CN103035789B - 生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法。与现有技术相比,本发明具有生长工艺简单,制备成本低廉的优点,且制备的非极性蓝光LED外延片缺陷密度低、结晶质量好,电学、光学性能好。
Description
技术领域
本发明涉及非极性蓝光LED外延片及其制备方法,特别涉及生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法。
背景技术
LED被称为第四代照明光源或绿色光源,具有节能、环保、寿命长、体积小等特点,可以广泛应用于各种普通照明、指示、显示、装饰、背光源、和城市夜景等领域。当前,在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下,节约能源、减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济,将成为经济发展的重要方向。在照明领域,LED发光产品的应用正吸引着世人的目光,LED作为一种新型的绿色光源产品,必然是未来发展的趋势,二十一世纪将是以LED为代表的新型照明光源的时代。
III族氮化物半导体材料GaN是制造高效LED器件最为理想的材料。目前,GaN基LED的发光效率现在已经达到28%并且还在进一步的增长,该数值远远高于目前通常使用的白炽灯(约为2%)或荧光灯(约为10%)等照明方式的发光效率。数据统计表明,我国目前的照明用电每年在4100亿度以上,超过英国全国一年的用电量。如果用LED取代全部白炽灯或部分取代荧光灯,可节省接近一半的照明用电,超过三峡工程全年的发电量。因照明而产生的温室气体排放也会因此而大大降低。另外,与荧光灯相比,GaN基LED不含有毒的汞元素,且使用寿命约为此类照明工具的100倍。
LED要真正实现大规模广泛应用,需要进一步提高LED芯片的发光效率。虽然LED的发光效率已经超过日光灯和白炽灯,但是商业化LED发光效率还是低于钠灯(150lm/W),单位流明/瓦的价格偏高。目前,LED芯片的发光效率不够高,一个主要原因是由于其蓝宝石衬底造成的。基于蓝宝石衬底的LED技术存在两个严峻的问题。首先,蓝宝石与GaN晶格的失配率高达17%,如此高的晶格失配使得蓝宝石上的LED外延片有很高的缺陷密度,大大影响了LED芯片的发光效率。其次,蓝宝石衬底价格十分昂贵,使得氮化物LED生产成本很高(蓝宝石衬底在LED的制作成本中占有相当大的比例)。
LED芯片的发光效率不够高的另外一个主要原因是由于目前广泛使用的 GaN基LED具有极性。目前制造高效LED器件最为理想的材料是GaN。GaN为密排六方晶体结构,其晶面分为极性面c面[(0001)面]和非极性面a面[(11-20)面]及m面[(1-100)面]。目前,GaN基LED大都基于GaN的极性面构建而成。在极性面GaN上,Ga原子集合和N原子集合的质心不重合,从而形成电偶极子,产生自发极化场和压电极化场,进而引起量子束缚斯塔克效应(Quantum-confined Starker Effect,QCSE),使电子和空穴分离,载流子的辐射复合效率降低,最终影响LED的发光效率,并造成LED发光波长的不稳定。解决这一问题最好的办法是采用非极性面的GaN材料制作LED,以消除量子束缚斯塔克效应的影响。理论研究表明,使用非极性面GaN来制造LED,将可使LED发光效率提高近一倍。
由此可见,要使LED真正实现大规模广泛应用,提高LED芯片的发光效率,并降低其制造成本,最根本的办法就是研发新型衬底上的非极性GaN基LED外延芯片。因此新型衬底上外延生长非极性氮化镓LED外延片一直是研究的热点和难点。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点与不足,本发明的目的在于提供一种生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,具有缺陷密度低、结晶质量好,发光性能好的优点,且制备成本低廉。本发明的另一目的在于提供上述非极性蓝光LED外延片的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案实现:
生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂u-GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜。
所述LiGaO2衬底的晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2~0.5°。
生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30~60nm;所述非极性m面GaN外延层的厚度为150~250nm;非极性非掺杂u-GaN层的厚度为300~500nm;所述非极性n型掺杂GaN层的厚度为3~5μm;所述非极性InGaN/GaN量子阱层为5~10个周期的InGaN阱层/GaN垒层,其中InGaN阱层的厚度为2~3nm;GaN垒层的厚度为10~13nm;所述非极性p型掺杂GaN薄膜的厚度为350~500nm,所述非极性n型掺杂GaN 薄膜的电子浓度为1.0×1017~5.0×1019cm-3,所述非极性p型掺杂GaN薄膜的空穴浓度为1.0×1016~2.0×1018cm-3。
生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,包括以下步骤:
(1)采用LiGaO2衬底,选取晶体取向;
(2)对衬底进行退火处理:将衬底在900~1000℃下烘烤3~5h后空冷至室温;
(3)对衬底进行表面清洁处理;
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层,工艺条件为:衬底温度为220~350℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为200~300W,Ⅴ/Ⅲ比为50~60、生长速度为0.4~0.6ML/s;
(5)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性m面GaN外延层,工艺条件为:衬底温度升至450~550℃,采用脉冲激光轰击Ga靶材,同时通入N2,反应室压力为3~5×10-5torr、激光能量为120~180mJ,激光频率为10~30Hz;
(6)采用分子束外延工艺生长非极性非掺杂u-GaN层,工艺条件为:衬底温度为700~800℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为200~300W;
(7)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性n型掺杂GaN薄膜,工艺条件为:衬底温度为450~550℃,采用脉冲激光轰击GaSi混合靶材,生长时通入N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr、射频功率为200~300W,激光能量为120~180mJ,激光频率为10~30Hz,电子载流子浓度由GaSi混合靶材中两种元素的原子比来控制,掺杂电子浓度1.0×1017~5.0×1019cm-3;
(8)采用分子束外延工艺生长非极性InGaN/GaN量子阱,工艺条件为:衬底温度为500~750℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr,产生等离子体氮的射频功率为200~300W;
(9)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性p型掺杂GaN薄膜,工艺条件为:衬底温度为450~550℃,采用脉冲激光轰击GaMg混合靶材来生长p型GaN薄膜,生长时通入N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr,射频功率为200~300W,激光能量为120~180mJ,激光频率为10~30Hz,空穴的载流子浓由GaMg混合靶材中两种元素的原子比来控制,掺杂空穴浓度1.0×1016~2.0×1018cm-3。
生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,包括所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30~60nm;所述非极性m面GaN外延层的厚度为150~250nm;非极性非掺杂u-GaN层的厚度为300~500nm;所述非极性n型掺杂GaN层的厚度为3~5μm;所述非极性InGaN/GaN量子阱层为5~10个周期的InGaN阱层/GaN垒层,其中InGaN阱层的厚度为2~3nm;GaN垒层的厚度为10~13nm;所述非极性p型掺杂GaN薄膜的厚度为350~500nm。
生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,步骤(3)所述对衬底进行表面清洁处理,具体为:
将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗5~10分钟,去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒,再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤,去除表面有机物;清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干;之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室,在超高真空条件下,将衬底温度升至850~900℃,烘烤20~30分钟,除去LiGaO2衬底表面残余的杂质。
与现有技术相比,本发明具有以下优点和有益效果:
(1)本发明使用LiGaO2作为衬底,同时采用低温分子束外延技术在LiGaO2衬底上先生长一层非极性m面GaN缓冲层,获得衬底与非极性m面GaN外延层之间很低的晶格失配度,有利于沉积低缺陷的非极性GaN薄膜,极大的提高了LED的发光效率。
(2)本发明采用低温分子束外延技术在LiGaO2衬底上先生长一层非极性m面GaN缓冲层,在低温下能保证LiGaO2衬底的稳定性,减少锂离子的挥发造成的晶格失配和剧烈界面反应,从而为下一步生长非极性m面GaN外延层打下良好基础。
(3)本发明采用分子束外延与脉冲激光沉积工艺结合的办法制备出高质量非极性蓝光LED外延片,消除了极性面GaN带来的量子束缚斯塔克效应,提高了载流子的辐射复合效率,可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的效率。
(4)本发明使用LiGaO2作为衬底,容易获得,价格便宜,有利于降低生产成本。
附图说明
图1为实施例1制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的截面示意图。
图2为实施例1制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的XRD测试图。
图3为实施例1制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的光致发光PL谱测试图。
图4为实施例1制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的电致发光EL谱测试图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图,对本发明作进一步地详细说明,但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,包括以下步骤:
(1)采用LiGaO2衬底,选取晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2°;
(2)对衬底进行退火处理:将衬底在900℃下高温烘烤3h后空冷至室温;
(3)对衬底进行表面清洁处理:将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗5分钟,去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒,再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤,去除表面有机物;清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干;之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室,在超高真空条件下,将衬底温度升至850℃,烘烤20分钟,除去LiGaO2衬底表面残余的杂质;
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层,工艺条件为:衬底温度为220℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为200W,Ⅴ/Ⅲ比为50,生长速度为0.4ML/s;
(5)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性m面GaN外延层,工艺条件为:衬底温度升至450℃,采用脉冲激光轰击Ga靶材,同时通入N2,反应室压力为3×10-5torr、激光能量为120mJ,激光频率为10Hz;
(6)采用分子束外延工艺生长非极性非掺杂u-GaN层,工艺条件为:衬底温度为700℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为200W;
(7)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性n型掺杂GaN薄膜,工艺条件为:衬底温度为450℃,采用脉冲激光轰击GaSi混合靶材,生长时通入N等离子体,反应室压力为5×10-5torr、射频功率为200W,激光能量为120mJ,激光频 率为10Hz,掺杂电子浓度1.0×1017cm-3;
(8)采用分子束外延工艺生长非极性InGaN/GaN量子阱,工艺条件为:衬底温度为500℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为200W;
(9)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性p型掺杂GaN薄膜,工艺条件为:衬底温度为450℃,采用脉冲激光轰击GaMg混合靶材来生长p型GaN薄膜,生长时通入N等离子体,反应室压力为5×10-5torr,射频功率为200-300W,激光能量为120mJ,激光频率为10Hz,空穴载流子浓度由GaMg混合靶材中两种元素的原子比来控制,掺杂空穴浓度1.0×1016cm-3。
如图1所示,本实施例制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底11、非极性m面GaN缓冲层12、非极性m面GaN外延层13、非极性非掺杂u-GaN层14、非极性n型掺杂GaN薄膜15、非极性InGaN/GaN量子阱层16、非极性p型掺杂GaN薄膜17;其中,所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30~60nm;所述非极性m面GaN外延层的厚度为150nm;非极性非掺杂u-GaN层的厚度为300nm;所述非极性n型掺杂GaN层的厚度为3μm;所述非极性InGaN/GaN量子阱层为5个周期的InGaN阱层/GaN垒层,其中InGaN阱层的厚度为2nm;GaN垒层的厚度为10nm;所述非极性p型掺杂GaN薄膜的厚度为350nm。
图2为本实施例制备的生长在LiGaO2衬底(100)面上的非极性蓝光LED外延片的XRD测试图。测试得到LED外延片×射线回摆曲线的半峰宽(FWHM)值,其半峰宽(FWHM)值低于0.1°。测试得到蓝光LED外延片卫星峰,其最强峰为GaN,左右旁边依次为量子阱的第一级卫星峰,第二级卫星峰,...表明本发明制备的非极性蓝光LED外延片无论是在缺陷密度还是在结晶质量,都具有非常好的性能。
图3为本实施例制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性m面蓝光LED外延片的在温度为室温下PL谱测试图。由图可知,温度为293K下PL谱测试得到发光峰波长为444nm,半峰宽为26nm,而且LED的厚度为5.95um。表明本发明制备的非极性GaN薄膜在光学性质上具有非常好的性能。
图4为本实施例制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性m面蓝光LED外延片的在温度为室温下EL谱测试图。由图可知,温度为293K下EL谱测试得到发光峰波长为450nm,半峰宽为22nm,输出功率为1.5mw20mA,光照度为0.05lm。表明本发明制备的非极性GaN薄膜在电学性质上具有非常好的性能。
实施例2
本实施例生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,包括以下步骤:
(1)采用LiGaO2衬底,选取晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.5°;
(2)对衬底进行退火处理:将衬底在1000℃下高温烘烤5h后空冷至室温;
(3)对衬底进行表面清洁处理:将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗10分钟,去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒,再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤,去除表面有机物;清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干;之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室,在超高真空条件下,将衬底温度升至900℃,烘烤30分钟,除去LiGaO2衬底表面残余的杂质;
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层,工艺条件为:衬底温度为350℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为7×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为300W,Ⅴ/Ⅲ比为60、生长速度为0.6ML/s;
(5)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性m面GaN外延层,工艺条件为:衬底温度升至550℃,采用脉冲激光轰击Ga靶材,同时通入N2,反应室压力为5×10-5torr,激光能量为180mJ,激光频率为30Hz;
(6)采用分子束外延工艺生长非极性非掺杂u-GaN层,工艺条件为:衬底温度为800℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为7×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为300W;
(7)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性n型掺杂GaN薄膜,工艺条件为:衬底温度为550℃,采用脉冲激光轰击GaSi混合靶材,生长时通入N等离子体,反应室压力为7×10-5torr、射频功率为300W,激光能量为180mJ,激光频率为30Hz,掺杂电子浓度5.0×1019cm-3;
(8)采用分子束外延工艺生长非极性InGaN/GaN量子阱,工艺条件为:衬底温度为750℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为7×10-5torr,产生等离子体氮的射频功率为300W;
(9)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性p型掺杂GaN薄膜,工艺条件为:衬底温度为550℃,采用脉冲激光轰击GaMg混合靶材来生长p型GaN薄膜,生长时通入N等离子体,反应室压力为7×10-5torr,射频功率为300W,激光能量为180mJ,激光频率为30Hz,空穴载流子浓度由GaMg混合靶材中两种元素的原子比来控制,掺杂空穴浓度2.0×1018cm-3。
本实施例制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂u-GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜;其中,所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为60nm;所述非极性m面GaN外延层的厚度为250nm;非极性非掺杂u-GaN层的厚度为500nm;所述非极性n型掺杂GaN层的厚度为5μm;所述非极性InGaN/GaN量子阱层为10个周期的InGaN阱层/GaN垒层,其中InGaN阱层的厚度为3nm;GaN垒层的厚度为13nm;所述非极性p型掺杂GaN薄膜的厚度为500nm。
上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,其特征在于,包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂u-GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜。
2.根据权利要求1所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,其特征在于,所述LiGaO2衬底的晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2~0.5°。
3.根据权利要求1所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片,其特征在于,所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30~60nm;所述非极性m面GaN外延层的厚度为150~250nm;非极性非掺杂u-GaN层的厚度为300~500nm;所述非极性n型掺杂GaN层的厚度为3~5μm;所述非极性InGaN/GaN量子阱层为5~10个周期的InGaN阱层/GaN垒层,其中InGaN阱层的厚度为2~3nm;GaN垒层的厚度为10~13nm;所述非极性p型掺杂GaN薄膜的厚度为350~500nm,所述非极性n型掺杂GaN薄膜的电子浓度为1.0×1017~5.0×1019cm-3;所述非极性p型掺杂GaN薄膜的空穴浓度为1.0×1016~2.0×1018cm-3。
4.生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)采用LiGaO2衬底,选取晶体取向;
(2)对衬底进行退火处理:将衬底在900~1000℃下烘烤3~5h后空冷至室温;
(3)对衬底进行表面清洁处理;
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层,工艺条件为:衬底温度为220~350℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为200~300W,Ⅴ/Ⅲ比为50~60、生长速度为0.4~0.6ML/s;
(5)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性m面GaN外延层,工艺条件为:衬底温度升至450~550℃,采用脉冲激光轰击Ga靶材,同时通入N2,反应室压力为3~5×10-5torr、激光能量为120~180mJ,激光频率为10~30Hz;
(6)采用分子束外延工艺生长非极性非掺杂u-GaN层,工艺条件为:衬底温度为700~800℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr、产生等离子体氮的射频功率为200~300W;
(7)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性n型掺杂GaN薄膜,工艺条件为:衬底温度为450~550℃,采用脉冲激光轰击GaSi混合靶材,生长时通入N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr、射频功率为200~300W,激光能量为120~180mJ,激光频率为10~30Hz,电子载流子浓度由GaSi混合靶材中两种元素的原子比来控制,掺杂电子浓度1.0×1017~5.0×1019cm-3;
(8)采用分子束外延工艺生长非极性InGaN/GaN量子阱,工艺条件为:衬底温度为500~750℃,通入Ga蒸发源与N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr,产生等离子体氮的射频功率为200~300W;
(9)采用脉冲激光沉积工艺生长非极性p型掺杂GaN薄膜,工艺条件为:衬底温度为450~550℃,采用脉冲激光轰击GaMg混合靶材来生长p型GaN薄膜,生长时通入N等离子体,反应室压力为5~7×10-5torr,射频功率为200~300W,激光能量为120~180mJ,激光频率为10~30Hz,空穴载流子浓度由GaMg混合靶材中两种元素的原子比来控制,掺杂空穴浓度1.0×1016~2.0×1018cm-3。
5.根据权利要求4所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,其特征在于,所述LiGaO2衬底的晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2~0.5°。
6.根据权利要求4所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,其特征在于,所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30~60nm;所述非极性m面GaN外延层的厚度为150~250nm;非极性非掺杂u-GaN层的厚度为300~500nm;所述非极性n型掺杂GaN层的厚度为3~5μm;所述非极性InGaN/GaN量子阱层为5~10个周期的InGaN阱层/GaN垒层是采用高温分子束外延工艺生长的,其中InGaN阱层的厚度为2~3nm;GaN垒层的厚度为10~13nm;所述非极性p型掺杂GaN薄膜的厚度为350~500nm。
7.根据权利要求4所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述对衬底进行表面清洁处理,具体为:
将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗5~10分钟,去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒,再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤,去除表面有机物;清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干;之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室,在超高真空条件下,将衬底温度升至850~900℃,烘烤20~30分钟,除去LiGaO2衬底表面残余的杂质。
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