JP7194791B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
半導体装置に関する。例えば、酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される、トランジ
スタ若しくはトランジスタを含んで構成される回路を有する半導体装置に関する。
する技術が注目されている。例えば、酸化物半導体膜として酸化亜鉛(ZnO)を用いる
トランジスタや、InGaO3(ZnO)mを用いるトランジスタが挙げられる。これら
の酸化物半導体膜を用いたトランジスタを、透光性を有する基板上に形成し、画像表示装
置のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献1及び特許文献2で開示されている。
極及びドレイン電極層との間に金属酸化物でなるバッファ層が設けられた逆スタガ型(ボ
トムゲート構造)のトランジスタが特許文献3に開示されている。このトランジスタは、
ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を
意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成している。
る。また、電子ペーパーと呼ばれる表示装置では、コントラストを電気的に可変可能な媒
体(電子インクなどとも呼ばれている)が用いられている。さらに、エレクトロルミネセ
ンス材料を用いた自発光方式の表示装置も実用化が進展している。このような、新しい表
示方式に対応するために、表示装置に用いられるトランジスタは、より高耐圧なものが求
められている。
きい値電圧でチャネルが形成されることが望ましい。トランジスタのしきい値電圧値がマ
イナスであると、ゲート電圧が0Vでもソース電極とドレイン電極の間に電流が流れる、
所謂ノーマリーオンとなりやすい。アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路
を構成するトランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右
する。特に、トランジスタの電気特性のうち、しきい値電圧(Vth)が重要である。電
界効果移動度が高くとも、しきい値電圧値がマイナスであると、回路として制御すること
が困難である。負の電圧状態でもチャネルが形成されてドレイン電流が流れるトランジス
タは、回路に用いるトランジスタとしては不向きである。
提供することを課題とする。
チング素子を実現できる構造の半導体装置を提供することを課題の一つとする。
場合であっても、ノーマリーオフの特性に近づけることが重要であり、しきい値電圧値が
マイナスである、所謂ノーマリーオンであっても、トランジスタのしきい値をゼロに近づ
ける構成およびその作製方法を提供することも課題の一つとする。
一つとする。
層を介して酸化物半導体層と重なるソース電極層またはドレイン電極層と、酸化物半導体
層と接するゲート絶縁層と、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層と重なるゲート電極層
と、を有し、ゲート電極層は積層構造であり、ゲート絶縁層と接するゲート電極層の一層
は、窒素を含む金属酸化物であり、バッファ層は、窒素を含む金属酸化物であることを特
徴とする半導体装置である。
窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜や、窒素を含むIn-Sn-O膜や、窒素を含むIn
-Ga-O膜や、窒素を含むIn-Zn-O膜や、窒素を含むSn-O膜や、窒素を含む
In-O膜や、金属窒化膜(InN、SnNなど)を用いる。これらの膜は5電子ボルト
、好ましくは5.5電子ボルト以上の仕事関数を有し、ゲート電極層として用いた場合、
トランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフ
のスイッチング素子を実現できる。
はソース電極層)の側面から突出させた断面形状とし、それにより電界集中を緩和する。
n)を含むことが好ましい。特にInとZnを含むことが好ましい。また、該酸化物を用
いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに
加えてガリウム(Ga)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ(S
n)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム(Hf)を有する
ことが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム(Al)を有することが好ま
しい。
Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム
(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホル
ミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ル
テチウム(Lu)のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
物であるIn-Zn系酸化物、Sn-Zn系酸化物、Al-Zn系酸化物、Zn-Mg系
酸化物、Sn-Mg系酸化物、In-Mg系酸化物、In-Ga系酸化物、三元系金属の
酸化物であるIn-Ga-Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In-Al-Zn系
酸化物、In-Sn-Zn系酸化物(ITZO(登録商標)とも表記する)、Sn-Ga
-Zn系酸化物、Al-Ga-Zn系酸化物、Sn-Al-Zn系酸化物、In-Hf-
Zn系酸化物、In-La-Zn系酸化物、In-Ce-Zn系酸化物、In-Pr-Z
n系酸化物、In-Nd-Zn系酸化物、In-Sm-Zn系酸化物、In-Eu-Zn
系酸化物、In-Gd-Zn系酸化物、In-Tb-Zn系酸化物、In-Dy-Zn系
酸化物、In-Ho-Zn系酸化物、In-Er-Zn系酸化物、In-Tm-Zn系酸
化物、In-Yb-Zn系酸化物、In-Lu-Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であ
るIn-Sn-Ga-Zn系酸化物、In-Hf-Ga-Zn系酸化物、In-Al-G
a-Zn系酸化物、In-Sn-Al-Zn系酸化物、In-Sn-Hf-Zn系酸化物
、In-Hf-Al-Zn系酸化物を用いることができる。
でもよい。また、アモルファス中に結晶性を有する部分を含む構造でも、非アモルファス
でもよい。
Zn-O膜、窒素を含むIn-Sn-O膜、SiOxを含むIn-Sn-O膜などを用い
る。バッファ層の抵抗値は、窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜であれば、窒素の含有量
を調節することで適宜設定することができ、SiOxを含むIn-Sn-O膜であれば、
SiOxの含有量を調節することで適宜設定することができる。また、バッファ層は、チ
ャネル形成領域を形成する酸化物半導体層と積層される構造を有するので、バッファ層の
厚さを調整することによっても、バッファ層の抵抗値を調整することができる。
素を含むIn-Ga-Zn-O膜を用いる場合は、In-Ga-Zn-O膜よりも光透過
率が低く遮光性を有するため、バッファ層と重なる酸化物半導体層の領域への光照射を防
止することができる。また、バッファ層として、窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜を用
いる場合は、バッファ層に含まれる窒素濃度を、バッファ層と接する酸化物半導体層より
も高い濃度とする。
も一部重なる。
が好ましい。銅をゲート電極層の一層として用いる場合、ゲート電極層形成後のプロセス
温度は450℃以下とする。
セス温度は250℃以上380℃以下、好ましくは300℃以上350℃以下とする。ま
た、アルミニウムをゲート電極層の材料として用いる場合、酸化膜と接するアルミニウム
表面に酸化物(アルミナなど)が形成される恐れがあるため、バリア層として窒化タンタ
ルや窒化チタンを用いる。
a-Zn-O膜や、窒素を含むIn-Sn-O膜や、窒素を含むIn-Ga-O膜や、窒
素を含むIn-Zn-O膜や、窒素を含むSn-O膜や、窒素を含むIn-O膜や、金属
窒化膜(InN、SnNなど)を積層させたゲート電極層とすることが好ましい。積層で
あるゲート電極層のうち、一層はバッファ層と同じ材料とすることで、同じ共通のスパッ
タリングターゲットを使用でき、製造コストを低減することができる。
シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、窒
化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又は
これらの混合材料を用いて単層で又は積層して形成することができる。ただし、トランジ
スタのゲート絶縁層として機能することを考慮して、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸
化イットリウム、ハフニウムシリケート(HfSixOy(x>0、y>0))、ハフニ
ウムアルミネート(HfAlxOy(x>0、y>0))、窒素が添加されたハフニウム
シリケート、窒素が添加されたハフニウムアルミネート、などの比誘電率が高い材料を採
