JPS6074443A - pn接合半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
pn接合半導体素子及びその製造方法Info
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- JPS6074443A JPS6074443A JP59134989A JP13498984A JPS6074443A JP S6074443 A JPS6074443 A JP S6074443A JP 59134989 A JP59134989 A JP 59134989A JP 13498984 A JP13498984 A JP 13498984A JP S6074443 A JPS6074443 A JP S6074443A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 235000011389 fruit/vegetable juice Nutrition 0.000 claims 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000406668 Loxodonta cyclotis Species 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005264 electron capture Effects 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/26—Bombardment with radiation
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
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- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1004—Base region of bipolar transistors
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- H01L29/1012—Base regions of thyristors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、少くとも1個のpn接合と、ペース層の深さ
が厳密に局限されたイオンとを有する半導体素子及びそ
の製造方法に関する。
が厳密に局限されたイオンとを有する半導体素子及びそ
の製造方法に関する。
電力用半導体素子−タイオード、トランジスタ、4層構
造−においては、素子の周波数限界に対して逆方向回復
時間、連断時間又はタンオフ時間が決定的である。従っ
てこの時間をなるべく短縮するように努力がなされてい
る。ところが在来の手段によるタンオフ時間の減少は必
ず他の決定的な・ぐラメータ、すなわち電流増幅、漏れ
電流、順方向電圧降下を阻害することが判明した。
造−においては、素子の周波数限界に対して逆方向回復
時間、連断時間又はタンオフ時間が決定的である。従っ
てこの時間をなるべく短縮するように努力がなされてい
る。ところが在来の手段によるタンオフ時間の減少は必
ず他の決定的な・ぐラメータ、すなわち電流増幅、漏れ
電流、順方向電圧降下を阻害することが判明した。
例えば米国特許公報第3943549号及び米国特許公
報第31377997号で公知のように、サイリスタの
タンオフ時間は少数キャリアの寿命によって、またそれ
と共にベースの再結合中心の数によって決まる。この再
結合中心の注入は、例えば深い中心を発生する物質、例
えは金、白金、ニッケルの拡散によシ、若しくは電子又
はγ線又はX綜量子の照射により、行われる。それによ
って発生・再結合中心が生じ、−無視できる偏移は別と
して一均質に、特に素子の層の厚みに均一に分布する。
報第31377997号で公知のように、サイリスタの
タンオフ時間は少数キャリアの寿命によって、またそれ
と共にベースの再結合中心の数によって決まる。この再
結合中心の注入は、例えば深い中心を発生する物質、例
えは金、白金、ニッケルの拡散によシ、若しくは電子又
はγ線又はX綜量子の照射により、行われる。それによ
って発生・再結合中心が生じ、−無視できる偏移は別と
して一均質に、特に素子の層の厚みに均一に分布する。
この再結合中心は密度N、(N、の単位= cm−5)
、禁止帯にあるエネルギ単位ET(ETの単位=eV)
及び電子捕獲(トラッf)定数Cn正孔捕獲定数C,(
Cn、、の単位== tyn−’・5−1)によって特
徴づけられる。これらの量によってサイリスタの3つの
重要な特性、すなわち洩れ電流■8、タンオフ時間τ、
及び順方向電圧降下UTが決まる。すなわち (3)τH1−τp+で。
