DE102013113052A1 - Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor - Google Patents

Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor Download PDF

Info

Publication number
DE102013113052A1
DE102013113052A1 DE102013113052.6A DE102013113052A DE102013113052A1 DE 102013113052 A1 DE102013113052 A1 DE 102013113052A1 DE 102013113052 A DE102013113052 A DE 102013113052A DE 102013113052 A1 DE102013113052 A1 DE 102013113052A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
heating
heating coils
susceptor
heating coil
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102013113052.6A
Other languages
English (en)
Inventor
Keith Allen
Pierre-Arnaud Bodin
Fred Michael Andrew Crawley
Mark Edlef Oppen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aixtron SE
Original Assignee
Aixtron SE
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron SE filed Critical Aixtron SE
Priority to DE102013113052.6A priority Critical patent/DE102013113052A1/de
Priority to TW103220997U priority patent/TWM512590U/zh
Publication of DE102013113052A1 publication Critical patent/DE102013113052A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Verwendung als unterhalb eines Suszeptors (6) eines CVD-Reaktors (1) angeordnete Heizeinrichtung (7), zum Aufheizen der zur Prozesskammer (4) weisenden, zu beschichtenden Substrate (5) tragenden Suszeptor-Oberseite auf eine Temperatur über 1.000°C mit den folgenden Merkmalen: – mindestens eine spiralförmig verlaufende Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4); – jede Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) besitzt zwei Kontaktkelemente (13, 13.1, 13.2, 13.4, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4), um die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) an eine elektrische Stromquelle anzuschließen; – die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) bestehen aus mindestens eifern Filament (8', 8'', 8'''); – die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) sind auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Heizeinrichtung eines CVD-Reaktors.
  • Ein CVD-Reaktor besitzt ein nach außen gasdichtes Gehäuse, in dem sich ein Gaseinlassorgan befindet. Durch das Gaseinlassorgan werden voneinander verschiedene Prozessgase in eine Prozesskammer eingeleitet. Auf dem Boden der Prozesskammer, den ein Suszeptor ausbildet, liegen eine Vielzahl zu beschichtende Substrate. Indem sich die Prozessgase insbesondere an der Substratoberfläche zerlegen, bilden sich Reaktionsprodukte, die unter Ausbildung einer Schicht auf den Substraten verbleiben. Der Prozesskammerdruck in dem CVD-Reaktor und die Oberflächentemperatur des Suszeptors werden so eingestellt, dass die abzuscheidende Schicht die gewünschten mechanischen, elektrischen und kristallinen Eigenschaften besitzt. Hierzu ist es erforderlich, die Temperatur des Suszeptors möglichst homogen, d. h. ohne horizontalen Temperaturgradienten einzustellen. Zudem muss eine große Wärmeenergie erzeugt werden, da das Gaseinlassorgan gekühlt werden muss. Wegen des sich dadurch einstellenden großen vertikalen Temperaturgradienten in der Prozesskammer fließt eine große Wärmemenge in die Kühlung des Gaseinlassorganes.
  • Der Suszeptor wird zudem um sein Zentrum gedreht, um die Homogenität der abgeschiedenen Schichten zu verbessern.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine den oben genannten Anforderungen gerechtwerdende Heizeinrichtung zum Aufheizen des Suszeptors auf Temperaturen über 1.000°C anzugeben.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch eine Heizeinrichtung, die die folgenden Merkmale aufweist: Sie besitzt eine spiralförmig verlaufende Heizwendel. Es können ein oder mehrere derartige Heizwendeln vorgesehen sein. Jede Heizwendel besitzt zwei Kontaktelemente, um die Heizwendel an einer Stromquelle anzuschließen, so dass ein Strom durch die Heizwendel fließen kann. Jede der mindestens einen Heizwendel besteht aus einem Filament. Das Filament ist wendelgangförmig angeordnet. Das korkenzieherartig gewendelte Filament erstreckt sich insgesamt auf einer Spiralbogenlinie. Die Heizwendel-Anordnung ist insgesamt auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet. Die Heizwendel-Anordnung wird vom Suszeptor überfangen. Die Heizwendeln liegen vorzugsweise zumindest größtenteils in einer gemeinsamen Ebene. Es handelt sich um eine Parallelebene zu der Ebene, in der sich der Suszeptor erstreckt. Der Suszeptor kann um das Zentrum der Grundfläche der Heizwendel-Anordnung gedreht werden.
  • Es sind folgende technische Verbesserungen des Standes der Technik vorgesehen: Mehrere Heizwendeln sind mit gegensinnigem Wicklungssinn ineinandergeschachtelt. Beispielsweise kann im Zentrum der Spiralenanordnung eine erste Spirale angeordnet sein, die ausgehend von innen nach außen im Uhrzeigersinn orientiert ist. Radial außerhalb dieser spiralförmigen Heizwendel kann sich eine ebenfalls spiralförmig angeordnete Heizwendel befinden. Diese ist von innen nach außen, aber entgegen dem Uhrzeigersinn orientiert. Es ist ferner vorgesehen, dass das Zentrum der mindestens einen Spirale radial außerhalb des Zentrums der Grundfläche liegt. Dies ist insbesondere dann von Vorteil, wenn der Suszeptor sich um eine Achse dreht, die durch das Zentrum der Grundfläche verläuft. Zufolge dieser Ausgestaltung bildet sich im Zentrum des Suszeptors keine Singularität. Da der Suszeptor beim Abscheiden von Schichten auf den Substraten um die Zentrumsachse gedreht wird, ist es hinnehmbar, dass die Heizwendel-Anordnung an unterschiedlichen Umfangspositionen unterschiedliche Leistungsdichten an Wärme erzeugt. Wesentlich ist aber, dass gemittelt über die Drehung des Suszeptors an jeder Position nur so viel Wärme in den Suszeptor eingekoppelt wird, dass dessen Oberflächentemperatur im Wesentlichen konstant ist und sich keine horizontalen Temperaturgradienten ausbilden. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass mehrere Heizwendeln vorgesehen sind, wobei zumindest zwei der Heizwendeln eine gleiche Länge beziehungsweise eine gleiche Wärmeleistung pro Längeneinheit erzeugen bei gleicher an den Kontaktelementen anliegenden Spannung. Derartig gleich gestaltete Heizwendeln können dann elektrisch parallel geschaltet werden. In einer Weiterbildung der Erfindung ist vorgesehen, dass mit einer Vielzahl von Heizwendeln eine Vielzahl von in Radialrichtung ineinandergeschachtelte Heizzonen ausgebildet werden. Die voneinander verschiedenen Heizzonen können mit voneinander verschiedener Leistung bestromt werden.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 einen schematischen Querschnitt durch einen CVD-Reaktor,
  • 2 schematisch den Verlauf der Heizwendeln eines ersten Ausführungsbeispiels einer Heizeinrichtung in der Draufsicht auf die Heizeinrichtung,
  • 3 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Heizeinrichtung,
  • 4 ein drittes Ausführungsbeispiel einer Heizeinrichtung,
  • 5 ein viertes Ausführungsbeispiel einer Heizeinrichtung,
  • 6 ausschnittsweise vergrößert eine aus zwei parallel zueinander verlaufenden, gewendelten Filamente 8', 8'' bestehende Heizwendel und
  • 7 eine Darstellung gemäß 6, wobei drei Filamente 8', 8'', 8''' parallel verlaufend gewendelt sind und eine Heizwendel 8 ausbilden.
  • Die in den 2 bis 5 in der Draufsicht schematisch dargestellten Heizeinrichtungen werden in einem CVD-Reaktor 1 verwendet, wie er in der 1 dargestellt ist. Innerhalb eines nach außen gasdichten Reaktorgehäuses 1 befindet sich ein Gaseinlassorgan 2, durch welches Prozessgase beispielsweise PH3, AsH3, TMGa, TMAl, TMIn oder NH3 in eine Prozesskammer 4 eingeleitet wird. Hierzu besitzt Unterseite des Gaseinlassorganes 2 Gasaustrittsöffnungen 3.