用しても良い。なお、水素や水などが混入しにくいという点では、スパッタリング法が好
適である。
半導体層と接するパッシべーション層の材料として酸化物半導体層に含まれる結晶構造と
整合する材料が好ましく、Ga-Zn-O膜や、六方晶構造をとるα-Ga2O3膜を用
いると、酸化物半導体層の結晶と、ゲート絶縁層あるいはパッシべーション層の結晶とを
連続的に整合することができるため好ましい。例えば、第1のGa-Zn-O膜上に接し
て酸化物半導体層を有し、該酸化物半導体層上に接して第2のGa-Zn-O膜を有する
積層構造を含むトランジスタとすることが好ましい。
チング素子を実現できる。また、トランジスタがノーマリーオンであっても、トランジス
タのしきい値をゼロに近づけることができる。また、高電圧若しくは大電流で駆動される
トランジスタの信頼性向上を図ることができる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
本実施の形態では、基板上にトランジスタを作製する一例を図1(A)、図1(B)、及
び図1(C)を用いて説明する。
ォトマスクを用いてレジストマスクの形成を行い、選択的にエッチングしてゲート電極層
を形成する。その後レジストマスクを除去する。なお、必要であれば、導電膜を形成する
前に酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコンなどの下地絶縁
膜を設けてもよい。
イ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。大量生産する上では、基板101は第8世代(2
160mm×2460mm)、第9世代(2400mm×2800mm、または2450
mm×3050mm)、第10世代(2950mm×3400mm)等のマザーガラスを
用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮
するため、マザーガラスを使用して大量生産を行う場合、作製工程の加熱処理は、600
℃以下、好ましくは450℃以下とすることが望ましい。
縁体でなる基板を基板101として用いることもできる。他にも、結晶化ガラスなどを用
いることができる。さらには、シリコンウェハ等の半導体基板の表面や金属材料よりなる
導電性の基板の表面に絶縁層を形成したものを用いることもできる。
れらの膜にチタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、モリブデン(Mo
)、クロム(Cr)、Nd(ネオジム)、Sc(スカンジウム)から選ばれた元素を単数
、又は複数組み合わせた合金膜を用いる。
タンタル、窒化タングステン、窒化モリブデン、窒化クロムなどを用いる。
-O膜や、窒素を含むIn-Ga-O膜や、窒素を含むIn-Zn-O膜や、窒素を含む
Sn-O膜や、窒素を含むIn-O膜や、金属窒化膜(InN、SnNなど)を用いる。
第3の電極層102cとして、これらの膜は5電子ボルト、好ましくは5.5電子ボルト
以上の仕事関数を有し、トランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることがで
き、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現できる。このことは、シリコンを用い
たトランジスタと異なると言える。シリコンを用いたn型のトランジスタは、p型を付与
する元素をゲート電極に用いる、或いはp型を付与する不純物元素をシリコンに微量にド
ープすることでしきい値をプラスにする。一方、In-Ga-Zn-O膜を半導体層に用
いたトランジスタは、窒素を含むゲート電極とすることでしきい値電圧をプラスにするこ
とができる。
3:Ga2O3:ZnO=2:2:1[mol数比]の酸化物ターゲット(三井金属製)
を用い、基板とターゲットの間の距離(T-S距離とも呼ぶ)を40mm以上300mm
以下、圧力0.4~0.6Pa、アルゴンガス流量0~175sccm、窒素ガス流量2
5~200sccm、電力1kW~5kW、基板温度80℃以上450℃未満とする。ま
た、窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜は、加熱処理を行うと抵抗が小さくなるため、必
要であれば加熱処理を行って抵抗を小さくしてもよい。ただし、第1の電極層102aと
してアルミニウムを用いる場合は、380℃以下、第1の電極層102aとして銅を用い
る場合は、450℃以下の加熱処理とする。なお、窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜は
、c軸配向を有する多結晶であり、結晶性が高い。また、窒素ガス流量40sccmとし
てスパッタリング法で成膜した単膜を測定した結果、窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜
の仕事関数は、5.6電子ボルトである。
50℃、1時間の加熱処理を行った後のサンプルの窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜の
ホール効果測定(ホール効果装置:ResiTest8300シリーズ、(株)東陽テク
ニカ製を使用)を行った。その結果を図9に示す。図9に示すグラフの縦軸はキャリア濃
度を示し、横軸は成膜ガス全体に対する窒素ガスの割合を示している。成膜ガス全体に対
する窒素ガスの割合が多くなるにつれて、キャリア濃度が増加していることが図9から読
み取れる。また、窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜のキャリアタイプはN型となった。
、窒素を含むIn-O膜の仕事関数は、5.4電子ボルトである。また、窒素ガス流量4
0sccmとしてスパッタリング法で成膜した単膜を測定した結果、窒素を含むIn-S
n-O膜の仕事関数は、5.5電子ボルトである。また、窒素ガス流量40sccmとし
てスパッタリング法で成膜した単膜を測定した結果、窒素を含むIn-Ga-O膜の仕事
関数は、5.4電子ボルトである。また、窒素ガス流量40sccmとしてスパッタリン
グ法で成膜した単膜を測定した結果、窒素を含むIn-Zn-O膜の仕事関数は、5.5
電子ボルトである。窒素ガス流量40sccmとしてスパッタリング法で成膜した単膜を
測定した結果、窒素を含むSn-O膜の仕事関数は、5.1電子ボルトである。
厚10nm以上300nm以下とする。
ン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化亜鉛ガリ
ウム(GZOとも呼ぶ)、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム
、窒化酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、又はこれらの混合材料を用いて単層で又は積
層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、SiH4、酸素及び窒素を用い
てプラズマCVD法により酸化窒化珪素層を形成すればよい。
を用い、酸素のみ、又はアルゴン及び酸素の混合雰囲気下で得られる膜厚を5nm以上5
0μm以下とする。金属酸化物ターゲットの代表例としては、四元系金属酸化物であるI
n-Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるIn-Ga-Zn-
O系金属酸化物、In-Sn-Zn-O系金属酸化物、In-Al-Zn-O系金属酸化
物、Sn-Ga-Zn-O系金属酸化物、Al-Ga-Zn-O系金属酸化物、Sn-A
l-Zn-O系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるIn-Zn-O系金属酸化物、S
n-Zn-O系金属酸化物などのターゲットを用いることができる。
物半導体膜に窒素を微量に含ませてフェルミ準位(EF)を下げてもよい。ただし、酸化
物半導体膜に窒素を微量に含ませる場合、酸化物半導体膜の窒素濃度は、後に形成するバ
ッファ層の窒素濃度よりも低い濃度とする。
とすることで、被成膜面及び被成膜物への、アルカリ金属、水素等の不純物の混入を低減
することができる。なお、被成膜物に含まれる水素は、水素原子の他、水素分子、水、水
酸基、または水素化物として含まれる場合もある。
上300mm以下(好ましくは60mm以上)とする。
0℃以上好ましくは基板の熱処理上限温度以下とする。250℃は、水、水素などの不純
物の被成膜物中への混入を防ぎ、チャンバー内の気相へ不純物を放出する温度である。ま
た、スパッタリング法による成膜時における被成膜面の温度の上限は、基板の熱処理上限
温度、或いは成膜物の上限温度(その温度を超えると大きく成膜中の成分が変化する温度
)とする。
0-10Pa・m3/秒以下とすることで、スパッタリング法による成膜途中における酸
化物半導体膜中への、アルカリ金属、水素化物等の不純物の混入を低減することができる
。また、排気系として吸着型の真空ポンプ(例えばクライオポンプなど)を用いることで
、排気系からアルカリ金属、水素原子、水素分子、水、水酸基、または水素化物等の不純
物の逆流を低減することができる。
しい。連続して成膜すると、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されるこ
となく各積層界面を形成することができる。
素雰囲気、酸素雰囲気、乾燥空気雰囲気(例えば、水分については露点-40℃以下、好
ましくは露点-60℃以下)など)で加熱処理(温度範囲200℃以上450℃以下)を
行ってもよい。この加熱処理は、酸化物半導体層中からH、OHなどを脱離させる脱水化
または脱水素化とも呼ぶことができ、不活性雰囲気下で昇温し、途中で切り替え酸素を含
む雰囲気下とする加熱処理を行う場合や、酸素雰囲気下で加熱処理を行う場合は、加酸化
処理とも呼べる。
、選択的にエッチングして島状の酸化物半導体層104を形成する。その後レジストマス
クを除去する。
2の導電膜106b、第3の導電膜106cを形成する。この段階の断面図が図1(A)
である。
-O膜などを用いることができる。
、酸化物半導体層に用いられるIn-Ga-Zn-O膜とは膜特性が大きく異なる。本明
細書では、In-Ga-Zn-O系酸化物半導体用ターゲットを用いる成膜時に酸素ガス
をチャンバーに導入して得られる膜をIn-Ga-Zn-O膜と呼ぶ。
含むIn-Ga-Zn-O膜の光透過率を示す。
:2:2[mol数比]の酸化物ターゲット(三井金属製))を用い、T-S距離を60
mm、圧力0.4Pa、電力500Wとし、基板温度を200℃とし、0.5mm厚の石
英ガラス上に膜厚100nm成膜した。成膜ガス流量の条件を振った結果が図2(A)で
ある。サンプル1は、アルゴンガス流量35sccm、窒素ガス流量5sccmであり、
サンプル2はアルゴンガス流量20sccm、窒素ガス流量20sccmであり、サンプ
ル3は窒素ガス流量40sccmであり、サンプル4は酸素ガス流量40sccmであり
、サンプル5は、酸素ガス流量30sccm、窒素ガス流量10sccmであり、サンプ
ル6は酸素ガス流量20sccm、窒素ガス流量20sccmであり、サンプル7は、酸
素ガス流量10sccm、窒素ガス流量30sccmである。
)に示すサンプルは全て同じターゲット(In2O3:Ga2O3:ZnO=2:2:2
[mol数比]の酸化物ターゲット(三井金属製))を用い、T-S距離を60mm、圧
力0.4Pa、電力500Wとし、0.5mm厚の石英ガラス上に膜厚100nm成膜し
た。サンプル1’ は、アルゴンガス流量35sccm、窒素ガス流量5sccmであり
、サンプル3’ は窒素ガス流量40sccmであり、サンプル4’ は酸素ガス流量4
0sccmであり、サンプル6’ は酸素ガス流量20sccm、窒素ガス流量20sc
cmである。
られるIn-Ga-Zn-O膜は光透過率が高くほぼ透明の膜である。一方、成膜時に酸
素ガスをチャンバーに導入せずに窒素を導入して得られる窒素を含むIn-Ga-Zn-
O膜は褐色の膜であり、遮光性を有している。
ころ、光透過率にほとんど変化はなかった。また、サンプル1と同じ成膜条件のサンプル
を昇温脱離分析装置TDS(Thermal Desorption Spectros
copy)測定で測定し、膜中から脱離したH2O分子の昇温脱離スペクトル結果を図3
(A)に示す。測定条件は、昇温約30℃/分とし、1×10-8(Pa)から測定を開
始して、測定中は約1×10-7(Pa)の真空度である。
基板温度200℃として得られるIn-Ga-Zn-O膜(膜厚:50nm)をTDS測
定し、膜中から脱離したH2O分子の昇温脱離スペクトル結果を図3(B)に示す。
ちらの膜も熱安定性は同程度であると言える。また、ここでは図示しないが、同じサンプ
ル1をTDS測定してN2分子を検出した結果と、サンプル1の窒素を含むIn-Ga-
Zn-O膜を窒素雰囲気下、450℃、1時間の熱処理を行った後でTDS測定してN2
分子を検出した結果はほぼ同じであった。
0nmの成膜を行ったサンプル9と、成膜条件を基板温度400℃、酸素ガス流量40s
ccmとして石英基板上に300nmの成膜を行ったサンプル10と、をそれぞれOUT
OF PLANEでのXRD測定を行い、その結果を図8(A)及び図8(B)に示す
。窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜(サンプル9)は成膜直後で結晶性が高く、図8(
A)に示すように鋭いピークが確認できる。また、スパッタガスとして酸素ガスのみを用
いて成膜したIn-Ga-Zn-O膜(サンプル10)はサンプル9に比べて結晶性が低
いことが分かる。このように成膜直後でIn-Ga-Zn-O膜と窒素を含むIn-Ga
-Zn-O膜は、大きく膜質が異なっている。
の形成を行い、選択的にエッチングしてソース電極層108a~cまたはドレイン電極層
109a~cを形成する。このエッチングで、断面においてレジストマスク111の側面
と、ソース電極層108a~cの側面またはドレイン電極層109a~cの側面が一致し
ないエッチング条件とする。
、第1のバッファ層112a、第2のバッファ層112bが形成される。なお、同じエッ
チング工程によって凹部を有する酸化物半導体層107が形成される。
断面形状を有する第1のバッファ層112aと、ドレイン電極層109a~cの側面より
も突出した断面形状を有する第2のバッファ層112bとが形成される。なお、図1(B
)と同じ断面が得られるのであればエッチングの順序等は問わない。
この段階の断面図が図1(C)である。
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化ガリウム、酸化亜鉛ガリウム、
酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、
酸化ハフニウム、又はこれらの混合材料を用いて単層で又は積層して形成することができ
る。例えば、成膜ガスとして、SiH4、酸素及び窒素を用いてプラズマCVD法により
酸化窒化珪素層を形成すればよい。
きる。表示装置のスイッチング素子として図1(C)に示すトランジスタを作製する場合
には、さらにゲート電極層またはドレイン電極層に達するコンタクトホールを絶縁層11
0に形成し、絶縁層110上に画素電極の形成を行えばよい。この場合、コンタクトホー
ルのための第4のフォトマスクを用い、画素電極の形成のための第5のフォトマスクを用
いるため、合計5枚のフォトマスクを用いる。
112aと、ドレイン電極層109a~cの側面から突出している第2のバッファ層11
2bとを有し、これらのバッファ層により、電界集中の緩和がなされた構造となっている
。
域のチャネル長方向の長さLは、エッチング条件などによって適宜調節が可能である。概
バッファ層の領域のチャネル長方向の長さLは、ドレイン電極層109a~c(あるいは
ソース電極層108a~c)の下端部から第2のバッファ層112b(あるいは第1のバ
ッファ層112a)の下端部までの水平距離とする。
長方向の長さ(L)にもよるが、実施者が適宜、バッファ層の材料の選択及び膜厚の設定
、テーパ部分のサイズ設計などを行うことによって所望の抵抗率に調節すればよい。少な
くともバッファ層のテーパ部分の抵抗率は、酸化物半導体層107のチャネル形成領域よ
りも低い値とする。
本実施の形態では、実施の形態1よりも1枚少ない合計フォトマスク数4枚でトランジス
タ及び画素電極を作製する一例を図4、図5を用いて説明する。なお、トランジスタの作
製において、実施の形態1と一部異なるだけであるため、同一の部分の詳細な説明はここ
では省略する。
す断面図である。なお、図4におけるA1-A2、B1-B2、C1-C2、D1-D2
の鎖線は、図5(A)乃至図5(D)における断面A1-A2、断面B1-B2、断面C
1-C2、断面D1-D2に相当する。
、コの字型)のソース電極層206aで囲む形状としている。このような形状とすること
で、トランジスタの面積が小さくても、十分なチャネル幅を確保することが可能となり、
トランジスタの導通時に流れる電流(オン電流ともいう)の量を増やすことが可能となる
。
とドレイン電極層206bを重畳させて容量素子313を形成している。
2のフォトマスクを使用せず、島状酸化物半導体層を形成するためのフォトリソグラフィ
工程やエッチング工程を行わないため、画素領域の全てに酸化物半導体層205が残る構
成となる。その結果、配線212-iが3層構造のゲート電極層として機能し、配線21
6-jがソース電極層またはドレイン電極層の一方として機能し、配線216-j+1が
ソース電極層またはドレイン電極層の他方として機能する寄生トランジスタが生じる。
を設け、上述の寄生トランジスタが生じない構成とする。溝部230を、配線212-i
の線幅方向の両端部を越えて横切る様に設けることで、寄生トランジスタの生成を防ぐこ
とができる。また、溝部230を、配線203の線幅方向の両端部を越えて横切る様に設
けることで、他の寄生トランジスタの生成を防ぐことができる。なお、配線212-i上
の溝部230もしくは、配線203上の溝部230は、それぞれ複数設けてもよい。なお
、溝部230は、配線216-jまたは配線216-j+1と平行に設けられている必要
はなく、また、屈曲部または湾曲部を有していてもよい。
ランジスタ311は、ボトムゲート構造のトランジスタである。断面B1-B2は、画素
電極210及び溝部230を含む、配線216-jから配線216-j+1までの積層構
造を示している。また、断面C1-C2は、配線216-jと、配線212-iの交差部
における積層構造を示している。また、断面D1-D2は、配線216-j+1と、配線
212-iの交差部と、溝部230の積層構造を示している。
、下地絶縁層201上にゲート電極層202及び配線203が形成されている。また、ゲ
ート電極層202及び配線203上に、ゲート絶縁層204と酸化物半導体層205が形
成されている。また、酸化物半導体層205上にバッファ層312a、312b、ソース
電極層206a及びドレイン電極層206bが形成されている。また、酸化物半導体層2
05の一部に接し、ソース電極層206a及びドレイン電極層206b上に絶縁層207