、禁止帯にあるエネルギ単位ET(ETの単位=eV)
及び電子捕獲(トラッf)定数Cn正孔捕獲定数C,(
Cn、、の単位== tyn−’・5−1)によって特
徴づけられる。これらの量によってサイリスタの3つの
重要な特性、すなわち洩れ電流■8、タンオフ時間τ、
及び順方向電圧降下UTが決まる。すなわち (3)τH1−τp+で。
が成り立つ。式(1)及び(2)で町は真性伝導フェル
ミ・エネルギ(E、の単位=ev)、EFはシリコンの
フェルミエネルギ(E、の単位= eV )である。
ミ・エネルギ(E、の単位=ev)、EFはシリコンの
フェルミエネルギ(E、の単位= eV )である。
式(3)にはff1N、−Cn=τ訂1とN丁Cp=τ
、−1が導入されている。
、−1が導入されている。
そこで洩れm、流IR(I、の単位=A)は(4) i
、==q、n、 −A−w7’τ8cを介して、発生寿
命τIIcから導き出される。
、==q、n、 −A−w7’τ8cを介して、発生寿
命τIIcから導き出される。
式(4)で
q:素電荷(qの単位=A8)
n :シリコン真性伝導密度(町の単位=Crn)A二
横断面の而m(Aの単位= an2)W:空間電荷深さ
くWの単位=crn、)タンオフ時間(125℃で測定
)に対して、低注入寿命τ1□との間に近似的関保 (5)τq(125℃)=8τLl(25℃)が成シ立
つ。最終に、順方向電圧降下UTはサイリスタの順方向
特性 から確かめられる。式(6)で W−ペースの長さくWの単位=、> U=順方向電圧降下(Uの単位=v) k=セルツマンσ)9杓 T=温度(Tの単位=k) を表す。
横断面の而m(Aの単位= an2)W:空間電荷深さ
くWの単位=crn、)タンオフ時間(125℃で測定
)に対して、低注入寿命τ1□との間に近似的関保 (5)τq(125℃)=8τLl(25℃)が成シ立
つ。最終に、順方向電圧降下UTはサイリスタの順方向
特性 から確かめられる。式(6)で W−ペースの長さくWの単位=、> U=順方向電圧降下(Uの単位=v) k=セルツマンσ)9杓 T=温度(Tの単位=k) を表す。
これより次のことが明らかである。発生・?li結合中
心の数NTの増加によって少数キャリア寿命Tn=(C
n ” 14 T ) 及びτ −(C,#I’l、、
) ’が低1:スルと共eこ、式(2)により低注入前
≦1)τLlの低ト、又は式(5)VCよりタンオフ時
間τ9の所望の低下が?5jらiしる。ところが式(1
)及び(3)が示1′とヒろ((=よれは、そ〕1.と
平行して発生寿命τ8c及び高注入時定数τ5,1の低
下が必然的に起こる。式(4)及(,1・(6)にまれ
tf 、それは素イの4J様を超える、洩ノー、電流と
111目方向電圧低土の増加を:意味゛ノーる。[均質
なJj4(射の条件苓、−イ♀持しながしン、タ/オノ
1′:?間゛を減少することtJ二、もっばら式(1)
、(2ン、(゛りの1旨数項VCよって達成さfl、る
。推定によね【、11、技術的応用範囲しこ則し−し必
要争件τ。’;21. f)it It 8及υ・?−
<0.5μsが成り立つ。また喀々E、又はに: 、幻
1外 − でなければ々らない。この極端な要求を満足する再結合
中心の有無につい王の研究心づ、少くとも十分な実験的
結果をもたらさな〃・りだ、全く別の解決策が米Lr1
l q”;j許公報第4311534号により公知であ
る。それによれば、素子に対して垂直に差向けられた、
エネルギ範囲’2 < 10MeVの浸素イオン、α粒
子又はプロトンの照射は、アノード・n−ペース接合の
空間電荷領域tこ、深さが厳笛に局限さjLだ111結
合中心の発生をもたらす。必鉄な浸透深さが得られる加
速装置が外いとすれば、大きな質量(分子量16以上)
のイオンの使用は技術的理由から断念しなければならガ
い。電気的及び化学的活性を有するイオンは、この公知
の先行技術により、ば、いずれにしても論外であるとい
う(前掲個所4段7ないし30行)。
心の数NTの増加によって少数キャリア寿命Tn=(C
n ” 14 T ) 及びτ −(C,#I’l、、
) ’が低1:スルと共eこ、式(2)により低注入前
≦1)τLlの低ト、又は式(5)VCよりタンオフ時
間τ9の所望の低下が?5jらiしる。ところが式(1
)及び(3)が示1′とヒろ((=よれは、そ〕1.と
平行して発生寿命τ8c及び高注入時定数τ5,1の低
下が必然的に起こる。式(4)及(,1・(6)にまれ
tf 、それは素イの4J様を超える、洩ノー、電流と
111目方向電圧低土の増加を:意味゛ノーる。[均質
なJj4(射の条件苓、−イ♀持しながしン、タ/オノ
1′:?間゛を減少することtJ二、もっばら式(1)
、(2ン、(゛りの1旨数項VCよって達成さfl、る
。推定によね【、11、技術的応用範囲しこ則し−し必
要争件τ。’;21. f)it It 8及υ・?−
<0.5μsが成り立つ。また喀々E、又はに: 、幻
1外 − でなければ々らない。この極端な要求を満足する再結合
中心の有無につい王の研究心づ、少くとも十分な実験的
結果をもたらさな〃・りだ、全く別の解決策が米Lr1
l q”;j許公報第4311534号により公知であ
る。それによれば、素子に対して垂直に差向けられた、
エネルギ範囲’2 < 10MeVの浸素イオン、α粒
子又はプロトンの照射は、アノード・n−ペース接合の
空間電荷領域tこ、深さが厳笛に局限さjLだ111結
合中心の発生をもたらす。必鉄な浸透深さが得られる加
速装置が外いとすれば、大きな質量(分子量16以上)
のイオンの使用は技術的理由から断念しなければならガ
い。電気的及び化学的活性を有するイオンは、この公知
の先行技術により、ば、いずれにしても論外であるとい
う(前掲個所4段7ないし30行)。
本発明の目的とするところは、半導体素子の遮断又はタ
ンオフ時間の短縮をもたらすと共に、他の主要なパラメ
ータを阻害しない措置を−示すことである。冒頭に挙げ
た種類の素子において、本発明に基づき真性及び外因性
欠陥のだめの再結合中発生中心として注入さノLだ、任
意の原子量の、化学的ないしは電気的活性イオンによっ
て、」二記の目的が達成される。本発明の特に好適々実
施態杼(d、n−ペースに注入したイ;Aンである。
ンオフ時間の短縮をもたらすと共に、他の主要なパラメ
ータを阻害しない措置を−示すことである。冒頭に挙げ
た種類の素子において、本発明に基づき真性及び外因性
欠陥のだめの再結合中発生中心として注入さノLだ、任
意の原子量の、化学的ないしは電気的活性イオンによっ
て、」二記の目的が達成される。本発明の特に好適々実
施態杼(d、n−ペースに注入したイ;Aンである。
本発明にとって本質的に重要なの(」゛、外因性の欠陥
及び不純物、特に外因性及び真性欠陥の混合形態も適用
すること力;でき、初めに本発明に基づ0」を適用せず
に製造六〕7た素子が、後で少くとも若干改善さ11る
ことでがろ7.−例えば上記米国市許公報第43]]!
”i34号からしげしげ明確に察知されるよう(Fl−
化学的及び電気的に不活性なイオンに限られていると−
1)1ば、再結合中I[)として真性欠陥を発生するこ
としかできない。そノ1&でよって半導体材料、例えば
シリコンの禁止帯の、適用可能を深いエネルギ1ノベル
とトラップ ることになる。
及び不純物、特に外因性及び真性欠陥の混合形態も適用
すること力;でき、初めに本発明に基づ0」を適用せず
に製造六〕7た素子が、後で少くとも若干改善さ11る
ことでがろ7.−例えば上記米国市許公報第43]]!
”i34号からしげしげ明確に察知されるよう(Fl−
化学的及び電気的に不活性なイオンに限られていると−
1)1ば、再結合中I[)として真性欠陥を発生するこ
としかできない。そノ1&でよって半導体材料、例えば
シリコンの禁止帯の、適用可能を深いエネルギ1ノベル
とトラップ ることになる。
本発明の利点は一既(tこ別様に処胛ン驚)1,でいな
い素子の場合=!侍に3つσ戸?ラメータ、クン、1フ
時間/順方向電圧降下/漏ノ1,電流又(・」逆゛眠流
にオイて、これらの量のそれぞれを他の/Pラメータに
にとんと無関係に最適化できることである@換口すれば
、タンオフ時間の減少が不可避的に他の・ぞラメータの
悪化を覚悟することと、もはや結びつかないのである。
い素子の場合=!侍に3つσ戸?ラメータ、クン、1フ
時間/順方向電圧降下/漏ノ1,電流又(・」逆゛眠流
にオイて、これらの量のそれぞれを他の/Pラメータに
にとんと無関係に最適化できることである@換口すれば
、タンオフ時間の減少が不可避的に他の・ぞラメータの
悪化を覚悟することと、もはや結びつかないのである。
従って上記の半導体素子の止!!.造の時に既に、この
よう々最適化を行わなりればならないことはもちろんで
ある。こiLに特に適合する製造方法は、本発明に基づ
きイオンの種類、浸透深さ及び注入の輪郭に応じて選定
するエネルギを有する、化学的ないしは電気的に活性な
イオンの、素子に対して垂jαの照射による注入と、続
いて少くとも4 0 0 ’U 。
よう々最適化を行わなりればならないことはもちろんで
ある。こiLに特に適合する製造方法は、本発明に基づ
きイオンの種類、浸透深さ及び注入の輪郭に応じて選定
するエネルギを有する、化学的ないしは電気的に活性な
イオンの、素子に対して垂jαの照射による注入と、続
いて少くとも4 0 0 ’U 。
最高9()0℃の温度で少くとも1()分間、好ましく
は30分間にわ7ビる素子の熱処理とを71!i徴とす
る。また・fオン放射の側部をピンホール絞シで制限す
ることができろ。最小又は最適熱処理時間を超える熱処
理は問題ない,、また熱処理はレーダ°光線ないしは電
子線!/(: 、lニジ急速熱処理として、極めて短い
時間で行うことが好ましい。
は30分間にわ7ビる素子の熱処理とを71!i徴とす
る。また・fオン放射の側部をピンホール絞シで制限す
