JP4788734B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4788734B2 JP4788734B2 JP2008123618A JP2008123618A JP4788734B2 JP 4788734 B2 JP4788734 B2 JP 4788734B2 JP 2008123618 A JP2008123618 A JP 2008123618A JP 2008123618 A JP2008123618 A JP 2008123618A JP 4788734 B2 JP4788734 B2 JP 4788734B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- layer
- element region
- type
- drift layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 98
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 41
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000004904 shortening Methods 0.000 claims description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 20
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 3
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
- H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
- H01L27/0664—Vertical bipolar transistor in combination with diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
Description
逆導通型の半導体装置では2種類の素子が混在しているために、双方の素子にとって最適な構成を同一半導体基板に形成することが難しい。
特許文献1に、逆導通型の半導体装置を用いると、IGBTとダイオードを別の基板に形成した場合と比較してダイオードが導通状態から非導通状態に移行する際のリカバリ損失が増大することが指摘されている。この問題を解決するために、特許文献1に開示されている半導体装置100(本出願に添付する図14参照)は、低ライフタイム層161を備えている。以下に半導体装置100の構成と動作を簡単に説明する。
n-型のドリフト層160の中間深さに、低ライフタイム層161が形成されている。低ライフタイム層161は、半導体基板102の表面102a側からライフタイムキラー(ヘリウム等)を照射することによって形成している。低ライフタイム層161は、IGBT素子領域J101のドリフト層160とダイオード素子領域J102のドリフト層160に亘って伸びている。この低ライフタイム層161では、少数キャリア(ホール)のライフタイムが短い。
また、上記した半導体装置では、低ライフタイム領域を含むドリフト層のホールのライフタイムの平均値が、IGBT素子領域内よりもダイオード素子領域内で短い。IGBT素子領域では、IGBT素子領域がオン状態のときにドリフト層に存在するホールが消失し難く、伝導度変調が活発に行われる。IGBT素子領域のオン電圧が増大しない。
上記した半導体装置によると、IGBT素子領域のオン電圧を増大させることなく、ダイオード素子領域のリカバリ損失を低減化することができる。
同一深さのドリフト層において、ダイオード素子領域内にのみ低ライフタイム領域を形成することにより、低ライフタイム領域を含むドリフト層のホールのライフタイムの平均値が、IGBT素子領域内よりもダイオード素子領域内で短い構成を実現することができる。
上記した構成によると、非導電型不純物をドリフト層に注入することによって低ライフタイム領域を形成することができる。非導電型不純物の種類としては、金や白金等の重金属、あるいは炭素、酸素、窒素、フッ素、アルゴン、シリコン、ゲルマニウム等が含まれる。従来のように軽いイオンを照射する場合と相違し、このような不純物は、選択した範囲に容易に注入することができる。
また、炭素と酸素は、ライフタイムを調整することができる非導電型不純物の中では、比較的軽い。低ライフタイム領域は、少なくとも、ドリフト層とアノード層の境界近傍のドリフト層内に形成することが好ましい。このために、ダイオード素子領域において表面から深い範囲に注入することとなる。炭素と酸素は比較的軽いので表面から深い範囲であっても注入し易い。
上記した構成によると、特にダイオード素子領域とIGBT素子領域の境界において、ダイオード素子領域に注入した非導電型不純物が、トレンチ電極によって阻まれてIGBT素子領域に拡散し難い。IGBT素子領域のオン電圧が増大しない。
上記した構成によると、低ライフタイム領域が隣接するトレンチ電極間に伸びていることにより、リカバリ動作時にアノード層に戻るホールが低ライフタイム領域で消失し易い。ダイオード素子領域のリカバリ損失を増大させない。
なお、前述したように、トレンチ電極は絶縁膜に取り囲まれている。上記した「隣接するトレンチ電極間」とは、1つのトレンチ電極を取り囲んでいる絶縁膜から隣接するトレンチ電極を取り囲んでいる絶縁膜までの間を示す。
(特徴1)低ライフタイム領域は、少なくとも、アノード層とドリフト層の境界近傍のドリフト層内に形成されている。
(特徴2)IGBT素子領域となる範囲の半導体層の表面に厚いレジストを形成した後に、表面側から非導電型不純物を注入する。
(特徴3)注入される非導電型不純物の濃度のピーク値が、アノード層とドリフト層の境界近傍のドリフト層内となるように、非導電型不純物を表面側から注入する際の加速電圧を設定する。
半導体装置1は、シリコンを材料とする半導体層2と、半導体層2の裏面2bに形成されている裏面電極3と、半導体層2の表面2aに形成されている表面電極5を備えている。
半導体層2は、浅部2Uと深部2Lを備えている。深部2Lは、p+型のコレクタ領域80とn+型のカソード領域70を備えている。コレクタ領域80は、半導体層2の裏面2bのうちのIGBT素子領域J1の範囲に形成されている。カソード領域70は、裏面2bのうちのダイオード素子領域J2の範囲に形成されている。前述した裏面電極3は、コレクタ領域80とカソード領域70に共通に接続している。また、深部2Lは、コレクタ領域80とカソード領域70の上部に共通に形成されているn-型のドリフト層60を備えている。
ダイオード素子領域J2では、低濃度p型層30が低濃度アノード層として機能する。ダイオード素子領域J2では、高濃度p型領域22がアノード領域として機能する。
トレンチゲート電極12と表面電極5の間には絶縁膜10が形成されており、両者は接続していない。トレンチゲート電極12は、表面電極5が形成されていない領域(図1の奥行き方向のいずれかの断面)で、図示していないゲート配線と接続している。
