JP6691952B2 - 発光素子パッケージ - Google Patents
発光素子パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6691952B2 JP6691952B2 JP2018213180A JP2018213180A JP6691952B2 JP 6691952 B2 JP6691952 B2 JP 6691952B2 JP 2018213180 A JP2018213180 A JP 2018213180A JP 2018213180 A JP2018213180 A JP 2018213180A JP 6691952 B2 JP6691952 B2 JP 6691952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- cavity
- extension surface
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3201—Structure
- H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32013—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being larger than the bonding area, e.g. bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12032—Schottky diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Description
Emitting Diode)やレーザーダイオードなどの発光素子は、薄膜成長技
術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの多様な色を具現するこ
とができ、蛍光物質を用いたり、色を組み合わせることによって効率の良い白色光線も具
現可能であり、蛍光灯及び白熱灯などの既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命
、速い応答速度、安全性、環境親和性などの長所を有する。
Display)表示装置のバックライトを構成する冷陰極管(Cold Cathod
e Fluorescence Lamp:CCFL)に取って代わる発光ダイオードバ
ックライト、蛍光灯や白熱電球に取って代わる白色発光ダイオード照明装置、自動車ヘッ
ドライト及び信号灯にまで応用が拡大されている。
ージ本体の底面に発光素子が配置され、第1の電極及び第2の電極と電気的に連結される
。
線反射光がパッケージ本体に接すると、本体に含まれた有機材質が変色又は変質し、パッ
ケージの信頼性が低下するという問題が存在する。したがって、優れた放熱特性を維持し
ながらも発光素子パッケージの信頼性を向上させる必要がある。
0が配置される。パッケージ本体110の下部には放熱部180を配置できるが、放熱部
180と発光素子130は導電性接着層120で固定することができる。
ケージ100で発光素子130から熱を放出することができ、パッケージ本体110と放
熱部180との間に材料の差によって生じる熱膨張係数の差により放熱部の平坦度が低下
し得る。
平らでなく凸凹になり、発光素子130が傾斜して配置されるので、発光素子パッケージ
100の光出射角が傾斜し得る。また、発光素子パッケージ100の下側方向で放熱部1
80が凸凹になると、回路基板などに実装されるときに発光素子パッケージが傾斜し得る
。
置され、銅(Cu)が含まれた合金層を含む放熱部とを備え、前記放熱部の銅が含まれた合金
層は、WまたはMo中の少なくとも一つを含み、前記パッケージ本体は、側壁と底面を有
するキャビティを含み、前記底面に前記貫通穴が形成されていることを特徴とする。
製造工程で熱による変形が最小化され、光出射角の均衡をなし、発光素子パッケージの信
頼性を向上させることができる。
ケージの作製工程を簡素化することができる。
及び耐久性が強く、電極間の短絡の可能性も減少し、UVなどの短い波長帯域での光の全
反射率が相対的に低い金めっきされた電極の面積が減少し、相対的にUV光の全反射率が
高いセラミック層の露出面積が増加するので、光抽出効率が向上し、露出したセラミック
基板とモールディング部内のシリコーン樹脂などとの結合力がより大きいので、構造物の
安定性を向上させることができる。
機械的に連結するので、環境汚染の心配がなくて環境にやさしく、電線連結不良の発生が
最小化され、光源モジュールの信頼性を向上させることができる。
ーに拡散部材を締結することによって光源モジュールの構造を簡素化し、拡散部材の付着
不良発生を最小化することができる。
されると記載される場合、「上」又は「下」は、二つの要素が直接接触したり、一つ以上
の他の要素が前記二つの要素間に配置されて形成されることを全て含む。また、「上又は
下」と表現される場合、一つの要素を基準にして上側方向のみならず、下側方向の意味も
含むことができる。
、又は概略的に示した。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するも
のではない。
の発光素子パッケージに含まれる放熱部のみを分離して示した図である。
放熱部220、及び発光素子230を備えることができる。
の層211、第2の層212、第3の層213、及び第4の層214を含む場合を示した
が、前記本体210は、より多い層又はより少ない層で具現することもできる。また、前
記本体210は、単一層で具現することもできる。
化物の絶縁性物質で具現することができる。また、前記本体210は複数のセラミック層
を含むことができる。例えば、前記本体210は、低温同時焼成セラミック(LTCC:
low temperature co―fired ceramic)方法によって具
現することができる。また、前記本体210は、高温同時焼成セラミック(HTCC:h
igh temperature co―fired ceramic)方法によって具
現することができる。前記本体210の材質は、SiO2、SixOy、Si3N4、S
ixNy、SiOxNy、Al2O3、又はAlNであり得る。例えば、前記本体210
はAlNで形成したり、熱伝導度が140W/mK以上の金属窒化物で具現することがで
きる。
少なくとも一つが異なる厚さであってもよい。前記本体210の各層211、212、2
13、214は、製造工程で区別される個別層であってもよく、焼成完了後に一体に形成
されてもよい。
ンを介して前記発光素子230に電源を提供することができる。また、前記発光素子23
0に印加される電源は、前記本体210に形成可能なビアホール構造を介して提供するこ
ともできる。
は反射物質を提供することができる。前記本体210は、前記発光素子230から発光さ
れる光を反射させて外部に抽出することができる。
230が位置し得る。前記キャビティの側壁は傾斜面からなり得る。
ディング部240は、外部から流入する異物及び水分などを遮断することによって前記発
光素子230を保護することができる。また、前記モールディング部240は、蛍光物質
を含むことができ、前記発光素子230から発光される光を受け、波長変換された光を提
供することもできる。
ールには前記放熱部220を配置することができる。本実施例によって前記本体210に
キャビティが形成された場合、前記キャビティの底面に貫通ホールを設けることができる
。前記発光素子230を前記放熱部220上に配置することができ、前記発光素子230
は前記放熱部220に接触することができる。前記放熱部220は、前記発光素子230
から発生する熱を効率的に外部に伝達できるようになる。前記放熱部220は外部に露出
することができる。前記放熱部220は、銅(Cu)を含む合金層221と、前記合金層
221の下側に配置された銅(Cu)層222とを含むことができる。前記銅を含む合金
層221の水平断面積は、前記銅層222の水平断面積より小さく具現することができる
。
21と、前記合金層221の下側に配置された銅層222とを有することができる。また
、一実施例によると、前記放熱部220は、図4に示したように、CuMoを含む合金層
221と、前記合金層221の下側に配置された銅層222とを有することができる。前
記合金層221はW及びMoのうち少なくとも一つの元素を含むことができる。
した。銅層の場合、加工性に劣るが、熱伝達に非常に良い特性を示す。しかし、銅層の熱
膨張係数は大きく、前記発光素子230の熱膨張係数と比べるとその差が大きい。これに
よって、温度の上昇及び下降によって前記発光素子230に熱膨張及び収縮によるストレ
スが伝達され、前記発光素子230に損傷が発生し得る。このような問題を解決するため
に、実施例では、前記放熱部220を具現するにおいて、下部に銅層222を配置し、前
記銅層222上に銅を含む合金層221を配置した。これによって、前記発光素子230
は、前記銅層222に直接接触するのではなく前記合金層221に接触するようになる。
実施例では、前記合金層221の例としてCuW合金層とCuMo合金層を提示し、前記
CuW合金層とCuMo合金層は、前記発光素子230と熱膨張係数が類似するので、前
記発光素子230が温度の上昇及び下降によって損傷することを防止できるようになる。
前記合金層221は、W、Moのうち少なくとも一つの物質を含むことができる。前記合
金層221はCuW、CuMo、CuWMo層などを含むことができる。
放熱部220の上面が上側に突出することを防止できるようになる。これによって、前記
放熱部220上に配置される前記発光素子230を安定的に位置できるようになる。
る。
射電極50を含むことができる。
導体層13を含むことができる。前記第1の導電型半導体層11の上部表面に凹凸17を
設けることができる。
ントが添加されたn型半導体層に形成し、前記第2の導電型半導体層13は、第2の導電
型ドーパントとしてp型ドーパントが添加されたp型半導体層に形成することができる。
また、前記第1の導電型半導体層11はp型半導体層に形成し、前記第2の導電型半導体
層13はn型半導体層に形成することもできる。
1の導電型半導体層11は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、
0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体材料で具現することができる。前記第1の導電
型半導体層11は、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InA
lGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP
などから選択することができ、これにはSi、Ge、Sn、Se、Teなどのn型ドーパ
ントをドーピングすることができる。
)と前記第2の導電型半導体層13を介して注入される正孔(又は電子)とが互いに会い
、前記活性層12の形成物質によるエネルギーバンドのバンドギャップの差によって光を
放出する層である。前記活性層12は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造(MQW:
Multi Quantum Well)、量子点構造又は量子線構造のうちいずれか一
つで形成できるが、これに限定されることはない。
、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体材料で具現することができる。前記活性層1
2が前記多重量子井戸構造で具現された場合、前記活性層12は、複数の井戸層と複数の
障壁層を積層して具現することができ、例えば、InGaN井戸層/GaN障壁層の周期
で具現することができる。
記第2の導電型半導体層13は、InxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦
1、0≦x+y≦1)の組成式を有する半導体材料で具現することができる。前記第2の
導電型半導体層13は、例えば、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、I
nAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaI
nPなどから選択することができ、これにはMg、Zn、Ca、Sr、Baなどのp型ド
ーパントをドーピングすることができる。
層13がn型半導体層を含むこともできる。また、前記第2の導電型半導体層13の下側
にはn型又はp型半導体層を含む半導体層をさらに形成することもできる。これによって
、前記発光構造物10は、np、pn、npn、pnp接合構造のうち少なくともいずれ
か一つを有することができる。また、前記第1の導電型半導体層11及び前記第2の導電
型半導体層13内の不純物のドーピング濃度は、均一又は不均一であり得る。すなわち、
前記発光構造物10の構造は多様に形成することができ、これに対して限定することはな
い。
GaN/GaNスーパーラティス構造又はInGaN/InGaNスーパーラティス構造
を形成することもできる。また、前記第2の導電型半導体層13と前記活性層12との間
には第2の導電型のAlGaN層を形成することもできる。
第1の導電型半導体層11がGaN層である場合、成長方向及びエッチング方向を考慮す
ると、前記凹凸17が形成された面はN面であり得る。
ができる。前記発光構造物10上に前記電極20を配置することができる。前記電極20
と前記反射電極50は前記発光構造物10に電源を提供することができる。前記オーミッ
ク接触層40は、前記発光構造物10とオーミック接触するように形成することができる
。また、前記反射電極50は、前記発光構造物10から入射される光を反射させ、外部に
抽出される光量を増加させる機能をすることができる。
前記オーミック接触層40は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、
IZO(Indium Zinc Oxide)、AZO(Aluminum Zinc
Oxide)、AGZO(Aluminum Gallium Zinc Oxide
)、IZTO(Indium Zinc Tin Oxide)、IAZO(Indiu
m Aluminum Zinc Oxide)、IGZO(Indium Galli
um Zinc Oxide)、IGTO(Indium Gallium Tin O
xide)、ATO(Antimony Tin Oxide)、GZO(Galliu
m Zinc Oxide)、IZON(IZO Nitride)、ZnO、IrOx
、RuOx、NiOから選択された少なくとも一つの物質で形成することができる。
記反射電極50は、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、C
u、Au、Hfのうち少なくとも一つを含む金属又は合金で形成することができる。また
、前記反射電極50は、前記金属又は合金と、ITO(Indium―Tin―Oxid
e)、IZO(Indium―Zinc―Oxide)、IZTO(Indium―Zi
nc―Tin―Oxide)、IAZO(Indium―Aluminum―Zinc―
Oxide)、IGZO(Indium―Gallium―Zinc―Oxide)、I
GTO(Indium―Gallium―Tin―Oxide)、AZO(Alumin
um―Zinc―Oxide)、ATO(Antimony―Tin―Oxide)など
の透光性伝導性物質を用いて多層に形成することができる。例えば、実施例において、前
記反射電極50は、Ag、Al、Ag―Pd―Cu合金、又はAg―Cu合金のうち少な
くともいずれか一つを含むことができる。