ることができろ。最小又は最適熱処理時間を超える熱処
理は問題ない,、また熱処理はレーダ°光線ないしは電
子線!/(: 、lニジ急速熱処理として、極めて短い
時間で行うことが好ましい。
ところで、利用TjJ能なイオン加速装置においてL“
1− 工f. ル:?’ G− r/’.’ lへai
? 1111 ヤ白 山rrt”3J Bコ−4− y
>とができるから、イオンの種類と線量、所望の浸透
深さ、すなわちn−ペース内部のイオン注入輪郭の平均
位置、及びイオン注入輪郭自体の選択に、事実上制限は
ない。乙のために−それ自体公知のように一約20μm
の半値幅が得られる。
1− 工f. ル:?’ G− r/’.’ lへai
? 1111 ヤ白 山rrt”3J Bコ−4− y
>とができるから、イオンの種類と線量、所望の浸透
深さ、すなわちn−ペース内部のイオン注入輪郭の平均
位置、及びイオン注入輪郭自体の選択に、事実上制限は
ない。乙のために−それ自体公知のように一約20μm
の半値幅が得られる。
線量は約lO12イオン/cfnを超えてはならない。
素子の後続の熱処理は後の使用特性に対して本質的な影
響を与える。特に真性再結合中心の、他の場合に生じる
自己治癒が、これによって阻止される。むしろドーグさ
れたイオンの電気的活性化が生じるのである。イオンは
シリコンの格子構造に安定に組み入れられ、それによっ
てパックグラウンド・ドーピングのように遮断時間特性
に影響を及はす。
響を与える。特に真性再結合中心の、他の場合に生じる
自己治癒が、これによって阻止される。むしろドーグさ
れたイオンの電気的活性化が生じるのである。イオンは
シリコンの格子構造に安定に組み入れられ、それによっ
てパックグラウンド・ドーピングのように遮断時間特性
に影響を及はす。
このようにして本発明に基づく製造方法の実Mr4態様
にとって、次の措置が肝要である。化学的ないしは電気
的活性イオンを側部制限イτ1き又は無しのイオン加速
装置にょシ、いずれKせよ深さを厳密に局限して、素子
のn−ペースに注入し、それによって純粋な又は結合性
の真性乃rド外因悼欠陥を発生ずる。イオン注入の後、
熱処理によって才子を安定化する。
にとって、次の措置が肝要である。化学的ないしは電気
的活性イオンを側部制限イτ1き又は無しのイオン加速
装置にょシ、いずれKせよ深さを厳密に局限して、素子
のn−ペースに注入し、それによって純粋な又は結合性
の真性乃rド外因悼欠陥を発生ずる。イオン注入の後、
熱処理によって才子を安定化する。
第1のMrlによって、一方では欠陥中11ノの厳密な
局限と、他方では注入さハた杓結酋中心のエイ、ルギ準
位又は捕獲確率の最3@な選択という2つの利点が統合
される。第2の措置は、素子の長時間安定化をもたらす
。注入は、例えば10 MeV以上の最終エネルギと十
分な電流強きのイオン加速装置によって行シことができ
る。
局限と、他方では注入さハた杓結酋中心のエイ、ルギ準
位又は捕獲確率の最3@な選択という2つの利点が統合
される。第2の措置は、素子の長時間安定化をもたらす
。注入は、例えば10 MeV以上の最終エネルギと十
分な電流強きのイオン加速装置によって行シことができ
る。
イオンのエネルーY1線量及び鉦類又は熱処理の温度、
時間及びガスの選択は、経験的に行うことができる。そ
のft、めにエネルギを一定して、順方向電圧、タンオ
フ時間(又は逆方向回り電荷)及び漏れ電流を注入量の
関数とし、で測定する。測定は、pペースと−1ノード
側pn接合領域の間に欠陥最大層をもたら1エイ・ルギ
領域に対して反復さiする。θ(に素子を約30分の固
定期間の間、欠陥全治ガス(例えば化成ガス、水素)の
中で約400 ℃ないし9C)0℃の範囲の温度にさら
す。
時間及びガスの選択は、経験的に行うことができる。そ
のft、めにエネルギを一定して、順方向電圧、タンオ
フ時間(又は逆方向回り電荷)及び漏れ電流を注入量の
関数とし、で測定する。測定は、pペースと−1ノード
側pn接合領域の間に欠陥最大層をもたら1エイ・ルギ
領域に対して反復さiする。θ(に素子を約30分の固
定期間の間、欠陥全治ガス(例えば化成ガス、水素)の
中で約400 ℃ないし9C)0℃の範囲の温度にさら
す。
本発明の実施態様では遮断時間又はタンオフ時間が、少
なくとも係数2だけ低゛減された。それ故、本発明に基
づき上記の半導体素子を高速電力用ダイオード、電力用
トランゾスタ又は高速周波数サイリスタとして使用する
ことが好ましいり 適当なサイリスタの性質につめては「第12回ヨーロッ
・卆・ソリッドステート装置研究会議」ESSDERC
82及びr1982年第7回ソリッドステート装置技術
シンポソウム」1982年9月13〜16日(会議資料
121−122員を参照)の場で報告された。
なくとも係数2だけ低゛減された。それ故、本発明に基
づき上記の半導体素子を高速電力用ダイオード、電力用
トランゾスタ又は高速周波数サイリスタとして使用する
ことが好ましいり 適当なサイリスタの性質につめては「第12回ヨーロッ
・卆・ソリッドステート装置研究会議」ESSDERC
82及びr1982年第7回ソリッドステート装置技術
シンポソウム」1982年9月13〜16日(会議資料
121−122員を参照)の場で報告された。
次に図面に基づいて、本発明の実施態様を更に詳細に説
明する。
明する。
第1図は製造中の、すなわちすべての層が既に作製され
、ドーピング段階が行われたが、金属化、接続端子、被
覆又は不動態化がまだない段階のサイリスタの代表的な
例を示す。この素子を高エネルギイオン加速装置のイオ
ン放射にさらした後(第2図も参照)、n−ベースの、
破線で示[突した区域に、深さが鮮鋭に局限されたイオ
ンがあり、このイオンによって素子に小寿命ギヤリア領
域が発生した。
、ドーピング段階が行われたが、金属化、接続端子、被
覆又は不動態化がまだない段階のサイリスタの代表的な
例を示す。この素子を高エネルギイオン加速装置のイオ
ン放射にさらした後(第2図も参照)、n−ベースの、
破線で示[突した区域に、深さが鮮鋭に局限されたイオ
ンがあり、このイオンによって素子に小寿命ギヤリア領
域が発生した。
第2図で明らかなように、素子例えばサイリスタの表向
におおむね垂直に差向けられたビーム2の中のイオンが
素子IK到達する。複数個の上記素子1′f:タレット
3に取付け、又は例えばカセット交換装置を介して照射
場所に置くことができる。素子1のホルダーは加熱又は
冷却可能であることが好ましい。その実施例としてコイ
ル管5の一部を示す。コイル管5の中に冷却剤が循環さ
れ、又は電熱コイル線等がある。
におおむね垂直に差向けられたビーム2の中のイオンが
素子IK到達する。複数個の上記素子1′f:タレット
3に取付け、又は例えばカセット交換装置を介して照射
場所に置くことができる。素子1のホルダーは加熱又は
冷却可能であることが好ましい。その実施例としてコイ
ル管5の一部を示す。コイル管5の中に冷却剤が循環さ
れ、又は電熱コイル線等がある。
照射時の最適温度は経験的に確かめる。
被照射素子lの一部、特に例えばその縁端区域は、例え
ばシリコン、アルミニウムまたは類似の材料の、十分に
厚いピンホール絞シ4で隠蔽することができる。絞シ4
は例えば−1kV屯圧VC接続される。イオン放#J2
は集束し、又は振動しつつ素子1に送ることができる。
ばシリコン、アルミニウムまたは類似の材料の、十分に
厚いピンホール絞シ4で隠蔽することができる。絞シ4
は例えば−1kV屯圧VC接続される。イオン放#J2
は集束し、又は振動しつつ素子1に送ることができる。
イオン/7−1浩頻を1釈1−洛e l −+ 24−
縛りの面端3 照射時間及びイオン電荷状態を考慮して
、ビーム電流を積分することによシイオン線景が検出さ
れる。
縛りの面端3 照射時間及びイオン電荷状態を考慮して
、ビーム電流を積分することによシイオン線景が検出さ
れる。
照射された素子1の熱処理は、例えば照射の後、即刻行
うととができる。これはタレット、7、カセット交換装
置等の場合、後続位置の1つで行うか又は開始し、若し
くは処理条件がイオン注入後の熱処理の処理条件と両立
するならば、金属焼結又は素子1に加えられるその他の
高副処理と同一の単位工程で行う。
うととができる。これはタレット、7、カセット交換装
置等の場合、後続位置の1つで行うか又は開始し、若し
くは処理条件がイオン注入後の熱処理の処理条件と両立
するならば、金属焼結又は素子1に加えられるその他の
高副処理と同一の単位工程で行う。
続いて標準的方法により、部品1を完成する。
第3図に示す素子1、すなわちサイリスタのn−ペース
には、その深さXで照射方向に対して垂直に浸透し、厳
密に局限して注入さハ、た・iAンの輪廓6が示されて
いる。最大の両側で濃度が極めて急激に低下し、測定技
術的にもはや検出し得ない値となる。深さXの絶対値は
、自由に選定することができる。つまり、原則としてこ
の図は、半導体材料や選択するイオンの種類にかかわシ
なく成立する訳である。
には、その深さXで照射方向に対して垂直に浸透し、厳
密に局限して注入さハ、た・iAンの輪廓6が示されて
いる。最大の両側で濃度が極めて急激に低下し、測定技
術的にもはや検出し得ない値となる。深さXの絶対値は
、自由に選定することができる。つまり、原則としてこ
の図は、半導体材料や選択するイオンの種類にかかわシ
なく成立する訳である。
半導体内のイオンの輪郭とその位置は、そこにイオンを
注入した結果化じた、半導体の「欠陥」と考えられる。
注入した結果化じた、半導体の「欠陥」と考えられる。
後熱処理をしない、56MθV注入によるシリコン中の
ホウ素のプロファイルを第4図に示す・シリコン・ウェ
ー・03つの異なる場所で測定した。1.00 %の欠
陥は、電子回折において「無定形環」の出現に相当する
。浸透深さXは加速装置のエネルギとイオン及び基質の
質景に関係するから、それに応じてイオン輪郭をス1定
することができる。このように厳密な局限に対(2て、
約20μmのイオン輪郭の半値幅が普通である。
ホウ素のプロファイルを第4図に示す・シリコン・ウェ
ー・03つの異なる場所で測定した。1.00 %の欠
陥は、電子回折において「無定形環」の出現に相当する
。浸透深さXは加速装置のエネルギとイオン及び基質の
質景に関係するから、それに応じてイオン輪郭をス1定
することができる。このように厳密な局限に対(2て、
約20μmのイオン輪郭の半値幅が普通である。
ペース層の厚さXにわたるキャリア濃度n/n−の推移
の各々4つの離散的時点で示した、第5図と第6図の線
図、すなわちイオンを注入しない素子に相当する第5図
と、イオンを注入した素子に相当する第6図を比較する
ことによ、!l)(当該の線図の下に示す層列も参照)
、ペース層の小寿命キャリア領域7によるスイッチーン
グ速度の増加に関する機能が明瞭である。極めて薄く、
電流流れ方向に対して垂直に伸張するこの領域7は、初
めに一1=0及びt=O,OFIの時−このような領域
がない素子と比較1−1でギヤリア濃度の僅かな増加を
もたらすが、短時間後に既、に−t=0.2τの時−特
に隣接のp ”−梠との境宥で、著1−7〈小さな値を
もたらず。こlll′lV(交1し、マ小得命キャリア
領切7がガい素子では、この」、うな領域がある素子な
らば新しいクイ1.ヂングリーイクルが始まる時点t=
τで、虜だかなりの=S= 、? IJア濃、度が存在
する。力お、このエリ、象についで、当該の割qの理論
的結果としてで仁1、弗)るが、1IIEEE Tra
nsuctlonFIof Electron I)p
virrs” ED30巻7号(1983年7月)78
2ないし−79(1頁でも報告されている。
の各々4つの離散的時点で示した、第5図と第6図の線
図、すなわちイオンを注入しない素子に相当する第5図
と、イオンを注入した素子に相当する第6図を比較する
ことによ、!l)(当該の線図の下に示す層列も参照)
、ペース層の小寿命キャリア領域7によるスイッチーン
グ速度の増加に関する機能が明瞭である。極めて薄く、
電流流れ方向に対して垂直に伸張するこの領域7は、初
めに一1=0及びt=O,OFIの時−このような領域
がない素子と比較1−1でギヤリア濃度の僅かな増加を
もたらすが、短時間後に既、に−t=0.2τの時−特
に隣接のp ”−梠との境宥で、著1−7〈小さな値を
もたらず。こlll′lV(交1し、マ小得命キャリア
領切7がガい素子では、この」、うな領域がある素子な
らば新しいクイ1.ヂングリーイクルが始まる時点t=
τで、虜だかなりの=S= 、? IJア濃、度が存在
する。力お、このエリ、象についで、当該の割qの理論
的結果としてで仁1、弗)るが、1IIEEE Tra
nsuctlonFIof Electron I)p
virrs” ED30巻7号(1983年7月)78
2ないし−79(1頁でも報告されている。
第11シlけサイリスクの横断面略図、第21’Zl
&:1被照射素子の配列の、一部載断し2だ側面図、第
3図は注入イオンの位置と輪郭を示1.. )eサイリ
スクの横断面略図、第4図はシリコン中のホウ素のfr
+ファイル、第5図及び第6図1イオン注入のない素子
第5図及びある素子第6図のキャリア濃度の時間的変化
の線図を示す。 1・・・半導体素子。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦11?I lf
u 51”0”13[1特許庁長官 志 賀 学 殿 1 事件の表示 特願昭59−134989号 2発明の名称 pnn接合半導体壬子びその製造方法 :3.補止をする者 事件との関係 粕許出願人 ブラウン°ゲパリ°ウント晦シー・アクチェングゼルシ
ャフト(Iンi’ t−s、) 71代、I′+1人 5 補正命令の日付 昭和59年9月25日 f) 補11:の幻蒙
&:1被照射素子の配列の、一部載断し2だ側面図、第
3図は注入イオンの位置と輪郭を示1.. )eサイリ
スクの横断面略図、第4図はシリコン中のホウ素のfr
+ファイル、第5図及び第6図1イオン注入のない素子
第5図及びある素子第6図のキャリア濃度の時間的変化
の線図を示す。 1・・・半導体素子。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦11?I lf
u 51”0”13[1特許庁長官 志 賀 学 殿 1 事件の表示 特願昭59−134989号 2発明の名称 pnn接合半導体壬子びその製造方法 :3.補止をする者 事件との関係 粕許出願人 ブラウン°ゲパリ°ウント晦シー・アクチェングゼルシ
ャフト(Iンi’ t−s、) 71代、I′+1人 5 補正命令の日付 昭和59年9月25日 f) 補11:の幻蒙
Claims (9)
- (1) 少なくとも1つのpn接合とペース層の深さ方
向に厳密に局限されたイオンを有する半導体素子におい
て、任意の原子量の化学的ないしは電気的活性イオンが
真性及び外因性欠陥のだめの再結合・発生中心として注
入さiシることを特徴とする半導体素子。 - (2) イオンがn−ペースに注入されることを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の半導体素子。 - (3) 電力用ダイオードとして使用されること’を特
徴とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載の半
導体素子。 - (4)電力用トランiスタとして使用されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項または第2項に記載の半導
体素子。 - (5)ザイリスタとしで使用されることを特徴とする特
許請求の範囲第1項ま/こは第2項に記載の半導体素子
。 - (6) 少なくとも1つのpn接合とペース層の深さ方
向に厳密に局限さり、たイオン7y有する?1′導体素
子をりr造する方法に」9いて、イメンの種類。 浸透深さ及び注入の輪郭に応じて選定されるエネルギを
有する、化学的々いしは正、気的に719性なイオンを
半導体素子に対して垂直に照射−4゛ることによって注
入し、続いて少なくとも4 fl OC,I汁大90
(1℃の温琲−で少なくとも1()分間、好寸しくは3
0分間にわたり半導体素子を熱処理することを特徴とす
る半導体素子の製造方法。 - (7) イオンがn−ペースに注入さ力、ることを特徴
とする特許請求の範囲第6項Vci己載の半導体素子の
製造方法。 - (8) イオンビームの側部をピンホール絞りによって
制限することを特徴とする% it’l肖+’l求のl
ii+。 門弟6項に記載の半導体素子の製造方法。 - (9) レーザ光線ないしは電子ビームの照射によって
急速熱処理することを特徴とする特#’r 請求の範囲
第6項また祉第8項のいずれか1つに記載の半導体素子
の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3323672.0 | 1983-07-01 | ||
DE3323672 | 1983-07-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6074443A true JPS6074443A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=6202839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59134989A Pending JPS6074443A (ja) | 1983-07-01 | 1984-06-29 | pn接合半導体素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0130457A1 (ja) |
JP (1) | JPS6074443A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6276556A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 高速静電誘導サイリスタ |
JPS62235782A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
JPS649658A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Gto thyristor |
JPH03129879A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 過電圧保護機能付半導体装置及びその製造方法 |
JPH07106605A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 高速ダイオード |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2171555A (en) * | 1985-02-20 | 1986-08-28 | Philips Electronic Associated | Bipolar semiconductor device with implanted recombination region |
US4766482A (en) * | 1986-12-09 | 1988-08-23 | General Electric Company | Semiconductor device and method of making the same |
DE19837944A1 (de) | 1998-08-21 | 2000-02-24 | Asea Brown Boveri | Verfahren zur Fertigung eines Halbleiterbauelements |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4151540A (en) * | 1977-12-08 | 1979-04-24 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High beta, high frequency transistor structure |
US4203780A (en) * | 1978-08-23 | 1980-05-20 | Sony Corporation | Fe Ion implantation into semiconductor substrate for reduced lifetime sensitivity to temperature |
US4318750A (en) * | 1979-12-28 | 1982-03-09 | Westinghouse Electric Corp. | Method for radiation hardening semiconductor devices and integrated circuits to latch-up effects |
US4338616A (en) * | 1980-02-19 | 1982-07-06 | Xerox Corporation | Self-aligned Schottky metal semi-conductor field effect transistor with buried source and drain |
US4311534A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-19 | Westinghouse Electric Corp. | Reducing the reverse recovery charge of thyristors by nuclear irradiation |
DE3117202A1 (de) * | 1981-04-30 | 1982-11-18 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren zum einstellen der lebensdauer der minoritaetsladungstraeger in halbleiterschaltern mit protonenstrahlen |
-
1984
- 1984-06-19 EP EP84106988A patent/EP0130457A1/de not_active Withdrawn
- 1984-06-29 JP JP59134989A patent/JPS6074443A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6276556A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 高速静電誘導サイリスタ |
JPH0531829B2 (ja) * | 1985-09-28 | 1993-05-13 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | |
JPS62235782A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-15 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
JPH0553073B2 (ja) * | 1986-04-07 | 1993-08-09 | Toyoda Chuo Kenkyusho Kk | |
JPS649658A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Gto thyristor |
JPH03129879A (ja) * | 1989-10-16 | 1991-06-03 | Toshiba Corp | 過電圧保護機能付半導体装置及びその製造方法 |
JPH07106605A (ja) * | 1993-10-05 | 1995-04-21 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 高速ダイオード |
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EP0130457A1 (de) | 1985-01-09 |
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