CN115101336A - 陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法 - Google Patents

陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种陶瓷电子器件，包括层叠结构，其中多个电介质层中的每一层与多个内部电极层中的每一层交替地层叠。多个电介质层的主要成分是具有钙钛矿结构的陶瓷，所述钙钛矿结构的A位至少包括Ba，并且A/B比率为0.980以下。多个内部电极层包括共材。在共材中包括的金属元素中，Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且金属元素中Ba的量为10mol％以下。

Description

陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法
技术领域
本发明某一方面涉及陶瓷电子器件和陶瓷电子器件的制造方法。
背景技术
为了消除以移动电话为代表的高频通信系统中的噪音，使用诸如层叠陶瓷电容器的陶瓷电子器件(例如，参见日本专利申请第2007-095382号和日本专利申请公开第2019-134098号)。
发明内容
根据本发明的一方面，提供一种陶瓷电子器件，该陶瓷电子器件包括：层叠结构，其中多个电介质层中的每一层与多个内部电极层中的每一层交替地层叠，其中多个电介质层的主要成分是具有钙钛矿结构的陶瓷，所述钙钛矿结构的A位至少包括Ba，并且A/B比为0.980以下，其中多个内部电极层包括共材，其中在共材中包括的金属元素中，Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且在金属元素中，Ba的量为10mol％以下。
陶瓷电子器件制造方法包括：通过层叠多个层叠单元形成层叠结构，在上述层叠单元中，包括陶瓷材料粉末的电介质材料的电介质生片上印刷有包括共材的金属导电膏图案，陶瓷材料粉末具有A位至少包括Ba、且A/B比为0.980以下的钙钛矿结构，共材中包括的金属元素中Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，金属元素中Ba的量为10mol％以下；和烧制层叠结构。
附图说明
图1示出层叠陶瓷电容器的透视图，其中示出层叠陶瓷电容器的一部分的剖面；
图2是沿图1的A-A线截取的剖视图；
图3是沿图1的B-B线截取的剖视图；
图4示出Ni圆柱样品的TMA结果；
图5示出连续系数(continuity modulus)；并且
图6示出层叠陶瓷电容器的制造方法。
具体实施方式
移动电话需要尺寸小、薄的并且容量大的陶瓷电子器件。为了满足需要，优选的是即使陶瓷电子器件的厚度减小，也具有高连续性特性的内部电极层。
例如，通过将共材添加到内部电极层，将内部电极层的烧结温度提高到电介质层的电介质材料的烧结温度，并且提高内部电极层的连续系数，可以提高陶瓷电子器件的可靠性。但是，相对于主要成分是具有A位至少包括Ba(钡)、并且A/B比为0.980以下的钙钛矿结构的电介质材料的电介质层，使用包括大量Ba的共材，从内部电极层挤出的共材扩散到电介质层的电介质材料中，会出现异常晶粒生长，可靠性会不足。
将参考附图给出对实施方式的说明。
[实施方式]
图1示出根据一实施方式的层叠陶瓷电容器100的透视图，其中示出层叠陶瓷电容器100的一部分的剖面。图2示出沿图1的A-A线截取的剖视图。图3示出沿图1的B-B线截取的剖视图。如图1至图3所示，层叠陶瓷电容器100包括：具有长方体形状的层叠芯片10；和分别设置在层叠芯片10的彼此相对的两个端面(edge face)上的一对外部电极20a和20b。在层叠芯片10的两个端面以外的四个面中，将层叠芯片10在层叠方向上的顶面和底面以外的两个面称作侧面(side face)。外部电极20a和20b延伸到层叠芯片10的顶面、底面以及两个侧面。但是，外部电极20a和20b彼此间隔开。
层叠芯片10具有被设计成具有交替地层叠的电介质层11和内部电极层12的结构。电介质层11包括充当电介质材料的陶瓷材料。内部电极层12包括贱金属材料。内部电极层12的端缘(end edge)交替地露出于层叠芯片10的第一端面和层叠芯片10的不同于第一端面的第二端面。在该实施方式中，第一端面与第二端面相对。外部电极20a设置在第一端面上。外部电极20b设置在第二端面上。由此，内部电极层12交替地导通至外部电极20a和外部电极20b。由此，层叠陶瓷电容器100具有如下结构：其中层叠有多个电介质层11，并且每两层电介质层11夹有内部电极层12。在电介质层11和内部电极层12的层叠结构中，内部电极层12中的两层位于层叠方向上的最外层。作为内部电极层12的层叠结构的顶面和底面被覆盖层13覆盖。覆盖层13的主要成分是陶瓷材料。例如，覆盖层13的主要成分与电介质层11的主要成分相同。
例如，层叠陶瓷电容器100可以为长度0.25mm，宽度0.125mm和高度0.125mm。层叠陶瓷电容器100可以为长度0.4mm，宽度0.2mm和高度0.2mm。层叠陶瓷电容器100可以为长度0.6mm，宽度0.3mm和高度0.3mm。层叠陶瓷电容器100可以为长度1.0mm，宽度0.5mm和高度0.5mm。层叠陶瓷电容器100可以为长度3.2mm，宽度1.6mm和高度1.6mm。层叠陶瓷电容器100可以为长度4.5mm，宽度3.2mm和高度2.5mm。但是，层叠陶瓷电容器100的尺寸不受限定。
内部电极层12的主要成分是例如镍(Ni)、铜(Cu)、锡(Sn)或类似物的贱金属。内部电极层12可以由例如铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)或其合金的贵金属制成。电介质层11主要由通式ABO3表示的具有钙钛矿结构的陶瓷材料组成。钙钛矿结构包括具有非化学计量组成的ABO3-α。陶瓷材料的A位至少包括Ba。陶瓷材料可以是具有钙钛矿结构的BaTiO3(钛酸钡)、Ba1-x-yCaxSryTi1-zZrzO3(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)等。
内部电极层12中的每一层的平均厚度可以为，例如，1.5μm以下。平均厚度可以为1.0μm以下。平均厚度可以为0.7μm以下。电介质层11中的每一层的平均厚度可以为，例如，5.0μm以下。平均厚度可以为3.0μm以下。平均厚度可以为1.0μm以下。
如图2所示，其中一组连接到外部电极20a的内部电极层12的与另一组连接到外部电极20b的内部电极层12相对的部分，是在层叠陶瓷电容器100中生成电容的部分。因此，该部分被称作电容部14。即，电容部14是其中连接到不同外部电极的彼此相邻的内部电极层彼此相对的区域。
其中连接到外部电极20a的内部电极层12彼此相对、而其间不夹有连接到外部电极20b的内部电极层12的部分被称作端边缘(end margin)15。其中连接到外部电极20b的内部电极层12彼此相对、而其间不夹有连接到外部电极20a的内部电极层12的部分是另一端边缘15。即，端边缘15是其中连接到一外部电极的内部电极层12彼此相对、而其间不夹有连接到另一外部电极的内部电极层12的部分。端边缘15是层叠陶瓷电容器100中不生成电容的部分。
如图3所示，层叠芯片10的从层叠芯片10的两个侧面到内部电极层12的部分被称作侧边缘(side margin)16。即，侧边缘16是覆盖层叠的内部电极层12的朝向两个侧面的延长方向上的边缘的部分。侧边缘16不生成电容。