ダイオード素子領域J2が導通状態から非導通状態に移行する際に、ドリフト層60に注入されたホールが低濃度p型層30に戻ろうとする。この現象に起因して、ダイオード素子領域J2に、導通状態のときとは逆方向(図3に示す太い矢印とは逆方向)のリカバリ電流が流れようとする。本実施例の半導体装置1は、ダイオード素子領域J2内のドリフト層60に低ライフタイム領域61を備えている。これにより、ダイオード素子領域J2のリカバリ動作時に、低濃度p型層30に戻るホールの一部が、低ライフタイム領域61で消失する。ダイオード素子領域J2のリカバリ電流を低減化することができ、ダイオード素子領域J2でのリカバリ損失を低減化することができる。
本実施例の半導体装置1によると、IGBT素子領域J1のオン電圧を増大させることなくリカバリ損失を低減化することができる。
図4に示すように、まず、n-型の半導体層2を準備する。表面2aから、p型不純物のボロンを注入する(注入条件;単位面積当たりの注入量の設定が3×1013cm-2程度)。その後に、1150℃で40分間の熱処理をすることにより注入したボロンが活性化され、図4に示す低濃度p型層30が形成される。低濃度p型層30の下方に位置するn-型の半導体層2をドリフト層60とする。
図9に示すように、ダイオード素子領域J2となる範囲に、炭素Cと酸素Oのカップリングが多く含まれている低ライフタイム領域61が形成される。
次に、図11に示すように、高濃度p型領域22を形成する範囲に開口部が形成されているマスクM3を表面2aに形成する。表面2a側から半導体層2にp型不純物のボロンを注入する(注入条件;単位面積当たりの注入量の設定が4×1015cm-2程度、加速電圧が50kV程度)。熱処理をして高濃度p型領域22を形成する。アッシングと酸剥離によってマスクM3を表面2aから除去する。なお、前述したトレンチ隣接領域20を形成するための熱処理は、このときに同時に行ってもよい。
隣接するトレンチT間の低濃度p型領域30の表面2aに、トレンチ隣接領域20と高濃度p型領域22が形成される。
次に、半導体層2を下方から研磨する。その後、半導体層2の裏面2bのうちIGBT素子領域J1を形成する範囲の裏面2bにハードマスクM4を配置し、裏面2bからn型不純物のリンを注入する(注入条件;単位面積当たりの注入量の設定が1×1015cm-2程度、加速電圧が50kV程度)。その後にレーザアニールを行い、n+型のカソード領域70を形成する。
次に、図1に示すように、スパッタリングにより、裏面2bに、例えばアルミニウムとチタンとニッケルと金の積層膜を形成する。コレクタ領域80とカソード領域70の双方に接続する裏面電極3が形成される。
また、低ライフタイム領域61は、トレンチTの最深部よりも浅い範囲に形成されている。製造過程で、注入した炭素Cと酸素Oが、トレンチTを越えて拡散し難い。特に、IGBT素子領域J1とダイオード素子領域J2の境界の部分において、ダイオード素子領域J2に注入された炭素Cと酸素Oが、隣接するIGBT素子領域J1に拡散し難い。半導体層2に、IGBT素子領域J1とダイオード素子領域J2が交互に形成されている場合に特に有用である。
また、上記した製造方法では、低ライフタイム領域61を形成するために、炭素Cと酸素Oを半導体層2に注入している。低ライフタイム領域61は、少なくとも、ドリフト層60と低濃度p型層30の境界近傍のドリフト層60内に形成することが好ましい。このために、ダイオード素子領域J2において表面2aから深い範囲に注入することとなる。ライフタイムを調整することができる非導電型不純物の中では、炭素Cと酸素Oは比較的軽い。したがって、炭素Cと酸素Oは深い範囲に注入し易い。
また、ダイオード素子領域J2には、トレンチ隣接領域20が形成されていなくてもよい。
また、IGBT素子領域J1とダイオード素子領域J2は、例えば、半導体層2の浅部2Uに形成されている区画領域4毎に少なくとも一方向に交互に形成されていてもよい。この場合には、裏面2bにコレクタ領域80とカソード領域70が少なくとも一方向に繰り返して形成されている。
また、低ライフタイム領域61は、ダイオード素子領域J2のドリフト層60と、低濃度p型領域30の境界を超えて低濃度p型領域30の少なくとも一部に広がっていても良い。
また、ダイオード素子領域J2では、ドリフト層60の全域が低ライフタイム領域61であってもよい。
また、本実施例では、低ライフタイム領域61が、ダイオード素子領域J2の隣接するトレンチT間に亘って形成されている場合について説明した。しかしながら、低ライフタイム領域61は、ダイオード素子領域J2のドリフト層60の少なくとも一部に形成されていればよく、トレンチT間に亘って形成されていなくてもよい。
また、本実施例では、半導体層2に元々含まれている非導電型不純物である炭素Cと酸素Oを注入することによって低ライフタイム領域61を形成する場合について説明した。しかしながら、注入する非導電型不純物は、炭素Cと酸素Oに限定されない。例えば、金Auや白金Pt等の、1種類又は複数種類の重金属を注入することによっても、ホールのライフタイムを短くすることができる。
2:半導体層
2L:深部
2U:浅部
2a:表面
2b:裏面
3:裏面電極
4:区画領域
5:表面電極
10:絶縁膜
12:トレンチゲート電極
14:絶縁膜
20:トレンチ隣接領域
22:高濃度p型領域
30:低濃度p型層
60:ドリフト層
61:低ライフタイム領域
70:カソード領域
80:コレクタ領域
J1:IGBT素子領域
J2:ダイオード素子領域
M1,M2,M3:マスク
R1:レジスト
T:トレンチ
Claims (7)
- 同一半導体基板にIGBT素子領域とダイオード素子領域が混在している半導体装置であり、
IGBT素子領域では、p型のコレクタ層とn型のドリフト層とp型のボディ層が順に積層されており、前記ボディ層の表面から前記ボディ層を貫通して前記ドリフト層内に突出しているとともに絶縁膜で囲まれているトレンチゲート電極が形成されており、その絶縁膜を介してトレンチゲート電極に接しているとともに前記表面に臨む範囲にn型のエミッタ領域が形成されており、そのエミッタ領域が前記ボディ層によって前記ドリフト層から分離されており、
ダイオード素子領域では、n型のカソード層と前記ドリフト層とp型のアノード層が順に積層されており、前記アノード層の表面に臨む範囲にp型の不純物を前記アノード層よりも高濃度に含むアノード領域が形成されており、そのアノード領域が前記アノード層によって前記ドリフト層から分離されており、
前記ダイオード素子領域内の前記ドリフト層の少なくとも一部の領域にホールのライフタイムを短くする低ライフタイム領域が形成されており、
前記低ライフタイム領域に2種類以上の非導通型不純物のみを注入することで、前記低ライフタイム領域において種類の異なる前記非導通型不純物がカップリングしており、
前記低ライフタイム領域を含む前記ドリフト層におけるホールのライフタイムの平均値が、前記IGBT素子領域内よりも前記ダイオード素子領域内で短いことを特徴とする半導体装置。 - 前記低ライフタイム領域と同一深さにおけるホールのライフタイムが、前記IGBT素子領域で長く、前記ダイオード素子領域で短いことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記低ライフタイム領域における非導電型不純物の濃度が、前記ドリフト層の他の領域における濃度より濃いことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記低ライフタイム領域に含まれている各々の種類の不純物濃度が、前記ドリフト層の他の領域における濃度より濃いことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記非導電型不純物が、炭素と酸素であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記ダイオード素子領域において、前記アノード層の表面から前記アノード層を貫通して前記ドリフト層内に突出しているとともに絶縁膜で囲まれているトレンチ電極が形成されており、
前記低ライフタイム領域が、前記トレンチ電極の最深部よりも浅い範囲に形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記低ライフタイム領域が、隣接する前記トレンチ電極間に亘って伸びていることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008123618A JP4788734B2 (ja) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | 半導体装置 |
US12/436,888 US7952143B2 (en) | 2008-05-09 | 2009-05-07 | Semiconductor device having IGBT and diode |
DE102009002944.3A DE102009002944B4 (de) | 2008-05-09 | 2009-05-08 | Halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008123618A JP4788734B2 (ja) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009272550A JP2009272550A (ja) | 2009-11-19 |
JP4788734B2 true JP4788734B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=41266155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008123618A Expired - Fee Related JP4788734B2 (ja) | 2008-05-09 | 2008-05-09 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7952143B2 (ja) |
JP (1) | JP4788734B2 (ja) |
DE (1) | DE102009002944B4 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5469098B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2014-04-09 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
EP2477226B1 (en) | 2009-09-07 | 2016-06-22 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device including semiconductor substrate having diode region and igbt region |
JP5609078B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2014-10-22 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN102396056B (zh) | 2009-12-15 | 2014-03-12 | 丰田自动车株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
US8564098B2 (en) * | 2010-03-05 | 2013-10-22 | Infineon Technologies Austria Ag | Controlling the recombination rate in a bipolar semiconductor component |
JP5190485B2 (ja) | 2010-04-02 | 2013-04-24 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
JP5695343B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2015-04-01 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
JP5707765B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2015-04-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8716746B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-05-06 | Denso Corporation | Semiconductor device |
JP5480084B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2014-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP5621493B2 (ja) * | 2010-10-13 | 2014-11-12 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8502346B2 (en) * | 2010-12-23 | 2013-08-06 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | Monolithic IGBT and diode structure for quasi-resonant converters |
US9064711B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-06-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device |
JP5488687B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2014-05-14 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5742672B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2015-07-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP5724887B2 (ja) * | 2012-01-16 | 2015-05-27 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP5620421B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2014-11-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2013197122A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP6078961B2 (ja) | 2012-03-19 | 2017-02-15 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2013201206A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Corp | 遮蔽板、半導体装置の製造方法、半導体装置 |
US8618576B1 (en) * | 2012-08-27 | 2013-12-31 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with back side metal structure |
JP5787853B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2015-09-30 | 株式会社東芝 | 電力用半導体装置 |
CN103855198B (zh) * | 2012-11-29 | 2017-04-12 | 上海联星电子有限公司 | 一种逆导型igbt器件及其形成方法 |
US9029944B2 (en) | 2013-02-18 | 2015-05-12 | Infineon Technologies Austria Ag | Super junction semiconductor device comprising implanted zones |
JP6144510B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2017-06-07 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6119593B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-04-26 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP6107767B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2017-04-05 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP6184352B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2017-08-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6459791B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2019-01-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
CN105814694B (zh) * | 2014-10-03 | 2019-03-08 | 富士电机株式会社 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
JP6185511B2 (ja) * | 2015-05-26 | 2017-08-23 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP6281548B2 (ja) * | 2015-09-17 | 2018-02-21 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP6709062B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2020-06-10 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置、その製造方法、及びそれを用いた電力変換装置 |
JP6604430B2 (ja) | 2016-03-10 | 2019-11-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10164078B2 (en) * | 2016-03-18 | 2018-12-25 | Infineon Technologies Americas Corp. | Bipolar semiconductor device with multi-trench enhancement regions |
JP6742925B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2020-08-19 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置、及びそれを用いた電力変換装置 |
JP2019102669A (ja) * | 2017-12-04 | 2019-06-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2019106419A (ja) * | 2017-12-11 | 2019-06-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7250473B2 (ja) * | 2018-10-18 | 2023-04-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN110797403B (zh) * | 2019-10-18 | 2023-08-01 | 上海睿驱微电子科技有限公司 | 一种rc-igbt半导体装置 |
EP3953972A1 (en) | 2020-06-18 | 2022-02-16 | Dynex Semiconductor Limited | Reverse conducting igbt with controlled anode injection |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0828506B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1996-03-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4840551B2 (ja) | 2001-06-07 | 2011-12-21 | 株式会社デンソー | Mosトランジスタ |
JP4791704B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2011-10-12 | 三菱電機株式会社 | 逆導通型半導体素子とその製造方法 |
JP4919700B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2012-04-18 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007012786A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007103770A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-04-19 | Sanken Electric Co Ltd | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ |
JP2007134625A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP5034461B2 (ja) * | 2006-01-10 | 2012-09-26 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP4857948B2 (ja) * | 2006-06-26 | 2012-01-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-05-09 JP JP2008123618A patent/JP4788734B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-07 US US12/436,888 patent/US7952143B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-08 DE DE102009002944.3A patent/DE102009002944B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7952143B2 (en) | 2011-05-31 |
US20090278166A1 (en) | 2009-11-12 |
DE102009002944B4 (de) | 2017-04-06 |
DE102009002944A1 (de) | 2009-12-17 |
JP2009272550A (ja) | 2009-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4788734B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4746927B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5519226B2 (ja) | ロバスト半導体デバイス | |
WO2015050262A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5033335B2 (ja) | 半導体装置およびそれを用いたインバータ装置 | |
CN107534042B (zh) | 半导体装置 | |
WO2012169053A1 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
CN100580950C (zh) | 半导体装置 | |
JP2007134625A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US10903202B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2008103590A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6606007B2 (ja) | スイッチング素子 | |
JP6721648B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2011100762A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4372082B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
CN107534053A (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
US11522075B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
JP2004247593A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2005340528A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5003598B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009038214A (ja) | 半導体装置 | |
JP4573490B2 (ja) | 逆阻止型igbtおよびその製造方法 | |
JP2008124362A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2015216348A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP2016086136A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110621 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110704 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4788734 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |