JP2005012150A - 静電誘導ダイオード - Google Patents

Abstract

【課題】静電誘導ダイオードの金属半導体接合に、逆バイアス時の逆方向電流を少なくするために電位障壁の大きい金属を用いると正孔電流が増大して、ターンオフ時に回復電荷量が増加し特性を劣化する欠点を解決する。
【解決手段】薄膜ｐ形半導体５を陰極のソース電極４とｎ型半導体３との間に接合としてを備える。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、整流素子に利用し、少ない回復電荷量の高耐圧で高速の静電誘導ダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】
陰極がｎ形半導体との接合で形成され、陽極としてゲート電極とソース電極を備え、第１接合であるゲート電極を備えるｐ形半導体とｎ形半導体の接合、第２接合であるソース電極を備える金属とｎ形半導体の接合を備え、両者ｎ形半導体は一体であり、これら２つの接合領域が交互に配置されて、ゲート電極とソース電極が陽極として接続されており、陽極陰極が逆バイアス時に第１接合のｐ型半導体によってｎ形半導体領域に生じる空乏領域が第２接合のｎ形半導体領域を覆い隠すように第１接合と第２接合が配置されているＭＰＳ、Ｐｉｎｃｈ Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ、ＪＢＳともよばれている静電誘導ダイオードであった。
【０００３】
従来の技術の構成を図３に示す。第１接合はゲート電極２１を備えるｐ形半導体２２とｎ型半導体２３との境界である。第２接合は、ソース電極２４およびｎ型半導体２３との境界で構成される領域である。陰極は２５、陽極は２６で示す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
陽極陰極が逆バイアス時に第１接合のｐ型半導体によってｎ形半導体領域に生じる空乏領域によって、逆バイアス時の電流を遮断するが、この遮断の状態に至るターンオフ動作の初期に、第２接合の電極金属とｎ形半導体接合（所謂ショットキー接合）で生じる逆バイアスによって第２接合からの電子電流が減少して初めて遮断状態に至る。このため、第２接合の金属は逆バイアス時の逆方向電流を少なくするために電位障壁の大きい金属を用いればよいが、電位障壁の大きい金属とｎ型半導体の接合は順方向電流時の電子電流は高い電位障壁を越えてから流れるので順方向降下電圧が高くなり、このため、順方向電流時に第１接合のｐ形半導体からの正孔電流が増大して、これがターンオフ時に蓄積電荷となり回復電荷量が増加し、特性を劣化する欠点を有していた。
【０００５】
反対に、第２接合に電位障壁の低い金属を用いると、逆方向電流が大きいために、ターンオフの際に第２接合からの電子電流を遮断するためには、第１接合のｐ型半導体によってｎ形半導体領域に生じる空乏領域をより広くする必要があり、このために陽極の第１接合のｐ形半導体領域が大きくなり、順方向時の電流通路を狭めてダイオード全体の順方向降下電圧を高くして特性を劣化する欠点を有していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
これらの欠点を除去するために、第２接合の金属はｎ型半導体との間に薄膜のｐ形半導体の接合を備える。
他の方法として、第２接合の金属はｎ型半導体との間にｎ形半導体と薄膜ｐ形半導体との接合を備える。
あるいは、他の方法として、第２接合の金属はｎ型半導体との間にｎ形多結晶半導体と薄膜ｐ形半導体との接合を備える。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本願発明の基本構成を図１に示す。第１接合はゲート電極１を備えるｐ形半導体２とｎ型半導体３との境界である。第２接合は、ソース電極４と接する薄膜ｐ形半導体５およびｎ型半導体３との境界で構成される領域である。陰極は６、陽極は７で示す。図１では配線接続で示したが、ゲート電極１とソース電極４は、一体の金属電極で形成されることがある。また、図１は基本構成であって、いわゆるゲートリセス構造を例示したが、平面構造、埋め込み構造であってよい。
【０００８】
他の構成である請求の範囲２の場合を図２に例示する。第１接合はゲート電極１１を備えるｐ形半導体１２とｎ型半導体１３との境界である。第２接合は、ソース電極１４と接するｎ形半導体またはｎ形多結晶半導体１５でこれと接する薄膜ｐ形半導体１６およびｎ型半導体１３との境界の領域である。陰極は１７、陽極は１８で示す。
【０００９】
実施形態の製造方法の例を以下に述べる。
陰極となる高濃度ｎ形不純物を陰極に接して拡散などを行って形成する。また、ソース電極を有する第２接合となる領域を除いて、選択的にボロンなどの拡散によって第１接合のｐ形半導体領域を形成するが、この第２接合は逆バイアスに第１接合からの空乏領域で遮蔽される大きさ、あるいは間隔の幅である。たとえば、この大きさは、ｎ形領域の不純物濃度が１×１０^１４、ｐ形領域の不純物濃度が１×１０^２０であれば、ｐ形領域の間隔は５μｍ程度である。次に第１接合の薄膜ｐ型半導体を形成するが、不純物濃度が約１×１０^１８であれば厚さは約３０ｎｍ、不純物濃度が約１×１０^１９であれば厚さは約１０ｎｍである。この高濃度の薄膜体積は本願発明者によるＭＬＥ（分子層エピタキシー）によって可能である。また、高濃度ｐ形不純物の拡散を防ぐための低温の結晶形成技術によっても良い。さらに、第１接合のゲート電極と第２接合のソース電極を同時に金属膜で形成すれば両方を接続した陽極が形成され本願発明の静電誘導ダイオードが製作できる。
【００１０】
なお、この数１０ｎｍの薄いｐ型半導体層がソース電極金属の形成に際に金属拡散などによって失われることを防ぐために、ソース電極（陽極電極）の形成の前に、多結晶ｎ型半導体あるいはｎ型半導体を形成する方法もある。この場合ソース電極との接合抵抗を低下させるために、例えば１×１０^１８以上の高濃度のｎ型不純物を含ませる。
【００１１】
なお、半導体領域の各々ｐ形ｎ形の導電形は各々反対導電形でも良い。また、シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム、炭化シリコン、インジウム燐など種々の半導体材料を用いることができる。
【００１２】
実施形態の作用を以下に述べる。
陰極陽極が同電位の際には、第２接合のソース電極金属と薄膜ｐ型半導体およびｎ形半導体の領域ではｐ形半導体とｎ形半導体の電位障壁が生じているが、順方向電位が印加されると図４に示すように薄いｐ型半導体層による極めて薄い電位障壁が殆どパンチスルー状態となり、従来技術の電位分布と殆ど変わらない電位傾斜となり、ソース電極からの電子電流が流入し、これと釣り合う正孔電流が第１接合のｐ形半導体からｎ型半導体に注入され、第１接合に依る静電誘導電位が低下してさらに第２接合からの電子電流が増加し導通状態となる。
【００１３】
逆バイアスが印加されると、図５に示すように、第２接合の薄膜ｐ形半導体とｎ形半導体との点線で示す従来技術よりも高い電位障壁が形成されると電子電流が停止しターンオフが開始され、第１接合の静電誘導に依る電位障壁が回復されて遮断状態となる。
【００１４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の静電誘導ダイオードは、薄いｐ形半導体層を第２接合に有することから、順方向時には低い順バイアス電圧でターンオンが行えるので導通状態の順方向降下電圧が低いの低導通損失という効果を有する。
【００１５】
また、逆バイアス方向時には第２接合からの逆方向電流が低いので、第１接合による静電誘導効果による遮蔽能率に優れるので電子電流が流れる第２接合の面積を大きくなり、正孔電流を減じることができる。この結果、ターンオフ時の回復電荷量が少なくなり高速なターンオフが可能となる効果を有する。
この結果、本発明の静電誘導ダイオードは低損失で高速なスイッチングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本構成を示す図である。
【図２】本発明を実施した素子の構造の一例を示す図である。
【図３】従来技術の素子の構造を示す図である。
【図４】本発明の順バイアス状態の電位分布を示す図である。
【図５】本発明の逆バイアス状態の電位分布を示す図である。
【符号の説明】
１，１１…ゲート電極
２，１２…ｐ形半導体
３，１３…ｎ型半導体
４，１４…ソース電極
５，１６…薄膜ｐ形半導体
６，１７，２５…陰極
７，１８，２６…陽極
１５…ｎ形半導体またはｎ形多結晶半導体

Claims (3)

1. 陰極がｎ形半導体と低抵抗接合で形成され、陽極としてゲート電極とソース電極を備え、第１接合であるゲート電極を備えるｐ形半導体とｎ形半導体の接合、第２接合であるソース電極を備える金属とｎ形半導体の接合を備え、両接合のｎ形半導体は一体であり、ゲート電極とソース電極が陽極として接続されており、陽極陰極が逆バイアス時に第１接合のｐ型半導体によってｎ形半導体領域に生じる空乏領域が第２接合のｎ形半導体領域を覆い隠すようにこれら２つの接合領域が交互に配置されているダイオードにおいて、第２接合の金属はｎ型半導体との間に薄膜ｐ形半導体の接合を有することを特徴とする静電誘導ダイオード。
2. 請求項１記載の静電誘導ダイオードにおいて、第２接合のソース電極の電極金属がｎ形半導体との接合を有し、ｎ形半導体が、薄膜ｐ形半導体との接合を有し、薄膜ｐ形半導体がｎ型半導体と接合を有することを特徴とする静電誘導ダイオード。
3. 請求項１記載の静電誘導ダイオードにおいて、第２接合のソース電極の電極金属がｎ形多結晶半導体との接合を有し、ｎ形多結晶半導体が、薄膜ｐ形半導体との接合を有し、薄膜ｐ形半導体がｎ型半導体と接合を有することを特徴とする静電誘導ダイオード。

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