  • Der Boden der Prozesskammer 4 wird von einer Oberseite eines Suszeptors 6 ausgebildet. Auf der Oberseite des Suszeptors 6 sind eine Vielzahl von zu beschichtenden Substraten 5 angeordnet. Der Suszeptor 6 kann aus Siliziumkarbid-beschichtetem Graphit bestehen. Der gerundete Rand des Suszeptors 6 stützt sich auf einem hohlzylindrischen Suszeptorträger 16 ab, der um eine Zentrumsachse Z gedreht werden kann.
  • In der Höhlung des Suszeptorträgers 16 unterhalb des Suszeptors 6 befindet sich eine Heizeinrichtung 7. Die Heizeinrichtung 7 besitzt eine kreisrunde Grundfläche und zumindest zwei Kontaktplatten 11, 12, die jeweils an einem elektrischen Potenzial angeschlossen sind. Kontaktelemente 13, 14 von Heizwendeln 8 sind mit den Kontaktplatten 11, 12 verbunden, so dass durch die Heizwendel 8 ein Strom fließen kann. Zur Lagefixierung der Heizwendeln 8 sind Stützelemente 9 vorgesehen, die mit einer Stützplatte 10 verbunden sind. Die Kontaktplatten 11, 12 sind in der 1 in zwei verschiedenen Ebenen dargestellt. Es ist aber auch möglich, die Kontaktplatten 11, 12 in einer gemeinsamen Ebene anzuordnen. Die Heizwendel 8 verläuft in einer Parallelebene zu der Ebene der Kontaktplatte 11, 12. Die Stützplatte 10 verläuft zwischen der Ebene der Heizwendel 8 und den Kontaktplatten 11, 12.
  • Die in der 1 dargestellte Heizeinrichtung 7 kann ein oder mehrere Heizwendeln 8 aufweisen. Die mindestens eine Heizwendel 8 erstreckt sich auf einer spiralförmigen Linie. Es können mehrere Heizwendeln 8 vorgesehen sein, die sich auf einer gemeinsamen spiralförmigen Linie erstrecken. Es können aber auch mehrere Heizwendeln vorgesehen sein, die ineinandergeschachtelte Spiralen ausbilden.
  • In den 2 bis 5 sind die ein oder mehreren Heizwendeln 8 lediglich als Striche dargestellt. In der Realität besteht aber jede Heizwendel 8 aus mindestens einem Filament 8', 8'', 8''', das eine Wendelform besitzt.
  • Die 6 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem ein einzelnes Heizelement, also eine Heizwendel 8, von zwei parallel verlaufenden, aus Wolfram bestehenden Filamenten 8', 8'' ausgebildet ist. Die beiden Filamente 8', 8'' werden von Drähten gleichen Querschnitts ausgebildet, so dass durch die Filamente 8', 8'' im Wesentlichen derselbe Strom hindurchfließt, wenn an den Enden der beiden Filamente 8', 8'' dieselbe Spannung anliegt.
  • Die 7 zeigt eine Variante. Hier wird eine einzelne Heizwendel 8 von insgesamt drei nebeneinanderlaufenden Filamenten 8', 8'', 8''' gebildet. Die drei Filamente 8', 8'', 8''' sind gewissermaßen parallel zueinander verlaufend gewendelt.
  • Bei dem in der 2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind insgesamt vier Heizelemente jeweils in Form einer Heizwendel 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 vorgesehen. Die vier Heizwendeln 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 liegen im Wesentlichen in einer gemeinsamen Ebene. Es kann aber auch vorgesehen sein, dass die radial äußerste Heizwendel 8.4 in einer Ebene verläuft, die näher an der Suszeptor-Unterseite liegt, als die radial inneren Heizwendeln 8.1 bis 8.3. Die Heizwendeln 8.1 bis 8.4 laufen dann auf voneinander verschiedenen Ebenen, wobei bevorzugt jede Heizwendel 8.1 bis 8.4 nur in einer Ebene verläuft. Ausgehend von einem Kontaktelement 14.1 verläuft die radial innerste Heizwendel 8.1 auf einer sich im Uhrzeigersinn orientierten Spiralkurve. Dem Kontaktelement 13.1 der ersten Heizwendel 8.1 ist nahezu radial außerhalb davon liegend ein Kontaktelement 14.2 einer zweiten Heizwendel 8.2 benachbart. Die zweite Heizwendel 8.2 verläuft auf einer Spiralkurve, die dem Uhrzeigersinn entgegengerichtet ist bis zu einem Kontaktelement 13.2. Neben dem Kontaktelement 13.2, und zwar in Radialaußenrichtung versetzt, befindet sich ein Kontaktelement 14.3 einer dritten Heizwendel 8.2, die wiederum auf einer Spiralkurve verläuft, die im Uhrzeigersinn orientiert ist. Neben dem Kontaktelement 13.3 befindet sich das Kontaktelement 14.4 einer vierten Heizwendel 8.4, die wiederum im Gegenuhrzeigersinn orientiert ist.
  • Das in der 3 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel zeigt nur eine einzige Heizwendel, die zwei oder drei oder sogar nur ein Filament aufweisen kann, welches als wendelgangförmige Struktur entlang einer Spirallinie angeordnet ist. Während bei dem in der 2 dargestellten Ausführungsbeispiel das Zentrum der radial innersten Heizwendel 8.1 mit dem Zentrum der Grundfläche der Heizeinrichtung 7 übereinstimmt, liegt bei dem in der 3 dargestellten Ausführungsbeispiel das Zentrum der Spirallinie, auf der die Heizwendel 8 verläuft, radial außerhalb des Zentrums Z der Grundfläche. Durch das Zentrum Z der Grundfläche verläuft die Drehachse, um die der Suszeptor 6 gedreht wird.
  • Während bei dem in der 2 dargestellten Ausführungsbeispiel die einzelnen Gänge der Spiralen einen gleichbleibenden Abstand besitzen, ändert sich der Abstand der Gänge der Spiralkurve bei der in der 3 dargestellten Heizwenel 8. In der Richtung, in der das Zentrum der Spirale vom Zentrum Z der Grundfläche beabstandet ist, liegen die Gänge der Spiralkurve enger beieinander, als in Gegenrichtung.
  • Bei dem in der 4 dargestellten Ausführungsbeispiel sind insgesamt drei Heizwendeln 8.1, 8.2 und 8.3 vorgesehen. Alle drei Heizwendeln 8.1, 8.2, 8.3 liegen auf einer gemeinsamen Spiralkurve. Die Kontaktelemente 13.2 und 13.3 der Heizwendeln 8.2 und 8.3 liegen unmittelbar nebeneinander und sind mit denselben Kontaktplatten verbunden. Dasselbe gilt sinngemäß für die Kontaktelemente 14.1 und 14.2 der Heizwendeln 8.1 und 8.2. Auch diese sind mit gleichen Kontaktplatten verbunden. Auch hier ist die Spirallinie, entlang der die Heizwendeln 8.1 bis 8.3 verlaufen, exzentrisch – bezogen auf das Zentrum Z der Grundfläche – angeordnet, so dass das Zentrum der Spirallinie, das dem Anschlusskontakt 13.1 benachbart ist, von auf einer Kreisbogenlinie auf dem Suszeptor angeordneten Punkten überlaufen wird, wenn sich der Suszeptor dreht.
  • Das in der 5 dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt insgesamt vier Heizwendeln 8.1, 8.2, 8.3, 8.4. Jeweils zwei Heizwendeln 8.1, 8.3 sowie 8.2 und 8.4 verlaufen auf gemeinsamen Spiralkurven, wobei zwei Spiralkurven ineinandergeschachtelt sind. Es handelt sich hier um eine zweigängige Spirale, so dass die Heizwendeln 8.1, 8.2 nebeneinander verlaufen, wobei jede der beiden Heizwendeln 8.1, 8.2 auf verschiedenen Spiralkurven verlaufen. Beide Spiralkurven beginnen im Zentrumsbereich an den Kontakten 13.1 und 13.2 und verlaufen im Uhrzeigersinn um das Zentrum nach außen. An den Kontakten 14.1 beziehungsweise 14.2 schließen sich dann die weiteren Heizwendeln 8.3 und 8.4 mit ihren Kontaktelementen 14.3 und 14.4 an. Auch diese beiden Heizwendeln verlaufen nebeneinander bis zu den Kontaktelementen 13.3 und 13.4.
  • Bei allen Ausführungsbeispielen kann in nicht dargestellten Varianten vorgesehen sein, dass die einzelnen Heizwendeln 8 eine einheitliche Länge aufweisen. Es ist aber auch vorgesehen, dass die Heizwendeln 8 bei gleicher an ihren Kontakten anliegenden Spannung dieselbe Heizleistung pro Längeneinheit erzeugen.
  • Es kann auch vorgesehen sein, dass die Heizwendeln verschieden starke Heizleistungen erzeugen. Dies ist insbesondere dann vorgesehen, wenn die Heizwendeln, wie in der 5 dargestellt, auf nebeneinander verlaufenden Spirallinien angeordnet sind.
  • Bei sämtlichen Ausführungsbeispielen werden die Heizwendeln von Filamenten ausgebildet, die um eine gedachte Spiralbogenlinie gewendelt sind. Die schraubengangförmig gewendelten Filamente sind bevorzugt aus Wolfram gefertigt.
  • Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils eigenständig weiterbilden, nämlich:
    Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass mindestens eine spiralförmig verlaufende Heizwendel 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 vorgesehen ist, dass jede Heizwendel 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 zwei Kontaktkelemente 13, 13.1, 13.2, 13.4, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4 besitzt, um die Heizwendeln 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 an eine elektrische Stromquelle anzuschließen, dass die Heizwendeln 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 aus mindestens einem Filament 8', 8'', 8''' bestehen und dass die Heizwendeln 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet sind;
    Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass mehrere Heizwendeln 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 mit gegensinnigem Wicklungssinn ineinandergeschachtelt sind;
    Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass unmittelbar benachbarte Heizwendeln 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 einen gegensinnigen Wicklungssinn besitzen;
    Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass das Zentrum der spiralförmigen Anordnung der mindestens einen Heizwendel 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 außerhalb des Zentrums Z der kreisförmigen Grundfläche liegt;
    Eine Vorrichtung, die dadurch gekennzeichnet ist, dass mindestens zwei Heizwendeln 8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4 eine gleiche Länge oder eine gleiche Heizleistung pro Längeneinheit bei gleicher an den Kontaktelementen 13, 13.1, 13.2, 13.4, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4 anliegenden Spannung aufweisen;
    Ein CVD-Reaktor, der dadurch gekennzeichnet ist, dass er einen um das Zentrum Z der Grundfläche drehbaren, einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor 6 aufweist.
  • Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfinndungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsgehalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf der Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen.
  • Bezugszeichenliste
  • 1
    CVD-Reaktor
    2
    Gaseinlassorgan
    3
    Gasaustrittsöffnung
    4
    Prozesskammer
    5
    Substrat
    6
    Suszeptor
    7
    Heizeinrichtung
    8
    Heizwendel
    8'
    Filament
    8''
    Filament
    8'''
    Filament
    9
    Stützelement
    10
    Stützplatte
    11
    Kontaktplatte
    12
    Kontaktplatte
    13
    Kontaktelement
    14
    Kontaktelement
    15
    Gasauslassorgan
    16
    Suszeptorträger
    8.1
    Heizwendel
    8.2
    Heizwendel
    8.3
    Heizwendel
    8.4
    Heizwendel
    13.1
    Kontaktelement
    13.2
    Kontaktelement
    13.3
    Kontaktelement
    14.1
    Kontaktelement
    14.2
    Kontaktelement
    14.3
    Kontaktelement
    14.4
    Kontaktelement
    Z
    Zentrum
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 19882475 B4 [0002]
    • DE 102012103295 A1 [0002]
    • US 5830805 A [0002]
    • US 5855675 A [0002]
    • US 5989342 A [0002]
    • US 6267853 B1 [0002]
    • US 6295059 B1 [0002]
    • US 6322677 B1 [0002]
    • US 6440261 B1 [0002]
    • US 6589338 B1 [0002]
    • US 6939403 B2 [0002]
    • US 2008/0019806 A1 [0002]
    • WO 2010/054206 A2 [0002]
    • DE 10159702 A1 [0002]
    • US 2007/0259112 A1 [0002]
    • DE 10219223 A1 [0002]

Claims (7)

  1. Vorrichtung zur Verwendung als unterhalb eines Suszeptors (6) eines CVD-Reaktors (1) angeordnete Heizeinrichtung (7), zum Aufheizen der zur Prozesskammer (4) weisenden, zu beschichtenden Substrate (5) tragenden Suszeptor-Oberseite auf eine Temperatur über 1.000°C mit den folgenden Merkmalen: – mindestens eine spiralförmig verlaufende Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4); – jede Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) besitzt zwei Kontaktkelemente (13, 13.1, 13.2, 13.4, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4), um die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) an eine elektrische Stromquelle anzuschließen; – die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) bestehen aus mindestens einem Filament (8', 8'', 8'''); – die Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) sind auf einer kreisrunden Grundfläche angeordnet.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) mit gegensinnigem Wicklungssinn ineinandergeschachtelt sind.
  3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass unmittelbar benachbarte Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) einen gegensinnigen Wicklungssinn besitzen.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Zentrum der spiralförmigen Anordnung der mindestens einen Heizwendel (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) außerhalb des Zentrums (Z) der kreisförmigen Grundfläche liegt.
  5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Heizwendeln (8, 8.1, 8.2, 8.3, 8.4) eine gleiche Länge oder eine gleiche Heizleistung pro Längeneinheit bei gleicher an den Kontaktelementen (13, 13.1, 13.2, 13.4, 14.1, 14.2, 14.3, 14.4) anliegenden Spannung aufweisen.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche in Kombination mit einem CVD-Reaktor (1), der einen um das Zentrum (Z) der Grundfläche drehbaren, einen kreisförmigen Grundriss aufweisenden Suszeptor (6) aufweist.
  7. Vorrichtung oder CVD-Reaktor, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
DE102013113052.6A 2013-11-26 2013-11-26 Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor Withdrawn DE102013113052A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013113052.6A DE102013113052A1 (de) 2013-11-26 2013-11-26 Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor
TW103220997U TWM512590U (zh) 2013-11-26 2014-11-26 用作為安置於cvd反應器之承熱器下方之加熱裝置之裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013113052.6A DE102013113052A1 (de) 2013-11-26 2013-11-26 Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013113052A1 true DE102013113052A1 (de) 2015-05-28

Family

ID=53045293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102013113052.6A Withdrawn DE102013113052A1 (de) 2013-11-26 2013-11-26 Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102013113052A1 (de)
TW (1) TWM512590U (de)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014112645A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Aixtron Se Heizeinrichtung
CN110241403A (zh) * 2019-07-23 2019-09-17 芜湖通潮精密机械股份有限公司 一种减小温差的加热器及其制作方法和应用
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
CN113795057A (zh) * 2021-09-10 2021-12-14 上海卫星工程研究所 基于双加热丝的加热片结构
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US12002668B2 (en) 2021-06-25 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool
US12080571B2 (en) 2020-07-08 2024-09-03 Applied Materials, Inc. Substrate processing module and method of moving a workpiece

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106925867B (zh) * 2015-12-30 2019-09-17 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种键合机加热冷却装置及其制作方法

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5616024A (en) * 1994-02-04 1997-04-01 Ngk Insulators, Ltd. Apparatuses for heating semiconductor wafers, ceramic heaters and a process for manufacturing the same, a process for manufacturing ceramic articles
US5830805A (en) 1996-11-18 1998-11-03 Cornell Research Foundation Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition
US5855675A (en) 1997-03-03 1999-01-05 Genus, Inc. Multipurpose processing chamber for chemical vapor deposition processes
US5989342A (en) 1996-01-30 1999-11-23 Dainippon Screen Mfg, Co., Ltd. Apparatus for substrate holding
US6267853B1 (en) 1999-07-09 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6295059B1 (en) 1998-12-10 2001-09-25 International Business Machines Corporation Method of vertically compressing a large list of data to fit on a screen
US6322677B1 (en) 1999-07-12 2001-11-27 Semitool, Inc. Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same
DE10159702A1 (de) 2000-12-23 2002-07-18 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6589338B1 (en) 1999-12-02 2003-07-08 Tokyo Electron Limited Device for processing substrate
DE10219223A1 (de) 2001-12-21 2003-07-17 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von III-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-III-V-Substrat
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
US20040206747A1 (en) * 2001-04-11 2004-10-21 Yasutaka Ito Ceramic heater for semiconductor manufacturing/inspecting apparatus
US6939403B2 (en) 2002-11-19 2005-09-06 Blue29, Llc Spatially-arranged chemical processing station
DE19882475B4 (de) 1997-06-26 2005-10-06 Trikon Technologies Limited, Newport Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken
US20070259112A1 (en) 2006-04-07 2007-11-08 Applied Materials, Inc. Gas manifolds for use during epitaxial film formation
US20080019806A1 (en) 2006-07-24 2008-01-24 Nyi Oo Myo Small footprint modular processing system
WO2010054206A2 (en) 2008-11-07 2010-05-14 Applied Materials, Inc. Improved process equipment architecture
DE102012103295A1 (de) 2012-01-09 2013-07-11 Aixtron Se Räumlich optimierte Anordnung zum Bearbeiten von Halbleitersubstraten

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5616024A (en) * 1994-02-04 1997-04-01 Ngk Insulators, Ltd. Apparatuses for heating semiconductor wafers, ceramic heaters and a process for manufacturing the same, a process for manufacturing ceramic articles
US5989342A (en) 1996-01-30 1999-11-23 Dainippon Screen Mfg, Co., Ltd. Apparatus for substrate holding
US5830805A (en) 1996-11-18 1998-11-03 Cornell Research Foundation Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition
US5855675A (en) 1997-03-03 1999-01-05 Genus, Inc. Multipurpose processing chamber for chemical vapor deposition processes
DE19882475B4 (de) 1997-06-26 2005-10-06 Trikon Technologies Limited, Newport Vorrichtung zur Bearbeitung von Werkstücken
US6295059B1 (en) 1998-12-10 2001-09-25 International Business Machines Corporation Method of vertically compressing a large list of data to fit on a screen
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6267853B1 (en) 1999-07-09 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Electro-chemical deposition system
US6322677B1 (en) 1999-07-12 2001-11-27 Semitool, Inc. Lift and rotate assembly for use in a workpiece processing station and a method of attaching the same
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
US6589338B1 (en) 1999-12-02 2003-07-08 Tokyo Electron Limited Device for processing substrate
DE10159702A1 (de) 2000-12-23 2002-07-18 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitersubstraten
US20040206747A1 (en) * 2001-04-11 2004-10-21 Yasutaka Ito Ceramic heater for semiconductor manufacturing/inspecting apparatus
DE10219223A1 (de) 2001-12-21 2003-07-17 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von III-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-III-V-Substrat
US6939403B2 (en) 2002-11-19 2005-09-06 Blue29, Llc Spatially-arranged chemical processing station
US20070259112A1 (en) 2006-04-07 2007-11-08 Applied Materials, Inc. Gas manifolds for use during epitaxial film formation
US20080019806A1 (en) 2006-07-24 2008-01-24 Nyi Oo Myo Small footprint modular processing system
WO2010054206A2 (en) 2008-11-07 2010-05-14 Applied Materials, Inc. Improved process equipment architecture
DE102012103295A1 (de) 2012-01-09 2013-07-11 Aixtron Se Räumlich optimierte Anordnung zum Bearbeiten von Halbleitersubstraten

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014112645A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Aixtron Se Heizeinrichtung
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
CN110241403A (zh) * 2019-07-23 2019-09-17 芜湖通潮精密机械股份有限公司 一种减小温差的加热器及其制作方法和应用
US12080571B2 (en) 2020-07-08 2024-09-03 Applied Materials, Inc. Substrate processing module and method of moving a workpiece
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US12043896B2 (en) 2021-02-03 2024-07-23 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
US12002668B2 (en) 2021-06-25 2024-06-04 Applied Materials, Inc. Thermal management hardware for uniform temperature control for enhanced bake-out for cluster tool
CN113795057A (zh) * 2021-09-10 2021-12-14 上海卫星工程研究所 基于双加热丝的加热片结构

Also Published As

Publication number Publication date
TWM512590U (zh) 2015-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013113052A1 (de) Heizeinrichtung für einen CVD-Reaktor
DE102013113048A1 (de) Heizvorrichtung für einen Suszeptor eines CVD-Reaktors
DE2849266C2 (de) Elektrischer Heizkörper für gasförmige Medien
EP1831437B1 (de) Cvd-reaktor mit rf-geheizter prozesskammer
DE102014112645A1 (de) Heizeinrichtung
EP2842386B1 (de) Heizkörper
EP2838316B1 (de) Induktionsheizeinheit
DE102009043960A1 (de) CVD-Reaktor
DE19835414A1 (de) Gradientenspule für MR-Anlagen mit integrierter Kühleinheit
DE102013113045A1 (de) Heizvorrichtung
WO2012007148A1 (de) Koaxialleiterstruktur
DE2656729A1 (de) Eine breitbanddipolantenne
DE102013216290A1 (de) Heizeinrichtung und Verfahren zum Betrieb einer Heizeinrichtung
EP2419910B1 (de) Wicklung und herstellungsverfarhen einer wicklung
DE102013113046A1 (de) Stütz- bzw. Verbindungselemente an einem Heizorgan eines CVD-Reaktors
DE2530075B2 (de) Elektrischer heizkoerper fuer gasfoermige medien
DE202018103385U1 (de) Induktionsheizvorrichtung
DE102011013467A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum plasmaunterstützten Behandeln zumindest zweier Substrate
EP0123698A1 (de) Elektrischer Heizkörper zum Erhitzen eines Fluidstroms
EP2248139A1 (de) Drosselanordnung mit einer eine erste und eine zweite teilwicklung aufweisenden spule
DE102020101066A1 (de) CVD-Reaktor mit doppelter Vorlaufzonenplatte
DE202016103834U1 (de) Vorrichtung zum Beheizen eines Suszeptors eines CVD-Reaktors
DE102013113049A1 (de) Kontakteinrichtung zum Verbinden eines Heizelementes mit einer Kontaktplatte sowie Heizvorrichtung mit einer derartigen Kontakteinrichtung
DE102021103368A1 (de) CVD-Reaktor mit einem ein Gaseinlassorgan umgebenden Temperrierring
AT526173A1 (de) Temperiereinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R012 Request for examination validly filed
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee