JPH0696704B2 - 液晶誘電体 - Google Patents
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- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/1396—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は干渉色を持たず、そしてコントラストの角度依
存性が非常に小さい液晶表示素子に使用するための液晶
誘電体に関する。
存性が非常に小さい液晶表示素子に使用するための液晶
誘電体に関する。
液晶表示素子に対しては、電場の影響下にその光学的性
質、たとえば光透過、光散乱、複屈折、反射または色が
著しく変化するというネマチツクまたはネマチツク−コ
レステリツク液晶材料の性質が利用される。このような
表示素子の作用は、たとえば動的散乱現象、整列相の変
形またはねじれセルにおけるシヤツト−ヘルフリツヒ効
果に基づいている。
質、たとえば光透過、光散乱、複屈折、反射または色が
著しく変化するというネマチツクまたはネマチツク−コ
レステリツク液晶材料の性質が利用される。このような
表示素子の作用は、たとえば動的散乱現象、整列相の変
形またはねじれセルにおけるシヤツト−ヘルフリツヒ効
果に基づいている。
慣用の形式の液晶表示素子の中で、特にねじれネマチツ
クセルに基づく素子に近年特別の重要性が増している。
これはこのような素子が小型バツテリーによってさえも
容易に利用できる比較的低いコントロール電圧で動作で
きることによる。さらにまた、これらの表示素子は耐え
られないほど多数の駆動導線、入力導線および出力導線
を用いることなく高い情報密度を提供できるマトリツク
ス表示素子の形成に最も適することが従来から証明され
ていた。
クセルに基づく素子に近年特別の重要性が増している。
これはこのような素子が小型バツテリーによってさえも
容易に利用できる比較的低いコントロール電圧で動作で
きることによる。さらにまた、これらの表示素子は耐え
られないほど多数の駆動導線、入力導線および出力導線
を用いることなく高い情報密度を提供できるマトリツク
ス表示素子の形成に最も適することが従来から証明され
ていた。
しかしながら実際に使用に際してねじれネマチツクセル
の場合に、特にマトリツクス表示素子の形成の場合に、
大きな難問題が依然として存在する。特に、観察角度に
対する表示コントラストの著しい依存性が通常見出され
る。表示コントラストは、観察方向が液晶層の面に対し
少なくともほぼ垂直であるかぎり良好である。しかしな
がら、表示素子を、たとえば観察角度が垂直から15〜20
度より以上偏るような横側から斜めにあるように見る
と、表示コントラストは観察者が対面する偏光子の位置
に依存して、最後に表示がもはや認知できなくなるま
で、強く減少する。さらにまた、干渉色が多くの場合に
生ずる、すなわち黒白表示用の表示素子がさらに液晶誘
電体に面する電極表面の層の不規則性に依存して、可視
光の金スペクトルにわたる色の遊動が見えるようにな
る。虹色を示す。
の場合に、特にマトリツクス表示素子の形成の場合に、
大きな難問題が依然として存在する。特に、観察角度に
対する表示コントラストの著しい依存性が通常見出され
る。表示コントラストは、観察方向が液晶層の面に対し
少なくともほぼ垂直であるかぎり良好である。しかしな
がら、表示素子を、たとえば観察角度が垂直から15〜20
度より以上偏るような横側から斜めにあるように見る
と、表示コントラストは観察者が対面する偏光子の位置
に依存して、最後に表示がもはや認知できなくなるま
で、強く減少する。さらにまた、干渉色が多くの場合に
生ずる、すなわち黒白表示用の表示素子がさらに液晶誘
電体に面する電極表面の層の不規則性に依存して、可視
光の金スペクトルにわたる色の遊動が見えるようにな
る。虹色を示す。
偏光子間の液晶の挙動に関するMauguinによる研究(Bul
l.Soc.franc.Min.,34巻、1911年、71〜117頁)から、液
晶セルで液晶材料の層厚さと光学的異方性との積が使用
光の波長より実質的に大である場合に少なくとも干渉現
象の生起が防止できることが推断されていた。本明細書
では、液晶材料の光学的異方性は屈折の超常態指数と屈
折の常態指数との間の差違と定義する。実際に、層厚さ
と光学的異方性との積が1400nmより小さくなってはいけ
ないことが経験的に受け入れられている。既知のエレク
トロニクス製造業者の製品規格はこの積について2000nm
より大きい値を指示している。しかしながら、液晶誘電
体の層厚さを増すことによりこの数値を上げると、液晶
材料のスイツチング時間が層厚さの二乗で増大するとい
う事実により制限される。現在では通常10〜12μの層厚
さが用いられるから、液晶誘電体は少なくとも0.14、好
ましくは0.18より大きい光学的異方性を有することが要
求される。
l.Soc.franc.Min.,34巻、1911年、71〜117頁)から、液
晶セルで液晶材料の層厚さと光学的異方性との積が使用
光の波長より実質的に大である場合に少なくとも干渉現
象の生起が防止できることが推断されていた。本明細書
では、液晶材料の光学的異方性は屈折の超常態指数と屈
折の常態指数との間の差違と定義する。実際に、層厚さ
と光学的異方性との積が1400nmより小さくなってはいけ
ないことが経験的に受け入れられている。既知のエレク
トロニクス製造業者の製品規格はこの積について2000nm
より大きい値を指示している。しかしながら、液晶誘電
体の層厚さを増すことによりこの数値を上げると、液晶
材料のスイツチング時間が層厚さの二乗で増大するとい
う事実により制限される。現在では通常10〜12μの層厚
さが用いられるから、液晶誘電体は少なくとも0.14、好
ましくは0.18より大きい光学的異方性を有することが要
求される。
この方法で、干渉色の発生による難点はねじれネマチツ
クセルの形成および使用においてほとんど解消される
が、これによってはコントラストの強い角度依存性はほ
とんど改善されない。さらにまた、層厚さの減少が干渉
色による妨害を生起させるという事実が、たとえばテレ
ビジヨンスクリーンとしての用途に必要とされる一層迅
速にスイツチングする液晶表示素子のこの方法での開発
を阻止している。
クセルの形成および使用においてほとんど解消される
が、これによってはコントラストの強い角度依存性はほ
とんど改善されない。さらにまた、層厚さの減少が干渉
色による妨害を生起させるという事実が、たとえばテレ
ビジヨンスクリーンとしての用途に必要とされる一層迅
速にスイツチングする液晶表示素子のこの方法での開発
を阻止している。
本発明の目的は、表示コントラストが観察角度に対して
できるだけ低い依存性を有し、そしてその見え方が干渉
色の生起により悪い作用を受けない液晶表示素子を提供
することにある。
できるだけ低い依存性を有し、そしてその見え方が干渉
色の生起により悪い作用を受けない液晶表示素子を提供
することにある。
ここに、驚くべきことに、干渉色のない、ねじれネマチ
ツクセルに基づく液晶表示素子が、その液晶誘電体の層
厚さと光学的異方性との積が150〜600nm、特に200〜500
nmの数値を有する場合に得られることが見出された。さ
らにまた、これらの表示素子の表示コントラストは従来
認められていた知見に反して、広い範囲内にわたって観
察角度にほとんど依存しない、すなわちその再生情報を
有するこれらの表示素子はほとんど全方向から同様に容
易にほとんど常時、読むことができる。
ツクセルに基づく液晶表示素子が、その液晶誘電体の層
厚さと光学的異方性との積が150〜600nm、特に200〜500
nmの数値を有する場合に得られることが見出された。さ
らにまた、これらの表示素子の表示コントラストは従来
認められていた知見に反して、広い範囲内にわたって観
察角度にほとんど依存しない、すなわちその再生情報を
有するこれらの表示素子はほとんど全方向から同様に容
易にほとんど常時、読むことができる。
従って、本発明はその液晶誘電体の層厚さと光学的異方
性との積が150〜600nmの数値を有することを特徴とする
ねじれネマチツクセルに基づく液晶表示素子に使用する
ための液晶誘電体に関する。
性との積が150〜600nmの数値を有することを特徴とする
ねじれネマチツクセルに基づく液晶表示素子に使用する
ための液晶誘電体に関する。
偏光子、電極底板および電極を含み、電極の表面がそこ
に隣接する特定の液晶材料の優先配向が多くの場合にも
う1つの電極から90°で相互にねじれているように処理
されている本発明による液晶表示素子の組立てはこの種
の表示素子に慣用の構成に相応する。本明細書で用いる
構成の用語は広い意味を有し、また、文献により、知ら
れているねじれネマチツクセルの全ての変更および修正
を包含し、また特にマトリツクス表示素子および西ドイ
ツ国公開特許出願第2,748,738号(特開昭54−72069)公
報による表示素子(これはマグネツトをさらに包含す
る)を包含するものとする。しかしながら、本発明によ
る表示素子と従来慣用のねじれネマチツクセルに基づく
表示素子との基本的差違は液晶層の厚さにある。慣用の
表示素子の層厚さが8μより小でなく好ましくは少なく
とも10μであり、一般に12〜20μであるのに対し、本発
明による表示素子における層厚さは多くて10μ、好まし
くは5〜8μである。これは電極およびスペーサー部品
の製造耐性から可能であるかぎり、僅か3μの液晶層厚
さを有する本発明による表示素子の製造がまた可能であ
る。5〜8μ、特に現在工業的用途に好適である6〜7
μの範囲内に層厚さを有するセルと同様に、液晶誘電体
の光学的異方性Δnと層厚さとの積が150〜600nm、好ま
しくは200〜500nmの範囲内の数値を有するに十分に大き
い場合に、これらは予期されない程小さいコントラスト
の角度依存性を示しそして干渉色を有しない。
に隣接する特定の液晶材料の優先配向が多くの場合にも
う1つの電極から90°で相互にねじれているように処理
されている本発明による液晶表示素子の組立てはこの種
の表示素子に慣用の構成に相応する。本明細書で用いる
構成の用語は広い意味を有し、また、文献により、知ら
れているねじれネマチツクセルの全ての変更および修正
を包含し、また特にマトリツクス表示素子および西ドイ
ツ国公開特許出願第2,748,738号(特開昭54−72069)公
報による表示素子(これはマグネツトをさらに包含す
る)を包含するものとする。しかしながら、本発明によ
る表示素子と従来慣用のねじれネマチツクセルに基づく
表示素子との基本的差違は液晶層の厚さにある。慣用の
表示素子の層厚さが8μより小でなく好ましくは少なく
とも10μであり、一般に12〜20μであるのに対し、本発
明による表示素子における層厚さは多くて10μ、好まし
くは5〜8μである。これは電極およびスペーサー部品
の製造耐性から可能であるかぎり、僅か3μの液晶層厚
さを有する本発明による表示素子の製造がまた可能であ
る。5〜8μ、特に現在工業的用途に好適である6〜7
μの範囲内に層厚さを有するセルと同様に、液晶誘電体
の光学的異方性Δnと層厚さとの積が150〜600nm、好ま
しくは200〜500nmの範囲内の数値を有するに十分に大き
い場合に、これらは予期されない程小さいコントラスト
の角度依存性を示しそして干渉色を有しない。
本発明によるこのような表示素子で最適の性質はこの積
が400nm付近、すなわち350〜450nmの範囲内の数値を有
する場合に見られる。
が400nm付近、すなわち350〜450nmの範囲内の数値を有
する場合に見られる。
0.03〜0.12、好ましくは0.05〜0.10の範囲内の光学的異
方性値を有する液晶誘電体は本発明による表示素子用誘
電体として使用される。たとえば僅かに3μ厚さのよう
な液晶層を有する極めて薄いセルの場合に、本発明によ
る干渉色を持たないという効果は0.12より大きい光学的
異方性を有する液晶誘電体を用いても得られる。しかし
ながら、この種の系はこのように薄いセルを大規模に製
造することが工業的に困難であることに加えて、その表
示コントラストの角度依存性が、液晶誘電体の光学的異
方性値が0.12またはそれ以下である系に比較して大きい
ことから、好ましくない。
方性値を有する液晶誘電体は本発明による表示素子用誘
電体として使用される。たとえば僅かに3μ厚さのよう
な液晶層を有する極めて薄いセルの場合に、本発明によ
る干渉色を持たないという効果は0.12より大きい光学的
異方性を有する液晶誘電体を用いても得られる。しかし
ながら、この種の系はこのように薄いセルを大規模に製
造することが工業的に困難であることに加えて、その表
示コントラストの角度依存性が、液晶誘電体の光学的異
方性値が0.12またはそれ以下である系に比較して大きい
ことから、好ましくない。
0.12以下、好ましくは0.05〜0.10の範囲内の光学的異方
性Δnを有する液晶誘電体は慣用の液晶基材から製造で
きる。この種の多くの材料は文献により知られている。
本発明による表示素子に用いる誘電体が液晶メゾフエー
スを形成する式(I) R1−(A)−X−(B)−R2 (I) の化合物の少なくとも1種を少なくとも50重量%含有す
ると有利である。この式(I)において、基(A)およ
び(B)は液晶基材に一般に慣用である環または環系を
表わす。本発明によれば、これらの基の少なくとも1つ
は非芳香族または部分的にのみ芳香族性の環式構成員子
好ましくはトランス−1,4−ジ置換シクロヘキサン環で
ある。
性Δnを有する液晶誘電体は慣用の液晶基材から製造で
きる。この種の多くの材料は文献により知られている。
本発明による表示素子に用いる誘電体が液晶メゾフエー
スを形成する式(I) R1−(A)−X−(B)−R2 (I) の化合物の少なくとも1種を少なくとも50重量%含有す
ると有利である。この式(I)において、基(A)およ
び(B)は液晶基材に一般に慣用である環または環系を
表わす。本発明によれば、これらの基の少なくとも1つ
は非芳香族または部分的にのみ芳香族性の環式構成員子
好ましくはトランス−1,4−ジ置換シクロヘキサン環で
ある。
この目的に使用できるその他の構造の構成員子は1,4−
ジ置換ビシクロ[2.2.2]オクタン環、トランス−2,5−
ジ置換1,3−ジオキサン環、2,6−ジ置換1,2,3,4−テト
ラヒドロナフタレン系または4−(トランス−4−アル
キルシクロヘキシル)−フエニル環である。同じ構造の
構成員子が基(A)および(B)のもう1方に存在する
こともできるが、さらにまた電子光学用途に液晶物質と
して慣用される、特に別の位置に1個以上のフツ素原子
をまたさらに含有できる1,4−ジ置換ベンゼン環、4,4−
ジ置換ビフエニル系、2,6−ジ置換ナフタリン系、2,5−
ジ置換ピリミジン環または3,6−ジ置換s−テトラジン
環のようなホモ芳香族性またはヘテロ芳香族性構造の構
成員子を使用することもできる。基Xはカルボキシル基
または直接C−C単結合を表わすと好ましい。さらにま
た、たとえばチオエステル基、メチレンオキシ基、メチ
レンチオ基またはエチレン基を表わすこともできる。式
(I)の化合物中の側枝基R1およびR2は12個までのC原
子を有するアルキル、アルコキシまたはアルカノイルオ
キシ基である。1方の側枝基はまたシアノ、ニトロ、ハ
ロゲンまたはトリフルオロメチルであることもできる。
ジ置換ビシクロ[2.2.2]オクタン環、トランス−2,5−
ジ置換1,3−ジオキサン環、2,6−ジ置換1,2,3,4−テト
ラヒドロナフタレン系または4−(トランス−4−アル
キルシクロヘキシル)−フエニル環である。同じ構造の
構成員子が基(A)および(B)のもう1方に存在する
こともできるが、さらにまた電子光学用途に液晶物質と
して慣用される、特に別の位置に1個以上のフツ素原子
をまたさらに含有できる1,4−ジ置換ベンゼン環、4,4−
ジ置換ビフエニル系、2,6−ジ置換ナフタリン系、2,5−
ジ置換ピリミジン環または3,6−ジ置換s−テトラジン
環のようなホモ芳香族性またはヘテロ芳香族性構造の構
成員子を使用することもできる。基Xはカルボキシル基
または直接C−C単結合を表わすと好ましい。さらにま
た、たとえばチオエステル基、メチレンオキシ基、メチ
レンチオ基またはエチレン基を表わすこともできる。式
(I)の化合物中の側枝基R1およびR2は12個までのC原
子を有するアルキル、アルコキシまたはアルカノイルオ
キシ基である。1方の側枝基はまたシアノ、ニトロ、ハ
ロゲンまたはトリフルオロメチルであることもできる。
本発明により使用される低い光学的異方性を有する液晶
誘電体の好ましい成分は次の成分である。
誘電体の好ましい成分は次の成分である。
式IIのシクロヘキシルシクロヘキサン、 式IIIのフエニルシクロヘキサン、 式IVのシクロヘキサンカルボン酸フエニルエステル、 式Vのシクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシルエステ
ル、 式VIのビフエニリルシクロヘキサン、 式VIIの4,4′−ジシクロヘキシルビフエニル、 式VIIIのシクロヘキシル安息香酸フエニルエステル、 式IXのシクロヘキシル安息香酸シクロヘキシルエステ
ル、 式Xの安息香酸シクロヘキシルエステル、 式XIの安息香酸ビシクロヘキシルエステル、 式XIIの安息香酸シクロヘキシルフエニルエステル、 式XIIIのシクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシルフエ
ニルエステル、 式XIVのシクロヘキサンカルボン酸ビシクロヘキシルエ
ステル、 式XVのシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸シクロ
ヘキシルエステル、 式XVIのフエニルビシクロ[2.2.2]オクタン、 式XVIIのフエニル−1,3−ジオキサン、 式XVIIIのシクロヘキシル−1,3−ジオキサン、 および 式XIXのシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸フエ
ニルエステル、 式(II)〜(XIX)の化合物において、側枝基(両翼
基)R1およびR2は式(I)について前記した意味を有す
る。ここでシクロヘキサン環または1,3−ジオキサン環
に結合した側枝基は12個まで、特に8個までのC原子を
有するアルキルまたはアルカノイルオキシ基が好まし
く、或る場合にはシアノ基も好ましい。
ル、 式VIのビフエニリルシクロヘキサン、 式VIIの4,4′−ジシクロヘキシルビフエニル、 式VIIIのシクロヘキシル安息香酸フエニルエステル、 式IXのシクロヘキシル安息香酸シクロヘキシルエステ
ル、 式Xの安息香酸シクロヘキシルエステル、 式XIの安息香酸ビシクロヘキシルエステル、 式XIIの安息香酸シクロヘキシルフエニルエステル、 式XIIIのシクロヘキサンカルボン酸シクロヘキシルフエ
ニルエステル、 式XIVのシクロヘキサンカルボン酸ビシクロヘキシルエ
ステル、 式XVのシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸シクロ
ヘキシルエステル、 式XVIのフエニルビシクロ[2.2.2]オクタン、 式XVIIのフエニル−1,3−ジオキサン、 式XVIIIのシクロヘキシル−1,3−ジオキサン、 および 式XIXのシクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸フエ
ニルエステル、 式(II)〜(XIX)の化合物において、側枝基(両翼
基)R1およびR2は式(I)について前記した意味を有す
る。ここでシクロヘキサン環または1,3−ジオキサン環
に結合した側枝基は12個まで、特に8個までのC原子を
有するアルキルまたはアルカノイルオキシ基が好まし
く、或る場合にはシアノ基も好ましい。
本発明による表示素子用の液晶誘電体は式(I)、好ま
しくは式(II)〜(XIX)の化合物の1種以上を少なく
とも50重量%を含有する。一般に、この種の誘電体はこ
れらの化合物の2種以上を含有する混合物である。この
ような混合物はさらに別の成分と一緒の混合物でもよ
く、その組成はその光学的異方性が0.12の値を超えない
かぎり広い限度内で変えることができる。本発明による
液晶表示素子用に好適な誘電体は式(II)〜(XIX)の
化合物の少なくとも1種を少なくとも60〜85重量%含有
する。誘電体はまたこれらの群からの液晶基材だけで構
成されていてもよい。しかしながら、この種の誘電体は
さらに、その光学的異方性が0.12以上に増大しないかぎ
り、慣用量の染料またはドーピング物質を含有できる。
しくは式(II)〜(XIX)の化合物の1種以上を少なく
とも50重量%を含有する。一般に、この種の誘電体はこ
れらの化合物の2種以上を含有する混合物である。この
ような混合物はさらに別の成分と一緒の混合物でもよ
く、その組成はその光学的異方性が0.12の値を超えない
かぎり広い限度内で変えることができる。本発明による
液晶表示素子用に好適な誘電体は式(II)〜(XIX)の
化合物の少なくとも1種を少なくとも60〜85重量%含有
する。誘電体はまたこれらの群からの液晶基材だけで構
成されていてもよい。しかしながら、この種の誘電体は
さらに、その光学的異方性が0.12以上に増大しないかぎ
り、慣用量の染料またはドーピング物質を含有できる。
以下に本発明を第1図〜第5図を引用して説明する。
第1図は観察(又は視覚)角度θおよびφを定義する目
的の、液晶セルの説明図である。
的の、液晶セルの説明図である。
第2図は9μの層厚さおよびΔn=0.18(d×Δn=17
20nm)の光学的異方性を有する慣用のねじれネマチツク
セルの2種の異なる観察角度θからの動作電圧に対する
吸収の角度依存性を示している。垂直方向(θ=0°;
φ=0°)から見た場合に、吸収は約3.7Vの動作電圧で
最大値の90%に達し、次いで電圧の増加に従い、ゆっく
りとしかし一様に最大吸収値の限界値まで達する傾向が
あり、吸収はθ=40°およびφ=0°の角度で見る場合
に約2.7Vの電圧で約95%の最大値に達する。僅かにだけ
増大した電圧で、吸収は急勾配になり、正常動作に十分
である90%の値に約6Vの電圧でだけ再び達する。その他
の観察角度に係る特徴(図示されていない)は吸収の初
期最大値が異なる動作電圧にある以外は質的に同様の経
過を示す。当該技術の現状に従うこのような液晶表示素
子の場合に、角度に依存して、少なくとも90%の吸収が
6Vの動作電圧でだけ達成される。この数値は実用上の多
くのタイプに対してはあまりに高すぎる。このタイプの
表示素子は電源として電池を用いて動作させるから、追
加のエネルギーを消費する高価な電圧−増幅回路が必要
になる。
20nm)の光学的異方性を有する慣用のねじれネマチツク
セルの2種の異なる観察角度θからの動作電圧に対する
吸収の角度依存性を示している。垂直方向(θ=0°;
φ=0°)から見た場合に、吸収は約3.7Vの動作電圧で
最大値の90%に達し、次いで電圧の増加に従い、ゆっく
りとしかし一様に最大吸収値の限界値まで達する傾向が
あり、吸収はθ=40°およびφ=0°の角度で見る場合
に約2.7Vの電圧で約95%の最大値に達する。僅かにだけ
増大した電圧で、吸収は急勾配になり、正常動作に十分
である90%の値に約6Vの電圧でだけ再び達する。その他
の観察角度に係る特徴(図示されていない)は吸収の初
期最大値が異なる動作電圧にある以外は質的に同様の経
過を示す。当該技術の現状に従うこのような液晶表示素
子の場合に、角度に依存して、少なくとも90%の吸収が
6Vの動作電圧でだけ達成される。この数値は実用上の多
くのタイプに対してはあまりに高すぎる。このタイプの
表示素子は電源として電池を用いて動作させるから、追
加のエネルギーを消費する高価な電圧−増幅回路が必要
になる。
第3図は当該技術の現状に従う同じ液晶セルの葉状グラ
フであり、θ=40°の一定の観察角度における吸収値を
観察角度φの函数としてグラフに書いたものである。こ
こで、動作電圧はしきい電圧の2倍、すなわち約4.5Vの
一定値に保持する。これらの条件下に、少なくとも90%
の吸収が約38°〜52°の角度φ範囲でだけ達成され、そ
して少なくとも60%の吸収がφ=5°〜90°、すなわち
約85°の範囲にわたってだけ達成される。
フであり、θ=40°の一定の観察角度における吸収値を
観察角度φの函数としてグラフに書いたものである。こ
こで、動作電圧はしきい電圧の2倍、すなわち約4.5Vの
一定値に保持する。これらの条件下に、少なくとも90%
の吸収が約38°〜52°の角度φ範囲でだけ達成され、そ
して少なくとも60%の吸収がφ=5°〜90°、すなわち
約85°の範囲にわたってだけ達成される。
第4図は本発明による6.5μの層厚さおよびΔn=0.06
の誘電体の光学的異方性を有する(d×Δn=390nm)
液晶セルの場合の動作電圧に対する吸収の角度依存性を
示している。垂直方向で見る場合に、特性は第2図によ
る慣用の表示素子の場合に相応する;90%の吸収が同様
に3.7Vの動作電圧で達成される。40°の視覚角度θの場
合に、90%の吸収がまた2.7Vで達成される。しかしなが
ら、電圧が増加した場合でも吸収は少し上昇するだけで
あり、再び少し落ちるが、90%より少なくはならない。
その他の観察角度θについての特性は同様の様相を示
す。観察角度からほとんど独立している少なくとも90%
の吸収が本発明による液晶表示素子により3.7Vの動作電
圧ですでに達成される。
の誘電体の光学的異方性を有する(d×Δn=390nm)
液晶セルの場合の動作電圧に対する吸収の角度依存性を
示している。垂直方向で見る場合に、特性は第2図によ
る慣用の表示素子の場合に相応する;90%の吸収が同様
に3.7Vの動作電圧で達成される。40°の視覚角度θの場
合に、90%の吸収がまた2.7Vで達成される。しかしなが
ら、電圧が増加した場合でも吸収は少し上昇するだけで
あり、再び少し落ちるが、90%より少なくはならない。
その他の観察角度θについての特性は同様の様相を示
す。観察角度からほとんど独立している少なくとも90%
の吸収が本発明による液晶表示素子により3.7Vの動作電
圧ですでに達成される。
第5図は本発明による9μの層厚さおよびΔn=0.06の
誘電体の光学的異方性を有する(d×Δn=540nm)液
晶セルの葉状グラフである。このグラフでは、吸収値が
θ=40°の一定の観察角度およびしきい電圧の2倍の一
定の動作電圧における観察角度φの函数としてまたグラ
フに書かれている。ここで、少なくとも90%の吸収が約
31°〜58°のφ範囲で達成されるが、この吸収は−90°
(270°)〜+172°で、すなわち約262°の範囲にわた
って、80%以上である。これは慣用の構成の素子の液晶
セルの範囲の3倍以上である。
誘電体の光学的異方性を有する(d×Δn=540nm)液
晶セルの葉状グラフである。このグラフでは、吸収値が
θ=40°の一定の観察角度およびしきい電圧の2倍の一
定の動作電圧における観察角度φの函数としてまたグラ
フに書かれている。ここで、少なくとも90%の吸収が約
31°〜58°のφ範囲で達成されるが、この吸収は−90°
(270°)〜+172°で、すなわち約262°の範囲にわた
って、80%以上である。これは慣用の構成の素子の液晶
セルの範囲の3倍以上である。
次例は本発明による表示素子で使用する低い光学的異方
性を有する液晶誘電体に関する。
性を有する液晶誘電体に関する。
例1 4−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
ベンゾニトリル25%、 4−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
フエネトール18%、 トランス−トランス−4−n−ブチルシクロヘキシル−
シクロヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−トランス−4−エチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−4−n−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸
4−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
フエニルエステル10%、および トランス−トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル
シクロヘキサン−4′−カルボン酸トランス−4−n−
プロピルシクロヘキシルエステル7% からなる液晶誘電体は−7℃の融点、+60°の透明点、
20℃で26×10-3Pa.sの粘度、△ε=+6.03の誘電異方性
およびΔn=0.08の光学的異方性を有する。ねじれネマ
チツクセルに6.5μの層厚さで使用すると、20°で測定
したしきい電圧は1.85Vである。このしきい電圧の温度
依存性は9.5mV/℃である。従ってこの誘電体は時分割駆
動する、本発明による液晶誘電体に極めて適している。
ベンゾニトリル25%、 4−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
フエネトール18%、 トランス−トランス−4−n−ブチルシクロヘキシル−
シクロヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−トランス−4−エチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−4−n−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸
4−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
フエニルエステル10%、および トランス−トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル
シクロヘキサン−4′−カルボン酸トランス−4−n−
プロピルシクロヘキシルエステル7% からなる液晶誘電体は−7℃の融点、+60°の透明点、
20℃で26×10-3Pa.sの粘度、△ε=+6.03の誘電異方性
およびΔn=0.08の光学的異方性を有する。ねじれネマ
チツクセルに6.5μの層厚さで使用すると、20°で測定
したしきい電圧は1.85Vである。このしきい電圧の温度
依存性は9.5mV/℃である。従ってこの誘電体は時分割駆
動する、本発明による液晶誘電体に極めて適している。
例2 トランス−トランス−4−エチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル29%、 トランス−トランス−4−n−ブチルシクロヘキシル−
シクロヘキサン−4′−カルボニトリル29%、 4−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
フエネトール28%、 トランス−トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル
−シクロヘキサン−4′−カルボン酸トランス−4−n
−プロピルシクロヘキシルエステル9%、および 4−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘキシル)−
4′−n−プロピルシクロヘキシル)−ビフエニル5
%、 からなる液晶誘電体は−6℃〜+63°の温度範囲内のネ
マチツクメゾフエース、20℃で28×10-3Pa.sの粘度、△
ε=+3.55の誘電異方性およびΔn=0.07の光学的異方
性を有する。20℃で測定したしきい電圧は2.16Vであ
り、そしてしきい電圧の温度依存性は13.5mV/℃であ
る。この誘電体は時分割駆動する、本発明による液晶表
示素子に良く適している。
ロヘキサン−4′−カルボニトリル29%、 トランス−トランス−4−n−ブチルシクロヘキシル−
シクロヘキサン−4′−カルボニトリル29%、 4−(トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル)−
フエネトール28%、 トランス−トランス−4−n−プロピルシクロヘキシル
−シクロヘキサン−4′−カルボン酸トランス−4−n
−プロピルシクロヘキシルエステル9%、および 4−(トランス−4−n−ペンチルシクロヘキシル)−
4′−n−プロピルシクロヘキシル)−ビフエニル5
%、 からなる液晶誘電体は−6℃〜+63°の温度範囲内のネ
マチツクメゾフエース、20℃で28×10-3Pa.sの粘度、△
ε=+3.55の誘電異方性およびΔn=0.07の光学的異方
性を有する。20℃で測定したしきい電圧は2.16Vであ
り、そしてしきい電圧の温度依存性は13.5mV/℃であ
る。この誘電体は時分割駆動する、本発明による液晶表
示素子に良く適している。
例3 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル14%、 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル10%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−メトキシシクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−プロピルオキシシクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−メトキシシクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−エチルオキシシクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−(4−エチルフエニル)−シクロヘキサン8%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−(4−プロピルフエニル)−シクロヘキサン8
%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−(4−プロピルフエニル)−シクロヘキサン8
%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−フルオルシクロヘキサン8%、および 2−(トランス−4−プロピルビシクロヘキシル−4′
−イル)−5−プロピルピリジン8%よりなる液晶誘電
体は−22℃の融点、+81℃の透明点およびΔn=0.098
の光学異方性を有する。
リル14%、 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル10%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−メトキシシクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−プロピルオキシシクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−メトキシシクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−エチルオキシシクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−(4−エチルフエニル)−シクロヘキサン8%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−(4−プロピルフエニル)−シクロヘキサン8
%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−(4−プロピルフエニル)−シクロヘキサン8
%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−フルオルシクロヘキサン8%、および 2−(トランス−4−プロピルビシクロヘキシル−4′
−イル)−5−プロピルピリジン8%よりなる液晶誘電
体は−22℃の融点、+81℃の透明点およびΔn=0.098
の光学異方性を有する。
例4 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル15%、 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル5%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−プロピルオキシシクロヘキサン10%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−メトキシシクロヘキサン15%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−エチルオキシシクロヘキサン15%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−(4−エチルフエニル)−シクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−(p−シアノフエニル)−シクロヘキサン9%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−ビフエニル8%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフエ
ニル7%、および 4,4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−ビフエニル7%、 よりなる液晶誘電体は−5℃の融点、+95℃の透明点お
よびΔn=0.099の光学異方性を有する。
リル15%、 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル5%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−プロピルオキシシクロヘキサン10%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−メトキシシクロヘキサン15%、 トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−エチルオキシシクロヘキサン15%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−(4−エチルフエニル)−シクロヘキサン9%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−(p−シアノフエニル)−シクロヘキサン9%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−ビフエニル8%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフエ
ニル7%、および 4,4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−ビフエニル7%、 よりなる液晶誘電体は−5℃の融点、+95℃の透明点お
よびΔn=0.099の光学異方性を有する。
例5 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル25%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−1−(p−エトキシフエニル)−4−プロピ
ルシクロヘキサン18%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシルエステル)7%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)10%、 よりなる液晶誘電体は−7℃の融点、+60℃の透明点お
よびΔn=0.08の光学異方性を有する。
リル25%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−1−(p−エトキシフエニル)−4−プロピ
ルシクロヘキサン18%、 トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシルエステル)7%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)10%、 よりなる液晶誘電体は−7℃の融点、+60℃の透明点お
よびΔn=0.08の光学異方性を有する。
例6 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル29%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル29%、 トランス−1−p−エトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン28%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシルエステル)9%、および 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル5% よりなる液晶誘電体は−6℃の融点、+63℃の透明点お
よびΔn=0.07の光学異方性を有する。
ヘキサン−4′−カルボニトリル29%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル29%、 トランス−1−p−エトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン28%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシルエステル)9%、および 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル5% よりなる液晶誘電体は−6℃の融点、+63℃の透明点お
よびΔn=0.07の光学異方性を有する。
例7 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル25%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−1−p−エトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン18%、 トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシルエステル)7%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)10% よりなる液晶誘電体は−7℃の融点、+60℃の透明点お
よびΔn=0.08の光学異方性を有する。
リル25%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−1−p−エトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン18%、 トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシルエステル)7%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)10% よりなる液晶誘電体は−7℃の融点、+60℃の透明点お
よびΔn=0.08の光学異方性を有する。
例8 p−トランス−4−エチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル17%、 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル8%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)10%、 トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシルエステル)7%、および トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)18%よりなる液晶誘
電体は−9℃の融点、+60℃の透明点およびΔn=0.08
の光学異方性を有する。
ル17%、 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル8%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)10%、 トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシルエステル)7%、および トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)18%よりなる液晶誘
電体は−9℃の融点、+60℃の透明点およびΔn=0.08
の光学異方性を有する。
例9 トランス−1−p−エトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン25%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)10%、 トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシルエステル)7%、および トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)18%よりなる液晶誘
電体は−7℃の融点、+61℃の透明点およびΔn=0.07
の光学異方性を有する。
クロヘキサン25%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル20%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)10%、 トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘキシ
ル)−シクロヘキサンカルボン酸−(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシルエステル)7%、および トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)18%よりなる液晶誘
電体は−7℃の融点、+61℃の透明点およびΔn=0.07
の光学異方性を有する。
例10 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシル−ベンゾニ
トリル19%、 p−トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−ベンゾニ
トリル18%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル23%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル5%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−ペンチルフエニルエステル)19%、および トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)16%よりなる液晶誘
電体は−10℃の融点、+60℃の透明点およびΔn=0.10
の光学異方性を有する。
トリル19%、 p−トランス−4−ペンチルシクロヘキシル−ベンゾニ
トリル18%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル23%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル5%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−ペンチルフエニルエステル)19%、および トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)16%よりなる液晶誘
電体は−10℃の融点、+60℃の透明点およびΔn=0.10
の光学異方性を有する。
例11 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル19%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル19%、 2−p−シアノフエニル−5−プロピル−1,3−ジオキ
サン9%、 2−p−シアノフエニル−5−ブチル−1,3−ジオキサ
ン10%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−ビフエニル7%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフエ
ニル3%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)9%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル9%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)15
% よりなる液晶誘電体は−5℃の融点、+85℃の透明点お
よびΔn=0.076の光学異方性を有する。
ヘキサン−4′−カルボニトリル19%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル19%、 2−p−シアノフエニル−5−プロピル−1,3−ジオキ
サン9%、 2−p−シアノフエニル−5−ブチル−1,3−ジオキサ
ン10%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−ビフエニル7%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフエ
ニル3%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)9%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル9%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)15
% よりなる液晶誘電体は−5℃の融点、+85℃の透明点お
よびΔn=0.076の光学異方性を有する。
例12 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル13%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル19%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−ビフエニル7%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフエ
ニル3%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)11%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル8%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)18%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)15
% よりなる液晶誘電体は−6℃の融点、+92℃の透明点お
よびΔn=0.075の光学異方性を有する。
ヘキサン−4′−カルボニトリル13%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル19%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−ビフエニル7%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフエ
ニル3%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)11%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル8%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)18%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)15
% よりなる液晶誘電体は−6℃の融点、+92℃の透明点お
よびΔn=0.075の光学異方性を有する。
例13 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル18%、 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル11%、 p−トランス−4−ペンチルシクロヘキシルベンゾニト
リル13%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−プロピルオキシシクロヘキサン18%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−メトキシシクロヘキサン8%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン11%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシルエステル4%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペン
チルシクロヘキシルエステル4%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル4%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル4%、および 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル5%、 よりなる液晶誘電体は+71℃の透明点およびΔn=0.08
4の光学異方性を有する。
リル18%、 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル11%、 p−トランス−4−ペンチルシクロヘキシルベンゾニト
リル13%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−プロピルオキシシクロヘキサン18%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−メトキシシクロヘキサン8%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン11%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシルエステル4%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペン
チルシクロヘキシルエステル4%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル4%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル4%、および 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル5%、 よりなる液晶誘電体は+71℃の透明点およびΔn=0.08
4の光学異方性を有する。
例14 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル15%、 トランス−1−p−エトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン15%、 トランス−1−p−ブトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン13%、 トランス−1−p−プロピルフエニル−4−ペンチルシ
クロヘキサン10%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−プロピルオキシシクロヘキサン15%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン7% トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペン
チルシクロヘキシルエステル3%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシルエステル3%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル4%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル4%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル6%、および 4,4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフエニル5% よりなる液晶誘電体は+71℃の透明点およびΔn=0.08
35の光学異方性を有する。
リル15%、 トランス−1−p−エトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン15%、 トランス−1−p−ブトキシフエニル−4−プロピルシ
クロヘキサン13%、 トランス−1−p−プロピルフエニル−4−ペンチルシ
クロヘキサン10%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−プロピルオキシシクロヘキサン15%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン7% トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペン
チルシクロヘキシルエステル3%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシルエステル3%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル4%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル4%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル6%、および 4,4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフエニル5% よりなる液晶誘電体は+71℃の透明点およびΔn=0.08
35の光学異方性を有する。
例15 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル7%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル9%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル15%、 トランス,トランス−4−ペンチルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル9%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン11%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−プロピルオキシシクロヘキサン20%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−メトキシシクロヘキサン5%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン18%、および トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル6% よりなる液晶誘電体は−7℃の融点、+63℃の透明点お
よびΔn=0.0516の光学異方性を有する。
ヘキサン−4′−カルボニトリル7%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル9%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル15%、 トランス,トランス−4−ペンチルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル9%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン11%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−プロピルオキシシクロヘキサン20%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−メトキシシクロヘキサン5%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン18%、および トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル6% よりなる液晶誘電体は−7℃の融点、+63℃の透明点お
よびΔn=0.0516の光学異方性を有する。
例16 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル15%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−メトキシシクロヘキサン5%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−プロピルオキシシクロヘキサン16%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−メトキシシクロヘキサン16%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン16%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル5%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル5%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピル
シクロヘキシルエステル5%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチル
シクロヘキシルエステル5%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)ビフエニル4%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル4%、および 4,4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフエニル4% よりなる液晶誘電体は+94℃の透明点およびΔn=0.07
35の光学異方性を有する。
リル15%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−メトキシシクロヘキサン5%、 トランス−1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−4−プロピルオキシシクロヘキサン16%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−メトキシシクロヘキサン16%、 トランス−1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)−4−エチルオキシシクロヘキサン16%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル5%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル5%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピル
シクロヘキシルエステル5%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−ペンチル
シクロヘキシルエステル5%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)ビフエニル4%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル4%、および 4,4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ
ル)ビフエニル4% よりなる液晶誘電体は+94℃の透明点およびΔn=0.07
35の光学異方性を有する。
例17 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル13%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル6%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル13%、 トランス,トランス−4−ペンチルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル6%、 2−p−シアノフエニル−5−プロピル−1,3−ジオキ
サン6%、 2−p−シアノフエニル−5−ブチル−1,3−ジオキサ
ン7%、 2−p−シアノフエニル−5−ペンチル−1,3−ジオキ
サン6%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)ビフエニル4%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル6%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−(p
−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニルエス
テル)7%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)6%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピル
シクロヘキシルエステル5%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)7
%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)8
% よりなる液晶誘電体は−21℃の融点、+89℃の透明点お
よびΔn=0.081の光学異方性を有する。
ヘキサン−4′−カルボニトリル13%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル6%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル13%、 トランス,トランス−4−ペンチルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル6%、 2−p−シアノフエニル−5−プロピル−1,3−ジオキ
サン6%、 2−p−シアノフエニル−5−ブチル−1,3−ジオキサ
ン7%、 2−p−シアノフエニル−5−ペンチル−1,3−ジオキ
サン6%、 4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)ビフエニル4%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル6%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−(p
−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニルエス
テル)7%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)6%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−トランス−4−プロピル
シクロヘキシルエステル5%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)7
%、および トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)8
% よりなる液晶誘電体は−21℃の融点、+89℃の透明点お
よびΔn=0.081の光学異方性を有する。
例18 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル18%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル5%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル15%、 トランス,トランス−4−ペンチルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル5%、 トランス,トランス−4−ヘプチルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル5%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)17
%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシルエステル)18
%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシルエステル)5%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル)6%、および トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル)6% よりなる誘電体は+68℃の透明点およびΔn=0.0512の
光学異方性を有する。
ヘキサン−4′−カルボニトリル18%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル5%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル15%、 トランス,トランス−4−ペンチルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル5%、 トランス,トランス−4−ヘプチルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボニトリル5%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)17
%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシルエステル)18
%、 トランス,トランス−4−プロピルシクロヘキシルシク
ロヘキサン−4′−カルボン酸−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシルエステル)5%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシルエステル)6%、および トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボン酸−(トランス−4−ペンチ
ルシクロヘキシルエステル)6% よりなる誘電体は+68℃の透明点およびΔn=0.0512の
光学異方性を有する。
例19 p−トランス−4−ブチルシクロヘキシルベンゾニトリ
ル9%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)11
%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)11
%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−(p
−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニルエス
テル)15%、 トランス−4−(ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)11%、 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシル−安息香酸
−(p−プロピルフエニルエステル)6%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル16%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル15%、および 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル6% よりなる液晶誘電体は−14℃の融点、+92.3℃の透明点
およびΔn=0.082の光学異方性を有する。
ル9%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)11
%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシルエステル)11
%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−(p
−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニルエス
テル)15%、 トランス−4−(ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニル
エステル)11%、 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシル−安息香酸
−(p−プロピルフエニルエステル)6%、 トランス,トランス−4−エチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル16%、 トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル15%、および 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′
−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)ビフエニ
ル6% よりなる液晶誘電体は−14℃の融点、+92.3℃の透明点
およびΔn=0.082の光学異方性を有する。
例20 p−トランス−4−プロピルシクロヘキシルベンゾニト
リル19%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)15%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−(p
−エトキシフエニルエステル)14%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−メトキシフエニルエステル)17%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−ペンチルフエニルエステル)18%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−(p
−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニルエス
テル)10%、および トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル7% よりなる液晶誘電体は−10℃の融点、+65℃の透明点お
よびΔn=0.092の光学異方性を有する。
リル19%、 トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−エトキシフエニルエステル)15%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−(p
−エトキシフエニルエステル)14%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−メトキシフエニルエステル)17%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−
(p−ペンチルフエニルエステル)18%、 トランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−(p
−トランス−4−プロピルシクロヘキシルフエニルエス
テル)10%、および トランス,トランス−4−ブチルシクロヘキシルシクロ
ヘキサン−4′−カルボニトリル7% よりなる液晶誘電体は−10℃の融点、+65℃の透明点お
よびΔn=0.092の光学異方性を有する。
第1図は液晶セルを、その観察角度を定義する目的で描
いた図解図であって、Aは観測者の視線を、Bは偏光子
をそしてCは垂直方向を表わす。第2図および第4図は
従来慣用の液晶表示素子および本発明による表示素子の
ねじれネマチツクセルの観察角度に対する吸収の角度依
存性をそれぞれ示すグラフである。第3図および第5図
は従来慣用の液晶表示素子および本発明による表示素子
の一定の観察角度における吸収を観察角度の函数として
それぞれ示した葉状グラフである。
いた図解図であって、Aは観測者の視線を、Bは偏光子
をそしてCは垂直方向を表わす。第2図および第4図は
従来慣用の液晶表示素子および本発明による表示素子の
ねじれネマチツクセルの観察角度に対する吸収の角度依
存性をそれぞれ示すグラフである。第3図および第5図
は従来慣用の液晶表示素子および本発明による表示素子
の一定の観察角度における吸収を観察角度の函数として
それぞれ示した葉状グラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G02F 1/137 101 9315−2K (72)発明者 ルドルフ・アイデンシンク ドイツ連邦共和国6100ダルムシユタツト、 フランクフルテル・シユトラーセ250 (72)発明者 フエルナンド・デル・ピノ ドイツ連邦共和国6100ダルムシユタツト、 フランクフルテル・シユトラーセ250 (72)発明者 ゲオルグ・ヴエーベル ドイツ連邦共和国6100ダルムシユタツト、 フランクフルテル・シユトラーセ250 (56)参考文献 特開 昭54−135551(JP,A) 特開 昭55−3466(JP,A) 特開 昭53−92745(JP,A) 特開 昭54−106454(JP,A) 特開 昭53−90251(JP,A) 特開 昭55−24174(JP,A) 特開 昭56−16443(JP,A) 特開 昭56−68636(JP,A) 特開 昭55−118483(JP,A) 特開 昭55−85583(JP,A) 特公 昭60−34928(JP,B2) PHYSICS LETTERS vo l.60A,NO.5 P.421〜423 (1977) REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE TOME14(1979年 1月) P.265〜274(特にP.267,T able1)
Claims (6)
- 【請求項1】液晶成分として5種以上の化合物を含有
し、0.03〜0.12の範囲内の光学異方性を有することを特
徴とする液晶組成物であって、 下記式(I) R1−(A)−X−(B)−R2 (I) 〔式中、R1およびR2は、12個までの炭素原子を有するア
ルキル、アルコキシまたはアルカノイルオキシ基であ
り、あるいはこれらの基のうちの1つはまたシアノ、ニ
トロ、ハロゲンまたはトリフルオロメチルであってもよ
く、基Xは、カルボキシル基、直接C−C単結合、チオ
エステル基、メチレンオキシ基、メチレンチオ基、また
はエチレン基を表わし、そして基(A)および基(B)
のうちの一方は、非芳香族のまたは部分的にのみ芳香族
の環または環系を表わし、そして他方は、これと同義で
あるか、あるいはホモまたはヘテロの芳香族構造要素で
ある。〕 で表わされる化合物少なくとも1種を少なくとも50重量
%含有する液晶組成物。ただし、この液晶組成物は、上
記の式(I)における基(A)および基(B)のうちの
少なくとも一方が、トランス−4,4′−シクロヘキシル
フェニル系またはトランス−4−トランス−4′−ビシ
クロヘキシル系である化合物少なくとも1種を含有する
ものとする。 - 【請求項2】上記式(I)における基(A)および基
(B)のうちの少なくとも一方が、トランス−4−トラ
ンス−4′−ビシクロヘキシル系である化合物少なくと
も1種を含有する、特許請求の範囲第1項に記載の液晶
組成物。 - 【請求項3】上記基(A)が、トランス−1,4−ジ置換
シクロヘキサン環、1,4−ジ置換ビシクロ〔2.2.2〕オク
タン環、トランス−2,5−ジ置換1,3−ジオキサン環、2,
6−ジ置換1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン系、トラン
ス−4,4′−シクロヘキシルフェニル系およびトランス
−4−トランス−4′−ビシクロヘキシル系から選ばれ
る構造要素に基づく非芳香族のまたは部分的にのみ芳香
族の環または環系であることを特徴とする、特許請求の
範囲第1項または第2項に記載の液晶組成物。 - 【請求項4】上記基(B)が、1,4−ジ置換ベンゼン環
であり、この環は、別の位置に1個または2個以上のフ
ッ素原子をさらに有していてもよく、あるいは基(B)
が、4,4′−ジ置換ビフェニル系、2,6−ジ置換ナフタレ
ン系、2,5−ジ置換ピリミジン環または3,6−ジ置換s−
テトラジン環であることを特徴とする、特許請求の範囲
第1項〜第3項のいずれかに記載の液晶組成物。 - 【請求項5】上記基(B)が、1,4−ジ置換ベンゼン環
であり、この環は、別の位置に1個または2個以上のフ
ッ素原子をさらに有していてもよい、特許請求の範囲第
4項に記載の液晶組成物。 - 【請求項6】下記式(II)で表わされるシクロヘキシル
シクロヘキサン化合物: または下記式(III)で表わされるフェニルシクロヘキ
サン化合物: または下記式(IV)で表わされるシクロヘキサンカルボ
ン酸フェニルエステル化合物: または下記式(V)で表わされるシクロヘキサンカルボ
ン酸シクロヘキシルエステル化合物: または下記式(VI)で表わされるビフェニリルシクロヘ
キサン化合物: または下記式(VII)で表わされる4,4′−ジシクロヘキ
シルビフェニル化合物: または下記式(VIII)で表わされるシクロヘキシル安息
香酸フェニルエステル化合物: または下記式(IX)で表わされるシクロヘキシル安息香
酸シクロヘキシルエステル化合物: または下記式(X)で表わされる安息香酸シクロヘキシ
ルエステル化合物: または下記式(XI)で表わされる安息香酸ビシクロヘキ
シルエステル化合物: または下記式(XII)で表わされる安息香酸シクロヘキ
シルフェニルエステル化合物: または下記式(XIII)で表わされるシクロヘキサンカル
ボン酸シクロヘキシルフェニルエステル化合物: または下記式(XIV)で表わされるシクロヘキサンカル
ボン酸ビシクロヘキシルエステル化合物: または下記式(XV)で表わされるシクロヘキシルシクロ
ヘキサンカルボン酸シクロヘキシルエステル化合物: または下記式(XVI)で表わされるフェニルビシクロ
〔2.2.2〕オクタン化合物: または下記式(XVII)で表わされるフェニル−1,3−ジ
オキサン化合物: または下記式(XVIII)で表わされるシクロヘキシル−
1,3−ジオキサン化合物: または下記式(XIX)で表わされるシクロヘキシルシク
ロヘキサンカルボン酸フェニルエステル化合物: を含有する、特許請求の範囲第1項〜第5項のいずれか
に記載の液晶組成物。
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