CN102485944A - 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构 - Google Patents
一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102485944A CN102485944A CN2010105722468A CN201010572246A CN102485944A CN 102485944 A CN102485944 A CN 102485944A CN 2010105722468 A CN2010105722468 A CN 2010105722468A CN 201010572246 A CN201010572246 A CN 201010572246A CN 102485944 A CN102485944 A CN 102485944A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- epitaxial structure
- epitaxial
- semiconductor layer
- structure according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 20
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 17
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 14
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种结构简单、制作方便，相对传统外延结构，包括衬底、过渡层、有源层、缺陷阻挡层、第一半导体层和第二半导体层，在所述衬底上沉积有缺陷阻挡层。本发明相比较传统外延结构可以提高外延晶体质量，降低器件内部对光的吸收，提高LED器件的整体发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种外延结构，尤其涉及一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构，属于发光二极管外延技术领域。
背景技术
缺陷密度是影响内量子效率ηint的主要因素，在生长过程中由于衬底和外延层的晶格失配和热失配导致LED内部存在大量的非辐射缺陷，位错密度达109cm-2～1011cm-2。而由此产生的自发极化和压电效应导致强大的内建电场，降低了发光效率，且随着注入电流的增加以及器件使用温度的升高，波长会发生漂移，发光效率也会导致下降，即Droop现象。
传统外延结构是基于平片衬底生长技术，如图1所示，此结构发光效率低，器件漏电流高，良率较差。
发明内容
本发明针对现有技术的不足，提供一种结构简单、制作方便，相对传统外延结构，能提高外延晶体质量，降低器件内部对光的吸收，增强LED出光效率的具有外延缺陷阻挡层的外延结构。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构，在外延结构的衬底层上沉积有缺陷阻挡层。
本发明的有益效果是：本发明增加了缺陷阻挡层降低漏电流，降低器件内部对光的吸收，提高LED器件的整体发光效率。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述缺陷阻挡层材料为TiO2、SiNx、SiO、SiO2或其任意组合。
进一步，所述缺陷阻挡层可采用真空蒸镀、电子束蒸镀、金属有机化学气相沉积(MOCVD)或者等离子体化学气相沉积(PECVD)而成。
进一步，所述外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平片衬底结构表面的缺陷阻挡层。
进一步，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
进一步，外延结构包括依次连接的图形化衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于图形化衬底结构表面的外延缺陷阻挡层。
进一步，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
进一步，该外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平面衬底的图形化外延缺陷阻挡层。
进一步，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
附图说明
图1传统外延结构的结构示意图；
图2为本发明所述的外延结构实施例1的结构示意图；
图3为本发明所述的外延结构实施例2的结构示意图；
图4为本发明所述的外延结构实施例3的结构示意图；
图5为本发明所述的外延结构实施例4的结构示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、衬底，2、缺陷阻挡层，3、过渡层，4、n型层，5、有源层，6、p型层
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图2所示，为本发明实施例1的结构示意图，在平片衬底1沉积缺陷阻挡层2，先用掩模、刻蚀技术将缺陷阻挡层2刻蚀成需要的形状，然后依次外延生长过渡层3、n型层4、有源层5、p型层6，此结构可降低由于衬底1与外延层的晶格适配而造成的晶格缺陷，可将外延缺陷密度降低到106/cm3数量级以下，有效地改善了外延层质量，同时可反射入射到衬底的光，可将器件的发光效率提高30％以上。
如图3所示，为本发明实施例2的结构示意图，在图形化衬底1沉积缺陷阻挡层2，先用掩模、刻蚀技术将衬底1图形底部的缺陷阻挡层2去掉，然后依次外延生长过渡层3、n型层4、有源层5、p型层6，此结构可降低由于衬底1与外延层的晶格适配而造成的晶格缺陷，促进外延侧向生长，可将外延缺陷密度降低到106/cm3数量级以下，改善外延层质量，同时可反射入射到衬底的光，可将器件的发光效率提高15％以上。
如图4所示，为本发明实施例3的结构示意图，在图形化衬底1沉积缺陷阻挡层2，先用掩模、刻蚀技术将衬底1图形顶部的缺陷阻挡层去掉，然后依次外延生长过渡层3、n型层4、有源层5、p型层6，此结构可降低由于衬底1与外延层的晶格适配而造成的晶格缺陷，促进外延侧向生长，可将外延缺陷密度降低到106/cm3数量级以下，改善外延层质量，同时可反射入射到衬底的光，可将器件的发光效率提高15％以上。
如图5所示，为本发明实施例4的结构示意图，在平片衬底1沉积缺陷阻挡层2，先用掩模、刻蚀技术将缺陷阻挡层刻蚀成需要的图形状，然后依次外延生长过渡层3、n型层4、有源层5、p型层6，此结构可降低由于衬底1与外延层的晶格适配而造成的晶格缺陷，促进外延侧向生长，可将外延缺陷密度降低到106/cm3数量级以下，改善外延层质量，同时可反射入射到衬底的光，可将器件的发光效率提高20％以上。
图2至图5所示实施例中，缺陷阻挡层2的材料为TiO2、SiNx、SiO、SiO2或其任意组合，缺陷阻挡层2可采用真空蒸镀、电子束蒸镀、金属有机化学气相沉积或者等离子体化学气相沉积等方法制成，n型层4为n型氮化镓层、p型层6为p型氮化镓层。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构，其特征在于，在外延结构的衬底层上沉积有缺陷阻挡层。
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述缺陷阻挡层材料为TiO2、SiNx、SiO、SiO2或其任意组合。
3.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述缺陷阻挡层采用真空蒸镀、电子束蒸镀、金属有机化学气相沉积或者等离子体化学气相沉积而成。
4.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平片衬底结构表面的缺陷阻挡层。
5.根据权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
6.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的图形化衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于图形化衬底结构表面的外延缺陷阻挡层。
7.根据权利要求6所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
8.根据权利要求1或2所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次连接的平面衬底、过渡层、有源层、第一半导体层、第二半导体层和沉积于平面衬底的图形化外延缺陷阻挡层。
9.根据权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型氮化镓层，所述第二半导体层为p型氮化镓层。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010105722468A CN102485944A (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构 |
| US13/283,309 US8492745B2 (en) | 2010-12-03 | 2011-10-27 | Epitaxial structure with an epitaxial defect barrier layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010105722468A CN102485944A (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102485944A true CN102485944A (zh) | 2012-06-06 |
Family
ID=46151518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010105722468A Pending CN102485944A (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8492745B2 (zh) |
| CN (1) | CN102485944A (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102881791A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-16 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种蓝宝石led图形衬底及其制备方法 |
| CN103779469A (zh) * | 2012-10-17 | 2014-05-07 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN103996757A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法 |
| WO2015067183A1 (zh) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | 一种ⅲ-ⅴ族氮化物半导体外延片、包含该外延片的器件及其制备方法 |
| CN105895585A (zh) * | 2015-02-13 | 2016-08-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| CN106030829A (zh) * | 2014-11-06 | 2016-10-12 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | 一种ⅲ-ⅴ族氮化物半导体外延片、包含该外延片的器件及其制备方法 |
| CN114038965A (zh) * | 2021-04-01 | 2022-02-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 外延基板及其制作方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8569737B2 (en) * | 2010-12-08 | 2013-10-29 | Lehigh University | Broadband light emitting diodes and method for producing same |
| US8704433B2 (en) | 2011-08-22 | 2014-04-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit |
| JP2016039168A (ja) * | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子とその製造方法 |
| CN107112200B (zh) * | 2014-11-17 | 2021-03-26 | Sage电致变色显示有限公司 | 多阻挡层封装叠层 |
| CN113066911B (zh) * | 2021-04-23 | 2022-10-11 | 厦门三安光电有限公司 | Led外延片衬底结构及其制备方法、led芯片及其制备方法 |
| CN116344684B (zh) * | 2023-05-29 | 2023-08-04 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管制备方法及二极管 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101075651A (zh) * | 2006-09-05 | 2007-11-21 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 有电流扩展层和阻挡层的GaN基垂直LED功率芯片制备方法 |
| CN101820040A (zh) * | 2010-05-11 | 2010-09-01 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种发光二极管 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6103604A (en) * | 1997-02-10 | 2000-08-15 | Trw Inc. | High electron mobility transparent conductor |
| US6376337B1 (en) | 1997-11-10 | 2002-04-23 | Nanodynamics, Inc. | Epitaxial SiOx barrier/insulation layer |
| JP3285341B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2002-05-27 | 士郎 酒井 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| US6784074B2 (en) | 2001-05-09 | 2004-08-31 | Nsc-Nanosemiconductor Gmbh | Defect-free semiconductor templates for epitaxial growth and method of making same |
| TWI309481B (en) | 2006-07-28 | 2009-05-01 | Epistar Corp | A light emitting device having a patterned substrate and the method thereof |
| US7915626B1 (en) * | 2006-08-15 | 2011-03-29 | Sandia Corporation | Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AIGan epitaxial films |
| TWI398962B (zh) | 2008-03-27 | 2013-06-11 | Epistar Corp | 氮化鎵半導體元件 |
| TWI362769B (en) * | 2008-05-09 | 2012-04-21 | Univ Nat Chiao Tung | Light emitting device and fabrication method therefor |
| TWI415295B (zh) * | 2008-06-24 | 2013-11-11 | Advanced Optoelectronic Tech | 半導體元件的製造方法及其結構 |
| TWI482214B (zh) | 2009-01-21 | 2015-04-21 | Univ Nat Chunghsing | Method for manufacturing epitaxial substrate with low surface defect density |
-
2010
- 2010-12-03 CN CN2010105722468A patent/CN102485944A/zh active Pending
-
2011
- 2011-10-27 US US13/283,309 patent/US8492745B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101075651A (zh) * | 2006-09-05 | 2007-11-21 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 有电流扩展层和阻挡层的GaN基垂直LED功率芯片制备方法 |
| CN101820040A (zh) * | 2010-05-11 | 2010-09-01 | 武汉迪源光电科技有限公司 | 一种发光二极管 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 拉里·A·科尔德伦、斯科特·W·科尔津: "《二极管激光器与集成电路》", 31 December 2006, article ""外延生长技术"" * |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102881791A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-16 | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 | 一种蓝宝石led图形衬底及其制备方法 |
| CN103779469B (zh) * | 2012-10-17 | 2016-09-07 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN103779469A (zh) * | 2012-10-17 | 2014-05-07 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| US10230018B2 (en) | 2013-11-07 | 2019-03-12 | Chip Foundation Technology Ltd. | Substrate used for III-V-nitride growth and manufacturing method thereof |
| WO2015067183A1 (zh) * | 2013-11-07 | 2015-05-14 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | 一种ⅲ-ⅴ族氮化物半导体外延片、包含该外延片的器件及其制备方法 |
| CN103996757B (zh) * | 2014-05-30 | 2016-09-07 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法 |
| CN103996757A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种利用TiO2纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法 |
| CN106030829A (zh) * | 2014-11-06 | 2016-10-12 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | 一种ⅲ-ⅴ族氮化物半导体外延片、包含该外延片的器件及其制备方法 |
| CN105895585A (zh) * | 2015-02-13 | 2016-08-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| US9997397B2 (en) | 2015-02-13 | 2018-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor structure and manufacturing method thereof |
| CN105895585B (zh) * | 2015-02-13 | 2019-07-16 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| CN114038965A (zh) * | 2021-04-01 | 2022-02-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 外延基板及其制作方法 |
| CN114038965B (zh) * | 2021-04-01 | 2024-01-16 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 外延基板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8492745B2 (en) | 2013-07-23 |
| US20120138947A1 (en) | 2012-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102485944A (zh) | 一种具有外延缺陷阻挡层的外延结构 | |
| CN102280343B (zh) | 基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极 | |
| TWI436424B (zh) | 半導體元件及其製造方法 | |
| CN104112803B (zh) | 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 | |
| CN102244170B (zh) | 准光子晶体图形蓝宝石衬底及其制造方法、发光二极管及其制备方法 | |
| US11626491B2 (en) | Indium nitride nanopillar epitaxial wafer grown on aluminum foil substrate and preparation method of indium nitride nanopillar epitaxial wafer | |
| US8350278B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device | |
| KR20110013325A (ko) | 나노 패턴화 기판 및 에피택시 구조체 | |
| CN103035789B (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法 | |
| KR20120100296A (ko) | 수직 성장된 반도체를 포함하는 적층 구조물과 이를 포함하는 ｐｎ 접합 소자 및 이들의 제조 방법 | |
| CN103904177A (zh) | 发光二极管外延片及其制造方法 | |
| CN111739989A (zh) | AlGaN基深紫外LED外延片及制备方法 | |
| CN104022203A (zh) | 一种GaN基发光二极管结构及其制备方法 | |
| CN111403566A (zh) | 具有侧壁场板的发光二极管器件结构及其制备方法 | |
| CN104465929A (zh) | 内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法 | |
| US9761762B2 (en) | Light emitting diode and method of manufacturing the same | |
| CN212323022U (zh) | AlGaN基深紫外LED外延片 | |
| CN101807648B (zh) | 引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法 | |
| CN103840055A (zh) | 绿光led芯片及其制备方法 | |
| CN104103727A (zh) | 一种提高量子效率的led芯片及其制备方法 | |
| CN109411580B (zh) | 氮化镓基功率器件及其制备方法 | |
| CN107731971B (zh) | 一种基于光子晶体的垂直结构led芯片及其制备方法 | |
| CN105702816A (zh) | 一种氮化物发光二极管芯片的制备方法 | |
| CN212230446U (zh) | 具有侧壁场板的发光二极管器件结构 | |
| CN110164994B (zh) | InGaN/GaN多量子阱太阳能电池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120606 |