DE102013113052A1 - Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor - Google Patents
Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor Download PDFInfo
- Publication number
- DE102013113052A1 DE102013113052A1 DE102013113052.6A DE102013113052A DE102013113052A1 DE 102013113052 A1 DE102013113052 A1 DE 102013113052A1 DE 102013113052 A DE102013113052 A DE 102013113052A DE 102013113052 A1 DE102013113052 A1 DE 102013113052A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- heating
- heating coils
- susceptor
- heating coil
- center
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Verwendung als unterhalb eines Suszeptors (6) eines CVD-Reaktors (1) angeordnete Heizeinrichtung (7), zum Aufheizen der zur Prozesskammer (4) weisenden, zu beschichtenden Substrate (5) tragenden Suszeptor-Oberseite auf eine Temperatur über 1.000°C mit den folgenden Merkmalen: – mindestens eine spiralförmig verlaufende Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4); – jede Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) besitzt zwei Kontaktkelemente (13, 13.1, 13.2, 13.4, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4), um die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) an eine elektrische Stromquelle anzuschließen; – die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) bestehen aus mindestens eifern Filament (8', 8'', 8'''); – die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) sind auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Heizeinrichtung eines CVD-Reaktors.
- CVD-Reaktoren sind bekannt unter anderem aus den
DE 198 82 475 B4 ,DE 10 2012 103295 A1 ,US 5,830,805 A ,US 5,855,675 A ,US 5,989,342 A ,US 6,267,853 B1 ,US 6,295,059 B1 ,US 6,322,677 B1 ,US 6,440,261 B1 ,US 6,589,338 B1 ,US 6,939,403 B2 ,US 2008/0019806 A1 WO 2010/054206 A2 DE 101 59 702 A1 ,US 2007/0259112 A1 DE 102 19 223 A1 . - Ein CVD-Reaktor besitzt ein nach außen gasdichtes Gehäuse, in dem sich ein Gaseinlassorgan befindet. Durch das Gaseinlassorgan werden voneinander verschiedene Prozessgase in eine Prozesskammer eingeleitet. Auf dem Boden der Prozesskammer, den ein Suszeptor ausbildet, liegen eine Vielzahl zu beschichtende Substrate. Indem sich die Prozessgase insbesondere an der Substratoberfläche zerlegen, bilden sich Reaktionsprodukte, die unter Ausbildung einer Schicht auf den Substraten verbleiben. Der Prozesskammerdruck in dem CVD-Reaktor und die Oberflächentemperatur des Suszeptors werden so eingestellt, dass die abzuscheidende Schicht die gewünschten mechanischen, elektrischen und kristallinen Eigenschaften besitzt. Hierzu ist es erforderlich, die Temperatur des Suszeptors möglichst homogen, d. h. ohne horizontalen Temperaturgradienten einzustellen. Zudem muss eine große Wärmeenergie erzeugt werden, da das Gaseinlassorgan gekühlt werden muss. Wegen des sich dadurch einstellenden großen vertikalen Temperaturgradienten in der Prozesskammer fließt eine große Wärmemenge in die Kühlung des Gaseinlassorganes.
- Der Suszeptor wird zudem um sein Zentrum gedreht, um die Homogenität der abgeschiedenen Schichten zu verbessern.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine den oben genannten Anforderungen gerechtwerdende Heizeinrichtung zum Aufheizen des Suszeptors auf Temperaturen über 1.000°C anzugeben.
- Gelöst wird die Aufgabe durch eine Heizeinrichtung, die die folgenden Merkmale aufweist: Sie besitzt eine spiralförmig verlaufende Heizwendel. Es können ein oder mehrere derartige Heizwendeln vorgesehen sein. Jede Heizwendel besitzt zwei Kontaktelemente, um die Heizwendel an einer Stromquelle anzuschließen, so dass ein Strom durch die Heizwendel fließen kann. Jede der mindestens einen Heizwendel besteht aus einem Filament. Das Filament ist wendelgangförmig angeordnet. Das korkenzieherartig gewendelte Filament erstreckt sich insgesamt auf einer Spiralbogenlinie. Die Heizwendel-Anordnung ist insgesamt auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet. Die Heizwendel-Anordnung wird vom Suszeptor überfangen. Die Heizwendeln liegen vorzugsweise zumindest größtenteils in einer gemeinsamen Ebene. Es handelt sich um eine Parallelebene zu der Ebene, in der sich der Suszeptor erstreckt. Der Suszeptor kann um das Zentrum der Grundfläche der Heizwendel-Anordnung gedreht werden.