rent Blocking Layer)30を配置することができる。前記電流遮断
層30は、前記電極20と垂直方向に少なくとも一部が重畳する領域に形成することがで
き、これによって、前記電極20と前記反射電極50との間の最短距離で電流が集中する
現象を緩和し、実施例に係る発光素子の発光効率を向上させることができる。
触を形成する材質を用いて形成することができる。前記電流遮断層30は、酸化物、窒化
物又は金属で形成することができる。前記電流遮断層30は、例えば、SiO2、SiO
x、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、Ti、Al、Crのうち少なく
とも一つを含むことができる。
、前記オーミック接触層40は、前記発光構造物10の下側の第2の領域及び前記電流遮
断層30の下側に配置することができる。前記オーミック接触層40は、前記発光構造物
10と前記反射電極50との間に配置することができる。また、前記オーミック接触層4
0は、前記電流遮断層30と前記反射電極50との間に配置することができる。
らに配置することができる。前記アイソレーション層80は、前記発光構造物10の下部
周囲及び前記オーミック接触層40上に配置することができる。前記アイソレーション層
80は、例えば、電気絶縁性を有する材質又は前記発光構造物10に比べて低い電気伝導
性を有する材質で形成することができる。前記アイソレーション層80は、例えば、酸化
物又は窒化物で具現することができる。例えば、前記アイソレーション層80は、SiO
2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、IT
O、AZO、ZnOなどからなる群から少なくとも一つを選択して形成することができる
。前記アイソレーション層80は、前記電流遮断層30と同じ物質で形成することができ
、又は、互いに異なる物質で形成することもできる。前記アイソレーション層80はチャ
ンネル層と称することもできる。
配置することができる。
層60に含まれた物質が前記反射電極50方向に拡散されることを防止する機能をするこ
とができる。前記拡散障壁層55は、前記ボンディング層60に含まれたスズ(Sn)な
どの物質が前記反射電極50などに影響を及ぼすことを防止することができる。前記拡散
障壁層55は、Cu、Ni、Ti―W、W、Pt物質のうち少なくとも一つを含むことが
できる。
i、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag又はTaのうち少なくとも
一つを含むことができる。前記支持部材70は、実施例に係る発光素子を支持し、外部電
極と電気的に連結され、前記発光構造物10に電源を提供することができる。前記支持部
材70は、例えば、Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu―W又
は不純物が注入された半導体基板(例:Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC
、SiGeなど)のうち少なくともいずれか一つで形成することができる。また、前記支
持部材70は絶縁物質で形成することもできる。
は酸化物又は窒化物で具現することができる。前記保護層90は、例えば、SiO2、S
iOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3などの透光性及び絶縁性を有する材質で
形成することができる。前記保護層90は、前記発光構造物10の側面に設けることがで
きる。また、前記保護層90は、前記発光構造物10の側面のみならず、上部にも設ける
ことができる。
0の下部に反射電極50が配置された垂直型構造の発光素子を基準にして説明した。しか
し、本実施例に係る発光素子は、前記発光構造物10をなす第1の導電型半導体層11に
電気的に連結された第1の電極、及び前記発光構造物10をなす第2の導電型半導体層1
3に電気的に連結された第2の電極の位置及び形状は多様に変形可能である。また、本実
施例に係る発光素子は、第1の電極及び第2の電極が同一方向に露出した水平型構造の発
光素子にも適用することができる。
重複する内容は再び説明しない。
220、及び発光素子230を備えることができる。
211、第2の層212、第3の層213、及び第4の層214を含む場合を示したが、前記本体21
0は、より多くの層又はより少ない層に具現することもできる。また、前記本体210は
単一層に具現することもできる。
絶縁性物質で具現することができる。また、前記本体210は複数のセラミック層を含む
ことができる。例えば、前記本体210は、低温同時焼成セラミック(LTCC:low
temperature co―fired ceramic)方法によって具現する
ことができる。また、前記本体210は、高温同時焼成セラミック(HTCC:high
temperature co―fired ceramic)方法によって具現するこ
とができる。前記本体210の材質は、SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、
SiOxNy、Al2O3、又はAlNであり得る。例えば、前記本体210は、AlNで
形成したり、熱伝導度が140W/mK以上の金属窒化物で具現することができる。
つが異なる厚さであってもよい。前記本体210の各層211、212、213、214は、製造工程
で区別される個別層であってもよく、焼成完了後に一体に形成されてもよい。
を介して前記発光素子230に電源を提供することができる。また、前記発光素子230
に印加される電源は、前記本体210に形成可能なビアホール構造を介して提供することも
できる。
物質を提供することができる。前記本体210は、前記発光素子230から発光される光を
反射させて外部に抽出することができる。
は前記放熱部220を配置することができる。前記発光素子230は前記放熱部220上
に配置することができる。前記発光素子230は、前記放熱部220に接触することがで
きる。前記放熱部220により、前記発光素子230で発生する熱を効率的に外部に伝達
できるようになる。前記放熱部220は外部に露出することができる。
置された銅(Cu)層222とを有することができる。前記銅を含む合金層221の水平
断面積は、前記銅層222の水平断面積より小さく具現することができる。
した。銅層の場合、加工性に劣るが、熱伝達が非常に良い特性を示す。しかし、銅層は、
熱膨張係数が大きいので、前記発光素子230の熱膨張係数に比べるとその差が大きい。
これによって、温度の上昇及び下降によって前記発光素子230に熱膨張及び収縮による
ストレスが伝達され、前記発光素子230に損傷が発生し得る。このような問題を解決す
るために、実施例では、前記放熱部220を具現するにおいて、下部に銅層222を配置
し、前記銅層222上に銅を含む合金層221を配置した。これによって、前記発光素子
230は、前記銅層222に直接接触するのではなく、前記合金層221に接触するよう
になる。実施例では、前記合金層221の例としてCuW合金層とCuMo合金層を提示
し、前記CuW合金層とCuMo合金層は、前記発光素子230と熱膨張係数が類似する
ので、前記発光素子230が温度の上昇及び下降によって損傷することを防止できるよう
になる。前記合金層221は、W、Moのうち少なくとも一つの物質を含むことができる
。前記合金層221はCuW、CuMo、CuWMo層などを含むことができる。
放熱部220の上面が上側に突出することを防止できるようになる。これによって、前記
放熱部220上に配置される前記発光素子230を安定的に位置できるようになる。
と重複する内容は再び説明しない。
放熱部220、及び発光素子230を備えることができる。
の層211、第2の層212、第3の層213、第4の層214、及び第5の層215を
含む場合を示したが、前記本体210はより多くの層又はより少ない層に具現することも
できる。また、前記本体210は単一層に具現することもできる。
物の絶縁性物質で具現することができる。また、前記本体210は複数のセラミック層を
含むことができる。前記本体210はグリーンシート(green sheet)を含む
ことができる。例えば、前記本体210は、低温同時焼成セラミック(LTCC:low
temperature co―fired ceramic)方法によって具現する
ことができる。また、前記本体210は、高温同時焼成セラミック(HTCC:high
temperature co―fired ceramic)方法によって具現する
ことができる。前記本体210の材質は、SiO2、SixOy、Si3N4、SixN
y、SiOxNy、Al2O3、又はAlNであり得る。例えば、前記本体210は、A
lNで形成したり、熱伝導度が140W/mK以上の金属窒化物で具現することができる
。
は反射物質を設けることができる。前記本体210は、前記発光素子230から発光され
る光を反射させて外部に抽出することができる。前記本体210をなす前記第1の層21
1及び前記第2の層212は拡張層と称することもできる。前記拡張層は、前記放熱部2
30の周囲に積層して位置させることができる。前記本体210は前記拡張層によって形
成され、底及び内側面を有するキャビティを含むことができる。前記キャビティの内側面
は傾斜面を有することができる。前記第3の層213は支持層と称することもできる。前
記第3の層213は前記発光素子230を支持し、前記放熱部220が形成される工程で
支持役割をすることもできる。すなわち、前記第3の層213は、放熱部220が熱によ
って膨張して発光素子230方向に突出することを防止する突出防止層の役割をすること
ができる。
0を支持する支持部から上部方向に設けることができる。例えば、前記支持部は、前記放
熱部220に接した前記第5の層215であり得る。前記本体210のリセスには前記放
熱部220を配置することができる。前記発光素子230は前記放熱部220上に配置す
ることができる。前記発光素子230と前記放熱部220との間に前記第3の層213を
配置することができる。前記発光素子230で発生する熱が前記放熱部220によく伝達
できるように、前記第3の層213は薄い厚さで形成することができる。例えば、前記第
3の層213は40μm〜60μmの厚さで形成することができる。
るようになる。前記放熱部220は外部に露出することができる。前記放熱部220は、
銅(Cu)を含む合金層221と、前記合金層221の下側に配置された銅(Cu)層2
22とを含むことができる。前記銅を含む合金層221の水平断面積は、前記銅層222
の水平断面積より小さく具現することができる。
て、前記放熱部220の上面が上側に突出することを防止できるようになる。前記第3の
層213は、例えば、グリーンシートで形成することができ、上部表面を平坦に形成する
ことができる。これによって、前記発光素子230は共晶接合(eutectic bo
nding)などを通して前記第3の層213上に配置することができる。
、微粉(fine powder)、ペーストなどの形態で充填した後、焼成工程を通し
て形成することもできる。これによって、前記放熱部220上に配置される前記発光素子
230を安定的に位置できるようになる。また、前記放熱部220の下部に別途の薄膜、
例えば、40μm〜60μmの厚さを有するグリーンシートを配置することができる。
と重複する内容は再び説明しない。
20、及び発光素子230を備えることができる。
物質を提供することができる。前記本体210は、前記発光素子230から発光される光を
反射させて外部に抽出することができる。前記本体210をなす前記第1の層211及び前記第
2の層212は拡張層と称することもできる。前記拡張層は、前記放熱部230の周囲に積
層して位置させることができる。前記本体210は、前記拡張層によって形成され、底及び
内側面を有するキャビティを含むことができる。前記キャビティの内側面は階段状を有す
ることができる。前記第3の層213は支持層と称することもできる。前記第3の層213は、
前記発光素子230を支持し、前記放熱部220が形成される工程で支持役割をすること
もできる。
路パターンを形成する方法の一実施例を示した図である。上述した各実施例と重複する内
容は再び説明しない。
部220、及び発光素子230を備えることができる。
。貫通ホールの内側面と、前記内側面と接する放熱部220の外側面とにパターンを形成
して接触面積を広げることによって、放熱効果を増大させることができる。
状に対して制限することはない。
グリーンシート280を作製する。このように作製された複数のグリーンシートのそれぞ
れ281〜284に、本体210全体を考慮して、正確な位置にビアホール290を形成
し、前記ビアホール290と連結される電極パターン294を形成する。このとき、電極
パターン294を形成した後、ビアホール290を形成することもできる。そして、ビア
ホール290の内部に電極物質を充填することによって貫通電極292を形成する。電極
物質は、ビアホール290の内壁のみに充填したり、ビアホール290全体に充填するこ
とができる。
基板の電極と連結されることによって、発光素子230に電流を供給することができる。
ができる。すなわち、放熱部220は、熱伝導性と共に電気伝導性を有する物質からなり
、本体210の電極パターンと電気的に連結され、導電性接着層250を介して発光素子
230が放熱部220にボンディングされるので、発光素子230と放熱部220は別途
のワイヤボンディングがなくても直接通電することができる。導電性接着層250は、例
えば、Agペースト又はAu―Snメタルであり得る。
例と重複する内容は再び説明しない。
部220、及び発光素子230を備えることができる。
を有する。
あるので、放熱ブロック形態の放熱部220を本体210に挿入した後、同時―焼成加工
を経るか、発光素子パッケージの使用中に発光素子230で発生する熱によって放熱部2
20が膨張しながら、発光素子230が実装される放熱部220の上面が凸状に突出し得
る。
性に問題が発生し得る。したがって、発光素子230と放熱部220との間に突出防止層
260を位置させ、放熱部220の上面が発光素子230方向に突出することを防止する
ことができる。
成して本体210の一部をなすこともできる。
止層260とを電気的に連結することができる。
部に形成することもできる。
例と重複する内容は再び説明しない。
部220、及び発光素子230を備えることができる。
と、放熱部220の下部に位置する突出防止層270とを有する。
の全てに突出防止層を形成することができる。
一体に形成して本体210の一部をなすこともできる。
例と重複する内容は再び説明しない。
ミック層310a、310b、310c、310dからなる。パッケージ本体310は、
高温同時焼成セラミック(High Temperature Cofired Cer
amics、HTCC)又は低温同時焼成セラミック(Low Temperature
Cofired Ceramics、LTCC)技術を用いて具現することができる。
もよく、異なってもよい。パッケージ本体310は窒化物又は酸化物の絶縁性材質からな
り、例えば、SiO2、SixOy、Si3Ny、SiOxNy、Al2O3又はAlN
を含むことができる。
一部のセラミック層310a、310bは発光素子パッケージ300又はキャビティの底
面をなすことができ、他の一部のセラミック層310c、310dはキャビティの側壁を
なすことができる。
ティの底面に発光素子230が配置される。発光素子230は、本実施例では4個配置さ
れるが、少なくとも一つを配置することができる。
たLED(Light Emitting Diode)を含むが、発光素子は、青色、
緑色又は赤色などの光を放出する有色発光素子であるか、UVを放出するUV発光素子で
