CN115910605A - 陶瓷电子部件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
提出了陶瓷电子部件及其制造方法。陶瓷电子部件包括层叠片，其中，多个电介质层中的每个和包括Ni作为主相的多个内部电极层中的每个交替堆叠。多个电介质层中的至少一个在多个电介质层中的至少一个与紧邻多个电介质层中的至少一个的多个内部电极层中的一个之间的界面处包括包含Si的第二相。多个内部电极层中的一个在界面处接触第二相的区域处包括包含添加元素的层，添加元素包括Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中的一种或多种。
Description
技术领域
本发明的特定方面涉及一种陶瓷电子部件和该陶瓷电子部件的制造方法。
背景技术
层叠陶瓷电容器是在以诸如钛酸钡的电介质材料为主要原料的电介质生片上印刷以Ni粉为主要原料制成的金属膏，然后进行堆叠、压接、切割、去除粘合剂、烧制和施加外电极等。作为市场需求，为了减小层叠陶瓷电容器的尺寸并且增大容量，需要内部电极层的减薄和高层压以及电介质层的减薄。
为了抑制陶瓷制成的电介质层和金属制成的内部电极层同时烧制时的诸如裂纹的内部缺陷，除了作为电介质层中的主相的电介质材料之外，引入由液相组分诸如Si作为烧结剂构成的第二相以设计微观结构和电特性(例如，参见日本专利申请公开No.2014-123698)。
发明内容
但是，由于液相烧结的烧结促进效果，内部电极层与第二相的接触点容易产生不连续。
根据本发明的一方面，提供了一种陶瓷电子部件，包括：层叠片，其中，多个电介质层中的每个和包括Ni作为主相的多个内部电极层中的每个交替堆叠，其中多个电介质层中的至少一个在多个电介质层中的至少一个与紧邻多个电介质层中的至少一个的多个内部电极层中的一个之间的界面处包括包含Si的第二相，并且其中多个内部电极层中的一个在与界面处的第二相接触的区域处包括包含添加元素的层，添加元素包括Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中的一种或多种。
根据本发明的另一方面，提供了一种陶瓷电子部件的制造方法，包括：通过在电介质生片中的每个上形成Ni膏的内部电极图案中的每个来形成多个堆叠单元，电介质生片包括烧结剂，烧结剂包括SiO2，Ni膏包括Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中的一种或多种的添加元素；通过堆叠多个堆叠单元来形成层叠结构；以及烧制层叠结构，其中对烧制的条件进行调整，使得由电介质生片形成的电介质层中的至少一个在电介质层的至少一个与紧邻电介质层中的至少一个的由内部电极图案形成的内部电极层中的一个之间的界面处包括包含Si的第二相，并且包括添加元素的层形成在与第二相接触的内部电极层中的一个的区域处。
附图说明
图1示出层叠陶瓷电容器的立体图，其中示出层叠陶瓷电容器的一部分的剖面；
图2示出沿图1的线A-A截取的剖视图；
图3示出沿图1的线B-B截取的剖视图；
图4是示出形成于电介质层的主相和第二相的图；
图5示出连续模量(continuity modulus)；
图6示出包括添加元素的层；
图7示出层叠陶瓷电容器的制造方法；
图8A和图8B示出堆叠过程；
图9是示出进行STEM-EDS线分析的位置的图；
图10A至图10C示出示例1的层叠陶瓷电容器的STEM-EDS线分析的结果；以及
图11A至图11C示出示例1的层叠陶瓷电容器的STEM-EDS线分析的结果。
具体实施方式
将参照附图给出对实施例的描述。
(第一实施例)
图1示出根据实施例的层叠陶瓷电容器100的立体图，其中示出层叠陶瓷电容器100的一部分的剖面。图2示出沿图1的线A-A截取的剖视图。图3示出沿图1的线B-B截取的剖视图。如图1至图3所示，层叠陶瓷电容器100包括具有长方体形状的层叠片10，以及分别设置在层叠片10的彼此相对的两个端面上的一对外部电极20a和20b。在除了层叠片10的两个端面之外的四个面中，除了层叠片10在堆叠方向上的上面和下面之外的两个面被称为侧面。外部电极20a和20b延伸至层叠片10的上面、下面以及两个侧面。但是，外部电极20a和20b彼此分离。
层叠片10具有被设计成具有交替堆叠的电介质层11和内部电极层12的结构。电介质层11包括用作电介质材料的陶瓷材料。内部电极层12包括贱金属材料。内部电极层12的端边交替地暴露于层叠片10的第一端面和层叠片10的不同于第一端面的第二端面。在本实施例中，第一端面与第二端面相反。外部电极20a设置在第一端面上。外部电极20b设置在第二端面上。因此，内部电极层12交替地与外部电极20a和外部电极20b导通。因此，层叠陶瓷电容器100具有堆叠多个电介质层11并且电介质层11中的每两个夹持内部电极层12的结构。在电介质层11和内部电极层12的层叠结构中，两个内部电极层12位于堆叠方向上的最外层。作为内部电极层12的层叠结构的上面和下面被覆盖层13覆盖。覆盖层13的主要成分是陶瓷材料。例如，覆盖层13的主要成分与电介质层11的主要成分相同。
例如，层叠陶瓷电容器100可具有0.25mm的长度、0.125mm的宽度和0.125mm的高度。层叠陶瓷电容器100可具有0.4mm的长度、0.2mm的宽度和0.2mm的高度。层叠陶瓷电容器100可具有0.6mm的长度、0.3mm的宽度和0.3mm的高度。层叠陶瓷电容器100可具有0.6mm的长度、0.3mm的宽度和0.110mm的高度。层叠陶瓷电容器100可具有1.0mm的长度、0.5mm的宽度和0.5mm的高度。层叠陶瓷电容器100可具有1.0mm的长度、0.5mm的宽度和0.1mm的高度。层叠陶瓷电容器100可具有3.2mm的长度、1.6mm的宽度和1.6mm的高度。层叠陶瓷电容器100可具有4.5mm的长度、3.2mm的宽度和2.5mm的高度。然而，层叠陶瓷电容器100的尺寸不限于上述尺寸。
电介质层11的主要成分是具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构的陶瓷材料。钙钛矿结构包括具有非化学计量组成的ABO3-α。例如，陶瓷材料为具有钙钛矿结构的诸如BaTiO3(钛酸钡)、CaZrO3(锆酸钙)、CaTiO3(钛酸钙)、SrTiO3(钛酸锶)、MgTiO3(钛酸镁)、Ba1-x- yCaxSryTi1-zZrzO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)。Ba1-x-yCaxSryTi1-zZrzO3可为钛酸钡锶、钛酸钡钙、锆酸钡、钛酸锆酸钡、钛酸锆酸钙、钛酸锆酸钡钙等。
如图2所示，与外部电极20a连接的一组内部电极层12面对与外部电极20b连接的另一组内部电极层12的部分是在层叠陶瓷电容器100中产生电容的部分。因此，该部分被称为电容部分14。即，电容部分14是其中连接到不同外部电极的彼此紧邻的内部电极层彼此面对的部分。
其中连接到外部电极20a的内部电极层12彼此相对而不夹在连接到外部电极20b的内部电极层12中的部分称为端部边缘15。其中连接到外部电极20b的内部电极层12彼此相对而不夹在连接到外部电极20a的内部电极层12中的部分为另一端部边缘15。即，端部边缘15是连接到一个外部电极的一组内部电极层12彼此相对而不夹在连接到另一个外部电极的内部电极层12中的部分。端部边缘15是在层叠陶瓷电容器100中不产生电容的部分。
如图3所示，层叠片10的从其两侧到内部电极层12的部分称为侧边缘16。即，侧边缘16是覆盖堆叠的内部电极层12在延伸方向上朝向两个侧面的边的部分。侧边缘16不产生电容。
电介质层11和内部电极层12的层叠结构可以通过对在电介质生片上印刷包含以Ni粉为主要原料的金属膏的多个堆叠单元进行烧制来获得。因此，陶瓷的电介质层11和金属的内部电极层12被共同烧制。为了抑制在共烧工序中容易产生诸如裂纹的内部缺陷，向电介质生片添加含有Si的烧结剂。烧结剂在烧制时成为液相，进行液相烧结，并促进电介质层11的主成分陶瓷的烧结。该液相在烧制后成为第二相。
图4是示出在电介质层11中形成的主相17和第二相18的图。如图4所示，电介质层11由主相17和第二相18形成。主相17是电介质层11的主要成分陶瓷的晶粒。第二相18形成于主相17的晶界处以及电介质层11与内部电极层12的界面处。第二相18是通过烧制烧结剂而在电介质层11中生成的相，并且以例如SiO2或SiO2和B2O3中的至少一种为主要成分。在内部电极层12的与第二相18接触的部分处，由于液相烧结的烧结促进效果，容易出现不连续，这可能导致连续模量降低。
图5是示出连续模量的图。如图5所示，在内部电极层12的长度L0的观察区域中，测量金属部分的长度L1、L2、...、Ln并进行合计，金属部分的比率ΣLn/L0可以定义为层的连续模量。
根据本实施例的层叠陶瓷电容器100具有抑制内部电极层12的连续模量降低的结构。首先，如图6所示，电介质层11中的至少一个在电介质层11和内部电极层12之间的界面处包括第二相18。
内部电极层12在电介质层11和内部电极层12之间的界面处接触第二相18的内部电极层12的部分处具有包括Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中的一种或多种的添加元素的层19。层19是出现在内部电极层12的表层上的薄层，并且是当在堆叠方向上进行STEM-EDS线分析时，添加元素的浓度出现峰值的层。层19可为Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中的一种或多种添加元素的单一金属、合金或氧化物。由于层19在界面引起钉扎(pinning)，因此对于烧制时作为液相存在的第二相18的接触界面处的烧结的促进效果被抑制，内部电极层12的球状化和不连续被抑制，并且内部电极层12的连续模量的降低也被抑制。层19可覆盖电介质层11和内部电极层12之间的整个界面，或可覆盖界面的至少一部分。
例如，由于Au、Pt和Cu具有比Ni更高的电离能，因此含有Au、Pt和Cu中的至少一种的层19抑制伴随烧结的原子扩散，并且还抑制与第二相18的接触界面处的促进烧结的效果。由于Fe、Cr、Zn和In形成比Ni的氧化物或复合氧化物更稳定的氧化物或复合氧化物，包含Fe、Cr、Zn和In中的至少一种的层19抑制溶解金属Ni进入第二相18的反应并抑制促进烧结的效果。
当内部电极层12中的Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In的总量较少时，在与第二相18的接触界面处可能未必充分抑制烧结促进效果。因此，在内部电极层12中，优选为Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In的总量设定下限。例如，在内部电极层12中，当Ni为100at％时，Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In的总量优选为0.01at％以上，优选为0.05at％以上，更优选为0.1at％以上。Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中，未添加的金属不添加到总量中。因此，当仅在内部电极层12中添加Au时，Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In的总量为Au的量。
另一方面，当内部电极层12中的Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In的总量多时，存在诸如这些元素向电介质层11的扩散、内部电极层12的氧化、内部电极层12的烧结的影响等不可忽视的问题。因此，在内部电极层12中，优选对Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In的总量设定上限。例如，在内部电极层12中，当Ni为100at％时，Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In的合计量优选为5at％以下，优选为3at％以下，更优选为1at％以下。
每层的电介质层11的厚度为0.05μm以上且5μm以下，或0.1μm以上且3μm以下，或0.2μm以上且1μm以下，或0.6μm以下。在此，当电介质层11薄时，烧结时电介质层11的结合力降低，使得内部电极层12容易发生球状化。因此，在电介质层11薄的配置中，可以显著获得抑制本实施例的内部电极层12的连续模量降低的效果。例如，当电介质层11为0.5μm以下时，可以显著获得本实施例的效果。电介质层11的厚度通过用SEM(扫描电子显微镜)观察层叠陶瓷电容器100的剖面，用10个点测量电介质层11的10个不同层中的每个的厚度，并计算所有测量点的平均值来确定。
在内部电极层12薄的配置中，可以显著获得抑制本实施例的内部电极层12的连续模量降低的效果。例如，当每层的内部电极层12的厚度为0.4μm以下、0.6μm以下或0.8μm以下时，显著获得本实施例的效果。另一方面，当内部电极层12太薄时，层19的厚度相对于内部电极层12的厚度的比率可能变高，ESR(等效串联电阻)可能增加，内部电极层12可能被氧化，并且内部电极层12变厚。可烧结性的影响不一定可以忽略不计。因此，每层的内部电极层12的厚度优选为0.05μm以上，更优选为0.1μm以上，进一步优选为0.15μm以上。关于内部电极层12的厚度，通过SEM观察层叠陶瓷电容器100的剖面，用10个点测量10个不同内部电极层12中的每个的厚度，并计算所有测量点的平均值。
当电介质层11与内部电极层12之间的堆叠方向上的厚度比(第二相18的厚度/层19的厚度)大时，系统中的液相的量相对增加，因此，可能难以在界面处保持钉扎的动作。因此，优选设定厚度比的上限。例如，厚度比优选为3以下，更优选为2以下，进一步优选为1.5以下。另一方面，当厚度比小时，电介质层不能吸收与在较低温度下发生的内部电极层的烧结相关的收缩应力，并且可能发生裂纹。因此，优选设定厚度比的下限。例如，厚度比优选为0.1以上，更优选为0.3以上，进一步优选为0.5以上。
接下来，对层叠陶瓷电容器100的制造方法进行描述。图7示出层叠陶瓷电容器100的制造方法。
(原料粉末的制造工序)准备用于形成电介质层11的电介质材料。电介质材料包括电介质层11的主要成分陶瓷。通常，A位元素和B位元素包括在ABO3晶粒的烧结相中的电介质层11中。例如，BaTiO3是具有钙钛矿结构的四方化合物并且具有高介电常数。通常，BaTiO3是通过使钛材料诸如二氧化钛与钡材料诸如碳酸钡反应并合成钛酸钡而获得的。可以使用各种方法作为构成电介质层11的陶瓷的合成方法。例如，可以使用固相法、溶胶-凝胶法、水热法等。实施例可使用这些方法中的任一种。
根据目的，可将添加剂化合物添加到所得陶瓷粉末中。添加剂化合物可为Mg(镁)、Mn(锰)、V(钒)、Cr或稀土元素(Y、Sm(钐)、Eu(铕)、Gd(钆)、Tb(铽)、Dy(镝)、Ho(钬)、Er(铒)、Tm(铥)和Yb(镱))的氧化物，或Co(钴)、Ni、Li(锂)、B(硼)、Na(钠)、K(钾)和Si(硅)的氧化物。添加剂化合物可为包括钴、镍、锂、硼、钠、钾或硅的玻璃。其中，SiO2主要用作烧结剂。
例如，将得到的陶瓷原料粉末与添加剂进行湿式混合，并进行干燥和粉碎。因此，获得陶瓷材料。例如，可根据需要通过粉碎得到的陶瓷材料来调整粒径。另选地，可以通过组合粉碎和分级来调整所得陶瓷粉末的粒径。通过这些工序，获得电介质材料。
(堆叠工序)接下来，对得到的电介质材料添加粘合剂诸如聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树脂、有机溶剂诸如乙醇或甲苯，以及增塑剂，并进行湿式混合。使用所得浆料，通过例如模涂法或刮刀法将电介质生片52印刷在基材51上，然后干燥。基材51例如是PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜。
接着，如图8A所示，在电介质生片52上形成内部电极图案53。在图8A中，例如，内部电极图案53的四个部分形成在电介质生片52上，并且彼此间隔开。其上形成有内部电极图案53的电介质生片52是堆叠单元。
Ni膏用于内部电极图案53。Ni膏包含Ni粉末，以及Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中的至少一种添加元素的有机金属络合物或微粉。可使用添加元素和Ni的合金粉末。可使用涂覆在添加元素表面上的Ni粉末。当Ni为100at％时，添加元素的有效金属浓度优选为0.01at％以上且5at％以下。另外，膜形成方法可为印刷法、溅射法、蒸镀法、电镀法等。
接下来，从基材51剥离电介质生片52。如图8A和图8B所示，对堆叠单元进行堆叠。
预定数量(例如，2至10)的覆盖片54被堆叠在堆叠的堆叠单元的陶瓷层叠结构的上面和下面上并且被热压接。将所得陶瓷层叠结构切割成具有预定尺寸(例如，1.0mm×0.5mm)的片。在图8A和图8B中，层叠结构沿虚线切割。覆盖片54的成分可与电介质生片52的覆盖片相同。覆盖片54的添加剂可以与电介质生片52的添加剂不同。
(烧制工序)在N2气氛中从陶瓷层叠结构体中除去粘合剂。通过浸渍法将待成为外部电极20a、20b的基层的金属膏施加到陶瓷层叠结构体的两个端面。将所得陶瓷层叠结构在氧分压为10-5至10-8atm的还原气氛中在1100℃至1300℃的温度范围内烧制10分钟至2小时。
层19可以通过调整烧制条件诸如烧制温度、升温至烧制温度的速度、烧制工序期间的气氛来形成。在包含SiO2作为烧结助剂的液相成分与包含Ni作为主要成分的内部电极材料接触并发挥烧结促进效果之前，在内部电极层12的表层上形成层19是很重要的。因此，在比作为烧结助剂的SiO2熔融并开始形成液相的温度范围低的温度范围(例如1000℃以下的温度范围)中，50℃/min以下的升温速度范围被设置为3分钟或烧制曲线被设置有1分钟或更长的温度保持时间(相同温度下的保持时间)。
(再氧化工序)之后，可在N2气氛中在600℃至1000℃的温度范围内进行再氧化工序。
(电镀工序)之后，通过电镀工序，可在外部电极20a、20b上形成Cu、Ni、Sn等的电镀层。
在实施例中，层叠陶瓷电容器被描述为陶瓷电子部件的示例。然而，实施例不限于层叠陶瓷电容器。例如，实施例可应用于另一电子部件，诸如压敏电阻或热敏电阻。
[示例]
以下，制作根据本实施例的层叠陶瓷电容器并研究其特性。
(示例1)通过堆叠、压接、切割、去除粘合剂和烧制堆叠的堆叠单元，获得尺寸为1.0mm×0.5mm×0.5mm的片形状，在该堆叠单元中在包含钛酸钡作为电介质材料的电介质生片上印刷包含Ni粉末的Ni膏。电介质层的厚度为0.8μm。内部电极层的厚度为0.6μm。电介质层和内部电极层的层数各为470层。除了作为主相的电介质材料之外，在电介质中还混入适量的SiO2粉末作为烧结助剂。将Au源添加到Ni膏中。当Ni为100at％时，Au量为1at％。
(示例2)在示例2中，除了内部电极层的厚度为0.5μm以外，条件与示例1相同。
(示例3)在示例3中，除了内部电极层的厚度为0.4μm以外，条件与示例1相同。
(示例4)在示例4中，代替Au源，在Ni膏中添加Pt源。当Ni为100at％时，Pt量为1at％。内部电极层的厚度设定为0.4μm。其它与示例1相同。
(示例5)在示例5中，代替Au源，在Ni膏中添加Cu源。当Ni为100at％时，Cu量为1at％。内部电极层的厚度设定为0.4μm。其它与示例1相同。
(示例6)在示例6中，代替Au源，在Ni膏中添加Fe源。当Ni为100at％时，Fe量为1at％。内部电极层的厚度设定为0.4μm。其它与示例1相同。
(示例7)在示例7中，代替Au源，在Ni膏中添加Cr源。当Ni为100at％时，Cr量为1at％。内部电极层的厚度设定为0.4μm。其它与示例1相同。
(示例8)在示例8中，代替Au源，在Ni膏中添加Zn源。当Ni为100at％时，Zn量为1at％。内部电极层的厚度设定为0.4μm。其它与示例1相同。
(示例9)在示例9中，代替Au源，在Ni膏中添加In源。当Ni为100at％时，In量为1at％。内部电极层的厚度设定为0.4μm。其它与示例1相同。
(比较例1)在比较例1中，在Ni膏中未添加Au源。其它与示例1相同。
(比较例2)在比较例2中，在Ni膏中未添加Au源。内部电极层的厚度设定为0.5μm。其它与示例1相同。
(比较例3)在比较例3中，在Ni膏中未添加Au源。内部电极层的厚度设定为0.4μm。其它与示例1相同。
对于示例1至9和比较例1至3中的每个，在电介质层和内部电极层之间的界面处进行STEM-EDS线分析。在示例1至示例9中，在内部电极层侧上确认到包含添加元素的层。并且确认该层与电介质层侧上的第二相接触。
图9是示出其中对示例1的层叠陶瓷电容器进行STEM-EDS线分析的位置的图。如图9所示，从电介质层朝向靠近电介质层和内部电极层之间的界面的内部电极层进行线分析，在该界面，第二相和包含添加元素的层彼此接触。
图10A至图11C示出示例1的层叠陶瓷电容器的STEM-EDS线分析的结果。图10A示出O(氧)的测量浓度。图10B示出Ti的测量浓度。图10C示出Ni的测量浓度。图11A示出Ba的测量浓度。图11B示出Au的测量浓度。图11C示出Si的测量浓度。在图10A至图11C中，虚线表示电介质层11和内部电极层12之间的界面。
如图10A所示，O(氧)浓度在界面处急剧下降。认为这是因为内部电极层中的氧浓度低。如图10B所示，Ti浓度在界面处急剧下降。认为这是因为Ti主要包含在电介质层中的钛酸钡中，并且内部电极层中的Ti浓度低。如图10C所示，Ni浓度在界面处急剧增加。认为这是因为Ni主要包含在内部电极层中，并且电介质层中的Ni浓度低。如图11A所示，Ba浓度在界面处急剧下降。认为这是因为Ba主要包含在电介质层中的钛酸钡中，并且内部电极层中的Ba浓度低。
如图11B和图11C所示，Au浓度的峰值和Si浓度的峰值出现在界面附近。Au浓度的峰值位于界面的内部电极层侧。认为这是因为在界面处的内部电极层侧上形成包含Au的层。Si浓度的峰值位于界面的电介质层侧。认为这是因为在界面处的电介质层侧上形成第二相。Au峰顶位置的Si量高于电介质层中Si的平均水平。另外，Si峰顶位置的Au量高于内部电极层中的Au量的平均水平。与包含Au的层接触的第二相中的Si比率(at％)比电介质层中Si量的平均值(at％)高1at％以上。
在示例2至示例9中，与示例1相同，添加元素浓度的峰值和Si浓度的峰值出现在界面附近。添加元素浓度的峰值位于界面的内部电极层侧。认为这是因为在界面处的内部电极层侧上形成包含添加元素的层。Si浓度的峰值位于界面的电介质层侧。认为这是因为在界面处的电介质层侧上形成第二相。添加元素峰顶的Si量高于电介质层中Si的平均水平。此外，Si峰顶位置处的添加元素量高于内部电极层中添加元素的平均水平。在各个示例中，如图11B所示，包含添加元素的层以界面为基准，分别在内部电极层侧和电介质层侧上的15nm的范围内具有最高的添加元素浓度。添加元素浓度最高的区域是表示添加元素的峰值位置的区域。另外，在各实施例中，如图11C所示，包含Si的第二相以界面为基准，分别在内部电极层侧和电介质层侧上的15nm的范围内具有最高的Si浓度。Si浓度最高的区域是表示Si的峰值位置的区域。
在比较例1至比较例3中，未确认到包含添加元素的层。
对于示例1至示例9中的每个，在电介质层和内部电极层之间的界面处在堆叠方向上测量第二相的厚度/(包含添加元素的层)的厚度。该比在示例1中为0.73，在示例2中为0.96，在示例3中为1.10，在示例4中为1.04，在示例5中为1.09，在示例6中为1.14，在示例7中为1.12，在示例8中为0.99，并且在示例9中为0.93。
对示例1至示例9和比较例1至比较例3的层叠陶瓷电容器中的每个测量内部电极层的连续模量。内部电极层的连续模量通过片中心附近的剖面抛光表面的SEM观察(放大5000倍，4场平均)来测量。在示例和比较例中测量相同厚度之间的连续模量比。结果如表1所示。与比较例1的连续模量相比，示例1的连续模量为1.05倍。与比较例2的连续模量相比，示例2的连续模量为1.14倍。与比较例3的连续模量相比，示例3的连续模量为1.17倍，示例4的连续模量为1.26倍，示例5的连续模量为1.16倍，示例6的连续模量为1.17倍，示例7的连续模量为1.26倍，示例8的连续模量为1.17倍，示例9的连续模量为1.17倍。由以上结果可知，在内部电极层的厚度相同的条件下，通过使包含添加元素的层与第二相接触，内部电极层的连续模量得到改善。
[表1]
尽管已经详细描述了本发明的实施例，但是应当理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行各种改变、替换和变更。
Claims (9)
1.一种陶瓷电子部件，包括：
层叠片，在所述层叠片中交替地堆叠多个电介质层中的每个电介质层以及包含Ni作为主相的多个内部电极层中的每个内部电极层，
其中，所述多个电介质层中的至少一个电介质层在其与邻接的所述多个内部电极层中的一个内部电极层之间的界面处包括包含Si的第二相，并且
其中，所述多个内部电极层中的所述一个内部电极层在与所述界面处的所述第二相接触的区域处包括包含添加元素的层，所述添加元素包括Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的陶瓷电子部件，其中，在所述多个内部电极层中的所述一个内部电极层中，所述添加元素的总量相对于Ni在0.01at％以上且在5at％以下。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷电子部件，其中，包含所述添加元素的所述层是所述添加元素的单一金属、包含所述添加元素的合金、或所述添加元素的氧化物。
4.如权利要求1至3中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，在所述多个电介质层和所述多个内部电极层的堆叠方向上，(所述第二相的厚度)/(包含所述添加元素的所述层的厚度)之比在0.1以上且在3以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述多个电介质层中的每个电介质层的厚度为0.5μm以下。
6.如权利要求1至5中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，当在所述多个电介质层和所述多个内部电极层的堆叠方向上进行STEM-EDS线分析时，Si浓度的峰值出现在所述第二相并且添加元素浓度的峰值出现在包含所述添加元素的所述层。
7.如权利要求1至6中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述多个内部电极层中的所述一个内部电极层的厚度在0.05μm以上且在0.4μm以下。
8.如权利要求1至7中任一项所述的陶瓷电子部件，其中，所述多个电介质层包含钛酸钡。
9.一种陶瓷电子部件的制造方法，包括：
通过在每个电介质生片上分别形成Ni膏的内部电极图案来形成多个堆叠单元，所述电介质生片包括烧结剂，所述烧结剂包含SiO2，所述Ni膏包含选自Au、Pt、Cu、Fe、Cr、Zn和In中的一种或多种的添加元素；
通过堆叠所述多个堆叠单元来形成层叠结构；以及
烧制所述层叠结构，
其中，对烧制的条件进行调整，使得由所述电介质生片形成的电介质层中的至少一个电介质层在其与邻接的由所述内部电极图案形成的内部电极层中的一个内部电极层之间的界面处包括包含Si的第二相，并且在所述内部电极层中的所述一个内部电极层的与所述第二相接触的区域处形成包含所述添加元素的层。
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