JP4386603B2 - セル、基板搬送方法及び基板交換方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
発明の開示
１．発明の技術分野
本発明は半導体基板用の基板リフトに関する。特に、本発明は、単一セルの中で複数基板を同時に支えることができる基板リフトに関する。
【０００２】
２．背景技術の説明
半導体基板又はウエハは、一連のプロセスを使って集積回路を生産するために加工される。これらのプロセスの各々は、別個の種類のプロセスセル中で実行される。計測セルとして知られる他のセルは、基板を計測するために使われる。少なくとも一つの基板搬送ロボットによって応対されるセルの集合は、クラスターツールとして知られている。基板搬送ロボットは、一般に、複数のプロセスセルの各々に連結している搬送セルの中に存在しており、プロセスセルの各々の中に位置する半導体基板にアクセスすることができる。また、ロボットは種々のセル間で基板を搬送することができる。
【０００３】
基板搬送ロボットの幾つかは、一つの基板を一度に扱うことができる、一つのロボットブレードを含むように設定されている。他の基板搬送ロボットは、単一のロボットハブに取り付けられた背中合わせのロボットアームを二つ有している。ロボットアームの各々は、別個のロボットブレードを支えている。ロボットブレード（或いは、エンドエフェクタとして知られる）は、（上部から、下部から、又は他の相対的な方向から）基板を支えるロボットの部分である。背中合わせのロボットアーム構成では、第一のエンドエフェクタが基板と相互作用するためにプロセスセルの中に移動すると、第二のエンドエフェクタは、第一のエンドエフェクタから１８０度離れて向くように強制される。第一の基板リフトが基板と相互作用する結果として、第二のエンドエフェクタが位置において拘束されるときには、一般に、第二のエンドエフェクタはいかなる有効なプロセスを実行するようにも、いかなる基板を搬送するようにも置かれていない。従って、第二のエンドエフェクタは、第一のエンドエフェクタが基板搬送を完了するまで、基板を保持するように（又は、いかなる基板も保持しないように）制限されている。
【０００４】
一般的に、各々のセルは、一度に一枚の基板を保持するように設定されている。第二の基板が第一の基板を含むセル内へ挿入される場合、第二の基板又は第二の基板を支えているエンドエフェクタは、第一の基板と衝突するか、第一の基板を妨害するだろう。従って、セルの中の基板を交換するには、第二の基板がセル内へ挿入される前に、セルから第一の基板を取り除くロボットが必要とされる。第二の基板をセル内へ挿入させるために第一の基板をセルから取り除くと、第一の基板はプロセスセルから離れたところに一時的に保存され、第二の基板は、セル内へ第二の基板が挿入されるようロボットエンドエフェクタが使えるようにする。上述の基板交換は、挑戦的なロボット動作を必然的に伴うだけでなく、基板生産量を減らすという基板プロセッシングにとっての障害をもたらす。
【０００５】
従って、基板交換ができるようセル内に同時に保持され得る基板の数を増加させることによって、生産量を増加させる装置又は方法の必要性が、従来技術において現存する。セル内へ挿入される基板と、セルの中にすでにある基板とを交換することができる単一ロボットに対する必要性も現存する。
【０００６】
発明の概要
本発明は、第一の基板及び第二の基板を、セルに対して搬送する装置及び関連方法である。セルには、基板を交換するときに単一基板と相互作用するように構成されているペデスタルが含まれる。第一の基板は、基板リフト装置を使ってペデスタルから離れた位置に移され、第二の基板が、セル内へ及びペデスタル上に挿入される。本発明は、ロボットを使って基板を移動させるセルに特に適用でき、様々なプロセスセル及び計測学セルにおいて使うことができる。
【０００７】
詳細な説明
理解を容易にするために、可能な限りにおいて、図に共通する同一の構成要素を示すためには同一の参照番号が使われている。
【０００８】
以下の説明を考慮することにより、本発明の教示がロボット装置に容易に利用され得ることを当業者であれば明らかに認識するだろう。特に、本発明は、複数基板リフト装置に向けられている。該装置においては、セルの中の基板に対して、一枚以上の基板が同時に置かれる。本明細書において用いられる用語「セル」は、プロセスセル、計測セル、又は基板プロセッシング、テスト、搬送、若しくは位置決めに関連するいかなる他の既知の種類のセル若しくはチャンバに関するものである。
【０００９】
１．セルの構成
図１は、複数のプロセスセル１０６及び１０８を備えているクラスターツール１００の上面図を表す。各々のプロセスセルには、複数基板リフト装置２０３が含まれている。図２は、図１におけるプロセスセル２００のうちの一つであって、複数基板リフト装置２０３を含んでいるものの側面図を表す。
【００１０】
クラスターツール１００は、二つのプロセスセル１０６及び１０８、搬送セル１１６、ロードロックセル１２０、基板取り扱い部１６０、及び計測セル１６８を備えている。プロセスセル１０６、１０８の各々は、半導体基板プロセッシングにおける一つ以上の別個の種類、段階又はフェーズにおいて使うことができるものである。プロセスセル１０６、１０８の各々は、第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８を備えている。
【００１１】
基板取り扱い部１６０において、大気中ロボット１６４は、コントローラ１３６の制御下において、取り扱いプラットホーム１６２と、基板積載ポッド１６６と、計測セル１６８と、ロードロックセル１２０との間で基板を移動させる。基板取り扱い部１６０の内部は、一般に、大気圧で操作される。基板取り扱い部１６０は、クラスターツール内へ基板を挿入し、クラスターツールから基板を取り除き、且つ計測機能を実行するために使われる。
【００１２】
計測セル１６８により、基板の測定、検査及び／又はテストが行われる。一般に、計測セルは、基板の寸法及び電気的特性を測定するために、レーザー等の光学系を使う。また、計測セルには、後述する種類の複数基板リフト装置を利用することができる。
【００１３】
ロードロックセル１２０内に位置するカセット１２６を介して（大気中ロボット１６４を使って）、基板取り扱い部１６０と搬送セル１１６との間で基板１２８を搬送させることができる。カセット１２６は、垂直に配置されたカセット式棚に複数の基板を含むことができる。カセット１２６は、一つのカセット式棚（又はカセット式棚内に含まれる基板）をロボットエンドエフェクタ（別名ロボットブレード）と並べるために垂直に調節される。ロボット１３２は、一般には、一度に一枚の基板１２８を、カセット１２６から二つのプロセスセル１０６又は１０８のいずれかへ搬送する。クラスターツールには、いかなる数のセルが供給されてもよい。ロボット１３２の端部に位置するエンドエフェクタ１３４（別名ロボットブレード）の上で個々の基板が搬送される。
【００１４】
図１及び図２において示されるコントローラ１３６は、プロセッシング、基板搬送、クラスターツール１００内で実行されるテストを制御し、且つ、ロボット１３２及び１６４の操作を制御する。コントローラ１３６は、マイクロプロセッサ１３８（ＣＰＵ）と、制御ルーチンを格納するためのメモリ１４０と、サポート回路１４２（例えば、電源装置、クロック回路、キャッシュ等）を備えている。また、コントローラ１３６は、キーボード、マウス及びディスプレー等の入出力周辺装置（Ｉ／Ｏ部）１４４を備えている。コントローラ１３６は、基板プロセッシング及び搬送を容易にする、シークエンシング及びスケジューリング操作を実行するようにプログラムされた汎用コンピュータである。クラスターツールを制御するソフトウェアルーチンは、メモリ１４０に格納されており、クラスターツールの操作を容易にするためにマイクロプロセッサ１３８によって実行される。
【００１５】
メモリ１４０には、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）及びリードオンリメモリ（ＲＯＭ）が含まれ、これらは、互いに、コンピュータプログラム、演算数、作業者、次元の値、システムプロセッシング温度及び構成、並びに電気メッキ操作を制御する他のパラメータを格納するものである。バス（図示せず）は、ＣＰＵ１３８、回路部１４２、メモリ１４０及びＩ／Ｏ部１４４間のデジタル情報伝達を提供する。また、バスは、コントローラ１３６からデジタル情報を受け取るかコントローラ１３６へデジタル情報を伝達する、クラスターツール１００の部分にＩ／Ｏ部１４４に連結している。
【００１６】
Ｉ／Ｏ部１４４は、コントローラ１３６の各々の素子間でデジタル情報の伝達を制御するインターフェースを提供する。また、Ｉ／Ｏ部１４４は、コントローラ１３６の部品とクラスターツール１００の異なる部分との間のインターフェースを提供する。回路部２６５は、他の全種類のユーザーインターフェース装置（ディスプレー及びキーボード等）、システム装置及びコントローラ１３６に関連する他のアクセサリーを備えている。本明細書では、デジタルコントローラ１３６の一つの実施形態が記載されているが、他のアナログコントローラ並びにデジタルコントローラは、本出願において上手く機能でき、本発明の意図された範囲内にある。ソフトウェアプロセスとして本明細書で議論されているプロセスステップの幾つかは、ハードウエア内に（例えば、種々のプロセスステップを実行するマイクロプロセッサと協同する回路として）実装されてもよいことが意図されている。
【００１７】
図２に示されるセル２００の実施形態は、セルエンクロージャ２０２、ペデスタル２１４、複数基板リフト装置２０３及びコントローラ１３６を備えている。複数基板リフト装置２０３は、第一の基板リフト２０６、第二の基板リフト２０８、第一のアクチュエータ２３０及び第二のアクチュエータ２４０を備えている。第一の基板リフト２０６は、セル２００内の基板２１６を、他の基板２１８がセル内で第一の基板２１６の下方に（ロボット１３２に取り付けられたエンドエフェクタ１３４を介して）挿入されるレベルに上昇させるように設定されている。第一のアクチュエータ２３０は、コントローラ１３６の制御下、第一の基板リフト２０６を選択的に移動させる。第二の基板リフト２０８は、エンドエフェクタ１３４が基板の下に位置できるよう（又は、基板の下から取り除かれるよう）、充分なレベルに基板を持ち上げられるように設定されている。第二のアクチュエータ２４０は、コントローラ１３６の制御下、第二の基板リフト２０８を選択的に移動させる。
【００１８】
本実施形態において、ペデスタル２１４は、プロセッシングの間その上に基板が静止するプラットホームとして示されている。用語「ペデスタル」は、セル内に基板を保持する構造体に関連するいかなるものをも意図する。従って、いかなるペデスタル、チャック、スピンドルアーム（spindly-armed）構造体等で、プロセッシング、測定、テスト、又は基板の移動の間、正立又は倒立位置で基板を保持するものは、ペデスタルである。
【００１９】
複数基板リフト装置２０３は、ロボットを利用することができるプロセスセルに応用可能である。例えば、与圧（pressurized）気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、堆積又は他のいかなる既知の種類のプロセスセル又はチャンバ、並びに、計測ステーションである。複数基板リフト装置２０３は、単一ペデスタル２１４と相互作用するように設定されている。一般的に、ペデスタル２１４は、プロセッシングの間、単一基板を支えるように構成されている。複数基板リフト装置２０３の特定の実施形態は、セル２０２内に複数の基板が同時に含まれることを許容する。セル内に複数の基板が含まれるので、ロボットによって保持される基板の「入換作業」が可能になる。交換される両方の基板がセル内に維持されるからである。
【００２０】
第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８の各々が、単一のセル内に共存する別個の基板を支えることができる。複数基板リフト装置２０３は、第一の基板がすでにセルの中に含まれている間に、ロボット１３２に、セルの中に第二の基板を挿入させる。その後、ロボットは、セルから第一の基板を取り除く。このように、セルの中に位置する第一の基板をロボットが取り除くとき、ロボットは第二の基板を離れた位置に一時的に置く必要はない。基板リフト装置２０３は、同じセル内で二枚の基板の一時的な位置決めをして、クラスターツールを介して基板の生産量を増強させる。
【００２１】
図２に示されるセル２００は、クラスターツール１００のプロセスセル１０６及び１０８、或いは計測セル１６８の一実施形態を表示する。複数基板リフト装置２０３は、セル内でプロセッシングが完了した第一の半導体基板を、ロボットエンドフェクタ又はロボットブレード上へ荷揚げし、それに協同して、同じロボットエンドフェクタ又はロボットブレードから同じセル内へプロセッシングされる第二の半導体基板を積載するのに使われる。この半導体基板の積載及び荷揚げは、図１示される種類の単一エンドエフェクタを有するロボット１３２を使って実行される。複数基板リフト装置の第一の基板リフトについての特定の実施形態は、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図５、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ及び１０において詳細に説明されている。複数基板リフト装置２０３は、単一セル内で基板が交換される速度を増加させることによって、セルへの又はセルからのロボットによる生産量を増大させるように設定されている。
【００２２】
図２は、本発明の複数基板リフト装置２０３の一つの実施形態を含んでいるセル２００の側面図である。複数基板リフト装置２０３は、二枚の半導体基板をセル２００に同時に位置させる。従って、セル２００から移動されるプロセス後の基板が第一の基板リフト２０６上に、セルの中で次にプロセスされる新しい基板が第二の基板リフト上にと、両基板が単一セルに同時に含まれる。
【００２３】
第一の基板リフト２０６は、第一の基板アクチュエータ２３０、プラットホームエレメント３１４及び複数の支持エレメント２３４を備えている。複数の支持エレメント２３４は、プラットホームエレメント３１４に外側へ回転可能になるように取り付けられおり、安定な構造を与えるために使われることが好ましい。各々の支持エレメント２３４は、コントローラ１３６の制御下、直立位置（実線で示されている）及び外側移動位置（点線で示されている）の間で回転可能に移動できる。第一の基板アクチュエータ２３０は、ペデスタル２１４の周囲の辺りに伸張する部分を含む。これにより、第一の基板アクチュエータは、垂直に移動することができると同時に、ペデスタルの上方に基板を持ち上げて支えるように、第二の基板アクチュエータの周りで伸張する。
【００２４】
第一の基板アクチュエータ２３０は、プラットホームエレメント３１４に動作をしかける。第一の基板アクチュエータ２３０の作動は、かようにプラットホームエレメント３１４及び連結された支持エレメント２３４の上げ下げをさせる。これにより、第一の基板アクチュエータの支持エレメント２３４上に支えられた基板を上昇させる。第一のアクチュエータ２３０及び第二のアクチュエータ２４０がセル２００の外に示されているが、基板アクチュエータをどこに位置させるかは設計上の採択である。例えば、基板アクチュエータ２３０、２４０の一方又は両方は、代替的な実施形態では、セル２００内に位置し、且つ、セル壁、セル底面又は他の構造体に取り付けられている。
【００２５】
第二の基板リフト２０８は、第二の基板アクチュエータ２４０、プラットホーム２４２及び複数（好ましくは三つ）の細長いピン２４４を備えている。一つの実施形態において、細長いピン２４４の各々は、細長いピンが基板の下側の表面に接触するようペデスタルを通って垂直に移動することができる仕方で、ペデスタル２１４を通って移動可能に伸張する。第二のアクチュエータ２４０は、プラットホーム２４２に取り付けられている。第二の基板アクチュエータ２４０の作動は、かようにプラットホーム２４２及び細長いピン２４４の上げ下げをさせる。細長いピン２４４は、プラットホーム２４２を上昇させる第二のアクチュエータ２４０に同調して上昇する。このことにより、ピンはペデスタルの上方で基板を支える。細長いピン２４４は、基板がペデスタル２１４上に落ち着いて支えられるように、パレット２４２を下降させる第二のアクチュエータ２４０によって後退する。
【００２６】
セルエンクロージャ２０２は、スリットドア２１０、スリット開口部２１２及びスリットドアアクチュエータ２１５を備えるスリット弁２０９を備えている。スリットドアアクチュエータ２１５は、スリットドア２１０に連結されている。スリットドアアクチュエータが作動すると、スリット開口部２１２から取り除くか、スリット開口部２１２をおおうように、スリットドアを移動させることができる。ペデスタル２１４は、プロセッシングの間、基板２１６又は２１８を支持し且つ保持することができるチャックを備えている。チャックは、静電気チャック、真空チャック又は従来技術において既知であるチャックのいずれの種類であってもよい。ロボット１３２は、搬送の間、（２１６又は２１８として示されている種類の）基板を支えることができる基板ブレード１３４を備えている。スリットドア２１０が開けられると、基板を搬送する基板ブレード１３４は、スリット開口部２１２を通って挿入される。スリットドア２１０が閉じられると、ペデスタル２１４上に位置する単一基板上において、セル２００内でプロセッシングが実行される。
【００２７】
２．複数基板リフト装置
第一の基板リフト２０６の実施形態については、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図５、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ及び図１０において詳細に示されている。第二の基板リフト２０８の一つの実施形態についての構造は、図６Ａ、図６Ｂ及び図７において詳細に示されている。第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８は、基板搬送操作を協同操作して与えるように設定されている。以下、第一の基板リフト及び第二の基板リフトの構造及び操作について説明する。
【００２８】
図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ及び図４Ｂにおいて、第一の基板リフト２０６の一つの実施形態が、異なる視点及び異なる位置から示されている。第一の基板リフト２０６は、複数のガイド部材３１０と相互作用する可動リフトピンアセンブリ３０８を備えている。可動リフトピンアセンブリ３０８は、複数（例えば３個）の支持エレメント３１２を備えている。各々の支持エレメントは、プラットホームエレメント３１４にしっかりと連結されている。各々の支持エレメント３１２は、支持マウント３１６、支持ロッド３１８、リンクサポート３２０、リンクサポート３２０の中に形成された逆Ｔ字型開口部３２２、各々のリンクサポート３２０とプラットホームエレメント３１４とを連結させている附勢されたピボット式連結３２１、及び傾斜部（ランプセグメント）３２４を備えている。一つのガイド部材３１０は、各々の支持エレメント３１２と相互作用する。
【００２９】
可動リフトピンアセンブリ３０８の部分は、第一のアクチュエータ２３０の作動によって、二つの方向に移動できる。作動すると、第一のアクチュエータ２３０は、プラットホームエレメント３１４を垂直に移動させ、第一の基板リフト２０６を垂直方向に移動させる。第一のアクチュエータ２３０の垂直移動は、また、図３Ａ及び図３Ｂにおいて示される位置の間で、支持エレメント３１２を外側へ、横に移動させる。第一のアクチュエータ２３０は、一般的に、ピストン動作のロッド３１５を含む。このロッドは、セル内部のプロセス条件を維持するためにセルの外側に密閉的に含まれる第一のアクチュエータ２３０の作動部と共に、セルの下部の壁を通って延びている。
【００３０】