あり得る。
ているので、約280nmの波長を有する深紫外線(Deep UV)LED又は約36
5〜405nmの波長を有する近紫外線(Near UV)LEDを含む発光素子230
を使用するとしても、発光素子230から放出された紫外線光によって本体310が変色
又は変質するおそれがなく、発光モジュールの信頼性を維持することができる。
で、図14Aは、図13Aの一部分を詳細に示した図で、図14Bは、図13の発光素子
パッケージを対角線方向に切断して示した側断面図である。
3Aで4個の第1の電極パターン331、332、333、334と第2の電極パターン
341、342、343、344をそれぞれ配置することができる。上述した4個の第1
の電極パターン331、332、333、334は互いに同一の極性であり得るので、一
つのリードフレームに連結することができ、他の極性の4個の電極パターン331、33
2、333、334も互いに同一の極性であり得るので、他の一つのリードフレームに連
結することができる。
dが外郭に示され、キャビティの底面をなすセラミック層310bが中央に露出している
。図13Aの上面図で、図12で最も上側に配置されたセラミック層310dの幅cが最
も広く見え、2番目に上側に配置されたセラミック層310cの幅bはそれより狭く見え
、キャビティの底面をなすセラミック層310bは最も狭い幅aを示している。
41、342、343、344の配置は、キャビティの底面をなすセラミック層310b
の中央に対して対称をなすことができる。以下では、図14を参照して、電極パターン構
造の一部を詳細に説明する。
配置され、第2の電極パターン341、342、343、344がキャビティの底面の縁
部領域に配置されている。上述した第1の電極パターン331、332、333、334
と第2の電極パターン341、342、343、344の配置は互いに取り替えることが
できる。
た第2の電極パターン341の辺の幅が狭く配置された領域dにはセラミック層310b
が露出している。すなわち、第2の電極パターン341は最大パターンの幅と最小パター
ンの幅とが互いに異なり得るが、このような配置は、発光素子から放出された光がセラミ
ック層310bで反射される面積を増加させ、発光素子パッケージの光効率を向上させる
ことができる。
領域341―1と連結された第2の領域341―2とを含み、前記第1の領域341―1
の幅は前記第2の領域341―2の幅と異なり、第1の領域341―1の幅eがより広い
。第2の領域341―2の幅を第1の領域341―1の幅より狭く形成することによって
セラミック層310bを露出させ、光反射効率を向上させることができる。前記第1の領
域341―1は、発光素子230のワイヤボンディング時にワイヤ360がボンディング
される領域である。第2の電極パターン342、343、344に対しても同様である。
らなる第2の電極パターン341と透光層との結合力に比べて、セラミック層310bと
透光層内のシリコーン樹脂などとの結合力がより大きいので、発光素子パッケージの構造
内の安定性を増加させることができる。
部pに対応するパッケージ本体をなすセラミック層310bには上述したビアホールタイ
プの連結電極が配置され、第2の電極パターン341をリードフレームと連結できるので
、第2の電極パターン341の拡張パターンであり得る。上述した突出部p及び拡張パタ
ーンは、パッケージ本体に形成された貫通ホールと電気的に連結され、パッケージ本体の
下部のリードフレームなどと電気的に連結することができる。図14Bを参照すると、第
2の電極パターン341の拡張パターンである突出部pはキャビティの壁部方向に拡張さ
れて形成され、少なくとも一部は前記キャビティの壁部の下側に位置し得る。また、突出
部pと電気的に連結された貫通ホールも、前記キャビティの壁部と垂直方向に重畳するよ
うに配置することができる。貫通ホールが形成されたパッケージ本体上に電極パターンを
形成する場合、貫通ホールによって電極パターン部分が下側方向に凹状になり、信頼性に
影響を与えるおそれがあるので、貫通ホールと突出部pをキャビティの壁部の下側に形成
することによって信頼性の低下を防止することができる。
が狭く配置された領域dが形成されており、上述した第1の電極パターン331〜334
の辺の幅が狭く配置された領域dにはセラミック層310bが露出している。すなわち、
第1の電極パターン331〜334が狭く配置された領域により、セラミック層310b
から反射される面積を増加させ、発光素子パッケージの光効率を向上させることができる
。
ップ実装領域331―1の周囲に配置される複数の縁部領域331―2とを有し、隣接し
た各縁部領域331―2間でセラミック層310bが露出し、光反射効率を向上させるこ
とができる。第1の電極パターン332、333、334に対しても同様である。図13
Bには、一例として、各縁部領域331―2が前記チップ実装領域331―1のコーナー
に位置することを示している。
極パターンが狭く配置された領域dが形成されており、その効果は図13Bで説明した通
りである。
ップ実装領域331―1の周囲に配置される複数の縁部領域331―2とを有し、隣接し
た各縁部領域331―2間でセラミック層310bが露出し、光反射効率を向上させるこ
とができる。第1の電極パターン332、333、334に対しても同様である。図13
Bには、一例として、各縁部領域331―2が前記チップ実装領域331―1の辺に沿っ
て位置することを示している。
る構成は、それぞれ4個の第1の電極パターン331〜334や第2の電極パターン34
1〜344のうち一つ以上で具現することができる。
eが0.45mmであり得る。そして、第2の電極パターン341と第1の電極パターン
331との間の幅は0.1mmであり、第2の電極パターン341の縁部でより幅が広い
領域の幅gは0.45mmであり得る。
した各実施例と重複する内容は再び説明しない。
層410a、410b、410c、410d、410eからなる。パッケージ本体は、高
温同時焼成セラミック(High Temperature Cofired Cera
mics、HTCC)又は低温同時焼成セラミック(Low Temperature
Cofired Ceramics、LTCC)技術を用いて具現することができる。
、異なってもよい。パッケージ本体は窒化物又は酸化物の絶縁性材質からなり、例えば、
SiO2、SixOy、Si3Ny、SiOxNy、Al2O3又はAlNを含むことが
できる。
れ異なってもよく、一部のセラミック層410a、410b、410cは発光素子パッケ
ージ400又はキャビティの底面をなすことができ、他の一部のセラミック層410d、
410eはキャビティの側壁をなすことができる。
なるキャビティの底面に発光素子230が配置される。発光素子230は少なくとも一つ
配置することができる。発光素子230とワイヤ440を取り囲みながら、キャビティの
内部にモールディング部450が配置されるが、モールディング部450は、シリコーン
樹脂や蛍光体460を含むことができ、蛍光体460は、発光素子230から放出された
第1の波長領域の光をより長波長である第2の波長領域の光に変換することができる。例
えば、第1の波長領域が紫外線領域であると、第2の波長領域は可視光線領域であり得る
。
を有する深紫外線(Deep UV)LED又は約365〜395nmの波長を有する近
紫外線(Near UV)LEDを含む発光素子230を使用するとしても、発光素子2
30から放出された紫外線光によってパッケージ本体が変色又は変質するおそれがなく、
発光モジュールの信頼性を維持することができる。
ージ本体をなす複数のセラミック層410a、410b、410c、410d、410e
がキャビティをなすとき、キャビティの底面に配置されるセラミック層410cの表面に
発光素子230を配置することができる。
いる。放熱部480a、480bは、熱伝導性及び電気伝導性に優れた物質からなり、例
えば、銅(Cu)又は銅(Cu)を含む合金からなり得る。前記銅(Cu)を含む合金は
、W又はMoのうち少なくとも一つの物質を含んで構成することができ、例えば、CuW
、CuNo、CuWMoなどを含むことができる。放熱部480a、480bが電気伝導
性を有する物質からなり、発光素子230が導電性接着層445を介して放熱部480a
、480bに付着されるので、発光素子230と放熱部480a、480bは別途のワイ
ヤボンディングがなくても直接通電することができる。
aと同一であってもよく、パッケージ本体の底面に配置された層の幅Wcは、発光素子2
30の幅Waより広くなり得る。すなわち、放熱部480a、480bの幅は、発光素子
230と接触する方向よりも発光素子と反対方向でより広い。
光素子230の幅と同一であれば十分であり、発光素子230から遠ざかるほど放熱部4
80a、480bの幅が広くなり、熱放出効率を増加させることができる。そして、熱が
伝達される放熱部480a、480bの下側方向の面積が相対的に広いので、狭い面積で
熱が放出される場合に比べて熱膨張による放熱部480a、480bの膨張を減少させる
ことができる。また、前記放熱部の上部断面積が前記発光素子から遠ざかるほど下部断面
積より広くなるように構成することもできる。
相対的に幅が狭い第1の部分と、発光素子230と反対方向に位置し、前記第1の部分よ
り幅が広い第2の部分とが互いに異なる物質からなることもある。すなわち、前記第1の
部分は銅(Cu)を含む合金層からなり、前記第2の部分は銅層からなり得る。前記銅を
含む合金層は、W又はMoのうち少なくとも一つの物質を含んで構成することができ、例
えば、CuW、CuNo、CuWMoなどを含むことができる。
張係数が大きいので、前記発光素子230の熱膨張係数に比べるとその差が大きい。これ
によって、温度の上昇及び下降によって前記発光素子230に熱膨張及び収縮によるスト
レスが伝達され、前記発光素子230に損傷が発生し得る。このような問題を解決するた
めに、一例として、前記放熱部480a、480bを具現するにおいて、下部の第2の部
分を銅層に形成し、上部の第1部分に銅を含む合金層を形成した。これによって、前記発
光素子230は、前記銅層に直接接触するのではなく、前記合金層に接触するようになる
。CuW合金層とCuMo合金層は、発光素子230と熱膨張係数が類似するので、発光
素子230が温度の上昇及び下降によって損傷することを防止できるようになる。
475cを介して互いに電気的に連結することができる。そして、放熱部480bは、セ
ラミック層410bに形成された電極層475bと電気的に連結され、電極層475bは
、導電性物質が充填された貫通ホール477aを介してセラミック層410aの下部の電
極パターン475aに連結することができる。
71dとワイヤ440でボンディングされている。そして、前記電極パターン471dは
、セラミック層410a、410b、410cにそれぞれ形成された導電性物質が充填さ
れた貫通ホール473a、473c、473dと電極パターン471b、471cを介し
てセラミック層410aの下部の電極パターン471aに連結することができる。上述し
た一対の電極パターン471a、475aは、電極パッドとして作用し、回路基板に電気
的に直接接触することができる。
配置できるが、それぞれの発光素子230と電気的に連結された電極パターン471d、
475dは、互いに同一の極性であるので電気的に連結することができる。
ーンシートは、パッケージ本体の最も下側のセラミック層410aと放熱部480a、4
80bを支持し、放熱部480a、480bの熱膨張を突出防止層490が密封して防止
することができる。
10aの下側に配置されている。そして、電極パターン471aは、セラミック層410
aに形成された導電性物質が充填された貫通ホール491aを介してグリーンシート49
0の下部の電極パッド492aに電気的に連結され、他の電極パターン475aは、セラ
ミック層410bに形成された導電性物質が充填された貫通ホール491bを介してグリ
ーンシート490の下部の他の電極パッド492bに電気的に連結することができる。
支持プレートであって、透光性の薄いフィルムであるか、セラミック層410aと同一の
材質からなり得る。
層410cの上側に配置されている。そして、発光素子230は、突出防止層495の表
面に配置された電極パターン471d、475dとワイヤ440でボンディングされ、電
極パターン471dは、突出防止層495内に形成された導電性物質が充填された貫通ホ
ール496aを介して電極パターン497aに電気的に連結され、複数の電極パターン4
71d、475dは互いに電気的に連結することができる。
パターン498と電気的に連結され、電極パターン498は放熱部480bと電気的に接
触し、放熱部480bは、電極パターン475b、475cと導電性物質が充填された貫
通ホール477a、477bを介してセラミック層410aの下部の電極パターン475
aに電気的に連結されている。そして、2個の放熱層480a、480bも互いに電気的
に連結することができる。
、熱による放熱部480a、480bの膨張時に放熱部480a、480bの表面に凹凸
が生じることを防止することができる。そして、発光素子230に対応しない突出防止層
495の部分は、共にパッケージ本体の高さ均衡を合わせることができる。
410fが位置し、前記セラミック層410f上に電極パターン471d、475dが位
置し得る。セラミック層410f〜410eとキャビティの底面は階段状を有する。モー
ルディング部は形成されなくてもよい。
である。
d)は4個の放熱部480a〜480dを示している。このような複数の放熱部の構成に
より、発光素子パッケージの製造工程で熱による放熱部の変形を最小化することができ、
その結果、発光素子や発光素子パッケージが傾斜しないようにし、光出射角の均衡をなす
ことができる。
0a、480bの上部の幅Wb、Wbより大きくなり得る。そして、各放熱部480a、
480bは距離Wdだけ離隔している。上述した距離Wdは、各放熱部480a、480
b間に配置されたセラミック層の幅であり得る。
配置されているが、4個の発光素子に対応して配置することができ、それぞれの放熱部4
80a、480b、480c、480d間の距離Wdは同一であり、パッケージ本体をな
すセラミック層が配置されている。4個の放熱部480a、480b、480c、480
dは互いに対称をなして配置されている。
容を適用することができ、重複する内容であるので、それについての説明は省略する。
た各実施例と重複する内容は再び説明しない。
形成された本体510と、前記貫通ホール510a内に配置される放熱部520と、前記
放熱部520上に配置されるサブマウント530と、前記サブマウント530上に配置さ
れる少なくとも一つの発光素子230とを備える。
10が多層のセラミック基板である場合、例えば、高温同時焼成セラミック(High
Temperature Cofired Ceramics、HTCC)又は低温同時
焼成セラミック(Low Temperature Cofired Ceramics
、LTCC)技術を用いて具現することができる。
なってもよく、これに制限することはない。
と電気的に連結されることによって、発光素子230の駆動に必要な電流を供給すること
ができる。
きる。図19に示したように、本体510の側壁512aは傾斜面を含んで構成すること
ができる。前記傾斜面は、発光素子230で発生した光を反射させ、オープン領域である
キャビティ512の上面に進行させることによって、光源モジュールの光抽出効率を向上
させることができる。
ィング、めっき又は蒸着することができる。
ク基板はキャビティを形成し易く、熱に強いという長所を有する。しかし、セラミック基
板は、メタル基板に比べて熱伝導性に劣るので、放熱特性を補償するためにメタルスラッ
グ(metal slug)からなる放熱部520を同時焼成(Co―fired)した
り、又はAgCuでボンディングして熱処理した後、結合又は挿入して使用することがで
きる。
される場合、前記キャビティ512の底面512bに貫通ホール510aを形成すること
ができる。前記貫通ホール510a内には放熱部520が挿入されて配置される。
22とにパターンを形成して接触面積を広げることによって、放熱効果を増大させること
ができる。
に対して制限することはない。
などのCuが含まれた合金、Cu単一金属、Mo、W又はAgのうち少なくとも一つを含
むことができる。
技術を用いて具現される場合、CuWを含む放熱部520を挿入して使用することが熱に
安定的であり、本体510がLTCC技術を用いて具現される場合、Agを含む放熱部5
20を結合又は挿入して使用することが熱に安定的であり得る。
基板又は絶縁性基板であり、例えば、Si、SiC又はAlNなどの熱伝導率と熱膨張係
数を考慮した物質を含むことができる。
して発光素子230を付着することができる。
放出されるので、サブマウント530は熱伝導性に優れた材質からなり得る。
が相対的に熱伝導率に劣る本体510の代わりに、熱伝導性に優れた放熱部520を介し
て外部に放出され、光源モジュールの信頼性を向上させることができる。
る放熱部520の上面が平らでない場合、発光素子230が浮いたり、不安定にボンディ
ングされ、放熱性と信頼性が低下し得るが、サブマウント530上に発光素子230を配
置することによって、このような問題を最小化することができる。
性を維持する役割をするので、放熱部520と発光素子230は互いに垂直的に重畳する
ように配置することができる。
れ以上又はそれ以下の発光素子を含ませることもできる。
紫外線(Deep UV)LED又は近紫外線(Near UV)LEDを含む発光素子
230を使用するとしても、発光素子230から放出された紫外線光によって本体510
が変色又は変質するおそれがなく、発光モジュールの信頼性を維持することができる。
を位置させることができる。
うに透明な材質と非反射コーティング膜からなり、例えば、SiO2(Quartz、U
V Fused Silica)、Al2O3(Sapphire)又はLiF、MgF
2、CaF2、Low Iron Transparent Glass、B2O3など
を含むことができる。
ら放出された紫外線光が光源モジュールの外部の有機物を破壊又は変質させることを防止
する役割をすることができる。
、窒素(N2)ガス又はフォーミングガス(forming gas)で充填することも
できる。
、ガラス部550の縁部を支持可能な支持部514を形成することができる。
るように前記本体510のキャビティ512内にモールディング部565を形成すること
もできる。
esin、紫外線に強いSi―Resin、ハイブリッド系樹脂などを含むことができ、
これに対して制限することはない。
70を介して外部に放出されるので、放熱パッド570は、熱伝導性に優れた物質であり
、例えば、Ag、Au又はCuのうちいずれか一つを含む金属であり得る。
との間には熱伝導シート575が位置し得る。熱伝導シート575は、優れた熱伝導性、
電気絶縁性及び難燃性を有し、発熱部位と放熱パッドを密着させることによって熱伝達効
果を極大化させることができる。
と重複する内容は再び説明しない。
と、前記貫通ホール510a内に配置される放熱部520と、前記放熱部520上に配置
される少なくとも一つの発光素子230とを備える。
上に直接配置される点で、上述した第10の実施例と異なっている。
上にボンディングされるので、別途のワイヤボンディング工程がなくても前記発光素子2
30と前記放熱部520とが直接通電することができる。
と重複する内容は再び説明しない。
ィング部580が形成され、前記ツェナーダイオードボンディング部580にツェナーダ
イオード585が配置される。
分して形成することができる。発光素子230の発光時、ツェナーダイオード585によ
って光が乱反射又は吸収され、発光素子230の発光効率が低下し得るので、ツェナーダ
イオード585を発光素子230が位置する空間と区分又は隔離する。
オードボンディング部580は、前記キャビティ512が形成されていない領域に位置し
得る。
ワイヤを保護するためにシリコーン樹脂などが充填されたモールディング部590を形成
することができる。
と重複する内容は再び説明しない。
0と電気的に連結された電極パッド610を有する基板620と、前記基板620上に位
置し、前記電極パッド610に対応する領域にキャビティ632が位置するホルダー63
0とを備え、前記電極パッド610は、前記キャビティ632内に配置され、ワイヤ63
4、635が電気的に連結された突出電極部631とコンタクトされる。
hip On Board)タイプであり得る。
る。
ラミック基板である場合、例えば、高温同時焼成セラミック(High Tempera
ture Cofired Ceramics、HTCC)又は低温同時焼成セラミック
(Low Temperature Cofired Ceramics、LTCC)技
術を用いて具現することができる。
D又は近紫外線(Near UV)LEDを含むUV LEDである場合、発光素子から
放出される紫外線光によって基板620が変色又は変質しないように、前記基板620は
セラミック基板からなり得る。
位置する。
含む概念で使用することができる。
610の配置は、実施例によって変化させることができ、これに制限することはない。
基板620にリセス614を形成し、前記リセス614内に配置することもできる。
10に対応しない前記基板620の厚さは互いに異なり、一例として、前記電極パッド6
10に対応する前記基板620の厚さがより薄くなり得る。
れたアノード電極パッド611と、前記アノード電極パッド611と離隔して位置し、前
記光源600の第2の電極(図示せず)と電気的に連結されたカソード電極パッド612
とを有する。
列できるが、これに限定することはない。
のように、電極パッド610が二つ設けられた発光モジュールを示しているが、実施例に
よって電極パッド610が一つだけ設けられたり、三つ以上設けられた発光モジュールも
可能である。
ュールの位置や方向を変えずに便利な位置の電極パッド610を選択して使用できるとい
う利点がある。
する領域が開放されたキャビティ632を含み、前記キャビティ632内に配置されたワ
イヤ634、635が前記電極パッド610とコンタクトされる。
イヤ634、635が配置され、前記ワイヤ634、635と電気的に連結された突出電
極部631は、前記アノード電極パッド611及び前記カソード電極パッド612とそれ
ぞれコンタクトされ、光源モジュールに電流を供給することができる。
は、図25及び図26を参照して後で説明する。
色又は変質しないように、前記ホルダー630は無機材質からなり得る。
610aの上部のみにホルダー630を設けることを示したが、第2の電極パッド610
bの上部にもホルダー630が設けられる。
と重複する内容は再び説明しない。
0と電気的に連結された電極パッド610を有する基板620と、前記基板620上に位
置し、前記電極パッド610に対応する領域にキャビティ632が位置するホルダー63
0とを備え、前記電極パッド610は、前記キャビティ632内に配置され、ワイヤと電
気的に連結された突出電極部631とコンタクトされる。
hip On Board)タイプであり得る。
れたアノード電極パッド611と、前記アノード電極パッド611と離隔して位置し、前
記光源600の第2の電極(図示せず)と電気的に連結されたカソード電極パッド612
とを備える。
電極パッド612は同一の方向に並んで配列せず、前記基板620上の区分される領域に
それぞれ配置することができる。
11が位置し、前記アノード電極パッド611と遠く離隔した対角線方向にカソード電極
パッド612が位置することを示した。
12が互いに遠く離隔して位置するので、ホルダー630も前記アノード電極パッド61
1と前記カソード電極パッド612をそれぞれカバーするように分けられて配置され、前
記ホルダー630に形成されたキャビティ632内にも外部電源と連結された一つのワイ
ヤがそれぞれ配置される。
の差は、第13の実施例のホルダー630は、一つのホルダーがアノード電極パッド61
1とカソード電極パッド612を一度に全てカバーするので、キャビティ632内に互い
に異なる極性の二つのワイヤ634、635が配置されるが、第14の実施例のホルダー
630は、アノード電極パッド611をカバーする一つのホルダーと、カソード電極パッ
ド612をカバーするもう一つのホルダーとが存在するので、それぞれのホルダーのキャ
ビティ632内にはそれぞれ異なる極性のワイヤ634又は635が配置される。
ッド611の上部のみにホルダー630を設けることを示したが、カソード電極パッド6
12の上部にもホルダー630が設けられる。
例に係る発光モジュールに配置されたホルダー630の締結構造を説明する。
0は少なくとも一つの第1の締結部637を有し、締結手段638により、ホルダー63
0の下面に配置される基板620に固定することができる。
結部を形成することができる。
通ホールが形成され、締結手段638としてのねじが前記ホルダー630の締結部637
と前記基板620の締結部(図示せず)とを結合し、前記ホルダー630が前記基板62
0に固定される構成を示している。
に変形可能であり、これに制限することはない。
ンタクト構造の一実施例を示した断面図である。
に対応してキャビティ632が位置し、前記キャビティ632内に配置され、ワイヤ63
4と電気的に連結された突出電極部631が前記電極パッド610とコンタクトされる。
10を配置することもできる。
る。
ルダリング作業によって電気的に連結したが、ソルダリング作業は鉛などの重金属を使用
するので、環境汚染に致命的であり、コールドソルダリングなどによるワイヤ連結不良が
発生するという問題があった。
介して前記電極パッド610と機械的に互いにコンタクトされるようにし、環境汚染の心
配がなく、電線連結不良などを最小化することによって発光モジュールの信頼性を向上さ
せることができる。
リング部639を備えることもできる。
ッド610とコンタクトされるとき、スプリング部639の復元力により、前記突出電極
部631が前記電極パッド610とより堅固に接触できるようにする。
前記電極パッド610との電気的短絡を防止することができる。
が一体型で形成された第2の電極部633を介してワイヤ634と電極パッド610を電
気的に連結することもできる。
極部633の一側は、前記支持部615を貫通して支持することができる。
突出部636を備え、前記基板620は、前記突出部636に対応する位置に少なくとも
一つの収容溝618を備えるので、前記ホルダー630と前記基板620とを嵌め合わせ
ることができる。
638と共に、前記ホルダー630と前記基板620とをより堅固に結合することができ
る。
るワイヤ634を示したが、カソード電極パッド612と電気的に連結されるワイヤ63
5に対しても同一に適用することができる。
極パッド611とカソード電極パッド612を全てカバーするように配置された場合、前
記ホルダー630のキャビティ632には互いに異なる極性を有する二つのワイヤ634
、635が配置され、前記ワイヤ634、635は、前記基板620に配置されたアノー
ド電極パッド611及びカソード電極パッド612とそれぞれ電気的に連結することがで
きる。
と重複する内容は再び説明しない。
0と電気的に連結された電極パッド610を有する基板620と、前記基板620上に位
置し、前記電極パッド610に対応する領域にキャビティ632が位置するホルダー63
0とを備え、前記電極パッド610は、前記キャビティ632内に配置され、ワイヤと電
気的に連結された突出電極部631とコンタクトされる。
装されたPOB(Package On Board)タイプであり得る。
光源600の第1の電極(図示せず)と電気的に連結されたアノード電極パッド611と
、前記光源600の第2の電極(図示せず)と電気的に連結されたカソード電極パッド6
12とを備える。
たアノード電極パッド611とカソード電極パッド612の個数と配列には多くの形態が
あり得るが、図27では、一例として、一つのアノード電極パッド611が前記基板62
0の縁部領域の一部に位置し、前記アノード電極パッド611と遠く離隔して配列された
一つのカソード電極パッド612を示した。
て、前記アノード電極パッド611と前記カソード電極パッド612をそれぞれカバーす
るホルダー630が配置される。
、詳細な説明は省略する。
1の上部のみにホルダー630が配置されることを示したが、前記カソード電極パッド6
12の上部にもホルダー630が配置される。
る。
ク基板である場合、例えば、高温同時焼成セラミック(High Temperatur
e Cofired Ceramics、HTCC)又は低温同時焼成セラミック(Lo
w Temperature Cofired Ceramics、LTCC)技術を用
いて具現することができる。
と重複する内容は再び説明しない。
気的に連結された電極パッド610を有する基板620と、前記基板620上に位置し、
前記光源600に対応する領域が開放された開放部710を有するホルダー700と、前
記開放部710内に固定され、前記光源600上に配置される拡散部材720とを備える
。
B(Chip On Board)タイプであり得る。
る。
ク基板である場合、例えば、高温同時焼成セラミック(High Temperatur
e Cofired Ceramics、HTCC)又は低温同時焼成セラミック(Lo
w Temperature Cofired Ceramics、LTCC)技術を用
いて具現することができる。
れる支持プレート730と、前記電極パッド610に対応する領域が開放されたキャビテ
ィが備えられた少なくとも一つのカバーユニット800とを含むことができる。
うち一つの縁部領域に対応して配置される第1の支持プレート731と、前記第1の支持
プレート731と向い合って位置した第2の支持プレート732とを備えることができる
。
前記開放部710を形成する。
持プレート732の内側面には挿入溝736が形成され、前記挿入溝736には拡散部材
720を挿入して締結することができる。
一部に対応して配置できるが、前記支持プレート730の内側面が前記開放部710を形
成し、前記開放部710の内側面に形成された挿入溝736に拡散部材720が締結され
なければならないので、前記支持プレート730は互いに対称をなすように備えることが
できる。
て配置することができる。
ーするように前記基板620の上部に配置される。
00bを二つ示したが、電極パッド610の個数又は配列位置によって、それ以下又はそ
れ以上のカバーユニットを備えることができる。
することができる。
612が隣接して並んで配列される場合、前記アノード電極パッド611と前記カソード
電極パッド612を全てカバーする一つのカバーユニット800のみを備えることができ
る。
パッド612が二つ以上存在する場合、カバーユニット800は二つ以上備えることがで
きる。
、カソード電極パッド612が前記アノード電極パッド611と遠く離隔して配置される
ので、前記アノード電極パッド611をカバーする第1のカバーユニット800aと、前
記カソード電極パッド612をカバーする第2のカバーユニット800bとがそれぞれ備
えられる。
することもできるが、図28のように一体に形成することもできる。
の一部を下部から見た斜視図である。
42が形成され、前記第1の締結部742に締結される締結手段744を備えることがで
きる。
結手段744としてねじを示したが、これに限定することはない。
結部が形成され、前記締結手段744によって前記ホルダー700を前記基板620に固
定することができる。
多様に変形可能であり、これに制限することはない。
少なくとも一つの突出部746を備えることができる。
成し、これらを嵌め合うことによって前記ホルダー700を前記基板620に固定するこ
とができる。
形可能であり、これに制限することはない。
ート731と前記第2の支持プレート732の内側面には挿入溝736を形成し、前記挿
入溝736に拡散部材720を挿入して締結することができる。
角を最大に広げ、光を均一に拡散できるようにする。
モジュールの光抽出効率を向上できるように透明な材質からなり得る。
前記拡散部材720が変色又は変質しないように、前記拡散部材720は無機材質からな
り、例えば、ガラス材質又は透光性樹脂物を含んで構成することができる。
位置し得る。
出効率を向上させ、周期的又は非周期的に形成することができ、例えば、マイクロレンズ
アレイ(MLA)を配列してパターンを形成することもできる。
き、光源100で発生した多くの波長領域の光のうち選択的な波長領域の光のみを選択的
に透過させることができる。
ムシート、第2のプリズムシート及び保護シートを配置することもでき、これらシートの
配置順序は変更可能である。
体材料で形成されるが、前記重合体は、複数の立体構造が繰り返して形成されたプリズム
層を有することができる。第1のプリズムシートには、山部と谷部が繰り返してストライ
プタイプで備えられてパターンを形成することができる。
ムの一面の山部と谷部の方向と垂直であり得る。
と重複する内容は再び説明しない。
気的に連結された電極パッド610を有する基板620と、前記基板620上に位置し、
前記光源600に対応する領域が開放された開放部710を有するホルダー700と、前
記開放部710内に固定され、前記光源600上に配置される拡散部材720とを備える
。
hip On Board)タイプであり得る。
れる支持プレート730と、前記電極パッド610に対応する領域が開放されたキャビテ
ィが備えられた少なくとも一つのカバーユニット800とを有することができる。
うち一つの縁部領域に対応して配置される第1の支持プレート731と、前記第1の支持
プレート731と向い合って位置した第2の支持プレート732と、前記第1の支持プレ
ート731の一側と前記第2の支持プレート732の一側とを連結する第3の支持プレー
ト733と、前記第3の支持プレート733と向い合って位置し、前記第1の支持プレー
ト731の他側と前記第2の支持プレート732の他側とを連結する第4の支持プレート
734とを有することができる。
前記開放部710を形成する。
第1の支持プレート731及び前記第2の支持プレート732と同一であるので、それに
ついての詳細な説明は省略する。
ト731〜734の内側面には挿入溝736を形成し、前記挿入溝736に拡散部材72
0を挿入して締結することができる。
角を最大に広げ、光を均一に拡散できるようにする。
モジュールの光抽出効率を向上できるように透明な材質からなり得る。
前記拡散部材720が変色又は変質しないように、前記拡散部材720は無機材質からな
り、例えば、ガラス材質からなり得る。
成することができる。
と重複する内容は再び説明しない。
、前記基板620の上部に位置し、前記光源600に対応する領域が開放された開放部7
10を有するホルダー700と、前記開放部710に締結され、前記光源600の上部に
配置される拡散部材720とを備える。そして、前記基板620の下部には放熱部材10
00が配置される。
hip On Board)タイプであり得る。
れる支持プレート730と、前記電極パッド610に対応する領域が開放されたキャビテ
ィが備えられた少なくとも一つのカバーユニット800とを備えることができる。
域のうち一つの縁部領域に対応して配置される第1の支持プレート731と、前記第1の
支持プレート731と向い合って位置した第2の支持プレート732と、前記第1の支持
プレート731の一側と前記第2の支持プレート732の一側とを連結する第3の支持プ
レート733と、前記第3の支持プレート733と向い合って位置し、前記第1の支持プ
レート731の他側と前記第2の支持プレート732の他側とを連結する第4の支持プレ
ート734とを有することを示したが、互いに対称をなす二つの支持プレート731及び
732、又は733及び734のみを有することもできる。
ト731〜734の内側面には挿入溝736が形成され、前記挿入溝736に拡散部材7
20を挿入して締結することができる。
角を最大に広げ、光を均一に拡散できるようにする。
で、熱伝導性に優れた材質からなり得る。
フィン1010を有することができる。前記放熱フィン1010は、前記放熱部材100
0が外部空気と接する面積を広げることによって熱放出効果を向上させる。
。前記熱伝導性部材1020は、優れた熱伝導性、電気絶縁性及び難燃性を有して発熱部
位と放熱部材を密着させることによって熱伝達効果を極大化することができる。
つの第2の締結部750を有することができる。
でき、前記ホルダー700の下部に位置する前記基板620の幅を超えて突出し得る。
1000上の領域にも締結部1015が形成され、締結手段755によって前記ホルダー
700を前記放熱部材1000に固定することができる。
前記第2の支持プレート732に備えられたことを示したが、これに限定することはない
。
に固定できるように、向かい合う二つの支持プレート731及び732、又は733及び
734に対称をなして形成することができる。
もできるが、前記基板620には回路パターンなどが含まれており、締結部を形成するの
に制約が伴うおそれがあるので、前記ホルダー700に別途の第2の締結部750を形成
し、締結手段755によって前記放熱部材1000に固定することができる。
0の全てに結合して固定することもできる。
20を位置させ、前記基板620を前記放熱部材1000に固定することができる。しか
し、熱伝導性部材1020の費用が高価であるので、前記第2の締結手段755を通して
前記ホルダー700と前記放熱部材1000を固定することによって、熱伝導性部材10
20がなくても前記基板620を前記放熱部材1000に固定し、発光モジュールの作製
単価を低下させることができる。
施例に係る光源モジュールを示した図で、図34は、第21の実施例に係る光源モジュー
ルを示した図である。上述した各実施例と重複する内容は再び説明しない。
連結された電極パッド610を有する基板620と、前記基板620上に位置し、前記光
源600に対応する領域が開放された開放部710を有するホルダー700と、前記開放
部710内に固定され、前記光源600上に配置される拡散部材720とを備える。
されるPOB(Package On Board)タイプであり得る。
れる支持プレート730と、前記電極パッド610に対応する領域が開放されたキャビテ
ィが備えられた少なくとも一つのカバーユニット800とを有することができる。
を除いては、それぞれ第16、第17、及び第18の実施例と類似するので、これについ
ての詳細な説明は省略する。
例を示した図である。
及びシェード1103で反射された後、レンズ1104を透過して車体の前方に向かうこ
とができる。
素子が基板上に実装されたCOB(Chip On Board)タイプであるか、発光
素子パッケージが基板上に実装されたPOB(Package On Board)タイ
プであり得る。
されるものではなく、本発明の属する分野で通常の知識を有する者であれば、このような
記載から多様な修正及び変形が可能である。
る特許請求の範囲及び当該特許請求の範囲と均等なものによって定めなければならない。
210 パッケージ本体
220 放熱部
230 発光素子
240 モールディング部
Claims (20)
- キャビティを有するパッケージ本体と、
前記キャビティの底面に配置される複数の第1電極パターン及び複数の第2電極パターンと、
前記複数の第1電極パターンの上にそれぞれ配置される発光素子と、
を含み、
前記複数の第1電極パターンは、前記複数の第2電極パターンの内側に配置され、
前記複数の第1電極パターンは、前記キャビティの側壁に向かう方向に延長される第1側壁延長面を含み、
前記複数の第2電極パターンの一部は、前記キャビティの側壁に沿って配置され、
前記複数の第2電極パターンは、第1方向に沿って前記複数の第1電極パターンのいずれか1つと前記キャビティの側壁との間に延長される第1方向延長面と、前記第1方向と直交する第2方向に沿って前記複数の第1電極パターンのいずれか1つと前記キャビティの側壁との間に延長される第2方向延長面とを含み、
前記複数の第2電極パターンのうち前記第1方向延長面または前記第2方向延長面は、前記キャビティの側壁から離隔して前記キャビティの底面の一部が露出し、
前記複数の第2電極パターンは、前記キャビティの側壁に進入して前記パッケージ本体の内部に延長される第2側壁延長面を含み、
前記第2側壁延長面は、前記第2側壁延長面の下に配置されたビア電極と連結され、
前記ビア電極は、前記パッケージ本体の下部に配置されたパッド電極と連結され、
前記複数の第1電極パターン及び複数の第2電極パターンは、1つのキャビティ内の同一平面上に配置される、発光素子パッケージ。 - 前記第1側壁延長面は、前記複数の第2電極パターンと離隔した、請求項1に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1側壁延長面は、前記複数の第2電極パターンの前記第1方向延長面の少なくとも1つと分離される、請求項1または2に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1側壁延長面は、相互隣接した前記複数の第2電極パターンのうち2つの前記第1方向延長面の間に配置される、請求項1から3のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1側壁延長面は、前記キャビティの側壁に進入して前記パッケージ本体の内部に延長される、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記複数の第2電極パターンの前記第1方向延長面または前記第2方向延長面は、前記キャビティの側壁から第1距離で離隔し、
前記第1方向延長面の第2方向の厚さまたは前記第2方向延長面の第1方向の厚さは、前記第1距離より大きい、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。 - 前記第2側壁延長面は、前記第1方向延長面と前記第2方向延長面が直交する領域から連続する面として、前記キャビティの側壁に向かう方向に延長される、請求項1から6のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第2側壁延長面は、前記キャビティの角領域の側壁のいずれか1つに進入して前記パッケージ本体の内部に延長される、請求項1から7のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第2側壁延長面の開始点である前記第1方向延長面と前記第2方向延長面が直交する領域から前記ビア電極までの直線距離である第2距離は、前記第1方向延長面または前記第2方向延長面の前記キャビティの側壁までの前記第1距離より大きい、請求項6に記載の発光素子パッケージ。
- 前記複数の第1電極パターンの上にそれぞれ配置される前記発光素子は、前記第1電極パターンに隣接するように配置された前記第1方向延長面または前記第2方向延長面と電気的に連結された、請求項1から9のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記複数の第2電極パターンは、前記第2側壁延長面と前記第1方向延長面との間に前記キャビティの底面の一部が露出する第1リセス領域または前記第2側壁延長面と前記第2方向延長面との間に前記キャビティの底面の一部が露出する第2リセス領域を含む、請求項1から10のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- キャビティを有するパッケージ本体と、
前記キャビティの底面に配置される4つの第1電極パターンと、
前記キャビティの側壁に沿って配置される第2電極パターンと、
前記4つの第1電極パターンの上にそれぞれ配置される発光素子と、
を含み、
前記4つの第1電極パターンの少なくとも1つは、前記キャビティの側壁に向かう方向に延長される第1側壁延長面を含み、
前記第2電極パターンは、第1方向に沿って前記4つの第1電極パターンのいずれか1つと前記キャビティの側壁との間に延長される第1方向延長面と、前記第1方向と直交する第2方向に沿って前記4つの第1電極パターンのいずれか1つと前記キャビティの側壁との間に延長される第2方向延長面と、前記第1方向延長面と第2方向延長面が会う部分の近くで前記キャビティの側壁に向かう方向に延長される第2側壁延長面とを含み、
前記第2電極パターンの前記第1方向延長面と前記第2方向延長面は、前記キャビティの側壁から離隔して前記キャビティの底面の一部が露出し、
前記4つの第1電極パターン及び前記第2電極パターンは、1つのキャビティ内の同一平面上に配置される、発光素子パッケージ。 - 前記複数の第1電極パターンは、前記第2電極パターンの内側に配置される、請求項12に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第2電極パターンの前記第2側壁延長面は、前記キャビティの側壁に進入して前記パッケージ本体の内部に延長されて前記第2側壁延長面の下に配置されたビア電極と連結され、
前記ビア電極は、前記パッケージ本体の下部に配置されたパッド電極と連結される、請求項12または13に記載の発光素子パッケージ。 - 前記第1方向延長面または前記第2方向延長面は、前記キャビティの側壁から離隔して前記キャビティの底面の一部が露出する、請求項12から14のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1側壁延長面は、前記第1方向延長面と分離される、請求項12から15のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1側壁延長面は、前記キャビティの側壁に進入して前記パッケージ本体の内部に延長される、請求項12から16のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第2側壁延長面は、前記第1方向延長面と前記第2方向延長面が直交する領域から連続する面として、前記キャビティの側壁に向かう方向に延長される、請求項12から17のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記複数の第1電極パターンの上に配置される前記発光素子の一つは、前記第1電極パターンに隣接して配置された前記第1方向延長面または前記第2方向延長面と電気的に接続された、請求項12から18のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
- 前記4つの第1電極パターンは、それぞれ前記キャビティの側壁に向かう方向に延長される前記第1側壁延長面を含む、請求項12から19のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019141895A JP6969806B2 (ja) | 2011-08-22 | 2019-08-01 | 発光素子パッケージ及び照明装置 |
JP2021171970A JP7266316B2 (ja) | 2011-08-22 | 2021-10-20 | 発光素子パッケージ |
Applications Claiming Priority (16)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0083721 | 2011-08-22 | ||
KR1020110083721A KR20130021298A (ko) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 발광소자 패키지, 라이트 유닛 및 표시장치 |
KR10-2011-0084718 | 2011-08-24 | ||
KR1020110084718A KR20130022053A (ko) | 2011-08-24 | 2011-08-24 | 발광소자 패키지, 발광소자 패키지 제조방법, 라이트 유닛, 표시장치 |
KR1020110131466A KR101902393B1 (ko) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 발광소자 패키지 |
KR10-2011-0131466 | 2011-12-09 | ||
KR1020110139806A KR101976531B1 (ko) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 발광 모듈 |
KR10-2011-0139806 | 2011-12-22 | ||
KR10-2011-0140236 | 2011-12-22 | ||
KR1020110140236A KR101891717B1 (ko) | 2011-12-22 | 2011-12-22 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 |
KR1020110143152A KR20130074991A (ko) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | 발광 모듈 |
KR1020110143151A KR20130074990A (ko) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | 발광 모듈 |
KR10-2011-0143152 | 2011-12-27 | ||
KR10-2011-0143151 | 2011-12-27 | ||
KR10-2011-0147361 | 2011-12-30 | ||
KR1020110147361A KR101894353B1 (ko) | 2011-12-30 | 2011-12-30 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명시스템 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018126360A Division JP6437154B2 (ja) | 2011-08-22 | 2018-07-02 | 発光素子パッケージ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019141895A Division JP6969806B2 (ja) | 2011-08-22 | 2019-08-01 | 発光素子パッケージ及び照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019036753A JP2019036753A (ja) | 2019-03-07 |
JP6691952B2 true JP6691952B2 (ja) | 2020-05-13 |
Family
ID=47742644
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012183659A Active JP6005440B2 (ja) | 2011-08-22 | 2012-08-22 | 発光素子パッケージ及びこれを含むライトユニット |
JP2016175999A Active JP6567482B2 (ja) | 2011-08-22 | 2016-09-08 | 紫外線発光素子パッケージ及びこれを含む発光ユニット |
JP2018126361A Active JP6626161B2 (ja) | 2011-08-22 | 2018-07-02 | 紫外線発光素子パッケージ |
JP2018126360A Active JP6437154B2 (ja) | 2011-08-22 | 2018-07-02 | 発光素子パッケージ |
JP2018213180A Active JP6691952B2 (ja) | 2011-08-22 | 2018-11-13 | 発光素子パッケージ |
JP2019141895A Active JP6969806B2 (ja) | 2011-08-22 | 2019-08-01 | 発光素子パッケージ及び照明装置 |
JP2021171970A Active JP7266316B2 (ja) | 2011-08-22 | 2021-10-20 | 発光素子パッケージ |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012183659A Active JP6005440B2 (ja) | 2011-08-22 | 2012-08-22 | 発光素子パッケージ及びこれを含むライトユニット |
JP2016175999A Active JP6567482B2 (ja) | 2011-08-22 | 2016-09-08 | 紫外線発光素子パッケージ及びこれを含む発光ユニット |
JP2018126361A Active JP6626161B2 (ja) | 2011-08-22 | 2018-07-02 | 紫外線発光素子パッケージ |
JP2018126360A Active JP6437154B2 (ja) | 2011-08-22 | 2018-07-02 | 発光素子パッケージ |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019141895A Active JP6969806B2 (ja) | 2011-08-22 | 2019-08-01 | 発光素子パッケージ及び照明装置 |
JP2021171970A Active JP7266316B2 (ja) | 2011-08-22 | 2021-10-20 | 発光素子パッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8704433B2 (ja) |
JP (7) | JP6005440B2 (ja) |
CN (2) | CN107425103B (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9502612B2 (en) * | 2009-09-20 | 2016-11-22 | Viagan Ltd. | Light emitting diode package with enhanced heat conduction |
CN107425103B (zh) * | 2011-08-22 | 2019-12-27 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件和光装置 |
US9847372B2 (en) * | 2011-12-01 | 2017-12-19 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer devices with separately controlled regions, and associated systems and methods |
KR20140039740A (ko) * | 2012-09-25 | 2014-04-02 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
WO2014084645A1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 주식회사 루멘스 | 발광소자 패키지 및 이의 제작 방법 |
KR101373710B1 (ko) | 2012-12-12 | 2014-03-13 | (주)포인트엔지니어링 | 엘이디 금속기판 패키지 및 그 제조방법 |
JP6098200B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2017-03-22 | 旭硝子株式会社 | 発光素子用基板および発光装置 |
DE102013202904A1 (de) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP6116949B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2017-04-19 | 新光電気工業株式会社 | 発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法 |
CN103441212B (zh) * | 2013-09-16 | 2016-08-17 | 江西量一光电科技有限公司 | Led芯片的制作工艺、led芯片结构及led封装结构 |
TWI536613B (zh) * | 2013-12-16 | 2016-06-01 | 隆達電子股份有限公司 | 固態發光模組 |
TWI552378B (zh) * | 2014-03-07 | 2016-10-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體晶片 |
US9634194B2 (en) | 2014-03-07 | 2017-04-25 | Lextar Electronics Corporation | Light-emitting diode chip |
DE102014110074A1 (de) * | 2014-07-17 | 2016-01-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement, Leiterrahmen und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements |
CN104465975A (zh) * | 2014-12-18 | 2015-03-25 | 陈畅 | 一种功率型led集成封装结构 |
JP6476857B2 (ja) * | 2014-12-29 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR20160112116A (ko) * | 2015-03-18 | 2016-09-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 어레이와 이를 포함하는 조명시스템 |
JP6567305B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2019-08-28 | Agc株式会社 | Led光源 |
KR102413224B1 (ko) * | 2015-10-01 | 2022-06-24 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 모듈 |
US10381523B2 (en) * | 2015-12-30 | 2019-08-13 | Rayvio Corporation | Package for ultraviolet emitting devices |
JP6940749B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2021-09-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
KR102552889B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-07-10 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자, 반도체 소자 패키지, 및 반도체 소자 제조방법 |
WO2017222341A1 (ko) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지 |
JP6554123B2 (ja) * | 2017-01-16 | 2019-07-31 | 矢崎総業株式会社 | 発光装置 |
US10347806B2 (en) * | 2017-04-12 | 2019-07-09 | Luminus, Inc. | Packaged UV-LED device with anodic bonded silica lens and no UV-degradable adhesive |
EP3633719A4 (en) * | 2017-05-26 | 2021-03-17 | Kyocera Corporation | SUBSTRATE FOR THE ASSEMBLY OF ELECTRONIC COMPONENTS, ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC MODULE |
KR20200013705A (ko) * | 2017-06-27 | 2020-02-07 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 투명 밀봉 부재 및 그 제조 방법 |
CN107369741A (zh) * | 2017-07-13 | 2017-11-21 | 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 | 带一体式金属围坝的led支架模组及其制备方法 |
US9978714B1 (en) * | 2017-07-17 | 2018-05-22 | Graphene Security Limited | Structure and method of bonding chip with electronic circuit |
KR102641336B1 (ko) | 2017-09-05 | 2024-02-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 패키지 |
JP6955151B2 (ja) * | 2017-09-13 | 2021-10-27 | 日亜化学工業株式会社 | 光学部品、光学部品を用いた発光装置、及び光学部品の製造方法 |
CN107768506A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-03-06 | 苏州市悠文电子有限公司 | 叠板式发光二极管 |
CN108269743A (zh) * | 2018-01-04 | 2018-07-10 | 河北中瓷电子科技有限公司 | 台阶状氮化铝陶瓷块制备方法及台阶状氮化铝陶瓷块 |
JP7131933B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2022-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
KR102050673B1 (ko) * | 2018-08-24 | 2019-11-29 | 조성은 | 적층 결합을 통해 다양한 배광특성을 갖는 리플렉터 |
DE102018130540A1 (de) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterlaserbauelements |
CN109713107A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-05-03 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 支架结构、led器件和灯组阵列 |
US11146039B2 (en) * | 2019-05-22 | 2021-10-12 | Applied Optoelectronics, Inc. | Temperature controlled multi-channel transmitter optical subassembly and transceiver module including same |
US20210249574A1 (en) * | 2020-02-06 | 2021-08-12 | Lumileds Llc | Light-emitting device with metal inlay and bottom contacts |
JP2021136305A (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-13 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 発光装置、光学装置及び情報処理装置 |
JP7244771B2 (ja) * | 2020-04-02 | 2023-03-23 | 日亜化学工業株式会社 | 面状光源の製造方法 |
JP7291675B2 (ja) * | 2020-07-30 | 2023-06-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージアレイ |
TW202211484A (zh) * | 2020-08-07 | 2022-03-16 | 日商Flosfia股份有限公司 | 半導體元件及半導體裝置 |
TW202215664A (zh) * | 2020-08-07 | 2022-04-16 | 日商Flosfia股份有限公司 | 半導體元件及半導體裝置 |
KR102421260B1 (ko) * | 2020-10-26 | 2022-07-15 | (주)위셀 | 엘이디 패키지의 리드프레임과 리플렉터의 결합구조 |
Family Cites Families (98)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01115126A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH09153679A (ja) * | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Kyocera Corp | 積層ガラスセラミック回路基板 |
JP3065263B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2000-07-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びそれを用いたled表示器 |
JP3531573B2 (ja) | 2000-03-17 | 2004-05-31 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法ならびに電子装置 |
US6517218B2 (en) * | 2000-03-31 | 2003-02-11 | Relume Corporation | LED integrated heat sink |
JP2002289763A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
JP2002314143A (ja) | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
JP2003124410A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Yamaha Corp | 多層ヒートシンクおよびその製造方法 |
JP3924481B2 (ja) | 2002-03-08 | 2007-06-06 | ローム株式会社 | 半導体チップを使用した半導体装置 |
DE10392365T5 (de) | 2002-03-08 | 2005-04-21 | Rohm Co. Ltd. | Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterchip |
KR100714639B1 (ko) | 2003-10-21 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 |
JP2005310935A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
JP2006093565A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板ならびに発光装置およびその製造方法 |
JP2006005290A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
EP1805809B1 (en) * | 2004-10-22 | 2019-10-09 | Signify Holding B.V. | Semiconductor light emitting device with improved heatsinking |
JP2006128512A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子用セラミック基板 |
US7473933B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-01-06 | Ledengin, Inc. (Cayman) | High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement |
KR101154801B1 (ko) | 2004-12-03 | 2012-07-03 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 세라믹 기판 및 발광 소자 수납용 세라믹 패키지 |
JP2006216764A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用配線基板 |
US20070200133A1 (en) * | 2005-04-01 | 2007-08-30 | Akira Hashimoto | Led assembly and manufacturing method |
JP2006303366A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ及びその製造方法 |
JP2006303351A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
US7342261B2 (en) | 2005-05-16 | 2008-03-11 | Dong-Sing Wuu | Light emitting device |
KR100625600B1 (ko) | 2005-05-30 | 2006-09-20 | 엘지전자 주식회사 | 측면형 발광 다이오드의 패키지 구조 및 이에 대한제작방법 |
EP1897146A2 (en) | 2005-06-27 | 2008-03-12 | Lamina Lighting, Inc. | Light emitting diode package and method for making same |
JP4773755B2 (ja) | 2005-07-01 | 2011-09-14 | ローム株式会社 | チップ型半導体発光素子 |
US7550319B2 (en) | 2005-09-01 | 2009-06-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof |
JP4918238B2 (ja) * | 2005-09-13 | 2012-04-18 | 昭和電工株式会社 | 発光装置 |
TWI313072B (en) | 2005-10-18 | 2009-08-01 | Young Lighting Technology Corporatio | Light emitting diode package |
JP4804109B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-11-02 | 京セラ株式会社 | 発光素子用配線基板および発光装置並びに発光素子用配線基板の製造方法 |
JP2007149810A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Kyocera Corp | 発光素子用配線基板および発光装置 |
JP4417906B2 (ja) | 2005-12-16 | 2010-02-17 | 株式会社東芝 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2007201420A (ja) | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Sharp Corp | 半導体発光装置、半導体発光素子、および半導体発光装置の製造方法 |
JP4882439B2 (ja) | 2006-01-13 | 2012-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US20100177519A1 (en) * | 2006-01-23 | 2010-07-15 | Schlitz Daniel J | Electro-hydrodynamic gas flow led cooling system |
JP2007214162A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
JP2007242856A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Rohm Co Ltd | チップ型半導体発光素子 |
KR20090005194A (ko) | 2006-04-18 | 2009-01-12 | 라미나 라이팅, 인크. | 피제어 색 혼합용 광 디바이스 |
US7655957B2 (en) | 2006-04-27 | 2010-02-02 | Cree, Inc. | Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same |
US7560364B2 (en) | 2006-05-05 | 2009-07-14 | Applied Materials, Inc. | Dislocation-specific lateral epitaxial overgrowth to reduce dislocation density of nitride films |
JP2008071955A (ja) | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2008109079A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Kyocera Corp | 表面実装型発光素子用配線基板および発光装置 |
JP5564162B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-07-30 | フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光ダイオード装置 |
JP2008135694A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Hitachi Cable Ltd | Ledモジュール |
JP2008147485A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及び配光分布制御方法 |
US20080179618A1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-07-31 | Ching-Tai Cheng | Ceramic led package |
US20080179619A1 (en) | 2007-01-29 | 2008-07-31 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Edge-emitting light-emitting diode |
JP4650436B2 (ja) * | 2007-02-07 | 2011-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
WO2008141324A2 (en) | 2007-05-14 | 2008-11-20 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for improving the quality of epitaxially-grown semiconductor materials |
JP2009033088A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Sharp Corp | 半導体発光装置、その製造方法およびそれを用いたled照明装置 |
JP2009038161A (ja) | 2007-08-01 | 2009-02-19 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
JP5188120B2 (ja) | 2007-08-10 | 2013-04-24 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JP5167977B2 (ja) * | 2007-09-06 | 2013-03-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置 |
DE102007042978A1 (de) * | 2007-09-10 | 2009-03-12 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Lampe |
JP2009071013A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用基板 |
TW200915597A (en) | 2007-09-17 | 2009-04-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode device |
JP5224802B2 (ja) * | 2007-09-29 | 2013-07-03 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージ、発光装置ならびに発光素子収納用パッケージおよび発光装置の製造方法 |
JP4976982B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2012-07-18 | パナソニック株式会社 | Ledユニット |
JP5340583B2 (ja) | 2007-11-26 | 2013-11-13 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US20090190371A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Optim, Inc. | Monolithic illumination device |
JP5104385B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2012-12-19 | 豊田合成株式会社 | Ledランプモジュール |
US8129742B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-03-06 | Bridge Semiconductor Corporation | Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and plated through-hole |
DE102008016458A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leiterplatte |
CN101567366A (zh) | 2008-04-25 | 2009-10-28 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
CN101281944B (zh) * | 2008-04-30 | 2010-06-02 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 大功率led多层梯度材料散热通道的构造方法 |
WO2009139376A1 (ja) | 2008-05-14 | 2009-11-19 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2010087181A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Panasonic Corp | 光素子用パッケージ、半導体発光装置および照明装置 |
JP5063555B2 (ja) | 2008-10-17 | 2012-10-31 | 電気化学工業株式会社 | 発光素子搭載用基板 |
US8791471B2 (en) * | 2008-11-07 | 2014-07-29 | Cree Hong Kong Limited | Multi-chip light emitting diode modules |
JP5417820B2 (ja) | 2008-11-26 | 2014-02-19 | 日本電気株式会社 | システムファイル共有装置、システムファイル共有方法及びプログラム |
JP2010274256A (ja) * | 2009-01-29 | 2010-12-09 | Kyocera Corp | 光照射ヘッド、露光デバイス、画像形成装置、液滴硬化装置、および液滴硬化方法 |
JP4780203B2 (ja) | 2009-02-10 | 2011-09-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5539658B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2014-07-02 | 日鉄住金エレクトロデバイス株式会社 | 反射材およびそれを用いた反射体および発光素子搭載用基板 |
TWM362362U (en) | 2009-03-06 | 2009-08-01 | Acpa Energy Conversion Devices Co Ltd | Heat conduction structure for heating element |
US7868347B2 (en) * | 2009-03-15 | 2011-01-11 | Sky Advanced LED Technologies Inc | Metal core multi-LED SMD package and method of producing the same |
JP2010238972A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光体および照明器具 |
US8384097B2 (en) | 2009-04-08 | 2013-02-26 | Ledengin, Inc. | Package for multiple light emitting diodes |
JP2011014890A (ja) | 2009-06-02 | 2011-01-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 金属基板及び光源装置 |
JP5401176B2 (ja) | 2009-06-03 | 2014-01-29 | 株式会社日立製作所 | 動的保守計画装置 |
JP2010283253A (ja) * | 2009-06-08 | 2010-12-16 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | 発光装置及び発光装置用基板 |
KR101645009B1 (ko) * | 2010-01-06 | 2016-08-03 | 서울반도체 주식회사 | 방열기판을 갖는 led 패키지 |
DE112010002822T5 (de) | 2009-07-03 | 2012-06-14 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Gehäuse für licht emittierende dioden |
JP2011023620A (ja) | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Panasonic Corp | 配線基板 |
JP2011044608A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Seiko Instruments Inc | 発光デバイス |
TW201115775A (en) | 2009-10-19 | 2011-05-01 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode package structure |
JP5413137B2 (ja) * | 2009-11-09 | 2014-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
EP2333852B1 (en) * | 2009-12-09 | 2019-03-27 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light emitting package |
KR101039881B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛 |
JP2011159813A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
JP2011205009A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Kyocera Corp | 表面実装型発光素子用配線基板および発光装置 |
US9039216B2 (en) | 2010-04-01 | 2015-05-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
KR101034053B1 (ko) | 2010-05-25 | 2011-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
CN102064267A (zh) * | 2010-11-02 | 2011-05-18 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 显示屏用的led支架单元、led支架及led支架单元的制造方法 |
CN102485944A (zh) | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构 |
JP5968674B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2016-08-10 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ及びこれを備える紫外線ランプ |
CN107425103B (zh) * | 2011-08-22 | 2019-12-27 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件和光装置 |
KR101853067B1 (ko) * | 2011-08-26 | 2018-04-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR101804408B1 (ko) | 2011-09-05 | 2017-12-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
-
2012
- 2012-08-22 CN CN201610852314.3A patent/CN107425103B/zh active Active
- 2012-08-22 JP JP2012183659A patent/JP6005440B2/ja active Active
- 2012-08-22 CN CN201210301998.XA patent/CN103078040B/zh active Active
- 2012-08-22 US US13/591,626 patent/US8704433B2/en active Active
-
2014
- 2014-04-15 US US14/253,606 patent/US9196814B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-16 US US14/885,661 patent/US9634215B2/en not_active Ceased
-
2016
- 2016-09-08 JP JP2016175999A patent/JP6567482B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-02 JP JP2018126361A patent/JP6626161B2/ja active Active
- 2018-07-02 JP JP2018126360A patent/JP6437154B2/ja active Active
- 2018-11-13 JP JP2018213180A patent/JP6691952B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-25 US US16/394,870 patent/USRE48858E1/en active Active
- 2019-08-01 JP JP2019141895A patent/JP6969806B2/ja active Active
-
2021
- 2021-10-20 JP JP2021171970A patent/JP7266316B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016213509A (ja) | 2016-12-15 |
JP6437154B2 (ja) | 2018-12-12 |
JP7266316B2 (ja) | 2023-04-28 |
JP2020017733A (ja) | 2020-01-30 |
JP6005440B2 (ja) | 2016-10-12 |
USRE48858E1 (en) | 2021-12-21 |
CN107425103A (zh) | 2017-12-01 |
JP2013046071A (ja) | 2013-03-04 |
US20140225151A1 (en) | 2014-08-14 |
JP6626161B2 (ja) | 2019-12-25 |
JP2018190990A (ja) | 2018-11-29 |
JP6969806B2 (ja) | 2021-11-24 |
JP2018186284A (ja) | 2018-11-22 |
US8704433B2 (en) | 2014-04-22 |
US20130049564A1 (en) | 2013-02-28 |
US20160043296A1 (en) | 2016-02-11 |
CN103078040A (zh) | 2013-05-01 |
CN103078040B (zh) | 2016-12-21 |
US9634215B2 (en) | 2017-04-25 |
JP6567482B2 (ja) | 2019-08-28 |
JP2022023154A (ja) | 2022-02-07 |
US9196814B2 (en) | 2015-11-24 |
JP2019036753A (ja) | 2019-03-07 |
CN107425103B (zh) | 2019-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6691952B2 (ja) | 発光素子パッケージ | |
JP6312899B2 (ja) | 発光素子パッケージ、光源モジュール及びこれを含む照明システム | |
US9620691B2 (en) | Light emitting device package | |
KR101669122B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101799450B1 (ko) | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 | |
KR101831410B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치 | |
EP2562834B1 (en) | Light emitting diode package | |
KR102114931B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR101896683B1 (ko) | 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 시스템 | |
KR20160124064A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR20130060638A (ko) | 발광 소자, 이를 포함하는 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 조명 시스템 | |
KR20190014323A (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
KR20190010353A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR20180125684A (ko) | 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200324 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6691952 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |