JP2000510652A - 化学蒸着プロセスのための多目的プロセス室 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 標準のクライスターツールに適用可能なプロセスステーション（２０１）は、上部（２１７）を備え、垂直方向に移動可能な台座（２１５）を有する。この上部は、台座（２１５）内のユニークなフイードスルー（３０１）にプラグ接続されるように設定されたヒータプレート（３０３）を有する。下方台座位置で、ウエハ（２１９）は、不プロセスステーション（２０１）に対する搬入、搬出が可能であり、また、上方位置で、台座（２１５）は、プロセスチャンバ（２０）内の下方環状開口と共に、環状の吐出通路（２５５）を規定する。プロセスチャンバの開口に位置される交換可能なリング（２５３）は、このリング（２５３）を交換することにより、異なる処理のために処理吐出速度を調節可能としている。前記台座（２１５）は、また、この台座（２１５）の周りに環状の吐出通路を規定する囲んだ覆い（２５７）を有する。ユニークな２領域ヒータプレート（３０３）が、台座（２１５）の上部に設けられており、前記フイードスルー（３０１）と接続して、ヒータプレート（３０３）を容易に交換可能としている。付加的に、プロセスチャンバの上部は、基台（２１５）並びに／もしくはヒータ集合体の取り外しを可能とするように、着脱可能のとなっている。

Description

【発明の詳細な説明】 化学蒸着プロセスのための多目的プロセス室 発明の分野 本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを行うための装置並びに方法の分野の ものであり、特に、広範囲のＣＡＶＤ処理に適用され得る多目的プロセス室に関 する。 発明の背景 集積回路の製造は、一般的に、ベースとなる半導体材料のウエハの上に、種々 の材料の薄膜並びに層を形成し、これら膜の所定の領域を構造並びに回路を形成 するように除去するプロセスである。堆積されるシリコンは、代表的なベースと なる材料である。ＩＣの製造において、層を堆積するために幾つかのプロセスが 知られており、この中の１つが化学蒸着（ＣＶＤ）である。 このＣＶＤは、ガスもしくは蒸気の形態でプロセスに導入され得る材料の薄膜 並びに層を堆積するための良く知られた方法である。例えば、ポリシリコンが、 シランガス（ＳｉＨ₄）により堆積され得る。また、シランと、六フッ化タング ステンのようなタングステン保持ガスとを含む混合ガスからタングステンシリサ イドを堆積することが知られている。また、純粋なタングステンが、集積回路の 製造において、ときには選択的に、また、ときには“ブランケット”タングステ ンとして知られているプロセスで前表面を覆うようにして、シリコンウエハの上 に堆積される。 代表的なＣＶＤプロセスにおいて、ウエハが、シール可能なチャンバ内の支持 体の上に載置され、チャンバがシール並びに排気され、ウエハが、代表的にはウ エハ支持体を加熱することにより、加熱され、そして、混合ガスがチャンバの中 に導入される。例えば、ブランケットタングステンのプロセスにおいて、六フッ 化タングステン（ＷＦ₆）と水素とが、反応ガスとして、導入され、また、アル ゴンが、不反応ガスとして導入され得る。このＷＦ₆は、堆積されるタングステ ンのソースである。 代表的には、ＣＶＤプロセスでのガスは、処理の間、連続的に流される。コー テングされる基板（ウエハ）の温度は、ウエハの表面にタングステンを堆積させ る化学反応を果たす変数の１つである。この温度と、他の変数の中でも混合ガス として導入される種々のガスの濃度と、コーテングされる表面全体に渡ってのガ ス流れの均一性のような特性とを制御することが重要である。堆積される層の厚 さが均一であることが究極の特性である。 ＣＶＤプロセスの歴史において、異なる種類のＣＶＤプロセスが開発されてい る。あるプロセスにおいては、単一の元素材料が堆積され、また、他のプロセス においては、材料の化学的組合わせ、即ち、複数種類の材料の混合物が、別々の 材料を保持したガスを導入することにより堆積され得る。 多くのＣＶＤプロセスにおいて、化学現象は吸熱であり、堆積は加熱により果 たされる。多くの場合、熱は、コーテイングされる基板を直接に加熱することに より加えらる。他のプロセスにおいて、プラズマがプロセスチャンバ中に発生さ れ、エネルギーが、高周波電力の供給により、必要な化学現象を生じさせるよう に加えられる。 歴史的には、開発された多くの種類の堆積プロセスは、プロセスチャンバやエ ネルギー並びにプロセスガスを導入するための装置等の高度に個性があり独特な 堆積装置へと導かれている。また、装備のデザインは、単一チャンバー単一基板 システムから、幾つかの基板を同時に処理可能なバッチ処理システムへと、そし て、最終的に、エアーロック並びに高真空搬送チャンバ間の搬送を、ロボット形 態の搬送装置で果たす分離された単一チャンバ−プロセスステーションへと、発 展されている。このプロセスステーションで基板の安定した流れが一連の異なる チャンバ間で果たされ得る。また、基板の一連の独立した処理を可能としたこの システムは、クラスターツールとしてこの分野で知られている材料取り扱い設備 に基づいている。 本発明の出願の時点での半導体装置製造工業において、クラスターツールのデ ザインは、複数のモジュラー構成部品が単一のシステムにおいて種々の製造業者 から提供され得る点に標準化されている。例えば、ある供給者により製造された クラスターツール搬送システムは、他の供給者により製造された堆積／コンディ ショニング−プロセスステーションに適用され得る。このようにして、広範囲で 異なるプロセスステーションが開発されている。 この広範囲で異なるプロセスステーションは、必ずしも便利でも有効でもない 。例えば、クラスターツールを基本とするシステムにおいて、プロセス自体並び にプロセスの順序を変更する必要が生じた場合、一般に、クラスターツール搬送 装置に適用されたプロセスステーションの幾つかもしくは全てを完全に取り外し て置き換える必要がある。このようなシステムの全体構造を再構築することは大 変であり、また、真空チャンバや真空ポンブ装置を物理的に置き換えるのと同様 に、電源と、ガス供給と、制御系の接続の全てを含む時間のかかる難しい一連の 仕事が必要である。 明らかに要求されていることは、ドライエッチングのようなコンディショニン グプロセスと同様に、広範囲のＣＶＤ並びにプラズマＣＶＤプロセスをなし得る 共通のプラットホームを提供する多目的プロセスチャンバである。 発明の概要 本発明の好ましい実施の形態においては、クラスターツールシステムのための プロセスステーションが設けられており、これは、第１の内径を有するほぼ円形 の下縁を備えたプロセスチャンバ部分と、このプロセスチャンバ部分の下に位置 され、真空吐出ポートと、基板搬送ポートと、前記第１の内径よりも大きい、プ ロセスチャンバ部分と真空吐出ポートとの間の第２の内径とを有するベースチャ ンバ部分と、前記第１の内径よりも小さい外径を有するほぼ円形の上方支持面を 備え、そして、垂直方向の移動を可能にするダイナミック真空シールにより、前 記搬送ポートの下でベースチャンバ部分に適合された基板支持台座と、前記プロ セスチャンバのほぼ円形の下縁と同一平面の処理位置、もしくは、前記吐出ポー トの上方で搬送ポートの下方であるベースチャンバ部分内の下方搬送位置に、前 記上方支持面を位置させるように基板支持台座を移動するように設けられた垂直 移動駆動システムとを具備する。前記基板支持台座が処理位置にあるときに、こ の基板支持台座の外径と、前記大きい第１の内径とは、真空吐出ポートを通るプ ロセスチャンバ部分からの第１の制限された吐出速度を決定する第１の環状領域 を有する第１の環状の吐出通路を形成するように設定され、また、前記基板支持 台座が下方搬送位置にあるときに、この基板支持台座の外径と、前記大きい第２ の内径とは、前記第１の制限された吐出速度よりも早い、プロセスチャンバから の第２の吐出速度を可能にするように、前記第１の環状領域よりも大きい第２の 環状領域を有する第２の環状吐出通路を形成するように設定されている。 ある実施の形態においては、前記第１の内径は、交換可能なリングにより規定 され、一定の外径と夫々異なる内径とを有する複数の交換可能なリングを夫々交 換することにより、前記第１の吐出速度が早くなるように変更され得る。また、 ある実施の形態においては、ほぼ環状の上方支持面の所から始まる基板支持基台 の部分を囲み、ほぼ環状の上方支持面の下方に延びた環状の覆いが設けられてお り、ほぼ環状の上方支持面の高さの所でのこの環状の覆いの径は、前記第１の内 径とほぼ等しく、この結果、前記基板支持台座が処理位置にあるときに、環状の 覆いは、この環状の覆いと基板支持台座との間で環状の覆いの中に流れてプロセ スチャンバからの全てのガスの流れを拘束するように第１の内径と合うように設 定されている ある実施の形態においては、前記プロセスチャンバの上方外縁を閉塞する取り 外し可能な蓋が設けられ、また、前記ダイナミックな真空シールは、前記蓋とこ のダイナミックな真空シールとが取り外されて、プロセスチャンバ領域内からこ のプロセスチャンバ領域の上方へと基板支持台座が抜かれることを可能にするよ うな、取り外し可能なシールである。前記取り外し可能な蓋は、基板支持台座が 処理位置にあるときに、この基板支持台座の上に支持された基板の露出面全体に 渡つて均一にプロセスガスを供給するためのガス分布システムを有し得る。 本発明の一態様においては、前記基板支持台座は、前記上方支持面と平行で、 プロセスチャンバのための真空境界を規定する閉塞プレートと、この閉塞プレー トとは断熱され、プロセスチャンバ側に位置するヒータプレートと、このヒータ プレートの上方に、これとは離間して配置され、前記上方支持面を規定した、電 気的に絶縁されたサセプターとを有する。また、ある実施の形態においては、前 記ヒータプレートは、別々に電力が供給される内方加熱領域と外方加熱領域とを 有し、これら内方加熱領域と外方加熱領域とへの電力を制御することにより、ヒ ータプレート全体に渡っての温度プラファイルが制御され得る、ほぼ円形のヒー タプレートである。前記内方加熱領域は、ヒータプレートに形成された少なくと も１つの環状アークにより、前記外方加熱領域とは分離され得る。 本発明の他の態様においては、ヒータプレートは、ユニークな電気コネクター により基板支持台座に組み合わされ、この電気コネクターは、前記電気コネクタ ーは、ほぼ平坦なヒータプレートの面から直角に延びた少なくとも１つの電気的 接触ポストを具備し、この電気的接触ポストは、円形パターンに配列され、電気 接触を果たすように導電性の中空円筒ソケットと係合するように設定された、複 数の導電性カンチレバー形式のばねフインガーを有する。多くの実施の形態にお いて、このようなポストが２つ以上使用されている。 本発明の他の態様において、ユニークなポストを有するヒータプレートは、ユ ニークなフイードスルーと適合され、このフイードスルーは、真空バリアー壁に 形成された開口を介して装着されるように設定され、かくして、真空バリアー壁 を境にして真空側と非真空側とが存在するフランジ／真空シール構造体と、真空 側と非真空側との両方に存在し、第１の円形開口が第１の深さを有し、第１の内 径の開口が真空側にある非導電性部分とを有する本体と、非真空側から真空側の 第１の円形開口中へと前記非導電性部分を介してシールされた導電性ポストと、 第２の円形開口と前記第１の内径よりも小さい外径とを有し、前記非導電性部分 の第１の円形開口中に装着され、かつ第１の円形開口内で導電性ポストに接続さ れた導電性ソケットとを具備する。この実施の形態においては、前記導電性ソケ ットは、前記第１の開口内で横方向には可動であるが、第１の深さの方向には不 動である。 本発明のある実施の形態においては、非導電性部材が、電気的接触ポストの位 置でのヒータプレートと、ユニークなフイードスルーとの間に、セラミック壁が 複数の導電性ポスト並びにソケット間に配置されてシーョトサーキットを生じさ せるポストの直視の線の係合を防止するように、設定されている。 本発明の種々の実施の形態において、設けられたプロセスステーションは、一 般に利用されているステーションよりも汎用性がある。本発明の種々の実施の形 態のステーションは、例えば、処理位置に台座を上昇させることにより、吐出速 度を容易かつ迅速に調節することができる。さらに、プロセスチャンバのサイズ と形状は、チャンバー構造体を交換することにより、容易に調節され得る。さら に、交換可能な蓋装置により、一般の処理能力に、異なる電極並びにガス分布シ ステムを与え得る。同じような方法で、ルーチン化した保守点検とクリーニング とが、この分野で既知のプロセスステーションよりも極めて容易にすることがで きる。 図面の簡単な説明 図１Ａは、この分野で知られており、また本発明の実施の形態で使用されるよ うなクラスターツールを基礎としたプロセスシステムの具体化された平面図であ る。 図１Ｂは、この分野で知られている従来のＣＶＤプロセスステーションを概略 的に示す断面図である。 図２Ａは、本発明の好ましい実施の形態に係わる多目的プロセスステーション の等角投影図である。 図２Ｂは、図２Ａに示す多目的プロセスチャンバの分解図である。 図２Ｃは、図２Ａに示す多目的プロセスステーションの切断等角投影図である 。 図２Ｄは、プロセスモードで示される、図２Ａの多目的プロセスチャンバの断 面図である。 図２Ｅは、搬送モーデ示される、図２Ａの多目的プロセスチャンバの断面図で ある。 図３は、電気的フイードスルー装置を有する台座の図２Ｅからの断面図である 。 図４Ａは、図３の電気的フイードスルーの断面図である。 図４Ｂは、図４Ｃの切断線４Ｂ−４Ｂに沿う、図４Ａの本体の集合体の断面図 である。 図４Ｃは、図４Ａのフイードスルー装置の上面図である。 図５Ａは、図３からのセラミック絶縁体バリアーの側面図である。 図５Ｂは、図５Ａの側面図で示す絶縁体バリアーの平面図である。 図６Ａは、本発明の実施の形態の２領域ヒータプレートの等角投影図である。 図６Ｂは、図６Ａのヒータプレートの平面図である。 図６Ｃは、図６Ａのヒータプレートの側面図である。 図７Ａは、本発明の実施の形態のコネクターポストの等角投影図である。 図７Ｂは、図７Ａのコネクターポストの端面図である。 図７Ｃは、図７Ａのコネクターポストの断面図である。 好ましい実施の形態の説明 図１Ａは、従来技術と本発明との両方で使用されるような、クラスターツール を基礎としたプロセスシステムの概略的な平面図である。このクラスターツール 自身は、真空チャンバ１０１内で実質的に作動する材料取り扱いシステムである 。ウエハ搬送装置１０３は、真空チャンバの中心から作動するように配置されて おり、また、実質的に円形の真空搬送チャンバ１０１の周囲の複数の地点に夫々 付加されたプロセスステーションへと、またこれらから、基板、代表的には、Ｉ Ｃ製造シーケンスでの半導体ウエハを、回転並びに伸長により、配置並びに取り 出すように適合されている。 図示するシステムにおいては、番号１ないし６が付けられた６つのステーショ ン位置があり、これらステーションの各々は、装着フランジとスリットバルブと の配列１０２により、前記チャンバに適合されている。このような設定において 、２つのステーション５，６は、ウエハをチャンバ１０１に出し入れするための エアーロックとして使用される。このチャンバ１０１は、図示しない真空装置に より、高真空に維持される。残りの４つのステーション１〜４は、プロセスのた め に使用可能である。 ウエハは、ロードロック１０４を介して、チャンバ１０１の中に外部より搬入 され、代表的には順次４つのプロセスステーションを通って、アンロードロック １０５から外に搬出される。しかし、ウエハは、搬送装置１０３が所望の順序で 配置ならびに取り出しを可能としているので、４つのプロセスステーションを順 次通る必要はない。 図１Ｂは、図１Ａのステーション１０６の縦断面図であり、このようなプロセ スステーションの付加の代表的な態様を示す。このステーション１０６は、フラ ンジにスリットが形成されたバルブ装置１０２により、図１Ａのチャンバ１０１ とは境界をなした、シールド可能なプロセスチャンバに基づいている。ウエハが 処理のためにチャンバ１０７に搬入され、処理の後にこのチャンバ１０７から取 り出されることが、この境界を通ってなされる。また、このチャンバ１０７は、 真空ポンプ用のポート１０９を有し、このポートを介して、チャンバは排気され る。また、このチャンバは、処理の間、ウエハを支持するための、加熱可能な加 熱台１１０を有する。この処理で使用されるガスは、ガス供給／制御ユニット１ １５から、導管（１もしくは複数）１１４を流れて、リングマニホールド１１３ 並びにシャワーヘッドマニホールド１１２を介して、導入される。 図１Ａに示すシステムでは、チャンバ１０１は、チャンバ内を全て高真空に保 ように、常時、実質的な真空ポンプにより排気される。この目的は、プロセスス テーション間の大気による汚染を防止することである。処理されるウエハは、ロ ードックチャンバ１０４内で、特に、キャリア内で位置され、このロードロック は、チャンバ１０１内の真空レベルのオーダの真空レベルに排気される。そして 、内方バルブが開成され、かくして、ウエハは、搬送装置１０３によりロードロ ックから取り出されて、プロセスチャンバ１〜４のいずれか１つに搬送される。 代表的には、プロセスチャンバのうちの１つでの処理の間、真空ポンプは、過 度のプロセスガスを使用しないで、プロセスチャンバの圧力を制御するように絞 られている。このような絞りは、制御可能な開口を備えたバルブを含む、幾つか の手段により果たされ得る。代表的な処理サイクルにおいては、処理が終わった 後に、ガスはユニット１１５（図１Ｂ）でバルブ調節で供給が停止され、前記絞 りのための機構が、プロセスチャンバ内で最大吐出速度を可能にするように開成 される。この目的は、プロセスチャンバ内のガス圧が搬送チャンバ１０７内のガ ス圧に近くなるように、ガス圧を減じるためである。そして、装置１０２のスリ ットバルブが開成され、搬送装置１０３がプロセスチャンバの中に入り、ウエハ １１１を回収する。この回収されたウエハは、代表的には、装置１０３を介して 、他のプロセスステーションに搬送され、ロードロックから、即ち、他のプロセ スステーションからのウエハは、搬入されて加熱台１１１の上に載置された後に 、搬送装置は、引っ込む。 新たなウエハが、プロセスチャンバ内の加熱台の上に載置されると、装置１０ ２に関連したスリットバルブが再び閉じられて、プロセスチャンバを搬送チャン バ１０１から隔離する。そして、プロセスガスが、ユニット１１５から、導管１ １４を介して導入され、また、吐出速度が絞られる。 おおよそ上述したように、図１Ａ並びに１Ｂを参照して説明した一般的な特性 のプロセスステーションでなされる多くのプロセスがある。例えば、クリーニン グ、エッチング、バックスパッタリング、及び多くの異なる堆積方法がなされ得 る。代表的には、各プロセスは、プロセスに応じて特別にデザインされたチャン バにより行われる。 図２Ａは、広範囲のプロセスを果たすことの可能な、本発明の好ましい実施の 形態に係わる多目的プロセスステーションの等角投影図である。そして、図２Ｂ は、図２Ａに示す多目的プロセスチャンバの分解図である。また、図２Ｃは、図 ２Ａ並びに２Ｂに示す多目的プロセスステーションの切断等角投影図である。ま た、図２Ｄは、プロセスモードで示される、図２Ａの多目的プロセスチャンバの 断面図である。そして、図２Ｅは、搬送モーデ示される、図２Ａの多目的プロセ スチャンバの断面図である。実施の形態における多目的ステーションは、比較的 複雑な装置なので、幾つかの図と断面とが、ステーションの態様と部材とを良く 説明するために与えられており、多目的プロセスステーションでの動作に従う説 明が、与えられた全ての図を参照することにより最っとも良く理解される。 主に図２Ａ並びに２Ｂに示すように、多目的プロセスステーション２０１は、 他の部材と組み合わされて真空容器となるベースチャンバ２０３により、クライ スターツールに装着されている。このベースチャンバ２０３は、フランジ２０７ の所で終端している、側方に延びる通路を規定した延出部２０５を有する。この フランジは、ステーションがシステム１００（図１Ａ）に装着するように、クラ スターツール搬送装置の対応したフランジに装着するように適合されている。ス リットバルブは、図示されておらず、この実施の形態では、フランジ２０７が装 着されるクラスターツールの一部である。 円筒状（この実施の形態では）のプロセスチャンバ２０４は、界面で一体的な 真空封止を与える真空シールによりベースチャンバ２０３の上端に装着されてお り、蓋集合体２６１が真空シールでプロセスチャンバの上端にシールされている 。この実施の形態では、前記蓋集合体は、プロセスチャンバにヒンジ留めされて おり、また、プロセスチャンバの中にプロセスガスを導入するための装置を有し ている。この蓋集合体と、これに関連した装置とは、以下により詳しく説明され る。説明のこの部分のために、蓋集合体と基台とを備えたプロセスチャンバが閉 じたプロセス容積を与えることに注意することは（図２Ｃ並びに図２Ｄ）、重要 である。 駆動集合体２０９が、真空シールで水平フランジによりベースチャンバ２０３ の下側に装着されている。この水平フランジは、図示しない真空ポンプシステム への装着のための側方出口２１３を有する円筒状の上方ハウジング２１１の一部 である。この上方ハウジングは、クライスターツールの真空搬送チャンバに強固 に装着されたベースチャンバ２０３に強固に装着されていることにより、以下の さらなる説明から明らかになるような他の部材のための構造的支持を果たす固定 部材となっている。 前記駆動集合体の目的は、内部の台座装置２１５（図２Ｂ）を上下に移動させ ることである。この台座装置は、処理されるウエハを支持しかつ加熱するための 加熱支持体を構成している。この台座が最下位置にあるときに、ウエハは、ベー スチャンバに搬入され、支持体の上に載置され得、そして、搬送装置が延出部２ ０５から抜かれ、関連したスリットバルブが閉成された後に、台座は上昇して、 これに支持されたウエハをプロセスチャンバ内の処理される位置へと移動させる 。 前記駆動装置と台座装置２１５との関係は、図２Ｃ，２Ｄ，２Ｅに、特に良く 示されている。この台座装置２１５は、ヒータプレートと、電気絶縁プレートと 、以下に詳述される他の部材とを備えた上部２１７を有する。この駆動装置に係 わるこの説明のために、駆動装置への台座装置の接続が、主に重要である。 図２Ｅは、ウエハ２１９を上部２１７上で支持し、最下位置にある台座装置２ １５を示す。この位置で、搬送装置（図１Ａに符号１０３で示す）は、延出部２ ０５を通ってベースチャンバに入り、台座装置の上部上のウエハを摘んだり載置 させたりすることが可能である。この説明のために、ウエハ２１９が台座装置の 上に載置されているのが想定され得る。 駆動装置２０９の上方ハウジング２１１に注意が向けられる。この上方ハウジ ング２１１よりも直径が短く硬く円筒状の下方ハウジング２２１が、上方ハウジ ング２１１から下方へと延びている。前記台座装置２１５は、上方構造体２２４ と、フランジ２２７の所で終端している下方延出部２２５とを有する。このフラ ンジ２２７には、外方円筒部材２２３が装着されており、この円筒状部材と下方 延出部との間に環状の領域を規定している。この外方円筒部材２２３は、ベアリ ング材で裏打ちされており、前記下方ハウジング２２１を囲んでこれにしっかり と嵌め合うように適合されて、偏心した負荷がなく、信頼性良く台座装置２１５ を上下に移動させるための垂直方向リニアーガイドを形成している。 真空に対しての一体性は、金属ベローズ２３３により、台座装置を垂直方向に 移動可能にしなが、全装置に対して維持されている。このベローズ２３３は、下 端のフランジ２２７と、円筒状の下方ハウジング２２１の下端に、その外側で固 定されたフランジ２２９との間をシールしている。このフランジ２２９は、ベー スチャンバ２０３に装着されたハウジング２１１に取着された下方ハウジング２ ２１の一部として、固定的である。前記フランジ２２７は、台座装置２１５の下 方延出部２２５に取着されているので、台座装置２１５と共に上下に移動する。 台座装置が下方に移動されるのに従って、ベローズ２３３は伸び、また、台座装 置２１５が上方に移動されるのに従って、ベローズ２３３は、縮まる。この台座 装置は、フランジ２２９の内側と、主にシリンダー２２３内の内部ベアリングと により、垂直路内に拘束されている。 前記駆動集合体２０９と、台座装置の上下方向の移動とに関して、台座装置２ １５を最下位置（図２Ｅ）と最上位置（図２Ｄ）との間で移動させる機構を説明 することが残っている。主に図２Ａを参照して、駆動集合体２０９は、ガイドハ ウジング２３８内で伸長可能なシャフト２３７を備え、この実施の形態では、電 気的に駆動かつ力が与えられるリニアーアクチュエータ２３５を有する。この伸 長可能なシャフトは、図示しない制御システムから受ける制御信号に従って、ハ ウジング２３８内で伸縮可能である。また、この伸長可能なシャフト２３７の一 端は、駆動集合体の上方ハウジング２１１に、Ｕリンクにより枢着されている。 Ｕ字形状のトラックを有するヨーク集合体２４１が、前記シリンダー２２３（こ れは台座装置２１５に強固に取着されている）を囲み、かつ、Ｕ字形状のトラッ クの両端部でクランプバー２４３の両端に枢着されている。このクランプバーは 、駆動ハウジング２３８をクランプしている。 図２Ｂ並びに２Ｃに示すように、前記ヨーク集合体２４１は、前記シリンダー ２２３の両側に夫々装着された２つのベアリング２４５と係合している。図２Ｂ に示すように、カムトラック／ヨーク集合体２４１のＵ字形状のトラックの湾曲 端の中心には、長さが調節可能なリンク２４７の一端が、Ｕリンク２４９により 枢着されている。このリンク２４７の他端は、Ｕリンク２５１により、ハウジン グ２１１に取着されている。 上述した構成において、伸長可能なシャフトが伸ばされるのに従って、ヨーク 集合体は、シャフト２３７が伸ばされる長さの約１／２の距離だけシリンダー２ ２３が下方に移動されるように、関節としてＵリンク２４９の所で装着物を備え たレバーとして動かされる。この結果、台座装置は、全体的に、プロセスチャン バ並びにベースチャンバに対して下方に移動される。同様に、シヤフト２３７が 縮まるのに従って、台座装置は、ベースチャンバ並びにプロセスチャンバに対し て上方に移動される。 台座装置がベースチャンバ並びにプロセスチャンバに対して移動可能とするた めの機構や、本発明の範囲から逸脱しないでなされ得る、図示された機構におけ る種々の変更があることは、当業者にとって自明であろう。例えば、エアーシリ ンダー、エアーオイルシステム、流体圧システム等、使用され得る幾つかの異な る伸長駆動がある。説明した実施の形態は、円滑な移動と精度とを与える。 本発明の一態様において、延出部２０５を介してのウエハの搬入、搬出のため の下方位置と、処理のためのプロセスチャンバの中への台座上のウエハの上方で の位置付けでの上方位置とを与える台座装置の垂直方向の移動は、また、上方位 置と下方位置との間での異なる吐出速度を与える。また、これを可能にする部材 は、プロセスステーションでの実際の吐出速度の変更をも容易にする。 図２Ｄ並びに２Ｅに示すように、リング形状のライナー２５３がベースチャン バ２０３がプロセスチャンバ２０４と結合される所に配置されている。このライ ナー２５３の内径は、台座が最上位置にあるときに、台座２１５の上縁とライナ ー２５３との間に形成された環状通路２５５（図２Ｄ）の領域を決定する。また 、このライナー２５３は、熱電同率の低い材料により形成されており、この結果 、台座がプロセス（最上）位置にあるときに、加熱される台座に最も近いプロセ スチャンバとベースチャンバとの部分に対する保護を与えている。 前記ライナー２５３と関連して、台座２１５は、基台に取着されかつ成形され た吐出用の円環を形成する環状の覆い２５７を有する。台座２１５が最上位置に あるときに、この覆い２５７が台座２１５の本体と共に形成している上方の円環 は、ライナー２５３と一致する覆いの上方リムにより円環２５５と一致する。図 ２Ｄに示すように、側方の吐出用出口ポート２１３を介しての、プロセスチャン バからの吐出のための通路は、覆い２５７と基台の本体との間に形成された環状 通路を通ることは明らかである。 図２Ｅに示すように、基台２１５が、ステーションに対してウエハを搬入、搬 出のための最下位置に移動されると、プロセス領域からのガスは、上述した円環 状の覆いの中を通り得るが、覆いの外側の周りで領域２５９を通って、ハウジン グ２１１の領域に流れ、さらに、吐出用ポート２１３を通って排出される。 吐出速度は、処理の後とウエハの搬送の間は、比較的早くなければならないこ とが要求され、そして、処理の間には、全ガス圧を補償するように処理の間の遅 く制御された速度に絞られなければならないことはこの分野の者にとって良く知 られている。従来のシステムにおいて、これは、代表的にはチャンバの吐出ポー ト内の、絞りバルブ等によりなされている。本発明のこの態様においては、この 相違は、取着された突出覆いを備えた台座装置の垂直方向の移動により、簡単に なされる。この態様において、絞りバルブは、正確なプロセス圧力制御のために 使用され得る。 前記ライナーと覆いとのためのあるデザインは、夫々処理において、全く異な る吐出速度を必要としているＣＶＤとＰＥＣＶＤとの両方での広範囲の処理のた めに与えられるのではないことが、この分野の者にとって明らかであろう。本発 明の説明された実施の形態において、異なるプロセスのためには、台座を取り外 し、覆いとライナーとを代えるだけで良い。これは、ルーチン化した保守点検と クリーニングのための計画的な中断時間でなされる得る。さらに、この交換は、 さらに以下に詳細に説明するように、チャンバの他の態様のユニークなデザイン により、比較的簡単なことである。 図２Ａないし２Ｄに示すように、プロセス領域は、蓋リング２６３と、絶縁リ ング２６５と、ガス拡散集合体２６７とを備えた蓋集合体２６１により閉塞され ている。このガス拡散集合体２６７は、プロセスガスを導入するための、図示し ない複数のポートと、プロセスガスをプロセスチャンバに導く複数の内部流路と 、プロセスチャンバ内の所定位置にある台座２１５上の処理されるウエハの全体 に渡って均一にプロセスガスを分布させるようにプロセス領域に設けられた拡散 部材とを有する。このような、ポートと、流路と、拡散部材とはこの分野では良 く知られている。 前記拡散装置２６７は、この拡散装置に電気的かつ熱的絶縁を与え、種々の処 理方法で要求されるように拡散装置に他の部材に対する電圧の印加を可能にして いる前記絶縁リング２６５の中にはめ込まれている。このような電圧の印加は、 例えば、プラズマ強化ＣＶＤ方法で知られているように、プラズマを形成するよ うにチャンバ内のプロセスガスを励起するために使用され得る。前記絶縁リング ２６５は、真空シールで真空的一体性を与えると共に強固な蓋集合体を形成する ように、蓋リング２６３と拡散装置２６７とに結合している。好ましい実施の形 態においては、蓋集合体２６１は、着脱可能な真空シールを介してプロセスチャ ンバ２０４にヒンジ留めされており、クリーニングや保守点検のためのアクセス をルーチンに従い比較的容易に可能にしている。 主に図２Ｄ並びに２Ｅに示すように、プロセスチャンバの内部へのアクセスは 、蓋集合体２６１を緩めて外方に移動させることにより、なされ得る。ステーシ ョン２０１の底で、下部２２５がフランジ２２７に取着されているところでフラ ンジ２２７に容易なアクセスができる。蓋集合体を開成した状態で、フランジ２ ２７から台座装置２１５を外し、これをプロセスステーションの開口した上から 取り外すことができる。このような仕様は、クリーニングや保守点検を必要とす るプロセスチャンバの部分への、また、新たなそして異なる処理状態とするため のライナーや覆いの交換のための迅速かち簡単なアクセスを可能にする。 従来技術に対しての重要な改良は、台座２１５の上部領域の構造に対してなさ れている。図３は、図２Ｄでの円形破線２６９の部分での台座２１５の上部領域 の断面図である。上述し、また、特に、図２Ｃを参照することによりわかるよう に、台座２１５は、上方構造体２２４と下方延出部２２５との集合体である。こ の上方構造体２２４は、閉塞プレート２２６により上部が閉じられており、また 、これら部材２２５，２２６，２２４は、本質的に中空の真空封止構造体をなす ように真空シールで組み合わされている。上方の閉塞プレート２２６は、図３を 参照して以下に詳述されるように、処理の間、ウエハを支持するための電極部材 並びにヒータ部材を支持する。この台座装置２１５の閉塞プレート２２６は、図 ３ではベースプレートであり、通常のＯーリング等の真空シールのためや高温に より損傷されるような他の部材のために動作温度を維持するように水冷される。 図３を参照して、閉塞プレート２２６には、この実施の形態では、２つの貫通 孔が形成されており、この中を、ユニークな電気的フイードスルーユニット３０ １が貫通している。１つの貫通孔が図３には示されているが、好ましい実施の形 態では、後で詳述するように、ユニークな１つのヒータプレートのために２つの 貫通孔が形成されている。このフイードスルーユニット３０１は、真空的一体性 を果たすように真空シールで閉塞プレート２２６に適合されている。閉塞プレー ト２２６の１つの貫通孔中のフイードスルーユニット３０１は、ヒータプレート ３０３内のヒータ部材に電力を供給する。このヒータプレート３０３は、電気絶 縁プレート３０５により、前記閉塞プレート２２６から離間されている。このヒ ータプレート３０３の機能は、処理の間、上にウエハが載置されているサセプタ ー３０７を加熱することである。 前記サセプター３０７は、熱電動率の高いグラファイトでほとんど形成された 構造体であり、僅かな距離Ｄ１だけヒータプレート３０３とは離間されている。 また、このヒータプレート３０３は、この間隔Ｄ１を介しての対流並びに伝導に よりサセプター３０７を加熱する。この結果、サセプターの上面全体に渡って、 かくしてウエハの表面全体に渡って比較的一定の温度を与える助けとなっている 。また、このサセプターは、高周波電圧の印加のための有効な電極を構成してい る。かくして、このサセプターは、図３には示していないＲＦフイードスルーを 介して印加される電気的要素を、これを必要とするプロセスに対して、構成して いる。 ２つのフイードスルー３０１を、ＲＦパワーのための第２のフイードスルーに 接続するヒータ電力線、並びに、種々の他の導線やコネクターが、台座装置２１ ５の中空の内部（図２Ｃ，２Ｄ，２Ｅを参照）に沿って案内されていることによ り、閉塞プレート２２６の下面の領域に設けられている。電力供給のためや、台 座装置２１５の構成部材や他の部材への他の利用のための上記電力線並びに導線 は、簡単にするために図面には示されていないが、一般的に、既知のように外部 電源や利用される供給源から延びている。 ここで述べられている好ましい実施の形態においては、閉塞プレート２２６に は真空シールされた幾つかの他の貫通孔が形成されているが、特には図面に示さ れていない。これら貫通孔は、適当なフイードスルーを備え、内部の部材の温度 を感知するための熱電対、並びにサセプターの温度をモニターするための少なく とも１つの光学センサーを収容している。このようなフイードスルーは、この分 野では一般的に知られている。代表的には所定パターンの３つのセラミック製の ピンを移動させるためのエアーシリンダーで動作される機構が、良く知られてい るように、ヒータ／サセプター集合体に適用されて、サセプター３０７の表面に 対してウエハを上下させるように設定されている。この結果、搬送装置は、ウエ ハの下に延びてサセプタープレートに対するウエハの持ち上げ並びに配置が可能 となっている。好ましい実施の形態においては、流圧シリンダーが、これの可動 半体がベローズシールを介して閉塞プレートの中の開口を通って延長可能なよう に、閉塞プレート２２６の下側に適用されている。この流体圧シリンダーは、１ ／２インチのストロークを有し、ヒータとサセプタープレートとに形成された小 孔を貫通した３つのセラミック製のピンを支持し、ヒータの下方に配置されたス パイダーを駆動する。 台座装置２１５は、ウエハが搬送可能である図２Ｅに示す下降位置にあるとき には、サセプター３０７上のウエハは、上述した流体圧シリンダーにより駆動さ れて上昇するセラミック製のピンにより、サセプターの上面から持ち上げられ得 る。そして、搬送アーム（図１の符号１０３を参照）がプロセスステーション内 で、ピン上のウエハの下で、サセプターの上方に沿うに延出され得る。このとき に、ピンを引っ込めることにより、ウエハは搬送アーム上に載置され、このアー ムは、ウエハと共に取り出され得る。このプロセスは、サセプターの上に、処理 される新たなウエハを載置する場合には逆となる。 図３に示すフイードスルー３０１が、図４Ａに分離して示されている。セラミ ック本体４０３が、この実施の形態ではインターメタリックボンディングにより 金属本体４０５に結合されている。この金属本体は、閉塞プレート２２６（図３ ）に形成された適当な開口を介してシール可能な一体的な本体を形成するように 、Ｏーリングのような真空シールのためのシール溝４０７を有する。硬いニッケ ルワイヤー４０９が、この分野で知られているようなインターメタリックボンデ ィングにより、前記セラミック本体４０３にシールされており、通常の電力線４ １１に、伝導熱により問題が生じないようなフイードスルーから充分に離れた所 で、例えば、半田付けにより接続されている。 前記フイードスルー３０１の真空側で、前記ニッケルワイヤー４０９は、セラ ミック本体４０３の開口４１５内で組み合わされ、ヒータプレート３０３からの ポスト（図３）を受けるように適合されたソケット４１３に接続されている。こ れらポストは，以下に詳述される。これらソケット４１３は、前記ワイヤー４０ ９により垂直方向で拘束されており、適当な硬さを有する。前記開口４１５は、 夫々ソケット４１３よりも少し大きい直径を有し、ソケット４１３が横方向に自 由に動くことを可能にしている（ワイヤー４０９は横方向の動きに対しては僅か にしか抵抗しない）。このように、横方向の動きが自由なことにより、ポストを 有するヒータプレート（さらに以下に説明する）を閉塞プレートに組み合わせる ときの少しの移動並びにミスアラインメントを許容している。 図４Ｃは、図４Ａのフイードスルー３０１の上面図であり、図４Ｂは、図４Ａ の断面から９０度実質的に回転された、図４Ｃの切断線４Ｃ−４Ｃに沿うフイー ドスルー３０１の本体の集合体の断面図である。断面図４Ｂは、円形開口４１９ の下方で、セラミック本体４０３に形成された溝４１７に沿っている。この開口 ４１９には、ヒータプレート３０３の円形部分が挿入されている。この円形部分 からはコネクターポストが突出されている。また、前記溝４１７には、セラミッ ク絶縁バリアー３０９のバッフル延出部３１１が挿入されている。このバリアー は、電気的フイードスルーの個々のポスト間の視線（ｌｉｎｅ ｏｆ ｓｉｇｈ ｔ）見通し線の電気的相互作用を防ぐ機能を果たす。 図５Ａ並びにＢは、前記セラミック絶縁バリアー３０９の上面図並びに側面図 である。このバリアーは、両ソケット４１３の位置を囲むのに充分な大きさの直 径を有する。また、このバイアー３０９は、この実施の形態では円形開口５１１ ，５１３を有する。これら開口は、ヒータプレート３０３に設けられたポストが 、後で詳述されるような方法で貫通可能なように設定されている。さらに、この バリアー３０９のバッフル延出部３１１は、セラミックバリアーの平坦な本体に 対して実質的に９０度でバリアー３０９の全直径に渡って、バリアー壁に沿って 延出しており、また、ヒータプレートが説明された実施の形態の台座に組み合わ されたときに前記溝４１７と係合するように設定されている。 図６Ａは、図３に示すヒータプレート３０３の等角投影図であり、図６Ｂは、 同ヒータプレートの平面図であり、そして、図６Ｃは、側面図である。この実施 の形態ではヒータプレート３０３は、内方領域６０３と、外方領域６０５とを有 するユニークな２領域ヒータである。これら領域は、ヒータプレートを厚さ方向 に貫通した２つの溝６０７．６０９により区分されている。また、内方領域６０ ３は、ヒータ上のサセプターの上に載置されるウエハの直径に渡って当接するよ うに設定されており、また、外方領域６０５は、ヒータプレートの残りの領域を 実質的に占めている。この実施の形態では、ヒータプレート３０３は、薄膜の加 熱部材を備えたセラミック集合体である。 ２つの分離したコネクターポスト構造体６１１は、この実施の形態ではヒータ プレート３０３上に構成されており、一方は内方領域６０３に機能し、他方は、 外方領域６０５に機能する。独立したパワーが与えられることの可能な２つの分 離した領域の提供は、２領域ヒータを覆うサセプター上のウエハを加熱するとき のエッジ効果に対抗するように加熱分布をターンさせることを可能にしている。 かくして、ウエハを外周に至まで均一に加熱することができ、これは、従来技術 のヒータに対して優れた効果である。 図７Ａ，Ｂ，Ｃは、主として図４Ａ，Ｂ，Ｃを参照して前述したヒータプレー トとソケットとの集合体に関連して、本実施の形態で使用されるユニークなコネ クターポストを示す。図７Ａは、コネクターポストの等角投影図であり、図７Ｂ は、拡大端面図であり、そして、図７Ｃは、図７Ｂの切断線７Ｃ−７Ｃに沿って 切断された断面図である。 コネクターポスト７０１は、ねじ部７０３と、フランジ７０５と、可撓性のフ インガーポスト延出部７０７とを有する。この実施の形態では、全長は、約１／ ２インチであり、ねじ部とポスト延出部とは夫々約１／４インチであるが、他の 実施の形態では、これよりも大きいか小さいポストが使用され得る。前記ねじ部 のねじは、好ましくは、細かいねじであるが、幾つかの異なるねじサイズが使用 され得る。 図７Ａ，Ｂ，Ｃに示す好ましい実施の形態において、コネクターポスト７０１ のポスト延出部７０７は、図示されたフィンガー７０９のような１２本の等しい 可撓性フィンガーに分けられている。このコネクターポストは、幾つかの種類の ステンレススチールの一つのような化学的に耐性のある材料で代表的には形成さ れ、フィンガーの適当なばねテンションを与えるように、この分野で知られた方 法で熱処理される。 図６Ａ，Ｂ，Ｃに示すように、各コネクターポスト構造体６１１は、２つのね じ穴が形成された起立部６０１を有する。前記絶縁バリアー３０９は、各起立部 上に位置されており、また、コネクターポスト７０１は、フランジ７０５がヒー タプレートに絶縁バリアーを捕獲かつ支持させるように、絶縁バリアーの開口５ １１，５１３を貫通しかつこれらにねじ留めされている。この集合体は、図３を 参照して明確に示されている。前記ヒータプレート３０３は、ねじ孔がヒータプ レートの対応する加熱部材に各ヒータプレートが適合するのを可能とするように デザインされている。上述したユニークな構造を利用するようにヒータをデザイ ンするであろう多くの異なる構造があることは、この技術の分野の者にとって明 らかであろう。 フイードスルー３０１のフイードスルー貫通部が、ヒータプレート３０３のコ ネクターポスト構造体６１１と一致するように要求されたパターンで閉塞プレー ト２２６に設けられている。ヒータプレートが閉塞プレートに組み合わされる場 合には、各コネクターポスト構造体の起立部６０１は、円形開口４１９（図４Ａ 並びに４Ｂを参照）と係合する。同時に、絶縁バッフル３０９のバッフル延出部 ３１１は溝４１７と係合し、見通し線構造を形成しない。上述したように、フイ ードスルー３０１のワイヤー４０９上のソケット４１３は、ポストの可撓性フイ ンガーと共に横方向の移動が可能になっていることにより、容易で確実な係合が 可能となっている。 ここで説明されている好ましい実施の形態においては、単一のヒータプレート に形成された２つの分離した加熱領域にパワー接続を与える２つのコネクターポ スト構造体が設けられている。また、この実施の形態においては、図示していな いが、プラズマ強化ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセスでのＲＦバイアスのための高 周波接続を果たすために設けられた同様のソケットーポスト構造を使用している 。しかし、これよりも多いか少ないコネクターポスト構造体があり、また、２つ のポストーフイードスルーが高周波バイアスのために使用され得ることは、この 分野の者にとって明らかであろう。 本発明の精神並びに範囲から逸脱しないで、ここで説明された実施の形態でな され得る多くの異なる詳細とデザインとがあることは、この分野の者にとって明 らかであろう。このような多くの変形は、すでに述べられているが、他にも多く ある。例えば、集積回路の製造において現在使用されている多くのサイズのウエ ハがあり、また、本発明の実施の形態に係わるプロセスステーションは、個々の サイズのウエハもしくは一連のサイズのウエハに適用できるように構成され得る 。本発明に係わるステーションは、例えば、１２インチもしくはそれ以上の径の ウエハに適用されるようにサイズが設定され得るが、名目上８インチ径のウエハ を適当、均一かつ効果的に加熱するように、ヒータ構造に合わされる。 本発明の範囲の他の例として、詳述された駆動集合体２０９は、本発明の種々 の実施の形態での台座集合体を上下させるための、効率が良く、円滑で、寿命の 長い駆動を提供する。現在の技術に対してユニークな発明的相違を維持しながら 、ある実施の形態に組み入れられる完全に異なる駆動ではあるが、使用され得る 駆動での多くの変更がある。 さらなる例として、本発明の多くの部材でなされ得る多くの材料、例えば、ヒ ータプレートやサセプターのための材料の変更がある。なされ得る広範囲の変更 の観点で、本発明は、請求の範囲によってのみ制限される。

───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 ロセスチャンバの上部は、基台（２１５）並びに／もし くはヒータ集合体の取り外しを可能とするように、着脱 可能のとなっている。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．第１の内径を有するほぼ円形の下縁を備えたプロセスチャンバ部分と、 このプロセスチャンバ部分の下に位置され、真空吐出ポートと、基板搬送ポー トと、前記第１の内径よりも大きい、プロセスチャンバ部分と真空吐出ポートと の間の第２の内径とを有するベースチャンバ部分と、 前記第１の内径よりも小さい外径を有するほぼ円形の上方支持面を備え、そし て、垂直方向の移動を可能にするダイナミック真空シールにより、前記搬送ポー トの下でベースチャンバ部分に適合された基板支持台座と、 前記プロセスチャンバのほぼ円形の下縁と同一平面の処理位置、もしくは、前 記吐出ポートの上方で搬送ポートの下方であるベースチャンバ部分内の下方搬送 位置に、前記上方支持面を位置させるように基板支持台座を移動するように設け られた垂直移動駆動システムとを具備し、 前記基板支持台座が処理位置にあるときに、この基板支持台座の外径と、前記 大きい第１の内径とは、真空吐出ポートを通るプロセスチャンバ部分からの第１ の制限された吐出速度を決定する第１の環状領域を有する第１の環状の吐出通路 を形成するように設定され、また、前記基板支持台座が下方搬送位置にあるとき に、この基板支持台座の外径と、前記大きい第２の内径とは、前記第１の制限さ れた吐出速度よりも早い、プロセスチャンバからの第２の吐出速度を可能にする ように、前記第１の環状領域よりも大きい第２の環状領域を有する第２の環状吐 出通路を形成するように設定されている、クラスターツールのためのプロセスス テーション。 ２．前記第１の内径は、交換可能なリングにより規定され、一定の外径と夫々 異なる内径とを有する複数の交換可能なリングを夫々交換することにより、前記 第１の吐出速度が早くなるように変更され得る請求項１のプロセスチャンバ。 ３．ほぼ環状の上方支持面の所から始まる基板支持基台の部分を囲み、ほぼ環 状の上方支持面の下方に延びた環状の覆いをさらに具備し、ほぼ環状の上方支持 面の高さの所でのこの環状の覆いの径は、前記第１の内径とほぼ等しく、この結 果、前記基板支持台座が処理位置にあるときに、環状の覆いは、この環状の覆い と基板支持台座との間で環状の覆いの中に流れてプロセスチャンバからの全ての ガスの流れを拘束するように第１の内径と合うように設定されている請求項１の プロセスチャンバ。 ４．前記プロセスチャンバの上方外縁を閉塞する取り外し可能な蓋をさらに具 備し、また、前記ダイナミックな真空シールは、前記蓋とこのダイナミックな真 空シールとが取り外されて、プロセスチャンバ領域内からこのプロセスチャンバ 領域の上方へと基板支持台座が抜かれることを可能にするような、取り外し可能 なシールである請求項１のプロセスステーション。 ５．前記取り外し可能な蓋は、基板支持台座が処理位置にあるときに、この基 板支持台座の上に支持された基板の露出面全体に渡って均一にプロセスガスを供 給するためのガス分布システムを有する請求項４のプロセスステーション。 ６．前記基板支持台座は、前記上方支持面と平行で、プロセスチャンバのため の真空境界を規定する閉塞プレートと、この閉塞プレートとは断熱され、プロセ スチャンバ側に位置するヒータプレートと、このヒータプレートの上方に、これ とは離間して配置され、前記上方支持面を規定した、電気的に絶縁されたサセプ ターとを有する請求項１のプロセスステーション。 ７．前記ヒータプレートは、別々に電力が供給される内方加熱領域と外方加熱 領域とを有し、これら内方加熱領域と外方加熱領域とへの電力を制御することに より、ヒータプレート全体に渡っての温度プラファイルが制御され得る、ほぼ円 形のヒータプレートである請求項６のプロセスステーション。 ８．前記内方加熱領域は、ヒータプレートに形成された少なくとも１つの環状 アークにより、前記外方加熱領域とは分離されている請求項７のプロセスステー ション。 ９．前記内方加熱領域は、ヒータプレートにより加熱される基板の直径とほぼ 等しい直径を有する請求項７のプロセスステーション。 １０．前記ダイナミック真空シールは、ステンレススチール製のベローズであ る請求項１のプロセスチャンバ。 １１．ヒータプレートに平行なサセプタ上に載置された基板を加熱するための ほぼ円形でほぼ平坦な２領域ヒータプレートであり、これは、 第１のセットの電気コネクターにより電力が供給される実質的に円形の第１の 中心領域と、 この第１の領域を囲み、第２のセットの電気コネクターにより電力が供給され る第２の実質的に円形の外側領域と、を具備するヒータプレート。 １２．前記中心領域は、円形アークを規定した少なくとも１つの溝により前記 外側領域から分離されている請求項１１のヒータプレート。 １３．前記電気コネクターは、ほぼ平坦なヒータプレートの面から直角に延び た少なくとも１つの電気的接触ポストを具備し、この電気的接触ポストは、円形 パターンに配列され、電気接触を果たすように導電性の中空円筒ソケットと係合 するように設定された、複数の導電性カンチレバー形式のばねフインガーを有す る請求項１１のヒータプレート。 １４．各セットの電気コネクターは、互いに近接された２つのカンチレバー形 式のばねフインガー接触ポストを有する請求項１３のヒータプレート。 １５．各領域を構成する２つの電気接触ポストは、電気絶縁バリアーを貫通し 、このバリアーをヒータプレートに支持させ、また、この電気絶縁バリアーは、 ヒータプレートの面に直角に延び、２つの電気接触ポストを分ける壁部分を有す る請求項１４のヒータプレート。 １６．実質的に平坦なヒータプレートのための電気接触構造体であり、これは 、 中に２つのテーパ付き孔を備えた平坦な上面を有した円形起立部であり、前記 テーパ付き孔はこの円形起立部の直径となる直線上に位置し、この円形起立部の 中心からほぼ等しい距離にある、と、 前記円形起立部と直径が等しく、円形起立部の２つのねじ付き孔に等しく離間 して円形部を通す２つの孔、並びに平坦な円形部分の平面に直角に延び、２つの 孔の中心を結ぶ線に直交して平坦な円形部分を２分した絶縁バリアー構造体と、 それぞれねじ付き端部と、中心肩フランジと、ねじが形成されていない端部と を有する２つの接触ポストと、を具備し、 前記２つの接触ポストのねじ付き端部は前記絶縁バリアーの２つの孔を貫通し 、前記中心肩フランジは、絶縁バリアー構造体の平坦な円形部分を円形起立部に 支持させ、そして、接触ポストのねじが形成されていない端部は、絶縁バリアー 構造体の平坦な円形部分から延出し、また、絶縁バリアー構造体の壁部分は、２ つの接触ポスト間に見通し線を形成する、電気接触構造体。 １７．前記接触ポストのねじ付き端部の各々は、円形のパターンに配置され、 かつ導電中空円筒ソケットと係合して電気的接触を果たす、導電性の複数のカン チレバー形式のばねフインガーを有する請求項１６の電気接触構造体。 １８．真空バリアー壁に形成された開口を介して装着されるように設定され、 かくして、真空バリアー壁を境にして真空側と非真空側とが存在するフランジ／ 真空シール構造体と、真空側と非真空側との両方に存在し、第１の円形開口が第 １の深さを有し、第１の内径の開口が真空側にある非導電性部分とを有する本体 と、 非真空側から真空側の第１の円形開口中へと前記非導電性部分を介してシール された少なくとも１つの導電性ポストと、 第２の円形開口と前記第１の内径よりも小さい外径とを有し、前記非導電性部 分の第１の円形開口中に装着され、かつ第１の円形開口内で導電性ポストに接続 された導電性ソケットとを具備し、 前記導電性ソケットは、前記第１の開口内で横方向には可動であるが、第１の 深さの方向には不動である電気フイードスルー。 １９．前記非導電性部分を通る２つの電気的に独立したポストとソケットとの 構造体を有する請求項１８の電気フイードスルー。 ２０．本体部分は、非導電性部分に加えられた金属部分を有し、前記フランジ ／真空シール構造体は、この金属部分に設けられている請求項１８の電気フイー ドスルー。