また、支持エレメント３１２は、支持エレメント３１２の移動を横方向に与えるために、附勢されたピボット式連結３２１の周りを回転できる。図３Ａは、支持エレメント３１２を直立位置に持つ第一の基板リフト２０６である。図３Ｂは、支持エレメント３１２を外側移動位置に有する第一の基板リフト２０６である。第一の基板リフト２０６の操作及び移動のほとんどの間、支持エレメント３１２は直立位置のままである。直立であるときには、支持エレメントは基板を維持するために位置している。支持エレメントが直立位置から開く唯一の期間は、次の三つの条件が全て適用されるときである。
１） 第一の基板リフト２０６が下方へ移動している。
２） プロセスセルの中に二枚の基板（一般的に、プロセス後のもの及びプロセスされることになっているもの）が位置している。
３） 第一の基板リフトが横断位置の範囲にある。
支持エレメントの横断（横方向）位置とは、支持エレメントが直立位置にあると、支持エレメントのどこかの部分が基板のどこかの部分と接触するようないかなる位置をも指す。第一の基板リフトが横断位置にあるときに、基板支持部３１２を外側移動位置に動かすことにより、支持エレメント３１２（及び、連結されたサポートロッド３１８）は、第二の基板２１８の外面の外側を通過できる。
【００３１】
支持エレメント３１２は、附勢されたピボット式連結３２１によって、直立位置に通常は附勢されている。支持エレメント３１２は、プラットホームエレメント３１４に取り付けられた停止部材３３２に対してリンクサポート３２０を附勢させる（図３Ａ及び図３Ｂを参照）。停止部材３３２は、プラットホームエレメント３１４に対して、図３Ａに表される位置を越えて支持エレメント３１２が過度に内部へピボッティングすることを制限している。停止部材３３２に対するリンクサポート３２０のスプリング式附勢（spring vias）は、ガイド部材３１０の附勢されたガイドローラ３３０と、支持エレメント３１２との間の相互作用によって克服される。以下にこれについて記載する。
【００３２】
図１４は、附勢された支持エレメント３２１についての一つの実施形態を示す分解図である。附勢された支持エレメント３２１は、一つの支持エレメント３１２をプラットホームエレメントに連結させ、支持エレメントを直立位置に附勢させる。附勢されたピボット式連結３２１は、第一の実装エレメント１４０２、第二の実装部材１４０４、相互接続用ロッド部材１４０６及びねじればねエレメント１４０８を備えている。第一の実装エレメント１４０２には、第一の円筒部分１４１０、第一の円筒部分１４１０内に軸方向に伸びているキーみぞ１４１２及び第一の円筒部分１４１０上に形成された第一の実装表面１４１４が含まれる。アセンブルされると、第一の実装表面１４１４は、溶接、ボルト、ねじ、接着剤又はプロセス条件の下で利用できる他の適切な付属装置によって、支持エレメント３１２に連結される。相互接続用ロッド部材１４０６は、しっかりと連結され且つ単一の構造体を形成する、キー部材１４２２及びロッド部材１４２０を備えている。
【００３３】
第二の実装部材１４０４は、第二の円筒部分１４１５、第二の円筒部分１４１５に取り付けられた第二の実装表面１４１９、第二の円筒部分１４１５の中に形成された主要みぞ部１４１６、第二の円筒部分１４１５の中に形成されたアライメントアパーチャ１４１７及びみぞ部１４１６内部に含まれるばね実装１４１８を備えている。アライメントアパーチャ１４１７及び主要みぞ部１４１６は、第二の円筒部分１４１５の軸方向に伸びている。主要みぞ部１４１６は、相互接続用ロッド部材１４０６のロッド部材１４２０の外周のまわりに伸びるねじりばねエレメント１４０８を受け入れるように構成されている。第二の実装表面１４１９は、溶接、ねじ、ボルト、接着剤又はプロセス条件に耐えることができる他の適切な連結によって、プラットホームエレメント３１４に取り付けられている。主要みぞ部１４１６、第二の円筒部分１４１５及びアライメントアパーチャ１４１７は、実質的には同一中心である。附勢ピボット式連結３１２が組み立てられるときに、ねじりばねエレメント１４０８は、棒エレメント１４２０の周りで伸びる。ねじりばねエレメント１４０８の第一端部はキー部材１４２２に回転できないように連結している。ロッド部材１４２０は、アライメントアパーチャ１４１７を通って伸びている。ねじりバネエレメント１４２８の第二端部は、バネマウント１４１８に回転できないように接続している。
【００３４】
ねじりバネエレメント１４０８によってかけられるねじりは、第一の円筒部分１４０２を、第二の円筒部分１４０４に対して回転方向に附勢させるように作用する。この附勢は、第一の実装表面１４１４に連結された支持エレメント３１２に、第二の実装表面１４１９に連結されたプラットホームエレメント３１４から伝えられる。図３Ａの左に対する附勢されたピボット式連結３２１において、ねじりのバネエレメント１４０８を附勢させることは、第一の回転方向のリンクサポート３２０を移動させる傾向にある。図３Ａの右側の附勢されたピボット式連結３２１において、ねじりバネエレメント１４０８の附勢は、リンクサポート３２０を第二の反対回転方向に移動させる傾向にある。
【００３５】
支持エレメント（示されていない）の代替実施形態においては、支持エレメント３１２の下方部を、附勢されたピボット式連結３２０を供給する弾力的な材料で造ることができる。支持エレメント３１２は、通常は直立しているが、附勢条件下では、図３Ｂに示される位置へと外側に移動できる。本出願においては、重し、カム、バネ等のエレメントを使っているいかなる他の既知の附勢装置を使うこともできる。
【００３６】
各々のガイド部材３１０は、支持ポスト３２６、附勢ガイドエレメント３２８（図４Ａを参照）及び二つの附勢されたガイドローラ３３０を備えている。ガイド部材の一実施形態が、図１２及び図１３に示されている。また、ガイド部材３１０は、スペーシング部材１２０１を含んでいる。スペーシング部材１２０１は、附勢されたガイドローラ３３０が互いに押し付けられるので、支持ポスト３２６と附勢されたガイドローラ３３０とを横方向に間隔をあけて配置させ、附勢されたガイドローラが支持ポストに接触するのを制限している。附勢ガイドエレメント３２８は、二つの同軸円筒１２０２、１２０４及びバネ部材１２０６を備えている。みぞ部１２０８は、スペーシング部材１２０１を通って伸びている。ガイドローラ３３０の一つは、同軸円筒１２０２、１２０４の各々の一端に取り付けられている。ガイドローラ３３０に取り付けられていない同軸円筒１２０２、１２０４の各々の一端は、みぞ１２０８内に嵌挿する。同軸円筒１２０４は、同軸円筒１２０２より小さい直径を有しておりその中に適合する。移動止め部材は、みぞ部１２０８から外側へ同軸円筒１２０２が移動することを制限する。
【００３７】
この構成は、二つの同軸円筒１２０２、１２０４が互いに滑りあうことを許容し、更に、スペーシング部材１２０１内に形成されたみぞ部１２０８内で互いに滑りあうことを許容する。附勢部材１２０６（軸ばね等）は、同軸円筒１２０２、１２０４の内部に適合する。附勢部材１２０６は、支持エレメント３１２によって加えられる附勢から離して、各々の附勢ガイドローラ３３０を附勢させる。同軸円筒１２０２、１２０４は、スペーシング部材１２０１及び支持ポスト３２６に対して、二つの附勢されたガイドローラ３３０が回転するようにしている。図１２及び図１３の実施形態は、附勢されたガイドローラ３３０が取り付けられた二つの同軸円筒を示しているが、ガイドローラが回転しながら外側に附勢されるような適切な構成であればいかなるものであってもよい。例えば、附勢されたガイドローラは、各々が並置され（軸がずれ）てもよく、且つ、軸がずれた異なる穴の中に据え付けられ、更に、各々のガイドローラは、異なるバネで附勢されていてもよい。
【００３８】
各々のガイド部材３１０のための支持ポスト３２６は、支持ポストをはさむセルの幾つかの部分によってしっかりと支持されており、セルの幾つかの部分に対して動かない状態になっている。附勢ガイドエレメント３２８は、附勢されたガイドローラ３３０が内部で後退できるように、一対の附勢されたガイドローラ３３０を、間隔を離して附勢している。ガイド部材３１０と可動リフトピンアセンブリとの間の相互作用は、附勢されたガイドローラ３３０を互いに押し付けて移動させるか、又は、附勢ガイドエレメントのバネによりガイドローラが互いに離れるようにさせる。
【００３９】
ガイド部材３１０に対して支持エレメント３１２が下方に移動するにつれて、直立位置から外側移動位置にいかにして支持部材が移動するのかを観察するには、図４Ａ及び図４Ｂにおいてそれぞれ示されている支持エレメント３１２に相当する側面図とあわせて図３Ａ及び図３Ｂを眺めるべきである。第一の基板リフト２０６が下方へ移動するにつれて、外側へ支持エレメントを移動させる力は、附勢されたガイドローラ３３０と傾斜部３２４との間で作り出される力によって与えられる。図４Ａの支持エレメント３１２の実施形態に示されるように、傾斜部（ランプセグメント）３２４は、ランプ曲げ線３３４において支持エレメント３１２の材料を曲げることからある角度だけ後方へ向けられた面から形成されている。このように金属のフラップを曲げることは、傾斜部３２４の一つの実施形態を提供する。あるいは、傾斜部３２４は、支持エレメント３１２の一体部分として形成されるか又は機械加工される。傾斜部３２４は、支持マウント３１６が基板の周囲辺りを通るのに必要な場所のみで、附勢されたガイドローラ３３０と（支持エレメント３１２を外側へ移動させるために）接触するように位置している（図２Ｋに示す）。
【００４０】
第一の基板リフト２０６は、第二の基板リフト２０８から独立して移動できる。第一の基板リフト２０６の上下運動を、この運動が支持エレメント３１２について有する結果に従い、以下に記載する。第一の基板リフトが上昇位置にあるときは、第一の基板リフト２０６の支持エレメント３１２が全て直立にあることを考慮する。第一の基板リフトの支持エレメント３１２は、まず、ガイド部材３１０に対して下向きに、図３Ａ及び図４Ａに示された位置へと移動する。支持エレメント３１２は、附勢されたピボット式連結３２１の影響の下で、直立に維持される。附勢されたガイドローラの最も外側表面が、逆Ｔ字型開口部３２２の底部側口部３３６に追従するにつれて（且つ／又は底部側口部３３６内に拘束されるので）、第一の基板リフト２０６を最初に下降させる間、附勢されたガイドローラは、外側位置（図１２）であって支持エレメント３１２の相当する底部側口内に維持される。附勢されたガイドローラが低部側口部３３６内で追従するときは、ガイド部材３１０は、支持エレメント３１２を外側移動位置に移動させる力を支持エレメントに対してかけないようになっている。したがって、第一の基板リフト２０６の支持エレメント３１２は直立のままである。
【００４１】
附勢されたガイドローラ３３０が傾斜部３２４の底面３８２に最初に接触する位置に、支持エレメント３１２がガイド部材３１０に対して下方へ移動するまで、支持エレメント３１２はそれらの直立位置で維持され続ける。（支持部材がガイドローラ３３０に対して下向きに移動するにつれて）支持エレメント３１２を、それらの直立位置からそれらの外側移動位置まで移動させるために、附勢されたガイドローラ３３０は、ランプ面３２４に接触し且つ追従する。附勢されたガイドローラ３３０に相対する支持部材の下方移動の間、ガイドローラは、ランプ曲げ線３３４の境界内の傾斜部３２４と接触して（傾斜部に対して附勢されて）維持される。
【００４２】
ガイドローラは傾斜部と接触したままなので、附勢されたガイドローラの内のそれぞれは、図１２及び図１３に示されるように、それぞれに相対する同軸円筒１２０２、１２０４の周りを回転する。傾斜部３２４は、それらの上部表面の近くでは、それらの下部表面と比較してより狭い幅を有する。したがって、附勢されたガイドローラ３３０が傾斜部３２４を超えて更に移動するにつれて、附勢されたガイドローラは、附勢ガイドエレメント３２８のバネ部材１２０６の附勢に対して、互いに接近して後退位置に強制される（図４Ｂの位置に示されている）。傾斜部に対して（且つ追従して）上方へ移動する附勢されたガイドローラ３３０は、ランプ曲げ線３３４の減少する幅を追従しつづける。傾斜部は、附勢されたガイドローラの外幅が上方側口３３８の幅と等しくなるまで、附勢されたガイドローラを互いに接近するよう強制する。
【００４３】
附勢されたガイドローラの全幅が、逆Ｔ字型開口部３２２におけるそれぞれの上側開口部３３８の幅に等しいので、支持エレメント３１２の上方移動は傾斜部３２４のいかなる部分によっても制限されない。そこにおいて、附勢されたピボット式連結３２１は、第一の基板リフト２０６の支持エレメント３１２を、それらの直立位置に強制する。
【００４４】
第一の基板リフト２０６のガイド部材３１０に対して支持エレメント３１２が上昇する間、支持エレメント３１２は、それらの直立位置において維持される。第一の基板リフト２０６を上昇させることにより、支持エレメント３１２は、それらの外側移動位置へと外側には移動しない。これは、附勢されたガイドローラ３２４が、逆Ｔ字型開口部３２２の上部側口３３８内に拘束される（且つ上部側口３３８に追従する）からである。第一の基板リフト２０６が上昇すると、支持エレメント３１２は、附勢されたピボット式連結３２１の附勢によって、それらの直立位置において維持される。内側へ附勢された附勢ガイドローラ３３０は、支持エレメント３１２を直立位置から移動させない。附勢ガイドローラ３３０は、逆Ｔ字型開口部３２２の上部側口３３８の間に拘束されるので、附勢ガイドローラが傾斜部３２４に接触しないからである。附勢ガイドローラは上部側口３３８内に拘束されるので離れて開かない。したがって、支持エレメントが上昇するにつれて附勢ガイドローラは傾斜部３２４に接触しない。
【００４５】
附勢されたガイドローラ３３０は、附勢されたガイドローラが逆Ｔ字型開口部３２２の下方側口部３３６に入るまで、それらの後退位置に残っている。第一の基板リフト２０６の附勢されたガイドローラ３３０は、附勢ガイドエレメント３３６の影響下で、図４Ｂに示すように、伸張位置へと外側へもう一度附勢される。支持エレメント３１２が、それらの上昇位置に上昇され続けると、附勢式ガイドローラ３３０は、下方側口部３３６に入る。支持エレメントがそれらの上昇位置にあるときに、支持エレメント３１２は、ガイド部材３１０に対して支持エレメントを引き続き下降させることができる。このとき、支持エレメント３１２は、上述のように外側へ移動する。
【００４６】
図５は、複数（好ましくは３個）の支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3を伴う第一の基板リフト２０６である。右にある二つの支持エレメント３１２1及び３１２3は、矢印５０６によって示される間隔によって間隔をあけられている。右にある二つの支持エレメント３１２1及び３１２3は、図２において示されるセル２００のスリット弁２０９と隣接している。矢印５０６によって示される間隔は、二つの支持エレメント３１２1及び３１２3間を通ってセル２０９に基板が入る（且つ出る）ように十分に広くなっている。
【００４７】
上記の第一の基板リフト２０６は、支持部材が上昇するときに、支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3が直立位置にあるような構成をしている。第一の基板リフト２０６が上昇位置から下降位置まで移動するときに（第一の基板リフトが第二の基板の周囲に接触する移動部分の間に）、支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3は、基板に接触することなく基板周囲の周りを通過するのに十分な距離を外側に移動する。したがって、支持エレメントが外側に伸張した位置にあるときに、支持エレメントは、少なくとも基板の直径よりも大きな間隔をあけて位置している。その後、支持エレメントが第二の基板のレベル下方に移動すると、支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3はそれらの直立位置にもどる。
【００４８】
基板が第一の基板リフト２０６によって、下降位置から上昇するときに、第一の基板リフト２０６の支持マウント３１６に接触するいかなる基板も持ち上げることができるように、支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3は直立位置において維持される。次の動作を提供することができるいかなる機械式、電気的又はコンピュータをベースにしたシステムも、第一の基板リフト２０６の意図された範囲内にある：
ａ）支持エレメントが第一の基板を維持しているとき（セル内で支持エレメントが上下移動する間）は、支持エレメントは直立位置において維持される、
ｂ） 支持エレメントは、支持エレメントが第二の基板に接触せず第二の基板の周りを通過するように、支持エレメントの下向移動の特定セグメント間、直立位置から外側移動位置まで移動する、
ｃ）その後、第一の基板リフト２０６の支持マウント３１６が基板レベルの下方に下降するにつれて、支持エレメントは、直立位置へ移動してもどる。
ｄ）第一の基板リフト２０６が、他の基板を持ち上げるために第一の基板リフトの下降位置から上昇位置まで上昇するにつれて、支持エレメントは直立位置のままである。
【００４９】
第一の基板リフト機構２０６についての他の実施形態は、有用な種々の位置において図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃに表されている。第一の基板リフト２０６は、複数のガイド部材９１０及び複数の支持エレメント９１２を備えている。各々のガイド部材９１０は、ポスト部材９１４及びカム部材９１６を備えている。ポスト部材９１４は、セル２００の若干の部分にしっかりと添えられている。各々の支持エレメント９１２は、支持マウント３１６及び支持ロッド３１８、図１４に示される実施形態と関連する上述の附勢されたピボット式連結３２１、リンクサポート９２０、ピボット式カムサポート９２２、附勢されたピボット９２５、停止部材９２７、及びカムフォロワ９２６を備えている。ピボット式カムサポート９２２は、参照符号９２８で後退位置において示されている。
【００５０】
第一の基板リフト機構２０６は、直立位置にある支持エレメント９１２と共に、上昇位置において図９Ａに示されている。支持エレメント９１２が下方へ移動するにつれて、（それらの相対するカムフォロワ９２６をしっかりと支持する）ピボット式カムサポート９２２が伸張する。したがって、カムフォロワ９２６は、それぞれのカム部材９１６に追従する。支持エレメントがガイド部材９１０に対して下降するにつれて、カムフォロワはカム部材９１６に追従する。ねじりバネ（図示せず）は、ピボット式カムサポート９２２のそれぞれを、各支持エレメント９１２に対して、支持エレメントの後退位置からピボット式カムサポートの伸張位置へと附勢する。ねじりバネは、ピボット式カムサポート９２２を、後者の伸張位置に附勢する。しかし、停止部材９２５が、図９Ａに表されるピボット式カムサポート９２２の伸張位置を越えた過度の回転を制限している。
【００５１】
第一の基板サポート２０６が、図９Ｂにおいて示される位置へ更に下方移動することにより、カムフォロワ９２６はそれぞれのカム部材９１６と係合するようになる。カム部材９１６から支持エレメントにかかる力により、支持エレメント９１２は、図９Ａに示される直立位置から図９Ｂに示される外側移動位置へと移動される。支持エレメント９１２が外側移動位置にあるとき、第一の基板リフト２０６用の支持マウント３１６は、基板の外径よりも大きく間隔をあけて配置される。第一の基板リフト２０６の下方移動により、第一の基板リフト２０６の支持エレメント全部品が第二の基板の周囲外側を通る結果となる。カムフォロワ９２６がカム部材９１６の頂部９３０を通ると、カムフォロワはそれぞれの斜面９３６を追従し、支持エレメント９１２が、附勢されたピボット式連結３２１の附勢影響下、それらの直立位置へ徐々に戻っていく。
【００５２】
第一の基板リフト２０６が、その下降位置から上昇位置に上昇するときに、第一の基板リフト上の支持エレメント９１２は、それらが基板を保持し且つ上昇させることができるように位置する。したがって、支持エレメント９１２の全てをそれらの直立位置に維持することが望まれる。支持エレメント９１２が、それぞれのガイド部材９１０に対して上方移動する間、カムフォロワ９２６は、カム部材９１６に沿って上方に移動するとき、カムフォロワ９２６は、カムサポート９２２を後退位置に移動させる。これは、参照符号９２８で示されている。このように、支持エレメント９１２の支持マウント３１６とそれに支持されるいかなる基板との間で相対運動はない。したがって、全体の上方運動の間、支持エレメント９１２は、それらの直立位置において維持される。第一の基板リフト２０６の上方運動が始まると、カムフォロワ９２６は、カムフォロワがランド９５０の斜面９３６に接触するまで、それぞれのランド９５０に追従する。
【００５３】
カムフォロワが斜面９３６を追従し始めるにつれて、ピボット式カムサポート９２２は、それぞれの附勢されたピボット９２５について回転して、それらの後退位置になる。カムフォロワ９２６は、カムフォロワが頂部９３０に到達するまで、それぞれの斜面９３６に追従する。そして、ピボット式カムサポート９２２は、図９Ａに９２８として表されるように、伸張位置（extended position）になるまで回転しつづける。このカムフォロワ９３６の後退／伸張回転により、第一の基板リフトの全体的な上方移動の間、支持エレメントは直立位置に維持される。カムフォロワが頂部９３０を通りカム部材９１６を追従するにつれ、ピボット式カムサポート９２２は、半時計回りに回転する。このとき、カムフォロワ９２６は、ピボット式カムサポート９２２が伸張位置になるまで、それぞれのカム部材９１６に追従する。したがって、第一の基板リフト２０６の全体的な上方移動の間、支持エレメント３１２は、直立位置にあるままである。一方、下方移動では、支持エレメントは、他の基板に接触することを回避するために外側に移動する。この最後の説明は、図３Ａ及び図３Ｂに示される第一の基板リフトについての実施形態にも相当する。
【００５４】
図１０は、第一の基板リフト２０６の更なる代替的実施形態を示す。第一の基板リフト２０６は、プラットホームエレメント１０１４及び複数の支持エレメント１０１２を備えている。各々の支持エレメントは、ピボット部材１０１５、支持マウント３１６、支持ロッド３１８、支持部材１０１２及び支持エレメントアクチュエータ１０１６を備えている。ピボット部材１０１５は、支持エレメント１０１２をプラットホームエレメント１０１４に回動可能に連結している。支持エレメントアクチュエータ１０１６は、プラットホームエレメント１０１４と支持エレメント１０１２との間（又は、伸張部と後退部との間において所望の回転を供給する、第一の基板リフトの他の適切な幾つかの位置）に連結されている。各々の支持エレメントアクチュエータ１０１６は、電気機械的に作動される装置、ピストン、親ねじ、サーボモータ、等であってもよい。コントローラ１３６は、支持エレメントアクチュエータ１０１６を電気的に制御する。支持エレメントアクチュエータ１０１６は、それらの直立位置と外側移動位置との間で、それぞれの支持エレメント１０１２を移動させるために長手方向に伸張可能である。第一の基板リフト２０６における複数の支持エレメント１０１２の全てが、それらの直立位置に置かれているとき、支持マウント３１６は基板を維持するように位置している。支持エレメント１０１２が外側移動位置に置かれるときには、第一の基板リフト２０６が横に移動できて且つ基板の外側を通り抜けることができるように支持マウントは位置している。
【００５５】
コントローラ１３６は、支持エレメントアクチュエータ１０１６及び第一のアクチュエータ２３０（図２の実施例において示されている）を含んでいる第一の基板リフト２０６の全体的操作を制御する。第一の基板リフト２０６を制御する際のコントローラ１３６によって利用されるソフトウェアの一つの実施形態は、方法１１００として図１１において例示されている。方法１１００は、ブロック１１０２で起動する。ブロック１１０２では、コントローラは、第一の基板リフトにおける所望の動作に関する特定事項を支持する、他のプログラムからの実行命令の形で入力（又はユーザーからの入力）を受け取る。ブロック１１０２において、コントローラは第一の基板リフトにおける所望の移動方向、第一の基板リフトの現在位置について考慮し、且つ、第二の基板２１８が（図２Ｆに示されているように）セルの中にあるかどうかを考慮する。第一の基板リフトにおける所望の動作は上方又は下方であり得る。第一の基板リフトの現在位置は、横断方向位置の上方、横断方向位置内、又は横断方向位置の下方のいずれかである。横断方向の位置は、第一の基板リフトにおける垂直高さの範囲であると考えられ、第一の基板２０６の一部がその範囲にあるということが考えられる。支持エレメント９１２の支持マウント３１６は、第一の基板リフトのエレメントであり、図２Ａに示されるようにペデスタル２１４上に位置する基板と接触する可能性が高い。
【００５６】
その後、方法１１００はブロック１１０４に続く。ブロック１１０４では、プロセスセルの中に挿入される第一の基板があるかどうかについてコントローラ１３６が決定する。ブロック１１０４のロジックでは、プロセスセルに挿入される基板がない場合、第一の基板リフト２０６が第一の基板の周りを移動できるように、第一の基板リフト２０６の支持エレメント１０１２を外側に移動させる必要がない。決定ブロック１１０４対する応答が否定的である場合、方法１１００はブロック１１１４に続く。決定ブロック１１０４対する応答が肯定的である場合、方法１１００は決定ブロック１１０６に続く。
【００５７】
決定ブロック１１０６において、方法１１００は、第一の基板リフトにおける所望の動作が下向きであるかどうかを考慮する。支持エレメント１０１２の外側への移動は下向き移動の間にのみ必然的になるので、決定ブロック１１０６について背景ロジックが存在する。第一の基板リフトの上方への移動により、セルの中に第二の基板が挿入されていないことが示唆される。それは、第一の基板が処理されペデスタルから持ち上げられた後に、第二の基板がセルの中に挿入されるのが一般的だからである。第一の基板リフト２０６が上方へ移動しているとき、第一の基板リフト２０６におけるそれぞれの支持エレメント１０１２に連結されている支持マウント３１６は、支持マウントが接触するいかなる基板をも支える。第一の基板リフトが下向きに移動するときには、支持エレメント１０１２に連結されている支持マウント３１６は、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動によって、いかなる基板とも接触することを回避するために外側へ移動する。決定ブロック１１０６に対する応答が否定的である場合、方法１１００は下記のようにブロック１１１４に続く。決定ブロック１１０６に対する応答が肯定的である場合、方法１１００はブロック１１０８に続く。
【００５８】
決定ブロック１１０８において、コントローラ１３６は、第一の基板リフトが横断位置に置かれるかどうかを決定する。第一の基板リフトが横断位置のレベルの上方又は下方である場合には、それから、支持エレメント１０１２（特に支持マウント３１６）のどの部分も基板と接触しない。したがって、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動による第一の基板リフト２０６における支持エレメント１０１２の外側への移動は、第一の基板リフトが横断位置内に置かれるときに必然的になるだけである。決定ブロック１１０８に対する応答が否定的である場合、下記のように、方法１１００はブロック１１１４に続く。決定ブロックに対する応答が否定的である場合、方法１１００はブロック１１１０に続く。
【００５９】
ブロック１１１０では、支持エレメントが外側位置又は外側移動位置にまだ置かれていない場合、コントローラ１３６が、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動によって、第一の基板リフトの支持エレメント１０１２を外側位置に移動させる。方法１１００のロジックに従うと、決定ブロック１１０４、１１０６及び１１０８の全てが肯定的な応答を示す場合にのみブロック１１１０に達する。したがって、プロセスセルに第一の基板が挿入されていて、第一の基板リフトにおける所望の移動が下向きであって、且つ、第一の基板リフトが横断位置に置かれていれば、その場合にのみブロック１１１０に達する。決定ブロック１１０４、１１０６、及び１１０８に記載された条件の全てが満たされるとすぐに、コントローラがアクチュエータ１０１６をエネルギー化して、ブロック１１１０で、第一の基板リフト２０６の支持エレメント１０１２を外側へ移動させるか又は維持する。
【００６０】
決定ブロック１１０４、１１０６、又は１１０８に記載された条件のいずれかが満たされないと、方法１１００はブロック１１１４に続く。ブロック１１１４では、支持エレメントがそれらの位置にまだ置かれていない場合、コントローラ１３６が、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動によって、第一の基板リフトの支持エレメントをそれらの位置に移動させるか、又はそれらの位置に維持させる。したがって、上記の通りに、第一の基板リフト２０６の支持エレメント１０１２は、所望のロボット動作の間中、それらの位置で維持されるようになる。ただし、上述のように、コントローラがブロック１１１０に到達したときはこの限りでない。
【００６１】
ブロック１１１４及びブロック１１１０の次には、方法１１００はブロック１１０２に続く。決定ブロック１１１４及び１１１０において、コントローラは第一の基板リフトの移動についての所望の増分を決める。方法１１００において第一の基板リフトの移動１１１２は徐々に増加するので、方法１１００は、コントローラ１３６が代表的な基板リフト移動の間絶えず実行するループを表す。
【００６２】
基板リフトの所望の移動が下向きであると仮定する。基板リフトは横断位置よりも上方に置かれ、基板がプロセスセルに挿入される。この環境の下では、コントローラは方法１１１０に従い、まずはブロック１１０２を介してブロック１１０４に従う。プロセスセルに挿入された基板があるので、コントローラは決定ブロック１１０６に続く。決定ブロック１１０６においては、第一の基板リフトにおける所望の移動が下向きであるので、コントローラはブロック１１０８に続く。コントローラは、決定ブロック１１０８に行くとすぐに、第一の基板リフトが横断位置よりも上方に置かれているので、決定ブロック１１１４に続く。したがって、コントローラは、ブロック１１１４において、第一の基板リフトの支持エレメントを移動（又は維持）させ、そして、ブロック１１１２に続く。ここで、コントローラ１３６は、基板リフトにおける第二の所望の（下向き）移動を起こす。その後、方法１１１０に追従しているコントローラが、ブロック１１０２に続き、更に、決定ブロック１１０４、１１０６、１１０８及び１１１４を介してブロック１１０２へと反復的ループをたどる。下向き移動により第一の基板リフトが横断位置又は横断位置の下方に搬送されるまで、このループは続く。
【００６３】
第一の基板リフトがその横断位置に到達すると、コントローラは方法１１００の決定ブロック１１０８へ進む。決定ブロック１１０８に達すると、上述のループで説明したように、方法１１００は、ブロック１１１４の代わりにブロック１１１０に続く。第一の基板リフトが横断位置に置かれているからである。ブロック１１１０において第一の基板リフトが横断位置にあるので、第一の基板リフトの支持エレメントは、セルの中に挿入された第二の基板と接触することを回避するために外側位置に移動する。第一の基板リフトにおける支持エレメントの外側位置への移動に続いて、コントローラ１３６は、ブロック１１０２に方法１１００を続ける。そこにおいて、コントローラ１３６は、第一の基板リフトを下方へ移動させ続ける。
【００６４】
第一の基板リフトの下向き移動に続いて、方法１１０２は、ループに従い支持エレメント１０１２を外側位置に回転させて、第一の基板リフトの増分的下向き移動を続ける。ループには、ブロック１１０２、決定ブロック１１０４、１１０６、１１０８、ブロック１１１０及び１１１２が含まれる。方法１１００での下向き移動を与えるこのようなループは、（支持エレメントが外側位置にあって）第一の基板リフトの横断位置の下向き限界に達するまで続けられる。第一の基板リフトが横断位置の下方に移動し、方法１１００が決定ブロック１１０８に到達すると、コントローラは、ブロック１１１０の代わりにブロック１１１４に続く。第一の基板リフトの支持エレメントは、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動によって、ブロック１１１４の内側位置へ移動する。第一の基板リフトの移動が下方制限に達するまで、方法１１００は、決定ブロック１１０４、１１０６、１１０８及びブロック１１１４及び１１０２によって規定されるループに続く。方法１１００が決定ブロック１１０６に到達すると、第一の基板リフトがその最下部に到達するときには、第一の基板リフトの移動方向が逆転して上方向になる。
【００６５】
所望の移動が下方制限まで到達すると、コントローラは、実行されるループを変える。決定ブロック１１０６に達し、且つ、第一の基板リフトにおける所望の移動がその下方制限にあるとき、所望の移動方向はもはや下向きではないので、コントローラはブロック１１１４へ行く。ブロック１１１４にある間、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動により、それらの内側位置に移動してそこに維持される。第一の基板リフトが上向きに移動している間と同様、移動が下方制限に達している間は、方法１１００は、決定ブロック１１０４及び１１０６を介してブロック１１１４及び１１０２へとループする。
【００６６】
ここで、第二の基板リフト２０８の構造について、図６Ａ、図６Ｂ及び図７に示される実施形態と関連させながら記載する。第二の基板リフト２００は、ペデスタル２１４と相互作用するように構成されている。ペデスタルには、複数の穴部６０２であって、各々が埋頭穴みぞ部６０４を備えている穴部６０２が含まれる。第二の基板リフト２０８は、アクチュエータロッド６１２によって垂直に駆動されるプラットホーム２４２と、各々の穴部内に嵌挿した細長いピン２４４を備えている。細長いピン２４４は、上昇した基板位置と下降した基板位置との間で基板を移動させることができる。細長いピンは、ヘッド６１６を含んでいる。細長いピン２４４が下降位置にあるときは、ヘッド６１６は、埋頭穴みぞ部６０４によって支えられる概して円すい形状内に配置する。アクチュエータロッド６１２は、セルの壁を通って伸びているピストンロッドとして、一般的に配置されている。第二のアクチュエータ２４０は、ロッド６１２を作動させることを介して移動力をプラットホーム２４２に加える。第二のアクチュエータ２４０がプロセスセルの内部環境に露出されることを制限するために、第二のアクチュエータは、セルの外側に密封的に含まれている。細長いピン２４４が上昇位置にあるときに、基板は、所定の若干の間隔でペデスタル２１４の上方にヘッド６１６によって支えられている。細長いピンが下降位置にあるときに、基板は、ペデスタルの上部表面６２０上にある。
【００６７】
プラットホーム２４２は、コントローラ１３６の制御下で垂直方向に制御されて移動する。プラットホーム２４２が図６Ａの位置に配置されるとき、プラットホーム２４２とピン２４４との間に隙間が画定される。細長いピン２４４は、下降した位置に維持され、この位置では、ヘッド６１６の角度面は、埋頭穴みぞ部６０４の中に休止する。プラットホーム２４２が図６Ｂに示される位置まで上昇するとき、プラットホーム２４２は細長いピン２４４の底部に接触して上方へ移動させる。それによって、図６Ｂに示されるように、プラットホーム２１４上に支えられるピン、いかなる基板も上昇した位置内へ移される。
【００６８】
第二の基板リフト２０８は、第二の基板リフト２０８の操作が第一の基板リフト２０６の操作から独立して起こることができるように構成されている。例えば、第一の基板リフト及び第二の基板リフトを別々に望むように上げ下げすることができる。
【００６９】
３．複数基板リフト運動力学
プロセスセル１０６及び１０８の中での半導体基板のプロセッシングには、様々なプロセスセルが順番に使われることがしばしば必要になる。プロセスセルは様々なプロセスを実行するために構成されており、特定のものとしては、例えば、物理気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、電気メッキ及び他のエッチング又は層形成プロセスがある。さらに、計測セル１６８は、基板又はその上に堆積された構造物の測定をするために、クラスターツールによって利用され得る。多くの連続したロボット搬送ステップが一般的に必要とされる。単一のセル内に複数の基板が含まれているので、ロボットに支えられている基板間でロボットが基板を交換することができれば、これらのステップを最も効率的に実行することができる。ロボット搬送及びセルの操作は、コントローラ１３６によって制御される。
【００７０】
以下、図２Ａ〜図２Ｎにおいて表されるプロセスについて詳細に説明する。図２Ａは、セルの中で操作（プロセッシング）がされた後の第一の基板２１６を示す。第一の基板２１６は、ペデスタル２１４によって支えられている。図２Ａでは、第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８の両方ともが、下降した後退位置において示されている。第一の基板リフト２０６（下降した位置にあるとき）も第二の基板リフト２０８（下降した位置にあるとき）も、基板２１６がペデスタル２１４によって支えられているときにはその基板と接触しない。基板リフト２０６、２０８が基板底部の水平部の下方にあるからである。
【００７１】
図２Ｂにおいて、第二の基板リフト２０８は垂直に上方へ移動している。第二の基板リフト２０８は、第一の基板２１６と接触するようになる。そして、ペデスタル２１４から垂直に上方へと第一の基板を移動させる。第二の基板リフト２０８は、第一の基板リフト２０６の代わりに、基板２１６をまずペデスタル２１４から離すために使われる。これは、第二の基板リフト２０８が基板の中央近くで基板を支えることによる。第二の基板リフトを使って基板を持ち上げることにより、基板がペデスタルから最初に離れるときに、より少ないストレスが基板にかかることになる。このことは、基板をペデスタルから離すにはかなりの力が必要とされるであろうから重要である。
【００７２】
第一の基板２１６が第二の基板リフト２０８によってペデスタル２１４から離された後、図２Ｃに示すように、第一の基板リフト２０６は上方へと移動して、第二の基板リフト２０８のレベルよりも高いレベルになる。第一の基板リフト２０６の垂直移動により、第一の基板２１６が第一の基板リフト２０６だけによって支えられるようになる。第一の基板リフト２０６が十分に上方へ移動した後、第一の基板２１６は、セル２００の最上部近くに位置するようになる。こうして、隙間部２２０が、スリット開口２１２と同じ水平レベルにおいてセルの中に作られ、第一の基板２１６の下方位置においてセル内へと第二の基板２１８を挿入できるようになる。
【００７３】
その後、図２Ｄに示されるように、第二の基板リフト２０８は、垂直のレベルであってなるべくならペデスタル２１４の最上部又はその下に後退する。この位置にある間、第二の基板リフト２０８は隙間部２２０をさえぎらない。こうして後退することにより、セル２００内に第二の基板２１８を挿入させることができる。セル２００内に第二の基板の挿入を達成するために、スリットドア２１０が、図２Ｅに示されるようにスリット開口部２１２から取り除かれる。
【００７４】
その後は、図２Ｆに示されるように、ロボットブレード又はエンドエフェクタ１３４であってロボット１３２によって移動されるものでありロボットの一部であるものが、第二の基板をセル２００内に挿入させるために第二の基板２１８を左へ水平移動させる。そして、第二の基板リフト２０８は、図２Ｇに示されるようにペデスタルより上方に垂直に移動してロボットブレード１３４から第二の基板２１８を持ち上げる。そうなると、第一の基板２１６は第一の基板リフト２０６によって支えられ、第二の基板２１８は第二の基板リフト２０８によって支えられていることになる。基板ブレード１３４は、ロボットブレード１３４から第二の基板２１８が取り除かれると、図２Ｈに示されるように、スリット開口部２１２を介してセル２００の外側に後退していく。
