JP2012182404A - 半導体整流装置 - Google Patents
半導体整流装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012182404A JP2012182404A JP2011045935A JP2011045935A JP2012182404A JP 2012182404 A JP2012182404 A JP 2012182404A JP 2011045935 A JP2011045935 A JP 2011045935A JP 2011045935 A JP2011045935 A JP 2011045935A JP 2012182404 A JP2012182404 A JP 2012182404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- region
- type impurity
- electrode
- impurity region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 320
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 267
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 51
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 62
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 38
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 24
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 10
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/6606—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1602—Diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】ワイドギャップ半導体の第1導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが8μm以上のワイドギャップ半導体の第1導電型の半導体層と、半導体層表面に形成されるワイドギャップ半導体の第1導電型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域に挟まれて形成され、幅が15μm以上であるワイドギャップ半導体の第2導電型の第2の半導体領域と、第1および第2の半導体領域上に形成される第1の電極と、半導体基板の下面に形成される第2の電極と、を備えることを特徴とする半導体整流装置。
【選択図】図1
Description
本実施の形態の半導体整流装置は、ワイドギャップ半導体の第1導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが8μm以上のワイドギャップ半導体の第1導電型の半導体層と、半導体層表面に形成されるワイドギャップ半導体の第1導電型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域に挟まれて形成され、幅が15μm以上であるワイドギャップ半導体の第2導電型の第2の半導体領域と、第1および第2の半導体領域上に形成される第1の電極と、半導体基板の下面に形成される第2の電極と、を備える。
Vlat=0.3×Vdrift
の関係が成立する。
Vlat=0.89×Vdrift
の関係が成立する。
Vlat≧0.3×Vdrift
の関係を充足することが必要であり、
Vlat≧0.89×Vdrift
の関係を充足することが望ましい。
図12は、第1の実施の形態の変形例の半導体整流装置の模式的な断面図である。このMPSは、第1の電極24が、異なる材料で形成されるオーミック電極24aとショットキー電極24bで構成されること以外は第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、第1の実施の形態の半導体整流装置の構成に加え、少なくとも一部が第2のワイドバンドギャップ半導体領域に接続され、第2のワイドバンドギャップ半導体領域より幅の狭い第2導電型の第3のワイドバンドギャップ半導体領域を有する。この第3のワイドバンドギャップ半導体領域を備えること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、第2の半導体領域の表面形状が円形であること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、少なくとも一部が前記第2の半導体領域に接続され、第2の半導体領域より幅の狭いワイドギャップ半導体の第2導電型の第3の半導体領域を、さらに有すること以外は、第3の実施の形態と同様である。したがって、第3の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、第2の半導体領域と第3の半導体領域に囲まれ、第2の半導体領域および第3の半導体領域と第1の半導体領域を介して形成されるワイドギャップ半導体の第2導電型の第4の半導体領域を、さらに有すること以外は、第4の実施の形態と同様である。したがって、第4の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、第1の半導体領域と第1の電極との間に、第2の半導体領域より浅く、かつ、不純物濃度が低い第2導電型の第5の半導体領域を有すること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。なお、第1の電極と第5の半導体領域はショットキー接続している。
本実施の形態の半導体整流装置は、第1の電極と第5の半導体領域はオーミック接続していること以外は、第6の実施の形態と同様である。したがって、第6の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、第1の半導体領域と第1の電極との間に、第2の半導体領域より不純物濃度が低い第2導電型の第5の半導体領域を有し、第1の電極と第5の半導体領域との間に、第1導電型の第6の半導体領域を有し、第1の電極と第6の半導体領域とがオーミック接続していること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、第1の半導体領域と第1の電極との間に、第1の半導体領域より不純物濃度の高い第1導電型の第8の半導体領域を有すること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、第2の電極が、半導体基板ではなく半導体層の下面に設けられること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
12 SiC基板(半導体基板)
14 n−型SiC層(半導体層)
16 n型不純物領域(第1の半導体領域)
18 p+型不純物領域(第2の半導体領域)
20 リサーフ領域
22 絶縁膜
24 第1の電極
26 第2の電極
30 MPS
32 伝播領域(第3の半導体領域)
36 ホール吐き出し領域(第4の半導体領域)
40 p型不純物領域(第5の半導体領域)
42 n型不純物領域(第6の半導体領域)
44 n型不純物領域(第7の半導体領域)
Claims (16)
- ワイドギャップ半導体の第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが8μm以上のワイドギャップ半導体の第1導電型の半導体層と、
前記半導体層表面に形成されるワイドギャップ半導体の第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域に挟まれて形成され、幅が15μm以上であるワイドギャップ半導体の第2導電型の第2の半導体領域と、
前記第1および第2の半導体領域上に形成される第1の電極と、
前記半導体基板の下面に形成される第2の電極と、
を備えることを特徴とする半導体整流装置。 - 前記第2の半導体領域の表面形状が円形であることを特徴とする請求項1記載の半導体整流装置。
- 前記半導体層の厚さが20μm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体整流装置。
- 少なくとも一部が前記第2の半導体領域に接続され、前記第2の半導体領域より幅の狭いワイドギャップ半導体の第2導電型の第3の半導体領域を、さらに有することを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の半導体整流装置。
- 前記第2の半導体領域と前記第3の半導体領域に囲まれ、前記第2の半導体領域および前記第3の半導体領域と、前記第1の半導体領域を介して形成されるワイドギャップ半導体の第2導電型の第4の半導体領域を、さらに有することを特徴とする請求項1ないし請求項4いずれか一項記載の半導体整流装置。
- 前記第4の半導体領域の接合深さが、前記第2の半導体領域および前記第3の半導体領域の接合深さよりも深いことを特徴とする請求項1ないし請求項5いずれか一項記載の半導体整流装置。
- 前記第1の電極と前記第1の半導体領域とはショットキー接続しており、
前記第1の電極と前記第2の半導体領域とはオーミック接続していることを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項記載の半導体整流装置。 - 前記第1の電極と前記第1の半導体領域とはショットキー接続しており、
前記第1の電極と前記第2の半導体領域とはオーミック接続しており、
前記第1の電極と前記第3の半導体領域とはオーミック接続していることを特徴とする請求項4記載の半導体整流装置。 - 前記ワイドバンドギャップ半導体が炭化珪素(SiC)であることを特徴とする請求項1ないし請求項8いずれか一項記載の半導体整流装置。
- 前記第1の半導体領域と前記第1の電極との間に、前記第2の半導体領域より浅く、かつ、不純物濃度が低い第2導電型の第5の半導体領域を有することを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項記載の半導体整流装置。
- 前記第1の電極と前記第5の半導体領域がショットキー接続していることを特徴とする請求項10記載の半導体整流装置。
- 前記第1の電極と前記第5の半導体領域がオーミック接続していることを特徴とする請求項10記載の半導体整流装置。
- 前記第1の電極と前記第5の半導体領域との間に、第1導電型の第6の半導体領域を有し、前記第1の電極と前記第6の半導体領域とがオーミック接続していることを特徴とする請求項10記載の半導体整流装置。
- 前記第1の半導体領域と前記第1の電極との間に、前記第1の半導体領域より不純物濃度の高い第1導電型の第7の半導体領域を有することを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項記載の半導体整流装置。
- 不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが8μm以上のワイドギャップ半導体の第1導電型の半導体層と、
前記半導体層表面に形成されるワイドギャップ半導体の第1導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域に挟まれて形成され、幅が15μm以上であるワイドギャップ半導体の第2導電型の第2の半導体領域と、
前記第1および第2の半導体領域上に形成される第1の電極と、
前記半導体層の下面に形成される第2の電極と、
を備えることを特徴とする半導体整流装置。 - 前記第2の半導体領域の表面形状が円形であることを特徴とする請求項15記載の半導体整流装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011045935A JP5306392B2 (ja) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | 半導体整流装置 |
US13/220,107 US8841683B2 (en) | 2011-03-03 | 2011-08-29 | Semiconductor rectifier device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011045935A JP5306392B2 (ja) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | 半導体整流装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012182404A true JP2012182404A (ja) | 2012-09-20 |
JP5306392B2 JP5306392B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=46752778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011045935A Active JP5306392B2 (ja) | 2011-03-03 | 2011-03-03 | 半導体整流装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8841683B2 (ja) |
JP (1) | JP5306392B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002057A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、パワーモジュール、電力変換装置、3相モータシステム、自動車、並びに鉄道車両 |
JP2016171293A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10181532B2 (en) * | 2013-03-15 | 2019-01-15 | Cree, Inc. | Low loss electronic devices having increased doping for reduced resistance and methods of forming the same |
DE102013210546A1 (de) * | 2013-06-06 | 2014-12-11 | Robert Bosch Gmbh | Hochspannungs-Trench-Junction-Barrier-Schottkydiode mit p-Schichten unter dem Schottky-Kontakt |
KR20150014641A (ko) * | 2013-07-30 | 2015-02-09 | 서울반도체 주식회사 | 질화갈륨계 다이오드 및 그 제조 방법 |
JP6415946B2 (ja) * | 2014-11-26 | 2018-10-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
CN106158982B (zh) * | 2015-04-08 | 2019-02-05 | 瀚薪科技股份有限公司 | 碳化硅接面能障萧特基整流器 |
CN107924953B (zh) | 2015-07-03 | 2019-09-27 | Abb瑞士股份有限公司 | 具有增强的浪涌电流能力的结势垒肖特基二极管 |
JP6786956B2 (ja) | 2016-08-25 | 2020-11-18 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
DE102016013542A1 (de) * | 2016-11-14 | 2018-05-17 | 3 - 5 Power Electronics GmbH | Stapelförmige Schottky-Diode |
DE102017103111A1 (de) * | 2017-02-16 | 2018-08-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Halbleiterdiode und elektronische Schaltungsanordnung hiermit |
EP3654387A4 (en) * | 2017-07-08 | 2021-03-31 | Flosfia Inc. | SEMICONDUCTOR DEVICE |
JP6799515B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2020-12-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN110571281B (zh) * | 2019-08-01 | 2023-04-28 | 山东天岳电子科技有限公司 | 一种混合PiN结肖特基二极管及制造方法 |
CN110534583B (zh) * | 2019-08-01 | 2023-03-28 | 山东天岳电子科技有限公司 | 一种肖特基二极管及其制备方法 |
TWI804731B (zh) * | 2020-05-26 | 2023-06-11 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 半導體裝置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5860577A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH03105975A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体整流ダイオード及びそれを使つた電源装置並びに電子計算機 |
JPH03250670A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008541459A (ja) * | 2005-05-11 | 2008-11-20 | クリー インコーポレイテッド | 少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード |
JP2008282973A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Denso Corp | ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP2008300506A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Denso Corp | ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP2009535849A (ja) * | 2006-04-29 | 2009-10-01 | アルファ アンド オメガ セミコンダクター,リミテッド | 集積化mosfet−ショットキーデバイスのレイアウトに影響を与えずにショットキーブレークダウン電圧(bv)を高める |
JP2010003841A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Toyota Motor Corp | 縦型のショットキーダイオード |
JP2010067937A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-03-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード |
JP2010087483A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2667477B2 (ja) * | 1988-12-02 | 1997-10-27 | 株式会社東芝 | ショットキーバリアダイオード |
US6524900B2 (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-25 | Abb Research, Ltd | Method concerning a junction barrier Schottky diode, such a diode and use thereof |
JP3914226B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2007-05-16 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
US7728403B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-06-01 | Cree Sweden Ab | Semiconductor device |
JP4333782B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2009-09-16 | 株式会社デンソー | ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP5175872B2 (ja) | 2010-01-21 | 2013-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体整流装置 |
-
2011
- 2011-03-03 JP JP2011045935A patent/JP5306392B2/ja active Active
- 2011-08-29 US US13/220,107 patent/US8841683B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5860577A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH03105975A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体整流ダイオード及びそれを使つた電源装置並びに電子計算機 |
JPH03250670A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008541459A (ja) * | 2005-05-11 | 2008-11-20 | クリー インコーポレイテッド | 少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード |
JP2009535849A (ja) * | 2006-04-29 | 2009-10-01 | アルファ アンド オメガ セミコンダクター,リミテッド | 集積化mosfet−ショットキーデバイスのレイアウトに影響を与えずにショットキーブレークダウン電圧(bv)を高める |
JP2008282973A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Denso Corp | ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP2008300506A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Denso Corp | ジャンクションバリアショットキーダイオードを備えた炭化珪素半導体装置 |
JP2010003841A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Toyota Motor Corp | 縦型のショットキーダイオード |
JP2010067937A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-03-25 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ショットキーバリアダイオードの製造方法およびショットキーバリアダイオード |
JP2010087483A (ja) * | 2008-09-08 | 2010-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016002057A1 (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、パワーモジュール、電力変換装置、3相モータシステム、自動車、並びに鉄道車両 |
JP2016171293A (ja) * | 2015-03-16 | 2016-09-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5306392B2 (ja) | 2013-10-02 |
US8841683B2 (en) | 2014-09-23 |
US20120223333A1 (en) | 2012-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5175872B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
JP5306392B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
JP5172916B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
KR102343716B1 (ko) | 트렌치 mos형 쇼트키 다이오드 | |
US8154026B2 (en) | Silicon carbide bipolar semiconductor device | |
JP4564510B2 (ja) | 電力用半導体素子 | |
JP5452914B2 (ja) | 少数キャリアの注入が抑制される炭化シリコン接合障壁ショットキーダイオード | |
JP5774205B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9230958B2 (en) | Wide band gap semiconductor apparatus and fabrication method thereof | |
US10396162B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device | |
JP5439417B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
JP2015109341A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016502763A (ja) | ショットキーダイオード及びショットキーダイオードの製造方法 | |
JP7263740B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2016208030A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP2014112637A (ja) | 半導体装置 | |
US9972677B2 (en) | Methods of forming power semiconductor devices having superjunction structures with pillars having implanted sidewalls | |
JP5377548B2 (ja) | 半導体整流装置 | |
US9722029B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
JP5872327B2 (ja) | 半導体整流素子 | |
JP2008160024A (ja) | 半導体装置 | |
JP6930113B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2014011285A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130625 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5306392 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |