JP2002260950A - 積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料 - Google Patents
積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料Info
- Publication number
- JP2002260950A JP2002260950A JP2001358312A JP2001358312A JP2002260950A JP 2002260950 A JP2002260950 A JP 2002260950A JP 2001358312 A JP2001358312 A JP 2001358312A JP 2001358312 A JP2001358312 A JP 2001358312A JP 2002260950 A JP2002260950 A JP 2002260950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cuo
- ceramic layer
- content
- electrode paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 228
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 121
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 10
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 3
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 108
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 85
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 42
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 19
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
- H01G4/008—Selection of materials
- H01G4/0085—Fried electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
- H10N30/053—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes by integrally sintering piezoelectric or electrostrictive bodies and electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/06—Forming electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/067—Forming single-layered electrodes of multilayered piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/871—Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/877—Conductive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極層とセラミック層等の剥がれが生じず，
また，電極層及びセラミック層に空洞部が生じない積層
型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料を提
供すること。 【解決手段】 構成成分として鉛元素を含むセラミック
層１１と電極層２とを交互に積層した後，脱脂する工程
と焼成する工程とを少なくとも有して製造する積層型誘
電素子１における電極層２を構成するための電極用ペー
スト材料である。電極用ペースト材料は，導電物質の出
発原料の主成分としてのＣｕＯと，溶剤と，バインダー
とを含有すると共に，セラミック層１１を構成する主成
分の少なくとも一種よりなる共材を含有してなる。
また，電極層及びセラミック層に空洞部が生じない積層
型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料を提
供すること。 【解決手段】 構成成分として鉛元素を含むセラミック
層１１と電極層２とを交互に積層した後，脱脂する工程
と焼成する工程とを少なくとも有して製造する積層型誘
電素子１における電極層２を構成するための電極用ペー
スト材料である。電極用ペースト材料は，導電物質の出
発原料の主成分としてのＣｕＯと，溶剤と，バインダー
とを含有すると共に，セラミック層１１を構成する主成
分の少なくとも一種よりなる共材を含有してなる。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は，例えば積層型セラミックコンデ
ンサ，積層型圧電アクチュエータ等の，積層型誘電素子
の製造方法，並びにその電極層を形成するための電極用
ペースト材料に関する。
ンサ，積層型圧電アクチュエータ等の，積層型誘電素子
の製造方法，並びにその電極層を形成するための電極用
ペースト材料に関する。
【０００２】
【従来技術】従来より，各種の誘電特性を有するセラミ
ック層と電極層とを交互に積層してなる積層型誘電素子
が広く利用されている。これらの電極層を構成する電極
材料としては，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕあるいは
これらの混合物，合金などが存在し知られている。しか
し，これら電極材料の電極作製上の問題点はそれぞれ異
なる。例えば，Ａｇは導電率が高く比較的安価である
が，融点が９８０℃と低くまたマイグレーションが生じ
易いため信頼性に劣るという欠点がある。
ック層と電極層とを交互に積層してなる積層型誘電素子
が広く利用されている。これらの電極層を構成する電極
材料としては，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕあるいは
これらの混合物，合金などが存在し知られている。しか
し，これら電極材料の電極作製上の問題点はそれぞれ異
なる。例えば，Ａｇは導電率が高く比較的安価である
が，融点が９８０℃と低くまたマイグレーションが生じ
易いため信頼性に劣るという欠点がある。
【０００３】これに対しＰｄは高価ではあるが融点が高
いため，Ａｇ−Ｐｄ系金属材料とすることによりマイグ
レーションの抑制，電極材料の高融点化を目的として使
用されている（特開平５−３０４０４３号公報中に記
載）。しかしＰｄ添加によりマイグレーションを抑制す
るとは言うものの，電極材料とセラミックス材料間の接
合は十分ではなく，このための対策として，特開平５−
３０４０４３号公報，特開平８−２５５５０９号公報他
に開示されているごとく，さまざまな対策が取られてい
る。
いため，Ａｇ−Ｐｄ系金属材料とすることによりマイグ
レーションの抑制，電極材料の高融点化を目的として使
用されている（特開平５−３０４０４３号公報中に記
載）。しかしＰｄ添加によりマイグレーションを抑制す
るとは言うものの，電極材料とセラミックス材料間の接
合は十分ではなく，このための対策として，特開平５−
３０４０４３号公報，特開平８−２５５５０９号公報他
に開示されているごとく，さまざまな対策が取られてい
る。
【０００４】またＮｉについては，過焼結（もしくは１
０００℃を超えた温度でのＮｉの急速な焼結）が要因と
なりクラック，変形の発生，電極の島状化等が問題とな
っている。その対策の一例として，特開平５−５５０７
７号では，ＮｉとＮｉＯを混ぜることがなされ，特開平
６−２９０９８５号では希土類の酸化物を添加すること
がなされている。
０００℃を超えた温度でのＮｉの急速な焼結）が要因と
なりクラック，変形の発生，電極の島状化等が問題とな
っている。その対策の一例として，特開平５−５５０７
７号では，ＮｉとＮｉＯを混ぜることがなされ，特開平
６−２９０９８５号では希土類の酸化物を添加すること
がなされている。
【０００５】上記のうちＡｇは，Ａｇが持つ融点に起因
する問題点を解決しようとするものであり，Ｎｉは，Ｎ
ｉ特有の過焼結に起因する問題を解決しようとしている
が，いずれも高価な材料であり，これらの材料を使用す
る限りは，多用される積層型誘電素子の低価格化要求に
応えることは困難と考えられる。また，Ａｇ，Ｎｉでの
技術はＣｕに容易に転用できるものではない。
する問題点を解決しようとするものであり，Ｎｉは，Ｎ
ｉ特有の過焼結に起因する問題を解決しようとしている
が，いずれも高価な材料であり，これらの材料を使用す
る限りは，多用される積層型誘電素子の低価格化要求に
応えることは困難と考えられる。また，Ａｇ，Ｎｉでの
技術はＣｕに容易に転用できるものではない。
【０００６】一方，低価格の電極材料として有望な卑金
属としてはＣｕがある。Ｃｕを含有するペースト材料ま
たは電極については，ＣｕとＣｕ2Ｏを適当な割合で混
ぜることにより，Ｃｕの酸化膨張によるクラック発生を
抑制するもの（特開平５−２８３２７４号）他，有機リ
ン化合物と金属（Ｃｕ）イオンで錯体を形成させて焼成
しセラミックの焼結を助けて膜厚を均一にするもの（特
開平５−２４２７２４号）がある。また，Ｃｕ含有量を
４０〜７０ｗｔ％にすることにより塗布厚みを薄くし素
子の反りやクラック（割れ）の発生を抑制するもの（特
開平５−２３４４１４号）もある。
属としてはＣｕがある。Ｃｕを含有するペースト材料ま
たは電極については，ＣｕとＣｕ2Ｏを適当な割合で混
ぜることにより，Ｃｕの酸化膨張によるクラック発生を
抑制するもの（特開平５−２８３２７４号）他，有機リ
ン化合物と金属（Ｃｕ）イオンで錯体を形成させて焼成
しセラミックの焼結を助けて膜厚を均一にするもの（特
開平５−２４２７２４号）がある。また，Ｃｕ含有量を
４０〜７０ｗｔ％にすることにより塗布厚みを薄くし素
子の反りやクラック（割れ）の発生を抑制するもの（特
開平５−２３４４１４号）もある。
【０００７】さらに，平均粒径０．５〜２μｍ，粒度分
布０．３〜４μｍのＣｕ粉を４０〜６０ｗｔ％含有する
ペースト材料を使用し１〜３μｍの膜厚で焼成すること
により，（１）素子・電極間や電極中でのボイド発生の
抑制（２）内外部電極の反りに伴う電極切れ発生の抑制
（３）セラミック部品自体の変形防止（４）内部電極と
外部電極の接触不良防止を図るもの（特開平５−１９０
３７５号）などがある。このようにＣｕを使用する電極
としては，方法・目的ともに多種多様なものが開示され
ている。
布０．３〜４μｍのＣｕ粉を４０〜６０ｗｔ％含有する
ペースト材料を使用し１〜３μｍの膜厚で焼成すること
により，（１）素子・電極間や電極中でのボイド発生の
抑制（２）内外部電極の反りに伴う電極切れ発生の抑制
（３）セラミック部品自体の変形防止（４）内部電極と
外部電極の接触不良防止を図るもの（特開平５−１９０
３７５号）などがある。このようにＣｕを使用する電極
としては，方法・目的ともに多種多様なものが開示され
ている。
【０００８】セラミック層の主成分の少なくとも一種ま
たはセラミック層と略同一組成の材料（以下，セラミッ
ク層の生地もしくは共材と記す）の添加については，Ｃ
ｕ電極又はＣｕ系ペースト材料に関わる例として特開平
５−２７５２６３号公報に示されたものがある。この例
では，指定されている共材は電極用金属粉末と同質の金
属で表面を被覆した無機質粉末を添加するという，言わ
ば特殊な加工処理を施したものである。かつ目的も金属
の焼結を阻害することにより電極の不連続や抵抗増大防
止を狙いとしている。そして，この例では，Ｃｕの焼結
がセラミック材料の焼結よりも急速に進むという根本的
問題を解決するにあたり，金属の焼結を阻害する事によ
る焼結の遅延を図り，これにより電極の不連続の回避を
試みている。
たはセラミック層と略同一組成の材料（以下，セラミッ
ク層の生地もしくは共材と記す）の添加については，Ｃ
ｕ電極又はＣｕ系ペースト材料に関わる例として特開平
５−２７５２６３号公報に示されたものがある。この例
では，指定されている共材は電極用金属粉末と同質の金
属で表面を被覆した無機質粉末を添加するという，言わ
ば特殊な加工処理を施したものである。かつ目的も金属
の焼結を阻害することにより電極の不連続や抵抗増大防
止を狙いとしている。そして，この例では，Ｃｕの焼結
がセラミック材料の焼結よりも急速に進むという根本的
問題を解決するにあたり，金属の焼結を阻害する事によ
る焼結の遅延を図り，これにより電極の不連続の回避を
試みている。
【０００９】また，同じくセラミック層の共材を添加す
る事例として特開昭６４−８９３１１号がある。積層セ
ラミック体用内部電極ペーストに関するもので，積層セ
ラミック体におけるセラミック材料と同一の化合物等の
添加が記述されている。しかしこの電極用ペースト材料
の構成は，後述する本発明のようなＣｕＯではなく，Ｃ
ｕ2Ｏからなる。
る事例として特開昭６４−８９３１１号がある。積層セ
ラミック体用内部電極ペーストに関するもので，積層セ
ラミック体におけるセラミック材料と同一の化合物等の
添加が記述されている。しかしこの電極用ペースト材料
の構成は，後述する本発明のようなＣｕＯではなく，Ｃ
ｕ2Ｏからなる。
【００１０】その理由は，焼成又は還元処理工程におい
て，ＣｕＯからなるペースト材料では，ＣｕＯを金属銅
に還元する際に大きな体積収縮を生じ焼結体にクラック
が発生したりセラミック層と電極層との間に空洞が生じ
るデラミネーションが発生することを問題としており，
その解決策としてＣｕ2Ｏの代用を記述している。そし
て，セラミック層の共材は，内部電極層とセラミック層
との接着性を向上するために利用されている。すなわ
ち，この例では，電極用ペースト材料中のＣｕ酸化物の
収縮に関する問題を，ＣｕＯからＣｕ2Ｏへの代用とい
う手段により解決すると共にセラミック層と電極層との
接着性向上にためにセラミック層の共材を利用してい
る。
て，ＣｕＯからなるペースト材料では，ＣｕＯを金属銅
に還元する際に大きな体積収縮を生じ焼結体にクラック
が発生したりセラミック層と電極層との間に空洞が生じ
るデラミネーションが発生することを問題としており，
その解決策としてＣｕ2Ｏの代用を記述している。そし
て，セラミック層の共材は，内部電極層とセラミック層
との接着性を向上するために利用されている。すなわ
ち，この例では，電極用ペースト材料中のＣｕ酸化物の
収縮に関する問題を，ＣｕＯからＣｕ2Ｏへの代用とい
う手段により解決すると共にセラミック層と電極層との
接着性向上にためにセラミック層の共材を利用してい
る。
【００１１】同じくセラミック層の共材を使用する事例
として，積層セラミックコンデンサに関わる特開平２−
２２８０６号がある。この積層セラミックコンデンサの
事例においても，セラミック層の共材は耐デラミネーシ
ョン性の付与のためとの記載がある。この例において
は，その実施形態例において，銅ペースト（金属ペース
ト）が使用されており，ＣｕＯは使用していない。また
セラミック層の共材を添加することの有意性は示されて
いない。
として，積層セラミックコンデンサに関わる特開平２−
２２８０６号がある。この積層セラミックコンデンサの
事例においても，セラミック層の共材は耐デラミネーシ
ョン性の付与のためとの記載がある。この例において
は，その実施形態例において，銅ペースト（金属ペース
ト）が使用されており，ＣｕＯは使用していない。また
セラミック層の共材を添加することの有意性は示されて
いない。
【００１２】上記公開特許で使用されている銅（金属）
ペーストでは，積層型誘電素子の作製が容易でない。即
ち，ペースト材料を塗布して積層品を作製する工程に
は，（１）脱脂，（２）メタライズ：ＣｕＯペースト材
料を使用して作製するときに，電極材料をＣｕＯからＣ
ｕに還元する工程，（３）焼成がある。電極用ペースト
材料として銅（金属）ペーストを使用して積層品を作製
するには，銅の酸化（膨張を伴う）による剥離を回避す
るために，還元雰囲気で脱脂する必要が生ずる。脱脂と
はバインダー等を分解・除去する工程であり，化学的に
表現すると炭素等を酸化反応させる工程である。よって
還元雰囲気で脱脂をすると酸素量が少ないために通常の
空気中での脱脂よりも長い処理時間を要する。
ペーストでは，積層型誘電素子の作製が容易でない。即
ち，ペースト材料を塗布して積層品を作製する工程に
は，（１）脱脂，（２）メタライズ：ＣｕＯペースト材
料を使用して作製するときに，電極材料をＣｕＯからＣ
ｕに還元する工程，（３）焼成がある。電極用ペースト
材料として銅（金属）ペーストを使用して積層品を作製
するには，銅の酸化（膨張を伴う）による剥離を回避す
るために，還元雰囲気で脱脂する必要が生ずる。脱脂と
はバインダー等を分解・除去する工程であり，化学的に
表現すると炭素等を酸化反応させる工程である。よって
還元雰囲気で脱脂をすると酸素量が少ないために通常の
空気中での脱脂よりも長い処理時間を要する。
【００１３】十分な脱脂がなされていないと，後工程の
焼成の還元雰囲気での焼成において，残存した炭素等が
酸素と反応し悪影響を及ぼす。例えば，炭素等は積層品
の中心部に残存しやすいため，同一の積層型誘電素子内
でも還元焼成時に外周部と中心部とに雰囲気の違いが生
じ，電極の酸化に伴う拡散もしくはセラミック層の還元
に伴う変位性能低下等が部分的に生ずる。一方，完全に
脱脂することは，所要時間が長いため実用性に欠ける。
以上の理由により，鉛元素を構成成分として含むセラミ
ック層と電極層とを交互に積層した誘電素子の電極層を
構成するための電極用ペースト材料には酸化雰囲気でも
脱脂可能な酸化銅のペースト材料が有用である。
焼成の還元雰囲気での焼成において，残存した炭素等が
酸素と反応し悪影響を及ぼす。例えば，炭素等は積層品
の中心部に残存しやすいため，同一の積層型誘電素子内
でも還元焼成時に外周部と中心部とに雰囲気の違いが生
じ，電極の酸化に伴う拡散もしくはセラミック層の還元
に伴う変位性能低下等が部分的に生ずる。一方，完全に
脱脂することは，所要時間が長いため実用性に欠ける。
以上の理由により，鉛元素を構成成分として含むセラミ
ック層と電極層とを交互に積層した誘電素子の電極層を
構成するための電極用ペースト材料には酸化雰囲気でも
脱脂可能な酸化銅のペースト材料が有用である。
【００１４】
【解決しようとする課題】実際，セラミック材料にＣｕ
Ｏペースト材料を塗布して積層し，脱脂・メタライズ
（電極材料のＣｕＯをＣｕへ還元）・焼成すると，電極
部とセラミック層の間での剥がれは生じないものの，電
極部に空洞ができる。また，上記問題を解決するために
ＣｕＯペースト材料中のＣｕＯ含有量を増加させると，
電極部の空洞はなくなり連続な電極層が形成できるが，
一方でセラミック層に空洞が生ずる。
Ｏペースト材料を塗布して積層し，脱脂・メタライズ
（電極材料のＣｕＯをＣｕへ還元）・焼成すると，電極
部とセラミック層の間での剥がれは生じないものの，電
極部に空洞ができる。また，上記問題を解決するために
ＣｕＯペースト材料中のＣｕＯ含有量を増加させると，
電極部の空洞はなくなり連続な電極層が形成できるが，
一方でセラミック層に空洞が生ずる。
【００１５】本発明はかかる従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので，電極層とセラミック層等の剥がれが生じ
ず，また，電極層及びセラミック層に空洞部が生じない
積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料
を提供しようとするものである。
れたもので，電極層とセラミック層等の剥がれが生じ
ず，また，電極層及びセラミック層に空洞部が生じない
積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料
を提供しようとするものである。
【００１６】
【課題の解決手段】請求項１の発明は，構成成分として
鉛元素を含むセラミック層と電極層とを交互に積層した
後，脱脂する工程と焼成する工程とを少なくとも有して
製造する積層型誘電素子における上記電極層を構成する
ための電極用ペースト材料であって，該電極用ペースト
材料は，導電物質の出発原料の主成分としてのＣｕＯ
と，溶剤と，バインダーとを含有すると共に，上記セラ
ミック層を構成する主成分の少なくとも一種よりなる共
材を含有してなることを特徴とする電極用ペースト材料
にある。
鉛元素を含むセラミック層と電極層とを交互に積層した
後，脱脂する工程と焼成する工程とを少なくとも有して
製造する積層型誘電素子における上記電極層を構成する
ための電極用ペースト材料であって，該電極用ペースト
材料は，導電物質の出発原料の主成分としてのＣｕＯ
と，溶剤と，バインダーとを含有すると共に，上記セラ
ミック層を構成する主成分の少なくとも一種よりなる共
材を含有してなることを特徴とする電極用ペースト材料
にある。
【００１７】次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の電極用ペースト材料は，上記のごとくＣｕＯを
主成分とすると共に，上記共材を含有している。そのた
め，上記電極用ペースト材料中におけるＣｕＯ含有量の
調整を容易にすることができる。
本発明の電極用ペースト材料は，上記のごとくＣｕＯを
主成分とすると共に，上記共材を含有している。そのた
め，上記電極用ペースト材料中におけるＣｕＯ含有量の
調整を容易にすることができる。
【００１８】即ち，上記共材を含有させていない場合に
おいても，焼成後に空洞や剥がれが生じない，最適なＣ
ｕＯ含有量を有する電極用ペースト材料をえることは可
能ではある。しかしながら，共材を含有していない場合
には，ＣｕＯ含有量が最適な状態から少しでもずれれば
たちまち亀裂，空洞あるいは剥離といった不具合を発生
させる電極用ペースト材料となってしまう。したがっ
て，ＣｕＯ含有量の調整が非常に困難である。
おいても，焼成後に空洞や剥がれが生じない，最適なＣ
ｕＯ含有量を有する電極用ペースト材料をえることは可
能ではある。しかしながら，共材を含有していない場合
には，ＣｕＯ含有量が最適な状態から少しでもずれれば
たちまち亀裂，空洞あるいは剥離といった不具合を発生
させる電極用ペースト材料となってしまう。したがっ
て，ＣｕＯ含有量の調整が非常に困難である。
【００１９】これに対し，本発明では上記のごとく共材
を含有させるので，電極用ペースト材料中におけるＣｕ
Ｏ含有量の調整を容易に行うことができる。即ち，共材
の共存によって，ＣｕＯ含有量の最適範囲の幅を大幅に
広げることができ，ＣｕＯ含有量の変動による影響を小
さくすることができる。
を含有させるので，電極用ペースト材料中におけるＣｕ
Ｏ含有量の調整を容易に行うことができる。即ち，共材
の共存によって，ＣｕＯ含有量の最適範囲の幅を大幅に
広げることができ，ＣｕＯ含有量の変動による影響を小
さくすることができる。
【００２０】そのため，品質に優れた電極用ペースト材
料を調整することができ，この電極用ペースト材料を用
いれば，亀裂，空洞，あるいは剥離といった上記不具合
のない優れた積層型誘電素子を容易に製造することがで
きる。また，この電極用ペースト材料は，導電物質とし
てＣｕを主体とするので，従来の貴金属を電極層に用い
た場合よりも安価にすることができる。
料を調整することができ，この電極用ペースト材料を用
いれば，亀裂，空洞，あるいは剥離といった上記不具合
のない優れた積層型誘電素子を容易に製造することがで
きる。また，この電極用ペースト材料は，導電物質とし
てＣｕを主体とするので，従来の貴金属を電極層に用い
た場合よりも安価にすることができる。
【００２１】構成成分としてＰｂ元素を含むセラミック
材料とＣｕ電極材料による積層品を作製し，高性能を得
るためにはＣｕ電極用ペースト材料を十分還元し，Ｃｕ
金属のように導電性の良好な電極層を形成する必要があ
り，このため，還元雰囲気での処理が必要となる。一
方，セラミック材料が還元されると，Ｃｕとの共晶反応
等により溶融が発生するため，還元雰囲気は，セラミッ
ク材料を還元せず，電極用ペースト材料中のＣｕ系材料
を還元するように雰囲気調整する必要がある。
材料とＣｕ電極材料による積層品を作製し，高性能を得
るためにはＣｕ電極用ペースト材料を十分還元し，Ｃｕ
金属のように導電性の良好な電極層を形成する必要があ
り，このため，還元雰囲気での処理が必要となる。一
方，セラミック材料が還元されると，Ｃｕとの共晶反応
等により溶融が発生するため，還元雰囲気は，セラミッ
ク材料を還元せず，電極用ペースト材料中のＣｕ系材料
を還元するように雰囲気調整する必要がある。
【００２２】上記工程において積層品中にバインダーが
残存していると，バインダーから発生するカーボンが酸
素と反応して雰囲気調整を阻害する。雰囲気調整を阻害
されると，一部のセラミック材料の還元が生じ，Ｃｕと
の共晶反応等により溶融してしまう。よって還元雰囲気
調整をする工程においては，十分な脱脂（脱バインダ
ー）をしたサンプルが必要となる。
残存していると，バインダーから発生するカーボンが酸
素と反応して雰囲気調整を阻害する。雰囲気調整を阻害
されると，一部のセラミック材料の還元が生じ，Ｃｕと
の共晶反応等により溶融してしまう。よって還元雰囲気
調整をする工程においては，十分な脱脂（脱バインダ
ー）をしたサンプルが必要となる。
【００２３】また，セラミック材料の一部の還元生成物
とＣｕとの共晶反応が遅く起こるのであれば（共晶点が
高ければ），不完全な脱脂も多少は許容される。例え
ば，脱脂条件の最高温度よりも，還元生成物とＣｕとの
共晶点が高ければ，後工程の共晶点以下の温度では実質
的に再度脱脂をしていることになり，脱脂工程でバイン
ダーが多少残存していても問題なく気化される。
とＣｕとの共晶反応が遅く起こるのであれば（共晶点が
高ければ），不完全な脱脂も多少は許容される。例え
ば，脱脂条件の最高温度よりも，還元生成物とＣｕとの
共晶点が高ければ，後工程の共晶点以下の温度では実質
的に再度脱脂をしていることになり，脱脂工程でバイン
ダーが多少残存していても問題なく気化される。
【００２４】一方セラミック材料の一部に，Ｐｂ元素を
構成成分として有していると，還元されて生成されるＰ
ｂとＣｕとの溶融は，共晶点：３２６℃という低温で起
こるため，脱脂工程で脱脂がより完全に終了している必
要がある。より完全な脱脂を行うには，脱脂がバインダ
ーの酸化であるため，十分な酸素をもつ雰囲気が必要と
なる。十分な酸素を持つ雰囲気で，電極用ペースト材料
を塗布した積層品を問題なく脱脂するには，電極用ペー
スト材料中の電極用材料の酸化にともなう膨張を抑制す
る必要があり，その対策としてペースト材料の主成分の
少なくとも１つに酸化物，例えばＣｕＯを入れることが
挙げられる。
構成成分として有していると，還元されて生成されるＰ
ｂとＣｕとの溶融は，共晶点：３２６℃という低温で起
こるため，脱脂工程で脱脂がより完全に終了している必
要がある。より完全な脱脂を行うには，脱脂がバインダ
ーの酸化であるため，十分な酸素をもつ雰囲気が必要と
なる。十分な酸素を持つ雰囲気で，電極用ペースト材料
を塗布した積層品を問題なく脱脂するには，電極用ペー
スト材料中の電極用材料の酸化にともなう膨張を抑制す
る必要があり，その対策としてペースト材料の主成分の
少なくとも１つに酸化物，例えばＣｕＯを入れることが
挙げられる。
【００２５】さらに，上記共材を含有する際の作用を詳
説する。セラミック層形成用のグリーンシート上に上記
電極用ペースト材料を塗布し，これを積層して一体焼成
する際には，セラミック層及び電極層のそれぞれの焼結
と，これらの境界部の焼結という３つの部位での焼結も
しくは反応が起こる。このうち，電極・セラミック層境
界部の焼結は，例えばＣｕ電極の材料又はＣｕの酸化被
膜等として存在するＣｕＯもしくはＣｕＯが一部還元さ
れたＣｕ2Ｏとセラミック層に含まれる酸化物との共晶
点での反応により，最も早く，低温で焼結が進むと考え
られる。そのため，この部位での剥がれは生じにくいと
考えられる。
説する。セラミック層形成用のグリーンシート上に上記
電極用ペースト材料を塗布し，これを積層して一体焼成
する際には，セラミック層及び電極層のそれぞれの焼結
と，これらの境界部の焼結という３つの部位での焼結も
しくは反応が起こる。このうち，電極・セラミック層境
界部の焼結は，例えばＣｕ電極の材料又はＣｕの酸化被
膜等として存在するＣｕＯもしくはＣｕＯが一部還元さ
れたＣｕ2Ｏとセラミック層に含まれる酸化物との共晶
点での反応により，最も早く，低温で焼結が進むと考え
られる。そのため，この部位での剥がれは生じにくいと
考えられる。
【００２６】よって，電極部（電極層）とセラミック層
それぞれの焼結の進行度合い・収縮度合いが問題となり
得る。通常，セラミック層よりも電極部の焼結が早い
（速い）ので，電極部の収縮（溶剤，バインダーの気化
による空間発生消滅も含めた広義の収縮を意味する。以
下同様）がセラミック層の収縮に比べ大きく電極部に空
洞が発生しやすくなる。一方，電極用ペースト材料中の
ＣｕＯ含有量を増加させると電極は空洞がなくなり連続
に形成できるが，セラミック層に亀裂（空洞）が生じ
る。この時は電極部の焼結による収縮が小さくなり，セ
ラミック層の収縮率が相対的に大きくなっている。
それぞれの焼結の進行度合い・収縮度合いが問題となり
得る。通常，セラミック層よりも電極部の焼結が早い
（速い）ので，電極部の収縮（溶剤，バインダーの気化
による空間発生消滅も含めた広義の収縮を意味する。以
下同様）がセラミック層の収縮に比べ大きく電極部に空
洞が発生しやすくなる。一方，電極用ペースト材料中の
ＣｕＯ含有量を増加させると電極は空洞がなくなり連続
に形成できるが，セラミック層に亀裂（空洞）が生じ
る。この時は電極部の焼結による収縮が小さくなり，セ
ラミック層の収縮率が相対的に大きくなっている。
【００２７】電極用ＣｕＯ系ペースト材料中のＣｕＯ含
有量を，適度な特有の含有量とすると，電極・セラミッ
ク層双方ともに空洞のない積層品が形成できる。この
時，セラミック層の共材を予め電極用ＣｕＯ系ペースト
材料に添加すると，共材を添加しないときに電極・セラ
ミック層双方ともに空洞のない積層品を形成できたＣｕ
Ｏ含有量でも同様に積層品を形成できるだけでなく，Ｃ
ｕＯ含有量が数ｗｔ％多くなっても積層品の形成が可能
となる。即ち，共材を添加しないとセラミック層に空洞
が生ずるような含有量でも，形成が可能となる。
有量を，適度な特有の含有量とすると，電極・セラミッ
ク層双方ともに空洞のない積層品が形成できる。この
時，セラミック層の共材を予め電極用ＣｕＯ系ペースト
材料に添加すると，共材を添加しないときに電極・セラ
ミック層双方ともに空洞のない積層品を形成できたＣｕ
Ｏ含有量でも同様に積層品を形成できるだけでなく，Ｃ
ｕＯ含有量が数ｗｔ％多くなっても積層品の形成が可能
となる。即ち，共材を添加しないとセラミック層に空洞
が生ずるような含有量でも，形成が可能となる。
【００２８】上記の現象は以下のように解釈できる。電
極用ＣｕＯペースト材料にセラミック層の共材を添加し
ておくと，電極層とセラミック層それぞれの焼結の進行
度合い・収縮度合いがフィットしていれば，電極部内も
しくは電極部とセラミック層の境界部に，添加したセラ
ミック層の共材が残ったまま焼結を終え，電極・セラミ
ック層双方ともに空洞のない積層品を形成する。即ち，
セラミック層の共材を添加しないときと同量のＣｕＯ含
有量で積層品を形成できる。
極用ＣｕＯペースト材料にセラミック層の共材を添加し
ておくと，電極層とセラミック層それぞれの焼結の進行
度合い・収縮度合いがフィットしていれば，電極部内も
しくは電極部とセラミック層の境界部に，添加したセラ
ミック層の共材が残ったまま焼結を終え，電極・セラミ
ック層双方ともに空洞のない積層品を形成する。即ち，
セラミック層の共材を添加しないときと同量のＣｕＯ含
有量で積層品を形成できる。
【００２９】上記の場合よりもＣｕＯ含有量が数ｗｔ％
多いペースト材料にセラミック層の共材が添加されてい
ると，セラミック層の共材が添加されていない場合にお
いて温度上昇に伴いセラミック層が相対的に収縮度合い
が大きくなる時点，もしくはその周辺の温度域で，電極
部内に添加されていたセラミック層の共材がセラミック
層に移動して収縮度合いの調整をし，セラミック層での
空洞の発生を抑制する。
多いペースト材料にセラミック層の共材が添加されてい
ると，セラミック層の共材が添加されていない場合にお
いて温度上昇に伴いセラミック層が相対的に収縮度合い
が大きくなる時点，もしくはその周辺の温度域で，電極
部内に添加されていたセラミック層の共材がセラミック
層に移動して収縮度合いの調整をし，セラミック層での
空洞の発生を抑制する。
【００３０】次に，請求項６の発明は，構成成分として
鉛元素を含むセラミック層と電極層とを交互に積層した
後，脱脂する工程と焼成する工程とを少なくとも有する
積層型誘電素子の製造方法において，セラミック材料を
シート状に成形してなるグリーンシートと，導電物質の
出発原料の主成分としてのＣｕＯと，溶剤と，バインダ
ーとを含有すると共に，上記セラミック材料の主成分の
少なくとも一種よりなる共材を含有する電極用ペースト
材料とを準備し，複数のグリーンシートの少なくとも一
方の面に上記電極用ペースト材料を塗布し，次いで，上
記グリーンシートを積層し，その後脱脂，焼成すること
を特徴とする積層型誘電素子の製造方法にある。
鉛元素を含むセラミック層と電極層とを交互に積層した
後，脱脂する工程と焼成する工程とを少なくとも有する
積層型誘電素子の製造方法において，セラミック材料を
シート状に成形してなるグリーンシートと，導電物質の
出発原料の主成分としてのＣｕＯと，溶剤と，バインダ
ーとを含有すると共に，上記セラミック材料の主成分の
少なくとも一種よりなる共材を含有する電極用ペースト
材料とを準備し，複数のグリーンシートの少なくとも一
方の面に上記電極用ペースト材料を塗布し，次いで，上
記グリーンシートを積層し，その後脱脂，焼成すること
を特徴とする積層型誘電素子の製造方法にある。
【００３１】本製造方法において注目すべきことは，Ｃ
ｕＯを主成分とすると共に共材を含有してなる上記電極
用ペースト材料を用いることである。この電極用ペース
ト材料を用いることによって，上記のごとくＣｕＯの含
有量の調整が非常に容易となる。それ故，電極層とセラ
ミック層等の剥がれがなく，また，電極層及びセラミッ
ク層に空洞部がない，優れた積層型誘電素子を容易に得
ることができる。
ｕＯを主成分とすると共に共材を含有してなる上記電極
用ペースト材料を用いることである。この電極用ペース
ト材料を用いることによって，上記のごとくＣｕＯの含
有量の調整が非常に容易となる。それ故，電極層とセラ
ミック層等の剥がれがなく，また，電極層及びセラミッ
ク層に空洞部がない，優れた積層型誘電素子を容易に得
ることができる。
【００３２】次に，請求項７の発明のように，上記電極
用ペースト材料の塗布は上記グリーンシートの両面に行
い，上記積層においては，上記電極用ペースト材料同士
を当接させることもできる。この場合には，上記グリー
ンシートの積層時に電極用ペースト材料同士を接触させ
ることができ，その後の焼成時に急速な反応を得ること
ができる。
用ペースト材料の塗布は上記グリーンシートの両面に行
い，上記積層においては，上記電極用ペースト材料同士
を当接させることもできる。この場合には，上記グリー
ンシートの積層時に電極用ペースト材料同士を接触させ
ることができ，その後の焼成時に急速な反応を得ること
ができる。
【００３３】また，請求項８の発明のように，上記電極
用ペースト材料同士の間には，導電性を有する金属箔を
介在させることもできる。この場合には，上記電極用ペ
ースト材料の成分構成が，焼成後に電極層が消失しやす
いような場合であっても，上記金属箔により導通部分を
確実に確保することができる。
用ペースト材料同士の間には，導電性を有する金属箔を
介在させることもできる。この場合には，上記電極用ペ
ースト材料の成分構成が，焼成後に電極層が消失しやす
いような場合であっても，上記金属箔により導通部分を
確実に確保することができる。
【００３４】次に，請求項２又は９の発明のように，上
記共材は上記セラミック層と略同一組成であることが好
ましい。これにより，セラミック層と電極層との密着性
をさらに向上させることができる。
記共材は上記セラミック層と略同一組成であることが好
ましい。これにより，セラミック層と電極層との密着性
をさらに向上させることができる。
【００３５】また，請求項３又は１０の発明のように，
上記ＣｕＯの含有量は３０ｗｔ％より多く８２．５ｗｔ
％未満であり，上記共材の含有量は０．５ｗｔ％より多
く２５ｗｔ％未満であることが好ましい。さらには，請
求項４又は１１の発明のように，上記ＣｕＯの含有量は
４０ｗｔ％以上７７．５ｗｔ％以下であることがより好
ましい。そしてまた，請求項５又は１２の発明のよう
に，上記共材の含有量は１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下で
あることがより好ましい。
上記ＣｕＯの含有量は３０ｗｔ％より多く８２．５ｗｔ
％未満であり，上記共材の含有量は０．５ｗｔ％より多
く２５ｗｔ％未満であることが好ましい。さらには，請
求項４又は１１の発明のように，上記ＣｕＯの含有量は
４０ｗｔ％以上７７．５ｗｔ％以下であることがより好
ましい。そしてまた，請求項５又は１２の発明のよう
に，上記共材の含有量は１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下で
あることがより好ましい。
【００３６】上記ＣｕＯの含有量が３０ｗｔ％以下の場
合には，焼成後の電極層に空洞が生ずるという問題があ
る。それ故，より好ましくは４０ｗｔ％以上がよい。一
方，上記ＣｕＯの含有量が８２．５ｗｔ％以上の場合に
は，セラミック層に亀裂（空洞）が生ずるという問題が
ある。それ故，より好ましくは７７．５ｗｔ％以下がよ
い。また，上記共材の含有量が２５ｗｔ％以上の場合に
は，電極層が途切れ導通しないという問題がある。それ
故，より好ましくは１５ｗｔ％以下がよい。また，上記
共材の含有量が０．５ｗｔ％以下の場合には，セラミッ
ク層での亀裂の発生を抑制する効果はなく，それ故，よ
り好ましくは１ｗｔ％以上がよい。
合には，焼成後の電極層に空洞が生ずるという問題があ
る。それ故，より好ましくは４０ｗｔ％以上がよい。一
方，上記ＣｕＯの含有量が８２．５ｗｔ％以上の場合に
は，セラミック層に亀裂（空洞）が生ずるという問題が
ある。それ故，より好ましくは７７．５ｗｔ％以下がよ
い。また，上記共材の含有量が２５ｗｔ％以上の場合に
は，電極層が途切れ導通しないという問題がある。それ
故，より好ましくは１５ｗｔ％以下がよい。また，上記
共材の含有量が０．５ｗｔ％以下の場合には，セラミッ
ク層での亀裂の発生を抑制する効果はなく，それ故，よ
り好ましくは１ｗｔ％以上がよい。
【００３７】また，請求項１３の発明のように，上記セ
ラミック層は，主にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系のペロブ
スカイト構造の酸化物よりなるＰＺＴを採用することが
できる。このＰＺＴは誘電体として非常に優れた特性を
示す。
ラミック層は，主にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系のペロブ
スカイト構造の酸化物よりなるＰＺＴを採用することが
できる。このＰＺＴは誘電体として非常に優れた特性を
示す。
【００３８】次に，請求項１４の発明は，構成成分とし
て鉛元素を含むセラミック層と電極層とを交互に積層し
た後，脱脂する工程と焼成する工程とを少なくとも有し
て製造する積層型誘電素子における上記電極層を構成す
るための電極用ペースト材料であって，該電極用ペース
ト材料は，導電物質の出発原料の主成分としてのＣｕＯ
及びＣｕと，溶剤と，バインダーとを含有すると共に，
上記セラミック層を構成する主成分の少なくとも一種よ
りなる共材を含有してなることを特徴とする電極用ペー
スト材料にある。
て鉛元素を含むセラミック層と電極層とを交互に積層し
た後，脱脂する工程と焼成する工程とを少なくとも有し
て製造する積層型誘電素子における上記電極層を構成す
るための電極用ペースト材料であって，該電極用ペース
ト材料は，導電物質の出発原料の主成分としてのＣｕＯ
及びＣｕと，溶剤と，バインダーとを含有すると共に，
上記セラミック層を構成する主成分の少なくとも一種よ
りなる共材を含有してなることを特徴とする電極用ペー
スト材料にある。
【００３９】本発明では，上記導電物質の出発原料の主
成分として，上記ＣｕＯに加えてＣｕを有している。そ
のため，脱脂工程におけるＣｕの酸化に伴う膨張が抑制
され，かつ，例えば還元焼成時のＣｕＯの金属化に伴う
収縮をも抑制するという作用効果が得られる。その他
は，上述した請求項１の発明と同様の作用効果が得られ
る。
成分として，上記ＣｕＯに加えてＣｕを有している。そ
のため，脱脂工程におけるＣｕの酸化に伴う膨張が抑制
され，かつ，例えば還元焼成時のＣｕＯの金属化に伴う
収縮をも抑制するという作用効果が得られる。その他
は，上述した請求項１の発明と同様の作用効果が得られ
る。
【００４０】次に，請求項１９の発明は，構成成分とし
て鉛元素を含むセラミック層と電極層とを交互に積層し
た後，脱脂する工程と焼成する工程とを少なくとも有す
る積層型誘電素子の製造方法において，セラミック材料
をシート状に成形してなるグリーンシートと，導電物質
の出発原料の主成分としてのＣｕＯ及びＣｕと，溶剤
と，バインダーとを含有すると共に，上記セラミック材
料の主成分の少なくとも一種よりなる共材を含有する電
極用ペースト材料とを準備し，複数のグリーンシートの
少なくとも一方の面に上記電極用ペースト材料を塗布
し，次いで，上記グリーンシートを積層し，その後脱
脂，焼成することを特徴とする積層型誘電素子の製造方
法にある。
て鉛元素を含むセラミック層と電極層とを交互に積層し
た後，脱脂する工程と焼成する工程とを少なくとも有す
る積層型誘電素子の製造方法において，セラミック材料
をシート状に成形してなるグリーンシートと，導電物質
の出発原料の主成分としてのＣｕＯ及びＣｕと，溶剤
と，バインダーとを含有すると共に，上記セラミック材
料の主成分の少なくとも一種よりなる共材を含有する電
極用ペースト材料とを準備し，複数のグリーンシートの
少なくとも一方の面に上記電極用ペースト材料を塗布
し，次いで，上記グリーンシートを積層し，その後脱
脂，焼成することを特徴とする積層型誘電素子の製造方
法にある。
【００４１】本発明でも，上記導電物質の出発原料の主
成分として，上記ＣｕＯに加えてＣｕを有している。そ
のため，脱脂工程におけるＣｕの酸化に伴う膨張が抑制
され，かつ，例えば還元焼成時のＣｕＯの金属化に伴う
収縮をも抑制する。焼成前に金属化していれば問題なく
作製できるが，焼成前での金属化が不十分であると高温
で（焼成時もしくは焼成後に）収縮が起こり，電極層に
空洞を発生する。よって主成分をＣｕとＣｕＯにするこ
とにより，金属化の必要量を少なくし，容易に電極層の
空洞発生率を抑制する。その他は，上述した請求項６の
発明と同様の作用効果が得られる。
成分として，上記ＣｕＯに加えてＣｕを有している。そ
のため，脱脂工程におけるＣｕの酸化に伴う膨張が抑制
され，かつ，例えば還元焼成時のＣｕＯの金属化に伴う
収縮をも抑制する。焼成前に金属化していれば問題なく
作製できるが，焼成前での金属化が不十分であると高温
で（焼成時もしくは焼成後に）収縮が起こり，電極層に
空洞を発生する。よって主成分をＣｕとＣｕＯにするこ
とにより，金属化の必要量を少なくし，容易に電極層の
空洞発生率を抑制する。その他は，上述した請求項６の
発明と同様の作用効果が得られる。
【００４２】次に，請求項２０の発明のように，上記電
極用ペースト材料の塗布は上記グリーンシートの両面に
行い，上記積層においては，上記電極用ペースト材料同
士を当接させることもできる。この場合には，上記グリ
ーンシートの積層時に電極用ペースト材料同士を接触さ
せることができ，その後の焼成時に急速な反応を得るこ
とができる。
極用ペースト材料の塗布は上記グリーンシートの両面に
行い，上記積層においては，上記電極用ペースト材料同
士を当接させることもできる。この場合には，上記グリ
ーンシートの積層時に電極用ペースト材料同士を接触さ
せることができ，その後の焼成時に急速な反応を得るこ
とができる。
【００４３】また，請求項２１の発明のように，上記電
極用ペースト材料同士の間には，導電性を有する金属箔
を介在させることもできる。この場合には，上記電極用
ペースト材料の成分構成が，焼成後に電極層が消失しや
すいような場合であっても，上記金属箔により導通部分
を確実に確保することができる。
極用ペースト材料同士の間には，導電性を有する金属箔
を介在させることもできる。この場合には，上記電極用
ペースト材料の成分構成が，焼成後に電極層が消失しや
すいような場合であっても，上記金属箔により導通部分
を確実に確保することができる。
【００４４】次に，請求項１５又は２２の発明のよう
に，上記共材は上記セラミック層と略同一組成であるこ
とが好ましい。これにより，セラミック層と電極層との
密着性をさらに向上させることができる。
に，上記共材は上記セラミック層と略同一組成であるこ
とが好ましい。これにより，セラミック層と電極層との
密着性をさらに向上させることができる。
【００４５】また，請求項１６又は２３の発明のよう
に，上記ＣｕＯ及びＣｕの総含有量は３０ｗｔ％より多
く８２．５ｗｔ％未満であり，上記共材の含有量は０．
５ｗｔ％より多く２５ｗｔ％未満であることが好まし
い。ただし，以下に表記するＣｕＯ及びＣｕの総含有量
は，分子量の比率により，ＣｕＯに換算した量を表す。
以下同様である。さらには，請求項１７又は２４の発明
のように，上記ＣｕＯ及びＣｕの総含有量は４０ｗｔ％
以上７７．５ｗｔ％以下であることがより好ましい。そ
してまた，請求項１８又は２５の発明のように，上記共
材の含有量は１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることが
より好ましい。
に，上記ＣｕＯ及びＣｕの総含有量は３０ｗｔ％より多
く８２．５ｗｔ％未満であり，上記共材の含有量は０．
５ｗｔ％より多く２５ｗｔ％未満であることが好まし
い。ただし，以下に表記するＣｕＯ及びＣｕの総含有量
は，分子量の比率により，ＣｕＯに換算した量を表す。
以下同様である。さらには，請求項１７又は２４の発明
のように，上記ＣｕＯ及びＣｕの総含有量は４０ｗｔ％
以上７７．５ｗｔ％以下であることがより好ましい。そ
してまた，請求項１８又は２５の発明のように，上記共
材の含有量は１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることが
より好ましい。
【００４６】上記ＣｕＯ及びＣｕの総含有量が３０ｗｔ
％以下の場合には，焼成後の電極層に空洞が生ずるとい
う問題がある。それ故，より好ましくは４０ｗｔ％以上
がよい。一方，上記ＣｕＯ及びＣｕの総含有量が８２．
５ｗｔ％以上の場合には，セラミック層に亀裂（空洞）
が生ずるという問題がある。それ故，より好ましくは７
７．５ｗｔ％以下がよい。また，上記共材の含有量が２
５ｗｔ％以上の場合には，電極層が途切れ導通しないと
いう問題がある。それ故，より好ましくは１５ｗｔ％以
下がよい。また，上記共材の含有量が０．５ｗｔ％以下
の場合には，セラミック層での亀裂の発生を抑制する効
果はなく，それ故，より好ましくは１ｗｔ％以上がよ
い。
％以下の場合には，焼成後の電極層に空洞が生ずるとい
う問題がある。それ故，より好ましくは４０ｗｔ％以上
がよい。一方，上記ＣｕＯ及びＣｕの総含有量が８２．
５ｗｔ％以上の場合には，セラミック層に亀裂（空洞）
が生ずるという問題がある。それ故，より好ましくは７
７．５ｗｔ％以下がよい。また，上記共材の含有量が２
５ｗｔ％以上の場合には，電極層が途切れ導通しないと
いう問題がある。それ故，より好ましくは１５ｗｔ％以
下がよい。また，上記共材の含有量が０．５ｗｔ％以下
の場合には，セラミック層での亀裂の発生を抑制する効
果はなく，それ故，より好ましくは１ｗｔ％以上がよ
い。
【００４７】また，請求項２６の発明のように，上記セ
ラミック層は，主にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系のペロブ
スカイト構造の酸化物よりなるＰＺＴを採用することが
できる。このＰＺＴは誘電体として非常に優れた特性を
示す。
ラミック層は，主にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3系のペロブ
スカイト構造の酸化物よりなるＰＺＴを採用することが
できる。このＰＺＴは誘電体として非常に優れた特性を
示す。
【００４８】
【発明の実施の形態】実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかる積層型誘電素子の製造方
法，並びに電極用ペースト材料につき，図１〜図１２を
用いて説明する。本例では，まず，表１に示すごとく，
電極用ペースト材料として，１６種類の試料１〜１６を
準備した。
法，並びに電極用ペースト材料につき，図１〜図１２を
用いて説明する。本例では，まず，表１に示すごとく，
電極用ペースト材料として，１６種類の試料１〜１６を
準備した。
【００４９】
【表１】
【００５０】試料１〜６は，いずれも，導電物質の出発
原料の主成分としてのＣｕＯと，溶剤と，バインダーと
を含有すると共に，上記セラミック層を構成する主成分
の少なくとも一種よりなる共材を含有してなる。さら
に，これらのＣｕＯの含有量は６１〜６９ｗｔ％の範囲
内にあり，共材の含有量は８ｗｔ％以下である。試料７
〜試料１０は，共材の添加を行っていないものである。
試料１１，１２，１３は，ＣｕＯの含有量を５０ｗｔ％
に制限し，かつ，試料１１では共材を添加せず，試料１
２，１３では共材を異なる割合で添加した。試料１４〜
１６は，ＣｕＯ含有量を高い割合としたものである。な
お，上記試料１〜１３においては，ＣｕＯとして平均粒
径が０．５〜２μｍの粉末を用い，試料１４〜１６にお
いては，平均粒径が８μｍの粉末を用いた。
原料の主成分としてのＣｕＯと，溶剤と，バインダーと
を含有すると共に，上記セラミック層を構成する主成分
の少なくとも一種よりなる共材を含有してなる。さら
に，これらのＣｕＯの含有量は６１〜６９ｗｔ％の範囲
内にあり，共材の含有量は８ｗｔ％以下である。試料７
〜試料１０は，共材の添加を行っていないものである。
試料１１，１２，１３は，ＣｕＯの含有量を５０ｗｔ％
に制限し，かつ，試料１１では共材を添加せず，試料１
２，１３では共材を異なる割合で添加した。試料１４〜
１６は，ＣｕＯ含有量を高い割合としたものである。な
お，上記試料１〜１３においては，ＣｕＯとして平均粒
径が０．５〜２μｍの粉末を用い，試料１４〜１６にお
いては，平均粒径が８μｍの粉末を用いた。
【００５１】具体的には，エチルセルロースをテルピネ
オールで溶解してなる有機ビヒクルと樹脂剤（アクリル
系樹脂，アラキド樹脂，エドセル系樹脂他）に，ＣｕＯ
粉（平均粒径：０．５〜２μｍ又は８μｍ）及びセラミ
ック層の原料よりなる共材を，表１に示すような配合割
合で混練することによりＣｕＯ含有量の異なるペースト
材料を作製した。
オールで溶解してなる有機ビヒクルと樹脂剤（アクリル
系樹脂，アラキド樹脂，エドセル系樹脂他）に，ＣｕＯ
粉（平均粒径：０．５〜２μｍ又は８μｍ）及びセラミ
ック層の原料よりなる共材を，表１に示すような配合割
合で混練することによりＣｕＯ含有量の異なるペースト
材料を作製した。
【００５２】次に，これらの電極用ペースト材料用い，
以下に示す手順で積層型誘電素子を作製した。但し，本
例では，積層型誘電素子の断面観察を容易にするため，
セラミック層の積層数は３層とした。まず，セラミック
材料をシート状に成形してなるグリーンシートを，ドク
ターブレード法を用いて作製した。
以下に示す手順で積層型誘電素子を作製した。但し，本
例では，積層型誘電素子の断面観察を容易にするため，
セラミック層の積層数は３層とした。まず，セラミック
材料をシート状に成形してなるグリーンシートを，ドク
ターブレード法を用いて作製した。
【００５３】セラミック層の主原料となる酸化鉛，酸化
ジルコニウム，酸化チタン，酸化ニオブ，炭酸ストロン
チウム等の粉末を所望の組成となるように秤量する。ま
た，鉛の蒸発を考慮して，上記混合比組成の化学量論比
よりも１〜２％リッチになるように調合する。これを混
合機にて乾式混合し，その後８００〜９００℃（焼成温
度より低温）で仮焼する。
ジルコニウム，酸化チタン，酸化ニオブ，炭酸ストロン
チウム等の粉末を所望の組成となるように秤量する。ま
た，鉛の蒸発を考慮して，上記混合比組成の化学量論比
よりも１〜２％リッチになるように調合する。これを混
合機にて乾式混合し，その後８００〜９００℃（焼成温
度より低温）で仮焼する。
【００５４】次いで，仮焼粉に純水，分散剤を加えてス
ラリーとし，パールミルにより湿式粉砕する。この粉砕
物を乾燥，粉脱脂した後，溶剤，バインダー，可塑剤，
分散剤等を加えてボールミルにより混合する。その後，
このスラリーを真空装置内で攪拌機により攪拌しながら
真空脱泡，粘度調整をする。
ラリーとし，パールミルにより湿式粉砕する。この粉砕
物を乾燥，粉脱脂した後，溶剤，バインダー，可塑剤，
分散剤等を加えてボールミルにより混合する。その後，
このスラリーを真空装置内で攪拌機により攪拌しながら
真空脱泡，粘度調整をする。
【００５５】次いで，スラリーをドクターブレード装置
により一定厚みのグリーンシートに成形する。回収した
グリーンシートはプレス機で打ち抜くか，切断機により
切断し，所定の大きさの矩形体に成形する。
により一定厚みのグリーンシートに成形する。回収した
グリーンシートはプレス機で打ち抜くか，切断機により
切断し，所定の大きさの矩形体に成形する。
【００５６】次いで，図１に示すごとく，上記各試料１
〜１６の電極用ペースト材料２を，成形後の２枚のグリ
ーンシート１１の一方の表面にスクリーン印刷により成
形する。なお，本例では，印刷厚みは１５μｍとした。
同図には，パターン印刷後のグリーンシート１１の一例
を示す。
〜１６の電極用ペースト材料２を，成形後の２枚のグリ
ーンシート１１の一方の表面にスクリーン印刷により成
形する。なお，本例では，印刷厚みは１５μｍとした。
同図には，パターン印刷後のグリーンシート１１の一例
を示す。
【００５７】次に，同図に示すごとく，電極用ペースト
材料２を印刷していないグリーンシート１１を加えて３
枚のグリーンシート１１を積層する。このとき，電極用
ペースト材料２が交互に左右の側面に到達するようにし
た。そして，この積層品を圧着させた後，所定寸法にカ
ットした。次に，この積層品を空気中で５００℃まで昇
温し，５時間保持するという条件で脱脂した後，メタラ
イズ工程を行った。
材料２を印刷していないグリーンシート１１を加えて３
枚のグリーンシート１１を積層する。このとき，電極用
ペースト材料２が交互に左右の側面に到達するようにし
た。そして，この積層品を圧着させた後，所定寸法にカ
ットした。次に，この積層品を空気中で５００℃まで昇
温し，５時間保持するという条件で脱脂した後，メタラ
イズ工程を行った。
【００５８】メタライズ工程は，比較的低温の還元雰囲
気で，電極用ペースト材料中のＣｕＯをＣｕへ還元する
工程である。本例では，セラミック材料が少なくとも化
学式上鉛を含む酸化物であるため，鉛と銅の共晶点：３
２６℃直下で雰囲気調整し還元した。
気で，電極用ペースト材料中のＣｕＯをＣｕへ還元する
工程である。本例では，セラミック材料が少なくとも化
学式上鉛を含む酸化物であるため，鉛と銅の共晶点：３
２６℃直下で雰囲気調整し還元した。
【００５９】次に，上記積層品を一体的に焼成する焼成
工程を行った。この温度はセラミック層を構成するセラ
ミック材料の種類によって変更しうるが，本例では，９
５０℃とした。この調整雰囲気はＣｕが極力酸化され
ず，素子部の酸化物が極力還元されない雰囲気に調整し
た。メタライズ工程に比べると還元性は弱く，また酸素
分圧は焼成温度により異なる。本例では９５０℃におい
て酸素分圧を１０-6ａｔｍ程度に調整した。なお，製品
の種類においては，側面電極や外部電極の配設等を行
う。
工程を行った。この温度はセラミック層を構成するセラ
ミック材料の種類によって変更しうるが，本例では，９
５０℃とした。この調整雰囲気はＣｕが極力酸化され
ず，素子部の酸化物が極力還元されない雰囲気に調整し
た。メタライズ工程に比べると還元性は弱く，また酸素
分圧は焼成温度により異なる。本例では９５０℃におい
て酸素分圧を１０-6ａｔｍ程度に調整した。なお，製品
の種類においては，側面電極や外部電極の配設等を行
う。
【００６０】次に，本例では，図２に示すごとく得られ
た一体焼成された積層品（積層型誘電素子１）を用い
て，その断面観察を行った。観察位置は，図２における
Ａ−Ａ線矢視断面の中央部分である。観察結果をスケッ
チした模式図を図３〜図１２に示す。
た一体焼成された積層品（積層型誘電素子１）を用い
て，その断面観察を行った。観察位置は，図２における
Ａ−Ａ線矢視断面の中央部分である。観察結果をスケッ
チした模式図を図３〜図１２に示す。
【００６１】図３は試料１の観察結果を示す。試料２〜
６の場合は試料１と同様であるので省略する。同図に示
すごとく，試料１〜６は，いずれも電極層２，セラミッ
ク層１１共に空洞や亀裂がなく，また，両者の境界部に
おいても剥離はなく良好な接合状態が得られていた。こ
こで考察すると，試料１〜４は，表１に示すごとく，Ｃ
ｕＯ粉及び共材の総添加重を６９ｗｔ％に固定し，共材
の添加量を１〜８ｗｔ％の範囲で変化させたものであ
る。このような広い範囲でＣｕＯと共材の添加割合を変
化させても良好である。さらに試料２，５，６は，表１
に示すごとく，共材の添加量を４ｗｔ％に固定し，Ｃｕ
Ｏ粉の含有量を６５〜６９ｗｔ％の範囲で変化させたも
のである。このような広い範囲でＣｕＯの添加割合を変
化させても良好である。
６の場合は試料１と同様であるので省略する。同図に示
すごとく，試料１〜６は，いずれも電極層２，セラミッ
ク層１１共に空洞や亀裂がなく，また，両者の境界部に
おいても剥離はなく良好な接合状態が得られていた。こ
こで考察すると，試料１〜４は，表１に示すごとく，Ｃ
ｕＯ粉及び共材の総添加重を６９ｗｔ％に固定し，共材
の添加量を１〜８ｗｔ％の範囲で変化させたものであ
る。このような広い範囲でＣｕＯと共材の添加割合を変
化させても良好である。さらに試料２，５，６は，表１
に示すごとく，共材の添加量を４ｗｔ％に固定し，Ｃｕ
Ｏ粉の含有量を６５〜６９ｗｔ％の範囲で変化させたも
のである。このような広い範囲でＣｕＯの添加割合を変
化させても良好である。
【００６２】一方，図４〜図７に示すごとく，試料７〜
１０は共材を含有していない場合であるが，この場合に
は，空洞８１や亀裂８２等が生じやすくなる。図５に示
すごとく，試料８の場合には，共材を入れなくても良好
な積層型誘電素子が得られるが，これと少しでもＣｕＯ
の含有量が変化すれば不具合が生じてしまう。即ち，図
４に示す試料７の場合には，ＣｕＯの含有量が１ｗｔ％
減るだけで電極層２に空洞８１が生じ，図６示す試料９
の場合にはＣｕＯの含有量が１．５ｗｔ％増えるだけで
セラミック層に亀裂８２が生じてしまう。そして，試料
１０のようにＣｕＯ含有量が４ｗｔ％増えると，図７に
示すごとく，亀裂８２の発生が多くなる。
１０は共材を含有していない場合であるが，この場合に
は，空洞８１や亀裂８２等が生じやすくなる。図５に示
すごとく，試料８の場合には，共材を入れなくても良好
な積層型誘電素子が得られるが，これと少しでもＣｕＯ
の含有量が変化すれば不具合が生じてしまう。即ち，図
４に示す試料７の場合には，ＣｕＯの含有量が１ｗｔ％
減るだけで電極層２に空洞８１が生じ，図６示す試料９
の場合にはＣｕＯの含有量が１．５ｗｔ％増えるだけで
セラミック層に亀裂８２が生じてしまう。そして，試料
１０のようにＣｕＯ含有量が４ｗｔ％増えると，図７に
示すごとく，亀裂８２の発生が多くなる。
【００６３】上記試料１〜６と試料７〜１０の比較によ
り，共材を含有させる場合には，ＣｕＯの含有量変化を
４ｗｔ％以上とっても良好な状態で積層型誘電素子を得
ることができるのに対し，共材を含有しない場合には，
わずか１ｗｔ％のＣｕＯ含有量の変化により悪影響が出
てくることがわかる。
り，共材を含有させる場合には，ＣｕＯの含有量変化を
４ｗｔ％以上とっても良好な状態で積層型誘電素子を得
ることができるのに対し，共材を含有しない場合には，
わずか１ｗｔ％のＣｕＯ含有量の変化により悪影響が出
てくることがわかる。
【００６４】次に，試料１１は，ＣｕＯ含有量を５０ｗ
ｔ％に減らし，共材の添加を無くしたものである。この
場合には，図８（ａ）に示すごとく，多くの空洞８１が
見られた。これに対し，試料１２は，ＣｕＯ含有量を５
０ｗｔ％で共材を６ｗｔ％加えたものである。この場合
には，図８（ｂ）に示すごとく，共材を加えない場合の
電極層２よりも厚みが薄くなっており，その結果空洞８
１は少なくなった。しかし，試料１３のようにさらに共
材の含有量をさらに増加させると，図９に示すごとく，
電極層２が消滅する部分８５も生じた。この結果より，
共材の添加だけでは問題解決できないことが示された。
ｔ％に減らし，共材の添加を無くしたものである。この
場合には，図８（ａ）に示すごとく，多くの空洞８１が
見られた。これに対し，試料１２は，ＣｕＯ含有量を５
０ｗｔ％で共材を６ｗｔ％加えたものである。この場合
には，図８（ｂ）に示すごとく，共材を加えない場合の
電極層２よりも厚みが薄くなっており，その結果空洞８
１は少なくなった。しかし，試料１３のようにさらに共
材の含有量をさらに増加させると，図９に示すごとく，
電極層２が消滅する部分８５も生じた。この結果より，
共材の添加だけでは問題解決できないことが示された。
【００６５】次に試料１４及び試料１５は，表１に示す
ごとく，共材添加量：３ｗｔ％，有機ビヒクルと樹脂を
１９．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉（８μｍ）を７７．５ｗｔ％
として混ぜ合わせたペースト材料と，共材添加量：３ｗ
ｔ％，有機ビヒクルと樹脂を１４．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉
（８μｍ）を８２．５ｗｔ％として混ぜ合わせたもので
ある。
ごとく，共材添加量：３ｗｔ％，有機ビヒクルと樹脂を
１９．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉（８μｍ）を７７．５ｗｔ％
として混ぜ合わせたペースト材料と，共材添加量：３ｗ
ｔ％，有機ビヒクルと樹脂を１４．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉
（８μｍ）を８２．５ｗｔ％として混ぜ合わせたもので
ある。
【００６６】試料１４では，図１０に示すごとく，セラ
ミック層１１に大きな亀裂は見られない。一方，図１１
に示すごとく，試料１５では一部亀裂８２が見られる。
このことから，試料１４のＣｕＯ含有量が，ＣｕＯ含有
量の違いによる変化でみられた，電極部での空洞形成か
らセラミック層での亀裂発生に転じるＣｕＯ含有量の境
目付近であると考えられる。しかし，試料１４は電極部
が連続でありかつセラミック層に亀裂はないものの，図
１０に示すごとく，電極部とセラミック層の境界部で剥
離８３が生じている。
ミック層１１に大きな亀裂は見られない。一方，図１１
に示すごとく，試料１５では一部亀裂８２が見られる。
このことから，試料１４のＣｕＯ含有量が，ＣｕＯ含有
量の違いによる変化でみられた，電極部での空洞形成か
らセラミック層での亀裂発生に転じるＣｕＯ含有量の境
目付近であると考えられる。しかし，試料１４は電極部
が連続でありかつセラミック層に亀裂はないものの，図
１０に示すごとく，電極部とセラミック層の境界部で剥
離８３が生じている。
【００６７】また，図１２に示すごとく，共材を添加せ
ずに，有機ビヒクルと樹脂を１７．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉
（８μｍ）を８２．５ｗｔ％として混ぜ合わせた，試料
１６の電極用ペースト材料で作製した場合も，さらに大
きな剥離８３が生じた。なお，上記試料１〜３との違い
は含有されるＣｕＯの粒径と調整されたＣｕＯ含有量で
あり，ＣｕＯ含有量は電極部の空洞形成及びセラミック
層の亀裂発生を防止するために調整されているので，本
実施形態例に示した作製工程では，粒径は８μｍ未満が
好ましい。
ずに，有機ビヒクルと樹脂を１７．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉
（８μｍ）を８２．５ｗｔ％として混ぜ合わせた，試料
１６の電極用ペースト材料で作製した場合も，さらに大
きな剥離８３が生じた。なお，上記試料１〜３との違い
は含有されるＣｕＯの粒径と調整されたＣｕＯ含有量で
あり，ＣｕＯ含有量は電極部の空洞形成及びセラミック
層の亀裂発生を防止するために調整されているので，本
実施形態例に示した作製工程では，粒径は８μｍ未満が
好ましい。
【００６８】実施形態例２ 本例では，実施形態例１の試料１４の材料｛共材添加
量：３材％，有機ビヒクルと樹脂を１９．５ｗｔ％，Ｃ
ｕＯ粉（８μｍ）を７７．５ｗｔ％として混ぜ合わせた
ペースト材料｝を用い，実施形態例１の製造工程からメ
タライズ工程だけをなくした工程で積層型誘電素子を作
製した。そして，実施形態例１と同様にその断面を観察
した結果を模式図として図１３に示す。
量：３材％，有機ビヒクルと樹脂を１９．５ｗｔ％，Ｃ
ｕＯ粉（８μｍ）を７７．５ｗｔ％として混ぜ合わせた
ペースト材料｝を用い，実施形態例１の製造工程からメ
タライズ工程だけをなくした工程で積層型誘電素子を作
製した。そして，実施形態例１と同様にその断面を観察
した結果を模式図として図１３に示す。
【００６９】同図より知られるごとく，電極・セラミッ
ク層間の剥離はなく，また，電極部の空洞もかなり抑制
されている。本例の結果から，製造工程次第で，粒径の
違いにより生ずる剥離の問題は解決できるといえる。但
し，粒径が電極層の厚みに比べ極めて大きいと電極層を
平坦に作製できないことが類推されるため，粒径の束縛
条件としては，目的の電極層よりもかけ離れて大きくな
ければよい。
ク層間の剥離はなく，また，電極部の空洞もかなり抑制
されている。本例の結果から，製造工程次第で，粒径の
違いにより生ずる剥離の問題は解決できるといえる。但
し，粒径が電極層の厚みに比べ極めて大きいと電極層を
平坦に作製できないことが類推されるため，粒径の束縛
条件としては，目的の電極層よりもかけ離れて大きくな
ければよい。
【００７０】また，試料１４，１５，１６での剥離は，
電極部とセラミック層との反応開始温度は従来どおり低
いものの，電極材料の比表面積が低下したことにより，
セラミック層と電極部の境界面（特に印刷していない境
界面）全体での反応の促進が遅くなったためと考えられ
る。よって剥離回避の方法としては，焼結挙動が遅いセ
ラミック層と電極材料との境界部は予め接合しやすい状
態にしておき，熱伝導がよく反応が速い電極材料同士の
性質を利用する方法もある。例えば，電極材料をセラミ
ック層の裏表両面に印刷しておいて積層し，脱脂・メタ
ライズ・焼成すれば，積層時に接触するのは，印刷され
た電極材料同士となり加熱時に急速に反応する。一方，
電極材料とセラミック層の境界部の一方は印刷時の接触
状態を保って脱脂・メタライズ・焼成されるので，比較
的接合しやすい。
電極部とセラミック層との反応開始温度は従来どおり低
いものの，電極材料の比表面積が低下したことにより，
セラミック層と電極部の境界面（特に印刷していない境
界面）全体での反応の促進が遅くなったためと考えられ
る。よって剥離回避の方法としては，焼結挙動が遅いセ
ラミック層と電極材料との境界部は予め接合しやすい状
態にしておき，熱伝導がよく反応が速い電極材料同士の
性質を利用する方法もある。例えば，電極材料をセラミ
ック層の裏表両面に印刷しておいて積層し，脱脂・メタ
ライズ・焼成すれば，積層時に接触するのは，印刷され
た電極材料同士となり加熱時に急速に反応する。一方，
電極材料とセラミック層の境界部の一方は印刷時の接触
状態を保って脱脂・メタライズ・焼成されるので，比較
的接合しやすい。
【００７１】実施形態例３ 本例では，実施形態例１において，電極，セラミック層
ともに空洞，剥離なく形成することができなかったペー
スト材料の構成で，印刷を複数回実施することにより，
問題（空洞，剥離）を克服した。ペースト材料の構成
は，有機ビヒクルと樹脂：４５ｗｔ％，ＣｕＯ（平均粒
径０．５〜２μｍ）：４０ｗｔ％，共材：１５ｗｔ％で
実施した（試料１７）。
ともに空洞，剥離なく形成することができなかったペー
スト材料の構成で，印刷を複数回実施することにより，
問題（空洞，剥離）を克服した。ペースト材料の構成
は，有機ビヒクルと樹脂：４５ｗｔ％，ＣｕＯ（平均粒
径０．５〜２μｍ）：４０ｗｔ％，共材：１５ｗｔ％で
実施した（試料１７）。
【００７２】実施形態例１，２では印刷後，８０℃：１
０分の乾燥をさせていたのに対し，本例では８０℃：１
０分の乾燥後，再度電極用ペースト材料を塗布し１００
℃：２０分の乾燥を実施した。以降の工程は実施形態例
１，２と同じである。その結果，図３の試料１と同様
に，電極，セラミック層双方ともに空洞や剥離のない積
層型誘電素子が得られた。
０分の乾燥をさせていたのに対し，本例では８０℃：１
０分の乾燥後，再度電極用ペースト材料を塗布し１００
℃：２０分の乾燥を実施した。以降の工程は実施形態例
１，２と同じである。その結果，図３の試料１と同様
に，電極，セラミック層双方ともに空洞や剥離のない積
層型誘電素子が得られた。
【００７３】下記の構成の試料１８，１９において，試
料１７と同様に複数回塗布・乾燥したが，電極層での空
洞発生もしくは電極層の消失（途切れ：図９と同様）は
さけることができなかった。 試料１８， 有機ビヒクルと樹脂：５５ｗｔ％，ＣｕＯ（平均粒径
０．５〜２μｍ）：３０ｗｔ％，共材：１５ｗｔ％， 試料１９ 有機ビヒクルと樹脂：３５ｗｔ％，ＣｕＯ（平均粒径
０．５〜２μｍ）：４０ｗｔ％，共材：２５ｗｔ％，
料１７と同様に複数回塗布・乾燥したが，電極層での空
洞発生もしくは電極層の消失（途切れ：図９と同様）は
さけることができなかった。 試料１８， 有機ビヒクルと樹脂：５５ｗｔ％，ＣｕＯ（平均粒径
０．５〜２μｍ）：３０ｗｔ％，共材：１５ｗｔ％， 試料１９ 有機ビヒクルと樹脂：３５ｗｔ％，ＣｕＯ（平均粒径
０．５〜２μｍ）：４０ｗｔ％，共材：２５ｗｔ％，
【００７４】試料１７に対して試料１８は，ＣｕＯ含有
量が４０ｗｔ％に対して３０ｗｔ％と少なくなってい
る。即ち，ＣｕＯ含有量の下限は３０ｗｔ％ないし４０
ｗｔ％である。また試料１７に対して試料１９は共材が
１５ｗｔ％に対して２５ｗｔ％と多くなっている。すな
わち，共材の上限は１５ｗｔ％ないし２５ｗｔ％であ
る。
量が４０ｗｔ％に対して３０ｗｔ％と少なくなってい
る。即ち，ＣｕＯ含有量の下限は３０ｗｔ％ないし４０
ｗｔ％である。また試料１７に対して試料１９は共材が
１５ｗｔ％に対して２５ｗｔ％と多くなっている。すな
わち，共材の上限は１５ｗｔ％ないし２５ｗｔ％であ
る。
【００７５】実施形態例４ 本例では，上記実施形態例１で示した電極用ペースト材
料を用いて作製した圧電アクチュエータ１０の一例を示
す。この圧電アクチュエータ１０は，図１４に示すごと
く，圧電層（セラミック層）１１の層間に内部電極層
（電極層）２１，２２を交互に正負となるように形成し
てなる。同図に示すごとく，一方の内部電極層２１は一
方の側面１０１に露出するように配設され，他方の内部
電極層２２は他方の側面１０２に露出するように配設さ
れている。そして，圧電体素子１０の側面１０１，１０
２には，露出した内部電極層２１，２２の端部を導通さ
せるように焼きつけ銀よりなる側面電極３１，３２をそ
れぞれ形成した。側面電極３１，３２を構成する焼きつ
け銀は，後述するごとくＡｇペーストを焼きつけること
により作製した電極でＡｇ（９７％）とガラスフリット
成分（３％）という組成である。
料を用いて作製した圧電アクチュエータ１０の一例を示
す。この圧電アクチュエータ１０は，図１４に示すごと
く，圧電層（セラミック層）１１の層間に内部電極層
（電極層）２１，２２を交互に正負となるように形成し
てなる。同図に示すごとく，一方の内部電極層２１は一
方の側面１０１に露出するように配設され，他方の内部
電極層２２は他方の側面１０２に露出するように配設さ
れている。そして，圧電体素子１０の側面１０１，１０
２には，露出した内部電極層２１，２２の端部を導通さ
せるように焼きつけ銀よりなる側面電極３１，３２をそ
れぞれ形成した。側面電極３１，３２を構成する焼きつ
け銀は，後述するごとくＡｇペーストを焼きつけること
により作製した電極でＡｇ（９７％）とガラスフリット
成分（３％）という組成である。
【００７６】上記側面電極３１，３２上には，外部電極
を樹脂銀を用いて接合する（図示略）。外部電極を接合
する樹脂銀の組成は，Ａｇ８０％，エポキシ系樹脂２０
％である。また，圧電体素子１０においては，積層方向
の中央部分を駆動部１１１，これを挟持するように配置
された部分をバッファー部１１２，さらにこのバッファ
ー部１１２を挟持するように配置された部分をダミー部
１１３とした。
を樹脂銀を用いて接合する（図示略）。外部電極を接合
する樹脂銀の組成は，Ａｇ８０％，エポキシ系樹脂２０
％である。また，圧電体素子１０においては，積層方向
の中央部分を駆動部１１１，これを挟持するように配置
された部分をバッファー部１１２，さらにこのバッファ
ー部１１２を挟持するように配置された部分をダミー部
１１３とした。
【００７７】ここで，注目すべきことは，上記内部電極
層２１，２２を形成する電極用ペースト材料として，実
施形態例１の試料２を用いた点である。これにより，一
体焼成後に得られた圧電アクチュエータ１０は，セラミ
ック層と電極層とに空洞や亀裂が無く，また両者の間に
剥離のない品質の優れたものとなった。ただし，上記の
側面電極材料はＡｇに限らず，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｐｄ
いずれか１つを含めばよい。
層２１，２２を形成する電極用ペースト材料として，実
施形態例１の試料２を用いた点である。これにより，一
体焼成後に得られた圧電アクチュエータ１０は，セラミ
ック層と電極層とに空洞や亀裂が無く，また両者の間に
剥離のない品質の優れたものとなった。ただし，上記の
側面電極材料はＡｇに限らず，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｎｉ，Ｐｄ
いずれか１つを含めばよい。
【００７８】なお，本例では，圧電アクチュエータを示
したが，積層型セラミックコンデンサにおいても，上記
の優れた電極用ペースト材料を用いて高い品質の製品を
得ることができる。
したが，積層型セラミックコンデンサにおいても，上記
の優れた電極用ペースト材料を用いて高い品質の製品を
得ることができる。
【００７９】実施形態例５ 本例では，表１に示す試料２０を準備した。試料２０
は，実施形態例１における試料１〜４と同様にＣｕＯ粉
（平均粒径０．５〜２μｍ）と共材の総重量が６９ｗｔ
％一定となるようにし，ＣｕＯ粉を６８．５ｗｔ％，共
材を０．５ｗｔ％とした。そしてこの試料２０に対して
も，実施形態例１と同様に断面観察を行った。その結
果，亀裂の大きさや個数が，図７に示すごとく，前述し
た試料１０と同様であった。即ち，共材を０．５ｗｔ％
程度加えても改善効果が認められなかった。したがっ
て，共材は０．５ｗｔ％より多く添加することが好まし
い。
は，実施形態例１における試料１〜４と同様にＣｕＯ粉
（平均粒径０．５〜２μｍ）と共材の総重量が６９ｗｔ
％一定となるようにし，ＣｕＯ粉を６８．５ｗｔ％，共
材を０．５ｗｔ％とした。そしてこの試料２０に対して
も，実施形態例１と同様に断面観察を行った。その結
果，亀裂の大きさや個数が，図７に示すごとく，前述し
た試料１０と同様であった。即ち，共材を０．５ｗｔ％
程度加えても改善効果が認められなかった。したがっ
て，共材は０．５ｗｔ％より多く添加することが好まし
い。
【００８０】実施形態例６ 本例では，電極用ペースト材料にＣｕＯ粉だけではなく
Ｃｕ粉をも含有させた例を示す。本例では，表２に示す
ごとく，２０種類の試料（試料２１〜４０）を準備し
た。各試料は，それぞれ実施形態例１，５における試料
１〜２０におけるＣｕＯ粉のおよそ半分をＣｕ粉に置き
換えた構成にした。出発原料を構成している物質の性状
は，試料１〜２０を構成している物質と同一のものを使
用した。
Ｃｕ粉をも含有させた例を示す。本例では，表２に示す
ごとく，２０種類の試料（試料２１〜４０）を準備し
た。各試料は，それぞれ実施形態例１，５における試料
１〜２０におけるＣｕＯ粉のおよそ半分をＣｕ粉に置き
換えた構成にした。出発原料を構成している物質の性状
は，試料１〜２０を構成している物質と同一のものを使
用した。
【００８１】試料２１〜３３及び試料３７〜４０に含有
されるＣｕ粉としては，平均粒径０．５μｍの粒子をつ
ぶして板状にした粉末を用いた。また，試料３４〜３６
においては，平均粒径２．０μｍの球形粒子を用いた。
また，各試料の製造条件は，メタライズ工程以外は実施
形態例１と同様とした。メタライズ工程の条件は，実施
形態例１では温度３２６℃直下で１０時間保持とした
が，本例では，３２６℃直下で５時間保持とした。得ら
れた三層積層品（試料２１〜４０）に対して，実施形態
例１と同様の断面観察を実施した。
されるＣｕ粉としては，平均粒径０．５μｍの粒子をつ
ぶして板状にした粉末を用いた。また，試料３４〜３６
においては，平均粒径２．０μｍの球形粒子を用いた。
また，各試料の製造条件は，メタライズ工程以外は実施
形態例１と同様とした。メタライズ工程の条件は，実施
形態例１では温度３２６℃直下で１０時間保持とした
が，本例では，３２６℃直下で５時間保持とした。得ら
れた三層積層品（試料２１〜４０）に対して，実施形態
例１と同様の断面観察を実施した。
【００８２】試料２１〜２６の観察結果は，図３に示し
た試料１と同様である。同図に示すごとく，試料２１〜
２６は，いずれも電極層２，セラミック層１１共に空洞
や亀裂がなく，また，両者の境界部においても剥離はな
く良好な接合状態が得られていた。ここで考察すると，
試料２１〜２４は，表２に示すごとく，ＣｕＯ粉とＣｕ
粉及び共材の総添加重を６９ｗｔ％に固定し（Ｃｕ粉量
は，ＣｕＯ粉量への分子量の比による換算後の数値にて
表す。以下すべて同様），共材の添加量を１〜８ｗｔ％
の範囲で変化させたものである。このような広い範囲で
ＣｕＯ及びＣｕと共材の添加割合を変化させても良好で
ある。さらに試料２２，２５，２６は，表２に示すごと
く，共材の添加量を４ｗｔ％に固定し，ＣｕＯ粉及びＣ
ｕ粉の含有量を合計６５〜６９ｗｔ％の範囲で変化させ
たものである。このような広い範囲でＣｕＯ及びＣｕの
添加割合を変化させても良好である。
た試料１と同様である。同図に示すごとく，試料２１〜
２６は，いずれも電極層２，セラミック層１１共に空洞
や亀裂がなく，また，両者の境界部においても剥離はな
く良好な接合状態が得られていた。ここで考察すると，
試料２１〜２４は，表２に示すごとく，ＣｕＯ粉とＣｕ
粉及び共材の総添加重を６９ｗｔ％に固定し（Ｃｕ粉量
は，ＣｕＯ粉量への分子量の比による換算後の数値にて
表す。以下すべて同様），共材の添加量を１〜８ｗｔ％
の範囲で変化させたものである。このような広い範囲で
ＣｕＯ及びＣｕと共材の添加割合を変化させても良好で
ある。さらに試料２２，２５，２６は，表２に示すごと
く，共材の添加量を４ｗｔ％に固定し，ＣｕＯ粉及びＣ
ｕ粉の含有量を合計６５〜６９ｗｔ％の範囲で変化させ
たものである。このような広い範囲でＣｕＯ及びＣｕの
添加割合を変化させても良好である。
【００８３】一方，図４〜図７に示した試料７〜１０
（実施形態例１）と同様に，本例の試料２７〜３０は共
材を含有していない場合であるが，この場合には，空洞
８１や亀裂８２等が生じやすくなる。図５に示した試料
８（実施形態例１）の場合と同様に，試料２８は，共材
を入れなくても良好な積層型誘電素子が得られるが，こ
れと少しでもＣｕＯとＣｕのの合計含有量が変化すれば
不具合が生じてしまう。即ち，上記試料２７の場合に
は，ＣｕＯとＣｕの合計含有量が１ｗｔ％減るだけで電
極層２に空洞８１が生じ（図４参照），試料２９場合に
はＣｕＯとＣｕの合計含有量が１．５ｗｔ％増えるだけ
でセラミック層に亀裂８２が生じてしまう（図６参
照）。そして，試料３０のようにＣｕＯとＣｕの合計含
有量が４ｗｔ％増えると，図７と同様に，亀裂８２の発
生が多くなる。
（実施形態例１）と同様に，本例の試料２７〜３０は共
材を含有していない場合であるが，この場合には，空洞
８１や亀裂８２等が生じやすくなる。図５に示した試料
８（実施形態例１）の場合と同様に，試料２８は，共材
を入れなくても良好な積層型誘電素子が得られるが，こ
れと少しでもＣｕＯとＣｕのの合計含有量が変化すれば
不具合が生じてしまう。即ち，上記試料２７の場合に
は，ＣｕＯとＣｕの合計含有量が１ｗｔ％減るだけで電
極層２に空洞８１が生じ（図４参照），試料２９場合に
はＣｕＯとＣｕの合計含有量が１．５ｗｔ％増えるだけ
でセラミック層に亀裂８２が生じてしまう（図６参
照）。そして，試料３０のようにＣｕＯとＣｕの合計含
有量が４ｗｔ％増えると，図７と同様に，亀裂８２の発
生が多くなる。
【００８４】上記試料２１〜２６と試料２７〜３０の比
較により，共材を含有させる場合には，ＣｕＯとＣｕの
合計含有量変化を４ｗｔ％以上とっても良好な状態で積
層型誘電素子を得ることができるのに対し，共材を含有
しない場合には，わずか１ｗｔ％のＣｕＯとＣｕの合計
含有量の変化により悪影響が出てくることがわかる。
較により，共材を含有させる場合には，ＣｕＯとＣｕの
合計含有量変化を４ｗｔ％以上とっても良好な状態で積
層型誘電素子を得ることができるのに対し，共材を含有
しない場合には，わずか１ｗｔ％のＣｕＯとＣｕの合計
含有量の変化により悪影響が出てくることがわかる。
【００８５】次に，試料３１は，ＣｕＯとＣｕの合計含
有量を５０ｗｔ％に減らし，共材の添加を無くしたもの
である。この場合には，前述した図８（ａ）に示す例と
同様に，多くの空洞８１が見られた。これに対し，試料
３２は，ＣｕＯとＣｕの合計含有量を５０ｗｔ％で共材
を６ｗｔ％加えたものである。この場合には，前述した
図８（ｂ）に示す例と同様に，共材を加えない場合の電
極層２よりも厚みが薄くなっており，その結果空洞８１
は少なくなった。しかし，試料３３のようにさらに共材
の含有量をさらに増加させると，前述した図９に示す例
と同様に，電極層２が消滅する部分８５も生じた。この
結果より，共材の添加だけでは問題解決できないことが
示された。
有量を５０ｗｔ％に減らし，共材の添加を無くしたもの
である。この場合には，前述した図８（ａ）に示す例と
同様に，多くの空洞８１が見られた。これに対し，試料
３２は，ＣｕＯとＣｕの合計含有量を５０ｗｔ％で共材
を６ｗｔ％加えたものである。この場合には，前述した
図８（ｂ）に示す例と同様に，共材を加えない場合の電
極層２よりも厚みが薄くなっており，その結果空洞８１
は少なくなった。しかし，試料３３のようにさらに共材
の含有量をさらに増加させると，前述した図９に示す例
と同様に，電極層２が消滅する部分８５も生じた。この
結果より，共材の添加だけでは問題解決できないことが
示された。
【００８６】次に試料３４及び試料３５は，表２に示す
ごとく，共材添加量：３ｗｔ％，有機ビヒクルと樹脂を
１９．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉（８μｍ）を３５ｗｔ％と，
Ｃｕ粉（２μｍ）をＣｕＯ換算で４２．５ｗｔ％相当と
して混ぜ合わせたペースト材料と，共材添加量：３ｗｔ
％，有機ビヒクルと樹脂を１４．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉
（８μｍ）を４０ｗｔ％とＣｕ粉（２μｍ）をＣｕＯ換
算で４２．５ｗｔ％相当として混ぜ合わせたものであ
る。
ごとく，共材添加量：３ｗｔ％，有機ビヒクルと樹脂を
１９．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉（８μｍ）を３５ｗｔ％と，
Ｃｕ粉（２μｍ）をＣｕＯ換算で４２．５ｗｔ％相当と
して混ぜ合わせたペースト材料と，共材添加量：３ｗｔ
％，有機ビヒクルと樹脂を１４．５ｗｔ％，ＣｕＯ粉
（８μｍ）を４０ｗｔ％とＣｕ粉（２μｍ）をＣｕＯ換
算で４２．５ｗｔ％相当として混ぜ合わせたものであ
る。
【００８７】試料３４では，前述した図１０に示す例と
同様に，セラミック層１１に大きな亀裂は見られない。
一方，前述した図１１に示す例と同様に，試料３５では
一部亀裂８２が見られる。このことから，試料３４のＣ
ｕＯとＣｕの合計含有量が，ＣｕＯとＣｕの合計含有量
の違いによる変化でみられた，電極部での空洞形成から
セラミック層での亀裂発生に転じるＣｕＯとＣｕの合計
含有量の境目付近であると考えられる。しかし，試料３
４は電極部が連続でありかつセラミック層に亀裂はない
ものの，前述した図１０に示すごとく，電極部とセラミ
ック層の境界部で剥離８３が生じている。
同様に，セラミック層１１に大きな亀裂は見られない。
一方，前述した図１１に示す例と同様に，試料３５では
一部亀裂８２が見られる。このことから，試料３４のＣ
ｕＯとＣｕの合計含有量が，ＣｕＯとＣｕの合計含有量
の違いによる変化でみられた，電極部での空洞形成から
セラミック層での亀裂発生に転じるＣｕＯとＣｕの合計
含有量の境目付近であると考えられる。しかし，試料３
４は電極部が連続でありかつセラミック層に亀裂はない
ものの，前述した図１０に示すごとく，電極部とセラミ
ック層の境界部で剥離８３が生じている。
【００８８】また，前述した図１２に示す例と同様に，
共材を添加せずに，有機ビヒクルと樹脂を１７．５ｗｔ
％，ＣｕＯ粉とＣｕ粉を分子量に基づきＣｕＯ粉量に換
算した値で８２．５ｗｔ％として混ぜ合わせた，試料３
６の電極用ペースト材料で作製した場合も，さらに大き
な剥離８３が生じた。なお，上記試料２１〜２３との違
いは含有されるＣｕＯ及びＣｕの粒径と調整されたＣｕ
Ｏ及びＣｕの合計含有量であり，ＣｕＯ及びＣｕの合計
含有量は電極部の空洞形成及びセラミック層の亀裂発生
を防止するために調整されているので，本実施形態例に
示した作製工程では，粒径は８μｍ未満が好ましい。
共材を添加せずに，有機ビヒクルと樹脂を１７．５ｗｔ
％，ＣｕＯ粉とＣｕ粉を分子量に基づきＣｕＯ粉量に換
算した値で８２．５ｗｔ％として混ぜ合わせた，試料３
６の電極用ペースト材料で作製した場合も，さらに大き
な剥離８３が生じた。なお，上記試料２１〜２３との違
いは含有されるＣｕＯ及びＣｕの粒径と調整されたＣｕ
Ｏ及びＣｕの合計含有量であり，ＣｕＯ及びＣｕの合計
含有量は電極部の空洞形成及びセラミック層の亀裂発生
を防止するために調整されているので，本実施形態例に
示した作製工程では，粒径は８μｍ未満が好ましい。
【００８９】
【表２】
【００９０】実施形態例７ 本例では，実施形態例６の試料３４の材料｛共材添加
量：３材％，有機ビヒクルと樹脂を１９．５ｗｔ％，Ｃ
ｕＯ粉及びＣｕ粉を７７．５ｗｔ％として混ぜ合わせた
ペースト材料｝を用い，実施形態例６の製造工程からメ
タライズ工程だけをなくした工程で積層型誘電素子を作
製した。
量：３材％，有機ビヒクルと樹脂を１９．５ｗｔ％，Ｃ
ｕＯ粉及びＣｕ粉を７７．５ｗｔ％として混ぜ合わせた
ペースト材料｝を用い，実施形態例６の製造工程からメ
タライズ工程だけをなくした工程で積層型誘電素子を作
製した。
【００９１】前述した図１３に示す例と同様に，電極・
セラミック層間の剥離はなく，また，電極部の空洞もか
なり抑制されている。本例の結果から，製造工程次第
で，粒径の違いにより生ずる剥離の問題は解決できると
いえる。但し，粒径が電極層の厚みに比べ極めて大きい
と電極層を平坦に作製できないことが類推されるため，
粒径の束縛条件としては，目的の電極層よりもかけ離れ
て大きくなければよい。
セラミック層間の剥離はなく，また，電極部の空洞もか
なり抑制されている。本例の結果から，製造工程次第
で，粒径の違いにより生ずる剥離の問題は解決できると
いえる。但し，粒径が電極層の厚みに比べ極めて大きい
と電極層を平坦に作製できないことが類推されるため，
粒径の束縛条件としては，目的の電極層よりもかけ離れ
て大きくなければよい。
【００９２】また，試料３４，３５，３６での剥離は，
電極部とセラミック層との反応開始温度は従来どおり低
いものの，電極材料の比表面積が低下したことにより，
セラミック層と電極部の境界面（特に印刷していない境
界面）全体での反応の促進が遅くなったためと考えられ
る。よって剥離回避の方法としては，焼結挙動が遅いセ
ラミック層と電極材料との境界部は予め接合しやすい状
態にしておき，熱伝導がよく反応が速い電極材料同士の
性質を利用する方法もある。例えば，電極材料をセラミ
ック層の裏表両面に印刷しておいて積層し，脱脂・メタ
ライズ・焼成すれば，積層時に接触するのは，印刷され
た電極材料同士となり加熱時に急速に反応する。一方，
電極材料とセラミック層の境界部の一方は印刷時の接触
状態を保って脱脂・メタライズ・焼成されるので，比較
的接合しやすい。
電極部とセラミック層との反応開始温度は従来どおり低
いものの，電極材料の比表面積が低下したことにより，
セラミック層と電極部の境界面（特に印刷していない境
界面）全体での反応の促進が遅くなったためと考えられ
る。よって剥離回避の方法としては，焼結挙動が遅いセ
ラミック層と電極材料との境界部は予め接合しやすい状
態にしておき，熱伝導がよく反応が速い電極材料同士の
性質を利用する方法もある。例えば，電極材料をセラミ
ック層の裏表両面に印刷しておいて積層し，脱脂・メタ
ライズ・焼成すれば，積層時に接触するのは，印刷され
た電極材料同士となり加熱時に急速に反応する。一方，
電極材料とセラミック層の境界部の一方は印刷時の接触
状態を保って脱脂・メタライズ・焼成されるので，比較
的接合しやすい。
【００９３】実施形態例８ 本例では，実施形態例６において，電極，セラミック層
ともに空洞，剥離なく形成することができなかったペー
スト材料の構成で，印刷を複数回実施することにより，
問題（空洞，剥離）を克服した。ペースト材料の構成
は，有機ビヒクルと樹脂：４５ｗｔ％，ＣｕＯ及びＣ
ｕ：４０ｗｔ％，共材：１５ｗｔ％で実施した（試料３
７）。
ともに空洞，剥離なく形成することができなかったペー
スト材料の構成で，印刷を複数回実施することにより，
問題（空洞，剥離）を克服した。ペースト材料の構成
は，有機ビヒクルと樹脂：４５ｗｔ％，ＣｕＯ及びＣ
ｕ：４０ｗｔ％，共材：１５ｗｔ％で実施した（試料３
７）。
【００９４】実施形態例６，７では印刷後，８０℃：１
０分の乾燥をさせていたのに対し，本例では８０℃：１
０分の乾燥後，再度電極用ペースト材料を塗布し１００
℃：２０分の乾燥を実施した。以降の工程は実施形態例
５，６と同じである。その結果，前述した図３の試料１
と同様に，電極，セラミック層双方ともに空洞や剥離の
ない積層型誘電素子が得られた。
０分の乾燥をさせていたのに対し，本例では８０℃：１
０分の乾燥後，再度電極用ペースト材料を塗布し１００
℃：２０分の乾燥を実施した。以降の工程は実施形態例
５，６と同じである。その結果，前述した図３の試料１
と同様に，電極，セラミック層双方ともに空洞や剥離の
ない積層型誘電素子が得られた。
【００９５】下記の構成の試料３８，３９において，試
料３７と同様に複数回塗布・乾燥したが，電極層での空
洞発生もしくは電極層の消失（途切れ：図９と同様）は
さけることができなかった。 試料３８， 有機ビヒクルと樹脂：５５ｗｔ％，ＣｕＯ及びＣｕ：３
０ｗｔ％，共材：１５ｗｔ％， 試料３９ 有機ビヒクルと樹脂：３５ｗｔ％，ＣｕＯ及びＣｕ：４
０ｗｔ％，共材：２５ｗｔ％，
料３７と同様に複数回塗布・乾燥したが，電極層での空
洞発生もしくは電極層の消失（途切れ：図９と同様）は
さけることができなかった。 試料３８， 有機ビヒクルと樹脂：５５ｗｔ％，ＣｕＯ及びＣｕ：３
０ｗｔ％，共材：１５ｗｔ％， 試料３９ 有機ビヒクルと樹脂：３５ｗｔ％，ＣｕＯ及びＣｕ：４
０ｗｔ％，共材：２５ｗｔ％，
【００９６】試料３７に対して試料３８は，Ｃｕ及びＣ
ｕＯ含有量が４０ｗｔ％に対して３０ｗｔ％と少なくな
っている。即ち，Ｃｕ及びＣｕＯ含有量の下限は３０ｗ
ｔ％ないし４０ｗｔ％である。また試料３７に対して試
料３９は共材が１５ｗｔ％に対して２５ｗｔ％と多くな
っている。すなわち，共材の上限は１５ｗｔ％ないし２
５ｗｔ％である。
ｕＯ含有量が４０ｗｔ％に対して３０ｗｔ％と少なくな
っている。即ち，Ｃｕ及びＣｕＯ含有量の下限は３０ｗ
ｔ％ないし４０ｗｔ％である。また試料３７に対して試
料３９は共材が１５ｗｔ％に対して２５ｗｔ％と多くな
っている。すなわち，共材の上限は１５ｗｔ％ないし２
５ｗｔ％である。
【００９７】実施形態例９ 本例では，表２に示す試料４０に対して，実施形態例６
と同様に断面観察を行った。試料４０は，実施形態例６
における試料２１〜２４と同様にＣｕＯ粉及びＣｕ粉と
共材の総重量が６９ｗｔ％一定となるようにし，ＣｕＯ
粉及びＣｕ粉を６８．５ｗｔ％，共材を０．５ｗｔ％と
した。そしてこの試料４０の断面観察の結果，亀裂の大
きさや個数が，前述した図７に示すごとく，前述した試
料１０と同様であった。即ち，ＣｕＯ粉とＣｕ粉を含有
する場合でも，共材を０．５ｗｔ％程度加えても改善効
果が認められなかった。したがって，共材は０．５ｗｔ
％より多く添加することが好ましい。
と同様に断面観察を行った。試料４０は，実施形態例６
における試料２１〜２４と同様にＣｕＯ粉及びＣｕ粉と
共材の総重量が６９ｗｔ％一定となるようにし，ＣｕＯ
粉及びＣｕ粉を６８．５ｗｔ％，共材を０．５ｗｔ％と
した。そしてこの試料４０の断面観察の結果，亀裂の大
きさや個数が，前述した図７に示すごとく，前述した試
料１０と同様であった。即ち，ＣｕＯ粉とＣｕ粉を含有
する場合でも，共材を０．５ｗｔ％程度加えても改善効
果が認められなかった。したがって，共材は０．５ｗｔ
％より多く添加することが好ましい。
【図１】実施形態例１における，積層型誘電素子の製造
工程を示す説明図。
工程を示す説明図。
【図２】実施形態例１における，積層型誘電素子を示す
斜視図。
斜視図。
【図３】実施形態例１における，試料１の断面観察結果
を示す説明図。
を示す説明図。
【図４】実施形態例１における，試料７の断面観察結果
を示す説明図。
を示す説明図。
【図５】実施形態例１における，試料８の断面観察結果
を示す説明図。
を示す説明図。
【図６】実施形態例１における，試料９の断面観察結果
を示す説明図。
を示す説明図。
【図７】実施形態例１における，試料１０の断面観察結
果を示す説明図。
果を示す説明図。
【図８】実施形態例１における，（ａ）試料１１，
（ｂ）試料１２の断面観察結果を示す説明図。
（ｂ）試料１２の断面観察結果を示す説明図。
【図９】実施形態例１における，試料１３の断面観察結
果を示す説明図。
果を示す説明図。
【図１０】実施形態例１における，試料１４の断面観察
結果を示す説明図。
結果を示す説明図。
【図１１】実施形態例１における，試料１５の断面観察
結果を示す説明図。
結果を示す説明図。
【図１２】実施形態例１における，試料１６の断面観察
結果を示す説明図。
結果を示す説明図。
【図１３】実施形態例２における，試料１４の断面観察
結果を示す説明図。
結果を示す説明図。
【図１４】実施形態例３における，圧電アクチュエータ
を示す斜視図。
を示す斜視図。
１．．．積層型誘電素子， １０．．．圧電アクチュエータ， １１．．．セラミック層（圧電層）， ２．．．電極層， ２１，２２．．．内部電極（電極層）， ８１．．．空洞， ８２．．．亀裂， ８３．．．剥離， ８５．．．電極層消滅部分，
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安田 悦郎 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 角谷 篤宏 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 山本 孝史 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 長屋 年厚 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 4G031 AA11 AA12 AA25 AA32 AA39 BA09 BA10 CA03 CA08 GA06 5E001 AB03 AE02 AH01 AH09 AJ01 5E082 AB03 EE04 EE23 EE35 FF05 FG26
Claims (26)
- 【請求項１】 構成成分として鉛元素を含むセラミック
層と電極層とを交互に積層した後，脱脂する工程と焼成
する工程とを少なくとも有して製造する積層型誘電素子
における上記電極層を構成するための電極用ペースト材
料であって，該電極用ペースト材料は，導電物質の出発
原料の主成分としてのＣｕＯと，溶剤と，バインダーと
を含有すると共に，上記セラミック層を構成する主成分
の少なくとも一種よりなる共材を含有してなることを特
徴とする電極用ペースト材料。 - 【請求項２】 請求項１において，上記共材は上記セラ
ミック層と略同一組成であることを特徴とする電極用ペ
ースト材料。 - 【請求項３】 請求項１又は２において，上記ＣｕＯの
含有量は３０ｗｔ％より多く８２．５ｗｔ％未満であ
り，上記共材の含有量は０．５ｗｔ％より多く２５ｗｔ
％未満であることを特徴とする電極用ペースト材料。 - 【請求項４】 請求項３において，上記ＣｕＯの含有量
は４０ｗｔ％以上７７．５ｗｔ％以下であることを特徴
とする電極用ペースト材料。 - 【請求項５】 請求項３又は４において，上記共材の含
有量は１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることを特徴と
する電極用ペースト材料。 - 【請求項６】 構成成分として鉛元素を含むセラミック
層と電極層とを交互に積層した後，脱脂する工程と焼成
する工程とを少なくとも有する積層型誘電素子の製造方
法において，セラミック材料をシート状に成形してなる
グリーンシートと，導電物質の出発原料の主成分として
のＣｕＯと，溶剤と，バインダーとを含有すると共に，
上記セラミック材料の主成分の少なくとも一種よりなる
共材を含有する電極用ペースト材料とを準備し，複数の
グリーンシートの少なくとも一方の面に上記電極用ペー
スト材料を塗布し，次いで，上記グリーンシートを積層
し，その後脱脂，焼成することを特徴とする積層型誘電
素子の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６において，上記電極用ペースト
材料の塗布は上記グリーンシートの両面に行い，上記積
層においては，上記電極用ペースト材料同士を当接させ
ることを特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７において，上記電極用ペースト
材料同士の間には，導電性を有する金属箔を介在させる
ことを特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項９】 請求項６〜８のいずれか１項において，
上記共材は上記セラミック層と略同一組成であることを
特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項６〜９のいずれか１項におい
て，上記ＣｕＯの含有量は３０ｗｔ％より多く８２．５
ｗｔ％未満であり，上記共材の含有量は０．５ｗｔ％よ
り多く２５ｗｔ％未満であることを特徴とする積層型誘
電素子の製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０において，上記ＣｕＯの含
有量は４０ｗｔ％以上７７．５ｗｔ％以下であることを
特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１０又は１１において，上記共
材の含有量は１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることを
特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項１３】 請求項６〜１２のいずれか１項におい
て，上記セラミック層は，主にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3
系のペロブスカイト構造の酸化物であることを特徴とす
る積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項１４】 構成成分として鉛元素を含むセラミッ
ク層と電極層とを交互に積層した後，脱脂する工程と焼
成する工程とを少なくとも有して製造する積層型誘電素
子における上記電極層を構成するための電極用ペースト
材料であって，該電極用ペースト材料は，導電物質の出
発原料の主成分としてのＣｕＯ及びＣｕと，溶剤と，バ
インダーとを含有すると共に，上記セラミック層を構成
する主成分の少なくとも一種よりなる共材を含有してな
ることを特徴とする電極用ペースト材料。 - 【請求項１５】 請求項１４において，上記共材は上記
セラミック層と略同一組成であることを特徴とする電極
用ペースト材料。 - 【請求項１６】 請求項１４又は１５において，上記Ｃ
ｕＯ及びＣｕの総含有量は，分子量の比率によりＣｕＯ
に換算した量で，３０ｗｔ％より多く８２．５ｗｔ％未
満であり，上記共材の含有量は０．５ｗｔ％より多く２
５ｗｔ％未満であることを特徴とする電極用ペースト材
料。 - 【請求項１７】 請求項１６において，上記ＣｕＯ及び
Ｃｕの総含有量は，分子量の比率によりＣｕＯに換算し
た量で，４０ｗｔ％以上７７．５ｗｔ％以下であること
を特徴とする電極用ペースト材料。 - 【請求項１８】 請求項１６又は１７において，上記共
材の含有量は１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることを
特徴とする電極用ペースト材料。 - 【請求項１９】 構成成分として鉛元素を含むセラミッ
ク層と電極層とを交互に積層した後，脱脂する工程と焼
成する工程とを少なくとも有する積層型誘電素子の製造
方法において，セラミック材料をシート状に成形してな
るグリーンシートと，導電物質の出発原料の主成分とし
てのＣｕＯ及びＣｕと，溶剤と，バインダーとを含有す
ると共に，上記セラミック材料の主成分の少なくとも一
種よりなる共材を含有する電極用ペースト材料とを準備
し，複数のグリーンシートの少なくとも一方の面に上記
電極用ペースト材料を塗布し，次いで，上記グリーンシ
ートを積層し，その後脱脂，焼成することを特徴とする
積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１９において，上記電極用ペー
スト材料の塗布は上記グリーンシートの両面に行い，上
記積層においては，上記電極用ペースト材料同士を当接
させることを特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項２１】 請求項２０において，上記電極用ペー
スト材料同士の間には，導電性を有する金属箔を介在さ
せることを特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項２２】 請求項１９〜２１のいずれか１項にお
いて，上記共材は上記セラミック層と略同一組成である
ことを特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項２３】 請求項１９〜２２のいずれか１項にお
いて，上記ＣｕＯ及びＣｕの総含有量は，分子量の比率
によりＣｕＯに換算した量で，３０ｗｔ％より多く８
２．５ｗｔ％未満であり，上記共材の含有量は０．５ｗ
ｔ％より多く２５ｗｔ％未満であることを特徴とする積
層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項２４】 請求項２３において，上記ＣｕＯ及び
Ｃｕの総含有量は，分子量の比率によりＣｕＯに換算し
た量で，４０ｗｔ％以上７７．５ｗｔ％以下であること
を特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項２５】 請求項２３又は２４において，上記共
材の含有量は１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることを
特徴とする積層型誘電素子の製造方法。 - 【請求項２６】 請求項１９〜２５のいずれか１項にお
いて，上記セラミック層は，主にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ
3系のペロブスカイト構造の酸化物であることを特徴と
する積層型誘電素子の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001358312A JP2002260950A (ja) | 2000-12-28 | 2001-11-22 | 積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料 |
| DE2001164314 DE10164314A1 (de) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | Herstellungsverfahren für eine dielektrische Vorrichtung in Schichtbauweise und ein Elektrodenpastenmaterial |
| US10/029,006 US7083745B2 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | Production method for laminate type dielectric device and electrode paste material |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000400208 | 2000-12-28 | ||
| JP2000-400208 | 2000-12-28 | ||
| JP2001358312A JP2002260950A (ja) | 2000-12-28 | 2001-11-22 | 積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002260950A true JP2002260950A (ja) | 2002-09-13 |
Family
ID=26607006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001358312A Pending JP2002260950A (ja) | 2000-12-28 | 2001-11-22 | 積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7083745B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002260950A (ja) |
| DE (1) | DE10164314A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013437A (ja) * | 2004-05-27 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子およびその製造方法ならびにこれを用いた噴射装置 |
| JP2010507222A (ja) * | 2006-10-20 | 2010-03-04 | 京セラ株式会社 | 圧電アクチュエータユニット及びその製造方法 |
| JP2014527712A (ja) * | 2011-07-29 | 2014-10-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 多層圧電デバイスの製造方法、助剤を含む多層圧電デバイス、および多層圧電デバイスの破壊応力抑制のための助剤の使用 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3884669B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2007-02-21 | 株式会社デンソー | セラミック積層体の製造方法 |
| DE10351377A1 (de) | 2002-11-05 | 2004-10-28 | Nippon Soken, Inc., Nishio | Laminiertes dielektrisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2005286014A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Denso Corp | 導電ペースト |
| DE102012103994A1 (de) * | 2012-05-07 | 2013-11-21 | Epcos Ag | Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtbauelements und durch das Verfahren hergestelltes Vielschichtbauelement |
| KR101388690B1 (ko) * | 2012-12-20 | 2014-04-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| KR101994723B1 (ko) * | 2013-10-30 | 2019-07-01 | 삼성전기주식회사 | 외부전극용 도전성 페이스트 조성물, 이를 이용한 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| JP7089402B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-06-22 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US11594668B2 (en) * | 2018-12-28 | 2023-02-28 | Tdk Corporation | Thin film laminate, thin film device and multilayer substrate |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63295491A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-12-01 | Ngk Spark Plug Co Ltd | メタライズ組成物 |
| US4837408A (en) * | 1987-05-21 | 1989-06-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | High density multilayer wiring board and the manufacturing thereof |
| US4985376A (en) * | 1989-01-31 | 1991-01-15 | Asahi Glass Company, Ltd. | Conductive paste compositions and ceramic substrates |
| JPH0650703B2 (ja) * | 1989-07-17 | 1994-06-29 | 松下電器産業株式会社 | ペースト組成物および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2531023B2 (ja) * | 1990-01-08 | 1996-09-04 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペ―スト |
| JPH05174612A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極ペースト組成物 |
| JPH06223621A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導体ペースト組成物 |
-
2001
- 2001-11-22 JP JP2001358312A patent/JP2002260950A/ja active Pending
- 2001-12-28 DE DE2001164314 patent/DE10164314A1/de not_active Ceased
- 2001-12-28 US US10/029,006 patent/US7083745B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006013437A (ja) * | 2004-05-27 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 積層型圧電素子およびその製造方法ならびにこれを用いた噴射装置 |
| JP2010507222A (ja) * | 2006-10-20 | 2010-03-04 | 京セラ株式会社 | 圧電アクチュエータユニット及びその製造方法 |
| JP2014527712A (ja) * | 2011-07-29 | 2014-10-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 多層圧電デバイスの製造方法、助剤を含む多層圧電デバイス、および多層圧電デバイスの破壊応力抑制のための助剤の使用 |
| US10374141B2 (en) | 2011-07-29 | 2019-08-06 | Epcos Ag | Method for producing a piezoelectric multilayer component, piezoelectric multilayer component containing an auxiliary material, and use of an auxiliary material for setting the breaking stress of a piezoelectric multilayer component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7083745B2 (en) | 2006-08-01 |
| DE10164314A1 (de) | 2002-08-08 |
| US20020121329A1 (en) | 2002-09-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111564311B (zh) | 层叠陶瓷电容器及其制造方法 | |
| JP2002260951A (ja) | 積層型誘電素子及びその製造方法，並びに電極用ペースト材料 | |
| US20120162856A1 (en) | Conductive paste composition for termination electrode and multilayer ceramic capacitor including the same and manufacturing method thereof | |
| WO2003036666A1 (fr) | Composant electronique ceramique stratifie et son procede de fabrication | |
| JP2002260950A (ja) | 積層型誘電素子の製造方法，並びに電極用ペースト材料 | |
| JP2010045209A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| WO2006068245A1 (ja) | 積層型圧電セラミック部品、及び積層型圧電セラミック部品の製造方法 | |
| US7014725B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component manufacturing method including a sintered adhesive layer with a resin and inorganic powder | |
| JP4590868B2 (ja) | 積層型圧電体素子及びその製造方法 | |
| JP4635439B2 (ja) | 積層型圧電体素子及びその製造方法 | |
| CN115910605A (zh) | 陶瓷电子部件及其制造方法 | |
| JP3767543B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2007188963A (ja) | 導電ペースト及びそれを用いた積層型セラミック素子の製造方法 | |
| JP2005524226A (ja) | Ｐｔｃ構成素子及びその製造方法 | |
| JP2006156587A (ja) | 積層型圧電素子 | |
| KR0168894B1 (ko) | 적층 세라믹 캐패시터 제조 방법 | |
| JP2005286014A (ja) | 導電ペースト | |
| JP2756745B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3279721B2 (ja) | 積層型圧電アクチュエータおよびその製造方法 | |
| JP2006196717A (ja) | 積層型圧電セラミックス素子およびその製造方法 | |
| JP4192523B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2006108546A (ja) | 積層型圧電セラミックス素子およびその製造方法 | |
| JP2001101926A (ja) | 導電性ペースト、ならびに積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2006156586A (ja) | 積層型圧電素子及びその製造方法 | |
| JP2003133165A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040415 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050708 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050719 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050914 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051025 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051221 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060116 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060217 |