- Es sind folgende technische Verbesserungen des Standes der Technik vorgesehen: Mehrere Heizwendeln sind mit gegensinnigem Wicklungssinn ineinandergeschachtelt. Beispielsweise kann im Zentrum der Spiralenanordnung eine erste Spirale angeordnet sein, die ausgehend von innen nach außen im Uhrzeigersinn orientiert ist. Radial außerhalb dieser spiralförmigen Heizwendel kann sich eine ebenfalls spiralförmig angeordnete Heizwendel befinden. Diese ist von innen nach außen, aber entgegen dem Uhrzeigersinn orientiert. Es ist ferner vorgesehen, dass das Zentrum der mindestens einen Spirale radial außerhalb des Zentrums der Grundfläche liegt. Dies ist insbesondere dann von Vorteil, wenn der Suszeptor sich um eine Achse dreht, die durch das Zentrum der Grundfläche verläuft. Zufolge dieser Ausgestaltung bildet sich im Zentrum des Suszeptors keine Singularität. Da der Suszeptor beim Abscheiden von Schichten auf den Substraten um die Zentrumsachse gedreht wird, ist es hinnehmbar, dass die Heizwendel-Anordnung an unterschiedlichen Umfangspositionen unterschiedliche Leistungsdichten an Wärme erzeugt. Wesentlich ist aber, dass gemittelt über die Drehung des Suszeptors an jeder Position nur so viel Wärme in den Suszeptor eingekoppelt wird, dass dessen Oberflächentemperatur im Wesentlichen konstant ist und sich keine horizontalen Temperaturgradienten ausbilden. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass mehrere Heizwendeln vorgesehen sind, wobei zumindest zwei der Heizwendeln eine gleiche Länge beziehungsweise eine gleiche Wärmeleistung pro Längeneinheit erzeugen bei gleicher an den Kontaktelementen anliegenden Spannung. Derartig gleich gestaltete Heizwendeln können dann elektrisch parallel geschaltet werden. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass mit einer Vielzahl von Heizwendeln eine Vielzahl von in Radialrichtung ineinandergeschachtelte Heizzonen ausgebildet werden. Die voneinander verschiedenen Heizzonen können mit voneinander verschiedener Leistung bestromt werden.
- Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
-
1 einen schematischen Querschnitt durch einen CVD-Reaktor, -
2 schematisch den Verlauf der Heizwendeln eines ersten Ausführungsbeispiels einer Heizeinrichtung in der Draufsicht auf die Heizeinrichtung, -
3 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Heizeinrichtung, -
4 ein drittes Ausführungsbeispiel einer Heizeinrichtung, -
5 ein viertes Ausführungsbeispiel einer Heizeinrichtung, -
6 ausschnittsweise vergrößert eine aus zwei parallel zueinander verlaufenden, gewendelten Filamente8' ,8'' bestehende Heizwendel und -
7 eine Darstellung gemäß6 , wobei drei Filamente8' ,8'' ,8''' parallel verlaufend gewendelt sind und eine Heizwendel8 ausbilden. - Die in den
2 bis5 in der Draufsicht schematisch dargestellten Heizeinrichtungen werden in einem CVD-Reaktor1 verwendet, wie er in der1 dargestellt ist. Innerhalb eines nach außen gasdichten Reaktorgehäuses1 befindet sich ein Gaseinlassorgan2 , durch welches Prozessgase beispielsweise PH3, AsH3, TMGa, TMAl, TMIn oder NH3 in eine Prozesskammer4 eingeleitet wird. Hierzu besitzt Unterseite des Gaseinlassorganes2 Gasaustrittsöffnungen3 . - Der Boden der Prozesskammer
4 wird von einer Oberseite eines Suszeptors6 ausgebildet. Auf der Oberseite des Suszeptors6 sind eine Vielzahl von zu beschichtenden Substraten5 angeordnet. Der Suszeptor6 kann aus Siliziumkarbid-beschichtetem Graphit bestehen. Der gerundete Rand des Suszeptors6 stützt sich auf einem hohlzylindrischen Suszeptorträger16 ab, der um eine Zentrumsachse Z gedreht werden kann. - In der Höhlung des Suszeptorträgers
