JP2000129113A - 光学用ポリカーボネート樹脂成形材料および光ディスク基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 付着物を低減し連続生産性を向上させ、また
信頼性の高い高密度光ディスクが得られる光学用ポリカ
ーボネート樹脂成形材料、及び高密度光ディスク基板を
提供する。 【解決手段】 熱重量分析で５％減量開始温度が４００
℃以下の物質の総量が１重量％以下のことを特徴とする
光学用ポリカーボネート樹脂成形材料、特定製造条件で
ＣＤ基板またはＤＶＤ基板を１万枚成型した時、スタン
パー上の付着物量が１５ｍｇ以下である光学用ポリカー
ボネート樹脂成形材料及び光ディスク基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成形時に揮発し、
金型・スタンパー上に堆積する物質（付着物）を低減さ
せ連続生産性を向上した光学用ポリカーボネート樹脂成
形材料および光ディスク基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポリカーボネート樹脂は耐熱性や低吸水
性に優れ、特に透明性に優れているがゆえに光学用途、
特にコンパクトディスク、光磁気ディスク等の光ディス
クの基板材料として使用されている。光ディスクは基板
上に形成されたミクロンサイズの凹凸を利用してレーザ
ー光による情報の記録や再生を行う為に、この凸凹形状
やレーザー光の透過、反射が情報の記録再生の信頼性に
きわめて大きな影響を与える。従って、基板を構成する
ポリカーボネート樹脂に対しては転写性、光学特性など
に優れていることが要求されている。しかし、基板の連
続成形を続けていると、転写性、光学および機械特性な
ど基板の特性が悪化するだけでなくゴミが基板に付着す
ると言う問題が発生する。

【０００３】この原因として、ポリカーボネート樹脂よ
り発生した揮発分が金型やスタンパー上に付着し、ガス
抜けの阻害などを引き起こし、前記した特性の悪化を招
いたり、付着物が剥離しスタンパー上に落下、基板に転
写されていることが判明している。

【０００４】このため、原料中の低分子量ポリカーボネ
ート化合物が原因物質として、該物質の低減を図る手法
が取られている。例えば特開平９−２０８６８４号公報
に記載されているようにポリカーボネート中に含まれる
分子量１,０００以下の低分子量ポリカーボネート化合
物量を低減することで付着物を防止することが記載され
ている。しかしながら付着物の原因物質は低分子量ポリ
カーボネート化合物のみではないことが判明し、この効
果は十分でないことが判った。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】現在、一般的に普及し
ているコンパクトディスク（ＣＤ）用の基板の成形にお
いては付着物の問題の為、金型・スタンパー洗浄をする
為に、成形機を一旦休止せねばならず、それ故連続生産
枚数に限界があり、特にＣＤ−Ｒ、ＭＯ、ＭＤ−ＭＯ等
や、更にはＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ｖｉｄｅｏ、ＤＶ
Ｄ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等で代表される高密度光ディス
ク用の基板材料の成形においてはその生産性が向上しな
いことがわかった。

【０００６】また、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭな
どの高密度光ディスク基板の成形では流動性、転写性を
向上させる為に成型温度を３８０℃程度にまで上げる必
要があるが、これはポリカーボネートからの揮発成分を
より増やす方向であり、一方金型のガス抜きクリアラン
スも狭くなる傾向にあるため、揮発成分が一段と堆積し
やすい傾向になっている。本発明は上記問題点に鑑みて
なされたものであり、該問題点について鋭意検討を重ね
た結果、ポリカーボネートからの揮発成分を低減する方
法として熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃以下
の物質の総量が１重量％以下とすることにより極めて成
形中の付着物が少なく、基板特性を十分維持したまま、
驚くほど生産性が向上することを見出した。

【０００７】

【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、（１）熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃以
下の物質の総量が１重量％以下のことを特徴とする光学
用ポリカーボネート樹脂成形材料、（２）シリンダー温
度３４０℃、金型温度７５℃でＣＤ基板を１万枚成型し
た時、スタンパー上の付着物量が１５ｍｇ以下である光
学用ポリカーボネート樹脂成形材料、（３）シリンダー
温度３８０℃、金型温度１１５℃でＤＶＤ基板を１万枚
成型した時、スタンパー上の付着物量が１５ｍｇ以下で
ある光学用ポリカーボネート樹脂成形材料および（４）
これら成形材料よりなる光ディスク基板が提供される。

