JP5932946B2 - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
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Description
各ブロックを形成する第1および第2内部電極の幅は最外側から内部に向かって増加して減少し、互いに隣接するブロックの境界では同一幅の内部電極が隣接している。
110 セラミック本体
111 誘電体層
120 容量部
121、122 第1及び第2内部電極
121a、121a’、122a、122a’ 第1及び第2リード部
131、132 第1及び第2外部電極
141、143、144 絶縁層
Claims (16)
- 誘電体層を含み、対向する第1及び第2主面、対向する第1及び第2側面、及び対向する第1及び第2端面を有するセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に形成され、容量を形成するための重畳領域を有し、前記第1側面、第1端面及び第2端面に露出した容量部と前記容量部から前記第1側面に露出するように延長形成された第1リード部を有し、前記第2側面から離隔された複数の第1内部電極と、
前記誘電体層を介して前記複数の第1内部電極と少なくとも部分的に交互に積層され、前記第1内部電極と絶縁され、且つ前記容量部から第1側面に露出するように延長形成された第2リード部を有し、前記第2側面から離隔された複数の第2内部電極と、
前記第1リード部及び第2リード部とそれぞれ連結されて形成される第1及び第2外部電極と、
前記セラミック本体の第1側面、第1端面及び第2端面に形成される絶縁層と、を含み、
前記複数の第1内部電極及び第2内部電極の前記第2側面との離隔距離は異なり、前記複数の第1及び第2内部電極のうち3個以上であり奇数個が一つのブロックを形成し、前記ブロックが繰り返し積層され、各ブロックを形成する前記第1および第2内部電極の幅は前記第1主面から前記第2主面に向かって増加して減少し、前記第1主面から前記第2主面に向かう方向において、各ブロックを形成する前記第1および第2内部電極の幅は、両端部に位置する前記第1または第2内部電極の幅が、中間部に位置する前記第1または第2内部電極の幅よりも小さくなっており、互いに隣接するブロックの境界では同一幅の内部電極が隣接しており、前記複数の第1及び第2内部電極のうち上部及び下部の最外側の内部電極間の最長距離をT1、最短距離をT2とするとき、0.76≦T2/T1≦0.97を満たす、積層セラミック電子部品。 - 前記ブロックのそれぞれは、内部の第1及び第2内部電極パターンが同じ形状で配置される、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記複数の第1及び第2内部電極のうち上部及び下部の最外側の内部電極間の最長距離をT1、最短距離をT2とするとき、0.85≦T2/T1≦0.90を満たす、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極は前記セラミック本体の実装面に対して垂直に配置される、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1外部電極は、前記セラミック本体の第1主面、第2主面及び第2側面のうち一つ以上に延長形成された、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第2外部電極は前記セラミック本体の第1主面、第2主面及び第2側面のうち一つ以上に延長形成された、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記絶縁層はエポキシ、耐熱性高分子、ガラス及びセラミックからなる群より選ばれる一つ以上を含む、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記絶縁層は前記セラミック本体の第1側面から測定される第1及び第2外部電極の高さより小さく形成される、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 誘電体層を含み、対向する第1及び第2主面、対向する第1及び第2側面、及び対向する第1及び第2端面を有するセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に形成され、容量を形成するための重畳領域を有し、前記第1側面、第1端面及び第2端面に露出した容量部と前記容量部から前記第1側面に露出するように延長形成された第1リード部を有し、前記第2側面から離隔された複数の第1内部電極と、
前記誘電体層を介して前記複数の第1内部電極と少なくとも部分的に交互に積層され、前記第1内部電極と絶縁され、且つ前記容量部から第1側面に露出するように延長形成された第2リード部を有し、前記第2側面から離隔された複数の第2内部電極と、
前記第1リード部及び第2リード部とそれぞれ連結されて形成される第1及び第2外部電極と、
前記セラミック本体の第1側面、第1端面及び第2端面に形成される絶縁層と、
を含み、
前記第1リード部及び第2リード部の前記セラミック本体の長さ方向の長さが異なり、前記複数の第1及び第2内部電極のうち3個以上であり奇数個が一つのブロックを形成し、前記ブロックが繰り返し積層され、各ブロックを形成する前記第1および第2内部電極の幅は前記第1主面から前記第2主面に向かって増加して減少し、前記第1主面から前記第2主面に向かう方向において、各ブロックを形成する前記第1および第2内部電極の幅は、両端部に位置する前記第1または第2内部電極の幅が、中間部に位置する前記第1または第2内部電極の幅よりも小さくなっており、互いに隣接するブロックの境界では同一幅の内部電極が隣接しており、前記複数の第1及び第2内部電極のうち上部及び下部の最外側の内部電極間の最長距離をT1、最短距離をT2とするとき、0.76≦T2/T1≦0.97を満たす、積層セラミック電子部品。 - 前記ブロックのそれぞれは内部の第1及び第2内部電極パターンが同じ形状で配置される、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記複数の第1及び第2内部電極のうち上部及び下部の最外側の内部電極間の最長距離をT1、最短距離をT2とするとき、0.85≦T2/T1≦0.90を満たす、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1及び第2内部電極は前記セラミック本体の実装面に対して垂直に配置される、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第1外部電極は前記セラミック本体の第1主面、第2主面及び第2側面のうち一つ以上に延長形成された、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第2外部電極は前記セラミック本体の第1主面、第2主面及び第2側面のうち一つ以上に延長形成された、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記絶縁層はエポキシ、耐熱性高分子、ガラス及びセラミックからなる群より選ばれる一つ以上を含む、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記絶縁層は前記セラミック本体の第1側面から測定される第1及び第2外部電極の高さより小さく形成される、請求項9に記載の積層セラミック電子部品。
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