16 unterhalb des Suszeptors6 befindet sich eine Heizeinrichtung7 . Die Heizeinrichtung7 besitzt eine kreisrunde Grundfläche und zumindest zwei Kontaktplatten11 ,12 , die jeweils an einem elektrischen Potenzial angeschlossen sind. Kontaktelemente13 ,14 von Heizwendeln8 sind mit den Kontaktplatten11 ,12 verbunden, so dass durch die Heizwendel8 ein Strom fließen kann. Zur Lagefixierung der Heizwendeln8 sind Stützelemente9 vorgesehen, die mit einer Stützplatte10 verbunden sind. Die Kontaktplatten11 ,12 sind in der1 in zwei verschiedenen Ebenen dargestellt. Es ist aber auch möglich, die Kontaktplatten11 ,12 in einer gemeinsamen Ebene anzuordnen. Die Heizwendel8 verläuft in einer Parallelebene zu der Ebene der Kontaktplatte11 ,12 . Die Stützplatte10 verläuft zwischen der Ebene der Heizwendel8 und den Kontaktplatten11 ,12 . - Die in der
1 dargestellte Heizeinrichtung7 kann ein oder mehrere Heizwendeln8 aufweisen. Die mindestens eine Heizwendel8 erstreckt sich auf einer spiralförmigen Linie. Es können mehrere Heizwendeln8 vorgesehen sein, die sich auf einer gemeinsamen spiralförmigen Linie erstrecken. Es können aber auch mehrere Heizwendeln vorgesehen sein, die ineinandergeschachtelte Spiralen ausbilden. - In den
2 bis5 sind die ein oder mehreren Heizwendeln8 lediglich als Striche dargestellt. In der Realität besteht aber jede Heizwendel8 aus mindestens einem Filament8' ,8'' ,8''' , das eine Wendelform besitzt. - Die
6 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem ein einzelnes Heizelement, also eine Heizwendel8 , von zwei parallel verlaufenden, aus Wolfram bestehenden Filamenten8' ,8'' ausgebildet ist. Die beiden Filamente8' ,8'' werden von Drähten gleichen Querschnitts ausgebildet, so dass durch die Filamente8' ,8'' im Wesentlichen derselbe Strom hindurchfließt, wenn an den Enden der beiden Filamente8' ,8'' dieselbe Spannung anliegt. - Die
7 zeigt eine Variante. Hier wird eine einzelne Heizwendel8 von insgesamt drei nebeneinanderlaufenden Filamenten8' ,8'' ,8''' gebildet. Die drei Filamente8' ,8'' ,8''' sind gewissermaßen parallel zueinander verlaufend gewendelt. - Bei dem in der
2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind insgesamt vier Heizelemente jeweils in Form einer Heizwendel8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 vorgesehen. Die vier Heizwendeln8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 liegen im Wesentlichen in einer gemeinsamen Ebene. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass die radial äußerste Heizwendel8.4 in einer Ebene verläuft, die näher an der Suszeptor-Unterseite liegt, als die radial inneren Heizwendeln8.1 bis8.3 . Die Heizwendeln8.1 bis8.4 laufen dann auf voneinander verschiedenen Ebenen, wobei bevorzugt jede Heizwendel8.1 bis8.4 nur in einer Ebene verläuft. Ausgehend von einem Kontaktelement14.1 verläuft die radial innerste Heizwendel8.1 auf einer sich im Uhrzeigersinn orientierten Spiralkurve. Dem Kontaktelement13.1 der ersten Heizwendel8.1 ist nahezu radial außerhalb davon liegend ein Kontaktelement14.2 einer zweiten Heizwendel8.2 benachbart. Die zweite Heizwendel8.2 verläuft auf einer Spiralkurve, die dem Uhrzeigersinn entgegengerichtet ist bis zu einem Kontaktelement13.2 . Neben dem Kontaktelement13.2 , und zwar in Radialaußenrichtung versetzt, befindet sich ein Kontaktelement14.3 einer dritten Heizwendel8.2 , die wiederum auf einer Spiralkurve verläuft, die im Uhrzeigersinn orientiert ist. Neben dem Kontaktelement13.3 befindet sich das Kontaktelement14.4 einer vierten Heizwendel8.4 , die wiederum im Gegenuhrzeigersinn orientiert ist. - Das in der
