CN102544276A - 生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 - Google Patents
生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102544276A CN102544276A CN2012100487808A CN201210048780A CN102544276A CN 102544276 A CN102544276 A CN 102544276A CN 2012100487808 A CN2012100487808 A CN 2012100487808A CN 201210048780 A CN201210048780 A CN 201210048780A CN 102544276 A CN102544276 A CN 102544276A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- gan
- ligao
- grown
- polar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜，包括生长在LiGaO2衬底上的非极性m面GaN缓冲层及生长在非极性m面GaN缓冲层上的非极性m面GaN层；所述非极性m面GaN缓冲层是在衬底温度为220-350℃时生长的GaN膜层；所述非极性m面GaN层是在衬底温度为600-750℃时生长的GaN膜层。本发明还公开了上述非极性GaN薄膜的制备方法及应用。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性GaN薄膜缺陷密度低、结晶质量好。
Description
技术领域
本发明涉及非极性GaN薄膜及其制备方法，特别涉及生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用。
背景技术
LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，可以广泛应用于各种普通照明、指示、显示、装饰、背光源、和城市夜景等领域。当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，将成为经济发展的重要方向。在照明领域，LED发光产品的应用正吸引着世人的目光，LED作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋势，二十一世纪将是以LED为代表的新型照明光源的时代。
III族氮化物半导体材料GaN是制造高效LED器件最为理想的材料。目前，GaN基LED的发光效率现在已经达到28％并且还在进一步的增长，该数值远远高于目前通常使用的白炽灯(约为2％)或荧光灯(约为10％)等照明方式的发光效率。数据统计表明，我国目前的照明用电每年在4100亿度以上，超过英国全国一年的用电量。如果用LED取代全部白炽灯或部分取代荧光灯，可节省接近一半的照明用电，超过三峡工程全年的发电量。因照明而产生的温室气体排放也会因此而大大降低。另外，与荧光灯相比，GaN基LED不含有毒的汞元素，且使用寿命约为此类照明工具的100倍。
LED要真正实现大规模广泛应用，需要进一步提高LED芯片的发光效率。虽然LED的发光效率已经超过日光灯和白炽灯，但是商业化LED发光效率还是低于钠灯(150lm/W)，单位流明/瓦的价格偏高。目前，LED芯片的发光效率不够高，一个主要原因是由于其蓝宝石衬底造成的。基于蓝宝石衬底的LED技术存在两个严峻的问题。首先，蓝宝石与GaN晶格的失配率高达17％，如此高的晶格失配使得蓝宝石上的LED外延片有很高的缺陷密度，大大影响了LED芯片的发光效率。其次，蓝宝石衬底价格十分昂贵，使得氮化物LED生产成本很高(蓝宝石衬底在LED的制作成本中占有相当大的比例)。
LED芯片的发光效率不够高的另外一个主要原因是由于目前广泛使用的GaN基LED具有极性。目前制造高效LED器件最为理想的材料是GaN。GaN为密排六方晶体结构，其晶面分为极性面c面[(0001)面]和非极性面a面[(11-20)面]及m面[(1-100)面]。目前，GaN基LED大都基于GaN的极性面构建而成。在极性面GaN上，Ga原子集合和N原子集合的质心不重合，从而形成电偶极子，产生自发极化场和压电极化场，进而引起量子束缚斯塔克效应(Quantum-confined Starker Effect，QCSE)，使电子和空穴分离，载流子的辐射复合效率降低，最终影响LED的发光效率，并造成LED发光波长的不稳定。解决这一问题最好的办法是采用非极性面的GaN材料制作LED，以消除量子束缚斯塔克效应的影响。理论研究表明，使用非极性面GaN来制造LED，将可使LED发光效率提高近一倍。
由此可见，要使LED真正实现大规模广泛应用，提高LED芯片的发光效率，并降低其制造成本，最根本的办法就是研发新型衬底上的非极性GaN基LED外延芯片。因此新型衬底上外延生长非极性氮化镓LED外延片一直是研究的热点和难点。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点与不足，本发明的目的之一在于提供一种生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜，具有缺陷密度低、结晶质量好的优点，且制备成本低廉。本发明的目的之二在于提供上述非极性GaN薄膜的制备方法。本发明的目的之三在于提供上述非极性GaN薄膜的应用。
本发明的目的通过以下技术方案实现：
生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜，包括生长在LiGaO2衬底上的非极性m面GaN缓冲层及生长在非极性m面GaN缓冲层上的非极性m面GaN外延层；所述非极性m面GaN缓冲层是在衬底温度为220-350℃时生长的GaN层；所述非极性m面GaN层是在衬底温度为600-750℃时生长的GaN层。
所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30-60nm。
上述生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)选取衬底以及晶体取向：采用LiGaO2衬底，晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2°；
(2)对衬底进行退火处理：将衬底在900-1000℃下高温烘烤3-5h后空冷至室温；
(3)对衬底进行表面清洁处理；
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层，工艺条件为：衬底温度为220-350℃，反应室压力为5-7×10-5Pa、Ⅴ/Ⅲ比为50-60、生长速度为0.4-0.6ML/s；
(5)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN外延层，工艺条件为：衬底温度升至600-750℃，反应室压力为3-5×10-5pa、Ⅴ/Ⅲ比为30-40、生长速度为0.8-1.0ML/s。