在层叠陶瓷电容器100中，当内部电极层12的连续系数减小时，向层叠陶瓷电容器100施加电压期间，电场集中在内部电极层12附近。在这种情况下，可靠性会降低。因此，内部电极层12的连续系数与可靠性之间存在强正相关。内部电极层12的连续系数减小的因素为，例如，电介质层11与内部电极层12的材料烧结和收缩的温度差、电介质层11的材料的异常晶粒生长等。异常晶粒生长可以定义为晶粒生长变得大于混合的主要成分陶瓷颗粒的五倍。
因此，在实施方式中，使用原子浓度比为A/B(A位元素与B位元素之间的原子浓度比)的陶瓷作为电介质层11的主要成分陶瓷。非化学计量的组成比可以抑制电介质层11的晶粒生长。
当内部电极层12中添加有共材时，内部电极层12的烧结温度升高(烧结延迟)。烧结温度变得更接近于电介质层11的电介质材料的烧结温度。在这种情况下，内部电极层的连续系数可以提高。在内部电极层12的烧结过程中，共材的一部分从内部电极层12的内部扩散至电介质层11。因此，据信共材具有与电介质层11相同的组成，或者共材的组成接近于电介质层11的组成。
例如，日本专利申请公开第2007-095382号公开道，当使用A/B比大于1的钛酸钡作为共材时，A/B比大于1的电介质层的电介质材料的晶粒生长受到抑制，可靠性提高。但是，当电介质层11中使用主要成分是包括大量Ba的钛酸钡的共材和A/B比为0.980以下的主要成分陶瓷时，从内部电极层12扩散的Ba导致电介质材料的异常晶粒生长，内部电极层12的连续系数减小，可靠性会不足。
因此，在实施方式中，使用共材，在所述共材中包括的金属元素中，Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且Ba的量为10mol％以下。例如，使用TiO2、ZrO2或HfO2作为共材。因此，不会发生Ba向电介质层11中的扩散。另外可选地，Ba向电介质层11中的扩散受到抑制。因此，内部电极层12的连续系数提高。并且，可靠性提高。
在实施方式中，电介质层11的主要成分陶瓷的A/B比设计为0.980以下(非化学计量比)。因此，相对于电介质层11的主要成分陶瓷的A/B比的晶粒生长或特性波动受到抑制。由于Ti、Zr和Hf是4族元素并容易具有4价，即使TiO2、ZrO2或HfO2扩散到内部电极层12中，TiO2、ZrO2或HfO2也易于固溶在电介质层11的主要成分陶瓷的B位中。因此，特性变化受到抑制，并且异常晶粒生长受到抑制。
当使用通常的富A(A/B＞1)电介质材料作为电介质层11的主要成分陶瓷，并且共材的主要成分是TiO2、ZrO2或HfO2时，TiO2、ZrO2或HfO2向电介质层11中扩散，并且导致异常晶粒生长，可靠性会降低。当使用化学剂量比附近的贫A(0.980＜A/B比≤1)电介质材料作为电介质层11的主要成分陶瓷，并且共材的主要成分是TiO2、ZrO2或HfO2时，比起使用钛酸钡作为共材的情况，可靠性可以提高更多。但是，贫A电介质材料(0.980≤A/B比≤1)原本易于导致异常晶粒生长。因此，可靠性会降低。另外，由于TiO2、ZrO2或HfO2向电介质材料中扩散，因此电介质材料的A/B比发生波动，电介质材料的电气特性会发生很大变化。
如上所述，电介质材料的主要成分陶瓷的A/B比为0.980以下，并且使用共材，所述共材中包括的金属元素中Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且Ba的量为10mol％以下。因此，内部电极层12的连续系数提高。另外，层叠陶瓷电容器100的可靠性提高。
日本专利申请公开第2019-134098号公开道，通过使用Zr浓度高于电介质层11的主要成分陶瓷的共材，IR(绝缘电阻)特性和高温负载寿命提高。在该文献中，共材的主要成分是BaTi1-zZrzO3，其为包括Ba的基于BaTiO3的钙钛矿化合物。因此，日本专利申请公开第2019-134098号的共材的组成和作用机理与本申请实施方式的那些不同。例如，在实施方式中，电介质层11的主要成分陶瓷是A/B比为0.980以下的电介质材料。Ba从内部电极层12的扩散受到抑制。Ba与富含Ti、Zr或Hf的壳相之间的反应受到抑制。因此，内部电极层12附近的异常晶粒生长受到抑制。因此，Ba的量少是有利的。实施方式中的共材与Zr浓度高的Ti1- zZrzO3共材具有实质性区别。
图4示出Ni圆柱样品的TMA(热机械分析)结果。通过将TiO2、ZrO2等添加到Ni膏中，干燥所得Ni膏，将粘合剂添加到所得Ni膏中，使所得Ni膏粒化，并使用压机形成圆柱体形状，形成该样品。当添加TiO2或ZrO2时，比起没有共材的样品，烧结延迟更多。在TiO2的重量份与ZrO2的重量份相同的条件下，添加ZrO2的样品延迟更多。Hf与Zr属于同一族。HfO2的化学特性几乎与ZrO2的化学特性相同。因此，据信添加HfO2的样品延迟与添加ZrO2的样品延迟一样好。因此，TiO2、ZrO2和HfO2充当防止内部电极层12中的金属材料烧结的共材。但是，如上所述，该共材导致A/B比大于0.980的通常的电介质材料的异常晶粒生长。因此，该共材并不适合，不使用该共材。对于层叠陶瓷电容器中的A/B比为0.980以下的电介质材料，该共材是可用的。
当内部电极层12中共材的量少时，可能无法充分提高烧结温度。因此，优选地，内部电极层12中共材的量具有下限。例如，优选地，内部电极层12中共材的量为5质量％以上。更优选地，内部电极层12中共材的量为7.5质量％以上。更优选地，内部电极层12中共材的量为10质量％以上。
当内部电极层12中共材的量大时，内部电极层12的电导率会降低，可能无法实现作为电极的功能。因此，优选地，内部电极层12中共材的量具有上限。例如，优选地，内部电极层12中共材的量为30质量％以下。更优选地，内部电极层12中共材的量为25质量％以下。再更优选地，内部电极层12中共材的量为20质量％以下。
优选地，内部电极层12中的共材为TiO2、ZrO2或HfO2。可以使用它们的组合。当使用组合时，在共材中包括的金属元素中，Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且Ba的量为10mol％以下。例如，共材中可以包括有包括Ba的陶瓷，例如BaTiO3。
例如，优选地，内部电极层12的连续系数为80％以上。图5示出连续系数。如图5所示，在内部电极层12中的长度为L0的观察区中，测量金属部分的长度L1、L2至Ln，并对它们求和。金属部分的比率ΣLn/Lo可以定义为连续系数。优选地，内部电极层12的连续系数为85％以上。更优选地，内部电极层12的连续系数为90％以上。
从抑制电介质层11的晶粒生长的观点出发，优选地，电介质层11的主要成分陶瓷的A/B比为0.98以下。更优选地，A/B比为0.96以下。从高介电常数的观点出发，电介质层11的主要成分陶瓷的A/B比为0.90以上。更优选地，A/B比为0.94以上。
电介质层11的主要成分陶瓷是基于钛酸钡的。ZrO2和HfO2中的至少一种可以固溶在钛酸钡中。在这种情况下，电介质层11的主要成分陶瓷具有包括主要成分是钛酸钡的核和以富含Ti、Zr或Hf的扩散层为壳的核-壳结构。
接下来，将对层叠陶瓷电容器100的制造方法进行说明。图6示出层叠陶瓷电容器100的制造方法。
(原料粉末的制造工序)制备用于形成电介质层11的电介质材料。电介质材料包括电介质层11的主要成分陶瓷。通常，A位元素和B位元素以ABO3颗粒的烧结相(sinteredphase)的形式包括在介质层11中。例如，BaTiO3是具有钙钛矿结构的四方晶系化合物并具有高介电常数。一般来说，BaTiO3是通过将钛材料(例如二氧化钛)与钡材料(例如碳酸钡)反应并合成钛酸钡而获得的。称量每种材料，使得合成之后在钙钛矿结构中，A/B比为0.980以下。可以使用多种方法作为构成电介质层11的陶瓷的合成方法。例如，可以使用固相法、溶胶-凝胶法、水热法等等。该实施方式可以使用这些方法中的任一种。
根据目的，可以向得到的陶瓷粉末中加入添加剂化合物。添加剂化合物可以是Zr、Mg、Mn、V(钒)、Cr(铬)的氧化物，Eu的氧化物，或Co(钴)、Ni、Li(锂)、B(硼)、Na、K(钾)和Si的氧化物，或玻璃。如果必要，可以使用稀土元素(Sc(钪)、Y、La(镧)、Ce(铈)、Pr(镨)、Nd(钕)、Pm(钷)、Sm(钐)、Gd(钆)、Tb(铽)、Dy、Ho(钬)、Er(铒)、Tm(铥)、Yb(镱)或Lu(镥)的氧化物。
例如，将包括添加剂化合物的化合物与所得的陶瓷原料粉末湿混，并干燥和粉碎，得到陶瓷材料。例如，如果需要，可以通过将所得的陶瓷材料粉碎来调节粒径。另外可选地，可以通过将粉碎与分级组合来调节所得的陶瓷粉末的粒径。由此，获得电介质材料。
(层叠工序)接下来，将例如聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树脂的粘合剂、例如乙醇或甲苯的有机溶剂以及增塑剂添加到所得的电介质材料中，并进行湿混。使用所得到的浆料，通过例如模涂机法或刮刀法，将厚度为0.5μm以上的带状电介质生片涂布在基材上，然后干燥。
接下来，通过丝网印刷或凹版印刷将用于形成内部电极的金属导电膏施用于电介质生片的表面。金属导电膏包括有机粘合剂。将共材添加到金属导电膏中，在所述共材中包括的金属元素中，Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且Ba的量为10mol％以下。
之后，将其上印刷有内部电极层图案的电介质生片切成预定尺寸。然后，在剥离基材的同时交替地层叠电介质生片，使得内部电极层12和电介质层11彼此交替，并且内部电极层12的端缘交替地露出于电介质层11的长度方向上的两个端面，以便交替地引出至一对不同极性的外部电极20a和20b。例如，层叠的电介质生片的总数量为100至1000。将用于形成覆盖层13的覆盖片夹持在层叠的电介质生片之上以及层叠的电介质生片之下。将所得的层叠的电介质生片切成预定的芯片尺寸(例如1.0mm×0.5mm)。
(烧制工序)在N2气氛下，从陶瓷层叠结构中除去粘合剂。之后，通过浸渍法将要成为外部电极20a和20b的基底层的Ni膏施用于陶瓷层叠结构。在1100℃至1300℃的温度范围内，在氧分压为10-12至10-9atm的还原性气氛中，将所得的陶瓷层叠结构烧制10分钟至2小时。通过该方式，可以制造层叠陶瓷电容器100。
(再氧化工序)之后，在N2气气氛中在600℃至1000℃的温度范围内进行再氧化工序。
(镀覆工序)之后，通过镀覆法，在外部电极20a和20b上形成诸如Cu、Ni、Sn等的金属层。通过这些工序，制造层叠陶瓷电容器100。
在实施方式的制造方法中，电介质材料的主要成分陶瓷的A/B比为0.980以下，并且使用共材，在所述共材中包括的金属元素中，Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且Ba的量为10mol％以下。因此，内部电极层12的连续系数提高。另外，层叠陶瓷电容器100的可靠性提高。
当内部电极图案中的金属导电膏中的共材的量少时，可能无法充分提高烧结温度。因此，优选地，金属导电膏中共材的量具有下限。例如，优选地，金属导电膏中共材的量为5质量％以上。更优选地，金属导电膏中共材的量为7.5质量％以上。再更优选地，金属导电膏中共材的量为10质量％以上。
当内部电极图案中的金属导电膏中的共材的量大时，内部电极层12的电导率会降低，可能无法实现作为电极的功能。因此，优选地，金属导电膏中共材的量具有上限。例如，优选地，金属导电膏中共材的量为30质量％以下。更优选地，金属导电膏中共材的量为25质量％以下。再更优选地，金属导电膏中共材的量为20质量％以下。