3 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel zeigt nur eine einzige Heizwendel, die zwei oder drei oder sogar nur ein Filament aufweisen kann, welches als wendelgangförmige Struktur entlang einer Spirallinie angeordnet ist. Während bei dem in der2 dargestellten Ausführungsbeispiel das Zentrum der radial innersten Heizwendel8.1 mit dem Zentrum der Grundfläche der Heizeinrichtung7 übereinstimmt, liegt bei dem in der3 dargestellten Ausführungsbeispiel das Zentrum der Spirallinie, auf der die Heizwendel8 verläuft, radial außerhalb des Zentrums Z der Grundfläche. Durch das Zentrum Z der Grundfläche verläuft die Drehachse, um die der Suszeptor6 gedreht wird. - Während bei dem in der
2 dargestellten Ausführungsbeispiel die einzelnen Gänge der Spiralen einen gleichbleibenden Abstand besitzen, ändert sich der Abstand der Gänge der Spiralkurve bei der in der3 dargestellten Heizwenel8 . In der Richtung, in der das Zentrum der Spirale vom Zentrum Z der Grundfläche beabstandet ist, liegen die Gänge der Spiralkurve enger beieinander, als in Gegenrichtung. - Bei dem in der
4 dargestellten Ausführungsbeispiel sind insgesamt drei Heizwendeln8.1 ,8.2 und8.3 vorgesehen. Alle drei Heizwendeln8.1 ,8.2 ,8.3 liegen auf einer gemeinsamen Spiralkurve. Die Kontaktelemente13.2 und13.3 der Heizwendeln8.2 und8.3 liegen unmittelbar nebeneinander und sind mit denselben Kontaktplatten verbunden. Dasselbe gilt sinngemäß für die Kontaktelemente14.1 und14.2 der Heizwendeln8.1 und8.2 . Auch diese sind mit gleichen Kontaktplatten verbunden. Auch hier ist die Spirallinie, entlang der die Heizwendeln8.1 bis8.3 verlaufen, exzentrisch – bezogen auf das Zentrum Z der Grundfläche – angeordnet, so dass das Zentrum der Spirallinie, das dem Anschlusskontakt13.1 benachbart ist, von auf einer Kreisbogenlinie auf dem Suszeptor angeordneten Punkten überlaufen wird, wenn sich der Suszeptor dreht. - Das in der
5 dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt insgesamt vier Heizwendeln8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 . Jeweils zwei Heizwendeln8.1 ,8.3 sowie8.2 und8.4 verlaufen auf gemeinsamen Spiralkurven, wobei zwei Spiralkurven ineinandergeschachtelt sind. Es handelt sich hier um eine zweigängige Spirale, so dass die Heizwendeln8.1 ,8.2 nebeneinander verlaufen, wobei jede der beiden Heizwendeln8.1 ,8.2 auf verschiedenen Spiralkurven verlaufen. Beide Spiralkurven beginnen im Zentrumsbereich an den Kontakten13.1 und13.2 und verlaufen im Uhrzeigersinn um das Zentrum nach außen. An den Kontakten14.1 beziehungsweise14.2 schließen sich dann die weiteren Heizwendeln8.3 und8.4 mit ihren Kontaktelementen14.3 und14.4 an. Auch diese beiden Heizwendeln verlaufen nebeneinander bis zu den Kontaktelementen13.3 und13.4 . - Bei allen Ausführungsbeispielen kann in nicht dargestellten Varianten vorgesehen sein, dass die einzelnen Heizwendeln
8 eine einheitliche Länge aufweisen. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Heizwendeln8 bei gleicher an ihren Kontakten anliegenden Spannung dieselbe Heizleistung pro Längeneinheit erzeugen. - Es kann auch vorgesehen sein, dass die Heizwendeln verschieden starke Heizleistungen erzeugen. Dies ist insbesondere dann vorgesehen, wenn die Heizwendeln, wie in der
5 dargestellt, auf nebeneinander verlaufenden Spirallinien angeordnet sind. - Bei sämtlichen Ausführungsbeispielen werden die Heizwendeln von Filamenten ausgebildet, die um eine gedachte Spiralbogenlinie gewendelt sind. Die schraubengangförmig gewendelten Filamente sind bevorzugt aus Wolfram gefertigt.
- Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils eigenständig weiterbilden, nämlich:
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass mindestens eine spiralförmig verlaufende Heizwendel8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 vorgesehen ist, dass jede Heizwendel8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 zwei Kontaktkelemente13 ,13.1 ,13.2 ,13.4 ,14.1 ,14.2 ,14.3 ,14.4 besitzt, um die Heizwendeln8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 an eine elektrische Stromquelle anzuschließen, dass die Heizwendeln8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 aus mindestens einem Filament8' ,8'' ,8''' bestehen und dass die Heizwendeln8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet sind;
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass mehrere Heizwendeln8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 mit gegensinnigem Wicklungssinn ineinandergeschachtelt sind;
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass unmittelbar benachbarte Heizwendeln8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 einen gegensinnigen Wicklungssinn besitzen;
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Zentrum der spiralförmigen Anordnung der mindestens einen Heizwendel8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 außerhalb des Zentrums Z der kreisförmigen Grundfläche liegt;
Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass mindestens zwei Heizwendeln8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 eine gleiche Länge oder eine gleiche Heizleistung pro Längeneinheit bei gleicher an den Kontaktelementen13 ,13.1 ,13.2 ,13.4 ,14.1 ,14.2 ,14.3 ,14.4 anliegenden Spannung aufweisen;
Ein CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass er einen um das Zentrum Z der Grundfläche drehbaren, einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor6 aufweist. - Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfinndungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsgehalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf der Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- CVD-Reaktor
- 2
- Gaseinlassorgan
- 3
- Gasaustrittsöffnung
- 4
- Prozesskammer
- 5
- Substrat
- 6
- Suszeptor
- 7
- Heizeinrichtung
- 8
- Heizwendel
- 8'
- Filament
- 8''
- Filament
- 8'''
- Filament
- 9
- Stützelement
- 10
- Stützplatte
- 11
- Kontaktplatte
- 12
- Kontaktplatte
- 13
- Kontaktelement
- 14
- Kontaktelement
- 15
- Gasauslassorgan
- 16
- Suszeptorträger
- 8.1
- Heizwendel
- 8.2
- Heizwendel
- 8.3
- Heizwendel
- 8.4
- Heizwendel
- 13.1
- Kontaktelement
- 13.2
- Kontaktelement
- 13.3
- Kontaktelement
- 14.1
- Kontaktelement
- 14.2
- Kontaktelement
- 14.3
- Kontaktelement
- 14.4
- Kontaktelement
- Z
- Zentrum
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 19882475 B4 [0002]
- DE 102012103295 A1 [0002]
- US 5830805 A [0002]
- US 5855675 A [0002]
- US 5989342 A [0002]
- US 6267853 B1 [0002]
- US 6295059 B1 [0002]
- US 6322677 B1 [0002]
- US 6440261 B1 [0002]
- US 6589338 B1 [0002]
- US 6939403 B2 [0002]
- US 2008/0019806 A1 [0002]
- WO 2010/054206 A2 [0002]
- DE 10159702 A1 [0002]
- US 2007/0259112 A1 [0002]
- DE 10219223 A1 [0002]
Claims (7)
- Vorrichtung zur Verwendung als unterhalb eines Suszeptors (
6 ) eines CVD-Reaktors (1 ) angeordnete Heizeinrichtung (7 ), zum Aufheizen der zur Prozesskammer (4 ) weisenden, zu beschichtenden Substrate (5 ) tragenden Suszeptor-Oberseite auf eine Temperatur über 1.000°C mit den folgenden Merkmalen: – mindestens eine spiralförmig verlaufende Heizwendel (8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ); – jede Heizwendel (8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ) besitzt zwei Kontaktkelemente (13 ,13.1 ,13.2 ,13.4 ,14.1 ,14.2 ,14.3 ,14.4 ), um die Heizwendeln (8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ) an eine elektrische Stromquelle anzuschließen; – die Heizwendeln (8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ) bestehen aus mindestens einem Filament (8' ,8'' ,8''' ); – die Heizwendeln (8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ) sind auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet. - Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Heizwendeln (
8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ) mit gegensinnigem Wicklungssinn ineinandergeschachtelt sind. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass unmittelbar benachbarte Heizwendeln (
8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ) einen gegensinnigen Wicklungssinn besitzen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Zentrum der spiralförmigen Anordnung der mindestens einen Heizwendel (
8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ) außerhalb des Zentrums (Z) der kreisförmigen Grundfläche liegt. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Heizwendeln (
8 ,8.1 ,8.2 ,8.3 ,8.4 ) eine gleiche Länge oder eine gleiche Heizleistung pro Längeneinheit bei gleicher an den Kontaktelementen (13 ,13.1 ,13.2 ,13.4 ,14.1 ,14.2 ,14.3 ,14.4 ) anliegenden Spannung aufweisen. - Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche in Kombination mit einem CVD-Reaktor (
1 ), der einen um das Zentrum (Z) der Grundfläche drehbaren, einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor (6 ) aufweist. - Vorrichtung oder CVD-Reaktor, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013113052.6A DE102013113052A1 (de) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor |
TW103220997U TWM512590U (zh) | 2013-11-26 | 2014-11-26 | 用作為安置於cvd反應器之承熱器下方之加熱裝置之裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013113052.6A DE102013113052A1 (de) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102013113052A1 true DE102013113052A1 (de) | 2015-05-28 |
Family
ID=53045293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102013113052.6A Withdrawn DE102013113052A1 (de) | 2013-11-26 | 2013-11-26 | Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102013113052A1 (de) |
TW (1) | TWM512590U (de) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014112645A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Aixtron Se | Heizeinrichtung |
CN110241403A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-09-17 | 芜湖通潮精密机械股份有限公司 | 一种减小温差的加热器及其制作方法和应用 |
US10998209B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platforms including multiple processing chambers |
CN113795057A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-14 | 上海卫星工程研究所 | 基于双加热丝的加热片结构 |
US11600507B2 (en) | 2020-09-09 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Pedestal assembly for a substrate processing chamber |
US11610799B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
US11674227B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
US11749542B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports |
US11817331B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder replacement with protective disk during pasting process |
US12002668B2 (en) | 2021-06-25 | 2024-06-04 | Applied Materials, Inc. | Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool |
US12080571B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-09-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing module and method of moving a workpiece |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106925867B (zh) * | 2015-12-30 | 2019-09-17 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种键合机加热冷却装置及其制作方法 |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5616024A (en) * | 1994-02-04 | 1997-04-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Apparatuses for heating semiconductor wafers, ceramic heaters and a process for manufacturing the same, a process for manufacturing ceramic articles |
US5830805A (en) | 1996-11-18 | 1998-11-03 | Cornell Research Foundation | Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition |
US5855675A (en) | 1997-03-03 | 1999-01-05 | Genus, Inc. | Multipurpose processing chamber for chemical vapor deposition processes |
US5989342A (en) | 1996-01-30 | 1999-11-23 | Dainippon Screen Mfg, Co., Ltd. | Apparatus for substrate holding |
US6267853B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
US6295059B1 (en) | 1998-12-10 | 2001-09-25 | International Business Machines Corporation | Method of vertically compressing a large list of data to fit on a screen |
US6322677B1 (en) | 1999-07-12 | 2001-11-27 | Semitool, Inc. | Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same |
DE10159702A1 (de) | 2000-12-23 | 2002-07-18 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten |
US6440261B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing |
US6589338B1 (en) | 1999-12-02 | 2003-07-08 | Tokyo Electron Limited | Device for processing substrate |
DE10219223A1 (de) | 2001-12-21 | 2003-07-17 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von III-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-III-V-Substrat |
US6740853B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-05-25 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone resistance heater |
US20040206747A1 (en) * | 2001-04-11 | 2004-10-21 | Yasutaka Ito | Ceramic heater for semiconductor manufacturing/inspecting apparatus |
US6939403B2 (en) | 2002-11-19 | 2005-09-06 | Blue29, Llc | Spatially-arranged chemical processing station |
DE19882475B4 (de) | 1997-06-26 | 2005-10-06 | Trikon Technologies Limited, Newport | Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken |
US20070259112A1 (en) | 2006-04-07 | 2007-11-08 | Applied Materials, Inc. | Gas manifolds for use during epitaxial film formation |
US20080019806A1 (en) | 2006-07-24 | 2008-01-24 | Nyi Oo Myo | Small footprint modular processing system |
WO2010054206A2 (en) | 2008-11-07 | 2010-05-14 | Applied Materials, Inc. | Improved process equipment architecture |
DE102012103295A1 (de) | 2012-01-09 | 2013-07-11 | Aixtron Se | Räumlich optimierte Anordnung zum Bearbeiten von Halbleitersubstraten |
-
2013
- 2013-11-26 DE DE102013113052.6A patent/DE102013113052A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-11-26 TW TW103220997U patent/TWM512590U/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5616024A (en) * | 1994-02-04 | 1997-04-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Apparatuses for heating semiconductor wafers, ceramic heaters and a process for manufacturing the same, a process for manufacturing ceramic articles |
US5989342A (en) | 1996-01-30 | 1999-11-23 | Dainippon Screen Mfg, Co., Ltd. | Apparatus for substrate holding |
US5830805A (en) | 1996-11-18 | 1998-11-03 | Cornell Research Foundation | Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition |
US5855675A (en) | 1997-03-03 | 1999-01-05 | Genus, Inc. | Multipurpose processing chamber for chemical vapor deposition processes |
DE19882475B4 (de) | 1997-06-26 | 2005-10-06 | Trikon Technologies Limited, Newport | Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken |
US6295059B1 (en) | 1998-12-10 | 2001-09-25 | International Business Machines Corporation | Method of vertically compressing a large list of data to fit on a screen |
US6440261B1 (en) | 1999-05-25 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing |
US6267853B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
US6322677B1 (en) | 1999-07-12 | 2001-11-27 | Semitool, Inc. | Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same |
US6740853B1 (en) * | 1999-09-29 | 2004-05-25 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone resistance heater |
US6589338B1 (en) | 1999-12-02 | 2003-07-08 | Tokyo Electron Limited | Device for processing substrate |
DE10159702A1 (de) | 2000-12-23 | 2002-07-18 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten |
US20040206747A1 (en) * | 2001-04-11 | 2004-10-21 | Yasutaka Ito | Ceramic heater for semiconductor manufacturing/inspecting apparatus |
DE10219223A1 (de) | 2001-12-21 | 2003-07-17 | Aixtron Ag | Verfahren zum Abscheiden von III-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-III-V-Substrat |
US6939403B2 (en) | 2002-11-19 | 2005-09-06 | Blue29, Llc | Spatially-arranged chemical processing station |
US20070259112A1 (en) | 2006-04-07 | 2007-11-08 | Applied Materials, Inc. | Gas manifolds for use during epitaxial film formation |
