JPH03250670A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH03250670A
JPH03250670A JP2045434A JP4543490A JPH03250670A JP H03250670 A JPH03250670 A JP H03250670A JP 2045434 A JP2045434 A JP 2045434A JP 4543490 A JP4543490 A JP 4543490A JP H03250670 A JPH03250670 A JP H03250670A
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electrode
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睦宏 森
Yasumichi Yasuda
安田　保道
Naoki Sakurai
直樹 櫻井
Hidetoshi Arakawa
秀俊 荒川
Hiroshi Owada
大和田　廣
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Hitachi Power Semiconductor Device Ltd
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Hitachi Ltd
Hitachi Haramachi Electronics Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、逆回復電流の小さな高速ダイオード及びその
応用装置に係わり、ダイオードの高耐圧化、高信頼化、
製造の簡略化が可能な半導体装置及びその製造方法に関
する。
〔従来の技術〕
第９図は、−射的な整流ダイオードの順方向に電流を流
している状態から逆方向の阻止状態に変化する時の電流
、電圧波形を示す。順方向に電流密度ＪＦで流し５次の
瞬間逆方向に電圧ＶＲをかけると、逆回復電流が流れる
。この時の電流のピーク値ＪＲＰはそれに比例して電力
損失が発生するため、できるだけ小さくする必要がある
。また、ＪＲＰがノイズ源となって、このダイオードを
使用した回路特に集積回路を誤動作させる原因となる。
このような観点から、ＪＲＰを低減するダイオードとし
て、第１０図に示す構造が、１９８７、アイ・イー・イ
ー・イー、インターナショナル、エレクトロン、デバイ
シズ、ミーティング（１９８７゜ＩＥＥＥ　Ｉｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｒｉｃｅｓ
　Ｍｅｅｔｉｎｇ）第６５８頁から第６６１頁において
論じられている。この構造では、例えばｎ子基板１１１
の片面に結晶成長などで形成されたｎ−層１１２中に、
９層１１３が分かれて形成されている。電極１２１は、
９層１１３とオーミック接触し、９層１１３間において
表面に露出しているｎ−層１１２とはショットキー接合
を形成している。また、電極１２１は周辺において、酸
化膜１３１上にはみ出すように形成され２周辺の電界を
緩和するフィールドプレートの役割をはたしている。電
極１２２はｎ十層１１１に低抵抗接触している。このダ
イオードに、電極１２１から電極１２２へ電流を流すと
、ｐｎ接合部分即ち、９層１１３からｎ−層へホールが
注入しｎ−層に過剰キャリアが蓄積されるが、ショット
キー接合部分では電極１２１からｎ−層１１２に殆んど
ホールが注入されない。
従って、ｐｎ接合とショットキー接合の界面付近に蓄積
するキャリア濃度が、従来のｐｎ接合だけのものに比べ
少なくなる。その結果、第９図から分かるように、逆バ
イアスＶＲが印加される瞬間に生じるＪＲＰはｐｎ接合
付近の蓄積キャリアによって発生するため、第１０図の
ダイオードはＪＲＰの低減に有効であるという特長をも
つ。また、逆方向の阻止状態では、ショットキー接合の
両側の９層１１３とｎ−層１１２との間に形成されるｐ
ｎ接合より伸びる空乏層が、ショットキー接合下でリー
チスルーするため、ショットキー接合に加わる電界を緩
和できる。このため、従来のショットキー接合だけのダ
イオードに比べ、漏れ電流を小さくできるという特長を
もつ。
一方、ＪＲＰを低減する構造として第１１図のダイオー
ドが特開昭５８−６０５７７号に示されている。
このダイオードは、ｐ十層１１３間のｎ−層１１２表面
にｐ十　層１１３よりキャリア濃度の低い２層１１４を
設けた点が第１０図のダイオードと異なる。これにより
、順方向では、拡散電位の小さな２層１１４とｎ−層１
１２のｐｎ接合を電流が流れるので、ｐ土層１１３とｎ
−層１１２の接合だけからなるダイオードに比べ、順方
向の電圧降下を小さくできるという特長を持つ。また、
２層１１４のキャリア濃度が低いので、２層１１４から
のキャリアの注入量をｌＪＸさくできるので、ＪＲＰを
小さくできるという特長も持つ。さらに、ショットキー
接合のような金属と半導体の界面を使わないので、半導
体表面の汚染等の影響を受けにくく、特性が安定してい
るという特長ももつ。もちろん、第１０図と同様に深い
ｐ土層１１３と０層１１，２から伸びる空乏層により、
２層１１４とｎ−層１１２のｐｎ接合に加わる電界を緩
和し、漏れ電流を小さくできるという効果もある。
〔発明が解決しようとする課題〕
第１０図に示すダイオードは、電極１２１にワイヤ１４
１をボンディングすることによって洩れ電流が増加し耐
圧が劣化するという問題がある。
この原因は次のように推測される。
電極１２１にワイヤ１４１をボンディングするとき、電
極１２１とワイヤ１４１との間に圧力が加えられ、この
圧力によって電極１２１とｎ−層１１２との界面に欠陥
が生じる。この欠陥が再結合中心を構成し、伝導帯の電
子が欠陥に流れ込み洩れ電流が増加する。特に、逆バイ
アス状態になり電極１２１とｎ−層１１２との界面に加
わる電界が強くなると、ショットキー障壁の厚さが薄く
なり、電子がトンネル電流として再結合中心へ遷移する
確率が高くなる。これにより、ますます洩れ電流が増加
し、結果として耐圧が低下するものと考えられる。
また、第１１２図に示すダイオードは、第１０図のダイ
オードに比べ、２層１１４からのキャリアの注入がある
ため、ＪＲＰが大きくなるという問題がある。そこで、
ざらにＪＦＩＰを小さくするために、２層１１４のキャ
リア濃度を低くすることが示されているが、２層１１４
のキャリア濃度を余り低くすると耐圧が低下する不具合
がある。これは、余り２層１１４を低濃度化すると、電
極１２１に空乏層がパンチスルーし、耐圧が低下するも
のと思われる。また、第１０図のダイオードに比較して
、ｐｉｌ１４を形成する製造プロセスが増加するという
問題がある。
以上のように、従来技術では小さいＪＲＰを達成する構
造における耐圧の低下については配慮がされておらず、
ＪＲＰの低減と耐圧の確保の両立が難しいという問題が
あった。
本発明の目的は、小さなＪＲＰと安定な耐圧が得られ、
しかも製造が容易で安定性に優れた半導体装置及びその
製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成する本発明半導体装置の特徴とするとこ
ろは、ｐｎ接合からなる第１のダイオードと、通電方向
にショットキーバリアとｐｎ接合とを複合化した第２の
ダイオードとを通電方向と直角方向に並設した点にある
。更に、詳述するならば、第２のダイオードに電流密度
ＪＦの順電流を流したとき順方向電圧ＶＦが０．１　（
Ｖ）から０．３（Ｖ）の範囲において、 但し、ｋ：ボルツマン定数（：１．３８　ｘ　１０−”
’ジュール／　Ｋ　） Ｔ：絶対温度 ｑ：電子の電荷量（：１．６Ｘ１０　”’クーロン） が成立する点にある。具体的構成としては、第１のダイ
オードは一方導電型の第１の半導体領域と、第１の半導
体領域に隣接してｐｎ接合を形成し一方の主電極にオー
ミック接触する他方導電型で第１の半導体領域より高不
純物濃度を有する第２の半導体領域とから構成され、第
２のダイオードは、一方導電型の第１の半導体領域と、
第１の半導体領域に隣接してｐｎ接合を形成し一方の主
電極にショットキーバリアを介して接触する他方導電型
で第１の半導体領域より高不純物濃度を有する第３の半
導体領域とから構成されている。この場合、第３の半導
体領域は不純物量がＩ　Ｘ　１０　”ａｎ−２以下で厚
さが１１００ｎ以下であることが望ましい。
そして、半導体装置の全体構成としては、多数個の第２
のダイオードを第１のダイオードでそれぞれ包囲した形
が理想的である。
また、上記目的を達成する本発明半導体装置の製造方法
の特徴とするところは、一方導電型の第１の半導体領域
の一方の主表面側に一方の主表面から内部に延び、一方
の主表面から見たとき複数個の小領域とそれらを包囲す
る環状領域とを有し、第１の半導体領域より高不純物濃
度を有する他方導電型の第２の半導体領域を形成する第
１の工程と、一方の主表面において第２の半導体領域及
びそれら間に露出する第１の半導体領域上に他方導電型
不純物を含む金属層を形成する第２の工程と、金属層と
第２の半導体領域とをオーミック接触させ、金属層を第
１の半導体領域に拡散して第２の半導体領域より薄い他
方導電型の第３の半導体領域を形成すると共に金属層と
第３の半導体領域との間にショットキーバリアを形成す
るために熱処理する第３の工程を具備する点にある。更
に具体的には、金属層としてアルミニウムを主成分とす
る材料を使用し、第３の工程における熱処理温度を４３
０〜５７７℃とし７た点にある。
〔作用〕
本発明では、ショットキーバリア下にｐｎ接合を形成し
ているため、ショットキーバリア界面にワイヤボンディ
ング等で欠陥が生じても、ｐｎ接合があるためトンネル
電流等による漏れ電流の増加を防ぐことができるので、
耐圧の低下を防止できる。
また、ｎ値を１．００≦ｎ≦１．１５とすることで、シ
ョットキーバリア下の２層からｎ−層へのホールの注入
を押えることができるので、ｐｎ接合界面に蓄積する過
剰キャリアを低減でき、ＪＲＰを小さくできる。
さらに、電極中にｐ型不純物を含有させ、これを半導体
中に拡散させることにより、ショットキーバリア下に２
層を形成することができるので、ｐｍを形成するイオン
注入などの新たな工程が不要となり、製造が容易となる
。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例として示した図面により詳述する
。
第１図は本発明半導体装置の一実施例を示す断面図及び
平面図である。図において、１は互いに反対側に位置す
る一対の主表面１１．１２を有する半導体基体で、一方
の主表面１１に隣接するｎ中層１３と、ｎ中層１３と他
方の主表面１２に隣接するｎ中層１３より低不純物濃度
のｎ−層１４と、他方の主表面１２の選ばれた複数個所
からｎ−層１４内に延びるｎ−層］４より高不純物濃度
の２層１５と、Ｐ層１５相互間にあって他方の主表面１
２からｎ−層１４内に延びるｎ−層１４より高不純物濃
度で９層１５より薄くされた２層１６とからなっている
。９層１５は複数個の小領域１５１と、それらを包囲す
る環状領域１５２とからなっている。２は一方の主表面
１１においてｎ中層１３にオーミック接触する一方の主
電極。
３は他方の主表面１２において９層１５にオーミック接
触し９層１６との間にショットキーバリアを形成する他
方の主電極、４は他方の主表面Ｙ２の周辺においてｎ−
層１４及び２層１５上に形成された酸化膜で、他方の主
電極３は酸化膜４上に延在している。これによって、一
対の主表面間に、ｎ中層１３．ｎ−層１４及び９層１５
からなる第１のダイードと、ｎ十　層１３．ｎ−層１４
．Ｐ層１６及びショットキーバリアからなる第２のダイ
オードとが並設された構造のダイオードが得られる。
本発明の第１図が、従来例の第１−１図と異なる点は、
９層１６と主電極３との間にショットキーバリアを設け
た点にある。本発明の効果を第２図を使って説明する。
（ａ）は、従来例の第１０図における電極１２１・ｎ″
　層１１２のショットキーバリア領域のエネルギーバン
ド構造、（ｂ）は、本発明の第１図における主電極２・
９層１６・ｎ−層１４のショットキーバリア領域のエネ
ルギーバンド構造を示す。従来構造（ａ）では、先に述
べたようにショットキーバリア界面に例えばワイヤボン
ディングで欠陥が生じると、逆バイアス時に伝導帯の電
子ｅが欠陥が生じた再結合中心へ流れ込み漏れ電流が増
え、結果として耐圧が低下すると考えられる。一方、本
発明（ｂ）では、ショットキーバリア界面に欠陥が生じ
ても、９層１６によって障壁の幅Ｗを厚くできるので、
伝導帯の電子θが欠陥へトンネル電流などで遷移する確
率が格段に小さくなる。例えば、９層１６の幅が１００
人程エア超えると、殆んど電子が遷移しなくなる。従っ
て、漏れ電流が小さくなり、高耐圧化が図れる。しかも
、９層１６と主電極３との間にショットキーバリアが形
成されているので、ｐｎ接合による空乏層が主電極３ま
でパンチスルーしても第１１図のダイオードのように耐
圧が劣化しないという特長をもつ。もちろん２層１５が
、９層１６より深く形成されていることから、９層１５
のｐｎ接合から伸びる空乏層により、９層１５のｐｎ接
合に加わる電界を緩和できる効果があることは言うまで
もない。さらに、ｐ型ショットキーバリアにおけるホー
ルに対する障壁φＢＰにより、９層１６へのボールの供
給を抑制できる。
従って、第１１図のような２層１１４と電極１２１がオ
ーミック接触しているダイオードでは、電極１２１から
９層１１４ヘホールが供給され、さらに２層１１４から
ｎ−層１１２ヘホールが注入されるのに対し、第１図の
ダイオード１では、φＢＰにより９層１６へのポールの
供給が抑制され、従って９層１６からｎ−層１４へのホ
ールの注入も少なくすることができる。その結果、ｐｎ
接合近傍の蓄積キャリアを低減でき、ＪＲＰを小さくで
きる。さらに好ましい１層１６としては、ｐｎ接合とシ
ョットキーバリアの電位差によって、１層１６が空乏化
すれば、ホールの注入が極めて少なくできるのでＪＲＰ
を一層がさくできる。
第３図は１種々のＰＪｉＦ１６をもつ第１図のダイオー
ド１の電気特性を詳しく調べた室温での実験結果である
。横軸は、ダイオード１に順方向の電流密度ＪＦを流し
た時に、順方向電圧ＶＦが０．１〜０．３層程度の範囲
において、ＶＦとＱｎＪＦの関係がほぼ直線になる領域
での ｋＴ　　　ａＶＦ の値とＪＲＰ／ＪＦの関係を示している。このｎの値は
、１に近いほど多数キャリアが主電流を占めていること
、また２に近いほど注入した少数キャリアとの再結合電
流が大きいことを示している。
順方向電流密度ＪＦと逆回復電流密度ＪＲＰの比ＪＲＰ
／ＪＦを調へた結果、第３図の関係があることが分かっ
た。ｎの値が１．００〜１．１５の間にすれば、ＪＲＰ
／ＪＦを小さくできることが分かつた、これは、１層１
６を設けても、少数キャリアの注入を低減（ｎを小さく
）すれば、ＪＲＰを小さくできることを示している。２
層１６の条件としては、例えばＢ（ホウ素）のイオン注
入で１層１６を形成する場合には、イオン注入量を約Ｉ
×１０”（！１１−”以下にすることが望ましい。ｌＸ
ｌ０”ＣＨｍ−２以上では、２層１６と主電極２がオー
ミック接合に近づき、また２層１６が高濃度となるため
、１層１６からｎ−層１４ヘホールが注入しやすくなり
、ＪＲＰが大きくなるためである。
第４図は、本発明の半導体装置の好適な製造方法を示す
。まず、所望の耐圧を得るのに必要な比抵抗と厚さをも
ったｎ−層１４を用意し、この−表面からイオン注入又
は拡散によって部分的にＰ型不純物を導入する。ここで
２層不純物を所望の深さ例えば６００Ｖのダイオードで
は１〜１０μｍに熱処理により拡散させ２層１５を形成
する（ａ）。次に、Ｐ型不純物を含む電極３を２層１５
の表面及び２層１５に包囲されたｎ−層１４の表面に堆
積する（ｂ）。ここで、熱処理し、電極３中のｎ型不純
物をｎ−層１４表面に拡散して２層を形成する。こうす
ることにより、第１１図で必要であったイオン注入など
を使った１層１６の形成工程を省くことができる。この
場合、１層１６の接合深さは、１１００ｎ程度以下と極
めて薄いので、周辺での電界を緩和し、耐圧を確保する
ため、最終端の２層１５を連結することが望ましい。そ
の間の２層１５の平面形状は、棒状９円形、多角形であ
っても本発明の効果は得られる。
もちろん、ショットキーバリアを形成する電極とオーミ
ック接合を形成する電極を異なる材料とし、画電極を電
気的に短絡しても良い。
第５図は、さらに好ましい電極３についての実験結果を
示す。電極３にアルミニウムを含む材料を用いた場合を
示す。本発明者等の実験結果、熱処理温度を４３０℃よ
り高くすると２層１４が形成されることが分かった。し
かし、アルミニウムとシリコンの共晶温度５７７℃以上
にすると、アルミニウムが凝縮し、電極３の断線、２層
１４の不均一が生じるため、熱処理温度を共晶温度以上
にすることは好ましくない。この結果から、電極３に半
導体プロセスで広く用いられているシリコンを添加した
アルミニウムを適用することができ、半導体製造プロセ
スに適合できるという効果がある。
第６図は、パワーＭＯ３ＦＥＴと本発明半導体装置とを
複合化した応用例を示す。パワーＭＯ８ＦＥＴは、ｎ−
層１４に形成したｎ型のウェル層１７゜ウェル層１７内
に形成したｎ型のソース層１８゜ゲート電極４．電極２
，３を延長して形成したトレイン電極及びソース電極か
ら成っている。６はダイオードを電極３上に設けたボン
ディングワイヤである。この結果、パワーＭＯ５ＦＥＴ
はｎ＋層１３．ｎ−層１４．ｐ層１５．ｐ層１６からな
る内蔵ダイオードで主電流を流すことができるので、ワ
イヤ６のボンディングによる耐圧劣化を防止できるとと
もに、ＪＲＰを低減することができる。
この他に本発明のダイオードをｎ子基板をもつ他のトラ
ンジスタ、例えばバイポーラトランジスタと複合化でき
るのは言うまでもない。
第７図は、本発明をパワーＩＣ等で用いられている誘電
体分離基板７に適用した例である。多結晶半導体７１の
支持台内に絶縁膜７２を介して形成された単結晶島７３
内に本発明のダイオードが形成されている。電極２，３
は同一表面に露出している。本発明の半導体装置を誘電
体分離基板を用いたパワーＩＣに適用することにより、
電極３上にポンディングパッドを設けることができると
ともに、他の素子の特性を損うことなくＪＲＰを低減で
きる。しかもアルミニウム電極によって２層１６を形成
できるので新たにプロセスの追加が不要である。
第８図は、トランジスタモジュールに内蔵するフィード
バックダイオードＤＦに本発明を応用した例を示す。図
はＩＧＢＴを使った３相のインバーダモジュールである
。特に高速スイッチング化が著しいＩ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　（
Ｉｎｇｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　ＢｉｐｏｌａｒＴｒａ
ｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたモジュールでは、そのターン
オン速度で早いため、Ｅ側に接続したＩＧＢＴがオンし
たとき、その直上のＣ側に接続したダイオ−ＦＤＰが逆
バイアスされ、逆回復電流ＪＲＰが発生する。これがノ
イズ源となって、オフしていた並列接続のＩＧＢＴのゲ
ート回路を誤動作させ、ＩＧＢＴをオンさせてしまうと
いう不具合があった。その結果、Ｃ−Ｅ間が短絡し、最
悪状態ではＩＧＢＴが破壊する。このモジュールに本発
明のダイオードを用いると、ＪＲＰが小さいためノイズ
の発生を押さえ、回路誤動作を防止できるだけでなく、
モジュール内で多数のボンディングを必要とするダイオ
ードの耐圧不良を低減することができ、歩留を向上でき
るという特長をもつ。
以上の本発明の半導体装置において、少数キャリアのラ
イフタイムを電子線照射などで短縮しても良く、またｎ
型とｎ型の半導体層を入れ換えても同様の効果があるこ
とは言うまでもない。
〔発明の効果〕
本発明半導体装置によれば、逆回復電流を低減でき、耐
圧の劣化を防止でき、さらに製造工程を簡略化できるの
で、低ノイズ化、高信頼化、製作容易等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明半導体装置の一実施例の断面図及び平面
図、第２図、第３図は本発明の効果を示す説明図、第４
図は本発明半導体装置の製造方法を示す断面図、第５図
は本発明の製造条件を示す説明図、第６図、第７図及び
第８図は本発明の応用例を示す断面図と回路図、第９図
はダイオードの逆回復特性の説明図、第１０図及び第１
１図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・半導体基体、２，３・・・主電極１３・・・ｎ
十層、第 図 （ａ） 第 ２ 図 （ａ） （ｂ） 第 図 第 図 、Ｍｌｆ（ｒ） 第 図 第 ７ 図 第 図 第 図 第１０図 第１１ 図 １４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、一方の主表面を有する一方導電型の第１の半導体領
    域と、前記主表面の複数個の箇所から前記第１の半導体
    領域内に伸びる他方導電型の第２の半導体領域と、隣接
    する前記第２の半導体領域にまたがり前記主表面より前
    記第１の半導体領域に伸び深さが前記第２の半導体領域
    より浅い他方導電型の第３の半導体領域と、前記第２の
    半導体領域とオーミック接合を、前記第３の半導体領域
    とショットキー接合をなし前記主表面に形成された第１
    の電極と、前記第１の半導体領域とオーミック接合を形
    成する第２の電極とを有することを特徴とする半導体装
    置。 ２、互いに反対側に位置する一対の主表面を有し、一対
    の主表面間に一方の主表面に隣接する一方導電型の第１
    の半導体領域、第１の半導体領域及び他方の主表面に隣
    接し第１の半導体領域より低不純物濃度を有する一方導
    電型の第２の半導体領域、他方の主表面から第２の半導
    体領域内に延び、他方の主表面から見たとき複数個の小
    領域とそれらを包囲する環状領域とを有し、第２の半導
    体領域より高不純物濃度を有する他方導電型の第３の半
    導体領域、及び第３の半導体領域の間に露出する第２の
    半導体領域上に位置して他方の主表面から第２の半導体
    領域内に延び、第３の半導体領域より薄くかつ低不純物
    濃度を有する他方導電型の第４の半導体領域を具備する
    半導体基体と、 半導体基体の一方の主表面において、第１の半導体領域
    にオーミック接触する第１の電極と、半導体基体の他方
    の主表面において、第３の半導体領域にオーミック接触
    し、第４の半導体領域にショットキーバリアを介して接
    触する第２の電極とを有することを特徴とする半導体装
    置。 ３、請求項２において、第１の電極と第２の電極との間
    に電流密度Ｊ＿Ｆの順電流を流したとき順方向電圧Ｖ＿
    Ｆが０．１（Ｖ）から０．３（Ｖ）の範囲において、 １．００≦ｑ／（ｋＴ）（∂Ｖ＿Ｆ）／｛∂（ＩｎＪ＿
    Ｆ）｝≦１．１５但し、ｋ：ボルツマン定数 ｑ：電子の電荷量 Ｔ：絶対温度 が成立することを特徴とする半導体装置。 ４、請求項２又は３において、第４の半導体領域の不純
    物量が１×１０＾１＾４ｃｍ＾−＾２以下であることを
    特徴とする半導体装置。 ５、請求項２、３又は４において、第４の半導体領域の
    厚さが１００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装
    置。 ６、一方導電型の第１の半導体領域と、第１の半導体領
    域の一面から内部に延び、一面から見たとき複数個の小
    領域と、それらを包囲する環状領域とを有し、第１の半
    導体領域より高不純物濃度を有する他方導電型の第２の
    半導体領域と、第２の半導体領域の間に露出する第２の
    半導体領域上に位置して第１の半導体領域の一面から内
    部に延び、第２の半導体領域より薄くかつ低不純物濃度
    を有する他方導電型の第３の半導体領域と、第１の半導
    体領域の一面とは反対側において第１の半導体領域に隣
    接し、一部が一面側に延び一面に露出し、第１の半導体
    領域より高不純物濃度を有する一方導電型の第４の半導
    体領域と、第２の半導体領域にオーミック接触し第３の
    半導体領域にショットキーバリアを介して接触する第１
    の電極と、第４の半導体領域の一面に露出した個所にオ
    ーミック接触する第２の電極とを具備することを特徴と
    する半導体装置。 ７、請求項６において、第１の電極と第２の電極との間
    に電流密度Ｊ＿Ｆの順電流を流したとき順方向電圧Ｖ＿
    Ｆが０．１（Ｖ）から０．３（Ｖ）の範囲において、 １．００≦ｑ／（ｋＴ）（∂Ｖ＿Ｆ）／｛∂（ＩｎＪ＿
    Ｆ）｝≦１．１５但し、ｋ：ボルツマン定数 ｑ：電子の電荷量 Ｔ：絶対温度 が成立することを特徴とする半導体装置。 ８、請求項６又は７において、第３の半導体領域の不純
    物量が１×１０＾１＾４ｃｍ＾−＾２以下であることを
    特徴とする半導体装置。 ９、請求項６、７又は８において、第３の半導体領域の
    厚さが１００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装
    置。 １０、請求項６、７、８又は９において、第１の半導体
    領域、第２の半導体領域、第３の半導体領域及び第４の
    半導体領域が、集積回路基板に相互に電気的に絶縁して
    並設された複数個の半導体単結晶領域の１つに形成され
    ていることを特徴とする半導体装置。 １１、一方導電型の第１の半導体領域の一方の主表面側
    に、一方の主表面から内部に延び、一方の主表面から見
    たとき複数個の小領域とそれらを包囲する環状領域とを
    有し、第１の半導体領域より高不純物濃度を有する他方
    導電型の第２の半導体領域を形成する第１の工程、 一方の主表面において第２の半導体領域及びそれら間に
    露出する第１の半導体領域上に他方導電型不純物を含む
    金属層を形成する第２の工程、 金属層と第２の半導体領域とをオーミック接触させ、金
    属層を第１の半導体領域に拡散して第２の半導体領域よ
    り薄い他方導電型の第３の半導体領域を形成すると共に
    金属層と第３の半導体領域との間にショットキーバリア
    を形成するために熱処理する第３の工程を具備すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。 １２、請求項１１において、金属層としてアルミニウム
    を主成分とする材料を使用し、第３の工程における熱処
    理温度を４３０〜５７７℃とすることを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
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