【０００８】本明細書において「付着物」とは光ディス
ク基板の成形を続けることによって、スタンパー外周上
や金型のガス抜き部や隙間に堆積する液状または固形の
物質を示す。

【０００９】本発明によればデジタルビデオディスク等
の高密度光ディスクに用いるディスク基板として十分な
信頼性を得るためには、該基板を成形するために供する
成形材料（芳香族ポリカーボネート樹脂）の中に含まれ
る物質に関して熱重量分析で５％減量開始温度が４００
℃以下であり、該物質の含有量の総量が１重量％以下で
あることが必要である。

【００１０】５％減量開始温度が４００℃以上の物質は
ポリカーボネートから揮発することはほとんどなく、一
方、５％減量開始温度が１００℃以下である物質は揮発
するが堆積する事なく金型系外へ排気されてしまい、ス
タンパーまたは／および金型内に付着することはない。
また５％減量開始温度が４００℃以下の物質の総量が１
重量％を超える材料で連続成形した場合、付着物が比較
的早い段階で堆積し十分な生産性が得られない。

【００１１】なお、５％減量開始温度が４００℃以下の
好ましくは１００〜４００℃の物質の総量が１.０重量
％以下であり、好ましくは該物質の総量が０.５重量％
以下、より好ましくは０.３重量％以下であることが一
層確実な効果を得ることが出来る。これらの物質は可能
な限り低減することが好ましいが、完全に零にすること
は実質的に不可能である。最も少ないもので０.０００
１重量％であり、０.００１重量％以上が経済的に効率
がよい。また、ここで示している５％減量開始温度が４
００℃以下のポリカーボネート中に含まれる物質は、た
とえばポリカーボネートの製造に使用する原料、末端停
止剤の未反応物やその変性物、触媒、失活剤、更にはポ
リカーボネートオリゴマー等の低分子量体等のポリカー
ボネートの製造に関連した物質（以下、ＰＣ製造由来物
質と称することがある）、熱安定剤、酸化防止剤、紫外
線吸収剤などの安定剤、離型剤およびこれらの変性物な
どのポリカーボネートの樹脂特性を向上させるために添
加したもの（以下、添加剤由来物質と称することがあ
る）がこれに含まれる。

【００１２】ここで、ＰＣ製造由来物質の例を詳細に述
べる。ポリカーボネートオリゴマー等の低分子量体とし
ては原料として使用した二価フェノール骨格（または、
原料モノマー骨格）を１〜２個含む低分子量ポリカーボ
ネートである。

【００１３】原料の例としてはビスフェノールＡなどに
代表される二価フェノール、ジフェニルカーボネートに
代表されるカーボネートエステル、末端停止剤の例とし
てはｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールおよびｐ−クミル
フェノールに代表される単官能フェノール類などがあ
る。原料、末端停止剤の未反応物の変性物としては、例
えば原料モノマーと末端停止剤のモノカーボネート化合
物、末端停止剤同士のカーボネート化合物などがある。

【００１４】これらの物質を低減する方法は特に限定さ
れないが、特にポリカーボネートの低分子量体低減に関
してはこれまで様々な手法の提案がされている。例えば
特開昭６３−２７８９２９号公報、特開昭６３−３１６
３１３号公報、特開平１−１４６９２６号公報に記載さ
れている。

【００１５】また、添加剤由来物質の具体例として、リ
ン酸エステル、亜リン酸、亜リン酸エステルに代表され
る酸化防止剤、例えばトリス（２,４−ジーｔ−ブチル
フェニル）フォスファイト、トリス（モノおよびジ−ノ
ニルフェニル）フォスファイトなどがあり、高級脂肪酸
エステル、多価アルコール脂肪酸エステルなどに代表さ
れる離型剤、例えばステアリルステアレート、ベヘニル
ベヘネート、ペンタエリスリトールテトラステアレー
ト、グリセリントリステアレート、グリセリンモノステ
アレートなどがある。これらの添加剤は可能な限り少量
で添加することが好ましい。

【００１６】これらをＤｕＰｏｎｔ社製９５１ＴＧＡ装
置を用いて、窒素雰囲気中昇温速度毎分１０℃の条件下
で５％減量開始温度を測定した。５％減量開始温度はビ
スフェノールＡ骨格を１〜２個含む低分子量ポリカーボ
ネートオリゴマーでは３７０±１０℃であった。この他
原料関係ではビスフェノールＡは２５７±５℃、ジフェ
ニルカーボネートは１３９±５℃、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノールは１４５±５℃、ｐ−クミルフェノールは
１７０±５℃、末端停止剤のカーボネート結合物である
ジーｔ−ブチルフェニルカーボネートは２４０℃±５℃
であった。 また、添加剤由来物質では酸化防止剤のト
リス（２,４−ジーｔ−ブチルフェニル）フォスファイ
トは２５４±５℃、トリス（モノ−ノニルフェニル）フ
ォスファイトは２１８±５℃、４,４’−ビフェニレン
ジフォスフィン酸（２,４ジ−ｔ−ブチルフェニル）は
２４９±５℃、亜リン酸は２１４±５℃、離型剤のステ
アリルステアレート２７６±５℃、ベヘニルベヘネート
３０２±５℃、ペンタエリスリトールテトラステアレー
ト３５６±５℃、グリセリントリステアレート３５５±
５℃、グリセリンモノステアレート２４５±５℃であっ
た。

【００１７】なお、これらの測定値は製品純度、結晶化
度により１０℃前後変化するので何ら限定するのもでは
なく、５％減量開始温度が４００℃以下であることを示
したに過ぎない。一方、トリメチルフォスフェートは５
％減量開始温度が６８℃と低く、スタンパー汚れの原因
になりにくいので、実用的には１００℃以上のものが対
象物質となる。

【００１８】 本発明で使用されるポリカーボネート樹
脂は、通常二価フェノールとカーボネート前駆体とを溶
液法または溶融法で反応させて得られるものである。こ
こで使用される二価フェノールの代表的な例としては、
ハイドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ジヒドロ
キシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチル）フェ
ニル｝メタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−１−フェニルエタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、２,２
−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プ
ロパン、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３,５−ジメ
チル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（３,５−ジ
ブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２,２
−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニ
ル｝プロパン、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−
フェニル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ブタン、２,２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−３−メチルブタン、２,２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−３,３−ジメチルブタン、２,
４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタ
ン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタ
ン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メ
チルペンタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１,１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチ
ルシクロヘキサン、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）フルオレン、９,９−ビス｛（４−ヒドロキシ−
３−メチル）フェニル｝フルオレン、α,α’−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベン
ゼン、α,α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ
−ジイソプロピルベンゼン、α,α’−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１,
３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５,７−ジメチ
ルアダマンタン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルス
ルホン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシ
ド、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４,
４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４,４’−ジヒ
ドロキシジフェニルエーテルおよび４,４’−ジヒドロ
キシジフェニルエステル等があげられ、これらは単独ま
たは２種以上を混合して使用できる。

【００１９】なかでもビスフェノールＡ、２,２−ビス
｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパ
ン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、
２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチル
ブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,
３−ジメチルブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−４−メチルペンタン、１,１−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキ
サンおよびα,α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれた
少なくとも１種のビスフェノールより得られる単独重合
体または共重合体が好ましく、特に、ビスフェノールＡ
の単独重合体および１,１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンとビスフ
ェノールＡ、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メ
チル）フェニル｝プロパンまたはα,α’−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンと
の共重合体が好ましく使用される。

【００２０】カーボネート前駆体としてはカルボニルハ
ライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等
が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネ
ートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げ
られる。

【００２１】上記二価フェノールとカーボネート前駆体
を溶液法または溶融法によって反応させてポリカーボネ
ート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、末
端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用しても
よい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能
性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂
であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸
を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であっても
よく、また、得られたポリカーボネート樹脂の２種以上
を混合した混合物であってもよい。

【００２２】溶液法による反応は、通常二価フェノール
とホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の
存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物
またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶
媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等の
ハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のた
めに例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウム
ブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合
物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることも
できる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間
は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つの
が好ましい。

【００２３】また、かかる重合反応において、通常末端
停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フ
ェノール類を使用することができる。単官能フェノール
類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用
され、また得られたポリカーボネート樹脂は、末端が単
官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているの
で、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。か
かる単官能フェノール類としては、一般にはフェノール
または低級アルキル置換フェノールであって、下記一般
式（１）で表される単官能フェノール類を示すことがで
きる。

【００２４】

【化１】 ［式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９の直鎖または
分岐のアルキル基あるいはフェニル置換アルキル基であ
り、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である］。

【００２５】上記単官能フェノール類の具体例として
は、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノー
ルが挙げられる。

【００２６】また、他の単官能フェノール類としては、
長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換
基として有するフェノール類または安息香酸クロライド
類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を
使用することができ、これらを用いてポリカーボネート
共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤また
は分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融
流動性が改良され、成形加工が容易になるばかりでな
く、基板としての物性、特に樹脂の吸水率を低くする効
果があり、また、基板の複屈折が低減される効果もあり
好ましく使用される。なかでも、下記一般式（２）およ
び（３）で表される長鎖のアルキル基を置換基として有
するフェノール類が好ましく使用される。

【００２７】

【化２】

【００２８】

【化３】 ［式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−または−Ｒ
−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合または炭素数１
〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を
示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。］

【００２９】かかる式（１）の置換フェノール類として
はｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好ましく、
その具体例としては例えばデシルフェノール、ドデシル
フェノール、テトラデシルフェノール、ヘキサデシルフ
ェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノ
ール、ドコシルフェノールおよびトリアコンチルフェノ
ール等を挙げることができる。

【００３０】また、式（２）の置換フェノール類として
はＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合
物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のも
のが好適であって、その具体例としては例えばヒドロキ
シ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒド
ロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキ
サデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ
安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリアコン
チルが挙げられる。

【００３１】これらの末端停止剤は、得られたポリカー
ボネート樹脂の全末端に対して少くとも５モル％、好ま
しくは少くとも１０モル％末端に導入されることが望ま
しく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合し
て使用してもよい。

【００３２】溶融法による反応は、通常二価フェノール
とカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、
不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエ
ステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコール
またはフェノールを留出させる方法により行われる。反
応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等
により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。
反応後期には系を１０〜０.１Ｔｏｒｒ程度に減圧して
生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさ
せる。反応時間は通常１〜４時間程度である。

【００３３】カーボネートエステルとしては、置換され
ていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、アラルキル
基あるいは炭素数１〜４のアルキル基などのエステルが
挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジト
リルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネー
ト、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネー
ト、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボ
ネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネート
などが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好
ましい。

【００３４】また、重合速度を速めるために重合触媒を
用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナ
トリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸
化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等
のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシ
ド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩
基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコ
キシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩
類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合
物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ
化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモ
ン化合物類マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコ
ニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル交
換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒は
単独で使用してもよいし、２種以上組み合わせ使用して
もよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フェ
ノール１モルに対し、好ましくは１×１０^-8〜１×１０
^-3当量、より好ましくは１×１０^-7〜５×１０^-4当量の
範囲で選ばれる。

【００３５】また、かかる重合反応において、フェノー
ル性の末端基を減少するために、重縮反応の後期あるい
は終了後に、例えばビス（クロロフェニル）カーボネー
ト、ビス（ブロモフェニル）カーボネート、ビス（ニト
ロフェニル）カーボネート、ビス（フェニルフェニル）
カーボネート、クロロフェニルフェニルカーボネート、
ブロモフェニルフェニルカーボネート、ニトロフェニル
フェニルカーボネート、フェニルフェニルカーボネー
ト、メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート
およびエトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネー
ト等の化合物を加えることが好ましい。なかでも２−ク
ロロフェニルフェニルカーボネート、２−メトキシカル
ボニルフェニルフェニルカーボネートおよび２−エトキ
シカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好まし
く、特に２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカー
ボネートが好ましく使用される。

【００３６】ポリカーボネート樹脂の分子量は、粘度平
均分子量（Ｍ）で１０,０００〜２２,０００が好まし
く、１２,０００〜２０,０００がより好ましく、１３,
０００〜１８,０００が特に好ましい。かかる粘度平均
分子量を有するポリカーボネート樹脂は、光学用材料と
して十分な強度が得られ、また、成形時の溶融流動性も
良好であり成形歪みが発生せず好ましい。本発明でいう
粘度平均分子量は塩化メチレン１００ｍＬにポリカーボ
ネート樹脂０.７ｇを２０℃で溶解した溶液から求めた
比粘度（η_sp）を次式に挿入して求めたものである。

【００３７】η_sp／ｃ＝［η］＋０.４５×［η］²ｃ
（但し［η］は極限粘度） ［η］＝１.２３×１０^-4Ｍ^0.83 ｃ＝０.７

【００３８】原料ポリカーボネート樹脂は、従来公知の
常法（溶液重合法、溶融重合法など）により製造した
後、溶液状態において濾過処理をしたり、造粒（脱溶
媒）後の粒状原料を例えば加熱条件下でアセトンなどの
貧溶媒で洗浄したりして低分子量成分や未反応成分等の
不純物や異物を除去することが好ましい。更に射出成形
に供するためのペレット状ポリカーボネート樹脂を得る
押出工程（ペレット化工程）では溶融状態の時に濾過精
度１０μｍの焼結金属フィルターを通すなどして異物を
除去したりすることが好ましい。必要により、例えばリ
ン系等の酸化防止剤などの添加剤を加えることも好まし
い。いずれにしても射出成形前の原料樹脂は異物、不純
物、溶媒などの含有量を極力低くしておくことが必要で
ある。

【００３９】上記ポリカーボネート樹脂より光ディスク
基板を製造する場合には射出成形機（射出圧縮成形機を
含む）を用いる。この射出成形機としては一般的に使用
されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディス
ク基板の信頼性を高める観点からシリンダーやスクリュ
ーとして樹脂との付着性が低く、かつ耐食性、耐摩耗性
を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。
射出成形の条件としてはシリンダー温度３００〜４００
℃、金型温度５０〜１４０℃が好ましく、これらにより
光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。成
形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限
りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する
材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の
分解を招くような滞留を起こさないように配慮すること
も重要となる。

【００４０】このように成形された光ディスク基板は、
コンパクトディスク（以下、ＣＤと称することがあ
る）、ＣＤ−Ｒ、ＭＯ、ＭＤ−ＭＯ等や、更にはデジタ
ルビデオディスク（以下、ＤＶＤと称することがあ
る）、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−
Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等で代表される高密度光ディスク用
基板として使用される。

【００４１】

【実施例】以下、実施例を挙げて詳細に説明するが、本
発明は何らこれに限定されるものではない。なお、評価
は下記の方法に従った。

【００４２】（１）付着物の評価 射出成形機、住友重機械工業製ＤＩＳＫ３ Ｍ III に
ＣＤ専用の金型を取り付け、この金型にピットの入った
ニッケル製のＣＤ用スタンパーを装着し、成形材料を自
動搬送にて成形機のホッパに投入し、シリンダー温度３
４０℃、金型温度７５℃、射出速度１００ｍｍ／ｓｅ
ｃ、保持圧力４０ｋｇｆ／ｃｍ²の条件で直径１２０ｍ
ｍ、肉厚１.２ｍｍのＣＤ基板を連続的に１万枚成形し
た。

【００４３】また同成形機にＤＶＤ専用の金型を取り付
け、この金型にアドレス信号などの情報の入ったニッケ
ル製のＤＶＤ用スタンパーを装着し、成形材料を自動搬
送にて成形機のホッパに投入し、シリンダー温度３８０
℃、金型温度１１５℃、射出速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、
保持圧力４０ｋｇｆ／ｃｍ²の条件で直径１２０ｍｍ、
肉厚０.６ｍｍのＤＶＤ基板を連続的に１万枚成形し
た。

【００４４】連続１０,０００枚を成形した後、成形後
のスタンパー付着物をクロロホルムで抽出乾固し、付着
量を測定し、下記４段階に評価した。 Ａ：１万枚成形後の付着量が１〜７ｍｇのもの Ｂ：付着量が８〜１５ｍｇのもの Ｃ：付着量が１６ｍｇ以上のもの Ｄ：１万枚の成形終了以前に、付着物が剥離して基板に
転写したもの

【００４５】（２）ＰＣ製造由来物質の定量 Ｗａｔｅｒｓ社製ＧＰＣ装置（カラム充填剤；東ソーＴ
ＳＫ−ｇｅｌ Ｇ−２０００ＨＸＬ＋３０００ＨＸＬ）
を用いて得られた試料ポリカーボネートのチャートに対
してビスフェノールＡ骨格を少なくとも１〜２個を含む
低分子量ポリカーボネート、ポリカーボネート原料、末
端停止剤、およびのその変性物などＰＣ由来物質のピー
ク面積求めた。この面積をポリカーボネートポリマー面
積の１００分率で表したものをＰＣ製造由来物質の総含
有率（重量％）とした。

【００４６】実施例１〜６ 温度計、攪拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換
水２１９.４部、４８％水酸化ナトリウム水溶液４０.２
部を仕込み、これに２,２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン５７.５部（０.２５２モル）およびハイ
ドロサルファイト０.１２部を溶解した後、塩化メチレ
ン１８１部を加え、攪拌下１５〜２５℃でホスゲン２
８.３部を４０分要して吹込んだ。ホスゲン吹き込み終
了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液７.２部およびｐ
−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール２.４２部を加え、攪拌
を始め、乳化後トリエチルアミン０.０６部を加え、さ
らに２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を完結させた。
反応終了後生成物を塩化メチレンで希釈して水洗した後
塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と
殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取出口を有
する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発し
て、粘度平均分子量１５０００のパウダーを得た。この
パウダーに添加剤として熱安定剤と離型剤を表１に示す
配合で加え、ベント式二軸押出機［神戸製鋼（株）製Ｋ
ＴＸ−４６］によりシリンダー温度２４０℃で脱気しな
がら溶融混練し、実施例１〜６に示すペレットを得た。
これらペレットのＰＣ製造由来物質および添加物由来物
質の総含有率を表２に示す。これらのペレットを用いて
ＣＤ基板を１万枚成形した。成形後、スタンパー上の付
着物の重量を測定した。その結果を表２に示す。

【００４７】実施例７〜１２ 実施例１〜６の試料ペレットを用いてＤＶＤ基板を成形
した以外は、全て実施例１〜６と同条件で評価した。そ
の結果を表１および２に示す。

【００４８】実施例１３〜１８ 実施例１で得られたポリカーボネートパウダー２ｋｇ当
たりアセトン５.５Ｌを加え室温で２時間撹拌し、濾
過、減圧乾燥し精製ポリカーボネートを得た以外は全て
実施例１〜６と同様に実施例１３〜１８に示す原料ペレ
ットを製造した。こうして得られたペレットのＰＣ製造
由来物質および添加物由来物質の総含有率を表１に示
す。更に以後、実施例１〜６と同様にＣＤ基板を成形
し、これを評価した。その結果を表１および２に示す。

【００４９】実施例１９〜２４ 実施例１３〜１８の試料ペレットを用いてＤＶＤ基板を
成形した以外は、全て実施例１〜６と同条件で評価し
た。その結果を表１および２に示す。

【００５０】実施例２５〜３０ ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールを２.７２部加えて粘
度平均分子量１４０００のパウダーを得た以外は、全て
実施例１〜６と同様に実施例２５〜３０に示す原料ペレ
ットを製造した。こうして得られたペレットのポリカー
ボネート由来物量を表２に示す。以後、全て実施例１〜
６と同様にＣＤ基板を成形し、これを評価した。その結
果を表１および２に示す。

【００５１】実施例３１〜３６ 攪拌機および蒸留塔を備えた反応器に２,２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）
２２８部（約１モル）、ジフェニルカーボネート（バイ
エル社製）２２０部（約１.０３モル）および触媒とし
て水酸化ナトリウム０.００００２４部（約６×１０^-7
モル／ビスフェノールＡ１モル）とテトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド０.００７３部（約８×１０^-5モル
／ビスフェノールＡ１モル）を仕込み、窒素置換した。
この混合物を２００℃まで加熱して撹拌しながら溶解さ
せた。次いで減圧度を３０Ｔｏｒｒとして加熱しながら
１時間半で大半のフェノールを留去し、さらに２７０℃
まで温度を上げ、減圧度を１Ｔｏｒｒとして重合反応を
行ったところで、末端停止剤として２−メトキシカルボ
ニルフェニルフェニルカーボネート３.１部を添加し
た。その後２７０℃、１Ｔｏｒｒ以下で５分間末端封鎖
反応を行った。次に溶融状態のままで、触媒中和剤とし
てドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウ
ム塩０.０００２３部添加し、さらに２７０℃、１０Ｔ
ｏｒｒ以下で１０分間反応を継続し、粘度平均分子量１
５０００のポリマーを得た。このポリマーをギアポンプ
でエクストルーダーに送った。エクストルーダー途中で
添加剤として熱安定剤と離型剤を表１に示す配合で加
え、実施例３１〜３６に示すポリカーボネートペレット
を得た。こうして得られたペレットのＰＣ製造由来物質
および添加物由来物質の総含有率を表２に示す。以下、
実施例１〜６と同様にＣＤ基板を成形し、これを評価し
た。その結果を表２に示す。

【００５２】比較例１〜５ トリエチルアミンを加えずそのまま２時間撹拌し反応を
終了させ、水洗のみ実施した以外は全て実施例１〜６で
使用したパウダーと同様に製造した。このパウダーに添
加剤として熱安定剤と離型剤を表１に示す配合で加え、
実施例１〜６と同様に比較例１〜５に示すペレットを得
た。これらペレットのＰＣ製造由来物質および添加物由
来物質の総含有率を表２に示す。比較例１〜２はＣＤ基
板を成形し、比較例３〜５はＤＶＤ基板を成型し、実施
例１〜６と同様にこれを評価した。その結果を表３に示
す。

【００５３】比較例６〜９ 実施例２５〜３０で得られたポリカーボネートパウダー
に添加剤として熱安定剤と離型剤を表３に示す配合で加
えた以外は全て実施例１〜６と同様に比較例６〜９に示
す原料ペレットを製造した。これらペレットのＰＣ製造
由来物質および添加物由来物質の総含有率を表１に示
す。以後、比較例６〜８はＣＤ基板を成形し、比較例９
はＤＶＤ基板を成型し、実施例１〜６と同様にこれを評
価した。その結果を表２に示す。この結果から、信頼性
の高い高密度光ディスク基板を得るには基板成形に供す
る光学用ポリカーボネート樹脂成形材料に関して、その
中に含まれる熱重量分析で５％減量開始温度が４００℃
以下の物質の総量を１重量％以下まで低減しなければな
らないことは明白である。

【００５４】

【表１】

【００５５】

【表２】

【００５６】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の成形
材料によれば該材料中の熱重量分析で５％減量開始温度
が４００℃以下の物質の総量１重量％以下とすることに
より、付着物を低減し連続生産性を向上させ得ることが
でき、その奏する効果は格別のものである。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 熱重量分析で５％減量開始温度が４００
   ℃以下の物質の総量が１重量％以下であることを特徴と
   する光学用ポリカーボネート樹脂成形材料。
2. 【請求項２】 粘度平均分子量が１００００〜２２００
   ０である請求項１記載の光学用ポリカーボネート樹脂成
   形材料。
3. 【請求項３】 請求項１記載の光学用ポリカーボネート
   樹脂成形材料よりなる光ディスク基板。
4. 【請求項４】 請求項１記載の光学用ポリカーボネート
   樹脂成形材料よりなるＤＶＤ用光ディスク基板。
5. 【請求項５】 シリンダー温度３４０℃、金型温度７５
   ℃でＣＤ基板を１万枚成型した時、スタンパー上の付着
   物量が１５ｍｇ以下である光学用ポリカーボネート樹脂
   成形材料。
6. 【請求項６】 シリンダー温度３８０℃、金型温度１１
   ５℃でＤＶＤ基板を１万枚成型した時、スタンパー上の
   付着物量が１５ｍｇ以下である光学用ポリカーボネート
   樹脂成形材料。
7. 【請求項７】 請求項５記載の光学用ポリカーボネート
   樹脂成形材料よりなる光ディスク基板。
8. 【請求項８】 請求項６記載の光学用ポリカーボネート
   樹脂成形材料よりなる光ディスク基板。