【００７５】
図２Ｉは、後退位置内に移動した第二の基板リフト２０８である。第二の基板２１８はペデスタル２１４によって支えられている。この位置において、第一の基板２１６の底部レベルよりも下方であるが第二の基板２１８の上部レベルよりも上方の水平レベルにおいて、基板ブレード１３４はスリット開口部２１２を通過することができる。図２Ｋにおいて、第一の基板リフト２０６は、第一の基板２１６がロボットブレード１３４上に静止する水平レベルまで下げられる。
第一の基板リフト２０６は、第二の基板２１８の水平レベルより下方に更に後退し、ペデスタル２１４の上部の水平レベルより下方へと更に後退する。その後、図２Ｌに示されるように、第一の基板２１６を保持しているロボットブレード１３４は、スリット開口部２１２を介してセル２００の外側に後退する。
【００７６】
図２Ｍは、移動しているスリットカバー２１０、シーリング、スリット開口部２１２を示す。第一の基板２１６を搬送するロボットブレード１３４は、ロボット１３２によって、更なるプロセッシングのための更なる位置へ移動される。そして、図２Ｎにおいて示されるセルは、現在、その中に置かれた第二の基板２１８と相互作用（例えばプロセッシング、測定、テスト、その他）を始めることができる状況にある。図２Ｎで示されるプロセッシングが完了した後、図２Ａ〜２Ｎに示されるサイクルをもう一度反覆することができる。新しいサイクルでは、第二の基板２１８が図２に示される新しい第一の基板２１６になり、他の（未処理の）基板が第二の基板２１８としてセルの中に挿入される。
【００７７】
この構成の利点は、一つの基板のプロセッシングが完了し（且つセルから取り除かれる）、第二の基板がセルに挿入されることになっているので、単一のセル内に複数の基板が含まれることを許容するということである。こうして単一のプロセスセル内で基板を交換することは、単一のロボットブレード１３４を使って達成することができる。第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８を備えている、本発明の一実施形態の基板搬送機構は、比較的単純且つ安価な構造である。
【００７８】
コントローラ１３６により、上記のように、方法８００が実行される。コントローラ１３６は、種々のスケジューリングルーチンを実行するようにプログラムされた汎用コンピュータとして表されているが、ソフトウェアによって実装されるプロセスは、アプリケーションに特定的な集積回路（ＡＳＩＣ）又は個別的な回路素子として、ハードウエアにより実装されてもよい。このように、本願明細書に記載されるプロセスステップは、ソフトウェア、ハードウエア又はいかなる組合せにもよっても同等に実行されるとして広く解釈されるべきである。
【００７９】
４．基板搬送及びそれに関連するコンピュータ操作
図８は、方法８００を示すフローチャートの一つの実施形態を示している。この方法では、一つのセルの中に含まれている一対の基板が、単一のロボットエンドエフェクタ１３４を使うことによってセル２００内で交換される。制御装置１３６は、方法８００を実行する。方法８００は、上述のように、図２Ａ〜図２Ｎに示される本発明の実施形態における複数基板リフト装置の操作についての模式的で物理的な表記と並行する。したがって、図８は、図２Ａ〜図２Ｎと共に検討されるべきである。
【００８０】
方法８００はブロック８０２で開始される。ブロック８０２では、セル２００内で実行される第一の基板２１６への操作（例えばプロセッシング）が完了したところである。第一の基板は、プロセッシングに続いてペデスタル２１４上に静止している。セル及び関連する基板リフトは、図２Ａに示すように位置している。
【００８１】
ブロック８０４、８０６、８０８及び８１０は、セルのレベルの上方に第一の基板２１６を位置させることに関連している。また、スリット弁２１０を介してロボットエンドエフェクタを受け入れるための位置にセルを位置させることに関連している。ブロック８０４では、図２Ｂに示すように、第一の基板２１６は、ペデスタルの少し上方に第二の基板リフト２０８によって持ち上げられる。第二の基板リフト２０８は、第一の基板リフト２０６の代わりに基板を持ち上げるために選択されている。それは、基板とペデスタルとの間に、かなりの電気的又は磁気的引力があると思われるからである。第二の基板リフト２０８は、第一の基板リフト２０６に比べ、そのリフトピンを基板の中心近くに適用している。第一の基板リフト２０６は、リフトピンを基板の周囲の近くに適用している。基板の中心のより近くに位置するリフトピンを介してかけられる力は、基板側面の端の近くに位置するリフトピンを介してかけられる力に比べて、基板を曲げたり損傷させたりする傾向が少ない。
【００８２】
方法８００はブロック８０６に続く。ブロック８０６では、第一の基板リフト２０６がセル内の第一の基板を持ち上げるために上昇する。第一の基板リフト２０６がセル内で基板を持ち上げることができる最上レベルは、第二の基板リフト２０８がセル内で基板を持ち上げることができる最上レベルよりも上方である。ブロック８０６は、図２Ｃに表されている。方法８００は、ブロック８０６内で続けられ、図２Ｄに示されるように、セル内で第二の基板リフト２０８を、好ましくはペデスタル２１４のレベルに下降させる。
【００８３】
方法８００はブロック８１０に続く。ブロック８１０では、スリット弁２１０が開けられる。スリット弁の開放（回転）により、ロボットエンドエフェクタがセルにアクセスして、基板を開放し、つかみ、支えることができるようになる。図２Ｅによってブロック８１０が示されている。ブロック８１０では、エンドエフェクタが１３４として示されており、基板が２１８として示されている。
【００８４】
方法８００は、ブロック８１２、８１４及び８１６と共に続く。これらのブロックは、共になって、第二の基板２１８をセル２００に挿入させる。ブロック８１２では、第二の基板２１８をセル２００内に挿入させるために、ロボットがエンドエフェクタ１３４を移動させる。ブロックは、図２Ｆに対応する。第二の基板２１８は、第一のエンドエフェクタ２１６のレベルよりも下方レベルに挿入される。図２Ｇに対応するブロック８１４では、第二の基板リフト２０８が、ロボットエンドエフェクタ１３４のレベルより上方に第二の基板を持ち上げる。ブロック８１４の目的は、ロボットエンドエフェクタが基板表面を横切ってすべらないで、且つ、基板上にある繊細な素子を損壊する可能性無しに、エンドエフェクタをセルから取り除くことができるような位置にまで、第二の基板を持ち上げることである。方法８００は、図２Ｈに対応するブロック８１６に続く。ブロック８１６では、基板がその上に位置していないロボットエンドエフェクタ１３４がセルから取り除かれる。エンドエフェクタの除去により、基板はセル内の元の位置に垂直に戻る。
【００８５】
方法８００は、ブロック８１８、８２０、８２２及び８２４に続く。これらのブロックは、共になって、セルから第一の基板を取り除く。図２Ｉに対応するブロック８１８では、第二の基板リフト２０８は、第二の基板をペデスタル上に置くために下降する。ブロック８１８に続いて、第二の基板２１８は、第二の基板がプロセッシングされる間、ペデスタル上の同じ位置に静止する。図２Ｊに対応するブロック８２０では、セル内であって、第二の基板２１８のレベルより上方であるが、第一の基板２１６のレベルより下方に、ロボットエンドエフェクタ１３４が挿入される。第一の基板リフト２０６上で充分な間隔が下げられたときに第一の基板がエンドエフェクタ１３４によって支えられるようにエンドエフェクタ１３４は位置する。
【００８６】
方法８００は、図２Ｊに対応するブロック８２２に続く。ブロック８２２では、第一の基板リフトが下降する。第一の基板リフトを下降させるプロセスは、支持エレメントが基板を支えることができる直立位置に置かれた状態で、基板がエンドエフェクタ１３４によって支えられるまで続く。第一の基板リフトは、第一の基板がエンドエフェクタによって支えられるレベルの下方に下降する。第一の基板リフトは、下方移動の間、第一の基板リフトの支持エレメント３１２（例えば、図４Ａ及び図５に示されている）が、第二の基板との接触を避けるように外側に移動しなければならなくなるまで、下方への移動を続ける。
【００８７】
第一の基板リフトがペデスタル上で支えられている基板を通過して下方に移動するときに、支持エレメント３１２の外側移動を与える上述の機構に類似するいかなる機構も、第一の基板リフトの意図された範囲内にある。第一の基板リフトが、第一の基板２１６を支えているエンドエフェクタのレベルの下方にくると、支持エレメントは、第一の基板リフトの実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ、図９Ａ〜図９Ｃ、及び図１０）のいずれかによって、直立位置に後退する。
【００８８】
方法８００は、図２Ｌに対応するブロック８２４に続く。ブロック８２４では、第一の基板及び支持エンドエフェクタ１３４がセルから取り除かれる。これは、第一の基板がセルから取り除かれる方法８００中における最初の実例である。ブロック８１２の間、第二の基板をセルに初めに挿入したエンドエフェクタ１３４は、今度は、第一の基板を取り除くために使われる。この暫定的な期間において、第一の基板及び第二の基板は、エンドエフェクタ、第一の基板リフト２０６又は第二の基板リフト２０８のどれかによって支えられている。
【００８９】
方法８００は、図２Ｍに対応するブロック８２６に続く。ブロック８２６では、スリット弁２１９が閉まる。スリット弁が閉まるとすぐに、セル内でプロセッシング又は測定（セルがプロセスセル又は計測学セルであるかどうかによる）が始められる。図２Ｎは、更なるプロセッシングのために、エンドエフェクタ１３４が取り除かれ、プロセスされた第二の基板を有するセル２００を示す。
【００９０】
本願明細書では、本発明の教示を組み込む種々の実施形態が示され且つ詳細に記載されているが、当業者であれば、これらの教示を更に組み込んだ多くの他の変更された実施形態を容易に案出することができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施形態に従う、複数セル及び複数基板リフト装置を備えたクラスターツールを示す。
【図２】図１に示されるプロセスセルの一つについての実施形態である。
【図２Ａ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｂ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｃ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｄ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｅ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｆ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｇ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｈ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｉ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｊ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｋ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｌ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｍ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｎ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図３】図２に示される第一の基板リフトについての一つの実施形態を示す側断面図である。図３Ａにおいて、支持エレメントは直立位置にある。一方、図３Ｂにおいて、第一基板リフトの支持エレメントは外側移動位置にある。
【図４Ａ】図３Ａの断面ライン４−４を通して得られた、第一の基板リフトの部分を示す図である。
【図４Ｂ】図３Ｂの断面のライン４−４を通して得られた、第一の基板リフトの部分を示す図である。
【図５】図２に示された第一の基板リフトの上面斜視図である。
【図６Ａ】第二の基板リフトの一実施形態を含むペデスタルの側断面図を示す。第二の基板リフトが下降した位置に置かれている。
【図６Ｂ】第二の基板リフトの一実施形態を含むペデスタルの側断面図を示す。第二の基板リフトが上昇した位置に置かれている。
【図７】図６Ａのペデスタルの上面図である。
【図８】図２Ａから図２Ｎで表された段階を実行しているコントローラによって実行される方法における一つの実施形態についてのフローダイヤグラムを含む。
【図８Ａ】図２Ａから図２Ｎで表された段階を実行しているコントローラによって実行される方法における一つの実施形態についてのフローダイヤグラムを含む。
【図８Ｂ】図２Ａから図２Ｎで表された段階を実行しているコントローラによって実行される方法における一つの実施形態についてのフローダイヤグラムを含む。
【図９Ａ】第一の基板リフトについての代替的な実施形態の側断面図を示す。第一の基板リフトが上昇位置にある間、支持エレメントは直立位置にある。
【図９Ｂ】第一の基板リフトについての代替的な実施形態の側断面図を示す。第一の基板リフトが中央位置にある間、支持エレメントは外側移動位置にある。
【図９Ｃ】第一の基板リフトについての代替的な実施形態の側断面図を示す。第一の基板リフトが下降位置にある間、支持エレメントは直立位置にある。
【図１０】第一の基板リフトについての更なる他の実施形態である。
【図１１】図１０に示される第一の基板リフトの操作中、コントローラによって使われ得るソフトウェアの一つの実施形態である。
【図１２】図４Ａにおけるガイド部材の一つの実施形態についての上面図である。ガイド部材は、伸張された位置にある附勢されたガイドローラを有している。
【図１３】後退した位置にあるガイドローラを有する、図１２のガイド部材である。
【図１４】図４Ａの附勢されたピボット式連結についての一つの実施形態を示す分解図である。
発明の開示
１．発明の技術分野
本発明は半導体基板用の基板リフトに関する。特に、本発明は、単一セルの中で複数基板を同時に支えることができる基板リフトに関する。
【０００２】
２．背景技術の説明
半導体基板又はウエハは、一連のプロセスを使って集積回路を生産するために加工される。これらのプロセスの各々は、別個の種類のプロセスセル中で実行される。計測セルとして知られる他のセルは、基板を計測するために使われる。少なくとも一つの基板搬送ロボットによって応対されるセルの集合は、クラスターツールとして知られている。基板搬送ロボットは、一般に、複数のプロセスセルの各々に連結している搬送セルの中に存在しており、プロセスセルの各々の中に位置する半導体基板にアクセスすることができる。また、ロボットは種々のセル間で基板を搬送することができる。
【０００３】
基板搬送ロボットの幾つかは、一つの基板を一度に扱うことができる、一つのロボットブレードを含むように設定されている。他の基板搬送ロボットは、単一のロボットハブに取り付けられた背中合わせのロボットアームを二つ有している。ロボットアームの各々は、別個のロボットブレードを支えている。ロボットブレード（或いは、エンドエフェクタとして知られる）は、（上部から、下部から、又は他の相対的な方向から）基板を支えるロボットの部分である。背中合わせのロボットアーム構成では、第一のエンドエフェクタが基板と相互作用するためにプロセスセルの中に移動すると、第二のエンドエフェクタは、第一のエンドエフェクタから１８０度離れて向くように強制される。第一の基板リフトが基板と相互作用する結果として、第二のエンドエフェクタが位置において拘束されるときには、一般に、第二のエンドエフェクタはいかなる有効なプロセスを実行するようにも、いかなる基板を搬送するようにも置かれていない。従って、第二のエンドエフェクタは、第一のエンドエフェクタが基板搬送を完了するまで、基板を保持するように（又は、いかなる基板も保持しないように）制限されている。
【０００４】
一般的に、各々のセルは、一度に一枚の基板を保持するように設定されている。第二の基板が第一の基板を含むセル内へ挿入される場合、第二の基板又は第二の基板を支えているエンドエフェクタは、第一の基板と衝突するか、第一の基板を妨害するだろう。従って、セルの中の基板を交換するには、第二の基板がセル内へ挿入される前に、セルから第一の基板を取り除くロボットが必要とされる。第二の基板をセル内へ挿入させるために第一の基板をセルから取り除くと、第一の基板はプロセスセルから離れたところに一時的に保存され、第二の基板は、セル内へ第二の基板が挿入されるようロボットエンドエフェクタが使えるようにする。上述の基板交換は、挑戦的なロボット動作を必然的に伴うだけでなく、基板生産量を減らすという基板プロセッシングにとっての障害をもたらす。
【０００５】
従って、基板交換ができるようセル内に同時に保持され得る基板の数を増加させることによって、生産量を増加させる装置又は方法の必要性が、従来技術において現存する。セル内へ挿入される基板と、セルの中にすでにある基板とを交換することができる単一ロボットに対する必要性も現存する。
【０００６】
発明の概要
本発明は、第一の基板及び第二の基板を、セルに対して搬送する装置及び関連方法である。セルには、基板を交換するときに単一基板と相互作用するように構成されているペデスタルが含まれる。第一の基板は、基板リフト装置を使ってペデスタルから離れた位置に移され、第二の基板が、セル内へ及びペデスタル上に挿入される。本発明は、ロボットを使って基板を移動させるセルに特に適用でき、様々なプロセスセル及び計測学セルにおいて使うことができる。
【０００７】
詳細な説明
理解を容易にするために、可能な限りにおいて、図に共通する同一の構成要素を示すためには同一の参照番号が使われている。
【０００８】
以下の説明を考慮することにより、本発明の教示がロボット装置に容易に利用され得ることを当業者であれば明らかに認識するだろう。特に、本発明は、複数基板リフト装置に向けられている。該装置においては、セルの中の基板に対して、一枚以上の基板が同時に置かれる。本明細書において用いられる用語「セル」は、プロセスセル、計測セル、又は基板プロセッシング、テスト、搬送、若しくは位置決めに関連するいかなる他の既知の種類のセル若しくはチャンバに関するものである。
【０００９】
１．セルの構成
図１は、複数のプロセスセル１０６及び１０８を備えているクラスターツール１００の上面図を表す。各々のプロセスセルには、複数基板リフト装置２０３が含まれている。図２は、図１におけるプロセスセル２００のうちの一つであって、複数基板リフト装置２０３を含んでいるものの側面図を表す。
【００１０】
クラスターツール１００は、二つのプロセスセル１０６及び１０８、搬送セル１１６、ロードロックセル１２０、基板取り扱い部１６０、及び計測セル１６８を備えている。プロセスセル１０６、１０８の各々は、半導体基板プロセッシングにおける一つ以上の別個の種類、段階又はフェーズにおいて使うことができるものである。プロセスセル１０６、１０８の各々は、第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８を備えている。
【００１１】
基板取り扱い部１６０において、大気中ロボット１６４は、コントローラ１３６の制御下において、取り扱いプラットホーム１６２と、基板積載ポッド１６６と、計測セル１６８と、ロードロックセル１２０との間で基板を移動させる。基板取り扱い部１６０の内部は、一般に、大気圧で操作される。基板取り扱い部１６０は、クラスターツール内へ基板を挿入し、クラスターツールから基板を取り除き、且つ計測機能を実行するために使われる。
【００１２】
計測セル１６８により、基板の測定、検査及び／又はテストが行われる。一般に、計測セルは、基板の寸法及び電気的特性を測定するために、レーザー等の光学系を使う。また、計測セルには、後述する種類の複数基板リフト装置を利用することができる。
【００１３】
ロードロックセル１２０内に位置するカセット１２６を介して（大気中ロボット１６４を使って）、基板取り扱い部１６０と搬送セル１１６との間で基板１２８を搬送させることができる。カセット１２６は、垂直に配置されたカセット式棚に複数の基板を含むことができる。カセット１２６は、一つのカセット式棚（又はカセット式棚内に含まれる基板）をロボットエンドエフェクタ（別名ロボットブレード）と並べるために垂直に調節される。ロボット１３２は、一般には、一度に一枚の基板１２８を、カセット１２６から二つのプロセスセル１０６又は１０８のいずれかへ搬送する。クラスターツールには、いかなる数のセルが供給されてもよい。ロボット１３２の端部に位置するエンドエフェクタ１３４（別名ロボットブレード）の上で個々の基板が搬送される。
【００１４】
図１及び図２において示されるコントローラ１３６は、プロセッシング、基板搬送、クラスターツール１００内で実行されるテストを制御し、且つ、ロボット１３２及び１６４の操作を制御する。コントローラ１３６は、マイクロプロセッサ１３８（ＣＰＵ）と、制御ルーチンを格納するためのメモリ１４０と、サポート回路１４２（例えば、電源装置、クロック回路、キャッシュ等）を備えている。また、コントローラ１３６は、キーボード、マウス及びディスプレー等の入出力周辺装置（Ｉ／Ｏ部）１４４を備えている。コントローラ１３６は、基板プロセッシング及び搬送を容易にする、シークエンシング及びスケジューリング操作を実行するようにプログラムされた汎用コンピュータである。クラスターツールを制御するソフトウェアルーチンは、メモリ１４０に格納されており、クラスターツールの操作を容易にするためにマイクロプロセッサ１３８によって実行される。
【００１５】
メモリ１４０には、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）及びリードオンリメモリ（ＲＯＭ）が含まれ、これらは、互いに、コンピュータプログラム、演算数、作業者、次元の値、システムプロセッシング温度及び構成、並びに電気メッキ操作を制御する他のパラメータを格納するものである。バス（図示せず）は、ＣＰＵ１３８、回路部１４２、メモリ１４０及びＩ／Ｏ部１４４間のデジタル情報伝達を提供する。また、バスは、コントローラ１３６からデジタル情報を受け取るかコントローラ１３６へデジタル情報を伝達する、クラスターツール１００の部分にＩ／Ｏ部１４４に連結している。
【００１６】
Ｉ／Ｏ部１４４は、コントローラ１３６の各々の素子間でデジタル情報の伝達を制御するインターフェースを提供する。また、Ｉ／Ｏ部１４４は、コントローラ１３６の部品とクラスターツール１００の異なる部分との間のインターフェースを提供する。回路部２６５は、他の全種類のユーザーインターフェース装置（ディスプレー及びキーボード等）、システム装置及びコントローラ１３６に関連する他のアクセサリーを備えている。本明細書では、デジタルコントローラ１３６の一つの実施形態が記載されているが、他のアナログコントローラ並びにデジタルコントローラは、本出願において上手く機能でき、本発明の意図された範囲内にある。ソフトウェアプロセスとして本明細書で議論されているプロセスステップの幾つかは、ハードウエア内に（例えば、種々のプロセスステップを実行するマイクロプロセッサと協同する回路として）実装されてもよいことが意図されている。
【００１７】
図２に示されるセル２００の実施形態は、セルエンクロージャ２０２、ペデスタル２１４、複数基板リフト装置２０３及びコントローラ１３６を備えている。複数基板リフト装置２０３は、第一の基板リフト２０６、第二の基板リフト２０８、第一のアクチュエータ２３０及び第二のアクチュエータ２４０を備えている。第一の基板リフト２０６は、セル２００内の基板２１６を、他の基板２１８がセル内で第一の基板２１６の下方に（ロボット１３２に取り付けられたエンドエフェクタ１３４を介して）挿入されるレベルに上昇させるように設定されている。第一のアクチュエータ２３０は、コントローラ１３６の制御下、第一の基板リフト２０６を選択的に移動させる。第二の基板リフト２０８は、エンドエフェクタ１３４が基板の下に位置できるよう（又は、基板の下から取り除かれるよう）、充分なレベルに基板を持ち上げられるように設定されている。第二のアクチュエータ２４０は、コントローラ１３６の制御下、第二の基板リフト２０８を選択的に移動させる。
【００１８】
本実施形態において、ペデスタル２１４は、プロセッシングの間その上に基板が静止するプラットホームとして示されている。用語「ペデスタル」は、セル内に基板を保持する構造体に関連するいかなるものをも意図する。従って、いかなるペデスタル、チャック、スピンドルアーム（spindly-armed）構造体等で、プロセッシング、測定、テスト、又は基板の移動の間、正立又は倒立位置で基板を保持するものは、ペデスタルである。
【００１９】
複数基板リフト装置２０３は、ロボットを利用することができるプロセスセルに応用可能である。例えば、与圧（pressurized）気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、堆積又は他のいかなる既知の種類のプロセスセル又はチャンバ、並びに、計測ステーションである。複数基板リフト装置２０３は、単一ペデスタル２１４と相互作用するように設定されている。一般的に、ペデスタル２１４は、プロセッシングの間、単一基板を支えるように構成されている。複数基板リフト装置２０３の特定の実施形態は、セル２０２内に複数の基板が同時に含まれることを許容する。セル内に複数の基板が含まれるので、ロボットによって保持される基板の「入換作業」が可能になる。交換される両方の基板がセル内に維持されるからである。
【００２０】
第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８の各々が、単一のセル内に共存する別個の基板を支えることができる。複数基板リフト装置２０３は、第一の基板がすでにセルの中に含まれている間に、ロボット１３２に、セルの中に第二の基板を挿入させる。その後、ロボットは、セルから第一の基板を取り除く。このように、セルの中に位置する第一の基板をロボットが取り除くとき、ロボットは第二の基板を離れた位置に一時的に置く必要はない。基板リフト装置２０３は、同じセル内で二枚の基板の一時的な位置決めをして、クラスターツールを介して基板の生産量を増強させる。
【００２１】
図２に示されるセル２００は、クラスターツール１００のプロセスセル１０６及び１０８、或いは計測セル１６８の一実施形態を表示する。複数基板リフト装置２０３は、セル内でプロセッシングが完了した第一の半導体基板を、ロボットエンドフェクタ又はロボットブレード上へ荷揚げし、それに協同して、同じロボットエンドフェクタ又はロボットブレードから同じセル内へプロセッシングされる第二の半導体基板を積載するのに使われる。この半導体基板の積載及び荷揚げは、図１示される種類の単一エンドエフェクタを有するロボット１３２を使って実行される。複数基板リフト装置の第一の基板リフトについての特定の実施形態は、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図５、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ及び１０において詳細に説明されている。複数基板リフト装置２０３は、単一セル内で基板が交換される速度を増加させることによって、セルへの又はセルからのロボットによる生産量を増大させるように設定されている。
【００２２】
図２は、本発明の複数基板リフト装置２０３の一つの実施形態を含んでいるセル２００の側面図である。複数基板リフト装置２０３は、二枚の半導体基板をセル２００に同時に位置させる。従って、セル２００から移動されるプロセス後の基板が第一の基板リフト２０６上に、セルの中で次にプロセスされる新しい基板が第二の基板リフト上にと、両基板が単一セルに同時に含まれる。
【００２３】
第一の基板リフト２０６は、第一の基板アクチュエータ２３０、プラットホームエレメント３１４及び複数の支持エレメント２３４を備えている。複数の支持エレメント２３４は、プラットホームエレメント３１４に外側へ回転可能になるように取り付けられおり、安定な構造を与えるために使われることが好ましい。各々の支持エレメント２３４は、コントローラ１３６の制御下、直立位置（実線で示されている）及び外側移動位置（点線で示されている）の間で回転可能に移動できる。第一の基板アクチュエータ２３０は、ペデスタル２１４の周囲の辺りに伸張する部分を含む。これにより、第一の基板アクチュエータは、垂直に移動することができると同時に、ペデスタルの上方に基板を持ち上げて支えるように、第二の基板アクチュエータの周りで伸張する。
【００２４】
第一の基板アクチュエータ２３０は、プラットホームエレメント３１４に動作をしかける。第一の基板アクチュエータ２３０の作動は、かようにプラットホームエレメント３１４及び連結された支持エレメント２３４の上げ下げをさせる。これにより、第一の基板アクチュエータの支持エレメント２３４上に支えられた基板を上昇させる。第一のアクチュエータ２３０及び第二のアクチュエータ２４０がセル２００の外に示されているが、基板アクチュエータをどこに位置させるかは設計上の採択である。例えば、基板アクチュエータ２３０、２４０の一方又は両方は、代替的な実施形態では、セル２００内に位置し、且つ、セル壁、セル底面又は他の構造体に取り付けられている。
【００２５】
第二の基板リフト２０８は、第二の基板アクチュエータ２４０、プラットホーム２４２及び複数（好ましくは三つ）の細長いピン２４４を備えている。一つの実施形態において、細長いピン２４４の各々は、細長いピンが基板の下側の表面に接触するようペデスタルを通って垂直に移動することができる仕方で、ペデスタル２１４を通って移動可能に伸張する。第二のアクチュエータ２４０は、プラットホーム２４２に取り付けられている。第二の基板アクチュエータ２４０の作動は、かようにプラットホーム２４２及び細長いピン２４４の上げ下げをさせる。細長いピン２４４は、プラットホーム２４２を上昇させる第二のアクチュエータ２４０に同調して上昇する。このことにより、ピンはペデスタルの上方で基板を支える。細長いピン２４４は、基板がペデスタル２１４上に落ち着いて支えられるように、パレット２４２を下降させる第二のアクチュエータ２４０によって後退する。
【００２６】
セルエンクロージャ２０２は、スリットドア２１０、スリット開口部２１２及びスリットドアアクチュエータ２１５を備えるスリット弁２０９を備えている。スリットドアアクチュエータ２１５は、スリットドア２１０に連結されている。スリットドアアクチュエータが作動すると、スリット開口部２１２から取り除くか、スリット開口部２１２をおおうように、スリットドアを移動させることができる。ペデスタル２１４は、プロセッシングの間、基板２１６又は２１８を支持し且つ保持することができるチャックを備えている。チャックは、静電気チャック、真空チャック又は従来技術において既知であるチャックのいずれの種類であってもよい。ロボット１３２は、搬送の間、（２１６又は２１８として示されている種類の）基板を支えることができる基板ブレード１３４を備えている。スリットドア２１０が開けられると、基板を搬送する基板ブレード１３４は、スリット開口部２１２を通って挿入される。スリットドア２１０が閉じられると、ペデスタル２１４上に位置する単一基板上において、セル２００内でプロセッシングが実行される。
【００２７】
２．複数基板リフト装置
第一の基板リフト２０６の実施形態については、図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ、図４Ｂ、図５、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ及び図１０において詳細に示されている。第二の基板リフト２０８の一つの実施形態についての構造は、図６Ａ、図６Ｂ及び図７において詳細に示されている。第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８は、基板搬送操作を協同操作して与えるように設定されている。以下、第一の基板リフト及び第二の基板リフトの構造及び操作について説明する。
【００２８】
図３Ａ、図３Ｂ、図４Ａ及び図４Ｂにおいて、第一の基板リフト２０６の一つの実施形態が、異なる視点及び異なる位置から示されている。第一の基板リフト２０６は、複数のガイド部材３１０と相互作用する可動リフトピンアセンブリ３０８を備えている。可動リフトピンアセンブリ３０８は、複数（例えば３個）の支持エレメント３１２を備えている。各々の支持エレメントは、プラットホームエレメント３１４にしっかりと連結されている。各々の支持エレメント３１２は、支持マウント３１６、支持ロッド３１８、リンクサポート３２０、リンクサポート３２０の中に形成された逆Ｔ字型開口部３２２、各々のリンクサポート３２０とプラットホームエレメント３１４とを連結させている附勢されたピボット式連結３２１、及び傾斜部（ランプセグメント）３２４を備えている。一つのガイド部材３１０は、各々の支持エレメント３１２と相互作用する。
【００２９】
可動リフトピンアセンブリ３０８の部分は、第一のアクチュエータ２３０の作動によって、二つの方向に移動できる。作動すると、第一のアクチュエータ２３０は、プラットホームエレメント３１４を垂直に移動させ、第一の基板リフト２０６を垂直方向に移動させる。第一のアクチュエータ２３０の垂直移動は、また、図３Ａ及び図３Ｂにおいて示される位置の間で、支持エレメント３１２を外側へ、横に移動させる。第一のアクチュエータ２３０は、一般的に、ピストン動作のロッド３１５を含む。このロッドは、セル内部のプロセス条件を維持するためにセルの外側に密閉的に含まれる第一のアクチュエータ２３０の作動部と共に、セルの下部の壁を通って延びている。
【００３０】
また、支持エレメント３１２は、支持エレメント３１２の移動を横方向に与えるために、附勢されたピボット式連結３２１の周りを回転できる。図３Ａは、支持エレメント３１２を直立位置に持つ第一の基板リフト２０６である。図３Ｂは、支持エレメント３１２を外側移動位置に有する第一の基板リフト２０６である。第一の基板リフト２０６の操作及び移動のほとんどの間、支持エレメント３１２は直立位置のままである。直立であるときには、支持エレメントは基板を維持するために位置している。支持エレメントが直立位置から開く唯一の期間は、次の三つの条件が全て適用されるときである。
１） 第一の基板リフト２０６が下方へ移動している。
２） プロセスセルの中に二枚の基板（一般的に、プロセス後のもの及びプロセスされることになっているもの）が位置している。
３） 第一の基板リフトが横断位置の範囲にある。
支持エレメントの横断（横方向）位置とは、支持エレメントが直立位置にあると、支持エレメントのどこかの部分が基板のどこかの部分と接触するようないかなる位置をも指す。第一の基板リフトが横断位置にあるときに、基板支持部３１２を外側移動位置に動かすことにより、支持エレメント３１２（及び、連結されたサポートロッド３１８）は、第二の基板２１８の外面の外側を通過できる。
【００３１】
支持エレメント３１２は、附勢されたピボット式連結３２１によって、直立位置に通常は附勢されている。支持エレメント３１２は、プラットホームエレメント３１４に取り付けられた停止部材３３２に対してリンクサポート３２０を附勢させる（図３Ａ及び図３Ｂを参照）。停止部材３３２は、プラットホームエレメント３１４に対して、図３Ａに表される位置を越えて支持エレメント３１２が過度に内部へピボッティングすることを制限している。停止部材３３２に対するリンクサポート３２０のスプリング式附勢（spring vias）は、ガイド部材３１０の附勢されたガイドローラ３３０と、支持エレメント３１２との間の相互作用によって克服される。以下にこれについて記載する。
【００３２】
図１４は、附勢された支持エレメント３２１についての一つの実施形態を示す分解図である。附勢された支持エレメント３２１は、一つの支持エレメント３１２をプラットホームエレメントに連結させ、支持エレメントを直立位置に附勢させる。附勢されたピボット式連結３２１は、第一の実装エレメント１４０２、第二の実装部材１４０４、相互接続用ロッド部材１４０６及びねじればねエレメント１４０８を備えている。第一の実装エレメント１４０２には、第一の円筒部分１４１０、第一の円筒部分１４１０内に軸方向に伸びているキーみぞ１４１２及び第一の円筒部分１４１０上に形成された第一の実装表面１４１４が含まれる。アセンブルされると、第一の実装表面１４１４は、溶接、ボルト、ねじ、接着剤又はプロセス条件の下で利用できる他の適切な付属装置によって、支持エレメント３１２に連結される。相互接続用ロッド部材１４０６は、しっかりと連結され且つ単一の構造体を形成する、キー部材１４２２及びロッド部材１４２０を備えている。
【００３３】
第二の実装部材１４０４は、第二の円筒部分１４１５、第二の円筒部分１４１５に取り付けられた第二の実装表面１４１９、第二の円筒部分１４１５の中に形成された主要みぞ部１４１６、第二の円筒部分１４１５の中に形成されたアライメントアパーチャ１４１７及びみぞ部１４１６内部に含まれるばね実装１４１８を備えている。アライメントアパーチャ１４１７及び主要みぞ部１４１６は、第二の円筒部分１４１５の軸方向に伸びている。主要みぞ部１４１６は、相互接続用ロッド部材１４０６のロッド部材１４２０の外周のまわりに伸びるねじりばねエレメント１４０８を受け入れるように構成されている。第二の実装表面１４１９は、溶接、ねじ、ボルト、接着剤又はプロセス条件に耐えることができる他の適切な連結によって、プラットホームエレメント３１４に取り付けられている。主要みぞ部１４１６、第二の円筒部分１４１５及びアライメントアパーチャ１４１７は、実質的には同一中心である。附勢ピボット式連結３１２が組み立てられるときに、ねじりばねエレメント１４０８は、棒エレメント１４２０の周りで伸びる。ねじりばねエレメント１４０８の第一端部はキー部材１４２２に回転できないように連結している。ロッド部材１４２０は、アライメントアパーチャ１４１７を通って伸びている。ねじりバネエレメント１４２８の第二端部は、バネマウント１４１８に回転できないように接続している。
【００３４】
ねじりバネエレメント１４０８によってかけられるねじりは、第一の円筒部分１４０２を、第二の円筒部分１４０４に対して回転方向に附勢させるように作用する。この附勢は、第一の実装表面１４１４に連結された支持エレメント３１２に、第二の実装表面１４１９に連結されたプラットホームエレメント３１４から伝えられる。図３Ａの左に対する附勢されたピボット式連結３２１において、ねじりのバネエレメント１４０８を附勢させることは、第一の回転方向のリンクサポート３２０を移動させる傾向にある。図３Ａの右側の附勢されたピボット式連結３２１において、ねじりバネエレメント１４０８の附勢は、リンクサポート３２０を第二の反対回転方向に移動させる傾向にある。
【００３５】
支持エレメント（示されていない）の代替実施形態においては、支持エレメント３１２の下方部を、附勢されたピボット式連結３２０を供給する弾力的な材料で造ることができる。支持エレメント３１２は、通常は直立しているが、附勢条件下では、図３Ｂに示される位置へと外側に移動できる。本出願においては、重し、カム、バネ等のエレメントを使っているいかなる他の既知の附勢装置を使うこともできる。
【００３６】
