JP4788761B2 - 機能性デバイス及びその製造方法 - Google Patents

機能性デバイス及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4788761B2
JP4788761B2 JP2008301174A JP2008301174A JP4788761B2 JP 4788761 B2 JP4788761 B2 JP 4788761B2 JP 2008301174 A JP2008301174 A JP 2008301174A JP 2008301174 A JP2008301174 A JP 2008301174A JP 4788761 B2 JP4788761 B2 JP 4788761B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
substrate
functional device
electrolyte solution
corrosion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008301174A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010129291A (ja
JP2010129291A5 (ja
Inventor
麗子 米屋
正樹 折橋
正浩 諸岡
祐輔 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US12/735,794 priority Critical patent/US20110048525A1/en
Priority to JP2008301174A priority patent/JP4788761B2/ja
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to CN2009801064879A priority patent/CN101965662A/zh
Priority to EP09829115A priority patent/EP2352202A4/en
Priority to KR1020107018851A priority patent/KR20110086783A/ko
Priority to BRPI0908192-5A priority patent/BRPI0908192A2/pt
Priority to PCT/JP2009/069907 priority patent/WO2010061870A1/ja
Priority to EP12153440A priority patent/EP2458605A1/en
Publication of JP2010129291A publication Critical patent/JP2010129291A/ja
Publication of JP2010129291A5 publication Critical patent/JP2010129291A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4788761B2 publication Critical patent/JP4788761B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M14/00Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
    • H01M14/005Photoelectrochemical storage cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2022Light-sensitive devices characterized by he counter electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00Electrodes
    • H01M4/02Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/38Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of elements or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2027Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2059Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2068Panels or arrays of photoelectrochemical cells, e.g. photovoltaic modules based on photoelectrochemical cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

本発明は、電解質溶液による腐食を抑止し耐久性を向上させることができる機能性デバイス及びその製造方法に関し、特に、色素増感太陽電池等の光電変換機能を有するデバイス、画像表示機能を有するデバイス等の電解質溶液を使用した機能性デバイス及びその製造方法に関するものである。
光電変換機能を有するデバイスの代表的な例として、太陽電池がある。太陽光を利用する太陽電池は、化石燃料に代わるエネルギー源として注目され、種々の研究が行われている。太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置の1種であり、太陽光をエネルギー源としているため、地球環境に対する影響が極めて小さく、より一層の普及が期待されている。
色素によって増感された光誘起電子移動を応用した色素増感太陽電池(DSC:Dye sensitized Solar Cell)は、近年、シリコン(Si)系太陽電池等に替わる次世代の太陽電池として注目され、広く研究が行われている。増感色素として、可視光近辺の光を効果的に吸収できる物質、例えばルテニウム錯体等が用いられる。色素増感太陽電池は、高い光電変換効率を有し、真空装置等の大掛かりな製造装置を必要とせず、酸化チタン等の安価な半導体材料を用いて、簡易に生産性よく製造できるため、新世代の太陽電池として期待されている。
一般に、太陽電池に必要な特性として、長期にわたり安定した光電変換特性を示すことが要求される。色素増感太陽電池では、その構成要素として液状の電解質成分を含むことが一般的である。長期にわたり安定した光電変換特性を得るためには、電解質溶液による腐食に起因する特性劣化が重要な課題とされてきた。また、金属基板を使用し光電変換効率を向上させる検討がなされている。これらの課題を解決するための種々の方法が検討されてきており、例えば、次に述べるような方法がある。
先ず、「色素増感型光電変換素子の製造方法、及び色素増感型光電変換素子用塗料」と題する後記の特許文献1には、次の記載がある。
光電極に対向する対電極は、導電性基板上に導電層及び触媒層が順次に形成された構成を採っている。対電極の基板は、Ni、Fe、Pt、Al、In、Sn、Cu、Zn、Ag、Au、Mo、Ti、Zr、SUS等の金属板または酸化スズ、フッ素ド−プ酸化スズ、錫ド−プ酸化インジウム等の導電性酸化物基板、またはNi、Fe、Pt、Al、In、Sn、Cu、Z、Ag、Au、Mo、Ti、Zr、SUS等の金属板上に酸化スズ、フッ素ド−プ酸化スズ、錫ド−プ酸化インジウム等導電性酸化物膜を形成したもの、酸化スズ、フッ素ド−プ酸化スズ、錫ド−プ酸化インジウム等の導電性酸化物基板上にNi、Fe、Pt、Al、In、Sn、Cu、Zn、Ag、Au、Mo、Ti、Zr、SUS等の金属膜を形成したものを用いることができる。基板が上述した金属板或いは導電性酸化物基板から構成される場合、又は導電性酸化物膜や金属膜を含むことにより導電性を呈する場合、導電層は特に設ける必要はない。対電極の触媒層は、所定の導電性高分子中に触媒作用を有する貴金属粒子が分散し、貴金属粒子のいくつかは表面に露出した状態を呈するとしている。
また、「色素増感太陽電池」と題する後記の特許文献2には、次の記載がある。
対向電極は、電極基材の表面に導電性高分子触媒層が形成された構造をしている。該電極基材は、導電性高分子触媒層の支持体兼集電体として用いられるため、表面部分に導電性を有していることが好ましい。このような材質としては、例えば導電性を有する金属や金属酸化物、炭素材料や導電性高分子等が好適に用いられる。金属としては、例えば白金、金、銀、ルテニウム、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、クロム、鉄、モリブデン、チタン、タンタル、及びそれらの合金等が挙げられる。炭素材料としては、特に限定はされないが、例えば黒鉛(グラファイト)、カーボンブラック、グラッシーカーボン、カーボンナノチューブ、フラーレン等が挙げられる。また、FTO、ITO、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化アンチモン等の金属酸化物を用いた場合、透明または半透明であるため増感色素層への入射光量を増加させることができ、好適に用いることができるとしている。
また、「色素増感型太陽電池及びその製造方法」と題する後記の特許文献3には、次の記載がある。
対極は、白金触媒層及び導電膜7より構成され、基材上に形成される。白金触媒層は、膜厚10nm程度の白金の膜からなる。導電膜の材料としては、金、銀、アルミニウム、インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム錫(ITO)、フッ素をドープした酸化錫(FTO)等を用いることができ、基材としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板等を使用することができるとしている。
また、「色素増感型太陽電池の電極材」と題する後記の特許文献4には、色素増感型太陽電池の電極を構成する金属材料であって、特にヨウ素を含む電解質溶液と直接接触して溶液中のイオンに電子を渡すための「対極」に適した電極材に関する記載がある。
また、「電極材料及び該材料を用いた導電性フィルム、及び太陽電池並びに光電極」と題する後記の特許文献5には、次の記載がある。
電極材料は、高分子樹脂よりなる基材フィルムの表面に、単数又は複数の導電性物質よりなる導電性薄膜を1層又は2層以上積層してなる導電性フィルムにおいて前記導電性薄膜として用いられる電極材料であって、前記電極材料としての前記導電性物質により形成される前記導電性薄膜のうち少なくとも1つが、電気を通す性質である導電性を有し、且つ前記導電性薄膜を80℃のヨウ素溶液(ヨウ素、ヨウ化リチウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム(TBAI)、リン酸トリブチル(TBP)をアセトニトリル溶液に溶解させてなる溶液)に浸漬した状態で96時間経過しても体積比で80%以上が溶解せずに残存している耐ヨウ素性をも有する物質であることを特徴としている。
上記の電極材料において、前記導電性物質が、ニッケル、チタン、クロム、ニオブ、プラチナ、イリジウム、ステンレス鋼、タンタル、タングステン、又はモリブデンの何れか若しくは複数よりなる合金、または何れかよりなる合金の複数、であることを特徴としている。
なお、後記の非特許文献1には、受光面にガラス基板を、対極にチタン板を使用した色素増感太陽電池の耐久性に関する記載があるが、対極に関する詳細な構造については明記されていない。
特開2006−278131号公報(段落0024、段落0026、段落0040、段落0042、段落0044、図1、図3) 特開2007−317446号公報(段落0051〜0052、図1) 特開2008−186768号公報(段落0016、段落0031、図1) 特開2008−034110号公報(段落0001、段落0008〜0017、図2) 特開2008−257948号公報(段落0014〜0020) 島根県産業技術センター、「耐久性に優れた色素増感太陽電池を開発」、[online]、平成20年2月7日報道発表、[平成20年11月1日検索]、インターネット<www.shimane-iit.jp/project/pr080207.pdf>
一般的に、従来の色素増感太陽電池は、透明導電層、半導体多孔質層が絶縁性基板上に順次形成され、増感色素が半導体多孔質層に担持されており、太陽光が入射される光電極と、透明導電層、導電性触媒層が絶縁性基板上に順次形成されており、光電極に対向して配置される対向電極、及び、この両電極の間に封止された電解質溶液から構成されている。
このような構成において、光電極及び対向電極を構成する絶縁性基板としてガラスや有機樹脂板が使用され、光電極及び対向電極を構成する透明導電層としてフッ素ドープ酸化錫(FTO)やインジウムドープ酸化錫(ITO)等の層が使用され、導電性触媒層として白金(Pt)等の貴金属の層が使用されていた。また、電解質溶液としてヨウ素系酸化還元対をアセトニトリル等の有機溶媒に溶解させたものが使用されていた。
従来の色素増感太陽電池の構成では、光電極及び対向電極を構成する絶縁性基板及び透明導電層の電気抵抗並びにこれら二層の接触抵抗、更に、対向電極の透明導電層及び導電性触媒層の電気抵抗並びにこれら二層の接触抵抗接触抵抗のために、色素増感太陽電池の直列抵抗を十分に小さくすることができなかった。このため、曲線因子(FF因子;フィルファクター)を増大させ光電変換特性を向上させることが困難であった。また、色素増感太陽電池を構成する各層のヨウ素の腐食性による劣化等による耐久性の低下に対する対策が要求されている。
以下の説明において、「光電極層」は、光入射側又は視認(観察)側に配置される透明電極層を意味し、単に「電極層」とも言うことがある。また、「対向電極層」は、「光電極層」に対向して配置され、金属基板、耐食性導電層、導電性触媒層の三者を合わせたものを意味し、単に「対向電極」とも言うことがある。なお、以下で使用する「耐食性導電層」及び「導電性触媒層」の表現は、「金属基板」の厚さが、「耐食性導電層」又は「導電性触媒層」の厚さの少なくとも100倍以上であることを示すために使用している。
本発明は、上述したような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、対向電極の基板として金属基板を使用し電解質溶液による腐食を抑止して、耐久性を向上させることができる機能性デバイス及びその製造方法を提供することができる。
即ち、本発明は、光透過性を有する第1の基板(例えば、後述の実施の形態における第1の基板(光電基板)11)と、導電性及び光透過性を有し前記第1の基板上に形成された電極層(例えば、後述の実施の形態における電極層(光電極層)12a)と、金属からなる第2の基板(例えば、後述の実施の形態における第2の基板(対向電極基板)18a、18b)と、前記第1の基板と前記第2の基板の間隙に充填された電解質溶液(例えば、後述の実施の形態における電解質溶液15)と、この電解質溶液に対して耐腐食性を有し前記第2の基板上に形成された耐腐食性導電層(例えば、後述の実施の形態における耐腐食性導電層17a、17b)と、導電性及び触媒活性を有し前記耐腐食性導電層の面に形成された導電性触媒層(例えば、後述の実施の形態における導電性触媒層16)と、を有する機能性デバイスに係るものである。
また、本発明は、金属からなる基板(例えば、後述の実施の形態における第2の基板(対向電極基板)18a、18b)の面に電解質溶液(例えば、後述の実施の形態における電解質溶液15)に対して耐腐食性を有する耐腐食性導電層(例えば、後述の実施の形態における耐腐食性導電層17a、17b)を形成する第1の工程と、導電性及び触媒活性を有する導電性触媒層(例えば、後述の実施の形態における導電性触媒層16)を前記耐腐食性導電層の面に形成する第2の工程と、を有する、機能性デバイスの製造方法に係るものである。
本発明によれば、前記第2の基板を前記金属によって構成しこれに前記耐腐食性導電層及び前記導電性触媒層を形成し、前記電解質溶液による腐食を抑止し耐久性を向上させるころができると共に、前記第2の基板、前記耐腐食性導電層、前記導電性触媒の三者のなす直列抵抗を減少させることができる機能性デバイスを提供することができる。
また、本発明によれば、前記金属からなる前記基板に前記耐腐食性導電層及び前記導電性触媒層を形成し、前記電解質溶液による腐食を抑止し耐久性を向上させることができると共に、前記基板、前記耐腐食性導電層、前記導電性触媒の三者のなす直列抵抗を減少させることができる機能性デバイスの製造方法を提供することができる。
本発明の機能性デバイスでは、前記金属が、アルミニウム、銅、銀、金、ステンレス鋼の何れかであり、前記耐腐食性導電層が、チタン、クロム、ニッケル、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、ハステロイの何れかによって形成された構成とするのがよい。このような構成によれば、前記金属が前記電解質溶液によって腐食されるような場合においても、前記金属が前記耐腐食性導電層によって保護され、耐久性を向上させることができる。また、直列抵抗を減少させることができる。更に、前記耐腐食性導電層がクロム、ニッケルである場合には、耐腐食性導電層は前記導電性触媒層の下地層としても作用し、この下地層は前記金属に密着して形成され、更に、下地層に前記導電性触媒層が密着して形成されるので、前記導電性触媒層を安定して形成することができる。
また、前記導電性触媒層が、カーボン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、導電性高分子の何れかによって形成された構成とするのがよい。このような構成によれば、前記導電性触媒層が前記電解質溶液に対する耐腐食性を有するので、耐久性を向上させることができる。
また、前記金属が、チタン、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、ハステロイの何れかである構成とするのがよい。このような構成によれば、前記金属が前記電解質溶液に対する耐腐食性を有するので、耐久性を向上させることができる。また、直列抵抗を減少させることができる。
また、前記耐腐食性導電層がクロム又はニッケルによって形成された構成とするのがよい。このような構成によれば、前記金属が前記耐腐食性導電層によって保護され、耐久性を向上させることができる。また、前記金属に形成される耐腐食性導電層は前記導電性触媒層の下地層としても作用し、この下地層は前記金属に密着して形成され、更に、下地層に前記導電性触媒層が密着して形成されるので、前記導電性触媒層を安定して形成することができる。
また、前記金属がクロム又はニッケルであり前記耐腐食性導電層を兼ねている構成とするのがよい。このような構成によれば、前記金属が前記電解質溶液に対する耐腐食性を有するので、前記金属上に前記電解質溶液に対して耐腐食性を有する層を重ねて形成する必要がなく、単純な構造とすることができる。また、直列抵抗を減少させることができる。
また、前記導電性触媒層が、カーボン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、導電性高分子の何れかを含む構成とするのがよい。このような構成によれば、前記導電性触媒層が前記電解質溶液に対する耐腐食性を有するので、耐久性を向上させることができる。
また、前記電解質溶液は、酸化還元対I3 - /I- を生成するヨウ素/ヨウ化物を含む構成とするのがよい。このような構成によれば、一般的に使用される前記電解質溶液を使用することができる。
また、前記間隙に前記電解質溶液を充填するための開口部が前記第2の基板を貫通して形成され、前記開口部の面に下層より前記耐腐食性導電層、前記導電性触媒層が形成された構成とするのがよい。このような構成によれば、前記第1の基板と前記第2の基板との間に前記電解質溶液を充填する際に、前記電解質溶液が前記開口部の面に残存する場合や、前記開口部がエンドシール(封止剤)によって封止された後、前記開口部の全てがエンドシール(封止剤)によって封止されず前記開口部の一部の面に前記電解質溶液が接触するような場合でも、前記金属が前記電解質溶液に対する耐腐食性を有するか、又は、前記金属が前記耐腐食性導電層によって保護されているので、耐久性を向上させることができる。
また、前記第2の基板の面積は前記第1の基板の面積よりも小さく、前記電解質溶液と接する面に対向する前記第2の基板の面に接続される引出電極を有する構成とするのがよい。このような構成によれば、前記金属から構成される前記第2の基板が前記導電性触媒層の支持体とされると共に集電体とされ、前記電解質溶液と接しない面に前記引出電極を接続することができ、機能性デバイスの直列抵抗を低下させることができると共に、機能性デバイスのサイズを小さくすることができ、単位面積当たりに配列させることができる機能性デバイスの数を増大させることができる。
また、光電変換機能、又は、画像表示機能、又は、防眩機能を有するデバイスとして構成されたものとするのがよい。このような構成によれば、直列抵抗を低下させることができると共に、耐久性を向上させることが可能な機能性デバイスを提供することができる。
また、光電変換機能を有するデバイスとして構成された機能性デバイスであり、増感色素が担持された半導体多孔質層が前記電極層の面に形成され、光吸収によって励起された前記増感色素の電子が前記半導体多孔質層へ取り出されると共、前記電子を失った前記増感色素が、前記電解質溶液中の還元剤によって還元される色素増感光電変換装置として構成されたものとするのがよい。このような構成によれば、直列抵抗を低下させ光電変換特性を向上させることができると共に、耐久性を向上させることが可能な色素増感光電変換装置を提供することができる。
また、画像表示機能を有するデバイスとして構成された機能性デバイスであり、前記電解質溶液は、還元反応によって前記電極層に析出し発色する金属イオンを含む構成とするのがよい。このような構成によれば、直列抵抗を低下させることができると共に、耐久性を向上させることが可能な画像表示デバイスを提供することができる。
また、画像表示機能を有するデバイスとして構成された機能性デバイスであり、酸化反応又は還元反応により発色するエレクトロクロミック色素が担持された半導体多孔質層が前記電極層に形成された構成とするのがよい。このような構成によれば、直列抵抗を低下させることができると共に、耐久性を向上させることが可能な画像表示デバイスを提供することができる。
また、防眩機能を有するデバイスとして構成された機能性デバイスであり、酸化発色型又は還元発色型のエレクトロクロミック化合物を含む発色層が前記電極層の面に形成された構成とするのがよい。このような構成によれば、直列抵抗を低下させることができると共に、耐久性を向上させることが可能な防眩デバイスを提供することができる。
本発明の機能性デバイスの製造方法では、前記金属が、アルミニウム、銅、銀、金、ステンレス鋼の何れかであり、前記導電性触媒層が、チタン、クロム、ニッケル、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、ハステロイの何れかによって形成される構成とするのがよい。このような構成によれば、前記金属が前記電解質溶液によって腐食されるような場合においても、前記金属が前記耐腐食性導電層によって保護され、耐久性を向上させることができると共に、直列抵抗を減少させることができる機能性デバイスの製造方法を提供することができる。また、前記耐腐食性導電層がクロム、ニッケルである場合には、耐腐食性導電層は前記導電性触媒層の下地層としても作用し、この下地層は前記金属に密着して形成され、更に、下地層に前記導電性触媒層が密着して形成されるので、前記導電性触媒層を安定して形成することができる機能性デバイスの製造方法を提供することができる。
また、前記導電性触媒層が、カーボン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、導電性高分子の何れかによって形成される構成とするのがよい。このような構成によれば、前記導電性触媒層が前記電解質溶液に対する耐腐食性を有するので、耐久性を向上させることができる機能性デバイスの製造方法を提供することができる。
また、前記第1の工程に先立って前記基板に前記電解質溶液を注入するための開口部を、前記基板を貫通させて形成する工程を有し、前記第1及び第2の工程によって、前記開口部の面に下層より前記耐腐食性導電層、前記導電性触媒層が形成される構成とするのがよい。このような構成によれば、機能性デバイスの内部に前記電解質溶液を充填する際に、前記電解質溶液が前記開口部の面に残存する場合や、前記開口部がエンドシール(封止剤)によって封止された後、前記開口部の全てがエンドシール(封止剤)によって封止されず前記開口部の一部の面に前記電解質溶液が接触するような場合でも、前記金属が前記耐腐食性導電層によって保護されているので、耐久性を向上させることができる機能性デバイスの製造方法を提供することができる。
本発明の機能性デバイスでは、対向電極の基板として低抵抗の金属基板を使用し、金属基板の表面に低抵抗の耐腐食性導電層を形成することによって、電解質溶液による腐食を抑止すると共に、電気抵抗を減少させることができる。
以下、本発明に係る機能性デバイスの例について、図面を参照しながら詳細に説明する。先ず、光電変換装置として色素増感太陽電池を例にとって説明する。
実施の形態
[色素増感太陽電池の構成例(その1)]
図1は、本発明の実施の形態における、色素増感太陽電池の構成例を模式的に示す断面図である。
図1に示すように、色素増感太陽電池は、太陽光10が入射される光電極と、これに対向する対向電極と、両極間に保持された電解液15から構成される。光電極は、透明な光電極基板(第1の基板)11上に形成された透明な光電極層(電極層、第1の電極層)12aによって形成され、光電極層12a上には、増感色素が担持された半導体多孔質層13が形成されている。
半導体多孔質層13は、例えば、ナノサイズの酸化チタン(TiO2)からなり、増感色素は、例えば、ルテニウムビピリジル錯体である。対向電極は、金属からなる対向電極基板(第2の基板)18aとその上に形成された耐食導電層17a、導電性触媒層16によって形成されている。対向電極基板18a、耐食導電層17a、導電性触媒層16の三者は対向電極層(第2の電極層)12bを構成し、対向電極基板18aは導電性触媒層16の支持体となると共に、集電体として使用される。
対向電極基板18aは、例えば、アルミニウム、銅、ステンレス鋼(SUS)等の低抵抗の金属基板であり、耐食導電層17aは、例えば、クロム、ニッケル、チタン、ルテニウム等である。
電解質溶液15は、例えば、ヨウ素とヨウ素イオンの酸化還元(レドックス)系がニトリル系の溶媒に溶解された溶液である。電解質溶液注入孔20a、20bから充填される電解質溶液15は、メインシール(封止剤14a)、エンドシール(封止剤14b)、エンドシール板19によって、光電極と対向電極の間に封止保持されている。
太陽光10が照射されると、増感色素の基底状態にある電子が励起され励起状態へと遷移し、励起された電子は酸化チタン半導体の伝導帯へ注入され、電極層12aに集電され、外部回路を通って対向電極に移動する。対向電極に移動した電子は電解質溶液15中のイオンによって運ばれ、基底状態の増感色素に戻る。
このような過程の繰り返しによって、還元体I- は光電極側で酸化され酸化体I3 - となり、酸化体I3 - は対向電極側で還元され、もとの還元体I- に戻る。即ち、光電極側における還元剤I- の酸化反応(3I- →I3 - +2e- )、対向電極における酸化剤I3 -(I2 とI- との結合体)の還元反応(I3 - +2e- →3I- )を生じ、光が電流に変換されて電気エネルギーが外部に取り出される。
次に、色素増感太陽電池の構成要素について順次説明する。
[光電極基板(第1の基板)]
光電極基板(第1の基板)11として、可視光領域の透過性が高く、水、酸素等の各種のガス及び有機溶媒の遮断性に優れ、耐溶剤性及び耐候性に優れる基板が好ましく、透明無機基板、透明樹脂基板を使用することができる。
例えば、透明無機基板として、例えば、石英、サファイア及びガラス等を使用することができる。透明樹脂基板として、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、トリアセチルセルロース(TAC)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリエステル、ポリプロピレン(PP)、ポリアリレート(PAr)、ポリエーテルサルフォン(PES)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリフッ化ビニリデン、ポリイミド(PI)、ポリアミド(PA)、ポリスルホン(PS)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリメチルペンテン、トリ酢酸セルロース等を使用することができる。
[光電極層(電極層、第1の電極層)]
光電極層(電極層、第1の電極層)12aとして、例えば、MgO(Magnesium Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)、SnO2(Tin Oxide)、FTO(Fluorine doped Tin Oxide)、GTO(Gallium Tin Oxide)、ITO(Indium Tin Oxide)、ATO(Antimony doped Tin Oxide)、AZO(Aluminum doped Zinc Oxide)、GZO(Gallium doped Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等の透明電極を使用することができる。
[対向電極基板(第2の基板)(その1)]
図1に示す構成では、対向電極基板(第2の基板)18aは、導電性触媒層16の支持体であり集電体である。対向電極基板18aの材質は、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、ステンレス鋼(SUS)の何れかである。SUSは、鉄(Fe)に約12%以上のクロムを含有させた合金であり、これに、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、マンガン(Mn)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)等が添加されたものであってもよく、代表的には、SUS304、SUS403の汎用品を使用することができる。
なお、対向電極基板18aの電解質溶液15に面する側面を鏡面とし、光反射面とすることが、太陽光の有効利用の点で望ましい。
[耐食性導電層]
耐腐食性導電層17aは、チタン(Ti)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、ハステロイの何れかによって形成されている。
耐腐食性導電層17aが、クロム又はニッケルであり、対向電極基板18aにクロム層又はニッケル層が形成された場合には、耐腐食性導電層17aは対向電極基板18aに密着して形成され、導電性触媒層16の下地層としての役割をしており、この下地層に密着して導電性触媒層16を形成することができる。
[導電性触媒層]
導電性触媒層16は、電解質溶液15中に含有されている酸化還元対の酸化体を還元体に還元する還元反応を促進する触媒活性を有し、触媒として機能する層であり、電解質溶液15中のヨウ素に対して耐腐食性を有している。
酸化還元(レドックス)対に対する触媒活性を有する導電性触媒層16として、例えば、導電性及び触媒活性を有するカーボン(C)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、導電性ポリマー(導電性高分子)等を用いることができる。導電性触媒層を形成する物質として、電解質溶液に含有されている成分に対する耐腐食性が高い白金が特に好適である。
導電性ポリマーとして、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフラン、ポロアセチレン、ポリフェニレン、ポリアズレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体、ポリ(3,4ーエチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT/PSS)等を使用することができる。
[半導体多孔質層]
半導体多孔質層13を構成する半導体材料は、光励起下で伝導帯電子がキャリアとなり、アノード電流を生じるn型半導体材料であることが好ましく、アナターゼ型の酸化チタンTiO2が好ましいが、この他に、例えば、MgO、ZnO、SnO2、WO3、Fe23、In23、Bi23、Nb25、SrTiO3、BaTiO3、ZnS、CdS、CdSe、CdTe、PbS、CuInS、InP等を使用することができる。
[増感色素]
半導体微粒子に担持させる増感色素としては、ルテニウム(Ru)、亜鉛(Zn)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)等の金属と錯体を形成したもの使用することができる。
代表的な例は、ビピリジン構造やターピリジン構造等の配位子が配位したルテニウム錯体色素である。例えば、N3と通称される色素(RuL2(NCS)2)、N719と通称される色素(RuL2(NCS)2・2TBA)、Red dye と通称される色素(RuL2(NCS)2・2TBA)、Black dye と通称される色素(RuL'2(NCS)3・3TBA)である。ここで、Lは、4,4'−ジカルボキシ−2,2'−ビピリジン、L'は、4,4',4”−テトラ−カルボキシ−2,2',2”−ターピリジン、TBAは、テトラブチルアンモニウムカチオンである。Ruビピリジン錯化合物は量子収率が高く特に好ましい。
なお、増感作用をもたらすものであれば、その他の色素、例えば、キサンテン系色素、シアニン系色素、ポルフィリン系色素、アントラキノン系色素、多環キノン系色素等を使用することができる。
[電解質溶液]
電解質溶液15は、ヨウ素(I2)とヨウ化物(金属ヨウ化物又は有機ヨウ化物)の組合せ(ヨウ素/ヨウ化物)からなる電解質とこれを溶解する水又は各種の有機溶媒を含み、I3 - /I- 酸化還元対(レドックス対)を生成する。
金属ヨウ化物は、例えば、LiI、NaI、KI、CsI、CaI2、等であり、有機ヨウ化物は、例えば、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム等である。
電解質溶液15が、臭素(Br2)と金属臭化物又は有機臭化物の組合せからなる電解質とこれを溶解する水又は各種の有機溶媒を含み、Br3 - /Br- 酸化還元対(レドックス対)を生成する構成とすることもできる。この場合、金属臭化物又は有機臭化物として、上記の金属ヨウ化物又は有機ヨウ化物に対応する化合物を使用することができる。
電解質溶液15の溶媒として、一般的には、水、各種の有機溶媒、イオン性液体を用いることができる。有機溶媒として、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール等のアルコール系、ジオキサン、ジエチルエーテル等のエーテル系、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル系、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系等の溶媒をはじめ、ガンマブチロラクトン、ピリジン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等の有機溶媒を使用することができる。イオン性液体として、メチルプロピルイミダゾリウム−ヨウ素(MPII)等を使用することができる。
また、電解質溶液と、ゲル化剤、ポリマー、架橋モノマー等を混合して、電解質溶液を透明なゲル状体として使用することも可能であり、漏液及び電解質溶液の組成物の揮発を低減させることができる。更に、電解質溶液は、無機化合物や有機化合物からなる添加剤を含んでのよいことは言うまでもない。
[封止剤]
メインシール14aは、光電極と対向電極の間のギャップを保持すると共に、外部からの水分、酸素、二酸化炭素等の侵入を防止し、エンドシール14bは、電解質溶液用注入孔20a、20bを閉鎖し、エンドシール板19と合わせて、外部からの水分、酸素、二酸化炭素等の侵入、及び、電解質溶液15の外部への漏洩を抑制する。
メインシール14a、エンドシール14bとして、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等であり、例えば、熱や紫外線による硬化が可能であり、ガスバリア性を有する樹脂を使用することができる。メインシール14a、エンドシール14bは、同じ種類の樹脂であっても、異なる種類の樹脂であってもよい。
メインシール14a、エンドシール14bとして、樹脂の硬化時の高温暴露による電解質溶液15や増感色素の劣化を抑制するため、硬化前後において電解質溶液15と接触しても変性せず、硬化後において接合強度が低下せず耐ヨウ素性が良好であり、低温で硬化可能な紫外硬化型樹脂を使用するのが好ましい。また、硬化後における、電解質溶液15の溶媒、水、酸素に対する透過性が小さいことがより望ましい。
[製造工程]
色素増感太陽電池の製造工程の概要は、次の通りである。先ず、増感色素が担持された半導体多孔質層13を環状に包囲するようにメインシール14aを光電極層12a上に塗布し、光電極層と対向電極を所望の間隙を保持するように接合する。次に、この間隙に、対向電極基板18aに形成されている電解質溶液注入用孔20a、20bの一方から電解質溶液15を注入(充填)する。最後に、エンドシール板19をエンドシール14bによって、対向電極基板18aに接合し、電解質溶液15を外部から遮断して内部に封止し、外部に漏洩しないようにする。
なお、メインシール14a、エンドシール14bは、各種のガス、液体を透過し難く、腐食劣化し難い性質を有するものを使用し、エンドシール板19は、同様の性質を有するガラス板、金属板等を使用する。また、電解質溶液15の注入は、第2の電極層12b以外に設けられた注入孔から行ってもよい。
以上説明したように、対向電極基板18aとして、アルミニウム、銅、ステンレス鋼等の安価であり、低抵抗の金属基板を使用した場合にも、ヨウ素に対して耐腐食性を有し、低抵抗の金属によって、対向電極基板18aの表面に耐腐食性導電層を形成することによって、電解質溶液による腐食を抑止することができ、しかも、直列抵抗を減少させ曲線因子(FF因子;フィルファクター)を増大させ光電変換効率を向上させることができる色素増感太陽電池を実現することができる。
[色素増感太陽電池の構成例(その2)]
構成例(その2)の色素増感太陽電池の構成は、構成例(その1)とは対向電極の構成のみが相違し、他の構成は同一であるので、以下では相違する対向電極の構成のみについて説明する。
図2は、本発明の実施の形態における、色素増感太陽電池の構成例を模式的に示す断面図である。
[対向電極基板(第2の基板)(その2)]
図2に示す構成では、対向電極基板(第2の基板)18bは、ヨウ素に対して耐腐食性を有する金属板である。対向電極基板18b、耐食導電層17b、導電性触媒層16の三者は対向電極層(第2の電極層)12cを構成し、対向電極基板18bは導電性触媒層16の支持体となると共に、集電体として使用される。
対向電極基板18bは、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、ルテニウ(Ru)、ロジウム(Th)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、ハステロイ(へインズ社商標)の何れかであり、耐腐食性導電層17bがクロム(Cr)又はニッケル(Ni)によって形成されている。
耐腐食性導電層17bとしてのクロム層又はニッケル層は対向電極基板18bに密着して形成され、導電性触媒層16の下地層としての役割をしており、この下地層に密着して導電性触媒層16を形成することができる。ハステロイはニッケル(Ni)を主成分とする合金であり、ハステロイB、ハステロイCX、ハステロイG等、クロム(Cr)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)等を異なる成分量で含有するものを使用することができる。
また、対向電極基板18bの材質をクロム又はニッケルとすることもでき、この場合、対向電極基板18bが耐腐食性導電層17bを兼ねる構成とすることができ、耐腐食性導電層17bを特別に形成する必要はない。
なお、対向電極基板18bの電解質溶液15に面する側面を鏡面とし、光反射面とすることが、太陽光の有効利用の点で望ましい。
色素増感太陽電池の引出電極の配置例
上述したように、構成例(その1)及び(その2)の色素増感太陽電池の構成では、対向電極基板18a、18bは導電性触媒層16の支持体となると共に、集電体として使用される。対向電極基板18a、18bを支持体及び集電体とするために、その厚さを0.4mm〜2mm、好ましくは、0.5mmとする。
図3は、本発明の実施の形態における、色素増感太陽電池の引出電極の配置例を模式的に示す断面図である。
図3では、点線で示される範囲に存在する半導体多孔質層13、電解質溶液15、メインシール14aをそれぞれ省略し、エンドシール14b、エンドシール板19、電解質溶液注入孔20a、20bもまた省略し、要部のみを示している。
図3(A)は、光電極と対向電極は両端側でタブ構造をなす配置におかれ、光電極層12aの外部に露出された面に引出電極21aが配置され、対向電極基板21bの電解質溶液に接する側に対向する面に引出電極21bが配置されている例を示す。
図3(B)は、対向電極基板の面積が光電極基板の面積よりも小さく形成されており、光電極と対向電極は片端側でタブ構造をなす配置におかれ、光電極層12aの外部に露出された面に引出電極21aが配置され、対向電極基板21bの電解質溶液に接する側に対向する面に引出電極21bが配置されている例を示す。
図3(A)及び図3(B)に示す引出電極の配置では、色素増感太陽電池の直列抵抗を低下させることができ、特に、図3(B)に示す引出電極の配置では、色素増感太陽電池のサイズを小さくすることができ、単位面積当たりに配列させることができる色素増感太陽電池の数を増大させることができる。
なお、以上説明した(構成例1)及び構成例(その2)の色素増感太陽電池では、太陽光10を光電極側より照射するが、太陽光10を対向電極側から照射する構成とすることもできる。この場合、図1及び図2において、第2の電極層12b、12cとエンドシール14b及びエンドシール板19からなる対向電極と、第1の基板11と光電極層12aからなる光電極の位置を上下に入れ換えた構成とし、増感色素が形成された半導体多孔質層12が対向電極に形成された構成として、第1の基板11から太陽光10を照射すればよい。但し、導電性触媒層16を光電極層12a上にも形成する。
色素増感太陽電池の対向電極層の製作工程
上述した構成例(その1)及び(その2)の色素増感太陽電池に使用される対向電極層の製作工程の概要を説明する。
図4は、本発明の実施の形態における、色素増感太陽電池の対向電極層の製作工程を模式的に示す断面図である。
図4(A)は図1に示す構成例(その1)の色素増感太陽電池に使用される対向電極層12b、12cの製作工程を示している。
図4(A)の(1)示すように、対向電極基板18a、18bに貫通する開口部が形成される。次に、(2)に示すように、耐腐食性導電層17a、17bが対向電極基板18a、18bの一方の面及び上記の開口部の内部面に形成される。最後に、(3)に示すように、導電性触媒層16が上記の開口部の内部面を含めた耐腐食性導電層17a、17bの面に形成される。
図4(A)に示す製作工程は、耐ヨウ素性が乏しい金属基板を使用する場合に適用されるが、耐ヨウ素性が良好な金属基板を使用する場合も適用することができることは言うまでもなく、この場合、耐食性導電層17a、17bを省略することもできる。
図4(B)は図2に示す構成例(その2)の色素増感太陽電池に使用される対向電極層12cの製作工程を示している。
図4(B)の(1)示すように、耐腐食性導電層17bが対向電極基板18bの一方の面に形成される。次に、(2)に示すように、導電性触媒層16が耐腐食性導電層17bの面に形成される。最後に、導電性触媒層16、耐腐食性導電層17b、対向電極基板18bの三者を貫通する開口部が形成される。
図4(B)に示す製作工程は、耐ヨウ素性が良好な金属基板を使用する場合に適用され、金属基板として、クロム又はニッケルが使用される場合には、耐腐食性導電層17bは省略することができる。
以上が、色素増感太陽電池に関する説明である。次に、画像表示装置として、エレクトロクロミック装置を例にとって説明する。
[画像表示装置(エレクトロクロミック装置)の構成例(その1)]
ここで説明するエレクトロクロミック装置は、視認(観察)側の電極への還元電圧の印加により、電解質溶液中の金属イオンが金属に還元され、電極に析出し黒色に発色し、視認側の電極を極性反転した酸化電圧の印加により、電極上に析出している金属を金属イオンに酸化して電解質溶液に溶解させ黒色の発色を消色させることによって、表示の制御を行うことができるエレクトロクロミック型の表示装置である。
還元によって電極に析出し発色する金属イオンは、例えば、銀、ビスマス、銅、鉄、クロム、ニッケル等の金属のイオンである。電解質溶液は、これら金属のヨウ化物、ヨウ素酸塩を溶解させたものである。ビスマス化合物、銀化合物を溶解させた場合、電解質溶液はほぼ透明であり、濃色の析出物が電極に生じ、消着色の可逆反応が良好である。
例えば、銀化合物を溶解させた電解質溶液を用いる場合には、視認側の電極に還元電圧を印加すると、Ag++e-→Agの還元反応が負電極側で生じ、Ag析出物により視面側の電極が黒色に変化する。
図5は、本発明の実施の形態における、画像表示装置(エレクトロクロミック装置)の構成例を模式的に示す断面図である。
図5において、図1又は図2と共通する、導電性触媒層16、耐食性導電層17a、17b、対向電極基板(第2の基板)18a、18b、メインシール(封止剤)14a、エンドシール(封止剤)14b、エンドシール板19、電解質溶液注入孔20a、20bについては、図示を省略し説明は以下では省く。
図5に示すように、エレクトロクロミック装置は、透明な光電極基板11とその上に形成された透明な光電極層12aとからなる光電極(視認電極)と、対向電極層12b、12cとの間に注入された電解質溶液15と、この電解質溶液15を封止するメインシール14aとから概略構成されている。
光電極に析出する金属イオンを含む電解質溶液15の調製には、代表的には、ヨウ化銀(AgI)、ヨウ素酸銀(AgIO3)等の銀化合物、ヨウ化ビスマス(BiI3)、ヨウ素酸ビスマス(BI(IO33)等のビスマス化合物が使用される。電解質溶液15は、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウム等を支持電解質として使用してもよい。
電解質溶液15を白色材料に保持させて形成されシート化された表示媒体を、光電極と対向電極の間に配置して、黒表示時されない場合に白表示を行うようにすることもできる。この表示媒体は、電解質溶液15の溶媒に可溶な樹脂を使用して、電解質溶液15をゲル状に保持させて、形成することができ、この樹脂に白色顔料(酸化チタン、酸化亜鉛、硫酸バリウム、酸化ジルコニウム、酸化鉛等の)を分散させて使用することもできる。
対向電極基板18a、18bの電解質溶液15に面する側面を鏡面とし、光反射面とすることが、表示画面(視認面)を明るくする点で望ましい。
なお、電極層12aを分画として形成し、即ち、各画素に対応するように相互に独立させた分画の複数個をマトリックス状に形成し、各分画に対応して、ゲート線及びソース線よって接続される透明な薄膜トランジスタ(以下、透明TFTと言う。)を形成し配置する。透明TFTに印加する電圧を制御することによってアクティブマトリックス駆動させて、各画素に対応する分画における発消色を制御することができる。
[画像表示装置(エレクトロクロミック装置)の構成例(その2)]
ここで説明するエレクトロクロミック装置は、電圧の印加によって酸化還元反応により可逆的に発色又は消色するエレクトロクロミック色素を使用した表示装置である。
図6は、本発明の実施の形態における、画像表示装置(エレクトロクロミック装置)の構成例を模式的に示す断面図である。
図6において、図1又は図2と共通する、導電性触媒層16、耐食性導電層17a、17b、対向電極基板(第2の基板)18a、18b、メインシール(封止剤)14a、エンドシール(封止剤)14b、エンドシール板19、電解質溶液15、電解質溶液注入孔20a、20bについては、図示を省略し説明は以下では省く。
図6(A)に示すように、エレクトロクロミック装置は、透明な光電極基板11とその上に形成された透明な光電極層12aとからなる光電極(視認電極)と、対向電極層12b、12cとの間に注入された電解質溶液15と、この電解質溶液15を封止するメインシール14a、エレクトロクロミック色素が担持された半導体多孔質層23とから概略構成されている。なお、対向電極基板(第2の基板)18a、18bの電解質溶液15に面する側面を鏡面とし、光反射面とすることが、表示画面(視認面)を明るくする点で望ましい。
次に、エレクトロクロミック装置の構成要素について順次説明する。但し、先述したように、図1又は図2と共通する、導電性触媒層16、耐食性導電層17a、17b、対向電極基板18a、18b、メインシール(封止剤)14a、エンドシール(封止剤)14b、エンドシール板19、電解質溶液15、電解質溶液注入孔20a、20bについての説明は省略する。
[半導体多孔質層]
エレクトロクロミック色素が担持される半導体多孔質層23は、エレクトロクロミック色素の高い担持機能を得るため、表面積が大きい材料により構成される。
半導体多孔質層23は、例えば、酸化物半導体、複合酸化物半導体等によって形成することができる。酸化物半導体としては、例えば、TiO2、SnO2、Fe23、SrTiO3、WO3、ZnO、ZrO2、Ta25、Nb25、V25、In23、CdO、MnO、CoO、TiSrO3、KTiO3、Cu2O、チタン酸ナトリウム、チタン酸バリウム、ニオブ酸カリウム等を使用することができる。
複合体酸化物半導体としては、例えば、SnO2−ZnO、Nb25−SrTiO3、Nb25−Ta25、Nb25−ZrO2、Nb25−TiO2、Ti−SnO2、Zr−SnO2、Sb−SnO2、Bi−SnO2、In−SnO2等を使用することができ、特に、TiO2、SnO2、Sb−SnO2、In−SnO2が好適に使用することができ。
半導体多孔質層23の表面及び内部の微細孔に担持されるエレクトロクロミック色素は、公知の材料を何れも使用することできる。
エレクトロクロミック色素として有機化合物、又は、無機化合物を使用することができる。有機化合物として、例えば、ビオロゲン色素、スチリル色素、フルオラン色素、シアニン色素、芳香族アミン色素等の有機色素、金属−ビピリジル錯体、金属−フタロシアニン錯体等の有機金属錯体等を使用することができる。ここで、金属は希土類金属、ルテチウム(Lu)、イッテルビウム(Yt)、ガドリニウム(Gd)、ネオジム(Nd)、ユーロピウム(Eu)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、エルビジウム(Er)、イットリウム(Y))である。
[画像表示]
図6(A)に示すエレクトロクロミック装置において、光電極層12aが画素に対応するよう分画されて形成され、即ち、分画の複数個からなるマトリックス状の光電極層12aが光電極基板11上に形成され、各分画上に半導体多孔質層23が形成されている。
各分画上に形成された半導体多孔質層23上には、エレクトロクロミック色素が担持されている。エレクトロクロミック色素は、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、シアン(C)の発色が可能な何れかの化合物である。光電極層12a上には、各分画に対応してゲート線及びソース線によって接続される透明TFTが形成され配置されている。この装置によれば、透明TFTに印加する電圧を制御することによって、それぞれの各画素に対応する分画における発消色を制御することができ、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、シアン(C)の何れかの発消色に基づく画像表示が可能となる。
更に、図6(A)に示すエレクトロクロミック装置を、フルカラー表示を可能とする構成とすることもできる。図6(A)に示すエレクトロクロミック装置において、光電極層12aが分画され画素に対応するよう形成され、即ち、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、シアン(C)に対応する第1、第2及び第3分画からなる分画の複数個からなるマトリックス状の光電極層12aを光電極基板11上に形成する。
第1、第2及び第3分画上に半導体多孔質層23を形成して、第1、第2及び第3分画上に形成された半導体多孔質層23上にそれぞれ、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、シアン(C)の発色が可能なエレクトロクロミック色素を担持させる。なお、アクティブマトリックス駆動を行うために、第1、第2及び第3分画に対応して、ゲート線及びソース線によって接続される透明TFTを透明電極2上に形成し配置されている。
このように構成されるエレクトロクロミック装置によれば、透明TFTに印加する電圧を制御することによって、それぞれの各画素に対応する第1、第2及び第3分画における発消色を制御し、フルカラー表示を可能とすることができる。
次に、図6(A)に示すものと基本的に同じ構成を有するエレクトロクロミック装置を三層積層させて、フルカラー表示を可能とするエレクトロクロミック装置について説明する。
図6(B)は、本発明の実施の形態による、カラー表示を行うことができるエレクトロクロミック装置の一例の概略構成を説明する断面図である。
図6(B)に示すエレクトロクロミック素子構造体10A、10B、10Cのそれぞれは、図6(A)に示すものと基本的に同じ構成を有している。
図6(B)に示す表示構造体40Aの半導体多孔質層23a、表示構造体40Bの半導体多孔質層23b、表示構造体40Cの半導体多孔質層23cにはそれぞれ、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、シアン(C)に発色するエレクトロクロミック色素が担持されている。表示構造体40A、40B、40Cにおける電解質溶液15は同じでも異なっていてもよい。
表示構造体40A、40B、40Cにおいて、透明な光電極層12aが画素に対応するよう分画されて形成され、即ち、分画の複数個からなるマトリックス状の光電極層12aが透明な光電極基板11上に形成され、各分画上に半導体多孔質層23a、23b、23cが形成されている。各分画上に形成された半導体多孔質層23a、23b、23c上にはそれぞれ、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、シアン(C)に発色するエレクトロクロミック色素が担持されている。
表示構造体40Cにおける対向基板18a、18bは、図1又は図2に示すと同様に金属板であり、対向電極層12b、12cは不透明であるが、表示構造体40A、40Bにおける対向基板18a、18bは、光電極基板11と同じように、透明な材質によって形成されており、対向電極層(第2の電極層)12dは実質的に透明である。
以上説明した表示構造体40A、40B、40Cを積層することにより、発消色表示を可逆的に行うことができるフルカラー表示のエレクトロクロミック装置を構成することができる。
図6(A)に関して説明したものと同様に、表示構造体40A、40B、40Cのそれぞれに関する光電極層12aの各分画に対応してゲート線及びソース線によって接続される透明TFTが形成され配置されている。表示構造体40A、40B、40Cのそれぞれに関する光電極層12aの各分画に形成された透明TFTに印加する電圧を制御することによってアクティブマトリックス駆動させて、表示構造体40A、40B、40Cのそれぞれにおける各画素に対応する分画における発消色を制御することができ、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、シアン(C)の発消色に基づく画像表示が可能となる。
なお、上述したエレクトロクロミック装置では、エレクトロクロミック色素としては、イエロー(Y)域(430〜490nmの範囲)、マゼンタ(M)域(500〜580nmの範囲)、シアン(C)域(600〜700nmの範囲)に吸収極大をもつ色素を使用することが望ましい。
シアン(C)の発色が可能なエレクトロクロミック色素として、例えば、2−{2−〔4−(メトキシ)フェニル〕−1,3,5−ヘキサトリエニル}−3,3−ジメチル−5−ホスホノインドリノ〔2,1−b〕(2-[2-[4-(methoxy)phenyl]-1,3,5-hexatrienyl-3,3-dimethyl-5-phosphonoindolino[2,1-b]oxazolidine])を使用することができる。
また、マゼンタ(M)の発色が可能なエレクトロクロミック色素として、例えば、2−{2−〔4−(ジメチルアミノ)フェニル〕−1,3−ブタジエニル}−3,3−ジメチル−5−カルボキシルインドリノ〔2,1−b〕オキサゾリン(2-[2-[4-(dimethylamino)phenyl]-1,3-butadienyl]-3,3-dimethyl-5-carboxylindolino[2,1-b]oxazolidine)を使用することができる。
また、イエロー(Y)の発色が可能なエレクトロクロミック色素として、例えば、2−{2−〔4−(ジメチルアミノ)フェニル〕エテニル}−3,3−ジメチル−5−ホスホノインドリノ〔2,1−b〕オキサゾリン(2-[2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-3,3-dimethyl-5-phosphonoindolino[2,1-b]oxazolidine)を使用することができる。
以上が、エレクトロクロミック装置に関する説明である。次に、防眩ミラーの例を説明する。
[防眩ミラーの構成例]
エレクトロクロミック発色層を用いた防眩ミラーは、印加電圧によってエレクトロクロミック発色層の着色変化の程度が変化することを利用して、反射率の調整を可能として眩しさを抑えることができるミラーである。
図7は、本発明の実施の形態における、防眩ミラーの構成例を模式的に示す断面図である。
図7に示すように、防眩ミラーは、視認側の透明な光電基板11と、この上に形成された透明な光電極層12aと、この上に形成されたエレクトロクロミック化合物を含む発色層33からなる発色電極と、図1又は図2に示すと同様の対向電極層(対向電極)12b、12cとの間の間隙に電解質溶液15が封止され、概略構成されている。
対向電極層12b、12cの対向電極基板(第2の基板)18a、18bは、その面が光反射層となるために平滑性を有していることが好ましい。対向電極基板18a、18bは、例えば、アルミニウムやSUS、銅等の金属板の面に、ヨウ素に対して耐腐食性を有する金属層を形成した構成とする。
図7において、図1又は図2と共通する、導電性触媒層16、耐食性導電層17a、17b、対向電極基板18a、18b、メインシール(封止剤)14a、エンドシール(封止剤)14b、エンドシール板19、電解質溶液15、電解質溶液注入孔20a、20bについては、図示を省略し説明は以下では省く。
発色層33は、例えば、酸化タングステン(WO3)、酸化バナジウム(V25)、酸化モリブデン(Mo23)、酸化イリジウム(Ir23)、酸化ニッケル(NiO)、酸化マンガン(MnO2)等の還元発色型酸化物によって形成されるのが好適であり、発色層33は光電極層12aに公知の方法で形成することができる。
発色電極が負電位、対向電極が正電位となるように、所定の直流電圧を印加すると、対向電極の面ではヨウ素イオンの酸化反応(3I- →I3 - +2e- )が起こり、発色層33において、還元反応(xM+ +WO3 +xe- →MxWO3(M+ =Li+ ,Na +,H+ ))が起こり、この還元生成物(MxWO3)による発色を生じる。また、発色電極及び対向電極に印加する印加電圧の正負を逆にすると上記の各反応の逆反応が起こり、発色は消失し透明な状態に戻る。
対向電極からの反射光の強さをモニタした信号に基づいて、発色電極及び対向電極に印加する印加電圧を調整することによって、対向電極からの反射光の強さが略一定となるように、発色層33の着色の程度を変化させて反射率の調整をすることができるので、視認方向30における眩しさの程度を略一定なものとすることができる。
以上が、防眩ミラーの例に関する説明である。次に、色素増感太陽電池に関する実施例について説明する。
実施例
本発明の実施例における色素増感太陽電池は図2に示す構成を有している。
[光電極]
フッ素をドープした酸化スズ導電層(FTO層)が光電極層12aとして形成されたガラス基板(15mm×20mm角、シート抵抗10Ω/□、日本板硝子株式会社製)(光電極基板11)を光電極とした。
[半導体多孔質層]
上記のFTO層上に半導体多孔質層13を形成した。半導体多孔質層13を、下層に中心粒径20nmφの酸化チタン(TiO2)を15μm厚、上層に中心粒径400nmφの酸化チタン(TiO2)を5μm厚にそれぞれスクリーン印刷機を使用して塗布した後、510℃、30分間焼結処理して形成した。
[増感色素とその担持]
図8は、本発明の実施例における、色素増感太陽電池で使用された増感色素の例を示す図である。
図8(A)は、トリチオシアナト(4,4',4”−トリカルボキシ−2,2':6',2”−ターピリジン)ルテニウム(II)トリ−テトラブチルアンモニウム錯体(Solaronix 社製、620-1H3TBA、Batch Number 34)(ブラックダイ(black dye)、N749と通称されている色素)である。なお、図8(A)におけるTBAは、テトラブチルアンモニウム(tetrabuthylammonium)(N((CH23CH34)である。図8(B)は、メロシアニン系色素D131(三菱製紙株式会社製)である。
t−ブタノール:アセトニトリル=1:1の混合液を溶媒とし、D131(濃度0.1875mM)とブラックダイ(濃度0.5625mM)からなる混合色素液に、酸化チタン(TiO2)半導体多孔質層を96時間浸漬させて、酸化チタン(TiO2)に色素を担持させた。
[対向電極]
対向電極基板18bとして0.4mm厚のNb、Ru、Ti板を使用しそれぞれに、耐食性導電層17bとして500Å厚のCr層を形成し、このCr層に導電性触媒層16として1000Å厚のPt層を形成して、対向電極とした。Cr層及びPt層はスパッタリングによって形成した。図10、図11を含む以下の説明では、これらの対向電極を、Nb/Cr/Pt、Ru/Cr/Pt、Ti/Cr/Ptと略記する。
[電解質溶液]
図9は、本発明の実施例における、色素増感太陽電池で使用された電解質溶液の組成例を示す図である。
図9に示すように、アセトニトリルを溶媒としてこれに、ヨウ化ナトリウム(濃度0.15M)、DMPImI(濃度0.9M)、ヨウ素(濃度0.05M)、t−ブチルピリジン(濃度0.1M)を混合して、電解質溶液15を調整した。tert−ブチルピリジンは、電解質溶液中の逆電子移動を防ぎ、開放電圧や短絡電流を向上させる目的で添加する添加剤である。なお、DMPImIは、1,2‐ジメチル‐3‐プロピル‐1H‐イミダゾール‐3‐イウム・ヨージド(1,2-dimethyl-3-propyl-1H-imidazole-3-ium・iodide)(C8152)である。
[電解質溶液の注入とシール(封止剤)]
光電極に紫外線硬化型樹脂(スリーボンド社製、31X−101系樹脂)が環状に塗布され形成されたメインシール(封止剤)14aを介して、光電極と対向電極を重ね、紫外線を照射してメインシール14aを硬化させて、光電極と対向電極を接合した。
対向電極に形成されている電解質溶液用注入孔20a、20bの一方を空気抜き孔とし他方の孔から、接合された光電極と対向電極によって形成された内部空間に電解質溶液15を注入した。次に、エンドシール板19としてガラス板、エンドシール14bとして紫外線硬化型樹脂(スリーボンド社製、31X−101系樹脂)をそれぞれ使用して、電解質溶液用注入孔20a、20bを封止した。
なお、接合された光電極と対向電極の間隙距離は30μmであり、上記の内部空間の光照射面積は150mm×150mmである。
比較例
対向電極基板18bとして0.4mm厚のアルミナ(Al23)板(絶縁体基板)を使用し、耐食性導電層17bとして500Å厚のCr層を形成し、このCr層に導電性触媒層16として1000Å厚のPt層を形成して対向電極とした。Cr層及びPt層はスパッタリングによって形成した。図10、図11を含む以下の説明では、この対向電極を、アルミナ/Cr/Ptと略記する。その他の構成は、実施例と同一としたので、説明は省略する。
図10は、本発明の実施例における、色素増感太陽電池の光電変換特性の例を示す図である。
図10において、(a)は比較例における対向電極アルミナ/Cr/Ptを有する色素増感電池に関する結果を示し、(b)、(c)、(d)はそれぞれ、実施例における対向電極Nb/Cr/Pt、Ru/Cr/Pt、Ti/Cr/Ptを有する色素増感電池に関する結果を示す。
図10(A)は色素増感太陽電池の電流−電圧特性を示し、横軸は電圧(V)、縦軸は電流密度J(mA/cm2)を示す。図10(A)に示すように、比較例の色素増感電池は、実施例の色素増感電池に比較して、高電圧側における電流密度の低下が大きい。
図10(B)は、擬似太陽光(AM1.5,100mW/cm2)照射時の電流−電圧曲線から得られた、開放電圧Voc(V)、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)、曲線因子(フィルファクター)FF(%)、光電変換効率Eff(%)(=Voc×Jsc×FF)を示す。
比較例の色素増感太陽電池の曲線因子FFを1.0とする時、実施例の色素増感太陽電池(b)、(c)、(d)の曲線因子FFはそれぞれ、1.13,1.08,1.10である。また、比較例の色素増感太陽電池の光電変換効率Effを1.0とする時、実施例の色素増感太陽電池(b)、(c)、(d)の光電変換効率Effはそれぞれ、1.12,1.04,1.09である。
図11は、本発明の実施例における、色素増感太陽電池のインピーダンス特性を示す Cole-Cole プロット図の例を示す。図11において、横軸はインピーダンスの実数部Z'(Ω)、縦軸はインピーダンスの虚数部Z”(Ω)を示す。図11中に、対向電極の層構造を示す概略断面図を示す。
図11において、(a)は比較例における対向電極アルミナ/Cr/Ptを有する色素増感電池に関する結果を示す。また、図11において、(b)は実施例における対向電極Nb/Cr/Ptを有する色素増感電池の2サンプルに関する結果(実線の小円で示す2つの曲線)を示し、色素増感電池の2サンプルに関するインピーダンス特性の再現性は良好である。
図11に示す色素増感太陽電池のインピーダンス特性は、円弧の始まりの位置が対向電極と電解質溶液の抵抗が低ければ低いほど実数部Z' が小さい値から始まるので、対向電極Nb/Cr/Ptを使用する色素増感太陽電池の直列抵抗は、アルミナ基板(絶縁物基板)を使用する対向電極、即ち、対向電極アルミナ/Cr/Ptを使用する色素増感太陽電池の直列抵抗よりも低下していることを示している。
なお、上述の実施例における対向電極のシート抵抗は、Nb/Cr/Ptでは8.8×10-4 Ω/cm2、Ru/Cr/Ptでは8.4×10-4 Ω/cm2、Ti/Cr/Ptでは9.0×10-4 Ω/cm2 であった。一方、比較例の対向電極においてアルミナをガラスに置き換えた対向電極(ガラス/Cr/Pt)のシート抵抗は2.0Ω/cm2 であった。比較例の対向電極のシート抵抗は、実施例の対向電極のシート抵抗よりも、3桁大きな値であると予想される。
以上説明したように、金属基板を使用した対向電極を使用する構成、特に、Nbを基板としてこれにCr層及びPtを形成した対向電極Nb/Cr/Ptを使用する構成によって、ヨウ素を含む電解質溶液に対する耐腐食性を向上させ、絶縁基板を使用した対向電極を使用する構成よりも、対向電極のシート抵抗を小さくし、色素増感太陽電池の直列抵抗を低下させることができ、曲線因子FFを向上させ光電変換特性も向上させることができた。
以上、本発明に係る機能性デバイスについて説明したが、本発明は、上述の実施の形態、実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、機能性デバイスにおいて、光電極基板、光電極層、導電性触媒層、耐食性導電層、対向電極基板、対向電極層、増感色素又はエレクトロミック色素が担持された半導体多孔質層、エレクトロミック化合物を含む発色層、封止剤、電解質溶液の組成等は、実施の形態、実施例における例示に限定されるものではなく、目的用途に応じて適宜変更することができる。また、本発明は、電解質溶液を使用するものであれば、化学電池、バイオセンサ、キャパシタ等の機能性デバイスにも適用することができる。
本発明は、金属基板を使用し電解質溶液による腐食を抑止すると共に、直流抵抗を減少させることができる機能性デバイス提供することができる。
本発明の実施の形態における、色素増感太陽電池の構成例を模式的に示す断面図である。 同上、色素増感太陽電池の構成例を模式的に示す断面図である。 同上、色素増感太陽電池の引出電極の配置例を模式的に示す断面図である。 同上、色素増感太陽電池の対向電極層の製作工程を模式的に示す断面図である。 同上、画像表示装置の構成例を模式的に示す断面図である。 同上、画像表示装置の構成例を模式的に示す断面図である。 同上、防眩ミラーの構成例を模式的に示す断面図である。 本発明の実施例における、色素増感太陽電池で使用された増感色素の例を示す図である。 同上、色素増感太陽電池で使用された電解質溶液の組成例を示す図である。 同上、色素増感太陽電池の光電変換特性の例を示す図である。 同上、色素増感太陽電池のインピーダンス特性の例を示す図である。
符号の説明
10…太陽光、11…第1の基板、12a…第1の電極層、13…半導体多孔質層、
12b〜12d…第2の電極層、14a…メインシール、14b…エンドシール、
15…電解質溶液、30…視認方向、16…導電性触媒層、
17a、17b…耐食性導電層、18a、18b…第2の基板、19…エンドシール板、
20a、20b…電解質溶液注入孔、21a、21b…引出電極、33…発色層、
23、23a〜23c…半導体多孔質層、40A、40B、40C…表示構造体

Claims (18)

  1. 光透過性を有する第1の基板と、
    導電性及び光透過性を有し前記第1の基板上に形成された電極層と、
    金属からなる第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板の間隙に充填された電解質溶液と、
    この電解質溶液に対して耐腐食性を有し前記第2の基板上に形成された耐腐食性導電層と、
    導電性及び触媒活性を有し前記耐腐食性導電層の面に形成された導電性触媒層と、
    を有する機能性デバイス。
  2. 前記金属が、アルミニウム、銅、銀、金、ステンレス鋼の何れかであり、前記耐腐食性導電層が、チタン、クロム、ニッケル、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、ハステロイの何れかによって形成された、請求項1に記載の機能性デバイス。
  3. 前記導電性触媒層が、カーボン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、導電性高分子の何れかによって形成された、請求項2に記載の機能性デバイス。
  4. 前記金属が、チタン、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、ハステロイの何れかである、請求項1に記載の機能性デバイス。
  5. 前記耐腐食性導電層がクロム又はニッケルによって形成された、請求項4に記載の機能性デバイス。
  6. 前記導電性触媒層が、カーボン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、導電性高分子の何れかを含む、請求項5に記載の機能性デバイス。
  7. 前記電解質溶液は、酸化還元対I3 - /I- を生成するヨウ素/ヨウ化物を含む、請求項1から請求項6の何れか1項に記載の機能性デバイス。
  8. 前記間隙に前記電解質溶液を充填するための開口部が前記第2の基板を貫通して形成され、前記開口部の面に下層より前記耐腐食性導電層、前記導電性触媒層が形成された、請求項1から請求項6の何れか1項に記載の機能性デバイス。
  9. 前記第2の基板の面積は前記第1の基板の面積よりも小さく、前記電解質溶液と接する面に対向する前記第2の基板の面に接続される引出電極を有する、請求項1に記載の機能性デバイス。
  10. 光電変換機能、又は、画像表示機能、又は、防眩機能を有するデバイスとして構成された、請求項1から請求項9の何れか1項に記載の機能性デバイス。
  11. 光電変換機能を有するデバイスとして構成された機能性デバイスであり、増感色素が担持された半導体多孔質層が前記電極層の面に形成され、光吸収によって励起された前記増感色素の電子が前記半導体多孔質層へ取り出されるとともに、前記電子を失った前記増感色素が、前記電解質溶液中の還元剤によって還元される色素増感光電変換装置として構成された、請求項10に記載の機能性デバイス。
  12. 画像表示機能を有するデバイスとして構成された機能性デバイスであり、前記電解質溶液は、還元反応によって前記電極層に析出し発色する金属イオンを含む、請求項10に記載の機能性デバイス。
  13. 画像表示機能を有するデバイスとして構成された機能性デバイスであり、酸化反応又は還元反応により発色するエレクトロクロミック色素が担持された半導体多孔質層が前記電極層に形成された、請求項10に記載の機能性デバイス。
  14. 防眩機能を有するデバイスとして構成された機能性デバイスであり、酸化発色型又は還元発色型のエレクトロクロミック化合物を含む発色層が前記電極層の面に形成された、請求項10に記載の機能性デバイス。
  15. 金属からなる基板の面に電解質溶液に対して耐腐食性を有する耐腐食性導電層を形成する第1の工程と、
    導電性及び触媒活性を有する導電性触媒層を前記耐腐食性導電層の面に形成する第2の工程と、
    を有する、機能性デバイスの製造方法。
  16. 前記金属が、アルミニウム、銅、銀、金、ステンレス鋼の何れかであり、前記導電性触媒層が、チタン、クロム、ニッケル、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、ハステロイの何れかによって形成される、請求項15に記載の機能性デバイスの製造方法。
  17. 前記導電性触媒層が、カーボン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、導電性高分子の何れかによって形成される、請求項16に記載の機能性デバイスの製造方法。
  18. 前記第1の工程に先立って前記基板に前記電解質溶液を注入するための開口部を、前記基板を貫通させて形成する工程を有し、前記第1及び第2の工程によって、前記開口部の面に下層より前記耐腐食性導電層、前記導電性触媒層が形成される、請求項16に記載の機能性デバイスの製造方法。
JP2008301174A 2008-11-26 2008-11-26 機能性デバイス及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4788761B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/735,794 US20110048525A1 (en) 2008-11-26 2007-11-26 Functional device and method for producing the same
JP2008301174A JP4788761B2 (ja) 2008-11-26 2008-11-26 機能性デバイス及びその製造方法
EP09829115A EP2352202A4 (en) 2008-11-26 2009-11-26 FUNCTIONAL DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
KR1020107018851A KR20110086783A (ko) 2008-11-26 2009-11-26 기능성 디바이스 및 그 제조 방법
CN2009801064879A CN101965662A (zh) 2008-11-26 2009-11-26 功能性器件及功能性器件制造方法
BRPI0908192-5A BRPI0908192A2 (pt) 2008-11-26 2009-11-26 Dispositivo funcional, e, método para produzir um dispositivo funcional
PCT/JP2009/069907 WO2010061870A1 (ja) 2008-11-26 2009-11-26 機能性デバイス及びその製造方法
EP12153440A EP2458605A1 (en) 2008-11-26 2009-11-26 Functional device and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008301174A JP4788761B2 (ja) 2008-11-26 2008-11-26 機能性デバイス及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011145245A Division JP2011228312A (ja) 2011-06-30 2011-06-30 機能性デバイス

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010129291A JP2010129291A (ja) 2010-06-10
JP2010129291A5 JP2010129291A5 (ja) 2011-05-19
JP4788761B2 true JP4788761B2 (ja) 2011-10-05

Family

ID=42225740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008301174A Expired - Fee Related JP4788761B2 (ja) 2008-11-26 2008-11-26 機能性デバイス及びその製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110048525A1 (ja)
EP (2) EP2458605A1 (ja)
JP (1) JP4788761B2 (ja)
KR (1) KR20110086783A (ja)
CN (1) CN101965662A (ja)
BR (1) BRPI0908192A2 (ja)
WO (1) WO2010061870A1 (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5007784B2 (ja) * 2006-01-30 2012-08-22 ソニー株式会社 光電変換装置
JP2007234580A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Sony Corp 色素増感型光電変換装置
JP2007280906A (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Sony Corp 機能デバイス及びその製造方法
JP5023866B2 (ja) * 2007-07-27 2012-09-12 ソニー株式会社 色素増感光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP2009099476A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Sony Corp 色素増感光電変換素子およびその製造方法
JP2009110796A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Sony Corp 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
JP2009146625A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Sony Corp 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
JP2010003468A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Sony Corp 色素増感太陽電池およびその製造方法
JP2010009769A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp 光電変換素子の製造方法
JP2010010191A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp 電子装置
JP5273709B2 (ja) 2008-07-02 2013-08-28 シャープ株式会社 色素増感太陽電池、その製造方法および色素増感太陽電池モジュール
JP2010092762A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Sony Corp 機能性デバイス及びその製造方法
TWI384310B (zh) * 2009-04-13 2013-02-01 Univ Nat Cheng Kung 光伏致變色元件及其應用
JP5428555B2 (ja) * 2009-06-08 2014-02-26 ソニー株式会社 色素増感光電変換素子の製造方法
KR20110083011A (ko) * 2010-01-13 2011-07-20 삼성코닝정밀소재 주식회사 염료감응형 태양전지용 전극기판과 이를 구비하는 염료감응형 태양전지
JP2011204662A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP5621488B2 (ja) * 2010-03-17 2014-11-12 ソニー株式会社 光電変換装置
JP5894372B2 (ja) * 2010-11-01 2016-03-30 パナソニック株式会社 光電気素子、及び光電気素子の製造方法
JP2012113839A (ja) * 2010-11-19 2012-06-14 Kobe Steel Ltd 色素増感型太陽電池用金属薄膜、及び色素増感型太陽電池素子
GB201103810D0 (en) * 2011-03-04 2011-04-20 G24 Innovations Ltd Photovoltaic cell
KR101219488B1 (ko) * 2011-05-12 2013-01-11 재단법인대구경북과학기술원 염료감응 태양전지 및 그의 제조방법
ES2944935T3 (es) 2012-02-23 2023-06-27 Treadstone Tech Inc Superficie de metal resistente a la corrosión y eléctricamente conductora
GB2501247A (en) * 2012-04-11 2013-10-23 Univ Swansea Counter Electrode for a Dye-Sensitised Solar Cell
CN103515104B (zh) * 2012-06-21 2017-09-26 日立金属株式会社 色素增感型太阳能电池用金属基板
US10121602B2 (en) * 2012-06-22 2018-11-06 Hitachi Metals, Ltd. Metal substrate for dye-sensitized solar cell
ITTO20120581A1 (it) * 2012-06-29 2013-12-30 Fond Istituto Italiano Di Tecnologia Dispositivo fotovoltacromico perfezionato
WO2014017656A1 (en) * 2012-07-23 2014-01-30 Ricoh Company, Ltd. An electrochromic device and a method for manufacturing an electrochromic device
JP6064761B2 (ja) * 2012-11-02 2017-01-25 株式会社リコー エレクトロクロミック装置及びその製造方法
JP2014143076A (ja) * 2013-01-24 2014-08-07 Rohm Co Ltd 色素増感太陽電池およびその製造方法および電子機器
KR102014990B1 (ko) * 2013-01-29 2019-08-27 삼성전자주식회사 광전극 구조체용 복합 보호층, 이를 포함하는 광전극 구조체 및 이를 포함하는 광전기화학 전지
JP5826794B2 (ja) * 2013-06-14 2015-12-02 太陽誘電株式会社 電気化学デバイス
KR101540846B1 (ko) * 2013-06-19 2015-07-30 한양대학교 에리카산학협력단 염료감응형/양자점감응형 태양 전지 및 그 제조 방법
JP6267035B2 (ja) * 2014-03-28 2018-01-24 積水化学工業株式会社 色素増感太陽電池セルの組込構造及び発電ブラインド用スラット
KR101691946B1 (ko) * 2014-04-17 2017-01-02 부산대학교 산학협력단 열전 장치용 전해질 용액 및 이를 포함하는 열전 장치
JP5802819B1 (ja) * 2014-11-12 2015-11-04 株式会社フジクラ 低照度用色素増感光電変換素子の電解質、及び、これを用いた低照度用色素増感光電変換素子
EP3428984A4 (en) * 2016-03-09 2019-11-20 Japan Science And Technology Agency THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL, THERMOELECTRIC CONVERSION DEVICE, THERMOCHEMICAL BATTERY AND THERMOELECTRIC SENSOR WITH THIS MATERIAL
SE540184C2 (en) 2016-07-29 2018-04-24 Exeger Operations Ab A light absorbing layer and a photovoltaic device including a light absorbing layer
WO2019017473A1 (ja) * 2017-07-21 2019-01-24 日本精工株式会社 色素増感型光電変換素子
CN108422877A (zh) * 2018-02-10 2018-08-21 深圳森阳环保材料科技有限公司 一种顶棚式太阳能充电站
CN109817120B (zh) * 2019-02-14 2020-06-30 宁波财经学院 一种数字互动景观系统

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001133816A (ja) * 1999-11-02 2001-05-18 Murakami Corp 散乱反射光低減導電膜の形成方法
JP4010170B2 (ja) * 2002-04-11 2007-11-21 ソニー株式会社 光電変換素子の製造方法
JP4221643B2 (ja) * 2002-05-27 2009-02-12 ソニー株式会社 光電変換装置
US7825330B2 (en) * 2002-07-09 2010-11-02 Fujikura Ltd. Solar cell
JP4172239B2 (ja) 2002-09-25 2008-10-29 松下電工株式会社 光電変換素子
US20070006917A1 (en) * 2003-10-06 2007-01-11 Ichiro Gonda Dye-sensitized solar cell
JP2005250210A (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Fuji Photo Film Co Ltd 電磁波に応答し光学濃度を変える光学素子
JP4635473B2 (ja) * 2004-05-13 2011-02-23 ソニー株式会社 光電変換素子の製造方法及び半導体電極の製造方法
CN100388510C (zh) * 2004-05-13 2008-05-14 中国科学院化学研究所 染料敏化纳晶薄膜太阳能电池对电极及其制备方法
JP4635474B2 (ja) * 2004-05-14 2011-02-23 ソニー株式会社 光電変換素子、及びこれに用いる透明導電性基板
JP2006147261A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Enplas Corp 色素増感太陽電池の対向電極及び色素増感太陽電池
JP4892186B2 (ja) * 2004-12-06 2012-03-07 シャープ株式会社 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池モジュール
US20060201545A1 (en) * 2005-02-16 2006-09-14 Ovshinsky Stanford R Fire resistant laminate and photovoltaic module incorporating the fire resistant laminate
JP4789493B2 (ja) 2005-03-29 2011-10-12 住友大阪セメント株式会社 色素増感型光電変換素子の製造方法、及び色素増感型光電変換素子用塗料
JP5089381B2 (ja) * 2005-04-11 2012-12-05 日本化薬株式会社 光電変換素子用電解液組成物及びそれを用いた光電変換素子
JP2006294423A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Ngk Spark Plug Co Ltd 色素増感型太陽電池
JP2007059181A (ja) 2005-08-24 2007-03-08 Sony Corp 光学装置及びその製造方法
JP2007157490A (ja) 2005-12-05 2007-06-21 Sharp Corp 光電変換素子と光電変換素子モジュール
JP5007784B2 (ja) * 2006-01-30 2012-08-22 ソニー株式会社 光電変換装置
JP2007234580A (ja) * 2006-02-02 2007-09-13 Sony Corp 色素増感型光電変換装置
JP2007242544A (ja) 2006-03-10 2007-09-20 Sony Corp 光電変換装置及びその製造方法、並びに金属酸化物多孔質層の表面処理液
JP2007280906A (ja) * 2006-04-12 2007-10-25 Sony Corp 機能デバイス及びその製造方法
JP2007317446A (ja) 2006-05-24 2007-12-06 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 色素増感太陽電池
JP2008034110A (ja) 2006-07-26 2008-02-14 Nisshin Steel Co Ltd 色素増感型太陽電池の電極材
JP2008186768A (ja) 2007-01-31 2008-08-14 Sanyo Electric Co Ltd 色素増感型太陽電池及びその製造方法
JP5026137B2 (ja) 2007-04-03 2012-09-12 尾池工業株式会社 電極材料及び該材料を用いた導電性フィルム、及び太陽電池並びに光電極
JP5023866B2 (ja) * 2007-07-27 2012-09-12 ソニー株式会社 色素増感光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP2009099476A (ja) * 2007-10-19 2009-05-07 Sony Corp 色素増感光電変換素子およびその製造方法
JP2009110796A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Sony Corp 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
JP2009146625A (ja) * 2007-12-12 2009-07-02 Sony Corp 色素増感光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法ならびに電子機器
JP2010003468A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Sony Corp 色素増感太陽電池およびその製造方法
JP2010009769A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp 光電変換素子の製造方法
JP2010010191A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Sony Corp 電子装置
CN101320629A (zh) * 2008-07-11 2008-12-10 南开大学 一种用于染料敏化太阳电池的对电极及其制备方法
JP2010092762A (ja) * 2008-10-09 2010-04-22 Sony Corp 機能性デバイス及びその製造方法
JP5428555B2 (ja) * 2009-06-08 2014-02-26 ソニー株式会社 色素増感光電変換素子の製造方法
JP2011204662A (ja) * 2010-03-05 2011-10-13 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP5621488B2 (ja) * 2010-03-17 2014-11-12 ソニー株式会社 光電変換装置
JP2011216190A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Sony Corp 光電変換装置及びその製造方法
JP2011216189A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Sony Corp 光電変換装置及び光電変換装置モジュール
JP2011238472A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Sony Corp 光電変換装置
JP2012014849A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Sony Corp 光電変換素子およびその製造方法ならびに光電変換素子モジュールおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110048525A1 (en) 2011-03-03
CN101965662A (zh) 2011-02-02
EP2352202A1 (en) 2011-08-03
EP2352202A4 (en) 2012-05-23
BRPI0908192A2 (pt) 2015-08-25
JP2010129291A (ja) 2010-06-10
EP2458605A1 (en) 2012-05-30
WO2010061870A1 (ja) 2010-06-03
KR20110086783A (ko) 2011-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4788761B2 (ja) 機能性デバイス及びその製造方法
TWI381535B (zh) Pigment Sensitive Photoelectric Conversion Device and Manufacturing Method thereof
WO2010053105A1 (ja) 色素増感太陽電池およびその製造方法
JP3717506B2 (ja) 色素増感型太陽電池モジュール
JP4448478B2 (ja) 色素増感型太陽電池モジュール
KR101916845B1 (ko) 리간드-금속산화물층을 포함하는 자기구동 전기변색소자
EP1667275A1 (en) Dye-sensitized solar cell and dye-sensitized solar cell module
EP2879229B1 (en) Photoelectric conversion layer composition and photoelectric conversion element
JP4843899B2 (ja) 光電変換素子およびその製造方法
JP5134867B2 (ja) 光電変換素子
JP2011228312A (ja) 機能性デバイス
JP5621670B2 (ja) 光電変換エレクトロクロミック素子
JP4678125B2 (ja) 光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法
JP2007311243A (ja) 作用極および光電変換素子
EP2879230A1 (en) Photoelectric conversion layer composition and photoelectric conversion element
JP5197965B2 (ja) 光電変換素子
JP2008186669A (ja) 色素増感型太陽電池の製造方法
KR101507300B1 (ko) 태양전지-전기변색부 일체형 소자 및 이의 제조방법
JP5344282B2 (ja) 色素増感型太陽電池
JP5566681B2 (ja) 光電変換素子用電解質組成物及び光電変換素子
JP5172487B2 (ja) 光電変換素子
JP2016134403A (ja) 光電変換層及びそれを備えた光電変換素子
JP2008243623A (ja) 光電変換素子の製造方法および光電変換素子
KR20140084426A (ko) 다공성 입자의 광 산란층을 구비한 염료감응 태양전지
JP2011187425A (ja) 色素増感型光電変換装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110401

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110401

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20110401

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20110426

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110621

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110704

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees