JPH09208684A - 高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方法 - Google Patents
高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方法Info
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- JPH09208684A JPH09208684A JP8312015A JP31201596A JPH09208684A JP H09208684 A JPH09208684 A JP H09208684A JP 8312015 A JP8312015 A JP 8312015A JP 31201596 A JP31201596 A JP 31201596A JP H09208684 A JPH09208684 A JP H09208684A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 転写性、ハイサイクル性に優れ、スタンパー
への付着物を生じ難い光記録媒体用高流動性ポリカーボ
ネート樹脂を提供する。 【解決手段】粘度平均分子量(Mv)が13,000〜
20,000のポリカーボネート樹脂であって、該ポリ
カーボネート樹脂中に含まれる分子量が1,000以下
の低分子量カーボネート化合物が1重量%未満であり、
かつ分子量が2,000〜5,000のポリカーボネー
トオリゴマーが少なくとも10重量%であることを特徴
とする高流動性ポリカボネート樹脂およびその製造方
法。
への付着物を生じ難い光記録媒体用高流動性ポリカーボ
ネート樹脂を提供する。 【解決手段】粘度平均分子量(Mv)が13,000〜
20,000のポリカーボネート樹脂であって、該ポリ
カーボネート樹脂中に含まれる分子量が1,000以下
の低分子量カーボネート化合物が1重量%未満であり、
かつ分子量が2,000〜5,000のポリカーボネー
トオリゴマーが少なくとも10重量%であることを特徴
とする高流動性ポリカボネート樹脂およびその製造方
法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は高流動性ポリカーボ
ネートおよびその製造方法に関し、更に詳しくは、特定
のポリカーボネートを素材としてなるCD、LD、再生
専用ディスク(ROM)、追記型ディスク(DRA
W)、書き換え型ディスク(E−DRAW)、デジタル
ビデオディスク(DVD)などの光記録媒体を製造する
のに好適な転写性、ハイサイクル成形性などが優れ、し
かもスタンパーへの付着物の少ない、高流動性ポリカー
ボネート樹脂に関する。
ネートおよびその製造方法に関し、更に詳しくは、特定
のポリカーボネートを素材としてなるCD、LD、再生
専用ディスク(ROM)、追記型ディスク(DRA
W)、書き換え型ディスク(E−DRAW)、デジタル
ビデオディスク(DVD)などの光記録媒体を製造する
のに好適な転写性、ハイサイクル成形性などが優れ、し
かもスタンパーへの付着物の少ない、高流動性ポリカー
ボネート樹脂に関する。
【0002】
【従来の技術】ポリカーボネート(PC)は、優れた光
学的特性に加えて、平衡吸水率が低いことや耐熱性、寸
法安定性、衝撃強さなどの機械的特性に優れていること
から、光学基板材料、レンズ、ファイバー等の光学部品
の成形材料として使用されている。特に光学情報記録材
料としては、基板作成時のスタンパー汚れが少なく、転
写性の改善、記録膜の耐久性、PC基板自体の長期信頼
性等の観点から、高品質のPCが要求されている。例え
ば特開昭63−278929号、特開昭63−3163
13号、特開平1−146926号に記載されているよ
うに低分子量カーボネート化合物や未反応のビスフェノ
ールを低減することが提案されている。しかしながら、
提案されている方法でもスタンパー汚染を防止すること
は未だ不十分で解消されていない。
学的特性に加えて、平衡吸水率が低いことや耐熱性、寸
法安定性、衝撃強さなどの機械的特性に優れていること
から、光学基板材料、レンズ、ファイバー等の光学部品
の成形材料として使用されている。特に光学情報記録材
料としては、基板作成時のスタンパー汚れが少なく、転
写性の改善、記録膜の耐久性、PC基板自体の長期信頼
性等の観点から、高品質のPCが要求されている。例え
ば特開昭63−278929号、特開昭63−3163
13号、特開平1−146926号に記載されているよ
うに低分子量カーボネート化合物や未反応のビスフェノ
ールを低減することが提案されている。しかしながら、
提案されている方法でもスタンパー汚染を防止すること
は未だ不十分で解消されていない。
【0003】また重縮合反応時に生成する低分子量カー
ボネート化合物を低減する方法として特公平6−232
43号に、重合反応時の原料の仕込方法や苛性アルカリ
濃度を規定する方法が記載されている。また特開平3−
109420号には、ホスゲン化反応時に管型反応装置
を使用し、管型反応装置内あるいは管型反応装置出口で
分子量調節剤を添加することにより、分子量調節剤の2
量体の生成量を低減する方法が記載されている。しか
し、上述の方法では分子量が1,000以下の低分子量
カーボネート化合物が十分に低減されない。特開平6−
336522号、特開平7−165899号には、低分
子量オリゴマーの含有量が少なく、分子量分布の狭い芳
香族ポリカーボネートの製造に関する記載がある。けれ
どもこの方法により粘度平均分子量(Mv)13,00
0〜20,000の芳香族ポリカーボネートを製造した
場合、分子量が1,000以下の低分子量カーボネート
化合物が十分に低減されず、また流動性に大きく関与す
るポリカーボネートオリゴマーの生成量が極めて少ない
ために、流動性が低く、光記録媒体用樹脂として使用す
ることは困難である。
ボネート化合物を低減する方法として特公平6−232
43号に、重合反応時の原料の仕込方法や苛性アルカリ
濃度を規定する方法が記載されている。また特開平3−
109420号には、ホスゲン化反応時に管型反応装置
を使用し、管型反応装置内あるいは管型反応装置出口で
分子量調節剤を添加することにより、分子量調節剤の2
量体の生成量を低減する方法が記載されている。しか
し、上述の方法では分子量が1,000以下の低分子量
カーボネート化合物が十分に低減されない。特開平6−
336522号、特開平7−165899号には、低分
子量オリゴマーの含有量が少なく、分子量分布の狭い芳
香族ポリカーボネートの製造に関する記載がある。けれ
どもこの方法により粘度平均分子量(Mv)13,00
0〜20,000の芳香族ポリカーボネートを製造した
場合、分子量が1,000以下の低分子量カーボネート
化合物が十分に低減されず、また流動性に大きく関与す
るポリカーボネートオリゴマーの生成量が極めて少ない
ために、流動性が低く、光記録媒体用樹脂として使用す
ることは困難である。
【0004】一方、低分子量カーボネート化合物、未反
応のビスフェノール、残留するハロゲン化溶媒を精製工
程で除去する方法も提案されており、たとえば、ポリカ
ーボネートに対して貧溶媒であるアセトンによって抽出
する方法が提案されている(特開昭63−278929
号、特開平4−306227号)。しかしながら、これ
らの方法を用いるとアセトン抽出しない場合と比較し
て、基板作製時、スタンパーに付着し汚染を引き起こす
低分子量カーボネート化合物は勿論、流動性に大きく関
与するポリカーボネートオリゴマーも同時に除去される
ため、成形時に溶融樹脂自体の流動性の低下を引き起こ
す欠点がある。またアセトン抽出を行うことから製品
(ペレット)中に微量のアセトンが残存し、成形時に分
子量低下を招いたり、着色する等の問題が生じる。
応のビスフェノール、残留するハロゲン化溶媒を精製工
程で除去する方法も提案されており、たとえば、ポリカ
ーボネートに対して貧溶媒であるアセトンによって抽出
する方法が提案されている(特開昭63−278929
号、特開平4−306227号)。しかしながら、これ
らの方法を用いるとアセトン抽出しない場合と比較し
て、基板作製時、スタンパーに付着し汚染を引き起こす
低分子量カーボネート化合物は勿論、流動性に大きく関
与するポリカーボネートオリゴマーも同時に除去される
ため、成形時に溶融樹脂自体の流動性の低下を引き起こ
す欠点がある。またアセトン抽出を行うことから製品
(ペレット)中に微量のアセトンが残存し、成形時に分
子量低下を招いたり、着色する等の問題が生じる。
【0005】更に、光学情報記録材料として射出成形に
よるディスク成形に当って、複屈折の低減、転写性の改
善、およびハイサイクル性という観点から、溶融時流動
性の高い材料が要求されている。例えば特開昭60−2
15020号に記載されているようにポリカーボネート
の末端基を長鎖アルキル基に変性させることで高流動化
すること、特開昭61−123658号に記載されてい
るようにポリカーボネート樹脂にオリゴマーを添加して
高流動化すること、などが溶融時に流動性を改良する方
法として提案されている。しかし、末端基変性やオリゴ
マーを添加することにより、流動性が高い材料に改良す
ることは達成されるが、依然として分子量が1,000
以下の低分子量カーボネート化合物などが含まれるため
に、基板製作時のスタンパー汚染を防止することはでき
ない。
よるディスク成形に当って、複屈折の低減、転写性の改
善、およびハイサイクル性という観点から、溶融時流動
性の高い材料が要求されている。例えば特開昭60−2
15020号に記載されているようにポリカーボネート
の末端基を長鎖アルキル基に変性させることで高流動化
すること、特開昭61−123658号に記載されてい
るようにポリカーボネート樹脂にオリゴマーを添加して
高流動化すること、などが溶融時に流動性を改良する方
法として提案されている。しかし、末端基変性やオリゴ
マーを添加することにより、流動性が高い材料に改良す
ることは達成されるが、依然として分子量が1,000
以下の低分子量カーボネート化合物などが含まれるため
に、基板製作時のスタンパー汚染を防止することはでき
ない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の方法において重縮合反応の工程や原料を格別変更する
ことなく、従来技術における上述したような課題を解決
し、低分子量カーボネート化合物、未反応のビスフェノ
ール、樹脂末端OH基、および樹脂末端Cl基が少な
く、かつ溶融時の流動性が高く、光記録媒体材料に適し
た高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方法を
提供するものである。
の方法において重縮合反応の工程や原料を格別変更する
ことなく、従来技術における上述したような課題を解決
し、低分子量カーボネート化合物、未反応のビスフェノ
ール、樹脂末端OH基、および樹脂末端Cl基が少な
く、かつ溶融時の流動性が高く、光記録媒体材料に適し
た高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方法を
提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、低分子量
カーボネート化合物、未反応のビスフェノール、樹脂末
端OH基、および樹脂末端Cl基が少なく、かつ溶融時
の流動性が高く、光記録媒体の製造に好適な転写性、成
形性に優れた高流動性ポリカーボネート樹脂について多
角的に検討を行った結果、特定範囲の分子量を有するポ
リカーボネートオリゴマーが特定量存在したポリカーボ
ネート樹脂が、転写性、ハイサイクル性に優れ、しかも
スタンパーの汚染が少なく光記録媒体用樹脂として好適
であることを見いだし本発明に至った。
カーボネート化合物、未反応のビスフェノール、樹脂末
端OH基、および樹脂末端Cl基が少なく、かつ溶融時
の流動性が高く、光記録媒体の製造に好適な転写性、成
形性に優れた高流動性ポリカーボネート樹脂について多
角的に検討を行った結果、特定範囲の分子量を有するポ
リカーボネートオリゴマーが特定量存在したポリカーボ
ネート樹脂が、転写性、ハイサイクル性に優れ、しかも
スタンパーの汚染が少なく光記録媒体用樹脂として好適
であることを見いだし本発明に至った。
【0008】即ち、本発明は、粘度平均分子量(Mv)
が13,000〜20,000のポリカーボネート樹脂
であって、該ポリカーボネート樹脂中に含まれる分子量
が1,000以下の低分子量カーボネート化合物が1重
量%未満であり、かつ分子量が2,000〜5,000
のポリカーボネートオリゴマーが少なくとも10重量%
である高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方
法に関する。
が13,000〜20,000のポリカーボネート樹脂
であって、該ポリカーボネート樹脂中に含まれる分子量
が1,000以下の低分子量カーボネート化合物が1重
量%未満であり、かつ分子量が2,000〜5,000
のポリカーボネートオリゴマーが少なくとも10重量%
である高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方
法に関する。
【0009】本発明における高流動性ポリカーボネート
樹脂は、界面重合法によるポリカーボネート樹脂の製造
方法において、その特徴は、ビスフェノール中にホス
ゲンを吹き込みながら、反応混合物を形成させ、ホス
ゲンの吹き込み終了後、該反応混合物に、第四級アンモ
ニウム塩を添加して、重縮合反応を行い、その結果得
られた反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が少なくと
も6,000に達した後、分子量調節剤を添加して、さ
らに重縮合反応を行うことにある。
樹脂は、界面重合法によるポリカーボネート樹脂の製造
方法において、その特徴は、ビスフェノール中にホス
ゲンを吹き込みながら、反応混合物を形成させ、ホス
ゲンの吹き込み終了後、該反応混合物に、第四級アンモ
ニウム塩を添加して、重縮合反応を行い、その結果得
られた反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が少なくと
も6,000に達した後、分子量調節剤を添加して、さ
らに重縮合反応を行うことにある。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明の高流動性ポリカーボネー
ト樹脂は、粘度平均分子量(Mv)が13,000〜2
0,000のポリカーボネート樹脂であって、該ポリカ
ーボネート樹脂に含まれる分子量が1,000以下の低
分子量カーボネート化合物が1重量%未満であり、かつ
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが少なくとも10重量%であることを特徴とす
る。本発明の該ポリカーボネート樹脂は、さらに未反応
ビスフェノール30ppm以下、樹脂末端OH基量が2
00ppm以下及び樹脂末端Cl基量が0.1ppm以
下含有される。本発明の高流動性ポリカーボネート樹脂
は、溶融時の粘度が低く、ハイサイクル性に優れ、連続
ディスク成形時のスタンパーへの付着物が少ない。
ト樹脂は、粘度平均分子量(Mv)が13,000〜2
0,000のポリカーボネート樹脂であって、該ポリカ
ーボネート樹脂に含まれる分子量が1,000以下の低
分子量カーボネート化合物が1重量%未満であり、かつ
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが少なくとも10重量%であることを特徴とす
る。本発明の該ポリカーボネート樹脂は、さらに未反応
ビスフェノール30ppm以下、樹脂末端OH基量が2
00ppm以下及び樹脂末端Cl基量が0.1ppm以
下含有される。本発明の高流動性ポリカーボネート樹脂
は、溶融時の粘度が低く、ハイサイクル性に優れ、連続
ディスク成形時のスタンパーへの付着物が少ない。
【0011】分子量が1,000以下の低分子量カーボ
ネート化合物には、たとえば、ビスフェノールのホスゲ
ン化反応で生成したビスフェノールのジクロロホルメー
トと分子量調節剤との縮合反応物であるジカーボネート
化合物などが含まれる。このジカーボネート化合物が樹
脂中0.2重量%を越える量含有すると、分子量が1,
000以下の低分子量カーボネート化合物が1重量%以
下であっても、基板作成時にスタンパー汚染を引き起こ
す要因となり好ましくない。
ネート化合物には、たとえば、ビスフェノールのホスゲ
ン化反応で生成したビスフェノールのジクロロホルメー
トと分子量調節剤との縮合反応物であるジカーボネート
化合物などが含まれる。このジカーボネート化合物が樹
脂中0.2重量%を越える量含有すると、分子量が1,
000以下の低分子量カーボネート化合物が1重量%以
下であっても、基板作成時にスタンパー汚染を引き起こ
す要因となり好ましくない。
【0012】また、分子量が1,000以下の低分子量
カーボネート化合物が1重量%以上含まれるポリカーボ
ネート樹脂は、ディスクの射出成形等を連続的に行った
際に、比較的早い段階で金型やスタンパーが微量の付着
物によって汚染される。これによって成形ディスクにく
もりが生じたり、グルーブやピットの転写が損なわれる
結果となり、スタンパーの交換時期を早める必要が生じ
るなどの不都合が生じ好ましくない。
カーボネート化合物が1重量%以上含まれるポリカーボ
ネート樹脂は、ディスクの射出成形等を連続的に行った
際に、比較的早い段階で金型やスタンパーが微量の付着
物によって汚染される。これによって成形ディスクにく
もりが生じたり、グルーブやピットの転写が損なわれる
結果となり、スタンパーの交換時期を早める必要が生じ
るなどの不都合が生じ好ましくない。
【0013】本発明においては、分子量が2,000〜
5,000のポリカーボネートオリゴマーを少なくとも
10重量%、好ましくは10重量%〜30重量%含有す
るが、該ポリカーボネートオリゴマーが10重量%未満
の場合は、ポリカーボネート樹脂溶融時の流動性が悪
く、30重量%を超える量含まれる場合には、該樹脂自
体の粘度平均分子量(Mv)が低下することから、耐衝
撃性が低下し好ましくない。
5,000のポリカーボネートオリゴマーを少なくとも
10重量%、好ましくは10重量%〜30重量%含有す
るが、該ポリカーボネートオリゴマーが10重量%未満
の場合は、ポリカーボネート樹脂溶融時の流動性が悪
く、30重量%を超える量含まれる場合には、該樹脂自
体の粘度平均分子量(Mv)が低下することから、耐衝
撃性が低下し好ましくない。
【0014】本発明の高流動性ポリカーボネート樹脂を
光ディスク基板として用いるには、信号のエラーを誘発
するダストの低減したものを用いる必要がある。具体的
には、重縮合反応終了後の有機相から、遠心分離等によ
り、水相を分離すると同時に水相に多く含まれたダスト
を除去する。こうして得られた有機相をマイクロフィル
ターで濾過し、さらにダストを除去した後、外気と遮断
された環境で固形化する。固形化された樹脂は、クリー
ン乾燥機にて乾燥され粉末重合体が得られる。このよう
にして得られたポリカーボネート樹脂は、通常使用され
る添加剤、例えば安定剤、離型剤、必要に応じて紫外線
吸収剤、着色剤などが添加された後に、押出機によって
ペレット化される。このペレット中に含まれる直径0.
5〜1.0μmのダストは4万個/g以下に抑えられな
ければならない。本発明の高流動性ポリカーボネート樹
脂から製造される光記録媒体は、信号ノイズが少なく、
耐熱変形性、耐衝撃性、長期信頼性に優れる。
光ディスク基板として用いるには、信号のエラーを誘発
するダストの低減したものを用いる必要がある。具体的
には、重縮合反応終了後の有機相から、遠心分離等によ
り、水相を分離すると同時に水相に多く含まれたダスト
を除去する。こうして得られた有機相をマイクロフィル
ターで濾過し、さらにダストを除去した後、外気と遮断
された環境で固形化する。固形化された樹脂は、クリー
ン乾燥機にて乾燥され粉末重合体が得られる。このよう
にして得られたポリカーボネート樹脂は、通常使用され
る添加剤、例えば安定剤、離型剤、必要に応じて紫外線
吸収剤、着色剤などが添加された後に、押出機によって
ペレット化される。このペレット中に含まれる直径0.
5〜1.0μmのダストは4万個/g以下に抑えられな
ければならない。本発明の高流動性ポリカーボネート樹
脂から製造される光記録媒体は、信号ノイズが少なく、
耐熱変形性、耐衝撃性、長期信頼性に優れる。
【0015】本発明の高流動性ポリカーボネート樹脂の
製造方法において、その特徴の一つは、ビスフェノール
中にホスゲンを吹き込みながら、反応混合物を形成さ
せ、ホスゲンの吹き込み終了後、則ちホスゲンとビスフ
ェノールとのホスゲン化反応によって生成するポリカー
ボネート前駆体(ジクロロホルメート及びモノクロロホ
ルメート)の段階で、該反応混合物に第四級アンモニウ
ム塩を添加して、重縮合反応を行い、その結果得られた
反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が少なくとも6,
000に達するまで反応させた後、分子量調節剤を添加
し、さらに重縮合反応を行うことにある。
製造方法において、その特徴の一つは、ビスフェノール
中にホスゲンを吹き込みながら、反応混合物を形成さ
せ、ホスゲンの吹き込み終了後、則ちホスゲンとビスフ
ェノールとのホスゲン化反応によって生成するポリカー
ボネート前駆体(ジクロロホルメート及びモノクロロホ
ルメート)の段階で、該反応混合物に第四級アンモニウ
ム塩を添加して、重縮合反応を行い、その結果得られた
反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が少なくとも6,
000に達するまで反応させた後、分子量調節剤を添加
し、さらに重縮合反応を行うことにある。
【0016】このようにして得られるポリカーボネート
樹脂中には、分子量が1,000以下の低分子量カーボ
ネート化合物が1重量%未満と少なく、分子量が2,0
00〜5,000のポリカーボネートオリゴマーを10
重量%〜30重量%含有される。該ポリカーボネート樹
脂の粘度平均分子量(Mv)が13,000〜20,0
00のポリマーである。ポリマー中に含有する分子量が
1,000以下の低分子量カーボネート化合物が極微量
で、特定分子量のポリカーボネートオリゴマーを含有
し、光記録媒体を製造するのに好適な転写性、ハイサイ
クル成形性に優れ、スタンパーへの付着物が生じがたい
流動性に優れたポリカーボネート樹脂である。
樹脂中には、分子量が1,000以下の低分子量カーボ
ネート化合物が1重量%未満と少なく、分子量が2,0
00〜5,000のポリカーボネートオリゴマーを10
重量%〜30重量%含有される。該ポリカーボネート樹
脂の粘度平均分子量(Mv)が13,000〜20,0
00のポリマーである。ポリマー中に含有する分子量が
1,000以下の低分子量カーボネート化合物が極微量
で、特定分子量のポリカーボネートオリゴマーを含有
し、光記録媒体を製造するのに好適な転写性、ハイサイ
クル成形性に優れ、スタンパーへの付着物が生じがたい
流動性に優れたポリカーボネート樹脂である。
【0017】本発明のポリカーボネート樹脂の原料とな
るビスフェノール系化合物として好ましいものは、具体
的にはビス(4-ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4-
ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4-ヒドロキシフ
ェニル)スルホン、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スル
ホキシド、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スルフィド、
ビス(4-ヒドロキシフェニル)ケトン、1,1-ビス(4-ヒ
ドロキシフェニル)エタン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフ
ェニル)プロパン(ビスフェノ−ルA;BPA )、2,2-ビ
ス(4-ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1-ビス(4-ヒド
ロキシフェニル)シクロヘキサン(ビスフェノ−ルZ;
BPZ )、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3,5-ジブロモフェニ
ル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3,5-ジクロロ
フェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3-ブロ
モフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3-ク
ロロフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3-
メチルフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−
3,5-ジメチルフェニル)プロパン、1,1-ビス(4-ヒドロ
キシフェニル)-1- フェニルエタン、ビス(4-ヒドロキ
シフェニル)ジフェニルメタン、α,ω−ビス[3-(o-
ヒドロキシフェニル)プロピル]ポリジメチルシロキサ
ンなどが例示され、これらは、2種類以上併用すること
も可能である。これらの中でも特にビスフェノールAが
好ましい。
るビスフェノール系化合物として好ましいものは、具体
的にはビス(4-ヒドロキシフェニル)メタン、ビス(4-
ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(4-ヒドロキシフ
ェニル)スルホン、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スル
ホキシド、ビス(4-ヒドロキシフェニル)スルフィド、
ビス(4-ヒドロキシフェニル)ケトン、1,1-ビス(4-ヒ
ドロキシフェニル)エタン、2,2-ビス(4-ヒドロキシフ
ェニル)プロパン(ビスフェノ−ルA;BPA )、2,2-ビ
ス(4-ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1-ビス(4-ヒド
ロキシフェニル)シクロヘキサン(ビスフェノ−ルZ;
BPZ )、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3,5-ジブロモフェニ
ル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3,5-ジクロロ
フェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3-ブロ
モフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3-ク
ロロフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−3-
メチルフェニル)プロパン、2,2-ビス(4-ヒドロキシ−
3,5-ジメチルフェニル)プロパン、1,1-ビス(4-ヒドロ
キシフェニル)-1- フェニルエタン、ビス(4-ヒドロキ
シフェニル)ジフェニルメタン、α,ω−ビス[3-(o-
ヒドロキシフェニル)プロピル]ポリジメチルシロキサ
ンなどが例示され、これらは、2種類以上併用すること
も可能である。これらの中でも特にビスフェノールAが
好ましい。
【0018】ホスゲンは上記ビスフェノール100モル
に対して、通常100〜120モル、好ましくは105
〜115モルの範囲で使用される。本発明においてホス
ゲンと呼ばれる塩化カルボニルが好ましく使用される
が、塩素以外のハロゲン化カルボニルでもなんら差し支
えなく使用できる。また、ホスゲンの吹き込み時間は、
通常10〜120分、好ましくは15〜60分である。
に対して、通常100〜120モル、好ましくは105
〜115モルの範囲で使用される。本発明においてホス
ゲンと呼ばれる塩化カルボニルが好ましく使用される
が、塩素以外のハロゲン化カルボニルでもなんら差し支
えなく使用できる。また、ホスゲンの吹き込み時間は、
通常10〜120分、好ましくは15〜60分である。
【0019】またビスフェノールとホスゲンとの反応に
は、通常塩基が用いられ、塩基としては水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等のアルカリ金属化合物、アルカリ
土類金属化合物が使用される。ビスフェノールと上記の
ような塩基との当量比は1:1.1〜1.6が好まし
い。このような塩基は、通常水溶液の形で用いられ、こ
の水溶液中の塩基濃度は通常6〜10(重量/容量)%
で使用される。ここで使用される水は蒸留水、イオン交
換水、またはポリカーボネートを製造する際に回収され
る水等である。また反応に際してはビスフェノールの酸
化着色を防ぐために亜硫酸ナトリウム、ナトリウムハイ
ドロサルファイトあるいはナトリウムボロハイドライド
等を使用することができる。
は、通常塩基が用いられ、塩基としては水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等のアルカリ金属化合物、アルカリ
土類金属化合物が使用される。ビスフェノールと上記の
ような塩基との当量比は1:1.1〜1.6が好まし
い。このような塩基は、通常水溶液の形で用いられ、こ
の水溶液中の塩基濃度は通常6〜10(重量/容量)%
で使用される。ここで使用される水は蒸留水、イオン交
換水、またはポリカーボネートを製造する際に回収され
る水等である。また反応に際してはビスフェノールの酸
化着色を防ぐために亜硫酸ナトリウム、ナトリウムハイ
ドロサルファイトあるいはナトリウムボロハイドライド
等を使用することができる。
【0020】また、本発明は、通常バッチ反応で行われ
る。このバッチ反応において、塩基は最初に使用する全
量を仕込んでも良いが、最初に使用する塩基の70〜9
5%を仕込み、第四級アンモニウム塩添加時に2〜27
%添加し、更に分子量調節剤の添加時に3〜28%添加
するのが好ましい。
る。このバッチ反応において、塩基は最初に使用する全
量を仕込んでも良いが、最初に使用する塩基の70〜9
5%を仕込み、第四級アンモニウム塩添加時に2〜27
%添加し、更に分子量調節剤の添加時に3〜28%添加
するのが好ましい。
【0021】さらにホスゲン化反応や重合反応を容易に
行うため、有機溶媒が用いられる。使用される有機溶媒
は、水に対して不溶で且つ反応に対して不活性であり、
しかも反応により生成するポリカーボネートを溶解する
ことができる有機化合物である。このような有機溶媒と
してはメチレンクロライド、テトラクロロエタン、クロ
ロホルム、1,2−ジクロルエチレン、トリクロロエタ
ン、ジクロロエタン等の塩素化脂肪族炭化水素、クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等の塩素
化芳香族炭化水素、アセトフェノン、シクロヘキサン、
アニソール等の単独あるいは混合物が好ましく使用され
る。これらのうちメチレンクロライドが最も好ましく使
用される。上記の有機溶媒は、ビスフェノール1モルに
対して0.1〜1リットル使用される。
行うため、有機溶媒が用いられる。使用される有機溶媒
は、水に対して不溶で且つ反応に対して不活性であり、
しかも反応により生成するポリカーボネートを溶解する
ことができる有機化合物である。このような有機溶媒と
してはメチレンクロライド、テトラクロロエタン、クロ
ロホルム、1,2−ジクロルエチレン、トリクロロエタ
ン、ジクロロエタン等の塩素化脂肪族炭化水素、クロロ
ベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等の塩素
化芳香族炭化水素、アセトフェノン、シクロヘキサン、
アニソール等の単独あるいは混合物が好ましく使用され
る。これらのうちメチレンクロライドが最も好ましく使
用される。上記の有機溶媒は、ビスフェノール1モルに
対して0.1〜1リットル使用される。
【0022】本発明において、ホスゲンの吹き込み終了
後に添加される第四級アンモニウム塩は、たとえば、テ
トラメチルアンモニウムクロライド、トリメチルベンジ
ルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジルアンモ
ニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロマイ
ド、テトラ−n−ブチルアンモニウムアイオダイドなど
が例示され、これらのうちトリメチルベンジルアンモニ
ウムクロライド、トリエチルベンジルアンモニウムクロ
ライドが好ましい。この第四級アンモニウム塩は、ビス
フェノールの1モルに対して、一般に0.005〜50
ミリモルの量が使用される。
後に添加される第四級アンモニウム塩は、たとえば、テ
トラメチルアンモニウムクロライド、トリメチルベンジ
ルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジルアンモ
ニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムブロマイ
ド、テトラ−n−ブチルアンモニウムアイオダイドなど
が例示され、これらのうちトリメチルベンジルアンモニ
ウムクロライド、トリエチルベンジルアンモニウムクロ
ライドが好ましい。この第四級アンモニウム塩は、ビス
フェノールの1モルに対して、一般に0.005〜50
ミリモルの量が使用される。
【0023】第四級アンモニウム塩は、系全体に十分分
散されるように、水溶液の形で添加される。該水溶液の
第四級アンモニウム塩の濃度は、5〜20(重量/容
量)%が好ましい。該水溶液は、ホスゲンの吹き込み終
了後、好ましくは塩基と共に反応混合物に添加される。
第四級アンモニウム塩の添加後、反応混合物の粘度平均
分子量(Mv)が少なくとも6,000に達するまでの
時間は、反応温度および撹拌状態にもよるが、5〜30
分である。
散されるように、水溶液の形で添加される。該水溶液の
第四級アンモニウム塩の濃度は、5〜20(重量/容
量)%が好ましい。該水溶液は、ホスゲンの吹き込み終
了後、好ましくは塩基と共に反応混合物に添加される。
第四級アンモニウム塩の添加後、反応混合物の粘度平均
分子量(Mv)が少なくとも6,000に達するまでの
時間は、反応温度および撹拌状態にもよるが、5〜30
分である。
【0024】本発明によれば、第四級アンモニウム塩を
分子量調節剤が添加される前のポリカーボネート前駆体
に添加して反応を行うことに加え、反応混合物の粘度平
均分子量(Mv)が少なくとも6,000に達した後、
分子量調節剤を添加して、さらに重縮合反応を行わせる
ことにより、最終的なポリマー中に存在する分子量が
1,000以下の低分子量カーボネート化合物の生成が
抑制され、分子量2,000〜5,000のポリカーボ
ネートオリゴマーの量が、10重量%〜30重量%に調
整される。
分子量調節剤が添加される前のポリカーボネート前駆体
に添加して反応を行うことに加え、反応混合物の粘度平
均分子量(Mv)が少なくとも6,000に達した後、
分子量調節剤を添加して、さらに重縮合反応を行わせる
ことにより、最終的なポリマー中に存在する分子量が
1,000以下の低分子量カーボネート化合物の生成が
抑制され、分子量2,000〜5,000のポリカーボ
ネートオリゴマーの量が、10重量%〜30重量%に調
整される。
【0025】本発明における分子量調節剤は、通常のフ
ェノール、p−第三ブチルフェノール、トリブロモフェ
ノール、長鎖アルキルフェノールなどの一価フェノール
類の他に、脂肪族カルボン酸クロライド、脂肪族カルボ
ン酸、ヒドロキシ安息香酸アルキルエステル、ヒドロキ
シフェニルアルキル酸エステル、アルキルエーテルフェ
ノールなどが例示される。またこれらは二種以上の化合
物を併用することも当然に可能である。
ェノール、p−第三ブチルフェノール、トリブロモフェ
ノール、長鎖アルキルフェノールなどの一価フェノール
類の他に、脂肪族カルボン酸クロライド、脂肪族カルボ
ン酸、ヒドロキシ安息香酸アルキルエステル、ヒドロキ
シフェニルアルキル酸エステル、アルキルエーテルフェ
ノールなどが例示される。またこれらは二種以上の化合
物を併用することも当然に可能である。
【0026】この分子量調節剤の添加される量により、
製品の粘度平均分子量(Mv)が決定されるが、ホスゲ
ン吹き込み終了後、分子量調節剤を添加して反応する方
法に対して、本発明のようにホスゲン吹き込み終了後、
これに第四級アンモニウム塩を加えて、重縮合反応を行
い、その結果得られた反応混合物の粘度平均分子量(M
v)が6,000以上に達するまで反応させた後に分子
量調節剤を添加することにより、通常必要とされる分子
量調節剤の95〜99重量%の分子量調節剤の使用量
で、最終的に同じ粘度平均分子量(Mv)である高流動
性ポリカーボネートを製造することができた。これは低
分子量ジクロロホルメート化合物と反応する分子量調節
剤が減ったことにより、結果として高分子量ジクロロホ
ルメート化合物と反応する分子量調節剤が増え、若干少
なめの分子量調節剤の使用で目標の粘度平均分子量(M
v)に制御することが可能となるものと推定される。分
子量調節剤の添加量は、仕込みビスフェノール1モルに
対して、0.03〜0.1モルである。
製品の粘度平均分子量(Mv)が決定されるが、ホスゲ
ン吹き込み終了後、分子量調節剤を添加して反応する方
法に対して、本発明のようにホスゲン吹き込み終了後、
これに第四級アンモニウム塩を加えて、重縮合反応を行
い、その結果得られた反応混合物の粘度平均分子量(M
v)が6,000以上に達するまで反応させた後に分子
量調節剤を添加することにより、通常必要とされる分子
量調節剤の95〜99重量%の分子量調節剤の使用量
で、最終的に同じ粘度平均分子量(Mv)である高流動
性ポリカーボネートを製造することができた。これは低
分子量ジクロロホルメート化合物と反応する分子量調節
剤が減ったことにより、結果として高分子量ジクロロホ
ルメート化合物と反応する分子量調節剤が増え、若干少
なめの分子量調節剤の使用で目標の粘度平均分子量(M
v)に制御することが可能となるものと推定される。分
子量調節剤の添加量は、仕込みビスフェノール1モルに
対して、0.03〜0.1モルである。
【0027】本発明において分子量調節剤の添加時期
は、反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が少なくとも
6,000に達した後に添加することが重要である。
は、反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が少なくとも
6,000に達した後に添加することが重要である。
【0028】本発明において分子量調節剤と共に再び添
加される塩基は、分子量調節剤と樹脂末端Cl基との縮
合反応を完全に行うために必要である。分子量調節剤の
添加前に反応液中のアルカリ濃度が高くなりすぎると樹
脂末端Cl基と塩基の反応が多発し、樹脂末端OH基と
なるため、分子量を制御することが困難となり所望の重
合体が得られない。また分子量調節剤と共に塩基が添加
されない場合には、分子量調節剤との反応が遅れ、重合
体の分子量が上がりすぎてしまうといった不都合が生じ
る。
加される塩基は、分子量調節剤と樹脂末端Cl基との縮
合反応を完全に行うために必要である。分子量調節剤の
添加前に反応液中のアルカリ濃度が高くなりすぎると樹
脂末端Cl基と塩基の反応が多発し、樹脂末端OH基と
なるため、分子量を制御することが困難となり所望の重
合体が得られない。また分子量調節剤と共に塩基が添加
されない場合には、分子量調節剤との反応が遅れ、重合
体の分子量が上がりすぎてしまうといった不都合が生じ
る。
【0029】上記分子量調節剤の添加に際し、塩基およ
び重合促進触媒を同時に添加することが好ましい。ま
た、分子量調節剤を反応混合物に添加した後、30〜1
20分間撹拌しながら重合を完結させる。
び重合促進触媒を同時に添加することが好ましい。ま
た、分子量調節剤を反応混合物に添加した後、30〜1
20分間撹拌しながら重合を完結させる。
【0030】本発明で用いられる重合促進触媒は、トリ
エチルアミンのような三級アミン、三級ホスフィン、四
級ホスホニウム塩、含窒素複素環化合物及びその塩、イ
ミノエーテル及びその塩、あるいはアミド基を有する化
合物等が使用される。その中で、トリエチルアミンのよ
うな三級アミンが好ましい。重合促進触媒の添加量は、
仕込みビスフェノール1モルに対して、0.1〜10ミ
リモルである。
エチルアミンのような三級アミン、三級ホスフィン、四
級ホスホニウム塩、含窒素複素環化合物及びその塩、イ
ミノエーテル及びその塩、あるいはアミド基を有する化
合物等が使用される。その中で、トリエチルアミンのよ
うな三級アミンが好ましい。重合促進触媒の添加量は、
仕込みビスフェノール1モルに対して、0.1〜10ミ
リモルである。
【0031】本発明のポリカーボネート樹脂の製造は、
通常バッチ法で製造される。このバッチ法の製造装置と
しては、撹拌装置、ガス吹き込み管および凝縮器を備え
たジャケット付きの反応釜が使用される。撹拌装置とし
ては、特に限定はないが、反転式撹拌機が好ましい。反
転速度は、ホスゲン吹き込み時は70〜200回/分、
第四級アンモニウム塩添加後から分子量調節剤添加まで
は90〜250回/分、分子量調節剤添加から反応終了
までは70〜230回/分である。また、反応温度は、
ホスゲン吹き込み時は10〜25℃、第四級アンモニウ
ム塩添加後から分子量調節剤添加までは20〜25℃、
分子量調節剤添加から反応終了までは20〜35℃が好
ましい。
通常バッチ法で製造される。このバッチ法の製造装置と
しては、撹拌装置、ガス吹き込み管および凝縮器を備え
たジャケット付きの反応釜が使用される。撹拌装置とし
ては、特に限定はないが、反転式撹拌機が好ましい。反
転速度は、ホスゲン吹き込み時は70〜200回/分、
第四級アンモニウム塩添加後から分子量調節剤添加まで
は90〜250回/分、分子量調節剤添加から反応終了
までは70〜230回/分である。また、反応温度は、
ホスゲン吹き込み時は10〜25℃、第四級アンモニウ
ム塩添加後から分子量調節剤添加までは20〜25℃、
分子量調節剤添加から反応終了までは20〜35℃が好
ましい。
【0032】
【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【0033】各物性値は下記により測定した。 〔粘度平均分子量(Mv)〕Waters社製GPC装
置(カラム:Waters社製ウルトラスタイラジェル
105 +104 +103 +500Å)を用いて、標準ポ
リマーとしてポリスチレンを用いて測定を行った後、ユ
ニバーサルキャリブレーション法により溶出時間とポリ
カーボネートの分子量との関係を求め、検量線とした。
1)2)3) 引用文献:1) J. Polym. Sci., Part B, 5, 753 (197
4),Z.Grubisic, P. Rempp, H. Benoit 2) J. Polym. Lett. Ed., 12, 331 (1974),E.P.Otocke,
M.Y. Hellmam 3) "ポリカーボネート樹脂ハンドブック" P55-57, Aug.
28, 1992.本間精一編、日経工業新聞社発行 ポリカーボネートの溶出曲線(クロマトグラム)を検量
線の場合と同一の条件で測定し、溶出時間(分子量)と
その溶出時間のピーク面積(分子数に比例)とから各平
均分子量(粘度平均分子量)を求めた。 Mi:試料ポリカーボネート中の重合度iである分子の
分子量 Ni:試料ポリカーボネート中の重合度iである分子の
数
置(カラム:Waters社製ウルトラスタイラジェル
105 +104 +103 +500Å)を用いて、標準ポ
リマーとしてポリスチレンを用いて測定を行った後、ユ
ニバーサルキャリブレーション法により溶出時間とポリ
カーボネートの分子量との関係を求め、検量線とした。
1)2)3) 引用文献:1) J. Polym. Sci., Part B, 5, 753 (197
4),Z.Grubisic, P. Rempp, H. Benoit 2) J. Polym. Lett. Ed., 12, 331 (1974),E.P.Otocke,
M.Y. Hellmam 3) "ポリカーボネート樹脂ハンドブック" P55-57, Aug.
28, 1992.本間精一編、日経工業新聞社発行 ポリカーボネートの溶出曲線(クロマトグラム)を検量
線の場合と同一の条件で測定し、溶出時間(分子量)と
その溶出時間のピーク面積(分子数に比例)とから各平
均分子量(粘度平均分子量)を求めた。 Mi:試料ポリカーボネート中の重合度iである分子の
分子量 Ni:試料ポリカーボネート中の重合度iである分子の
数
【0034】〔低分子量カーボネート化合物およびポリ
カーボネートオリゴマー含有率〕上記手法によって得ら
れた試料ポリカーボネートの溶出曲線(ピーク面積)に
対して、分子量が1,000以下の低分子量カーボネー
ト化合物、及び分子量が2,000〜5,000のポリ
カーボネートオリゴマーのピーク面積の割合から含有率
を求めた。
カーボネートオリゴマー含有率〕上記手法によって得ら
れた試料ポリカーボネートの溶出曲線(ピーク面積)に
対して、分子量が1,000以下の低分子量カーボネー
ト化合物、及び分子量が2,000〜5,000のポリ
カーボネートオリゴマーのピーク面積の割合から含有率
を求めた。
【0035】〔未反応ビスフェノール含有率〕上記手法
によって得られた試料ポリカーボネートの溶出曲線(ピ
ーク面積)に対して、ビスフェノール(BPA)のピー
ク面積の割合から含有率を求めた。
によって得られた試料ポリカーボネートの溶出曲線(ピ
ーク面積)に対して、ビスフェノール(BPA)のピー
ク面積の割合から含有率を求めた。
【0036】〔ポリマー中のジカーボネート化合物含有
率〕Waters社製LC(カラム:Shodex社製
K803L×2本)を用いて測定を行った。試料ポリ
カーボネートの溶出曲線(ピーク面積)に対して、ジカ
ーボネート化合物のピーク面積の割合から含有率を求め
た。
率〕Waters社製LC(カラム:Shodex社製
K803L×2本)を用いて測定を行った。試料ポリ
カーボネートの溶出曲線(ピーク面積)に対して、ジカ
ーボネート化合物のピーク面積の割合から含有率を求め
た。
【0037】〔塩素濃度換算での樹脂末端クロロホルメ
ート基量(樹脂末端Cl基量)〕比色法にて分光光度計
で測定を行った。
ート基量(樹脂末端Cl基量)〕比色法にて分光光度計
で測定を行った。
【0038】〔樹脂末端フェノール性水酸基量(樹脂末
端OH基量)〕比色法にて分光光度計で測定を行った。
端OH基量)〕比色法にて分光光度計で測定を行った。
【0039】〔樹脂の流動性を示す流れ値〕高架式フロ
ーテスターで測定した溶融粘度に対応する流れ値で、2
80℃、160kg/cm2 の圧力下に直径1mm×1
0mmLのノズルより流出する溶融樹脂量をml/se
cの単位で表したものであり、溶融粘度の低下と共に流
れ値は増加する。
ーテスターで測定した溶融粘度に対応する流れ値で、2
80℃、160kg/cm2 の圧力下に直径1mm×1
0mmLのノズルより流出する溶融樹脂量をml/se
cの単位で表したものであり、溶融粘度の低下と共に流
れ値は増加する。
【0040】〔スタンパー付着物の観察〕コンパクトデ
ィスク金型を用いて、樹脂温度340℃、金型温度90
℃、射出圧1000kg/cm2 、保持圧300kg/
cm2 にて、外径120mm、厚さ1.2mmの円盤を
射出成形(射出成形機:住友重機工業(株)製のネオマ
ット、350/120(SYCAP 付))し、連続
5,000ショット成形した後、成形後のスタンパー付
着物について原子間力顕微鏡で観察した。
ィスク金型を用いて、樹脂温度340℃、金型温度90
℃、射出圧1000kg/cm2 、保持圧300kg/
cm2 にて、外径120mm、厚さ1.2mmの円盤を
射出成形(射出成形機:住友重機工業(株)製のネオマ
ット、350/120(SYCAP 付))し、連続
5,000ショット成形した後、成形後のスタンパー付
着物について原子間力顕微鏡で観察した。
【0041】実施例1 反転式撹拌機、ガス吹き込み管および凝縮器を備えたジ
ャケット付き100Lガラスライニング製反応釜に、
8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液34リットル
に、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(BPA )7.00Kg(31mol )とハイドロサルファイト
20gを加え溶解した。これにメチレンクロライド11
リットル加え、反転速度180回/分で撹拌しながら、
溶液温度を15℃に保ちつつ、ホスゲン3.3Kgを3
0分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了後、1
2%(w/v) のトリエチルベンジルアンモニウムクロライ
ド水溶液50ml(0.026mol)、8.8%(w/v) の水酸
化ナトリウム水溶液2リットルおよびメチレンクロライ
ド9リットルを加え、反応混合液の温度を21℃に保持
したまま反転速度を210回/分で15分撹拌した。反
応混合物の粘度平均分子量(Mv)が11,600に達
したのでp−t−ブチルフェノールを0.27Kg(1.8m
ol)、8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液3リッ
トルおよび0.043molのトリエチルアミンを加え、反応混
合物の温度を27℃に保持したまま反転速度200回/
分で撹拌しながら約1時間重合させた。
ャケット付き100Lガラスライニング製反応釜に、
8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液34リットル
に、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(BPA )7.00Kg(31mol )とハイドロサルファイト
20gを加え溶解した。これにメチレンクロライド11
リットル加え、反転速度180回/分で撹拌しながら、
溶液温度を15℃に保ちつつ、ホスゲン3.3Kgを3
0分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了後、1
2%(w/v) のトリエチルベンジルアンモニウムクロライ
ド水溶液50ml(0.026mol)、8.8%(w/v) の水酸
化ナトリウム水溶液2リットルおよびメチレンクロライ
ド9リットルを加え、反応混合液の温度を21℃に保持
したまま反転速度を210回/分で15分撹拌した。反
応混合物の粘度平均分子量(Mv)が11,600に達
したのでp−t−ブチルフェノールを0.27Kg(1.8m
ol)、8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液3リッ
トルおよび0.043molのトリエチルアミンを加え、反応混
合物の温度を27℃に保持したまま反転速度200回/
分で撹拌しながら約1時間重合させた。
【0042】重合液を水相と有機相に分離し、有機相を
リン酸で中和し、洗液のpHが中性になるまで純水で水洗
を繰り返した後、マイクロフィルターにて有機相を濾過
した。有機相にイソプロパノール47リットルを加え、
重合物を沈澱させた。沈澱物を濾過後、クリーン乾燥機
にて乾燥し粉末状重合体を得た。
リン酸で中和し、洗液のpHが中性になるまで純水で水洗
を繰り返した後、マイクロフィルターにて有機相を濾過
した。有機相にイソプロパノール47リットルを加え、
重合物を沈澱させた。沈澱物を濾過後、クリーン乾燥機
にて乾燥し粉末状重合体を得た。
【0043】この重合体は、GPC分析の結果、粘度平
均分子量(Mv)15,400であった。比色法による
樹脂末端OH基量は100ppm、及び比色法による樹
脂末端Cl基量は0.05ppmであった。GPCとL
Cによる分析の結果、BPAは20ppm以下であり、
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが12.6重量%、分子量が1,000以下の
低分子量カーボネート化合物が0.74重量%、ジカー
ボネート化合物が0.12重量%含まれていた。
均分子量(Mv)15,400であった。比色法による
樹脂末端OH基量は100ppm、及び比色法による樹
脂末端Cl基量は0.05ppmであった。GPCとL
Cによる分析の結果、BPAは20ppm以下であり、
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが12.6重量%、分子量が1,000以下の
低分子量カーボネート化合物が0.74重量%、ジカー
ボネート化合物が0.12重量%含まれていた。
【0044】この得られた粉末状重合体をステアリン酸
モノグリセリド0.03%を添加した後、L/D=28
のベント付二軸押出機にて、樹脂温度270℃でペレッ
ト化した。得られたペレットをクリーン乾燥機にて12
0℃で4時間乾燥し、ディスク成形機にて樹脂温度34
0℃、金型温度90℃にて、外径120mm、厚さ1.
2mmのコンパクトディスクを連続5,000ショット
射出成形した後、成形後のスタンパー付着物について原
子間力顕微鏡で観察した。結果を表1に示す。
モノグリセリド0.03%を添加した後、L/D=28
のベント付二軸押出機にて、樹脂温度270℃でペレッ
ト化した。得られたペレットをクリーン乾燥機にて12
0℃で4時間乾燥し、ディスク成形機にて樹脂温度34
0℃、金型温度90℃にて、外径120mm、厚さ1.
2mmのコンパクトディスクを連続5,000ショット
射出成形した後、成形後のスタンパー付着物について原
子間力顕微鏡で観察した。結果を表1に示す。
【0045】実施例2 反転式撹拌機、ガス吹き込み管および凝縮器を備えたジ
ャケット付き100Lガラスライニング製反応釜に、
8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液34リットル
に、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(BPA )7.00Kg(31mol )とハイドロサルファイ
ト20gを加え溶解した。これにメチレンクロライド1
1リットル加え、反転速度180回/分で撹拌しなが
ら、溶液温度を15℃に保ちつつ、ホスゲン3.3Kg
を30分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了
後、12%(w/v) のトリエチルベンジルアンモニウムク
ロライド水溶液50ml(0.026mol)、8.8%(w/v)
の水酸化ナトリウム水溶液2リットルおよびメチレンク
ロライド9リットルを加え、反応混合液の温度を21℃
に保持したまま反転速度を210回/分で10分撹拌し
た。反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が6,900
に達したのでp−t−ブチルフェノールを0.27Kg
(1.8mol)、8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液
3リットルおよび0.043molのトリエチルアミンを加え、
反応混合物の温度を27℃に保持したまま反転速度20
0回/分で撹拌しながら約1時間重合させた。実施例1
と同様にして、粉末状重合体が得られた。
ャケット付き100Lガラスライニング製反応釜に、
8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液34リットル
に、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(BPA )7.00Kg(31mol )とハイドロサルファイ
ト20gを加え溶解した。これにメチレンクロライド1
1リットル加え、反転速度180回/分で撹拌しなが
ら、溶液温度を15℃に保ちつつ、ホスゲン3.3Kg
を30分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了
後、12%(w/v) のトリエチルベンジルアンモニウムク
ロライド水溶液50ml(0.026mol)、8.8%(w/v)
の水酸化ナトリウム水溶液2リットルおよびメチレンク
ロライド9リットルを加え、反応混合液の温度を21℃
に保持したまま反転速度を210回/分で10分撹拌し
た。反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が6,900
に達したのでp−t−ブチルフェノールを0.27Kg
(1.8mol)、8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液
3リットルおよび0.043molのトリエチルアミンを加え、
反応混合物の温度を27℃に保持したまま反転速度20
0回/分で撹拌しながら約1時間重合させた。実施例1
と同様にして、粉末状重合体が得られた。
【0046】この重合体は、GPC分析の結果、粘度平
均分子量(Mv)15,800であった。比色法による
樹脂末端OH基量は120ppm、及び比色法による樹
脂末端Cl基量は0.03ppmであった。GPCとL
Cによる分析の結果、BPAは20ppm以下であり、
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが10.7重量%、分子量が1,000以下の
低分子量カーボネート化合物が0.97重量%、ジカー
ボネート化合物が0.16重量%含まれていた。 実施
例1と同様に成形後のスタンパー付着物について観察し
た。結果を表1に示す。
均分子量(Mv)15,800であった。比色法による
樹脂末端OH基量は120ppm、及び比色法による樹
脂末端Cl基量は0.03ppmであった。GPCとL
Cによる分析の結果、BPAは20ppm以下であり、
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが10.7重量%、分子量が1,000以下の
低分子量カーボネート化合物が0.97重量%、ジカー
ボネート化合物が0.16重量%含まれていた。 実施
例1と同様に成形後のスタンパー付着物について観察し
た。結果を表1に示す。
【0047】実施例3 反転式撹拌機、ガス吹き込み管および凝縮器を備えたジ
ャケット付き100Lガラスライニング製反応釜に、
8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液34リットル
に、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(BPA )7.00Kg(31mol )とハイドロサルファイト
20gを加え溶解した。これにメチレンクロライド11
リットル加え、反転速度180回/分で撹拌しながら、
溶液温度を15℃に保ちつつ、ホスゲン3.3Kgを3
0分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了後、1
2%(w/v) のトリエチルベンジルアンモニウムクロライ
ド水溶液50ml(0.026mol)、8.8%(w/v) の水酸
化ナトリウム水溶液2リットルおよびメチレンクロライ
ド9リットルを加え、反応混合液の温度を22℃に保持
したまま反転速度を210回/分で15分撹拌した。反
応混合物の粘度平均分子量(Mv)が12,400に達
したのでp−t−ブチルフェノールを0.285Kg
(1.9mol)、8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液
3リットルおよび0.043molのトリエチルアミンを加え、
反応混合物の温度を27℃に保持したまま反転速度20
0回/分で撹拌しながら約1時間重合させた。実施例1
と同様にして、粉末状重合体が得られた。
ャケット付き100Lガラスライニング製反応釜に、
8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液34リットル
に、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(BPA )7.00Kg(31mol )とハイドロサルファイト
20gを加え溶解した。これにメチレンクロライド11
リットル加え、反転速度180回/分で撹拌しながら、
溶液温度を15℃に保ちつつ、ホスゲン3.3Kgを3
0分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了後、1
2%(w/v) のトリエチルベンジルアンモニウムクロライ
ド水溶液50ml(0.026mol)、8.8%(w/v) の水酸
化ナトリウム水溶液2リットルおよびメチレンクロライ
ド9リットルを加え、反応混合液の温度を22℃に保持
したまま反転速度を210回/分で15分撹拌した。反
応混合物の粘度平均分子量(Mv)が12,400に達
したのでp−t−ブチルフェノールを0.285Kg
(1.9mol)、8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液
3リットルおよび0.043molのトリエチルアミンを加え、
反応混合物の温度を27℃に保持したまま反転速度20
0回/分で撹拌しながら約1時間重合させた。実施例1
と同様にして、粉末状重合体が得られた。
【0048】この重合体は、GPC分析の結果、粘度平
均分子量(Mv)14,700であった。比色法による
樹脂末端OH基量は110ppm、及び比色法による樹
脂末端Cl基量は0.05ppmであった。GPCとL
Cによる分析の結果、BPAは20ppm以下であり、
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが13.4重量%、分子量が1,000以下の
低分子量カーボネート化合物が0.82重量%、ジカー
ボネート化合物が0.14重量%含まれていた。 実施
例1と同様に成形後のスタンパー付着物について観察し
た。結果を表1に示す。
均分子量(Mv)14,700であった。比色法による
樹脂末端OH基量は110ppm、及び比色法による樹
脂末端Cl基量は0.05ppmであった。GPCとL
Cによる分析の結果、BPAは20ppm以下であり、
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが13.4重量%、分子量が1,000以下の
低分子量カーボネート化合物が0.82重量%、ジカー
ボネート化合物が0.14重量%含まれていた。 実施
例1と同様に成形後のスタンパー付着物について観察し
た。結果を表1に示す。
【0049】比較例1 反転式撹拌機、ガス吹き込み管および凝縮器を備えたジ
ャケット付き100Lガラスライニング製反応釜に、
8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液34リットル
に、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(BPA )7.00Kg(31mol )とハイドロサルファイト
20gを加え溶解した。これに、メチレンクロライド1
1リットル加え反転速度180回/分で撹拌しながら、
溶液温度を15℃に保ちつつ、ホスゲン3.3Kgを3
0分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了後、p
−t−ブチルフェノールを0.29Kg(2.0mol)、
8.8%(w/v)の水酸化ナトリウム水溶液5リットルお
よびメチレンクロライド9リットルを加え、反応混合液
の温度を22℃に保持したまま反転速度を210回/分
で20分撹拌した。その後、0.043molのトリエチルアミ
ンを加え、反応混合物の温度を27℃に保持したまま反
転速度200回/分で撹拌しながら約1時間重合させ
た。
ャケット付き100Lガラスライニング製反応釜に、
8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液34リットル
に、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(BPA )7.00Kg(31mol )とハイドロサルファイト
20gを加え溶解した。これに、メチレンクロライド1
1リットル加え反転速度180回/分で撹拌しながら、
溶液温度を15℃に保ちつつ、ホスゲン3.3Kgを3
0分かけて吹き込んだ。ホスゲンの吹き込み終了後、p
−t−ブチルフェノールを0.29Kg(2.0mol)、
8.8%(w/v)の水酸化ナトリウム水溶液5リットルお
よびメチレンクロライド9リットルを加え、反応混合液
の温度を22℃に保持したまま反転速度を210回/分
で20分撹拌した。その後、0.043molのトリエチルアミ
ンを加え、反応混合物の温度を27℃に保持したまま反
転速度200回/分で撹拌しながら約1時間重合させ
た。
【0050】重合液を水相と有機相に分離し、有機相を
リン酸で中和し、洗液のpHが中性になるまで純水で水洗
を繰り返した後、マイクロフィルターにて有機相を濾過
した。有機相にイソプロパノール47リットルを加え、
重合物を沈澱させた。沈澱物を濾過後、クリーン乾燥機
にて乾燥し粉末状重合体を得た。
リン酸で中和し、洗液のpHが中性になるまで純水で水洗
を繰り返した後、マイクロフィルターにて有機相を濾過
した。有機相にイソプロパノール47リットルを加え、
重合物を沈澱させた。沈澱物を濾過後、クリーン乾燥機
にて乾燥し粉末状重合体を得た。
【0051】この重合体は、GPC分析の結果、粘度平
均分子量(Mv)15,400であった。比色法による
樹脂末端OH基量は170ppm、及び比色法による樹
脂末端Cl基量は0.05ppmであった。GPCとL
Cによる分析の結果、BPAは20ppm以下であり、
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが9.2重量%、分子量が1,000以下の低
分子量カーボネート化合物が1.45重量%、ジカーボ
ネート化合物0.46重量%含まれていた。実施例1と
同様に成形後のスタンパー付着物について観察した。
均分子量(Mv)15,400であった。比色法による
樹脂末端OH基量は170ppm、及び比色法による樹
脂末端Cl基量は0.05ppmであった。GPCとL
Cによる分析の結果、BPAは20ppm以下であり、
分子量が2,000〜5,000のポリカーボネートオ
リゴマーが9.2重量%、分子量が1,000以下の低
分子量カーボネート化合物が1.45重量%、ジカーボ
ネート化合物0.46重量%含まれていた。実施例1と
同様に成形後のスタンパー付着物について観察した。
【0052】表1に流れ値、分子量が2,000〜5,
000のポリカーボネートオリゴマー含有率、分子量が
1,000以下の低分子量カーボネート化合物含有率、
ジカーボネート化合物含有率、5,000ショット連続
ディスク成形後のスタンパー付着物の有無について示し
た。表1に示したように、実施例1〜3の樹脂は溶融時
の流動性が低下せず、流れ値38×10-2ml/sec以上で
ハイサイクル性に優れ、かつ連続成形後のスタンパー付
着物は観察されなかった。
000のポリカーボネートオリゴマー含有率、分子量が
1,000以下の低分子量カーボネート化合物含有率、
ジカーボネート化合物含有率、5,000ショット連続
ディスク成形後のスタンパー付着物の有無について示し
た。表1に示したように、実施例1〜3の樹脂は溶融時
の流動性が低下せず、流れ値38×10-2ml/sec以上で
ハイサイクル性に優れ、かつ連続成形後のスタンパー付
着物は観察されなかった。
【0053】
【表1】 ──────────────────────────────────── ポリカーボネー 低分子量カーボ ジカーボ スタン 実施例 流れ値 トオリゴマー ネート化合物 ネート化 パー付 比較例 (×10-2ml/sec) 分子量 分子量 合物 着物* 2,000〜5,000 1,000 以下 (重量%) (重量%) ( 重量%) ──────────────────────────────────── 実施例1 39 12.6 0.74 0.12 ○ 実施例2 38 10.7 0.97 0.16 ○ 実施例3 46 13.4 0.82 0.14 ○ 比較例1 39 9.2 1.45 0.46 × ──────────────────────────────────── *スタンパー付着物の有無:○ 付着物無し、× 付着物有り
【0054】
【発明の効果】本発明のポリカーボネート樹脂は、低分
子量カーボネート化合物が少なく、溶融時の流動性が向
上し精密で、転写性、ハイサイクル成形性に優れ、スタ
ンパー汚染の少ないMOディスク、デジタルビデオディ
スクなどに最適な光記録媒体用高流動性ポリカーボネー
ト樹脂である。
子量カーボネート化合物が少なく、溶融時の流動性が向
上し精密で、転写性、ハイサイクル成形性に優れ、スタ
ンパー汚染の少ないMOディスク、デジタルビデオディ
スクなどに最適な光記録媒体用高流動性ポリカーボネー
ト樹脂である。
Claims (9)
- 【請求項1】 粘度平均分子量(Mv)が13,000
〜20,000のポリカーボネート樹脂であって、該ポ
リカーボネート樹脂中に含まれる分子量が1,000以
下の低分子量カーボネート化合物が1重量%未満であ
り、かつ分子量が2,000〜5,000のポリカーボ
ネートオリゴマーが少なくとも10重量%であることを
特徴とする高流動性ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項2】 前記ポリカーボネートオリゴマーを10
〜30重量%含有する請求項1記載の高流動性ポリカー
ボネート樹脂。 - 【請求項3】 前記低分子量カーボネート化合物に含有
されるジカーボネート化合物の含有量が、前記ポリカー
ボネート樹脂の0.2重量%以下である請求項1記載の
高流動性ポリカーボネート樹脂。 - 【請求項4】 界面重合法によるポリカーボネート樹脂
の製造方法において、ビスフェノール中にホスゲンを
吹き込みながら、反応混合物を形成させ、ホスゲンの
吹き込み終了後、該反応混合物に、第四級アンモニウム
塩を添加して、重縮合反応を行い、その結果得られた
反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が少なくとも6,
000に達した後、分子量調節剤を添加して、さらに重
縮合反応を行い、ポリカーボネート樹脂を得ることを特
徴とする高流動性ポリカーボネート樹脂の製造方法。 - 【請求項5】 反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が
少なくとも6,000に達した後、分子量調節剤及び塩
基を添加して、さらに重縮合反応を行う請求項4記載の
高流動性ポリカーボネート樹脂の製造方法。 - 【請求項6】 第四級アンモニウム塩の添加時に、第四
級アンモニウム塩と共に塩基を添加する請求項4記載の
高流動性ポリカーボネート樹脂の製造方法。 - 【請求項7】 反応混合物の粘度平均分子量(Mv)が
少なくとも6,000に達した後、分子量調節剤、塩基
及び重合促進触媒を添加して、さらに重縮合反応を行う
請求項4記載の高流動性ポリカーボネート樹脂の製造方
法。 - 【請求項8】 前記ビスフェノールが2,2−ビス(4
−ヒドロキシフェニル)プロパンである請求項4記載の
高流動性ポリカーボネート樹脂の製造方法。 - 【請求項9】前記第四級アンモニウム塩がトリエチルベ
ンジルアンモニウムクロライドあるいはトリメチルベン
ジルアンモニウムクロライドである請求項4記載の高流
動性ポリカーボネート樹脂の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8312015A JPH09208684A (ja) | 1995-11-27 | 1996-11-22 | 高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30748195 | 1995-11-27 | ||
JP7-307481 | 1995-11-27 | ||
JP8312015A JPH09208684A (ja) | 1995-11-27 | 1996-11-22 | 高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001033509A Division JP2001213953A (ja) | 1995-11-27 | 2001-02-09 | 高流動性ポリカーボネート樹脂 |
JP2001248419A Division JP3785965B2 (ja) | 1995-11-27 | 2001-08-17 | 高流動性ポリカーボネート樹脂の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09208684A true JPH09208684A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=26565124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8312015A Withdrawn JPH09208684A (ja) | 1995-11-27 | 1996-11-22 | 高流動性ポリカーボネート樹脂およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09208684A (ja) |
Cited By (10)
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---|---|---|---|---|
JPH11342510A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-12-14 | Teijin Chem Ltd | 光学用成形材料 |
WO2000011086A1 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Teijin Chemicals, Ltd. | Matiere de moulage en resine de polycarbonate optique et substrat de disque optique |
JP2001072755A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-21 | Teijin Chem Ltd | 光学用ポリカーボネート樹脂成形材料および光ディスク基板 |
JP2001192447A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-17 | Teijin Chem Ltd | 高精密転写性熱可塑性樹脂成形材料および該材料よりなる光ディスク基板 |
JP2001213953A (ja) * | 1995-11-27 | 2001-08-07 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 高流動性ポリカーボネート樹脂 |
JP2002114901A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-16 | Teijin Ltd | 金型離型性に優れたポリカーボネート組成物 |
WO2007063724A1 (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation | 光拡散板用ポリカーボネート樹脂組成物および光拡散板 |
JP2007204737A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-08-16 | Mitsubishi Engineering Plastics Corp | 導光板用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および導光板 |
EP1970410A1 (en) | 2006-01-06 | 2008-09-17 | Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation | Aromatic polycarbonate resin composition for lightguide plate and lightguide plate |
US10717814B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-07-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate resin and production method therefor |
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JPS61123658A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ポリカ−ボネ−ト樹脂光学成形品 |
JPS63278929A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-16 | Teijin Chem Ltd | 光学用成形品の製造方法 |
JPH06336522A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-12-06 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 芳香族ポリカーボネートおよびその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-22 JP JP8312015A patent/JPH09208684A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
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WO2000011086A1 (fr) * | 1998-08-18 | 2000-03-02 | Teijin Chemicals, Ltd. | Matiere de moulage en resine de polycarbonate optique et substrat de disque optique |
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KR100559097B1 (ko) * | 1998-08-18 | 2006-03-15 | 데이진 가세이 가부시키가이샤 | 광학용 폴리카보네이트 수지 성형재료 및 광디스크 기판 |
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US10717814B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-07-21 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Polycarbonate resin and production method therefor |
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