が形成されている。絶縁層207上には画素電極210が形成され、絶縁層207に形成
されたコンタクトホール208を介してドレイン電極層206bに電気的に接続されてい
る。
、下地絶縁層201上にゲート絶縁層204が形成され、ゲート絶縁層204上に酸化物
半導体層205が形成されている。酸化物半導体層205上にバッファ層312a、31
2cが形成され、バッファ層312a上に配線216-jが形成され、バッファ層312
c上に配線216-j+1が形成され、酸化物半導体層205と、バッファ層312a、
312c、配線216-j及び配線216-j+1上に絶縁層207が形成されている。
また、絶縁層207上に画素電極210が形成されている。
、下地絶縁層201上に配線212-iが形成されている。また、配線212-i上に、
ゲート絶縁層204と酸化物半導体層205が形成されている。また、酸化物半導体層2
05上にバッファ層312aが形成され、バッファ層312a上に配線216-jが形成
され、配線216-j上に絶縁層207が形成されている。
、下地絶縁層201上に配線212-iが形成されている。配線212-iは3層構造で
あり、本実施の形態では、銅膜、該銅膜上に窒化タングステン膜、該窒化タングステン膜
上に窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜の積層構造とする。また、配線212-i上に、
ゲート絶縁層204と酸化物半導体層205が形成されている。また、酸化物半導体層2
05上にバッファ層312cが形成され、バッファ層312c上に配線216-j+1が
形成され、配線216-j+1上に絶縁層207が形成されている。本実施の形態では、
バッファ層312cとして、SiOxを含むIn-Sn-O膜を用いる。また、ゲート絶
縁層204の一部、酸化物半導体層205の一部、及び絶縁層207の一部が除去された
溝部230が形成されている。
ォトマスクを用いて形成する。また、ここでは図示しないが、ゲート電極層に達するコン
タクトホールも同じフォトマスクを用いて形成する。
ても特に透過型液晶表示装置において問題とならない。例えば、酸素ガスを導入して成膜
して得られるIn-Ga-Zn-O膜は、図2(A)及び図2(B)に示すように高い透
光性を有しており、酸化物半導体層205の材料として適している。
ッファ層、ソース電極層、及びドレイン電極層の形成用の第2のフォトマスク、コンタク
トホール及び溝部の形成用の第3のフォトマスク、画素電極の形成用の第4のフォトマス
クの合計4枚のフォトマスクを用いて作製することができる。
基板を基板200と貼り合わせ、それらの間に液晶層を設ける。液晶表示装置がカラーフ
ィルタ方式であれば、カラーフィルタやブラックマトリクスを画素電極とバックライトの
間に設ける。また、液晶表示装置がフィールドシーケンシャル方式であれば、異なる色を
呈する複数の光源(例えば、R(赤)、G(緑)、B(青))を用い、特定色を呈する光
毎に時間分割することで所望の色を形成する。
液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方
相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、
カイラル剤や紫外線硬化樹脂を添加して温度範囲を改善する。ブルー相を示す液晶とカイ
ラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μsec.以上100μsec.以下と短
く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さいため好ましい
。
以上のトランジスタを設け、少なくとも一つのトランジスタと電気的に接続する画素電極
を陰極または陽極とする有機発光素子を形成する。なお、隣り合う画素電極の間に絶縁物
からなる隔壁を設けるため、さらに隔壁をパターニングするためのフォトマスクを1枚用
い、合計5枚のフォトマスク数で有機発光表示装置を作製することができる。
実施の形態1、及び実施の形態2はボトムゲート型のトランジスタの例を示したが、ここ
ではトップゲート型のトランジスタの作製例を示す。なお、図6(A)、(B)、(C)
において、図1(A)、図1(B)、図1(C)と同じ箇所には同じ符号を用いて説明す
る。
。加熱により酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素より
も多くの酸素を含む酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。加熱により酸素の一部が放出
する酸化物絶縁膜は、加熱により結晶性酸化物半導体膜に酸素を拡散させることができる
。酸化物絶縁膜160は、代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリ
コン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化
イットリウム等で形成することができる。
ると、後に形成する酸化物半導体層の結晶と、下地絶縁層である酸化物絶縁膜160の結
晶とを連続的に整合することができるため好ましい。
。酸化物絶縁膜160を厚くすることで、酸化物絶縁膜160からの酸素放出量を増加さ
せることができると共に、その増加によって酸化物絶縁膜160及び後に形成される酸化
物半導体膜との界面における欠陥を低減することが可能である。
り酸素の一部が放出する酸化物絶縁膜は、スパッタリング法を用いることで形成しやすい
ため好ましい。
形成する。
ターゲット(In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比])を用いて、
基板とターゲットの間との距離を170mm、基板温度250℃、圧力0.4Pa、直流
(DC)電源0.5kW、酸素のみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で膜厚5nmの第1
の酸化物半導体膜を成膜する。
ましくは露点-60℃以下)、または乾燥空気(水分については露点-50℃以下、好ま
しくは露点-60℃以下)とし、第1の加熱処理を行う。第1の加熱処理の温度は、35
0℃以上750℃以下とする。また、第1の加熱処理の加熱時間は1分以上24時間以下
とする。第1の加熱処理によって第1の結晶性酸化物半導体層164を形成する(図6(
A)参照)。
膜を形成する。
ターゲット(In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mol数比])を用いて、
基板とターゲットの間との距離を170mm、基板温度400℃、圧力0.4Pa、直流
(DC)電源0.5kW、酸素のみ、又はアルゴン及び酸素雰囲気下で膜厚25nmの第
2の酸化物半導体膜を成膜する。
ましくは露点-60℃以下)、または乾燥空気(水分については露点-50℃以下、好ま
しくは露点-60℃以下)とし、第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理の温度は、35
0℃以上750℃以下とする。また、第2の加熱処理の加熱時間は1分以上24時間以下
とする。第2の加熱処理によって第2の結晶性酸化物半導体層165を形成する(図6(
B)参照)。図6(B)では、第1の結晶性酸化物半導体層164と第2の結晶性酸化物
半導体層165の界面を点線で示し、酸化物半導体積層と説明しているが、明確な界面が
存在しているのではなく、あくまで分かりやすく説明するために図示している。
165は、単結晶構造ではなく、非晶質構造でもない構造であり、少なくとも一部が結晶
化してc軸配向を有した結晶性酸化物半導体(C Axis Aligned Crys
talline Oxide Semiconductor; CAAC-OSとも呼ぶ
)である。
連続的に行うことが好ましい。また、酸化物半導体積層の結晶化を助長するため、第1の
酸化物半導体膜、或いは第2の酸化物半導体膜の成膜の際、微量の窒素を含む酸素ガスボ
ンベまたは微量の窒素を含むアルゴンガスボンベを用いて成膜チャンバーに導入してもよ
い。
る酸化物半導体積層を加工して島状の酸化物半導体積層を形成する。
導体積層上に形成した後、当該酸化物半導体積層をエッチングすることによって行うこと
ができる。上述のマスクは、フォトリソグラフィなどの方法を用いて形成することができ
る。または、インクジェット法などの方法を用いてマスクを形成しても良い。
よい。もちろん、これらを組み合わせて用いてもよい。
電膜を形成する。バッファ層、第1の導電膜、第2の導電膜、及び第3の導電膜は実施の
形態1に従って作製する。
エッチングしてソース電極層108a~cまたはドレイン電極層109a~cを形成する
。このエッチングで、断面においてレジストマスクの側面と、ソース電極層108a~c
の側面またはドレイン電極層109a~cの側面が一致しないエッチング条件とする。
のバッファ層112a、第2のバッファ層112bが形成される。その後レジストマスク
を除去する。
化物半導体積層と接するゲート絶縁層103を形成する。ゲート絶縁層103は、Ga-
Zn-O膜や、六方晶構造をとるα-Ga2O3膜を用いると、酸化物半導体積層の結晶
と、ゲート絶縁層103の結晶とを連続的に整合することができるため好ましい。
層102bを形成し、さらにその上に第1の電極層102aを形成する。なお、本実施の
形態では図1(A)のゲート電極層の積層と対応させるために同じ材料には同じ呼称を用
いて説明する。
含むIn-Ga-Zn-O膜や、窒素を含むIn-Sn-O膜や、窒素を含むIn-Ga
-O膜や、窒素を含むIn-Zn-O膜や、窒素を含むSn-O膜や、窒素を含むIn-
O膜や、金属窒化膜(InN、SnNなど)などを用いる。
スタは、ソース電極層108a~cの側面よりも突出している第1のバッファ層112a
と、ドレイン電極層109a~cの側面から突出している第2のバッファ層112bとを
有し、これらのバッファ層により、電界集中の緩和がなされた構造となっている。
域のチャネル長方向の長さLは、エッチング条件などによって適宜調節が可能である。概
バッファ層の領域のチャネル長方向の長さLは、ドレイン電極層109a~c(あるいは
ソース電極層108a~c)の下端部から第2のバッファ層112b(あるいは第1のバ
ッファ層112a)の下端部までの水平距離とする。
長方向の長さ(L)にもよるが、実施者が適宜、バッファ層の材料の選択及び膜厚の設定
、テーパ部分のサイズ設計などを行うことによって所望の抵抗率に調節すればよい。少な
くともバッファ層のテーパ部分の抵抗率は、酸化物半導体層166a及び酸化物半導体層
166bのチャネル形成領域よりも低い値とする。
はなく、酸化物半導体積層の表面に対して垂直方向にc軸配向をしている非単結晶層であ
り、層内に複数の結晶を含んでいるが、それぞれのa-b面は一致していない。
配向をしている多結晶であり、酸化物半導体積層よりも結晶性が高い。
積層を間に挟んで上下にゲート電極層を設ける構造としてもよい。
きる。例えば、本実施の形態で2回に分けて成膜を行い、c軸配向を有する酸化物半導体
積層を実施の形態1の酸化物半導体層として用いることもできる。また、本実施の形態で
2回に分けて成膜を行った酸化物半導体積層を実施の形態2の酸化物半導体層として用い
、画素領域の全てに酸化物半導体層が残る構成としてもよい。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラ等のカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明
する。
a、3003bなどによって構成されている。表示部3003bはタッチ入力機能を有す
るパネルとなっており、表示部3003bに表示されるキーボードボタン3004を触れ
ることで画面操作や、文字入力を行うことができる。勿論、表示部3003aをタッチ入
力機能を有するパネルとして構成してもよい。実施の形態1で示した半導体装置をスイッ
チング素子として液晶パネルや有機発光パネルを作製して表示部3003a、3003b
に適用することにより、信頼性の高い携帯型の情報端末とすることができる。
ダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集
する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。また、筐体の裏面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子
など)、記録媒体挿入部などを備える構成としてもよい。
い。無線により、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードす
る構成とすることも可能である。
ち、一方を取り外すことができ、取り外した場合の図を図7(B)に示している。表示部
3003aもタッチ入力機能を有するパネルとし、持ち運びの際、さらなる軽量化を図る
ことができ、片手で筐体3002をもってもう片方の手で操作することができ、便利であ
る。
帯電話として用いてもよい。
体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示す
ることが可能である。また、ここでは、CPUを内蔵したスタンド9605により筐体9
601を支持した構成を示している。実施の形態1で示した半導体装置を表示部9603
に適用することにより、信頼性の高いテレビジョン装置9600とすることができる。
コン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から
出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
02、外部メモリスロットを備えている。外部接続端子9604は、USBケーブルなど
の各種ケーブルと接続可能であり、パーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能で
ある。記憶媒体再生録画部9602では、ディスク状の記録媒体を挿入し、記録媒体に記
憶されているデータの読み出し、記録媒体への書き込みが可能である。また、外部メモリ
スロットに差し込まれた外部メモリ9606にデータ保存されている画像や映像などを表
示部9603に映し出すことも可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
102a~102c ゲート電極層
103 ゲート絶縁層
104 酸化物半導体層
105 バッファ層
106a~106c 導電膜
107 酸化物半導体層
108a~108c ソース電極層
109a~109c ドレイン電極層
110 絶縁層
111 レジストマスク
111 後レジストマスク
112a バッファ層
112b バッファ層
160 酸化物絶縁膜
164 結晶性酸化物半導体層
165 結晶性酸化物半導体層
166a、166b 酸化物半導体層
200 基板
201 下地絶縁層
202 ゲート電極層
203 配線
204 ゲート絶縁層
205 酸化物半導体層
206a ソース電極層
206b ドレイン電極層
207 絶縁層
208 コンタクトホール
210 画素電極
212 配線
216 配線
230 溝部
310 画素
311 トランジスタ
312a バッファ層
312b バッファ層
312c バッファ層
313 容量素子
3001 本体
3002 筐体
3003a 表示部
3003b 表示部
3004 キーボードボタン
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9602 記憶媒体再生録画部
9603 表示部
9604 外部接続端子
9605 スタンド
9606 外部メモリ
Claims (3)
- ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重なる、インジウムと、スズと、ガリウムと、亜鉛と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接し、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を含む金属酸化物層と、
前記金属酸化物層に接する電極と、を有し、
前記ゲート電極層は積層構造を有し、
前記積層構造のうち、前記ゲート絶縁層と接する側の層は、窒素を含む金属を有し、
前記電極は、前記金属酸化物層を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記金属酸化物層は、前記電極と重ならない領域において、前記酸化物半導体層を介して前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
前記金属酸化物層の膜厚と前記酸化物半導体層の膜厚とは異なり、
前記金属酸化物層の有する結晶は、前記金属酸化物層の表面に対して垂直方向又は概略垂直方向にc軸が配向している半導体装置。 - ゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極層と重なる、インジウムと、スズと、ガリウムと、亜鉛と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と接し、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を含む金属酸化物層と、
前記金属酸化物層に接する電極と、を有し、
前記ゲート電極層は積層構造を有し、
前記積層構造のうち、前記ゲート絶縁層と接する側の層は、窒素を含む金属を有し、
前記電極は、前記金属酸化物層を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続され、
前記金属酸化物層は、前記電極と重ならない領域において、前記酸化物半導体層を介して前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
前記金属酸化物層の膜厚と前記酸化物半導体層の膜厚とは異なり、
前記金属酸化物層の有する結晶は、前記金属酸化物層の表面に対して垂直方向又は概略垂直方向にc軸が配向し、
前記ゲート絶縁層は、酸化シリコンと、窒化シリコンの積層である半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記窒素を含む金属は、5電子ボルト以上の仕事関数を有する半導体装置。
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JP6053490B2 (ja) | 2011-12-23 | 2016-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI451575B (zh) * | 2012-02-16 | 2014-09-01 | E Ink Holdings Inc | 薄膜電晶體 |
US9219164B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with oxide semiconductor channel |
JP6199583B2 (ja) | 2012-04-27 | 2017-09-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9048323B2 (en) | 2012-04-30 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN102751240B (zh) * | 2012-05-18 | 2015-03-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置 |
US9059219B2 (en) * | 2012-06-27 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8937307B2 (en) * | 2012-08-10 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5343224B1 (ja) | 2012-09-28 | 2013-11-13 | Roca株式会社 | 半導体装置および結晶 |
JP6021586B2 (ja) | 2012-10-17 | 2016-11-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
CN102956713B (zh) * | 2012-10-19 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
JP6141777B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR102290801B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2021-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
TWI678740B (zh) | 2013-09-23 | 2019-12-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6067532B2 (ja) * | 2013-10-10 | 2017-01-25 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
US9882014B2 (en) * | 2013-11-29 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9991392B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
CN103715264A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 |
US10361290B2 (en) * | 2014-03-14 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device comprising adding oxygen to buffer film and insulating film |
JP6945119B2 (ja) * | 2014-11-26 | 2021-10-06 | 株式会社Flosfia | 結晶性積層構造体およびその製造方法 |
US9660100B2 (en) * | 2015-02-06 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20240069807A (ko) * | 2015-04-13 | 2024-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6705810B2 (ja) * | 2015-04-13 | 2020-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI605587B (zh) | 2015-11-02 | 2017-11-11 | 聯華電子股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法 |
US9728650B1 (en) * | 2016-01-14 | 2017-08-08 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and conducting structure |
CN108886060A (zh) * | 2016-04-04 | 2018-11-23 | 株式会社神户制钢所 | 薄膜晶体管 |
JP2017188684A (ja) * | 2016-04-04 | 2017-10-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 薄膜トランジスタ |
JP6281145B2 (ja) * | 2016-12-21 | 2018-02-21 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
KR20200060629A (ko) * | 2018-11-22 | 2020-06-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110223989A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-09-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管基板及其制作方法 |
KR20210108508A (ko) | 2020-02-24 | 2021-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20220014346A (ko) | 2020-07-23 | 2022-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN113380896B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-04-25 | 惠科股份有限公司 | 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板 |
WO2022250063A1 (ja) | 2021-05-26 | 2022-12-01 | キヤノン株式会社 | 顔認証を行う画像処理装置および画像処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006332A (ja) | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
WO2009034953A1 (ja) | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 薄膜トランジスタ |
JP2010056540A (ja) | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2010199566A (ja) | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
Family Cites Families (183)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
CA1303130C (en) | 1988-02-08 | 1992-06-09 | Imants R. Lauks | Metal oxide electrodes |
US5162901A (en) | 1989-05-26 | 1992-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH11195711A (ja) | 1997-10-27 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100320661B1 (ko) | 1998-04-17 | 2002-01-17 | 니시무로 타이죠 | 액정표시장치, 매트릭스 어레이기판 및 그 제조방법 |
JPH11345974A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリックス基板及びその製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
US7301279B2 (en) | 2001-03-19 | 2007-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and method of manufacturing the same |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003037268A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Minolta Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4244126B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2009-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7042024B2 (en) | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
CN100380673C (zh) | 2001-11-09 | 2008-04-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光设备及其制造方法 |
US6822264B2 (en) | 2001-11-16 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2003179233A (ja) | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
US7002179B2 (en) | 2003-03-14 | 2006-02-21 | Rohm Co., Ltd. | ZnO system semiconductor device |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
JP4434644B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2010-03-17 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法と、この薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法 |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
KR101111470B1 (ko) | 2003-11-14 | 2012-02-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006005116A (ja) | 2004-06-17 | 2006-01-05 | Casio Comput Co Ltd | 膜形成方法、半導体膜、及び積層絶縁膜 |
US7247529B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7382421B2 (en) | 2004-10-12 | 2008-06-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thin film transistor with a passivation layer |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
CN101057338B (zh) | 2004-11-10 | 2011-03-16 | 佳能株式会社 | 采用无定形氧化物的场效应晶体管 |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
KR101054344B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2011-08-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7368045B2 (en) | 2005-01-27 | 2008-05-06 | International Business Machines Corporation | Gate stack engineering by electrochemical processing utilizing through-gate-dielectric current flow |
TWI562380B (en) | 2005-01-28 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP5117667B2 (ja) | 2005-02-28 | 2013-01-16 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタパネル |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100753152B1 (ko) | 2005-08-12 | 2007-08-30 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
US7795050B2 (en) | 2005-08-12 | 2010-09-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Single-crystal nitride-based semiconductor substrate and method of manufacturing high-quality nitride-based light emitting device by using the same |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1995787A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5198066B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2013-05-15 | 出光興産株式会社 | Tft基板及びtft基板の製造方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101117948B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 제조 방법 |
US8487344B2 (en) | 2005-12-16 | 2013-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Optical device and method of fabricating the same |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
JP2007212699A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型tft基板及び反射型tft基板の製造方法 |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5015473B2 (ja) * | 2006-02-15 | 2012-08-29 | 財団法人高知県産業振興センター | 薄膜トランジスタアレイ及びその製法 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
KR101192626B1 (ko) * | 2006-05-12 | 2012-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 장치 |
WO2007139009A1 (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 酸化物半導体、薄膜トランジスタ、及びそれらの製造方法 |
TW200743676A (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-01 | Jinn P Chu | Copper seed layer for barrier-free metallization and the method for making the same |
CN101356652B (zh) * | 2006-06-02 | 2012-04-18 | 日本财团法人高知县产业振兴中心 | 包括由氧化锌构成的氧化物半导体薄膜层的半导体器件及其制造方法 |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP2008128725A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Fujifilm Corp | 放射線画像読方法および放射線画像検出器 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR20080052107A (ko) * | 2006-12-07 | 2008-06-11 | 엘지전자 주식회사 | 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
JP5466939B2 (ja) | 2007-03-23 | 2014-04-09 | 出光興産株式会社 | 半導体デバイス、多結晶半導体薄膜、多結晶半導体薄膜の製造方法、電界効果型トランジスタ、及び、電界効果型トランジスタの製造方法 |
JP5244331B2 (ja) | 2007-03-26 | 2013-07-24 | 出光興産株式会社 | 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット |
JP5197058B2 (ja) | 2007-04-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 発光装置とその作製方法 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
JP5215589B2 (ja) | 2007-05-11 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁ゲート型トランジスタ及び表示装置 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
CN101157854B (zh) | 2007-07-02 | 2010-10-13 | 北京宇极科技发展有限公司 | 一种氮氧化合物发光材料、其制备方法及其应用 |
CN101803028B (zh) * | 2007-08-02 | 2013-03-13 | 应用材料公司 | 利用薄膜半导体材料的薄膜晶体管 |
JP2009135419A (ja) | 2007-10-31 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2009072365A1 (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用非晶質透明導電膜 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP2009200355A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Sharp Corp | Tft基板、tft基板の製造方法、及び液晶表示装置 |
JP2010021170A (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI500159B (zh) | 2008-07-31 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI626744B (zh) | 2008-07-31 | 2018-06-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
TWI450399B (zh) | 2008-07-31 | 2014-08-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
JP2010056541A (ja) | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TWI637444B (zh) | 2008-08-08 | 2018-10-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP5525778B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI508282B (zh) | 2008-08-08 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI500160B (zh) | 2008-08-08 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
JP5480554B2 (ja) | 2008-08-08 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8129718B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same |
JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9082857B2 (en) | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP2342754A4 (en) | 2008-09-19 | 2015-05-20 | Semiconductor Energy Lab | DISPLAY DEVICE |
JP5430113B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-02-26 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
TWI496295B (zh) | 2008-10-31 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
KR101603303B1 (ko) | 2008-10-31 | 2016-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법 |
EP2184783B1 (en) | 2008-11-07 | 2012-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2010118407A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | エッチング耐性を有する薄膜トランジスタ、及びその製造方法 |
TWI536577B (zh) | 2008-11-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
TWI506795B (zh) | 2008-11-28 | 2015-11-01 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
JP5590877B2 (ja) | 2008-12-26 | 2014-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US7989325B2 (en) | 2009-01-13 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing crystalline semiconductor film and method for manufacturing thin film transistor |
US8492756B2 (en) * | 2009-01-23 | 2013-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8704216B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US20100224878A1 (en) * | 2009-03-05 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8450144B2 (en) * | 2009-03-26 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI529942B (zh) * | 2009-03-27 | 2016-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI489628B (zh) | 2009-04-02 | 2015-06-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
TWI476917B (zh) | 2009-04-16 | 2015-03-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置和其製造方法 |
KR101801500B1 (ko) | 2009-07-10 | 2017-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
CN105428424A (zh) | 2009-09-16 | 2016-03-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 晶体管及显示设备 |
KR102399469B1 (ko) * | 2009-10-08 | 2022-05-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20140061553A (ko) | 2009-10-29 | 2014-05-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR102479939B1 (ko) | 2010-07-02 | 2022-12-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US8792284B2 (en) | 2010-08-06 | 2014-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Oxide semiconductor memory device |
US8803143B2 (en) | 2010-10-20 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor including buffer layers with high resistivity |
US8546892B2 (en) | 2010-10-20 | 2013-10-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
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WO2009034953A1 (ja) | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 薄膜トランジスタ |
JP2010056540A (ja) | 2008-07-31 | 2010-03-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
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