US20080019806A1 (en) | 2006-07-24 | 2008-01-24 | Nyi Oo Myo | Small footprint modular processing system |
WO2010054206A2 (en) | 2008-11-07 | 2010-05-14 | Applied Materials, Inc. | Improved process equipment architecture |
DE102012103295A1 (de) | 2012-01-09 | 2013-07-11 | Aixtron Se | Räumlich optimierte Anordnung zum Bearbeiten von Halbleitersubstraten |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014112645A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Aixtron Se | Heizeinrichtung |
US10998209B2 (en) | 2019-05-31 | 2021-05-04 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platforms including multiple processing chambers |
CN110241403A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-09-17 | 芜湖通潮精密机械股份有限公司 | 一种减小温差的加热器及其制作方法和应用 |
US12080571B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-09-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing module and method of moving a workpiece |
US11749542B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports |
US11817331B2 (en) | 2020-07-27 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate holder replacement with protective disk during pasting process |
US11600507B2 (en) | 2020-09-09 | 2023-03-07 | Applied Materials, Inc. | Pedestal assembly for a substrate processing chamber |
US11610799B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-21 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities |
US11674227B2 (en) | 2021-02-03 | 2023-06-13 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
US12043896B2 (en) | 2021-02-03 | 2024-07-23 | Applied Materials, Inc. | Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure |
US12002668B2 (en) | 2021-06-25 | 2024-06-04 | Applied Materials, Inc. | Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool |
CN113795057A (zh) * | 2021-09-10 | 2021-12-14 | 上海卫星工程研究所 | 基于双加热丝的加热片结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWM512590U (zh) | 2015-11-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102013113052A1 (de) | Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor | |
DE102013113048A1 (de) | Heizvorrichtung für einen Suszeptor eines CVD-Reaktors | |
DE2849266C2 (de) | Elektrischer Heizkörper für gasförmige Medien | |
EP1831437B1 (de) | Cvd-reaktor mit rf-geheizter prozesskammer | |
DE102014112645A1 (de) | Heizeinrichtung | |
EP2842386B1 (de) | Heizkörper | |
EP2838316B1 (de) | Induktionsheizeinheit | |
DE102009043960A1 (de) | CVD-Reaktor | |
DE19835414A1 (de) | Gradientenspule für MR-Anlagen mit integrierter Kühleinheit | |
DE102013113045A1 (de) | Heizvorrichtung | |
WO2012007148A1 (de) | Koaxialleiterstruktur | |
DE2656729A1 (de) | Eine breitbanddipolantenne | |
DE102013216290A1 (de) | Heizeinrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Heizeinrichtung | |
EP2419910B1 (de) | Wicklung und herstellungsverfarhen einer wicklung | |
DE102013113046A1 (de) | Stütz- bzw. Verbindungselemente an einem Heizorgan eines CVD-Reaktors | |
DE2530075B2 (de) | Elektrischer heizkoerper fuer gasfoermige medien | |
DE202018103385U1 (de) | Induktionsheizvorrichtung | |
DE102011013467A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum plasmaunterstützten Behandeln zumindest zweier Substrate | |
EP0123698A1 (de) | Elektrischer Heizkörper zum Erhitzen eines Fluidstroms | |
EP2248139A1 (de) | Drosselanordnung mit einer eine erste und eine zweite teilwicklung aufweisenden spule | |
DE102020101066A1 (de) | CVD-Reaktor mit doppelter Vorlaufzonenplatte | |
DE202016103834U1 (de) | Vorrichtung zum Beheizen eines Suszeptors eines CVD-Reaktors | |
DE102013113049A1 (de) | Kontakteinrichtung zum Verbinden eines Heizelementes mit einer Kontaktplatte sowie Heizvorrichtung mit einer derartigen Kontakteinrichtung | |
DE102021103368A1 (de) | CVD-Reaktor mit einem ein Gaseinlassorgan umgebenden Temperrierring | |
AT526173A1 (de) | Temperiereinrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R163 | Identified publications notified | ||
R012 | Request for examination validly filed | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |