2도는 지지체 부재가 기판을 챔버에 장착 그리고 챔버로 부터 기판을 탈착하도록 위치시킨 것을 나타내기 위해 챔버벽을 투시여 나타낸 본 발명의 에칭 챔버의 사시도이다.
제3도는 상기 지지체 부재를 상기기판 에칭 위치로 위치 시키도록 하고 본 발명의 에칭 챔버를 부분적으로 도시한 사시도이다.
Claims (38)
- 기판상에서 필름 층에서 에칭하기 위한 장치로서 a)밀폐물과, 그리고 b)상기 밀폐물내에 수용된 기판 지지체 부재를 포함하고 있으며, 상기 기판 지지폐 부재는 다수의 편평한 기판 수용 표면을 포함하고 있고, 상기 기판 지지체 부재는 적어도 하나의 상기 기판수용 표면상에 기판을 수용할 수 있도록 상기 적어도 하나의 기판 수용 표면이 수평으로 놓여지는 제1위치와, 그리고 상기 제1위치와는 다른 위치로서 상기 기판상에 필름을 에칭하기 위한 제2위치에 각각 위치시키는 것이 가능한 장치.
- 제1항에 있어서, 적어도 하나의 상기기판 수용표면에 대해서 선택적으로 위치가능한 클램프 부재를 더 포함하고 있는 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 클램프 부재는 적어도 하나의 클램프 핑거를 포함하고 있는 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 클램프 부재는 적어도 하나의 클램프 리프트 부재를 더 포함하고 있는 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 클램프 부재는 상기 클램프 핑거가 상기 기판수용 표면에 기판을 고정시키도록 상기 기판에 대해서 맞물리는 제1위치로 위치하능한 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 클램프 부재는 상기 클램프 리프트 부재가 상기 지지체 부재 윗쪽으로 상기 기판을 지지하는 제2위치로도 위치가능한 장치.
- 제6항에 있어서, 클램프 링을 더 포함하고 있으며, 상기 클램프 리프트 부재 및 상기 클램프 핑거가 상기 클램프 링에 연결되어 있는 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 클램프 링과 상기 기판 지지체 부재의 중간에 배치된 클램프 바이어스 부재를 더 포함하고 있는 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 클램크 바이어스 부재는 상기 기판 지지체 부재로 부터 바깥쪽으로 연장하여 스프링 작용의 축을 포함하고 있는 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 클램프부재를 상기 제1위치와 상기 제2위치사이에서 자동시키는 클램프 작용기를 더 포함하고 있는 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 클램프 작용기는 상기 밀폐물을 통해 연장되는 다수의 로드를 포함하고 있는 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 로드는 혹 부분을 더 포함하고 그리고 상기 훅 부분은 상기 클램프 부재와 선택적으로 맞물릴 수 있는 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 클램프 링은 적어도 하나의 연장되는 부분은 더 포함하고, 그리고 상기 훅 부분을 상기 연장부분과 맞물릴 수 있는 장치.
- 기판 지지체 부재의 수용 부분상에서 기판을 위치시키기 위한 장치로서, a)연장된 위치와 철수된 위치사이에서 선택적으로 작용 가능하여 상기 기판 지지체 부재와 인접하게 기판을 선택적으로 위치시키는 브래이드와, b)기판이 수용부분에 인접하게 위치될 수도 있는 제1부분 및 상기 리프팅 부재가 상기 블레이드로 부터 기판을 들어올리도록 하는 제2위치로 위치시키는 부재와, c)상기 제2위치로 부터 상기 제1위치로 리프트팅 부재를 바이어스 시키는 바이어스 부재와, 그리고, d)상기 리프팅 부재와 선택적으로 맞물릴 수 있어서 상기 제1위치와 제2위치 상이에서 상기 리프팅 부재를 선택적으로 작용하게 하는 작용부재를 포함하고 있는 장치.
- 제14항에 있어서, 상기 기판 지지체 부재가 밀폐물 벽을 갖는 챔버내에서 위치되고, 그리고, 상기 작용부재가 상기 밀폐물 벽에서 수용되고 그리고 상기 밀폐물 벽으로 부터 선택적으로 연장 가능하여 상기 제1위치와 제2위치 사이에서 상기 리프팅 부재를 선택적으로 위치시키는 장치.
- 제15항에 있어서, 상기 기판 지지체 부재상에서 선택적으로 위치 시키는 것이 가능한 클램프 부재를 더 포함하고 있는 장치.
- 제16항에 있어서, 상기 클램프 부재는 a)상기 기판 지지체 부재상에 수용된 기판의 외측에 관해 위치 가능한 클램프 링과 그리고 b)상기 클램프 링으로부터 연장되는 그리고 상기 기판 지지체 부재상에 수용된 기판과 맞물려서 위치가능한 다수의 클램프 핑거를 포함하고 있는 장치.
- 제17항에 있어서, 상기 리프팅 부재가 상기 클램프 링에 부착되는 장치.
- 제18항에 있어서, 상기 리프팅 부재는 상기 클램프 링으로부터 연장되고, 상기 클램프 핑거에 관해서는 이격된 기판 수용부분을 포함하여 상기 클램프 핑거와 상기 리프팅 부재 사이에 갭을 제공하는 장치.
- 제19항에 있어서, 상기 기판 지지체 부재는 상기 리프팅 부재가 선택적으로 위치 시키는 것이 가능한 리세스르 포함하는 장치.
- 제20항에 있어서, 상기 클램프 부재가 a)상기 리세스 내에서 리프팅 부재를 위치시키고 그리고 상기 기판 지지체 부재상에서 수용된 기판과 맞물된 상기 클램프 핑거를 위치시키는 제1위치와 b)상기 클램프 부재가 상기 기판 지지체 부재로 부터 연장되어 상기 기판의 지지체 부재로 부터 일정 거리에서 리프팅 부재상에서 기판을 위치시키는 제2위치와 그리고, c)상기 1위치와 제2위치의 중간에서 상기 블레이드 상에서 기판을 위치시키는 중간 위치 사이에서 위치조정이 가능한 장치.
- 제21항에 있어서, 상기 기판 지지체 부재가 적어도 2개의 상기 기판 수용면을 갖는 캐소우드이고, 상기 밀폐물 벽에는 슬릿밸브가 갖춰지는데 그것을 통해 기판을 삽입하고 제거할 수 있게 하고, 그리고 상기 캐소우드는 상기 슬릿 밸브와 상기 캐소우드의 상기 기판 수용면을 배열할 수 있도록 수용 가능한 장치.
- 상기 밀폐물 벽을 통한 접근 구경부와 밀폐물 벽을 갖는 챔버내에 배치된 제1기판 수용표면에 대해 기판을 위치시키고 그리고 클램핑 시키는 방법으로서, a)상기 기판 수용 표면에 관해 선택적으로 위치 가능하도록 하는 리프트 부재를 제공하는 단계와 b)상기 기판 수용 표면에 관해 선택적으로 위치 가능하도록 하는 클램프 핑거를 제공하도록 하는 단계와 c)클램프 링과 상기 리프트 부재 및 클램프 핑거를 접속하는 단계와, d)기판 및 리프팅 부재와 클램핑 핑거 중간에 기판 위치 조정 블레이드를 배치하기위해 충분한 갭 만큼 리프트 부재와 클램프 핑거를 이격시키는 단계와 e)상기 크래프 핑거가 제1기판 수용면으로 부터 이격되는 제1위치에서 클램프 링을 위치시키는 단계로서 지지체 블레이드 상에서 제1기판 수용면과 클램프 핑거 중간에 기판을 배치하도록 하는 단계와, f)상기 클램프 링이 제1기판 수용면의 바깥쪽으로 운동하여 기판을 지지체 블레이드로 부터 상기 기판을 상승시키는 단계와, g)상기 밀폐물로 부터 지지체 부재를 철수시키는 단계와 그리고, h)상기 클램프 링이 제1기판 수용면 상에서 기판을 위치시키고 그리고 노출된 기판의 표면과 맞물리게 클램프 핑거를 배치하도록 하는 단계를 포함하고 있는 방법.
- 제23항에 있어서, 추가로 클램프 링 및 기판 지지체 표면의 중간에 바이어스 부재를 제공하고 상기 기판지지체 표면 대해 클램프 링을 바이어스 하도록 하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제24항에 있어서, 상기 밀폐물 벽으로 부터 클램프 부재로 연장 가능한 작용부재를 작용하여 기판 수용표면에 관해 클램프 부재를 선택적으로 위치할 수 있도록 하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제25항에 있어서 a)상기 밀폐물내에서 캐소우드를 제공하고 그리고 상기 제1기판 수용 수면을 위치시키는 단계와, b)제1기판 수용표면에 평행하게 상기 캐소우드 상에서 제2기판 수용표면을 제공하는 단계와, c)상기 제1기판 수용 표면상에서 기판을 위치시키는 단계와, d)구경부가 제2기판 수용 표면에 배열되게 캐소우드를 회전시키는 단계와 그리고 e)상기 제2기판 수용면상에 제2기판을 위치시키는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제26항에서 상기 챔버가 반응성 이온 에칭 챔버인 방법.
- 챔버내에서 기판을 처리하기 위한 방법으로서, a)상기 챔버내에서 적어도 2개의 기판 수용면을 갖는 지지체 부재를 제공하는 단계와, b)슬릿 밸브가 있는 하나의 기판 수용면을 배열하고 그리고 슬릿 밸브를 통해 그리고 기판 수용면상에 기판을 장착시키는 단계와 그리고 c)슬릿 밸브가 있는 다른 기판 수용면을 배열하도록 지지체 부재를 수용면상에 기판을 장착시키는 단계로 이루어지는 방법.
- 제28항에 있어서 상기 기판이 상기 챔버에 장착되는 위치와는 다르게 처리되도록 지지체 부재를 회전시키는 추가의 단계를 포함하는 방법.
- 제29항에 있어서, 상기 기판이 처리를 위해 수직으로 위치되는 방법.
- 제29항에 있어서 상기 기판이 처리를 위해 수평으로 부터 적어도 75°에서 위치되는 방법.
- 제29항에 있어서, 상기 지지체 부재의 기판 수용 표면상에 클램프 링을 제공하는 추가 단계를 포함하고 있는 방법.
- 제32항에 있어서, 추가로 a)상기 클램프 링상에서 적어도 2개의 리프트 부재를 제공하는 단계와 b)상기기판이 지지체 부재상에 장착될 때 기판 수용면으로부터 클램프 링을 상승시키는 단계와, c)로보트 블레이드로 부터 상기 기판을 제거하는 단계와 그리고 d) 상기 기판 수용면에 대한 위치로 클램프 링을 운동시켜서, 상기 기판이 기판 수용면상에서 수용되고 그리고 상기 클램프의 적어도 한 부분이 기판과 접촉되고 그리고 상기 지지체 부재에 대해 기판을 클램핑 할 수 있도록 하는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제33항에 있어서a) 상기 챔버 벽 상에 위치되고 그리고 철수된 위치와 연장된 위치 사이에서 연장 가능한 클램프 작용기를 제공하는 단계와, b) 상기클램프 링에 인접한 위치로 작용기를 연장시키는 단계와, c)기판 수용 표면으로 부터 클램프 링을 위치 시키기 위해 작용기와 클램프 링을 상승시켜서 기판이 상기 기판과 클램프링 사이에 삽입되도록 하는 단계와, d)상기 클램프 링이 상기 지지체 부재상에서 상기 판을 클램핑하게 위치시키도록 상기 작용기와 클램프 링을 하강시키는 단계와, 그리고 e)상기 챔버로 부터 상기 작용기를 철수시키는 단계를 더 포함하는 방법.
- 제34항에 있어서, a)혹내에서 종결되는 다수의 로드로 부터 작용기를 형성하는 단계와 그리고 b)작용기와 클램프를 리프팅 시키기 전에 클램프의 표면 아래로 혹을 배치시킬 수 있도록 로드를 회전시키는 단계를 더 포함하는 방법.
- 적어도 하나의 챔버 벽을 갖는 챔버내에서 기판 지지체 부재를 지지하기 위한 장치로서, a)상기 벽내에서의 구경부를 통해 그리고 지지체 부재와의 접촉부로 연장되는 축과, b)상기 구경부에 대해 벽상에 위치되는 하우징으로서, 상기 축이 상기 하우징을 통해 연장되고 지지되는 하우징과, 그리고 c)상기 챔버 벽에 인접하게 배치되는 지지체 스탠드로서, 상기 하우징이 상기 지지체 구경부를 통해 연장되는 지지체 스탠드로 이루어진 장치.
- 제36항에 있어서, 상기 축은 상기 하우징 내에서 회전 가능하게 지지되는 장치.
- 제37항에 있어서, 상기 하우징에 관해 상기 축을 회전시키도록 상기 축에 연결된 상기 하우징 상에서 구동 부재를 더 포함하는 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US6431807B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-08-13 | Novellus Systems, Inc. | Wafer processing architecture including single-wafer load lock with cooling unit |
DE19854743A1 (de) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Vorrichtung zum Naßätzen einer Kante einer Halbleiterscheibe |
US6464795B1 (en) | 1999-05-21 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member for a processing chamber |
US6355108B1 (en) | 1999-06-22 | 2002-03-12 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Film deposition using a finger type shadow frame |
US6516815B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
US6977014B1 (en) | 2000-06-02 | 2005-12-20 | Novellus Systems, Inc. | Architecture for high throughput semiconductor processing applications |
US6860965B1 (en) | 2000-06-23 | 2005-03-01 | Novellus Systems, Inc. | High throughput architecture for semiconductor processing |
US6709721B2 (en) | 2001-03-28 | 2004-03-23 | Applied Materials Inc. | Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties |
US6824612B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless plating system |
US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
US7300829B2 (en) * | 2003-06-02 | 2007-11-27 | Applied Materials, Inc. | Low temperature process for TFT fabrication |
KR100829923B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-05-16 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법 |
US8118940B2 (en) * | 2008-02-07 | 2012-02-21 | Asm Japan K.K. | Clamping mechanism for semiconductor device |
CN203205393U (zh) | 2011-03-01 | 2013-09-18 | 应用材料公司 | 用于转移基板及限制自由基的箍组件 |
JP6114698B2 (ja) | 2011-03-01 | 2017-04-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | デュアルロードロック構成内の除害及びストリップ処理チャンバ |
US11171008B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
US9421617B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-08-23 | Tel Nexx, Inc. | Substrate holder |
US8613474B2 (en) | 2011-07-06 | 2013-12-24 | Tel Nexx, Inc. | Substrate loader and unloader having a Bernoulli support |
KR102068186B1 (ko) | 2012-02-29 | 2020-02-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 로드 록 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버 |
KR20140078284A (ko) * | 2012-12-17 | 2014-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 포함하는 증착 장치 |
GB201301124D0 (en) * | 2013-01-22 | 2013-03-06 | Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd | Substrate carrier |
CN104536170B (zh) * | 2015-01-04 | 2017-03-08 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 去除集成电路的方法及装置 |
US11802340B2 (en) * | 2016-12-12 | 2023-10-31 | Applied Materials, Inc. | UHV in-situ cryo-cool chamber |
PT3376530T (pt) | 2017-03-16 | 2019-11-20 | Atotech Deutschland Gmbh | Dispositivo automatizado de carregamento de suporte de substratos |
US20210265137A1 (en) * | 2020-02-26 | 2021-08-26 | Intel Corporation | Reconditioning of reactive process chamber components for reduced surface oxidation |
CN112911803B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-06-28 | 广州市巨龙印制板设备有限公司 | 一种pcb电路板湿法刻蚀机 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3993909A (en) * | 1973-03-16 | 1976-11-23 | U.S. Philips Corporation | Substrate holder for etching thin films |
DE2930498A1 (de) | 1979-07-27 | 1981-02-12 | Zahnradfabrik Friedrichshafen | Hilfskraftlenkung, insbesondere fuer kraftfahrzeuge |
US4376672A (en) * | 1981-10-26 | 1983-03-15 | Applied Materials, Inc. | Materials and methods for plasma etching of oxides and nitrides of silicon |
US4419076A (en) * | 1982-01-28 | 1983-12-06 | Applied Materials, Inc. | Wafer tray construction |
US4579080A (en) * | 1983-12-09 | 1986-04-01 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
US4553069A (en) * | 1984-01-05 | 1985-11-12 | General Ionex Corporation | Wafer holding apparatus for ion implantation |
EP0189279B1 (en) * | 1985-01-22 | 1991-10-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system |
US4728389A (en) * | 1985-05-20 | 1988-03-01 | Applied Materials, Inc. | Particulate-free epitaxial process |
US4788994A (en) * | 1986-08-13 | 1988-12-06 | Dainippon Screen Mfg. Co. | Wafer holding mechanism |
US4842683A (en) * | 1986-12-19 | 1989-06-27 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
US5104276A (en) * | 1989-05-19 | 1992-04-14 | Applied Materials, Inc. | Robotically loaded epitaxial deposition apparatus |
US5100502A (en) * | 1990-03-19 | 1992-03-31 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer transfer in processing systems |
US5183245A (en) * | 1990-11-21 | 1993-02-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semi-conductor wafer retention clip |
US5154730A (en) * | 1991-05-17 | 1992-10-13 | Materials Research Corporation | Semiconductor wafer processing module having an inclined rotating wafer handling turret and a method of using the module |
US5268067A (en) * | 1992-07-30 | 1993-12-07 | Texas Instruments Incorporated | Wafer clamping method |
CH687986A5 (de) * | 1993-05-03 | 1997-04-15 | Balzers Hochvakuum | Plasmabehandlungsanlage und Verfahren zu deren Betrieb. |
-
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