优选地，金属导电膏中的共材为TiO2、ZrO2或HfO2。可以使用它们的组合。当使用组合时，在共材中包括的金属元素中，Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且Ba的量为10mol％以下。例如，共材中可以包括有包括Ba的陶瓷，例如BaTiO3。
从抑制电介质层11的晶粒生长的观点出发，优选地，电介质材料的主要成分陶瓷的A/B比为0.98以下。更优选地，A/B比为0.96以下。从高介电常数的观点出发，电介质材料的主要成分陶瓷的A/B比为0.90以上。再更优选地，A/B比为0.94以上。
在实施方式中，对层叠陶瓷电容器进行说明作为陶瓷电子器件的实施例。但是，实施方式并不限于层叠陶瓷电容器。例如，实施方式可以应用于其他电子器件，例如压敏电阻或热敏电阻。
[实施例]
制造根据实施方式的层叠陶瓷电容器，并进行特性测量。
(实施例1)以预定的比例，对A/B比为0.960的钛酸钡、每种添加剂化合物和有机溶剂进行称重。将所得材料混合，并使用φ为0.5mm的氧化锆珠粉碎。由此形成电介质材料。分散之后，使用粒径分布测量仪测量浆料样品的直径。将粘合剂添加到浆料中。使用该浆料形成厚度为2.5μm的电介质生片。将添加有各共材并捏合的Ni膏印刷在电介质生片上。使用ZrO2作为共材。相对于Ni，共材的量为10重量份。Ni膏的印刷量为约3μg/mm2。层叠10张其上印刷有Ni膏的电介质生片。各覆盖片压合在所层叠的电介质生片之上和之下。将陶瓷层叠结构切成预定尺寸。在N2气氛中，将粘合剂从所得的陶瓷层叠结构中移除。在此之后，将要成为外部电极基底层的金属导电膏施用于层叠陶瓷结构，并进行干燥。在此之后，在还原性气氛中对陶瓷层叠结构进行烧制。
(实施例2)在实施例2中，使用ZrO2作为共材。相对于Ni，共材的量为5重量份。其他条件与实施例1中相同。
(实施例3)在实施例3中，使用TiO2作为共材。相对于Ni，共材的量为10重量份。其他条件与实施例1中相同。
(实施例4)在实施例4中，使用TiO2作为共材。相对于Ni，共材的量为5重量份。其他条件与实施例1中相同。
(实施例5)在实施例5中，电介质材料钛酸钡的A/B比为0.980。使用TiO2作为共材。相对于Ni，共材的量为10重量份。其他条件与实施例1中相同。
(实施例6)在实施例6中，电介质材料钛酸钡A/B比为0.940。使用TiO2作为共材。相对于Ni，共材的量为10重量份。其他条件与实施例1中相同。
(比较例1)在比较例1中，用于形成内部电极层的金属导电膏中未添加共材。其他条件与实施例1中相同。
(比较例2)在比较例2中，使用BaTiO3作为共材。相对于Ni，共材的量为10重量份。其他条件与实施例1中相同。
(比较例3)在比较例3中，使用BaCO3用作共材。相对于Ni，共材的量为10重量份。其他条件与实施例1中相同。
(比较例4)在比较例4中，电介质材料钛酸钡的A/B比为1.010。
其他条件与实施例1中相同。
(比较例5)在比较例5中，电介质材料钛酸钡的A/B比为0.990。其他条件与比较例2中相同。
(比较例6)在比较例6中，电介质材料钛酸钡的A/B比为0.990。
其他条件与实施例1中相同。
对于实施例1至6以及比较例1至6中的每个层叠陶瓷电容器，使用LCR仪测量容量。通过研磨埋入树脂中的每个样品、使用激光显微镜观察，并使用图像分析软件，计算内部电极层的连续系数。通过将连续电极部分的总长度除以内部电极层在研磨横截面中的总长度，可以计算内部电极层的连续系数。另外，使用SEM观察埋入树脂中的每个样品的电介质晶粒。当一部分电介质颗粒的晶粒生长变得大于混合钛酸钡的五倍时，确定样品中出现异常晶粒生长。通过在烧制后在125℃下向1μm厚的电介质层施加50V的电压，对加速寿命(highly accelerated life time，HALT)进行测量。当样品的HALT平均值为3000min以上时，该样品确定为良“○”。使用SEM或TEM来进行EDS分析，从而测量共材中的元素的量。表1示出结果。
[表1]
Figure BDA0003531779830000111
比较例1确定为差“×”。据信这是因为没有添加共材，连续系数减小。比较例2确定为差“×”。据信这是因为使用BaTiO3作为共材，大量的Ba扩散到电介质层中，导致异常晶粒生长，并且连续系数减小。比较例3确定为差“×”。据信这是因为使用BaCO3作为共材，大量的Ba扩散到电介质层中，导致异常晶粒生长，并且连续系数减小。比较例4确定为差“×”。据信这是因为电介质材料的A/B比大于0.980，导致异常晶粒生长，并且连续系数减小。比较例5确定为差“×”。据信这是因为使用BaTiO3作为共材，大量的Ba扩散到电介质层中，导致异常晶粒生长，并且连续系数减小。另外，据信这还因为电介质材料的A/B比大于0.980，导致异常晶粒生长，并且连续系数减小。比较例6确定为差“×”。据信这是因为电介质材料的A/B比大于0.980，导致异常晶粒生长，并且连续系数减小。
相反，实施例1～6被确定为良“○”。据信这是因为，使用A/B比为0.980以下的陶瓷作为电介质材料的主要成分陶瓷，并且使用了共材，所述共材中包括的金属元素中Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且Ba的量为10mol％以下。
尽管已对本发明的实施方式加以详述，但应当理解到，可以在不脱离本发明的构思和范围的情况下对其进行各种改变、替换和变更。

Claims (7)

1.一种陶瓷电子器件，包括：
层叠结构，其中多个电介质层中的每一层与多个内部电极层中的每一层交替地层叠，
其中所述多个电介质层的主要成分是具有钙钛矿结构的陶瓷，所述钙钛矿结构的A位至少包括Ba，并且A/B比为0.980以下，
其中所述多个内部电极层包括共材，并且
其中在所述共材中包括的金属元素中，Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，并且在所述金属元素中，Ba的量为10mol％以下。
2.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中所述多个内部电极层的连续系数为80％以上。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述多个内部电极层中所述共材的比率为5质量％以上且30质量％以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷电子器件，其中所述共材是TiO2、ZrO2或HfO2。
5.一种制造陶瓷电子器件的方法，包括；
通过层叠多个层叠单元形成层叠结构，在所述层叠单元中，包括陶瓷材料粉末的电介质材料的电介质生片上印刷有包括共材的金属导电膏图案，所述陶瓷材料粉末具有A位至少包括Ba、且A/B比为0.980以下的钙钛矿结构，所述共材中包括的金属元素中Ti、Zr和Hf的总量为90mol％以上，所述金属元素中Ba的量为10mol％以下；和
烧制所述层叠结构。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属导电膏中所述共材相对于金属粉末的比率为5质量％以上且30质量％以下。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其中所述共材是TiO2、ZrO2或HfO2。
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