所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30-60nm。
步骤(3)所述对衬底进行表面清洁处理，具体为：将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗5-10分钟，去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物；清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干；之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室，在超高真空条件下，将衬底温度升至850-900℃，高温烘烤20-30分钟，除去LiGaO2衬底表面残余的杂质。
所述超高真空条件为压力小于6×10-7Pa。
上述生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜用于制备GaN基LED器件。
上述生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜用于制备GaN紫外光电探测器。
上述生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜用于制备InGaN太阳能电池器件。
与现有技术相比，本发明具有以下优点和有益效果：
(1)本发明使用LiGaO2作为衬底，同时采用低温分子束外延技术在LiGaO2衬底上先生长一层非极性m面GaN缓冲层，获得衬底与非极性m面GaN外延层之间很低的晶格失配度，有利于沉积低缺陷的非极性m面GaN外延层，极大的提高了LED的发光效率。
(2)采用低温分子束外延技术在LiGaO2衬底上先生长一层非极性m面GaN缓冲层，在低温下能保证LiGaO2衬底的稳定性，减少锂离子的挥发造成的晶格失配和剧烈界面反应，从而为下一步生长非极性m面GaN外延层打下良好基础。
(3)制备出非极性GaN薄膜，消除了极性面GaN带来的量子束缚斯塔克效应，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的效率。
(4)使用LiGaO2作为衬底，容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本。
附图说明
图1为本发明制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的截面示意图。
图2为本发明制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的XRD测试图。
图3为本发明制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的透射电镜图。
图4为本发明制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的CL(阴极射线)谱测试图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
本实施例生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)选取衬底以及晶体取向：采用LiGaO2衬底，晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2°。
(2)对衬底进行退火处理：将衬底在900℃下高温烘烤3-5h后空冷至室温。
(3)对衬底进行表面清洁处理：将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗5分钟，去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物；清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干；之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室，在超高真空条件下，将衬底温度升至850℃，高温烘烤20分钟，除去LiGaO2衬底表面残余的杂质。
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层，工艺条件为：衬底温度为220℃，5×10-5Pa、Ⅴ/Ⅲ比为50、生长速度为0.4ML/s；
(5)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN外延层，工艺条件为：衬底温度升至600℃，反应室压力为3×10-5pa、Ⅴ/Ⅲ比为30、生长速度为0.8ML/s。
如图1所示，本发明制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜，包括生长在LiGaO2衬底11上的非极性m面GaN缓冲层12及生长在非极性m面GaN缓冲层上的非极性m面GaN外延层13。
图2为本发明制备的生长在LiGaO2衬底(100)面上的非极性GaN薄膜的XRD测试图。测试得到GaN(1-100)面(即m面)的X射线回摆曲线的半峰宽(FWHM)值低于0.1°，表明本发明制备的非极性GaN薄膜无论是在缺陷密度还是在结晶质量上，都具有非常好的性能。
图3为本发明制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的透射电镜图。由图可知，LiGaO2衬底的晶体取向为(100)晶面，偏向(110)方向0.2°，GaN与LiGaO2衬底之间的界面清晰。0.5nm为LiGaO2衬底沿(001)的晶格常数，0.52nm为沿(0001)方向的GaN的晶格常数，而且衬底上生长的晶面关系是GaN(1-100)‖LiGaO2(100)。
图4为本发明制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性m面GaN薄膜的在温度为5K下CL谱测试图。由图可知，温度为5K下CL谱测试得到带间激子复合发光峰为3.48eV，表明本发明制备的非极性GaN薄膜无论是电学性质还是在光学性质上，都具有非常好的性能。
利用本实施例制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性m面GaN薄膜制备p-i-n结构的GaN基LED器件的步骤如下：在上述步骤得到的非极性m面GaN外延层上依次生长n型掺硅GaN外延层、InxGa1-xN多量子阱层、Mg掺杂的p型GaN层；再经电子束蒸发形成欧姆接触；最后通过在N2气氛下退火，以提高p型GaN薄膜的载流子浓度和迁移率。其中，n型掺硅GaN外延层的厚度为5μm，载流子的浓度为1×1019cm-3；InxGa1-xN多量子阱层厚度约为100nm，周期数为7，其中InxGa1-xN阱层为3nm，垒层为10nm；Mg掺杂的p型GaN层的厚度约为150nm，载流子浓度为2×1016cm-3。
实施例2
本实施例生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)选取衬底以及晶体取向：采用LiGaO2衬底，晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2°。
(2)对衬底进行退火处理：将衬底在1000℃下高温烘烤5h后空冷至室温。
(3)对衬底进行表面清洁处理：将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗10分钟，去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物；清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干；之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室，在超高真空条件下，将衬底温度升至900℃，高温烘烤30分钟，除去LiGaO2衬底表面残余的杂质。
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层，工艺条件为：衬底温度为350℃，7×10-5Pa、Ⅴ/Ⅲ比为60、生长速度为0.6ML/s；
(5)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN外延层，工艺条件为：衬底温度升至750℃，反应室压力为5×10-5pa、Ⅴ/Ⅲ比为40、生长速度为1.0ML/s。
利用本实施例制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性m面GaN薄膜制备GaN紫外光电探测器的步骤如下：在上述步骤得到的非极性m面GaN外延层上依次生长n型掺硅GaN外延层、本征GaN外延层、Mg掺杂的p型GaN层；再经电子束蒸发形成欧姆接触和肖特基结；最后通过在N2气氛下退火，以提高p型GaN薄膜的载流子浓度和迁移率。其中，n型掺硅GaN外延层的厚度为3μm，载流子的浓度为1×1019cm-3；本征GaN外延层的厚度为200nm，载流子的浓度为2.2×1016cm-3；Mg掺杂的p型GaN的厚度约为1.5μm。
实施例3
本实施例生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)选取衬底以及晶体取向：采用LiGaO2衬底，晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2°。
(2)对衬底进行退火处理：将衬底在950℃下高温烘烤4h后空冷至室温。
(3)对衬底进行表面清洁处理：将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗8分钟，去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物；清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干；之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室，在超高真空条件下，将衬底温度升至870℃，高温烘烤25分钟，除去衬LiGaO2底表面残余的杂质。
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层，工艺条件为：衬底温度为300℃，6×10-5Pa、Ⅴ/Ⅲ比为55、生长速度为0.5ML/s；
(5)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN外延层，工艺条件为：衬底温度升至700℃，反应室压力为4×10-5pa、Ⅴ/Ⅲ比为35、生长速度为0.9ML/s。
利用本实施例制备的生长在LiGaO2衬底上的非极性m面GaN薄膜制备InGaN太阳能电池器件的步骤如下：在上述步骤得到的非极性m面GaN外延层上依次生长具有成分梯度的InxGa1-xN缓冲层(x的值在0-0.2之间可调)、n型掺硅InxGa1-xN外延层、InxGa1-xN多量子阱层、Mg掺杂的p型InxGa1-xN层；再经电子束蒸发形成欧姆接触；最后通过在N2气氛下退火，以提高p型GaN薄膜的载流子浓度和迁移率。其中，n型掺硅GaN外延层的厚度为5μm，载流子的浓度为1×1019cm-3；InxGa1-xN多量子阱层厚度约为300nm，周期数为20，其中In0.2Ga0.8N阱层厚度为3nm，In0.08Ga0.92N垒层为10nm；Mg掺杂的p型InxGa1-xN层的厚度约为200nm，载流子浓度为2×1016cm-3。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜，其特征在于，包括生长在LiGaO2衬底上的非极性m面GaN缓冲层及生长在非极性m面GaN缓冲层上的非极性m面GaN外延层；所述非极性m面GaN缓冲层是在衬底温度为220-350℃时生长的GaN层；所述非极性m面GaN层是在衬底温度为600-750℃时生长的GaN层。
2.根据权利要求1所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜，其特征在于，所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30-60nm。
3.生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选取衬底以及晶体取向：采用LiGaO2衬底，晶体取向为(100)晶面偏向(110)方向0.2°；
(2)对衬底进行退火处理：将衬底在900-1000℃下高温烘烤3-5h后空冷至室温；
(3)对衬底进行表面清洁处理；
(4)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN缓冲层，工艺条件为：衬底温度为220-350℃，反应室压力为5-7×10-5Pa、Ⅴ/Ⅲ比为50-60、生长速度为0.4-0.6ML/s；
(5)采用低温分子束外延工艺生长非极性m面GaN外延层，工艺条件为：衬底温度升至600-750℃，反应室压力为3-5×10-5pa、Ⅴ/Ⅲ比为30-40、生长速度为0.8-1.0ML/s。
4.根据权利要求3所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的制备方法，其特征在于，所述非极性m面GaN缓冲层的厚度为30-60nm。
5.根据权利要求3所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述对衬底进行表面清洁处理，具体为：将LiGaO2衬底放入去离子水中室温下超声清洗5-10分钟，去除LiGaO2衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物；清洗后的LiGaO2衬底用高纯干燥氮气吹干；之后将LiGaO2衬底放入低温分子束外延生长室，在超高真空条件下，将衬底温度升至850-900℃，高温烘烤20-30分钟，除去LiGaO2衬底表面残余的杂质。
6.根据权利要求5所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜的制备方法，其特征在于，所述超高真空条件为压力小于6×10-7Pa。
7.权利要求1～2任一项所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜用于制备GaN基LED器件。
8.权利要求1～2任一项所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜用于制备GaN紫外光电探测器。
9.权利要求1～2任一项所述的生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜用于制备InGaN太阳能电池器件。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100487808A CN102544276A (zh) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2012100487808A CN102544276A (zh) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102544276A true CN102544276A (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=46350709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2012100487808A Pending CN102544276A (zh) | 2012-02-28 | 2012-02-28 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102544276A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103035795A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-10 | 华南理工大学 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱及其制备方法 |
| CN103031595A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-10 | 华南理工大学 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法 |
| CN103898506A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-02 | 西安电子科技大学 | 基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法 |
| CN103996756A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种镀膜方法及其应用 |
| CN103928504B (zh) * | 2014-04-23 | 2017-03-29 | 西安电子科技大学 | 基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法 |
| CN107644928A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-01-30 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种自支撑垂直结构led芯片及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080026502A1 (en) * | 2005-05-31 | 2008-01-31 | The Regents Of The University Of California | Growth of non-polar m-plane iii-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) |
| CN101901761A (zh) * | 2010-06-24 | 2010-12-01 | 西安电子科技大学 | 基于γ面LiAlO2衬底上非极性m面GaN的MOCVD生长方法 |
| CN202454605U (zh) * | 2012-02-28 | 2012-09-26 | 华南理工大学 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜 |
-
2012
- 2012-02-28 CN CN2012100487808A patent/CN102544276A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080026502A1 (en) * | 2005-05-31 | 2008-01-31 | The Regents Of The University Of California | Growth of non-polar m-plane iii-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) |
| CN101901761A (zh) * | 2010-06-24 | 2010-12-01 | 西安电子科技大学 | 基于γ面LiAlO2衬底上非极性m面GaN的MOCVD生长方法 |
| CN202454605U (zh) * | 2012-02-28 | 2012-09-26 | 华南理工大学 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| CHENG-HUNG SHIH ET AL.: "Characterization of M-plane GaN film grown on β-LiGaO2(100) by plasma-assisted molecular beam epitaxy", 《THIN SOLID FILMS》, vol. 519, no. 11, 27 January 2011 (2011-01-27), pages 3569 - 3572 * |
| GUOQIANG LI ET AL.: "Achieving atomically flat surfaces for LiGaO2 substrates for epitaxial growth of GaN films", 《MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B》, vol. 170, no. 13, 15 June 2010 (2010-06-15), pages 9 - 14 * |
| R.SCHUBER ET AL.: "Growth of non-polar GaN on LiGaO2 by plasma-assisted MBE", 《JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH》, vol. 323, no. 1, 27 October 2010 (2010-10-27), pages 76 - 79 * |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103035795A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-10 | 华南理工大学 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱及其制备方法 |
| CN103031595A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-10 | 华南理工大学 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法 |
| CN103035795B (zh) * | 2012-12-11 | 2015-09-16 | 华南理工大学 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱及其制备方法 |
| CN103031595B (zh) * | 2012-12-11 | 2016-06-22 | 华南理工大学 | 生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法 |
| CN103898506A (zh) * | 2014-04-23 | 2014-07-02 | 西安电子科技大学 | 基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法 |
| CN103928504B (zh) * | 2014-04-23 | 2017-03-29 | 西安电子科技大学 | 基于m面GaN上的极性InGaN纳米线材料及其制作方法 |
| CN103996756A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-08-20 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种镀膜方法及其应用 |
| CN103996756B (zh) * | 2014-05-30 | 2017-01-18 | 广州市众拓光电科技有限公司 | 一种镀膜方法及其应用 |
| CN107644928A (zh) * | 2017-10-24 | 2018-01-30 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种自支撑垂直结构led芯片及其制备方法 |
| CN107644928B (zh) * | 2017-10-24 | 2023-05-30 | 江门市奥伦德光电有限公司 | 一种自支撑垂直结构led芯片及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103296066B (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用 | |
| CN103035789B (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法 | |
| CN104037284A (zh) | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN102945898A (zh) | 生长在金属Ag衬底上的AlN薄膜及其制备方法、应用 | |
| CN102544276A (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 | |
| CN104037288A (zh) | 一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法 | |
| CN203085627U (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片 | |
| CN103996764A (zh) | 生长在Ag衬底的LED外延片及其制备方法和应用 | |
| CN103296158B (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法 | |
| CN203950831U (zh) | 生长在Cu衬底的LED外延片 | |
| CN202454605U (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜 | |
| CN103996611A (zh) | 一种生长在金属Al衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN103296157B (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的led外延片及制备方法 | |
| CN103031595B (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法 | |
| CN203910838U (zh) | 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 | |
| CN103035795B (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱及其制备方法 | |
| CN203339207U (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的led外延片 | |
| CN203085631U (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜 | |
| CN103296159B (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法 | |
| CN203085628U (zh) | 生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱 | |
| CN208848921U (zh) | 生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片 | |
| CN203339168U (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的GaN薄膜 | |
| CN203339209U (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜 | |
| CN203339206U (zh) | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱 | |
| CN204204895U (zh) | 生长在Cu衬底的GaN薄膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120704 |