JPH05239334A

JPH05239334A - 光学用ポリカーボネート組成物の製造方法

Info

Publication number: JPH05239334A
Application number: JP4041470A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Sakashita; 下健阪; Tomoaki Shimoda; 田智明下; Kimiyoshi Miura; 浦公義三; Kenichi Tominari; 成研一富; Akio Kanazawa; 澤明郎金
Original assignee: GE Plastics Japan Ltd
Current assignee: SABIC Innovative Plastics Japan KK
Priority date: 1992-02-27
Filing date: 1992-02-27
Publication date: 1993-09-17
Anticipated expiration: 2015-10-30
Also published as: JP3103652B2; US5364926A; EP0615996A1

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑みてな
されたものであって、透明性および耐水性に優れるとと
もに、溶融時の熱安定性、色相安定性などの滞留安定性
に優れ、かつ異物含量が少なく、しかも熱劣化の少ない
光学用ポリカーボネート組成物を、生産効率よく製造し
うる光学用ポリカーボネート組成物の製造方法を提供す
ることを目的としている。【構成】本発明に係る光学用ポリカーボネート組成物
の製造方法は、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとを触媒の存在下に溶融重縮合させた後、反応生成
物である［Ａ］ポリカーボネートが溶融状態にある間
に、［Ｂ］添加剤を添加し混練することを特徴としてい
る。本発明では、混練後にポリマ−フィルタ−でろ過し
て光学用ポリカーボネート組成物を製造することが好ま
しい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の技術分野】本発明は、光学用ポリカーボネート
組成物の製造方法に関し、さらに詳しくは、透明性およ
び耐水性に優れるとともに、溶融時の熱安定性、色相安
定性などの滞留安定性に優れ、かつ異物含量が少なく、
しかも熱劣化の少ない光学用ポリカーボネート組成物
を、生産効率よく製造しうる光学用ポリカーボネート組
成物の製造方法に関する。

【０００２】

【発明の技術的背景】ポリカーボネートは、耐衝撃性な
どの機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性などにも
優れており、各種機械部品、光学用ディスク、自動車部
品などの用途に広く用いられている。特にメモリー用光
ディスク、光ファイバー、レンズなどの光学用途への期
待は大きく、種々の研究が盛んになされている。

【０００３】このようなメモリー用光ディスク用途にお
いては、不純物や異物含量の少ないポリカーボネートの
出現が特に望まれている。ところでこのようなポリカー
ボネートを製造する方法としては、従来のビスフェノー
ルＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとを直
接反応させる方法（界面法）、あるいは、芳香族ジヒド
ロキシ化合物と炭酸ジエステルとをエステル交換させる
方法（溶融法、固相法）などが挙げられる。

【０００４】これらのうち、ホスゲンを用いる界面法
は、塩化メチレンなどの溶媒を大量に使用するため、塩
素の除去が非常に難しく、得られるポリカーボネート中
に塩素が含有されやすく、光学用ポリカーボネートとし
ては好ましくない。また界面法ではポリカーボネートは
粉末で得られるが、このような粉末状ポリカーボネート
に成形用安定剤などを添加する場合には、粉末状ポリカ
ーボネートを押出機などで再溶融混練する必要がある。
この際には外部から異物が混入しやすく、これを防ぐた
めにクリーンルーム中に押出機を設置するなどして、大
変な労力と大掛かりな設備を要するとともにコスト高を
招いている。また、このような再溶融混練の際には、前
断熱（シェア熱）が発生して、ポリカーボネートが熱劣
化することがある。

【０００５】またエステル交換法によるポリカーボネー
トの製造方法も知られているが、このうち固相重合法で
は、重合終了時に得られたポリカーボネートのチップ
を、界面法と同様に再溶融混練して成形用安定剤を添加
しており、上記と同様な問題点が生じている。

【０００６】このため、透明性および耐水性に優れると
ともに、溶融時の熱安定性、色相安定性などの滞留安定
性に優れ、かつ異物含量が少なく、しかも熱劣化の少な
い光学用ポリカーボネート組成物を、生産効率よく製造
しうる光学用ポリカーボネート組成物の製造方法に出現
が望まれていた。

【０００７】

【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、透明性および耐水性に優れる
とともに、溶融時の熱安定性、色相安定性などの滞留安
定性に優れ、かつ異物含量が少なく、しかも熱劣化の少
ない光学用ポリカーボネート組成物を、生産効率よく製
造しうる光学用ポリカーボネート組成物の製造方法を提
供することを目的としている。

【０００８】

【発明の概要】本発明に係る光学用ポリカーボネート組
成物の製造方法は、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジ
エステルとを触媒の存在下に溶融重縮合させた後、反応
生成物である［Ａ］ポリカーボネートが溶融状態にある
間に、［Ｂ］添加剤を添加し混練することを特徴として
いる。

【０００９】本発明では、混練後にポリマーフィルター
で濾過して光学用ポリカーボネート組成物を製造するこ
とが好ましい。本発明に係る光学用ポリカーボネート系
樹脂組成物の製造方法によれば、溶融重縮合により得ら
れた反応生成物であるポリカーボネートが溶融状態にあ
る間に、上記［Ｂ］添加剤を添加し混練しているので、
製造時に外部からの異物の混入を防ぐことができるとと
もに、シェア熱の発生による熱分解を抑制することがで
きて、透明性および耐水性に優れるとともに溶融時の滞
留安定性に優れる光学用ポリカーボネート組成物を生産
効率よく、安定して製造することができる。

【００１０】

【発明の具体的説明】以下、本発明に係る光学用ポリカ
ーボネート組成物の製造方法について具体的に説明す
る。本発明では、まず、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭
酸ジエステルとを、触媒の存在下に溶融重縮合させてポ
リカーボネート［Ａ］を製造する。

【００１１】このような芳香族ジヒドロキシ化合物とし
ては、特に限定されないが、下記式［Ｉ］で示される化
合物が挙げられる。

【００１２】

【化１】

【００１３】Ｒ¹およびＲ²は水素原子または１価の炭
化水素基であり、Ｒ³は２価の炭化水素基である。また
Ｒ⁴およびＲ⁵は、ハロゲン原子または１価の炭化水素
基であり、これらは、同一であっても異なっていてもよ
い。ｐおよびｑは０〜４の整数を表す。）上記芳香族ジ
ヒドロキシ化合物としては、具体的には、以下に示す化
合物を挙げることができるビス（4-ヒドロキシフェニル）メタン、1,1-ビス（4-ヒ
ドロキシフェニル）エタン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフ
ェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）
ブタン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）オクタン、
ビス（4-ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、2,2-ビ
ス（4-ヒドロキシ-1- メチルフェニル）プロパン、1,1-
ビス（4-ヒドロキシ-t-ブチルフェニル）プロパン、2,2
-ビス（4-ヒドロキシ-3-ブロモフェニル）プロパンなど
のビス（ヒドロキシアリール）アルカン類、1,1-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、1,1-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンなどのビス
（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、4,4'-ジヒ
ドロキシジフェニルエーテル、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'
-ジメチルフェニルエーテルなどのジヒドロキシアリー
ルエーテル類、4,4'-ジヒドロキシジフェニルスルフィ
ド、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-ジメチルジフェニルスル
フィドなどのジヒドロキシジアリールスルフィド類、4,
4'- ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、4,4'- ジヒ
ドロキシ-3,3'-ジメチルジフェニルスルホキシドなどの
ジヒドロキシジアリールスルホキシド類、4,4'-ジヒド
ロキシジフェニルスルホン、4,4'-ジヒドロキシ-3,3'-
ジメチルジフェニルスルホンなどのジヒドロキシジアリ
ールスルホン類。

【００１４】これらのうちでは、特に2,2-ビス（4-ヒド
ロキシフェニル）プロパンが好ましく用いられる。ま
た、芳香族ジヒドロキシ化合物として、下記一般式［I
I］で表される化合物を用いることもできる。

【００１５】

【化２】

【００１６】式中、Ｒ⁶は、それぞれ炭素数１〜１０の
炭化水素基またはそのハロゲン化物、またはハロゲンで
あり、同一であっても異なっていてもよい。ｎは０〜４
の整数である。上記一般式［II］で表される芳香族ジヒ
ドロキシ化合物としては、具体的に、レゾルシンおよび
3-メチルレゾルシン、3-エチルレゾルシン、3-プロピル
レゾルシン、3-ブチルレゾルシン、3-t-ブチルレゾルシ
ン、3-フェニルレゾルシン、3-クミルレゾルシン、2,3,
4,6-テトラフルオロレゾルシン、2,3,4,6-テトラブロム
レゾルシンなどの置換レゾルシン、カテコール、ハイド
ロキノンおよび3-メチルハイドロキノン、3-エチルハイ
ドロキノン、3-プロピルハイドロキノン、3-ブチルハイ
ドロキノン、3-t-ブチルハイドロキノン、3-フェニルハ
イドロキノン、3-クミルハイドロキノン、2,3,5,6-テト
ラメチルハイドロキノン、2,3,5,6-テトラ-t-ブチルハ
イドロキノン、2,3,5,6-テトラフルオロハイドロキノ
ン、2,3,5,6-テトラブロムハイドロキノンなどの置換ハ
イドロキノンを挙げることができる。

【００１７】また、本発明では芳香族ジヒドロキシ化合
物として、下記一般式で表される2,2,2',2'-テトラヒド
ロ-3,3,3',3'-テトラメチル-1,1'-スピロビ-［IH-イン
デン］-6,6'-ジオールを用いることもできる。

【００１８】

【化３】

【００１９】これらの芳香族ジヒドロキシ化合物は、単
独であるいは組み合わせて用いることができる。また炭
酸ジエステルとしては、具体的には、ジフェニルカーボ
ネート、ジトリールカーボネート、ビス（クロロフェニ
ル）カーボネート、m-クレジルカーボネート、ジナフチ
ルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジ
エチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチル
カーボネート、ジシクロヘキシルカーボネートなどが挙
げられる。

【００２０】これらのうち特にジフェニルカーボネート
が好ましく用いられる。これらの炭酸ジエステルは、単
独であるいは組み合わせて用いられる。また上記のよう
な炭酸ジエステルは、好ましくは５０モル％以下、さら
に好ましくは３０モル％以下の量で、ジカルボン酸ある
いはジカルボン酸エステルを含有していてもよい。

【００２１】このようなジカルボン酸あるいはジカルボ
ン酸エステルとしては、テレフタル酸、イソフタル酸、
テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニルなど
の芳香族ジカルボン酸類、コハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバ
シン酸、デカン二酸、ドデカン二酸、セバシン酸ジフェ
ニル、デカン二酸ジフェニル、ドデカン二酸ジフェニル
などの脂肪族ジカルボン酸類、シクロプロパンジカルボ
ン酸、1,2-シクロブタンジカルボン酸、1,3-シクロブタ
ンジカルボン酸、1,2-シクロペンタンジカルボン酸、1,
3-シクロペンタンジカルボン酸、1,2-シクロヘキサンジ
カルボン酸、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸、1,4-シ
クロヘキサンジカルボン酸、シクロプロパンジカルボン
酸ジフェニル、1,2-シクロブタンジカルボン酸ジフェニ
ル、1,3-シクロブタンジカルボン酸ジフェニル、1,2-シ
クロペンタンジカルボン酸ジフェニル、1,3-シクロペン
タンジカルボン酸ジフェニル、1,2-シクロヘキサンジカ
ルボン酸ジフェニル、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸
ジフェニル、1,4-シクロヘキサンジカルボン酸ジフェニ
ルなどの脂環族ジカルボン酸類が挙げられる。

【００２２】このようなジカルボン酸あるいはジカルボ
ン酸エステルは、単独であるいは組合せて用いられても
よい。

【００２３】上記のような炭酸ジエステルは、芳香族ジ
ヒドロキシ化合物１モルに対して、通常、０．９０〜
１.３０モル、好ましくは０．９５〜１.２０モルの量で
用いられることが望ましい。炭酸ジエステルおよび芳香
族ジヒドロキシ化合物を、上記範囲で調節して用いるこ
とにより、所望する末端水酸基濃度を有するポリカーボ
ネートが容易に製造できる。

【００２４】また本発明ではポリカーボネートを製造す
るに際して、上記のような芳香族ジヒドロキシ化合物と
炭酸ジエステルとともに、１分子中に３個以上の官能基
を有する多官能化合物とを用いることもできる。このよ
うな多官能化合物としては、フェノール性水酸基または
カルボキシル基を有する化合物が好ましく、特にフェノ
ール性水酸基を３個含有する化合物が好ましい。具体的
には、たとえば、1,1,1-トリス（4-ヒドロキシフェニ
ル) エタン、2,2',2"-トリス（4-ヒドロキシフェニル）
ジイソプロピルベンゼン、α-メチル-α,α',α'-トリ
ス(4-ヒドロキシフェニル)-1,4-ジエチルベンゼン、α,
α',α"-トリス（4-ヒドロキシフェニル）-1,3,5-トリ
イソプロピルベンゼン、フロログリシン、4,6-ジメチル
-2,4,6-トリ（4-ヒドロキシフェニル）-ヘプタン-2、1,
3,5-トリ（4-ヒドロキシフェニル) ベンゼン、2,2-ビス
-［4,4-(4,4'-ジヒドロキシフェニル)-シクロヘキシ
ル］-プロパン、トリメリット酸、1,3,5-ベンゼントリ
カルボン酸、ピロメリット酸などが挙げられる。

【００２５】これらのうち、1,1,1-トリス(4-ヒドロキ
シフェニル) エタン、α, α',α"-トリス(4-ヒドロキ
シフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベンゼンなどが好
ましく用いられる。多官能化合物は、芳香族ジヒドロキ
シ化合物１モルに対して、通常は０.０３モル以下好ま
しくは０.００１〜０.０２モルさらに好ましくは０.０
０１〜０.０１モルの量で用いられる。

【００２６】本発明で反応に供される芳香族ジヒドロキ
シ化合物と炭酸ジエステルとは、それぞれ１ｇ中の０．
１μｍ以上の異物が１００個以下であり、２０μｍ以上
の異物が０個であることが好ましい。また芳香族ジヒド
ロキシ化合物と炭酸ジエステルとは、それぞれ金属やイ
オン性不純物が０．１ｐｐｍ以下であることが好まし
い。

【００２７】ポリカーボネートの製造に際して、上記の
ような不純物の少ない芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸
ジエステルとを供給するには、たとえばこれらを洗浄や
蒸留したりモノマーフィルターで濾過するなどにより精
製した後、可能な限り濾過精度の高いモノマーフィルタ
ーを通し、外気にさらすことなく直接パイプラインに
て、重合工程に送ればよい。

【００２８】本発明では、まず上記のような芳香族ジヒ
ドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを、触媒の存在下に
溶融重縮合させてポリカーボネート［Ａ］を製造する。
本発明では、触媒として、(a) アルカリ金属化合物およ
び／またはアルカリ土類金属化合物が用いられることが
好ましい。このような(a) アルカリ金属化合物およびア
ルカリ土類金属化合物としては、具体的には、アルカリ
金属およびアルカリ土類金属の有機酸塩、無機酸塩、酸
化物、水酸化物、水素化物あるいはアルコラートなどが
好ましく挙げられる。

【００２９】より具体的には、アルカリ金属化合物とし
ては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチ
ウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水
素リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチ
ウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、
ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステ
アリン酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホ
ウ素リチウム、フェニル化ホウ素ナトリウム、安息香酸
ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、リ
ン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸
水素二リチウム、ビスフェノールＡの二ナトリウム塩、
二カリウム塩、二リチウム塩、フェノールのナトリウム
塩、カリウム塩、リチウム塩などが挙げられる。

【００３０】またアルカリ土類金属化合物としては、具
体的に、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マ
グネシウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウ
ム、炭酸水素バリウム、炭酸水素マグネシウム、炭酸水
素ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭
酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウ
ム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチ
ウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウ
ム、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸ストロン
チウムなどが挙げられる。

【００３１】これら化合物は単独で、あるいは組み合わ
せて用いられる。このような(a) アルカリ金属化合物お
よび／またはアルカリ土類金属化合物は、上記芳香族ジ
ヒドロキシ化合物１モルに対して好ましくは１×１０^-8
〜１×１０^-3モル、さらに好ましくは１×１０^-7〜２×
１０^-6モルの量で用いられる。 (a) アルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物
の使用量が、芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して
１×１０^-8〜１×１０^-3モルの量であると、重合活性を
高く維持できるとともに、得られるポリカーボネートの
性質に悪影響を及ぼさない量で酸性化合物（後述する）
を添加して、これら化合物が示す塩基性を充分に中和す
るかあるいは弱めることができる。

【００３２】本発明では、触媒として、上記のような
(a) アルカリ金属化合物および／またはアルカリ土類金
属化合物とともに、(b) 塩基性化合物および／または
(c) ホウ酸化合物を用いることもできる。このような
(b) 塩基性化合物としては、たとえば高温で易分解性あ
るいは揮発性の含窒素塩基性化合物が挙げられ、具体的
には、以下のような化合物が挙げられる。

【００３３】テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（Me₄NOH）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
（Et₄NOH）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
（Bu₄NOH）、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキ
シド（φ−CH₂(Me)₃NOH ）などのアルキル、アリール、
アルアリール基などを有するアンモニウムヒドロオキシ
ド類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチル
ベンジルアミン、トリフェニルアミンなどの三級アミン
類、Ｒ₂ＮＨ（式中Ｒはメチル、エチルなどのアルキ
ル、フェニル、トルイルなどのアリール基などである）
で示される二級アミン類、ＲＮＨ₂（式中Ｒは上記と同
じである）で示される一級アミン類、2-メチルイミダゾ
ール、2-フェニルイミダゾールなどのイミダゾール類、
あるいはアンモニア、テトラメチルアンモニウムボロハ
イドライド（Me₄NBH₄）、テトラブチルアンモニウムボ
ロハイドライド（Bu₄NBH₄ ）、テトラブチルアンモニウ
ムテトラフェニルボレート（Bu₄NBPh₄）、テトラメチル
アンモニウムテトラフェニルボレート（Me₄NBPh₄）など
の塩基性塩。

【００３４】これらのうち、テトラアルキルアンモニウ
ムヒドロキシド類、特に金属不純物の少ない電子用テト
ラアルキルアンモニウムヒドロキシド類が好ましく用い
られる。触媒として(b) 塩基性化合物が用いられるとき
は、(b) 塩基性化合物は、芳香族ジヒドロキシ化合物１
モルに対して、通常１×１０^-6〜１×１０^-1モル、好ま
しくは１×１０^-5〜１×１０^-2モルの量で用いられる。

【００３５】また、(c) ホウ酸化合物としては、ホウ酸
および下記一般式で示されるホウ酸エステルなどが挙げ
られる。Ｂ（ＯＲ）_n（ＯＨ）_3-n 式中、Ｒはメチル、エチルなどのアルキル、フェニルな
どのアリールなどであり、ｎは１，２または３である。

【００３６】このようなホウ酸エステルとしては、具体
的には、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸
トリブチル、ホウ酸トリヘキシル、ホウ酸トリヘプチ
ル、ホウ酸トリフェニル、ホウ酸トリトリル、ホウ酸ト
リナフチルなどが挙げられる。触媒として、(c) ホウ酸
またはホウ酸エステルが用いられるときは、芳香族ジヒ
ドロキシ化合物１モルに対して、通常１×１０^-8〜１×
１０^-1モル、好ましくは１×１０^-7〜１×１０^-2モル、
さらに好ましくは１×１０^-6〜１×１０^-4モルの量で用
いられる。

【００３７】これらは、たとえば、(a) アルカリ金属化
合物および／またはアルカリ土類金属化合物および
(b) 含窒素塩基性化合物を組合せて、さらに、(a) アル
カリ金属化合物および／またはアルカリ土類金属化合
物、(b) 含窒素塩基性化合物および(c) ホウ酸または
ホウ酸エステルの三者を組合せて、好ましく用いること
ができる。

【００３８】このように(a) アルカリ金属化合物および
／またはアルカリ土類金属化合物と、(b) 含窒素塩基性
化合物とを上記のような使用量で組合せた触媒は、重縮
合反応を十分な速度で進行させ、高分子量のポリカーボ
ネートを高い重合活性で生成させることができるため好
ましい。さらに上記のような使用量で、三者を組合せた
触媒は、分子量低下などの熱劣化をしにくいポリカーボ
ネートを製造することができるため好ましい。

【００３９】このような触媒の存在下、芳香族ジヒドロ
キシ化合物と炭酸ジエステルとの重縮合反応は、従来知
られている重縮合反応条件と同様な条件下で行なうこと
ができる。具体的には、８０〜２５０℃、好ましくは１
００〜２３０℃、さらに好ましくは１２０〜１９０℃の
温度で、０〜５時間、好ましくは０〜４時間、さらに好
ましくは０〜３時間、常圧下、芳香族ジヒドロキシ化合
物と炭酸ジエステルとを反応させる。次いで反応系を減
圧にしながら反応温度を高めて、芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとの反応を行ない、最終的には５
mmＨｇ以下、好ましくは１mmＨｇ以下の減圧下で、２４
０〜３２０℃で芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
テルとの重縮合反応を行なう。

【００４０】上記のような重縮合反応は、連続式で行な
ってもよく、バッチ式で行なってもよいが、本発明では
連続式で行なうことが、より低コストで安定した品質の
ポリカーボネートを製造できて好ましい。また上記の反
応を行なうに際して用いられる反応装置は、槽型であっ
ても管型であっても塔型であってもよい。上記のように
して得られる反応生成物であるポリカーボネート［Ａ］
は、２０℃塩化メチレン中で測定した極限粘度が、通常
０.１０〜１.０dl／ｇ、好ましくは０.３０〜０.６５dl
／ｇである。

【００４１】上記のように本発明に係る製造方法は、ポ
リカーボネートの溶融重縮合に際して、毒性物質である
ホスゲンや塩化メチレンなどを用いないので、得られる
ポリカーボネート中には、ピットエラーの原因となる塩
素の残留がなく、また環境衛生上からも好ましい。本発
明では、上記のようにして得られる反応生成物であるポ
リカーボネート［Ａ］を冷却することなく重縮合反応後
ただちに、［Ｂ］添加剤を添加して混練する。すなわ
ち、重縮合反応が終了して得られる溶融状態にある反応
器内または押出機内の反応生成物であるポリカーボネー
ト［Ａ］が溶融状態にある間に、直接、［Ｂ］添加剤を
添加して、混練する。

【００４２】この溶融混練は、常圧下でも行うことがで
きるが、減圧下で行うこともできる。溶融混練を減圧下
で行う場合には、通常０．１mmＨｇ〜７３０mmＨｇ、好
ましくは５mmＨｇ〜７００mmＨｇ、さらに好ましくは２
０mmＨｇ〜６００mmＨｇの圧力条件で行われることが望
ましい。

【００４３】本発明で用いられる［Ｂ］添加剤として
は、具体的に、（イ）ｐＫａ値が３以下であるイオウ含
有酸性化合物および／または該酸性化合物から形成され
る誘導体、（ロ）リン化合物、（ハ）エポキシ化合物、
（ニ）フェノ−ル系安定剤などが挙げられる。

【００４４】上記のような（イ）ｐＫａ値が３以下であ
るイオウ含有酸性化合物および該酸性化合物から形成さ
れる誘導体としては、具体的に、亜硫酸、硫酸、スルフ
ィン酸系化合物、スルホン酸系化合物およびこれらの誘
導体が挙げられる。より具体的には、亜硫酸誘導体とし
ては、ジメチル亜硫酸、ジエチル亜硫酸、ジプロピル亜
硫酸、ジブチル亜硫酸、ジフェニル亜硫酸などが挙げら
れる。

【００４５】硫酸誘導体としては、ジメチル硫酸、ジエ
チル硫酸、ジプロピル硫酸、ジブチル硫酸、ジフェニル
硫酸などが挙げられる。スルフィン酸系化合物として
は、ベンゼンスルフィン酸、トルエンスルフィン酸、ナ
フテレンスルフィン酸などが挙げられる。

【００４６】また、スルホン酸系化合物およびこの誘導
体としては、下記一般式［III］で表わされる化合物や
それらのアンモニウム塩が挙げられる。

【００４７】

【化４】

【００４８】式中、Ｒ⁷は炭素数１〜５０の炭化水素基
（炭化水素基はハロゲンで置換されていてもよい）であ
り、Ｒ⁸は水素または炭素数１〜５０の炭化水素基（炭
化水素基はハロゲンで置換されていてもよい）であり、
ｎは０〜３の整数である。

【００４９】このようなスルホン酸系化合物およびこの
誘導体としては、以下のような化合物が挙げられる。ベ
ンゼンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸などのスルホ
ン酸、ベンゼンスルホン酸メチル、ベンゼンスルホン酸
エチル、ベンゼンスルホン酸ブチル、ベンゼンスルホン
酸オクチル、ベンゼンスルホン酸フェニル、p-トルエン
スルホン酸メチル、p-トルエンスルホン酸エチル、p-ト
ルエンスルホン酸ブチル、p-トルエンスルホン酸オクチ
ル、p-トルエンスルホン酸フェニルなどのスルホン酸エ
ステル、p-トルエンスルホン酸アンモニウムなどのスル
ホン酸アンモニウム塩。

【００５０】さらに上記一般式［III］で表されるスル
ホン酸化合物以外にも、トリフルオロメタンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸、スルホン化ポリスチレン、
アクリル酸メチル-スルホン化スチレン共重合体などの
スルホン酸化合物が挙げられる。

【００５１】これらの化合物は、単独であるいは組み合
わせて用いられる。本発明では、（イ）イオウ含有酸性
化合物および該酸性化合物から形成される誘導体とし
て、上記一般式［III］で表されるスルホン酸系化合物
およびこの誘導体が好ましく用いられる。さらに、上記
一般式［III］において、Ｒ⁷、Ｒ⁸が炭素数１〜１０の
置換脂肪族炭化水素基であり、ｎが０〜１の整数である
化合物が好ましく用いられる。具体的には、ベンゼンス
ルホン酸、ベンゼンスルホン酸ブチル、p-トルエンスル
ホン酸、p-トルエンスルホン酸エチル、p-トルエンスル
ホン酸ブチルが好ましく用いられる。本発明では、p-ト
ルエンスルホン酸ブチルが特に好ましく用いられる。

【００５２】本発明では、［Ｂ］添加剤として上記のよ
うな（イ）ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有酸性化合
物および／または該酸性化合物から形成される誘導体を
用いるときは、該（イ）化合物は上記［Ａ］ポリカーボ
ネートに対して、通常０.１〜１０ppm 、好ましくは０.
１〜８ppm 、特に好ましくは０.１〜５ppm の量で用い
られる。

【００５３】また（ロ）リン化合物としては、リン酸、
亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、リン
酸エステルおよび亜リン酸エステルを用いることができ
る。このようなリン酸エステルとしては、具体的に、た
とえば、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェ
ート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェ
ート、トリデシルホスフェート、トリオクタデシルホス
フェート、ジステアリルペンタエリスリチルジホスフェ
ート、トリス（2-クロロエチル）ホスフェート、トリス
（2,3-ジクロロプロピル）ホスフェートなどのトリアル
キルホスフェート、トリシクロヘキシルホスフェートな
どのトリシクロアルキルホスフェート、トリフェニルホ
スフェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノニ
ルフェニル）ホスフェート、2-エチルフェニルジフェニ
ルホスフェートなどのトリアリールホスフェートなどが
挙げられる。

【００５４】また、亜リン酸エステルとしては、下記一
般式で表される化合物が挙げられる。Ｐ（ＯＲ）₃ （式中、Ｒは脂環族炭化水素基、脂肪族炭化水素基また
は芳香族炭化水素基を表す。これらは同一であっても異
なっていてもよい。）このような式で表される化合物と
して、たとえば、トリメチルホスファイト、トリエチル
ホスファイト、トリブチルホスファイト、トリオクチル
ホスファイト、トリス（2-エチルヘキシル）ホスファイ
ト、トリノニルホスファイト、トリデシルホスファイ
ト、トリオクタデシルホスファイト、トリステアリルホ
スファイト、トリス（2-クロロエチル）ホスファイト、
トリス（2,3-ジクロロプロピル）ホスファイトなどのト
リアルキルホスファイト、トリシクロヘキシルホスファ
イトなどのトリシクロアルキルホスファイト、トリフェ
ニルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス
（エチルフェニル）ホスファイト、トリス（2,4-ジ-t-
ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニ
ル）ホスファイト、トリス（ヒドロキシフェニル）ホス
ファイトなどのトリアリールホスファイト、フェニルジ
デシルホスファイト、ジフェニルデシルホスファイト、
ジフェニルイソオクチルホスファイト、フェニルイソオ
クチルホスファイト、2-エチルヘキシルジフェニルホス
ファイトなどのアリールアルキルホスファイトなどが挙
げられる。