各々のガイド部材３１０は、支持ポスト３２６、附勢ガイドエレメント３２８（図４Ａを参照）及び二つの附勢されたガイドローラ３３０を備えている。ガイド部材の一実施形態が、図１２及び図１３に示されている。また、ガイド部材３１０は、スペーシング部材１２０１を含んでいる。スペーシング部材１２０１は、附勢されたガイドローラ３３０が互いに押し付けられるので、支持ポスト３２６と附勢されたガイドローラ３３０とを横方向に間隔をあけて配置させ、附勢されたガイドローラが支持ポストに接触するのを制限している。附勢ガイドエレメント３２８は、二つの同軸円筒１２０２、１２０４及びバネ部材１２０６を備えている。みぞ部１２０８は、スペーシング部材１２０１を通って伸びている。ガイドローラ３３０の一つは、同軸円筒１２０２、１２０４の各々の一端に取り付けられている。ガイドローラ３３０に取り付けられていない同軸円筒１２０２、１２０４の各々の一端は、みぞ１２０８内に嵌挿する。同軸円筒１２０４は、同軸円筒１２０２より小さい直径を有しておりその中に適合する。移動止め部材は、みぞ部１２０８から外側へ同軸円筒１２０２が移動することを制限する。
【００３７】
この構成は、二つの同軸円筒１２０２、１２０４が互いに滑りあうことを許容し、更に、スペーシング部材１２０１内に形成されたみぞ部１２０８内で互いに滑りあうことを許容する。附勢部材１２０６（軸ばね等）は、同軸円筒１２０２、１２０４の内部に適合する。附勢部材１２０６は、支持エレメント３１２によって加えられる附勢から離して、各々の附勢ガイドローラ３３０を附勢させる。同軸円筒１２０２、１２０４は、スペーシング部材１２０１及び支持ポスト３２６に対して、二つの附勢されたガイドローラ３３０が回転するようにしている。図１２及び図１３の実施形態は、附勢されたガイドローラ３３０が取り付けられた二つの同軸円筒を示しているが、ガイドローラが回転しながら外側に附勢されるような適切な構成であればいかなるものであってもよい。例えば、附勢されたガイドローラは、各々が並置され（軸がずれ）てもよく、且つ、軸がずれた異なる穴の中に据え付けられ、更に、各々のガイドローラは、異なるバネで附勢されていてもよい。
【００３８】
各々のガイド部材３１０のための支持ポスト３２６は、支持ポストをはさむセルの幾つかの部分によってしっかりと支持されており、セルの幾つかの部分に対して動かない状態になっている。附勢ガイドエレメント３２８は、附勢されたガイドローラ３３０が内部で後退できるように、一対の附勢されたガイドローラ３３０を、間隔を離して附勢している。ガイド部材３１０と可動リフトピンアセンブリとの間の相互作用は、附勢されたガイドローラ３３０を互いに押し付けて移動させるか、又は、附勢ガイドエレメントのバネによりガイドローラが互いに離れるようにさせる。
【００３９】
ガイド部材３１０に対して支持エレメント３１２が下方に移動するにつれて、直立位置から外側移動位置にいかにして支持部材が移動するのかを観察するには、図４Ａ及び図４Ｂにおいてそれぞれ示されている支持エレメント３１２に相当する側面図とあわせて図３Ａ及び図３Ｂを眺めるべきである。第一の基板リフト２０６が下方へ移動するにつれて、外側へ支持エレメントを移動させる力は、附勢されたガイドローラ３３０と傾斜部３２４との間で作り出される力によって与えられる。図４Ａの支持エレメント３１２の実施形態に示されるように、傾斜部（ランプセグメント）３２４は、ランプ曲げ線３３４において支持エレメント３１２の材料を曲げることからある角度だけ後方へ向けられた面から形成されている。このように金属のフラップを曲げることは、傾斜部３２４の一つの実施形態を提供する。あるいは、傾斜部３２４は、支持エレメント３１２の一体部分として形成されるか又は機械加工される。傾斜部３２４は、支持マウント３１６が基板の周囲辺りを通るのに必要な場所のみで、附勢されたガイドローラ３３０と（支持エレメント３１２を外側へ移動させるために）接触するように位置している（図２Ｋに示す）。
【００４０】
第一の基板リフト２０６は、第二の基板リフト２０８から独立して移動できる。第一の基板リフト２０６の上下運動を、この運動が支持エレメント３１２について有する結果に従い、以下に記載する。第一の基板リフトが上昇位置にあるときは、第一の基板リフト２０６の支持エレメント３１２が全て直立にあることを考慮する。第一の基板リフトの支持エレメント３１２は、まず、ガイド部材３１０に対して下向きに、図３Ａ及び図４Ａに示された位置へと移動する。支持エレメント３１２は、附勢されたピボット式連結３２１の影響の下で、直立に維持される。附勢されたガイドローラの最も外側表面が、逆Ｔ字型開口部３２２の底部側口部３３６に追従するにつれて（且つ／又は底部側口部３３６内に拘束されるので）、第一の基板リフト２０６を最初に下降させる間、附勢されたガイドローラは、外側位置（図１２）であって支持エレメント３１２の相当する底部側口内に維持される。附勢されたガイドローラが低部側口部３３６内で追従するときは、ガイド部材３１０は、支持エレメント３１２を外側移動位置に移動させる力を支持エレメントに対してかけないようになっている。したがって、第一の基板リフト２０６の支持エレメント３１２は直立のままである。
【００４１】
附勢されたガイドローラ３３０が傾斜部３２４の底面３８２に最初に接触する位置に、支持エレメント３１２がガイド部材３１０に対して下方へ移動するまで、支持エレメント３１２はそれらの直立位置で維持され続ける。（支持部材がガイドローラ３３０に対して下向きに移動するにつれて）支持エレメント３１２を、それらの直立位置からそれらの外側移動位置まで移動させるために、附勢されたガイドローラ３３０は、ランプ面３２４に接触し且つ追従する。附勢されたガイドローラ３３０に相対する支持部材の下方移動の間、ガイドローラは、ランプ曲げ線３３４の境界内の傾斜部３２４と接触して（傾斜部に対して附勢されて）維持される。
【００４２】
ガイドローラは傾斜部と接触したままなので、附勢されたガイドローラの内のそれぞれは、図１２及び図１３に示されるように、それぞれに相対する同軸円筒１２０２、１２０４の周りを回転する。傾斜部３２４は、それらの上部表面の近くでは、それらの下部表面と比較してより狭い幅を有する。したがって、附勢されたガイドローラ３３０が傾斜部３２４を超えて更に移動するにつれて、附勢されたガイドローラは、附勢ガイドエレメント３２８のバネ部材１２０６の附勢に対して、互いに接近して後退位置に強制される（図４Ｂの位置に示されている）。傾斜部に対して（且つ追従して）上方へ移動する附勢されたガイドローラ３３０は、ランプ曲げ線３３４の減少する幅を追従しつづける。傾斜部は、附勢されたガイドローラの外幅が上方側口３３８の幅と等しくなるまで、附勢されたガイドローラを互いに接近するよう強制する。
【００４３】
附勢されたガイドローラの全幅が、逆Ｔ字型開口部３２２におけるそれぞれの上側開口部３３８の幅に等しいので、支持エレメント３１２の上方移動は傾斜部３２４のいかなる部分によっても制限されない。そこにおいて、附勢されたピボット式連結３２１は、第一の基板リフト２０６の支持エレメント３１２を、それらの直立位置に強制する。
【００４４】
第一の基板リフト２０６のガイド部材３１０に対して支持エレメント３１２が上昇する間、支持エレメント３１２は、それらの直立位置において維持される。第一の基板リフト２０６を上昇させることにより、支持エレメント３１２は、それらの外側移動位置へと外側には移動しない。これは、附勢されたガイドローラ３２４が、逆Ｔ字型開口部３２２の上部側口３３８内に拘束される（且つ上部側口３３８に追従する）からである。第一の基板リフト２０６が上昇すると、支持エレメント３１２は、附勢されたピボット式連結３２１の附勢によって、それらの直立位置において維持される。内側へ附勢された附勢ガイドローラ３３０は、支持エレメント３１２を直立位置から移動させない。附勢ガイドローラ３３０は、逆Ｔ字型開口部３２２の上部側口３３８の間に拘束されるので、附勢ガイドローラが傾斜部３２４に接触しないからである。附勢ガイドローラは上部側口３３８内に拘束されるので離れて開かない。したがって、支持エレメントが上昇するにつれて附勢ガイドローラは傾斜部３２４に接触しない。
【００４５】
附勢されたガイドローラ３３０は、附勢されたガイドローラが逆Ｔ字型開口部３２２の下方側口部３３６に入るまで、それらの後退位置に残っている。第一の基板リフト２０６の附勢されたガイドローラ３３０は、附勢ガイドエレメント３３６の影響下で、図４Ｂに示すように、伸張位置へと外側へもう一度附勢される。支持エレメント３１２が、それらの上昇位置に上昇され続けると、附勢式ガイドローラ３３０は、下方側口部３３６に入る。支持エレメントがそれらの上昇位置にあるときに、支持エレメント３１２は、ガイド部材３１０に対して支持エレメントを引き続き下降させることができる。このとき、支持エレメント３１２は、上述のように外側へ移動する。
【００４６】
図５は、複数（好ましくは３個）の支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3を伴う第一の基板リフト２０６である。右にある二つの支持エレメント３１２1及び３１２3は、矢印５０６によって示される間隔によって間隔をあけられている。右にある二つの支持エレメント３１２1及び３１２3は、図２において示されるセル２００のスリット弁２０９と隣接している。矢印５０６によって示される間隔は、二つの支持エレメント３１２1及び３１２3間を通ってセル２０９に基板が入る（且つ出る）ように十分に広くなっている。
【００４７】
上記の第一の基板リフト２０６は、支持部材が上昇するときに、支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3が直立位置にあるような構成をしている。第一の基板リフト２０６が上昇位置から下降位置まで移動するときに（第一の基板リフトが第二の基板の周囲に接触する移動部分の間に）、支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3は、基板に接触することなく基板周囲の周りを通過するのに十分な距離を外側に移動する。したがって、支持エレメントが外側に伸張した位置にあるときに、支持エレメントは、少なくとも基板の直径よりも大きな間隔をあけて位置している。その後、支持エレメントが第二の基板のレベル下方に移動すると、支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3はそれらの直立位置にもどる。
【００４８】
基板が第一の基板リフト２０６によって、下降位置から上昇するときに、第一の基板リフト２０６の支持マウント３１６に接触するいかなる基板も持ち上げることができるように、支持エレメント３１２1、３１２2及び３１２3は直立位置において維持される。次の動作を提供することができるいかなる機械式、電気的又はコンピュータをベースにしたシステムも、第一の基板リフト２０６の意図された範囲内にある：
ａ）支持エレメントが第一の基板を維持しているとき（セル内で支持エレメントが上下移動する間）は、支持エレメントは直立位置において維持される、
ｂ） 支持エレメントは、支持エレメントが第二の基板に接触せず第二の基板の周りを通過するように、支持エレメントの下向移動の特定セグメント間、直立位置から外側移動位置まで移動する、
ｃ）その後、第一の基板リフト２０６の支持マウント３１６が基板レベルの下方に下降するにつれて、支持エレメントは、直立位置へ移動してもどる。
ｄ）第一の基板リフト２０６が、他の基板を持ち上げるために第一の基板リフトの下降位置から上昇位置まで上昇するにつれて、支持エレメントは直立位置のままである。
【００４９】
第一の基板リフト機構２０６についての他の実施形態は、有用な種々の位置において図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃに表されている。第一の基板リフト２０６は、複数のガイド部材９１０及び複数の支持エレメント９１２を備えている。各々のガイド部材９１０は、ポスト部材９１４及びカム部材９１６を備えている。ポスト部材９１４は、セル２００の若干の部分にしっかりと添えられている。各々の支持エレメント９１２は、支持マウント３１６及び支持ロッド３１８、図１４に示される実施形態と関連する上述の附勢されたピボット式連結３２１、リンクサポート９２０、ピボット式カムサポート９２２、附勢されたピボット９２５、停止部材９２７、及びカムフォロワ９２６を備えている。ピボット式カムサポート９２２は、参照符号９２８で後退位置において示されている。
【００５０】
第一の基板リフト機構２０６は、直立位置にある支持エレメント９１２と共に、上昇位置において図９Ａに示されている。支持エレメント９１２が下方へ移動するにつれて、（それらの相対するカムフォロワ９２６をしっかりと支持する）ピボット式カムサポート９２２が伸張する。したがって、カムフォロワ９２６は、それぞれのカム部材９１６に追従する。支持エレメントがガイド部材９１０に対して下降するにつれて、カムフォロワはカム部材９１６に追従する。ねじりバネ（図示せず）は、ピボット式カムサポート９２２のそれぞれを、各支持エレメント９１２に対して、支持エレメントの後退位置からピボット式カムサポートの伸張位置へと附勢する。ねじりバネは、ピボット式カムサポート９２２を、後者の伸張位置に附勢する。しかし、停止部材９２５が、図９Ａに表されるピボット式カムサポート９２２の伸張位置を越えた過度の回転を制限している。
【００５１】
第一の基板サポート２０６が、図９Ｂにおいて示される位置へ更に下方移動することにより、カムフォロワ９２６はそれぞれのカム部材９１６と係合するようになる。カム部材９１６から支持エレメントにかかる力により、支持エレメント９１２は、図９Ａに示される直立位置から図９Ｂに示される外側移動位置へと移動される。支持エレメント９１２が外側移動位置にあるとき、第一の基板リフト２０６用の支持マウント３１６は、基板の外径よりも大きく間隔をあけて配置される。第一の基板リフト２０６の下方移動により、第一の基板リフト２０６の支持エレメント全部品が第二の基板の周囲外側を通る結果となる。カムフォロワ９２６がカム部材９１６の頂部９３０を通ると、カムフォロワはそれぞれの斜面９３６を追従し、支持エレメント９１２が、附勢されたピボット式連結３２１の附勢影響下、それらの直立位置へ徐々に戻っていく。
【００５２】
第一の基板リフト２０６が、その下降位置から上昇位置に上昇するときに、第一の基板リフト上の支持エレメント９１２は、それらが基板を保持し且つ上昇させることができるように位置する。したがって、支持エレメント９１２の全てをそれらの直立位置に維持することが望まれる。支持エレメント９１２が、それぞれのガイド部材９１０に対して上方移動する間、カムフォロワ９２６は、カム部材９１６に沿って上方に移動するとき、カムフォロワ９２６は、カムサポート９２２を後退位置に移動させる。これは、参照符号９２８で示されている。このように、支持エレメント９１２の支持マウント３１６とそれに支持されるいかなる基板との間で相対運動はない。したがって、全体の上方運動の間、支持エレメント９１２は、それらの直立位置において維持される。第一の基板リフト２０６の上方運動が始まると、カムフォロワ９２６は、カムフォロワがランド９５０の斜面９３６に接触するまで、それぞれのランド９５０に追従する。
【００５３】
カムフォロワが斜面９３６を追従し始めるにつれて、ピボット式カムサポート９２２は、それぞれの附勢されたピボット９２５について回転して、それらの後退位置になる。カムフォロワ９２６は、カムフォロワが頂部９３０に到達するまで、それぞれの斜面９３６に追従する。そして、ピボット式カムサポート９２２は、図９Ａに９２８として表されるように、伸張位置（extended position）になるまで回転しつづける。このカムフォロワ９３６の後退／伸張回転により、第一の基板リフトの全体的な上方移動の間、支持エレメントは直立位置に維持される。カムフォロワが頂部９３０を通りカム部材９１６を追従するにつれ、ピボット式カムサポート９２２は、半時計回りに回転する。このとき、カムフォロワ９２６は、ピボット式カムサポート９２２が伸張位置になるまで、それぞれのカム部材９１６に追従する。したがって、第一の基板リフト２０６の全体的な上方移動の間、支持エレメント３１２は、直立位置にあるままである。一方、下方移動では、支持エレメントは、他の基板に接触することを回避するために外側に移動する。この最後の説明は、図３Ａ及び図３Ｂに示される第一の基板リフトについての実施形態にも相当する。
【００５４】
図１０は、第一の基板リフト２０６の更なる代替的実施形態を示す。第一の基板リフト２０６は、プラットホームエレメント１０１４及び複数の支持エレメント１０１２を備えている。各々の支持エレメントは、ピボット部材１０１５、支持マウント３１６、支持ロッド３１８、支持部材１０１２及び支持エレメントアクチュエータ１０１６を備えている。ピボット部材１０１５は、支持エレメント１０１２をプラットホームエレメント１０１４に回動可能に連結している。支持エレメントアクチュエータ１０１６は、プラットホームエレメント１０１４と支持エレメント１０１２との間（又は、伸張部と後退部との間において所望の回転を供給する、第一の基板リフトの他の適切な幾つかの位置）に連結されている。各々の支持エレメントアクチュエータ１０１６は、電気機械的に作動される装置、ピストン、親ねじ、サーボモータ、等であってもよい。コントローラ１３６は、支持エレメントアクチュエータ１０１６を電気的に制御する。支持エレメントアクチュエータ１０１６は、それらの直立位置と外側移動位置との間で、それぞれの支持エレメント１０１２を移動させるために長手方向に伸張可能である。第一の基板リフト２０６における複数の支持エレメント１０１２の全てが、それらの直立位置に置かれているとき、支持マウント３１６は基板を維持するように位置している。支持エレメント１０１２が外側移動位置に置かれるときには、第一の基板リフト２０６が横に移動できて且つ基板の外側を通り抜けることができるように支持マウントは位置している。
【００５５】
コントローラ１３６は、支持エレメントアクチュエータ１０１６及び第一のアクチュエータ２３０（図２の実施例において示されている）を含んでいる第一の基板リフト２０６の全体的操作を制御する。第一の基板リフト２０６を制御する際のコントローラ１３６によって利用されるソフトウェアの一つの実施形態は、方法１１００として図１１において例示されている。方法１１００は、ブロック１１０２で起動する。ブロック１１０２では、コントローラは、第一の基板リフトにおける所望の動作に関する特定事項を支持する、他のプログラムからの実行命令の形で入力（又はユーザーからの入力）を受け取る。ブロック１１０２において、コントローラは第一の基板リフトにおける所望の移動方向、第一の基板リフトの現在位置について考慮し、且つ、第二の基板２１８が（図２Ｆに示されているように）セルの中にあるかどうかを考慮する。第一の基板リフトにおける所望の動作は上方又は下方であり得る。第一の基板リフトの現在位置は、横断方向位置の上方、横断方向位置内、又は横断方向位置の下方のいずれかである。横断方向の位置は、第一の基板リフトにおける垂直高さの範囲であると考えられ、第一の基板２０６の一部がその範囲にあるということが考えられる。支持エレメント９１２の支持マウント３１６は、第一の基板リフトのエレメントであり、図２Ａに示されるようにペデスタル２１４上に位置する基板と接触する可能性が高い。
【００５６】
その後、方法１１００はブロック１１０４に続く。ブロック１１０４では、プロセスセルの中に挿入される第一の基板があるかどうかについてコントローラ１３６が決定する。ブロック１１０４のロジックでは、プロセスセルに挿入される基板がない場合、第一の基板リフト２０６が第一の基板の周りを移動できるように、第一の基板リフト２０６の支持エレメント１０１２を外側に移動させる必要がない。決定ブロック１１０４対する応答が否定的である場合、方法１１００はブロック１１１４に続く。決定ブロック１１０４対する応答が肯定的である場合、方法１１００は決定ブロック１１０６に続く。
【００５７】
決定ブロック１１０６において、方法１１００は、第一の基板リフトにおける所望の動作が下向きであるかどうかを考慮する。支持エレメント１０１２の外側への移動は下向き移動の間にのみ必然的になるので、決定ブロック１１０６について背景ロジックが存在する。第一の基板リフトの上方への移動により、セルの中に第二の基板が挿入されていないことが示唆される。それは、第一の基板が処理されペデスタルから持ち上げられた後に、第二の基板がセルの中に挿入されるのが一般的だからである。第一の基板リフト２０６が上方へ移動しているとき、第一の基板リフト２０６におけるそれぞれの支持エレメント１０１２に連結されている支持マウント３１６は、支持マウントが接触するいかなる基板をも支える。第一の基板リフトが下向きに移動するときには、支持エレメント１０１２に連結されている支持マウント３１６は、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動によって、いかなる基板とも接触することを回避するために外側へ移動する。決定ブロック１１０６に対する応答が否定的である場合、方法１１００は下記のようにブロック１１１４に続く。決定ブロック１１０６に対する応答が肯定的である場合、方法１１００はブロック１１０８に続く。
【００５８】
決定ブロック１１０８において、コントローラ１３６は、第一の基板リフトが横断位置に置かれるかどうかを決定する。第一の基板リフトが横断位置のレベルの上方又は下方である場合には、それから、支持エレメント１０１２（特に支持マウント３１６）のどの部分も基板と接触しない。したがって、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動による第一の基板リフト２０６における支持エレメント１０１２の外側への移動は、第一の基板リフトが横断位置内に置かれるときに必然的になるだけである。決定ブロック１１０８に対する応答が否定的である場合、下記のように、方法１１００はブロック１１１４に続く。決定ブロックに対する応答が否定的である場合、方法１１００はブロック１１１０に続く。
【００５９】
ブロック１１１０では、支持エレメントが外側位置又は外側移動位置にまだ置かれていない場合、コントローラ１３６が、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動によって、第一の基板リフトの支持エレメント１０１２を外側位置に移動させる。方法１１００のロジックに従うと、決定ブロック１１０４、１１０６及び１１０８の全てが肯定的な応答を示す場合にのみブロック１１１０に達する。したがって、プロセスセルに第一の基板が挿入されていて、第一の基板リフトにおける所望の移動が下向きであって、且つ、第一の基板リフトが横断位置に置かれていれば、その場合にのみブロック１１１０に達する。決定ブロック１１０４、１１０６、及び１１０８に記載された条件の全てが満たされるとすぐに、コントローラがアクチュエータ１０１６をエネルギー化して、ブロック１１１０で、第一の基板リフト２０６の支持エレメント１０１２を外側へ移動させるか又は維持する。
【００６０】
決定ブロック１１０４、１１０６、又は１１０８に記載された条件のいずれかが満たされないと、方法１１００はブロック１１１４に続く。ブロック１１１４では、支持エレメントがそれらの位置にまだ置かれていない場合、コントローラ１３６が、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動によって、第一の基板リフトの支持エレメントをそれらの位置に移動させるか、又はそれらの位置に維持させる。したがって、上記の通りに、第一の基板リフト２０６の支持エレメント１０１２は、所望のロボット動作の間中、それらの位置で維持されるようになる。ただし、上述のように、コントローラがブロック１１１０に到達したときはこの限りでない。
【００６１】
ブロック１１１４及びブロック１１１０の次には、方法１１００はブロック１１０２に続く。決定ブロック１１１４及び１１１０において、コントローラは第一の基板リフトの移動についての所望の増分を決める。方法１１００において第一の基板リフトの移動１１１２は徐々に増加するので、方法１１００は、コントローラ１３６が代表的な基板リフト移動の間絶えず実行するループを表す。
【００６２】
基板リフトの所望の移動が下向きであると仮定する。基板リフトは横断位置よりも上方に置かれ、基板がプロセスセルに挿入される。この環境の下では、コントローラは方法１１１０に従い、まずはブロック１１０２を介してブロック１１０４に従う。プロセスセルに挿入された基板があるので、コントローラは決定ブロック１１０６に続く。決定ブロック１１０６においては、第一の基板リフトにおける所望の移動が下向きであるので、コントローラはブロック１１０８に続く。コントローラは、決定ブロック１１０８に行くとすぐに、第一の基板リフトが横断位置よりも上方に置かれているので、決定ブロック１１１４に続く。したがって、コントローラは、ブロック１１１４において、第一の基板リフトの支持エレメントを移動（又は維持）させ、そして、ブロック１１１２に続く。ここで、コントローラ１３６は、基板リフトにおける第二の所望の（下向き）移動を起こす。その後、方法１１１０に追従しているコントローラが、ブロック１１０２に続き、更に、決定ブロック１１０４、１１０６、１１０８及び１１１４を介してブロック１１０２へと反復的ループをたどる。下向き移動により第一の基板リフトが横断位置又は横断位置の下方に搬送されるまで、このループは続く。
【００６３】
第一の基板リフトがその横断位置に到達すると、コントローラは方法１１００の決定ブロック１１０８へ進む。決定ブロック１１０８に達すると、上述のループで説明したように、方法１１００は、ブロック１１１４の代わりにブロック１１１０に続く。第一の基板リフトが横断位置に置かれているからである。ブロック１１１０において第一の基板リフトが横断位置にあるので、第一の基板リフトの支持エレメントは、セルの中に挿入された第二の基板と接触することを回避するために外側位置に移動する。第一の基板リフトにおける支持エレメントの外側位置への移動に続いて、コントローラ１３６は、ブロック１１０２に方法１１００を続ける。そこにおいて、コントローラ１３６は、第一の基板リフトを下方へ移動させ続ける。
【００６４】
第一の基板リフトの下向き移動に続いて、方法１１０２は、ループに従い支持エレメント１０１２を外側位置に回転させて、第一の基板リフトの増分的下向き移動を続ける。ループには、ブロック１１０２、決定ブロック１１０４、１１０６、１１０８、ブロック１１１０及び１１１２が含まれる。方法１１００での下向き移動を与えるこのようなループは、（支持エレメントが外側位置にあって）第一の基板リフトの横断位置の下向き限界に達するまで続けられる。第一の基板リフトが横断位置の下方に移動し、方法１１００が決定ブロック１１０８に到達すると、コントローラは、ブロック１１１０の代わりにブロック１１１４に続く。第一の基板リフトの支持エレメントは、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動によって、ブロック１１１４の内側位置へ移動する。第一の基板リフトの移動が下方制限に達するまで、方法１１００は、決定ブロック１１０４、１１０６、１１０８及びブロック１１１４及び１１０２によって規定されるループに続く。方法１１００が決定ブロック１１０６に到達すると、第一の基板リフトがその最下部に到達するときには、第一の基板リフトの移動方向が逆転して上方向になる。
【００６５】
所望の移動が下方制限まで到達すると、コントローラは、実行されるループを変える。決定ブロック１１０６に達し、且つ、第一の基板リフトにおける所望の移動がその下方制限にあるとき、所望の移動方向はもはや下向きではないので、コントローラはブロック１１１４へ行く。ブロック１１１４にある間、支持エレメントアクチュエータ１０１６の作動により、それらの内側位置に移動してそこに維持される。第一の基板リフトが上向きに移動している間と同様、移動が下方制限に達している間は、方法１１００は、決定ブロック１１０４及び１１０６を介してブロック１１１４及び１１０２へとループする。
【００６６】
ここで、第二の基板リフト２０８の構造について、図６Ａ、図６Ｂ及び図７に示される実施形態と関連させながら記載する。第二の基板リフト２００は、ペデスタル２１４と相互作用するように構成されている。ペデスタルには、複数の穴部６０２であって、各々が埋頭穴みぞ部６０４を備えている穴部６０２が含まれる。第二の基板リフト２０８は、アクチュエータロッド６１２によって垂直に駆動されるプラットホーム２４２と、各々の穴部内に嵌挿した細長いピン２４４を備えている。細長いピン２４４は、上昇した基板位置と下降した基板位置との間で基板を移動させることができる。細長いピンは、ヘッド６１６を含んでいる。細長いピン２４４が下降位置にあるときは、ヘッド６１６は、埋頭穴みぞ部６０４によって支えられる概して円すい形状内に配置する。アクチュエータロッド６１２は、セルの壁を通って伸びているピストンロッドとして、一般的に配置されている。第二のアクチュエータ２４０は、ロッド６１２を作動させることを介して移動力をプラットホーム２４２に加える。第二のアクチュエータ２４０がプロセスセルの内部環境に露出されることを制限するために、第二のアクチュエータは、セルの外側に密封的に含まれている。細長いピン２４４が上昇位置にあるときに、基板は、所定の若干の間隔でペデスタル２１４の上方にヘッド６１６によって支えられている。細長いピンが下降位置にあるときに、基板は、ペデスタルの上部表面６２０上にある。
【００６７】
プラットホーム２４２は、コントローラ１３６の制御下で垂直方向に制御されて移動する。プラットホーム２４２が図６Ａの位置に配置されるとき、プラットホーム２４２とピン２４４との間に隙間が画定される。細長いピン２４４は、下降した位置に維持され、この位置では、ヘッド６１６の角度面は、埋頭穴みぞ部６０４の中に休止する。プラットホーム２４２が図６Ｂに示される位置まで上昇するとき、プラットホーム２４２は細長いピン２４４の底部に接触して上方へ移動させる。それによって、図６Ｂに示されるように、プラットホーム２１４上に支えられるピン、いかなる基板も上昇した位置内へ移される。
【００６８】
第二の基板リフト２０８は、第二の基板リフト２０８の操作が第一の基板リフト２０６の操作から独立して起こることができるように構成されている。例えば、第一の基板リフト及び第二の基板リフトを別々に望むように上げ下げすることができる。
【００６９】
３．複数基板リフト運動力学
プロセスセル１０６及び１０８の中での半導体基板のプロセッシングには、様々なプロセスセルが順番に使われることがしばしば必要になる。プロセスセルは様々なプロセスを実行するために構成されており、特定のものとしては、例えば、物理気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、電気メッキ及び他のエッチング又は層形成プロセスがある。さらに、計測セル１６８は、基板又はその上に堆積された構造物の測定をするために、クラスターツールによって利用され得る。多くの連続したロボット搬送ステップが一般的に必要とされる。単一のセル内に複数の基板が含まれているので、ロボットに支えられている基板間でロボットが基板を交換することができれば、これらのステップを最も効率的に実行することができる。ロボット搬送及びセルの操作は、コントローラ１３６によって制御される。
【００７０】
以下、図２Ａ〜図２Ｎにおいて表されるプロセスについて詳細に説明する。図２Ａは、セルの中で操作（プロセッシング）がされた後の第一の基板２１６を示す。第一の基板２１６は、ペデスタル２１４によって支えられている。図２Ａでは、第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８の両方ともが、下降した後退位置において示されている。第一の基板リフト２０６（下降した位置にあるとき）も第二の基板リフト２０８（下降した位置にあるとき）も、基板２１６がペデスタル２１４によって支えられているときにはその基板と接触しない。基板リフト２０６、２０８が基板底部の水平部の下方にあるからである。
【００７１】
図２Ｂにおいて、第二の基板リフト２０８は垂直に上方へ移動している。第二の基板リフト２０８は、第一の基板２１６と接触するようになる。そして、ペデスタル２１４から垂直に上方へと第一の基板を移動させる。第二の基板リフト２０８は、第一の基板リフト２０６の代わりに、基板２１６をまずペデスタル２１４から離すために使われる。これは、第二の基板リフト２０８が基板の中央近くで基板を支えることによる。第二の基板リフトを使って基板を持ち上げることにより、基板がペデスタルから最初に離れるときに、より少ないストレスが基板にかかることになる。このことは、基板をペデスタルから離すにはかなりの力が必要とされるであろうから重要である。
【００７２】
第一の基板２１６が第二の基板リフト２０８によってペデスタル２１４から離された後、図２Ｃに示すように、第一の基板リフト２０６は上方へと移動して、第二の基板リフト２０８のレベルよりも高いレベルになる。第一の基板リフト２０６の垂直移動により、第一の基板２１６が第一の基板リフト２０６だけによって支えられるようになる。第一の基板リフト２０６が十分に上方へ移動した後、第一の基板２１６は、セル２００の最上部近くに位置するようになる。こうして、隙間部２２０が、スリット開口２１２と同じ水平レベルにおいてセルの中に作られ、第一の基板２１６の下方位置においてセル内へと第二の基板２１８を挿入できるようになる。
【００７３】
その後、図２Ｄに示されるように、第二の基板リフト２０８は、垂直のレベルであってなるべくならペデスタル２１４の最上部又はその下に後退する。この位置にある間、第二の基板リフト２０８は隙間部２２０をさえぎらない。こうして後退することにより、セル２００内に第二の基板２１８を挿入させることができる。セル２００内に第二の基板の挿入を達成するために、スリットドア２１０が、図２Ｅに示されるようにスリット開口部２１２から取り除かれる。
【００７４】
その後は、図２Ｆに示されるように、ロボットブレード又はエンドエフェクタ１３４であってロボット１３２によって移動されるものでありロボットの一部であるものが、第二の基板をセル２００内に挿入させるために第二の基板２１８を左へ水平移動させる。そして、第二の基板リフト２０８は、図２Ｇに示されるようにペデスタルより上方に垂直に移動してロボットブレード１３４から第二の基板２１８を持ち上げる。そうなると、第一の基板２１６は第一の基板リフト２０６によって支えられ、第二の基板２１８は第二の基板リフト２０８によって支えられていることになる。基板ブレード１３４は、ロボットブレード１３４から第二の基板２１８が取り除かれると、図２Ｈに示されるように、スリット開口部２１２を介してセル２００の外側に後退していく。
【００７５】
図２Ｉは、後退位置内に移動した第二の基板リフト２０８である。第二の基板２１８はペデスタル２１４によって支えられている。この位置において、第一の基板２１６の底部レベルよりも下方であるが第二の基板２１８の上部レベルよりも上方の水平レベルにおいて、基板ブレード１３４はスリット開口部２１２を通過することができる。図２Ｋにおいて、第一の基板リフト２０６は、第一の基板２１６がロボットブレード１３４上に静止する水平レベルまで下げられる。
第一の基板リフト２０６は、第二の基板２１８の水平レベルより下方に更に後退し、ペデスタル２１４の上部の水平レベルより下方へと更に後退する。その後、図２Ｌに示されるように、第一の基板２１６を保持しているロボットブレード１３４は、スリット開口部２１２を介してセル２００の外側に後退する。
【００７６】
図２Ｍは、移動しているスリットカバー２１０、シーリング、スリット開口部２１２を示す。第一の基板２１６を搬送するロボットブレード１３４は、ロボット１３２によって、更なるプロセッシングのための更なる位置へ移動される。そして、図２Ｎにおいて示されるセルは、現在、その中に置かれた第二の基板２１８と相互作用（例えばプロセッシング、測定、テスト、その他）を始めることができる状況にある。図２Ｎで示されるプロセッシングが完了した後、図２Ａ〜２Ｎに示されるサイクルをもう一度反覆することができる。新しいサイクルでは、第二の基板２１８が図２に示される新しい第一の基板２１６になり、他の（未処理の）基板が第二の基板２１８としてセルの中に挿入される。
【００７７】
この構成の利点は、一つの基板のプロセッシングが完了し（且つセルから取り除かれる）、第二の基板がセルに挿入されることになっているので、単一のセル内に複数の基板が含まれることを許容するということである。こうして単一のプロセスセル内で基板を交換することは、単一のロボットブレード１３４を使って達成することができる。第一の基板リフト２０６及び第二の基板リフト２０８を備えている、本発明の一実施形態の基板搬送機構は、比較的単純且つ安価な構造である。
【００７８】
コントローラ１３６により、上記のように、方法８００が実行される。コントローラ１３６は、種々のスケジューリングルーチンを実行するようにプログラムされた汎用コンピュータとして表されているが、ソフトウェアによって実装されるプロセスは、アプリケーションに特定的な集積回路（ＡＳＩＣ）又は個別的な回路素子として、ハードウエアにより実装されてもよい。このように、本願明細書に記載されるプロセスステップは、ソフトウェア、ハードウエア又はいかなる組合せにもよっても同等に実行されるとして広く解釈されるべきである。
【００７９】
４．基板搬送及びそれに関連するコンピュータ操作
図８は、方法８００を示すフローチャートの一つの実施形態を示している。この方法では、一つのセルの中に含まれている一対の基板が、単一のロボットエンドエフェクタ１３４を使うことによってセル２００内で交換される。制御装置１３６は、方法８００を実行する。方法８００は、上述のように、図２Ａ〜図２Ｎに示される本発明の実施形態における複数基板リフト装置の操作についての模式的で物理的な表記と並行する。したがって、図８は、図２Ａ〜図２Ｎと共に検討されるべきである。
【００８０】
方法８００はブロック８０２で開始される。ブロック８０２では、セル２００内で実行される第一の基板２１６への操作（例えばプロセッシング）が完了したところである。第一の基板は、プロセッシングに続いてペデスタル２１４上に静止している。セル及び関連する基板リフトは、図２Ａに示すように位置している。
【００８１】
ブロック８０４、８０６、８０８及び８１０は、セルのレベルの上方に第一の基板２１６を位置させることに関連している。また、スリット弁２１０を介してロボットエンドエフェクタを受け入れるための位置にセルを位置させることに関連している。ブロック８０４では、図２Ｂに示すように、第一の基板２１６は、ペデスタルの少し上方に第二の基板リフト２０８によって持ち上げられる。第二の基板リフト２０８は、第一の基板リフト２０６の代わりに基板を持ち上げるために選択されている。それは、基板とペデスタルとの間に、かなりの電気的又は磁気的引力があると思われるからである。第二の基板リフト２０８は、第一の基板リフト２０６に比べ、そのリフトピンを基板の中心近くに適用している。第一の基板リフト２０６は、リフトピンを基板の周囲の近くに適用している。基板の中心のより近くに位置するリフトピンを介してかけられる力は、基板側面の端の近くに位置するリフトピンを介してかけられる力に比べて、基板を曲げたり損傷させたりする傾向が少ない。
【００８２】
方法８００はブロック８０６に続く。ブロック８０６では、第一の基板リフト２０６がセル内の第一の基板を持ち上げるために上昇する。第一の基板リフト２０６がセル内で基板を持ち上げることができる最上レベルは、第二の基板リフト２０８がセル内で基板を持ち上げることができる最上レベルよりも上方である。ブロック８０６は、図２Ｃに表されている。方法８００は、ブロック８０６内で続けられ、図２Ｄに示されるように、セル内で第二の基板リフト２０８を、好ましくはペデスタル２１４のレベルに下降させる。
【００８３】
方法８００はブロック８１０に続く。ブロック８１０では、スリット弁２１０が開けられる。スリット弁の開放（回転）により、ロボットエンドエフェクタがセルにアクセスして、基板を開放し、つかみ、支えることができるようになる。図２Ｅによってブロック８１０が示されている。ブロック８１０では、エンドエフェクタが１３４として示されており、基板が２１８として示されている。
【００８４】
方法８００は、ブロック８１２、８１４及び８１６と共に続く。これらのブロックは、共になって、第二の基板２１８をセル２００に挿入させる。ブロック８１２では、第二の基板２１８をセル２００内に挿入させるために、ロボットがエンドエフェクタ１３４を移動させる。ブロックは、図２Ｆに対応する。第二の基板２１８は、第一のエンドエフェクタ２１６のレベルよりも下方レベルに挿入される。図２Ｇに対応するブロック８１４では、第二の基板リフト２０８が、ロボットエンドエフェクタ１３４のレベルより上方に第二の基板を持ち上げる。ブロック８１４の目的は、ロボットエンドエフェクタが基板表面を横切ってすべらないで、且つ、基板上にある繊細な素子を損壊する可能性無しに、エンドエフェクタをセルから取り除くことができるような位置にまで、第二の基板を持ち上げることである。方法８００は、図２Ｈに対応するブロック８１６に続く。ブロック８１６では、基板がその上に位置していないロボットエンドエフェクタ１３４がセルから取り除かれる。エンドエフェクタの除去により、基板はセル内の元の位置に垂直に戻る。
【００８５】
方法８００は、ブロック８１８、８２０、８２２及び８２４に続く。これらのブロックは、共になって、セルから第一の基板を取り除く。図２Ｉに対応するブロック８１８では、第二の基板リフト２０８は、第二の基板をペデスタル上に置くために下降する。ブロック８１８に続いて、第二の基板２１８は、第二の基板がプロセッシングされる間、ペデスタル上の同じ位置に静止する。図２Ｊに対応するブロック８２０では、セル内であって、第二の基板２１８のレベルより上方であるが、第一の基板２１６のレベルより下方に、ロボットエンドエフェクタ１３４が挿入される。第一の基板リフト２０６上で充分な間隔が下げられたときに第一の基板がエンドエフェクタ１３４によって支えられるようにエンドエフェクタ１３４は位置する。
【００８６】
方法８００は、図２Ｊに対応するブロック８２２に続く。ブロック８２２では、第一の基板リフトが下降する。第一の基板リフトを下降させるプロセスは、支持エレメントが基板を支えることができる直立位置に置かれた状態で、基板がエンドエフェクタ１３４によって支えられるまで続く。第一の基板リフトは、第一の基板がエンドエフェクタによって支えられるレベルの下方に下降する。第一の基板リフトは、下方移動の間、第一の基板リフトの支持エレメント３１２（例えば、図４Ａ及び図５に示されている）が、第二の基板との接触を避けるように外側に移動しなければならなくなるまで、下方への移動を続ける。
【００８７】
第一の基板リフトがペデスタル上で支えられている基板を通過して下方に移動するときに、支持エレメント３１２の外側移動を与える上述の機構に類似するいかなる機構も、第一の基板リフトの意図された範囲内にある。第一の基板リフトが、第一の基板２１６を支えているエンドエフェクタのレベルの下方にくると、支持エレメントは、第一の基板リフトの実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ、図９Ａ〜図９Ｃ、及び図１０）のいずれかによって、直立位置に後退する。
【００８８】
方法８００は、図２Ｌに対応するブロック８２４に続く。ブロック８２４では、第一の基板及び支持エンドエフェクタ１３４がセルから取り除かれる。これは、第一の基板がセルから取り除かれる方法８００中における最初の実例である。ブロック８１２の間、第二の基板をセルに初めに挿入したエンドエフェクタ１３４は、今度は、第一の基板を取り除くために使われる。この暫定的な期間において、第一の基板及び第二の基板は、エンドエフェクタ、第一の基板リフト２０６又は第二の基板リフト２０８のどれかによって支えられている。
【００８９】
方法８００は、図２Ｍに対応するブロック８２６に続く。ブロック８２６では、スリット弁２１９が閉まる。スリット弁が閉まるとすぐに、セル内でプロセッシング又は測定（セルがプロセスセル又は計測学セルであるかどうかによる）が始められる。図２Ｎは、更なるプロセッシングのために、エンドエフェクタ１３４が取り除かれ、プロセスされた第二の基板を有するセル２００を示す。
【００９０】
本願明細書では、本発明の教示を組み込む種々の実施形態が示され且つ詳細に記載されているが、当業者であれば、これらの教示を更に組み込んだ多くの他の変更された実施形態を容易に案出することができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施形態に従う、複数セル及び複数基板リフト装置を備えたクラスターツールを示す。
【図２】図１に示されるプロセスセルの一つについての実施形態である。
【図２Ａ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｂ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｃ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｄ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｅ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｆ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｇ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｈ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｉ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｊ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｋ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｌ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｍ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図２Ｎ】図２に示される複数基板リフト装置についての実施形態を含む、段階的なセルの側断面図を示す。
【図３】図２に示される第一の基板リフトについての一つの実施形態を示す側断面図である。図３Ａにおいて、支持エレメントは直立位置にある。一方、図３Ｂにおいて、第一基板リフトの支持エレメントは外側移動位置にある。
【図４Ａ】図３Ａの断面ライン４−４を通して得られた、第一の基板リフトの部分を示す図である。
【図４Ｂ】図３Ｂの断面のライン４−４を通して得られた、第一の基板リフトの部分を示す図である。
【図５】図２に示された第一の基板リフトの上面斜視図である。
【図６Ａ】第二の基板リフトの一実施形態を含むペデスタルの側断面図を示す。第二の基板リフトが下降した位置に置かれている。
【図６Ｂ】第二の基板リフトの一実施形態を含むペデスタルの側断面図を示す。第二の基板リフトが上昇した位置に置かれている。
【図７】図６Ａのペデスタルの上面図である。
【図８】図２Ａから図２Ｎで表された段階を実行しているコントローラによって実行される方法における一つの実施形態についてのフローダイヤグラムを含む。
【図８Ａ】図２Ａから図２Ｎで表された段階を実行しているコントローラによって実行される方法における一つの実施形態についてのフローダイヤグラムを含む。
【図８Ｂ】図２Ａから図２Ｎで表された段階を実行しているコントローラによって実行される方法における一つの実施形態についてのフローダイヤグラムを含む。
【図９Ａ】第一の基板リフトについての代替的な実施形態の側断面図を示す。第一の基板リフトが上昇位置にある間、支持エレメントは直立位置にある。
【図９Ｂ】第一の基板リフトについての代替的な実施形態の側断面図を示す。第一の基板リフトが中央位置にある間、支持エレメントは外側移動位置にある。
【図９Ｃ】第一の基板リフトについての代替的な実施形態の側断面図を示す。第一の基板リフトが下降位置にある間、支持エレメントは直立位置にある。
【図１０】第一の基板リフトについての更なる他の実施形態である。
【図１１】図１０に示される第一の基板リフトの操作中、コントローラによって使われ得るソフトウェアの一つの実施形態である。
【図１２】図４Ａにおけるガイド部材の一つの実施形態についての上面図である。ガイド部材は、伸張された位置にある附勢されたガイドローラを有している。
【図１３】後退した位置にあるガイドローラを有する、図１２のガイド部材である。
【図１４】図４Ａの附勢されたピボット式連結についての一つの実施形態を示す分解図である。
Claims (16)
- 単一基板を支えるように構成されているペデスタルと、
第一の基板リフト装置を備えるセルであって、
前記第一の基板リフト装置は、
プラットホームエレメントと、
前記プラットホームエレメントに回転可能になるように取り付けられた２以上の支持エレメントであって、基板を支持するために直立させた第一の位置と、前記ペデスタルに支持された基板に接触することを避けるために外側に移動させた第二の位置との間で回転可能な２以上の支持エレメントと、
前記プラットホームエレメントを垂直に移動させるアクチュエータと、
２以上の支持ポストと、
前記支持エレメントのそれぞれ又は前記支持ポストのそれぞれの一方に取り付けられた２以上のガイドローラと、
前記支持エレメントのそれぞれ又は前記支持ポストのそれぞれの他方に取り付けられた２以上の傾斜部と、を備え、
前記アクチュエータによって前記プラットホームエレメントが垂直方向に移動させられた時、前記支持エレメントを外側に移動させた前記第二の位置へ回転させるように前記傾斜部と接触する前記ガイドローラによって、前記支持エレメントが前記支持ポストの１つと相互作用するように構成されている、セル。 - 前記ペデスタルを通って垂直に移動する支持ピンを備える第二の基板リフト装置を備え、前記第一の基板リフト装置は基板を支えることができるようにされていると共に、前記第二の基板リフト装置も基板を支えることができるようにされている、請求項１記載のセル。
- 前記ペデスタルが前記基板を保持する、請求項１記載のプロセスセル。
- 前記第一の基板リフト装置が、基板を支えることができるようにされている第二の基板リフト装置を更に備え、
前記第一の基板リフト装置及び前記第二の基板リフト装置が後退位置にある時に、前記第一の基板リフト装置又は前記第二の基板リフト装置と接触することなく前記セル内に基板を挿入することができるようにされている、請求項１記載のセル。 - 前記ガイドローラが前記支持ポストに取り付けられ、前記傾斜部が前記支持エレメントに取り付けられている、請求項１記載のセル。
- 前記ガイドローラが前記支持エレメントに取り付けられ、前記傾斜部が前記支持ポストに取り付けられている、請求項１記載のセル。
- 前記ガイドローラが外側へ附勢されている、請求項５記載のセル。
- 前記支持エレメントがカムフォロワを備え、前記支持ポストがカムを備えており、前記カムフォロワが前記カムに追従するように構成されている、請求項５記載のセル。
- 前記カムフォロワが回転可能に附勢されている、請求項８記載のセル。
- 単一基板と相互作用するように構成されているペデスタルを有するセルに対して第一の基板及び第二の基板を搬送する方法であって、
外側移動位置から前記第一の基板の下方で直立位置へ複数の支持エレメントを移動させるステップであって、前記支持エレメントはプラットホームエレメントに回転可能に取り付けられ、ガイドローラが傾斜部と接触することによって生じる前記支持エレメントの移動で、前記直立位置と前記外側移動位置との間で支持エレメントを移動させるために、前記支持エレメントが支持ポストと相互作用するステップと、
前記セル内で、前記ペデスタルから遠隔位置へ前記第一の基板を垂直方向に移動させるステップと、
ロボットブレードを使って、第二の基板を前記セル内の前記ペデスタルの上に挿入し、前記第二の基板が前記ペデスタルと接触するように位置させるステップと、
を含む方法。 - 前記セルから前記第一の基板を取り除くステップを更に含む、請求項１０記載の方法。
- 前記第二の基板を前記ペデスタル上へ挿入させるステップが、
第二の基板リフトを伸張させるステップと、
前記ペデスタルに対して、前記第二の基板を支える前記第二の基板リフトの上に、前記第二の基板を位置させるステップと、
前記セルからロボットブレードを後退させるステップと、
を更に含む、請求項１０記載の方法。 - 前記ペデスタルに対して前記第二の基板を位置させるために、前記第二の基板リフトを後退させるステップを更に含む、請求項１２記載の方法。
- 前記セル内へ前記ロボットブレードを再伸張させるステップと、前記ロボットブレード上に前記第一の基板を位置させるステップと、を更に含む、請求項１２記載の方法。
- セル内で第一の基板と第二の基板を交換する方法であって、
ペデスタルの上に位置するように前記第一の基板を前記セル内へ挿入させるステップと、
第一の基板リフトが前記ペデスタルから前記第一の基板を持ち上げるように構成され、プラットホームエレメントと、前記プラットホームエレメントに回転可能になるように取り付けられた支持エレメントと、ガイドローラが傾斜部と接触することによって生じる移動で、直立位置と外側移動位置との間で前記支持エレメントを移動させるために、前記支持エレメントと相互作用する支持ポストとを備え、前記外側移動位置から前記第一の基板の下方位置へ前記第一の基板リフトを移動させるステップと、
前記第二の基板の挿入を許容するようにセル内で前記ペデスタルの上方の位置へ前記第一の基板を垂直方向に移動させるステップと、
前記第二の基板が第二の基板リフト上に配置されるように、ロボットブレードを使って、前記セル内で前記第一の基板の下方の位置に前記第二の基板を挿入するステップと、
前記ペデスタルに前記第二の基板を接触させるステップと、を含む方法。 - 前記セルから前記第一の基板を後退させるステップを更に含む、請求項１５記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/686,211 US6485248B1 (en) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | Multiple wafer lift apparatus and associated method |
| US09/686211 | 2000-10-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002198418A JP2002198418A (ja) | 2002-07-12 |
| JP4386603B2 true JP4386603B2 (ja) | 2009-12-16 |
Family
ID=24755389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001312819A Expired - Fee Related JP4386603B2 (ja) | 2000-10-10 | 2001-10-10 | セル、基板搬送方法及び基板交換方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6485248B1 (ja) |
| EP (1) | EP1197988B1 (ja) |
| JP (1) | JP4386603B2 (ja) |
| KR (1) | KR100857660B1 (ja) |
| DE (1) | DE60143282D1 (ja) |
| TW (1) | TW501967B (ja) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100885082B1 (ko) * | 2000-09-01 | 2009-02-25 | 어사이스트 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 버퍼링 성능을 가진 에지 그립 얼라이너 |
| KR100394576B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2003-08-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조설비의 웨이퍼 리프트 속도 및 동작시간모니터링장치 |
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| TWI732700B (zh) * | 2020-10-16 | 2021-07-01 | 天虹科技股份有限公司 | 鍵合機台的對準機構及對準方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5100502A (en) * | 1990-03-19 | 1992-03-31 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer transfer in processing systems |
| TW297910B (ja) * | 1995-02-02 | 1997-02-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3650495B2 (ja) * | 1995-12-12 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理装置、その基板交換機構及び基板交換方法 |
| TW318258B (ja) * | 1995-12-12 | 1997-10-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
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-
2000
- 2000-10-10 US US09/686,211 patent/US6485248B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-17 DE DE60143282T patent/DE60143282D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-17 EP EP01122207A patent/EP1197988B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-03 TW TW090124450A patent/TW501967B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-10-10 KR KR1020010062409A patent/KR100857660B1/ko active IP Right Grant
- 2001-10-10 JP JP2001312819A patent/JP4386603B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60143282D1 (de) | 2010-12-02 |
| TW501967B (en) | 2002-09-11 |
| JP2002198418A (ja) | 2002-07-12 |
| EP1197988B1 (en) | 2010-10-20 |
| KR100857660B1 (ko) | 2008-09-08 |
| US6485248B1 (en) | 2002-11-26 |
| KR20020028841A (ko) | 2002-04-17 |
| EP1197988A2 (en) | 2002-04-17 |
| EP1197988A3 (en) | 2006-02-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071023 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080902 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080902 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090915 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090929 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |