JPH07106605A - 高速ダイオード - Google Patents
高速ダイオードInfo
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract description 27
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N monocrotophos Chemical compound CNC(=O)\C=C(/C)OP(=O)(OC)OC KRTSDMXIXPKRQR-AATRIKPKSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
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Abstract
て、逆方向回復特性及びその耐量が従来に比べ優れた性
能を有する高速ダイオードを提供することを目的とす
る。 【構成】 ダイオード半導体基板内、アノード側及びア
ノード側接合が微細な繰り返しパターンで形成される。
更に高速性を付加するに、カソード側接合近傍にH+ ,
He等のイオン注入によるライフタイムコントロール用
イオン打込を行った構造を有する。
Description
(Zero Current Switching)、
ZVS(Zero Voltage Switchin
g)方式等のスイッチング回路(インバーター等)に用
いられる、整流ダイオードにおいて、特に、高速の逆回
復性能を有する高速ダイオードに関する。
な構造が従来から提案されている。図30乃至図36は
従来から提案されているダイオードの構造例を示す。図
30乃至図36において、2はアノード領域、3はアノ
ード電極、5はカソード領域、6は高抵抗層、7はカソ
ード電極を示す。また図33及び図35において8はn
+ アノード短絡領域、図34において9はp- 層を示
す。また図36において10はpカソード短絡領域を示
す。図30及び図31において11で示す(×)印はラ
イフタイム制御による欠陥層の分布を模式的に示したも
のである。
AuもしくはPt等の重金属拡散あるいは電子線、γ線
照射により、基板全体のライフタイムを低減する構造で
ある。これは極めて一般的な構造である。
(H+ )照射を行い、局部的にライフタイムを下げる構
造である。例えば、電気学会技術報告(II部)第313
号p.15に記載されている。
とショットキー接合を設ける構造である。特開昭56−
35473号公報、特開昭56−37683号公報及び
S.H.Larry Tu and J.Baliga
“OPTIMIZATIONOF THE MPS R
ECTIFIER VIA VARIATION OF
SCHOTTKY REGION AREA”,P
roceedingsof 1991’ISPSD(I
nternational Symposium on
Power Semiconductor Devi
ces ZICs),pp.109−112,1991
に記載されている。
と呼ばれる構造である。特開昭56−35473号公
報、特開昭56−37683号公報及びS.H.Lar
ryTu and J.Baliga“OPTIMIZ
ATIONOF THE MPS RECTIFIER
VIA VARIATION OF SCHOTTK
Y REGION AREA”,P roceedin
gs of 1991’ISPSD(Internat
ional Symposiumon Power S
emiconductor Devices ZIC
s),pp.109−112,1991に記載されてい
る。
とp+ 層を交互に設ける構造例である。
線照射を行うと、逆方向バイアス印加時のリーク電流が
増大し、損失が発生する。特にAu拡散のときは、高濃
度拡散層に、Auが集中的に分布するため、リーグ電流
が大きい。Pt拡散の場合には、順方向電流通電時に順
方向電圧降下が大きくなるので、導通損失が非常に大き
くなる。これらの従来の方式は構造による最適化がなさ
れていないので、他の緒特性への影響も大きい。
ずみが入り、逆方向リーク電流が増加するのが問題であ
る。
存在するため、2500V等の高耐圧デバイスには適用
が困難である。
を最適化しても所望の高速スイッチング性能が得られな
いのが現状である。
を行う構造が一番望ましい。
圧でしかもリーク電流が低減化できるショットキー接合
を有する高速ダイオードを提供することにある。
等の高耐圧を安定的に実現するため、pエミッタ
(pE )側に全面p層(1)を形成した上で、波状のp
E 層(2)を微細状に設ける。波状のpn層間はアノー
ド電極(3)によりpに対するショットキー接合が形成
される。更に、pin構造において波形n+ 層(n
E 層)(5)をnバッファ層(4)を設けた上で形成す
る。高速動作を実現するため、波形のpE 層(2)、n
E 層(5)を同時に設ける。更に高速動作を可能にする
ため、ライフタイム制御を行う。(図1においてnバッ
ファ層(4)とn- 層(6)との接合近傍に図示された
(×)印はライフタイム制御のために形成した欠陥層を
模式的に示す。)
通りの方法がある。即ち、nE 層(5)側において例
えばnE 層(5)の厚さを5μmとした場合nE層
(5)の表面より10μm深さ方向の位置にH+ (プロ
トン)、He等のイオン注入を行う。或いはまた、全
体に電子線、γ線照射を行ってもよい。
ある。即ち、半導体基板上に次の接合構造を有する高速
ダイオードであって、 (i)アノード(pE )全面にp型
半導体層を薄く設けた上、波状のp+ 層を均一にくり返
し設け、(ii)更に、カソード側n型半導体層(nE 層)
を同様に波状に均一にくり返し設けて2重の波形エミッ
タ構造を基板に形成し、基板抵抗率が高くアノードカソ
ード間がpin構造を有する場合には最大逆方向耐圧印
加時、アノードカソード間の基板内に空乏層が全面に広
がり、かつ繰り返しnE 層に全面nバッフア層を設けた
ことを特徴とする高速ダイオードとしての構成を有す
る。
タ構造を有する基板のカソード側にプロトンもしくはヘ
リウム等のイオン打込みを行ったことを特徴とする高速
ダイオードとしての構成を有する。
ったことを特徴とする高速ダイオードとしての構成を有
する。
の図である。 [アノード(pE )側の動作説明]本発明の構造の特徴
は通常のダイオードに比べてpE 層の拡散深さが例えば
5μm/40μm〜≒1/10と浅く形成され、しかも
高濃度層(p+ )2と低濃度のpE 層(p)12が交互
に形成される点である。このため高速オン導通動作と優
れた逆回復性能を実現しつつ、高耐圧(例えば2500
V)のデバイスを実現できる。以下に、先ず高速動作を
オン、オフに分けて説明する。
018cm-3)pE 層(pE )2と低濃度(≒5×1015
cm-3)pE 層(p)12とが、交互に微細配置されて
nベース層(n- )6に面している様子を示すものであ
る。
ッタ構造の動作原理を説明する。図11乃至図13にお
いてpE 層2とnベース層(n- )6近傍での抵抗成
分、容量成分を高濃度、厚み大側pE …(1)(ア
側)、低濃度やや厚み小側のpE …(2)(イ側)の小
番号をつけて示す。pE −nB 間の空乏層容量をCj
(1) ,Cj (2) 、拡散容量をCd (1) ,Cd (2) として
示す。注入効率に関係するpE−nB 接合間の接合抵抗
Rj (1) ,Rj (2) ,pエミッタ層(pE )と接触する
金属電極との接触抵抗をRc (1) ,Rc (2) とする。電
流オン時の応答速度のパラメータとなるpE −nB 接合
での時定数τはτ(1) =(Cj (1) +Cd (1) )×Rj
(1) <(Cj (2) +Cd (2) )×Rj (2) =τ(2) とな
り時定数τは、高濃度、厚み大側(ア側)で短くなる。
これは図13の大小関係より明らかである。
(pE )2のインピーダンスZは
ダンスが低く、コンダクタンスが高い。つまり同じpE
−nB 間の電位差で通電を行うとするとpE 側正バイア
スの場合、図14中、左側の図に示すような時間に対す
る電流の立ち上がりとなる。本発明は両ア,イ部が混在
した形状を有するため図14の右側の図に示す合成され
た電流特性を有することになる。つまり、イの2重合成
に近い通常のダイオードに比べ初期のオンの立ち上がり
が鋭い特徴と所定の導通性能を有する構造である。
作の説明図である。図15に示す如く、pE 側に逆バイ
アス(負バイアス)されていくと、pE 近傍のhole
(○)がpE 側に吸収される様子を示す。holeは本
発明の構造の場合、イ側の低濃度p層(12)にドリフ
ト効果によって加速され、p→pE とはき出される。
尚、オフ移行時デバイスに逆バイアスが十分に印加され
ない期間、electron(●)は低濃度p層にはき
出される。これは図16に示すpE 側及びp側のエネル
ギーバンド図より説明出来る。
ートのような、微細配置が必要となる。残留holeの
はき出しがスムーズに行われると、図17及び図18に
示す逆回復特性の速い高速ダイオードが実現できる。
厚み大のpE 層と低濃度でやや厚み小のpE 層とを微細
配置して形成されるが、高耐圧を安定して確保するため
に低濃度層側のpE は高濃度層側のpE に比べやや薄く
に形成するのが特徴となる。これによって高耐圧化に適
したpE 側の構造を得ることができる。
通常のpn- nタイプのダイオード構造、図9はnバッ
ファ層13を有するpinn+ タイプのダイオード構造
のカソード側の構造を示す。
ス時にパンチスルーを防ぐため、nベース層(nB 層)
6よりやや高濃度で形成される。ターンオフ動作につい
て、nE (5)側が負に正バイアスされる導通状態か
ら、nE (5)側が正に逆バイアスされていく状態にお
いて説明する。
動きを示すポテンシャル図である。逆回復の初期、ダイ
オードバイアスは外部測定系でみると、ほぼ無バイアス
になった状態が生じる(図18のt2 期間)。
リア(hole,electron)の動作を(図1
0)で確認すると、hole(正孔)はnE 層とnE 層
間の谷となったショットキー接合部を通ってカソード電
極7へはき出される(図10の)。一方、電子は
nE ,n- 間の拡散電位に加速されnE へと排出される
(図10の)。
り、全面nE 層の場合に比べて容易にキャリアの排出
が、カソード近傍より実現できることになる。正孔,電
子の動作方向が同じ故、外部にはほぼ0バイアスと観察
される。この時、カソード側でnE とショットキー接合
の混在により、電子の注入効率は全面nE の場合の通常
デバイスに比べ低くおさえられているので、はき出す電
子量等は、全面nE の場合に比べ少なくて済む。
の期間の後、外部で排出される逆バイアスは高くなる。
図18のt3 期間は図10のパスの如き電子の排出が
主になる。
誘導効果により、効率的にはき出しが行えるので逆回復
特性が優れている。
明してきたが、本発明はそれぞれの効果を複合したこと
が特徴であるので、これを実動作時の電気的特性を示し
て説明する。
アの導通状態を示す。電気的には図18のt1 期間に対
応する。pE ,nE 共にアノードショート,カソードシ
ョート構造として分布的配置になっているためキャリア
の注入は抑えられている。即ち、全面pE ,nE 層の通
常のダイオード構造に比べ、キャリアの注入量がnB中
で少なくなっている。図22は高抵抗層6中におけるキ
ャリアの分布を模式的に示した図である。
干上昇するものの、逆回復時に残留するキャリア量は低
減されている。ライフタイム制御を積極的に用いないの
で、漏れ電流が少くて済むメリットが有る。
でのデバイス内の状態を電気的特性と合わせて時間毎に
説明していく。
れていく初期であり、デバイスの外部から電気的にみた
場合、やや正バイアスから0バイアスとなり、各キャリ
アの消減が徐々に進行していく過程である。
図21に示す。先の説明の如く、pE ,nE 側で正孔及
び電子が積極的に処理され、順方向電流は無理なく低減
されていく。通常の構造のライフタイム制御方式に比べ
ソフトリカバリー特性となる。従って、図18のt3 期
間に移行するとき残留キャリアは低減されているため、
逆回復ピーク電流Irpは低い上、逆回復時間は短縮され
るため逆回復電荷量が低減される。
合JよりnB 側に空乏層(ア)が拡がっていくため、空
乏層端よりnE 側の領域でのキャリア消滅により、逆回
復電流の減衰は決まる。つまり、ライフタイム及びエミ
ッタ層周辺でのキャリアのはき出しによりこの効果は左
右される。
ャリアはき出しに大きな威力を発揮する。それは、本発
明の構造は逆回復電荷量の低減に強力なライフタイム制
御を使わずして効果を表わす。上記説明はpn- nタイ
プのダイオードについて説明したがnバッファ層を有す
るpinn+ タイプのダイオードでも同様である。一
方、従来のダイオードで片側のエミッタのみ微細構造を
有する場合は、これらの効果がほぼ半減するので、逆回
復電荷は本発明の場合に比べ低減できない。
細接合構造をとり入れたことを大きな特徴とするが、カ
ソード側構造はフォトリソグラフィー等の公知の技術を
用いて形成できる。アノード層側については、例えば4
500V等の高耐圧を狙った場合、1〜2μmの浅い接
合(shallow Junction)では制作不可
能である。その製造方法として、高耐圧構造であり、微
細pエミッタ(pE)構造を実現するのに通常の拡散工
程を用いたプロセスを説明する。
6の基板片面に、p+ 層からなるボロン層をデポジショ
ン形成する。一般的に、この層はあまりに高濃度である
と、当初の目的構造が得られないため、酸化を実施し、
nベース層6の基板表面の濃度を下げる。酸化によりボ
ロン高濃度層はこのプロセスにより酸化膜中に吸収され
るので表面に固溶度近く、−1021cm -3 にデポされ
たボロンデポジション層中のボロン濃度は桁違いに低減
される(図24)。もちろんこの工程はイオン注入及び
減圧ボロンデポジション工程においては省略できること
はいうまでもない。
に先の酸化膜を用いてボロン層を選択的にデポし、図2
6にてドライブイン工程を行う。このようにしてpエミ
ッタ層(pE )の濃度に差のついた、所定の構造を形成
することができる。
n型の第1の実施例、図2はpin型の第2実施例に相
当する。
し、nエミッタ(nE )側表面より10μmの深さの位
置にプロトンもしくはヘリウム照射を実施したダイオー
ド構造である。図1の構造的特徴は逆回復時のキャリア
消滅を効果的に促進することにある。図21中空乏層端
とnエミッタ(nE )間のキャリアを、H+ 照射により
形成したフレンケル欠陥と呼ばれるキャリアの再結合中
心により処理することで所望の逆回復特性を得られる。
層を有し、高抵抗のnベース層を有するpin型素子の
場合である。nバッファ層は例えば1×1016cm-3の
薄いn層をエピタキシャル成長等で形成する。動作はp
n型と同様である。
構造例をそれぞれ図3乃至4及び図5乃至6に示す。即
ち、図3及び図4は実施例1の構造を4500V耐圧の
ダイオードとして試作した時の断面構造例及びアノード
側表面構造例であり、図5及び図6は実施例2の構造を
4500V耐圧のダイオードとして試作した時の断面構
造例及びアノード側表面構造例である。
Vダイオード構造が示されており、カソードnE 下5μ
m位置にH+ 照射(5×1012cm-2)し、かつ全面に
γ線照射(3MR▲o▼ntgen)した場合に相当す
る。
00Vダイオード構造が示されており、カソードnE 下
5μm位置にH+ 照射(5×1012cm-2)し、かつ全
面にγ線照射(3MR▲o▼ntgen)した場合に相
当する。
ッタ(nE )層(5)(深さ約5μm)よりさらに5μ
m程度深い位置に1.3MeVで照射を行う。ライフタ
イムコントロールした本発明の高速ダイオードをSIサ
イリスタ等に逆並列に接続構成とした逆導通SIサイリ
スタも実現できる。
ドにおいて従来の全面アノード層及び全面カソード層を
有する構造に対してAu拡散によりライフタイムを制御
したダイオードに比較して本発明の図1の構造において
H+ 照射した場合と比べると、図27に示す如く順方向
電流電圧特性に差が生じた。
順方向電圧降下が減少する負の温度特性であるのに対し
て、本発明では正の温度特性を有する。従って、本発明
は特に高電流域のスイッチングにおいて熱暴走しにくい
と考えられる。図27乃至図29は本発明の試作ダイオ
ードの実験結果である。図27は順方向電流電圧特性、
図28は逆方向耐圧特性、図29ターンオフ時のスイッ
チング波形である。
逆方向耐圧特性上本発明の場合、従来のリーク電流値に
比較して、桁違いにリーク電流の値が少ないことがわか
る。従来例と本発明の2つのタイプを比較した結果を表
1に示す。逆回復電荷量Qrrと合格率を示す。図29に
示す条件(1250V,100A,125℃,di/d
t=500(A/μs)におけるスイッチング試験にお
いて、表1に示すような高di/dt、高dv/dtに
もかかわらず、本発明の耐量は比較的に高いことがわか
る。
オードの模式的断面構造図
イオードの模式的断面構造図
オード)
イオード)
図
動作時)
ギーバンド図
状態を示す図
説明する図
リアの動きを説明する図
ダイオードの一例
ダイオードの一例
来の高速ダイオードの一例
ドの一例
ドの他の例
ドの更に別の構造例
を交互に設ける構造例
示したもの 12 pE 層(p) 13 nバッファ層
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体基板内に次の接合構造を有する高
速ダイオードであって、 (i)アノード(pE )全面にp型半導体層を薄く設けた
上、波状のp+ 層を均一にくり返し設け、 (ii)更に、カソード側n型半導体層(nE 層)を同様に
波状に均一にくり返し設けて2重の波形エミッタ構造を
基板に形成し、基板抵抗率が高くアノードカソード間が
pin構造を有する場合には最大逆方向耐圧印加時、ア
ノードカソード間の基板内に空乏層が全面に広がり、か
つ繰り返しnE 層に全面nバッフア層を設けたことを特
徴とする高速ダイオード。 - 【請求項2】 更に、上記2重の波形エミッタ構造を有
する基板のカソード側にプロトンもしくはヘリウム等の
イオン打込みを行ったことを特徴とする請求項1記載の
高速ダイオード。 - 【請求項3】 更に、電子線もしくはγ線照射を行った
ことを特徴とする請求項1記載の高速ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5273170A JP2851026B2 (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 高速ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5273170A JP2851026B2 (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 高速ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07106605A true JPH07106605A (ja) | 1995-04-21 |
JP2851026B2 JP2851026B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=17524079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5273170A Expired - Lifetime JP2851026B2 (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | 高速ダイオード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2851026B2 (ja) |
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