【００５５】さらに亜リン酸エステルとして、ジステア
リルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス（2,4-ジ
-t-ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホスファイ
トなどが挙げられる。

【００５６】これらは、単独であるいは組み合わせて用
いられる。これらのうち、（ロ）リン化合物として、上
記一般式で表される亜リン酸エステルが好ましく、さら
に芳香族亜リン酸エステルが好ましく、特にトリス（2,
4-ジ-t-ブチルフェニル）ホスファイトが好ましく用い
られる。

【００５７】本発明では、［Ｂ］添加剤として（ロ）リ
ン化合物が用いられるときは、該（ロ）リン化合物は
［Ａ］ポリカーボネートに対して、通常１０〜１０００
ppm 、好ましくは５０〜５００ppm の量で用いられる。

【００５８】また（ハ）エポキシ化合物としては、１分
子中にエポキシ基を１個以上有する化合物が用いられ
る。具体的には、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ
油、フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエ
ーテル、t-ブチルフェニルグリシジルエーテル、3,4-エ
ポキシシクロヘキシルメチル-3',4'-エポキシシクロヘ
キシルカルボキシレート、3,4-エポキシ-6-メチルシク
ロヘキシルメチル-3',4'-エポキシ-6'-メチルシクロヘ
キシルカルボキシレート、2,3-エポキシシクロヘキシル
メチル-3',4'-エポキシシクロヘキシルカルボキシレー
ト、4-（3,4-エポキシ-5-メチルシクロヘキシル）ブチ
ル-3',4'-エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、
3,4-エポキシシクロヘキシルエチレンオキシド、シクロ
ヘキシルメチル3,4-エポキシシクロヘキシルカルボキシ
レート、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル-
6'- メチルシロヘキシルカルボキシレート、ビスフェノ
ール−Ａジグリシジルエーテル、テトラブロモビスフェ
ノール−Ａグリシジルエーテル、フタル酸のジグリシジ
ルエステル、ヘキサヒドロフタル酸のジグリシジルエス
テル、ビス-エポキシジシクロペンタジエニルエーテ
ル、ビス-エポキシエチレングリコール、ビス-エポキシ
シクロヘキシルアジペート、ブタジエンジエポキシド、
テトラフェニルエチレンエポキシド、オクチルエポキシ
タレート、エポキシ化ポリブタジエン、3,4-ジメチル-
1,2-エポキシシクロヘキサン、3,5-ジメチル-1,2-エポ
キシシクロヘキサン、3-メチル-5-t-ブチル-1,2-エポキ
シシクロヘキサン、オクタデシル-2,2-ジメチル-3,4-エ
ポキシシクロヘキシルカルボキシレート、N-ブチル-2,2
-ジメチル-3,4-エポキシシクロヘキシルカルボキシレー
ト、シクロヘキシル-2-メチル-3,4-エポキシシクロヘキ
シルカルボキシレート、N-ブチル-2-イソプロピル-3,4-
エポキシ-5-メチルシクロヘキシルカルボキシレート、
オクタデシル-3,4-エポキシシクロヘキシルカルボキシ
レート、2-エチルヘキシル-3',4'-エポキシシクロヘキ
シルカルボキシレート、4,6-ジメチル-2,3-エポキシシ
クロヘキシル-3',4'-エポキシシクロヘキシルカルボキ
シレート、4,5-エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、3-
t-ブチル-4,5-エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、ジ
エチル4,5-エポキシ-シス-1,2-シクロヘキシルジカルボ
キシレート、ジ-n-ブチル-3-t-ブチル-4,5-エポキシ-シ
ス-1,2-シクロヘキシルジカルボキシレートなどが挙げ
られる。

【００５９】これらのうち、脂環族エポキシ化合物が好
ましく用いられ、特に3,4-エポキシシクロヘキシルメチ
ル-3',4'-エポキシシクロヘキシルカルボキシレートが
好ましく用いられる。

【００６０】これらは単独であるいは２種以上組み合わ
せて用いられる。本発明では、［Ｂ］添加剤としてこの
ような（ハ）エポキシ化合物が用いられるときは、該
（ハ）エポキシ化合物は上記［Ａ］ポリカーボネートに
対して、通常１〜２０００ppm の量で、好ましくは１０
〜１０００ppm の量で用いられる。

【００６１】また（ニ）フェノール系安定剤としては、
具体的に、n-オクタデシル-3-(4-ヒドロキシ-3',5'-ジ-
t-ブチルフェニル）プロピオネート、テトラキス［メチ
レン-3-(3',5'-ジ-t- ブチル-4-ヒドロキシフェニル）
プロピオネート］メタン、1,1,3-トリス（2-メチル-4-
ヒドロキシ-5-t- ブチルフェニル）ブタン、ジステアリ
ル（4-ヒドロキシ-3-メチル-5-t-ブチル）ベンジルマロ
ネート、4-ヒドロキシメチル-2,6-ジーt-ブチルフェノ
ール等が挙げられる。これらは単独であるいは２種以上
組み合わせて用いられる。

【００６２】本発明では、［Ｂ］添加剤として（ニ）フ
ェノール系安定剤が用いられるときには、（ニ）フェノ
ール系安定剤は［Ａ］ポリカーボネートに対して、通常
１０〜１０００ｐｐｍ、好ましくは５０〜５００ｐｐｍ
の量で用いられる。上記のような（イ）、（ロ）、
（ハ）および（ニ）からなる群から選ばれる添加剤は、
単独で用いられても、複数で用いられてもよい。添加剤
が複数で用いられるときは、これらは別々に添加されて
もあるいは同時に添加されてもよく、また添加する順序
は限定されない。これらの［Ｂ］添加剤は、異物含有量
の少ないことが好ましい。

【００６３】上記のような［Ｂ］添加剤のうち、（イ）
ｐＫａ値が３以下であるイオウ含有酸性化合物および／
または該酸性化合物から形成される誘導体、（ロ）リン
化合物または（ニ）フェノール系安定剤を用いると、光
学用ポリカーボネート組成物中に残存するアルカリ性触
媒が中性化あるいは弱められてゲルの発生が少なく好ま
しい。また、上記（イ）または（ロ）化合物とともに
（ハ）エポキシ化合物を添加すると、（イ）または
（ロ）化合物が過剰に残存しても、これらが（ハ）エポ
キシ化合物と反応して中性化され、溶融時の滞留安定性
が向上され、より品質の向上された光学用ポリカーボネ
ート組成物が得られる。

【００６４】本発明では、上記のように［Ａ］ポリカー
ボネートに［Ｂ］添加剤を添加して混練した後、ポリマ
ーフィルターで濾過することが好ましい。本発明で用い
られるポリマーフィルターは、絶対濾過精度が好ましく
は０．５μｍ〜５０μｍであり、さらに好ましくは、絶
対濾過精度が０．５μｍ〜２０μｍである。このような
絶対濾過精度のポリマーフィルターを用いると、濾過滞
留時間が長くなって光学用ポリカーボネート組成物が熱
劣化してしまうようなことがなく、またフィルターも長
い寿命で使用できるため好ましい。上記のように濾過す
ることにより、ピットエラーの原因となる大きさの異物
が除去された光学用ポリカーボネート組成物を得ること
ができる。

【００６５】本発明では、このようにして得られる光学
用ポリカーボネート組成物が溶融状態または軟化状態に
ある間に造粒することが好ましい。造粒は大気中、水中
どちらで行ってもよいが、異物の混入しない条件下で行
うことが好ましい。異物の除去された循環水中で造粒す
ると、大規模なクリーンルームなどの高価な設備を必要
とせずに実施できる。

【００６６】また、ポリカーボネート系樹脂組成物が溶
融状態または軟化状態にある間に造粒すると、造粒時に
カッターの刃こぼれによる金属の混入を防ぐことができ
る。

【００６７】本発明では、上記のように反応生成物であ
る［Ａ］ポリカーボネートが溶融状態にある間に、上記
［Ｂ］添加剤を添加して、混練することにより光学用ポ
リカーボネート組成物を製造しているため、製造時に受
ける熱履歴回数を少なく、またシェア熱の発生による熱
分解を抑制することができ、ゲルの発生や分子量低下な
どの製造時に熱劣化したりすることなく、着色の少ない
光学用ポリカーボネート組成物を生産効率よく、かつ安
定して製造することができる。またチップや粉末などを
再溶融して安定剤などの添加剤を添加する方法に比べ
て、異物の混入が少ない光学用ポリカーボネート組成物
を製造することができる。

【００６８】さらに本発明で得られる光学用ポリカーボ
ネート組成物は、上記のようにポリカーボネートが溶融
状態にある間に添加剤が添加されているため、溶融時の
熱安定性などの滞留安定性が向上しており、上記以外の
各種添加剤を配合したり、成形するに際して、該光学用
ポリカーボネート組成物からなるペレットを再溶融して
も、特にポリカーボネートの熱分解が抑制され、分子量
が低下しにくい。また、該光学用ポリカーボネート組成
物は、溶融しても着色しにくい。

【００６９】本発明では、光学用ポリカーボネート組成
物を製造するに際して、本発明の目的を損なわない範囲
で、以下に示すような通常の耐熱安定剤、紫外線吸収
剤、離型剤、着色剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチ
ブロッキング剤、滑剤、防曇剤、天然油、合成油、ワッ
クス、有機系充填剤、無機系充填剤などの他の添加剤
［Ｃ］を添加してもよい。このような他の添加剤［Ｃ］
は、上記のような［Ｂ］添加剤とともに溶融状態にある
［Ａ］ポリカーボネートに添加することが好ましい。

【００７０】このような耐熱安定剤としては、具体的に
は、たとえば、有機チオエーテル系安定剤、ヒンダード
アミン系安定剤などが挙げられる。チオエーテル系安定
剤としては、たとえば、ジラウリル・チオジプロピオネ
ート、ジステアリル・チオジプロピオネート、ジミリス
チル-3,3'-チオジプロピオネート、ジトリデシル-3,3'-
チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール-テトラ
キス-(β-ラウリル-チオプロピオネート）などが挙げら
れる。

【００７１】これらは単独で用いても２種以上混合して
用いてもよい。またヒンダードアミン系安定剤として
は、たとえば、ビス（2,2,6,6-テトラメチル-4-ピペリ
ジル）セバケート、ビス（1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-
ピペリジル）セバケート、1-［2-｛3-（3,5-ジ-t-ブチ
ル-4-ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ｝エチ
ル］-4-｛3-（3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシフェニ
ル）プロピオニルオキシ｝-2,2,6,6-テトラメチルピペ
リジン、8-ベンジル-7,7,9,9-テトラメチル-3-オクチル
-1,2,3-トリアザスピロ［4,5］ウンデカン-2,4-ジオ
ン、4-ベンゾイルオキシ-2,2,6,6-テトラメチルピペリ
ジン、2-（3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシベンジル）-2
-n-ブチルマロン酸ビス（1,2,2,6,6-ペンタメチル-4-ピ
ペリジル）、テトラキス（2,2,6,6-テトラメチル-4-ピ
ペリジル）1,2,3,4-ブタンテトラカルボキシレートなど
が挙げられる。

【００７２】これらは単独で用いても２種以上混合して
用いてもよい。これらの耐熱安定剤は、ポリカーボネー
ト１００重量部に対して、０.００１〜５重量部、好ま
しくは０.００５〜０.５重量部、さらに好ましくは０.
０１〜０.３重量部の量で用いられることが望ましい。
このような耐熱安定剤は、固体状で添加してもよく、液
体状で添加してもよい。

【００７３】このような耐熱安定剤は、［Ａ］ポリカー
ボネートが最終重合器から冷却されてペレタイズされる
間の溶融状態にある間に添加することが好ましく、この
ようにすると光学用ポリカーボネート組成物が受ける熱
履歴回数が少なくなる。また、押出成形やペレタイズな
ど再び加熱処理をする際には、光学用ポリカーボネート
組成物は耐熱安定剤を含有しているので、熱分解を抑制
することができる。

【００７４】また紫外線吸収剤としては、一般的な紫外
線吸収剤でよく、特に限定されないが、たとえば、サリ
チル酸系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収
剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、シアノアクリ
レート系紫外線吸収剤などが挙げられる。サリチル酸系
紫外線吸収剤としては、具体的には、フェニルサリシレ
ート、p-t-ブチルフェニルサリシレートが挙げられる。

【００７５】ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、
2,4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メ
トキシベンゾフェノン、2,2'-ジヒドロキシ-4- メトキ
シベンゾフェノン、2,2'-ジヒドロキシ-4,4'-ジメトキ
シベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メトキシ-2'-カル
ボキシベンゾフェノン、2-ヒドロキシ-4-メトキシ-5-ス
ルホベンゾフェノントリヒドレート、2-ヒドロキシ-4-n
-オクトキシベンゾフェノン、2,2',4,4'-テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、4-ドデシロキシ-2-ヒドロキシベ
ンゾフェノン、ビス（5-ベンゾイル-4-ヒドロキシ-2-メ
トキシフェニル）メタン、2-ヒドロキシ-4-メトキシベ
ンゾフェノン-5-スルホン酸などが挙げられる。

【００７６】ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として
は、2-（2'-ヒドロキシ-5'-メチル-フェニル）ベンゾト
リアゾール、2-（2'-ヒドロキシ-3',5'-ジ-t-ブチル-フ
ェニル）ベンゾトリアゾール、2-（2'-ヒドロキシ-3'-t
-ブチル-5'-メチル-フェニル）-5-クロロベンゾトリア
ゾール、2-（2'-ヒドロキシ-3',5'-ジ-t-ブチル-フェニ
ル）-5-クロロベンゾトリアゾール、2-（2'-ヒドロキシ
-5'-t-オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、2-（2'
-ヒドロキシ-3',5'-ジ-t-アミルフェニル）ベンゾトリ
アゾール、2-［2'-ヒドロキシ-3'-(3",4",5",6"-テトラ
ヒドロフタルイミドメチル）-5'-メチルフェニル］ベン
ゾトリアゾール、2,2'-メチレンビス［4-（1,1,3,3-テ
トラメチルブチル）-6-（2H-ベンゾトリアゾール-2-イ
ル）フェノール］などが挙げられる。

【００７７】シアノアクリレート系紫外線吸収剤として
は、2-エチルヘキシル-2-シアノ-3,3-ジフェニルアクリ
レート、エチル-2-シアノ-3,3-ジフェニルアクリレート
などが挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上
混合して用いてもよい。これらの紫外線吸収剤は、
［Ａ］ポリカーボネート１００重量部に対して、通常
０.００１〜５重量部、好ましくは０.００５〜１.０重
量部、さらに好ましくは０.０１〜０.５重量部の量で用
いることができる。

【００７８】さらに、離型剤としては、一般的な離型剤
でよく、特に限定されない。たとえば、炭化水素系離型
剤としては、天然、合成パラフィン類、ポリエチレンワ
ックス類、フルオロカーボン類などが挙げられる。脂肪
酸系離型剤としては、ステアリン酸、ヒドロキシステア
リン酸などの高級脂肪酸、オキシ脂肪酸類などが挙げら
れる。

【００７９】脂肪酸アミド系離型剤としては、ステアリ
ン酸アミド、エチレンビスステアロアミドなどの脂肪酸
アミド、アルキレンビス脂肪酸アミド類などが挙げられ
る。アルコール系離型剤としては、ステアリルアルコー
ル、セチルアルコールなどの脂肪族アルコール、多価ア
ルコール、ポリグリコール、ポリグリセロール類などが
挙げられる。

【００８０】脂肪酸エステル系離型剤としては、ブチル
ステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレー
トなどの脂肪族酸低級アルコールエステル、脂肪酸多価
アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステル類
などが挙げられる。シリコーン系離型剤としては、シリ
コーンオイル類などが挙げられる。これらは単独で用い
ても、２種以上混合して用いてもよい。

【００８１】これらの離型剤は、［Ａ］ポリカーボネー
ト１００重量部に対して、通常、０.００１〜５重量
部、好ましくは０.００５〜１重量部、さらに好ましく
は０.０１〜０.５重量部の量で用いることができる。さ
らに、着色剤としては、顔料であってもよく、染料であ
ってもよい。着色剤には、無機系と有機系の着色剤があ
るが、どちらを使用してもよく、また、組み合わせて用
いてもよい。

【００８２】無機系着色剤として、具体的には、二酸化
チタン、ベンガラなどの酸化物、アルミナホワイトなど
の水酸化物、硫化亜鉛などの硫化物、セレン化物、紺青
などのフェロシアン化物、ジンククロメート、モリブ
デンレッドなどのクロム酸塩、硫酸バリウムなどの硫酸
塩、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、群青などの硅酸塩、
マンガンバイオレットなどのリン酸塩、カーボンブラッ
クなどの炭素、ブロンズ粉やアルミニウム粉などの金属
粉着色剤などが挙げられる。

【００８３】有機系着色剤としては、具体的には、ナフ
トールグリーンＢなどのニトロソ系、ナフトールイエロ
−Ｓなどのニトロ系、リソールレッドやボルドー１０
Ｂ、ナフトールレッド、クロモフタールイエローなどの
アゾ系、フタロシアニンブルーやファストスカイブルー
などのフタロシアニン系、インダントロンブルーやキナ
クソドンバイオレット、ジオクサジンバイオレットなど
の縮合多環系着色剤などが挙げられる。

【００８４】これらの着色剤は、単独で用いても組み合
わせて用いてもよい。これらの着色剤は、［Ａ］ポリカ
ーボネート１００重量部に対して、通常１×１０^-6〜５
重量部、好ましくは１×１０^-5〜３重量部、さらに好ま
しくは１×１０^-5〜１重量部の量で用いることができ
る。上記のような［Ｃ］他の添加剤としても、できるだ
け異物の少ないものを用いることが好ましい。

【００８５】上記のような本発明に係る光学用ポリカー
ボネート組成物の製造方法は、原料の仕込みから重縮合
反応まで一貫して閉鎖連続反応系で行われることが好ま
しい。本発明では、重縮合後得られる［Ａ］ポリカーボ
ネートが溶融状態にあるうちに、添加剤や安定剤が配合
され、外部からの異物や不純物混入が極力抑制された光
学用ポリカーボネート系樹脂組成物を低コストで安定し
て製造することができる。

【００８６】

【発明の効果】本発明に係る光学用ポリカーボネート組
成物の製造方法によれば、異物や不純物の混入が少な
く、しかも製造時に受ける熱履歴回数が少なく、熱劣化
の少ない光学用ポリカーボネート組成物を生産効率よく
製造することができる。

【００８７】本発明で得られる光学用ポリカーボネート
組成物は、成形時の熱安定性、色相安定性などの滞留安
定性に優れるとともに、耐水性および透明性に優れてい
る。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。

【００８８】

【実施例】本明細書において、ポリカーボネート組成物
の極限粘度〔ＩＶ〕、ＭＦＲ、色相〔ＹＩ〕、光線透過
率、ヘイズ、異物測定、不純物測定、耐湿性は、以下の
ようにして測定される。

【００８９】［極限粘度〔ＩＶ〕］塩化メチレン中、２
０℃でウベローデ粘度計を用いて測定した。

【００９０】［色相］３ｍｍ厚の射出成形板をシリンダ
ー温度２９０℃、射出圧力１０００Kg／cm、１サイクル
４５秒、金型温度１００℃で成形し、Ｘ、Ｙ、Ｚ値を日
本電色工業（株) 製の Colorand Color Defference Met
er ND-1001 DP を用いて透過法で測定し、黄色度〔Ｙ
Ｉ〕を測定した。

【００９１】ＹＩ＝１００（１.２７７Ｘ−１.０６０Ｚ）／Ｙ［光線透過率］ＡＳＴＭＤ１００３の方法に従い、
色相測定用の射出成形板を用いて測定した。［ヘイズ］日本電色工業（株) 製のＮＤＨ−２００を用
い、色相測定用の射出成形板のヘイズを測定した。

【００９２】［異物測定］樹脂を０．１μｍフィルター
を通した空気が圧送されているクリーンブース中で捕集
し、ＲＩＯＮ社製液中微粒子計数器ＫＬ−０１を用い、
ＫＳ−６０とＫＳ−６２型センサーで樹脂２％濃度の塩
化メチレン溶液１０ｃｃを測定した。

【００９３】［不純物測定］塩素はクーロメトリー法
で、鉄は誘導結合プラズマ発光法で、ナトリウムとイオ
ウは原子吸光法で定量した。

【００９４】［耐湿性］アルミ蒸着（スパッタリング）
した厚さ１．２ｍｍのディスクを８０℃、８５％湿度の
オーブンにいれ、粘着テープによる剥離テストを行なっ
た。評価は、テスト後の剥離しなかったアルミ層の面積
の割合を計算して行なった。

【００９５】

【実施例１】それぞれ、０．２μｍフィルターで濾過さ
れたビスフェノールＡ（日本ジーイープラスチックス
（株）製：塩素０．１ｐｐｍ以下、鉄０．１ｐｐｍ以
下、ナトリウム０．１ｐｐｍ以下、イオウ０．１ｐｐｍ
以下）０．４４キロモルと、ジフェニルカーボネート
（エニィ社製：塩素０．１ｐｐｍ以下、鉄０．１ｐｐｍ
以下、ナトリウム０．１ｐｐｍ以下、イオウ０．１ｐｐ
ｍ以下）０．４４９キロモルとを第１の２５０リットル
槽型攪拌槽に仕込み、１４０℃で溶解し、このレベルを
保つようにビスフェノールＡ、ジフェニルカーボネート
をそれぞれ毎時０．１６キロモル、０．１６３キロモル
ずつフィードしながら、この混合溶液を毎時ビスフェノ
ールＡ換算で０．１６キロモルずつ第２の５０リットル
槽型攪拌槽に送液する。この槽型攪拌槽の温度は１８０
℃に保った。

【００９６】触媒としてテトラメチルアンモニウムヒド
ロキシドを毎時０．０４モルおよび水酸化ナトリウムを
毎時０．０００１６モル（１×１０^-6モル／モル−ビス
フェノールＡ）添加し、滞留時間が３０分となるようレ
ベルを調整し攪拌した。

【００９７】次に、この反応溶液を毎時ビスフェノール
Ａ換算で０．１６キロモルずつ次の第３の温度２１０
℃、圧力２００mmＨｇの５０リットル槽型攪拌槽に送液
した。滞留時間が３０分となるようレベルを調整しフェ
ノールを留出除去させながら攪拌した。

【００９８】次に、この反応溶液を毎時ビスフェノール
Ａ換算で０．１６キロモルずつ次の第４の温度２４０
℃、圧力１５mmＨｇの５０リットル槽型攪拌槽に送液し
た。滞留時間が３０分となるようレベルを調整しフェノ
ールを留出除去させながら攪拌した。反応が定常になっ
て得られた反応物の極限粘度［η］は０．１５ｄｌ／ｇ
であった。

【００９９】次にこの反応物をギヤポンプで昇圧し、毎
時ビスフェノールＡ換算で０．１６キロモルずつ遠心式
薄膜蒸発機に送入し、反応を進めた。薄膜蒸発機の温
度、圧力はそれぞれ２７０℃、２mmＨｇにコントロール
した。蒸発機下部よりギヤポンプにて２７０℃、０．２
mmＨｇにコントロールされた二軸横型攪拌重合槽（Ｌ／
Ｄ＝３、攪拌翼回転直径２２０mm、内容積８０リット
ル）に毎時ビスフェノールＡ換算で０．１６キロモル
（約４０kg／時間）ずつ送り込み滞留時間３０分にて重
合させた。このときの、ポリマーの極限粘度〔ＩＶ〕は
０．３５ｄｌ／ｇであり、フェノール末端基と水酸基末
端基の割合は９１／９であった。

【０１００】次に、溶融状態のままで、このポリマーを
ギヤポンプにて２軸押出機（Ｌ／Ｄ＝１７．５、バレル
温度２６５℃）に毎時ビスフェノールＡ換算で０．１６
キロモル（約４０kg／時間）ずつ送入し、ポリカーボネ
ートに対して、p-トルエンスルホン酸ブチル１．８ppm
、トリス（2,4-ジ-t- ブチルフェニル）ホスファイト
（マーク 2112 ：アデカアーガス社製）１００ppm 、3,
4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,'4'-エポキシシク
ロヘキシルカルボキシレート（セロキサイド 2021P：ダ
イセル化学社製）１００ppm を連続して混練し、０．２
μｍフィルターで濾過された水が循環している水槽中に
あるダイを通して、溶融状態のままカッターで切断して
ペレットとした。

【０１０１】結果を表１に示す。

【０１０２】

【実施例２】実施例１において、添加剤を混練した後、
５μｍのポリマーフィルターを通した以外は、実施例１
と同様にペレットを得た。

【０１０３】結果を表１に示す。

【０１０４】

【比較例１】界面法で製造されているレキサンパウダー
（ＧＥ社製；ＩＶ＝０．３５ｄｌ／ｇ）を、クリーン度
１００（１立方フィート中の０．５μｍ以上の塵が１０
０個以下）以下の環境で、トリス（2,4-ジ-t- ブチルフ
ェニル）ホスファイト（マーク 2112 ：アデカアーガス
社製）１００ppm 、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル
-3,'4'-エポキシシクロヘキシルカルボキシレート（セ
ロキサイド 2021P：ダイセル化学社製）１００ppm添加
し、２７０℃で押し出し、５μｍのポリマーフィルター
を通してペレタイズし、評価した。

【０１０５】結果を表１に示す。

【０１０６】

【表１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０８Ｋ 5/13 ＫＫＪ 7167−4Ｊ 5/15 ＫＫＪ 7167−4Ｊ 5/41 ＫＫＬ 7167−4Ｊ 5/521 ＫＫＭ 7167−4Ｊ 5/524 ＫＫＭ 7167−4Ｊ (72)発明者富成研一千葉県千葉市千種海岸３番地日本ジーイープラスチックス株式会社内 (72)発明者金澤明郎千葉県千葉市千種海岸３番地日本ジーイープラスチックス株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとを触媒の存在下に溶融重縮合させた後、反応生成物
である［Ａ］ポリカーボネートが溶融状態にある間に、
［Ｂ］添加剤を添加し混練することを特徴とする光学用
ポリカーボネート組成物の製造方法。
【請求項２】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとを触媒の存在下に溶融重縮合させた後、反応生成物
である［Ａ］ポリカーボネートが溶融状態にある間に、
［Ｂ］添加剤を添加し混練した後、ポリマーフィルター
で濾過することを特徴とする光学用ポリカーボネート組
成物の製造方法。
【請求項３】ポリマーフィルターは、絶対濾過精度が
０．５μｍ〜５０μｍであることを特徴とする請求項２
の光学用ポリカーボネート組成物の製造方法。
【請求項４】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとは、それぞれ１ｇ中の０．１μｍ以上の異物数が１
００個以下であり、かつ２０μｍ以上の異物数が０個で
あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
光学用ポリカーボネート組成物の製造方法。
【請求項５】芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステ
ルとは、それぞれ金属やイオン性不純物が０．１ｐｐｍ
以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに
記載の光学用ポリカーボネート組成物の製造方法。
【請求項６】［Ｂ］添加剤が、（イ）ｐＫａ値が３以下
であるイオウ含有酸性化合物および／または該酸性化合
物から形成される誘導体、（ロ）リン化合物、（ハ）エ
ポキシ化合物および（ニ）フェノール系安定剤からなる
群から選ばれることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
かに記載の光学用ポリカーボネート組成物の製造方法。
【請求項７】触媒として、(a) アルカリ金属化合物およ
び／またはアルカリ土類金属化合物を芳香族ジヒドロキ
シ化合物１モルに対して、１×１０^-8〜１×１０^-3モル
の量で用いること特徴とする請求項１〜６のいずれかに
記載の光学用ポリカーボネート組成物の製造方法。
【請求項８】溶融重縮合を連続的に行なうことを特徴と
する請求項１〜７のいずれかに記載の光学用ポリカーボ
ネート組成物の製造方法。
【請求項９】得られる光学用ポリカーボネート組成物が
溶融状態または軟化状態にある間に造粒することを特徴
とする請求項１〜８のいずれかに記載の光学用ポリカー
ボネート組成物の製造方法。